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JP2011102713A - Radiation detection element - Google Patents

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JP2011102713A
JP2011102713A JP2009256890A JP2009256890A JP2011102713A JP 2011102713 A JP2011102713 A JP 2011102713A JP 2009256890 A JP2009256890 A JP 2009256890A JP 2009256890 A JP2009256890 A JP 2009256890A JP 2011102713 A JP2011102713 A JP 2011102713A
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radiation detection
detection element
coating layer
radiation
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Shugen Ryu
主鉉 柳
Yoshinori Sunaga
義則 須永
勲 ▲高▼橋
Isao Takahashi
Masahiko Kobayashi
雅彦 小林
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Hitachi Cable Ltd
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Hitachi Cable Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a radiation detection element that can suppress the deterioration of characteristics caused by an external force or moisture. <P>SOLUTION: The radiation detection element 10 which is formed like a rectangular parallelepiped or a plate, and can detect radiation includes a front surface 10a having a first electrode, a rear surface 10b having a second electrode, a plurality of side surfaces 10c including a radiation incident surface 140 where radiation enters, side-surface covering layers 100 formed on the plurality of side surfaces 10c, and a rear-surface covering layer 120 that is formed at the edge of the rear surface 10b and has a larger thickness than the side-surface covering layer 100. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、放射線検出用素子に関する。特に、本発明は、ガンマカメラ等の放射線検出装置に用いる放射線検出用素子に関する。   The present invention relates to a radiation detection element. In particular, the present invention relates to a radiation detection element used in a radiation detection apparatus such as a gamma camera.

従来の放射線検出用素子として、直方体状の化合物半導体結晶の相対する2面に形成された電極のうち少なくとも一面の電極は複数個であり、化合物半導体の電極形成面ではない端面部分にECRプラズマCVD法で気相成長させた絶縁保護薄膜を形成した放射線検出素子が知られている(例えば、特許文献1参照)。   As a conventional radiation detecting element, at least one electrode is a plurality of electrodes formed on two opposing surfaces of a rectangular parallelepiped compound semiconductor crystal, and ECR plasma CVD is applied to an end surface portion that is not an electrode forming surface of the compound semiconductor. 2. Description of the Related Art A radiation detection element in which an insulating protective thin film formed by vapor phase growth is formed is known (see, for example, Patent Document 1).

特許文献1に記載の放射線検出用素子は、電極を形成していない端面部分に絶縁保護薄膜を形成しているので、端面部に酸化膜が形成されることや、電極部のハンダバンプを加熱溶融する際のハンダの成分であるSnやPb、フラックス中の不純物等が結晶内へ侵入することなどを防止することができる。   In the radiation detection element described in Patent Document 1, an insulating protective thin film is formed on an end surface portion where no electrode is formed. Therefore, an oxide film is formed on the end surface portion, and solder bumps on the electrode portion are heated and melted. It is possible to prevent Sn or Pb, which is a component of solder, and impurities in the flux from entering the crystal.

特開平9−36410号公報JP-A-9-36410

しかし、特許文献1に係る放射線検出用素子は、素子を構成する化合物半導体に加わる力により化合物半導体に発生し得る損傷、及び外部環境の水分による特性の劣化を考慮していないので、外力や湿度等により素子の特性が劣化する場合がある。   However, the radiation detection element according to Patent Document 1 does not consider damage that may occur in the compound semiconductor due to the force applied to the compound semiconductor constituting the element, and deterioration of characteristics due to moisture in the external environment. The characteristics of the element may be deteriorated due to the above.

したがって、本発明の目的は、外力や湿度による特性の劣化を抑制できる放射線検出用素子を提供することにある。   Accordingly, an object of the present invention is to provide a radiation detection element capable of suppressing deterioration of characteristics due to external force and humidity.

本発明は、上記目的を達成するため、直方体状若しくは平板状に形成され、放射線を検出可能な放射線検出用素子であって、第1電極を有する表面と、第2電極を有する裏面と、放射線が入射する放射線入射面を含む複数の側面と、複数の側面に設けられる側面被覆層と、裏面の縁部分に設けられ、側面被覆層より厚い厚さを有する裏面被覆層と備える放射線検出用素子が提供される。   In order to achieve the above object, the present invention is a radiation detecting element that is formed in a rectangular parallelepiped shape or a flat plate shape and capable of detecting radiation, and includes a surface having a first electrode, a back surface having a second electrode, and radiation. Radiation detection element comprising: a plurality of side surfaces including a radiation incident surface on which light is incident; a side surface coating layer provided on the plurality of side surfaces; Is provided.

また、上記放射線検出用素子は、側面被覆層と裏面被覆層とは一体に設けられてもよい。   In the radiation detection element, the side surface coating layer and the back surface coating layer may be provided integrally.

また、上記放射線検出用素子は、放射線検出用素子が基板に固定される場合に、第2電極は導電性部材により基板に固定され、裏面被覆層は、導電性部材の厚さ以下の厚さを有することが好ましい。   Further, in the radiation detection element, when the radiation detection element is fixed to the substrate, the second electrode is fixed to the substrate by the conductive member, and the back surface coating layer has a thickness equal to or less than the thickness of the conductive member. It is preferable to have.

また、上記放射線検出用素子は、表面の縁部分に設けられる表面被覆層を更に備えることもできる。   The radiation detection element may further include a surface coating layer provided on an edge portion of the surface.

また、上記放射線検出用素子は、側面被覆層は、1μm以上2μm以下の厚さを有し、裏面被覆層は、5μm以上10μm以下の厚さを有することができる。   In the radiation detection element, the side surface coating layer may have a thickness of 1 μm to 2 μm, and the back surface coating layer may have a thickness of 5 μm to 10 μm.

また、上記放射線検出用素子は、側面被覆層及び裏面被覆層は、絶縁材料から形成されることが好ましい。   In the radiation detection element, the side surface coating layer and the back surface coating layer are preferably formed of an insulating material.

また、上記放射線検出用素子は、基板と、放射線検出用素子の隣接部分にて基板を支持する支持部材とを備える放射線検出器に用いてもよい。   The radiation detection element may be used in a radiation detector including a substrate and a support member that supports the substrate at a portion adjacent to the radiation detection element.

また、上記放射線検出用素子は、基板は、放射線検出用素子を基板の第一の端部側に有し、支持部材は、第一の端部の反対側の第二の端部側において基板を支持してもよい。   In the radiation detection element, the substrate has the radiation detection element on the first end portion side of the substrate, and the support member is on the second end portion side opposite to the first end portion. May be supported.

本発明に係る放射線検出器によれば、外力や湿度による特性の劣化を抑制できる放射線検出用素子を提供することができる。   According to the radiation detector according to the present invention, it is possible to provide a radiation detection element capable of suppressing deterioration of characteristics due to external force and humidity.

本発明の実施の形態に係る放射線検出用素子の斜視図である。It is a perspective view of the element for radiation detection concerning an embodiment of the invention. (a)は本実施の形態に係る放射線検出用素子の表面図であり、(b)は本実施の形態に係る放射線検出用素子の裏面図である。(A) is a front view of the element for radiation detection concerning this embodiment, and (b) is a back view of the element for radiation detection concerning this embodiment. 本実施の形態に係る放射線検出用素子の断面図である。It is sectional drawing of the element for radiation detection which concerns on this Embodiment. 放射線検出器の斜視図である。It is a perspective view of a radiation detector. 放射線検出器からフレキシブル基板を除いた場合の斜視図である。It is a perspective view at the time of removing a flexible substrate from a radiation detector. 放射線検出器が備える基板の正面図である。It is a front view of the board | substrate with which a radiation detector is provided. 放射線検出器が備える基板に本実施の形態に係る複数の放射線検出用素子を搭載した場合の斜視図である。It is a perspective view at the time of mounting the several element for radiation detection which concerns on this Embodiment on the board | substrate with which a radiation detector is equipped. 本実施の形態に係る放射線検出用素子を基板に搭載した場合における断面図である。It is sectional drawing in the case of mounting the radiation detection element concerning this Embodiment on a board | substrate. 本実施の形態に係る放射線検出用素子を基板に搭載した場合に放射線検出用素子が傾いた場合における断面図である。It is sectional drawing in case a radiation detection element inclines when the radiation detection element which concerns on this Embodiment is mounted in a board | substrate. カードホルダの表面側からの斜視図である。It is a perspective view from the surface side of a card holder. カードホルダの裏面側からの斜視図である。It is a perspective view from the back side of a card holder. 本実施の形態に係る半導体素子に被覆層を形成する場合に用いるマスキング冶具の図である。It is a figure of the masking jig used when forming a coating layer in the semiconductor element concerning this embodiment. 半導体素子とマスクとの位置関係の概要を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the outline | summary of the positional relationship of a semiconductor element and a mask.

[実施の形態の要約]
直方体状若しくは平板状に形成され、放射線を検出可能な放射線検出用素子において、第1電極を有する表面と、第2電極を有する裏面と、前記放射線が入射する放射線入射面を含む複数の側面と、前記複数の側面に設けられる側面被覆層と、前記裏面の縁部分に設けられ、前記側面被覆層より厚い厚さを有する裏面被覆層とを備える放射線検出用素子が提供される。
[Summary of embodiment]
In a radiation detection element formed in a rectangular parallelepiped shape or a flat plate shape and capable of detecting radiation, a front surface having a first electrode, a back surface having a second electrode, and a plurality of side surfaces including a radiation incident surface on which the radiation is incident There is provided a radiation detection element comprising a side surface coating layer provided on the plurality of side surfaces and a back surface coating layer provided at an edge portion of the back surface and having a thickness greater than that of the side surface coating layer.

[実施の形態]
図1Aは、本発明の実施の形態に係る放射線検出用素子の斜視図であり、図1B(a)は、本実施の形態に係る放射線検出用素子の表面を示し、図1B(b)は、本実施の形態に係る放射線検出用素子の裏面を示す。更に、図1Cは、本実施の形態に係る放射線検出用素子の模式的な断面を示す。
[Embodiment]
1A is a perspective view of a radiation detection element according to an embodiment of the present invention, FIG. 1B (a) shows the surface of the radiation detection element according to the present embodiment, and FIG. 1B (b) The back surface of the element for radiation detection which concerns on this Embodiment is shown. Furthermore, FIG. 1C shows a schematic cross section of the radiation detection element according to the present exemplary embodiment.

(放射線検出用素子10の構成の概要)
本実施の形態に係る放射線検出用素子10は、γ線、X線等の放射線を検出することができる半導体素子150を用いて構成される。図1Aに示すように、放射線検出用素子10は直方体状若しくは平板状に形成され、複数の側面10cの中で面積が最大の2つの側面のうちの一方を、放射線が入射する放射線入射面140にすることができる。放射線検出用素子10は、一例として、縦×横×厚さが、11.1mm×5mm×1.2mmの大きさを有する。
(Outline of configuration of radiation detecting element 10)
The radiation detection element 10 according to the present embodiment is configured using a semiconductor element 150 that can detect radiation such as γ-rays and X-rays. As shown in FIG. 1A, the radiation detection element 10 is formed in a rectangular parallelepiped shape or a flat plate shape, and a radiation incident surface 140 on which radiation enters one of the two side surfaces having the largest area among the plurality of side surfaces 10c. Can be. As an example, the radiation detection element 10 has a size of length × width × thickness of 11.1 mm × 5 mm × 1.2 mm.

本実施の形態において、放射線検出用素子10は、化合物半導体から主として構成される半導体素子150を用いて構成することができる。半導体素子150は、一例として、CdTeから主として構成することができる。また、γ線等の放射線を検出できる限り、半導体素子150はCdTeから構成することに限られない。例えば、CdZnTe(CZT)、HgI等の化合物半導体を用いて半導体素子150を構成することもできる。 In the present embodiment, the radiation detection element 10 can be configured using a semiconductor element 150 mainly composed of a compound semiconductor. For example, the semiconductor element 150 can be mainly composed of CdTe. Further, the semiconductor element 150 is not limited to being made of CdTe as long as radiation such as γ rays can be detected. For example, the semiconductor element 150 can be configured using a compound semiconductor such as CdZnTe (CZT) or HgI 2 .

そして、放射線検出用素子10は、第1電極としてのカソード電極130を有する表面10aと、第2電極としてのアノード電極135を有する裏面10bと、放射線入射面140を含む複数の側面10cと、複数の側面10cに設けられる側面被覆層100と、表面10aの縁部分に設けられる表面被覆層110とを備える。更に、放射線検出用素子10は、裏面10bの縁部分に設けられ、側面被覆層100より厚い厚さを有する裏面被覆層120を備える。本実施の形態において、側面被覆層100と表面被覆層110とは一体に設けられる。また、側面被覆層100と裏面被覆層120とは一体に設けられる。   The radiation detecting element 10 includes a front surface 10a having a cathode electrode 130 as a first electrode, a back surface 10b having an anode electrode 135 as a second electrode, a plurality of side surfaces 10c including a radiation incident surface 140, and a plurality of side surfaces 10c. The side surface coating layer 100 provided on the side surface 10c of the surface 10 and the surface coating layer 110 provided on the edge portion of the surface 10a. Furthermore, the radiation detection element 10 includes a back surface coating layer 120 provided at an edge portion of the back surface 10 b and having a thickness thicker than that of the side surface coating layer 100. In the present embodiment, the side surface coating layer 100 and the surface coating layer 110 are provided integrally. Further, the side surface coating layer 100 and the back surface coating layer 120 are integrally provided.

また、図1B(b)及び図1Cに示すように、放射線検出用素子10の裏面10bには複数の溝部10dが形成される。複数の溝部10dは、裏面10bに略等間隔に設けられる。溝部10dにより分離される放射線検出用素子10の部分のそれぞれが、放射線を検出する1つの画素(ピクセル)に対応する。これにより、一の放射線検出用素子10は、複数の画素を有することになる。そして、一の溝部10dと当該一の溝部10dに隣接する他の溝部10dとの間に形成される凸状部分の表面(すなわち、裏面10bの表面)に、アノード電極135が形成される。したがって、本実施の形態に係る放射線検出用素子10の裏面10bは、裏面10bの平面視にて短手方向に沿って延びる線状の複数のアノード電極135が形成される。なお、溝部10dの数を増減させることにより、一の放射線検出用素子10のピクセル数を増減させることができる。   Further, as shown in FIGS. 1B (b) and 1C, a plurality of grooves 10d are formed on the back surface 10b of the radiation detection element 10. The plurality of groove portions 10d are provided at substantially equal intervals on the back surface 10b. Each of the portions of the radiation detection element 10 separated by the groove 10d corresponds to one pixel (pixel) that detects radiation. Thereby, one radiation detection element 10 has a plurality of pixels. Then, the anode electrode 135 is formed on the surface of the convex portion formed between the one groove portion 10d and another groove portion 10d adjacent to the one groove portion 10d (that is, the surface of the back surface 10b). Therefore, the back surface 10b of the radiation detection element 10 according to the present exemplary embodiment is formed with a plurality of linear anode electrodes 135 extending along the short side direction in a plan view of the back surface 10b. Note that the number of pixels of one radiation detection element 10 can be increased or decreased by increasing or decreasing the number of groove portions 10d.

(側面被覆層100、表面被覆層110、及び裏面被覆層120)
側面被覆層100は、放射線検出用素子10の側面を被覆するように設けられる。一方、表面被覆層110は、表面10aの縁部分に設けられ、短手方向に沿った縁部分に設けられる短手側表面被覆層110aと、長手方向に沿った縁部分に設けられる長手側表面被覆層110bとを有して構成される。すなわち、表面10aにおいてカソード電極130の表面が露出するように、略矩形状の開口を有して表面被覆層110は形成される。なお、カソード電極130の縁部分は、短手側表面被覆層110a及び長手側表面被覆層110bに覆われる。更に、本実施の形態においては、図1B(a)に示すように、一例として、短手側表面被覆層110aの幅tは長手側表面被覆層110bの幅tより狭く形成される。例えば、短手側表面被覆層110aの幅tは0.3mm、長手側表面被覆層110bの幅tは0.5mmに形成される。
(Side coating layer 100, surface coating layer 110, and back coating layer 120)
The side surface coating layer 100 is provided so as to cover the side surface of the radiation detection element 10. On the other hand, the surface covering layer 110 is provided on the edge portion of the surface 10a, and the short side surface covering layer 110a provided on the edge portion along the short side direction and the long side surface provided on the edge portion along the long side direction. And a coating layer 110b. That is, the surface coating layer 110 is formed with a substantially rectangular opening so that the surface of the cathode electrode 130 is exposed on the surface 10a. The edge portion of the cathode electrode 130 is covered with the short-side surface coating layer 110a and the long-side surface coating layer 110b. Further, in the present embodiment, as shown in FIG. 1B (a), as an example, the width t 1 of the short side surface coating layer 110a is formed narrower than the width t 2 of the longitudinal side surface covering layer 110b. For example, the width t 1 of the short-side surface coating layer 110a is 0.3 mm, and the width t 2 of the long-side surface coating layer 110b is 0.5 mm.

また、裏面被覆層120は、裏面10bの縁部分に設けられ、短手方向に沿った縁部分に設けられる短手側裏面被覆層120aと、長手方向に沿った縁部分に設けられる長手側裏面被覆層120bとを有して構成される。すなわち、裏面10bにおいて複数のアノード電極135の表面のそれぞれが露出するように、略矩形状の開口を有して裏面被覆層120は形成される。また、表面被覆層110と同様に、裏面被覆層120は、長手側裏面被覆層120bの幅より狭く形成した短手側裏面被覆層120aを有して構成できる。   Further, the back surface coating layer 120 is provided at the edge portion of the back surface 10b, and the short side back surface coating layer 120a provided at the edge portion along the short side direction and the long side back surface provided at the edge portion along the longitudinal direction. And a coating layer 120b. That is, the back surface coating layer 120 is formed with a substantially rectangular opening so that each of the surfaces of the plurality of anode electrodes 135 is exposed on the back surface 10b. Similarly to the surface coating layer 110, the back surface coating layer 120 can be configured to have a short side back surface coating layer 120a formed narrower than the width of the long side back surface coating layer 120b.

ここで、図1Cを参照する。本実施の形態において、裏面被覆層120は、放射線検出用素子10の側面に形成される側面被覆層100より厚く形成される。すなわち、側面被覆層100の厚さ「a」、裏面被覆層120の厚さを「b」とした場合、「a<b」の関係を満たすように側面被覆層100と裏面被覆層120とは形成される。一例として、側面被覆層100は、1μm以上2μm以下の厚さを有して形成され、裏面被覆層120は、5μm以上10μm以下の厚さを有して形成される。なお、表面被覆層110の厚さを側面被覆層100の厚さより厚く形成することもできる。   Reference is now made to FIG. 1C. In the present embodiment, the back surface coating layer 120 is formed thicker than the side surface coating layer 100 formed on the side surface of the radiation detection element 10. That is, when the thickness of the side surface coating layer 100 is “a” and the thickness of the back surface coating layer 120 is “b”, the side surface coating layer 100 and the back surface coating layer 120 are formed so as to satisfy the relationship of “a <b”. It is formed. As an example, the side surface coating layer 100 is formed with a thickness of 1 μm or more and 2 μm or less, and the back surface coating layer 120 is formed with a thickness of 5 μm or more and 10 μm or less. Note that the thickness of the surface coating layer 110 may be formed to be greater than the thickness of the side surface coating layer 100.

また、本実施の形態において、側面被覆層100、表面被覆層110、及び裏面被覆層は、絶縁材料から主として形成される。絶縁材料としては、ポリテトラフルオロエチレン等のフッ素系樹脂、その他の絶縁性の樹脂を用いることができる。   In the present embodiment, the side surface coating layer 100, the surface coating layer 110, and the back surface coating layer are mainly formed from an insulating material. As the insulating material, a fluorine-based resin such as polytetrafluoroethylene and other insulating resins can be used.

(放射線検出器1の構成の概要)
図2Aは、本実施の形態に係る放射線検出用素子10を備える放射線検出器の斜視図であり、図2Bは、放射線検出器からフレキシブル基板を除いた場合の斜視図である。
(Outline of configuration of radiation detector 1)
FIG. 2A is a perspective view of a radiation detector provided with the radiation detection element 10 according to the present exemplary embodiment, and FIG. 2B is a perspective view when a flexible substrate is removed from the radiation detector.

放射線検出器1は、複数個の放射線検出用素子10を備える。ここで、図2Aに示すように、放射線300が紙面の上方から下方に沿って伝搬すると仮定する。この場合、放射線300は、放射線検出器1が備える放射線検出用素子10の側からカードホルダ30及びカードホルダ31の側に向かう方向に沿って伝搬する。そして、放射線検出器1は、放射線検出用素子10の側面10cの1つである放射線入射面140(つまり、図2Aの上方に面している側面)において放射線300を検出する。このように、放射線検出用素子10の側面の一部を放射線入射面140とする放射線検出器をエッジオン型の放射線検出器と称する。なお、放射線検出器1は、特定の方向(例えば、被検体から放射線検出器1に向かう方向)に沿って伝搬してくる放射線300が通過する複数の開口を有するコリメータを介して放射線300を検出する複数の放射線検出器1が配列されて構成されるエッジオン型の放射線検出装置用の放射線検出器1として構成することができる。また、放射線検出器1は、カード型の形状を呈する。   The radiation detector 1 includes a plurality of radiation detection elements 10. Here, as shown in FIG. 2A, it is assumed that the radiation 300 propagates from the top to the bottom of the page. In this case, the radiation 300 propagates along the direction from the radiation detection element 10 side of the radiation detector 1 toward the card holder 30 and the card holder 31. The radiation detector 1 detects the radiation 300 on the radiation incident surface 140 (that is, the side surface facing upward in FIG. 2A) which is one of the side surfaces 10c of the radiation detection element 10. In this way, a radiation detector in which a part of the side surface of the radiation detection element 10 is the radiation incident surface 140 is referred to as an edge-on type radiation detector. The radiation detector 1 detects the radiation 300 via a collimator having a plurality of openings through which the radiation 300 propagating along a specific direction (for example, a direction from the subject toward the radiation detector 1) passes. The radiation detector 1 for an edge-on type radiation detection apparatus configured by arranging a plurality of radiation detectors 1 may be configured. The radiation detector 1 has a card shape.

なお、放射線検出器1は、コリメータを備えることができる。また、放射線検出器1は、コリメータを備えずに用いることもできる。コリメータを用いる場合、多孔平行コリメータ、ピンホールコリメータ等を用いることができる。以下の説明においては、一例として、多孔平行コリメータを用いる場合について説明する。   The radiation detector 1 can include a collimator. The radiation detector 1 can also be used without a collimator. When using a collimator, a porous parallel collimator, a pinhole collimator, or the like can be used. In the following description, a case where a porous parallel collimator is used will be described as an example.

具体的に、図2Aを参照すると、放射線検出器1は、コリメータの複数の開口を介して放射線300を検出可能な放射線検出用素子10と、コリメータの複数の開口を隔てる壁部と同程度又は当該壁部の厚さ以下の厚さを有する薄い基板20と、一対の放射線検出用素子10の隣接部分にて基板20を挟み込むことにより基板20を支持する支持部材としてのカードホルダ30及びカードホルダ31とを備える。そして、図2Aにおいては、一対の放射線検出用素子10が4組、基板20を挟み込む位置において基板20に固定される。すなわち、各組の一対の放射線検出用素子10は、基板20の一方の面と他方の面とのそれぞれに基板20を対称面として対称の位置に固定される。   Specifically, referring to FIG. 2A, the radiation detector 1 has a radiation detection element 10 that can detect the radiation 300 through a plurality of openings of the collimator and a wall portion that separates the plurality of openings of the collimator or A card holder 30 and a card holder as a support member for supporting the substrate 20 by sandwiching the substrate 20 between adjacent portions of the thin substrate 20 having a thickness equal to or less than the wall portion and the pair of radiation detection elements 10 31. In FIG. 2A, four pairs of radiation detection elements 10 are fixed to the substrate 20 at positions where the substrate 20 is sandwiched. That is, the pair of radiation detection elements 10 of each set is fixed to a symmetric position with the substrate 20 as a symmetry plane on each of one surface and the other surface of the substrate 20.

本実施の形態に係る放射線検出用素子10の側面10cはそれぞれ側面被覆層100により覆われているので、基板20に複数の放射線検出用素子10を配列させた場合に、複数の放射線検出用素子10の側面同士が接触したとしても、放射線検出用素子10の側面10cの損傷、すなわち、半導体素子150の損傷を抑制できる。   Since the side surface 10c of the radiation detection element 10 according to this exemplary embodiment is covered with the side surface coating layer 100, a plurality of radiation detection elements are arranged when the plurality of radiation detection elements 10 are arranged on the substrate 20. Even if the 10 side surfaces come into contact with each other, damage to the side surface 10c of the radiation detection element 10, that is, damage to the semiconductor element 150 can be suppressed.

また、基板20は第1の支持部としてのカードホルダ30と第2の支持部としてのカードホルダ31とに挟み込まれて支持される。カードホルダ30とカードホルダ31とはそれぞれ同一形状を有して形成され、カードホルダ30が有する溝付穴34にカードホルダ31が有する突起部36が嵌め合うと共に、カードホルダ31が有する溝付穴34(図示しない)にカードホルダ30が有する突起部36(図示しない)が嵌め合うことにより基板20が支持される。   The substrate 20 is sandwiched and supported by a card holder 30 as a first support portion and a card holder 31 as a second support portion. The card holder 30 and the card holder 31 are formed to have the same shape, and the protruding portion 36 of the card holder 31 is fitted into the grooved hole 34 of the card holder 30 and the grooved hole of the card holder 31 is fitted. The board | substrate 20 is supported by the projection part 36 (not shown) which the card holder 30 has fitted in 34 (not shown).

また、弾性部材実装部32及び凹部32aは、複数の放射線検出器1を支持する放射線検出器立てに放射線検出器1が挿入された場合に、放射線検出器1を放射線検出器立てに押し付けて固定する板ばね等の弾性部材が設けられる部分である。なお、放射線検出器立てはカードエッジ部29が挿入されるコネクタを有しており、放射線検出器1は、カードエッジ部29がコネクタに挿入され、コネクタとパターン29aとが電気的に接続することにより外部の電気回路としての制御回路、外部からの電源線、グランド線等に電気的に接続される。   The elastic member mounting portion 32 and the recess 32a are fixed by pressing the radiation detector 1 against the radiation detector stand when the radiation detector 1 is inserted into the radiation detector stand supporting the plurality of radiation detectors 1. This is a portion where an elastic member such as a leaf spring is provided. The radiation detector stand has a connector into which the card edge portion 29 is inserted. In the radiation detector 1, the card edge portion 29 is inserted into the connector, and the connector and the pattern 29a are electrically connected. Thus, the circuit is electrically connected to a control circuit as an external electric circuit, an external power supply line, a ground line, and the like.

また、放射線検出器1は、一対の放射線検出用素子10の基板20の反対側に、各放射線検出用素子10のカソード電極130と複数の基板端子22とを電気的に接続する配線パターンを有するフレキシブル基板40を更に備える。   The radiation detector 1 has a wiring pattern that electrically connects the cathode electrode 130 of each radiation detection element 10 and the plurality of substrate terminals 22 on the opposite side of the substrate 20 of the pair of radiation detection elements 10. A flexible substrate 40 is further provided.

フレキシブル基板40は、一対の放射線検出用素子10の一方の放射線検出用素子10側、及び他方の放射線検出用素子10側の双方に設けられる(図2A及び図2Bの例においては、4組の一対の放射線検出用素子10の一方の放射線検出用素子10側のそれぞれと、他方の放射線検出用素子10側のそれぞれとの双方に、フレキシブル基板40がそれぞれ設けられる)。そして、フレキシブル基板40の複数の配線パターンの一端はそれぞれ、カードホルダ30及びカードホルダ31の複数のフレキリード結合部としての接合部38のそれぞれにおいて基板端子22に電気的に接続する。具体的に、フレキシブル基板40の配線パターンの一方の端は、放射線検出用素子10のカソード電極130に導電性接着剤等で接続される。そして、当該配線パターンの他方の端は、基板端子22の端子表面に導電性接着剤等を用いて電気的に接続される。   The flexible substrate 40 is provided on both the radiation detection element 10 side and the other radiation detection element 10 side of the pair of radiation detection elements 10 (in the example of FIGS. 2A and 2B, four sets of A flexible substrate 40 is provided on each of the radiation detection element 10 side of the pair of radiation detection elements 10 and each of the other radiation detection element 10 side). Then, one end of the plurality of wiring patterns of the flexible substrate 40 is electrically connected to the substrate terminal 22 at each of the joint portions 38 as the plurality of flexible lead coupling portions of the card holder 30 and the card holder 31. Specifically, one end of the wiring pattern of the flexible substrate 40 is connected to the cathode electrode 130 of the radiation detection element 10 with a conductive adhesive or the like. The other end of the wiring pattern is electrically connected to the terminal surface of the substrate terminal 22 using a conductive adhesive or the like.

図3Aは、放射線検出器が備える基板の正面図であり、図3Bは、放射線検出器が備える基板に本実施の形態に係る複数の放射線検出用素子を搭載した場合の斜視図である。   FIG. 3A is a front view of a substrate included in the radiation detector, and FIG. 3B is a perspective view when a plurality of radiation detection elements according to the present embodiment are mounted on the substrate included in the radiation detector.

(基板20の詳細)
基板20は、金属導体等の導電性材料からなる導電性薄膜(例えば、銅箔)が表面に形成された薄肉基板(例えば、FR4等のガラスエポキシ基板)を、ソルダーレジスト等の絶縁材料からなる絶縁層20bで挟んで形成される。そして、基板20は、可撓性を有すると共に、コリメータの複数の開口を隔てる壁部と同程度又は当該壁部の厚さ以下の厚さを有する。一例として、コリメータの複数の開口は略四角形状に形成される。そして、複数の開口の開口径のサイズは一辺が1.2mmに形成され、各開口が1.4mmピッチでマトリックス状に並べられて形成される。したがって、コリメータは、一の開口と、この一の開口に隣接する他の開口とを隔てる壁の厚さが0.2mmである。本実施の形態では、例えば、基板20は、コリメータの各開口を隔てる壁の厚さと略同一の厚さ(一例として、0.2mm)、又はこの壁の厚さ以下の厚さを有して形成される。
(Details of substrate 20)
The substrate 20 is a thin substrate (for example, a glass epoxy substrate such as FR4) on which a conductive thin film (for example, copper foil) made of a conductive material such as a metal conductor is formed, and is made of an insulating material such as a solder resist. It is formed by being sandwiched between insulating layers 20b. And the board | substrate 20 has the thickness which is the same as the wall part which divides several opening of a collimator, or below the thickness of the said wall part while having flexibility. As an example, the plurality of openings of the collimator are formed in a substantially square shape. The size of the opening diameter of the plurality of openings is formed such that one side is 1.2 mm and the openings are arranged in a matrix at a pitch of 1.4 mm. Therefore, the collimator has a wall thickness of 0.2 mm separating one opening and another opening adjacent to the one opening. In the present embodiment, for example, the substrate 20 has a thickness (for example, 0.2 mm) that is substantially the same as the thickness of the wall that separates the openings of the collimator, or a thickness that is equal to or less than the thickness of the wall. It is formed.

また、基板20は、複数の放射線検出用素子10のそれぞれが搭載される第一の端部側の幅が、複数の放射線検出用素子10が搭載される第一の端部側の反対側の第二の端部側よりも広く形成される。なお、第二の端部側において基板20はカードホルダ30及びカードホルダ31によって支持される。また、基板20の幅広に形成される領域の一部には、複数の放射線検出用素子10が備える複数のアノード電極135のそれぞれに電気的に接続する複数の素子接続部20aが設けられ、素子接続部20aが設けられる第一の端部に対向する第二の端部側には、放射線検出器1と外部の制御回路とを電気的に接続可能である複数のパターン29aが設けられたカードエッジ部29が設けられる。また、素子接続部20aとカードエッジ部29との間には、複数の放射線検出用素子10のそれぞれと電気的に接続する抵抗、コンデンサ等の電子部品を搭載する複数の電子部品搭載部26が設けられる。なお、電子部品搭載部26に、Application Specific Integrated Circuit(ASIC)、Field Programmable Gate Array(FPGA)等を搭載することもできる。   In addition, the substrate 20 has a width on the first end side on which each of the plurality of radiation detection elements 10 is mounted on a side opposite to the first end side on which the plurality of radiation detection elements 10 are mounted. It is formed wider than the second end side. The substrate 20 is supported by the card holder 30 and the card holder 31 on the second end side. In addition, a plurality of element connection portions 20a that are electrically connected to the plurality of anode electrodes 135 included in the plurality of radiation detection elements 10 are provided in a part of the wide region of the substrate 20, and the elements A card provided with a plurality of patterns 29a capable of electrically connecting the radiation detector 1 and an external control circuit on the second end side facing the first end provided with the connecting portion 20a An edge portion 29 is provided. In addition, a plurality of electronic component mounting portions 26 for mounting electronic components such as resistors and capacitors that are electrically connected to each of the plurality of radiation detection elements 10 are provided between the element connecting portion 20a and the card edge portion 29. Provided. Note that an application specific integrated circuit (ASIC), a field programmable gate array (FPGA), or the like can be mounted on the electronic component mounting unit 26.

基板20は、一例として、幅広の方向、すなわち長手方向は40mm程度の長さを有して形成される。そして、基板20は、幅広の部分の端部から幅が狭くなっている部分の端部まで、すなわち、素子接続部20aが設けられている部分の端からカードエッジ部29の端までの短手方向において、20mm程度の長さを有して形成される。   As an example, the substrate 20 is formed to have a length of about 40 mm in the wide direction, that is, the longitudinal direction. The substrate 20 is short from the end of the wide portion to the end of the narrowed portion, that is, from the end of the portion where the element connecting portion 20a is provided to the end of the card edge portion 29. In the direction, it is formed with a length of about 20 mm.

更に、基板20は、素子接続部20aと電子部品搭載部26との間に、基板20の表面からこの表面の法線方向に沿って突き出て形成される柱状の複数の基板端子22を有する。一例として、基板20の一表面に4つの円柱状の基板端子22が形成される。なお、基板端子22は、断面が矩形の柱状にすることもできる。更に、基板20は、幅広の部分の角部にグランド28を有すると共に、グランド28が設けられる領域に、カードホルダ30及びカードホルダ31の突起部36が挿入される複数の貫通穴24が設けられる。   Further, the substrate 20 has a plurality of columnar substrate terminals 22 formed to protrude from the surface of the substrate 20 along the normal direction of the surface between the element connection portion 20a and the electronic component mounting portion 26. As an example, four cylindrical substrate terminals 22 are formed on one surface of the substrate 20. The substrate terminal 22 may be a column having a rectangular cross section. Further, the substrate 20 has a ground 28 at the corner of the wide portion, and a plurality of through holes 24 into which the card holder 30 and the protrusions 36 of the card holder 31 are inserted are provided in the area where the ground 28 is provided. .

また、素子接続部20aと、基板端子22と、電子部品搭載部26と、グランド28と、パターン29aとはそれぞれ、基板20の厚さ方向の中心に位置する導電性薄膜を対称面として、基板20の一方の表面と他方の表面とのそれぞれに設けられる。ここで、素子接続部20aと、電子部品搭載部26と、グランド28と、パターン29aとはそれぞれ、一方の表面と他方の表面とに基板を対称面として略対称の位置に設けられる。一方、複数の基板端子22は、一方の面と他方の面とで互い違いとなる位置に設けられる。更に、複数のグランド28はそれぞれ、導電性薄膜を被覆する絶縁層20bを除去することにより導電性薄膜を外部に露出させて形成される。   In addition, the element connection portion 20a, the substrate terminal 22, the electronic component mounting portion 26, the ground 28, and the pattern 29a are each formed by using a conductive thin film located at the center in the thickness direction of the substrate 20 as a symmetry plane. 20 is provided on each of one surface and the other surface. Here, the element connecting portion 20a, the electronic component mounting portion 26, the ground 28, and the pattern 29a are provided at substantially symmetrical positions on one surface and the other surface, respectively, with the substrate as a symmetry plane. On the other hand, the plurality of substrate terminals 22 are provided at positions that alternate between one surface and the other surface. Further, each of the plurality of grounds 28 is formed by exposing the conductive thin film to the outside by removing the insulating layer 20b covering the conductive thin film.

(放射線検出用素子10の基板20への搭載)
図3Aに示した基板20の素子接続部20aのそれぞれに複数の放射線検出用素子10が備える複数のアノード電極135のそれぞれを接続することにより、図3Bに示すような、複数の放射線検出用素子10が搭載された基板20が形成される。具体的には、複数の素子接続部20aのそれぞれに、導電性接着剤200、例えば、Agペースト等を用いて複数の放射線検出用素子10がそれぞれ備えるアノード電極135が固定される。本実施の形態では、基板20の一方の面及び他方の面にそれぞれ4つの放射線検出用素子10が固定されるので、一の放射線検出器1は、8つの放射線検出用素子10を備えることになる。
(Mounting of radiation detection element 10 on substrate 20)
By connecting each of the plurality of anode electrodes 135 included in the plurality of radiation detection elements 10 to each of the element connection portions 20a of the substrate 20 illustrated in FIG. 3A, a plurality of radiation detection elements as illustrated in FIG. A substrate 20 on which 10 is mounted is formed. Specifically, the anode electrode 135 provided in each of the plurality of radiation detection elements 10 is fixed to each of the plurality of element connection portions 20a using a conductive adhesive 200, for example, Ag paste or the like. In the present embodiment, since four radiation detection elements 10 are fixed to one surface and the other surface of the substrate 20, one radiation detector 1 includes eight radiation detection elements 10. Become.

図4Aは、本実施の形態に係る放射線検出用素子を基板に搭載した場合における断面の概要を示し、図4Bは、本実施の形態に係る放射線検出用素子を基板に搭載した場合に放射線検出用素子が傾いた場合における断面の概要を示す。なお、図4A及び図4Bにおいては、説明を簡便にするため、アノード電極135、及び基板20が備える素子接続部20aの図示は省略する。   4A shows an outline of a cross section when the radiation detection element according to the present embodiment is mounted on a substrate, and FIG. 4B shows radiation detection when the radiation detection element according to the present embodiment is mounted on the substrate. The outline of a section in case an element is inclined is shown. 4A and 4B, illustration of the anode electrode 135 and the element connection portion 20a included in the substrate 20 is omitted for the sake of simplicity.

放射線検出用素子10の複数のアノード電極135のそれぞれは、導電性部材としての導電性接着剤200を介して基板20に搭載される。仮に、導電性接着剤200の形状が変化しない場合、図4Aに示すように、放射線検出用素子10は基板20の表面に水平になるように基板20に搭載される。しかしながら、基板20への放射線検出用素子10の搭載時において導電性接着剤200が加熱により流動化した場合、図4Bに示すように、放射線検出用素子10が傾く場合がある。ここで、本実施の形態に係る放射線検出用素子10が備える裏面被覆層120は、導電性接着剤200の厚さ以下の厚さを有しており、放射線検出用素子10の端部のそれぞれを保護している。導電性接着材200は、10μm以上15μm以下の厚さを有して形成される。したがって、放射線検出用素子10が傾いた場合であっても、短手側裏面被覆層120a及び/又は長手側裏面被覆層120bがクッションとしての機能を発揮して、半導体素子150が基板20に直接に接触することを防止できる。   Each of the plurality of anode electrodes 135 of the radiation detection element 10 is mounted on the substrate 20 via a conductive adhesive 200 as a conductive member. If the shape of the conductive adhesive 200 does not change, the radiation detection element 10 is mounted on the substrate 20 so as to be horizontal to the surface of the substrate 20 as shown in FIG. 4A. However, when the conductive adhesive 200 is fluidized by heating when the radiation detection element 10 is mounted on the substrate 20, the radiation detection element 10 may tilt as shown in FIG. 4B. Here, the back surface coating layer 120 included in the radiation detection element 10 according to the present exemplary embodiment has a thickness equal to or less than the thickness of the conductive adhesive 200, and each of the end portions of the radiation detection element 10. Is protecting. The conductive adhesive 200 is formed with a thickness of 10 μm to 15 μm. Therefore, even when the radiation detection element 10 is tilted, the short side back surface coating layer 120a and / or the long side back surface coating layer 120b exhibit a function as a cushion, and the semiconductor element 150 is directly applied to the substrate 20. Can be prevented from touching.

(カードホルダ30及びカードホルダ31の詳細)
図5Aは、カードホルダの表面側からの斜視図であり、図5Bは、カードホルダの裏面側からの斜視図である。
(Details of card holder 30 and card holder 31)
FIG. 5A is a perspective view from the front side of the card holder, and FIG. 5B is a perspective view from the back side of the card holder.

カードホルダ30とカードホルダ31とは同一形状を有するので、以下、カードホルダ30についてのみ説明する。   Since the card holder 30 and the card holder 31 have the same shape, only the card holder 30 will be described below.

図5Aを参照すると、カードホルダ30は、弾性部材が固定される弾性部材実装部32及び凹部32aと、カードホルダ30の対となるカードホルダ31の突起部36が嵌め合う複数の溝付穴34と、フレキシブル基板40の配線パターンが接続される複数の接合部38と、基板20の基板端子22が貫通する複数の端子用穴38aとを有して形成される。また、カードホルダ30は、放射線検出器1の複数の放射線検出用素子10が設けられている側を上側とした場合に、下側の両端部に突起部30a及び切り欠き部30bをそれぞれ有する。   Referring to FIG. 5A, the card holder 30 includes a plurality of grooved holes 34 in which the elastic member mounting portion 32 and the concave portion 32 a to which the elastic member is fixed and the projection portion 36 of the card holder 31 that is a pair of the card holder 30 are fitted. And a plurality of joints 38 to which the wiring pattern of the flexible substrate 40 is connected, and a plurality of terminal holes 38a through which the substrate terminals 22 of the substrate 20 pass. Further, the card holder 30 has a protrusion 30a and a notch 30b at both lower ends when the side on which the plurality of radiation detection elements 10 of the radiation detector 1 are provided is the upper side.

また、図5Bを参照すると、カードホルダ30はその裏面において、カードホルダ31が有する溝付穴34に嵌合する複数の突起部36を更に有する。また、カードホルダ30は、基板20の複数の電子部品搭載部26に対応する位置にくぼみ部39を更に有する。このくぼみ部39により、基板20の電子部品搭載部26上に搭載された電子部品はカードホルダ30及びカードホルダ31によって覆われ、一の放射線検出器1に隣接する他の放射線検出器1に接触することが防止される。   5B, the card holder 30 further includes a plurality of protrusions 36 that fit into the grooved holes 34 of the card holder 31 on the back surface thereof. Further, the card holder 30 further includes a recessed portion 39 at a position corresponding to the plurality of electronic component mounting portions 26 of the substrate 20. The electronic parts mounted on the electronic part mounting part 26 of the substrate 20 are covered with the card holder 30 and the card holder 31 by the indented part 39 and come into contact with another radiation detector 1 adjacent to the one radiation detector 1. Is prevented.

弾性部材実装部32及び凹部32aは、カードホルダ30の長手方向の各端部にそれぞれ設けられる。また、複数の接合部38及び端子用穴38aは、基板20が有する基板端子22の位置に対応させて、カードホルダ30の中央付近の領域にそれぞれ設けられる。更に、複数の溝付穴34は、弾性部材実装部32と接合部38との間の領域であって、複数の溝付穴34のうち最も弾性部材実装部32に近い側の溝付穴34よりも弾性部材実装部32に近い位置に設けられる。なお、カードホルダ30及びカードホルダ31はそれぞれ、絶縁性の樹脂材料から形成することができる。   The elastic member mounting portion 32 and the concave portion 32a are provided at each end portion in the longitudinal direction of the card holder 30. The plurality of joints 38 and the terminal holes 38 a are respectively provided in regions near the center of the card holder 30 so as to correspond to the positions of the board terminals 22 included in the board 20. Further, the plurality of grooved holes 34 are regions between the elastic member mounting portion 32 and the joint portion 38, and the grooved holes 34 closest to the elastic member mounting portion 32 among the plurality of grooved holes 34. It is provided at a position closer to the elastic member mounting portion 32 than. Each of the card holder 30 and the card holder 31 can be formed from an insulating resin material.

(放射線検出用素子10の製造方法)
図6Aは、本実施の形態に係る半導体素子に被覆層を形成する場合に用いるマスキング冶具を示し、図6Bは、半導体素子とマスクとの位置関係の概要を示す断面図である。なお、図6A及び図6Bにおいては、説明の便宜上、カソード電極130及びアノード電極135の図示は省略する。
(Method for manufacturing radiation detecting element 10)
FIG. 6A shows a masking jig used when forming a coating layer on the semiconductor element according to the present embodiment, and FIG. 6B is a cross-sectional view showing an outline of the positional relationship between the semiconductor element and the mask. 6A and 6B, illustration of the cathode electrode 130 and the anode electrode 135 is omitted for convenience of explanation.

まず、カソード電極130及びアノード電極135が形成された半導体素子150を準備する。そして、本実施の形態においては、凹部2aを備えるマスキング冶具2を用い、半導体素子150の所定の領域に被覆層を形成する。具体的には、まず、図6A及び図6Bに示すように、スペーサー5を介して半導体素子150をマスキング冶具2の凹部2aに搭載する。更に、半導体素子150の凹部2aの反対側の表面に、スペーサー5を介してマスク4を設置する。そして、マスク4の表面をおさえ3で固定する。なお、スペーサー5は、ゴム等の弾性材料から形成されるので、半導体素子150に損傷が生じることを抑制できる。   First, the semiconductor element 150 in which the cathode electrode 130 and the anode electrode 135 are formed is prepared. In the present embodiment, a masking jig 2 having a recess 2 a is used to form a coating layer in a predetermined region of the semiconductor element 150. Specifically, first, as shown in FIGS. 6A and 6B, the semiconductor element 150 is mounted in the recess 2 a of the masking jig 2 via the spacer 5. Further, the mask 4 is placed on the surface of the semiconductor element 150 opposite to the concave portion 2 a with the spacer 5 interposed. Then, the surface of the mask 4 is fixed with 3. In addition, since the spacer 5 is formed from elastic materials, such as rubber | gum, it can suppress that a semiconductor element 150 is damaged.

この状態で、図6Bに示すように、所定の絶縁性材料を半導体素子150に吹き付ける(図6Bの吹き付け方向400を参照)。なお、半導体素子150の表面又は裏面はマスク4によりマスキングされ、裏面又は表面は凹部2a側に向いているので、カソード電極130又はアノード電極135には樹脂材料が付着しない。以上の工程を経ることにより、本実施の形態に係る放射線検出用素子10が製造される。   In this state, as shown in FIG. 6B, a predetermined insulating material is sprayed onto the semiconductor element 150 (see the spraying direction 400 in FIG. 6B). Since the front surface or the back surface of the semiconductor element 150 is masked by the mask 4 and the back surface or the front surface faces the concave portion 2a, the resin material does not adhere to the cathode electrode 130 or the anode electrode 135. Through the above steps, the radiation detection element 10 according to the present embodiment is manufactured.

(実施の形態の効果)
本発明の実施の形態に係る放射線検出用素子10は、側面10cのそれぞれに側面被覆層100を、表面10aの縁部に表面被覆層110を、そして、裏面10bの縁部に裏面被覆層120を備えているので、半導体素子150の端部に加わる力を低減でき、放射線検出用素子10に損傷が生じることを抑制できる。また、放射線検出用素子10の大部分を被覆することにより、大気中の水分により放射線検出用素子10の特性が劣化することを抑制できる。これにより、本実施の形態に係る放射線検出用素子10の耐湿性、耐久性を向上させることができるので、放射線検出用素子10の信頼性を向上させることができる。
(Effect of embodiment)
In the radiation detection element 10 according to the embodiment of the present invention, the side surface coating layer 100 is formed on each of the side surfaces 10c, the surface coating layer 110 is formed on the edge of the front surface 10a, and the back surface coating layer 120 is formed on the edge of the back surface 10b. Therefore, the force applied to the end of the semiconductor element 150 can be reduced, and damage to the radiation detection element 10 can be suppressed. Moreover, it can suppress that the characteristic of the element 10 for radiation detection deteriorates by the water | moisture content in air | atmosphere by coat | covering most of the elements 10 for radiation detection. Thereby, since the moisture resistance and durability of the radiation detection element 10 according to the present embodiment can be improved, the reliability of the radiation detection element 10 can be improved.

また、本実施の形態に係る放射線検出用素子10は、側面10cのそれぞれに側面被覆層100を備えているので、放射線検出用素子10の厚さが薄い場合であっても、カソード電極130とアノード電極135との間に高電圧を印加した場合に発生し得る電圧、側面10cに流れる表面電流によるノイズを低減できる。   In addition, since the radiation detection element 10 according to the present exemplary embodiment includes the side surface coating layer 100 on each of the side surfaces 10c, even if the radiation detection element 10 is thin, The voltage that can be generated when a high voltage is applied between the anode electrode 135 and noise due to the surface current flowing in the side surface 10c can be reduced.

そして、本実施の形態に係る放射線検出用素子10は、側面10cに比べて裏面10bの縁部、及び/又は表面10aの縁部に形成される被覆層の厚さを厚くしたので、導電性接着剤200を介して基板20等に放射線検出用素子10を搭載した場合であっても、放射線検出用素子10が傾くことに起因する半導体素子150への損傷の発生を防止できる。   And since the element 10 for radiation detection which concerns on this Embodiment made the thickness of the coating layer formed in the edge part of the back surface 10b and / or the edge part of the surface 10a thicker than the side surface 10c, it is electroconductive. Even when the radiation detection element 10 is mounted on the substrate 20 or the like via the adhesive 200, damage to the semiconductor element 150 due to the inclination of the radiation detection element 10 can be prevented.

以上、本発明の実施の形態を説明したが、上記に記載した実施の形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。   While the embodiments of the present invention have been described above, the embodiments described above do not limit the invention according to the claims. In addition, it should be noted that not all the combinations of features described in the embodiments are essential to the means for solving the problems of the invention.

1 放射線検出器
2 マスキング冶具
2 凹部
3 おさえ
4 マスク
5 スペーサー
10 放射線検出用素子
10a 表面
10b 裏面
10c 側面
10d 溝部
20 基板
20a 素子接続部
20b 絶縁層
22 基板端子
24 貫通穴
26 電子部品搭載部
28 グランド
29 カードエッジ部
29a パターン
30、31 カードホルダ
32 弾性部材実装部
32a 凹部
34 溝付穴
36 突起部
38 結合部
40 フレキシブル基板
100 側面被覆層
110 表面被覆層
110a 短手側表面被覆層
110b 長手側表面被覆層
120 裏面被覆層
120a 短手側裏面被覆層
120b 長手側裏面被覆層
130 カソード電極
135 アノード電極
140 放射線入射面
150 半導体素子
200 導電性接着剤
300 放射線
400 吹き付け方向
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Radiation detector 2 Masking jig 2 Recessed part 3 Press 4 Mask 5 Spacer 10 Radiation detection element 10a Front surface 10b Back surface 10c Side surface 10d Groove part 20 Substrate 20a Element connection part 20b Insulating layer 22 Substrate terminal 24 Through hole 26 Electronic component mounting part 28 Ground DESCRIPTION OF SYMBOLS 29 Card edge part 29a Pattern 30, 31 Card holder 32 Elastic member mounting part 32a Recessed part 34 Grooved hole 36 Projection part 38 Coupling part 40 Flexible substrate 100 Side surface coating layer 110 Surface coating layer 110a Short side surface coating layer 110b Long side surface Covering layer 120 Back surface coating layer 120a Short side back surface coating layer 120b Long side back surface coating layer 130 Cathode electrode 135 Anode electrode 140 Radiation incident surface 150 Semiconductor element 200 Conductive adhesive 300 Radiation 400 Spraying direction

Claims (8)

直方体状若しくは平板状に形成され、放射線を検出可能な放射線検出用素子であって、
第1電極を有する表面と、
第2電極を有する裏面と、
前記放射線が入射する放射線入射面を含む複数の側面と、
前記複数の側面に設けられる側面被覆層と、
前記裏面の縁部分に設けられ、前記側面被覆層より厚い厚さを有する裏面被覆層と
を備える放射線検出用素子。
A radiation detecting element formed in a rectangular parallelepiped shape or a flat plate shape and capable of detecting radiation,
A surface having a first electrode;
A back surface having a second electrode;
A plurality of side surfaces including a radiation incident surface on which the radiation is incident;
A side surface coating layer provided on the plurality of side surfaces;
A radiation detection element comprising a back surface coating layer provided at an edge portion of the back surface and having a thickness greater than that of the side surface coating layer.
前記側面被覆層と前記裏面被覆層とは一体に設けられる請求項1に記載の放射線検出用素子。   The radiation detection element according to claim 1, wherein the side surface coating layer and the back surface coating layer are provided integrally. 前記放射線検出用素子が基板に固定される場合に、前記第2電極は導電性部材により前記基板に固定され、
前記裏面被覆層は、前記導電性部材の厚さ以下の厚さを有する請求項2に記載の放射線検出用素子。
When the radiation detection element is fixed to a substrate, the second electrode is fixed to the substrate by a conductive member,
The radiation detection element according to claim 2, wherein the back surface coating layer has a thickness equal to or less than a thickness of the conductive member.
前記表面の縁部分に設けられる表面被覆層
を更に備える請求項3に記載の放射線検出用素子。
The radiation detection element according to claim 3, further comprising a surface coating layer provided on an edge portion of the surface.
前記側面被覆層は、1μm以上2μm以下の厚さを有し、
前記裏面被覆層は、5μm以上10μm以下の厚さを有する
請求項4に記載の放射線検出用素子。
The side surface coating layer has a thickness of 1 μm or more and 2 μm or less,
The radiation detection element according to claim 4, wherein the back surface coating layer has a thickness of 5 μm to 10 μm.
前記側面被覆層及び前記裏面被覆層は、絶縁材料から形成される請求項5に記載の放射線検出用素子。   The radiation detection element according to claim 5, wherein the side surface coating layer and the back surface coating layer are formed of an insulating material. 前記基板と、前記放射線検出用素子の隣接部分にて前記基板を支持する支持部材とを備える放射線検出器に用いられる請求項6に記載の放射線検出用素子。   The radiation detection element according to claim 6, wherein the radiation detection element is used in a radiation detector including the substrate and a support member that supports the substrate at a portion adjacent to the radiation detection element. 前記基板は、前記放射線検出用素子を前記基板の第一の端部側に有し、
前記支持部材は、前記第一の端部の反対側の第二の端部側において前記基板を支持する請求項7に記載の放射線検出用素子。
The substrate has the radiation detection element on the first end side of the substrate,
The radiation detection element according to claim 7, wherein the support member supports the substrate on a second end side opposite to the first end portion.
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