JP2011159767A - Ledパッケージ及びその製造方法 - Google Patents
Ledパッケージ及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011159767A JP2011159767A JP2010019769A JP2010019769A JP2011159767A JP 2011159767 A JP2011159767 A JP 2011159767A JP 2010019769 A JP2010019769 A JP 2010019769A JP 2010019769 A JP2010019769 A JP 2010019769A JP 2011159767 A JP2011159767 A JP 2011159767A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- transparent resin
- led package
- led
- package according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 28
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 114
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 114
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 66
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims abstract description 23
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 41
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims description 14
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 claims description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 28
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 24
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 19
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 18
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 16
- 235000019589 hardness Nutrition 0.000 description 15
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 7
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 7
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 5
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 3
- 229910000789 Aluminium-silicon alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015999 BaAl Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017518 Cu Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108010043121 Green Fluorescent Proteins Proteins 0.000 description 1
- 229910021193 La 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020068 MgAl Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000003081 coactivator Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
- H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1203—Rectifying Diode
- H01L2924/12035—Zener diode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/35—Mechanical effects
- H01L2924/351—Thermal stress
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】金属材料からなるリードフレームシート上にLEDチップ14を搭載する。次に、リードフレームシート上に、ショアD硬度が25以上の樹脂材料によって形成され、LEDチップ14を埋め込む透明樹脂板を形成する。次に、リードフレームシート及び透明樹脂板におけるダイシング領域に配置された部分をダイシングによって除去する。これにより、リードフレームシートが切り分けられてリードフレーム11及び12となり、透明樹脂板が切り分けられて透明樹脂体17となり、LEDパッケージ1が製造される。
【選択図】図1
Description
先ず、本発明の第1の実施形態について説明する。
図1は、本実施形態に係るLEDパッケージを例示する斜視図であり、
図2(a)は、本実施形態に係るLEDパッケージを例示する断面図であり、(b)は、リードフレームを例示する平面図である。
(2−x−y)SrO・x(Bau,Cav)O・(1−a−b−c−d)SiO2・aP2O5bAl2O3cB2O3dGeO2:yEu2+
但し、0<x、0.005<y<0.5、x+y≦1.6、0≦a、b、c、d<0.5、0<u、0<v、u+v=1である。
(RE1−xSmx)3(AlyGa1−y)5O12:Ce
但し、0≦x<1、0≦y≦1、REはY及びGdから選択される少なくとも1種の元素である。
サイアロン系の赤色蛍光体は、例えば下記一般式で表すことができる。
(M1−x,Rx)a1AlSib1Oc1Nd1
但し、MはSi及びAlを除く少なくとも1種の金属元素であり、特に、Ca及びSrの少なくとも一方であることが望ましい。Rは発光中心元素であり、特にEuが望ましい。x、a1、b1、c1、d1は、0<x≦1、0.6<a1<0.95、2<b1<3.9、0.25<c1<0.45、4<d1<5.7である。
このようなサイアロン系の赤色蛍光体の具体例を以下に示す。
Sr2Si7Al7ON13:Eu2+
(M1−x,Rx)a2AlSib2Oc2Nd2
但し、MはSi及びAlを除く少なくとも1種の金属元素であり、特にCa及びSrの少なくとも一方が望ましい。Rは発光中心元素であり、特にEuが望ましい。x、a2、b2、c2、d2は、0<x≦1、0.93<a2<1.3、4.0<b2<5.8、0.6<c2<1、6<d2<11である。
このようなサイアロン系の緑色蛍光体の具体例を以下に示す。
Sr3Si13Al3O2N21:Eu2+
図3は、本実施形態に係るLEDパッケージの製造方法を例示するフローチャート図であり、
図4(a)〜(d)、図5(a)〜(c)、図6(a)及び(b)は、本実施形態に係るLEDパッケージの製造方法を例示する工程断面図であり、
図7(a)は、本実施形態におけるリードフレームシートを例示する平面図であり、(b)は、このリードフレームシートの素子領域を例示する一部拡大平面図である。
本実施形態においては、図6(b)に示すダイシング工程において、ブレード104により、リードフレームシート23及び透明樹脂板29からなる結合体をダイシングしている。このとき、相対的に硬い金属材料からなるリードフレームシート23と、相対的に柔らかい樹脂材料からなる透明樹脂板29とを一括してダイシングしているため、一般にはダイシング条件の設定が困難である。
透明樹脂板29を形成する樹脂材料として、硬度が相互に異なる複数の種類の樹脂材料を用意し、上述の方法により、リードフレームシート23及び透明樹脂板29からなる結合体を作製した。そして、この結合体をダイシングした。このとき、ダイシング条件はリードフレームシート23に合わせて調整した。ダイシング後、透明樹脂板29のダイシング面を光学顕微鏡によって観察し、表面粗さを評価した。評価結果を表1に示す。表1に示す「△」は、実用上問題のないぎりぎりの表面粗さを表し、「○」は実用上十分な平滑性を実現する表面粗さを表し、「◎」は特に平滑な表面粗さを表す。
本変形例は、リードフレームシートの形成方法の変形例である。
すなわち、本変形例においては、図4(a)に示すリードフレームシートの形成方法が、前述の第1の実施形態と異なっている。
図8(a)〜(h)は、本変形例におけるリードフレームシートの形成方法を例示する工程断面図である。
図9は、本実施形態に係るLEDパッケージを例示する斜視図であり、
図10は、本実施形態に係るLEDパッケージを例示する側面図である。
図11は、本実施形態に係るLEDパッケージを例示する斜視図であり、
図12は、本実施形態に係るLEDパッケージを例示する断面図である。
図13は、本実施形態に係るLEDパッケージを例示する斜視図であり、
図14は、本実施形態に係るLEDパッケージを例示する断面図である。
図15は、本実施形態に係るLEDパッケージを例示する斜視図であり、
図16は、本実施形態に係るLEDパッケージを例示する断面図である。
図17は、本実施形態に係るLEDパッケージを例示する斜視図であり、
図18は、本実施形態に係るLEDパッケージを例示する断面図である。
(RE1−xSmx)3(AlyGa1−y)5O12:Ce
但し、0≦x<1、0≦y≦1であり、REは、Y及びGdから選択される少なくとも1種である。
ZnS:Ag
ZnS:Ag+Pigment
ZnS:Ag,Al
ZnS:Ag,Cu,Ga,Cl
ZnS:Ag+In2O3
ZnS:Zn+In2O3
(Ba,Eu)MgAl10O17
(Sr,Ca,Ba,Mg)10(PO4)6Cl2:Eu
Sr10(PO4)6Cl2:Eu
(Ba,Sr,Eu)(Mg,Mn)Al10O17
10(Sr,Ca,Ba,Eu)・6PO4・Cl2
BaMg2Al16O25:Eu
ZnS:Cu,Al
ZnS:Cu,Al+Pigment
(Zn,Cd)S:Cu,Al
ZnS:Cu,Au,Al,+Pigment
Y3Al5O12:Tb
Y3(Al,Ga)5O12:Tb
Y2SiO5:Tb
Zn2SiO4:Mn
(Zn,Cd)S:Cu
ZnS:Cu
Zn2SiO4:Mn
ZnS:Cu+Zn2SiO4:Mn
sGd2O2S:Tb
(Zn,Cd)S:Ag
ZnS:Cu,Al
Y2O2S:Tb
ZnS:Cu,Al+In2O3
(Zn,Cd)S:Ag+In2O3
(Zn,Mn)2SiO4
BaAl12O19:Mn
(Ba,Sr,Mg)O・aAl2O3:Mn
LaPO4:Ce,Tb
Zn2SiO4:Mn
ZnS:Cu
3(Ba,Mg,Eu,Mn)O・8Al2O3
La2O3・0.2SiO2・0.9P2O5:Ce,Tb
CeMgAl11O19:Tb
CaAlSiN3:Eu2+
Y2O2S:Eu
Y2O2S:Eu+Pigment
Y2O3:Eu
Zn3(PO4)2:Mn
(Zn,Cd)S:Ag+In2O3
(Y,Gd,Eu)BO3
(Y,Gd,Eu)2O3
YVO4:Eu
La2O2S:Eu,Sm
更に、LEDパッケージには、蛍光体が設けられていなくてもよい。この場合は、LEDチップから出射された光が、LEDパッケージから出射される。
Claims (15)
- 金属材料からなり、同一平面上に配置され、相互に離隔した第1及び第2のリードフレームと、
前記第1及び第2のリードフレームの上方に設けられ、一方の端子が前記第1のリードフレームに接続され、他方の端子が前記第2のリードフレームに接続されたLEDチップと、
ショアD硬度が25以上の樹脂材料からなり、前記第1及び第2のリードフレームのそれぞれの上面全体、下面の一部及び端面の一部を覆い、前記LEDチップを埋め込み、前記下面の残部及び前記端面の残部を露出させた透明樹脂体と、
を備えたことを特徴とするLEDパッケージ。 - 前記樹脂材料のショアD硬度が50以上であることを特徴とする請求項1記載のLEDパッケージ。
- 前記樹脂材料のショアD硬度が80以上であることを特徴とする請求項2記載のLEDパッケージ。
- 前記樹脂材料がシリコーン樹脂であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載のLEDパッケージ。
- 前記第1のリードフレームの下面及び前記第2のリードフレームの下面にはそれぞれ凸部が形成されており、
前記凸部の下面は前記透明樹脂体の下面において露出し、前記凸部の側面は前記透明樹脂体によって覆われていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載のLEDパッケージ。 - 前記凸部は、前記第1及び第2のリードフレームにおける相互に対向する端縁から離隔した領域に形成されていることを特徴とする請求項5記載のLEDパッケージ。
- 前記第1のリードフレーム及び前記第2のリードフレームのうちの少なくとも一方は、
ベース部と、
前記ベース部から相互に異なる方向に延出し、その下面が前記透明樹脂体によって覆われ、その先端面が前記透明樹脂体の側面に露出した3本の吊ピンと、
を有し、
前記ベース部の端面は前記透明樹脂体によって覆われていることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1つに記載のLEDパッケージ。 - 上方から見て、前記透明樹脂体の形状は矩形であり、
前記第1のリードフレーム及び前記第2のリードフレームのうちの少なくとも一方は、
端面が前記透明樹脂体によって覆われたベース部と、
前記ベース部から延出し、その下面が前記透明樹脂体によって覆われ、その先端面が前記透明樹脂体の相互に異なる3つの側面に露出した複数本の吊ピンと、
を有することを特徴とする請求項1〜6のいずれか1つに記載のLEDパッケージ。 - 前記透明樹脂体内に配置された蛍光体をさらに備えたことを特徴とする請求項1〜8のいずれか1つに記載のLEDパッケージ。
- 金属材料からなる導電シートから前記金属材料を選択的に除去することにより、複数の素子領域がマトリクス状に配列され、各前記素子領域においては相互に離隔した第1及び第2のリードフレームを含む基本パターンが形成され、前記素子領域間のダイシング領域においては前記金属材料が隣り合う前記素子領域間をつなぐように残留したリードフレームシートを形成する工程と、
前記リードフレームシート上に、前記素子領域毎にLEDチップを搭載すると共に、前記LEDチップの一方の端子を前記第1のリードフレームに接続し、他方の端子を前記第2のリードフレームに接続する工程と、
前記リードフレームシート上に、ショアD硬度が25以上の樹脂材料によって形成され、前記リードフレームシートの前記素子領域における上面全体及び下面の一部を覆い、前記LEDチップを埋め込む透明樹脂板を形成する工程と、
前記リードフレームシート及び前記透明樹脂板における前記ダイシング領域に配置された部分をダイシングによって除去する工程と、
を備えたことを特徴とするLEDパッケージの製造方法。 - 前記樹脂材料のショアD硬度を50以上とすることを特徴とする請求項10記載のLEDパッケージの製造方法。
- 前記樹脂材料のショアD硬度を80以上とすることを特徴とする請求項11記載のLEDパッケージの製造方法。
- 前記樹脂材料をシリコーン樹脂とすることを特徴とする請求項10〜12のいずれか1つに記載のLEDパッケージの製造方法。
- 前記透明樹脂板を形成する工程は、
型の凹部内に液状又は半液状の透明樹脂を供給する工程と、
前記透明樹脂に前記リードフレームシートの上面を押し付けた状態で、前記透明樹脂を硬化させる工程と、
を有することを特徴とする請求項10〜13のいずれか1つに記載のLEDパッケージの製造方法。 - 前記リードフレームシート及び前記透明樹脂板における前記ダイシング領域に配置された部分を除去する工程において、前記リードフレームシートの下面側からダイシングを行うことを特徴とする請求項10〜14のいずれか1つに記載のLEDパッケージの製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010019769A JP2011159767A (ja) | 2010-01-29 | 2010-01-29 | Ledパッケージ及びその製造方法 |
US12/868,107 US8338845B2 (en) | 2010-01-29 | 2010-08-25 | LED package and method for manufacturing the same |
TW099129498A TW201126766A (en) | 2010-01-29 | 2010-09-01 | LED package and method for manufacturing the same |
CN2010102780052A CN102142506A (zh) | 2010-01-29 | 2010-09-10 | Led封装及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010019769A JP2011159767A (ja) | 2010-01-29 | 2010-01-29 | Ledパッケージ及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011159767A true JP2011159767A (ja) | 2011-08-18 |
Family
ID=44340846
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010019769A Pending JP2011159767A (ja) | 2010-01-29 | 2010-01-29 | Ledパッケージ及びその製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8338845B2 (ja) |
JP (1) | JP2011159767A (ja) |
CN (1) | CN102142506A (ja) |
TW (1) | TW201126766A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011258658A (ja) * | 2010-06-07 | 2011-12-22 | Toshiba Corp | 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法 |
JP2014112615A (ja) * | 2012-12-05 | 2014-06-19 | Dainippon Printing Co Ltd | 光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体 |
KR101513359B1 (ko) * | 2012-09-21 | 2015-04-17 | 어드밴스드 옵토일렉트로닉 테크놀로지 인코포레이티드 | 발광 다이오드 및 그 제작 방법 |
KR101513358B1 (ko) * | 2012-09-21 | 2015-04-21 | 어드밴스드 옵토일렉트로닉 테크놀로지 인코포레이티드 | 발광 다이오드 및 그 제작방법 |
KR101750954B1 (ko) | 2015-03-26 | 2017-06-26 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 백라이트 유닛 |
JP2019087703A (ja) * | 2017-11-10 | 2019-06-06 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5464825B2 (ja) * | 2008-07-23 | 2014-04-09 | ローム株式会社 | Ledモジュール |
JP5383611B2 (ja) * | 2010-01-29 | 2014-01-08 | 株式会社東芝 | Ledパッケージ |
KR101824886B1 (ko) * | 2011-03-25 | 2018-03-14 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 |
CN103178190B (zh) | 2011-12-22 | 2015-06-10 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管光源及其封装方法 |
JP6034175B2 (ja) | 2012-01-10 | 2016-11-30 | ローム株式会社 | Ledモジュール |
CN103378276B (zh) * | 2012-04-19 | 2016-02-03 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管及其光分配结构 |
DE102013202904A1 (de) * | 2013-02-22 | 2014-08-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zu seiner Herstellung |
US9748164B2 (en) * | 2013-03-05 | 2017-08-29 | Nichia Corporation | Semiconductor device |
CN103855277B (zh) * | 2014-01-26 | 2017-05-10 | 上海瑞丰光电子有限公司 | Led封装方法 |
TW201543720A (zh) * | 2014-05-06 | 2015-11-16 | Genesis Photonics Inc | 封裝結構及其製備方法 |
JP6264366B2 (ja) * | 2015-01-30 | 2018-01-24 | 日亜化学工業株式会社 | キャリアテープ及び梱包体 |
US9947569B2 (en) * | 2015-01-30 | 2018-04-17 | Nichia Corporation | Carrier tape and pack |
CN106571383B (zh) * | 2015-10-08 | 2020-04-28 | 联华电子股份有限公司 | 半导体元件及其制作方法 |
US11600754B2 (en) | 2018-11-29 | 2023-03-07 | Lumileds Llc | Light-emitting device and method of packaging the same |
CN113632250B (zh) * | 2018-11-29 | 2022-07-08 | 亮锐有限责任公司 | 发光器件及其封装方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000174347A (ja) * | 1998-12-07 | 2000-06-23 | Nichia Chem Ind Ltd | 光半導体装置 |
JP2004241509A (ja) * | 2003-02-04 | 2004-08-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Led光源、led照明装置、およびled表示装置 |
JP2007519233A (ja) * | 2003-12-30 | 2007-07-12 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | ビーム発光型及び/又はビーム受光型半導体構成素子 |
JP2008106180A (ja) * | 2006-10-26 | 2008-05-08 | Matsushita Electric Works Ltd | 光半導体封止用樹脂組成物及び光半導体装置 |
WO2008153043A1 (ja) * | 2007-06-14 | 2008-12-18 | Rohm Co., Ltd. | 半導体発光装置 |
WO2009072757A2 (en) * | 2007-12-03 | 2009-06-11 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Slim led package |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0387051A (ja) | 1989-06-23 | 1991-04-11 | Fuji Electric Co Ltd | 面実装型二端子半導体装置 |
KR100662955B1 (ko) | 1996-06-26 | 2006-12-28 | 오스람 게젤샤프트 미트 베쉬랭크터 하프퉁 | 발광 변환 소자를 포함하는 발광 반도체 소자 |
JP2003110080A (ja) | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Citizen Electronics Co Ltd | 半導体装置 |
TW546799B (en) * | 2002-06-26 | 2003-08-11 | Lingsen Precision Ind Ltd | Packaged formation method of LED and product structure |
JP4522049B2 (ja) | 2003-02-14 | 2010-08-11 | 三洋電機株式会社 | 半導体装置 |
JP3910171B2 (ja) | 2003-02-18 | 2007-04-25 | シャープ株式会社 | 半導体発光装置、その製造方法および電子撮像装置 |
JP2006093672A (ja) | 2004-08-26 | 2006-04-06 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
JP2007027281A (ja) | 2005-07-13 | 2007-02-01 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
CN101432895B (zh) * | 2006-04-24 | 2012-09-05 | 克利公司 | 侧视表面安装式白光led |
JP4306772B2 (ja) | 2006-10-05 | 2009-08-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP4993349B2 (ja) * | 2007-01-29 | 2012-08-08 | キヤノン株式会社 | 電位測定装置、及び画像形成装置 |
JP5232394B2 (ja) | 2007-02-28 | 2013-07-10 | ローム株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP4694533B2 (ja) | 2007-06-29 | 2011-06-08 | 豊田合成株式会社 | 燃料遮断弁 |
JP4733077B2 (ja) | 2007-06-29 | 2011-07-27 | 川崎重工業株式会社 | 2サイクルエンジンのシリンダとその製造方法 |
JP2009246334A (ja) | 2008-03-12 | 2009-10-22 | Hitachi Chem Co Ltd | 光反射用熱硬化性樹脂組成物、光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置 |
EP2330968B1 (en) * | 2008-07-20 | 2013-04-03 | CardioMems, Inc. | Physical property sensor with active electronic circuit and wireless power and data transmission |
CN101634720B (zh) * | 2008-07-25 | 2011-09-28 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 金属探测装置及方法 |
US8044420B2 (en) * | 2009-01-15 | 2011-10-25 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Light emitting diode package structure |
-
2010
- 2010-01-29 JP JP2010019769A patent/JP2011159767A/ja active Pending
- 2010-08-25 US US12/868,107 patent/US8338845B2/en active Active
- 2010-09-01 TW TW099129498A patent/TW201126766A/zh unknown
- 2010-09-10 CN CN2010102780052A patent/CN102142506A/zh active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000174347A (ja) * | 1998-12-07 | 2000-06-23 | Nichia Chem Ind Ltd | 光半導体装置 |
JP2004241509A (ja) * | 2003-02-04 | 2004-08-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Led光源、led照明装置、およびled表示装置 |
JP2007519233A (ja) * | 2003-12-30 | 2007-07-12 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | ビーム発光型及び/又はビーム受光型半導体構成素子 |
JP2008106180A (ja) * | 2006-10-26 | 2008-05-08 | Matsushita Electric Works Ltd | 光半導体封止用樹脂組成物及び光半導体装置 |
WO2008153043A1 (ja) * | 2007-06-14 | 2008-12-18 | Rohm Co., Ltd. | 半導体発光装置 |
WO2009072757A2 (en) * | 2007-12-03 | 2009-06-11 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Slim led package |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011258658A (ja) * | 2010-06-07 | 2011-12-22 | Toshiba Corp | 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法 |
KR101513359B1 (ko) * | 2012-09-21 | 2015-04-17 | 어드밴스드 옵토일렉트로닉 테크놀로지 인코포레이티드 | 발광 다이오드 및 그 제작 방법 |
KR101513358B1 (ko) * | 2012-09-21 | 2015-04-21 | 어드밴스드 옵토일렉트로닉 테크놀로지 인코포레이티드 | 발광 다이오드 및 그 제작방법 |
JP2014112615A (ja) * | 2012-12-05 | 2014-06-19 | Dainippon Printing Co Ltd | 光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体 |
KR101750954B1 (ko) | 2015-03-26 | 2017-06-26 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 백라이트 유닛 |
JP2019087703A (ja) * | 2017-11-10 | 2019-06-06 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20110186886A1 (en) | 2011-08-04 |
TW201126766A (en) | 2011-08-01 |
US8338845B2 (en) | 2012-12-25 |
CN102142506A (zh) | 2011-08-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2011159767A (ja) | Ledパッケージ及びその製造方法 | |
JP4886886B2 (ja) | Ledパッケージの製造方法 | |
JP5010693B2 (ja) | Ledパッケージ | |
JP4764519B1 (ja) | Ledパッケージ | |
JP4951090B2 (ja) | Ledパッケージ | |
JP5383611B2 (ja) | Ledパッケージ | |
JP2011253882A (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
JP2012114286A (ja) | Ledパッケージ | |
JP2012142426A (ja) | Ledパッケージ及びその製造方法 | |
JP2012114311A (ja) | Ledモジュール | |
JP2011165833A (ja) | Ledモジュール | |
JP2012114284A (ja) | Ledモジュール及び照明装置 | |
JP2012113919A (ja) | 照明装置 | |
JP2012080026A (ja) | Ledパッケージ | |
JP4929418B2 (ja) | Ledパッケージ | |
JP2011204790A (ja) | 半導体発光装置 | |
JP2012114107A (ja) | Ledパッケージ | |
JP2011181603A (ja) | Ledパッケージ | |
JP2011171769A (ja) | Ledパッケージの包装材 | |
JP2012004596A (ja) | Ledパッケージ及びその製造方法 | |
JP5039242B2 (ja) | Ledパッケージ | |
JP2013008979A (ja) | 半導体パッケージ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120307 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130327 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130327 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130521 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130719 |