JP2011029545A - Stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、ステージ装置、露光装置及びデバイス製造方法に関する。 The present invention relates to a stage apparatus, an exposure apparatus, and a device manufacturing method.
フォトリソグラフィ工程で用いられる露光装置において、特許文献1に開示されているような、液体を介して露光光で基板を露光する液浸露光装置が知られている。露光装置は、基板を保持するステージ装置を備え、そのステージ装置に保持された基板を露光する。 As an exposure apparatus used in a photolithography process, there is known an immersion exposure apparatus that exposes a substrate with exposure light through a liquid, as disclosed in Patent Document 1. The exposure apparatus includes a stage device that holds a substrate, and exposes the substrate held by the stage device.
液浸露光装置において、基板の裏面側の空間に液体が入り込んだり、その液体が基板の裏面に付着したりする可能性がある。その液体を放置しておくと、その液体の気化熱により、基板が熱変形したり、ステージ装置が熱変形したり、各種計測装置の計測結果が変動したりする可能性がある。そのような不具合が生じると、基板上に形成されるパターンに欠陥が生じる等、露光不良が発生する可能性がある。その結果、不良デバイスが発生する可能性がある。 In the immersion exposure apparatus, there is a possibility that liquid enters the space on the back side of the substrate, or the liquid adheres to the back side of the substrate. If the liquid is allowed to stand, there is a possibility that the substrate is thermally deformed, the stage device is thermally deformed, or the measurement results of various measuring devices are fluctuated due to the vaporization heat of the liquid. When such a problem occurs, there is a possibility that an exposure defect such as a defect occurs in a pattern formed on the substrate. As a result, a defective device may occur.
本発明の態様は、液体の気化熱の影響を抑制できるステージ装置を提供することを目的とする。また、本発明の態様は、露光不良の発生を抑制できる露光装置を提供することを目的とする。また、本発明の態様は、不良デバイスの発生を抑制できるデバイス製造方法を提供することを目的とする。 An object of an aspect of the present invention is to provide a stage apparatus capable of suppressing the influence of heat of vaporization of a liquid. Another object of the present invention is to provide an exposure apparatus that can suppress the occurrence of exposure failure. Moreover, the aspect of this invention aims at providing the device manufacturing method which can suppress generation | occurrence | production of a defective device.
本発明の第1の態様に従えば、液体を用いた所定の処理が実施される物体を保持して移動するステージ装置であって、保持された前記物体の周囲に設けられて上記液体を回収する液体回収溝と、上記液体回収溝の底部に設けられ、上記液体回収溝で回収した液体を、上記液体回収溝の外部に排出する排出部と、上記液体よりも比重の小さい材料で形成され、上記液体回収溝に配置されて上記液体回収溝に貯溜した上記液体の液位に応じて浮沈することにより上記排出部を開閉するフロート弁とを有する、ステージ装置が提供される。 According to the first aspect of the present invention, there is provided a stage device that holds and moves an object to be subjected to a predetermined process using a liquid, and is provided around the held object to collect the liquid. A liquid recovery groove, a bottom part of the liquid recovery groove, a discharge part for discharging the liquid recovered in the liquid recovery groove to the outside of the liquid recovery groove, and a material having a specific gravity smaller than that of the liquid. There is provided a stage device having a float valve that is disposed in the liquid recovery groove and floats and sinks according to the liquid level of the liquid stored in the liquid recovery groove to open and close the discharge part.
本発明の第2の態様に従えば、液体を用いた所定の処理が実施される物体を保持して移動するステージ装置であって、保持された上記物体の周囲に設けられて上記液体を回収する液体回収溝と、上記液体回収溝の底部に設けられ、上記液体回収溝で回収した液体を、上記液体回収溝の外部に排出する排出部と、可撓性を有し、上記液体回収溝の底部に載置されて上記排出部を覆う蓋部材とを有する、ステージ装置が提供される。 According to the second aspect of the present invention, there is provided a stage device that holds and moves an object on which a predetermined process using a liquid is performed, and is provided around the held object to collect the liquid. A liquid recovery groove that is provided at a bottom portion of the liquid recovery groove and discharges the liquid recovered in the liquid recovery groove to the outside of the liquid recovery groove; And a lid member that is placed on the bottom of the cover and covers the discharge portion.
本発明の第3の態様に従えば、液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、第1の態様あるいは第2の態様のステージ装置を備えた露光装置が提供される。 According to a third aspect of the present invention, there is provided an exposure apparatus that exposes a substrate with exposure light through a liquid, the exposure apparatus including the stage device according to the first aspect or the second aspect.
本発明の第4の態様に従えば、第3の態様の露光装置を用いたデバイス製造方法が提供される。 According to the fourth aspect of the present invention, a device manufacturing method using the exposure apparatus of the third aspect is provided.
本発明によれば、気化熱の影響を抑制できる。また本発明によれば、露光不良の発生を抑制できる。また本発明によれば、不良デバイスの発生を抑制できる。 According to the present invention, the influence of heat of vaporization can be suppressed. Further, according to the present invention, it is possible to suppress the occurrence of exposure failure. Moreover, according to the present invention, it is possible to suppress the occurrence of defective devices.
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、XYZ直交座標系を設定し、このXYZ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をX軸方向、水平面内においてX軸方向と直交する方向をY軸方向、X軸方向及びY軸方向のそれぞれと直交する方向(すなわち鉛直方向)をZ軸方向とする。また、X軸、Y軸、及びZ軸まわりの回転(傾斜)方向をそれぞれ、θX、θY、及びθZ方向とする。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings, but the present invention is not limited thereto. In the following description, an XYZ orthogonal coordinate system is set, and the positional relationship of each member will be described with reference to this XYZ orthogonal coordinate system. A predetermined direction in the horizontal plane is defined as an X-axis direction, a direction orthogonal to the X-axis direction in the horizontal plane is defined as a Y-axis direction, and a direction orthogonal to each of the X-axis direction and the Y-axis direction (that is, a vertical direction) is defined as a Z-axis direction. Further, the rotation (inclination) directions around the X axis, Y axis, and Z axis are the θX, θY, and θZ directions, respectively.
<第1実施形態>
第1実施形態について説明する。図1は、第1実施形態に係る露光装置EXの一例を示す概略構成図である。図1において、露光装置EXは、マスクMを保持して移動可能なマスクステージ1と、基板Pを保持して移動可能な基板ステージ(ステージ装置)2と、各ステージ1、2の位置情報を計測する干渉計システム7と、マスクMを露光光ELで照明する照明系ILと、露光光ELで照明されたマスクMのパターンの像を基板Pに投影する投影光学系(光学系)PLと、露光装置EX全体の動作を制御する制御装置8とを備えている。
<First Embodiment>
A first embodiment will be described. FIG. 1 is a schematic block diagram that shows an example of an exposure apparatus EX according to the first embodiment. In FIG. 1, an exposure apparatus EX includes positional information of each
また、露光装置EXは、基板Pが処理される内部空間13を形成するチャンバ装置14を備えている。チャンバ装置14は、内部空間13の環境(温度、湿度、クリーン度、及び圧力を含む)を調整可能な構成となっている。本実施形態において、チャンバ装置14は、内部空間13の圧力を、ほぼ大気圧に調整する。
In addition, the exposure apparatus EX includes a
マスクMは、基板Pに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。マスクMは、例えばガラス板等の透明板上にクロム等の遮光膜を用いて所定のパターンが形成された透過型マスクを含む。なお、マスクMとして、反射型マスクを用いることもできる。基板Pは、デバイスを製造するための基板であり、感光膜を含む。感光膜は、感光材(フォトレジスト)の膜である。 The mask M includes a reticle on which a device pattern projected onto the substrate P is formed. The mask M includes a transmission type mask in which a predetermined pattern is formed on a transparent plate such as a glass plate using a light shielding film such as chromium. A reflective mask can also be used as the mask M. The substrate P is a substrate for manufacturing a device and includes a photosensitive film. The photosensitive film is a film of a photosensitive material (photoresist).
本実施形態の露光装置EXは、液体LQを介して露光光ELで基板Pを露光する液浸露光装置である。露光装置EXは、露光光ELの光路の少なくとも一部が液体LQで満たされるように液浸空間LSを形成する液浸装置9を備えている。液浸空間LSは、液体で満たされた空間である。本実施形態においては、液体LQとして、水(純水)を用いる。
The exposure apparatus EX of the present embodiment is an immersion exposure apparatus that exposes a substrate P with exposure light EL through a liquid LQ. The exposure apparatus EX includes an
本実施形態において、液浸空間LSは、投影光学系PLの複数の光学素子のうち、投影光学系PLの像面に最も近い終端光学素子10から射出される露光光ELの光路が液体LQで満たされるように形成される。終端光学素子10は、投影光学系PLの像面に向けて露光光ELを射出する射出面11を有する。液浸空間LSは、終端光学素子10とその終端光学素子10の射出面11と対向する位置に配置された物体との間の露光光ELの光路が液体LQで満たされるように形成される。射出面11と対向する位置は、射出面11から射出される露光光ELの照射位置を含む。
In the present embodiment, the immersion space LS is such that the optical path of the exposure light EL emitted from the terminal
液浸装置9は、液体LQを保持する液浸部材20を有する。液浸部材20は、終端光学素子10の近傍に配置されている。液浸部材20は、下面12を有する。本実施形態において、射出面11と対向可能な物体は、下面12と対向可能である。物体の表面が射出面11と対向する位置に配置されたとき、下面12の少なくとも一部と物体の表面とが対向する。射出面11と物体の表面とが対向しているとき、終端光学素子10の射出面11と物体の表面との間に液体LQを保持できる。また、下面12と物体の表面とが対向しているとき、液浸部材20の下面12と物体の表面との間に液体LQを保持できる。一方側の射出面11及び下面12と、他方側の物体の表面との間に保持される液体LQによって、液浸空間LSが形成される。
The
本実施形態において、射出面11及び下面12と対向可能な物体は、露光光ELの照射位置を含む所定面内を移動可能な物体を含む。本実施形態において、その物体は、基板ステージ2、及びその基板ステージ2に保持された基板Pの少なくとも一方を含む。本実施形態において、基板ステージ2は、ベース部材6のガイド面5上を移動可能である。本実施形態においては、ガイド面5は、XY平面とほぼ平行である。基板ステージ2は、基板Pを保持して、ガイド面5に沿って、露光光ELの照射位置を含むXY平面内を移動可能である。
In the present embodiment, the object that can face the
本実施形態においては、射出面11及び下面12と対向する位置に配置された基板Pの表面の一部の領域(局所的な領域)が液体LQで覆われるように液浸空間LSが形成され、その基板Pの表面と下面12との間に液体LQの界面(メニスカス、エッジ)が形成される。すなわち、本実施形態においては、露光装置EXは、基板Pの露光時に、投影光学系PLの投影領域PRを含む基板P上の一部の領域が液体LQで覆われるように液浸空間LSを形成する局所液浸方式を採用する。
In the present embodiment, the immersion space LS is formed so that a partial region (local region) on the surface of the substrate P disposed at a position facing the
照明系ILは、所定の照明領域IRを均一な照度分布の露光光ELで照明する。照明系ILは、照明領域IRに配置されたマスクMの少なくとも一部を均一な照度分布の露光光ELで照明する。照明系ILから射出される露光光ELとして、例えば水銀ランプから射出される輝線(g線、h線、i線)及びKrFエキシマレーザ光(波長248nm)等の遠紫外光(DUV光)、ArFエキシマレーザ光(波長193nm)、及びF2レーザ光(波長157nm)等の真空紫外光(VUV光)等が用いられる。本実施形態においては、露光光ELとして、紫外光(真空紫外光)であるArFエキシマレーザ光を用いる。 The illumination system IL illuminates a predetermined illumination region IR with exposure light EL having a uniform illuminance distribution. The illumination system IL illuminates at least a part of the mask M arranged in the illumination region IR with the exposure light EL having a uniform illuminance distribution. As the exposure light EL emitted from the illumination system IL, for example, far ultraviolet light (DUV light) such as bright lines (g line, h line, i line) and KrF excimer laser light (wavelength 248 nm) emitted from a mercury lamp, ArF Excimer laser light (wavelength 193 nm), vacuum ultraviolet light (VUV light) such as F2 laser light (wavelength 157 nm), or the like is used. In the present embodiment, ArF excimer laser light, which is ultraviolet light (vacuum ultraviolet light), is used as the exposure light EL.
マスクステージ1は、マスクステージ1を移動させる第1駆動システム3と、マスクMをリリース可能に保持するマスク保持部15とを含む。本実施形態において、マスク保持部15は、マスクMのパターン形成面(下面)とXY平面とがほぼ平行となるように、マスクMを保持する。第1駆動システム3は、リニアモータ等のアクチュエータを含む。本実施形態においては、マスクステージ1は、マスク保持部15でマスクMを保持した状態で、X軸、Y軸、及びθZ方向の3つの方向に移動可能である。
The mask stage 1 includes a first drive system 3 that moves the mask stage 1 and a
投影光学系PLは、所定の投影領域PRに露光光ELを照射する。投影光学系PLは、投影領域PRに配置された基板Pの少なくとも一部に、マスクMのパターンの像を所定の投影倍率で投影する。投影光学系PLの複数の光学素子は、鏡筒PKで保持される。本実施形態の投影光学系PLは、その投影倍率が例えば1/4、1/5又は1/8等の縮小系である。なお、投影光学系PLは、等倍系及び拡大系のいずれでもよい。本実施形態においては、投影光学系PLの光軸AXは、Z軸とほぼ平行である。また、投影光学系PLは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれでもよい。また、投影光学系PLは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。 The projection optical system PL irradiates the predetermined projection region PR with the exposure light EL. The projection optical system PL projects an image of the pattern of the mask M at a predetermined projection magnification onto at least a part of the substrate P arranged in the projection region PR. The plurality of optical elements of the projection optical system PL are held by a lens barrel PK. The projection optical system PL of the present embodiment is a reduction system whose projection magnification is, for example, 1/4, 1/5, or 1/8. Note that the projection optical system PL may be either an equal magnification system or an enlargement system. In the present embodiment, the optical axis AX of the projection optical system PL is substantially parallel to the Z axis. Further, the projection optical system PL may be any of a refractive system that does not include a reflective optical element, a reflective system that does not include a refractive optical element, and a catadioptric system that includes a reflective optical element and a refractive optical element. Further, the projection optical system PL may form either an inverted image or an erect image.
基板ステージ2は、基板ステージ2を移動させる第2駆動システム4と、ステージ本体16と、ステージ本体16上に搭載され、基板Pを保持可能な基板テーブル17とを含む。ステージ本体16は、気体軸受によって、ガイド面5に非接触で支持されており、ガイド面5上をXY方向に移動可能である。基板ステージ2は、基板Pを保持した状態で、終端光学素子10の光射出側(投影光学系PLの像面側)において、射出面11及び下面12と対向する位置を含むガイド面5の所定領域内を移動可能である。
The
第2駆動システム4は、例えばリニアモータ等のアクチュエータを含み、ステージ本体16をガイド面5上でX軸、Y軸、及びθZ方向に移動可能な粗動システム4Aと、例えばボイスコイルモータ等のアクチュエータを含み、ステージ本体16に対して基板テーブル17をZ軸、θX、及びθY方向に移動可能な微動システム4Bとを有する。基板テーブル17は、粗動システム4A及び微動システム4Bを含む第2駆動システム4の作動により、基板Pを保持した状態で、X軸、Y軸、Z軸、θX、θY、及びθZ方向の6つの方向に移動可能である。
The second drive system 4 includes an actuator such as a linear motor, and a
干渉計システム7は、XY平面内におけるマスクステージ1及び基板ステージ2のそれぞれの位置情報を計測する。干渉計システム7は、XY平面内におけるマスクステージ1の位置情報を計測するレーザ干渉計7Aと、XY平面内における基板ステージ2の位置情報を計測するレーザ干渉計7Bとを備えている。レーザ干渉計7Aは、マスクステージ1に配置された反射面1Rに計測光を照射し、その反射面1Rを介した計測光を用いて、X軸、Y軸、及びθZ方向に関するマスクステージ1(マスクM)の位置情報を計測する。
レーザ干渉計7Bは、基板ステージ2(基板テーブル17)に配置された反射面2Rに計測光を照射し、その反射面2Rを介した計測光を用いて、X軸、Y軸、及びθZ方向に関する基板ステージ2(基板P)の位置情報を計測する。
The
The laser interferometer 7B irradiates measurement light onto the
また、本実施形態においては、基板ステージ2に保持された基板Pの表面の位置情報を検出するフォーカス・レベリング検出システム(不図示)が配置されている。フォーカス・レベリング検出システムは、Z軸、θX、及びθY方向に関する基板Pの表面の位置情報を検出する。
In the present embodiment, a focus / leveling detection system (not shown) for detecting position information on the surface of the substrate P held on the
基板Pの露光時、マスクステージ1の位置情報がレーザ干渉計7Aで計測され、基板ステージ2の位置情報がレーザ干渉計7Bで計測される。制御装置8は、レーザ干渉計7Aの計測結果に基づいて、第1駆動システム3を作動し、マスクステージ1に保持されているマスクMの位置制御を実行する。また、制御装置8は、レーザ干渉計7Bの計測結果及びフォーカス・レベリング検出システムの検出結果に基づいて、第2駆動システム4を作動し、基板ステージ2に保持されている基板Pの位置制御を実行する。
When the substrate P is exposed, the position information of the mask stage 1 is measured by the
本実施形態の露光装置EXは、マスクMと基板Pとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクMのパターンの像を基板Pに投影する走査型露光装置である。基板Pの露光時、制御装置8は、マスクステージ1及び基板ステージ2を制御して、マスクM及び基板Pを、露光光ELの光路(光軸AX)と交差するXY平面内の所定の走査方向に移動する。本実施形態においては、基板Pの走査方向(同期移動方向)をY軸方向とし、マスクMの走査方向(同期移動方向)もY軸方向とする。制御装置8は、基板Pを投影光学系PLの投影領域PRに対してY軸方向に移動するとともに、その基板PのY軸方向への移動と同期して、照明系ILの照明領域IRに対してマスクMをY軸方向に移動しつつ、投影光学系PLと基板P上の液浸空間LSの液体LQとを介して基板Pに露光光ELを照射する。これにより、基板Pは露光光ELで露光され、マスクMのパターンの像が基板Pに投影される。
The exposure apparatus EX of the present embodiment is a scanning exposure apparatus that projects an image of the pattern of the mask M onto the substrate P while moving the mask M and the substrate P in synchronization with each other in a predetermined scanning direction. At the time of exposure of the substrate P, the control device 8 controls the mask stage 1 and the
次に、図1及び図2を参照しながら、液浸装置9及び基板ステージ2について説明する。図2は、液浸装置9及び基板ステージ2の近傍を示す側断面図である。
Next, the
液浸部材20は、環状の部材である。液浸部材20は、終端光学素子10の周囲に配置されている。図2に示すように、液浸部材20は、射出面11と対向する位置に露光光ELが通過する開口9Kを有する。液浸部材20は、液体LQを供給可能な供給口21と、液体LQを回収可能な回収口22とを備えている。
The
供給口21は、液浸空間LSを形成するために、液体LQを供給可能である。
供給口21は、露光光ELの光路の近傍において、その光路に面するように液浸部材20の所定位置に配置されている。供給口21は、流路23を介して、液体供給装置24と接続されている。液体供給装置24は、清浄で温度調整された液体LQを送出可能である。流路23は、液浸部材20の内部に形成された供給流路、及びその供給流路と液体供給装置24とを接続する供給管で形成される流路を含む。液体供給装置24から送出された液体LQは、流路23を介して供給口21に供給される。
The
The
回収口22は、液浸部材20の下面12と対向する物体上の液体LQの少なくとも一部を物体の上方から回収可能である。本実施形態においては、回収口22は、開口9Kの周囲に配置されている。回収口22は、物体の表面と対向可能な液浸部材20の所定位置に配置されている。回収口22には、複数の孔(openingsあるいはpores)を含むプレート状の多孔体からなる多孔部材25が配置されている。多孔部材25は、網目状に多数の小さい孔が形成されたメッシュフィルタを含む。本実施形態において、液浸部材20の下面12は、多孔部材25の下面を含む。回収口22は、流路26を介して、第1液体回収装置27と接続されている。第1液体回収装置27は、真空システムを含み、液体LQを吸引して回収可能である。流路26は、液浸部材20の内部に形成された回収流路、及びその回収流路と第1液体回収装置27とを接続する回収管で形成される流路を含む。回収口22から回収された液体LQは、流路26を介して、第1液体回収装置27に回収される。
The
本実施形態においては、制御装置8は、液体供給装置24による液体供給動作と並行して、第1液体回収装置27による液体回収動作を実行することによって、終端光学素子10及び液浸部材20と、終端光学素子10及び液浸部材20と対向する物体との間に液体LQで液浸空間LSを形成可能である。基板Pの露光時、終端光学素子10の射出面11から射出される露光光ELの光路が液体LQで満たされるように、液浸部材20と基板Pとの間で液体LQが保持される。
In the present embodiment, the control device 8 executes the liquid recovery operation by the first liquid recovery device 27 in parallel with the liquid supply operation by the
基板テーブル17は、基板Pを保持する第1保持部31を備えている。また、本実施形態においては、基板テーブル17は、第1保持部31の周囲に第2保持部32を備えている。第1保持部31は、基板Pの裏面(下面)と対向し、基板Pの裏面を保持する。第2保持部32は、プレート部材Tの裏面(下面)と対向し、プレート部材Tの裏面を保持する。
The substrate table 17 includes a
基板テーブル17は、基材18を有する。第1保持部31及び第2保持部32のそれぞれは、基板Pの裏面及びプレート部材Tの裏面と対向可能な基材18の上面19に設けられている。
The substrate table 17 has a
プレート部材Tは、基板Pを配置可能な開口THを有する。第2保持部32に保持されたプレート部材Tは、第1保持部31に保持された基板Pの周囲に配置される。
The plate member T has an opening TH in which the substrate P can be disposed. The plate member T held by the
本実施形態において、基板Pの表面は、液体LQに対して撥液性である。図2に示すように、本実施形態においては、基板Pは、例えばシリコンウエハのような半導体ウエハ等の基材Wと、基材W上に形成された感光膜Rgとを含む。本実施形態において、基板Pの表面は、感光膜Rgの表面を含む。本実施形態において、感光膜Rgは、液体LQに対して撥液性である。液体LQに対する基板Pの表面の接触角は、例えば90度以上である。なお、基板Pの表面が、感光膜Rgを覆う保護膜で形成されてもよい。保護膜は、トップコート膜とも呼ばれる膜であり、感光膜Rgを液体LQから保護する。 In the present embodiment, the surface of the substrate P is liquid repellent with respect to the liquid LQ. As shown in FIG. 2, in the present embodiment, the substrate P includes a base material W such as a semiconductor wafer such as a silicon wafer and a photosensitive film Rg formed on the base material W. In the present embodiment, the surface of the substrate P includes the surface of the photosensitive film Rg. In the present embodiment, the photosensitive film Rg is liquid repellent with respect to the liquid LQ. The contact angle of the surface of the substrate P with respect to the liquid LQ is, for example, 90 degrees or more. The surface of the substrate P may be formed with a protective film that covers the photosensitive film Rg. The protective film is a film also called a top coat film, and protects the photosensitive film Rg from the liquid LQ.
本実施形態において、プレート部材Tの表面は、液体LQに対して撥液性である。
図2に示すように、本実施形態においては、プレート部材Tは、ステンレス等の金属製の基材Tbと、その基材Tb上に形成された撥液性材料の膜Tfとを含む。本実施形態において、プレート部材Tの表面は、撥液性材料の膜Tfの表面を含む。撥液性材料としては、例えばPFA(Tetra fluoro ethylene-perfluoro alkylvinyl ether copolymer)、PTFE(Poly tetra fluoro ethylene)、PEEK(polyetheretherketone)、テフロン(登録商標)等が挙げられる。なお、プレート部材T自体が撥液性材料で形成されてもよい。本実施形態において、液体LQに対するプレート部材Tの表面の接触角は、例えば90度以上である。
In the present embodiment, the surface of the plate member T is liquid repellent with respect to the liquid LQ.
As shown in FIG. 2, in this embodiment, the plate member T includes a base material Tb made of metal such as stainless steel and a film Tf of a liquid repellent material formed on the base material Tb. In the present embodiment, the surface of the plate member T includes the surface of the film Tf of the liquid repellent material. Examples of the liquid repellent material include PFA (Tetrafluoroethylene-perfluoroalkylvinylether copolymer), PTFE (Polytetrafluoroethylene), PEEK (polyetheretherketone), and Teflon (registered trademark). The plate member T itself may be formed of a liquid repellent material. In the present embodiment, the contact angle of the surface of the plate member T with respect to the liquid LQ is, for example, 90 degrees or more.
本実施形態において、第1保持部31は、所謂、ピンチャック機構を含み、基板Pをリリース可能に保持する。本実施形態において、第1保持部31は、基材18の上面19に配置され、基板Pの裏面を支持する複数の第1支持部33と、上面19において第1支持部33の周囲に配置され、基板Pの裏面と対向する環状の上面を有する第1リム部34と、上面19において第1リム部34の内側に配置され、気体を吸引する第1吸引口35とを含む。複数の第1支持部33のそれぞれは、ピン状(凸状)である。第1リム部34は、基板Pの外形とほぼ同形状の環状に形成されている。第1リム部34の上面は、基板Pの裏面の周縁領域(エッジ領域)と対向する。第1吸引口35は、第1リム部34の内側の上面19に複数設けられている。第1吸引口35のそれぞれは、真空システム等を含む吸引装置(不図示)に接続されている。制御装置8は、吸引装置を用いて、基板Pの裏面と第1リム部34と基材18とで囲まれた第1空間の気体を第1吸引口35を介して排気して、その第1空間を負圧にすることによって、基板Pを第1支持部33で吸着保持する。また、第1吸引口35に接続された吸引装置による吸引動作を停止することにより、第1保持部31より基板Pをリリースすることができる。
In the present embodiment, the
第2保持部32も、所謂、ピンチャック機構を含み、プレート部材Tをリリース可能に保持する。本実施形態において、第2保持部32は、上面19において第1リム部34の周囲に配置され、プレート部材Tの裏面と対向する環状の上面を有する第2リム部36と、上面19において第2リム部36の周囲に配置され、プレート部材Tの裏面と対向する環状の上面を有する第3リム部37と、第2リム部36と第3リム部37との間の上面19に配置され、プレート部材Tの裏面を支持する複数の第2支持部38と、第2リム部36と第3リム部37との間の上面19に配置され、気体を吸引する第2吸引口39とを含む。複数の第2支持部38のそれぞれは、ピン状(凸状)である。第2リム部36の上面は、開口TH近傍のプレート部材Tの裏面の内縁領域(内側のエッジ領域)と対向する。
第3リム部37の上面は、プレート部材Tの裏面の外縁領域(外側のエッジ領域)と対向する。第2吸引口39は、第2リム部36と第3リム部37との間の上面19に複数設けられている。第2吸引口39のそれぞれは、真空システムを含む吸引装置(不図示)に接続されている。制御装置8は、吸引装置を用いて、プレート部材Tの裏面と第2リム部36と第3リム部37と基材18とで囲まれた第2空間の気体を第2吸引口39を介して排気して、その第2空間を負圧にすることによって、プレート部材Tを第2支持部38で吸着保持する。また、第2吸引口39に接続された吸引装置による吸引動作を停止することにより、第2保持部32よりプレート部材Tをリリースすることができる。なお、プレート部材Tを第2保持部32で着脱可能に保持する代わりに、第1保持部31に保持された基板Pの表面と同一高さとなる平坦部を基材18自体に形成しても構わない。
The
The upper surface of the
本実施形態において、第1保持部31は、基板Pの表面とXY平面とがほぼ平行となるように、基板Pを保持する。第2保持部32は、プレート部材Tの表面とXY平面とがほぼ平行となるように、プレート部材Tを保持する。本実施形態においては、第1保持部31に保持された基板Pの表面と、第2保持部32に保持されたプレート部材Tの表面とは、ほぼ同一平面内に配置される(ほぼ面一である)。基板Pの表面及びプレート部材Tの表面は、射出面11及び下面12と対向可能である。本実施形態においては、プレート部材Tの表面は、射出面11及び下面12と対向可能な基板ステージ2(基板テーブル17)の上面を含む。
In the present embodiment, the
また、本実施形態において、第1保持部31に保持された基板Pの表面(エッジ)と、第2保持部32に保持されたプレート部材Tの表面(内側エッジ)との間に、所定のギャップGが形成される。本実施形態においては、図2に示すように供給口21からの液体LQで形成された液浸空間LSが、基板Pの表面とプレート部材Tの表面とに跨って形成される場合がある。すなわち、本実施形態においては、ギャップG上に液浸空間LSが形成されることがある。本実施形態においては、供給口21から供給された液体LQが、その液体LQの表面張力によりギャップGに浸入しないように、ギャップGのサイズが定められている。ギャップGのサイズは、例えば、1mm以下である。ギャップGを形成する一方側の基板Pの表面、及び他方側のプレート部材Tの表面のそれぞれが、液体LQに対して撥液性であり、ギャップGのサイズを最適化することによって、ギャップGからの液体LQの浸入が抑制される。
Further, in the present embodiment, a predetermined gap is provided between the surface (edge) of the substrate P held by the
なお、基板Pの表面の周縁領域が撥液性でない場合もあり、その場合には、ギャップGから液体LQの浸入が抑制されない場合もある。
以下、本実施形態の基板テーブル17に設けられたギャップGから浸入した液体LQを排液する構造について、図1〜図4を参照して説明する。図3は、基板テーブル17を模式的に示す平面図である。図4は、基板テーブル17の要部を示す側断面図である。
Note that the peripheral region on the surface of the substrate P may not be liquid repellent, and in that case, the intrusion of the liquid LQ from the gap G may not be suppressed.
Hereinafter, a structure for draining the liquid LQ that has entered through the gap G provided in the substrate table 17 of the present embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 3 is a plan view schematically showing the substrate table 17. FIG. 4 is a side sectional view showing a main part of the substrate table 17.
基板テーブル17は、基板テーブル17(第1保持部31)に保持された基板Pの周囲に形成されたギャップGからリークした液体LQを回収するための溝部40(液体回収溝)を備えている。本実施形態の溝部40は、ギャップGからリークした液体LQを受ける第1溝部41と、第1溝部41で受けた液体LQを回収して所定量貯溜する第2溝部42とを有する。
The substrate table 17 includes a groove portion 40 (liquid recovery groove) for recovering the liquid LQ leaked from the gap G formed around the substrate P held by the substrate table 17 (first holding portion 31). . The
上述のように、ギャップGのサイズが最適化され、ギャップGへの液体LQが入り込むことが抑制されているものの、ギャップGからギャップGの下方空間に液体LQが入り込む可能性がある。基板Pの表面及びプレート部材Tの表面に供給された液体LQは、液浸装置9の回収口22により回収可能であるが、一方で、ギャップGからギャップGの下方空間に浸入した液体LQを、回収口22で回収することが困難である。本実施形態においては、基板テーブル17に溝部40が配置されているので、ギャップGから基板Pの裏面側の空間に浸入した液体LQを、溝部40で受けて回収することができる。
As described above, although the size of the gap G is optimized and the liquid LQ is prevented from entering the gap G, the liquid LQ may enter the space below the gap G from the gap G. The liquid LQ supplied to the surface of the substrate P and the surface of the plate member T can be recovered by the
第1溝部41は、基材18の上面19の所定領域に配置されている。本実施形態において、第1溝部41は、第1リム部34の周囲に配置されている。より詳しくは、本実施形態の第1溝部41は、第1保持部31の第1リム部34と、第2保持部32の第2リム部36との間に配置されている。図3に示すように、XY平面内において、第1溝部41は、リング状である。
The
本実施形態において、第1溝部41は、基板Pの裏面の周縁領域(エッジ領域)、及びプレート部材Tの裏面の内縁領域(内側のエッジ領域)と対向する位置に配置される。すなわち、本実施形態において、第1溝部41は、ギャップGの下方に配置されている。換言すれば、第1溝部41は、ギャップGと面するように配置されている。
In the present embodiment, the
第2溝部42は、第1溝部41の所定領域に配置されている。すなわち、本実施形態において、第2溝部42は、第1リム部34の周囲に配置されている。より詳しくは、本実施形態の第2溝部42は、第1保持部31の第1リム部34と、第2保持部32の第2リム部36との間に配置されている。
The
本実施形態において、第2溝部42は、基板Pの裏面の周縁領域(エッジ領域)、及びプレート部材Tの裏面の内縁領域(内側のエッジ領域)と対向する位置に配置される。すなわち、本実施形態において、第2溝部42は、ギャップGの下方に配置されている。換言すれば、第2溝部42は、ギャップGと面するように配置されている。
In the present embodiment, the
本実施形態において、第2溝部42は、図3に示すように、リング状の第1溝部41の底部41aに等間隔で複数配置されている。第2溝部42は、第1溝部41の底部41aから鉛直下方に所定距離掘り込まれたホール状の溝である。第2溝部42は、第1溝部41の底部41aにおいて開口し、該開口から流れ落ちた液体LQを回収して所定量貯溜可能な構成となっている。なお、第2溝部42の開口は、係止部43(後述、図4参照)により所定量絞られている。
In the present embodiment, as shown in FIG. 3, a plurality of
本実施形態の溝部40には、液体LQを第2溝部42に誘導する液体誘導部44が設けられている。液体誘導部44は、隣り合う第2溝部42に跨るように、第1溝部41の底部41aに複数敷設されている。また、液体誘導部44の端部は、第2溝部42の側壁に接するように、第2溝部42の内部まで延在している。液体誘導部44は、多数の孔(pore)を有する親液性の多孔部材から形成されており、第1溝部41で受けた液体LQを吸収して第2溝部42の開口に誘導する構成となっている。
本実施形態の液体誘導部44は、多孔体セラミックスから形成されている。なお、液体誘導部44を形成する多孔体は、多数の孔(pore)を有する素材であれば、多孔体プラスチック、多孔体金属(例えば、焼結金属、発泡金属)などを用いてもよい。
In the
The
図4に示すように、第2溝部42の底部42aには、第2溝部42で回収した液体LQを、第2溝部42の外部に排出する排出孔(排出部)45が設けられている。本実施形態の排出孔45は、第2溝部42の底部42aから鉛直下方に所定距離延在している。排出孔45は、第2溝部42と内部流路46との間を連通させ、底部42aから液体LQを内部流路46に排出する構成となっている。
As shown in FIG. 4, the
内部流路46は、基板テーブル17(基材18)の内部に設けられている。内部流路46は、排出孔45の下端部と連通して排出孔45から排出された液体LQを受ける第1内部流路47と、第1内部流路47内の液体LQを基板テーブル17の−Y側の側面の所定位置まで導く第2内部流路48とを有する。第1内部流路47は、図3に示すように、XY平面内において、第1溝部41と略同径のリング状となっている。
The
第2内部流路48は、第1内部流路47の底部の一部と連通している。また、第2内部流路48は、第1内部流路47よりも低い高さ関係を有する。すなわち、本実施形態の内部流路46によれば、第1内部流路47で受けた液体LQが、自重によって第2内部流路48に流出可能な構成となっている。第2内部流路48は、基板テーブル17の−Y側の側面の所定位置において第2液体回収装置49と接続されている。第2液体回収装置49は、真空システム(不図示)及び第2内部流路48と接続される排液回収管50を含む。第2液体回収装置49は、内部流路46と連通し、内部流路46を介して液体LQを吸引可能な構成となっている。
The second
第2溝部42には、図4に示すように、第2溝部42に貯溜した液体LQの液位に応じて浮沈することにより排出孔45を開閉するフロート弁51が配置されている。また、第2溝部42には、フロート弁51の浮上方向の移動を規制する係止部43が設けられている。係止部43は、第2溝部42の開口を所定量絞ることによって、第2溝部42から第1溝部41へのフロート弁51の移動を規制する(図4左側に示すフロート弁51参照)。また、係止部43は、第2溝部42の開口を所定量絞ることによって、第2溝部42内に液体LQを所定量貯溜させる貯溜空間Sを形成する。
As shown in FIG. 4, the
フロート弁51は、貯溜空間Sに配置されている。フロート弁51は、液体LQよりも比重の小さい材料から形成されている。本実施形態の液体LQは水(純水)であるため、本実施形態のフロート弁51は、比重が0.9程度のポリエチレンやポリプロピレンなどの樹脂材から形成されている。なお、本実施形態の液体LQは、水(純水)であるが、他の液体を用いる場合は液体LQの比重が異なってくるので、選択した液体の比重に応じて、フロート弁51の材料を適宜選択するのが好ましい。
The
フロート弁51は、第2溝部42に貯溜した液体LQの液位に応じて、係止部43と底部42aとの間を第2溝部42に沿ってZ軸方向に移動する。より詳しくは、フロート弁51は、排出孔45を閉塞して第2溝部42に液体LQを所定液位まで貯溜させる閉塞位置(図4右側に示すフロート弁51参照)と、該所定液位を超えた場合に閉塞位置から浮上して排出孔45を開放する開放位置(図4中央あるいは左側に示すフロート弁51参照)との間を移動可能な構成となっている。
The
本実施形態のフロート弁51は略円板状となっており、底部42aと対向する一方の面52aが、排出孔45が設けられる位置を含むように底部42aと接触可能な構成となっている。また、フロート弁51の他方の面52bには、第2溝部42の開口を囲うように係止部43の裏側(−Z側)と接触可能な凸部53が立設されている。凸部53は、リング状である。また、凸部53は、立設方向に向かうにつれて先細りとなっている。
The
次に、上述の構成を有する露光装置EXの動作の一例について説明する。
制御装置8は、所定の搬送装置を用いて、露光前の基板Pを第1保持部31にロードする。基板Pは、第1保持部31に保持される。また、基板Pが保持される前の所定のタイミングで、プレート部材Tが第2保持部32に保持される。
Next, an example of the operation of the exposure apparatus EX having the above-described configuration will be described.
The control device 8 loads the substrate P before exposure onto the
制御装置8は、第1保持部31に保持されている基板Pを液浸露光するために、一方側の終端光学素子10及び液浸部材20と、他方側の基板P及びプレート部材Tの少なくとも一方との間に液体LQで液浸空間LSを形成する。これにより、終端光学素子10と基板Pとの間の露光光ELの光路が液体LQで満たされる。
In order to perform immersion exposure on the substrate P held by the
露光光ELの光路が液体LQで満たされた状態で、制御装置8は、照明系ILより露光光ELを射出する。照明系ILより射出された露光光ELは、マスクMを照明する。
マスクMを介した露光光ELは、投影光学系PL及び液浸空間LSの液体LQを介して、基板Pに照射される。これにより、マスクMのパターンの像が基板Pに投影され、基板Pは露光光ELで露光される。
In a state where the optical path of the exposure light EL is filled with the liquid LQ, the control device 8 emits the exposure light EL from the illumination system IL. The exposure light EL emitted from the illumination system IL illuminates the mask M.
The exposure light EL that has passed through the mask M is irradiated onto the substrate P via the projection optical system PL and the liquid LQ in the immersion space LS. Thereby, the pattern image of the mask M is projected onto the substrate P, and the substrate P is exposed with the exposure light EL.
ギャップG上に液浸空間LSが形成された場合、ギャップGから液体LQが浸入する可能性がある。本実施形態においては、ギャップGから浸入した液体LQは、ギャップGと面するように配置された溝部40に向かって流れ落ちる。溝部40の第2溝部42に対応する位置に流れ落ちた液体LQは、直ちに第2溝部42に回収・貯溜される。一方、溝部40の第1溝部41に対応する位置に流れ落ちた液体LQは、液体誘導部44により第2溝部42まで誘導されて、第2溝部42に回収・貯溜される。
When the immersion space LS is formed on the gap G, the liquid LQ may enter from the gap G. In the present embodiment, the liquid LQ that has entered from the gap G flows down toward the
すなわち、溝部40の第1溝部41に対応する位置に流れ落ちた液体LQは、底部41aに敷設された液体誘導部44に接触する。液体誘導部44に接触した液体LQは、多孔部材からなる液体誘導部44の内部に吸収される。液体誘導部44の内部に吸収された液体LQは、毛細管力により液体誘導部44内を流通する。そして、液体LQは、第2溝部42の内部まで延在している液体誘導部44の端部まで流通し、自重により液体誘導部44の端部から滴下して第2溝部42に回収される。
That is, the liquid LQ that has flowed down to a position corresponding to the
本実施形態の液体誘導部44は、第1溝部41から第2溝部42への液体LQの誘導だけでなく、図4左側に示すように、ある特定の第2溝部42において液体LQの容量オーバーが生じた際に、その特定の第2溝部42から隣り合う第2溝部42への余剰の液体LQの誘導を行う。
すなわち、本実施形態の液体誘導部44は隣り合う第2溝部42に跨るように設けられるため、特定の第2溝部42が容量オーバーした際に生じる余剰の液体LQは、その特定の第2溝部42の内部に延在する液体誘導部44の一端部から、毛細管力により吸い上げられ、まだ容量に余裕のある隣の第2溝部42の内部に延在する液体誘導部44の他端部まで誘導される。なお、誘導した先の第2溝部42が容量オーバーしていた場合は、さらに隣の第2溝部42まで、液体LQが誘導される。このため、液体LQが第1溝部41に残留することなく、ギャップGから浸入した液体LQは、すべて第2溝部42に回収される。
The
That is, since the
したがって、本実施形態によれば、ギャップGから浸入した液体LQが、例えば第1リム部34と第2リム部36との間の空間に残留したり、基板Pの裏面と第1保持部31との間へ浸入したり、基板Pの裏面及び第1保持部31の少なくとも一方に残留したり、プレート部材Tの裏面と第2保持部32との間へ浸入したり、プレート部材Tの裏面及び第2保持部32の少なくとも一方に残留したりすることを抑制することができる。また、本実施形態によれば、溝部40の第1溝部41に対応する位置に流れ落ちた液体LQは液体誘導部44の内部に吸収されるため、基板ステージ2の加減速時(例えばステップ時)における液体LQの跳ね上がりを防止することができる。
Therefore, according to the present embodiment, the liquid LQ that has entered through the gap G remains, for example, in the space between the
第2溝部42には、フロート弁51が配置されている。フロート弁51は、液体LQが排出孔45から排出されるのを許容し、気体(外気)が排出孔45から排出されるのを規制する、気液分離を実施する。
フロート弁51は、第2溝部42(貯溜空間S)に流れ落ち貯溜された液体LQが所定液位を超えるまで、閉塞位置に位置する。閉塞位置に位置するフロート弁51は、底部42aと接触して排出孔45を閉塞する。そして、貯溜された液体LQが所定液位を超えると、液体LQより比重の小さいフロート弁51は、浮力によって閉塞位置から開放位置に移動する。開放位置に位置するフロート弁51は、底部42aから離間することで排出孔45を開放する。排出孔45が開放されると、第2溝部42に貯溜された液体LQは、自重により底部42aの排出孔45から排出され、基板テーブル17内部に設けられた内部流路46に流入する。排出孔45からの液体LQの排出により第2溝部42における液体LQの液位が下がると、フロート弁51は、該液位と共に下がり、液体LQが完全に排出される前に底部42aと接して排出孔45を閉塞する。このため、排出孔45からの気体の排出を規制し、液体LQのみを排出することができる。
A
The
したがって、本実施形態によれば、排出孔45からの気体の排出を規制し、排出孔45から液体LQのみを排出することができるので、液体LQの気化が抑制され、その気化に起因する悪影響を効果的に抑制することができる。例えば、排出孔45から液体LQと気体とが共に排出される場合、内部流路46に気体が流入するため、液体LQが内部流路46において気化しやすくなり、気化熱が発生する可能性が高くなる。一方で、排出孔45から液体LQのみが排出された場合、内部流路46に気体が流入せず、内部流路46においては直ちに飽和状態に達する。したがって、液体LQが、内部流路46において気化しにくくなり、気化熱の発生を抑制することができる。すなわち、本実施形態においては、排出孔45から液体LQと共に気体が排出されないようにしているので、ギャップGから浸入した液体LQの気化によって基板Pが温度変化したり、プレート部材Tが温度変化したり、基材18が温度変化したりすることを効果的に抑制することができる。
Therefore, according to this embodiment, since the discharge of the gas from the
内部流路46に流入した液体LQは、制御装置8の制御の下、所定タイミングで駆動される第2液体回収装置49により回収される。制御装置8は、例えば、基板Pの露光が終了した後、所定の搬送装置を用いて、露光後の基板Pを第1保持部31からアンロードする際に、第2液体回収装置49を駆動させて内部流路46に流入した液体LQを回収させる。なお、第2液体回収装置49の駆動タイミングは、基板Pの露光中であってもよいが、振動などの影響を考慮すると、基板Pの露光が終了した後であることが好ましい。
The liquid LQ that has flowed into the
以上説明したように、本実施形態によれば、液体LQを用いた液浸露光が実施される基板Pを保持して移動する基板ステージ2であって、保持された基板Pの周囲に設けられて液体LQを回収する第2溝部42と、第2溝部42の底部42aに設けられ、第2溝部42で回収した液体LQを、第2溝部42の外部に排出する排出孔45と、液体LQよりも比重の小さい材料で形成され、第2溝部42に配置されて第2溝部42に貯溜した液体LQの液位に応じて浮沈することにより排出孔45を開閉するフロート弁51とを有するという構成を採用することによって、液体LQの気化熱の影響を抑制することができる。したがって、露光不良の発生を抑制でき、不良デバイスの発生を抑制することができる。
As described above, according to this embodiment, the
<第2実施形態>
次に、本発明の第2実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
図5は、第2実施形態に係る基板テーブル17の要部を示す側断面図である。なお、図5は、図4における側断面図と同様の部位を示す。
Second Embodiment
Next, a second embodiment of the present invention will be described. In the following description, the same or equivalent components as those of the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is simplified or omitted.
FIG. 5 is a side sectional view showing the main part of the substrate table 17 according to the second embodiment. 5 shows the same part as the side sectional view in FIG.
第2実施形態の第2溝部には、フロート弁51の移動をガイドするガイド部60が設けられている。第2実施形態のガイド部60は、円柱状であり、第2溝部42の底部42aの中央部に立設されている。このガイド部60は、貯溜空間Sを超えない範囲で底部42aから鉛直上方に所定距離延在している。図5に示すフロート弁51の中央部には、ガイド部60が挿通可能な貫通孔54が形成されている。そして、フロート弁51は、第2溝部42において、貫通孔54がガイド部60に挿通された状態で配置されている。なお、図5に示すように、排出孔45の設置位置は、ガイド部60の設置位置を避けた位置に変更されている。
A
この構成によれば、フロート弁51が、ガイド部60に沿ってZ軸方向に移動可能となるため、一定の姿勢で浮沈することが可能となる。したがって、この構成によれば、フロート弁51が開放位置から閉塞位置に移動する際に姿勢が乱れて、フロート弁51がひっくり返ったり、第2溝部42の側壁に貼り付いてしまうなどの懸念を解消することができる。すなわち、第2実施形態によれば、フロート弁51が適切に排出孔45を閉塞でき、排出孔45からの気体の排出を確実に規制することが可能となる。
According to this configuration, the
<第3実施形態>
次に、本発明の第3実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
図6は、第3実施形態に係る基板テーブル17の要部を示す側断面図である。なお、図6は、図4における側断面図と同様の部位を示す。
<Third Embodiment>
Next, a third embodiment of the present invention will be described. In the following description, the same or equivalent components as those of the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is simplified or omitted.
FIG. 6 is a side sectional view showing the main part of the substrate table 17 according to the third embodiment. 6 shows the same part as the side sectional view in FIG.
第3実施形態の液体誘導部44は、第2溝部42の開口の全体を覆うように設けられている。この構成によれば、多孔部材から形成された液体誘導部44を透過した液体LQのみが第2溝部42に導かれる。また、この構成によれば、第2溝部42への気体(外気)の流入を抑制でき、第2溝部42に貯溜された液体LQが気化することによる気化熱の影響を抑制することができる。なお、この第3実施形態では、液体誘導部44が第2溝部42の開口を覆うことで、上述の実施形態の係止部43の代わりに、フロート弁51の浮上方向の移動を規制する構成となっている。
The
第3実施形態のフロート弁51は、底部42aと対向する一方の面52aが他方の面52bよりも大きく、一方の面52aから他方の面52bに向かうにつれて漸次径が小さくなる円錐台状となっている。フロート弁51の面52aの中央部には、円柱状のガイド部60が接続されている。第3実施形態のガイド部60は、排出孔45に遊嵌しつつフロート弁51と一体的に移動することにより、フロート弁51の移動をガイドする構成となっている。このガイド部60は、フロート弁51が浮いた際にも一定の姿勢を維持できるように、SUSやチタンなどのフロート弁51よりも重い金属材から形成されている。
The
また、第3実施形態においては、フロート弁51が排出孔45を閉塞した際に、フロート弁51と排出孔45との間を液密にシールするシール部61が設けられている。シール部61は、フロート弁51と底部42aとが接触する接触部に設けられている。なお、本実施形態のシール部61は、リング状のゴムパッキンからなり、排出孔45の周囲を囲うように底部42aに設けられている。
Further, in the third embodiment, there is provided a
すなわち、第3実施形態によれば、ガイド部60と排出孔45とが遊嵌することにより、フロート弁51が、排出孔45に沿ってZ軸方向に移動可能となるため、一定の姿勢で浮沈することが可能となる。なお、ガイド部60は、排出孔45に遊嵌した状態で移動するので、ガイド部60が排出孔45を閉塞することはない。さらに、シール部61は、フロート弁51が排出孔45を閉塞した際に、フロート弁51と排出孔45との間を液密にシールするため、液漏れすることなく第2溝部42に所定量の液体LQを貯溜させることが可能となる。
That is, according to the third embodiment, since the
<第4実施形態>
次に、本発明の第4実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
図7は、第4実施形態に係る液体誘導部44を示す斜視図である。図8は、第4実施形態に係る基板テーブル17の要部を示す側断面図である。なお、図8は、図4における側断面図と同様の部位を示す。
<Fourth embodiment>
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described. In the following description, the same or equivalent components as those of the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is simplified or omitted.
FIG. 7 is a perspective view showing a
図8に示すように、第4実施形態のフロート弁51は、球状となっている。また、第4実施形態の第2溝部42の底部42aは、鉛直下方に向かうにつれて縮径する漏斗状となっている。この構成によれば、フロート弁51が開放位置から閉塞位置に移動する際に、フロート弁51を底部42aの形状に沿って排出孔45に向かうように案内することができる。したがって、この構成によれば、フロート弁51が適切に排出孔45を閉塞でき、排出孔45からの気体の排出を確実に規制することができる。
As shown in FIG. 8, the
図7及び図8に示すように、第4実施形態の液体誘導部44は、第2溝部42に向かって下方に傾斜する傾斜部44a1を備える山型ブロック44aと、傾斜部44a1に親液性を付与するコーティング層44bとを有する。
山型ブロック44aは、隣り合う第2溝部42に跨るように、第1溝部41の底部41aに複数設けられる。また、山型ブロック44aの端部は、第2溝部42の側壁に接するように、第2溝部42の内部まで延在している。なお、この第4実施形態では、山型ブロック44aが第2溝部42の開口を所定量絞ることで、上述の実施形態の係止部43の代わりに、フロート弁51の浮上方向の移動を規制する構成となっている。
As shown in FIGS. 7 and 8, the
A plurality of mountain blocks 44 a are provided on the bottom 41 a of the
コーティング層44bは、親液性の塗膜を形成するセラミックコーティング剤、特に親液性の高い水性金属塩系コーティング剤により形成されている。このコーティング層44bは、傾斜部44a1に微粒子を敷き詰めたような親液性が高い(例えば、水との接触角3〜20度の)膜を形成する。
第4実施形態によれば、ギャップGから浸入した液体LQを、山型ブロック44aの傾斜部44a1によって、第2溝部42に誘導することができる。また、傾斜部44a1にはコーティング層44bにより親液性が付与されているため、液体LQが水玉とならず、液体LQを第2溝部42内に効果的に落とし込むことができる。
The
According to the fourth embodiment, the liquid LQ that has entered from the gap G can be guided to the
<第5実施形態>
次に、本発明の第5実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
図9は、第5実施形態に係る基板テーブル17の要部を示す側断面図である。なお、図9は、図4における側断面図と同様の部位を示す。
<Fifth Embodiment>
Next, a fifth embodiment of the present invention will be described. In the following description, the same or equivalent components as those of the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is simplified or omitted.
FIG. 9 is a side sectional view showing the main part of the substrate table 17 according to the fifth embodiment. 9 shows the same part as the side sectional view in FIG.
第5実施形態では、フロート弁51の代わりに蓋部材70を用いている。蓋部材70は、可撓性を有し、第2溝部42の底部42aに載置されて排出孔45を覆う構成となっている。蓋部材70は、排出孔45を囲うように底部42aと接する縁部71を備える。縁部71は、リング状である。本実施形態の蓋部材70は、縁部71を液体LQよりも比重の重い部材、例えばチタンリング(比重4.5)から形成し、第2溝部42に貯溜された液体LQの液位によって浮沈しないような構成となっている。そして、縁部71及び底部42aの少なくともいずれか一方の接触面は、所定の平面度を有する。
In the fifth embodiment, a
第5実施形態では、縁部71と底部42aとの間の微小な隙間から第2溝部42に貯溜した液体LQをしみ出させて、排出孔45から液体LQのみを排出させ、気液分離を行う。なお、第2液体回収装置49の駆動と組み合わせることによって、液体LQの排出タイミングを調整でき、より確実な気液分離を行うことが可能となる。例えば、第2液体回収装置49の駆動により内部流路46が負圧状態となると、蓋部材70が底部42aに押し付けられて変形し、縁部71と底部42aとが密着する。この時、縁部71と底部42aとの間の微小な隙間は押しつぶされ、第2溝部42には、液体LQが所定量貯溜されることとなる。また、第2液体回収装置49の駆動が停止すると、押圧状態が解除されて、第2溝部42に溜まった液体LQが縁部71と底部42aとの間からしみ出し始める。このように、第2液体回収装置49の駆動によって、液体LQの排出のタイミングを調整することができる。
したがって、第5実施形態によれば、液体LQの気化熱の影響を抑制することができる。また、第5実施形態によれば、露光不良の発生を抑制でき、不良デバイスの発生を抑制することができる。
In the fifth embodiment, the liquid LQ stored in the
Therefore, according to the fifth embodiment, the influence of the heat of vaporization of the liquid LQ can be suppressed. Moreover, according to the fifth embodiment, it is possible to suppress the occurrence of exposure failure and suppress the occurrence of defective devices.
なお、上述の各実施形態において、第2溝部42は、基板Pの周囲に設けられているが図10に示すように、プレート部材Tの周りに、計測プレート80X、計測プレート80Yが配置されている場合、プレート部材Tの周囲、計測プレート80Xの周囲、計測プレート80Yの周囲にも第2溝部42を設ける構成を採用しても良い。この構成によれば、各プレートの間に浸入した液体LQを効果的に回収することが可能となる。なお、計測プレート80Xは及び計測プレート80Yは、特開2009−124140号公報に開示されているようなエンコーダシステムのためのスケールであり、格子線が所定ピッチで形成されている。
In each of the above-described embodiments, the
なお、上述の各実施形態において、投影光学系PLは、終端光学素子10の射出側(像面側)の光路を液体LQで満たしているが、国際公開第2004/019128号パンフレットに開示されているように、終端光学素子10の入射側(部材面側)の光路も液体LQで満たす投影光学系を採用することもできる。
In each of the above-described embodiments, the projection optical system PL fills the light path on the exit side (image plane side) of the last
なお、上述の各実施形態の液体LQは水であるが、水以外の液体であってもよい。
液体LQとしては、露光光ELに対する透過性があってできるだけ屈折率が高く、投影光学系、あるいは基板の表面を形成する感光材(フォトレジスト)の膜に対して安定なものが好ましい。例えば、液体LQとして、ハイドロフロロエーテル(HFE)、過フッ化ポリエーテル(PFPE)、フォンブリンオイル、セダー油等を用いることも可能である。また、液体LQとして、屈折率が1.6〜1.8程度のものを使用してもよい。
更に、石英及び蛍石よりも屈折率が高い(例えば1.6以上)材料で、液体LQと接触する投影光学系PLの光学素子(終端光学素子など)を形成してもよい。また、液体LQとして、種々の流体、例えば、超臨界流体を用いることも可能である。また、例えば露光光ELがF2レーザ光である場合、このF2レーザ光は水を透過しないので、液体LQとしてはF2レーザ光を透過可能なもの、例えば、過フッ化ポリエーテル(PFPE)、フッ素系オイル等のフッ素系流体を用いることができる。
In addition, although the liquid LQ of each above-mentioned embodiment is water, liquids other than water may be sufficient.
The liquid LQ is preferably a liquid LQ that is transmissive to the exposure light EL, has a refractive index as high as possible, and is stable with respect to the projection optical system or a photosensitive material (photoresist) film that forms the surface of the substrate. For example, as the liquid LQ, hydrofluoroether (HFE), perfluorinated polyether (PFPE), fomblin oil, cedar oil, or the like can be used. A liquid LQ having a refractive index of about 1.6 to 1.8 may be used.
Furthermore, an optical element (such as a terminal optical element) of the projection optical system PL that is in contact with the liquid LQ may be formed of a material having a refractive index higher than that of quartz and fluorite (for example, 1.6 or more). In addition, various fluids such as a supercritical fluid can be used as the liquid LQ. For example, when the exposure light EL is F2 laser light, the F2 laser light does not transmit water, so that the liquid LQ can transmit F2 laser light, such as perfluorinated polyether (PFPE), fluorine Fluorine-based fluids such as system oils can be used.
なお、上述の各実施形態の基板Pとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版(合成石英、シリコンウエハ)等が適用される。 As the substrate P in each of the above embodiments, not only a semiconductor wafer for manufacturing a semiconductor device, but also a glass substrate for a display device, a ceramic wafer for a thin film magnetic head, or an original mask or reticle used in an exposure apparatus. (Synthetic quartz, silicon wafer) or the like is applied.
露光装置EXとしては、マスクMと基板Pとを同期移動してマスクMのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置の他に、マスクMと基板Pとを静止した状態でマスクMのパターンを一括露光し、基板Pを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置にも適用することができる。 As the exposure apparatus EX, in addition to the step-and-scan type scanning exposure apparatus that scans and exposes the pattern of the mask M by synchronously moving the mask M and the substrate P, the mask M and the substrate P are stationary. Thus, the present invention can be applied to a step-and-repeat projection exposure apparatus in which the pattern of the mask M is collectively exposed and the substrate P is sequentially moved stepwise.
さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、投影光学系を用いて第1パターンの縮小像を基板P上に転写した後、投影光学系を用いて第2パターンの縮小像を第1パターンと部分的に重ねて基板P上に一括露光してもよい(スティッチ方式の一括露光装置)。 Further, in step-and-repeat exposure, after the reduced image of the first pattern is transferred onto the substrate P using the projection optical system, the reduced image of the second pattern is transferred to the first pattern using the projection optical system. Partial exposure may be performed on the substrate P in a lump (stitch type lump exposure apparatus).
また、例えば対応米国特許第6611316号明細書に開示されているように、2つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、1回の走査露光によって基板上の1つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。 Further, as disclosed in, for example, US Pat. No. 6,611,316, two mask patterns are synthesized on a substrate via a projection optical system, and one shot on the substrate is obtained by one scanning exposure. The present invention can also be applied to an exposure apparatus that performs double exposure of a region almost simultaneously.
また、本発明は、米国特許第6341007号明細書、米国特許第6208407号明細書、米国特許第6262796号明細書等に開示されているような複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。また、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置にも適用することができる。 The present invention also relates to a twin stage type exposure apparatus having a plurality of substrate stages as disclosed in US Pat. No. 6,341,007, US Pat. No. 6,208,407, US Pat. No. 6,262,796, and the like. It can also be applied to. The present invention can also be applied to an exposure apparatus that includes a plurality of substrate stages and measurement stages.
露光装置EXの種類としては、基板Pに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置などにも広く適用できる。 The type of the exposure apparatus EX is not limited to an exposure apparatus for manufacturing a semiconductor element that exposes a semiconductor element pattern on the substrate P, and can be widely applied to an exposure apparatus for manufacturing a liquid crystal display element or a display.
なお、上述の各実施形態においては、レーザ干渉計7A、7Bを含む干渉計システム7を用いてマスクステージ1及び基板ステージ2の各位置情報を計測するものとしたが、これに限らず、例えば各ステージ1、2に設けられるスケール(回折格子)を検出するエンコーダシステムを用いてもよい。この場合、干渉計システムとエンコーダシステムとの両方を備えるハイブリッドシステムとしてもよい。
In each of the above-described embodiments, the positional information of the mask stage 1 and the
また、上述の各実施形態では、露光光ELとしてArFエキシマレーザ光を発生する光源装置として、ArFエキシマレーザを用いてもよいが、例えば、米国特許第7023610号明細書に開示されているように、DFB半導体レーザ又はファイバーレーザなどの固体レーザ光源、ファイバーアンプなどを有する光増幅部、及び波長変換部などを含み、波長193nmのパルス光を出力する高調波発生装置を用いてもよい。さらに、上記実施形態では、前述の各照明領域と、投影領域がそれぞれ矩形状であるものとしたが、他の形状、例えば円弧状などでもよい。 In each of the above embodiments, an ArF excimer laser may be used as a light source device that generates ArF excimer laser light as the exposure light EL. For example, as disclosed in US Pat. No. 7,023,610. A harmonic generator that outputs pulsed light with a wavelength of 193 nm may be used, including a solid-state laser light source such as a DFB semiconductor laser or a fiber laser, an optical amplification unit having a fiber amplifier, a wavelength conversion unit, and the like. Furthermore, in the above-described embodiment, each illumination area and the projection area described above are rectangular, but other shapes such as an arc shape may be used.
なお、上述の各実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン(又は位相パターン・減光パターン)を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第6778257号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク(電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる)を用いてもよい。 In each of the above-described embodiments, a light-transmitting mask in which a predetermined light-shielding pattern (or phase pattern / dimming pattern) is formed on a light-transmitting substrate is used. As disclosed in Japanese Patent No. 6778257, a variable shaped mask (also known as an electronic mask, an active mask, or an image generator) that forms a transmission pattern, a reflection pattern, or a light emission pattern based on electronic data of a pattern to be exposed. May be used).
上述の各実施形態においては、投影光学系PLを備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、投影光学系PLを用いない露光装置及び露光方法に本発明を適用することができる。このように投影光学系PLを用いない場合であっても、露光光はレンズ等の光学部材を介して基板に照射され、そのような光学部材と基板との間の所定空間に液浸空間が形成される。 In each of the above embodiments, the exposure apparatus provided with the projection optical system PL has been described as an example. However, the present invention can be applied to an exposure apparatus and an exposure method that do not use the projection optical system PL. Even when the projection optical system PL is not used in this way, the exposure light is irradiated onto the substrate via an optical member such as a lens, and an immersion space is formed in a predetermined space between the optical member and the substrate. It is formed.
また、例えば国際公開第2001/035168号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板P上に形成することによって、基板P上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置(リソグラフィシステム)にも本発明を適用することができる。 Further, as disclosed in, for example, International Publication No. 2001/035168, an exposure apparatus (lithography system) that exposes a line and space pattern on the substrate P by forming interference fringes on the substrate P. The present invention can also be applied to.
以上のように、本願実施形態の露光装置EXは、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。 As described above, the exposure apparatus EX according to the embodiment of the present application maintains various mechanical subsystems including the respective constituent elements recited in the claims of the present application so as to maintain predetermined mechanical accuracy, electrical accuracy, and optical accuracy. Manufactured by assembling. In order to ensure these various accuracies, before and after assembly, various optical systems are adjusted to achieve optical accuracy, various mechanical systems are adjusted to achieve mechanical accuracy, and various electrical systems are Adjustments are made to achieve electrical accuracy. The assembly process from the various subsystems to the exposure apparatus includes mechanical connection, electrical circuit wiring connection, pneumatic circuit piping connection and the like between the various subsystems. Needless to say, there is an assembly process for each subsystem before the assembly process from the various subsystems to the exposure apparatus. When the assembly process of the various subsystems to the exposure apparatus is completed, comprehensive adjustment is performed to ensure various accuracies as the entire exposure apparatus. The exposure apparatus is preferably manufactured in a clean room where the temperature, cleanliness, etc. are controlled.
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図11に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ201、この設計ステップに基づいたマスク(レチクル)を製作するステップ202、デバイスの基材である基板を製造するステップ203、上述の実施形態に従って、マスクのパターンを用いて露光光で基板を露光すること、及び露光された基板を現像することを含む基板処理(露光処理)を含む基板処理ステップ204、デバイス組み立てステップ(ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む)205、検査ステップ206等を経て製造される。
As shown in FIG. 11, a microdevice such as a semiconductor device includes a
なお、上述の各実施形態の要件は、適宜組み合わせることができる。また、一部の構成要素を用いない場合もある。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。 Note that the requirements of the above-described embodiments can be combined as appropriate. Some components may not be used. In addition, as long as permitted by law, the disclosure of all published publications and US patents related to the exposure apparatus and the like cited in the above-described embodiments and modifications are incorporated herein by reference.
2…基板ステージ(ステージ装置)、9…液浸装置、42…第2溝部(液体回収溝)、42a…底部、43…係止部43…液体誘導部、44a1…傾斜部、45…排出孔(排出部)、61…シール部、60…ガイド部、70…蓋部材、80X…計測プレート(物体)、80Y…計測プレート(物体)、EL…露光光、EX…露光装置、LQ…液体、P…基板(物体)、PL…投影光学系(光学系)、T…プレート部材(物体)
DESCRIPTION OF
Claims (14)
保持された前記物体の周囲に設けられて前記液体を回収する液体回収溝と、
前記液体回収溝の底部に設けられ、前記液体回収溝で回収した液体を、前記液体回収溝の外部に排出する排出部と、
前記液体よりも比重の小さい材料で形成され、前記液体回収溝に配置されて前記液体回収溝に貯溜した前記液体の液位に応じて浮沈することにより前記排出部を開閉するフロート弁とを有することを特徴とするステージ装置。 A stage device that holds and moves an object on which a predetermined process using a liquid is performed,
A liquid recovery groove provided around the held object for recovering the liquid;
A discharge part that is provided at the bottom of the liquid recovery groove and discharges the liquid recovered in the liquid recovery groove to the outside of the liquid recovery groove;
A float valve that is formed of a material having a specific gravity smaller than that of the liquid and is arranged in the liquid recovery groove and opens and closes according to the liquid level of the liquid stored in the liquid recovery groove to open and close the discharge unit. A stage apparatus characterized by that.
保持された前記物体の周囲に設けられて前記液体を回収する液体回収溝と、
前記液体回収溝の底部に設けられ、前記液体回収溝で回収した液体を、前記液体回収溝の外部に排出する排出部と、
可撓性を有し、前記液体回収溝の底部に載置されて前記排出部を覆う蓋部材とを有することを特徴とするステージ装置。 A stage device that holds and moves an object on which a predetermined process using a liquid is performed,
A liquid recovery groove provided around the held object for recovering the liquid;
A discharge part that is provided at the bottom of the liquid recovery groove and discharges the liquid recovered in the liquid recovery groove to the outside of the liquid recovery groove;
A stage device comprising: a lid member that is flexible and is placed on a bottom portion of the liquid recovery groove and covers the discharge portion.
請求項1〜10のいずれか一項に記載のステージ装置を有することを特徴とする露光装置。 An exposure apparatus that exposes a substrate with exposure light through a liquid,
An exposure apparatus comprising the stage apparatus according to claim 1.
前記光学系から射出される前記露光光の光路を前記液体で満たすように、前記光学系と前記基板との間を液浸させる液浸装置とを有することを特徴とする請求項11または12に記載の露光装置。 An optical system for emitting the exposure light;
The liquid immersion device according to claim 11 or 12, further comprising a liquid immersion device for liquid immersion between the optical system and the substrate so as to fill an optical path of the exposure light emitted from the optical system with the liquid. The exposure apparatus described.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009176352A JP2011029545A (en) | 2009-07-29 | 2009-07-29 | Stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method |
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2011029545A true JP2011029545A (en) | 2011-02-10 |
Family
ID=43637921
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009176352A Pending JP2011029545A (en) | 2009-07-29 | 2009-07-29 | Stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2011029545A (en) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012090364A (en) * | 2010-10-15 | 2012-05-10 | Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk | Overcurrent detecting element |
US9013683B2 (en) | 2010-12-21 | 2015-04-21 | Asml Netherlands B.V. | Substrate table, a lithographic apparatus and a device manufacturing method |
JP2020505635A (en) * | 2017-01-26 | 2020-02-20 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | Lithographic apparatus and method of manufacturing a device |
-
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US9268238B2 (en) | 2010-12-21 | 2016-02-23 | Asml Netherlands B.V. | Substrate table, a lithographic apparatus and a device manufacturing method |
US9454089B2 (en) | 2010-12-21 | 2016-09-27 | Asml Netherlands B.V. | Substrate table, a lithographic apparatus and a device manufacturing method |
US9857696B2 (en) | 2010-12-21 | 2018-01-02 | Asml Netherlands B.V. | Substrate table, a lithographic apparatus and a device manufacturing method |
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US10955757B2 (en) | 2010-12-21 | 2021-03-23 | Asml Netherlands B.V. | Substrate table, a lithographic apparatus and a device manufacturing method |
JP2020505635A (en) * | 2017-01-26 | 2020-02-20 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | Lithographic apparatus and method of manufacturing a device |
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