JP2010235756A - 光反射用熱硬化性樹脂組成物、これを用いた光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 遮光性に優れた硬化物を形成できる光反射用熱硬化性樹脂組成物、それを用いた光半導体素子搭載用基板およびその製造方法、並びに、光半導体装置を提供すること。
【解決手段】 本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物は、熱硬化性樹脂成分と、充填剤成分と、を含有し、下記式（１）で示されるＸが０．３０〜０．７０であることを特徴とする。
【数１】

［式（１）中、ｎは充填剤成分の成分数を示し、φ_ｉはｎ個の充填剤成分を１番からｎ番まで任意に順番をつけたときにｉ番目の充填剤成分の光反射用熱硬化性樹脂全体における体積割合を示し、ｎ_ｉはｉ番目の充填剤成分の屈折率を示し、ｎ_{ｒｅｊｉｎ}は熱硬化性樹脂成分全体の屈折率を示す。］
【選択図】 なし

Description

本発明は、光半導体素子と蛍光体等の波長変換手段とを組み合わせた光半導体装置などに用いられる光反射用熱硬化性樹脂組成物、これを用いた光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置に関する。

近年、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ：発光ダイオード）等の光半導体素子と蛍光体とを組み合わせた光半導体装置は、高エネルギー効率及び長寿命等の利点から、屋外用ディスプレイ、携帯液晶バックライト、及び車載用途等様々な用途に適用され、その需要が拡大しつつある。

これに伴って、ＬＥＤデバイスの高輝度化が進み、素子の発熱量増大によるジャンクション温度の上昇、又は直接的な光エネルギーの増大による素子材料の劣化が問題視され、近年、熱劣化及び光劣化に対して耐性を有する素子材料の開発が課題となっている。

こうした状況下、熱や光に起因する輝度低下の問題を防止する技術として、下記特許文献１には、光半導体素子が搭載される部位に光反射率の高いリフレクターを設けた光半導体素子搭載用基板が提案されている。また、特許文献１には、トランスファー成形によりリフレクターなどを形成することが開示されており、その材料として、エポキシ樹脂、硬化剤、硬化触媒及び白色顔料などを含有する光反射用熱硬化性樹脂組成物が提案されている。他にも、下記特許文献２には、光半導体素子の収納パッケージの材料として、ジアリルフタレートポリマー、重合開始剤、酸化チタン及び光安定剤を含有するジアリルフタレート樹脂組成物が提案されている。

特開２００６−１４０２０７号公報 特開２００８−２５５３３８号公報

しかし、上記従来の樹脂組成物を用いて、光半導体素子を取り囲むリフレクターを形成したり光半導体素子が接続される電極間の基板反対側に通じる隙間を埋めたりした場合であっても、光半導体素子からの発光が一部透過する光漏れが発生することがある。この光漏れが多いと光半導体装置の上面へ放射されるべき光が損失するため、光半導体装置としての光取出し効率を十分に高めることが難しくなる。液晶ディスプレイなどの用途では小型のＬＥＤデバイスが使用されるが、この場合、リフレクターの壁部分や基板の厚みがより小さくなるので特に光漏れの問題が顕在化してしまう。

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、遮光性に優れた硬化物を形成できる光反射用熱硬化性樹脂組成物、それを用いた光半導体素子搭載用基板およびその製造方法、並びに、光半導体装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物は、熱硬化性樹脂成分と、充填剤成分とを含有し、下記式（１）で示されるＸが０．３０〜０．７０であることを特徴とする。

［式（１）中、ｎは充填剤成分の成分数を示し、φ_ｉはｎ個の充填剤成分を１番からｎ番まで任意に順番をつけたときにｉ番目の充填剤成分の光反射用熱硬化性樹脂全体における体積割合を示し、ｎ_ｉはｉ番目の充填剤成分の屈折率を示し、ｎ_{ｒｅｊｉｎ}は熱硬化性樹脂成分全体の屈折率を示す。］

本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物によれば、上記パラメータＸが上記範囲となるように熱硬化性樹脂成分及び充填剤成分を含有することにより、遮光性に優れた硬化物を形成することができる。

また、本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物によれば、樹脂基板、金属性基板等の下地表面に硬化物を形成した場合には、下地の色を遮蔽する効果や、光による樹脂劣化などを抑制する効果を奏することができる。

本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物は、厚みが０．１ｍｍの硬化物を形成したときに、当該硬化物の波長４６０ｎｍにおける光反射率が９０％以上であることが好ましい。

本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物において、充填剤成分が、屈折率が１．６〜３．０の、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム、酸化アンチモン、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウムからなる群より選ばれる少なくとも１種の無機酸化物を含むことが好ましい。

また、光反射用熱硬化性樹脂組成物を混合する際に熱硬化樹脂成分へ高充填化する観点から、上記無機酸化物の中心粒径が０．１〜２０μｍの範囲内にあることが好ましい。

また、上記無機酸化物の含有量が、上記熱硬化性樹脂成分１００質量部に対して７０〜４００質量部であることが好ましい。

従来の光反射用熱硬化性樹脂組成物において、光漏れを抑制するために酸化チタンなどの白色顔料の配合量を増量しすぎると、リフレクターなどの成形体を作製するときの成形加工性や、コーティングなどにより光反射膜を形成する際の塗工性などが損なわれ、所望の光特性を有する光半導体素子搭載用基板やＬＥＤデバイスを製造することが困難になる場合がある。これに対して、本発明によれば、上記無機酸化物の含有量を上記範囲とした場合であっても、熱硬化性樹脂組成物成分の含有量及び比重並びに充填剤成分の屈折率及び比重から上記式（１）に基づいて光反射率及び遮光性に十分優れた硬化物を容易に得ることができる。すなわち、上記無機酸化物を上記含有量で配合してパラメータＸを０．３０〜０．７０とした場合、光反射率、遮光性及び成形加工性を更に高水準で満足する光反射用熱硬化性樹脂組成物が実現可能となる。

樹脂基板、金属性基板等の下地表面に硬化物を形成した場合、これを高温環境下に放置すると界面剥離、変形、破壊等の不具合を伴う可能性がある。このような不具合が発生しないためには基板との熱膨張率差が整合されていることが望ましい。そのような観点から、上記無機酸化物の含有量が、上記熱硬化性樹脂成分１００質量部に対して１３０〜４００質量部であることが好ましい。

また、本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物において、上記充填剤成分が、珪酸ソーダガラス、アルミ珪酸ガラス、硼珪酸ソーダガラス、架橋スチレン系樹脂及び架橋アクリル系樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種の材質を含んでなる外殻と、屈折率が１．０〜１．１である空隙部と、を有する中空粒子を含むことが好ましい。

また、光反射性の観点から、上記中空粒子の中心粒径が０．１〜５０μｍの範囲内にあることが好ましい。

また、上記中空粒子の含有量が、上記熱硬化性樹脂成分１００質量部に対して２０〜８５質量部であることが好ましい。

上記中空粒子の含有量を上記範囲とすることにより、光反射率、遮光性及び成形加工性を更に高水準で満足する光反射用熱硬化性樹脂組成物が実現可能となる。

本発明はまた、本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物の硬化物を備える光半導体素子搭載用基板を提供する。

本発明はまた、底面及び壁面から構成される凹部を有し、当該凹部の底面が光半導体素子の搭載部であり、凹部の壁面の少なくとも一部が、本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなる光半導体素子搭載用基板を提供する。

本発明はまた、基板と、当該基板上に設けられた第１の接続端子および第２の接続端子とを備え、第１の接続端子と第２の接続端子との間に、本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物の硬化物を有する光半導体素子搭載用基板を提供する。

本発明はまた、本発明の光半導体素子搭載用基板と、当該光半導体素子搭載用基板に搭載された光半導体素子とを有する光半導体装置を提供する。

本発明はまた、底面及び壁面から構成される凹部を有する光半導体素子搭載用基板の製造方法であって、凹部の壁面の少なくとも一部を、本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物をトランスファー成形して形成する工程を備える光半導体素子搭載用基板の製造方法を提供する。

本発明の半導体素子搭載用基板の製造方法によれば、本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物を用いる上記工程を備えることにより、リフレクターとして機能できる光反射率が十分高く且つ遮光性に優れた凹部を設けることできる。したがって、本発明の方法により得られる半導体素子搭載用基板によれば、所望の光学特性を有する光半導体装置を製造することが容易となる。

本発明によれば、遮光性に優れた硬化物を形成できる光反射用熱硬化性樹脂組成物、それを用いた光半導体素子搭載用基板およびその製造方法、並びに、光半導体装置を提供することができる。

本発明の光半導体素子搭載用基板の好適な一実施形態を示す斜視図である。 本発明の光半導体素子搭載用基板を製造する工程の一実施形態を示す概略図である。 本発明の光半導体素子搭載用基板に光半導体素子を搭載した状態の一実施形態を示す斜視図である。 本発明の光半導体装置の一実施形態を示す模式断面図である。 本発明の光半導体装置の他の実施形態を示す模式断面図である。 本発明の光半導体装置の他の実施形態を示す模式断面図である。 本発明に係る銅張積層板の好適な一実施形態を示す模式断面図である。 本発明に係る銅張積層板を用いて作製された光半導体装置の一例を示す模式断面図である。 本発明に係る光半導体装置の他の実施形態を示す模式断面図である。

（光反射用熱硬化性樹脂組成物）
本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物は、熱硬化性樹脂成分と、充填剤成分と、を含有し、下記式（１）で示されるＸが０．３０〜０．７０であることを特徴とする。

［式（１）中、ｎは充填剤成分の成分数を示し、φ_ｉはｎ個の充填剤成分を１番からｎ番まで任意に順番をつけたときにｉ番目の充填剤成分の光反射用熱硬化性樹脂全体における体積割合を示し、ｎ_ｉはｉ番目の充填剤成分の屈折率を示し、ｎ_{ｒｅｊｉｎ}は熱硬化性樹脂成分全体の屈折率を示す。］

ここで、光反射用熱硬化性樹脂の全体積Ｖは、各成分の質量及び比重から算出することができる。また、各充填剤成分の体積割合φｉは、ｉ番目の充填剤成分の体積を、上記で求めた熱硬化性樹脂組成物の全体積Ｖで割ることにより求められる。

＜熱硬化性樹脂成分及び充填剤成分の屈折率について＞
本明細書において、屈折率とは、温度２５℃における、ｄ線（５８７．５６２ｎｍ，Ｈｅ）の光に対する値である。熱硬化性樹脂成分及び充填剤成分の屈折率は、例えば、臨界角法、プリズムカップリング法、ベッケ法、ｖブロック法等の原理を利用した種々の屈折計を用いて測定することができる。屈折計としては、分光計、アッベ屈折計、プルリッヒ屈折計、エリプソメーター等が挙げられる。屈折計は、測定対象物の性状（薄膜、バルク、粉体などの固体、液体）に応じて適宜選択される。測定対象物が固体の場合、例えば、測定対象物を公知の方法で薄膜化して、アッベ屈折計、エリプソメーターにより測定が可能である。また、白色顔料などの充填剤成分の屈折率は、充填剤成分を構成する化合物のバルクでの測定値或いは薄膜形状とした場合の測定値を適用してもよい。粉体を測定する場合には、ベッケ法が好適に用いられる。なお、本発明において、熱硬化性樹脂成分の屈折率は、Ｖブロック法（カルニュー光学製、形式ＫＰＲ）により、白色顔料などの充填剤成分の屈折率は、ベッケ法（標準溶液と比較する方法）により測定される。また、充填剤成分が中空粒子である場合については、空気や不活性ガスによって内部が満たされているため、屈折率は１．０の数値を適用することができる。

パラメータＸが０．３０未満であると、十分な遮光性が得られず、光漏れを防止しにくくなる。一方、パラメータＸが０．７を超えると、光反射用熱硬化性樹脂組成物の溶融粘度が高くなるなどして、成形加工性が低下する。

以下に、本発明で用いられる充填剤成分として好適なものを例示する。

好ましい充填剤成分として、屈折率が１．６〜３．０の無機酸化物が挙げられる。このような無機酸化物は白色顔料として好適に配合することができる。具体的には、屈折率２．５〜２．７の酸化チタン、屈折率１．９〜２．０の酸化亜鉛、屈折率１．６〜１．８の酸化アルミニウム、屈折率１．７の酸化マグネシウム、屈折率２．４の酸化ジルコニウム、屈折率１．６の水酸化アルミニウム、屈折率１．６の水酸化マグネシウムが挙げられる。本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物は、充填剤成分として、上記の無機酸化物のうちの１種以上含むことが好ましい。更に、高屈折率の観点から、上記の無機酸化物の中でも屈折率２．５〜２．７の酸化チタンを含有することが好ましい。

本発明では、表面処理を施した酸化チタンを配合することが好ましい。表面処理剤としては、例えば、シリカ、アルミナ、ジルコニア等の金属酸化物；シランカップリング剤、チタンカップリング剤、有機酸、ポリオール、シリコーン等の有機物などが挙げられる。このような酸化チタンとしては、酸化チタン（ＴｉＯ_２）としての含有量が８０〜９７質量％に調整された微小粒子系の酸化チタンをベースに、金属酸化物、シランカップリング剤、チタンカップリング剤、有機酸、ポリオール、シリコーン等の有機物で表面処理された酸化チタンが挙げられる。酸化チタンの結晶型としては、屈折率２．７のルチル型、屈折率２．５のアナターゼ型及び屈折率２．６のブルッカイト型の３つの結晶型があり、特には限定されないが、屈折率と光吸収特性の観点から、ルチル型が好ましい。

表面処理を施した酸化チタンは、シリカ、アルミナ、ジルコニア及び有機物のうちの１種以上で表面処理された酸化チタン、又は、シリカ、アルミナ及びジルコニアのうちの１種以上で表面処理された酸化チタンが好ましい。

上記の無機酸化物は、熱硬化性樹脂成分との密着性を向上させる観点から、エポキシシラン等のシランカップリング剤を用いてさらに表面が有機処理されていてもよい。

屈折率が１．６〜３．０の無機酸化物は、光反射用熱硬化性樹脂組成物を混合する際に熱硬化樹脂成分へ高充填化する観点から、中心粒径が０．１〜２０μｍであることが好ましく、０．１〜１０μｍであることがより好ましく、０．１〜５μｍであることが更に好ましい。

なお、本発明に用いられる酸化チタンは、その入手方法には特に制限はなく、市販の酸化チタンであってもよい。市販の酸化チタンとしては、例えば、ルチル型酸化チタンである堺化学工業（株）製のＤ−９１８、ＦＴＲ−７００（いずれも商品名）、石原産業（株）製のタイペークＣＲ−５０、ＣＲ−５０−２、ＣＲ−６０、ＣＲ−６０−２、ＣＲ−６３、ＣＲ−８０、ＣＲ−９０、ＣＲ−９０−２、ＣＲ−９３、ＣＲ−９５、ＣＲ−９７、（いずれも商品名）、テイカ（株）製のＪＲ−４０３、ＪＲ−８０５、ＪＲ−８０６、ＪＲ−７０１、ＪＲ−８００等（いずれも商品名）、冨士チタン工業（株）製のＴＲ−６００、ＴＲ−７００、ＴＲ−７５０、ＴＲ−８４０、ＴＲ−９００（いずれも商品名）等が挙げられる。

ここで、酸化チタンは、原料となる天然物を、公知の硫酸法または塩酸法で製造して得られる。硫酸法と塩酸法のそれぞれから得られる酸化チタンは、屈折率が同等であるにもかかわらず、製造時に処理液から混入する元素の違いにより、酸化チタンの色すなわち反射スペクトル特性が異なるものが得られる。通常は塩酸法から得られる酸化チタンには波長４６０〜８００ｎｍの光反射率が高く、硫酸法から得られる酸化チタンは波長４６０〜８００ｎｍの光反射率が前者に劣る。本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物においては、波長４６０〜８００ｎｍの光反射率が高い塩酸法で製造される酸化チタンを用いることが好ましい。

屈折率が１．６〜３．０の無機酸化物の配合量は、熱硬化性樹脂成分１００質量部に対して、７０〜４００質量部であることが好ましい。係る配合量が７０質量部未満であると、遮光性に優れた硬化物が得られ難い傾向があり、４００質量部を超えると、樹脂組成物の成型性が低下し、基板の作製が困難となる傾向がある。

本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物をトランスファー成形用とする場合には、屈折率が１．６〜３．０の無機酸化物の配合量は、熱硬化性樹脂成分１００質量部に対して１３０〜４００質量部であることが好ましい。本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物を基板のコーティング用とする場合には、屈折率が１．６〜３．０の無機酸化物の配合量は、熱硬化性樹脂成分１００質量部に対して１３０〜４００質量部であることが好ましい。

本発明においては、酸化チタンを配合し、その平均粒子径及び含有量を上記の範囲内とすることにより、表面反射率が高く且つ遮光性に優れる成形品を良好に形成できる光反射用熱硬化性樹脂組成物がより有効に実現可能となる。

更に、別の好ましい充填剤成分として、中空粒子が挙げられる。この中空粒子は白色顔料として好適に配合することができる。中空粒子を配合する場合、熱処理や樹脂組成物の混合によって中空粒子が破壊されて中空部が失われると、遮光性が損なわれてしまう。そのため、中空粒子は、耐熱性および耐圧強度が高いものが好ましい。中空粒子の外殻を構成する材料としては、無機化合物の場合、無機ガラス、シリカ、アルミナ等の金属酸化物、炭酸カルシウム、炭酸バリウム、珪酸カルシウム、炭酸ニッケル等の金属塩等が挙げられ、より具体的には珪酸ソーダガラス、アルミ珪酸ガラス、硼珪酸ソーダガラスが挙げられる。有機化合物の場合、ポリスチレン系樹脂、ポリ（メタ）アクリレート系樹脂、及び、これらの架橋体等が挙げられる。また、外殻は、上記の材料の２種以上から構成されていてもよい。

中空粒子の外殻を透過した光は中空粒子内部で反射されるため、中空部は屈折率が低い媒質で満たされていることが好ましい。そのような観点から、中空粒子内部の空間は、屈折率１．０〜１．１の空気等の混合気体によって満たされていることが好ましい。

本発明においては、珪酸ソーダガラス、アルミ珪酸ガラス、硼珪酸ソーダガラス、架橋スチレン系樹脂及び架橋アクリル系樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種の材質を含んでなる外殻と、屈折率が１．０〜１．１である空隙部とを有する中空粒子を用いることが好ましい。なお、空隙部は、真空であってもよく、屈折率が１．０〜１．１である媒質で満たされていてもよい。媒質としては、空気、窒素やアルゴン等の不活性ガスが挙げられる。

上記の中空粒子は、光反射性、取扱性の観点から、中心粒径が０．１〜５０μｍであることが好ましい。中心粒径が０．１μｍより小さいと、中空粒子が不均一に分散しやすくなり、５０μｍより大きいと、厚みが小さい反射板を成形することが困難となり、反射率が低下する傾向にある。光反射率を高める観点から、中空粒子の中心粒径は０．１〜３０μｍが好ましい。

中空粒子の配合量は、熱硬化性樹脂成分１００質量部に対して、２０〜８５質量部であることが好ましい。係る配合量が２０質量部未満であると、遮光性に優れた硬化物が得られ難い傾向があり、８５質量部を超えると、樹脂組成物の成型性が低下し、基板の作製が困難となる傾向がある。

本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物をトランスファー成形用とする場合には、中空粒子の配合量は、熱硬化性樹脂成分１００質量部に対して２０〜８５質量部とすることが好ましく、基板のコーティング用とする場合には、熱硬化性樹脂成分１００質量部に対して２０〜５０質量部とすることが好ましい。

本発明においては、上記の屈折率が１．６〜３．０の無機酸化物と、上記の中空粒子とを併用することが好ましく、これにより、遮光性に更に優れた光反射用熱硬化性樹脂組成物を得ることができる。

本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物において、成形性を向上させる観点から、上述した以外の充填剤成分を含有させることが好ましい。このような充填剤成分としては、例えば、シリカ、硫酸バリウム、炭酸マグネシウム、炭酸バリウムなどの無機充填剤が挙げられる。これらのうち、成型性の点から、シリカが好ましい。シリカとしては、溶融球状シリカ、破砕状シリカ、微細孔を有し吸油性を発現する多孔質シリカを用いることができる。

上記の無機充填剤を配合する場合、熱硬化性樹脂成分との密着性を向上させる観点から、カップリング剤を更に添加することができる。カップリング剤としては、例えば、シランカップリング剤及びチタネート系カップリング剤が挙げられる。シランカップリング剤としては、エポキシシラン系、アミノシラン系、カチオニックシラン系、ビニルシラン系、アクリルシラン系、メルカプトシラン系及びこれらの複合系のものが挙げられる。カップリング剤の配合量は、硬化性を向上させる観点から、熱硬化性樹脂組成物全体に対して５質量％以下であることが好ましい。また、予め上記カップリング剤で処理された無機充填剤を配合することもできる。

上記の無機充填剤の中心粒径は、上述した屈折率が１．６〜３．０の無機酸化物や中空粒子などの白色顔料とのパッキング効率を良くする観点から、１〜１００μｍの範囲内にあることが好ましい。本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物における上記無機充填剤の含有量は、上記式（１）で示されるＸが０．３０〜０．７０となる範囲で適宜設定することができる。

次に、熱硬化性樹脂成分について説明する。本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物には、熱硬化性樹脂成分として、熱硬化性樹脂、硬化剤、硬化促進剤などを含有させることができる。

熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、ケイ素樹脂、ポリウレタン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、不飽和ポリエステル樹脂等、公知のものを使用することができる。光反射用熱硬化性樹脂組成物が光学材料用途や光半導体用途である場合には、光や熱により劣化しにくい特性を有する樹脂の種類が豊富である点で、エポキシ樹脂やケイ素樹脂が望ましい。熱硬化性樹脂については、その種類によって上記パラメータＸの値に大きく影響するような屈折率の違いは生じにくいため、広範囲の樹脂を選択することができる。

以下、エポキシ樹脂とその硬化剤について例示する。

エポキシ樹脂としては、電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料で一般に使用されているものを用いることができる。具体的には、例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂及びオルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のフェノール類とアルデヒド類のノボラック樹脂をエポキシ化したもの、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ及びアルキル置換ビスフェノール等のジグリシジルエーテル、ジアミノジフェニルメタン及びイソシアヌル酸等のポリアミンとエピクロルヒドリンとの反応により得られるグリシジルアミン型エポキシ樹脂、オレフィン結合を過酢酸等の過酸で酸化して得られる線状脂肪族エポキシ樹脂、並びに脂環族エポキシ樹脂が挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。

これらのうち、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ジグリシジルイソシアヌレート、トリグリシジルイソシアヌレート、及び、１，２−シクロヘキサンジカルボン酸、１，３−シクロヘキサンジカルボン酸又は１，４−シクロヘキサンジカルボン酸から誘導されるジカルボン酸ジグリシジルエステルが、比較的着色が少ないことから好ましい。同様の理由から、フタル酸、テトラヒドロフタル酸、ヘキサヒドロフタル酸、メチルテトラヒドロフタル酸、ナジック酸及びメチルナジック酸等のジカルボン酸のジグリシジルエステルも好適である。更に、芳香環が水素化された脂環式構造を有する核水素化トリメリット酸、核水素化ピロメリット酸等のグリシジルエステルや、シラン化合物を有機溶媒、有機塩基及び水の存在下に加熱して、加水分解・縮合させることにより製造される、エポキシ基を有するポリオルガノシロキサンが好適なエポキシ樹脂として挙げられる。

なお、本発明に用いられるエポキシ樹脂は、その入手方法には特に制限はなく、市販のエポキシ樹脂であってもよい。市販のエポキシ樹脂としては、例えば、３，４−エポキシシクロヘキシルメチル−３’，４’−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート｛セロキサイド２０２１、セロキサイド２０２１Ａ、セロキサイド２０２１Ｐ、（以上、ダイセル化学工業（株）製、商品名）、ＥＲＬ４２２１、ＥＲＬ４２２１Ｄ、ＥＲＬ４２２１Ｅ（以上、ダウケミカル日本（株）製、商品名）｝、ビス（３，４−エポキシシクロヘキシルメチル）アジペート｛ＥＲＬ４２９９（ダウケミカル日本（株）製、商品名）、ＥＸＡ７０１５（大日本インキ化学工業（株）製、商品名）｝、１−エポキシエチル−３，４−エポキシシクロヘキサン、リモネンジエポキシド｛エピコートＹＸ８０００、エピコートＹＸ８０３４、エピコートＹＬ７１７０（以上、ジャパンエポキシレジン（株）製、商品名）、セロキサイド２０８１、セロキサイド３０００、エポリードＧＴ３０１、エポリードＧＴ４０１、ＥＨＰＥ３１５０（以上、ダイセル化学工業（株）製、商品名）｝、トリグリシジルイソシアヌレート（ＴＥＰＩＣ（日産化学製、商品名）が挙げられる。

熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂が配合される場合の硬化剤としては、電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料で一般に使用されている硬化剤を用いることができる。このような硬化剤としては、エポキシ樹脂と反応するものであれば、特に限定されないが、着色の少ないものが好ましく、無色又は淡黄色であることがより好ましい。

このような硬化剤としては、例えば、酸無水物系硬化剤、イソシアヌル酸誘導体系硬化剤、フェノール系硬化剤が挙げられる。酸無水物系硬化剤としては、例えば、無水フタル酸、無水マレイン酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、無水メチルナジック酸、無水ナジック酸、無水グルタル酸、無水ジメチルグルタル酸、無水ジエチルグルタル酸、無水コハク酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸が挙げられる。イソシアヌル酸誘導体としては、１，３，５−トリス（１−カルボキシメチル）イソシアヌレート、１，３，５−トリス（２−カルボキシエチル）イソシアヌレート、１，３，５−トリス（３−カルボキシプロピル）イソシアヌレート、１，３−ビス（２−カルボキシエチル）イソシアヌレートが挙げられる。これらの硬化剤の中では、無水フタル酸、無水トリメリット酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、無水グルタル酸、無水ジメチルグルタル酸、無水ジエチルグルタル酸又は１，３，５−トリス（３−カルボキシプロピル）イソシアヌレートを用いることが好ましい。上記硬化剤は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせてもよい。

上述の硬化剤は、成形性および硬化物の機械特性の観点から、分子量が１００〜４００であることが好ましい。また、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸等の芳香環を有する酸無水物よりも、芳香環の不飽和結合のすべてを水素化した無水物が好ましい。酸無水物系硬化剤として、ポリイミド樹脂の原料として一般的に使用される酸無水物を用いてもよい。

本実施形態の光反射用熱硬化性樹脂組成物において、硬化剤の配合量は、エポキシ樹脂１００質量部に対して、１〜１５０質量部であることが好ましく、５０〜１２０質量部であることがより好ましい。

また、硬化剤は、エポキシ樹脂中のエポキシ基１当量に対して、当該エポキシ基との反応可能な硬化剤中の活性基（酸無水物基又は水酸基）が０．５〜０．９当量となるように配合することが好ましく、０．７〜０．８当量となるように配合することがより好ましい。上記活性基が０．５当量未満では、熱硬化性樹脂組成物の硬化速度が遅くなると共に、得られる硬化体のガラス転移温度が低くなり、充分な弾性率が得られ難くなる傾向がある。一方、上記活性基が０．９当量を超えると、硬化後の強度が低下する傾向がある。

本実施形態の光反射用熱硬化性樹脂組成物には、硬化反応を促進するために、硬化促進剤を含有させることができる。硬化促進剤としては、例えば、アミン化合物、イミダゾール化合物、有機リン化合物、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物、第４級アンモニウム塩が挙げられる。これらの硬化促進剤の中でも、アミン化合物、イミダゾール化合物又は有機リン化合物を用いることが好ましい。アミン化合物としては、例えば、１，８−ジアザ−ビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７、トリエチレンジアミン、トリ−２，４，６−ジメチルアミノメチルフェノールが挙げられる。また、イミダゾール化合物として、例えば、２−エチル−４−メチルイミダゾールが挙げられる。更に、有機リン化合物としては、例えば、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−ｏ，ｏ−ジエチルホスホロジチオエート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−テトラフルオロボレート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−テトラフェニルボレートが挙げられる。これらの硬化促進剤は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて使用してもよい。

上記硬化促進剤の配合量は、エポキシ樹脂１００質量部に対して、０．０１〜８質量部であることが好ましく、０．１〜３質量部であることがより好ましい。硬化促進剤の配合量が、０．０１質量部未満では、十分な硬化促進効果を得られない場合があり、８質量部を超えると、得られる硬化物に変色が見られる場合がある。

本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物には、必要に応じて、酸化防止剤、離型剤、イオン捕捉剤等の添加剤を添加することができる。

本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物は、熱硬化後の、波長４６０〜８００ｎｍにおける光反射率が９０％以上であることが好ましい。上記光反射率が９０％未満では、光半導体装置の輝度向上に充分寄与できない傾向があり、より好ましい光反射率は９５％以上である。また、光半導体装置の輝度を向上させる点で、硬化後の、波長４６０ｎｍにおける光反射率が、９０％以上となることが好ましく、９５％以上となることがより好ましい。

本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物は、高い光反射性及び耐熱性を必要とする光半導体素子実装用基板材料、電気絶縁材料、光半導体封止材料、接着材料、塗料材料並びにトランスファー成型用エポキシ樹脂成形材料など様々な用途において有用である。以下、トランスファー成型用エポキシ樹脂成形材料として使用する場合の光反射用熱硬化性樹脂組成物の好適な例について説明する。

本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物は、トランスファー成形時の成形温度が１８０℃で、９０秒間の条件で成形したときに、成形直後３０秒以内のショアＤ硬度、即ち、熱時硬度が８０〜９５であることが好ましい。熱時硬度が８０未満であると、成形体の硬化が阻害されており、金型から成形物を離型する際に成形物がなき別れるなど破壊されてしまう可能性がある。このような成形体の破壊が発生すると光半導体素子搭載用基板を製造する歩留りが低下し、光半導体装置を作製できなくなる。

本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物は、成形温度１８０℃、成形圧力６．９ＭＰａ、成形時間６０〜１２０秒の条件でトランスファー成形した時のバリの長さが５ｍｍ以下となることが好ましい。バリの長さが５ｍｍを超えると、光半導体素子搭載用基板を作製する際、光半導体素子搭載領域となる開口部（凹部）に樹脂汚れが発生し、光半導体素子を搭載する際の障害となる可能性があり、また、光半導体素子と金属配線とを電気的に接続する際の障害になる可能性がある。半導体装置製造時の作業性の観点から、上記バリ長さは、３ｍｍ以下であることがより好ましく、１ｍｍ以下であることがさらに好ましい。

本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物は、上記式（１）で示されるＸが０．３０〜０．７０となるように選定され配合量が決定された、上述の各種成分を、均一に分散混合することで得ることができ、その手段や条件等は特に限定されない。光反射用熱硬化性樹脂組成物を作製する一般的な方法として、各成分を、ニーダー、ロール、エクストルーダー、らいかい機、自転と公転を組み合わせた攪拌混合機等によって混練する方法を挙げることができる。各成分を混練する際には、分散性を向上する観点から、溶融状態で行うことが好ましい。

混練の条件は、各成分の種類や配合量により適宜決定すればよく、例えば、１５〜１００℃で５〜４０分間混練することが好ましく、２０〜１００℃で１０〜３０分間混練することがより好ましい。混練温度が１５℃未満であると、各成分を混練させ難くなり、分散性も低下する傾向にあり、１００℃を超えると、熱硬化性樹脂の高分子量化が進行し、混練時に熱硬化性樹脂が硬化してしまう可能性がある。また、混練時間が５分未満であると、十分な分散効果が得られない可能性がある。混練時間が４０分を超えると、熱硬化性樹脂の高分子量化が進行し、熱硬化性樹脂が硬化してしまう可能性がある。

（光半導体素子搭載用基板）
本発明の光半導体素子搭載用基板は、底面及び壁面から構成される凹部を有し、凹部の底面が光半導体素子搭載部（光半導体素子搭載領域）であり、凹部の壁面、すなわち凹部の内周側面の少なくとも一部が本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなるものである。図１は、本発明の光半導体素子搭載用基板の一実施形態を示す斜視図である。光半導体素子搭載用基板１１０は、Ｎｉ／Ａｇめっき１０４が形成された金属配線１０５（第１の接続端子および第２の接続端子）と、金属配線１０５（第１の接続端子および第２の接続端子）間に設けられた絶縁性樹脂成形体１０３’と、リフレクター１０３とを備え、Ｎｉ／Ａｇめっき１０４が形成された金属配線１０５及び絶縁性樹脂成形体１０３’とリフレクター１０３とから形成された凹部２００を有している。この凹部２００の底面は、Ｎｉ／Ａｇめっき１０４が形成された金属配線１０５及び絶縁性樹脂成形体１０３’から構成され、凹部２００の壁面はリフレクター１０３から構成されるものである。そして、リフレクター１０３及び絶縁性樹脂成形体１０３’が、上記本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなる成形体である。

本発明の光半導体素子搭載用基板の製造方法は特に限定されないが、例えば、本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物を用いたトランスファー成形により製造することができる。図２は、本発明の光半導体素子搭載用基板を製造する工程の一実施形態を示す概略図である。光半導体素子搭載用基板は、例えば、金属箔から打ち抜きやエッチング等の公知の方法により金属配線１０５を形成し、電気めっきによりＮｉ／Ａｇめっき１０４を施す工程（図２（ａ））、次いで、該金属配線１０５を所定形状の金型１５１に配置し、金型１５１の樹脂注入口１５０から本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物を注入し、所定の条件でトランスファー成形する工程（図２（ｂ））、そして、金型１５１を外す工程（図２（ｃ））を経て製造することができる。このようにして、光半導体素子搭載用基板には、光反射用熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなるリフレクター１０３に周囲を囲まれてなる光半導体素子搭載領域（凹部）２００が形成される。また、凹部の底面は、第１の接続端子となる金属配線１０５及び第２の接続端子となる金属配線１０５と、これらの間に設けられ光反射用熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなる絶縁性樹脂成形体１０３’とから構成される。なお、上記トランスファー成形の条件としては、金型温度１７０〜２００℃、より好ましくは１７０〜１９０℃、成形圧力０．５〜２０ＭＰａ、より好ましくは２〜８ＭＰａで、６０〜１２０秒間、アフターキュア温度１２０℃〜１８０℃で１〜３時間が好ましい。

（光半導体装置）
本発明の光半導体装置は、上記光半導体素子搭載用基板と、当該光半導体素子搭載用基板に搭載された光半導体素子とを有する。より具体的な例として、上記光半導体素子搭載用基板と、光半導体素子搭載用基板の凹部内に設けられた光半導体素子と、凹部を充填して光半導体素子を封止する蛍光体含有封止樹脂部とを備える光半導体装置が挙げられる。

図３は、本発明の光半導体素子搭載用基板１１０に光半導体素子１００を搭載した状態の一実施形態を示す斜視図である。図３に示すように、光半導体素子１００は、光半導体素子搭載用基板１１０の光半導体素子搭載領域（凹部）２００の所定位置に搭載され、金属配線１０５とボンディングワイヤ１０２により電気的に接続される。図４及び５は、本発明の光半導体装置の一実施形態を示す模式断面図である。図４及び５に示すように、光半導体装置は、光半導体素子搭載用基板１１０と、光半導体素子搭載用基板１１０の凹部２００内の所定位置に設けられた光半導体素子１００と、凹部２００を充填して光半導体素子を封止する蛍光体１０６を含む透明封止樹脂１０１からなる封止樹脂部とを備えており、光半導体素子１００とＮｉ／Ａｇめっき１０４が形成された金属配線１０５とがボンディングワイヤ１０２又ははんだバンプ１０７により電気的に接続されている。

図６もまた、本発明の光半導体装置の一実施形態を示す模式断面図である。図６に示す光半導体装置では、リフレクター３０３が形成されたリード３０４上の所定位置にダイボンド材３０６を介してＬＥＤ素子３００が配置され、ＬＥＤ素子３００とリード３０４とがボンディングワイヤ３０１により電気的に接続され、蛍光体３０５を含む透明封止樹脂３０２によりＬＥＤ体素子３００が封止されている。

以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明はこれに制限されるものではない。例えば、本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物は光反射コート剤として用いることができる。この実施形態として、銅張積層板、光半導体素子搭載用基板及び光半導体素子について説明する。

本発明に係る銅張積層板は、上述した本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物を用いて形成された光反射樹脂層と、該白色樹脂層上に積層された銅箔と、を備えるものである。

図７は、本発明に係る銅張積層板の好適な一実施形態を示す模式断面図である。図７に示すように、銅張積層板４００は、基材４０１と、該基材４０１上に積層された白色樹脂層４０２と、該白色樹脂層４０２上に積層された銅箔４０３と、を備えている。ここで、白色樹脂層４０２は、上述した本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物を用いて形成されている。

基材４０１としては、銅張積層板に用いられる基材を特に制限なく用いることができるが、例えば、エポキシ樹脂積層板等の樹脂積層板、光半導体搭載用基板などが挙げられる。

銅張積層板４００は、例えば、本発明の樹脂組成物を基材４０１表面に塗布し、銅箔４０３を重ね、加熱加圧硬化して上記樹脂組成物からなる白色樹脂層４０２を形成することにより作製することができる。

本発明の樹脂組成物の基板４０１への塗布方法としては、例えば、印刷法、ダイコート法、カーテンコート法、スプレーコート法、ロールコート法等の塗布方法を用いることができる。このとき、本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物には、塗布が容易となるように溶媒を含有させることができる。

加熱加圧の条件としては、特に限定されないが、例えば、１３０〜１８０℃、０．５〜４ＭＰａ、３０〜６００分間の条件で加熱加圧を行うことが好ましい。

上記本発明に係る銅張積層板を使用し、ＬＥＤ実装用等の光学部材用のプリント配線板を作製することができる。なお、図７に示した銅張積層板４００は、基材４０１の片面に白色樹脂層４０２及び銅箔４０３を積層したものであるが、本発明に係る銅張積層板は、基材４０１の両面に白色樹脂層４０２及び銅箔４０３をそれぞれ積層したものであってもよい。また、図７に示した銅張積層板４００は、基材４０１上に白色樹脂層４０２及び銅箔４０３を積層したものであるが、本発明に係る銅張積層板は、基材４０１を用いることなく、白色樹脂層４０２及び銅箔４０３のみで構成されていてもよい。この場合、白色樹脂層４０２が基材としての役割をはたすこととなる。この場合、例えば、ガラスクロス等に本発明の樹脂組成物を含浸させ、硬化させたものを白色樹脂層４０２とすることができる。

図８は、本発明に係る銅張積層板を用いて作製された光半導体装置の一例を示す模式断面図である。図８に示すように、光半導体装置５００は、光半導体素子４１０と、該光半導体素子４１０が封止されるように設けられた透明な封止樹脂４０４とを備える表面実装型の発光ダイオードである。光半導体装置５００において、半導体素子４１０は、接着層４０８を介して銅箔４０３に接着されており、ワイヤー４０９により銅箔４０３と電気的に接続されている。

更に、本発明に係る光半導体素子搭載用基板の他の実施形態として、上述した本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物を用いて、基材上の複数の導体部材（接続端子）間に形成された白色樹脂層を備える光半導体素子搭載用基板が挙げられる。また、本発明に係る光半導体装置の他の実施形態は、上記の光半導体素子搭載用基板に光半導体素子を搭載してなるものである。

図９は、本発明に係る光半導体装置の好適な一実施形態を示す模式断面図である。図９に示すように、光半導体装置６００は、基材６０１と、該該基材６０１の表面に形成された複数の導体部材６０２と、複数の導体部材（接続端子）６０２間に形成された、上記本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物からなる白色樹脂層６０３と、を備える光半導体素子搭載用基板に、光半導体素子６１０が搭載され、該光半導体素子６１０が封止されるように透明な封止樹脂６０４が設けられた、表面実装型の発光ダイオードである。光半導体装置６００において、光半導体素子６１０は、接着層６０８を介して導体部材６０２に接着されており、ワイヤー６０９により導体部材６０２と電気的に接続されている。

基材６０１としては、光半導体素子搭載用基板に用いられる基材を特に制限なく用いることができるが、例えば、エポキシ樹脂積層板等の樹脂積層板などが挙げられる。

導体部材６０２は、接続端子として機能するものであり、例えば、銅箔をフォトエッチングする方法等、公知の方法により形成することができる。

光半導体素子搭載用基板は、本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物を基材６０１上の複数の導体部材６０２間に塗布し、加熱硬化して上記光反射用熱硬化性樹脂組成物からなる白色樹脂層６０３を形成することにより作製することができる。

本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物の基板６０１への塗布方法としては、例えば、印刷法、ダイコート法、カーテンコート法、スプレーコート法、ロールコート法等の塗布方法を用いることができる。このとき、本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物には、塗布が容易となるように溶媒を含有させることができる。

光反射用熱硬化性樹脂組成物の塗膜を加熱硬化する際の加熱条件としては、特に限定されないが、例えば、１３０〜１８０℃、３０〜６００分間の条件で加熱を行うことが好ましい。

その後、導体部材６０２表面に余分に付着した樹脂成分は、バフ研磨等により除去し、導体部材６０２からなる回路を露出させ、光半導体素子搭載用基板とする。

また、白色樹脂層６０３と導体部材６０２との密着性を確保するために、導体部材６０２に対して酸化還元処理やＣＺ処理（メック株式会社製）等の粗化処理を行なうことも好ましい。

以下、実施例及び比較例を挙げて本発明をより具体的に説明する。但し、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。

＜光反射用熱硬化性樹脂組成物の調製＞
（実施例１〜１１及び比較例１〜６）
実施例１〜７、１１については表１に示す配合割合（質量部）に従って、比較例１〜６については表２に示す配合割合（質量部）に従って、各成分を配合し、ミキサーによって十分に混練分散した後、ミキシングロールにより４０℃で１５分溶融混練することによって混練物を得た。次に、得られた混練物を冷却し、それらを粉砕することによって、光反射用熱硬化性樹脂組成物をそれぞれ調製した。

実施例８〜１０については、表１に示す配合割合（質量部）に従って、各成分を配合し、自転公転式攪拌混合機を使用して回転数２０００ｒｐｍで３分間混合することにより、光反射用熱硬化性樹脂組成物をそれぞれ調製した。

表１及び２中、＊１〜１１の詳細は以下のとおりである。＊１〜１１の比重及び屈折率については表１及び２中に示す。なお、熱硬化性樹脂成分についての比重及び屈折率は、エポキシ樹脂、硬化剤及び硬化触媒の混合物の比重及び屈折率を示す。

＊１：トリスグリシジルイソシアヌレート（エポキシ当量１００、日産化学社製、商品名：ＴＥＰＩＣ−Ｓ）
＊２：メチルヘキサヒドロ無水フタル酸（日立化成工業社製）
＊３：ヘキサヒドロ無水フタル酸（和光純薬工業社製）
＊４：テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−ｏ，ｏ−ジエチルホスホロジチエート（日本化学工業社製、商品名：ＰＸ−４ＥＴ）
＊５：トリメトキシエポキシシラン（東レダウコーニング社製、商品名：Ａ−１８７）
＊６：溶融球状シリカ（電気化学工業社製、商品名：ＦＢ−９５０）
＊７：溶融球状シリカ（電気化学工業社製、商品名：ＦＢ−３０１）
＊８：溶融球状シリカ（アドマテックス社製、商品名：ＳＯ−２５Ｒ）
＊９：酸化チタン（堺化学工業社製、商品名：ＦＴＲ−７００）
＊１０：酸化アルミニウム（アドマテックス社製、商品名：ＡＯ-８０２）
＊１１：外殻材質硼珪酸ソーダガラス中空粒子（住友３Ｍ社製、商品名：Ｓ６０−ＨＳ）

＜光反射用熱硬化性樹脂組成物の評価＞
実施例１〜１１及び比較例１〜６で得られた光反射用熱硬化性樹脂組成物を、１８０℃のホットプレート上で、硬化物厚みが０．１ｍｍ±０．０５ｍｍとなるよう加圧成形した後、１５０℃で２時間ポストキュアして、厚み０．１ｍｍ±０．０５ｍｍのテストピースをそれぞれ作製した

上記で得られたテストピースについて、下記に示す方法に従い、光反射率及び漏れ光を測定した。また、光反射用熱硬化性樹脂組成物の加工特性についても評価した。結果を表１及び２に示す。

（光反射率の測定）
積分球型分光光度計Ｖ−７５０型（日本分光株式会社製、商品名）を用いて、波長４６０ｎｍにおける上記テストピースの光学反射率（光反射率）を測定した。

（漏れ光の測定）
漏れ光の測定には、光源として、波長４６０ｎｍに波長ピークを有する発光素子を搭載し、これを取り囲むように反射枠が備えられた表面実装型光半導体装置を用いた。この表面実装型光半導体装置に対向するようにＣＣＤカメラを設置し、発光素子からの配光分布を撮影し、最も高い輝度領域を数値化できるようにした。このとき、表面実装型光半導体装置に１００ｍＡの電流を投入すると、輝度は２５００００ｃｄ／ｍ^２であった。

上記で得られたテストピースを、表面実装型光半導体装置の発光素子から１ｍｍの距離でＣＣＤカメラを遮るように設置した。次に、表面実装型光半導体装置に１００ｍＡの電流を投入し、テストピースを透過してくる光の配光分布を撮影し、最も高い輝度領域を数値化し、漏れ光輝度（ｃｄ／ｍ^２）を求めた。また、テストピースを設置していないときの輝度に対する漏れ光輝度の割合（％）を漏れ光率（対光源比）として算出した。

（加工特性）
加工特性については以下の方法で評価した
Ａ：下記の公知のトランスファー成形で加工可能。
Ｂ：下記の公知の印刷法で加工可能。
Ｃ：上記Ａ及びＢのいずれの方法を用いても成形することが困難。

Ａのトランスファー成形は、トランスファー成形機（エムテックスマツムラ製、品名「ＡＴＯＭ−ＦＸ」）を使用し、金型温度１８０℃、硬化時間９０秒、成形圧力６．９ＭＰａ、金型締め圧２０ｔの条件で成形する方法を適用した。金型として、縦４個×横４個のマトリックス状に配置されキャビティ数を１６個に設定した一括成形用金型を用いた。キャビティサイズは１個当たり３ｍｍ角、厚み１ｍｍとした。基板は、厚み０．２５ｍｍの銀めっきを施した銅製のリードフレームを用いた。

Ｂの印刷法は、光半導体素子搭載用の電極部を耐熱性のマスキングテープで保護した基板上に、配合した材料（光反射用熱硬化性樹脂組成物）を注型し、ガラス製スキージを用いて均一に厚み０．１ｍｍとなるように、５ｍｍ／ｓの速度でスキージを動作することで膜を形成した後、硬化温度１５０℃、硬化時間４時間、の条件で光反射用熱硬化性樹脂組成物を硬化し、予め張りつけた電極保護用マスキングテープをはがす方法を適用した。

上記Ｃは、上記Ａ及びＢのいずれの方法でも加工することができなかった場合を意味する。

表１及び表２に示すように、パラメータＸが０．３から０．７の範囲内にある実施例１〜１１の光反射用熱硬化性樹脂組成物は、０．１ｍｍ厚みの薄い硬化物を形成した場合であっても、光反射率が高く、漏れ光が少ないことが確認された。これに対して、比較例１〜６で得られた光反射用熱硬化性樹脂組成物は、漏れ光が著しく発生した。特に、中空粒子だけを使用した比較例６に至っては、光漏れ抑制効果が得られないことがわかる。実施例３と実施例５とを比較すると、中空粒子と酸化チタンを組み合わせた実施例３の光反射用熱硬化性樹脂組成物は、遮光性に更に優れた硬化物が形成されていることがわかる。一方、パラメータＸが０．７を越えるほどに白色顔料を添加した場合、トランスファー成形及び印刷法のいずれの方法によっても加工を施すことが困難であった。

本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物によれば、光半導体素子搭載用基板や光半導体装置における光取り出し効率の向上が可能となる。

１００…光半導体素子、１０１…透明封止樹脂、１０２…ボンディングワイヤ、１０３…光反射用熱硬化性樹脂組成物の硬化物（リフレクター）、１０３’…光反射用熱硬化性樹脂組成物の硬化物（絶縁性樹脂成形体）１０４…Ｎｉ／Ａｇめっき、１０５…金属配線、１０６…蛍光体、１０７…はんだバンプ、１１０…光半導体素子搭載用基板、１５０…樹脂注入口、１５１…金型、２００…光半導体素子搭載領域、３００…ＬＥＤ素子、３０１…ワイヤボンド、３０２…透明封止樹脂、３０３…リフレクター、３０４…リード、３０５…蛍光体、３０６…ダイボンド材、４００…銅張積層板、４０１…基材、４０２…白色樹脂層、４０３…銅箔、４０４…封止樹脂、４０８…接着層、４０９…ワイヤー、４１０…光半導体素子、５００，６００…光半導体装置、６０１…基材、６０２…導体部材、６０３…白色樹脂層、６０４…封止樹脂、６０８…接着層、６０９…ワイヤー、６１０…光半導体素子。

Claims (14)

1. 熱硬化性樹脂成分と、充填剤成分と、を含有し、
   下記式（１）で示されるＸが０．３０〜０．７０である、光反射用熱硬化性樹脂組成物。
   

   

   
   
   ［式（１）中、ｎは充填剤成分の成分数を示し、φ_ｉはｎ個の充填剤成分を１番からｎ番まで任意に順番をつけたときにｉ番目の充填剤成分の光反射用熱硬化性樹脂全体における体積割合を示し、ｎ_ｉは前記ｉ番目の充填剤成分の屈折率を示し、ｎ_{ｒｅｊｉｎ}は熱硬化性樹脂成分全体の屈折率を示す。］
2. 厚みが０．１ｍｍの硬化物を形成したときに、当該硬化物の波長４６０ｎｍにおける光反射率が９０％以上である、請求項１に記載の光反射用熱硬化性樹脂組成物。
3. 前記充填剤成分が、屈折率が１．６〜３．０の、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム、酸化アンチモン、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウムからなる群より選ばれる少なくとも１種の無機酸化物を含む、請求項１又は２に記載の光反射用熱硬化性樹脂組成物。
4. 前記無機酸化物の中心粒径が０．１〜２０μｍの範囲内にある、請求項３に記載の光反射用熱硬化性樹脂組成物。
5. 前記無機酸化物の含有量が、前記熱硬化性樹脂成分１００質量部に対して７０〜４００質量部である、請求項３又は４に記載の光反射用熱硬化性樹脂組成物。
6. 前記無機酸化物の含有量が、前記熱硬化性樹脂成分１００質量部に対して１３０〜４００質量部である、請求項３〜５のいずれか一項に記載の光反射用熱硬化性樹脂組成物。
7. 前記充填剤成分が、珪酸ソーダガラス、アルミ珪酸ガラス、硼珪酸ソーダガラス、架橋スチレン系樹脂及び架橋アクリル系樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種の材質を含んでなる外殻と、屈折率が１．０〜１．１である空隙部と、を有する中空粒子を含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の光反射用熱硬化性樹脂組成物。
8. 前記中空粒子の中心粒径が０．１〜５０μｍの範囲内にある、請求項７に記載の光反射用熱硬化性樹脂組成物。
9. 前記中空粒子の含有量が、前記熱硬化性樹脂成分１００質量部に対して２０〜８５質量部である、請求項７又は８に記載の光反射用熱硬化性樹脂組成物。
10. 請求項１〜９のいずれか一項に記載の光反射用熱硬化性樹脂組成物の硬化物を備える、光半導体素子搭載用基板。
11. 底面及び壁面から構成される凹部を有し、当該凹部の前記底面が光半導体素子の搭載部であり、
    前記凹部の前記壁面の少なくとも一部が、請求項１〜９のいずれか一項に記載の光反射用熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなる、光半導体素子搭載用基板。
12. 基板と、当該基板上に設けられた第１の接続端子および第２の接続端子とを備え、
    前記第１の接続端子と前記第２の接続端子との間に、請求項１〜９のいずれか一項に記載の光反射用熱硬化性樹脂組成物の硬化物を有する、光半導体素子搭載用基板。
13. 請求項１０〜１２のいずれか一項に記載の光半導体素子搭載用基板と、当該光半導体素子搭載用基板に搭載された光半導体素子と、を有する、光半導体装置。
14. 底面及び壁面から構成される凹部を有する光半導体素子搭載用基板の製造方法であって、
    前記凹部の前記壁面の少なくとも一部を、請求項１〜９のいずれか一項に記載の光反射用熱硬化性樹脂組成物をトランスファー成形して形成する工程、
    を備える、光半導体素子搭載用基板の製造方法。

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