JP2011141990A - Organic electroluminescent device and method of manufacturing the same, and organic electroluminescent display - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 76
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 229
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 110
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 110
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 91
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 91
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims abstract description 32
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 106
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 86
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 37
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 19
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 15
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 15
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 11
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 8
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims description 8
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 6
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 5
- GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N ZrO Inorganic materials [Zr]=O GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 claims description 4
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 abstract description 17
- 239000003086 colorant Substances 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 435
- 239000010408 film Substances 0.000 description 95
- -1 acryloyl compound Chemical class 0.000 description 61
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 41
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 37
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 18
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 17
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 17
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 17
- 230000008569 process Effects 0.000 description 17
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 16
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 16
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 15
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 15
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 14
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 13
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 12
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 12
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 12
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 description 12
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 11
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 11
- 238000011161 development Methods 0.000 description 10
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 10
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 10
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 10
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 9
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 8
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 7
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 7
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 7
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 7
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 7
- 239000012945 sealing adhesive Substances 0.000 description 7
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 6
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 6
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Inorganic materials [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical compound C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 5
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 5
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 5
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 5
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 5
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 5
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N Calcium oxide Chemical compound [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 description 4
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 4
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 4
- 125000004453 alkoxycarbonyl group Chemical group 0.000 description 4
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 4
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N cyclopentadiene Chemical compound C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 125000001033 ether group Chemical group 0.000 description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 4
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 150000003624 transition metals Chemical group 0.000 description 4
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 4
- BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazole Chemical compound C1=CC=C2OC=NC2=C1 BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 3
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 125000004414 alkyl thio group Chemical group 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 125000005110 aryl thio group Chemical group 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 3
- 235000012255 calcium oxide Nutrition 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000001841 imino group Chemical group [H]N=* 0.000 description 3
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 3
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 150000001282 organosilanes Chemical class 0.000 description 3
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 3
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 3
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 3
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 3
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 3
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 3
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 3
- 229940042055 systemic antimycotics triazole derivative Drugs 0.000 description 3
- UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N (e)-2-phenylethenamine Chemical compound N\C=C\C1=CC=CC=C1 UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 2
- ODIGIKRIUKFKHP-UHFFFAOYSA-N (n-propan-2-yloxycarbonylanilino) acetate Chemical compound CC(C)OC(=O)N(OC(C)=O)C1=CC=CC=C1 ODIGIKRIUKFKHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VERMWGQSKPXSPZ-BUHFOSPRSA-N 1-[(e)-2-phenylethenyl]anthracene Chemical compound C=1C=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C2C=1\C=C\C1=CC=CC=C1 VERMWGQSKPXSPZ-BUHFOSPRSA-N 0.000 description 2
- SULWTXOWAFVWOY-PHEQNACWSA-N 2,3-bis[(E)-2-phenylethenyl]pyrazine Chemical compound C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=NC=CN=C1\C=C\C1=CC=CC=C1 SULWTXOWAFVWOY-PHEQNACWSA-N 0.000 description 2
- MVWPVABZQQJTPL-UHFFFAOYSA-N 2,3-diphenylcyclohexa-2,5-diene-1,4-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)C(C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 MVWPVABZQQJTPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZYASLTYCYTYKFC-UHFFFAOYSA-N 9-methylidenefluorene Chemical compound C1=CC=C2C(=C)C3=CC=CC=C3C2=C1 ZYASLTYCYTYKFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N Indole Chemical compound C1=CC=C2NC=CC2=C1 SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L Magnesium chloride Chemical compound [Mg+2].[Cl-].[Cl-] TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N Oxazole Chemical compound C1=COC=N1 ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 2
- WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N Pyrazole Chemical compound C=1C=NNC=1 WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Al] Chemical compound [Li].[Al] JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 2
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 2
- 125000005396 acrylic acid ester group Chemical group 0.000 description 2
- 125000003647 acryloyl group Chemical group O=C([*])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 2
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 description 2
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 description 2
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 2
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Chemical compound [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L calcium sulfate Chemical compound [Ca+2].[O-]S([O-])(=O)=O OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 2
- 150000001718 carbodiimides Chemical class 0.000 description 2
- 125000002843 carboxylic acid group Chemical group 0.000 description 2
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 2
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013065 commercial product Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N divanadium pentaoxide Chemical compound O=[V](=O)O[V](=O)=O GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N fluoren-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3C2=C1 YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000008376 fluorenones Chemical class 0.000 description 2
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 2
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 description 2
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229940079865 intestinal antiinfectives imidazole derivative Drugs 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000005397 methacrylic acid ester group Chemical group 0.000 description 2
- 239000000113 methacrylic resin Substances 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical compound O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 2
- 150000007978 oxazole derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000005041 phenanthrolines Chemical class 0.000 description 2
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920002493 poly(chlorotrifluoroethylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N pyrazol-3-one Chemical compound O=C1C=CN=N1 JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010526 radical polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 2
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 2
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N strontium oxide Chemical compound [O-2].[Sr+2] IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 2
- DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N tetraphosphorus decaoxide Chemical compound O1P(O2)(=O)OP3(=O)OP1(=O)OP2(=O)O3 DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 2
- 150000003577 thiophenes Chemical class 0.000 description 2
- IBBLKSWSCDAPIF-UHFFFAOYSA-N thiopyran Chemical compound S1C=CC=C=C1 IBBLKSWSCDAPIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 2
- 229910001233 yttria-stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 description 2
- CKGKXGQVRVAKEA-UHFFFAOYSA-N (2-methylphenyl)-phenylmethanone Chemical compound CC1=CC=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 CKGKXGQVRVAKEA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GEYOCULIXLDCMW-UHFFFAOYSA-N 1,2-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=CC=C1N GEYOCULIXLDCMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- GUPMCMZMDAGSPF-UHFFFAOYSA-N 1-phenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1[C](C=C[CH2])C1=CC=CC=C1 GUPMCMZMDAGSPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LRZPQLZONWIQOJ-UHFFFAOYSA-N 10-(2-methylprop-2-enoyloxy)decyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCCCCCCCCCOC(=O)C(C)=C LRZPQLZONWIQOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 1H-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC=NC2=C1 HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BAXOFTOLAUCFNW-UHFFFAOYSA-N 1H-indazole Chemical compound C1=CC=C2C=NNC2=C1 BAXOFTOLAUCFNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XWIYUCRMWCHYJR-UHFFFAOYSA-N 1h-pyrrolo[3,2-b]pyridine Chemical compound C1=CC=C2NC=CC2=N1 XWIYUCRMWCHYJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YQTCQNIPQMJNTI-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethylpropan-1-one Chemical group CC(C)(C)[C]=O YQTCQNIPQMJNTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RIWRBSMFKVOJMN-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1-phenylpropan-2-ol Chemical compound CC(C)(O)CC1=CC=CC=C1 RIWRBSMFKVOJMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001622 2-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C(*)C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- MGADZUXDNSDTHW-UHFFFAOYSA-N 2H-pyran Chemical compound C1OC=CC=C1 MGADZUXDNSDTHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CAWGQUPKYLTTNX-UHFFFAOYSA-N 3,4,5,6-tetrahydro-2,7-benzodioxecine-1,8-dione Chemical compound O=C1OCCCCOC(=O)C2=CC=CC=C12 CAWGQUPKYLTTNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 3-(1h-benzimidazol-2-yl)-7-(diethylamino)chromen-2-one Chemical compound C1=CC=C2NC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical group [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPMFPOGUJAAYHL-UHFFFAOYSA-N 9H-Pyrido[2,3-b]indole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=N1 BPMFPOGUJAAYHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910016569 AlF 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical group [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L Calcium chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Ca+2] UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- DQFBYFPFKXHELB-UHFFFAOYSA-N Chalcone Natural products C=1C=CC=CC=1C(=O)C=CC1=CC=CC=C1 DQFBYFPFKXHELB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000799 K alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N N-phenyl amine Natural products NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001774 Perfluoroether Polymers 0.000 description 1
- ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N Phosphorous acid Chemical compound OP(O)=O ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 229920002396 Polyurea Polymers 0.000 description 1
- CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N Pyrimidine Chemical compound C1=CN=CN=C1 CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N Stilbene Natural products C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021536 Zeolite Inorganic materials 0.000 description 1
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002777 acetyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)=O 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical class [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N aluminum magnesium Chemical compound [Mg].[Al] SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 1
- RJGDLRCDCYRQOQ-UHFFFAOYSA-N anthrone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3CC2=C1 RJGDLRCDCYRQOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008425 anthrones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VMPVEPPRYRXYNP-UHFFFAOYSA-I antimony(5+);pentachloride Chemical compound Cl[Sb](Cl)(Cl)(Cl)Cl VMPVEPPRYRXYNP-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 1
- 229940054051 antipsychotic indole derivative Drugs 0.000 description 1
- 229940027991 antiseptic and disinfectant quinoline derivative Drugs 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- XJHABGPPCLHLLV-UHFFFAOYSA-N benzo[de]isoquinoline-1,3-dione Chemical compound C1=CC(C(=O)NC2=O)=C3C2=CC=CC3=C1 XJHABGPPCLHLLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003236 benzoyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C(*)=O 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 125000004106 butoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910001622 calcium bromide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001110 calcium chloride Substances 0.000 description 1
- 229910001628 calcium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- WGEFECGEFUFIQW-UHFFFAOYSA-L calcium dibromide Chemical compound [Ca+2].[Br-].[Br-] WGEFECGEFUFIQW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 235000011132 calcium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 125000000609 carbazolyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000009125 cardiac resynchronization therapy Methods 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 235000005513 chalcones Nutrition 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- UUAGAQFQZIEFAH-UHFFFAOYSA-N chlorotrifluoroethylene Chemical group FC(F)=C(F)Cl UUAGAQFQZIEFAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 1
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- OMZSGWSJDCOLKM-UHFFFAOYSA-N copper(II) sulfide Chemical compound [S-2].[Cu+2] OMZSGWSJDCOLKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GBRBMTNGQBKBQE-UHFFFAOYSA-L copper;diiodide Chemical compound I[Cu]I GBRBMTNGQBKBQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 125000001664 diethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])N(*)C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000002147 dimethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])N(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 230000003292 diminished effect Effects 0.000 description 1
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- UIWXSTHGICQLQT-UHFFFAOYSA-N ethenyl propanoate Chemical group CCC(=O)OC=C UIWXSTHGICQLQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000003754 ethoxycarbonyl group Chemical group C(=O)(OCC)* 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 125000002485 formyl group Chemical group [H]C(*)=O 0.000 description 1
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 1
- UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K gallium trichloride Chemical compound Cl[Ga](Cl)Cl UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000007792 gaseous phase Substances 0.000 description 1
- PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N germanium monoxide Inorganic materials [Ge]=O PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229940083761 high-ceiling diuretics pyrazolone derivative Drugs 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K indium(iii) chloride Chemical compound Cl[In](Cl)Cl PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZOUSPYUWWUPPK-UHFFFAOYSA-N indole Natural products CC1=CC=CC2=C1C=CN2 PZOUSPYUWWUPPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RKJUIXBNRJVNHR-UHFFFAOYSA-N indolenine Natural products C1=CC=C2CC=NC2=C1 RKJUIXBNRJVNHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002475 indoles Chemical class 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical group 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001182 laser chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Inorganic materials [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910001629 magnesium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052943 magnesium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019341 magnesium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910001512 metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000001160 methoxycarbonyl group Chemical group [H]C([H])([H])OC(*)=O 0.000 description 1
- 125000000250 methylamino group Chemical group [H]N(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000002808 molecular sieve Substances 0.000 description 1
- AODWRBPUCXIRKB-UHFFFAOYSA-N naphthalene perylene Chemical group C1=CC=CC2=CC=CC=C21.C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 AODWRBPUCXIRKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N nickel(II) oxide Inorganic materials [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- GVGCUCJTUSOZKP-UHFFFAOYSA-N nitrogen trifluoride Chemical class FN(F)F GVGCUCJTUSOZKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical compound C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006353 oxyethylene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- UJMWVICAENGCRF-UHFFFAOYSA-N oxygen difluoride Chemical class FOF UJMWVICAENGCRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N para-benzoquinone Natural products O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AOLPZAHRYHXPLR-UHFFFAOYSA-I pentafluoroniobium Chemical compound F[Nb](F)(F)(F)F AOLPZAHRYHXPLR-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 1
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 1
- DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N perinone Chemical compound C12=NC3=CC=CC=C3N2C(=O)C2=CC=C3C4=C2C1=CC=C4C(=O)N1C2=CC=CC=C2N=C13 DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 150000004986 phenylenediamines Chemical class 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- LFSXCDWNBUNEEM-UHFFFAOYSA-N phthalazine Chemical class C1=NN=CC2=CC=CC=C21 LFSXCDWNBUNEEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 229920001643 poly(ether ketone) Polymers 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000548 poly(silane) polymer Chemical class 0.000 description 1
- 229920003050 poly-cycloolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 239000005023 polychlorotrifluoroethylene (PCTFE) polymer Substances 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920006389 polyphenyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N potassiosodium Chemical compound [Na].[K] BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N potassium oxide Chemical compound [O-2].[K+].[K+] CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001950 potassium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000003216 pyrazines Chemical class 0.000 description 1
- DNXIASIHZYFFRO-UHFFFAOYSA-N pyrazoline Chemical compound C1CN=NC1 DNXIASIHZYFFRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003222 pyridines Chemical class 0.000 description 1
- 229940083082 pyrimidine derivative acting on arteriolar smooth muscle Drugs 0.000 description 1
- 150000003230 pyrimidines Chemical class 0.000 description 1
- 150000003233 pyrroles Chemical class 0.000 description 1
- 150000003248 quinolines Chemical class 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 1
- 150000003967 siloles Chemical class 0.000 description 1
- 125000004469 siloxy group Chemical group [SiH3]O* 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N sodium aluminosilicate Chemical compound [Na+].[Al+3].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N sodium oxide Chemical compound [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001948 sodium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052938 sodium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011152 sodium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 235000021286 stilbenes Nutrition 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000547 substituted alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- QKTRRACPJVYJNU-UHFFFAOYSA-N thiadiazolo[5,4-b]pyridine Chemical compound C1=CN=C2SN=NC2=C1 QKTRRACPJVYJNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- NZFNXWQNBYZDAQ-UHFFFAOYSA-N thioridazine hydrochloride Chemical compound Cl.C12=CC(SC)=CC=C2SC2=CC=CC=C2N1CCC1CCCCN1C NZFNXWQNBYZDAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003918 triazines Chemical class 0.000 description 1
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- ZOYIPGHJSALYPY-UHFFFAOYSA-K vanadium(iii) bromide Chemical compound [V+3].[Br-].[Br-].[Br-] ZOYIPGHJSALYPY-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Materials For Photolithography (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
本発明は、有機材料からなる第1の光路長調整層及び無機材料からなる第2の光路長調整層を有し、耐久性が向上した有機電界発光装置、及び製造プロセスを簡易化する有機電界発光装置の製造方法、並びに有機電界発光ディスプレイに関する。 The present invention has a first optical path length adjusting layer made of an organic material and a second optical path length adjusting layer made of an inorganic material, an organic electroluminescent device with improved durability, and an organic electric field that simplifies the manufacturing process. The present invention relates to a method for manufacturing a light emitting device and an organic electroluminescent display.
近年、ブラウン管(CRT)に替わって薄型で軽量なフラットパネルディスプレイが広い分野で用いられ、その用途を延ばしてきている。これは、インターネットを核としたサービス網に対する情報機器及びインフラの発展により、パーソナル・コンピュータ並びにネットワークアクセス対応型携帯電話などの個人情報端末が加速的に普及したためである。更に、従来CRTの独壇場であった家庭用テレビへ、フラットパネルディスプレイの市場が拡大してきている。 In recent years, thin and light flat panel displays have been used in a wide range of fields in place of cathode ray tubes (CRT), and their applications have been extended. This is because personal information terminals such as personal computers and network access-compatible mobile phones have been rapidly spread due to the development of information equipment and infrastructure for service networks centered on the Internet. In addition, the market for flat panel displays has been expanding to home TVs, which have traditionally been exclusive to CRTs.
その中で、近年特に注目を浴びているデバイスとして、有機電界発光素子がある。有機電界発光素子は、電気信号に応じて発光し、かつ発光物質として有機化合物を用いて構成される素子である。有機電界発光素子は、生来的に広視野角及び高コントラスト並びに高速応答などの優れた表示特性を有している。また、薄型軽量かつ高画質な小型から大型までの表示装置を実現する可能性があることから、CRTやLCDに代わる素子として注目されている。 Among them, there is an organic electroluminescent element as a device that has attracted particular attention in recent years. An organic electroluminescent element is an element configured to emit light in response to an electric signal and to use an organic compound as a luminescent substance. Organic electroluminescent elements inherently have excellent display characteristics such as a wide viewing angle, high contrast, and high-speed response. In addition, since there is a possibility of realizing thin and light and high-quality display devices from small to large, it has been attracting attention as an element replacing CRT and LCD.
有機電界発光素子を用いたフルカラー表示装置としては、種々提案されているが、例えば、フルカラー表現のための赤色(R)、緑色(G)、及び青色(B)の3基本色を得る手段として白色有機電界発光素子と光反射膜との間での多重干渉効果を組み合わせ、特定の波長の光のみを有機電界発光素子の外部に取り出す方法がある。この構成には上部電極に半透明の陰極を採用し、高い色再現性を実現するトップエミッション構成、下部電極に半透過又は透明下部電極の下に誘電体多層膜ミラーを用いたボトムエミッション構成が想定される。更に、多重干渉構造にカラーフィルターを組み合わせる方法がこの種のフルカラー表示装置において検討されている。 Various full-color display devices using organic electroluminescent elements have been proposed. For example, as means for obtaining three basic colors of red (R), green (G), and blue (B) for full-color expression. There is a method of taking out only light of a specific wavelength to the outside of the organic electroluminescent element by combining multiple interference effects between the white organic electroluminescent element and the light reflecting film. This configuration employs a semi-transparent cathode for the upper electrode and a top emission configuration that achieves high color reproducibility, and a bottom emission configuration that uses a semi-transmissive or transparent lower electrode for the lower electrode and a dielectric multilayer mirror. is assumed. Further, a method of combining a color filter with a multi-interference structure has been studied for this kind of full-color display device.
例えば、光反射材料からなる第1の電極、有機発光層を備えた有機層、光半透明反射層及び透明材料からなる第2の電極が順次積層され、有機層が共振部となるように構成された有機電界発光素子において、取り出したい光のスペクトルのピーク波長をλとした場合、以下の式を満たすように構成した有機電界発光素子が知られている。
(2L)/λ+Φ/(2π)=m
ただし、Lは光学的距離(光路長)、λは取り出したい光の波長を示し、mは、整数を示し、Φは、位相シフトを示し、光学的距離Lが正の最小値となるように構成する。
この種の白色有機電界発光表示素子にカラーフィルターを組み合わせるフルカラー表示装置においては、ITO(Indium Tin Oxide)などの無機材料からなる陽極の厚みを変えることにより、各画素毎の光路長Lの長さを調整し、各色の光を取り出すようにしている(特許文献1及び2参照)。
For example, a first electrode made of a light reflecting material, an organic layer provided with an organic light emitting layer, a light translucent reflecting layer, and a second electrode made of a transparent material are sequentially stacked, and the organic layer becomes a resonance part. In the organic electroluminescent device, an organic electroluminescent device configured to satisfy the following formula is known, where λ is the peak wavelength of the spectrum of light to be extracted.
(2L) / λ + Φ / (2π) = m
Where L is an optical distance (optical path length), λ is a wavelength of light to be extracted, m is an integer, Φ is a phase shift, and the optical distance L is a positive minimum value. Constitute.
In a full-color display device in which a color filter is combined with a white organic electroluminescent display element of this type, the length of the optical path length L for each pixel is changed by changing the thickness of an anode made of an inorganic material such as ITO (Indium Tin Oxide). Are adjusted so that light of each color is extracted (see Patent Documents 1 and 2).
しかしながら、光路長調整層として、ITO等の無機材料を用いる場合には、有機電界発光装置の製造プロセスが複雑となり、生産コストが嵩むことに加え、生産性が低下するという問題がある。
この干渉長調整用の膜はメタルマスクを用いた有機素材あるいは無機素材の蒸着法によって画素ごとに積層している。しかし、大面積ディスプレイの作製に対応するにはメタルマスクが高価であり対応が困難である。RGBの画素ごとに膜厚の異なる干渉長調整用膜を、レジスト素材を用いて、従来より大面積のカラーフィルターの作製等で実績のあるフォトリソグラフィー工程により形成することで、大面積のディスプレイの作製が可能となる。
一方、干渉長調整用の膜を有機素材で形成すると、有機素材由来の物質により有機電界発光装置の耐久性の低下が生じるという問題がある。この場合、特許文献3には、透明なSiO2からなるパッシベーション層が設けられているが、共振構造を有するものでなく、干渉長を調整する目的については開示も示唆もされていない。
However, when an inorganic material such as ITO is used as the optical path length adjusting layer, there is a problem that the manufacturing process of the organic electroluminescent device becomes complicated, and the production cost is increased and the productivity is lowered.
The interference length adjusting film is laminated for each pixel by an organic material or inorganic material vapor deposition method using a metal mask. However, metal masks are expensive and difficult to deal with in the production of large area displays. By forming a film for adjusting the interference length, which has a different thickness for each RGB pixel, using a resist material by a photolithography process that has been proven in the production of a color filter with a larger area than before, a large area display Fabrication is possible.
On the other hand, when the interference length adjusting film is formed of an organic material, there is a problem that the durability of the organic electroluminescent device is reduced by a substance derived from the organic material. In this case, Patent Document 3 is provided with a passivation layer made of transparent SiO 2 , but does not have a resonance structure and does not disclose or suggest the purpose of adjusting the interference length.
以下に従来技術による光路長調整層を有する有機電界発光装置の製造プロセスについて説明する。
まず、基板1上に、赤色、緑色、及び青色に対応する複数の画素に対応して、反射金属層2を配する(図13参照)。
次いで、スパッタ法、蒸着法等により、反射金属層2が配された基板上に対して、ITO膜10を成膜する(図14参照)。
次いで、ITO膜10上に硬化性樹脂からなるレジスト組成物を塗布し、レジスト層20を成膜する(図15参照)。
こうして基板1上に、反射金属層2とITO膜10とレジスト層20とが配された状態で、部分的に遮光可能とするマスク4で覆い、光Lを照射して、一つの画素上のレジスト層20を選択的に露光し、樹脂を硬化させる(図16参照)。
これを現像して、レジスト層20から露光した部分以外の箇所を取り除く(図17参照)。
この状態で、露光されたレジスト層20をマスクとしたエッチング処理を行い、レジスト層20に対向するITO膜10以外のITO膜10を取り除く(図18参照)。
次いで、残されたITO膜10上のレジスト層20を剥離して、一つの画素上に、反射金属層2とITO膜10とが配された状態とする(図19参照)。
A process for manufacturing an organic electroluminescent device having an optical path length adjusting layer according to the prior art will be described below.
First, the reflective metal layer 2 is arranged on the substrate 1 corresponding to a plurality of pixels corresponding to red, green, and blue (see FIG. 13).
Next, an ITO film 10 is formed on the substrate on which the reflective metal layer 2 is disposed by sputtering, vapor deposition, or the like (see FIG. 14).
Next, a resist composition made of a curable resin is applied on the ITO film 10 to form a resist layer 20 (see FIG. 15).
In this way, with the reflective metal layer 2, the ITO film 10, and the resist layer 20 disposed on the substrate 1, the substrate 1 is covered with a mask 4 that can be partially shielded, and irradiated with light L, and then on one pixel. The resist layer 20 is selectively exposed to cure the resin (see FIG. 16).
This is developed to remove portions other than the exposed portion from the resist layer 20 (see FIG. 17).
In this state, an etching process is performed using the exposed resist layer 20 as a mask, and the ITO film 10 other than the ITO film 10 facing the resist layer 20 is removed (see FIG. 18).
Next, the remaining resist layer 20 on the ITO film 10 is peeled off so that the reflective metal layer 2 and the ITO film 10 are arranged on one pixel (see FIG. 19).
次に、多段の光路長を形成するために、スパッタ法、蒸着法等により、ITO膜10を再度蒸着させる(図20参照)。この状態において、先の工程で、反射金属層2とITO膜10とが配された画素領域においては、ITO膜10が重ねて蒸着され、他の画素上でのITO膜10との間で、光路長差が形成される。
次に、ITO膜10上に、再度、硬化性樹脂からなるレジスト組成物を塗布し、レジスト層20を形成する(図21参照)。
こうして基板1上に、反射金属層2とITO膜10とレジスト層20とが配された状態で、部分的に遮光可能とするマスク4で覆い、ITO膜10が重ねて蒸着された画素領域と、該画素領域に隣接する画素領域とに対して、光を照射して露光し、樹脂を硬化させる(図22参照)。
これを現像して、レジスト層20から露光した部分以外の箇所を取り除く(図23参照)。
この状態で、露光されたレジスト層20をマスクとしたエッチング処理を行い、レジスト層20に対向するITO膜10以外のITO膜10を取り除く(図24参照)。
次いで、残されたITO膜10上のレジスト層20を剥離して、基板1上に、反射金属層2と重ねて配されたITO膜10とを有する画素領域、及び、反射金属層2とITO膜10とを有する画素領域を形成する(図25参照)。
Next, in order to form multistage optical path lengths, the ITO film 10 is again deposited by sputtering, vapor deposition, or the like (see FIG. 20). In this state, in the pixel region where the reflective metal layer 2 and the ITO film 10 are arranged in the previous step, the ITO film 10 is deposited in an overlapping manner, and between the ITO film 10 on other pixels, An optical path length difference is formed.
Next, a resist composition made of a curable resin is applied again on the ITO film 10 to form a resist layer 20 (see FIG. 21).
In this way, a pixel region in which the reflective metal layer 2, the ITO film 10 and the resist layer 20 are disposed on the substrate 1 and covered with a mask 4 which can be partially shielded, and the ITO film 10 is deposited in an overlapping manner. The pixel region adjacent to the pixel region is exposed by irradiating light to cure the resin (see FIG. 22).
This is developed to remove portions other than the exposed portion from the resist layer 20 (see FIG. 23).
In this state, an etching process is performed using the exposed resist layer 20 as a mask, and the ITO film 10 other than the ITO film 10 facing the resist layer 20 is removed (see FIG. 24).
Next, the resist layer 20 on the remaining ITO film 10 is peeled off, and the pixel region having the ITO film 10 disposed on the substrate 1 so as to overlap the reflective metal layer 2, and the reflective metal layer 2 and ITO A pixel region having the film 10 is formed (see FIG. 25).
次に、他の光路長を形成するために、スパッタ法、蒸着法等により、ITO膜10を再度蒸着させる(図26参照)。この状態において、先の工程で、反射金属層2とITO膜10とが配された2つの画素領域においては、異なる光路長差を有するように、ITO膜10が重ねて蒸着され、それぞれの画素上において、ITO膜10層の厚みによる光路長差が形成される。
次いで、ITO膜10上に、再度、硬化性樹脂からなるレジスト組成物を塗布し、レジスト層20を形成する(図27参照)。
こうして基板1上に、反射金属層2とITO膜10とレジスト層20とが配された状態で、ITO膜10部分的に遮光可能とするマスク4で覆い、各画素上のレジスト層20に光を照射して露光し、樹脂を硬化させる(図28参照)。
これを現像して、レジスト層20から露光した部分以外の箇所を取り除く(図29参照)。
この状態で、露光されたレジスト層20をマスクとしたエッチング処理を行い、レジスト層20に対向するITO膜10以外のITO膜10を取り除く(図30参照)。
次いで、残されたITO膜10上のレジスト層20を剥離する。こうして、基板1上の各画素領域において、反射金属層2上に、厚みの異なるITO膜10で形成された光路長調整層が形成されることとなる(図31参照)。
Next, in order to form another optical path length, the ITO film 10 is deposited again by sputtering, vapor deposition or the like (see FIG. 26). In this state, in the previous process, in the two pixel regions where the reflective metal layer 2 and the ITO film 10 are arranged, the ITO film 10 is deposited and deposited so as to have different optical path length differences. Above, the optical path length difference due to the thickness of the ITO film 10 layer is formed.
Next, a resist composition made of a curable resin is applied again on the ITO film 10 to form a resist layer 20 (see FIG. 27).
In this way, the reflective metal layer 2, the ITO film 10 and the resist layer 20 are arranged on the substrate 1, and the ITO film 10 is covered with a mask 4 that can partially shield light, and light is applied to the resist layer 20 on each pixel. Is exposed to light to cure the resin (see FIG. 28).
This is developed to remove portions other than the exposed portion from the resist layer 20 (see FIG. 29).
In this state, an etching process is performed using the exposed resist layer 20 as a mask to remove the ITO film 10 other than the ITO film 10 facing the resist layer 20 (see FIG. 30).
Next, the remaining resist layer 20 on the ITO film 10 is peeled off. In this way, in each pixel region on the substrate 1, an optical path length adjusting layer formed of the ITO film 10 having a different thickness is formed on the reflective metal layer 2 (see FIG. 31).
次に、厚みの異なるITO膜10で形成された光路長調整層を有する状態で、各光路長調整層上に、有機発光層7と、半透明部材8とをこの順で積層し、有機電界発光装置400を製造する(図32参照)。
このような有機電界発光装置400においては、有機発光層7から出射された光が、異なる厚みで形成されたITO膜10の光路長d1、d2、及びd3に対応して、それぞれ青色、緑色、及び赤色に対応する波長の光として半透明部材8から取り出される。即ち、有機発光層7から出射された光は、光路長がd1、d2、及びd3からなる半透明部材8と反射金属層2との間で共振され、各光路長に応じた青色、緑色、及び赤色の波長の光が強められることにより、青色、緑色、及び赤色の光として有機電界発光装置400から取り出すことを可能とされる。
Next, an organic light emitting layer 7 and a translucent member 8 are laminated in this order on each optical path length adjustment layer in a state having optical path length adjustment layers formed of ITO films 10 having different thicknesses, and an organic electric field The light emitting device 400 is manufactured (see FIG. 32).
In such an organic electroluminescent device 400, the light emitted from the organic light emitting layer 7 corresponds to the optical path lengths d 1 , d 2 , and d 3 of the ITO film 10 formed with different thicknesses, respectively. , Green, and red are extracted from the translucent member 8 as light having a wavelength corresponding to red. That is, the light emitted from the organic light emitting layer 7 is resonated between the translucent member 8 having the optical path lengths d 1 , d 2 , and d 3 and the reflective metal layer 2, and the blue color corresponding to each optical path length. By increasing the light of green, red, and red wavelengths, it is possible to extract from the organic electroluminescent device 400 as blue, green, and red light.
このように、光路長調整層を有する有機電界発光装置においては、青色、緑色、及び赤色の3原色による高精細なカラー表示が可能となるが、前記光路長調整層の形成材料として、ITO膜等の無機材料を用いる場合には、光路長差の形成に、レジスト層の形成、レジスト層をマスクとしたエッチング処理、レジスト層の剥離といった工程が必要であり、また、これらの工程を、光路長差を形成するごとに行わなければならないため、製造プロセスが複雑になってしまうという問題がある。 As described above, in the organic electroluminescent device having the optical path length adjusting layer, high-definition color display using the three primary colors of blue, green, and red is possible. As a material for forming the optical path length adjusting layer, an ITO film is used. In the case of using an inorganic material such as the optical path length difference, formation of a resist layer, etching process using the resist layer as a mask, and stripping of the resist layer are necessary. There is a problem in that the manufacturing process becomes complicated because it must be performed every time the length difference is formed.
本発明は、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、有機材料からなる第1の光路長調整層及び無機材料からなる第2の光路長調整層を有し、耐久性が向上した有機電界発光装置、及び製造プロセスを簡易化する有機電界発光装置の製造方法、並びに有機電界発光ディスプレイを提供することを目的とする。 An object of the present invention is to solve the above-described problems and achieve the following objects. That is, the present invention has a first optical path length adjusting layer made of an organic material and a second optical path length adjusting layer made of an inorganic material, and an organic electroluminescence device with improved durability and a manufacturing process are simplified. An object of the present invention is to provide an organic electroluminescent device manufacturing method and an organic electroluminescent display.
前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
<1> 赤色、緑色、及び青色に対応する複数の画素領域のうち、少なくとも1つの画素領域に、反射金属層と、半透明部材と、少なくとも発光層を有する有機電界発光素子と、光路長調整層とを有し、前記有機電界発光素子からの発光を共振させる共振構造を備えた有機電界発光装置であって、
前記光路長調整層が、光透過性樹脂からなる第1の光路長調整層と、無機材料からなる第2の光路長調整層とを有することを特徴とする有機電界発光装置である。
<2> 第1の光路長調整層と、有機電界発光素子との間に、第2の光路長調整層を有する前記<1>に記載の有機電界発光装置である。
<3> 第2の光路長調整層における無機材料が、SiO2、Al2O3、SiON及びZrO2から選択される少なくとも1種である前記<1>から<2>のいずれかに記載の有機電界発光装置である。
<4> 第2の光路長調整層の厚みが、5nm〜30nmである前記<1>から<3>のいずれかに記載の有機電界発光装置である。
<5> 前記<1>から<4>のいずれかに記載の有機電界発光装置を有することを特徴とする有機電界発光ディスプレイである。
<6> フレキシブルディスプレイとして用いられる前記<5>に記載の有機電界発光ディスプレイである。
<7> 赤色、緑色、及び青色に対応する複数の画素領域のうち、少なくとも一の画素領域に反射金属層及び半透明部材を配設可能な基板上に、光透過性樹脂材料を成膜する光透過性樹脂材料成膜工程と、
前記成膜された光透過性樹脂材料のうち、前記一の画素領域を含む領域を硬化反応させ、光透過性樹脂層を形成する光透過性樹脂層形成工程と、
前記硬化反応後の光透過性樹脂層を現像し、第1の光路長調整層を形成する第1の光路長調整層形成工程と、
前記第1の光路長調整層と前記一の画素領域を構成する有機電界発光素子との間に無機材料からなる第2の光路長調整層を形成する第2の光路長調整層形成工程と、
を含むことを特徴とする有機電界発光装置の製造方法である。
<8> 光透過性樹脂材料の成膜が、気相成膜方法、スプレー塗布及びインクジェット塗布のいずれかで行われる前記<7>に記載の有機電界発光装置の製造方法である。
<9> 光透過性樹脂材料が光反応性樹脂組成物である前記<7>から<8>のいずれかに記載の有機電界発光装置の製造方法である。
<10> 光反応性樹脂組成物における光反応性樹脂が反応性官能基を2つ以上有する前記<9>に記載の有機電界発光装置の製造方法である。
<11> 第2の光路長調整層が、スパッタ法及び蒸着法のいずれかで形成される前記<7>から<10>のいずれかに記載の有機電界発光装置の製造方法である。
<12> 第1の光路長調整層が平坦化膜上に形成され、前記平坦化膜が前記第1の光路長調整層の光透過性樹脂材料と同じ光透過性樹脂材料で形成される前記<7>から<11>のいずれかに記載の有機電界発光装置の製造方法である。
Means for solving the problems are as follows. That is,
<1> Of a plurality of pixel regions corresponding to red, green, and blue, at least one pixel region includes a reflective metal layer, a translucent member, an organic electroluminescent element having at least a light emitting layer, and an optical path length adjustment. And an organic electroluminescent device having a resonance structure that resonates light emitted from the organic electroluminescent element,
The organic electroluminescent device is characterized in that the optical path length adjusting layer has a first optical path length adjusting layer made of a light-transmitting resin and a second optical path length adjusting layer made of an inorganic material.
<2> The organic electroluminescence device according to <1>, further including a second optical path length adjustment layer between the first optical path length adjustment layer and the organic electroluminescence element.
<3> The inorganic material in the second optical path length adjusting layer is at least one selected from SiO 2 , Al 2 O 3 , SiON and ZrO 2, according to any one of <1> to <2>. Organic electroluminescent device.
<4> The organic electroluminescence device according to any one of <1> to <3>, wherein the thickness of the second optical path length adjustment layer is 5 nm to 30 nm.
<5> An organic electroluminescent display comprising the organic electroluminescent device according to any one of <1> to <4>.
<6> The organic electroluminescence display according to <5>, which is used as a flexible display.
<7> A light-transmitting resin material is formed on a substrate on which a reflective metal layer and a translucent member can be disposed in at least one pixel region among a plurality of pixel regions corresponding to red, green, and blue. A light-transmitting resin material film forming step;
A light-transmitting resin layer forming step of forming a light-transmitting resin layer by curing a region including the one pixel region out of the formed light-transmitting resin material;
A first optical path length adjusting layer forming step of developing the light transmissive resin layer after the curing reaction and forming a first optical path length adjusting layer;
A second optical path length adjustment layer forming step of forming a second optical path length adjustment layer made of an inorganic material between the first optical path length adjustment layer and the organic electroluminescent element constituting the one pixel region;
A method for producing an organic electroluminescent device, comprising:
<8> The method for producing an organic electroluminescent device according to <7>, wherein the light transmissive resin material is formed by any one of a vapor phase film forming method, spray coating, and ink jet coating.
<9> The method for producing an organic electroluminescent device according to any one of <7> to <8>, wherein the light transmissive resin material is a photoreactive resin composition.
<10> The method for producing an organic electroluminescent device according to <9>, wherein the photoreactive resin in the photoreactive resin composition has two or more reactive functional groups.
<11> The method for producing an organic electroluminescent device according to any one of <7> to <10>, wherein the second optical path length adjusting layer is formed by any one of a sputtering method and a vapor deposition method.
<12> The first optical path length adjusting layer is formed on a planarizing film, and the planarizing film is formed of the same light transmitting resin material as the light transmitting resin material of the first optical path length adjusting layer. <7> to <11> The method for producing an organic electroluminescent device according to any one of <11>.
本発明によると、従来における諸問題を解決することができ、有機材料からなる第1の光路長調整層及び無機材料からなる第2の光路長調整層を有し、耐久性が向上した有機電界発光装置、及び製造プロセスを簡易化する有機電界発光装置の製造方法、並びに有機電界発光ディスプレイを提供することができる。 According to the present invention, various problems in the prior art can be solved, and an organic electric field having a first optical path length adjusting layer made of an organic material and a second optical path length adjusting layer made of an inorganic material has improved durability. A light emitting device, a method for manufacturing an organic electroluminescent device that simplifies the manufacturing process, and an organic electroluminescent display can be provided.
(有機電界発光装置)
本発明の有機電界発光装置は、赤色、緑色、及び青色に対応する複数の画素領域のうち、少なくとも1つの画素領域に、反射金属層と、半透明部材と、少なくとも発光層を有する有機電界発光素子と、光路長調整層とを有し、前記有機電界発光素子からの発光を共振させる共振構造を備えており、基板、更に必要に応じてその他の部材を有してなる。
(Organic electroluminescent device)
The organic electroluminescent device of the present invention is an organic electroluminescent device having a reflective metal layer, a translucent member, and at least a light emitting layer in at least one pixel region among a plurality of pixel regions corresponding to red, green, and blue. It has an element and an optical path length adjusting layer, and has a resonance structure that resonates light emitted from the organic electroluminescence element, and has a substrate and, if necessary, other members.
前記有機電界発光装置においては、有機発光層から出射された光が、異なる厚みで形成される前記光路長調整層の光路長に対応して、青色、緑色、及び赤色に対応する波長の光を取り出すことが可能であるが、前記有機電界発光装置の観察者側における青色、緑色、及び赤色の各画素領域において、それぞれの色に対応するカラーフィルターを更に配し、より高精細なフルカラー表示を可能としてもよい。 In the organic electroluminescent device, light emitted from the organic light emitting layer emits light having wavelengths corresponding to blue, green, and red corresponding to the optical path length of the optical path length adjusting layer formed with different thicknesses. Although it is possible to take out, in each of the blue, green, and red pixel regions on the viewer side of the organic electroluminescence device, a color filter corresponding to each color is further arranged to provide a higher-definition full-color display. It may be possible.
<光路長調整層>
前記光路長調整層は、有機材料である光透過性樹脂からなる第1の光路長調整層と、無機材料からなる第2の光路長調整層とを有する。
<Optical path length adjustment layer>
The optical path length adjusting layer includes a first optical path length adjusting layer made of a light-transmitting resin that is an organic material, and a second optical path length adjusting layer made of an inorganic material.
−第1の光路長調整層−
前記第1の光路長調整層は、光透過性樹脂からなる。
前記光透過性樹脂としては、光透過性を有し、また、後述する光透過性樹脂層における硬化反応を生ずるものであれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ポリエステル、アクリル樹脂、メタクリル樹脂(本明細書では、アクリル樹脂及びメタクリル樹脂を併せてアクリレート重合物ということがある)、メタクリル酸−マレイン酸共重合体、ポリスチレン、透明フッ素樹脂、ポリイミド、フッ素化ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、セルロースアシレート、ポリウレタン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリカーボネート、脂環式ポリオレフィン、ポリアリレート、ポリエーテルスルホン、ポリスルホン、フルオレン環変性ポリカーボネート、脂環変性ポリカーボネート、フルオレン環変性ポリエステル、アクリロイル化合物、ポリシロキサン、又はその他の有機珪素化合物などが挙げられる。これらは、1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
-First optical path length adjustment layer-
The first optical path length adjusting layer is made of a light transmissive resin.
The light-transmitting resin is not particularly limited as long as it has a light-transmitting property and causes a curing reaction in the light-transmitting resin layer described later, and can be appropriately selected according to the purpose. For example, polyester, acrylic resin, methacrylic resin (in this specification, acrylic resin and methacrylic resin may be collectively referred to as acrylate polymer), methacrylic acid-maleic acid copolymer, polystyrene, transparent fluororesin, polyimide, fluorine Polyimide, polyamide, polyamideimide, polyetherimide, cellulose acylate, polyurethane, polyetheretherketone, polycarbonate, alicyclic polyolefin, polyarylate, polyethersulfone, polysulfone, fluorene ring modified polycarbonate, alicyclic modified polycarbonate, Oren ring-modified polyester, acryloyl compound, a polysiloxane, or the like other organic silicon compounds. These may be used alone or in combination of two or more.
−−光硬化性樹脂(ラジカル重合性モノマー)−−
前記光透過性樹脂としては、前記例示の化合物の中でも、光硬化性樹脂が好ましい。
前記光硬化性樹脂としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、少なくとも1つの下記一般式(1)及び下記一般式(2)のいずれかで表されるラジカル重合性モノマーがより好ましい。
これらのラジカル重合性モノマーは、ラジカル重合性官能基を2つ以上有することが好ましい。重合性官能基が2つ以上あると3次元的に架橋することができ、機械強度が向上する点で好ましい。
-Photo-curing resin (radical polymerizable monomer)-
As the light transmissive resin, among the exemplified compounds, a photocurable resin is preferable.
There is no restriction | limiting in particular as said photocurable resin, Although it can select suitably according to the objective, At least 1 radical polymerization represented by either the following general formula (1) and the following general formula (2) Is more preferable.
These radical polymerizable monomers preferably have two or more radical polymerizable functional groups. Two or more polymerizable functional groups are preferable in that they can be cross-linked three-dimensionally and the mechanical strength is improved.
前記光硬化性樹脂としては、前記一般式(2)で表されるエチレン不飽和二重結合を有するラジカル重合性モノマーからなるアクリレート重合体を主成分とするのが特に好ましい。ここで主成分とは、後述する光透過性樹脂層を構成する重合性モノマーのうち、含有量が最も多いことを意味し、80質量%以上であることを意味する。
また、前記アクリレート重合体としては、下記一般式(3)で表される構造単位を有するポリマーが挙げられる。
As the photocurable resin, it is particularly preferable that an acrylate polymer composed of a radical polymerizable monomer having an ethylenically unsaturated double bond represented by the general formula (2) as a main component. Here, the main component means that the content of the polymerizable monomer constituting the light-transmitting resin layer, which will be described later, is the largest, and that it is 80% by mass or more.
Examples of the acrylate polymer include polymers having a structural unit represented by the following general formula (3).
前記一般式(3)において、Lの炭素数は、3〜18が好ましく、4〜17がより好ましく、5〜16が更により好ましく、6〜15が更に好ましい。
nが2の場合、Lは、2価の連結基を表すが、そのような2価の連結基の例としては、アルキレン基(例えば、1,3−プロピレン基、2,2−ジメチル−1,3−プロピレン基、2−ブチル−2−エチル−1,3−プロピレン基、1,6−ヘキシレン基、1,9−ノニレン基、1,12−ドデシレン基、1,16−ヘキサデシレン基等)、エーテル基、イミノ基、カルボニル基、又はこれらの2価基が複数個直列に結合した2価残基(例えばポリエチレンオキシ基、ポリプロピレンオキシ基、プロピオニルオキシエチレン基、ブチロイルオキシプロピレン基、カプロイルオキシエチレン基、カプロイルオキシブチレン基等)などが挙げられる。これらの中でも、アルキレン基が特に好ましい。
In the said General formula (3), 3-18 are preferable, as for carbon number of L, 4-17 are more preferable, 5-16 are still more preferable, and 6-15 are still more preferable.
When n is 2, L represents a divalent linking group. Examples of such a divalent linking group include an alkylene group (for example, 1,3-propylene group, 2,2-dimethyl-1 , 3-propylene group, 2-butyl-2-ethyl-1,3-propylene group, 1,6-hexylene group, 1,9-nonylene group, 1,12-dodecylene group, 1,16-hexadecylene group, etc.) , An ether group, an imino group, a carbonyl group, or a divalent residue in which a plurality of these divalent groups are bonded in series (eg, polyethyleneoxy group, polypropyleneoxy group, propionyloxyethylene group, butyroyloxypropylene group, caproyl) Oxyethylene group, caproyloxybutylene group, etc.). Among these, an alkylene group is particularly preferable.
また、前記一般式(3)において、Lは、置換基を有してもよく、Lを置換することのできる置換基の例としては、アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、ブチル基等)、アリール基(例えば、フェニル基等)、アミノ基(例えば、アミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等)、アルコキシ基(例えばメトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基、2−エチルヘキシロキシ基等)、アシル基(例えば、アセチル基、ベンゾイル基、ホルミル基、ピバロイル基等)、アルコキシカルボニル基(例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等)、ヒドロキシ基、ハロゲン原子(例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子)、シアノ基などが挙げられる。
これらの中でも、前記置換基としては、含酸素官能基を持たない基が好ましく、このような基としては、アルキル基が挙げられる。即ち、nが2の場合、Lは、含酸素官能基を持たないアルキレン基が最も好ましい。このような基を採用することにより、水蒸気透過率をより低くすることが可能になる。
In the general formula (3), L may have a substituent. Examples of the substituent that can substitute L include an alkyl group (for example, a methyl group, an ethyl group, and a butyl group). ), Aryl group (for example, phenyl group), amino group (for example, amino group, methylamino group, dimethylamino group, diethylamino group, etc.), alkoxy group (for example, methoxy group, ethoxy group, butoxy group, 2-ethylhexyl) Siloxy group etc.), acyl group (eg acetyl group, benzoyl group, formyl group, pivaloyl group etc.), alkoxycarbonyl group (eg methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group etc.), hydroxy group, halogen atom (eg fluorine atom) , Chlorine atom, bromine atom, iodine atom), cyano group and the like.
Among these, as the substituent, a group having no oxygen-containing functional group is preferable, and examples of such a group include an alkyl group. That is, when n is 2, L is most preferably an alkylene group having no oxygen-containing functional group. By adopting such a group, it becomes possible to further lower the water vapor transmission rate.
前記一般式(3)において、nが3の場合、Lは、3価の連結基を表すが、そのような3価の連結基の例として、前述の2価の連結基から任意の水素原子を1個除いて得られる3価残基、又は、前述の2価の連結基から任意の水素原子を1個除き、ここにアルキレン基、エーテル基、カルボニル基、及びこれらを直列に結合した2価基を置換した3価残基を挙げることができる。このうち、アルキレン基から任意の水素原子を1個除いて得られる、含酸素官能基を含まない3価残基が好ましい。このような基を採用することにより、水蒸気透過率をより低くすることが可能になる。 In the general formula (3), when n is 3, L represents a trivalent linking group. As an example of such a trivalent linking group, any hydrogen atom from the above divalent linking group can be used. Or a trivalent residue obtained by removing one, or an arbitrary hydrogen atom is removed from the above-mentioned divalent linking group, and an alkylene group, an ether group, a carbonyl group, and these two bonded in series A trivalent residue substituted with a valent group can be mentioned. Among these, a trivalent residue containing no oxygen-containing functional group obtained by removing one arbitrary hydrogen atom from an alkylene group is preferable. By adopting such a group, it becomes possible to further lower the water vapor transmission rate.
前記一般式(3)において、nが4以上の場合、Lは、4価以上の連結基を表すが、そのような4価以上の連結基の例も、同様に挙げられる。好ましい例も同様に挙げられる。特に、アルキレン基から任意の水素原子を2個除いて得られる、含酸素官能基を含まない4価残基が好ましい。このような基を採用することにより、水蒸気透過率をより低くすることが可能になる。 In the general formula (3), when n is 4 or more, L represents a tetravalent or higher linking group, and examples of such a tetravalent or higher linking group are also given. Preferred examples are also given. In particular, a tetravalent residue which does not contain an oxygen-containing functional group and is obtained by removing two arbitrary hydrogen atoms from an alkylene group is preferable. By adopting such a group, it becomes possible to further lower the water vapor transmission rate.
また、前記ポリマーは、前記一般式(3)で表されない構造単位を有していても構わない。例えば、アクリレートモノマーやメタクリレートモノマーを共重合したときに形成される構造単位を有していてもよい。
前記ポリマーにおいて、前記一般式(3)で表されない構造単位は、20質量%以下であることが好ましく、15質量%以下であることがより好ましく、10質量%以下であることが特に好ましい。
前記一般式(3)で表される構造単位を有さないポリマーとして、例えば、ポリエステル、メタクリル酸−マレイン酸共重合体、ポリスチレン、透明フッ素樹脂、ポリイミド、フッ素化ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、セルロースアシレート、ポリウレタン、ポリエーテルケトン、ポリカーボネート、脂環式ポリオレフィン、ポリアリレート、ポリエーテルスルホン、ポリスルホン、フルオレン環変性ポリカーボネート、脂環変性ポリカーボネート、フルオレン環変性ポリエステルなどが挙げられる。
The polymer may have a structural unit not represented by the general formula (3). For example, you may have a structural unit formed when an acrylate monomer and a methacrylate monomer are copolymerized.
In the polymer, the structural unit not represented by the general formula (3) is preferably 20% by mass or less, more preferably 15% by mass or less, and particularly preferably 10% by mass or less.
Examples of the polymer having no structural unit represented by the general formula (3) include polyester, methacrylic acid-maleic acid copolymer, polystyrene, transparent fluororesin, polyimide, fluorinated polyimide, polyamide, polyamideimide, poly Examples include ether imide, cellulose acylate, polyurethane, polyether ketone, polycarbonate, alicyclic polyolefin, polyarylate, polyether sulfone, polysulfone, fluorene ring-modified polycarbonate, alicyclic ring-modified polycarbonate, and fluorene ring-modified polyester.
以下において、前記一般式(2)で表されるラジカル重合性モノマーの具体例を示すが、本発明における前記光透過性樹脂は、これらに限定されるものではない。 In the following, specific examples of the radical polymerizable monomer represented by the general formula (2) will be shown, but the light transmissive resin in the present invention is not limited thereto.
−−酸性モノマー−−
前記光透過性樹脂材料としては、更に、酸性モノマーが含むものであってもよい。
前記酸性モノマーを含めることにより、層間密着性が向上する。
前記酸性モノマーとは、カルボン酸、スルホン酸、リン酸、ホスホン酸等の酸性基を含有するモノマーを意味する。
前記酸性モノマーとしては、カルボン酸基又はリン酸基を含有するモノマーが好ましく、カルボン酸基又はリン酸基を含有する(メタ)アクリレートがより好ましく、リン酸エステル基を有する(メタ)アクリレートが更に好ましい。
-Acidic monomer-
The light transmissive resin material may further contain an acidic monomer.
By including the acidic monomer, interlayer adhesion is improved.
The acidic monomer means a monomer containing an acidic group such as carboxylic acid, sulfonic acid, phosphoric acid or phosphonic acid.
As the acidic monomer, a monomer containing a carboxylic acid group or a phosphoric acid group is preferred, a (meth) acrylate containing a carboxylic acid group or a phosphoric acid group is more preferred, and a (meth) acrylate having a phosphate ester group is further preferred. preferable.
−−−リン酸エステル基を有する(メタ)アクリレート−−−
前記リン酸エステル基を有する(メタ)アクリレートとしては、下記一般式(P)で表される化合物を含んでいることがより好ましい。前記リン酸エステル基を有する(メタ)アクリレートを含むことにより、無機層との密着がよくなる。
-(Meth) acrylate having a phosphate ester group ---
As the (meth) acrylate having a phosphoric ester group, a compound represented by the following general formula (P) is more preferably included. By including the (meth) acrylate having the phosphoric ester group, adhesion with the inorganic layer is improved.
前記一般式(P)で表される化合物としては、以下の一般式(P−1)で表される単官能モノマー、以下の一般式(P−2)で表される2官能モノマー、及び以下の一般式(P−3)で表される3官能モノマーが好ましい。
Examples of the compound represented by the general formula (P) include a monofunctional monomer represented by the following general formula (P-1), a bifunctional monomer represented by the following general formula (P-2), and the following: A trifunctional monomer represented by the general formula (P-3) is preferred.
前記一般式(P−1)〜(P−3)において、Ac1、Ac2、Ac3、X1、X2及びX3の定義は、前記一般式(P)における定義と同じである。前記一般式(P−1)及び(P−2)において、R1は、重合性基を有しない置換基又は水素原子を表し、R2は、重合性基を有しない置換基又は水素原子を表す。
前記一般式(P)、(P−1)〜(P−3)において、X1、X2及びX3は、一般式(2)におけるL1と同様の基である。X1、X2及びX3としては、アルキレン基、アルキレンオキシカルボニルアルキレン基が好ましい。
前記一般式(P)、(P−1)〜(P−3)において、重合性基を有しない置換基としては、例えばアルキル基、アリール基、又はこれらを組み合わせた基などを挙げることができ、アルキル基が好ましい。
In the general formulas (P-1) to (P-3), the definitions of Ac 1 , Ac 2 , Ac 3 , X 1 , X 2 and X 3 are the same as those in the general formula (P). In the general formulas (P-1) and (P-2), R 1 represents a substituent or a hydrogen atom having no polymerizable group, and R 2 represents a substituent or a hydrogen atom having no polymerizable group. To express.
In the general formulas (P) and (P-1) to (P-3), X 1 , X 2 and X 3 are the same groups as L1 in the general formula (2). X 1 , X 2 and X 3 are preferably an alkylene group or an alkyleneoxycarbonylalkylene group.
In the general formulas (P) and (P-1) to (P-3), examples of the substituent having no polymerizable group include an alkyl group, an aryl group, and a group obtained by combining these. An alkyl group is preferred.
前記アルキル基の炭素数としては、1〜12が好ましく、1〜9がより好ましく、1〜6が更に好ましい。
前記アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基が挙げられる。
前記アルキル基は、直鎖状であっても分枝状であっても環状であっても構わないが、直鎖アルキル基が好ましい。前記アルキル基は、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基などで置換されていてもよい。
As carbon number of the said alkyl group, 1-12 are preferable, 1-9 are more preferable, and 1-6 are still more preferable.
Examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group, and a hexyl group.
The alkyl group may be linear, branched or cyclic, but a linear alkyl group is preferred. The alkyl group may be substituted with an alkoxy group, an aryl group, an aryloxy group, or the like.
前記アリール基の炭素数としては、6〜14が好ましく、6〜10がより好ましい。
前記アリール基としては、例えばフェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基が挙げられる。
前記アリール基は、アルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基などで置換されていてもよい。
本発明では、前記一般式(P)で表されるモノマーを1種類だけ用いてもよいし、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。また、組み合わせて用いる場合は、前記一般式(P−1)で表される単官能モノマー、前記一般式(P−2)で表される2官能モノマー、及び前記一般式(P−3)で表される3官能モノマーのうちの2種以上を組み合わせて用いてもよい。
本発明では、前記リン酸エステル基を有する重合性モノマー類として、日本化薬株式会社製のKAYAMERシリーズ、ユニケミカル株式会社製のPhosmerシリーズ等、市販されている化合物をそのまま用いてもよく、新たに合成された化合物を用いてもよい。
As carbon number of the said aryl group, 6-14 are preferable and 6-10 are more preferable.
Examples of the aryl group include a phenyl group, a 1-naphthyl group, and a 2-naphthyl group.
The aryl group may be substituted with an alkyl group, an alkoxy group, an aryloxy group, or the like.
In the present invention, only one type of monomer represented by the general formula (P) may be used, or two or more types may be used in combination. When used in combination, the monofunctional monomer represented by the general formula (P-1), the bifunctional monomer represented by the general formula (P-2), and the general formula (P-3) Two or more of the represented trifunctional monomers may be used in combination.
In the present invention, as the polymerizable monomers having a phosphate ester group, commercially available compounds such as KAYAMER series manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd. and Phosmer series manufactured by Unichemical Co., Ltd. may be used as they are. A compound synthesized in (1) may be used.
以下に、酸性モノマーの具体例を示すが、本発明は、これらに限定されない。
前記第1の光路長調整層の厚みとしては、各副画素が所定の波長の光が効率よく共振し得る光学的距離(光路長)となるように調整される。
従って、共振する光学的距離は、光反射膜と光半透過反射膜との間に挟持される材料の屈折率とその組成、厚みによって決定されるので、光路長調整層によって決定される訳ではない。
一般に用いられる有機電界発光層の構成を斟酌すると、前記赤色の画素領域における光路長調整層の厚みとしては、物理的厚みで、30nm〜1,000nmであることが好ましく、150nm〜350nmがより好ましく、200nm〜250nmが更に好ましい。
前記緑色の画素領域における光路長調整層の厚みとしては、物理的厚みで、5nm〜800nmであることが好ましく、100nm〜250nmがより好ましく、150nm〜200nmが更に好ましい。
前記青色の画素領域における光路長調整層の厚みとしては、物理的厚みで、0nm〜600nmであることが好ましく、50nm〜200nmがより好ましく、100nm〜150nmが更に好ましい。
The thickness of the first optical path length adjusting layer is adjusted so that each subpixel has an optical distance (optical path length) at which light of a predetermined wavelength can efficiently resonate.
Therefore, the optical distance to resonate is determined by the refractive index of the material sandwiched between the light reflecting film and the light semi-transmissive reflecting film, its composition, and thickness, so it is not determined by the optical path length adjusting layer. Absent.
Considering the configuration of a generally used organic electroluminescent layer, the thickness of the optical path length adjusting layer in the red pixel region is preferably a physical thickness of 30 nm to 1,000 nm, and more preferably 150 nm to 350 nm. 200 nm to 250 nm is more preferable.
The thickness of the optical path length adjusting layer in the green pixel region is preferably 5 nm to 800 nm, more preferably 100 nm to 250 nm, and even more preferably 150 nm to 200 nm in terms of physical thickness.
The thickness of the optical path length adjusting layer in the blue pixel region is preferably a physical thickness of 0 nm to 600 nm, more preferably 50 nm to 200 nm, and even more preferably 100 nm to 150 nm.
−第2の光路長調整層−
前記第2の光路長調整層の構成材料としては、透明かつ導電性のない無機材料であれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばSiO2、Al2O3、SiON、ZrO2などが挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。これらの中でも、成膜が容易である点でSiO2、Al2O3が特に好ましい。
なお、前記第2の光路長調整層の形成方法は、後述する本発明の有機電界発光装置の製造方法において説明する。
前記第2の光路長調整層の厚みは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、5nm〜30nmであることが好ましく、5nm〜15nmがより好ましい。前記厚みが、5nm未満であると、有機電界発光素子の耐久性が低下することがあり、30nmを超えると、画素ごとの光路長調整が困難となることがある。
-Second optical path length adjustment layer-
The constituent material of the second optical path length adjusting layer is not particularly limited as long as it is a transparent and non-conductive inorganic material, and can be appropriately selected according to the purpose. For example, SiO 2 , Al 2 O 3 , Examples thereof include SiON and ZrO 2 . These may be used individually by 1 type and may use 2 or more types together. Among these, SiO 2 and Al 2 O 3 are particularly preferable in terms of easy film formation.
The method for forming the second optical path length adjusting layer will be described in the method for manufacturing an organic electroluminescent device of the present invention described later.
The thickness of the second optical path length adjusting layer is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the purpose. It is preferably 5 nm to 30 nm, and more preferably 5 nm to 15 nm. When the thickness is less than 5 nm, the durability of the organic electroluminescence device may be lowered, and when it exceeds 30 nm, it may be difficult to adjust the optical path length for each pixel.
−反射金属層及び半透明部材−
前記反射金属層は、有機発光層から出射される光を反射する作用を有する。
前記半透明部材は、有機発光層から出射される光を反射乃至透過させる作用を有する。
これら前記反射金属層及び半透明部材は、有機発光層を間に有する状態で対向配置され、有機発光層から出射される光を共振する作用を有する。
前記半透明部材としては、特に制限はなく、目的に応じて選択することができるが、例えば、半透明金属、半透明性の誘電体多層膜ミラー、及びこれらの組み合わせが好ましい。
前記半透明金属としては、特に制限はなく、後述する陽極を用いて構成することができる。
前記半透明性の誘電体多層膜ミラーとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、SiO2、SiNの積層等で構成される誘電体多層膜からなるミラー、などが挙げられる。
前記反射金属層としては、特に制限はなく、後述する陰極と同じものを用いて構成することができる。
-Reflective metal layer and translucent member-
The reflective metal layer has a function of reflecting light emitted from the organic light emitting layer.
The translucent member has a function of reflecting or transmitting light emitted from the organic light emitting layer.
The reflective metal layer and the translucent member are disposed to face each other with an organic light emitting layer interposed therebetween, and have a function of resonating light emitted from the organic light emitting layer.
The translucent member is not particularly limited and can be selected according to the purpose. For example, a translucent metal, a translucent dielectric multilayer mirror, and a combination thereof are preferable.
There is no restriction | limiting in particular as said translucent metal, It can comprise using the anode mentioned later.
The translucent dielectric multilayer mirror is not particularly limited and can be appropriately selected according to the purpose. For example, a mirror composed of a dielectric multilayer film composed of a laminate of SiO 2 , SiN, etc. Etc.
There is no restriction | limiting in particular as said reflection metal layer, It can comprise using the same thing as the cathode mentioned later.
−基板−
前記基板としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、耐熱性、ガスバリア性を有するガラス材料、バリアフィルムなどが好ましい。
具体的には、ガラス転移温度(Tg)が100℃以上及び線熱膨張係数が40ppm/℃以下の少なくともいずれかで耐熱性の高い透明な素材からなることが好ましい。なお、ガラス転移温度(Tg)や線膨張係数は、添加剤などによって調整することができる。
前記基板の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ポリエチレンナフタレート(PEN:120℃)、ポリカーボネート(PC:140℃)、脂環式ポリオレフィン(例えば日本ゼオン株式会社製、ゼオノア1600:160℃)、ポリアリレート(PAr:210℃)、ポリエーテルスルホン(PES:220℃)、ポリスルホン(PSF:190℃)、シクロオレフィンコポリマー(COC:特開2001−150584号公報の化合物:162℃)、ポリイミド(例えば三菱ガス化学株式会社製、ネオプリム:260℃)、フルオレン環変性ポリカーボネート(BCF−PC:特開2000−227603号公報の化合物:225℃)、脂環変性ポリカーボネート(IP−PC:特開2000−227603号公報の化合物:205℃)、アクリロイル化合物(特開2002−80616号公報の化合物:300℃以上)などが挙げられる(括弧内はTgを示す)。これらの中でも、透明性を求める場合には、脂環式ポレオレフィンを使用するのが好ましい。
-Board-
There is no restriction | limiting in particular as said board | substrate, Although it can select suitably according to the objective, For example, the glass material, barrier film, etc. which have heat resistance and gas barrier property are preferable.
Specifically, the glass transition temperature (Tg) is preferably made of a transparent material having high heat resistance and at least one of 100 ° C. or higher and a linear thermal expansion coefficient of 40 ppm / ° C. or lower. In addition, a glass transition temperature (Tg) and a linear expansion coefficient can be adjusted with an additive etc.
There is no restriction | limiting in particular as a material of the said board | substrate, According to the objective, it can select suitably, For example, a polyethylene naphthalate (PEN: 120 degreeC), a polycarbonate (PC: 140 degreeC), an alicyclic polyolefin (for example, Japan) Zeon Co., Ltd., ZEONOR 1600: 160 ° C., polyarylate (PAr: 210 ° C.), polyether sulfone (PES: 220 ° C.), polysulfone (PSF: 190 ° C.), cycloolefin copolymer (COC: JP 2001-150584 A) Compound: 162 ° C.), polyimide (for example, manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Company, Neoprim: 260 ° C.), fluorene ring-modified polycarbonate (BCF-PC: compound of JP 2000-227603 A: 225 ° C.), alicyclic ring Modified Polycarbonate (IP-PC: JP 2000 227603 JP compound: 205 ° C.), acryloyl compound (compound described in JP-A 2002-80616: 300 ° C. or higher), and the like (in parenthesis indicates the Tg). Among these, when transparency is required, it is preferable to use an alicyclic polyolefin.
前記基板の光線透過率としては、80%以上が好ましく、85%以上がより好ましく、90%以上が更に好ましい。
前記光線透過率としては、例えばJIS−K7105に記載された方法、即ち、積分球式光線透過率測定装置を用いて全光線透過率及び散乱光量を測定し、全光線透過率から拡散透過率を引いて算出することができる。
前記ガラス材料やバリアフィルムの厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、1μm〜800μmが好ましく、10μm〜200μmがより好ましい。
The light transmittance of the substrate is preferably 80% or more, more preferably 85% or more, and still more preferably 90% or more.
As the light transmittance, for example, the total light transmittance and the amount of scattered light are measured using a method described in JIS-K7105, that is, an integrating sphere light transmittance measuring device, and the diffuse transmittance is calculated from the total light transmittance. It can be calculated by subtracting.
There is no restriction | limiting in particular as thickness of the said glass material or a barrier film, Although it can select suitably according to the objective, 1 micrometer-800 micrometers are preferable and 10 micrometers-200 micrometers are more preferable.
<有機電界発光素子>
前記有機電界発光素子は、一対の電極、即ち、陽極と陰極とを有し、両電極の間に発光層を有する。両電極間に配置されうる、発光層以外の機能層としては、正孔輸送層、電子輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層、正孔注入層、電子注入層等の各層が挙げられる。
<Organic electroluminescent device>
The organic electroluminescent element has a pair of electrodes, that is, an anode and a cathode, and a light emitting layer between both electrodes. Examples of the functional layer other than the light emitting layer that can be disposed between both electrodes include a hole transport layer, an electron transport layer, a hole block layer, an electron block layer, a hole injection layer, and an electron injection layer.
前記有機電界発光素子は、陽極と発光層との間に正孔輸送層を有することが好ましく、陰極と発光層との間に電子輸送層を有することが好ましい。更に、正孔輸送層と陽極との間に正孔注入層を設けてもよく、電子輸送層と陰極との間に電子注入層を設けてもよい。
また、前記発光層と正孔輸送層との間に正孔輸送性中間層(電子ブロック層)を設けてもよく、発光層と電子輸送層との間に電子輸送性中間層(正孔ブロック層)を設けてもよい。各機能層は複数の二次層に分かれていてもよい。
The organic electroluminescent element preferably has a hole transport layer between the anode and the light emitting layer, and preferably has an electron transport layer between the cathode and the light emitting layer. Furthermore, a hole injection layer may be provided between the hole transport layer and the anode, or an electron injection layer may be provided between the electron transport layer and the cathode.
In addition, a hole transporting intermediate layer (electron blocking layer) may be provided between the light emitting layer and the hole transporting layer, and an electron transporting intermediate layer (hole blocking layer) is provided between the light emitting layer and the electron transporting layer. Layer) may be provided. Each functional layer may be divided into a plurality of secondary layers.
前記発光層を含むこれらの機能層は、蒸着法やスパッタ法等の乾式製膜法、湿式塗布方式、転写法、印刷法、インクジェット方式等のいずれによっても好適に形成することができる。 These functional layers including the light emitting layer can be suitably formed by any of dry film forming methods such as vapor deposition and sputtering, wet coating methods, transfer methods, printing methods, and ink jet methods.
−−発光層−−
前記発光層は、電界印加時に、陽極、正孔注入層、又は正孔輸送層から正孔を受け取り、陰極、電子注入層、又は電子輸送層から電子を受け取り、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層である。
前記発光層は、発光材料を含む。発光層は発光材料のみで構成されていてもよいし、ホスト材料と発光材料の混合層でもよい(後者の場合、発光材料を「発光性ドーパント」もしくは「ドーパント」と称する場合がある)。発光材料は蛍光発光材料でも燐光発光材料であってもよく、2種以上が混合されていてもよい。ホスト材料は電荷輸送材料であることが好ましい。ホスト材料は1種であっても2種以上であってもよい。更に、発光層中に電荷輸送性を有さず、発光しない材料を含んでいてもよい。
--- Light emitting layer--
The light-emitting layer receives holes from an anode, a hole injection layer, or a hole transport layer when an electric field is applied, receives electrons from a cathode, an electron injection layer, or an electron transport layer, and recombines holes and electrons. It is a layer having a function of providing a field to emit light.
The light emitting layer includes a light emitting material. The light emitting layer may be composed of only a light emitting material, or may be a mixed layer of a host material and a light emitting material (in the latter case, the light emitting material may be referred to as “light emitting dopant” or “dopant”). The light emitting material may be a fluorescent light emitting material or a phosphorescent light emitting material, and two or more kinds may be mixed. The host material is preferably a charge transport material. The host material may be one type or two or more types. Furthermore, the light emitting layer may contain a material that does not have charge transporting properties and does not emit light.
前記発光層の厚みは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、2nm〜500nmであるのが好ましく、外部量子効率の観点から、3nm〜200nmであるのがより好ましく、5nm〜100nmであるのが更に好ましい。また、前記発光層は1層であっても2層以上であってもよく、それぞれの層が異なる発光色で発光してもよい。 The thickness of the light emitting layer is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the purpose, but is preferably 2 nm to 500 nm, and more preferably 3 nm to 200 nm from the viewpoint of external quantum efficiency, More preferably, the thickness is 5 nm to 100 nm. Moreover, the said light emitting layer may be 1 layer, or may be two or more layers, and each layer may light-emit with a different luminescent color.
−−−発光材料−−−
前記発光材料は、燐光発光材料、蛍光発光材料等いずれも好適に用いることができる。本発明における発光性ドーパントは、ホスト化合物との間で、イオン化ポテンシャルの差(ΔIp)と電子親和力の差(ΔEa)が、1.2eV>△Ip>0.2eV、及び/又は1.2eV>△Ea>0.2eVの関係を満たすドーパントであることが、駆動耐久性の観点で好ましい。
前記発光層中の発光性ドーパントは、発光層中に一般的に発光層を形成する全化合物質量に対して、0.1質量%〜50質量%含有されるが、耐久性、外部量子効率の観点から1質量%〜50質量%含有されることが好ましく、2質量%〜40質量%含有されることがより好ましい。
--- Luminescent material ---
As the light emitting material, a phosphorescent light emitting material, a fluorescent light emitting material, or the like can be preferably used. The luminescent dopant in the present invention has an ionization potential difference (ΔIp) and an electron affinity difference (ΔEa) of 1.2 eV>ΔIp> 0.2 eV and / or 1.2 eV> with respect to the host compound. A dopant satisfying the relationship of ΔEa> 0.2 eV is preferable from the viewpoint of driving durability.
The light emitting dopant in the light emitting layer is generally contained in an amount of 0.1% by mass to 50% by mass with respect to the total mass of the compound that forms the light emitting layer in the light emitting layer. From the viewpoint, the content is preferably 1% by mass to 50% by mass, and more preferably 2% by mass to 40% by mass.
<燐光発光材料>
前記燐光発光材料としては、一般に、遷移金属原子又はランタノイド原子を含む錯体を挙げることができる。
前記遷移金属原子としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばルテニウム、ロジウム、パラジウム、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、金、銀、銅、白金などが挙げられる。これらの中でも、レニウム、イリジウム、白金が好ましく、イリジウム、白金が特に好ましい。
<Phosphorescent material>
In general, examples of the phosphorescent material include complexes containing a transition metal atom or a lanthanoid atom.
There is no restriction | limiting in particular as said transition metal atom, According to the objective, it can select suitably, For example, ruthenium, rhodium, palladium, tungsten, rhenium, osmium, iridium, gold | metal | money, silver, copper, platinum etc. are mentioned. Among these, rhenium, iridium, and platinum are preferable, and iridium and platinum are particularly preferable.
前記錯体の配位子としては、例えば、G.Wilkinson等著,Comprehensive Coordination Chemistry, Pergamon Press社1987年発行、H.Yersin著,「Photochemistry and Photophysics of Coordination Compounds」 Springer−Verlag社1987年発行、山本明夫著「有機金属化学−基礎と応用−」裳華房社1982年発行等に記載の配位子などが挙げられる。 Examples of the ligand of the complex include G.I. Wilkinson et al., Comprehensive Coordination Chemistry, Pergamon Press, 1987, H.C. Examples include ligands described in Yersin's "Photochemistry and Photophysics of Coordination Compounds" published by Springer-Verlag 1987, Akio Yamamoto "Organic Metal Chemistry-Fundamentals and Applications-" .
前記錯体は、化合物中に遷移金属原子を1つ有してもよいし、また、2つ以上有するいわゆる複核錯体であってもよい。異種の金属原子を同時に含有していてもよい。 The complex may have one transition metal atom in the compound, or may be a so-called binuclear complex having two or more. Different metal atoms may be contained at the same time.
これらの中でも、燐光発光材料の具体例としては、例えば、US6303238B1、US6097147、WO00/57676、WO00/70655、WO01/08230、WO01/39234A2、WO01/41512A1、WO02/02714A2、WO02/15645A1、WO02/44189A1、WO05/19373A2、WO2004/108857A1、WO2005/042444A2、WO2005/042550A1、特開2001−247859、特開2002−302671、特開2002−117978、特開2003−133074、特開2002−235076、特開2003−123982、特開2002−170684、EP1211257、特開2002−226495、特開2002−234894、特開2001−247859、特開2001−298470、特開2002−173674、特開2002−203678、特開2002−203679、特開2004−357791、特開2006−93542、特開2006−261623、特開2006−256999、特開2007−19462、特開2007−84635、特開2007−96259等の各公報に記載の燐光発光化合物などが挙げられる。これらの中でも、Ir錯体、Pt錯体、Cu錯体、Re錯体、W錯体、Rh錯体、Ru錯体、Pd錯体、Os錯体、Eu錯体、Tb錯体、Gd錯体、Dy錯体、Ce錯体が好ましく、Ir錯体、Pt錯体、Re錯体がより好ましく、金属−炭素結合、金属−窒素結合、金属−酸素結合、金属−硫黄結合の少なくとも1つの配位様式を含むIr錯体、Pt錯体、Re錯体が特に好ましく、発光効率、駆動耐久性、色度等の観点から、3座以上の多座配位子を含むIr錯体、Pt錯体、又はRe錯体が最も好ましい。 Among these, as specific examples of phosphorescent materials, for example, US6303238B1, US6097147, WO00 / 57676, WO00 / 70655, WO01 / 08230, WO01 / 39234A2, WO01 / 41512A1, WO02 / 02714A2, WO02 / 15645A1, WO02 / 44189A1 , WO05 / 19373A2, WO2004 / 108857A1, WO2005 / 042444A2, WO2005 / 042550A1, JP2001-247859, JP2002-302671, JP2002-117978, JP2003-133074, JP2002-235076, JP2003 -123982, JP2002-170684, EP121257, JP2002-226495, JP2 02-234894, JP-A-2001-247659, JP-A-2001-298470, JP-A-2002-173675, JP-A-2002-203678, JP-A-2002-203679, JP-A-2004-357542, JP-A-2006-93542, JP-A-2006- Examples include phosphorescent light emitting compounds described in JP-A-261623, JP-A-2006-256999, JP-A-2007-19462, JP-A-2007-84635, JP-A-2007-96259, and the like. Among these, Ir complex, Pt complex, Cu complex, Re complex, W complex, Rh complex, Ru complex, Pd complex, Os complex, Eu complex, Tb complex, Gd complex, Dy complex, and Ce complex are preferable, and Ir complex , Pt complexes, and Re complexes are more preferable, and Ir complexes, Pt complexes, and Re complexes including at least one coordination mode of metal-carbon bond, metal-nitrogen bond, metal-oxygen bond, and metal-sulfur bond are particularly preferable. From the viewpoint of luminous efficiency, driving durability, chromaticity, etc., an Ir complex, a Pt complex, or a Re complex containing a tridentate or higher polydentate ligand is most preferable.
前記燐光発光材料の具体例として、以下の化合物を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
<蛍光発光材料>
前記蛍光発光材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばベンゾオキサゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾチアゾール、スチリルベンゼン、ポリフェニル、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、ナフタルイミド、クマリン、ピラン、ペリノン、オキサジアゾール、アルダジン、ピラリジン、シクロペンタジエン、ビススチリルアントラセン、キナクリドン、ピロロピリジン、チアジアゾロピリジン、シクロペンタジエン、スチリルアミン、芳香族ジメチリディン化合物、縮合多環芳香族化合物(アントラセン、フェナントロリン、ピレン、ペリレン、ルブレン、又はペンタセンなど)、8−キノリノールの金属錯体、ピロメテン錯体や希土類錯体に代表される各種金属錯体、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物、有機シラン、又はこれらの誘導体などが挙げられる。
<Fluorescent material>
The fluorescent light emitting material is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. For example, benzoxazole, benzimidazole, benzothiazole, styrylbenzene, polyphenyl, diphenylbutadiene, tetraphenylbutadiene, naphthalimide, coumarin , Pyran, perinone, oxadiazole, aldazine, pyralidine, cyclopentadiene, bisstyrylanthracene, quinacridone, pyrrolopyridine, thiadiazolopyridine, cyclopentadiene, styrylamine, aromatic dimethylidin compound, condensed polycyclic aromatic compound (anthracene, Phenanthroline, pyrene, perylene, rubrene, or pentacene), 8-quinolinol metal complexes, various metal complexes represented by pyromethene complexes and rare earth complexes, polythiophene , Polyphenylene, polyphenylene vinylene polymer compounds such as organosilanes, or derivatives thereof.
−−−ホスト材料−−−
前記発光層に用いられるホスト材料としては、正孔輸送性に優れる正孔輸送性ホスト材料(以下、「正孔輸送性ホスト」と称することがある)及び電子輸送性に優れる電子輸送性ホスト化合物(以下、「電子輸送性ホスト」と称することがある)を用いることができる。
---- Host material ---
As the host material used for the light emitting layer, a hole transporting host material excellent in hole transportability (hereinafter sometimes referred to as “hole transportable host”) and an electron transporting host compound excellent in electron transportability (Hereinafter may be referred to as “electron transporting host”).
<正孔輸送性ホスト>
前記発光層に用いられる正孔輸送性ホストとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばピロール、インドール、カルバゾール、アザインドール、アザカルバゾール、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、ピラゾール、イミダゾール、チオフェン、ポリアリールアルカン、ピラゾリン、ピラゾロン、フェニレンジアミン、アリールアミン、アミノ置換カルコン、スチリルアントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、シラザン、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ(N−ビニルカルバゾール)、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、有機シラン、カーボン膜、又はそれらの誘導体などが挙げられる。
これらの中でも、インドール誘導体、カルバゾール誘導体、芳香族第三級アミン化合物、チオフェン誘導体が好ましく、分子内にカルバゾール基を有する化合物がより好ましく、t−ブチル置換カルバゾール基を有する化合物が特に好ましい。
<Hole transportable host>
The hole transporting host used in the light emitting layer is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the purpose. For example, pyrrole, indole, carbazole, azaindole, azacarbazole, triazole, oxazole, oxadiazole , Pyrazole, imidazole, thiophene, polyarylalkane, pyrazoline, pyrazolone, phenylenediamine, arylamine, amino-substituted chalcone, styrylanthracene, fluorenone, hydrazone, stilbene, silazane, aromatic tertiary amine compound, styrylamine compound, aromatic Conductive polymer oligomers such as dimethylidin compounds, porphyrin compounds, polysilane compounds, poly (N-vinylcarbazole), aniline copolymers, thiophene oligomers, polythiophenes, etc. Organic silanes, carbon films, or the like derivatives thereof.
Among these, indole derivatives, carbazole derivatives, aromatic tertiary amine compounds, and thiophene derivatives are preferable, compounds having a carbazole group in the molecule are more preferable, and compounds having a t-butyl-substituted carbazole group are particularly preferable.
<電子輸送性ホスト>
前記発光層に用いられる電子輸送性ホストとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばピリジン、ピリミジン、トリアジン、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾ−ル、オキサゾ−ル、オキサジアゾ−ル、フルオレノン、アントラキノジメタン、アントロン、ジフェニルキノン、チオピランジオキシド、カルボジイミド、フルオレニリデンメタン、ジスチリルピラジン、フッ素置換芳香族化合物、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン、又はそれらの誘導体(他の環と縮合環を形成してもよい)、8−キノリノ−ル誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾ−ルやベンゾチアゾ−ルを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体などが挙げられる。これらの中でも、耐久性の点から金属錯体化合物が好ましく、金属に配位する少なくとも1つの窒素原子又は酸素原子又は硫黄原子を有する配位子をもつ金属錯体が特に好ましい。
前記金属錯体電子輸送性ホストとしては、例えば特開2002−235076、特開2004−214179、特開2004−221062、特開2004−221065、特開2004−221068、特開2004−327313等の公報に記載の化合物が挙げられる。
<Electron transporting host>
There is no restriction | limiting in particular as an electron transport host used for the said light emitting layer, According to the objective, it can select suitably, For example, a pyridine, a pyrimidine, a triazine, an imidazole, a pyrazole, a triazole, an oxazole, an oxadiazo- , Fluorenone, anthraquinodimethane, anthrone, diphenylquinone, thiopyran dioxide, carbodiimide, fluorenylidenemethane, distyrylpyrazine, fluorine-substituted aromatic compounds, heterocyclic tetracarboxylic anhydrides such as naphthaleneperylene, phthalocyanine, Or a derivative thereof (which may form a condensed ring with other rings), a metal complex of an 8-quinolinol derivative, a metal phthalocyanine, a metal complex having a benzoxazole or a benzothiazol as a ligand. And various metal complexes. Among these, a metal complex compound is preferable from the viewpoint of durability, and a metal complex having a ligand having at least one nitrogen atom, oxygen atom, or sulfur atom coordinated to a metal is particularly preferable.
Examples of the metal complex electron transporting host include those disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-235076, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-214179, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-221106, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-221665, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-221683, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-327313, and the like. And the compounds described.
前記正孔輸送性ホスト材料及び電子輸送性ホスト材料の具体例として、以下の化合物を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
−−正孔注入層、正孔輸送層−−
前記正孔注入層、前記正孔輸送層は、陽極又は陽極側から正孔を受け取り陰極側に輸送する機能を有する層である。これらの層に用いられる正孔注入材料、正孔輸送材料は、低分子化合物であっても高分子化合物であってもよい。
具体的には、ピロール誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、フタロシアニン系化合物、ポルフィリン系化合物、チオフェン誘導体、有機シラン誘導体、カーボンなどが挙げられる。
--- Hole injection layer, hole transport layer-
The hole injection layer and the hole transport layer are layers having a function of receiving holes from the anode or the anode side and transporting them to the cathode side. The hole injecting material and hole transporting material used for these layers may be a low molecular compound or a high molecular compound.
Specifically, pyrrole derivatives, carbazole derivatives, triazole derivatives, oxazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives, pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, styryl Anthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, silazane derivatives, aromatic tertiary amine compounds, styrylamine compounds, aromatic dimethylidin compounds, phthalocyanine compounds, porphyrin compounds, thiophene derivatives, organosilane derivatives, carbon, etc. Is mentioned.
前記正孔注入層、前記正孔輸送層には、電子受容性ドーパントを含有させることができる。正孔注入層、正孔輸送層に導入する電子受容性ドーパントとしては、電子受容性で有機化合物を酸化する性質を有すれば、無機化合物でも有機化合物でも使用できる。
具体的には、無機化合物は塩化第二鉄や塩化アルミニウム、塩化ガリウム、塩化インジウム、五塩化アンチモンなどのハロゲン化金属、五酸化バナジウム、及び三酸化モリブデンなどの金属酸化物などが挙げられる。有機化合物の場合は、置換基としてニトロ基、ハロゲン、シアノ基、トリフルオロメチル基などを有する化合物、キノン系化合物、酸無水物系化合物、フラーレンなどが挙げられる。これらは1種を単独で用いてもよいし、2種以上を用いてもよい。
前記電子受容性ドーパントの含有量は、特に制限はなく、材料の種類によって異なるが、正孔輸送層材料に対して0.01質量%〜50質量%であることが好ましく、0.05質量%〜20質量%であることがより好ましく、0.1質量%〜10質量%であることが更に好ましい。
The hole injection layer and the hole transport layer may contain an electron accepting dopant. As the electron-accepting dopant introduced into the hole-injecting layer and the hole-transporting layer, an inorganic compound or an organic compound can be used as long as it has an electron-accepting property and oxidizes an organic compound.
Specifically, examples of the inorganic compound include metal halides such as ferric chloride, aluminum chloride, gallium chloride, indium chloride, and antimony pentachloride, and metal oxides such as vanadium pentoxide and molybdenum trioxide. In the case of an organic compound, a compound having a nitro group, a halogen, a cyano group, a trifluoromethyl group, or the like as a substituent, a quinone compound, an acid anhydride compound, fullerene, or the like can be given. These may be used individually by 1 type and may use 2 or more types.
The content of the electron-accepting dopant is not particularly limited and varies depending on the type of material, but is preferably 0.01% by mass to 50% by mass with respect to the hole transport layer material, and is 0.05% by mass. More preferably, it is -20 mass%, and it is still more preferable that it is 0.1 mass%-10 mass%.
前記正孔注入層、正孔輸送層は、上述した材料の1種又は2種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。 The hole injection layer and the hole transport layer may have a single-layer structure composed of one or more of the materials described above, or a multilayer structure composed of a plurality of layers having the same composition or different compositions. Good.
−−電子注入層、電子輸送層−−
前記電子注入層、前記電子輸送層は、陰極又は陰極側から電子を受け取り陽極側に輸送する機能を有する層である。これらの層に用いる電子注入材料、電子輸送材料は低分子化合物であっても高分子化合物であってもよい。
具体的には、ピリジン誘導体、キノリン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、フタラジン誘導体、フェナントロリン誘導体、トリアジン誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、8−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、シロールに代表される有機シラン誘導体、などが挙げられる。
--Electron injection layer, electron transport layer--
The electron injection layer and the electron transport layer are layers having a function of receiving electrons from the cathode or the cathode side and transporting them to the anode side. The electron injection material and the electron transport material used for these layers may be a low molecular compound or a high molecular compound.
Specifically, pyridine derivatives, quinoline derivatives, pyrimidine derivatives, pyrazine derivatives, phthalazine derivatives, phenanthroline derivatives, triazine derivatives, triazole derivatives, oxazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, fluorenone derivatives, anthraquinodimethane derivatives, anthrone Derivatives, diphenylquinone derivatives, thiopyran dioxide derivatives, carbodiimide derivatives, fluorenylidenemethane derivatives, distyrylpyrazine derivatives, naphthalene, perylene and other aromatic ring tetracarboxylic acid anhydrides, phthalocyanine derivatives, 8-quinolinol derivative metal complexes, Metal phthalocyanines, various metal complexes represented by metal complexes with benzoxazole and benzothiazole as ligands, organosilane derivatives represented by siloles Body, and the like.
前記電子注入層あるいは電子輸送層には、電子供与性ドーパントを含有させることができる。電子注入層あるいは電子輸送層に導入される電子供与性ドーパントとしては、電子供与性で有機化合物を還元する性質を有していればよく、Li等のアルカリ金属、Mg等のアルカリ土類金属、希土類金属を含む遷移金属や還元性有機化合物などが好適に用いられる。前記金属としては、特に仕事関数が4.2eV以下の金属が好適に使用でき、具体的には、Li、Na、K、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Y、Cs、La、Sm、Gd、及びYbなどが挙げられる。また、還元性有機化合物としては、例えば、含窒素化合物、含硫黄化合物、含リン化合物などが挙げられる。
これらの電子供与性ドーパントは、1種を単独で用いてもよいし、2種以上を用いてもよい。
前記電子供与性ドーパントの含有量は、特に制限はなく、材料の種類に応じて異なるが、電子輸送層材料に対して0.1質量%〜99質量%であることが好ましく、1.0質量%〜80質量%であることがより好ましく、2.0質量%〜70質量%であることが更に好ましい。
The electron injection layer or the electron transport layer may contain an electron donating dopant. The electron-donating dopant introduced into the electron-injecting layer or the electron-transporting layer is not limited as long as it has an electron-donating property and has a property of reducing an organic compound, such as an alkali metal such as Li, an alkaline earth metal such as Mg, Transition metals including rare earth metals and reducing organic compounds are preferably used. As the metal, a metal having a work function of 4.2 eV or less can be preferably used. Specifically, Li, Na, K, Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Y, Cs, La, Sm, Examples thereof include Gd and Yb. Examples of the reducing organic compound include nitrogen-containing compounds, sulfur-containing compounds, and phosphorus-containing compounds.
These electron donating dopants may be used alone or in combination of two or more.
The content of the electron donating dopant is not particularly limited and varies depending on the type of the material, but is preferably 0.1% by mass to 99% by mass with respect to the electron transport layer material, and 1.0% by mass. It is more preferable that it is% -80 mass%, and it is still more preferable that it is 2.0 mass%-70 mass%.
前記電子注入層、前記電子輸送層は、上述した材料の1種又は2種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。 The electron injection layer and the electron transport layer may have a single-layer structure made of one or more of the materials described above, or may have a multilayer structure made up of a plurality of layers having the same composition or different compositions. .
−−正孔ブロック層、電子ブロック層−−
前記正孔ブロック層は、陽極側から発光層に輸送された正孔が陰極側に通り抜けることを防止する機能を有する層であり、通常、発光層と陰極側で隣接する有機化合物層として設けられる。
一方、前記電子ブロック層は、陰極側から発光層に輸送された電子が陽極側に通り抜けることを防止する機能を有する層であり、通常、発光層と陽極側で隣接する有機化合物層として設けられる。
前記正孔ブロック層を構成する化合物の例としては、BAlq等のアルミニウム錯体、トリアゾール誘導体、BCP等のフェナントロリン誘導体、などが挙げられる。電子ブロック層を構成する化合物の例としては、例えば前述の正孔輸送材料として挙げたものが利用できる。
前記正孔ブロック層及び電子ブロック層の厚みは、1nm〜500nmであることが好ましく、5nm〜200nmであることがより好ましく、10nm〜100nmであることが更に好ましい。また、正孔ブロック層及び電子ブロック層は、上述した材料の1種又は2種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
--Hole blocking layer, electron blocking layer--
The hole blocking layer is a layer having a function of preventing holes transported from the anode side to the light emitting layer from passing through to the cathode side, and is usually provided as an organic compound layer adjacent to the light emitting layer on the cathode side. .
On the other hand, the electron blocking layer is a layer having a function of preventing electrons transported from the cathode side to the light emitting layer from passing to the anode side, and is usually provided as an organic compound layer adjacent to the light emitting layer on the anode side. .
Examples of the compound constituting the hole blocking layer include aluminum complexes such as BAlq, triazole derivatives, and phenanthroline derivatives such as BCP. As an example of the compound constituting the electron blocking layer, for example, those mentioned as the hole transport material described above can be used.
The thickness of the hole blocking layer and the electron blocking layer is preferably 1 nm to 500 nm, more preferably 5 nm to 200 nm, and still more preferably 10 nm to 100 nm. In addition, the hole blocking layer and the electron blocking layer may have a single-layer structure made of one or more of the materials described above, or may have a multilayer structure made up of a plurality of layers having the same composition or different compositions. Good.
−−電極−−
前記有機電界発光素子は、一対の電極、即ち陽極と陰極とを含む。有機電界発光素子の性質上、陽極及び陰極のうち少なくとも一方の電極は透明であることが好ましい。
通常、陽極は有機化合物層に正孔を供給する電極としての機能を有していればよく、陰極は有機化合物層に電子を注入する電極としての機能を有していればよい。その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。電極を構成する材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、導電性化合物、又はこれらの混合物等が好適に挙げられる。
--- Electrode--
The organic electroluminescent element includes a pair of electrodes, that is, an anode and a cathode. In view of the properties of the organic electroluminescent element, it is preferable that at least one of the anode and the cathode is transparent.
Usually, the anode only needs to have a function as an electrode for supplying holes to the organic compound layer, and the cathode only needs to have a function as an electrode for injecting electrons into the organic compound layer. The shape, structure, size, and the like are not particularly limited, and can be appropriately selected from known electrode materials according to the use and purpose of the light-emitting element. As a material which comprises an electrode, a metal, an alloy, a metal oxide, an electroconductive compound, or a mixture thereof etc. are mentioned suitably, for example.
前記電極としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、その陽極、陰極において、前記反射金属層、前記半透明部材としての半透明金属を構成することが好ましい。 There is no restriction | limiting in particular as said electrode, According to the objective, it can select suitably, It is preferable to comprise the said reflecting metal layer and the semi-transparent metal as said semi-transparent member in the anode and the cathode.
前記陽極を構成する材料の具体例としては、例えば、アンチモンやフッ素等をドープした酸化錫(ATO、FTO)、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫(ITO)、酸化亜鉛インジウム(IZO)等の導電性金属酸化物、金、銀、クロム、ニッケル等の金属、更にこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物又は積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどの有機導電性材料、又はこれらとITOとの積層物などが挙げられる。これらの中でも、導電性金属酸化物が好ましく、生産性、高導電性、透明性等の点からITOが特に好ましい。 Specific examples of the material constituting the anode include, for example, tin oxide (ATO, FTO) doped with antimony or fluorine, tin oxide, zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO). ) Conductive metal oxides, metals such as gold, silver, chromium, nickel, and mixtures or laminates of these metals and conductive metal oxides, inorganic conductive materials such as copper iodide and copper sulfide, Examples thereof include organic conductive materials such as polyaniline, polythiophene, and polypyrrole, and laminates of these with ITO. Among these, a conductive metal oxide is preferable, and ITO is particularly preferable in terms of productivity, high conductivity, transparency, and the like.
前記陰極を構成する材料としては、例えばアルカリ金属(例えば、Li、Na、K、Cs等)、アルカリ土類金属(例えばMg、Ca等)、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−銀合金、インジウム、及びイッテルビウム等の希土類金属などが挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよいが、安定性と電子注入性とを両立させる観点からは、2種以上を好適に併用することができる。これらの中でも、電子注入性の点で、アルカリ金属やアルカリ土類金属が好ましく、保存安定性に優れる点で、アルミニウムを主体とする材料が特に好ましい。前記アルミニウムを主体とする材料とは、アルミニウム単独、アルミニウムと0.01質量%〜10質量%のアルカリ金属又はアルカリ土類金属との合金若しくはこれらの混合物(例えば、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金など)をいう。 Examples of the material constituting the cathode include alkali metals (eg, Li, Na, K, Cs, etc.), alkaline earth metals (eg, Mg, Ca, etc.), gold, silver, lead, aluminum, sodium-potassium alloys, Examples include lithium-aluminum alloys, magnesium-silver alloys, indium, and rare earth metals such as ytterbium. These may be used alone, but two or more can be suitably used in combination from the viewpoint of achieving both stability and electron injection. Among these, alkali metals and alkaline earth metals are preferable from the viewpoint of electron injecting properties, and materials mainly composed of aluminum are particularly preferable from the viewpoint of excellent storage stability. The material mainly composed of aluminum is aluminum alone, an alloy of aluminum and 0.01% by mass to 10% by mass of alkali metal or alkaline earth metal, or a mixture thereof (for example, lithium-aluminum alloy, magnesium-aluminum). Alloy).
前記電極の形成方法については、特に制限はなく、公知の方法に従って行うことができる。例えば印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法等の物理的方式、CVD、プラズマCVD法等の化学的方式などの中から、前記電極を構成する材料との適性を考慮し、適宜選択した方法に従って前記基板上に形成することができる。例えば、陽極の材料としてITOを選択する場合には、直流又は高周波スパッタ法、真空蒸着法等に従って形成することができる。陰極の材料として金属等を選択する場合には、その1種又は2種以上を同時又は順次にスパッタ法等に従って形成することができる。 There is no restriction | limiting in particular about the formation method of the said electrode, According to a well-known method, it can carry out. For example, considering the suitability with the material constituting the electrode from among wet methods such as printing methods, coating methods, physical methods such as vacuum deposition methods and sputtering methods, and chemical methods such as CVD and plasma CVD methods. Then, it can be formed on the substrate according to an appropriately selected method. For example, when ITO is selected as the anode material, it can be formed according to a direct current or high frequency sputtering method, a vacuum deposition method, or the like. When a metal or the like is selected as the cathode material, one or more of them can be formed simultaneously or sequentially according to a sputtering method or the like.
なお、前記電極を形成する際にパターニングを行う場合には、フォトリソグラフィーなどによる化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザーなどによる物理的エッチングによって行ってもよく、また、マスクを重ねて真空蒸着法やスパッタ法等を行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。 In addition, when patterning is performed when forming the electrode, it may be performed by chemical etching such as photolithography, or may be performed by physical etching using a laser or the like. A method, a sputtering method, or the like may be performed, or a lift-off method or a printing method may be performed.
−基板−
前記基板としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばイットリア安定化ジルコニア(YSZ)、ガラス(無アルカリガラス、ソーダライムガラス等)等の無機材料、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ(クロロトリフルオロエチレン)等の有機材料からなる基板が挙げられる。
-Board-
There is no restriction | limiting in particular as said board | substrate, According to the objective, it can select suitably, For example, inorganic materials, such as a yttria stabilized zirconia (YSZ) and glass (an alkali free glass, soda-lime glass, etc.), a polyethylene terephthalate, a poly Examples include substrates made of organic materials such as polyesters such as butylene phthalate and polyethylene naphthalate, polystyrene, polycarbonate, polyethersulfone, polyarylate, polyimide, polycycloolefin, norbornene resin, and poly (chlorotrifluoroethylene).
前記基板の形状、構造、大きさ等については、特に制限はなく、発光素子の用途、目的等に応じて適宜選択することができる。前記基板の形状としては、板状であることが好ましい。前記基板の構造としては、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよく、また、単一部材で形成されていてもよいし、2つ以上の部材で形成されていてもよい。前記基板は透明でも不透明でもよく、透明な場合は無色透明でも有色透明でもよい。 There is no restriction | limiting in particular about the shape of the said board | substrate, a structure, a magnitude | size, It can select suitably according to the use, purpose, etc. of a light emitting element. The shape of the substrate is preferably a plate shape. The structure of the substrate may be a single layer structure, a laminated structure, may be formed of a single member, or may be formed of two or more members. Good. The substrate may be transparent or opaque, and if transparent, it may be colorless and transparent or colored and transparent.
前記基板には、その表面又は裏面に透湿防止層(ガスバリア層)を設けることができる。透湿防止層(ガスバリア層)の材料としては、窒化珪素、酸化珪素等の無機物が好適に用いられる。透湿防止層(ガスバリア層)は、例えば、高周波スパッタリング法などにより形成することができる。 The substrate may be provided with a moisture permeation preventing layer (gas barrier layer) on the front surface or the back surface. As the material for the moisture permeation preventing layer (gas barrier layer), inorganic materials such as silicon nitride and silicon oxide are preferably used. The moisture permeation preventing layer (gas barrier layer) can be formed by, for example, a high frequency sputtering method.
−−保護層−−
本発明において、前記有機電界発光素子全体は保護層によって保護されていてもよい。保護層に含まれる材料としては、水分や酸素等の素子劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能を有しているものであればよい。
その具体例としては、In、Sn、Pb、Au、Cu、Ag、Al、Ti、Ni等の金属、MgO、SiO、SiO2、Al2O3、GeO、NiO、CaO、BaO、Fe2O3、Y2O3、TiO2等の金属酸化物、SiNx、SiNxOy等の金属窒化物、MgF2、LiF、AlF3、CaF2等の金属フッ化物、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも1種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、吸水率1%以上の吸水性物質、吸水率0.1%以下の防湿性物質等が挙げられる。
--Protective layer--
In the present invention, the entire organic electroluminescent element may be protected by a protective layer. As a material contained in the protective layer, any material may be used as long as it has a function of preventing materials that promote device deterioration such as moisture and oxygen from entering the device.
Specific examples thereof include metals such as In, Sn, Pb, Au, Cu, Ag, Al, Ti, and Ni, MgO, SiO, SiO 2 , Al 2 O 3 , GeO, NiO, CaO, BaO, and Fe 2 O. 3 , metal oxides such as Y 2 O 3 , TiO 2 , metal nitrides such as SiN x , SiN x O y , metal fluorides such as MgF 2 , LiF, AlF 3 , CaF 2 , polyethylene, polypropylene, polymethyl Monomer mixture containing methacrylate, polyimide, polyurea, polytetrafluoroethylene, polychlorotrifluoroethylene, polydichlorodifluoroethylene, copolymer of chlorotrifluoroethylene and dichlorodifluoroethylene, tetrafluoroethylene and at least one comonomer Copolymer obtained by copolymerization, cyclic in the copolymer main chain Examples thereof include a fluorine-containing copolymer having a structure, a water-absorbing substance having a water absorption of 1% or more, and a moisture-proof substance having a water absorption of 0.1% or less.
前記保護層の形成方法については、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、MBE(分子線エピタキシ)法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法(高周波励起イオンプレーティング法)、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、ガスソースCVD法、コーティング法、印刷法、転写法などが挙げられる。 The method for forming the protective layer is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. For example, the vacuum deposition method, the sputtering method, the reactive sputtering method, the MBE (molecular beam epitaxy) method, the cluster ion beam method , Ion plating method, plasma polymerization method (high frequency excitation ion plating method), plasma CVD method, laser CVD method, thermal CVD method, gas source CVD method, coating method, printing method, transfer method and the like.
−−封止−−
前記有機電界発光素子は、封止容器を用いて素子全体が封止されていてもよい。更に、封止容器と発光素子の間の空間に水分吸収剤又は不活性液体を封入してもよい。前記水分吸収剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、酸化バリウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、五酸化燐、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、塩化銅、フッ化セシウム、フッ化ニオブ、臭化カルシウム、臭化バナジウム、モレキュラーシーブ、ゼオライト、酸化マグネシウムなどが挙げられる。
前記不活性液体としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばパラフィン類、流動パラフィン類、パーフルオロアルカン、パーフルオロアミン、パーフルオロエーテル等のフッ素系溶剤、塩素系溶剤、シリコーンオイル類などが挙げられる。
--Sealing--
The organic electroluminescent element may be entirely sealed using a sealing container. Further, a moisture absorbent or an inert liquid may be sealed in a space between the sealing container and the light emitting element. The moisture absorbent is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. For example, barium oxide, sodium oxide, potassium oxide, calcium oxide, sodium sulfate, calcium sulfate, magnesium sulfate, phosphorus pentoxide, Examples thereof include calcium chloride, magnesium chloride, copper chloride, cesium fluoride, niobium fluoride, calcium bromide, vanadium bromide, molecular sieve, zeolite, and magnesium oxide.
The inert liquid is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. Examples thereof include fluorinated solvents such as paraffins, liquid paraffins, perfluoroalkanes, perfluoroamines, perfluoroethers, and chlorine-based solvents. Examples include solvents and silicone oils.
また、下記に示す樹脂封止層にて封止する方法も好適に用いられる。
−−−樹脂封止層−−−
前記有機電界発光素子は、大気からの酸素や水分による素子性能劣化を樹脂封止層により抑制することが好ましい。
前記樹脂封止層の樹脂素材としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばアクリル樹脂、エポキシ樹脂、フッ素系樹脂、シリコン系樹脂、ゴム系樹脂、エステル系樹脂などが挙げられる。これらの中でも、水分防止機能の点からエポキシ樹脂が好ましく、エポキシ樹脂の中でも熱硬化型エポキシ樹脂、又は光硬化型エポキシ樹脂が特に好ましい。
前記樹脂封止層の作製方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、樹脂溶液を塗布する方法、樹脂シートを圧着又は熱圧着する方法、蒸着やスパッタリング等により乾式重合する方法などが挙げられる。
Moreover, the method of sealing with the resin sealing layer shown below is also used suitably.
---- Resin sealing layer ---
The organic electroluminescent element preferably suppresses element performance deterioration due to oxygen or moisture from the atmosphere by a resin sealing layer.
The resin material for the resin sealing layer is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the purpose. For example, acrylic resin, epoxy resin, fluorine resin, silicon resin, rubber resin, ester resin, etc. Is mentioned. Among these, an epoxy resin is preferable from the viewpoint of the moisture preventing function, and among the epoxy resins, a thermosetting epoxy resin or a photocurable epoxy resin is particularly preferable.
There is no restriction | limiting in particular as a preparation method of the said resin sealing layer, According to the objective, it can select suitably, For example, the method of apply | coating a resin solution, the method of crimping | bonding or thermocompressing a resin sheet, vapor deposition, sputtering, etc. And a dry polymerization method.
−−−封止接着剤−−−
前記封止接着剤は、端部よりの水分や酸素の侵入を防止する機能を有する。封止接着剤の材料としては、前記樹脂封止層で用いる材料と同じものを用いることができる。これらの中でも、水分防止の点からエポキシ系の接着剤が好ましく、光硬化型接着剤あるいは熱硬化型接着剤が特に好ましい。
また、前記材料にフィラーを添加することも好ましい。封止剤に添加されているフィラーとしては、SiO2、SiO(酸化ケイ素)、SiON(酸窒化ケイ素)、SiN(窒化ケイ素)等の無機材料が好ましい。フィラーの添加により、封止剤の粘度が上昇し、加工適正が向上し、及び耐湿性が向上する。
前記封止接着剤は、乾燥剤を含有してもよい。前記乾燥剤としては、例えば酸化バリウム、酸化カルシウム、又は酸化ストロンチウムが好ましい。前記封止接着剤に対する乾燥剤の添加量は、0.01質量%以上20質量%以下であることが好ましく、0.05質量%以上15質量%以下であることがより好ましい。これよりも少ないと、乾燥剤の添加効果が薄れることになる。またこれよりも多い場合には封止接着剤中に乾燥剤を均一分散させることが困難になり好ましくない。
本発明においては、前記乾燥剤の入った封止接着剤をディスペンサー等により任意量塗布し、塗布後基板を重ねて、硬化させることにより封止することができる。
---- Sealing adhesive ---
The sealing adhesive has a function of preventing intrusion of moisture and oxygen from the end portion. As the material of the sealing adhesive, the same material as that used for the resin sealing layer can be used. Among these, an epoxy adhesive is preferable from the viewpoint of moisture prevention, and a photocurable adhesive or a thermosetting adhesive is particularly preferable.
It is also preferable to add a filler to the material. As the filler added to the sealant, inorganic materials such as SiO 2 , SiO (silicon oxide), SiON (silicon oxynitride), SiN (silicon nitride) and the like are preferable. By adding the filler, the viscosity of the sealant is increased, the processing suitability is improved, and the moisture resistance is improved.
The sealing adhesive may contain a desiccant. As the desiccant, for example, barium oxide, calcium oxide, or strontium oxide is preferable. The addition amount of the desiccant with respect to the sealing adhesive is preferably 0.01% by mass or more and 20% by mass or less, and more preferably 0.05% by mass or more and 15% by mass or less. If the amount is less than this, the effect of adding the desiccant is diminished. On the other hand, when it is more than this, it becomes difficult to uniformly disperse the desiccant in the sealing adhesive, which is not preferable.
In the present invention, the sealing adhesive containing the desiccant can be applied by an arbitrary amount using a dispenser or the like, and the substrates can be sealed by overlapping and curing after application.
ここで、本発明の有機電界発光装置の好適な実施形態について、図面を参照して説明する。 Here, a preferred embodiment of the organic electroluminescence device of the present invention will be described with reference to the drawings.
−第1の実施形態−
前記第1の実施形態の有機電界発光装置の一例について図10を用いて説明する。有機電界発光装置100は、トップエミッション方式の有機電界発光装置である。
この有機電界発光装置100は、基板1上に、赤色、緑色、及び青色の各画素領域において、反射金属層2を有している。
赤色の画素領域においては、反射金属層2を被覆するように有機材料からなる第1の光路長調整層3、5が配され、該第1の光路長調整層5上に無機材料からなる第2の光路長調整層11を配し、透明導電膜6と有機発光層7と介して、反射金属層2に対向する半透明部材8が配されている。該赤色の画素領域においては、光路長が第1の光路長調整層3、5及び第2の光路長調整層11により調整され、反射金属層2と半透明部材8との間に第1の光路長調整層3、5及び第2の光路長調整層11と透明導電膜6と有機発光層7とを有する光路長d3が形成される。
緑色の画素領域においては、反射金属層2を被覆するように第1の光路長調整層3が配され、該第1の光路長調整層3上に第2の光路長調整層11を配し、透明導電膜6と有機発光層7とを介して、反射金属層2に対向する半透明部材8が配されている。該緑色の画素領域においては、光路が第1の光路長調整層3及び第2の光路長調整層11により調整され、反射金属層2と半透明部材8との間に第1の光路長調整層3及び第2の光路長調整層11と透明導電膜6と有機発光層7とを有する光路長d2が形成される。
青色の画素領域においては、反射金属層2を被覆するように第2の光路長調整層11が配され、透明導電膜6と有機発光層7とを介して、反射金属層2に対向する半透明部材8が配されている。該青色の画素領域においては、反射金属層2と半透明部材8との間に第2の光路長調整層11と透明導電膜6と有機発光層7とを有する光路長d1が形成される。
-First embodiment-
An example of the organic electroluminescence device of the first embodiment will be described with reference to FIG. The organic electroluminescent device 100 is a top emission type organic electroluminescent device.
This organic electroluminescent device 100 has a reflective metal layer 2 on a substrate 1 in each of red, green, and blue pixel regions.
In the red pixel region, first optical path length adjustment layers 3 and 5 made of an organic material are disposed so as to cover the reflective metal layer 2, and a first optical path length adjustment layer 5 made of an inorganic material is disposed on the first optical path length adjustment layer 5. Two optical path length adjusting layers 11 are disposed, and a translucent member 8 facing the reflective metal layer 2 is disposed through the transparent conductive film 6 and the organic light emitting layer 7. In the red pixel region, the optical path length is adjusted by the first optical path length adjusting layers 3 and 5 and the second optical path length adjusting layer 11, and the first optical path length is adjusted between the reflective metal layer 2 and the translucent member 8. An optical path length d 3 including the optical path length adjusting layers 3 and 5 and the second optical path length adjusting layer 11, the transparent conductive film 6, and the organic light emitting layer 7 is formed.
In the green pixel region, a first optical path length adjustment layer 3 is disposed so as to cover the reflective metal layer 2, and a second optical path length adjustment layer 11 is disposed on the first optical path length adjustment layer 3. A translucent member 8 facing the reflective metal layer 2 is disposed through the transparent conductive film 6 and the organic light emitting layer 7. In the green pixel region, the optical path is adjusted by the first optical path length adjustment layer 3 and the second optical path length adjustment layer 11, and the first optical path length adjustment is performed between the reflective metal layer 2 and the translucent member 8. the optical path length d 2 and a layer 3 and a second optical path length adjustment layer 11 and the transparent conductive film 6 and the organic light emitting layer 7 is formed.
In the blue pixel region, the second optical path length adjusting layer 11 is disposed so as to cover the reflective metal layer 2, and the half facing the reflective metal layer 2 through the transparent conductive film 6 and the organic light emitting layer 7. A transparent member 8 is arranged. In the blue pixel region, an optical path length d 1 having the second optical path length adjusting layer 11, the transparent conductive film 6, and the organic light emitting layer 7 is formed between the reflective metal layer 2 and the translucent member 8. .
このようにして形成される有機電界発光装置100は、有機発光層7から出射される光が、反射金属層2と半透明部材8との間で共振され、光路長d1、d2、d3に応じた波長の光が強められ、それぞれ青色、緑色、及び赤色の光として半透明部材8側から取り出される。
また、第2の光路長調整層11はパッシベーション層としても機能し、有機材料からなる第1の光路長調整層由来、及び外部からの水分の浸入を防ぎ、耐久性を向上させることができる。
In the organic electroluminescent device 100 formed in this way, the light emitted from the organic light emitting layer 7 is resonated between the reflective metal layer 2 and the translucent member 8, and the optical path lengths d 1 , d 2 , d 3 is intensified and extracted as blue, green, and red light from the translucent member 8 side.
In addition, the second optical path length adjustment layer 11 also functions as a passivation layer, can prevent moisture from entering from the first optical path length adjustment layer made of an organic material and from the outside, and can improve durability.
−第2の実施形態−
前記第2の実施形態の有機電界発光装置の他の一例について図11を用いて説明する。この有機電界発光装置200は、トップエミッション方式の有機電界発光装置である。
該有機電界発光装置200では、赤色の画素領域において、反射金属層2を被覆するように有機材料からなる第1の光路長調整層3が配され、該第1の光路長調整層3上に無機材料からなる第2の光路長調整層11を配し、透明導電膜6と有機発光層7とを介して、反射金属層2に対向する半透明部材8が配されている。該赤色の画素領域においては、光路が第1の光路長調整層3及び第2の光路長調整層11により調整され、反射金属層2と半透明部材8との間に第1の光路長調整層3と第2の光路長調整層11と透明導電膜6と有機発光層7とを有する光路長d3が形成される。
緑色の画素領域においては、反射金属層2を被覆するように無機材料からなる第2の光路長調整層11が配され、透明導電膜6と有機発光層7とを介して、反射金属層2に対向する半透明部材8が配されている。該緑色の画素領域においては、反射金属層2と半透明部材8との間に第2の光路長調整層11と透明導電膜6と有機発光層7とを有する光路長d2が形成される。
青色の画素領域においては、反射金属層2を被覆するように無機材料からなる第2の光路長調整層11が配され、有機発光層7を介して、反射金属層2に対向する半透明部材8が配されている。該青色の画素領域においては、反射金属層2と半透明部材8との間に第2の光路長調整層11と有機発光層7と有する光路長d1が形成される。
該青色の領域において、基板1上に配される反射金属層2は、電極材料で形成され、透明導電膜6と同様の電極作用を奏するように構成されている。
前記第2の実施形態において、その他の点については、第1の実施形態と共通するため、説明を省略する。
また、第2の光路長調整層11はパッシベーション層としても機能し、有機材料からなる第1の光路長調整層由来、及び外部からの水分の浸入を防ぎ、耐久性を向上させることができる。
-Second Embodiment-
Another example of the organic electroluminescent device of the second embodiment will be described with reference to FIG. The organic electroluminescent device 200 is a top emission type organic electroluminescent device.
In the organic electroluminescent device 200, a first optical path length adjustment layer 3 made of an organic material is disposed so as to cover the reflective metal layer 2 in the red pixel region, and the first optical path length adjustment layer 3 is disposed on the first optical path length adjustment layer 3. A second optical path length adjusting layer 11 made of an inorganic material is disposed, and a translucent member 8 facing the reflective metal layer 2 is disposed through the transparent conductive film 6 and the organic light emitting layer 7. In the red pixel region, the optical path is adjusted by the first optical path length adjustment layer 3 and the second optical path length adjustment layer 11, and the first optical path length adjustment is performed between the reflective metal layer 2 and the translucent member 8. An optical path length d 3 having the layer 3, the second optical path length adjusting layer 11, the transparent conductive film 6, and the organic light emitting layer 7 is formed.
In the green pixel region, a second optical path length adjusting layer 11 made of an inorganic material is disposed so as to cover the reflective metal layer 2, and the reflective metal layer 2 is interposed via the transparent conductive film 6 and the organic light emitting layer 7. A semi-transparent member 8 is arranged opposite to the above. In the green pixel region, an optical path length d 2 having the second optical path length adjusting layer 11, the transparent conductive film 6, and the organic light emitting layer 7 is formed between the reflective metal layer 2 and the translucent member 8. .
In the blue pixel region, the second optical path length adjusting layer 11 made of an inorganic material is disposed so as to cover the reflective metal layer 2, and the translucent member is opposed to the reflective metal layer 2 through the organic light emitting layer 7. 8 is arranged. In the blue pixel region, an optical path length d 1 having the second optical path length adjusting layer 11 and the organic light emitting layer 7 is formed between the reflective metal layer 2 and the translucent member 8.
In the blue region, the reflective metal layer 2 disposed on the substrate 1 is formed of an electrode material and is configured to exhibit the same electrode action as the transparent conductive film 6.
In the second embodiment, the other points are the same as those in the first embodiment, and thus the description thereof is omitted.
In addition, the second optical path length adjustment layer 11 also functions as a passivation layer, can prevent moisture from entering from the first optical path length adjustment layer made of an organic material and from the outside, and can improve durability.
−第3の実施形態−
前記第3の実施形態の有機電界発光装置の一例について図12を用いて説明する。この有機電界発光装置300は、ボトムエミッション方式の有機電界発光装置である。
この有機電界発光装置300では、基板1上に、赤色、緑色、及び青色の各画素領域において、半透明部材8を有している。
赤色の画素領域においては、半透明部材8を被覆するように有機材料からなる第1の光路長調整層3、5が配され、該第1の光路長調整層5上に無機材料からなる第2の光路長調整層11を配し、透明導電膜6と有機発光層7と介して、半透明部材8に対向する反射金属層2が配されている。該赤色の画素領域においては、光路長が第1の光路長調整層3、5及び第2の光路長調整層11により調整され、半透明部材8と反射金属層2との間に第1の光路長調整層3、5と第2の光路長調整層11と透明導電膜6と有機発光層7とを有する光路長d3が形成される。
緑色の画素領域においては、半透明部材8を被覆するように有機材料からなる第1の光路長調整層3が配され、該第1の光路長調整層3上に無機材料からなる第2の光路長調整層11を配し、透明導電膜6と有機発光層7とを介して、半透明部材8に対向する反射金属層2が配されている。該緑色の画素領域においては、光路が第1の光路長調整層3及び第2の光路長調整層11により調整され、半透明部材8と反射金属層2との間に第1の光路長調整層3と第2の光路長調整層11と透明導電膜6と有機発光層7とを有する光路長d2が形成される。
青色の画素領域においては、半透明部材8を被覆するように無機材料からなる第2の光路長調整層11が配され、透明導電膜6と有機発光層7とを介して、半透明部材8に対向する反射金属層2が配されている。該青色の画素領域においては、半透明部材8と反射金属層2との間に第2の光路長調整層11と透明導電膜6と有機発光層7とを有する光路長d1が形成される。
前記第3の実施形態において、その他の点については、第1の実施形態と共通するため、説明を省略する。
また、第2の光路長調整層11はパッシベーション層としても機能し、有機材料からなる第1の光路長調整層由来、及び外部からの水分の浸入を防ぎ、耐久性を向上させることができる。
-Third embodiment-
An example of the organic electroluminescent device of the third embodiment will be described with reference to FIG. The organic electroluminescent device 300 is a bottom emission type organic electroluminescent device.
This organic electroluminescent device 300 has a semi-transparent member 8 on the substrate 1 in each of the red, green, and blue pixel regions.
In the red pixel region, the first optical path length adjustment layers 3 and 5 made of an organic material are disposed so as to cover the translucent member 8, and the first optical path length adjustment layer 5 made of an inorganic material is disposed on the first optical path length adjustment layer 5. The reflective metal layer 2 facing the translucent member 8 is disposed through the transparent conductive film 6 and the organic light emitting layer 7. In the red pixel region, the optical path length is adjusted by the first optical path length adjusting layers 3 and 5 and the second optical path length adjusting layer 11, and the first optical path length is adjusted between the translucent member 8 and the reflective metal layer 2. An optical path length d 3 having the optical path length adjusting layers 3 and 5, the second optical path length adjusting layer 11, the transparent conductive film 6, and the organic light emitting layer 7 is formed.
In the green pixel region, the first optical path length adjustment layer 3 made of an organic material is disposed so as to cover the translucent member 8, and the second optical path length adjustment layer 3 made of an inorganic material is disposed on the first optical path length adjustment layer 3. An optical path length adjusting layer 11 is disposed, and a reflective metal layer 2 facing the translucent member 8 is disposed through the transparent conductive film 6 and the organic light emitting layer 7. In the green pixel region, the optical path is adjusted by the first optical path length adjustment layer 3 and the second optical path length adjustment layer 11, and the first optical path length adjustment is performed between the translucent member 8 and the reflective metal layer 2. An optical path length d 2 having the layer 3, the second optical path length adjusting layer 11, the transparent conductive film 6, and the organic light emitting layer 7 is formed.
In the blue pixel region, a second optical path length adjusting layer 11 made of an inorganic material is disposed so as to cover the translucent member 8, and the translucent member 8 is interposed via the transparent conductive film 6 and the organic light emitting layer 7. A reflective metal layer 2 is disposed so as to face the surface. In the blue pixel region, an optical path length d 1 having the second optical path length adjusting layer 11, the transparent conductive film 6, and the organic light emitting layer 7 is formed between the translucent member 8 and the reflective metal layer 2. .
In the third embodiment, the other points are the same as those in the first embodiment, and thus the description thereof is omitted.
In addition, the second optical path length adjustment layer 11 also functions as a passivation layer, can prevent moisture from entering from the first optical path length adjustment layer made of an organic material and from the outside, and can improve durability.
(有機電界発光装置の製造方法)
本発明の有機電界発光装置の製造方法は、光透過性樹脂材料成膜工程と、光透過性樹脂層形成工程と、第1の光路長調整層形成工程と、第2の光路長調整層形成工程とを含み、更に必要に応じてその他の工程を含んでなる。
(Method for manufacturing organic electroluminescent device)
The organic electroluminescent device manufacturing method of the present invention includes a light-transmitting resin material film forming step, a light-transmitting resin layer forming step, a first optical path length adjusting layer forming step, and a second optical path length adjusting layer forming. A process, and further includes other processes as necessary.
<光透過性樹脂材料成膜工程>
前記光透過性樹脂材料成膜工程は、赤色、緑色、及び青色に対応する複数の画素領域のうち、少なくとも一の画素領域に反射金属層及び半透明部材を配設可能な基板上に、光透過性樹脂材料を成膜する工程である。
<Light transmissive resin material film forming process>
The light-transmitting resin material film-forming step is performed on a substrate on which a reflective metal layer and a translucent member can be disposed in at least one pixel region among a plurality of pixel regions corresponding to red, green, and blue. This is a step of forming a film of a transparent resin material.
−成膜−
前記光透過性樹脂の成膜方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、気相成膜法、塗布成膜法などが挙げられるが、製造プロセスの簡易化の観点からは、気相成膜方法が好ましい。
-Film formation-
The film forming method of the light transmissive resin is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the purpose. Examples thereof include a vapor phase film forming method and a coating film forming method. From the point of view of chemical conversion, a vapor phase film forming method is preferable.
前記気相成膜方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、フラッシュ蒸着法、スプレーコート法などが好ましい。
前記塗布成膜法として、前記光透過性樹脂材料を溶剤に溶かし、スピンコート法などで成膜してもよいが、この場合、パネルの構造(例えば、基板上に配されるTFT回路素子等)の平坦性による影響を受け、膜厚の制御が困難な場合があり、所望の光路長差を得られないことがある。
一方、前記気相成膜方法によれば、パネルの構造の平坦性による影響を受けずに光透過性樹脂材料を成膜することができる。
There is no restriction | limiting in particular as said vapor-phase film-forming method, Although it can select suitably according to the objective, For example, a flash vapor deposition method, the spray coat method, etc. are preferable.
As the coating film formation method, the light-transmitting resin material may be dissolved in a solvent and formed by spin coating or the like. In this case, however, the structure of the panel (for example, a TFT circuit element disposed on the substrate, etc.) ), The film thickness may be difficult to control, and a desired optical path length difference may not be obtained.
On the other hand, according to the vapor deposition method, the light-transmitting resin material can be deposited without being affected by the flatness of the panel structure.
前記フラッシュ蒸着法による成膜条件としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、モノマーの加熱温度としては、100℃〜200℃、また、真空度としては、1×10-2Pa〜10Pa程度が好ましい。 The film formation conditions by the flash vapor deposition method are not particularly limited and can be appropriately selected according to the purpose. For example, the heating temperature of the monomer is 100 ° C. to 200 ° C., and the degree of vacuum is 1 × 10 −2 Pa to 10 Pa is preferable.
<光透過性樹脂層形成工程>
前記光透過性樹脂層形成工程は、前記成膜された光透過性樹脂材料のうち、前記一の画素領域を含む領域を硬化反応させ、光透過性樹脂層を形成する工程である。
<Light transmissive resin layer forming step>
The light transmissive resin layer forming step is a step of forming a light transmissive resin layer by curing a region including the one pixel region in the formed light transmissive resin material.
−硬化反応−
前記光透過性樹脂を硬化させる反応としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、加熱重合、光(紫外線、可視光線)重合、電子ビーム重合、プラズマ重合、あるいはこれらの組み合わせを挙げることができる。
これらの中でも、光重合開始剤の存在下で露光して、ラジカル重合性モノマーをラジカル重合させて行うことが好ましい。
-Curing reaction-
The reaction for curing the light transmissive resin is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. Heat polymerization, light (ultraviolet light, visible light) polymerization, electron beam polymerization, plasma polymerization, or these Combinations can be mentioned.
Among these, it is preferable to carry out exposure in the presence of a photopolymerization initiator and radical polymerization of the radical polymerizable monomer.
前記光重合において、照射する光としては、通常、高圧水銀灯若しくは低圧水銀灯による紫外線である。
前記照射エネルギーとしては、0.5J/cm2以上が好ましく、2J/cm2以上がより好ましい。
前記ラジカル重合性モノマーとして、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステルを用いる場合、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステルは、空気中の酸素によって重合阻害を受けるため、重合時の酸素濃度もしくは酸素分圧を低くすることが好ましい。
このような方法としては不活性ガス置換法(窒素置換法、アルゴン置換法など)、減圧法が挙げられる。このうち、減圧硬化法はモノマー中の溶存酸素濃度を低下させる効果を有するため、より好ましい。
前記窒素置換法によって重合時の酸素濃度を低下させる場合、酸素濃度は2%以下が好ましく、0.5%以下がより好ましい。減圧法により重合時の酸素分圧を低下させる場合、全圧が1,000Pa以下であることが好ましく、100Pa以下であることがより好ましい。
また、100Pa以下の減圧条件下で、2J/cm2以上のエネルギーを照射して紫外線重合を行うのが特に好ましい。
フラッシュ蒸着法で形成した前記ラジカル重合性モノマー被膜を、減圧条件下、2J/cm2以上のエネルギーを照射して紫外線重合を行うのが最も好ましい。このような方法を取ることで、重合率を高めることができ、硬度の高い有機層を得ることができる。前記ラジカル重合性モノマーの重合は、前記モノマーの混合物を蒸着により目的の場所に配置した後に行うことが好ましい。
In the photopolymerization, the irradiation light is usually ultraviolet light from a high pressure mercury lamp or a low pressure mercury lamp.
The irradiation energy is preferably 0.5 J / cm 2 or more, and more preferably 2 J / cm 2 or more.
When acrylic acid ester or methacrylic acid ester is used as the radical polymerizable monomer, acrylic acid ester or methacrylic acid ester is subject to polymerization inhibition by oxygen in the air, so the oxygen concentration or oxygen partial pressure during polymerization is lowered. It is preferable.
Examples of such a method include an inert gas replacement method (nitrogen replacement method, argon replacement method, etc.) and a decompression method. Among these, the reduced pressure curing method is more preferable because it has an effect of reducing the dissolved oxygen concentration in the monomer.
When the oxygen concentration during polymerization is lowered by the nitrogen substitution method, the oxygen concentration is preferably 2% or less, and more preferably 0.5% or less. When reducing the oxygen partial pressure during polymerization by the reduced pressure method, the total pressure is preferably 1,000 Pa or less, and more preferably 100 Pa or less.
In addition, it is particularly preferable to perform ultraviolet polymerization by irradiating energy of 2 J / cm 2 or more under a reduced pressure condition of 100 Pa or less.
Most preferably, the radical polymerizable monomer film formed by flash vapor deposition is irradiated with energy of 2 J / cm 2 or more under reduced pressure to perform ultraviolet polymerization. By taking such a method, the polymerization rate can be increased and an organic layer having high hardness can be obtained. The polymerization of the radical polymerizable monomer is preferably performed after the mixture of the monomers is disposed at a target location by vapor deposition.
前記ラジカル重合性モノマーの重合率としては、85%以上であることが好ましく、88%以上であることがより好ましく、90%以上であることが更により好ましく、92%以上であることが特に好ましい。ここでいう重合率とは、モノマーの混合物中の全ての重合性基(アクリロイル基及びメタクリロイル基)のうち、反応した重合性基の比率を意味する。前記重合率は、赤色外線吸収法によって定量することができる。 The polymerization rate of the radical polymerizable monomer is preferably 85% or more, more preferably 88% or more, still more preferably 90% or more, and particularly preferably 92% or more. . The polymerization rate here means the ratio of the reacted polymerizable group among all the polymerizable groups (acryloyl group and methacryloyl group) in the mixture of monomers. The polymerization rate can be quantified by a red external line absorption method.
−−光重合開始剤−−
前記重合開始剤としては、光を照射したときにラジカルを発生する化合物であれば、特に制限はないが、気相成膜法が好ましい。特にフラッシュ蒸着法で成膜する場合は、融点が30℃以下である重合開始剤であるか、1気圧30℃で液状であるものが好ましい。ここで、融点とは、固体状態から液体状態に変化する温度をいう。また、液状とは、1気圧30℃において重合開始剤を入れた容器を傾けた時に流動性を示すことをいう。
前記重合開始剤は、1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。例えば、2種併用することにより、液状となる光重合開始剤も好ましく用いることができる。
このような光重合開始剤は、実際に、有機層を真空蒸着する際に、液体状態となるため、少ない量の光重合開始剤で、前記ラジカル重合性モノマーを良好に硬化させることができる。
このように安定した光透過性樹脂層は、残存するラジカル重合性モノマー由来のガスが放出されにくくなり、隣接層へのダメージを低減させることができる。
本発明では、前記光透過性樹脂(後述する光路長調整層)における前記ラジカル残存重合性モノマーの量が、1×10−2g/m2以下であることが好ましく、1×10−4g/m2以下であることがより好ましい。
-Photopolymerization initiator-
The polymerization initiator is not particularly limited as long as it is a compound that generates radicals when irradiated with light, but a vapor deposition method is preferred. In particular, when a film is formed by a flash vapor deposition method, a polymerization initiator having a melting point of 30 ° C. or lower or a liquid at 1 atm 30 ° C. is preferable. Here, the melting point refers to the temperature at which the solid state changes to the liquid state. The term “liquid” means that fluidity is exhibited when a container containing a polymerization initiator is tilted at 1 atm 30 ° C.
The said polymerization initiator may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together. For example, a photopolymerization initiator that becomes liquid by using two types in combination can also be preferably used.
Since such a photopolymerization initiator actually becomes a liquid state when the organic layer is vacuum-deposited, the radical polymerizable monomer can be cured well with a small amount of the photopolymerization initiator.
In this way, the stable light-transmitting resin layer makes it difficult for the remaining radical-polymerizable monomer-derived gas to be released, and can reduce damage to the adjacent layer.
In the present invention, the amount of the radical residual polymerizable monomer in the light transmissive resin (optical path length adjusting layer described later) is preferably 1 × 10 −2 g / m 2 or less, preferably 1 × 10 −4 g. / M 2 or less is more preferable.
前記光重合開始剤の分子量としては、170以上であることが好ましく、190以上であることがより好ましい。このような分子量であると、前記光重合開始剤が揮発しにくくなり、更に、安定に硬化した光透過性樹脂層が得られやすくなる。なお、前記光重合開始剤の分子量の上限としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、通常、1,000以下であることが好ましい。 The molecular weight of the photopolymerization initiator is preferably 170 or more, and more preferably 190 or more. When the molecular weight is such, the photopolymerization initiator is less likely to volatilize, and a lightly cured resin layer that is stably cured can be easily obtained. In addition, there is no restriction | limiting in particular as an upper limit of the molecular weight of the said photoinitiator, Although it can select suitably according to the objective, Usually, it is preferable that it is 1,000 or less.
前記重合開始剤の含有量としては、前記光透過性樹脂層を形成する組成物としての前記光透過性樹脂材料において、10質量%以下が好ましく、5質量%以下がより好ましく、2質量%以下が更により好ましく、1質量%以下が特に好ましい。
前記気相成膜法により前記光透過性樹脂材料を成膜する場合には、該光透過性樹脂材料を溶剤に溶かして塗布し形成する場合よりも、前記光重合開始剤の添加量を少なくしても、前記ラジカル重合性モノマーを十分に反応させることができるので、光重合開始剤の添加量を減らすことができる。
また、前記光重合開始剤の添加量を減らすことにより、前記光透過性樹脂層(光路長調整層)に残存する前記光重合開始剤の量も少なくでき、より光重合開始剤由来のガスの発生を低減でき、隣接する層へのダメージを低減できる。
As content of the said polymerization initiator, in the said light transmissive resin material as a composition which forms the said light transmissive resin layer, 10 mass% or less is preferable, 5 mass% or less is more preferable, 2 mass% or less Is more preferable, and 1% by mass or less is particularly preferable.
When the light-transmitting resin material is formed by the vapor phase film-forming method, the amount of the photopolymerization initiator added is smaller than when the light-transmitting resin material is dissolved and applied in a solvent. Even so, since the radical polymerizable monomer can be sufficiently reacted, the amount of the photopolymerization initiator added can be reduced.
Further, by reducing the amount of the photopolymerization initiator added, the amount of the photopolymerization initiator remaining in the light-transmitting resin layer (optical path length adjusting layer) can be reduced, and the amount of gas derived from the photopolymerization initiator can be reduced. Generation can be reduced, and damage to adjacent layers can be reduced.
前記光重合開始剤としては、特に制限はないが、気相成膜法を用いる場合、下記一般式(4)で表される化合物、及び下記一般式(5)で表される化合物のいずれかを含む化合物が好ましい。 Although there is no restriction | limiting in particular as said photoinitiator, When using a gaseous-phase film-forming method, either the compound represented by following General formula (4) and the compound represented by following General formula (5) Compounds containing are preferred.
ここで、R1は、炭素数1〜18の置換又は無置換のアルキル基、及び炭素数1〜18の置換又は無置換のアリール基のいずれかが好ましく、R2は、炭素数1〜18の置換又は無置換のアルキル基が好ましい。R1が炭素数1〜18の置換アルキル基の場合は、カルボニル基に連結する炭素が、アルコキシ基、ヒドロキシル基、アミノ基で置換されていることが好ましい。n1は、0〜3が好ましい。
このような化合物としては、市販品を用いることができ、該市販品としては、例えば、ダロキュア1173(チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製)などが挙げられる。
Here, R 1 is preferably any of a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 18 carbon atoms and a substituted or unsubstituted aryl group having 1 to 18 carbon atoms, and R 2 has 1 to 18 carbon atoms. Of these, substituted or unsubstituted alkyl groups are preferred. When R 1 is a substituted alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, the carbon linked to the carbonyl group is preferably substituted with an alkoxy group, a hydroxyl group, or an amino group. n1 is preferably 0 to 3.
As such a compound, a commercial product can be used, and examples of the commercial product include Darocur 1173 (manufactured by Ciba Specialty Chemicals).
R3は、炭素数1〜18の置換又は無置換のアルキル基であることが好ましく、R4は、炭素数1〜18の置換又は無置換のアルキル基が好ましい。n2は、0〜3であることが好ましく、n3は、0〜3であることが好ましい。
このような化合物としては、2−メチルベンゾフェノンなどが挙げられ、例えば、エザキュアTZT(ランベルティ社製)等の市販品を採用できる。
R 3 is preferably a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, and R 4 is preferably a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 18 carbon atoms. n2 is preferably 0 to 3, and n3 is preferably 0 to 3.
Examples of such a compound include 2-methylbenzophenone, and for example, commercially available products such as Ezacure TZT (manufactured by Lamberti) can be used.
<第1の光路長調整層形成工程>
前記第1の光路長調整層形成工程は、前記硬化反応後の光透過性樹脂層を現像し、第1の光路長調整層を形成する工程である。
<First optical path length adjusting layer forming step>
The first optical path length adjustment layer forming step is a step of developing the light-transmitting resin layer after the curing reaction to form a first optical path length adjustment layer.
−現像−
前記現像の方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、イソプロピルアルコール、アセトン、トルエン等の有機溶剤を用いた超音波現像が挙げられる。
-Development-
There is no restriction | limiting in particular as the said development method, According to the objective, it can select suitably, For example, ultrasonic development using organic solvents, such as isopropyl alcohol, acetone, toluene, is mentioned.
本発明の有機電界発光装置においては、赤色、緑色、及び青色の少なくとも一つの画素領域において、前記第1の光路長調整層及び第2の光路長調整層が内部に導入され、共振構造を有してなる。 In the organic electroluminescence device of the present invention, the first optical path length adjustment layer and the second optical path length adjustment layer are introduced into at least one pixel region of red, green, and blue to have a resonance structure. Do it.
前記第1の光路長調整層は、前記基板上に配される前記反射金属層又は前記半透明部材の上面に直接配されてよいが、第1の光路長調整層を平坦に配する観点からは、前記反射金属層又は前記半透明部材の上面に、該上面形状を平坦化させる平坦化膜を配し、該平坦化膜上に配されることしてもよい。
前記平坦化膜としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記光透過性樹脂材料と同じ光透過性樹脂材料で形成されることが好ましい。
The first optical path length adjusting layer may be directly disposed on the upper surface of the reflective metal layer or the translucent member disposed on the substrate, but from the viewpoint of arranging the first optical path length adjusting layer flatly. May be provided on the reflective metal layer or the translucent member with a flattening film for flattening the shape of the upper surface.
There is no restriction | limiting in particular as said planarization film | membrane, Although it can select suitably according to the objective, It is preferable to form with the same light transmissive resin material as the said light transmissive resin material.
<第2の光路長調整層形成工程>
前記第2の光路長調整層形成工程は、前記第1の光路長調整層と前記一の画素領域を構成する有機電界発光素子との間に無機材料からなる第2の光路長調整層を形成する工程である。
<Second optical path length adjusting layer forming step>
In the second optical path length adjustment layer forming step, a second optical path length adjustment layer made of an inorganic material is formed between the first optical path length adjustment layer and the organic electroluminescent element constituting the one pixel region. It is a process to do.
前記第2の光路長調整層は、前記第1の光路長調整層上、前記反射金属層上、又は前記半透明部材上に形成され、パターンは形成されず、ベタ(連続)に形成することが製造効率を上げる点で好ましい。
前記第2の光路長調整層は、スパッタ法及び蒸着法のいずれかで形成されることが、薄膜を均一に積層できる点で好ましい。
The second optical path length adjustment layer is formed on the first optical path length adjustment layer, the reflective metal layer, or the translucent member, and is formed in a solid (continuous) pattern without being formed. Is preferable in terms of increasing production efficiency.
The second optical path length adjusting layer is preferably formed by either sputtering or vapor deposition, from the viewpoint that a thin film can be uniformly laminated.
<その他の工程>
前記その他の工程としては、例えば有機電界発光素子を作製する工程などが挙げられる。
<Other processes>
As said other process, the process of producing an organic electroluminescent element, etc. are mentioned, for example.
ここで、本発明の有機電界発光装置の製造方法の製造プロセスについて、図1〜図9に示す概略図を用いて説明する。なお、図中の符号3及び5のそれぞれについては、同材料からなるため、光透過性樹脂材料、光透過性樹脂層、第1の光路長調整層のいずれかを示すようにしている。 Here, the manufacturing process of the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus of this invention is demonstrated using the schematic shown in FIGS. In addition, about each of the code | symbols 3 and 5 in a figure, since it consists of the same material, it is made to show either a light transmissive resin material, a light transmissive resin layer, or a 1st optical path length adjustment layer.
まず、基板1上に、赤色、緑色、及び青色に対応する複数の画素に対応して、反射金属層2を配する(図1参照)。
次いで、フラッシュ蒸着法により、反射金属層2が配された基板上に対して、光透過性樹脂材料3を成膜する(光透過性樹脂材料成膜工程、図2参照)。
こうして基板1上に、反射金属層2と光透過性樹脂材料3とが配された状態で、部分的に遮光可能とするマスク4で覆い、光Lを照射して、一つの画素領域と該画素に隣接する画素領域における光透過性樹脂材料2を選択的に露光し硬化させ、光透過性樹脂層3を形成する(光透過性樹脂層形成工程、図3参照)。
これを現像して、光透過性樹脂層3から、露光した部分以外の箇所を取り除き、第1段目の第1の光路長調整層3を形成する(第1の光路長調整層形成工程、図4参照)。
First, the reflective metal layer 2 is arranged on the substrate 1 corresponding to a plurality of pixels corresponding to red, green, and blue (see FIG. 1).
Next, a light transmissive resin material 3 is formed on the substrate on which the reflective metal layer 2 is disposed by flash vapor deposition (light transmissive resin material film forming step, see FIG. 2).
In this way, with the reflective metal layer 2 and the light-transmitting resin material 3 disposed on the substrate 1, the substrate 1 is covered with a mask 4 that can be partially shielded, and irradiated with light L. The light transmissive resin material 2 in the pixel region adjacent to the pixel is selectively exposed and cured to form the light transmissive resin layer 3 (light transmissive resin layer forming step, see FIG. 3).
This is developed to remove a portion other than the exposed portion from the light transmissive resin layer 3 to form a first optical path length adjusting layer 3 in the first stage (first optical path length adjusting layer forming step, (See FIG. 4).
次に、多段の光路長を形成するために、フラッシュ蒸着法により、光透過性樹脂材料5を蒸着させる(光透過性樹脂材料成膜工程、図5参照)。この状態において、先の工程で、反射金属層2と第1の光路長調整層3とが配された画素領域においては、光透過性樹脂材料5が第1の光路長調整層3に重ねて蒸着され、第1の光路長調整層3が配されていない他の画素領域との間で、光路長差が形成される。
こうして基板1上に、反射金属層2と第1の光路長調整層3と光透過性樹脂材料5とが配された状態で、部分的に遮光可能とするマスク4で覆い、第1の光路長調整層3と光透過性樹脂材料5が重ねて蒸着された2つの画素領域のうち、一つの画素領域に対して、光を照射して露光し硬化させ、第2段目の第1の光透過性樹脂層5を形成する(光透過性樹脂層形成工程、図6参照)。
これを現像して、第1の光透過性樹脂層5から露光した部分以外の箇所を取り除き、一つの画素領域に第1の光路長調整層5を形成する(第1の光路長調整層形成工程、図7参照)。この段階で、一つの画素領域において、第1の光路長調整層3、5が重ねて配され、該画素領域に隣接する画素領域において、第1の光路長調整層3が配されることとなる。
Next, in order to form a multistage optical path length, the light transmissive resin material 5 is vapor-deposited by a flash vapor deposition method (light transmissive resin material film forming step, see FIG. 5). In this state, in the pixel region in which the reflective metal layer 2 and the first optical path length adjustment layer 3 are arranged in the previous step, the light transmissive resin material 5 is superimposed on the first optical path length adjustment layer 3. An optical path length difference is formed between the other pixel regions which are vapor-deposited and on which the first optical path length adjusting layer 3 is not disposed.
In this way, the reflective metal layer 2, the first optical path length adjusting layer 3, and the light-transmitting resin material 5 are disposed on the substrate 1, and the first optical path is covered with a mask 4 that can partially block light. Of the two pixel regions deposited by overlapping the length adjusting layer 3 and the light-transmitting resin material 5, one pixel region is irradiated with light to be exposed and cured, and the first step in the second stage The light transmissive resin layer 5 is formed (light transmissive resin layer forming step, see FIG. 6).
This is developed to remove portions other than the exposed portion from the first light transmissive resin layer 5 and form the first optical path length adjustment layer 5 in one pixel region (formation of the first optical path length adjustment layer) Process, see FIG. At this stage, the first optical path length adjustment layers 3 and 5 are arranged to overlap in one pixel area, and the first optical path length adjustment layer 3 is arranged in a pixel area adjacent to the pixel area. Become.
次に、前記第1段目の第1の光路長調整層3、第2段目の第1の光路長調整層5、及び反射金属層2の上面に、無機材料からなる第2の光路長調整層11をベタで形成する
(第2の光路長調整層形成工程、図8参照)
次に、第1の光路長調整層3、5、及び第2の光路長調整層11が配された画素領域において、第1の光路長調整層5上に、透明導電膜6を配する。同時に、第1の光路長調整層3が配された画素領域において、第1の光路長調整層3上に、透明導電膜6を配し、第2の光路長調整層11が配された画素領域において、第2の光路長調整層11上に透明導電膜6を配する(図9参照)。
次いで、透明導電膜6が配された3つの画素領域のそれぞれにおいて、透明導電膜6上に、有機発光層7と半透明部材8とをこの順で積層し、有機電界発光装置100を製造する(図10参照)。
このようにして製造される有機電界発光装置100においては、有機発光層7から出射された光が、第1の光路長調整層3、5及び第2の光路長調整層11により調整された光路長d1、d2、d3に対応して、それぞれ青色、緑色、赤色に対応する波長の光として半透明部材8から取り出される。
即ち、有機発光層7から出射された光は、光路長がd1、d2、d3からなる半透明部材8と反射金属層2との間で共振されることにより、各光路長に応じた青色、緑色、及び赤色の波長の光が強められることにより、青色、緑色、及び赤色の光として有機電界発光装置100から取り出すことを可能とされる。
Next, a second optical path length made of an inorganic material is formed on the top surfaces of the first optical path length adjusting layer 3 in the first stage, the first optical path length adjusting layer 5 in the second stage, and the reflective metal layer 2. The adjustment layer 11 is solid (second optical path length adjustment layer forming step, see FIG. 8).
Next, the transparent conductive film 6 is disposed on the first optical path length adjustment layer 5 in the pixel region where the first optical path length adjustment layers 3 and 5 and the second optical path length adjustment layer 11 are disposed. At the same time, in the pixel region where the first optical path length adjustment layer 3 is disposed, the transparent conductive film 6 is disposed on the first optical path length adjustment layer 3 and the second optical path length adjustment layer 11 is disposed. In the region, the transparent conductive film 6 is disposed on the second optical path length adjustment layer 11 (see FIG. 9).
Next, in each of the three pixel regions where the transparent conductive film 6 is disposed, the organic light emitting layer 7 and the semitransparent member 8 are laminated in this order on the transparent conductive film 6 to manufacture the organic electroluminescent device 100. (See FIG. 10).
In the organic electroluminescent device 100 manufactured in this manner, the light emitted from the organic light emitting layer 7 is adjusted by the first optical path length adjusting layers 3 and 5 and the second optical path length adjusting layer 11. Corresponding to the lengths d 1 , d 2 , and d 3 , they are extracted from the translucent member 8 as light having wavelengths corresponding to blue, green, and red, respectively.
That is, the light emitted from the organic light emitting layer 7 is resonated between the translucent member 8 having the optical path lengths d 1 , d 2 , and d 3 and the reflective metal layer 2, so that the optical path length depends on each optical path length. By increasing the light of the blue, green, and red wavelengths, it is possible to extract the light from the organic electroluminescent device 100 as blue, green, and red light.
そして、本発明の有機電界発光装置100の前記製造プロセスによれば、光路長差の形成に、レジスト層の形成、レジスト層をマスクとしたエッチング処理、レジスト層の剥離といった工程が不要であることから、従来の製造プロセスに比べて、製造プロセスを大幅に簡易化することができる。 And according to the said manufacturing process of the organic electroluminescent apparatus 100 of this invention, the process of formation of a resist layer, the etching process which used the resist layer as a mask, and peeling of a resist layer is unnecessary for formation of an optical path length difference. Therefore, the manufacturing process can be greatly simplified as compared with the conventional manufacturing process.
(有機電界発光ディスプレイ)
本発明の有機電界発光ディスプレイは、本発明の前記有機電界発光装置を有してなり、必要に応じて、その他の構成を適用することができる。
前記有機電界発光ディスプレイとしては、第1の光路長調整層が光透過性樹脂材料により形成され、発光表示部がフレキシブル性を有するため、応力による割れなどが生じにくく、フレキシブルディスプレイとして用いることができる。
また、無機材料からなる第2の光路長調整層はパッシベーション層としても機能し、有機材料からなる第1の光路長調整層由来、及び外部からの水分の浸入を防ぎ、耐久性を向上させることができる。
また、前記その他の構成としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、ディスプレイに必要な事項として、公知の手段すべてを適用することができる。
(Organic electroluminescent display)
The organic electroluminescent display of the present invention comprises the organic electroluminescent device of the present invention, and other configurations can be applied as necessary.
As the organic electroluminescent display, since the first optical path length adjusting layer is formed of a light-transmitting resin material and the light-emitting display portion has flexibility, cracking due to stress is unlikely to occur and it can be used as a flexible display. .
In addition, the second optical path length adjustment layer made of an inorganic material also functions as a passivation layer, prevents moisture from entering from the first optical path length adjustment layer made of an organic material and from the outside, and improves durability. Can do.
Moreover, there is no restriction | limiting in particular as said other structure, According to the objective, it can select suitably, All the well-known means can be applied as a matter required for a display.
以下、本発明の実施例を説明するが、本発明は、これらの実施例に何ら限定されるものではない。 Examples of the present invention will be described below, but the present invention is not limited to these examples.
(実施例1)
−有機電界発光装置及び有機電界発光ディスプレイの作製−
基板上に真空蒸着法によりアルミニウムを厚み100nmに成膜し、フォトリソグラフィー法にて反射電極層(反射金属層)を形成した。
次に、反射電極層が形成された基板上にフラッシュ蒸着法にて、光透過性樹脂材料(ラジカル重合性モノマー、商品名:1,10−デカンジオールジメタアクリレート、新中村化学工業株式会社製)を厚み45nmに成膜した(光透過性樹脂材料成膜工程)。
次に、露光装置(装置名:KP364N2、大日本スクリーン株式会社製)により、一の画素領域をマスクを用いた選択的な露光を行い、光透過性樹脂層を形成した(光透過性樹脂層形成工程)。
次に、2−プロパノールにて現像を行い、厚み45nmの第1段目の第1の光路長調整層を作製した(第1の光路長調整層形成工程)。
Example 1
-Production of organic electroluminescent devices and organic electroluminescent displays-
Aluminum was deposited to a thickness of 100 nm on the substrate by vacuum deposition, and a reflective electrode layer (reflective metal layer) was formed by photolithography.
Next, a light-transmitting resin material (radical polymerizable monomer, trade name: 1,10-decanediol dimethacrylate, manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.) is formed on the substrate on which the reflective electrode layer is formed by flash vapor deposition. ) To a thickness of 45 nm (light-transmissive resin material film-forming step).
Next, by using an exposure apparatus (apparatus name: KP364N2, manufactured by Dainippon Screen Co., Ltd.), one pixel region was selectively exposed using a mask to form a light transmissive resin layer (light transmissive resin layer). Forming step).
Next, development was performed with 2-propanol to prepare a first optical path length adjusting layer of a first stage having a thickness of 45 nm (first optical path length adjusting layer forming step).
前記一の画素領域に隣接する画素領域における光路長段差を形成するため、再度、前記光透過性樹脂材料を厚み40nmに成膜した(光透過性樹脂材料成膜工程)。
次に、前記一の画素領域及び隣接する画素領域における光透過性樹脂材料に、前記と同様の選択的な露光を行い、光透過性樹脂層を形成した(光透過性樹脂層形成工程)。
次に、前記と同様に現像を行い、前記一の画素領域に対し、厚み40nmで第2段目の第1の光路長調整層を作製し、該画素領域に隣接する画素領域に対し、同厚みの第2段目の第1の光路長調整層を作製した(第1の光路長調整層形成工程)。
In order to form an optical path length step in a pixel region adjacent to the one pixel region, the light transmissive resin material was again formed to a thickness of 40 nm (light transmissive resin material film forming step).
Next, the light transmissive resin material in the one pixel region and the adjacent pixel region was subjected to selective exposure similar to the above to form a light transmissive resin layer (light transmissive resin layer forming step).
Next, development is performed in the same manner as described above, and a second optical path length adjustment layer having a thickness of 40 nm is formed for the one pixel region, and the same is applied to the pixel region adjacent to the pixel region. A first optical path length adjustment layer in the second stage of thickness was produced (first optical path length adjustment layer forming step).
前記第1段目の第1の光路長調整層、第2段目の第1の光路長調整層、及び反射金属層の上面に、ターゲットとしてホウ素ドープSi、放電ガスとしてAr、電源としてDCパルス電源を用いてプラズマ放電させ、SiO2の化学量論比になるようプラズマ発光をモニターしながら反応ガスとしてのO2の流量を制御してSiO2を成膜し、前記第1段目の第1の光路長調整層、第2段目の第1の光路長調整層、及び反射金属層の上面に、第2の光路長調整層として厚み10nmのSiO2の膜をスパッタ法により作製した(第2の光路長調整層形成工程)。 Boron-doped Si as a target, Ar as a discharge gas, and DC pulse as a power source on the top surfaces of the first optical path length adjustment layer in the first stage, the first optical path length adjustment layer in the second stage, and the reflective metal layer with power applied for plasma discharge, the SiO 2 was formed by controlling the flow rate of O 2 as a monitor while the reaction gas plasma emission so that the stoichiometric ratio of SiO 2, the first of the first stage A SiO 2 film having a thickness of 10 nm was formed as a second optical path length adjusting layer by sputtering on the upper surfaces of the first optical path length adjusting layer, the second stage first optical path length adjusting layer, and the reflective metal layer ( Second optical path length adjusting layer forming step).
前記第2の光路長調整層の上面に透明電極(ITO、IZO等よりなる。ここではITOにより形成した)を各副画素毎に電気的に分離形成した。透明電極のパターニングはシャドウマスクを用いた成膜製法を用いて行った。なお、該パターニングは、全面成膜してフォトリソグラフィー法によるパターニングでもよい。 A transparent electrode (made of ITO, IZO, etc., here formed of ITO) was electrically separated and formed for each sub-pixel on the upper surface of the second optical path length adjusting layer. The patterning of the transparent electrode was performed using a film forming method using a shadow mask. The patterning may be performed by film formation on the entire surface and patterning by a photolithography method.
前記透明電極の上面に、真空成膜装置(装置名:CM457、トッキ株式会社製)を用い、白色有機電界発光層(白色OLED)を形成した。
前記白色OLEDの上面に、半透過部材として金属電極(アルミニウム)を真空成膜製装置(装置名:CM457、トッキ株式会社製)で形成した。
A white organic electroluminescent layer (white OLED) was formed on the upper surface of the transparent electrode using a vacuum film forming apparatus (device name: CM457, manufactured by Tokki Co., Ltd.).
On the upper surface of the white OLED, a metal electrode (aluminum) was formed as a semi-transmissive member using a vacuum film-forming apparatus (apparatus name: CM457, manufactured by Tokki Co., Ltd.).
次に、OLED形成領域をガラス缶により封止し、各電極を外部の信号制御装置に接続し、実施例1における有機電界発光装置を製造した。 Next, the OLED formation region was sealed with a glass can, and each electrode was connected to an external signal control device to manufacture the organic electroluminescence device in Example 1.
前記有機電界発光装置を複数配置することで、実施例1における有機電界発光ディスプレイを作製した。
作製された実施例1の有機電界発光ディスプレイの発光状態を確認したところ、高精細なRGBの発色を確認することができた。
The organic electroluminescent display in Example 1 was produced by arranging a plurality of the organic electroluminescent devices.
When the light emitting state of the produced organic electroluminescent display of Example 1 was confirmed, high-definition RGB color development could be confirmed.
(実施例2)
−有機電界発光装置及び有機電界発光ディスプレイの作製−
実施例1において、第2の光路長調整層形成工程で、厚み10nmのSiO2層を厚み9nmのAl2O3層に変えた以外は、実施例1と同様にして、実施例2の有機電界発光装置、及び有機電界発光ディスプレイを作製した。
作製した有機電界発光ディスプレイの発光状態を確認したところ、高精細にRGBの発色を確認することができた。
(Example 2)
-Production of organic electroluminescent devices and organic electroluminescent displays-
In Example 1, in the second optical path length adjusting layer forming step, the organic of Example 2 was changed in the same manner as in Example 1 except that the SiO 2 layer having a thickness of 10 nm was changed to an Al 2 O 3 layer having a thickness of 9 nm. An electroluminescent device and an organic electroluminescent display were produced.
When the light emission state of the produced organic electroluminescent display was confirmed, the color development of RGB was able to be confirmed with high definition.
(実施例3)
−有機電界発光装置及び有機電界発光ディスプレイの作製−
実施例1において、第2の光路長調整層形成工程で、厚み10nmのSiO2層を厚み7nmのZrO2層に変えた以外は、実施例1と同様にして、実施例3の有機電界発光装置、及び有機電界発光ディスプレイを作製した。
作製した有機電界発光ディスプレイの発光状態を確認したところ、高精細にRGBの発色を確認することができた。
(Example 3)
-Production of organic electroluminescent devices and organic electroluminescent displays-
In Example 1, the organic electroluminescence of Example 3 was performed in the same manner as in Example 1 except that in the second optical path length adjusting layer forming step, the SiO 2 layer having a thickness of 10 nm was changed to a ZrO 2 layer having a thickness of 7 nm. Devices and organic electroluminescent displays were made.
When the light emission state of the produced organic electroluminescent display was confirmed, the color development of RGB was able to be confirmed with high definition.
(実施例4)
−有機電界発光装置及び有機電界発光ディスプレイの作製−
実施例1において、第2の光路長調整層形成工程で、イオンプレーティング法により窒素雰囲気下SiOを蒸着して、厚み9nmのSiON層を成膜した以外は、実施例1と同様にして、実施例4の有機電界発光装置、及び有機電界発光ディスプレイを作製した。
作製した有機電界発光ディスプレイの発光状態を確認したところ、高精細にRGBの発色を確認することができた。
Example 4
-Production of organic electroluminescent devices and organic electroluminescent displays-
In Example 1, in the second optical path length adjustment layer forming step, SiO was deposited in a nitrogen atmosphere by an ion plating method, and a SiON layer having a thickness of 9 nm was formed as in Example 1, An organic electroluminescent device and an organic electroluminescent display of Example 4 were produced.
When the light emission state of the produced organic electroluminescent display was confirmed, the color development of RGB was able to be confirmed with high definition.
(比較例1)
−有機電界発光装置及び有機電界発光ディスプレイの作製−
実施例1において、第2の光路長調整層形成工程で、SiO2層を形成しなかった以外は、実施例1と同様にして、比較例1の有機電界発光装置、及び有機電界発光ディスプレイを作製した。
作製された有機電界発光ディスプレイの発光状態を確認したところ、高精細にRGBの発色を確認することができた。
(Comparative Example 1)
-Production of organic electroluminescent devices and organic electroluminescent displays-
In Example 1, the organic electroluminescent device and the organic electroluminescent display of Comparative Example 1 were manufactured in the same manner as in Example 1 except that the SiO 2 layer was not formed in the second optical path length adjustment layer forming step. Produced.
When the light emitting state of the produced organic electroluminescent display was confirmed, RGB color development could be confirmed with high definition.
<耐久性の評価>
作製した各有機電界発光装置を、室温(25℃)で3日間放置後、及び室温(25℃)で60日間放置後に、100個の画素内に欠陥(DS:ダークスポット)が発生している割合を光学顕微鏡で観察した。
<Durability evaluation>
Defects (DS: dark spots) are generated in 100 pixels after each organic electroluminescent device produced is left at room temperature (25 ° C.) for 3 days and after left at room temperature (25 ° C.) for 60 days. The ratio was observed with an optical microscope.
本発明の有機電界発光装置の製造方法は、簡易な製造プロセスを有する有機電界発光装置の製造方法として、広く利用可能である。本発明の有機電界発光装置の製造方法により製造された有機電界発光装置は、高耐久性であり、高精細なフルカラー表示が可能であるため、携帯電話ディスプレイ、パーソナルデジタルアシスタント(PDA)、コンピュータディスプレイ、自動車の情報ディスプレイ、TVモニター、あるいは一般照明を含む広い分野で幅広い分野で応用される。 The method for producing an organic electroluminescent device of the present invention can be widely used as a method for producing an organic electroluminescent device having a simple production process. The organic electroluminescent device manufactured by the method of manufacturing an organic electroluminescent device of the present invention is highly durable and capable of high-definition full-color display. Therefore, a mobile phone display, a personal digital assistant (PDA), a computer display It is applied in a wide range of fields including automobile information displays, TV monitors, or general lighting.
1 基板
2 反射金属層
3、5 第1の光路長調整層(光透過性樹脂材料、光透過性樹脂層)
4 マスク
6 透明導電膜(陽極)
7 有機発光層
8 半透明部材
9 陰極
10 ITO膜(光路長調整層)
11 第2の光路長調整層
20 レジスト層
100、200、300、400 有機電界発光装置
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Board | substrate 2 Reflective metal layer 3, 5 1st optical path length adjustment layer (light transmissive resin material, light transmissive resin layer)
4 Mask 6 Transparent conductive film (anode)
7 Organic Light-Emitting Layer 8 Translucent Member 9 Cathode 10 ITO Film (Optical Path Length Adjustment Layer)
11 Second optical path length adjusting layer 20 Resist layer 100, 200, 300, 400 Organic electroluminescent device
Claims (12)
前記光路長調整層が、光透過性樹脂からなる第1の光路長調整層と、無機材料からなる第2の光路長調整層とを有することを特徴とする有機電界発光装置。 A reflective metal layer, a translucent member, an organic electroluminescence device having at least a light emitting layer, and an optical path length adjusting layer in at least one pixel region among a plurality of pixel regions corresponding to red, green, and blue. An organic electroluminescent device having a resonance structure that resonates light emitted from the organic electroluminescent element,
The organic electroluminescence device, wherein the optical path length adjusting layer includes a first optical path length adjusting layer made of a light-transmitting resin and a second optical path length adjusting layer made of an inorganic material.
前記成膜された光透過性樹脂材料のうち、前記一の画素領域を含む領域を硬化反応させ、光透過性樹脂層を形成する光透過性樹脂層形成工程と、
前記硬化反応後の光透過性樹脂層を現像し、第1の光路長調整層を形成する第1の光路長調整層形成工程と、
前記第1の光路長調整層と前記一の画素領域を構成する有機電界発光素子との間に無機材料からなる第2の光路長調整層を形成する第2の光路長調整層形成工程と、
を含むことを特徴とする有機電界発光装置の製造方法。 A light transmissive resin material is formed on a substrate on which a reflective metal layer and a translucent member can be disposed in at least one pixel region among a plurality of pixel regions corresponding to red, green, and blue. A resin material film forming step;
A light-transmitting resin layer forming step of forming a light-transmitting resin layer by curing a region including the one pixel region out of the formed light-transmitting resin material;
A first optical path length adjusting layer forming step of developing the light transmissive resin layer after the curing reaction and forming a first optical path length adjusting layer;
A second optical path length adjustment layer forming step of forming a second optical path length adjustment layer made of an inorganic material between the first optical path length adjustment layer and the organic electroluminescent element constituting the one pixel region;
The manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus characterized by including.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011141990A true JP2011141990A (en) | 2011-07-21 |
JP6012135B2 JP6012135B2 (en) | 2016-10-25 |
Family
ID=44457706
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---|---|---|---|
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6012135B2 (en) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013002059A1 (en) | 2011-06-27 | 2013-01-03 | 三菱樹脂株式会社 | Transition metal-containing zeolite |
US9142599B2 (en) | 2013-08-27 | 2015-09-22 | Seiko Epson Corporation | Light emitting device, method of manufacturing light emitting device, and electronic equipment |
US9269924B2 (en) | 2013-06-05 | 2016-02-23 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical apparatus, manufacturing method for electro-optical apparatus, and electronic device |
KR20160032338A (en) * | 2014-09-15 | 2016-03-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic light-emitting display apparatus and manufacturing the same |
KR20160133068A (en) * | 2015-05-11 | 2016-11-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | Display device |
US9647238B2 (en) | 2013-07-01 | 2017-05-09 | Seiko Epson Corporation | Light-emitting device and electronic apparatus |
JP2017220452A (en) * | 2016-06-06 | 2017-12-14 | セイコーエプソン株式会社 | Organic el device, method for manufacturing organic el device, and electronic instrument |
JP2018088417A (en) * | 2018-02-02 | 2018-06-07 | セイコーエプソン株式会社 | Light-emitting device, manufacturing method for the same, and electronic apparatus |
US11315981B2 (en) | 2019-07-24 | 2022-04-26 | Seiko Epson Corporation | Light-emitting device, and electronic apparatus |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006100245A (en) * | 2004-09-03 | 2006-04-13 | Stanley Electric Co Ltd | El element |
JP2007005784A (en) * | 2005-05-27 | 2007-01-11 | Fujifilm Holdings Corp | Organic el device |
JP2007073397A (en) * | 2005-09-08 | 2007-03-22 | Sony Corp | Manufacturing method of display device, and the display device |
JP2007273243A (en) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Kyocera Corp | Manufacturing method of organic el device |
JP2007299689A (en) * | 2006-05-02 | 2007-11-15 | Seiko Epson Corp | Organic electroluminescent device and electronic apparatus |
JP2009187748A (en) * | 2008-02-05 | 2009-08-20 | Toshiba Mobile Display Co Ltd | Display device |
JP2009259731A (en) * | 2008-04-21 | 2009-11-05 | Seiko Epson Corp | Light emitting device and method of manufacturing the same |
JP2009272150A (en) * | 2008-05-08 | 2009-11-19 | Seiko Epson Corp | Organic el device, electronic apparatus, and method for manufacturing of organic el device |
-
2010
- 2010-01-06 JP JP2010001480A patent/JP6012135B2/en active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006100245A (en) * | 2004-09-03 | 2006-04-13 | Stanley Electric Co Ltd | El element |
JP2007005784A (en) * | 2005-05-27 | 2007-01-11 | Fujifilm Holdings Corp | Organic el device |
JP2007073397A (en) * | 2005-09-08 | 2007-03-22 | Sony Corp | Manufacturing method of display device, and the display device |
JP2007273243A (en) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Kyocera Corp | Manufacturing method of organic el device |
JP2007299689A (en) * | 2006-05-02 | 2007-11-15 | Seiko Epson Corp | Organic electroluminescent device and electronic apparatus |
JP2009187748A (en) * | 2008-02-05 | 2009-08-20 | Toshiba Mobile Display Co Ltd | Display device |
JP2009259731A (en) * | 2008-04-21 | 2009-11-05 | Seiko Epson Corp | Light emitting device and method of manufacturing the same |
JP2009272150A (en) * | 2008-05-08 | 2009-11-19 | Seiko Epson Corp | Organic el device, electronic apparatus, and method for manufacturing of organic el device |
Cited By (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013002059A1 (en) | 2011-06-27 | 2013-01-03 | 三菱樹脂株式会社 | Transition metal-containing zeolite |
US10115778B2 (en) | 2013-06-05 | 2018-10-30 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical apparatus, manufacturing method for electro-optical apparatus, and electronic device |
US9269924B2 (en) | 2013-06-05 | 2016-02-23 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical apparatus, manufacturing method for electro-optical apparatus, and electronic device |
US10541289B2 (en) | 2013-06-05 | 2020-01-21 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical apparatus, manufacturing method for electro-optical apparatus, and electronic device |
US10991779B2 (en) | 2013-06-05 | 2021-04-27 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical apparatus, manufacturing method for electro-optical apparatus, and electronic device |
US9634067B2 (en) | 2013-06-05 | 2017-04-25 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical apparatus, manufacturing method for electro-optical apparatus, and electronic device |
US11882724B2 (en) | 2013-07-01 | 2024-01-23 | Seiko Epson Corporation | Light-emitting device and electronic apparatus |
US9647238B2 (en) | 2013-07-01 | 2017-05-09 | Seiko Epson Corporation | Light-emitting device and electronic apparatus |
US11404673B2 (en) | 2013-07-01 | 2022-08-02 | Seiko Epson Corporation | Light-emitting device and electronic apparatus |
US10608208B2 (en) | 2013-07-01 | 2020-03-31 | Seiko Epson Corporation | Light-emitting device and electronic apparatus |
US10044000B2 (en) | 2013-07-01 | 2018-08-07 | Seiko Epson Corporation | Light-emitting device and electronic apparatus |
US10957876B2 (en) | 2013-07-01 | 2021-03-23 | Seiko Epson Corporation | Light-emitting device and electronic apparatus |
US11895871B2 (en) | 2013-08-27 | 2024-02-06 | Seiko Epson Corporation | Light emitting device and electronic equipment including a light reflection layer, an insulation layer, and a plurality of pixel electrodes |
US11374077B2 (en) | 2013-08-27 | 2022-06-28 | Seiko Epson Corporation | Light emitting device and electronic equipment including a light reflection layer, an insulation layer, and a plurality of pixel electrodes |
US9142599B2 (en) | 2013-08-27 | 2015-09-22 | Seiko Epson Corporation | Light emitting device, method of manufacturing light emitting device, and electronic equipment |
US10074708B2 (en) | 2013-08-27 | 2018-09-11 | Seiko Epson Corporation | Light emitting device and electronic equipment including a light reflection layer, an insulation layer, and a plurality of pixel electrodes |
US9443919B2 (en) | 2013-08-27 | 2016-09-13 | Seiko Epson Corporation | Light emitting device and electronic equipment including a light reflection layer, and insulation layer, and a plurality of pixel electrodes |
US11557637B2 (en) | 2013-08-27 | 2023-01-17 | Seiko Epson Corporation | Light emitting device and electronic equipment including a light reflection layer, an insulation layer, and a plurality of pixel electrodes |
US10714555B2 (en) | 2013-08-27 | 2020-07-14 | Seiko Epson Corporation | Light emitting device and electronic equipment including a light reflection layer, an insulation layer, and a plurality of pixel electrodes |
KR20160032338A (en) * | 2014-09-15 | 2016-03-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic light-emitting display apparatus and manufacturing the same |
KR102310902B1 (en) * | 2014-09-15 | 2021-10-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic light-emitting display apparatus and manufacturing the same |
KR20160133068A (en) * | 2015-05-11 | 2016-11-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | Display device |
KR102402679B1 (en) * | 2015-05-11 | 2022-05-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | Display device |
JP2017220452A (en) * | 2016-06-06 | 2017-12-14 | セイコーエプソン株式会社 | Organic el device, method for manufacturing organic el device, and electronic instrument |
JP2018088417A (en) * | 2018-02-02 | 2018-06-07 | セイコーエプソン株式会社 | Light-emitting device, manufacturing method for the same, and electronic apparatus |
US11315981B2 (en) | 2019-07-24 | 2022-04-26 | Seiko Epson Corporation | Light-emitting device, and electronic apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6012135B2 (en) | 2016-10-25 |
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