JP2011143138A - Ｘ線撮影方法およびｘ線撮影装置 - Google Patents

Abstract

【課題】放射線撮像手段の暗電流成分や感度変化により画像上に現れるアーチファクトを軽減せんとするものである。
【解決手段】固体撮像素子を２次元配列したＸ線撮像手段を用いてＸ線撮影を行うに当たり、Ｘ線撮影工程中に、Ｘ線を照射する露光工程と、Ｘ線を照射しない暗電流成分のみを取得する非露光工程と、前記非露光工程における暗電流成分の値から、前記露光工程中の暗電流成分を予測する暗電流予測工程と、前記露光工程で得られた一連の各フレーム画像から前記暗電流予測工程により得られた暗電流成分を減算する工程とを設け、該暗電流成分の減算によりアーチファクトが軽減されたＸ線画像を取得する。
【選択図】図２

Description

本発明はＸ線撮像装置の感度変化により生じる画像のアーチファクトを軽減して撮像品質を向上するようにしたＸ線撮影方法およびＸ線撮影装置に関するものである。

近年、Ｘ線撮影の使用するＸ線検出器にはＣＭＯＳなどを利用したＸ線センサ（ＣＭＯＳセンサまたはＣＣＤセンサ等の固体撮像素子）が多用されているが、かかるＸ線センサでは、トランジスタアレイ等の増幅回路等が温度の影響を受けて暗電流および感度が変化することが知られている。これらの変化を補正する方法として、一般的に電源を投入してから十分に時間を置き、自己発熱による温度変化が均衡状態になった後に撮影を行うことを推奨している。

また、固体撮像素子の出力中の暗電流成分を除去するための補正技術として、暗電流情報をリアルタイムに入手するために、同じセンサ内に暗電流情報入手専用のセンサを配置しておくなどの周知技術（特許第４２６４３８１号（特許文献１））が存在する。

特許第４２６４３８１号

一般的に、電源を投入してから十分に時間を置き、自己発熱による温度変化が均衡状態になった後に撮影を行う場合、使用可能になるまでに時間がかかってしまうため利便性を著しく欠く問題があり、更に周囲温度の変化によって温度の均衡状態が崩れる可能性もあるため、確実な補正を行うことは困難である。

また、引用文献１の方法では本来画像を取得したい領域の他にも暗電流測定専用のセンサの１列を画像取得用センサに隣接して余分に配置する必要があるため、暗電流測定専用センサに隣接する画像取得用センサから撮像中に入射Ｘ線が散乱して暗電流測定専用センサに入り込み、暗電流測定専用センサの精度に悪影響を与えると共にセンサの製造コストが高騰するという問題がある。

更に、引用文献１の方法は、電流の検出方法がいわゆるＴＤＩ方式、即ち、ＣＣＤを使用し、高感度および高速性に重点を置いた時間遅延積分（Time Delay Integration）方式を採用している関係上、電荷読み出し時に１ライン単位での暗電流の制御が必要となり、その為の特別な回路を設ける必要があった。
更にまた、パノラマ撮影やＣＴ撮影のように、被写体を挟んで回転しながらセンサにＸ線を照射するＸ線撮影装置の場合、ＴＤＩ方式ではセンサ側から見て一定速度で移動する被写体に対して、その移動速度とＣＣＤ電荷転送方向速度を同期させて撮影を行う必要があるため、一定の断層域の撮影画像に対してのみアーチファクトノイズを軽減するものであった。すなわち、ＣＣＤでは電荷読み出し時に１ライン単位で垂直転送を行うため、この移動タイミングとＣＣＤ面に入射している被写体が移動するタイミングが同期した断層域のみ撮影画像を得ることができるため、その断層域の撮影画像に対してのみアーチファクトノイズを軽減する方法であった。

本発明の目的は、暗電流を軽減するために特別な回路を設けることなくフレーム画像取得可能なＸ線撮像手段を有するＸ線撮像装置をそのまま使用するにも関わらず、Ｘ線撮影後の取得データを使用してＸ線撮像装置の暗電流成分を予測し、この暗電流成分を用いて感度変化により画像上に現れるアーチファクトを軽減し得るようにしたＸ線撮影方法およびＸ線撮影装置を提供せんとするにある。
さらに、本発明はパノラマ撮影やＣＴ撮影のように、被写体を挟んで回転しながらセンサにＸ線を照射するＸ線撮影装置の場合に、一定の断層域の画像に対してのみアーチファクトノイズを軽減するだけではなく、Ｘ線撮影装置によって得られた複数のフレーム画像から任意に選択した断層域を構築し、任意に得られた断層域すべてに対してアーチファクトノイズを軽減することが可能となるようにするものである。
すなわち、フレーム画像が取得可能なＸ線撮像手段を有することで、回転方向に対して複数のフレーム画像を取得した後に、その複数のフレーム画像の中から、任意の断層域を得るために必要なフレーム画像のみを一定間隔で取得して重ね合わせて、任意の断層域を得ることが可能であり、そのすべての断層域に対してアーチファクトを軽減し得るようにしたＸ線撮影方法およびＸ線撮影装置を提供せんとするものである。

本発明の他の目的は、画像のかかるアーチファクト軽減方法を利用した短時間で確実な補正を行い得、廉価なＸ線撮影方法およびＸ線撮影装置を提供せんとするにある。

この目的のため、本発明Ｘ線撮影方法は、Ｘ線発生手段、Ｘ線撮像手段、記憶手段、制御回路および信号処理装置を含むＸ線撮影部と、信号入力手段を有する画像表示装置、記憶装置、信号処理装置、中央処理制御装置を含む演算用コンピュータとを備え、固体撮像素子を２次元配列したＸ線撮像手段を用いてＸ線撮影を行うに当たり、Ｘ線撮影工程中に、Ｘ線を照射する露光工程と、Ｘ線を照射しない暗電流成分のみを取得する非露光工程と、前記非露光工程における暗電流成分の値から、前記露光工程中の暗電流成分を予測する暗電流予測工程と、前記露光工程で得られた一連の各フレーム画像から前記暗電流予測工程により得られた暗電流成分を減算する工程とを設け、該暗電流成分の減算によりアーチファクトが軽減されたＸ線画像を取得することを特徴とする。

本発明Ｘ線撮影方法によれば、前記非露光工程は、Ｘ線撮影工程中に、１乃至複数存在せしめるようにする。
また、前記非露光工程は、Ｘ線撮影工程の前段階と後段階にあって、前記暗電流予測工程は、前段階の非露光の複数枚のフレーム画像から得られた暗電流成分と、後段階の非露光の複数枚のフレーム画像から得られた暗電流成分とから、露光工程中の暗電流成分を補間し得るようにする。

さらに、前記非露光工程が、Ｘ線撮影工程の前段階にあって、前記暗電流予測工程が、前段階の非露光の複数枚のフレーム画像から得られた暗電流成分の傾向から露光工程中の暗電流成分を予測することを特徴とする請求項１記載のＸ線撮影方法。
本発明Ｘ線撮影方法では、前記非露光工程が、Ｘ線撮影工程中に前記露光工程と交互に複数存在し、前記暗電流予測工程は、同時または、撮影後に、前記非露光工程中の複数のフレーム画像の暗電流から、隣接する前記露光工程の各フレーム画像の暗電流成分を予測し、これにより前記露光工程中のフレーム画像のみからなるＸ線画像を取得することを特徴とする請求項１記載のＸ線撮影方法。

また、前記Ｘ線撮影工程は、前記露光工程からなる全てのフレーム画像と、前記非露光工程からなる全てのフレーム画像とから構成されている。
さらに、前記暗電流予測工程は、工場出荷段階の前記Ｘ線撮像手段の暗電流の非露光特性をＸ線撮影時に重畳可能にする。
本発明Ｘ線撮影方法によれば、前記Ｘ線撮像手段は、ＭＯＳイメージセンサ、Ｃ−ＭＯＳイメージセンサ、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）、ＣｄＴｅセンサ、Ｘ線イメージインテンシファイア（Image Intensifier :I.I）、フラットパネル検出器（Flat Panel Detector :FPD）、ＣＣＤイメージセンサのいずれか１つで構成されるようにする。

本発明Ｘ線撮影装置は、Ｘ線発生手段、Ｘ線撮像手段、記憶手段、制御回路および信号処理装置を含むＸ線撮影部と、信号入力手段を有する画像表示装置、記憶装置、信号処理装置、中央処理制御装置を含む演算用コンピュータとを備え、固体撮像素子を２次元配列したＸ線撮像手段を用いてＸ線撮影を行うに当たり、Ｘ線撮影工程中に、Ｘ線を照射する露光手段と、Ｘ線を照射しない暗電流成分のみを取得する非露光手段と、前記非露光手段における暗電流成分の値から、前記露光工程中の暗電流成分を予測する暗電流予測手段と、前記露光手段で得られた一連の各フレーム画像から前記暗電流予測手段により得られた暗電流成分を減算する手段とを更に設け、アーチファクトが軽減されたＸ線画像を取得することを特徴とする。

本発明Ｘ線撮影装置によれば、前記暗電流予測手段は、複数個所に設けられた非露光領域のフレーム画像から得られた暗電流成分から補間によって算出し得るようにする。
また、前記暗電流予測手段は、露光領域の暗電流成分を算出する演算部と露光領域の暗電流成分を一次保存する記憶部とを少なくとも有し得るようにする。
本発明Ｘ線撮影装置では、前記Ｘ線撮像手段は、ＭＯＳイメージセンサ、Ｃ−ＭＯＳイメージセンサ、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）、ＣｄＴｅセンサ、Ｘ線イメージインテンシファイア（Image Intensifier :I.I）、フラットパネル検出器（Flat Panel Detector:FPD）、ＣＣＤイメージセンサのいずれか１つで構成されるようにする。

上述したように、本発明によれば、暗電流成分を含む画像データからＸ線照射無しで得られた暗電流画像データを減算することによって、暗電流成分を除去した画像が得られる。
しかし、暗電流成分は温度によって値が変化するため、暗電流画像データを収集したときと、Ｘ線を照射して画像データを取得したときの時間に開きがあると、暗電流画像を除去しても、図１１（ｂ）のＸ線撮影画像に示されるように、短冊状のアーチファクトが生じてしまう場合がある。

センサの暗電流・感度変化による画面上のアーチファクトを除去する上で、センサに追加の構造を設ける必要がなく、従来のＸ線撮像装置を其のまま使用でき、また、暗電流成分の変化や感度の変化が大きい場合においても対応可能という利点がある。
また、パノラマ撮影やＣＴ撮影のように、被写体を挟んで回転しながらセンサにＸ線を照射するＸ線撮影装置の場合に、一定の断層域の画像に対してのみアーチファクトノイズを軽減するだけではなく、Ｘ線撮影装置によって得られた複数のフレーム画像から任意に選択した断層域を構築し、任意に得られた断層域すべてに対してアーチファクトノイズを軽減することが可能となる。

図１は本発明Ｘ線撮影方法を実施するＸ線撮影装置の構成を示すブロック図である。 図２は本発明Ｘ線撮影方法によりアーチファクト画像除去を行う実施例を示し、本撮影の前後でオフセット画像を複数枚取得する場合のフローチャートである。 図３は本発明Ｘ線撮影方法によるアーチファクト画像除去における、オフセット画像を取得する手段を示す説明図である。 図４は本発明Ｘ線撮影方法によるアーチファクト画像除去における、オフセット画像とフレーム番号の関係を示す説明図である。 図５は本発明Ｘ線撮影方法によるアーチファクト画像除去の実施例を示し、本撮影の前のみでオフセット画像を複数枚取得する場合のフローチャートである。 図６は本発明Ｘ線撮影方法によるアーチファクト画像除去におけるオフセット画像を取得する手段を示す説明図である。 図７は本発明Ｘ線撮影方法によるアーチファクト画像除去の実施例を示し、本撮影の後のみでオフセット画像を複数枚取得する場合のフローチャートである。 図８は本発明Ｘ線撮影方法によるアーチファクト画像除去におけるオフセット画像を取得する手段を示す説明図である。 図９は本発明Ｘ線撮影方法によるアーチファクト画像除去の実施例を示し、パルス的照射によりオフセット画像を複数枚取得する場合のフローチャートである。 図１０は本発明Ｘ線撮影方法によるアーチファクト画像除去におけるオフセット画像を取得する手段を示す図である。 図１１は本発明Ｘ線撮影方法によるアーチファクト画像除去を適用して得られた状態を示し、（ａ）は正常に補正できた状態、（ｂ）は温度変化により補正できなかった状態を夫々示す説明図である。

本発明を実施するための形態において、Ｘ線を照射しない状態で取得するフレーム画像を、オフセット画像と称する。所望のＸ線撮影の直前・直後に、オフセット画像をそれぞれ複数枚取得する。
これらのオフセット画像から、Ｘ線照射中の暗電流成分や感度の変化を算出し、Ｘ線照射により得られた各画像から暗電流成分や感度変化による影響の除去などを行う際にこの算出した値を用いる。
この手法とすることで、工場出荷時・メンテナンス時・単独でのキャリブレーションスキャンにより暗電流・感度情報を得る場合に比べて、よりリアルタイムにＸ線撮像手段の状態を反映した補正をすることができる。また、暗電流成分の変化や感度の変化が大きい場合においても画像上のアーチファクトを軽減することができる。

以下、本発明Ｘ線撮影方法による画像のアーチファクト軽減を実施する為のＸ線撮影装置の構成を、図１を参照して説明する。
図１は、本発明Ｘ線撮影装置１の構成を示すブロック図である。図１から明らかなように、本発明Ｘ線撮影装置１は、Ｘ線撮影部２と演算用コンピュータ３とを備え、このＸ線撮影部２はＸ線を発生するＸ線発生装置４と、被検体を透過したＸ線を受けて受像するフラットパネルセンサ（ＦＰＤ）５と、このフラットパネルセンサ５で受像された影像情報を記憶するメモリ６と、これらＸ線発生装置４、フラットパネルセンサ５およびメモリ６のそれぞれに接続され、全体の動作制御の中心となるＣＰＵで構成された制御回路７と、Ｘ線撮影部２で取得した影像信号を演算用コンピュータ３に伝送する通信制御回路８とを備える。
Ｘ線撮影装置１は、Ｘ線発生装置４とフラットパネルセンサ５とを対向配置させた旋回アーム（図示せず）を備え、被写体を挟んで旋回駆動しながら撮影する。
フラットパネルセンサ５は２次元配列したＸ線撮像手段であり、例えば縦長の短冊型に構成され、このフラットパネルセンサ５によって、縦長の短冊型のフレーム画像データを取得し、図３に示す様に、撮影開始方向から撮影終了方向に向けて順番に重ね合わせて１枚のＸ線撮影画像を構築するものである。またオフセット画像データはＸ線照射の前後に、旋回駆動せずにまたＸ線を照射しない状態で同様にフレーム画像を取得する。
なお、フラットパネルセンサ５から取得するフレーム画像は、広範囲の断層域を撮影可能なように予め、単位時間あたりの撮影枚数を密に取得することで、撮影後に必要な断層域を選択して構築できるようにしてもよく、この場合、取得したフレーム画像の中から、所定の断層画像に必要な一連のフレーム画像を選択して、撮影開始方向から撮影終了方向に向けて順番に重ね合わせることで必要な断層域のＸ線撮影画像を構築できるようになっている。またオフセット画像データはＸ線照射の前後に、旋回駆動せずにまたＸ線を照射しない状態で同様にフレーム画像を取得する。

画像処理部である演算用コンピュータ３は、Ｘ線撮影部２からの影像信号を、通信制御回路８を介して受信する入出力制御部１０と、該入出力制御部１０に接続された画像表示装置１１およびキーボード１２と、同様に入出力制御部１０に接続された記憶装置１３と、中央処理制御装置１４とを備え、記憶装置１３はメモリ１５および主記憶装置１６によって構成する。この演算用コンピュータ３は、Ｘ線撮影部２に、それぞれの通信制御回路８および入出力制御部１０を介して無線または有線で接続されている。
本実施例ではＸ線検出器をフラットパネルセンサとして説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、Ｘ線パノラマセンサや一般のＸ線検出器にも適用しうることは勿論である。

本実施例では、パノラマ撮影装置で説明をする。図２は、パノラマＸ線撮影を行う直前直後でＸ線撮影せずにセンサ出力のみを取得する暗電流測定部のうち、本撮影の暗電流測定部前部及び後部の両方でオフセット画像を複数枚取得する実施例１を示すフローチャートである。
先ず最初、ステップＳｓでＸ線撮影を開始し、図３に示すように、初めにステップＳ１でＸ線照射直前のオフセット画像のデータａを複数枚取得する。オフセット画像のデータａを取得した後、ステップＳ２でＸ線を照射した状態での本撮影を行い、Ｘ線照射状態でのフレーム画像データを複数枚取得し、本撮影終了後、ステップＳ３で再びオフセット画像のデータｂを複数枚取得する。

図４に示すように、横軸にＸ線照射中の画像データのフレーム番号を取り、縦軸に減算すべきオフセット画像データ値をとる。本データの撮影取得開始時の画像に対して減算すべきオフセット画像データとして、オフセット画像データａを適用し、更に本データの撮影終了時の画像に対して減算すべきオフセット画像データとして、オフセット画像データｂを適用する。これら以外のＸ線照射中の画像データに対して減算すべきオフセット画像データとして、オフセット画像データａとオフセット画像データｂを線形に結び、各Ｘ線照射中、画像データのフレーム番号に対応したオフセット画像データを算出する。

次いで、ステップＳ４で、これらのＸ線照射撮影前後のオフセット画像から得られた暗電流成分から、減算すべき値を抽出し、Ｘ線撮影後に、Ｘ線照射状態での撮影中に変化していく暗電流成分の値を演算用コンピュータ３にて算出し、最後にステップＳ５で、Ｘ線撮影画像から暗電流成分を除去する。かくして、実施例１のフローチャートを終了し、これによりアーチファクトの少ないＸ線撮影画像を得ることができる。
本例では、暗電流成分の除去は、Ｘ線撮影中に処理するのではなく、撮影した画像から後処理で暗電流成分を除去するものである。

実施例１ではパノラマ撮影のアーチファクトを軽減する例を示したが、上述したように、暗電流成分の除去を行ったフレーム画像を用いて、逆投影し再構成を行うことにより、アーチファクトの少ないＣＴ画像も得ることができる。
また、デンタル撮影やセファロ撮影のようなＸ線撮影では、非露光工程での画像を取得し、露光工程での画像との双方から、暗電流成分の除去を行うことで、アーチファクトの少ないＸ線撮影画像を得ることができる。

また、図２の変形例として、図３のオフセット画像データａ及びＸ線照射中の画像データ及びオフセット画像データｂのすべてを含む領域について、Ｘ線照射せずに撮影し、オフセット画像データＡを取得し，更にこの同じ領域について、Ｘ線照射して撮影し、画像データＢを取得し、最後にこの同じ領域について、再びＸ線照射せずに撮影し、オフセット画像データＣを取得する。この同じ領域の暗電流成分は、画像データＢからオフセット画像データＡとオフセット画像データＣとを加算し、２で割った値を減算することによって、即ち「Ｂ−（（Ａ＋Ｃ）／２）」の計算を行うことによってアーチファクトの少ないＸ線撮影画像を得ることもできる。
この場合には、データ取得工程が複雑になるが、一層精度の良い測定データを取得することができる。

図５は、Ｘ線撮影を行う直前直後でＸ線撮影せずにセンサ出力のみを取得する暗電流測定部のうち、暗電流測定部前部だけでオフセット画像を複数枚取得する実施例２のフローチャートである。
先ず最初、ステップＳsでＸ線撮影を開始し、ステップＳ１で、図６に示すように、本撮影の前のＸ線を照射していない状態での暗電流成分のみのオフセット画像データａを複数枚取得した後、ステップＳ２で、残りの部分全て、Ｘ線を照射した状態での本撮影を行う。

図４に示すように、横軸にＸ線照射中の画像データのフレーム番号を取り、縦軸に減算すべきオフセット画像データ値をとる。本データの撮影開始時の画像に対して減算すべきオフセット画像データとして、オフセット画像データａを適用する。
図６においては、オフセット画像データａのフレーム数枚がＮ枚である。オフセット画像データは、フレームごとに、バラツキがある為、このフレームｎ枚から平均を１点取り、更に残りのフレームｎ枚から平均を１点取得する。この２点を取り線形に結び、この関数から、各Ｘ線照射中の画像データのフレーム番号に対応したオフセット画像データを算出する。（Ｎ、ｎは自然数。ただし、Ｎ＞ｎとする。）

次いで、ステップＳ４１で、これらのＸ線照射撮影前のオフセット画像から得られた暗電流成分から抽出した減算すべき値と、更に工場出荷時に作成された変化のパターンとを参照し、Ｘ線撮影後に、Ｘ線照射状態での撮影中に変化していく暗電流成分の値を演算用コンピュータ３によって算出し、ステップＳ５で、Ｘ線撮影画像から暗電流成分を除去する。これによりアーチファクトの少ないＸ線撮影画像を提供することができる。
斯様に、本例でも、暗電流成分の除去は、Ｘ線撮影中に処理するのではなく、撮影した画像から後処理で暗電流成分を除去するものである。
本実施例ではＸ線撮影後に暗電流成分を除去処理したが、本発明はこれに限定されるものではなく、撮影中に同時に暗電流成分除去処理を行うこともできる。

図７は、Ｘ線撮影を行う直前直後でＸ線撮影せずにセンサ出力のみを取得する暗電流測定部のうち、本撮影の暗電流測定部後部だけでオフセット画像を複数枚取得する実施例３のフローチャートである。
先ず最初、ステップＳｓでＸ線撮影を開始し、ステップＳ２で、図８に示すように、Ｘ線を照射した状態での本撮影を行った後、オフセット画像のデータｂを複数枚取得する。

図４に示す様に、横軸にＸ線照射中の画像データのフレーム番号を取り、縦軸に減算すべきオフセット画像データ値をとる。本データの撮影開始時の画像に対して減算すべきオフセット画像データとして、オフセット画像データｂを適用する。図８では、オフセット画像データｂのフレーム数枚がＮ枚である。オフセット画像データは、フレームごとに、バラツキがある為、このフレームｎ枚から平均を１点取り、更に残りのフレームｎ枚から平均を１点取得する。この２点を取り線形に結び、この関数から、ステップＳ３で、各Ｘ線照射中の画像データのフレーム番号に対応したオフセット画像データを算出する。（Ｎ、ｎは自然数。ただし、Ｎ＞ｎとする。）

次いで、ステップＳ４１で、これらのＸ線照射撮影後のオフセット画像から得られた暗電流成分から、抽出した減算すべき値と、更に工場出荷時に作成された変化のパターンを参照し、Ｘ線撮影後に、Ｘ線照射状態での撮影中に変化していく暗電流成分の値を演算用コンピュータ３にて算出し、ステップＳ５で、Ｘ線撮影画像から暗電流成分を除去する。これによりアーチファクトの少ないＸ線撮影画像を提供することが出来る。
本例でも、暗電流成分の除去は、Ｘ線撮影中に処理するのではなく、撮影した画像から後処理で暗電流成分を除去するものである。

実施例４は、Ｘ線撮影行程中に露光工程と非露光工程が交互に複数存在する例を示す。図９は、そのフローチャートである。
先ず最初、ステップＳｓでＸ線撮影を開始し、図１０に示すように、最初に、ステップＳ２で、Ｘ線照射状態でのフレーム画像を複数枚取得する。ステップＳ３では、いったんＸ線照射を停止してその直後に、オフセット画像（暗電流成分）を取得する。

ステップＳ６では、取得したフレーム画像データの枚数が撮影に必要な枚数に到達したかどうかを判定し、必要な枚数に到達していない場合には、ステップＳ２に戻って再びステップＳ２，Ｓ３の工程で必要な枚数に到達したかどうかを判定し、必要な枚数に到達した場合にはフレーム画像の取得を終了する。つまり、本例ではＸ線をパルス照射しながら撮影に必要な一連のフレーム画像を得るものである。

オフセット画像データとオフセット画像データに挟まれたフレーム画像の減算すべき暗電流成分は図４に示す様に、実施例１の時と同様に隣接するオフセット画像データ同士を、線形で結び、算出することが出来る。

これらのＸ線パルス照射撮影前後のオフセット画像から得られた暗電流成分から、抽出した減算すべき値を用いて、Ｘ線撮影と同時に、またはＸ線撮影後に、Ｘ線照射状態での撮影中に変化していく暗電流成分の値を演算用コンピュータ３にて算出し、Ｘ線撮影画像から暗電流成分を除去する。これによりアーチファクトの少ないＸ線撮影画像を提供することができる。

本例では、パルス照射的に、Ｘ線の照射をストップし、このストップ瞬時にも暗電流成分を検出するが、このストップ瞬時に検出器の電流測定瞬時を同期させる手段を電流測定部に設ける必要がある。

なお、上述した実施例１から実施例４では、暗電流成分を減算する方法について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、暗電流成分を白黒反転し加算しても実施例と同様の効果を得ることができる。

本発明は歯科用のパノラマＸ線撮影装置を例にとって説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、セファロ撮影装置・デンタルレントゲン装置・Ｘ線CT装置およびＸ線非破壊検査装置にも適用しうることは勿論である。

１ Ｘ線撮影装置
２ Ｘ線撮影部
３ 演算用コンピュータ
４ Ｘ線発生装置
５ フラットパネルセンサ（Flat Panel Detector :FPD）
６ メモリ
７ 制御回路
８ 通信制御回路
１０ 入出力制御部
１１ 画像表示装置
１２ キーボード
１３ 記憶装置
１４ 中央処理制御装置
１５ メモリ
１６ 主記憶装置

Claims (12)

1. Ｘ線発生手段、Ｘ線撮像手段、記憶手段、制御回路および信号処理装置を含むＸ線撮影部と、信号入力手段を有する画像表示装置、記憶装置、信号処理装置、中央処理制御装置を含む演算用コンピュータとを備え、固体撮像素子を２次元配列したＸ線撮像手段を用いてＸ線撮影を行うに当たり、Ｘ線撮影工程中に、Ｘ線を照射する露光工程と、Ｘ線を照射しない暗電流成分のみを取得する非露光工程と、前記非露光工程における暗電流成分の値から、前記露光工程中の暗電流成分を予測する暗電流予測工程と、前記露光工程で得られた一連の各フレーム画像から前記暗電流予測工程により得られた暗電流成分を減算する工程とを設け、該暗電流成分の減算によりアーチファクトが軽減されたＸ線画像を取得することを特徴とするＸ線撮影方法。
2. 前記非露光工程はＸ線撮影工程中に、１乃至複数存在せしめるようにすることを特徴とする請求項１記載のＸ線撮影方法。
3. 前記非露光工程が、Ｘ線撮影工程の前段階と後段階にあって、前記暗電流予測工程が、前段階の非露光の複数枚のフレーム画像から得られた暗電流成分と、後段階の非露光の複数枚のフレーム画像から得られた暗電流成分とから、露光工程中の暗電流成分を補間することを特徴とする請求項１記載のＸ線撮影方法。
4. 前記非露光工程が、Ｘ線撮影工程の前段階にあって、前記暗電流予測工程が、前段階の非露光の複数枚のフレーム画像から得られた暗電流成分の傾向から露光工程中の暗電流成分を予測することを特徴とする請求項１記載のＸ線撮影方法。
5. 前記非露光工程が、Ｘ線撮影工程中に前記露光工程と交互に複数存在し、前記暗電流予測工程は、同時または、撮影後に、前記非露光工程中の複数のフレーム画像の暗電流から、隣接する前記露光工程の各フレーム画像の暗電流成分を予測し、これにより前記露光工程中のフレーム画像のみからなるＸ線画像を取得することを特徴とする請求項１記載のＸ線撮影方法。
6. Ｘ線撮影工程が前記露光工程からなる全てのフレーム画像と前記非露光工程からなる全てのフレーム画像とから構成されていることを特徴とする請求項１記載のＸ線撮影方法。
7. 前記暗電流予測工程は、工場出荷段階の前記Ｘ線撮像手段の暗電流の非露光特性をＸ線撮影時に重畳可能にしたことを特徴とする請求項１乃至請求項４記載のＸ線撮影方法。
8. 前記Ｘ線撮像手段は、ＭＯＳイメージセンサ、Ｃ−ＭＯＳイメージセンサ、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）、ＣｄＴｅセンサ、Ｘ線イメージインテンシファイア（Image Intensifier :I.I）、フラットパネル検出器（Flat Panel Detector :FPD）、ＣＣＤイメージセンサのいずれか１つで構成されることを特徴とする請求項１乃至請求項７いずれか記載のＸ線撮影方法。
9. Ｘ線発生手段、Ｘ線撮像手段、記憶手段、制御回路および信号処理装置を含むＸ線撮影部と、信号入力手段を有する画像表示装置、記憶装置、信号処理装置、中央処理制御装置を含む演算用コンピュータとを備え、固体撮像素子を２次元配列したＸ線撮像手段を用いてＸ線撮影を行うに当たり、Ｘ線撮影工程中に、Ｘ線を照射する露光手段と、Ｘ線を照射しない暗電流成分のみを取得する非露光手段と、前記非露光手段における暗電流成分の値から、前記露光工程中の暗電流成分を予測する暗電流予測手段と、前記露光手段で得られた一連の各フレーム画像から前記暗電流予測手段により得られた暗電流成分を減算する手段とを設け、アーチファクトが軽減されたＸ線画像を取得することを特徴とするＸ線撮影装置。
10. 前記暗電流予測手段は、複数個所に設けられた非露光領域のフレーム画像から得られた暗電流成分から補間によって算出することを特徴とする請求項９記載のＸ線撮影装置。
11. 前記暗電流予測手段は、露光領域の暗電流成分を算出する演算部と露光領域の暗電流成分を一次保存する記憶部とを少なくとも有していることを特徴とする請求項９記載のＸ線撮影装置。
12. 前記Ｘ線撮像手段は、ＭＯＳイメージセンサ、Ｃ−ＭＯＳイメージセンサ、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）、ＣｄＴｅセンサ、Ｘ線イメージインテンシファイア（Image Intensifier :I.I）、フラットパネル検出器（Flat Panel Detector :FPD）、ＣＣＤイメージセンサのいずれか１つで構成されることを特徴とする請求項９乃至１１のいずれかに記載のＸ線撮影装置。

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