JP2011025347A - Method for machining metal plate - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、金属板を所定仕上がり厚さに低減すると共に分割ラインに沿って分割するための分割方法に関するものである。 The present invention relates to a dividing method for reducing a metal plate to a predetermined finished thickness and dividing the metal plate along a dividing line.
ペルチェ素子の基板として使用される銅薄板などの金属板の分割は、一般に、切削装置にて切削ブレードを使用して遂行される。切削ブレードは、ダイヤモンド砥粒やCBN(立方晶窒化ホウ素)砥粒をレジンボンドで焼結させて形成された円環形状のダイヤモンドブレードや、超硬合金で形成された超硬合金工具が使用される。しかし、切削ブレードにより金属板の切削を行うと、特に銅基板の如き靭性が高い金属板の場合、裏面側に数百μmを越えるサイズの金属バリが延びてしまう。 The division of a metal plate such as a copper thin plate used as a Peltier element substrate is generally performed by using a cutting blade in a cutting apparatus. As the cutting blade, a diamond-shaped diamond blade formed by sintering diamond abrasive grains or CBN (cubic boron nitride) abrasive grains with a resin bond, or a cemented carbide tool formed of cemented carbide is used. The However, when a metal plate is cut with a cutting blade, a metal burr having a size exceeding several hundred μm extends on the back side particularly in the case of a metal plate having high toughness such as a copper substrate.
一般的に切削による分割では、表面と比較して裏面側の加工品質が悪化する傾向にある。そのため、シリコンウェーハ等の脆性材で形成された半導体ウェーハを薄化し分割する技術として、裏面側のチッピング低減の効果が期待される先ダイシング法が広く行われている(特許文献1)。かかる先ダイシング法では、最初に、ダイヤモンド砥粒をニッケル系ボンド層で電着させた電鋳ブレードにて、デバイスが形成された表面側から狙い厚みよりも深い切削溝を形成する。その後、半導体ウェーハの表面側に保護テープを貼着し、保護テープ側を研削装置のチャックテーブルに当接させて半導体ウェーハを保持し、裏面側から狙い厚みになるまで研削砥石で半導体ウェーハを薄化研削し、半導体ウェーハをチップに分割する。研削砥石としては、ダイヤモンド砥粒をビトリファイドボンドやレジンボンド等で焼結されて形成されたセグメント砥石が円形基台の外周に円環状に固定されて形成されている焼結研削砥石が使用される。ダイヤモンド砥粒の自生発刃を繰り返すことで脆性材の研削を良好に行うことができ、分割されたチップにおけるチッピングの発生を充分に抑制することができる。 In general, in the division by cutting, the processing quality on the back surface side tends to deteriorate compared to the front surface. Therefore, as a technique for thinning and dividing a semiconductor wafer formed of a brittle material such as a silicon wafer, a tip dicing method that is expected to reduce chipping on the back side is widely performed (Patent Document 1). In such a tip dicing method, first, a cutting groove deeper than a target thickness is formed from the surface side on which the device is formed by an electroforming blade in which diamond abrasive grains are electrodeposited with a nickel-based bond layer. After that, a protective tape is attached to the front side of the semiconductor wafer, the protective tape side is brought into contact with the chuck table of the grinding device to hold the semiconductor wafer, and the semiconductor wafer is thinned with a grinding wheel until the target thickness is reached from the back side. The semiconductor wafer is divided into chips. As the grinding wheel, a sintered grinding wheel is used in which a diamond grinding grain is sintered by vitrified bond, resin bond, etc., and a segmented grinding wheel is fixed to the outer periphery of a circular base in an annular shape. . By repeating the self-generated blades of diamond abrasive grains, the brittle material can be ground satisfactorily and the occurrence of chipping in the divided chips can be sufficiently suppressed.
金属板の加工においても裏面側への金属バリ低減を目的として上記先ダイシング法を遂行することが意図される。しかしながら、金属板の平面を上記焼結研削砥石により研削すると、金属により砥粒の目詰まりや目潰れが発生し、これに起因してダイヤモンド砥粒の自生発刃が所要とおりに実現できず良好な研削が遂行できない。 In the processing of the metal plate, it is intended to perform the above-described dicing method for the purpose of reducing metal burrs on the back side. However, if the flat surface of the metal plate is ground with the above-mentioned sintered grinding wheel, clogging or crushing of the abrasive grains occurs due to the metal. Unable to perform proper grinding.
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、靭性が高い銅薄板の如き金属板である場合でも、裏面側におけるバリの発生を回避乃至充分に抑制して、所定仕上がり厚さに低減し分割することができる、新規且つ改良された金属板の加工方法を提供することである。 The present invention has been made in view of the above facts, and the main technical problem thereof is to avoid or sufficiently suppress the occurrence of burrs on the back side even when the metal sheet is a tough copper thin plate, It is to provide a new and improved method of processing a metal plate which can be reduced to a predetermined finished thickness and divided.
本発明者は、鋭意検討及び実験の結果、金属板の片面に分割ラインに沿って所定仕上がり厚さより深い溝を形成した後に、金属板の他面を旋削工具によって旋削して所定仕上がり厚さにするという独特な工程を遂行することによって、主たる技術的課題を達成することができることを見出した。
本明細書において使用する語句「旋削工具」は、全体がダイヤモンド或いはその他の超硬材料から形成され且つすくい面と逃げ面との境界に規定された旋削縁を有するチップを備えた工具を意味する。
As a result of diligent examination and experiment, the inventor has formed a groove deeper than a predetermined finish thickness along a dividing line on one side of a metal plate, and then turned the other side of the metal plate with a turning tool to obtain a predetermined finish thickness. It has been found that the main technical problem can be achieved by carrying out the unique process of doing.
As used herein, the phrase “turning tool” means a tool with a tip that is formed entirely of diamond or other superhard material and has a turning edge defined at the boundary between the rake face and the flank face. .
本発明によれば、上記主たる技術的課題を達成する金属板の分割方法として、金属板を所定仕上がり厚さに低減すると共に分割ラインに沿って分割する加工方法であって、
切削ブレードによって該金属板の片面に該分割ラインに沿って所定仕上がり厚さより深い溝を形成する溝形成工程と、
該溝形成工程の後に、該金属板の該片面に保護テープを貼着する保護テープ貼着工程と、
該貼着工程の後に、該金属板の他面を旋削工具によって旋削して該金属板を該所定仕上がり厚さにする旋削工程と、
を含むことを特徴とする金属板の加工方法が提供される。
According to the present invention, as a method of dividing the metal plate to achieve the main technical problem, the metal plate is reduced to a predetermined finished thickness and is divided along the dividing line,
A groove forming step of forming a groove deeper than a predetermined finished thickness along the dividing line on one side of the metal plate by a cutting blade;
After the groove forming step, a protective tape attaching step of attaching a protective tape to the one surface of the metal plate;
After the sticking step, turning the other side of the metal plate with a turning tool to turn the metal plate to the predetermined finished thickness,
A method for processing a metal plate is provided.
好ましくは、該溝形成工程の後で且つ該貼着工程の前に、該金属板の片面に形成した該溝内に樹脂を充填する樹脂充填工程を遂行するのが好適である。 Preferably, a resin filling step of filling a resin into the groove formed on one surface of the metal plate is performed after the groove forming step and before the attaching step.
本発明者の実験によれば、旋削工具を使用した旋削によれば、靭性が高い銅薄板の如き金属板である場合でも、金属板の他面を充分良好に旋削して所定仕上がり厚さにすることができ、それ故に裏面側におけるバリの発生を回避乃至充分に抑制して、金属板を所定仕上がり厚さに低減し分割することができる。 According to the inventor's experiment, according to the turning using a turning tool, even when the metal plate is a high toughness copper thin plate, the other surface of the metal plate is sufficiently satisfactorily turned to a predetermined finished thickness. Therefore, the occurrence of burrs on the back side can be avoided or sufficiently suppressed, and the metal plate can be reduced to a predetermined finished thickness and divided.
以下、添付図面を参照して本発明の金属板の加工方法の好適実施形態について更に詳細に説明する。 Hereinafter, a preferred embodiment of a metal plate processing method of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.
(溝形成工程)
金属板2は分割後にペルチェ素子の基板となる円形或いは矩形形状の銅板であり、片面には格子状に配設された分割ライン(図示していない)を有している。最初に、図1に図示するように、切削装置にて金属板2に溝形成工程が遂行される。切削装置自体の構成は、例えば特開2008−262983号公報に開示されている周知の形態でよく、その詳細な説明は本明細書においては省略する。チャックテーブル4の表面には多孔性のチャック板(図示していない)を有し真空吸引源(図示していない)に接続されている。チャックテーブル4を真空吸引源に連通することにより、チャックテーブル4の表面に載置された金属板2は吸引保持される。また、チャックテーブル4は上下方向に延在する中心軸線を中心として回転可能に配設されていると共に、図1において紙面に垂直な方向であるX軸方向に移動可能に配設されている。
(Groove formation process)
The
チャックテーブル4の上方には切削手段6が配設されている。切削手段6は、X軸方向と垂直な方向(図1では左右方向)であるY軸方向に延びる回転軸線を有すスピンドル8を含んでおり、このスピンドル8はモータ等の回転駆動源(図示していない)によって高速回転される。スピンドル8の先端には回転軸線に対して垂直に切削ブレード10がブレードマウント12を介して装着されている。切削ブレード10は、例えば、レジン粉末を結合材としてCBN(立方晶窒化ホウ素)砥粒を焼結させた円環状レジンブレードであり、厚みが例えば300μmに形成されている。切削手段6はチャックテーブル4の保持面に対して垂直な方向であるZ軸方向に昇降可能に配設されている。また、切削手段6はY軸方向に移動可能に配設されている。
A cutting means 6 is disposed above the chuck table 4. The cutting means 6 includes a spindle 8 having a rotation axis extending in the Y-axis direction that is a direction perpendicular to the X-axis direction (the left-right direction in FIG. 1), and this spindle 8 is a rotational drive source such as a motor (see FIG. (Not shown). A
図1に示すように、金属板2をその片面16を上方に向けた状態でチャックテーブル4上に吸引保持する。切削ブレード10の高速回転を開始すると共に、切削ブレード10の下端を分割ライン上の所定仕上がり厚さHより深い位置に位置づける。チャックテーブル4がX軸方向に移動し分割ラインに沿って所定仕上がり厚さHより深い溝18を形成する。その後、次の分割ラインに切削ブレード10を位置づけ、同様に溝18を形成する。このようにして順次溝18を形成していき、分割ラインが格子状に形成されている場合には、チャックテーブル4を90°回転させ同様に溝18を順次形成し、金属板2の全ての分割ラインに沿って溝18を形成する(溝形成工程)。溝形成工程では、炭化タングステンを主成分とし結合材をコバルトとする超硬合金で形成された切削ブレード等の他の切削ブレードを使用してもよい。
As shown in FIG. 1, the
(保護テープ貼着工程)
第一の実施形態においては、溝形成工程終了後、図2に図示するように、金属板2の溝18が形成された片面16に保護テープ19を貼着する(保護テープ貼着工程)。保護テープ19は、基材と基材の片面に積層された粘着層からなり、粘着層は紫外線硬化性の強粘着力を有するのが好適である。
(Protective tape application process)
In 1st embodiment, after completion | finish of a groove | channel formation process, as shown in FIG. 2, the
(旋削工程)
次いで、旋削工程が遂行される。この旋削工程は、板状物の表面に配設された多数の電極(バンプ)の突出高さを揃えるための加工装置として開発された、特開2005−327838号公報に開示されている加工装置を利用して遂行することができる。図3に図示する如く、加工装置は旋削ユニット22を備えている。この旋削ユニット22は、Z軸方向即ち鉛直方向に延在する中心軸線を中心として回転自在に且つZ軸方向に昇降動自在に配設されたスピンドル26、スピンドル26の下端に装着された支持ホイール24、及び支持ホイール24の下面外周面部に固定された旋削工具28から構成されている。旋削工具28は、図4に図示するように、シャンク30及びこのシャンク30の先端表面に固定されシャンク30の下端から突出するダイヤモンドチップ32から構成されている。シャンク30はボルト締め等の適宜の様式で支持ホイール24の下面に固定され、ダイヤモンドチップ32は蝋付けの如き適宜の様式でシャンク30に固定されている。ダイヤモンド或いはその他の超硬材料から構成されているダイヤモンドチップ32は実質上鉛直に延在するすくい面34と水平に対して10°以上の所定の逃げ角θをなす逃げ面33を有し、すくい面34と逃げ面33との境界には幅Wの鋭い旋削縁35が規定されている。切断縁35は支持ホイール24の半径方向に整合されている。
(Turning process)
A turning process is then performed. This turning process is a processing apparatus disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 2005-327838, which was developed as a processing apparatus for aligning the protruding heights of a large number of electrodes (bumps) disposed on the surface of a plate-like object. Can be carried out using As shown in FIG. 3, the machining apparatus includes a
旋削ユニット22の下方にはチャックテーブル20が矢印Aで示すY軸方向(図3では左右方向)に移動可能に配設されている。チャックテーブル20は多孔性のチャック板(図示していない)を有し真空吸引源(図示していない)に接続されている。チャックテーブル20を真空吸引源に連通することにより、チャックテーブル20の表面に載置された金属板2を吸引保持する。
Below the turning
旋削工程の説明を続けると、図3に図示するように、金属板2の他面14を上方に向けた状態で金属板2をチャックテーブル20上に吸引保持する。次いで旋削ユニット22を3000〜5000rpmの回転速度で回転する。そして、旋削ユニット22を下降し、ダイヤモンドチップ32を金属板2の所定切り込み厚さがHmmとなる所定の切り込み位置に位置付けると共に、チャックテーブル20を図5(a)に示す初期位置に位置づける。旋削ユニット22は図5(a)において時計回りに回転し、ダイヤモンドチップ32の旋削縁35はかかる回転方向に対して垂直な向きに固定されている。ダイヤモンドチップ32のすくい面34の幅Wμmが例えば50μmの場合には、金属板2を吸引保持したチャックテーブル20を図5において右方に例えば2.5mm/sより遅い送り速度で移動させると、平坦な旋削が可能である。チャックテーブル20の送り速度は、旋削工具28が1回転する際の相対的な移動距離がダイヤモンドチップ32の旋削縁35の幅Wμmよりも小さくなるように設定される。図3に示すように、金属板2は所定仕上がり厚さHmmに薄化されると共に、所定仕上がり厚さHmm以上の深さを有する溝18が形成されているので旋削された箇所から分割される。チャックテーブル20は、更に右方へ移動しダイヤモンドチップ32がチャックテーブル20から外れる図5(b)の終了位置まで移動する。この結果、旋削ユニット22の回転に伴って回転するダイヤモンドチップ32によって金属板2は所定仕上がり厚さHmmに旋削され溝18に沿って分割される。分割後のチップは保持テーブル19からピックアップされて次工程で使用される。
Continuing the description of the turning process, as shown in FIG. 3, the
続いて、第二の実施形態について説明をする。第二の実施形態においては、溝形成工程の後に樹脂充填工程を遂行する。溝形成工程は、第一の実施形態と同様の方法で金属板2の片面16に溝18を形成する。次いで、図6に図示するように、片面16を上方に向けた状態で金属板2を周知構造のスピンコータの回転テーブル36に吸引保持する。回転テーブル36を所定の速度で回転し、回転テーブル36の上方に配設されたノズル38から樹脂、例えばPVA等の水溶性の樹脂40を金属板2の中央付近に滴下する。樹脂40は回転テーブル36の回転による遠心力により溝18に進入しながら外周部まで広がり、その結果、全ての溝18が樹脂40で充填される(樹脂充填工程)。
Next, the second embodiment will be described. In the second embodiment, a resin filling step is performed after the groove forming step. In the groove forming step, a
樹脂40が乾燥後、金属板2の片面16側に保護テープ19を貼着する(保護テープ貼着工程)。その後、第一の実施形態と同様に、金属板2の他面14を上方に向けた状態で金属板2を加工装置のチャックテーブル20上に吸引保持し旋削工程を遂行する。この際、溝18には樹脂40が充填されているため、旋削工具28による旋削時に溝18内に延出するバリの発生を充分に抑制することができる。旋削工程の後に純水等で樹脂40を除去することで、金属板2は分割される。
After the
2 金属板
4 チャックテーブル(切削機)
6 切削手段
18 溝
19 保護テープ
20 チャックテーブル(加工装置)
22 旋削ユニット
28 旋削工具
32 ダイヤモンドチップ
33 逃げ面
34 すくい面
35 旋削縁
H 所定仕上がり厚さ
W すくい面の幅
2
6 Cutting means 18
22
Claims (2)
切削ブレードによって該金属板の片面に該分割ラインに沿って該所定仕上がり厚さより深い溝を形成する溝形成工程と、
該溝形成工程の後に、該金属板の該片面に保護テープを貼着する保護テープ貼着工程と、
該貼着工程の後に、該金属板の他面を切削バイト工具によって旋削して該金属板を該所定仕上がり厚さにする旋削工程と、
を含むことを特徴とする金属板の加工方法。 A processing method for reducing a metal plate to a predetermined finished thickness and dividing along a dividing line,
A groove forming step of forming a groove deeper than the predetermined finished thickness along the dividing line on one side of the metal plate by a cutting blade;
After the groove forming step, a protective tape attaching step of attaching a protective tape to the one surface of the metal plate;
After the sticking step, turning the other side of the metal plate with a cutting tool to turn the metal plate to the predetermined finished thickness,
The metal plate processing method characterized by including.
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016021476A1 (en) * | 2014-08-05 | 2016-02-11 | シチズン電子株式会社 | Semiconductor device and method for manufacturing same |
JP2016155488A (en) * | 2015-02-25 | 2016-09-01 | トキワケミカル工業株式会社 | Production method of synthetic resin core material |
CN110774113A (en) * | 2019-10-23 | 2020-02-11 | 中国航发贵州红林航空动力控制科技有限公司 | Processing technology of embedded chromium-plated high-strength adjusting shaft |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07106285A (en) * | 1993-10-08 | 1995-04-21 | Oki Electric Ind Co Ltd | Manufacture of semiconductor device |
JP2008544868A (en) * | 2005-06-30 | 2008-12-11 | キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション | Use of CMP for aluminum mirrors and solar cell manufacturing |
-
2009
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07106285A (en) * | 1993-10-08 | 1995-04-21 | Oki Electric Ind Co Ltd | Manufacture of semiconductor device |
JP2008544868A (en) * | 2005-06-30 | 2008-12-11 | キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション | Use of CMP for aluminum mirrors and solar cell manufacturing |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016021476A1 (en) * | 2014-08-05 | 2016-02-11 | シチズン電子株式会社 | Semiconductor device and method for manufacturing same |
CN106663731A (en) * | 2014-08-05 | 2017-05-10 | 西铁城电子株式会社 | Semiconductor device and method for manufacturing same |
JPWO2016021476A1 (en) * | 2014-08-05 | 2017-05-25 | シチズン電子株式会社 | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US10181553B2 (en) | 2014-08-05 | 2019-01-15 | Citizen Electronics Co., Ltd | Semiconductor device and method for producing the same |
JP2016155488A (en) * | 2015-02-25 | 2016-09-01 | トキワケミカル工業株式会社 | Production method of synthetic resin core material |
CN110774113A (en) * | 2019-10-23 | 2020-02-11 | 中国航发贵州红林航空动力控制科技有限公司 | Processing technology of embedded chromium-plated high-strength adjusting shaft |
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