JP2010222241A - Ｉｇｂｔ用シリコン単結晶ウェーハ及びｉｇｂｔ用シリコン単結晶ウェーハの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】抵抗率のバラツキが小さく、かつ、ＩＧＢＴ製造プロセスを経ても酸素析出物の発生が極めて少ないウェーハの製造が可能とする。
【解決手段】チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を育成することにより得られるＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハの製造方法であって、磁場強度2000ガウス以上とし、石英ルツボ回転数 １．５ｒｐｍ以下、結晶回転数７．０ｒｐｍ以下とし、シリコン単結晶の引き上げ速度を転位クラスタ欠陥フリーなシリコン単結晶が引き上げ可能な速度で、格子間酸素濃度が６×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の単結晶を育成する。
【選択図】図３

Description

本発明は、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）の製造に用いられるＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハ及びＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハの製造方法に関する。

絶縁ゲートバイポーラトランジスター(Insulated Gate Bipolar Transistor、以下ＩＧＢＴと記す)は、大電力を制御するのに適したゲート電圧駆動型スイッチング素子であり、電車、ハイブリッド車、空調機器、冷蔵庫などのインバータなどに用いられている。ＩＧＢＴには、図５Ａ〜図５Ｃに示すように、エミッタＥ、コレクタＣ、ゲートＧという3つの電極が備えられており、絶縁酸化膜ＳｉＯ２を介して素子の表面側に形成されたゲートに印加する電圧によって、素子表面側のエミッタＥと裏面側のコレクタＣ間の電流を制御するものである。
上述のように、ＩＧＢＴは酸化膜で絶縁されたゲートで電流を制御する素子なので、ゲート酸化膜の品質（Gate Oxide Integrity、以下ＧＯＩと記す)が重要である。シリコン単結晶ウェーハ中に欠陥が含まれていると、その欠陥がゲート酸化膜に取り込まれて、酸化膜の絶縁破壊の原因となる。

また、ＩＧＢＴは、メモリ等のＬＳＩのようにウェーハの表面近傍だけを横方向に使う素子ではなく、図５Ａ〜図５Ｃに示すように、ウェーハを縦方向（厚み方向）に使う素子なので、その特性はウェーハのバルクの品質に影響される。特に、再結合ライフタイムと抵抗率は重要な品質である。再結合ライフタイムは、基板中の結晶欠陥によって低下するので、デバイスプロセスを経ても結晶欠陥が生じないように制御することが必要である。抵抗率に関しては、均一性と安定性が要求される。ウェーハの面内だけでなく、ウェーハ間、すなわち、シリコンインゴットの長さ方向でも均一で、且つデバイス熱プロセスを経ても変化しないことが重要である。
もし、ウェーハ平面上に複数の素子が並列に設けられていた場合、これらの素子間で抵抗率が異なると、抵抗率の低い素子に大電流が集中し破損してしまうので抵抗率の均一性と安定性が重要である。このように、複数の素子が並列に微細化された場合、抵抗率の差によって、大電流が集中し特定の素子に電流が集中し破損してしまうので抵抗率が均一で、しかも、デバイス熱プロセスを経ても変化しないことが重要である。

また、図５Ａに示すように、電流のオフ時に空乏層がコレクタ側に接触する所謂パンチスルー(Punch Through、以下ＰＴと記す)型ＩＧＢＴ用の基板として、エピキタキシャルウェーハ(以下エピウェーハと記す)が使用されている。しかし、ＰＴ型ＩＧＢＴは、エピウェーハを使用するためコストが高いという問題がある。また、ライフタイムコントロールのため、高温でスイッチング損失が増加する。このため高温でオン電圧が低下して並列使用時に特定の素子に電流が集中し破損の原因となることもある。
ＰＴ型基板の欠点を克服する為に、オフ時に空乏層がコレクタ側に接触しないノンパンチスルー(Non Punch Through、以下ＮＰＴと記す)型のＩＧＢＴが開発されている。更に最近になって、トレンチゲート構造や、図５Ｃに示すように、コレクタ側にフィールドストップ(Field Stop、以下ＦＳと記す)層を形成した、よりオン電圧が低くスイッチング損失の少ないＦＳ−ＩＧＢＴが製造されるようになっている。ＮＰＴ型やＦＳ型のＩＧＢＴ用の基板としては、従来から浮遊帯域溶融法（Floating Zone Method、以下FZ法と記す)で育成したシリコン単結晶から切り出した直径１５０ｍｍ以下のウェーハ（以下、ＦＺウェーハという）が使用されている。

エピウェーハに比べてＦＺウェーハは安価であるが、ＩＧＢＴの製造コストを更に下げる為には、ウェーハを大口径化する必要がある。しかし、ＦＺ法で直径１５０ｍｍより大きい単結晶を育成することは極めて難しく、たとえ製造できたとしても、低価格で安定供給するのは困難である。
そこで、我々は直径２００ｍｍ以上好ましくは直径３００ｍｍ以上の大口径結晶が容易に育成できるチョクラルスキー法（ＣＺ法）でＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハを製造することを試みた。

以下に説明する特許文献１〜３に記載されている技術はいずれもウェーハ内の欠陥の低減を目的とするものであり、特許文献１には、ＣＺ法によって育成され、窒素がドープされ、全面Ｎ−領域からなり、かつ格子間酸素濃度が８ｐｐｍａ以下、或は窒素がドープされ、全面から少なくともボイド型欠陥と転位クラスタが排除されており、かつ格子間酸素濃度が８ｐｐｍａ以下であるシリコン単結晶ウェーハが開示されている。
また特許文献２には、酸素及び窒素でドーピングされる間にチョクラルスキー法を使って引き上げられるシリコン単結晶の製造方法であって、単結晶が引き上げられる間に６．５×１０^１７原子／ｃｍ^３未満の濃度の酸素、及び５×１０^１３原子／ｃｍ^３超の濃度の窒素でドーピングされるシリコン単結晶の製造方法が開示されている。
更に特許文献３には、窒素を添加した融液からチョクラルスキー法により育成され、２×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上２×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の窒素濃度、及び７×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の酸素濃度を含有し、各種表面欠陥密度がＦＰＤ≦０．１個／ｃｍ^２、ＳＥＰＤ≦０．１個／ｃｍ^２、及びＯＳＦ≦０．１個／ｃｍ^２であり、内部欠陥密度がＬＳＴＤ≦１×１０^５個／ｃｍ^３であり、かつ酸化膜耐圧特性がＴＺＤＢ高Ｃモード合格率≧９０％及びＴＤＤＢ合格率≧９０％以上であるシリコン半導体基板が開示されている。

特開２００１−１４６４９８号公報 特開２０００−７４８６号公報 特開２００２−２９８９１号公報

しかし、特許文献１〜３には、結晶欠陥フリーとなるウェーハの製造方法について開示されているものの、ＩＧＢＴに必要なウェーハ特性は明らかになっていない。また、製造時間を短縮し、製造コストを削減し、ＩＧＢＴ用のウェーハを効率よく安価に製造するためには、引き上げ速度を大きくする必要があるが、このような場合、特に空孔起因の結晶欠陥が存在するような引き上げ速度で引き上げた単結晶からスライスされたウェーハにおけるＩＧＢＴ用ウェーハ特性ついては、明らかになっていない。特に、後述するような、ＩＧＢＴ製造プロセスにおける酸素ドナーによる抵抗率変動の問題や酸素析出物によるリーク不良の問題については何も解明されていない。また、このようなＣＺシリコンで格子間酸素濃度が６×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下であり、ウェーハ面内での抵抗率のばらつきが８％以下である結晶を育成するには、石英坩堝の回転速度や、結晶の回転速度を従来の条件から大幅に変更する必要があり、無欠陥結晶が育成できる引き上げ速度マージンが小さくなってしまい、歩留まりが低下する問題があった。

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、引き上げ速度マージンを拡大することが可能であるとともに、酸化膜耐圧特性の向上ならびに抵抗率のバラツキが小さく、かつ、ＩＧＢＴ製造プロセスにおいて酸素析出物の発生が極めて少ないウェーハの製造が安価に短時間で可能であるＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハの製造方法及びＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハを提供することを目的とする。

シリコン単結晶ウェーハを、チョクラルスキー法（以下、ＣＺ法と言う場合がある）により製造すると、直径３００ｍｍ程度の大口径のウェーハが製造可能であるが、ＣＺ法で製造されたウェーハは次のような理由でＩＧＢＴ用のウェーハには適していなかった。
（１）ＣＺ法では、単結晶の育成時の過剰な空孔が凝集して０．２〜０．３μｍ程度のＣＯＰ欠陥（Crystal Originated Particle）が生じる。ＩＧＢＴを製造する際には、ウェーハ表面にゲート酸化膜を形成するが、ＣＯＰ欠陥がウェーハ表面に露出して出来たピット、あるいはウェーハ表面近傍に存在するＣＯＰ欠陥がこのゲート酸化膜に取り込まれると、ＧＯＩ（Gate Oxide Integrity）を劣化させる。従って、ＧＯＩが劣化しないように、ＣＯＰ欠陥の影響を低減したウェーハが必要になるが、ＣＺ法ではこのようなウェーハの製造が難しい。
（２）ＣＺ法により製造されたシリコン単結晶ウェーハには、１×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３程度の過剰な酸素が含まれており、このようなウェーハに対して４５０℃で１時間程度の低温熱処理（ＩＧＢＴ製造工程のシンタリング処理に相当する熱処理）を行うと酸素ドナーが発生し、熱処理前後でウェーハの抵抗率が変化してしまう。
（３）ＣＺ法により製造されたシリコン単結晶ウェーハの抵抗率は、シリコン融液に添加するドーパント量によって制御でき、ＩＧＢＴ用のウェーハにはドーパントとしてリンが添加されるが、リンは偏析係数が小さい為にシリコン単結晶の長さ方向に渡って濃度が大きく変化する。そのため、一本のシリコン単結晶の中で、設計仕様に合致する抵抗率を有するウェーハの得られる範囲が狭い。
（４）ＣＺ法により製造されたシリコン単結晶ウェーハには、１×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３程度の過剰な酸素が含まれており、このようなウェーハに対してデバイス形成プロセスを行うと、過剰な酸素がＳｉＯ_２となって酸素析出し、再結合ライフタイムの劣化やリーク不良などの原因となり、ＩＧＢＴ特性を劣化させてしまう。

（５）ＣＺシリコンには１０×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３程度の酸素が含まれており、４５０℃程度の低温熱処理を受けると酸素ドナーが発生して、基板の抵抗率が変化してしまうが、この結果生ずる酸化膜耐圧特性の低下や抵抗率のばらつきを解消したいという要望があった。特に、従来の方法では、直径２００ｍｍウェーハ、つまり、２００ｍｍ以上の径寸法とされるシリコン単結晶の育成において、低酸素のシリコン単結晶を製造しようとしても、酸素濃度６×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３（ＡＳＴＭ Ｆ１２１，１９７９）程度が限度であり、単結晶直胴部の結晶軸方向の広範囲に亘って、安定してこの酸素濃度以下のシリコン単結晶を育成することは 困難であり、特に面内の抵抗率の均一性を維持したまま、面内全域で酸素濃度６×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下のＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハは実現できていなかった。

上記（１）〜（５）の問題点を解決すべく、本発明者らが鋭意研究を行ったところ、以下の構成を採用することによって、ＩＧＢＴに必要なウェーハ特性を備えたウェーハを、ＣＺ法を用いて製造できることが判明した。

本発明のＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハの製造方法は、チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を育成することにより得られるＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハの製造方法であって、
磁場強度２０００ガウス以上とし、石英ルツボ回転数１．５ｒｐｍ以下、結晶回転数７．０ｒｐｍ以下とし、
シリコン単結晶の引き上げ速度を転移クラスタ欠陥フリーなシリコン単結晶が引き上げ可能な速度で、格子間酸素濃度が６×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の単結晶を育成することを特徴とする。
本発明のＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハの製造方法は、チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を育成することにより得られるＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハの製造方法であって、
磁場強度２０００ガウス以上とし、
石英ルツボ回転数Ｒ１（ｒｐｍ）と、結晶回転数Ｒ２（ｒｐｍ）とを、
添付図面図６に各点（Ｒ１，Ｒ２）で示すように、
点Ａ （０．１，１）、点Ｂ（０．１，７）、点Ｃ（０．５，７）、点Ｉ（０．７，６）、点Ｅ（１，６）、点Ｆ（２，２）、点Ｇ（２，１）で囲まれる範囲内の値に設定し、
シリコン単結晶の引き上げ速度を転移クラスタ欠陥フリーなシリコン単結晶が引き上げ可能な速度で、格子間酸素濃度が６×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の単結晶を育成することを特徴とする。
本発明において、前記シリコン単結晶からスライスされたシリコンウェーハに、１０５０℃以上シリコンの融点以下、１〜１０時間とされるＣＯＰ影響排除熱処理をおこなうことが好ましい。
本発明のＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハの製造方法は、チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を育成する際に、シリコン融液にｎ型ドーパントを添加するか、シリコン融液にリンを２．９×１０^１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上２．９×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、前記リンよりも偏析係数の小さなｐ型ドーパントを、その偏析係数に応じて結晶中の濃度が１×１０^１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上１×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下となるように添加するか、または、引き上げ後のシリコン単結晶に中性子照射を行うことで、リンをドープすることができる。
本発明のＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハの製造方法は、チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を育成することにより得られるＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハの製造方法であって、
シリコン単結晶中の電気抵抗率を調整するためのドーパントが添加されていないシリコン溶融液を収容する石英ルツボに磁場強度２０００ガウス以上の磁場を印加し、石英ルツボの回転数を１．５ｒｐｍ以下かつ、育成中のシリコン単結晶の回転速度を７．０ｒｐｍ以下として、酸素濃度が６×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下のシリコン単結晶を育成した後、引き上げ後のシリコン単結晶に中性子照射を施してリンをドープすることを特徴とする。
本発明は、前記シリコン単結晶の引き上げ速度を結晶径方向全域において、ＣＯＰ欠陥、転位クラスタを排除可能な引き上げ速度とすることができる。
本発明は、前記シリコン単結晶に窒素を６ｘ１０^１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上５×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の濃度で添加することができる。
本発明は、前記シリコン単結晶ウェーハの裏面側に５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の多結晶シリコン層を形成することができる。
本発明のＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハは、上記のいずれかに記載の製造方法により製造され、
結晶径方向全域において転位クラスタが排除されており、格子間酸素濃度が６×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下であり、ウェーハ面内における抵抗率のばらつきが８％以下であることができる。
本発明の前記シリコン単結晶が、前記チョクラルスキー法により育成される際に転移クラスタ欠陥フリーなシリコン単結晶を引き上げ可能な引き上げ速度で育成されたものであり、かつ、引き上げ後のシリコン単結晶に中性子照射がなされてリンがドープされてなるものであることができる。
本発明の前記シリコン単結晶が、前記チョクラルスキー法により育成される際に、ｎ型ドーパントがドープされたシリコン融液から、転移クラスタ欠陥フリーなシリコン単結晶を引き上げ可能な引き上げ速度により育成されたものであることができる。
本発明のＩＧＢＴ用のシリコン単結晶ウェーハは、リンと、前記リンよりも偏析係数の小さなｐ型ドーパントがそれぞれ、１×１０^１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上１×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の濃度で含まれていることができる。
本発明のＩＧＢＴ用のシリコン単結晶ウェーハは、ウェーハ表面におけるＬＰＤ密度が０．１個／ｃｍ^２以下であり、ライトエッチング欠陥密度が１×１０^３個／ｃｍ^２以下であることができる。
本発明のＩＧＢＴ用のシリコン単結晶ウェーハは、裏面側に５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の多結晶シリコン層が形成されていることが可能である。

本発明は、前記シリコン単結晶が、前記チョクラルスキー法により育成される際に転位クラスタ欠陥フリーなシリコン単結晶を引き上げ可能な引き上げ速度で育成されたものであり、かつ、引き上げ後のシリコン単結晶に中性子照射がなされてリンがドープされてなるものである手段か、前記シリコン単結晶が、前記チョクラルスキー法により育成される際に、ｎ型ドーパントがドープされたシリコン融液から、転位クラスタ欠陥フリーなシリコン単結晶を引き上げ可能な引き上げ速度により育成されたものである手段か、あるいは、リンと、前記リンよりも偏析係数の小さなｐ型ドーパントがそれぞれ、１×１０^１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上１×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の濃度で含まれている手段を採用することが可能である。
本発明は、ウェーハ表面における０．１μｍサイズ以上のＬＰＤ密度が０．１個／ｃｍ^２以下であり、ライトエッチング欠陥密度が１×１０^２個／ｃｍ^２以下であることができる。
本発明は、裏面側に５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の多結晶シリコン層が形成されていることができる。

従来、ドーパントが添加されたシリコン融液からシリコン単結晶を引き上げた場合、結晶回転速度を遅くするほど、結晶径方向（面内）の酸素濃度分布やドーパント濃度分布が不均一となり、酸素濃度や抵抗率のばらつきが大きくなってしまうことが知られている。このため、結晶回転速度を１０ｒｐｍ以上の高速にすることにより、面内の酸素濃度や抵抗率のばらつきを低減するようにして単結晶育成が行われていた。
ところが、本発明者らの実験によれば、石英ルツボの回転速度が１．５ｒｐｍ以下という低速回転の状況においては、結晶回転速度は単結晶中の酸素濃度を低減できる制御因子であって、結晶回転速度を遅くすると、単結晶中の酸素濃度をより低減できることを知見した。なお、結晶回転速度を遅くすることにより面内の酸素濃度分布は悪化するものの、酸素濃度が６×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下のシリコン単結晶であれば、酸素濃度分布のばらつきはＩＧＢＴ特性には影響しないことも判明した。

本発明では、抵抗率ばらつきを確実に８％以下にすることができる。
本発明は、前記シリコン単結晶に窒素を６×１０^１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上５×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の濃度で添加することができる。
本発明で、シリコン単結晶育成の段階ではドーパントを添加していない場合、結晶回転速度を低下させてもシリコン単結晶中の抵抗率分布には何も影響しないので、育成が完了したシリコン単結晶に中性子照射によりリンをドープし抵抗率ばらつきを低減できる。

本発明のＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハの製造方法は、チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を育成することにより得られるＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハの製造方法であって、
炉内（ＣＺ炉内）の石英ルツボに貯留されたシリコン融液に磁場を印加し、前記石英ルツボを回転させ、前記シリコン融液からシリコン単結晶を前記石英ルツボと逆方向に回転させつつ引き上げながら育成するシリコン単結晶育成工程と、
前記シリコン単結晶からシリコンウェーハを切り出す工程とを含み、
前記シリコン単結晶育成工程において、前記シリコン融液に印加する磁場の強度を２０００ガウス以上とし、前記石英ルツボの回転数を１．５ｒｐｍ以下とし、前記シリコン単結晶の回転数を７．０ｒｐｍ以下とし、
転位クラスタ欠陥フリーなシリコン単結晶が引き上げ可能な速度で前期シリコン単結晶の引き上げを行い、格子間酸素濃度が６×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下のシリコン単結晶を育成することを特徴とする、シリコン単結晶ウェーハの製造方法である。
上記シリコン単結晶ウェーハの製造方法においては、前記シリコン単結晶育成工程において、前記石英ルツボの回転数Ｒ１（ｒｐｍ）と、前記シリコン単結晶の回転数Ｒ２（ｒｐｍ）とを、添付図面図６に各点（Ｒ１，Ｒ２）で示すように、点Ａ （０．１，１）、点Ｂ（０．１，７）、点Ｃ（０．５，７）、点Ｉ（０．７，６）、点Ｅ（１，６）、点Ｆ（２，２）、点Ｇ（２，１）で囲まれる範囲内の値に設定することが好ましい。

上記ＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハの製造方法において、チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を育成する際に、シリコン融液にｎ型ドーパントを添加してもよい。
さらに、上記ＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハの製造方法において、チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を育成する際に、前記シリコン融液にリンを結晶中の濃度が２．９×１０^１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上２．９×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下となるように添加し、前記リンよりも偏析係数の小さなｐ型ドーパントを、その偏析係数に応じて結晶中の濃度が１×１０^１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上１×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下となるように添加してもよい。
あるいは、上記ＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハの製造方法は、さらに引き上げ後のシリコン単結晶に中性子照射を行い、前記シリコン単結晶にリンをドープする工程を有してもよい。
前記シリコン単結晶育成工程において、前記シリコン融液に印加する磁場の強度を３０００ガウス以上としてもよい。
前記シリコン単結晶育成工程において、前記シリコン融液に印加する磁場は水平磁場、垂直磁場、または、カスプ磁場であってもよい。
上記ＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハの製造方法において、シリコン単結晶育成工程における炉内の雰囲気ガスの圧力を１３３３Ｐａ〜２６６６０Ｐａとすることが好ましい。好ましくは、前記炉内の雰囲気ガスの圧力を４０００Ｐａ〜９３３３Ｐａとしてもよい。

本発明のＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハの製造方法は、チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を育成することにより得られるＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハの製造方法であって、炉内の石英ルツボに貯留されたシリコン融液に磁場を印加し、前記石英ルツボを回転させ、前記シリコン融液からシリコン単結晶を前記石英ルツボと逆方向に回転させつつ引き上げながら育成するシリコン単結晶育成工程（Ｎｏｎ−ＤｏｐｅｄおよびＤｏｐｅｄを含む）と、
育成されたシリコン単結晶に中性子照射を施してリンをドープする工程と、前記シリコン単結晶からシリコンウェーハを切り出す工程とを含み、前記シリコン単結晶育成工程において、前記シリコン融液に印加する磁場の強度を２０００ガウス以上とし、前記石英ルツボの回転数を１．５ｒｐｍ以下とし、前記シリコン単結晶の回転数を７．０ｒｐｍ以下とし、格子間酸素濃度が６×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下のシリコン単結晶を育成することを特徴とする、シリコン単結晶ウェーハの製造方法であってもよい。
上記ＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハの製造方法において、前記シリコン融液は、シリコン単結晶中の電気抵抗率を調整するためのドーパントが添加されていないものであってもよい。
本発明のＩＧＢＴ用のシリコン単結晶ウェーハは、チョクラルスキー法によって育成されたシリコン単結晶からなるＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハであって、結晶径方向全域において転位クラスタが排除されており、格子間酸素濃度が６×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下であり、ウェーハ面内における抵抗率のばらつきが８％以下である。
上記ＩＧＢＴ用のシリコン単結晶ウェーハは、上記のいずれかに記載の製造方法により製造されたシリコン単結晶ウェーハであってもよい。

上記シリコン単結晶ウェーハは、前記シリコン単結晶が、チョクラルスキー法により育成される際に、転移クラスタ欠陥フリーなシリコン単結晶を引き上げ可能な引き上げ速度で育成されたものであり、かつ、引き上げ後のシリコン単結晶に中性子照射がなされてリンがドープされているものであってもよい。
本発明のシリコンウェーハは、前記シリコン単結晶が、チョクラルスキー法により育成される際に、ｎ型ドーパントがドープされたシリコン融液から、転移クラスタ欠陥フリーなシリコン単結晶を引き上げ可能な引き上げ速度で育成されたものであってもよい。
上記シリコン単結晶ウェーハは、リンと、前記リンよりも偏析係数の小さなｐ型ドーパントがそれぞれ、１×１０^１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上１×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の濃度で含まれているシリコン単結晶ウェーハであってもよい。
上記シリコン単結晶ウェーハは、ウェーハ表面における０．１μｍサイズ以上のＬＰＤ密度が０．１個／ｃｍ^２以下であり、ライトエッチング欠陥密度が１×１０^３個／ｃｍ^２以下であってもよい。

上記ＩＧＢＴ用のシリコン単結晶ウェーハにおいては、前記シリコン単結晶に、６×１０^１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上５×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の窒素がドープされていることが好ましい。
本発明のシリコンウェーハは、裏面側に５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の多結晶シリコン層が形成されていてもよい。
上記本発明のＩＧＢＴ用のシリコン単結晶ウェーハにおいては、破壊電界８ＭＶ／ｃｍでのＴＺＤＢ（タイムゼロ絶縁破壊）の合格率が９０％以上であり、４５０℃で１時間の熱処理を行った場合に発生する酸素ドナーの濃度が９．８×１０^１２個/cm^３以下であり、８００℃で４時間と１０００℃で１６時間の二段階熱処理を行った場合に析出するＢＭＤの密度が１×１０^５個／ｃｍ^３以下であり、前記二段階熱処理を行った場合における再結合ライフタイムが１００μ秒以上であることが好ましい。

本発明のＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハの製造方法は、磁場強度２０００ガウス以上とし、
石英ルツボ回転数Ｒ１（ｒｐｍ）と、結晶回転数Ｒ２（ｒｐｍ）とを、
添付図面図６に各点（Ｒ１，Ｒ２）で示すように、
点Ａ （０．１，１）、点Ｂ（０．１，７）、点Ｃ（０．５，７）、点Ｉ（０．７，６）、点Ｅ（１，６）、点Ｆ（２，２）、点Ｇ（２，１）で囲まれる範囲内の値に設定することができる。これにより、格子間酸素濃度が４×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の単結晶を育成することができる。実質的には、石英ルツボの回転数をＲ１（ｒｐｍ）、結晶回転数をＲ２（ｒｐｍ）とするとき、Ｒ１：０．１以上２以下、Ｒ２：１以上７以下、の範囲であって、Ｒ１：０．５以上０．７以下の場合、Ｒ２＜７−５（Ｒ１−０．５）を満足し、Ｒ１：０．７以上１以下の場合、Ｒ２＜６を満足し、Ｒ１：１以上２以下の場合、Ｒ２＜６−４（Ｒ１−１）を満足する範囲に設定することができる。この場合、単結晶中の格子間酸素濃度を４．０×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下として低酸素濃度のシリコン単結晶を育成できる。
このため、この低酸素単結晶から、抵抗率のバラツキが小さく、かつ、ＩＧＢＴ製造プロセスを経ても酸素析出物の密度が極めて少ない４５０℃程度の低温熱処理を受けると酸素ドナーが発生して、基板の抵抗率が変化してしまうことを防止可能なＩＧＢＴ用のシリコン単結晶ウェーハを提供することが可能となる。

また、石英ルツボ回転数Ｒ１（ｒｐｍ）と、結晶回転数Ｒ２（ｒｐｍ）とを、
添付図面図６に各点（Ｒ１，Ｒ２）で示すように、
点Ａ （０．１，１）、点Ｂ（０．１，７）、点Ｌ（０．２，７）、点Ｋ（０．３，７）、点Ｊ（０．５，６）、点Ｉ（０．７，６）、点Ｈ（１，５）、点Ｎ（１，３）、点Ｍ（１，１）で囲まれる範囲内の値に設定してシリコン単結晶を引き上げることで、単結晶中の格子間酸素濃度を３．５×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下としてより低酸素濃度のシリコン単結晶を育成できる。実質的には、石英ルツボ回転数Ｒ１（ｒｐｍ）と結晶回転数Ｒ２（ｒｐｍ）とをＲ１：０．１以上１以下、Ｒ２：１以上７以下、の範囲であって、但しＲ１：０．３以上、０．５以下の場合、Ｒ２＜７−５（Ｒ１−０．３）を満足し、Ｒ１：０．５以上０．７以下の場合、Ｒ２＜６を満足し、Ｒ１：０．７以上１以下の場合、Ｒ２＜６−３．４（Ｒ１−０．７）を満足する範囲に設定すればよい。この場合、単結晶中の格子間酸素濃度が３．５×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下として、低酸素濃度のシリコン単結晶を提供できる。

また、石英ルツボ回転数Ｒ１（ｒｐｍ）と、結晶回転数Ｒ２（ｒｐｍ）とを、
添付図面図６に各点（Ｒ１，Ｒ２）で示すように、
点Ａ （０．１，１）、点Ｂ（０．１，７）、点Ｌ（０．２，７）、点Ｑ（０．３，６）、点Ｊ（０．５，６）、点Ｐ（０．７，５）、点Ｎ（１，３）、点Ｍ（１，１）で囲まれる範囲内の値に設定してシリコン単結晶を引き上げてもよい。 実質的には、石英ルツボ回転数Ｒ１（ｒｐｍ）と結晶回転数Ｒ２（ｒｐｍ）とをＲ１：０．１以上１以下、Ｒ２：１以上７以下、の範囲であって、但しＲ１：０．２以上０．３以下の場合、Ｒ２＜７−１０（Ｒ１−０．２）を満足し、Ｒ１：０．３以上０．５以下の場合、Ｒ２＜６を満足し、Ｒ１：０．５以上０．７以下の場合、Ｒ２＜６−５（Ｒ１−０．５）を満足し、Ｒ１：０．７以上１以下の場合、Ｒ２＜５−６．７（Ｒ１−０．７）を満足する範囲に設定することができる。この場合、単結晶中の格子間酸素濃度３．０×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下のシリコン単結晶を育成し、より低酸素濃度のシリコン単結晶を育成できる。

また、本発明では、シリコン融液に印加する磁場は水平磁場やカスプ磁場など採用することができ、例えば水平磁場の強度としては、２０００〜５０００Ｇ（０．２Ｔ〜０．５Ｔ）とすることができる。磁場強度が上記の範囲以下であるとシリコン融液の対流抑制効果が充分でなく固液界面の形状を好ましい形状とすることができない上、酸素濃度を充分低下することができず好ましくない。また、上記の範囲以上に磁場強度を上げると、対流が抑制されすぎて、高温のシリコン融液が石英ルツボ内表面の劣化を進め、結晶の無転位化率が低下するため好ましくない。
また、本発明では、磁場中心位置と結晶引き上げ時の融液表面位置を−７５〜＋５０ｍｍ、より好ましくは、２０〜４５ｍｍとすることが好ましい。ここで、磁場中心位置とは、水平磁場にあっては磁場発生コイルの中心が位置する高さ位置を意味し、−７５ｍｍとは、融液液面から上方７５ｍｍであることを意味している。

本発明のＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハの製造方法は、直径２００ｍｍ（８インチ）以上のＣＺシリコン単結晶において、酸素濃度６×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３(ｏｌｄＡＳＴＭ)以下というレベルは、今までに類を見ないレベルを実現することができた。酸素濃度６×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下というシリコン単結晶は、従来結晶でいうＣＺ結晶とＦＺ結晶の中間に位置する結晶である。ＭＣＺ法で転移クラスタ欠陥フリー結晶を育成することにより、ＦＺ結晶と同等の酸化膜耐圧を得ることができる。また、酸素濃度６×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下とすることにより、デバイス製造工程における熱処理での酸素ドナー発生の懸念を払拭することができ、さらに、ＣＺ結晶特有の酸素起因不良がほとんど見られなくなる。ＭＣＺ法による引き上げにおいて、シリコン融液の対流を抑制し、石英ルツボの溶解量を減らすと共に、合成石英ルツボを使用して石英ルツボ中の不純物濃度を低減させ、よりＦＺ結晶に近い品質のＣＺ結晶を育成できる。
ここで、合成石英ルツボとは、少なくとも原料融液に当接する内表面が以下のような合成石英から形成されたものを意味する。

合成石英は、化学的に合成・製造した原料であり、合成石英ガラス粉は非晶質である。合成石英の原料は気体又は液体であるため、容易に精製することが可能であり、合成石英粉は天然石英粉よりも高純度とすることができる。合成石英ガラス原料としては四塩化炭素などの気体の原料由来とケイ素アルコキシドのような液体の原料由来がある。合成石英粉ガラスでは、すべての不純物を０．１ｐｐｍ以下とすることが可能である。
合成石英ガラス粉を溶融して得られたガラスでは、光透過率を測定すると、波長２００ｎｍ程度までの紫外線を良く透過し、紫外線光学用途に用いられている四塩化炭素を原料とした合成石英ガラスに近い特性であると考えられる。
合成石英ガラス粉を溶融して得られたガラスでは、波長２４５ｎｍの紫外線で励起して得られる蛍光スペクトルを測定すると、天然石英粉の溶融品のような蛍光ピークは見られない。

含有する不純物濃度を測定するか、シラノール量の違い、あるいは、光透過率を測定するか、波長２４５ｎｍの紫外線で励起して得られる蛍光スペクトルを測定することにより、ガラス材料が天然石英であったか合成石英であったかを判別することができる。

また、ＭＣＺ法により、８インチ直径のシリコン単結晶の育成がＦＺ法に比べて 簡単になるとともに石英ルツボの使用により大チャージ化が可能となり、ＦＺ法に比べて原料コストの削減が可能となり、同時に、歩留りを向上することができる。

また、本発明では、シリコン融液表面のガス流状態を制御するために、炉内圧力は、１３３３Ｐａ以上、好ましくは４０００Ｐａ〜２６６６０Ｐａが望ましい。炉内圧力の上限は、炉内の圧力が増大するとＡｒ等の不活性ガスの融液上でのガス流速が低下することにより、融液から蒸発したＳｉＯ等の反応物ガスが排気しにくくなることにより、結晶中の酸素濃度が高くなり、また、ＳｉＯが炉内の融液上部の１１００℃程度またはこれより低温の部分に凝集することで、ダストを発生させ融液に落下することで結晶の有転位化を引き起こすため、これらを防止するために上記の上限の圧力を規定した。

また、本発明では、シリコン融液表面のガス流状態を制御するために、炉内圧力は、１．３ｋＰａ以上、好ましくは４．０〜２７ｋＰａ、さらに、好ましくは、４．０〜９．３ｋＰａが望ましい。炉内圧力の上限は、炉内の圧力が増大するとＡｒ等の不活性ガスの融液上でのガス流速が低下することにより、融液から蒸発したＳｉＯ等の反応物ガスが排気しにくくなることにより、結晶中の酸素濃度が高くなり、また、ＳｉＯが炉内の融液上部の１１００℃程度またはより低温の部分に凝集することで、ダストを発生させ融液に落下することで結晶の有転位化を引き起こすため、これらを防止するために上記の上限の圧力を規定した。
また、本発明では、ＣＺ炉内に供給する雰囲気ガス流量を１００〜２００リットル／ｍｉｎ以上とし、ＣＺ炉内の圧力を６７００ｐａ以下として、溶融液表面から蒸発するＳｉＯを効果的に装置外に排出すると共に、溶融液表面を漂う異物もルツボ壁に追いやるとともに、結晶中の酸素濃度が高くなることを防止することができる。

さらに、本発明のＩＧＢＴ用のシリコン単結晶ウェーハは、チョクラルスキー法によって育成されたシリコン単結晶からなるＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハであって、結晶径方向全域においてＣＯＰ欠陥、転位クラスタが排除されており、格子間酸素濃度が４×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下であり、ウェーハ面内における抵抗率のばらつきが５％以下であることができる。
さらに、本発明のＩＧＢＴ用のシリコン単結晶ウェーハにおいては、前記シリコン単結晶が、前記チョクラルスキー法により育成される際に転移クラスタ欠陥フリーなシリコン単結晶を引き上げ可能な引き上げ速度で育成されたものであり、かつ、引き上げ後のシリコン単結晶に中性子照射がなされてリンがドープされてなるものが好ましい。
また本発明のＩＧＢＴ用のシリコン単結晶ウェーハにおいては、前記シリコン単結晶が、前記チョクラルスキー法により育成される際に、ｎ型ドーパントがドープされたシリコン融液から、転移クラスタ欠陥フリーなシリコン単結晶を引き上げ可能な引き上げ速度により育成されたものであることが好ましい。
更に本発明のＩＧＢＴ用のシリコン単結晶ウェーハにおいては、前記シリコン単結晶に、６×１０^１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上５×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の窒素がドープされていることが好ましい。

更に本発明のＩＧＢＴ用のシリコン単結晶ウェーハにおいては、破壊電界８ＭＶ／ｃｍでのＴＺＤＢの合格率が９０％以上であり、４５０℃で１時間の熱処理を行った場合に発生する酸素ドナーの濃度が９．８×１０^１２ｃｍ^−３以下であり、８００℃で４時間と１０００℃で１６時間の二段階熱処理を行った場合に析出するＢＭＤの密度が１×１０^５個／ｃｍ^３以下であり、前記二段階熱処理を行った場合における再結合ライフタイムが１００μ秒以上であることが好ましい。
更にまた、本発明のＩＧＢＴ用のシリコン単結晶ウェーハにおいては、リンと、前記リンよりも偏析係数の小さなｐ型ドーパントがそれぞれ、１×１０^１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上１×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の濃度で含まれていることが好ましい。
更にまた、本発明のＩＧＢＴ用のシリコン単結晶ウェーハにおいては、ウェーハ表面におけるＬＰＤ密度が０．１個／ｃｍ^２以下であり、ライトエッチング欠陥密度が１×１０^３個／ｃｍ^２以下であることが好ましい。
また本発明のＩＧＢＴ用のシリコン単結晶ウェーハにおいては、裏面側に５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の多結晶シリコン層が形成されていることが好ましい。

なお、本発明において、抵抗率のばらつき（％）は、ウェーハ中心、ウェーハ中心と外周の中間の位置、ウェーハ外周から５ｍｍの位置の合計３カ所で抵抗率を測定し、その３カ所の抵抗率の中から最大値と最小値を選び、（最大値−最小値）×１００／最小値の式で得られる値とする。

また、本発明において「転移クラスタ欠陥フリー」とは、ＣＯＰ欠陥や転位クラスタなどの結晶育成に伴って発生する可能性のある全てのＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥のうち、転位クラスタ欠陥は排除されており、ＣＯＰ欠陥は保有している状態を意味する。
また、本発明で、ＯＳＦ領域とは、乾燥酸素雰囲気で９００℃から１０００℃まで、昇温速度５℃／ｍｉｎで昇温した後、乾燥酸素雰囲気で１０００℃、１時間、その後、ウェット酸素雰囲気で１０００℃から１１５０℃まで昇温速度３℃／ｍｉｎで昇温した後、ウェット酸素雰囲気で１１５０℃、２時間、その後９００℃まで降温する熱処理後に、２μｍのライトエッチングを実施してＯＳＦ領域を顕在化させ、ＯＳＦ密度のウェーハ面内分布を測定した際に、ＯＳＦの密度が１０個／ｃｍ^２の領域を意味するものである。

なお、Ｐｖ領域、Ｐｉ領域とは、チョクラルスキー法によりシリコン単結晶インゴットを育成し、前記インゴット内での格子間シリコン型点欠陥が支配的に存在する領域をＩ領域とし、空孔型点欠陥が支配的に存在する領域をＶ領域とし、格子間シリコン型点欠陥の凝集体及び空孔型点欠陥の凝集体が存在しない領域をＰ領域とするとき、前記Ｉ領域に隣接しかつ前記Ｐ領域に属し侵入型転位を形成し得る最低の格子間シリコン濃度未満の領域をＰｉ領域とし、前記ＯＳＦ領域に隣接しかつ前記Ｐ領域に属しＣＯＰを形成し得る空孔濃度以下の領域をＰｖ領域とする。

シリコンウェーハは、ＣＺ法により炉内のシリコン融液からインゴットをボロンコフ（Voronkov）の理論に基づいた所定の引上げ速度プロファイルで引上げた後、このインゴットを切出して作製される。一般的に、ＣＺ法により炉内のシリコン融液からシリコン単結晶のインゴットを引上げたときには、シリコン単結晶における欠陥として、点欠陥（point defect）と点欠陥の凝集体（agglomerates：三次元欠陥）が発生する。点欠陥は空孔と格子間シリコンという二つの一般的な形態がある。空孔は一つのシリコン原子がシリコン結晶格子で正常的な位置の一つから離脱したものである。一方、シリコン結晶の格子点以外の位置（インタースチシャルサイト）で存在するシリコン原子が格子間シリコン原子である。

点欠陥は一般的にシリコン融液（溶融シリコン）とインゴット（固状シリコン）の間の接触面で形成される。しかし、インゴットを継続的に引上げることによって接触面であった部分は引上げとともに冷却し始める。冷却の間、空孔又は格子間シリコン原子は拡散し、空孔の凝集体（vacancy agglomerates）であるＣＯＰ又は格子間シリコン原子の凝集体（interstitial agglomerates）である転位クラスタが形成される。言い換えれば、凝集体は点欠陥の合併に起因して発生する三次元構造である。空孔型点欠陥の凝集体は前述したＣＯＰの他に、ＬＳＴＤ（Laser Scattering Tomograph Defects）又はＦＰＤ（Flow Pattern Defects）と呼ばれる欠陥を含み、格子間シリコン型点欠陥の凝集体はＬＤ（Ｌａｒｇｅ Ｄｉｓｌｏｃａｔｉｏｎ Ｌｏｏｐ；転位がエッチングされて形成されたピット状欠陥）と呼ばれる欠陥を含む。ＦＰＤとは、インゴットを切出して作製されたシリコンウェーハを３０分間セコエッチング（Secco etching、ＨＦ：Ｋ_２Ｃｒ_２Ｏ_７ (０．１５ｍｏｌ／ｌ)＝２：１の混合液によるエッチング）したときに現れる特異なフローパターンを呈する痕跡の源であり、ＬＳＴＤとは、シリコン単結晶内に赤外線を照射したときにシリコンとは異なる屈折率を有し散乱光を発生する源である。

ボロンコフの理論は、欠陥の数が少ないインゴットを成長させるために、インゴットの引上げ速度をＶ（ｍｍ／分）、インゴットとシリコン融液の界面近傍のインゴット鉛直方向の温度勾配をＧ（℃／ｍｍ）とするときに、Ｖ／Ｇ（ｍｍ^２ ／分・℃）を制御することである。

このＶ／Ｇの値が高い値から低い値と変化するのに対応して、上述したＶ領域、ＯＳＦ領域、Ｐｖ領域、Ｐｉ領域、Ｉ領域の順となる。このため、電熱解析ソフトにより引き上げ装置固有のＧ（℃／ｍｍ）を算出しておき、引き上げ速度を徐々に低下させる引き上げ実験を実施し、これにより得られた単結晶の引き上げ長さ方向の欠陥分布を予め調べておくことにより、Ｐｖ領域、Ｐｉ領域、Ｉ領域を得るために必要な引き上げ速度Ｖ（ｍｍ／分）を算出することができる。あるいは、Ｖ／Ｇの値は、引き上げ炉上部におけるホットゾーンの構造等、各実機によって異なるが、ＣＯＰ密度、ＯＳＦ密度、ＢＭＤ密度、ＬＳＴＤ密度又はＦＰＤ、ライトエッチング欠陥密度などを測定することによって、判別可能である。

また、「ライトエッチング欠陥」とは、Ａｓ−Ｇｒｏｗｎのシリコン単結晶ウェーハを硫酸銅水溶液に浸漬した後自然乾燥し、窒素雰囲気中で９００℃、２０分程度の熱処理を行なうＣｕデコレーションを行ない、その後、試片表層のＣｕシリサイド層を除去するために、ＨＦ／ＨＮＯ_３混合溶液中に浸漬して、表層を数十ミクロン程度エッチングして除去し、その後、ウェーハ表面を２μｍライトエッチング（クロム酸エッチング）し、光学顕微鏡を用いて検出される欠陥である。この評価手法によれば、結晶育成時に形成した転位クラスタをＣｕデコレーションすることで顕在化させ、転位クラスタを感度良く検出することができる。即ちライトエッチング欠陥には、転位クラスタが含まれる。
また、本発明において、「ＬＰＤ密度」とは、レーザ光散乱式パーティクルカウンター（ＳＰ１（surfscan SP1）：ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製）を用いて検出される０．１μｍサイズ以上の欠陥の密度である。

また、ＴＺＤＢとは、タイムゼロ絶縁破壊（Time Zero Dielectric Breakdown）の略であり、ＧＯＩを表す指標のひとつである。本発明におけるＴＺＤＢの合格率は、測定電極の電極面積を８ｍｍ^２とし、判定電流を１ｍＡとした条件で、ウェーハ全体で４１６カ所程度の場所で電流−電圧曲線を測定し、静電破壊を起こさなかった確率をＴＺＤＢの合格率としている。なお、この合格率はＣモード合格率とも呼ばれる。

本発明のシリコン単結晶ウェーハによれば、結晶径方向全域において転位クラスタが排除されていて、前記シリコン単結晶からスライスされたシリコンウェーハに、１０５０℃以上シリコンの融点以下、１〜１０時間とされるＣＯＰ影響排除熱処理をおこなうことにより、ＣＯＰを消失させることが可能であるので、ウェーハを縦方向に使う素子であるＩＧＢＴ用のウェーハに用いて好適である。即ち、ＣＯＰ影響排除熱処理後におけるウェーハ径方向全域において転位クラスタ欠陥・ＣＯＰ欠陥が排除されているので、ＩＧＢＴ製造工程におけるウェーハ表面でのゲート酸化膜の形成時に、ＣＯＰ欠陥がゲート酸化膜に取り込まれることがなく、ＧＯＩを劣化させることがない。また、転位クラスタが排除されることによって、集積回路におけるリーク電流を防止できる。
さらに、ＯＳＦ領域が排除されているので、ＩＧＢＴ製造工程におけるウェーハ表面でのゲート酸化膜の形成時に、ＣＯＰ欠陥がゲート酸化膜に取り込まれることがなく、ＧＯＩを劣化させることがない。また、集積回路におけるリーク電流を防止できる。さらに、良品率を９０％以上とすることができる。

更に、格子間酸素濃度が６×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下なので、ウェーハの熱処理後に発生する酸素ドナーの濃度を９．８×１０^１２個／ｃｍ^３以下に抑えることができ、熱処理前後でのウェーハの抵抗率の変化を防ぐことができ、シリコン単結晶ウェーハの品質を安定にできる。
なお、酸素ドナーの濃度を９．８×１０^１２個／ｃｍ^３以下にする理由は次の通りである。高耐圧ＩＧＢＴには、ｎ型で抵抗率が３０〜１２０Ω・ｃｍのウェーハが使われる。例えば、基板の抵抗率の仕様が５０±５Ω・ｃｍの場合では、許容できるドナー濃度は９．８×１０^１２個／ｃｍ^３以下となる。ここで、酸素に起因した酸素ドナーが最も発生しやすい温度は４５０℃である。例えばデバイスプロセスにおいてＡｌ配線のシンタリング処理はこの温度前後で行われる。４５０℃で１時間の熱処理を施した場合に発生する酸素ドナーの濃度の酸素濃度依存性を調べた結果を図１に示す。図１から、酸素ドナーの濃度を９．８×１０^１２個／ｃｍ^３以下に抑えるためには、ウェーハの格子間酸素濃度を８．５×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下に制御しなければならないことがわかる。本発明においては、引き上げ後における格子間酸素濃度を6×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下にしているので、確実に酸素ドナーの影響を排除することができる。
なお、通常のＣＺ法では格子間酸素濃度を８．５×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下にするのは困難な場合があるので、その場合は磁場を印加して単結晶を育成するＭＣＺ法によって、格子間酸素濃度を８．５×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下にすることが可能である。また、石英ルツボの回転速度を低速にすることによっても格子間酸素濃度の低減が図られる。

また、本発明のシリコン単結晶ウェーハによれば、ウェーハ面内における抵抗率のばらつきが８％以下なので、ＩＧＢＴの品質を安定にできる。
ところで、ＣＺ法により製造されたシリコン単結晶ウェーハの抵抗率は、シリコン単結晶に含まれるドーパント量によって制御できるが、ＩＧＢＴ基板のドーパントとして良く使われるリンは、偏析係数が小さい為にシリコン単結晶の長さ方向にわたってその濃度が大きく変化する。そのため、一本の単結晶の中で設計仕様に合った抵抗率を有するウェーハの得られる範囲が狭い。このため本発明では、上述したように、中性子照射、シリコン融液へのｎ型ドーパントの添加、リンとリンよりも偏析係数の小さなｐ型ドーパントを所定量添加、その他様々な手段を採用する。いずれの場合も、不純物濃度の低いシリコン多結晶を原料とし、不純物の溶出が少ない合成石英ルツボを用いて単結晶を育成することが重要である。これらの手段を用いることで、シリコン単結晶の歩留まりを改善することができる。

中性子照射については、まず、シリコン融液に抵抗率を調整するためのドーパントを添加せずにシリコン単結晶を育成し、このノンドープのシリコン単結晶に中性子を照射することによって、結晶中の^３０Ｓｉが^３１Ｐに変換される現象を利用してリンをドープすることが出来る。^３０Ｓｉは単結晶中に約３％の濃度で均一に含まれているので、この中性子照射は、結晶の径方向にも軸方向にも最も均一にリンをドープできる方法である。
また、シリコン融液へのｎ型ドーパントの添加によっても、抵抗率を制御することができる。この時、所謂ＤＬＣＺ法（Double Layered Czochralski;二層式引き上げ法）を適用することが望ましい。ＤＬＣＺ法とは、リンのような偏析係数の小さなドーパントの結晶軸方向の濃度変化を抑制する方法である。この方法は、ＣＺ法においてルツボ中で多結晶シリコンを一旦全部溶かしてシリコン融液としてからリンを添加し、ルツボの底部の温度を下げてシリコン融液を底より上方に向かって凝固させてシリコン凝固層を形成し、このシリコン凝固層を上方から底に向けて徐々に溶かしながら結晶を育成することによって、単結晶中に取り込まれるドーパント濃度をほぼ一定に保つ方法である。
本発明ではこのＤＬＣＺ法を採用することによっても、シリコン単結晶の結晶軸方向の抵抗率変化を抑制することができる。

また、リンと、リンよりも偏析係数の小さなｐ型ドーパントを所定量添加することによっても、シリコン単結晶の結晶軸方向の抵抗率変化を抑制することができる。これは所謂ダブルドープ法と呼ばれ、リンのような偏析係数の小さなドーパントをドープした結晶の軸方向の抵抗率変化を抑制する方法である。リンに対して、リンよりも偏析係数の小さなｐ型ドーパント(例えばＡｌ、Ｇａ、Ｉｎ)をカウンタードーパントとしてドープすることによってリンの濃度変化を補償する。リンだけをドープした場合とリンとアルミニウムを同時にドープした場合の結晶軸方向の抵抗率変化を図２に示す。ウェーハの抵抗率の仕様が５０±５Ω・ｃｍの場合、リンとアルミニウムを同時にドープすることによって、歩留まりが約３倍に向上する。単結晶の上端におけるリンに対するアルミニウムの濃度比を５０％程度にすると歩留まりが最も高くなる。本発明では、リンと、リンよりも偏析係数の小さなｐ型ドーパントがそれぞれ、１×１０^１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上１×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の濃度で含有されることで、シリコン単結晶の結晶軸方向の抵抗率変化を抑制することができる。

更に、本発明においては、所謂ＣＣＺ法と呼ばれる方法も適用可能である。この方法は、単結晶育成中に、リンを含んだシリコン融液にドーパントを含まない多結晶シリコンを添加することによって、単結晶中に取り込まれるドーパント濃度をほぼ一定に保つ方法である。
また、ＤＬＣＺ法やＣＣＺ法のようにシリコン融液にドーパントを添加する単結晶育成の場合には、ウェーハ面内の抵抗率バラツキを抑制するために、結晶育成中の結晶回転速度を速く回転させることが望ましく、直径２００ｍｍ以下の単結晶育成では結晶回転速度を１．５〜３ｒｐｍであるが、直径３００ｍｍ以上では０．８〜１．５ｒｐｍの範囲で回転させることが望ましい。なお、通常、結晶回転速度を増加させると、Ｇｒｏｗ−ｉｎ欠陥フリー結晶を得るための引き上げ速度マージン幅が狭くなってしまい、転移クラスタ欠陥フリーな単結晶育成そのものが困難となるが、本発明では後述するように窒素添加でシリコン単結晶を育成することにより、Ｇｒｏｗ−ｉｎ欠陥フリー結晶を得るための引き上げ速度マージンを十分に確保して、転移クラスタ欠陥フリーな単結晶を育成することができる。

次に、シリコン単結晶に、６×１０^１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上５×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、または、１×１０^１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上５×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の窒素がドープされることによって、転移クラスタ欠陥の排除が容易になる。窒素のドープ量が上記の範囲未満ではＣＯＰ欠陥、転位クラスタ、ＯＳＦ領域およびＰｖ領域の排除が完全になされない虞があり、上記の範囲を超えると、窒化物生成の影響で転位等が発生しシリコン単結晶が育成できなくなるため好ましくない。
さらに、シリコン単結晶に、１×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上５×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の窒素がドープされることによって、転位クラスタの排除を容易にし、さらに、ＣＯＰ欠陥および転位クラスタの排除が容易になる。窒素のドープ量が１×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満では転位クラスタの排除が完全になされない虞があり、５×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３を超えると、窒化物が生成してシリコン単結晶が育成できなくなる。

また、本発明のシリコン単結晶ウェーハによれば、ＴＺＤＢの合格率が９０％以上であり、４５０℃で１時間の熱処理を行った場合に発生する酸素ドナーの濃度が９．８×１０^１２ｃｍ^−３以下であり、８００℃で４時間と１０００℃で１６時間の二段階熱処理を行った場合に生じるＢＭＤの密度が１×１０^５個／ｃｍ^３以下であり、二段階熱処理を行った場合における再結合ライフタイムが１００μ秒以上であるので、ＩＧＢＴ用のシリコン単結晶ウェーハに求められる特性を満たすことができる。
本発明におけるＴＺＤＢの合格率は、ウェーハに酸化膜を形成し、測定電極の電極面積を８ｍｍ^２とし、判定電流を１ｍＡとした条件で、ウェーハ全体で４１６カ所程度の場所で電流−電圧曲線を測定し、静電破壊を起こさなかった確率をＴＺＤＢの合格率としている。なお、この合格率はＣモード合格率とも呼ばれる。

再結合ライフタイムは、シリコン単結晶に含まれる格子間酸素が、デバイス形成プロセスを経ることでＳｉＯ_２として析出することによって劣化される。本発明のウェーハによれば、上述のように格子間酸素濃度が上記の範囲以下なので、再結合ライフタイムを１００μ秒以上にすることができる。

本発明のＩＧＢＴ用のシリコン単結晶ウェーハの製造方法は、チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を育成することにより得られるＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハの製造方法であって、シリコン単結晶の引き上げ速度を転位クラスタ欠陥フリーなシリコン単結晶が引き上げ可能な速度で、格子間酸素濃度が６×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、または、４×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の単結晶を育成し、引き上げ後のシリコン単結晶に中性子照射を行ってリンをドープすることができる。

また本発明のＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハの製造方法は、チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を育成することにより得られるＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハの製造方法であって、シリコン融液にｎ型ドーパントを添加し、シリコン単結晶の引き上げ速度を転位クラスタ欠陥フリーなシリコン単結晶が引き上げ可能な速度で、格子間酸素濃度が６×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、または、４×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の単結晶を育成することができる。

また本発明のＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハの製造方法は、チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を育成することにより得られるＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハの製造方法であって、シリコン融液に、リンを２．９×１０^１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上２．９×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、前記リンよりも偏析係数の小さなｐ型ドーパントを、その偏析係数に応じて結晶中の濃度が１×１０^１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上１×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下となるように添加し、シリコン単結晶の引き上げ速度をＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥フリーなシリコン単結晶が引き上げ可能な速度を含む転位クラスタ欠陥フリーなシリコン単結晶が引き上げ可能な速度で、格子間酸素濃度が８．５×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の単結晶を育成することができる。

更に本発明のＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハの製造方法においては、前記チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を育成するシリコン融液に対して、窒素を５×１０^１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上５×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、または、１×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上５×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の濃度で添加することが好ましい。

ここで、ＣＺ炉内の雰囲気ガスとしては、安価なＡｒガスが好ましく、これ以外にもＨｅ、Ｎｅ、Ｋｒ、Ｘｅなどの各種希ガス単体またはこれらの混合ガスを用いることができる。

また本発明では、不活性ガスを雰囲気ガスとして引き上げることもできる。

また、引き上げ後のノンドープのシリコン単結晶に中性子照射を行ってリンをドープするか、もしくはシリコン融液にリン等のｎ型ドーパントを添加することで、ウェーハの面内における抵抗率のバラツキを８％以下、好ましくは５％以下にすることができる。また抵抗率のバラツキの低減は、シリコン融液にリンとリンよりも偏析係数の小さなｐ型ドーパントを添加することでも達成できる。
また、シリコン融液に窒素を添加することで、転位クラスタ欠陥フリーなシリコン単結晶が引き上げ可能な速度の許容幅を更に広げることができ、ウェーハの転位クラスタの排除が容易になる。

本発明によれば、抵抗率のバラツキが小さく、かつ、ＩＧＢＴ製造プロセスを経ても酸素析出物の発生が極めて少なく、引き上げ時間を低減することが可能であるとともに、抵抗率のバラツキが小さなウェーハの製造が可能であるＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハの製造方法及びＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハを提供できる。

図１は、格子間酸素濃度と、熱処理後の酸素ドナー濃度との関係を示すグラフである。 図２は、固化率と、抵抗率の関係を示すグラフである。 図３は、本発明の実施形態のシリコン単結晶ウェーハの製造方法を実施する際に使用されるＣＺ炉の縦断面模式図である。 図４は、本発明の実施形態のシリコン単結晶ウェーハの周縁部を示す断面模式図である。 図５は、ＩＧＢＴを示す模式断面図である。 図６は、石英ルツボ回転数と結晶回転数と格子間酸素濃度との関係を示すグラフである。 図７は、本発明の実験例におけるシリコン単結晶軸方向の酸素濃度分布を示すグラフである。 図８は、本発明の実験例におけるシリコン単結晶軸方向の酸素濃度分布を示すグラフである。 図９は、石英ルツボ回転数と結晶回転数と格子間酸素濃度との関係を示すグラフである。 図１０は、最高温度と酸素濃度と酸素析出物との関係を示すグラフである。 図１１は、本発明におけるＣＯＰ影響排除熱処理の一例を示すグラフである。 図１２は、本発明の実験例におけるシリコン単結晶軸方向の酸素濃度分布を示すグラフである。

以下、本発明に係るＩＧＢＴ用のシリコン単結晶ウェーハの製造方法の一実施形態を、図面に基づいて説明する。

（ＣＺ炉の構成）
図３は、本発明の実施形態におけるＩＧＢＴ用のシリコン単結晶ウェーハの製造方法を実施するのに適したＣＺ炉の縦断面図である。

図３に示すＣＺ炉は、チャンバー内の中心部に配置されたルツボ１と、ルツボ１の外側に配置されたヒータ２と、ヒータ２の外側に配置された磁場供給装置９とを備えている。ルツボ１は、内側にシリコン融液３を収容する石英ルツボ１ａを外側の黒鉛ルツボ１ｂで保持する二重構造であり、ペディスタルと呼ばれる支持軸１ｃにより回転および昇降駆動される。
ルツボ１の上方には、円筒形状の熱遮蔽体７が設けられている。熱遮蔽体７は、黒鉛で外殻を作り、内部に黒鉛フェルトを充填した構造である。熱遮蔽体７の内面は、上端部から下端部にかけて内径が漸減するテーパー面になっている。熱遮蔽体７の上部外面は内面に対応するテーパー面であり、下部外面は、熱遮蔽体７の厚みを下方に向かって漸増させるようにほぼストレート面に形成されている。
そして、シードチャック５に取り付けた種結晶Ｔをシリコン融液３に浸漬し、ルツボ１および引き上げ軸４を回転させつつ種結晶Ｔを引き上げることにより、シリコン単結晶６を形成できるようになっている。

熱遮蔽体７は、ヒータ２およびシリコン融液３面からシリコン単結晶６の側面部への輻射熱を遮断するものであり、育成中のシリコン単結晶６の側面を包囲するとともに、シリコン融液３面を包囲するものである。熱遮蔽体７の仕様例を挙げると次のとおりである。
半径方向の幅Ｗは例えば５０ｍｍ、逆円錐台面である内面の垂直方向に対する傾きθは例えば２１°、熱遮蔽体７の下端の融液面からの高さＨ１は３０〜９０ｍｍ、例えば５０ｍｍとする。

また、磁場供給装置９から供給される磁場は、水平磁場やカスプ磁場など採用することができ、例えば水平磁場の強度としては、２０００〜５０００Ｇ（０．２Ｔ〜０．５Ｔ）、３０００〜４０００Ｇ（０．３Ｔ〜０．４Ｔ）、より好ましくは３０００〜３５００Ｇ（０．３０Ｔ〜０．３５Ｔ）とされ、磁場中心高さが融液液面に対して−１５０〜＋１００ｍｍ、より好ましくは−７５〜＋５０ｍｍの範囲内になるように設定される。

（ＩＧＢＴ用のシリコン単結晶ウェーハの製造方法）
次に、図３に示すＣＺ炉を用いたＩＧＢＴ用のシリコン単結晶ウェーハの製造方法を説明する。

先ず、ルツボ１内に高純度シリコンの多結晶を例えば１００〜４００Ｋｇ装入し、窒素源として例えば、窒化珪素からなるＣＶＤ膜を有するシリコンウェーハを投入する。シリコン結晶中の窒素濃度が６×１０^１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上５×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、１×１０^１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上５×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下濃度、または、１×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上５×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の濃度となるようにシリコン融液中の窒素濃度を調整することが好ましい。形成された抵抗率を調整するためのドーパントを添加する場合にはドーパント濃度を設定し、または、ドーパントを添加しないことが好ましい。

次に、ＣＺ炉内を不活性ガスのみの雰囲気とし、雰囲気圧力を１．３〜２６．６ｋＰａ、あるいは、１．３〜１３．３ｋＰａ程度になるように調整する。

次いで、磁場供給装置９から例えば３０００Ｇ（０．３Ｔ）の水平磁場を磁場中心高さが融液液面に対して−７５〜＋５０ｍｍとなるように印加するとともに、ヒータ２によりシリコンの多結晶を加熱してシリコン融液３とする。
次に、シードチャック５に取り付けた種結晶Ｔをシリコン融液３に浸漬し、ルツボ１および引き上げ軸４を回転させつつ結晶引き上げを行う。

引き上げ条件としては、アルゴン雰囲気の圧力１３３３〜２６６６０Ｐａ、磁場強度を３０００〜５０００Ｇａｕｓｓといった条件を例示できる。特に、石英ルツボの回転数を１．５ｒｐｍ以下にすることで、石英ルツボに含まれる酸素原子のシリコン融液への拡散を防止することができ、シリコン単結晶中の格子間酸素濃度を低減することができる。また、単結晶の回転速度を７．０ｒｐｍ以下とすることで、シリコン単結晶内部における抵抗率のバラツキを低減できる。さらに、石英ルツボの回転数を０．２ｒｐｍ以下にすることで、石英ルツボに含まれる酸素原子のシリコン融液への拡散を防止することができ、シリコン単結晶中の格子間酸素濃度を低減することができる。また、単結晶の回転速度を５ｒｐｍ以下とすることで、シリコン単結晶内部における抵抗率のバラツキを低減できる。

さらに、石英ルツボ回転数Ｒ１（ｒｐｍ）と、結晶回転数Ｒ２（ｒｐｍ）とを、
添付図面図６に各点（Ｒ１，Ｒ２）で示すように、
点Ａ （０．１，１）、点Ｂ（０．１，７）、点Ｃ（０．５，７）、点Ｉ（０．７，６）、点Ｅ（１，６）、点Ｆ（２，２）、点Ｇ（２，１）で囲まれる範囲内の値に設定してシリコン単結晶を引き上げることができる。実質的には、石英ルツボの回転数をＲ１（ｒｐｍ）、結晶回転数をＲ２（ｒｐｍ）とするとき、Ｒ１：０．１以上２以下、Ｒ２：１以上７以下、の範囲であって、Ｒ１：０．５以上０．７以下の場合、Ｒ２＜７−５（Ｒ１−０．５）を満足し、Ｒ１：０．７以上１以下の場合、Ｒ２＜６を満足し、Ｒ１：１以上２以下の場合、Ｒ２＜６−４（Ｒ１−１）を満足する範囲に設定することができる。この場合、単結晶中の格子間酸素濃度を６．０×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、さらには、４．０×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下とすることができる。
このように、格子間酸素濃度は、シリコン単結晶を育成する工程において、所定の回転数で石英ルツボを回転し、所定の回転数でシリコン単結晶を逆回転することにより調整できる。それら回転数の条件は、後述する実験により求めたものである。

また、石英ルツボ回転数Ｒ１（ｒｐｍ）と、結晶回転数Ｒ２（ｒｐｍ）とを、
添付図面図６に各点（Ｒ１，Ｒ２）で示すように、
点Ａ（０．１，１）、点Ｂ（０．１，７）、点Ｌ（０．２，７）、点Ｋ（０．３，７）、点Ｊ（０．５，６）、点Ｉ（０．７，６）、点Ｈ（１，５）、点Ｎ（１，３）、点Ｍ（１，１）で囲まれる範囲内の値に設定してシリコン単結晶を引き上げること、実質的には、石英ルツボ回転数Ｒ１（ｒｐｍ）と結晶回転数Ｒ２（ｒｐｍ）とをＲ１：０．１以上２以下、Ｒ２：１以上７以下、の範囲であって、但しＲ１：０．３以上、０．５以下の場合、Ｒ２＜７−５（Ｒ１−０．３）を満足し、Ｒ１：０．５以上０．７以下の場合、Ｒ２＜６を満足し、Ｒ１：０．７以上１以下の場合、Ｒ２＜６−３．４（Ｒ１−０．７）を満足する範囲に設定することで、単結晶中の格子間酸素濃度を６．０×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、さらには、３．５×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下としてより低酸素濃度のシリコン単結晶を育成できる。

また、石英ルツボ回転数Ｒ１（ｒｐｍ）と、結晶回転数Ｒ２（ｒｐｍ）とを、
添付図面図６に各点（Ｒ１，Ｒ２）で示すように、
点Ａ （０．１，１）、点Ｂ（０．１，７）、点Ｌ（０．２，７）、点Ｑ（０．３，６）、点Ｊ（０．５，６）、点Ｐ（０．７，５）、点Ｎ（１，３）、点Ｍ（１，１）で囲まれる範囲内の値に設定してシリコン単結晶を引き上げること、実質的には、石英ルツボ回転数Ｒ１（ｒｐｍ）と結晶回転数Ｒ２（ｒｐｍ）とをＲ１：０．１以上１以下、Ｒ２：１以上７．０以下の範囲であって、但しＲ１：０．２以上０．３以下の場合、Ｒ２＜７−１０（Ｒ１−０．２）を満足し、Ｒ１：０．３以上０．５以下の場合、Ｒ２＜６を満足し、Ｒ１：０．５以上０．７以下の場合、Ｒ２＜６−５（Ｒ１−０．５）を満足し、Ｒ１：０．７以上、１以下の場合、Ｒ２＜５−６．７（Ｒ１−０．７）を満足する範囲に設定することで、単結晶中の格子間酸素濃度を３．０×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下０．１以上としてより低酸素濃度のシリコン単結晶を育成できる。

以上の引き上げ条件に設定することで、シリコン単結晶中の格子間酸素濃度を上記の範囲より小さくすることができ、これによりＩＧＢＴ製造工程での酸素ドナー発生を防止することができる。格子間酸素濃度が上記の範囲を越えるとＩＧＢＴ製造工程で酸素析出物や酸素ドナーが生じ、ＩＧＢＴの特性を変えてしまうので好ましくない。

次に、形成された抵抗率を調整するためのドーパントが添加されていない単結晶シリコンに対しては中性子線を照射する。この中性子線照射によって、シリコン原子の一部をリンに変換させ、これにより単結晶シリコンにリンを均一にドープさせることができ、抵抗率が均一な単結晶シリコンが得られる。中性子線の照射条件は、例えば、３．０×１０^１２個/ｃｍ^２/ｓ^-１の中性子線束である位置において、結晶を約２ｒｐｍで回転させながら約８０時間の照射とすると良い。こうして中性子線が照射されたシリコンインゴットは、抵抗率が４８Ωｃｍ〜５２Ωｃｍ程度になる。

また、中性子線の照射に代えて、シリコン融液に予めｎ型（Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ等）のドーパントを添加しておいても良いが、偏析係数が小さいためにシリコン単結晶の長さ方向で抵抗率が大きく変化する。こうしたｎ型ドーパントの濃度の変化を防止するためには、例えば上述したＤＬＣＺ法、ダブルドープ法、ＣＣＺ法を採用すればよい。更に、ウェーハ面内での抵抗率のばらつきを抑制するために、単結晶育成中の結晶回転速度を５．０ｒｐｍ以上７．０ｒｐｍ以下としても良い。

次に、単結晶シリコンからウェーハを切り出し、必要に応じてラッピングやエッチング、研削、研磨等をおこなうとともに、必要に応じてＲＴＡなどの熱処理をおこなう。
ラッピングを行う際には、ウェーハの割れを防止するために、ウェーハの表面の周縁部に表面側面取り部を形成するべべリングをおこなうとともに、ウェーハの裏面の周縁部に裏面側面取り部を形成することが好ましい。図４には、ウェーハ加工完了後のウェーハ周縁部の断面を示す。

図４に示すように、ウェーハの表面２２には、平坦面である主面２３と、周縁部に形成された表面側面取り部２４とが設けられている。また、裏面２６には、平坦面である主面２７と、周縁部に形成された裏面側面取り部２８とが設けられている。表面側面取り部２４は、その周縁端２９からウェーハ半径方向内方に向けた方向の幅Ａ１が、裏面側面取り部２８の周縁端２９からウェーハ半径方向内方に向けた方向の幅Ａ２よりも狭められている。表面側面取り部２４の幅Ａ１は５０μｍから２００μｍの範囲が好ましい。また、裏面側面取り部２８の幅Ａ２は２００μｍから３００μｍの範囲が好ましい。
また、表面側面取り部２４は、表面２２の主面２３に対して傾斜する第一傾斜面１１を有しており、裏面側面取り部２８は、裏面２６の主面２７に対して傾斜する第二傾斜面１２を有している。第一傾斜面１１の傾斜角度θ１は１０°から５０°の範囲が好ましく、第二傾斜面１２の傾斜角度θ２は１０°から３０°の範囲が好ましく、更にθ１≦θ２とされていることが好ましい。
また、第一傾斜面１１と周縁端２９との間には、これらを接続する第一曲面１３が設けられている。また、第二傾斜面１２と周縁端２９との間には、これらを接続する第二曲面１４が設けられている。第一曲面１３の曲率半径Ｒ１の範囲は８０μｍから２５０μｍの範囲が好ましく、第二曲面１４の曲率半径Ｒ２の範囲は１００μｍから３００μｍの範囲が好ましい。

さらに、このようなウェーハに対して、１０５０℃以上シリコンの融点以下、１〜１０時間、１〜５℃／ｍｉｎの降温速度とされるＣＯＰ影響排除熱処理をおこなう。熱処理前後において、結晶径方向全域で転位クラスタが排除されている状態であり、また、このＣＯＰ影響排除熱処理によってＣＯＰを消失させること、または、デバイスに影響ない程度に大きさ・密度を設定することが可能である。このＣＯＰ影響排除熱処理としては、ＣＯＰを消滅させられる温度条件であればよいが、空孔の拡散速度に影響のある処理温度と処理時間、および降温速度は上記の範囲に設定されることが好ましく、特に、図１１に示すような温度条件、処理時間、昇降温レートとすることがより好ましい。具体的には、７００℃に加熱された炉内に１〜３ｃｍ／ｍｉｎの進入速度、好ましくは２ｃｍ／ｍｉｎの進入速度で投入し、ここから酸素濃度を１〜５％、好ましくは３％とした状態で１０５０〜１１２０℃、好ましくは１１００℃までを昇温速度３〜７℃／ｍｉｎ好ましくは５℃／ｍｉｎで昇温し、さらに、処理温度である１１３０〜１２００℃、好ましくは１１５０℃まで１℃／ｍｉｎで昇温し、この処理温度１１５０℃となってから酸素濃度を５０％以上、好ましくは１００％に設定しこの状態で２〜１０ｈｒ好ましくは３．５ｈｒ保持した後、１〜３℃／ｍｉｎ好ましくは２℃／ｍｉｎで９００℃まで降温して、１〜３ｃｍ／ｍｉｎ好ましくは２ｃｍ／ｍｉｎの取り出し速度で取り出すことができる。熱処理炉としては、処理効率のために、複数枚を同時に処理可能なバッチ炉を使用することが好ましいが枚葉炉でも可能である。また、処理雰囲気として酸化雰囲気であればよく、酸素のみでなく、他の不活性ガスや窒素等を含む雰囲気とすることも可能である。さらに、このＰｖ／Ｐｉ領域からなるウェーハや低酸素濃度のウェーハなど、デバイス処理におけるプロセス条件によってＣＯＰの影響が心配ないウェーハにおいてはＣＯＰ影響排除熱処理をおこなわないこともできる。

次に、ウェーハの一面側にポリシリコン層を形成する。本実施形態のシリコン単結晶ウェーハは、格子間酸素濃度が極めて低いので、酸素析出物によるゲッタリング効果は期待できない。そのため、裏面側にゲッタリング層としての多結晶シリコン層を形成し、ＩＧＢＴ製造工程における重金属汚染を除去する必要がある。また、多結晶シリコン層を裏面側に形成することで、スリップ等の発生を防止して、ウェーハ表面側へのスリップの伝搬を未然に防ぐこともできる。ポリシリコン層の厚みは、５０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下の範囲が好ましい。厚みが５０ｎｍ以上であればゲッタリング効果及びスリップ発生の抑制効果を十分に発揮させることができ、厚みが２０００ｎｍ以下であれば、ウェーハの反りを防止できる。
このようにして、本実施形態のＩＧＢＴ用のシリコン単結晶ウェーハを製造できる。

上記の製造方法によれば、ウェーハの面内における抵抗率のバラツキを８％以下あるいは５％以下にすることができ、酸素濃度が６×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下あるいは４×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の低酸素濃度に制限されているので、酸素ドナーによる抵抗率の変動や酸素析出物形成によるリーク不良の発生を確実に防止することができる。

また、引き上げ後のシリコン単結晶に中性子照射を行ってリンをドープするか、もしくはシリコン融液にリン等のｎ型ドーパントを添加することで、ウェーハの面内における抵抗率のバラツキを５％以下にすることができる。また抵抗率のバラツキの低減は、シリコン融液にリンとリンよりも偏析係数の小さなｐ型ドーパントを添加することでも達成できる。
また、シリコン融液に窒素を添加することで、転位クラスタ欠陥フリーなシリコン単結晶が引き上げ可能な速度の許容幅を更に広げることができ、ウェーハのＣＯＰ欠陥および転位クラスタの排除が容易になる。

（ＩＧＢＴ用のシリコン単結晶ウェーハ）
以上のようにして製造されたシリコン単結晶ウェーハは、結晶径方向全域においてＣＯＰ欠陥および転位クラスタが排除されており、格子間酸素濃度が６×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下であり、ウェーハ面内における抵抗率のばらつきが８％以下となっている。また、抵抗率自体は４８Ω・ｃｍ〜５２Ω・ｃｍ程度となる。更にシリコン単結晶ウェーハには、６×１０^１２〜５×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３の窒素がドープされている。
更に本実施形態のＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハにおいては、破壊電界８ＭＶ／ｃｍでのＴＺＤＢの合格率が９０％以上であり、４５０℃で１時間の熱処理を行った場合に析出する酸素ドナーの濃度が９．８×１０^１２ｃｍ^−３以下であり、８００℃で４時間と１０００℃で１６時間の二段階熱処理を行った場合に生じるＢＭＤの密度が１×１０^５個／ｃｍ^３以下であり、前記二段階熱処理を行った場合における再結合ライフタイムが１００μ秒以上となっている。
更にまた、本実施形態のシリコン単結晶ウェーハにおいては、ウェーハ表面における０．１μｍサイズ以上のＬＰＤ密度が０．１個／ｃｍ^２以下であり、ライトエッチング欠陥密度が１×１０^３個／ｃｍ^２以下になっている。更にまた、本実施形態のシリコン単結晶ウェーハには、裏面側に５０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下の多結晶シリコン層が形成されており、ウェーハの表面の周縁部には表面側面取り部が形成され、ウェーハの裏面の周縁部には裏面側面取り部が形成されている。

本実施形態のＩＧＢＴ用のシリコン単結晶ウェーハによれば、結晶径方向全域においてＣＯＰ欠陥および転位クラスタが排除されているので、ＩＧＢＴ製造工程におけるウェーハ表面でのゲート酸化膜の形成時に、ＣＯＰ欠陥がゲート酸化膜に取り込まれることがなく、ＧＯＩを劣化させることがない。
さらに、ＯＳＦ領域が排除されて、ＯＳＦの密度が１０個／ｃｍ^２以上である領域が存在しないので、ＩＧＢＴ製造工程におけるウェーハ表面でのゲート酸化膜の形成時に、ＣＯＰ欠陥がゲート酸化膜に取り込まれることがなく、ＧＯＩを劣化させることがない。また、集積回路におけるリーク電流を防止できる。さらに、良品率を９０％以上とすることができる。

更に、結晶径方向全域においてＣＯＰ欠陥、転位クラスタが排除されることで、ウェーハを縦方向に使う素子であるＩＧＢＴ用のウェーハとして好適に用いることができる。即ち、ＣＯＰ欠陥および転位クラスタが排除されているため、ウェーハのバルクの品質が優れたものとなり、ＩＧＢＴ用ウェーハとして重要な特性である再結合ライフタイムを向上させることができる。
更に、格子間酸素濃度が上記の範囲以下なので、ウェーハの熱処理後に発生する酸素ドナーの濃度を９．８×１０^１２個／ｃｍ^３以下に抑えることができ、熱処理前後でのウェーハの抵抗率の変化を防ぐことができ、シリコン単結晶ウェーハの品質を安定にできる。
また、本発明のシリコン単結晶ウェーハによれば、ウェーハ面内における抵抗率のばらつきが５％以下なので、シリコン単結晶ウェーハの品質を安定にできる。
更に、シリコン単結晶に、６×１０^１２〜５×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３、または、１×１０^１４〜５×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３、１×１０^１３〜５×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３の窒素がドープされることによって、ＣＯＰ欠陥および転位クラスタの排除が容易になる。窒素のドープ量が上記の範囲未満ではＣＯＰ欠陥および転位クラスタの排除が完全になされない虞があり、上記の範囲を超えると、窒化物が生成してシリコン単結晶が育成できなくなる。
また、ＴＺＤＢの合格率が９０％以上であり、４５０℃で１時間の熱処理を行った場合に発生する酸素ドナーの濃度が９．８×１０^１２ｃｍ^−３以下であり、８００℃で４時間と１０００℃で１６時間の二段階熱処理を行った場合に析出するＢＭＤの密度が１×１０^５個／ｃｍ^３以下であり、二段階熱処理を行った場合における再結合ライフタイムが１００μ秒以上であるので、ＩＧＢＴ用のシリコン単結晶ウェーハに求められる特性を満たすことができる。

（実験例１）
ＣＺ法により、種々の格子間酸素濃度を有するシリコンインゴットを製造した。具体的には、多結晶シリコン塊を石英ルツボに投入し、アルゴン雰囲気中で多結晶シリコン塊を加熱してシリコン融液とした。シリコン融液にはドーパントとしてリンを添加した。リンの添加量は、シリコン単結晶の抵抗率が６５Ω・ｃｍになるように調整した。次に、磁場供給装置から３０００Ｇ（０．３Ｔ）の水平磁場を磁場中心高さが融液液面に対して−７５〜＋５０ｍｍとなるように供給しながら、シリコン融液に種結晶を浸漬させ、次に種結晶及び石英ルツボを回転させながら種結晶を徐々に引き上げて種結晶の下に単結晶を成長させた。尚、単結晶の成長速度（引き上げ速度）をＶ（ｍｍ／分）とし、単結晶成長時の融点から１３５０℃の温度勾配をＧ（℃／分）としたときの比Ｖ／Ｇを０．１８５程度に設定し、Ｖを０．４９ｍｍ／分に設定した。このようにして、条件１〜４の引き上げ条件で引き上げられてなる単結晶シリコンのインゴットを製造した。なお、シリコンインゴットにおける格子間酸素濃度は、石英ルツボの回転数を調整することにより制御した。また、条件４では、シリコン融液中に窒化珪素膜付きのシリコンウェーハを投入することにより、シリコン単結晶中に４．１×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３の窒素をドープした。

次に、引き上げられた単結晶シリコンのインゴットをスライスしてウェーハを切り出した。切り出されたウェーハには、ラッピング、エッチング等の表面処理を施した。このようにして、直径２００ｍｍ、厚さ０．７５ｍｍのシリコン単結晶ウェーハを製造した。

得られたシリコン単結晶ウェーハについて、格子間酸素濃度を測定すると共に、ウェーハ表面の面内における抵抗率のばらつきを評価した。格子間酸素濃度は、ＡＳＴＭ Ｆ−１２１（１９７９）に規格されたフーリエ変換赤外分光光度法に準じて測定した。また、抵抗率のばらつきは、ウェーハ中心、ウェーハ中心と外周の中間の位置、ウェーハ外周から５ｍｍの位置の合計３カ所で抵抗率を測定し、その３カ所の抵抗率の中から最大値と最小値を選び、「（最大値−最小値）×１００／最小値」の式により算出した。結果を表１に示す。
更に表１には、引き上げ速度の許容幅を示す。この許容幅は、結晶の引き上げ速度を徐々に低下させ育成した結晶を育成方向に縦割り加工し転位クラスタ欠陥を含むＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥分布をＣｕデコレーション後にＸ−ｒａｙトポグラフィー法により観察することでＣＯＰ領域を、またライトエッチング欠陥を測定することで転位クラスタ領域を判定しもとめた、結晶径方向全域において転位クラスタが排除できる引き上げ速度マージンである。

表１に示すように、ルツボ回転速度を７ｒｐｍから１ｒｐｍに低下させることによって（条件１→条件２〜４）、実際に格子間酸素濃度を低減できることがわかった。但し、条件１および２では、結晶回転速度が遅いことから引き上げ速度の許容幅をある程度確保できるものの、抵抗率のばらつきが非常に大きいものであった。
また、条件２と３を比較すると、条件３では結晶の回転速度の高速化によって抵抗率のばらつきは低減されたが、引き上げ速度の許容幅が大幅に低下した。これは、単結晶の回転速度の増大によって、シリコン融液と単結晶との間の固液界面形状が変化したためと考えられる。
更に、条件４については、条件３に対し、窒素をドープしたことによって引き上げ速度の許容幅が増大したが、抵抗率のばらつきも増大した。これは、窒素ドープによってシリコン融液の対流状態が変化したためと考えられる。

以上のことから、条件１〜４の引き上げ条件では、格子間酸素濃度の低減、抵抗率のばらつきの低減、引き上げ速度の許容幅の拡大を同時に達成することは困難であった。

（実験例２）
ＣＺ法により、種々の格子間酸素濃度を有するシリコンインゴットを製造した。具体的には、多結晶シリコン塊を石英ルツボに投入し、アルゴン雰囲気中で多結晶シリコン塊を加熱してシリコン融液とした。次に、磁場供給装置から３０００Ｇ（０．３Ｔ）の水平磁場を磁場中心高さが融液液面に対して−７５〜＋５０ｍｍとなるように供給しながら、シリコン融液に種結晶を浸漬させ、次に種結晶及び石英ルツボを回転させながら種結晶を徐々に引き上げて種結晶の下に単結晶を成長させた。尚、単結晶の成長速度（引き上げ速度）をＶ（ｍｍ／分）とし、単結晶成長時の融点から１３５０℃の温度勾配Ｇ（℃／分）としたときの比Ｖ／Ｇを０．１８５程度に設定し、Ｖを０．４９ｍｍ／分に設定した。このようにして、条件５〜１４の引き上げ条件で引き上げられてなる単結晶シリコンのインゴットを製造した。

なお、石英ルツボの回転速度は全ての条件で２ｒｐｍとし、単結晶の回転速度は全ての条件で２０ｒｐｍとした。更に、条件５及び６では、シリコン融液中に窒化珪素膜付きのシリコンウェーハを投入して、シリコン単結晶中に窒素をドープした。また、条件７〜１１では、アルゴンガス雰囲気に水素ガスを導入して水素分圧３０〜４００Ｐａの条件で引き上げを行った。更に、条件１２〜１４では、窒素のドープと水素ガスの導入を同時に行った。更に、条件７〜１０及び１２〜１３では、シリコン融液にリンを添加することにより抵抗率の調整を行い、他の条件では実験例１と同様にして引き上げられた単結晶シリコンに対して中性子線を照射してリンをドープした。中性子線の照射は、線束３．０×１０^１２個／ｃｍ^２／ｓで８０時間照射する条件とした。このようにして、シリコン単結晶の抵抗率を６５Ω・ｃｍに調整した。

その後、単結晶シリコンのインゴットをスライスしてウェーハを切り出した。切り出されたウェーハには、ラッピング、エッチング等の表面処理を施した。このようにして、直径２００ｍｍ、厚さ０．７５ｍｍのシリコン単結晶ウェーハを製造した。

得られたシリコン単結晶ウェーハについて、実験例１と同様にして、格子間酸素濃度を測定すると共にウェーハ表面の面内における抵抗率のばらつきを評価した。結果を表２に示す。また表２には、ウェーハ中の窒素濃度、ＣＺ炉の雰囲気中の水素分圧、ドーパントの導入方法の条件を同時に示す。また、実験例１と同様にして、引き上げ速度の許容幅を同時に示す。

表１及び表２に示すように、条件４において窒素ドープにより悪化した抵抗率のばらつきは、条件５及び６に示すように中性子照射によるリンドープを行うことによって改善されたが、引き上げ速度の許容幅は十分なものではなかった。
また、条件３において結晶の回転速度の高速化によって低下した引き上げ速度の許容幅は、条件８〜１０に示すように雰囲気中に水素を導入することによって改善された。条件８〜１０のように、所定量の水素を導入すると共に、ルツボ回転速度並びに単結晶の回転速度を制御することによって、格子間酸素濃度の低減と、抵抗率のばらつきの低減と、引き上げ速度の許容幅の拡大を同時に実現できることが判明した。
また、条件４において窒素ドープによって増大した抵抗率のばらつきは、条件１２及び１３に示すように雰囲気中に水素を導入することによって改善された。これは、窒素ドープによって引き起こされたシリコン融液の対流状態の変動を水素の導入によって抑制できたためと考えられる。また条件１２及び１３では、引き上げ速度の許容幅についても、窒素ドープ単独（条件５〜６）、水素導入単独（条件７〜１１）の場合と比べて拡大することができた。
更にこの条件１２及び１３に対して、リンの導入を中性子照射により行った条件１４では、抵抗率のばらつきがより低減された。

（実験例３）
ＣＺ法により、格子間酸素濃度を有するシリコンインゴットを製造した。具体的には、石英ルツボ内に単結晶直胴部トップ部で窒素濃度が８×１０^１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３となるように窒化膜付きウェーハを投入した後、多結晶シリコン塊１１０ｋｇを石英ルツボに投入し、アルゴン雰囲気中で多結晶シリコン塊を加熱してシリコン融液とした。
次に、シリコン融液には電気抵抗率を調整するためのドーパントは添加せずに、このシリコン融液に対して、磁場供給装置から３５００Ｇ（０．３５Ｔ）の水平磁場を印加した。
次に、シリコン融液に種結晶を浸漬させ、種結晶（単結晶）の回転速度を５ｒｐｍ及び石英ルツボの回転速度を０．１ｒｐｍの回転速度で互いに逆方向に回転させながら、種結晶を徐々に引き上げて種結晶の下に、直径８インチで直胴部の長さが１２００ｍｍのシリコン単結晶を成長させた。なお、単結晶の成長速度（引き上げ速度）をＶ（ｍｍ／分）とし、単結晶成長時の融点から１３５０℃の温度勾配Ｇ（℃／分）としたときの比Ｖ／Ｇを０．１８５程度に設定し、Ｖを０．４９ｍｍ／分に設定した。
上記で育成したシリコン単結晶において、単結晶引き上げ軸方向における結晶中心部分での酸素濃度変化を測定した。この結果を図７に示す。

この結果から、上記で育成したシリコン単結晶のうち、酸素濃度１．４×１０^１７〜４×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３（ｏｌｄＡＳＴＭ）以下で、ＣＯＰも転位クラスタも含まない部分は８００ｍｍであり、広範囲に４×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の低酸素シリコン単結晶を得ることができた。

（実験例４）
実験例３の条件において、窒素を添加せず、炉内のガス雰囲気をアルゴンガス９４％、水素ガス６％の混合ガス雰囲気に変更した以外は、実施例３と同条件でシリコン単結晶の育成を行った。このときの単結晶引き上げ軸方向における結晶中心部分での酸素濃度変化を測定した結果を図８に示す。

この結果から、上記で育成したシリコン単結晶のうち 酸素濃度１．４×１０^１７〜４．０×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３で ＣＯＰも転位クラスタも含まない部分は１０５０ｍｍであり、広範囲に４×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の低酸素シリコン単結晶を得ることができた。

（実験例５）
次に、実験例３および実験例４の条件と同様にして引き上げられた各単結晶シリコンに対して中性子線を照射してリンをドープした。中性子線の照射は、線束３．０×１０^１２個／ｃｍ^２／ｓで８０時間照射する条件とした。このようにして、各シリコン単結晶の抵抗率を６５Ω・ｃｍに調整した。
その後、各単結晶シリコンのインゴットをスライスしてウェーハを切り出した。切り出されたウェーハには、ラッピング、エッチング等の表面処理を施した。このようにして、直径２００ｍｍのシリコン単結晶ウェーハを製造した。
得られた各シリコン単結晶ウェーハについて、ウェーハ表面の面内における抵抗率のばらつきを評価した。抵抗率のばらつきは、ウェーハ中心、ウェーハ中心と外周の中間の位置、ウェーハ外周から５ｍｍの位置の合計３カ所で抵抗率を測定し、その３カ所の抵抗率の中から最大値と最小値を選び、「（最大値−最小値）×１００／最小値」の式により算出した。
その結果、いずれのシリコンウェーハも抵抗率のばらつきが８％以下（５％以下）であることを確認した。これは、本実施例ではシリコン単結晶育成の段階ではドーパントを添加していないため、結晶回転速度を低下させてもシリコン単結晶中の抵抗率分布には何も影響せず、育成が完了したシリコン単結晶に中性子照射によりリンをドープしたことによるものである。

（実験例６）
次に、ウェーハ中の酸素濃度が４×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下となる、ルツボ回転数と結晶回転数の条件範囲について調査を行った。
具体的には、実施例１の条件において、ルツボの回転数を０．１ｒｐｍ，０．２ｒｐｍ，０．３ｒｐｍ，０．７ｒｐｍ，１．０ｒｐｍ，２．０ｒｐｍの６水準とし、結晶の回転数を１〜８ｒｐｍの８水準として、シリコン単結晶の育成を行い、各シリコン単結晶の直胴部トップ部から２００ｍｍの位置から切り出したウェーハの酸素濃度を測定した。格子間酸素濃度は、ＡＳＴＭ Ｆ−１２１（１９７９）に規格されたフーリエ変換赤外分光光度法に準じて測定した。その結果を表３および図９に示す。

表３および図９から明らかなように、ルツボの回転数が０．２ｒｐｍ以下、かつ結晶の回転数が５ｒｐｍ以下である場合に、ウェーハ中の酸素濃度を６×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下（または４×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下）にすることができる。

（実験例７）
次に、ＩＧＢＴ用デバイスプロセスで行われる熱処理の最高温度とウェーハ中の酸素濃度とウェーハ内に形成される酸素析出物(BMD: Bulk Micro Defect)密度のそれぞれの関係について調査を行った。
まず、ＣＯＰと転位クラスタを含まず、ウェーハの中心付近の酸素濃度が１．５〜７．６×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３の間の範囲にある直径２００ｍｍのｎ型（５０Ω・ｃｍ）ウェーハを用い、表４に示すようなＩＧＢＴ用デバイスプロセス熱処理を模擬した熱処理を施した。この際、最高温度を１１００℃〜１２２５℃まで変化させた。

その後、ウェーハをへき開し、ウェーハ中のＢＭＤ密度を赤外トモグラフ（三井金属鉱業製ＭＯ４４１）で測定した。透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）との比較から、ＭＯ４４１で検出可能なＢＭＤサイズの下限は、２０ｎｍである。
ウェーハの中心付近で１０μｍ（ビーム径）×２６０μｍ（深さ方向の範囲）×４０００μｍ（径方向のスキャン距離）の体積を計測し、ＢＭＤが検出されなかった場合、すなわち、２０ｎｍ以上のＢＭＤ密度が１×１０^５個／ｃｍ^３未満だった場合をＯＫ、２０ｎｍ以上のＢＭＤ密度が１×１０^５個／ｃｍ^３以上だった場合をＮＧと判定した。その結果を図１０に示す。
図から明らかなように、ウェーハ中の酸素濃度が６×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下であれば、ＩＧＢＴの製造プロセスにおける熱処理を模擬した熱処理後に２０ｎｍ以上のＢＭＤ密度が１×１０^５個／ｃｍ^３未満に制御することができる。これによりＢＭＤに起因したリーク不良を低減することができる。

（実験例８）
ＣＺ法により、格子間酸素濃度を有するシリコンインゴットを条件をＣ１〜５で表５に示すように変化させて製造した。具体的には、石英ルツボ内に単結晶直胴部トップ部で窒素濃度が８×１０^１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３となるように窒化膜付きウェーハを投入および窒素投入なしを選択した後、多結晶シリコン塊１１０ｋｇを石英ルツボに投入し、アルゴン雰囲気中で多結晶シリコン塊を加熱してシリコン融液とした。
次に、シリコン融液には電気抵抗率を調整するためのドーパントは添加せずに、このシリコン融液に対して、磁場供給装置から３５００Ｇ（０．３５Ｔ）の水平磁場の中心位置が−３から＋１５３ｍｍとなるように、つまり、磁場中心位置はシリコン融液液面より上側になるように印加した。
次に、シリコン融液に種結晶を浸漬させ、種結晶（単結晶）の回転速度を５〜８ｒｐｍ及び石英ルツボの回転速度を０．１ｒｐｍの回転速度で互いに逆方向に回転させながら、種結晶を徐々に引き上げて種結晶の下に、直径８インチで直胴部の長さが１２００ｍｍのシリコン単結晶を成長させた。なお、単結晶の成長速度（引き上げ速度）をＶ（ｍｍ／分）とし、単結晶成長時の融点から１３５０℃の温度勾配をＧ（℃／分）としたときの比Ｖ／Ｇを０．２程度に設定し、Ｖを０．５２ｍｍ／分に設定した。
上記で育成したシリコン単結晶において、単結晶引き上げ軸方向における結晶中心部分での酸素濃度変化を測定した。この結果をＣ１〜Ｃ５として、図１２に示す。

この結果から、上記で育成したシリコン単結晶のうち、酸素濃度６×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３（ｏｌｄＡＳＴＭ）以下で、転位クラスタを含まずアニールでＣＯＰの影響を排除できる低酸素シリコン単結晶を得ることができた。

３…シリコン融液
６…シリコン単結晶
Ｔ…種結晶

Claims (14)

1. チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を育成することにより得られるＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハの製造方法であって、
   磁場強度２０００ガウス以上とし、石英ルツボ回転数１．５ｒｐｍ以下、結晶回転数７．０ｒｐｍ以下とし、
   シリコン単結晶の引き上げ速度を転移クラスタ欠陥フリーなシリコン単結晶が引き上げ可能な速度で、格子間酸素濃度が６×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の単結晶を育成することを特徴とするＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハの製造方法。
2. チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を育成することにより得られるＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハの製造方法であって、
   磁場強度２０００ガウス以上とし、
   石英ルツボ回転数Ｒ１（ｒｐｍ）と、結晶回転数Ｒ２（ｒｐｍ）とを、
   添付図面図６に各点（Ｒ１，Ｒ２）で示すように、
   点Ａ （０．１，１）、点Ｂ（０．１，７）、点Ｃ（０．５，７）、点Ｉ（０．７，６）、点Ｅ（１，６）、点Ｆ（２，２）、点Ｇ（２，１）で囲まれる範囲内の値に設定し、
   シリコン単結晶の引き上げ速度を転位クラスタ欠陥フリーなシリコン単結晶が引き上げ可能な速度で、格子間酸素濃度が６×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の単結晶を育成することを特徴とするＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハの製造方法。
3. チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を育成する際に、シリコン融液にｎ型ドーパントを添加するか、シリコン融液にリンを２．９×１０^１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上２．９×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、前記リンよりも偏析係数の小さなｐ型ドーパントを、その偏析係数に応じて結晶中の濃度が１×１０^１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上１×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下となるように添加するか、または、引き上げ後のシリコン単結晶に中性子照射を行うことで、リンをドープすることを特徴とする請求項１または２に記載のＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハの製造方法。
4. チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を育成することにより得られるＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハの製造方法であって、
   シリコン単結晶中の電気抵抗率を調整するためのドーパントが添加されていないシリコン溶融液を収容する石英ルツボに磁場強度２０００ガウス以上の磁場を印加し、石英ルツボの回転数を１．５ｒｐｍ以下かつ、育成中のシリコン単結晶の回転速度を７．０ｒｐｍ以下として、酸素濃度が６×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下のシリコン単結晶を育成した後、引き上げ後のシリコン単結晶に中性子照射を施してリンをドープすることを特徴とするＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハの製造方法。
5. 前記シリコン単結晶の引き上げ速度を結晶径方向全域において、ＣＯＰ欠陥、転位クラスタを排除可能な引き上げ速度とすることを特徴とする請求項４記載のＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハの製造方法。
6. 前記シリコン単結晶に窒素を６ｘ１０^１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上５×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の濃度で添加することを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載のＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハの製造方法。
7. 前記シリコン単結晶ウェーハの裏面側に５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の多結晶シリコン層を形成することを特徴とする請求項１〜６記載のＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハの製造方法。
8. 前記シリコン単結晶からスライスされたシリコンウェーハに、１０５０℃以上シリコンの融点以下、１〜１０時間とされるＣＯＰ影響排除熱処理をおこなうことを特徴とする請求項１〜７記載のＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハの製造方法。
9. 請求項１から８のいずれかに記載の製造方法により製造され、
   結晶径方向全域において転位クラスタが排除されており、格子間酸素濃度が６×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下であり、ウェーハ面内における抵抗率のばらつきが８％以下であることを特徴とするＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハ。
10. 前記シリコン単結晶が、前記チョクラルスキー法により育成される際に転移クラスタ欠陥フリーなシリコン単結晶を引き上げ可能な引き上げ速度で育成されたものであり、かつ、引き上げ後のシリコン単結晶に中性子照射がなされてリンがドープされてなるものであることを特徴とする請求項９に記載のＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハ。
11. 前記シリコン単結晶が、前記チョクラルスキー法により育成される際に、ｎ型ドーパントがドープされたシリコン融液から、転移クラスタ欠陥フリーなシリコン単結晶を引き上げ可能な引き上げ速度により育成されたものであることを特徴とする請求項９に記載のＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハ。
12. リンと、前記リンよりも偏析係数の小さなｐ型ドーパントがそれぞれ、１×１０^１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上１×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の濃度で含まれていることを特徴とする請求項１０に記載のＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハ。
13. ウェーハ表面におけるＬＰＤ密度が０．１個／ｃｍ^２以下であり、ライトエッチング欠陥密度が１×１０^３個／ｃｍ^２以下であることを特徴とする請求項９から１２のいずれかに記載のＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハ。
14. 裏面側に５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の多結晶シリコン層が形成されていることを特徴とする請求項９から１３のいずれかに記載のＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハ。

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