Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

JP2011076804A - Organic el display device and method of manufacturing the same - Google Patents

Organic el display device and method of manufacturing the same Download PDF

Info

Publication number
JP2011076804A
JP2011076804A JP2009225650A JP2009225650A JP2011076804A JP 2011076804 A JP2011076804 A JP 2011076804A JP 2009225650 A JP2009225650 A JP 2009225650A JP 2009225650 A JP2009225650 A JP 2009225650A JP 2011076804 A JP2011076804 A JP 2011076804A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
light emitting
organic
pixel
contact hole
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2009225650A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kenichi Nendai
健一 年代
Satoshi Kobayashi
智 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Corp
Original Assignee
Panasonic Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Corp filed Critical Panasonic Corp
Priority to JP2009225650A priority Critical patent/JP2011076804A/en
Publication of JP2011076804A publication Critical patent/JP2011076804A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic EL display device eliminating influence of a recess due to a contact hole formed in a planarizing film for forming an excellent light-emitting layer. <P>SOLUTION: The organic EL display device includes: a TFT substrate 10 including a drive element; a planarizing film 11 formed on the TFT substrate 10; a reflection anode 12 formed in the upper part of the planarizing film 11 and the bottom part and the side wall of the contact hole 23 formed in the planarizing film 11 and electrically connected to the drive element through the contact hole 23; an organic light-emitting layer 16 formed on the reflection anode 12; a transparent cathode 18 formed on the organic light-emitting layer 16; and a pixel regulation layer 14 formed between the reflection anode 12 and the organic light-emitting layer 16 to form a non-light-emitting area through which no light emission current flows. The pixel regulation layer 14 is loaded to the upper part of the contact hole 23, and the surface of the pixel regulation layer 14 is planarized. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス(Electro Luminescence:以下ELと記す)表示装置およびその製造方法に関し、特に、アクティブマトリクス型の有機EL表示装置に関する。   The present invention relates to an organic electroluminescence (hereinafter referred to as EL) display device and a method for manufacturing the same, and more particularly to an active matrix organic EL display device.

有機EL表示装置は、有機化合物の電界発光現象を利用した発光表示装置であり、画素ごとに独立に発光制御可能な有機EL素子を基板上に配置して構成される。典型的な有機EL装置は、基板上に、駆動回路、陽極、有機機能層、陰極を積層することで作製される。有機機能層には、有機化合物からなる有機発光層とともに、電子注入層、電子輸送層、正孔輸送層、正孔注入層などの複数の機能層のうちの1つ以上が積層される。   The organic EL display device is a light emitting display device using an electroluminescence phenomenon of an organic compound, and is configured by disposing an organic EL element that can control light emission independently for each pixel on a substrate. A typical organic EL device is manufactured by laminating a drive circuit, an anode, an organic functional layer, and a cathode on a substrate. In the organic functional layer, one or more of a plurality of functional layers such as an electron injection layer, an electron transport layer, a hole transport layer, and a hole injection layer are laminated together with an organic light emitting layer made of an organic compound.

このような構成において、陽極および陰極から正孔注入層などを介して発光層へ電荷が注入され、注入された電荷が発光層内で再結合することによって、発光が生じる。有機発光層は、均一な膜厚で形成されることが重要である。なぜなら、発光層の厚さが不均一であると、発光面内での電流分布が不均一となって輝度ムラが生じ、また、薄い部分への電流集中による素子寿命の低下の原因となるからである。   In such a configuration, electric charges are injected from the anode and the cathode into the light emitting layer through a hole injection layer and the like, and light emission is generated by recombination of the injected electric charges in the light emitting layer. It is important that the organic light emitting layer is formed with a uniform film thickness. This is because if the thickness of the light-emitting layer is not uniform, the current distribution in the light-emitting surface is non-uniform, resulting in uneven brightness, and a reduction in device life due to current concentration in a thin part. It is.

発光層は、例えば、有機発光層となるべき有機化合物を含む機能液を基板に塗布し、乾燥させることで形成される。機能液の貯留および乾燥によって形成される機能膜は、有機EL素子の有機発光層に限らず、各種の装置に利用されており、厚さの均一性に優れた機能膜を形成するための種々の技術が検討されている。   The light emitting layer is formed, for example, by applying a functional liquid containing an organic compound to be an organic light emitting layer to a substrate and drying it. The functional film formed by storing and drying the functional liquid is not limited to the organic light emitting layer of the organic EL element, but is used in various devices, and various types for forming a functional film having excellent thickness uniformity. Technologies are being considered.

例えば、特許文献1には、基板上に隔壁を形成し、隔壁で画素ごとに区切られた空間(液体受容部と呼ばれる)に機能膜となるべき機能液を貯留、乾燥させて機能膜を形成する構成および製造方法が開示されている。機能液は、例えばインクジェット法により、液体受容部に配置される。   For example, in Patent Document 1, a partition is formed on a substrate, and a functional film that is to be a functional film is stored and dried in a space (called a liquid receiving unit) partitioned by the partition for each pixel to form a functional film. A configuration and a manufacturing method are disclosed. The functional liquid is disposed in the liquid receiving portion by, for example, an ink jet method.

また、駆動回路は、有機EL素子を個別に駆動する薄膜トランジスタ(TFT)などで構成されている。これにより、有機EL表示装置は、上記駆動回路により有機EL素子に所望の電圧を印加し電流を流すことにより所望の画像を表示させる。   The drive circuit is composed of thin film transistors (TFTs) that individually drive the organic EL elements. Accordingly, the organic EL display device displays a desired image by applying a desired voltage to the organic EL element and causing a current to flow through the drive circuit.

アクティブマトリクス方式の有機EL表示装置として、例えば、陰極側から発光を取り出す上面発光方式では、駆動回路のTFTを基板と有機EL素子との間に形成することにより、十分な開口率を確保している。   As an active matrix organic EL display device, for example, in a top emission method in which light emission is extracted from the cathode side, a sufficient aperture ratio is secured by forming a TFT of a drive circuit between a substrate and an organic EL element. Yes.

特許文献2では、下層であるTFTを有する駆動部と上層である液晶を有する発光部との間に無機絶縁膜が形成され、当該無機絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して、駆動部のTFTと発光部の画素電極とが電気的に接続されている。   In Patent Document 2, an inorganic insulating film is formed between a driving unit having a TFT as a lower layer and a light emitting unit having a liquid crystal as an upper layer, and the driving unit has a contact hole provided in the inorganic insulating film. The TFT and the pixel electrode of the light emitting unit are electrically connected.

また、特許文献3では、有機半導体を発光素子としたアクティブマトリクス型表示装置の構成が開示されている。下層であるTFTのソースドレイン領域の一方には、第1の層間絶縁膜のコンタクトホールを介して、データ線と同時形成された中継電極が電気的に接続され、この中継電極には第2の層間絶縁膜のコンタクトホールを介して薄膜発光素子のITO膜からなる透明な画素電極が電気的に接続されている。   Patent Document 3 discloses a configuration of an active matrix display device using an organic semiconductor as a light emitting element. A relay electrode formed simultaneously with the data line is electrically connected to one of the source and drain regions of the TFT, which is the lower layer, via a contact hole of the first interlayer insulating film. A transparent pixel electrode made of an ITO film of a thin film light emitting element is electrically connected through a contact hole in the interlayer insulating film.

特許文献2及び特許文献3では、基板上に、TFT、平坦化膜、画素電極を順に形成し、平坦化膜にコンタクトホールを形成することで、TFTと画素電極とを電気的に接続し、上面発光方式の表示装置を構成していることが開示されている。   In Patent Document 2 and Patent Document 3, a TFT, a planarization film, and a pixel electrode are sequentially formed on a substrate, and a contact hole is formed in the planarization film to electrically connect the TFT and the pixel electrode. It is disclosed that a top emission type display device is configured.

特開2007−103349号公報JP 2007-103349 A 特開2003−302917号公報JP 2003-302917 A 特開2004−177972号公報JP 2004-177972 A

しかしながら、下層である駆動回路と上層である有機EL素子の画素電極とをコンタクトホールで電気的に接続するという構造の場合、以下のような課題を有する。   However, the structure in which the driving circuit as the lower layer and the pixel electrode of the organic EL element as the upper layer are electrically connected through a contact hole has the following problems.

図6(a)は、従来の有機EL表示装置の平面構成図であり、図6(b)は、従来の有機EL表示装置のZ−Z’における断面構成図である。図6(a)に記載された有機EL表示装置は、発光領域、非発光領域及び隔壁層122を有する。単位画素である発光領域は2次元状に配置され、隣接する発光領域は、非発光領域または隔壁層122で分離されている。隔壁層122は、ライン状のバンクを形成している。よって隔壁層122は、1行または1列に並ぶ複数の発光領域を挟んでいる。この場合、コンタクトホールを隔壁層122の下に設けず、例えば、同じ隔壁層122で挟まれた領域のうち、発光領域が存在しない非発光領域にコンタクトホール123が設けられている。   FIG. 6A is a plan configuration diagram of a conventional organic EL display device, and FIG. 6B is a cross-sectional configuration diagram of Z-Z ′ of the conventional organic EL display device. The organic EL display device illustrated in FIG. 6A includes a light emitting region, a non-light emitting region, and a partition wall layer 122. The light emitting areas as unit pixels are two-dimensionally arranged, and adjacent light emitting areas are separated by a non-light emitting area or a partition wall layer 122. The partition layer 122 forms a line bank. Therefore, the partition wall layer 122 sandwiches a plurality of light emitting regions arranged in one row or one column. In this case, the contact hole is not provided below the partition layer 122, and for example, the contact hole 123 is provided in a non-light-emitting region in which no light-emitting region exists among regions sandwiched by the same partition layer 122.

図6(b)に記載された断面図のように、有機EL表示装置は、TFT基板110の上に平坦化膜111が形成されている。平坦化膜111には、上層の有機発光素子の反射陽極112とTFT基板110とを電気的に接続するためのコンタクトホール123が設けられている。このとき、平坦化膜111の膜厚に比べて、反射陽極112の膜厚が小さいため、反射陽極112は平坦化膜111の表面、コンタクトホール123の底部及び側壁に形成されている。また、反射陽極112の上に、透明金属膜113、画素規制層114、正孔注入層115及び隔壁層122が、この順で積層されている。以降、有機発光層116、電子輸送層117、透明陰極118、封止層119、樹脂層120及びCF基板121がこの順で積層されている。   As in the cross-sectional view shown in FIG. 6B, the organic EL display device has a planarization film 111 formed on the TFT substrate 110. The planarizing film 111 is provided with a contact hole 123 for electrically connecting the reflective anode 112 of the upper organic light emitting element and the TFT substrate 110. At this time, since the thickness of the reflective anode 112 is smaller than the thickness of the planarizing film 111, the reflective anode 112 is formed on the surface of the planarizing film 111, the bottom of the contact hole 123, and the side wall. On the reflective anode 112, a transparent metal film 113, a pixel regulating layer 114, a hole injection layer 115, and a partition wall layer 122 are laminated in this order. Thereafter, the organic light emitting layer 116, the electron transport layer 117, the transparent cathode 118, the sealing layer 119, the resin layer 120, and the CF substrate 121 are laminated in this order.

ここで、コンタクトホール123において、正孔注入層115の上部には窪みが発生しているため、例えば、湿式製膜法により有機発光層を形成する場合には、当該窪みに有機発光層材料が流れ込むことにより、発光層の材料が余分に必要になるとともに発光層の膜厚の制御が困難になるという課題がある。また、コンタクトホール123への有機発光層材料の流れ込みにより、コンタクトホール123の近傍では有機発光層116の平坦性が確保されない。そのため、例えば、発光領域と非発光領域との境界部において有機発光層116の膜厚が小さくなり、発光領域内で発光輝度のムラが発生するという課題がある。   Here, in the contact hole 123, a depression is generated above the hole injection layer 115. For example, when an organic light emitting layer is formed by a wet film forming method, an organic light emitting layer material is formed in the depression. By flowing in, there is a problem that an extra material for the light emitting layer is required and it is difficult to control the film thickness of the light emitting layer. Further, due to the flow of the organic light emitting layer material into the contact hole 123, the flatness of the organic light emitting layer 116 is not ensured in the vicinity of the contact hole 123. Therefore, for example, there is a problem that the thickness of the organic light emitting layer 116 is reduced at the boundary between the light emitting region and the non-light emitting region, and unevenness in light emission luminance occurs in the light emitting region.

また、図6に記載された構成ではなく、コンタクトホールを隔壁層の下に形成する構成が考えられるが、当該コンタクトホールによる窪みを隔壁層で覆うと、隔壁層上部に窪みが発生する。この場合、インクジェット方式等を用いて有機発光層のもとになる材料を上方から滴下すると、一部の滴下材料が隔壁層上部の窪みに溜まってしまい、発光領域に流れ込まない状態になることがわかった。これでは発光材料が余分に必要になり、また滴下量を精度良く制御できないため、発光層等の膜厚の精度が低下することにもなる。   In addition to the configuration shown in FIG. 6, a configuration in which a contact hole is formed below the partition layer is conceivable. However, when a recess due to the contact hole is covered with the partition layer, a recess is generated above the partition layer. In this case, if the material that is the basis of the organic light emitting layer is dropped from above using an ink jet method or the like, a part of the dripped material may be accumulated in the depression above the partition wall layer and may not flow into the light emitting region. all right. In this case, an extra light emitting material is required, and the dropping amount cannot be controlled with high accuracy, so that the accuracy of the film thickness of the light emitting layer and the like is also lowered.

これらの課題を解決するため、本発明は、有機EL表示装置において、平坦化膜に形成されたコンタクトホールによる窪みの影響を解消することにより、良好な発光層を形成することを目的とする。さらに、上記コンタクトホールによる窪みの影響を解消するためのより簡易な製造方法を提供する。   In order to solve these problems, an object of the present invention is to form a favorable light emitting layer in an organic EL display device by eliminating the influence of a depression due to a contact hole formed in a planarization film. Furthermore, a simpler manufacturing method for eliminating the influence of the depression due to the contact hole is provided.

上記課題を解決するために、本発明の一態様に係る有機EL表示装置は、基板と、前記基板の上方に形成された、駆動素子を含む駆動回路層と、前記駆動回路層の上方に形成された平坦化膜と、前記平坦化膜の上方、ならびに、当該平坦化膜に設けられたコンタクトホールの底部及び側壁に形成され、前記コンタクトホールを介して前記駆動素子と電気的に接続された画素電極と、前記画素電極の上方に形成された有機発光層と、前記有機発光層の上方に形成された対向電極と、前記画素電極と前記有機発光層との間に設けられることにより、発光電流が流れない非発光領域を形成する画素規制層とを備え、前記画素規制層は前記コンタクトホールの上部に充填され、前記画素規制層の上部表面は当該画素規制層の形成領域にわたり、平坦化されていることを特徴とする。   In order to solve the above problems, an organic EL display device according to one embodiment of the present invention is formed over a substrate, a drive circuit layer including a drive element formed over the substrate, and over the drive circuit layer. Formed on the planarizing film, above the planarizing film, and on the bottom and side walls of the contact hole provided in the planarizing film, and electrically connected to the driving element through the contact hole Light emission by being provided between the pixel electrode, the organic light emitting layer formed above the pixel electrode, the counter electrode formed above the organic light emitting layer, and the pixel electrode and the organic light emitting layer A pixel restricting layer that forms a non-light emitting region in which no current flows, the pixel restricting layer is filled in the upper part of the contact hole, and the upper surface of the pixel restricting layer is flattened over the region where the pixel restricting layer is formed It is characterized in that is.

本発明の有機EL表示装置およびその製造方法によれば、駆動回路層と画素電極との間に形成された平坦化膜に設けられたコンタクトホールの窪みを、画素規制層で平坦化することにより、当該窪みに有機発光層材料が流れ込むことを防止できる。よって、有機発光層の膜厚を高精度に制御でき、有機発光層の膜厚が均一化され、発光輝度のムラを抑制できる。   According to the organic EL display device and the manufacturing method thereof of the present invention, by flattening the depression of the contact hole provided in the planarization film formed between the drive circuit layer and the pixel electrode with the pixel regulation layer. The organic light emitting layer material can be prevented from flowing into the depression. Therefore, the film thickness of the organic light emitting layer can be controlled with high accuracy, the film thickness of the organic light emitting layer is made uniform, and unevenness in light emission luminance can be suppressed.

(a)は、本発明の実施の形態に係る有機EL表示装置の平面構成図である。(b)は、本発明の実施の形態に係る有機EL表示装置のX−X’における断面構成図である。(c)は、本発明の実施の形態に係る有機EL表示装置のY−Y’における断面構成図である。(A) is a plane block diagram of the organic electroluminescence display which concerns on embodiment of this invention. (B) is a cross-sectional block diagram in X-X 'of the organic electroluminescence display which concerns on embodiment of this invention. (C) is a cross-sectional block diagram in Y-Y 'of the organic electroluminescence display which concerns on embodiment of this invention. (a)〜(e)は、本発明の実施の形態に係る有機EL表示装置の製造方法を説明する工程断面図である。(A)-(e) is process sectional drawing explaining the manufacturing method of the organic electroluminescence display which concerns on embodiment of this invention. (a)〜(d)は、本発明の実施の形態に係る有機EL表示装置の製造方法を説明する工程断面図である。(A)-(d) is process sectional drawing explaining the manufacturing method of the organic electroluminescence display which concerns on embodiment of this invention. (a)〜(c)は、本発明の実施の形態に係る有機EL表示装置の製造方法を説明する工程断面図である。(A)-(c) is process sectional drawing explaining the manufacturing method of the organic electroluminescence display which concerns on embodiment of this invention. 本発明の有機EL表示装置及びその製造方法が用いられるTVの外観図である。1 is an external view of a TV in which an organic EL display device and a manufacturing method thereof according to the present invention are used. (a)は、従来の有機EL表示装置の平面構成図である。(b)は、従来の有機EL表示装置のZ−Z’における断面構成図である。(A) is a plane block diagram of the conventional organic electroluminescence display. (B) is a cross-sectional block diagram in Z-Z 'of the conventional organic electroluminescence display.

本発明の一態様に係る有機EL表示装置は、基板と、前記基板の上方に形成された、駆動素子を含む駆動回路層と、前記駆動回路層の上方に形成された平坦化膜と、前記平坦化膜の上方、ならびに、当該平坦化膜に設けられたコンタクトホールの底部及び側壁に形成され、前記コンタクトホールを介して前記駆動素子と電気的に接続された画素電極と、前記画素電極の上方に形成された有機発光層と、前記有機発光層の上方に形成された対向電極と、前記画素電極と前記有機発光層との間に設けられることにより、発光電流が流れない非発光領域を形成する画素規制層とを備え、前記画素規制層は前記コンタクトホールの上部に充填され、前記画素規制層の上部表面は当該画素規制層の形成領域にわたり、平坦化されている。   An organic EL display device according to an aspect of the present invention includes a substrate, a drive circuit layer including a drive element formed over the substrate, a planarization film formed over the drive circuit layer, A pixel electrode formed above the planarizing film and at a bottom and a side wall of a contact hole provided in the planarizing film and electrically connected to the driving element through the contact hole; and An organic light-emitting layer formed above, a counter electrode formed above the organic light-emitting layer, and a non-light-emitting region where no light emission current flows is provided between the pixel electrode and the organic light-emitting layer. A pixel restricting layer to be formed, and the pixel restricting layer is filled in an upper part of the contact hole, and an upper surface of the pixel restricting layer is flattened over a region where the pixel restricting layer is formed.

本態様によれば、非発光領域に設けられ、駆動素子と画素電極とを電気的に接続するためのコンタクトホールの上部に発生した窪みを、画素規制層にて平坦化している。つまり、有機発光層が形成される前段階で当該有機発光層の下地層が平坦化されているので、上記窪みに有機発光層材料が流れ込むこともなく、滴下インク量の増加を抑制し有機発光層の膜厚を高精度に制御できる。また、コンタクトホールへの有機発光層材料の流れ込みがないことにより、コンタクトホールの近傍でも有機発光層の平坦性が確保される。そのため、発光領域全域にわたり、有機発光層の膜厚が均一化され、発光領域内で発光輝度のムラが発生しない。   According to this aspect, the depression generated in the upper portion of the contact hole provided in the non-light emitting region and electrically connecting the driving element and the pixel electrode is flattened by the pixel regulation layer. In other words, since the base layer of the organic light emitting layer is flattened before the organic light emitting layer is formed, the organic light emitting layer material does not flow into the depression, and the increase in the amount of dropped ink is suppressed and organic light emission is achieved. The film thickness of the layer can be controlled with high accuracy. Further, since the organic light emitting layer material does not flow into the contact hole, the flatness of the organic light emitting layer is ensured even in the vicinity of the contact hole. Therefore, the thickness of the organic light emitting layer is made uniform over the entire light emitting region, and unevenness in light emission luminance does not occur in the light emitting region.

さらに、本発明の一態様は、前記画素規制層の下層であって当該画素規制層と接する層の発光領域における表面高さと、前記画素規制層の表面高さとの差は、500nm以内である。   Further, according to one embodiment of the present invention, a difference between a surface height in a light emitting region of a layer below the pixel restricting layer and in contact with the pixel restricting layer and a surface height of the pixel restricting layer is within 500 nm.

本態様によれば、発光領域と非発光領域との境界部において、平坦化された画素規制層の膜厚分だけ段差が発生するが、当該段差高さが500nm以内であることにより、有機発光層の膜厚制御の精度が低下することがない。また、上記段差の近傍でも有機発光層の平坦性が確保される。そのため、発光領域全域にわたり、有機発光層の膜厚が均一化され、発光領域内で発光輝度のムラが発生しない。   According to this aspect, a step is generated at the boundary between the light emitting region and the non-light emitting region by the thickness of the flattened pixel regulation layer. The accuracy of layer thickness control is not reduced. Further, the flatness of the organic light emitting layer is ensured even in the vicinity of the step. Therefore, the thickness of the organic light emitting layer is made uniform over the entire light emitting region, and unevenness in light emission luminance does not occur in the light emitting region.

さらに、本発明の一態様によれば、前記画素電極は、発光画素ごとに分離形成されており、前記画素規制層は、隣接する前記画素電極の間の領域に充填されていてもよい。   Furthermore, according to one aspect of the present invention, the pixel electrode may be formed separately for each light emitting pixel, and the pixel restricting layer may be filled in a region between the adjacent pixel electrodes.

上面発光方式の有機EL表示装置では、有機発光層の下側に形成された反射陽極は発光画素ごとに分離形成されている。この反射陽極である画素電極の間には、段差を有する領域が発生し、当該領域の上部にも窪みが発生する。   In a top emission type organic EL display device, the reflective anode formed below the organic light emitting layer is formed separately for each light emitting pixel. A region having a step is generated between the pixel electrodes which are the reflective anodes, and a depression is also generated in the upper portion of the region.

本態様によれば、画素電極の間の領域に発生した窪みは、画素規制層により充填され平坦化される。よって、上記コンタクトホール上の画素規制層の平坦化の効果と同様、有機発光層が形成される前段階で当該有機発光層の下地層が平坦化されているので、上記窪みに有機発光層材料が流れ込むこともなく、滴下インク量の増加を抑制し有機発光層の膜厚を高精度に制御できる。また、画素電極の間の領域への有機発光層材料の流れ込みがないことにより、当該領域の近傍でも有機発光層の平坦性が確保される。そのため、発光領域全域にわたり、有機発光層の膜厚が均一化され、発光領域内で発光輝度のムラが発生しない。   According to this aspect, the depression generated in the region between the pixel electrodes is filled and flattened by the pixel regulation layer. Therefore, as with the effect of flattening the pixel regulation layer on the contact hole, the underlying layer of the organic light emitting layer is flattened before the organic light emitting layer is formed. Therefore, the increase in the amount of dripped ink can be suppressed and the film thickness of the organic light emitting layer can be controlled with high accuracy. In addition, since the organic light emitting layer material does not flow into the region between the pixel electrodes, the flatness of the organic light emitting layer is ensured even in the vicinity of the region. Therefore, the thickness of the organic light emitting layer is made uniform over the entire light emitting region, and unevenness in light emission luminance does not occur in the light emitting region.

また、本発明の一態様によれば、さらに、前記画素規制層の一部の上方に形成され、前記有機発光層の形成領域を分離する隔壁層を備え、前記コンタクトホールは、前記隔壁層の形成されていない前記非発光領域に形成されていてもよい。   In addition, according to an aspect of the present invention, it further includes a partition layer that is formed above a part of the pixel regulation layer and separates a formation region of the organic light emitting layer, and the contact hole includes the partition layer. It may be formed in the non-light emitting region that is not formed.

本態様によれば、コンタクトホールは、隔壁層の下でなく、発光領域を分離する非発光領域に形成されている。   According to this aspect, the contact hole is formed not in the partition layer but in the non-light emitting region that separates the light emitting region.

さらに、本発明の一態様によれば、前記隔壁層は、前記画素規制層で区画された複数の発光領域を挟むように配置されたライン状の隔壁層であってもよい。   Furthermore, according to an aspect of the present invention, the partition wall layer may be a linear partition wall layer disposed so as to sandwich a plurality of light emitting regions partitioned by the pixel regulation layer.

本態様によれば、隔壁層が一列または一行の発光画素を挟み込むようなライン上のバンク構造であり、当該隔壁層で挟まれた領域に、同色の有機発光層材料を流し込む場合が該当する。この場合には、上記コンタクトホールの上部にも有機発光層が形成される。よって、有機発光層の下地である画素規制層が平坦化されていることにより、隔壁層で挟まれた複数の発光画素の有する有機発光層の膜厚を均一に制御できる。   According to this aspect, the bank structure is a bank structure on a line in which the light-emitting pixels in one row or one row are sandwiched, and the same color organic light-emitting layer material is poured into a region sandwiched between the partition layers. In this case, an organic light emitting layer is also formed on the contact hole. Therefore, by flattening the pixel regulation layer that is the base of the organic light emitting layer, the thickness of the organic light emitting layer of the plurality of light emitting pixels sandwiched between the partition layers can be controlled uniformly.

また、本発明の一態様によれば、前記画素規制層及び前記隔壁層で区画された複数の発光領域が2次元状に配置され、前記ライン状の隔壁層は、前記複数の発光領域のうち1次元状に配置された複数の発光領域を挟むように配置されていてもよい。   According to an aspect of the present invention, the plurality of light emitting regions partitioned by the pixel regulation layer and the partition layer are two-dimensionally arranged, and the line-shaped partition layer is formed of the plurality of light emitting regions. You may arrange | position so that the several light emission area | region arrange | positioned one-dimensionally may be pinched | interposed.

本態様によれば、有機ELディスプレイなどに用いられる発光パネルに代表される、発光画素が2次元状に配置された場合、2次元状に配置された全発光画素にわたり、有機発光層の膜厚を高精度に制御できる。また、全発光画素において、有機発光層の膜厚が均一化され、発光領域内で発光輝度のムラが発生しない。   According to this aspect, when the light emitting pixels represented by a light emitting panel used for an organic EL display or the like are two-dimensionally arranged, the film thickness of the organic light emitting layer is extended over all the light emitting pixels arranged two-dimensionally. Can be controlled with high accuracy. Further, in all the light emitting pixels, the film thickness of the organic light emitting layer is made uniform, and unevenness in light emission luminance does not occur in the light emitting region.

また、本発明の一態様によれば、前記ライン状の隔壁層で挟まれた領域に配置された複数の発光領域は、同じ色であってもよい。   Further, according to one embodiment of the present invention, the plurality of light emitting regions arranged in the region sandwiched between the line-shaped partition layers may have the same color.

本態様によれば、ライン状の隔壁層で挟まれた領域に配置された複数の発光領域は、同じ色である。よって、当該領域には、有機発光層材料を一度に流し込むことが可能となる。この場合、画素規制層が平坦化されていることにより、当該有機発光層材料の偏在がなく、また不要部への流れ込みも発生しないので、上記領域において有機発光層の膜厚を高精度に制御できる。また、上記領域において、有機発光層の膜厚が均一化され、発光領域内で発光輝度のムラが発生しない。   According to this aspect, the plurality of light emitting regions arranged in the region sandwiched between the line-shaped partition layers have the same color. Therefore, the organic light emitting layer material can be poured into the region at a time. In this case, since the pixel restricting layer is flattened, the organic light emitting layer material is not unevenly distributed and does not flow into unnecessary portions. Therefore, the thickness of the organic light emitting layer can be controlled with high accuracy in the above region. it can. Further, in the above region, the thickness of the organic light emitting layer is made uniform, and unevenness in light emission luminance does not occur in the light emitting region.

また、本発明の一態様に係る有機EL表示装置の製造方法は、基板上に形成された駆動回路層の上方に、当該駆動回路層の有する駆動素子と上層とを電気的に接続するためのコンタクトホールが設けられた平坦化膜を形成する第1工程と、前記平坦化膜の上方ならびに前記コンタクトホールの底部及び側壁に画素電極を形成する第2工程と、前記画素電極の上方であって、前記コンタクトホールが形成された領域を含む非発光領域に、前記コンタクトホールの窪みの深さ以上の膜厚を有する絶縁体層を形成する第3工程と、前記絶縁体層の表面の凸部をエッチバックすることにより、前記絶縁体層の表面全体が平坦化された、発光電流が流れない画素規制層を形成する第4工程と、前記画素規制層の上方に、有機機能層を形成する第5工程と、前記有機機能層の上方に、対向電極を形成する第6工程とを含む。   In addition, a method for manufacturing an organic EL display device according to one embodiment of the present invention is provided for electrically connecting a driving element and an upper layer of a driving circuit layer above a driving circuit layer formed over a substrate. A first step of forming a planarization film provided with a contact hole; a second step of forming a pixel electrode above the planarization film and on the bottom and side walls of the contact hole; and above the pixel electrode. A third step of forming an insulator layer having a film thickness equal to or greater than the depth of the contact hole depression in a non-light-emitting region including the region where the contact hole is formed; and a convex portion on the surface of the insulator layer Is etched back to form a pixel regulation layer in which the entire surface of the insulator layer is flattened and a light emission current does not flow, and an organic functional layer is formed above the pixel regulation layer. The fifth step and Above the organic functional layer, and a sixth step of forming a counter electrode.

本態様によれば、非発光領域に設けられ、駆動素子と画素電極とを電気的に接続するためのコンタクトホールの上部に発生した窪みを、画素規制層にて平坦化している。つまり、有機発光層が形成される前段階で当該有機発光層の下地層が平坦化されているので、上記窪みに有機発光層材料が流れ込むこともなく、滴下インク量の増加を抑制し有機発光層の膜厚を高精度に制御できる。また、コンタクトホールへの有機発光層材料の流れ込みがないことにより、コンタクトホールの近傍でも有機発光層の平坦性が確保される。そのため、発光領域全域にわたり、有機発光層の膜厚が均一化され、発光領域内で発光輝度のムラが発生しない。   According to this aspect, the depression generated in the upper portion of the contact hole provided in the non-light emitting region and electrically connecting the driving element and the pixel electrode is flattened by the pixel regulation layer. In other words, since the base layer of the organic light emitting layer is flattened before the organic light emitting layer is formed, the organic light emitting layer material does not flow into the depression, and the increase in the amount of dropped ink is suppressed and organic light emission is achieved. The film thickness of the layer can be controlled with high accuracy. Further, since the organic light emitting layer material does not flow into the contact hole, the flatness of the organic light emitting layer is ensured even in the vicinity of the contact hole. Therefore, the thickness of the organic light emitting layer is made uniform over the entire light emitting region, and unevenness in light emission luminance does not occur in the light emitting region.

また、加熱などのプロセス要因によりダメージを受けやすい有機発光層を形成する前段階で、かつ、簡易的なプロセスにて画素規制層の平坦化プロセスを実施できる。   In addition, the pixel regulation layer can be flattened by a simple process before the formation of the organic light emitting layer which is easily damaged by a process factor such as heating.

また、本発明の一態様によれば、前記有機機能層は、有機発光層を含み、さらに、前記画素規制層の一部の上方に、前記有機発光層の形成領域を分離するための複数の隔壁層を所定の面間隔で形成し、前記複数の隔壁層の形成後に、当該複数の隔壁層で挟まれた領域に前記有機発光層を形成してもよい。   According to an aspect of the present invention, the organic functional layer includes an organic light emitting layer, and further includes a plurality of organic light emitting layer forming regions for separating the organic light emitting layer forming region above a part of the pixel regulating layer. A partition layer may be formed with a predetermined spacing, and after the formation of the plurality of partition layers, the organic light emitting layer may be formed in a region sandwiched between the plurality of partition layers.

本態様によれば、画素規制層の平坦化により有機発光層を形成する領域の平坦性が向上するだけでなく、隔壁層上部の形状も平坦化させることが可能となる。これにより、インクジェット方式等を用いて有機発光層のもとになる材料を上方から滴下する場合、一部の滴下材料が隔壁層上部の窪みに溜まってしまい、発光領域に流れ込まないという状態を回避できる。よって、発光材料を余分に必要とせず、滴下量を精度良く制御でき、有機発光層の膜厚を高精度に制御することが可能となる。   According to this aspect, not only the flatness of the region where the organic light emitting layer is formed is improved by flattening the pixel regulating layer, but also the shape of the upper part of the partition wall layer can be flattened. As a result, when the material that is the basis of the organic light-emitting layer is dropped from above using an inkjet method or the like, a state in which a part of the dripped material accumulates in the depression above the partition wall layer and does not flow into the light emitting region is avoided. it can. Therefore, an extra light emitting material is not required, the amount of dripping can be controlled with high accuracy, and the film thickness of the organic light emitting layer can be controlled with high accuracy.

以下、本発明の実施の形態について図面を用いて説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

図1(a)は、本発明の実施の形態に係る有機EL表示装置の平面構成図である。また、図1(b)は、本発明の実施の形態に係る有機EL表示装置のX−X’における断面構成図である。また、図1(c)は、本発明の実施の形態に係る有機EL表示装置のY−Y’における断面構成図である。   FIG. 1A is a plan configuration diagram of an organic EL display device according to an embodiment of the present invention. FIG. 1B is a cross-sectional configuration view taken along the line X-X ′ of the organic EL display device according to the embodiment of the present invention. FIG. 1C is a cross-sectional configuration diagram at Y-Y ′ of the organic EL display device according to the embodiment of the present invention.

図1(a)に記載された有機EL表示装置1は、単位画素が2次元状に配置されており、発光領域、非発光領域、隔壁層22およびコンタクトホール23を有する。一単位画素は、非発光領域及び隔壁層22に囲まれた一発光領域を有する。隔壁層22は、ライン状のバンクを形成している。よって隔壁層22は、1行または1列に並ぶ複数の発光領域を挟んでいる。図1(a)では、コンタクトホールを隔壁層22の下に設けず、例えば、同じ隔壁層22で挟まれた領域のうち、発光領域が存在しない非発光領域にコンタクトホール23が設けられている。なお、コンタクトホール23は、隔壁層22の下に設けられていてもよい。   In the organic EL display device 1 illustrated in FIG. 1A, unit pixels are two-dimensionally arranged and have a light emitting region, a non-light emitting region, a partition layer 22, and a contact hole 23. One unit pixel has one light emitting region surrounded by the non-light emitting region and the partition wall layer 22. The partition layer 22 forms a line bank. Therefore, the partition layer 22 sandwiches a plurality of light emitting regions arranged in one row or one column. In FIG. 1A, the contact hole is not provided under the partition layer 22, and for example, the contact hole 23 is provided in a non-light-emitting region in which no light-emitting region exists among regions sandwiched by the same partition layer 22. . The contact hole 23 may be provided below the partition wall layer 22.

図1(b)は、非発光領域及び隔壁層が形成された領域の断面図であり、図1(c)は、発光領域及び非発光領域の断面図である。図1(b)及び図1(c)に記載されたように、有機EL表示装置1は、TFT基板10と、平坦化膜11と、反射陽極12と、透明金属膜13と、画素規制層14と、正孔注入層15と、有機発光層16と、電子輸送層17と、透明陰極18と、封止層19と、樹脂層20と、CF基板21と、隔壁層22と、コンタクトホール23とを備える。   FIG. 1B is a cross-sectional view of a non-light emitting region and a region where a partition layer is formed, and FIG. 1C is a cross-sectional view of the light emitting region and the non-light emitting region. As shown in FIGS. 1B and 1C, the organic EL display device 1 includes a TFT substrate 10, a planarizing film 11, a reflective anode 12, a transparent metal film 13, and a pixel regulating layer. 14, hole injection layer 15, organic light emitting layer 16, electron transport layer 17, transparent cathode 18, sealing layer 19, resin layer 20, CF substrate 21, partition wall layer 22, contact hole. 23.

TFT基板10は、例えば、ガラス基板の上に形成されており、有機EL素子を駆動する薄膜トランジスタ(TFT)を含む。   The TFT substrate 10 is formed on a glass substrate, for example, and includes a thin film transistor (TFT) that drives an organic EL element.

平坦化膜11は、TFT基板10の表面の凹凸を平坦化することにより、上層に形成される有機EL素子の膜厚の均一性を確保する。平坦化膜11は、無機物または有機物からなる絶縁膜であり、例えば、SiNX、SiOX、アクリル、ポリイミド及びゾルゲルなどが挙げられ、膜厚は3.5μmである。 The planarization film 11 ensures the uniformity of the film thickness of the organic EL element formed in the upper layer by planarizing the unevenness of the surface of the TFT substrate 10. The planarizing film 11 is an insulating film made of an inorganic material or an organic material, and examples thereof include SiN x , SiO x , acrylic, polyimide, and sol-gel, and the film thickness is 3.5 μm.

コンタクトホール23は、平坦化膜11が形成された領域であって平坦化膜11を貫通するように設けられている。   The contact hole 23 is a region where the planarizing film 11 is formed and is provided so as to penetrate the planarizing film 11.

反射陽極12は、平坦化膜11の上面に、コンタクトホール23の底部及び側壁を覆うように形成されている。これにより、反射陽極12は、コンタクトホール23を介してTFT基板10の有する駆動TFTと電気的に接続される。反射陽極12は、有機EL素子の陽極としての機能を有し、また、有機発光層16から下部の反射陽極12の方向へ出射した光を上部の透明陰極18の方向へ反射する機能を有する。よって、反射陽極12は、反射率及び導電率の高い金属膜であることが好ましく、例えば、APC(Ag、Pd、Cu合金)であり、膜厚は150nmである。   The reflective anode 12 is formed on the upper surface of the planarizing film 11 so as to cover the bottom and side walls of the contact hole 23. Thereby, the reflective anode 12 is electrically connected to the driving TFT of the TFT substrate 10 through the contact hole 23. The reflective anode 12 has a function as an anode of the organic EL element, and also has a function of reflecting light emitted from the organic light emitting layer 16 toward the lower reflective anode 12 toward the upper transparent cathode 18. Therefore, the reflective anode 12 is preferably a metal film having high reflectivity and conductivity, and is, for example, APC (Ag, Pd, Cu alloy) and has a film thickness of 150 nm.

透明金属膜13は、反射陽極12の上面に形成されている。透明金属膜13は、反射陽極12の酸化を防止し、また、膜厚を最適化することにより、有機発光層と反射陽極表面との間の光学的距離を調整する機能を有する。よって、透明金属膜13は、透過率及び導電率の高い膜であることが好ましく、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)であり、膜厚は50nmである。   The transparent metal film 13 is formed on the upper surface of the reflective anode 12. The transparent metal film 13 has a function of adjusting the optical distance between the organic light emitting layer and the reflective anode surface by preventing oxidation of the reflective anode 12 and optimizing the film thickness. Therefore, the transparent metal film 13 is preferably a film having high transmittance and conductivity, for example, ITO (Indium Tin Oxide), and the film thickness is 50 nm.

上述した平坦化膜11、反射陽極12及び透明金属膜13の膜厚の関係より、コンタクトホール23の上部には、透明金属膜13の形成後、窪みが発生している。   Due to the film thickness relationship of the planarizing film 11, the reflective anode 12, and the transparent metal film 13 described above, a recess is formed on the contact hole 23 after the transparent metal film 13 is formed.

また、反射陽極12及び透明金属膜13は、単位画素ごとに分離されている。   The reflective anode 12 and the transparent metal film 13 are separated for each unit pixel.

画素規制層14は、反射陽極12と有機発光層16との間であって、絶縁体からなることにより、反射陽極12と透明陰極18との間の発光電流が抑制された非発光領域を一部形成する。画素規制層14は、例えば、SiNX、SiOX、アクリル、ポリイミド及びゾルゲルなどが挙げられる。 The pixel regulating layer 14 is between the reflective anode 12 and the organic light emitting layer 16, and is made of an insulator so that a non-light emitting region in which the light emission current between the reflective anode 12 and the transparent cathode 18 is suppressed is unified. Part formation. Examples of the pixel regulation layer 14 include SiN x , SiO x , acrylic, polyimide, and sol-gel.

ここで、画素規制層14は、コンタクトホール23の上部に充填され、画素規制層14の表面は平坦化されている。   Here, the pixel regulation layer 14 is filled in the upper part of the contact hole 23, and the surface of the pixel regulation layer 14 is flattened.

これにより、有機発光層16が形成される前段階で有機発光層16の下地層が平坦化されているので、上記窪みに有機発光層材料が流れ込むこともなく、滴下インク量の増加を抑制し有機発光層16の膜厚を高精度に制御できる。また、コンタクトホール23への有機発光層材料の流れ込みがないことにより、コンタクトホール23の近傍でも有機発光層16の平坦性が確保される。そのため、発光領域全域にわたり、有機発光層16の膜厚が均一化され、発光領域内で発光輝度のムラが発生しない。   Thereby, since the base layer of the organic light emitting layer 16 is flattened before the organic light emitting layer 16 is formed, the organic light emitting layer material does not flow into the depression, and the increase in the amount of the dropped ink is suppressed. The film thickness of the organic light emitting layer 16 can be controlled with high accuracy. Further, since the organic light emitting layer material does not flow into the contact hole 23, the flatness of the organic light emitting layer 16 is ensured even in the vicinity of the contact hole 23. Therefore, the film thickness of the organic light emitting layer 16 is made uniform over the entire light emitting region, and unevenness in light emission luminance does not occur in the light emitting region.

また、発光領域と非発光領域との境界部において、平坦化された画素規制層14の膜厚分だけ段差が発生するが、当該段差高さが500nm以内であることが好ましい。これにより、有機発光層16の膜厚制御の精度が低下することがない。また、上記段差の近傍でも有機発光層16の平坦性が確保される。そのため、発光領域全域にわたり、有機発光層16の膜厚が均一化され、発光領域内で発光輝度のムラが発生しない。   Further, a step is generated at the boundary between the light emitting region and the non-light emitting region by the thickness of the flattened pixel regulating layer 14, but the step height is preferably within 500 nm. Thereby, the precision of the film thickness control of the organic light emitting layer 16 is not lowered. Further, the flatness of the organic light emitting layer 16 is ensured even in the vicinity of the step. Therefore, the film thickness of the organic light emitting layer 16 is made uniform over the entire light emitting region, and unevenness in light emission luminance does not occur in the light emitting region.

また、画素規制層14は、隣接する反射陽極12の間の領域に充填されていることが好ましい。   In addition, the pixel regulation layer 14 is preferably filled in a region between adjacent reflective anodes 12.

本実施の形態のようなトップエミッション型の有機EL表示装置1では、有機発光層16の下側に形成された反射陽極12は発光画素ごとに分離形成されている。この反射陽極12の間には、段差を有する領域が発生し、当該領域の上部にも窪みが発生する。   In the top emission type organic EL display device 1 as in the present embodiment, the reflective anode 12 formed below the organic light emitting layer 16 is separately formed for each light emitting pixel. A region having a step is generated between the reflective anodes 12, and a depression is also generated in the upper portion of the region.

本実施の形態によれば、反射陽極12の間の領域に発生した窪みは、画素規制層14により充填され平坦化される。よって、上記コンタクトホール23上の画素規制層14の平坦化の効果と同様、有機発光層16が形成される前段階で有機発光層16の下地層が平坦化されているので、上記窪みに有機発光層材料が流れ込むこともなく、滴下インク量の増加を抑制し有機発光層16の膜厚を高精度に制御できる。また、反射陽極12の間の領域への有機発光層材料の流れ込みがないことにより、当該領域の近傍でも有機発光層16の平坦性が確保される。そのため、発光領域全域にわたり、有機発光層16の膜厚が均一化され、発光領域内で発光輝度のムラが発生しない。   According to the present embodiment, the depression generated in the region between the reflective anodes 12 is filled with the pixel regulation layer 14 and flattened. Therefore, similar to the effect of flattening the pixel regulation layer 14 on the contact hole 23, the base layer of the organic light emitting layer 16 is flattened before the organic light emitting layer 16 is formed. The light emitting layer material does not flow in, the increase in the amount of dropped ink can be suppressed, and the film thickness of the organic light emitting layer 16 can be controlled with high accuracy. Further, since the organic light emitting layer material does not flow into the region between the reflective anodes 12, the flatness of the organic light emitting layer 16 is ensured even in the vicinity of the region. Therefore, the film thickness of the organic light emitting layer 16 is made uniform over the entire light emitting region, and unevenness in light emission luminance does not occur in the light emitting region.

なお、画素規制層14の平坦化プロセスについては、後述する有機EL表示装置1の製造方法にて説明する。   The flattening process of the pixel regulating layer 14 will be described in a method for manufacturing the organic EL display device 1 described later.

正孔注入層15は、発光領域においては透明金属膜13の上面に、また、非発光領域においては画素規制層14の上面に形成される。正孔注入層15は、正孔注入性の材料を主成分とする層である。正孔注入性の材料とは、反射陽極12側から注入された正孔を安定的に、又は正孔の生成を補助して有機発光層16へ注入する機能を有する材料である。正孔注入層15は、例えば、酸化モリブデンと酸化タングステンとの混合膜であり、膜厚は50nmである。   The hole injection layer 15 is formed on the upper surface of the transparent metal film 13 in the light emitting region, and on the upper surface of the pixel regulating layer 14 in the non-light emitting region. The hole injection layer 15 is a layer mainly composed of a hole injection material. The hole injecting material is a material having a function of injecting holes injected from the reflective anode 12 side into the organic light emitting layer 16 stably or by assisting the generation of holes. The hole injection layer 15 is, for example, a mixed film of molybdenum oxide and tungsten oxide and has a film thickness of 50 nm.

ここで、正孔注入層15は、非発光領域において、平坦化された画素規制層14の上面に形成されているので、正孔注入層15の上面もまた平坦性が確保されている。   Here, since the hole injection layer 15 is formed on the planarized upper surface of the pixel regulation layer 14 in the non-light emitting region, the planarity of the upper surface of the hole injection layer 15 is also ensured.

隔壁層22は、正孔注入層15の上に形成され、有機発光層16の形成領域を規制し発光領域を発光画素ごと、または、一列の発光画素群ごとに分離する機能を有し、ポリイミド樹脂などの樹脂材料が用いられる。   The partition layer 22 is formed on the hole injection layer 15, has a function of regulating the formation region of the organic light emitting layer 16 and separating the light emitting region for each light emitting pixel or for each light emitting pixel group. A resin material such as a resin is used.

本実施の形態では、隔壁層22は、画素規制層14で区画された複数の発光領域を挟むように配置されたライン状の隔壁層である。   In the present embodiment, the partition wall layer 22 is a line-shaped partition wall layer disposed so as to sandwich a plurality of light emitting regions partitioned by the pixel regulation layer 14.

なお、本実施の形態では、図1(c)に示されたように、隔壁層22の下に形成された、隣接する反射陽極12の間の領域には、正孔注入層15及び隔壁層22が充填されているが、隔壁層22の代わりに画素規制層14が充填され平坦化されていてもよい。   In the present embodiment, as shown in FIG. 1C, the hole injection layer 15 and the partition layer are formed in the region between the adjacent reflective anodes 12 formed below the partition layer 22. However, the pixel regulation layer 14 may be filled and flattened instead of the partition wall layer 22.

これにより、隔壁層22の上部の形状も平坦化させることが可能となる。よって、インクジェット方式等を用いて有機発光層16のもとになる材料を上方から滴下する場合、一部の滴下材料が隔壁層22の上部の窪みに溜まってしまい、発光領域に流れ込まないという状態を回避できる。よって、発光材料を余分に必要とせず、滴下量を精度良く制御でき、有機発光層16の膜厚を高精度に制御することが可能となる。   Thereby, the shape of the upper part of the partition wall layer 22 can be flattened. Therefore, when the material that is the basis of the organic light emitting layer 16 is dropped from above using an ink jet method or the like, a part of the dropped material is accumulated in the depression above the partition wall layer 22 and does not flow into the light emitting region. Can be avoided. Therefore, an extra light emitting material is not required, the dropping amount can be controlled with high accuracy, and the film thickness of the organic light emitting layer 16 can be controlled with high accuracy.

有機発光層16は、赤色発光する層、緑色発光する層または青色発光する層であり、正孔注入層15、電子輸送層17及び隔壁層22に囲まれ、有機発光層16に注入された電子と正孔の再結合により発生する光を透明陰極18面側から放出する。有機発光層16は、低分子系または高分子系の有機発光材料を用いることができる。高分子系の発光材料としては、例えばポリパラフェニレンビニレン(PPV)、ポリフルオレンなどのポリマー発光材料などを用いることができる。また、低分子系の発光材料としては、Alq3やBe−ベンゾキノリノール(BeBq2)の他に、2,5−ビス(5,7−ジ−t−ペンチル−2−ベンゾオキサゾリル)−1,3,4−チアジアゾール、4,4’−ビス(5,7−ベンチル−2−ベンゾオキサゾリル)スチルベン、4,4’−ビス〔5,7−ジ−(2−メチル−2−ブチル)−2−ベンゾオキサゾリル〕スチルベン、2,5−ビス(5,7−ジ−t−ベンチル−2−ベンゾオキサゾリル)チオフィン、2,5−ビス(〔5−α,α−ジメチルベンジル〕−2−ベンゾオキサゾリル)チオフェン、2,5−ビス〔5,7−ジ−(2−メチル−2−ブチル)−2−ベンゾオキサゾリル〕−3,4−ジフェニルチオフェン、2,5−ビス(5−メチル−2−ベンゾオキサゾリル)チオフェン、4,4’−ビス(2−ベンゾオキサイゾリル)ビフェニル、5−メチル−2−〔2−〔4−(5−メチル−2−ベンゾオキサイゾリル)フェニル〕ビニル〕ベンゾオキサイゾリル、2−〔2−(4−クロロフェニル)ビニル〕ナフト〔1,2−d〕オキサゾールなどのベンゾオキサゾール系、2,2’−(p−フェニレンジビニレン)−ビスベンゾチアゾールなどのベンゾチアゾール系、2−〔2−〔4−(2−ベンゾイミダゾリル)フェニル〕ビニル〕ベンゾイミダゾール、2−〔2−(4−カルボキシフェニル)ビニル〕ベンゾイミダゾールなどのベンゾイミダゾール系などの蛍光増白剤や、トリス(8−キノリノール)アルミニウム、ビス(8−キノリノール)マグネシウム、ビス(ベンゾ〔f〕−8−キノリノール)亜鉛、ビス(2−メチル−8−キノリノラート)アルミニウムオキシド、トリス(8−キノリノール)インジウム、トリス(5−メチル−8−キノリノール)アルミニウム、8−キノリノールリチウム、トリス(5−クロロ−8−キノリノール)ガリウム、ビス(5−クロロ−8−キノリノール)カルシウム、ポリ〔亜鉛−ビス(8−ヒドロキシ−5−キノリノニル)メタン〕などの8−ヒドロキシキノリン系金属錯体やジリチウムエピンドリジオンなどの金属キレート化オキシノイド化合物や、1,4−ビス(2−メチルスチリル)ベンゼン、1,4−(3−メチルスチリル)ベンゼン、1,4−ビス(4−メチルスチリル)ベンゼン、ジスチリルベンゼン、1,4−ビス(2−エチルスチリル)ベンゼン、1,4−ビス(3−エチルスチリル)ベンゼン、1,4−ビス(2−メチルスチリル)2−メチルベンゼンなどのスチリルベンゼン系化合物や、2,5−ビス(4−メチルスチリル)ピラジン、2,5−ビス(4−エチルスチリル)ピラジン、2,5−ビス〔2−(1−ナフチル)ビニル〕ピラジン、2,5−ビス(4−メトキシスチリル)ピラジン、2,5−ビス〔2−(4−ビフェニル)ビニル〕ピラジン、2,5−ビス〔2−(1−ピレニル)ビニル〕ピラジンなどのジスチルピラジン誘導体や、ナフタルイミド誘導体や、ペリレン誘導体や、オキサジアゾール誘導体や、アルダジン誘導体や、シクロペンタジエン誘導体や、スチリルアミン誘導体や、クマリン系誘導体や、芳香族ジメチリディン誘導体などが用いられる。さらに、アントラセン、サリチル酸塩、ピレン、コロネンなども用いられる。あるいは、ファク−トリス(2−フェニルピリジン)イリジウムなどの燐光発光材料を用いることもできる。 The organic light emitting layer 16 is a layer that emits red light, a layer that emits green light, or a layer that emits blue light. The organic light emitting layer 16 is surrounded by the hole injection layer 15, the electron transport layer 17, and the partition layer 22, and the electrons injected into the organic light emitting layer 16. The light generated by the recombination of holes and holes is emitted from the surface of the transparent cathode 18. The organic light emitting layer 16 can use a low molecular weight or high molecular weight organic light emitting material. As the polymer light-emitting material, for example, a polymer light-emitting material such as polyparaphenylene vinylene (PPV) or polyfluorene can be used. Moreover, as a low molecular weight light emitting material, in addition to Alq 3 and Be-benzoquinolinol (BeBq 2 ), 2,5-bis (5,7-di-t-pentyl-2-benzoxazolyl)- 1,3,4-thiadiazole, 4,4'-bis (5,7-benzyl-2-benzoxazolyl) stilbene, 4,4'-bis [5,7-di- (2-methyl-2- Butyl) -2-benzoxazolyl] stilbene, 2,5-bis (5,7-di-t-benzyl-2-benzoxazolyl) thiophine, 2,5-bis ([5-α, α- Dimethylbenzyl] -2-benzoxazolyl) thiophene, 2,5-bis [5,7-di- (2-methyl-2-butyl) -2-benzoxazolyl] -3,4-diphenylthiophene, 2,5-bis (5-methyl-2-benzoxazolyl) thio 4,4'-bis (2-benzoxazolyl) biphenyl, 5-methyl-2- [2- [4- (5-methyl-2-benzoxazolyl) phenyl] vinyl] benzoxazo Benzoxazoles such as ril, 2- [2- (4-chlorophenyl) vinyl] naphtho [1,2-d] oxazole, benzothiazoles such as 2,2 ′-(p-phenylenedivinylene) -bisbenzothiazole , 2- [2- [4- (2-benzimidazolyl) phenyl] vinyl] benzimidazole, 2- [2- (4-carboxyphenyl) vinyl] benzimidazole, and other fluorescent whitening agents such as Tris, (8-quinolinol) aluminum, bis (8-quinolinol) magnesium, bis (benzo [f] -8-quinolinol) zinc, bis 2-methyl-8-quinolinolate) aluminum oxide, tris (8-quinolinol) indium, tris (5-methyl-8-quinolinol) aluminum, 8-quinolinol lithium, tris (5-chloro-8-quinolinol) gallium, bis ( Metal-chelating oxinoid compounds such as 8-hydroxyquinoline-based metal complexes such as 5-chloro-8-quinolinol) calcium and poly [zinc-bis (8-hydroxy-5-quinolinonyl) methane] and dilithium ependridione 1,4-bis (2-methylstyryl) benzene, 1,4- (3-methylstyryl) benzene, 1,4-bis (4-methylstyryl) benzene, distyrylbenzene, 1,4-bis (2 -Ethylstyryl) benzene, 1,4-bis (3-ethylstyryl) ben , 1,4-bis (2-methylstyryl) 2-methylbenzene and other styrylbenzene compounds, 2,5-bis (4-methylstyryl) pyrazine, 2,5-bis (4-ethylstyryl) pyrazine 2,5-bis [2- (1-naphthyl) vinyl] pyrazine, 2,5-bis (4-methoxystyryl) pyrazine, 2,5-bis [2- (4-biphenyl) vinyl] pyrazine, 2, Distylpyrazine derivatives such as 5-bis [2- (1-pyrenyl) vinyl] pyrazine, naphthalimide derivatives, perylene derivatives, oxadiazole derivatives, aldazine derivatives, cyclopentadiene derivatives, styrylamine derivatives, Coumarin derivatives and aromatic dimethylidin derivatives are used. Furthermore, anthracene, salicylate, pyrene, coronene and the like are also used. Alternatively, a phosphorescent material such as fac-tris (2-phenylpyridine) iridium can be used.

前述したように、有機発光層16が形成される前段階で有機発光層16の下地層が平坦化されているので、コンタクトホール23などの窪みに有機発光層材料が流れ込むこともなく、滴下インク量の増加を抑制し有機発光層16の膜厚を高精度に制御できる。   As described above, since the base layer of the organic light emitting layer 16 is flattened before the organic light emitting layer 16 is formed, the organic light emitting layer material does not flow into the depression such as the contact hole 23, and the dropped ink. The increase in the amount can be suppressed and the thickness of the organic light emitting layer 16 can be controlled with high accuracy.

電子輸送層17は、有機発光層16の上面に形成される。電子輸送層17は、電子輸送性の材料を主成分とする層である。電子輸送性の材料とは、電子アクセプター性を有し陰イオンになりやすい性質と、発生した電子を分子間の電荷移動反応により伝達する性質を併せ持ち、透明陰極18から有機発光層16までの電荷輸送に対して適正を有する材料のことである。電子輸送層17としては、例えば、1,3−ビス(4−tert−ブチルフェニル−1,3,4−オキサジアゾリル)フェニレン(OXD−7)などのオキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、シロール誘導体からなるポリマー材料など、あるいは、ビス(2−メチル−8−キノリノレート)−(パラ−フェニルフェノレート)アルミニウム(BAlq)、バソフプロイン(BCP)などが用いられる。このとき、例えば、アルカリ金属およびアルカリ土類金属のうち少なくとも一方を主成分とする金属の層を積層した後で電子輸送層17を構成してもよい。また、金属の層として、アルカリ金属およびアルカリ土類金属を2種類以上含有していてもよい。   The electron transport layer 17 is formed on the upper surface of the organic light emitting layer 16. The electron transport layer 17 is a layer mainly composed of an electron transport material. The electron transporting material has both the property of being an electron acceptor and easily becoming an anion, and the property of transferring generated electrons by a charge transfer reaction between molecules, and the charge from the transparent cathode 18 to the organic light emitting layer 16. A material that is suitable for transportation. Examples of the electron transport layer 17 include oxadiazole derivatives such as 1,3-bis (4-tert-butylphenyl-1,3,4-oxadiazolyl) phenylene (OXD-7), anthraquinodimethane derivatives, and diphenyl. Polymer materials such as quinone derivatives and silole derivatives, bis (2-methyl-8-quinolinolate)-(para-phenylphenolate) aluminum (BAlq), bathopproin (BCP), and the like are used. At this time, for example, the electron transport layer 17 may be formed after laminating a metal layer mainly composed of at least one of an alkali metal and an alkaline earth metal. In addition, the metal layer may contain two or more kinds of alkali metals and alkaline earth metals.

透明陰極18は、電子輸送層17の上面に形成されている。透明陰極18は、例えば、下層としてバリウムが10nm、上層としてITOが100nm積層された構造となっている。   The transparent cathode 18 is formed on the upper surface of the electron transport layer 17. The transparent cathode 18 has, for example, a structure in which barium is laminated to 10 nm as a lower layer and ITO is laminated to 100 nm as an upper layer.

なお、正孔注入層15及び電子輸送層17の材料は本発明では限定されるものではなく、周知の有機材料または無機材料が用いられる。   The materials of the hole injection layer 15 and the electron transport layer 17 are not limited in the present invention, and a well-known organic material or inorganic material is used.

また、有機EL表示装置1の構成として、正孔注入層15と有機発光層16との間に、正孔輸送層があってもよいし、電子輸送層17と透明陰極18との間に、電子注入層があってもよい。正孔輸送層とは、正孔輸送性の材料を主成分とする層である。正孔輸送性の材料とは、電子ドナー性を持ち陽イオン(正孔)になりやすい性質と、生じた正孔を分子間の電荷移動反応により伝達する性質を併せ持ち、反射陽極12から有機発光層16までの電荷輸送に対して適正を有する材料のことである。また、電子注入層とは、電子注入性の材料を主成分とする層である。電子注入性の材料とは、透明陰極18から注入された電子を安定的に、又は電子の生成を補助して有機発光層16へ注入する機能を有する材料である。   In addition, as a configuration of the organic EL display device 1, there may be a hole transport layer between the hole injection layer 15 and the organic light emitting layer 16, or between the electron transport layer 17 and the transparent cathode 18. There may be an electron injection layer. The hole transport layer is a layer mainly composed of a material having a hole transport property. The hole transporting material has both the property of having an electron donor property and easily becoming a cation (hole) and the property of transferring the generated hole by intermolecular charge transfer reaction. A material that has suitability for charge transport to the layer 16. The electron injection layer is a layer mainly composed of an electron injecting material. The electron injecting material is a material having a function of injecting electrons injected from the transparent cathode 18 into the organic light emitting layer 16 stably or by assisting generation of electrons.

封止層19は、透明陰極18の上面に形成されており、下層である有機発光層16や透明陰極18を水蒸気や酸素から遮断する機能を有する。有機発光層16そのものや透明陰極18が、水蒸気や酸素にさらされることにより劣化(酸化)してしまうことを防止するためである。   The sealing layer 19 is formed on the upper surface of the transparent cathode 18 and has a function of blocking the lower organic light emitting layer 16 and the transparent cathode 18 from water vapor and oxygen. This is to prevent the organic light emitting layer 16 itself and the transparent cathode 18 from being deteriorated (oxidized) by being exposed to water vapor or oxygen.

樹脂層20は、アクリルまたはエポキシ系の樹脂であり、上述したTFT基板10から封止層19までの一体形成された層と、後述するCF基板21とを接合する機能を有する。   The resin layer 20 is an acrylic or epoxy resin, and has a function of bonding a layer formed integrally from the TFT substrate 10 to the sealing layer 19 and a CF substrate 21 described later.

CF基板21は、発光パネルの発光表面を保護する基板であり、例えば、厚みが0.5mmである透明の無アルカリガラスである。   The CF substrate 21 is a substrate that protects the light emitting surface of the light emitting panel, and is, for example, transparent alkali-free glass having a thickness of 0.5 mm.

従来では、有機発光層は、コンタクトホールの窪みに有機発光材料が流れ込むため、コンタクトホール近傍において膜厚が小さくなる。そのため、特に、発光領域と非発光領域との境界部では、発光領域の中央部よりも有機発光層の膜厚が小さくなり、画素内での輝度ムラが発生する。   Conventionally, since the organic light emitting material flows into the depression of the contact hole, the thickness of the organic light emitting layer is reduced in the vicinity of the contact hole. Therefore, particularly at the boundary between the light emitting region and the non-light emitting region, the film thickness of the organic light emitting layer is smaller than the central portion of the light emitting region, and luminance unevenness occurs in the pixel.

これに対し、本実施の形態に係る有機EL表示装置1では、有機発光層の下地である画素規制層により、コンタクトホールの上部は平坦化されているので、画素内での有機発光層の膜厚が均一化され、輝度ムラは発生しない。   On the other hand, in the organic EL display device 1 according to the present embodiment, the upper part of the contact hole is flattened by the pixel regulating layer that is the base of the organic light emitting layer. The thickness is made uniform and no brightness unevenness occurs.

なお、正孔注入層15及び電子輸送層17は、反射陽極12、有機発光層16及び透明陰極18の材料の組み合わせにより、省略することも可能である。   The hole injection layer 15 and the electron transport layer 17 can be omitted depending on the combination of materials of the reflective anode 12, the organic light emitting layer 16, and the transparent cathode 18.

また、正孔注入層15と有機発光層16との間に、正孔輸送層があってもよいし、電子輸送層17と透明陰極18との間に、電子注入層があってもよい。また、透明金属膜13は、なくてもよい。   Further, a hole transport layer may be provided between the hole injection layer 15 and the organic light emitting layer 16, and an electron injection layer may be provided between the electron transport layer 17 and the transparent cathode 18. Further, the transparent metal film 13 may be omitted.

次に、本発明の有機EL表示装置の製造方法について、詳細に説明する。   Next, the manufacturing method of the organic EL display device of the present invention will be described in detail.

図2〜図4は、本発明の実施の形態に係る有機EL表示装置の製造方法を説明する工程断面図である。   2 to 4 are process cross-sectional views illustrating a method for manufacturing an organic EL display device according to an embodiment of the present invention.

まず、図2(a)に示すように、TFT基板10の上に、平坦化膜11を、例えば、3.5μm積層する。平坦化膜11の材料は、無機物または有機物からなる絶縁膜であり、例えば、SiNX、SiOX、アクリル、ポリイミド及びゾルゲルなどが挙げられる。このうち、SiNX及びSiOXからなる絶縁膜については、例えば、CVD(Chemical Vapor Deposition)法により形成される。次に、TFT基板10内の駆動TFTと上層の反射陽極12とを電気的に接続するため、平坦化膜11内において、上下を貫通するコンタクトホール23を形成する。コンタクトホール23は、フォトリソグラフィーにより平坦化膜上にレジストパターンを形成した後、ウエットエッチングまたはドライエッチングにより形成される。 First, as shown in FIG. 2A, a planarizing film 11 is laminated on the TFT substrate 10, for example, 3.5 μm. The material of the planarizing film 11 is an insulating film made of an inorganic material or an organic material, and examples thereof include SiN x , SiO x , acrylic, polyimide, and sol-gel. Among these, the insulating film made of SiN x and SiO x is formed by, for example, a CVD (Chemical Vapor Deposition) method. Next, in order to electrically connect the driving TFT in the TFT substrate 10 and the upper reflective anode 12, a contact hole 23 penetrating vertically is formed in the planarization film 11. The contact hole 23 is formed by wet etching or dry etching after forming a resist pattern on the planarizing film by photolithography.

次に、図2(b)に示すように、平坦化膜11の上面に、及び、コンタクトホール23の底部及び側壁を覆うように反射陽極12を積層する。ここで、反射陽極12は、例えば、まずスパッタリング法により、銀合金APCを150nm製膜し、その後、フォトリソグラフィーとウエットエッチングによるパターニング工程を経ることにより形成される。これにより、反射陽極12は、コンタクトホール23を介してTFT基板10の有する駆動TFTと電気的に接続され、単位画素ごとに分離形成される。   Next, as shown in FIG. 2B, the reflective anode 12 is laminated on the upper surface of the planarizing film 11 so as to cover the bottom and side walls of the contact hole 23. Here, the reflective anode 12 is formed, for example, by first forming a silver alloy APC with a thickness of 150 nm by a sputtering method, and then performing a patterning process by photolithography and wet etching. Thereby, the reflective anode 12 is electrically connected to the driving TFT of the TFT substrate 10 through the contact hole 23, and is separately formed for each unit pixel.

次に、図2(c)に示すように、反射陽極12の上面に、透明金属膜13を積層する。ここで、透明金属膜13は、例えば、スパッタリング法により、ITOを50nm製膜することにより形成される。   Next, as shown in FIG. 2C, a transparent metal film 13 is laminated on the upper surface of the reflective anode 12. Here, the transparent metal film 13 is formed, for example, by depositing ITO with a thickness of 50 nm by a sputtering method.

上述した平坦化膜11、反射陽極12及び透明金属膜13の膜厚の関係より、コンタクトホール23の上部には、透明金属膜13の形成後、窪みが発生している。   Due to the film thickness relationship of the planarizing film 11, the reflective anode 12, and the transparent metal film 13 described above, a recess is formed on the contact hole 23 after the transparent metal film 13 is formed.

次に、図2(d)に示すように、透明金属膜13の上面であって、コンタクトホール23が形成された領域を含む非発光領域に、コンタクトホール23の上部に発生した窪みの深さ以上の膜厚を有する絶縁体層14Aを形成する。絶縁体層14Aの材料は、無機物または有機物からなる絶縁膜であり、例えば、SiNX、SiOX、アクリル、ポリイミド及びゾルゲルなどが挙げられる。このうち、SiNX及びSiOXからなる絶縁膜については、例えば、CVDにより形成される。 Next, as shown in FIG. 2 (d), the depth of the depression generated above the contact hole 23 in the non-light emitting region including the region where the contact hole 23 is formed on the upper surface of the transparent metal film 13. The insulator layer 14A having the above thickness is formed. The material of the insulator layer 14A is an insulating film made of an inorganic material or an organic material, and examples thereof include SiN x , SiO x , acrylic, polyimide, and sol-gel. Among these, the insulating film made of SiN x and SiO x is formed by, for example, CVD.

次に、図2(e)に示すように、絶縁体層14Aの上面に、レジスト24Aを形成する。レジスト24Aは、例えば、有機材料からなるレジストを、スピンコート法を用いて絶縁体層14Aの上面に塗布した後、加熱または光照射により硬化させる。このような形成法により、レジスト24Aの表面は平坦化されている。また、この後のエッチバック工程で使用されるエッチング法におけるレジスト24Aのエッチングレートは、絶縁体層14Aのエッチングレートと等しいことが好ましい。   Next, as shown in FIG. 2E, a resist 24A is formed on the upper surface of the insulator layer 14A. As the resist 24A, for example, a resist made of an organic material is applied to the upper surface of the insulator layer 14A by using a spin coating method, and then cured by heating or light irradiation. By such a forming method, the surface of the resist 24A is planarized. Further, the etching rate of the resist 24A in the etching method used in the subsequent etch-back step is preferably equal to the etching rate of the insulator layer 14A.

次に、図3(a)に示すように、レジスト24Aの上面から、ドライエッチング法により、レジスト24A及び絶縁体層14Aをエッチバックする。このとき、レジスト24Aのエッチングレートと絶縁体層14Aのエッチングレートとが等しいほど、絶縁体層14Aの表面の平坦化度は向上する。絶縁体層14Aの所定領域における膜厚が所定値(例えば、500nm)以下となったとき、エッチングを終了させる。このとき、平坦化された絶縁体層14Bが形成される。   Next, as shown in FIG. 3A, the resist 24A and the insulator layer 14A are etched back from the upper surface of the resist 24A by dry etching. At this time, the flatness of the surface of the insulator layer 14A is improved as the etching rate of the resist 24A is equal to the etching rate of the insulator layer 14A. When the film thickness in the predetermined region of the insulator layer 14A becomes a predetermined value (for example, 500 nm) or less, the etching is terminated. At this time, a planarized insulator layer 14B is formed.

なお、図2(d)において絶縁体層14Aが積層された後、図2(e)及び図3(a)に記載された平坦化プロセスの代わりに、CMP(Chemical Mechanical Planarization)法による平坦化プロセスを用いてもよい。   Note that after the insulator layer 14A is stacked in FIG. 2D, planarization by a CMP (Chemical Mechanical Planarization) method is used instead of the planarization process described in FIGS. 2E and 3A. A process may be used.

次に、図3(b)及び図3(c)に示すように、パターニングされたレジスト24Bを形成しエッチングすることにより、隔壁層22が形成される領域の絶縁体層14Bを除去する。このとき、透明金属膜13の上面には、画素規制層14が形成される。   Next, as shown in FIGS. 3B and 3C, a patterned resist 24B is formed and etched to remove the insulator layer 14B in the region where the partition wall layer 22 is to be formed. At this time, the pixel regulation layer 14 is formed on the upper surface of the transparent metal film 13.

次に、図3(d)に示すように、レジスト24Bの上面及び隔壁層22が形成される領域に、正孔注入層15を積層する。正孔注入層15は、例えば、酸化モリブデンと酸化タングステンとの混合膜を、例えば、スパッタリング法により50nm製膜することにより形成される。ここで、正孔注入層15は、非発光領域において、平坦化された画素規制層14の上面に形成されているので、正孔注入層15の上面もまた平坦性が確保されている。   Next, as shown in FIG. 3D, the hole injection layer 15 is stacked on the upper surface of the resist 24B and the region where the partition layer 22 is formed. The hole injection layer 15 is formed, for example, by forming a mixed film of molybdenum oxide and tungsten oxide to a thickness of 50 nm by, for example, a sputtering method. Here, since the hole injection layer 15 is formed on the planarized upper surface of the pixel regulation layer 14 in the non-light emitting region, the planarity of the upper surface of the hole injection layer 15 is also ensured.

次に、図4(a)に示すように、正孔注入層15の上面に、隔壁層22を形成する。ここで、隔壁層22は、例えば、ポリイミド樹脂などの樹脂材料が用いられる。また、隔壁層22は、画素規制層14で区画された複数の発光領域を挟むように配置されたライン状の隔壁層を形成している。   Next, as shown in FIG. 4A, the partition layer 22 is formed on the upper surface of the hole injection layer 15. Here, the partition wall layer 22 is made of a resin material such as polyimide resin. The partition layer 22 forms a line-shaped partition layer arranged so as to sandwich a plurality of light emitting regions partitioned by the pixel regulating layer 14.

なお、図3(b)及び図3(c)に記載された工程を省略してもよい。図4(a)では、隔壁層22の下に形成された、隣接する反射陽極12の間の領域には、正孔注入層15及び隔壁層22が充填されているが、この場合には、隔壁層22の代わりに画素規制層14が充填され平坦化されていてもよい。これにより、隔壁層22の上部の形状も平坦化させることが可能となる。よって、インクジェット方式等を用いて有機発光層16のもとになる材料を上方から滴下する場合、一部の滴下材料が隔壁層22の上部の窪みに溜まってしまい、発光領域に流れ込まないという状態を回避できる。よって、発光材料を余分に必要とせず、滴下量を精度良く制御でき、有機発光層16の膜厚を高精度に制御することが可能となる。   In addition, you may abbreviate | omit the process described in FIG.3 (b) and FIG.3 (c). In FIG. 4A, the region between the adjacent reflective anodes 12 formed under the partition layer 22 is filled with the hole injection layer 15 and the partition layer 22, but in this case, Instead of the partition wall layer 22, the pixel regulation layer 14 may be filled and planarized. Thereby, the shape of the upper part of the partition wall layer 22 can be flattened. Therefore, when the material that is the basis of the organic light emitting layer 16 is dropped from above using an ink jet method or the like, a part of the dropped material accumulates in the depression above the partition wall layer 22 and does not flow into the light emitting region. Can be avoided. Therefore, an extra light emitting material is not required, the amount of dripping can be controlled with high accuracy, and the film thickness of the organic light emitting layer 16 can be controlled with high accuracy.

次に、図4(b)に示すように、隔壁層22で挟まれた領域内に、例えば、インクジェット法などを用いて、有機発光層16となるペースト材料を塗布する。このとき、有機発光層16となるペースト材料は、隔壁層22で挟まれた領域から表面張力により盛り上がった状態で塗布される。その後、上記ペースト材料を、例えば、80℃30分程度乾燥させて、ペースト材料の溶剤成分を揮発させて有機発光層16を形成する。なお、このとき、発光部が少なくとも3つのRGBなどの異なるサブ画素から構成される場合、サブ画素ごとに、上述したペースト材料塗布工程及び乾燥工程を繰り返すことにより、サブ画素に異なる有機発光層16が形成される。このとき、例えば、隔壁層22で挟まれた領域に配置された複数の発光領域は、ラインごとに同じ色で発光する。   Next, as shown in FIG. 4B, a paste material to be the organic light emitting layer 16 is applied to the region sandwiched between the partition layers 22 by using, for example, an ink jet method. At this time, the paste material to be the organic light emitting layer 16 is applied in a state of rising from the region sandwiched between the partition walls 22 due to surface tension. Thereafter, the paste material is dried, for example, at 80 ° C. for about 30 minutes, and the solvent component of the paste material is volatilized to form the organic light emitting layer 16. At this time, in the case where the light emitting unit is composed of at least three different subpixels such as RGB, the organic light emitting layer 16 that is different for each subpixel is obtained by repeating the paste material applying step and the drying step described above for each subpixel. Is formed. At this time, for example, a plurality of light emitting regions arranged in a region sandwiched between the partition layers 22 emit light in the same color for each line.

ここで、有機発光層16が形成される前段階で有機発光層16の下地層が平坦化されているので、上記ペースト材料塗布工程において、コンタクトホール上部の窪みに有機発光層材料が流れ込むこともなく、滴下インク量の増加を抑制し有機発光層16の膜厚を高精度に制御できる。また、コンタクトホールへの有機発光層材料の流れ込みがないことにより、コンタクトホールの近傍でも有機発光層の平坦性が確保される。そのため、発光領域全域にわたり、有機発光層16の膜厚が均一化され、発光領域内で発光輝度のムラが発生しない。   Here, since the base layer of the organic light emitting layer 16 is flattened before the organic light emitting layer 16 is formed, the organic light emitting layer material may flow into the depression above the contact hole in the paste material application step. In addition, the increase in the amount of dropped ink can be suppressed and the film thickness of the organic light emitting layer 16 can be controlled with high accuracy. Further, since the organic light emitting layer material does not flow into the contact hole, the flatness of the organic light emitting layer is ensured even in the vicinity of the contact hole. Therefore, the film thickness of the organic light emitting layer 16 is made uniform over the entire light emitting region, and unevenness in light emission luminance does not occur in the light emitting region.

次に、発光領域、非発光領域及び隔壁層22を被覆するように、例えば、真空蒸着法を用いて、電子輸送層17を全面に形成する。続いて、電子輸送層17の上に、例えば、ITOを、スパッタリング法を用いて製膜し、透明陰極18を全面に形成する。   Next, the electron transport layer 17 is formed on the entire surface using, for example, a vacuum deposition method so as to cover the light emitting region, the non-light emitting region, and the partition layer 22. Subsequently, on the electron transport layer 17, for example, ITO is formed using a sputtering method, and the transparent cathode 18 is formed on the entire surface.

図2(b)〜図4(b)に記載された形成工程により、発光素子としての機能をもつ有機EL素子が形成される。   An organic EL element having a function as a light emitting element is formed by the formation process described in FIGS. 2B to 4B.

次に、図4(c)に示すように、透明陰極18の上に、例えば、プラズマCVD法により窒化珪素を500nm堆積し、封止層19を形成する。その後、封止層19の表面に、樹脂層20となる封止用樹脂を塗布する。そして、カラーフィルタを含むCF基板21を、塗布された上記封止用樹脂上に配置する。最後に、CF基板21の上面側から下方に加圧し、熱またはエネルギー線を付加して、CF基板21と封止層19とを接着する樹脂層20を形成する。   Next, as shown in FIG. 4C, 500 nm of silicon nitride is deposited on the transparent cathode 18 by, for example, a plasma CVD method to form a sealing layer 19. Thereafter, a sealing resin to be the resin layer 20 is applied to the surface of the sealing layer 19. Then, the CF substrate 21 including the color filter is disposed on the applied sealing resin. Finally, pressure is applied downward from the upper surface side of the CF substrate 21, and heat or energy rays are applied to form the resin layer 20 that bonds the CF substrate 21 and the sealing layer 19.

以上のように、本発明の実施の形態に係る有機EL表示装置及びその製造方法によれば、非発光領域に設けられ、駆動素子と画素電極とを電気的に接続するためのコンタクトホールの上部に発生した窪みを、画素規制層にて平坦化している。つまり、有機発光層が形成される前段階で当該有機発光層の下地層が平坦化されているので、上記窪みに有機発光層材料が流れ込むこともなく、滴下インク量の増加を抑制し有機発光層の膜厚を高精度に制御できる。また、コンタクトホールへの有機発光層材料の流れ込みがないことにより、コンタクトホールの近傍でも有機発光層の平坦性が確保される。そのため、発光領域全域にわたり、有機発光層の膜厚が均一化され、発光領域内で発光輝度のムラが発生しない。   As described above, according to the organic EL display device and the manufacturing method thereof according to the embodiment of the present invention, the upper portion of the contact hole provided in the non-light emitting region and electrically connecting the driving element and the pixel electrode. The dent generated in the step is flattened by the pixel regulation layer. In other words, since the base layer of the organic light emitting layer is flattened before the organic light emitting layer is formed, the organic light emitting layer material does not flow into the depression, and the increase in the amount of dropped ink is suppressed and organic light emission is achieved. The film thickness of the layer can be controlled with high accuracy. Further, since the organic light emitting layer material does not flow into the contact hole, the flatness of the organic light emitting layer is ensured even in the vicinity of the contact hole. Therefore, the thickness of the organic light emitting layer is made uniform over the entire light emitting region, and unevenness in light emission luminance does not occur in the light emitting region.

なお、本発明に係る有機EL表示装置及びその製造方法は、上記実施の形態に限定されるものではない。上述した実施の形態に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、本発明に係る表示装置及び表示評価装置を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。   The organic EL display device and the manufacturing method thereof according to the present invention are not limited to the above embodiment. Modifications obtained by making various modifications conceivable by those skilled in the art within the scope of the present invention without departing from the spirit of the present invention, and various apparatuses incorporating the display device and display evaluation device according to the present invention are also included in the present invention. include.

また、例えば、本発明に係る有機EL表示装置及びその製造方法は、図5に記載されたような薄型フラットTVに内蔵される。本発明に係る有機EL表示装置及びその簡略化された製造方法により、有機発光層の膜厚が均一化され、発光輝度のムラが抑制された有機ELディスプレイを備えた薄型フラットTVが実現される。   For example, the organic EL display device and the manufacturing method thereof according to the present invention are incorporated in a thin flat TV as shown in FIG. By the organic EL display device and the simplified manufacturing method thereof according to the present invention, a thin flat TV having an organic EL display in which the film thickness of the organic light emitting layer is made uniform and the unevenness of light emission luminance is suppressed is realized. .

なお、本発明の実施の形態に係る有機EL表示装置1において、TFT基板10、平坦化膜11、反射陽極12、透明金属膜13、正孔注入層15、有機発光層16、電子輸送層17、透明陰極18、封止層19、樹脂層20及びCF基板21の材料は本発明では限定されるものではなく、周知の有機材料または無機材料が用いられる。   In the organic EL display device 1 according to the embodiment of the present invention, the TFT substrate 10, the planarization film 11, the reflective anode 12, the transparent metal film 13, the hole injection layer 15, the organic light emitting layer 16, and the electron transport layer 17 are used. The materials of the transparent cathode 18, the sealing layer 19, the resin layer 20, and the CF substrate 21 are not limited in the present invention, and a known organic material or inorganic material is used.

本発明は、特に有機EL表示装置を内蔵する有機ELフラットパネルディスプレイに有用であり、高品質な表示性能が要求される有機EL表示装置及びその製造方法として用いるのに最適である。   The present invention is particularly useful for an organic EL flat panel display incorporating an organic EL display device, and is optimal for use as an organic EL display device that requires high-quality display performance and a manufacturing method thereof.

1、100 有機EL表示装置
10、110 TFT基板
11、111 平坦化膜
12、112 反射陽極
13、113 透明金属膜
14、114 画素規制層
14A、14B 絶縁体層
15、115 正孔注入層
16、116 有機発光層
17、117 電子輸送層
18、118 透明陰極
19、119 封止層
20、120 樹脂層
21、121 CF基板
22、122 隔壁層
23、123 コンタクトホール
24A、24B レジスト
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,100 Organic EL display device 10,110 TFT substrate 11,111 Planarization film 12,112 Reflective anode 13,113 Transparent metal film 14,114 Pixel regulation layer 14A, 14B Insulator layer 15,115 Hole injection layer 16, 116 Organic light emitting layer 17, 117 Electron transport layer 18, 118 Transparent cathode 19, 119 Sealing layer 20, 120 Resin layer 21, 121 CF substrate 22, 122 Partition layer 23, 123 Contact hole 24A, 24B Resist

Claims (9)

基板と、
前記基板の上方に形成された、駆動素子を含む駆動回路層と、
前記駆動回路層の上方に形成された平坦化膜と、
前記平坦化膜の上方、ならびに、当該平坦化膜に設けられたコンタクトホールの底部及び側壁に形成され、前記コンタクトホールを介して前記駆動素子と電気的に接続された画素電極と、
前記画素電極の上方に形成された有機発光層と、
前記有機発光層の上方に形成された対向電極と、
前記画素電極と前記有機発光層との間に設けられることにより、発光電流が流れない非発光領域を形成する画素規制層とを備え、
前記画素規制層は前記コンタクトホールの上部に充填され、前記画素規制層の上部表面は当該画素規制層の形成領域にわたり、平坦化されている
有機EL表示装置。
A substrate,
A drive circuit layer including a drive element formed above the substrate;
A planarization film formed above the drive circuit layer;
A pixel electrode formed above the planarization film and at a bottom and a sidewall of a contact hole provided in the planarization film, and electrically connected to the driving element through the contact hole;
An organic light emitting layer formed above the pixel electrode;
A counter electrode formed above the organic light emitting layer;
A pixel regulating layer that is provided between the pixel electrode and the organic light-emitting layer to form a non-light-emitting region where no light emission current flows;
The organic EL display device, wherein the pixel restricting layer is filled in an upper portion of the contact hole, and an upper surface of the pixel restricting layer is planarized over a region where the pixel restricting layer is formed.
前記画素規制層の下層であって当該画素規制層と接する層の発光領域における表面高さと、前記画素規制層の表面高さとの差は、500nm以内である
請求項1に記載の有機EL表示装置。
The organic EL display device according to claim 1, wherein a difference between a surface height in a light emitting region of a layer below the pixel restricting layer and in contact with the pixel restricting layer and a surface height of the pixel restricting layer is within 500 nm. .
前記画素電極は、発光画素ごとに分離形成されており、
前記画素規制層は、隣接する前記画素電極の間の領域に充填されている
請求項1または2に記載の有機EL表示装置。
The pixel electrode is formed separately for each light emitting pixel,
The organic EL display device according to claim 1, wherein the pixel regulation layer is filled in a region between the adjacent pixel electrodes.
さらに、
前記画素規制層の一部の上方に形成され、前記有機発光層の形成領域を分離する隔壁層を備え、
前記コンタクトホールは、前記隔壁層の形成されていない前記非発光領域に形成されている
請求項1〜3のうちいずれか1項に記載の有機EL表示装置。
further,
A partition layer formed above a part of the pixel regulation layer and separating a formation region of the organic light emitting layer,
The organic EL display device according to claim 1, wherein the contact hole is formed in the non-light-emitting region where the partition layer is not formed.
前記隔壁層は、前記画素規制層で区画された複数の発光領域を挟むように配置されたライン状の隔壁層である
請求項4に記載の有機EL表示装置。
The organic EL display device according to claim 4, wherein the partition layer is a line-shaped partition layer disposed so as to sandwich a plurality of light emitting regions partitioned by the pixel regulating layer.
前記画素規制層及び前記隔壁層で区画された複数の発光領域が2次元状に配置され、
前記ライン状の隔壁層は、前記複数の発光領域のうち1次元状に配置された複数の発光領域を挟むように配置されている
請求項5に記載の有機EL表示装置。
A plurality of light emitting regions partitioned by the pixel regulation layer and the partition layer are two-dimensionally arranged,
The organic EL display device according to claim 5, wherein the line-shaped partition layer is disposed so as to sandwich a plurality of light emitting regions arranged one-dimensionally among the plurality of light emitting regions.
前記ライン状の隔壁層で挟まれた領域に配置された複数の発光領域は、同じ色である
請求項6に記載の有機EL表示装置。
The organic EL display device according to claim 6, wherein a plurality of light emitting regions arranged in a region sandwiched between the line-shaped partition walls have the same color.
基板上に形成された駆動回路層の上方に、当該駆動回路層の有する駆動素子と上層とを電気的に接続するためのコンタクトホールが設けられた平坦化膜を形成する第1工程と、
前記平坦化膜の上方ならびに前記コンタクトホールの底部及び側壁に画素電極を形成する第2工程と、
前記画素電極の上方であって、前記コンタクトホールが形成された領域を含む非発光領域に、前記コンタクトホールの窪みの深さ以上の膜厚を有する絶縁体層を形成する第3工程と、
前記絶縁体層の表面の凸部をエッチバックすることにより、前記絶縁体層の表面全体が平坦化された、発光電流が流れない画素規制層を形成する第4工程と、
前記画素規制層の上方に、有機機能層を形成する第5工程と、
前記有機機能層の上方に、対向電極を形成する第6工程とを含む
有機EL表示装置の製造方法。
A first step of forming a planarization film provided with a contact hole for electrically connecting a driving element included in the driving circuit layer and an upper layer above the driving circuit layer formed on the substrate;
A second step of forming a pixel electrode above the planarizing film and on the bottom and side walls of the contact hole;
A third step of forming an insulator layer having a thickness equal to or greater than the depth of the contact hole in a non-light emitting region above the pixel electrode and including a region where the contact hole is formed;
A fourth step of forming a pixel regulating layer in which the entire surface of the insulator layer is flattened by etching back the protrusions on the surface of the insulator layer, and the emission current does not flow;
A fifth step of forming an organic functional layer above the pixel regulation layer;
A method for manufacturing an organic EL display device, comprising: a sixth step of forming a counter electrode above the organic functional layer.
前記有機機能層は、有機発光層を含み、
さらに、前記画素規制層の一部の上方に、前記有機発光層の形成領域を分離するための複数の隔壁層を所定の面間隔で形成し、前記複数の隔壁層の形成後に、当該複数の隔壁層で挟まれた領域に前記有機発光層を形成する
請求項8に記載の有機EL表示装置の製造方法。
The organic functional layer includes an organic light emitting layer,
Further, a plurality of partition layers for separating the formation region of the organic light emitting layer are formed at a predetermined interval above a part of the pixel regulation layer, and after the plurality of partition layers are formed, the plurality of partition layers are formed. The method for manufacturing an organic EL display device according to claim 8, wherein the organic light emitting layer is formed in a region sandwiched between partition walls.
JP2009225650A 2009-09-29 2009-09-29 Organic el display device and method of manufacturing the same Pending JP2011076804A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009225650A JP2011076804A (en) 2009-09-29 2009-09-29 Organic el display device and method of manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009225650A JP2011076804A (en) 2009-09-29 2009-09-29 Organic el display device and method of manufacturing the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2011076804A true JP2011076804A (en) 2011-04-14

Family

ID=44020604

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009225650A Pending JP2011076804A (en) 2009-09-29 2009-09-29 Organic el display device and method of manufacturing the same

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2011076804A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019223434A1 (en) * 2018-05-23 2019-11-28 京东方科技集团股份有限公司 Array substrate, display panel and display device
US10879327B2 (en) 2018-07-09 2020-12-29 Joled Inc. Organic EL display panel and method of manufacturing the same, organic EL display device and electronic apparatus

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019223434A1 (en) * 2018-05-23 2019-11-28 京东方科技集团股份有限公司 Array substrate, display panel and display device
US11398539B2 (en) 2018-05-23 2022-07-26 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate, display panel and display device
US10879327B2 (en) 2018-07-09 2020-12-29 Joled Inc. Organic EL display panel and method of manufacturing the same, organic EL display device and electronic apparatus

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9761638B2 (en) Organic EL display panel, display device using same, and method for producing organic EL display panel
JP6519933B2 (en) Organic light emitting device and method of manufacturing the same
JP5094477B2 (en) Organic light-emitting display device and method for manufacturing the same
WO2010070798A1 (en) Organic electroluminescent display device and method for manufacturing same
US8889474B2 (en) Organic light-emitting element and process for production thereof, and organic display panel and organic display device
JP6387566B2 (en) Organic EL device
US8847250B2 (en) Organic light-emitting element and manufacturing method of the same, organic display panel, and organic display device
JP5526610B2 (en) Structure of organic EL display and manufacturing method thereof
JP2008041747A (en) Organic electroluminescent light-emitting apparatus and manufacturing method thereof
WO2013118462A1 (en) El display apparatus and manufacturing method thereof
JP2011040167A (en) Display and its manufacturing method
JP2008041894A (en) Organic electroluminescent device and manufacturing method thereof
US20120161172A1 (en) Display device and method for manufacturing the same
JP2018129265A (en) Organic el display panel, and method of manufacturing organic el display panel
JP2011018468A (en) Organic el display device
JP2010244885A (en) Organic electroluminescent image display and its manufacturing method
JP2021061175A (en) Self-luminous display panel
JP5371544B2 (en) Organic electroluminescence display device and manufacturing method thereof
JP2011076804A (en) Organic el display device and method of manufacturing the same
JP2019054219A (en) Display device and method of manufacturing the same
JP2018133242A (en) Organic el display panel, and method for manufacturing the same
JP2021087001A (en) Self-luminous element and self-luminous display panel
JP2010277949A (en) Organic el display device and method of manufacturing the same
US20220310774A1 (en) Self-luminous display panel and self-luminous display panel manufacturing method
US11469389B2 (en) Display panel and display panel manufacturing method