JP2010269580A - インプリント装置及び物品の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】離型に有利なインプリント装置を提供する。
【解決手段】
本発明のインプリント装置は、パターンが形成されたモールド１０をレジストＭｐが塗布されたウエハ１００に押し付け、モールド１０をウエハ１００から離型することによってパターンをウエハ１００に転写する押印装置であって、ウエハ１００をその端部において吸着保持するウエハチャック２１と、ウエハチャック２１とは分離して形成され、ウエハ１００を吸着保持するウエハチャック２２と、ウエハチャック２１及びウエハチャック２２をモールド１０に対して相対的に移動させる駆動部とを有し、ウエハチャック２２は、ウエハチャック２１より可撓性の高い材質で形成されている。
【選択図】図４

Description

本発明は、基板上の樹脂を型により成形してパターンを基板に形成するインプリント装置に関する。

紫外線やＸ線、電子ビームを用いたフォトリソグラフィーに代わる技術として、ナノインプリント技術が知られている。

ナノインプリント技術は、電子ビーム露光等によって微細なパターンが形成された型（モールド）により、ウエハ等の基板上に塗布された樹脂を成形して、基板上に樹脂（レジスト）のパターンを形成する。

ナノインプリント技術にはいくつかの種類があり、その一つの方法として、光硬化法がある。光硬化法は、紫外線硬化型の樹脂（レジスト）に透明なモールドを押し付けた状態で、この樹脂を感光及び硬化させ、その後、モールドを剥離（離型）する方法である。

光硬化法によるナノインプリント技術では、硬化後の樹脂によりモールドと基板とが接着状態になる。このため、離型に大きな力が必要となるとともに、離型時にパターンの損壊が発生するおそれがある。特に、形成すべきパターンが大きくなると、離型に必要な力が面積に比例するため、パターン転写装置（押印装置）の大型化を招くことになる。また、パターンの損壊を低減させるため、離型時の速度を低くすると、パターン転写装置のスループットも低くなってしまう。

このため、特許文献１には、モールドと基板との間にナイフを入れ、機械的に剥離する方法が開示されている。また、特許文献２には、モールドを傾けて離型させる方法が開示されている。さらに、特許文献３には、基板の保持力（吸着圧）を局所的に変化させて、離型時に基板を撓ませることで離型を容易にする方法が開示されている。

特開２００７−１１８５５２号公報 特開２００７−１９４８５号公報 特開２００７−８３６２６号公報

しかし、特許文献１の方法では、ナイフとの接触と摩擦とにより、モールドや基板の損傷やゴミの発生が起こりうる。

また、特許文献２の方法では、離型開始時点で必要となる力は低減されず、装置が大きくなってしまう。

さらに、特許文献３の方法では、基板をモールドの引上げ力に抗して保持しつつ、基板を撓ませるように基板の保持力を局所的に調整するのは容易ではない。この場合、基板がモールドと一体になって基板保持手段から外れてしまうおそれがある。また、基板を撓ませる方法は、基板の曲げが拘束された個所で基板が破損するおそれもある。

本発明は、例えば、離型に有利なインプリント装置を提供する。

本発明の一側面としてのインプリント装置は、型による基板上の樹脂の成形と、前記基板からの離型とを行って、前記樹脂のパターンを前記基板上に形成するインプリント装置であって、前記基板の裏面をその端部において保持する第１保持部と、前記基板の裏面を前記端部とは異なる部分において保持する第２保持部と、前記第１保持部及び前記第２保持部を互いに相対的に移動させる駆動部とを有し、前記第２保持部の可撓性は、前記第１保持部の可撓性より高い。

本発明の他の側面としての物品の製造方法は、前記インプリント装置を用いて樹脂のパターンを基板上に形成する工程と、前記工程で前記パターンを形成された基板を加工する工程とを有する。

本発明の他の目的及び特徴は、以下の実施例において説明される。

本発明によれば、例えば、離型に有利なインプリント装置を提供することができる。

実施例１の押印装置におけるウエハチャック周辺（離型前の状態）の概略構成図である。 実施例１の押印装置におけるウエハチャックの平面図である。 実施例１の押印装置におけるウエハチャックによる離型動作を示すフローチャートである。 実施例１の押印装置におけるウエハチャック周辺（離型途中の状態）の概略構成図である。 実施例１の押印装置におけるウエハチャック周辺（離型後の状態）の概略構成図である。 実施例２における押印装置としてのパターン転写装置の構成図である。 実施例２におけるパターン転写装置の動作を示すフローチャートである。 実施例３における押印装置としてのパターン転写装置の構成図である。 実施例３における押印装置としてのパターン転写装置の構成図である。 実施例３におけるパターン転写装置の動作を示すフローチャートである。 実施例３におけるパターン転写装置の動作を示すフローチャートの続きである。

以下、本発明の実施例について、図面を参照しながら詳細に説明する。各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。

まず、本発明の実施例１における押印装置について説明する。

本実施例の押印装置（インプリント装置）は、モールド（型）による基板上の樹脂の成形と、基板からの離型とを行って、樹脂のパターンを基板上に形成する押印装置である。例えば、本実施例の押印装置は、半導体やＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ）等のデバイスを製造する際にナノインプリント技術を実行するパターン転写装置である。

図１は、本実施例の押印装置におけるウエハチャック周辺の概略構成図であり、離型前の状態を示している。図１において、１０はモールド（型）である。モールド１０の一方の面（ウエハ１００を押し付ける面）には、ウエハ１００（基板）に転写するための凹凸パターンが形成されている。モールド１０は、紫外線等の光線に対して光学的に透明である。

図１に示されるように、ウエハ１００の上にはレジストＭｐ（樹脂）が塗布されており、モールド１０は、ウエハ１００上のレジストＭｐを押印している。１１はモールドチャックである。モールドチャック１１は、モールド１０を真空吸着等により吸着保持する。

２１はウエハチャック（第１保持部）である。ウエハチャック２１は、ウエハ１００の裏面を少なくともその端部において吸着保持する。２２はウエハチャック（第２保持部）である。ウエハチャック２２は、ウエハチャック２１とは分離して形成され、ウエハ１００の裏面を前記端部とは異なる部分において、ウエハチャック２１と同様にウエハ１００を吸着保持する。

本実施例において、ウエハチャック２１、２２は、可撓性（微弾性）の高い材質で構成されている。ウエハチャック２２の可撓性は、ウエハチャック２１の可撓性より高いことが好ましい。また、ウエハチャック２１、２２の可撓性は、ウエハ１００の可撓性より高いことが好ましい。

図２は、本実施例の押印装置におけるウエハチャック２１、２２の平面図である。ウエハチャック２１、２２は、それぞれ、ウエハ１００を吸着保持するための吸着面Ｓ１、Ｓ２を有する。ウエハチャック２１、２２（吸着面Ｓ１、Ｓ２）は所定の距離だけ離れて配置されており、吸着面Ｓ１、Ｓ２の間には隙間Ｇが設けられている。

図２に示されるように、ウエハチャック２１の吸着面Ｓ１の面積は、ウエハチャック２２の吸着面Ｓ２の面積より小さい。吸着面Ｓ１の面積を吸着面Ｓ２より小さくすることにより、離型をより容易に行うことが可能となる。ただし、本実施例はこれに限定されるものではなく、例えば吸着面Ｓ１、Ｓ２の面積を同一にしてもよい。また、吸着面Ｓ１の面積を吸着面Ｓ２より大きくすることも可能である。

本実施例では、ウエハチャック２１、２２のように、ウエハチャックは２つのウエハチャックに分離されている。しかし、本実施例はこれに限定されるものではなく、ウエハチャックが３つ以上のウエハチャックに分離された構成でも適用可能である。３つのウエハチャックを設ける場合には、例えば、ｙ軸に関してウエハチャック２１の対称位置に、ウエハチャック２１と同一材料で形成されたウエハチャックが配置される。このとき、ウエハチャック２１及び対称位置に設けられたウエハチャックを用いて両側から同時に離型を開始することにより、スループットをさらに向上させることができる。

図２において、Ｄ１及びＤ２は、それぞれの吸着面Ｓ１及びＳ２に設けられた吸着用の溝である。溝Ｄ１、Ｄ２は、不図示の真空排気手段に接続され、ウエハ１００に対する吸着力を発生させる。

なお、ウエハチャック２１、２２は、いずれも、ウエハチャック全体を可撓性の高い材質で構成する必要はない。少なくとも、吸着面Ｓ１、Ｓ２を含み、かつ、最上部の厚さ数ｍｍから十数ｍｍ程度の範囲内において可撓性の高い材質で構成されていればよい。

図１において、Ｍｐはレジストである。レジストＭｐは、例えば、紫外線照射により硬化する紫外線硬化樹脂である。ただし、本実施例はこれに限定されるものではなく、他の性質を有するレジストを用いてもよい。

上述のとおり、図１は、ウエハチャック２１、２２に吸着保持されたウエハ１００上のレジストＭｐに対して、モールド１０の押印が完了した状態（離型前の状態）を示している。すなわち、レジストＭｐに対する紫外線の照射が終了して硬化が完了した状態である。このとき、モールド１０とウエハ１００は、レジストＭｐを介して接着状態にある。

次に、本実施例の押印装置において、図１に示される状態からの離型動作について、図３乃至図５を参照しながら説明する。図３は、本実施例の押印装置におけるウエハチャックによる離型動作を示すフローチャートである。また、図４（ａ）、（ｂ）は、本実施例の押印装置におけるウエハチャック周辺の概略構成図であり、離型途中の状態を示している。図５は、本実施例の押印装置におけるウエハチャック周辺の概略構成図であり、離型後の状態を示している。

まず、図３のステップＳ１４１において、ウエハチャック２１を、図１に示される矢印（１）の方向（−ｚ方向）に下降させる。図４（ａ）に示されるように、ウエハチャック２１が下降すると、ウエハ１００の端部（ウエハチャック２１の吸着面Ｓ１に吸着されている部位）に離型開始点Ｄｓが形成される。同時に、図４（ａ）に示される位置Ｐｔを通るｙ方向の軸を回転中心として、矢印（１’）の方向にウエハチャック２１をチルト（傾斜）させる。

このとき、ウエハチャック２１は、押印装置の制御部（不図示）からの指示に基づいて、駆動部（不図示）により駆動される。具体的には、駆動部は、ウエハチャック２１をウエハ１００の主面に対して垂直方向（−ｚ方向）に移動させながら、ウエハチャック２１をウエハチャック２２に近接する方向（−ｘ方向）に回転移動させる。このように、駆動部は、ウエハチャック２２に対してウエハチャック２１を移動させるが、この移動は、ウエハチャック２１とウエハチャック２２との境界線（隙間Ｇ）に平行な軸の周りのウエハチャック２１の回転を含む。

ウエハチャック２１の側面Ｔｓ（ウエハチャック２２に対向する面）は、ｚ方向に対して傾斜しており、ウエハチャック２１の回転移動がウエハチャック２２により妨げられないように構成されている。なお、本実施例ではウエハチャック２１の側面Ｔｓが傾斜しているが、これに代えて、ウエハチャック２２の側面（ウエハチャック２１に対向する面）をｚ方向に対して傾斜させるように構成することができる。また、ウエハチャック２１、２２の両方の側面を傾斜させてもよい。

この結果、モールド１０に対して、図４（ａ）の右手方向から、レジストＭｐの剥離が開始される。上述のとおり、ウエハチャック２２は可撓性の高い材質で構成されている。このため、図４（ａ）に示されるように、ウエハチャック２２は、ウエハチャック２１の近傍部分において、ウエハチャック２１の下降に応じて圧縮変形する。

このため、ウエハ１００はウエハチャック２１、２２の境界で折れ曲がり、ウエハ１００が機械的に折損することを抑制することができる。ウエハ１００の折損は、ウエハチャック２１をチルト（回転移動）させることで、より効果的に抑制可能となる。

次に、図３のステップＳ１４２において、図４（ｂ）に示される矢印（２）の方向（−ｚ方向）に、ステップＳ１４１におけるウエハチャック２１と同じ量だけウエハチャック２２を下降させる。ウエハチャック２２の下降により、図４（ａ）に示される離型領域Ｄａ（剥離領域）が、図４（ｂ）に示されるように左手方向に拡大する。同時に、図４（ｂ）に示される矢印（３）の方向にウエハチャック２１を移動する。すなわち、チルト（回転移動）したウエハチャック２１を逆に回転させ、ウエハチャック２１のチルトを解除する。ウエハチャック２１、２２は、押印装置の制御部（不図示）からの指示に基づいて、駆動部（不図示）により駆動される。

この結果、ウエハチャック２２の圧縮変形した部分が元に戻り、ウエハチャック２１、２２の吸着面Ｓ１、Ｓ２が再び同一面上に配置される。このように、押印装置における離型動作は完了して、本実施例の押印装置におけるウエハチャック周辺は、図５に示される離型後の状態となる。

このように、本実施例の押印装置において、駆動部は、モールド１０をレジストＭｐが塗布されたウエハ１００から離型する際、ウエハチャック２１を移動させてからウエハチャック２２を移動させる。すなわち、駆動部は、ウエハチャック２２に対してウエハチャック２１を移動させてウエハ１００からの離型を一部行った後に、ウエハチャック２１、２２を移動させてウエハ１００からの離型を完了する。

なお、駆動部は、ウエハチャック２１、２２のみを駆動するのではなく、モールド１０を駆動するように構成可能である。すなわち、駆動部は、ウエハチャック２１及びウエハチャック２２を互いに相対的に移動させることにより、モールド１０をウエハ１００から離型させてもよい。

本実施例では、例えば、ウエハ１００の外径は３００ｍｍであり、ウエハチャック２１のｘ軸方向の最大幅は３０ｍｍである。このとき、図４（ａ）に示されるウエハチャック２１の右端（離型開始点Ｄｓ）の下降量を０．３ｍｍとすると、ウエハチャック２１に必要なチルト量は１ｍｒａｄ程度となる。

また、ウエハチャック２１、２２に用いられる材料としては、シリコンゴム等の可撓性（微弾性）の高い材料が好適である。ウエハチャック２１は、離型動作時に、ウエハ１００の端部をしっかり吸着保持して下降する必要がある。このため、ウエハチャック２１は、ウエハチャック２２とは異なる可撓性を有する材料を用いて構成される。具体的には、ウエハチャック２１は、ウエハチャック２２より可撓性の低い材料であることが好ましい。

以上のとおり、本実施例の押印装置では、モールド１０の全面を一度に離型するのではなく、ウエハ１００の端部に離型開始点Ｄｓを形成し、ウエハ１００側を端部から徐々に剥離させていく。そして、剥離面積を徐々に拡大することにより、小さな力で離型させることが可能となる。また、小さな力で剥離させることができるため、離型時の転写パターンの破壊を抑制することが可能となる。

したがって、本実施例によれば、スループットと歩留りを向上させた押印装置を提供することができる。

次に、本発明の実施例２における押印装置について説明する。図６は、本実施例における押印装置としてのパターン転写装置の構成図である。

図６において、１０１、１０２はウエハである。２０は、ウエハ１０１を保持するためのウエハチャックである。２１及び２２は、ウエハ１０２を保持するためのウエハチャックである。本実施例では、２０を押印チャック、２１及び２２を離型チャックと称する。なお、離型チャック２１、２２は、図２で説明したウエハチャックと同一のものである。

３１、３２は、それぞれ、ウエハ１０１、１０２のθ方向（ｚ軸回りの回転方向）における位置の補正機能、ウエハ１０１、１０２のｚ位置の調整機能、及び、ウエハ１０１、１０２の傾きを補正するためのチルト機能を有する微動ステージである。微動ステージ３１、３２は、それぞれ、ウエハ１０１、１０２を所定の位置に位置決めするためのＸＹステージ４１、４２の上に配置される。

５は、ＸＹステージ４１、４２が載置されるベース定盤である。６は、微動ステージ３１上において、ｘ方向及びｙ方向（ｙ方向は不図示）に取り付けられた参照ミラーである。参照ミラー６は、押印チャック２０を搭載する微動ステージ３１の位置を計測するため、レーザ干渉計７からの光を反射する。なお、離型チャック２１、２２を搭載する微動ステージ３２についても、同様のレーザ干渉計と参照ミラーの組合せ（不図示）が配置される。

８及び８’は支柱である。支柱８、８’は、ベース定盤５上に屹立し、天板９を支える。１０は、ウエハ１０１に転写される凹凸パターンが形成されたモールドである。１１は、モールドチャックステージ１２に載置されるモールドチャックである。モールドチャック１１は、図示しない真空吸着部等の吸着手段を用いて、モールド１０を吸着保持する。

モールドチャックステージ１２は、モールド１０（モールドチャック１１）のθ方向（ｚ軸回りの回転方向）における位置の補正機能、及び、モールド１０の傾きを補正するためのチルト機能を有する。１３はガイドバープレートである。１４、１４’はガイドバーである。ガイドバー１４、１４’は、天板９を貫通しており、その一端がモールドチャックステージ１２に固定され、他端がガイドバープレート１３に固定されている。

１５、１５’は、エアシリンダ又はリニアモータから構成されるリニアアクチュエータである。リニアアクチュエータ１５、１５’は、ガイドバー１４、１４’を図６のｚ方向に駆動して、モールドチャック１１に保持されたモールド１０を、押印位置Ｐｉに配置されるウエハに対して押し付け又は引き離す。

１６はＵＶ光源である。ＵＶ光源１６は、コリメータレンズ１７を通して、光硬化型の樹脂を感光させるための紫外線であるＵＶ光を照射する。なお、モールドチャック１１及びモールドチャックステージ１２は、それぞれ、ＵＶ光源１６から照射されるＵＶ光をモールド１０へ通過させる図示しない開口を有する。

１８１はウエハ供給用のウエハ搬送ロボットである。ウエハ搬送ロボット１８１は、図示しないウエハカセットから押印チャック２０に転写用のウエハを供給する。１８２はウエハ回収用のウエハ搬送ロボットである。ウエハ搬送ロボット１８２は、離型チャック２１、２２から転写済みのウエハを図示しないウエハカセットへ回収する。

次に、本実施例におけるパターン転写装置（押印装置）の動作について説明する。図７は、本実施例におけるパターン転写装置の動作を示すフローチャートである。以下、図６及び図７を参照して、押印、硬化、離型の一連のパターン転写動作について説明する。なお、以下のパターン転写動作は、パターン転写装置の制御部（不図示）からの指示により実行される。

まず、図７のステップＳ１において、ウエハ搬送ロボット１８１により、ウエハ供給位置Ｐｓに位置する押印チャック２０上に、転写用のウエハ１０１が供給される。

ステップＳ２において、押印チャック２０の吸着をオン状態にして、転写用のウエハ１０１を吸着保持する。そして、ステップＳ３において、ＸＹステージ４１を＋ｘ方向に駆動して、押印チャック２０をウエハ供給位置Ｐｓからモールド１０と対向する押印位置Ｐｉへ移動させる。さらに、微動ステージ３１を駆動して、押印チャック２０のｚ方向の高さと傾きを調整する。また、ウエハ１０１の表面を、パターン転写装置の基準平面（不図示）に合わせる。押印位置Ｐｉは、レジストの成形を行う成形ステーションにある。本実施例において、押印位置Ｐｉ（成形ステーション）は、離型位置（ウエハからの離型を行う離型ステーション）を兼ねている。

次に、ステップＳ４において、リニアアクチュエータ１５、１５’を−ｚ方向に駆動して、モールドチャック１１（即ち、モールド１０）を所定位置まで下降させる。ステップＳ５では、微動ステージ３１を駆動して、モールド１０及びウエハ１０１に予め用意されたアライメントマーク（不図示）を、アライメント計測系（不図示）を用いて観察する。この観察結果に応じて、モールド１０に対するウエハ１０１のｘｙ平面内の位置が調整される。

ステップＳ６では、リニアアクチュエータ１５、１５’を−ｚ方向に駆動して、モールド１０をウエハ１０１上にスピンコート等で塗布されているレジスト（不図示の紫外線硬化樹脂）に押し付ける。

押し付け完了の判断は、モールドチャック１１の内部に設置された不図示の荷重センサによって行われる。荷重センサの出力に基づく押し付け力が所定の範囲にない場合には、モールドチャックステージ１２がモールドチャック１１のｚ方向の位置と傾きを変える。または、微動ステージ３１が押印チャック２０のｚ方向の位置と傾きを変えることにより、モールド１０の押し付け力の調整が行われる。モールド１０が所定の押し付け状態になると、ステップＳ７において、ＵＶ光源１６を用いて所定時間だけＵＶ光を照射する。ＵＶ光は、モールド１０を介してレジストに照射され、レジストを硬化させる。

次に、ステップＳ８において、押印チャック２０の吸着をオフ状態にする。ステップＳ９では、リニアアクチュエータ１５、１５’を＋ｚ方向に駆動して、モールド１０及びレジストを介してモールド１０と接着状態にある転写済みのウエハ１０１を上昇させる。

ステップＳ１０では、ＸＹステージ４１を−ｘ方向に駆動して、転写済みのウエハ１０１が除去された押印チャック２０を、ウエハ供給位置Ｐｓに戻す。ステップＳ１１では、ＸＹステージ４２を−ｘ方向に駆動して、ウエハ回収位置Ｐｒにある離型チャック２１、２２を押印位置Ｐｉへ移動させる。このとき、離型チャック２１、２２上には、ウエハは存在しない。

ステップＳ１２では、リニアアクチュエータ１５、１５’を−ｚ方向に駆動して、モールド１０と転写済みのウエハ１０１を下降させる。そして、モールド１０と接着状態にある転写済みのウエハ１０１（以降、「ウエハ１０２」と表記する。）の裏面を離型チャック２１、２２に接触させる。

ステップＳ１３では、離型チャック２１、２２の吸着をオン状態にし、転写済みのウエハ１０２を吸着保持する。続いて、ステップＳ１４では、実施例１の図３を参照して説明した手順で、離型チャック２１、２２による離型動作が行われる。

ステップＳ１５では、リニアアクチュエータ１５、１５’を＋ｚ方向（図５の矢印（４）の方向）に駆動することにより、離型が完了したモールド１０を初期位置まで上昇させる。次に、ステップＳ１６において、ＸＹステージ４２を＋ｘ方向に駆動して、離型チャック２１、２２を押印位置Ｐｉからウエハ回収位置Ｐｒまで移動させる。

ステップＳ１７では、離型チャック２１、２２の吸着をオフ状態にする。最後に、ステップＳ１８において、ウエハ搬送ロボット１８２により、離型チャック２１、２２上の転写済みのウエハ１０２を回収し、図示しないウエハカセットに収納する。

以上のようにして、本実施例のパターン転写装置において、１枚のウエハのパターン転写動作が行われる。

なお、ステップＳ１１以降の転写済みのウエハの離型動作を行う間、並行して次の転写用のウエハをウエハ供給位置Ｐｓに戻っている押印チャック２０に供給するように構成すれば、装置のスループットを向上させることが可能である。

また、レジスト（紫外線硬化樹脂）を予め転写用のウエハにスピンコート等で塗布せず、上述の離型動作と並行して、装置内に設置したディスペンサ等によって押印直前に転写用ウエハにレジストを滴下するようにしてもよい。

次に、本発明の実施例３におけるパターン転写装置（押印装置）について説明する。

図８及び図９は、本実施例におけるパターン転写装置の構成図である。また、図１０及び図１１は、本実施例におけるパターン転写装置の動作を示すフローチャートである。

図８及び図９において、離型チャックとステージの組合せを２基用意し、交互にパターン転写動作が可能となるように構成した点、及び、モールドの供給及び回収と離型のためにモールド搬送ロボットを用意した点が、図６の実施例２の構成とは異なる。図８及び図９において、図６と同じ機能を有するものは同じ番号を付し、その説明を省略する。

図８及び図９において、２１Ａ、２２Ａ、及び、２１Ｂ、２２Ｂは、図１及び図６のウエハチャック２１、２２と同じ離型動作の機能を有するウエハチャックである。本実施例では、２１Ａ及び２２ＡをチャックＡと呼び、２１Ｂ及び２２ＢをチャックＢと呼ぶ。

３Ａ、３Ｂは、それぞれのウエハチャック（チャックＡ、チャックＢ）の微動ステージであり、同様に、４Ａ、４ＢはそれぞれのＸＹステージである。６Ａ、６Ｂは、チャックＡ及びチャックＢそれぞれの微動ステージ用の参照ミラーであり、７Ａはレーザ干渉計（７Ｂは不図示）である。

また、１０Ａはモールド、１９はモールド搬送ロボット（型搬送部）、１９Ｈはモールド搬送ロボットのモールド保持用ハンド（型保持部）である。モールド保持用ハンド１９Ｈはモールド１０Ａを保持し、モールド搬送ロボット１９はモールド１０Ａを搬送する。モールド保持用ハンド１９Ｈは、モールド搬送ロボット１９の一部として構成されている。

以上のように構成されたパターン転写装置の動作について、図１０及び図１１のフローチャートも参照して説明する。

図１０において、ステップＳ１０１からステップＳ１０７までは、図７のステップＳ１からステップＳ７までと同じである。すなわち、ウエハ供給位置Ｐｓでウエハ搬送ロボット１８１によりチャックＡ（２１Ａ、２２Ａ）上に転写用のウエハ１０１が載置され、押印位置Ｐｉ（成形ステーション）まで移動する。そして、モールド１０Ａにより押印された後、ウエハ１０１上のレジストに、ＵＶ光が照射される。

続いて、ステップＳ１０８では、モールドチャック１１の吸着をオフ状態にする。ステップＳ１０９においては、リニアアクチュエータ１５、１５’を＋ｚ方向に駆動して、モールドチャック１１を上昇させる。この結果、モールド１０Ａはモールドチャック１１から外れ、ＵＶ光の照射により硬化したレジストを介して、接着状態で転写済みのウエハ（以降、「ウエハ１０２」と表記する）上に載置された状態となる。

次に、ステップＳ１１０において、ＸＹステージ４Ａを＋ｘ方向に駆動して、チャックＡ（２１Ａ、２２Ａ）を離型位置Ｐｄに移動させる。
離型位置Ｐｄは、ウエハからの離型を行う離型ステーションにある。

ステップＳ１１１では、モールドＭａ（モールド１０Ａ）とは異なるモールドＭｂ（モールド１０Ｂ）を、モールド搬送ロボット１９を用いて、図示しないモールド収納ケースからモールドチャック１１まで搬送して設置する。これは、次のウエハへのパターン転写用であり、モールドＭａ（モールド１０Ａ）とモールドＭｂ（モールド１０ｂ）の被転写パターンは、同一のパターン又は異なるパターンのいずれでもよい。

図１０に示されるフローは、ここで２つに別れる。一方のフローにおけるステップＳ１９０では、次のウエハを転写するか否かの判定を行う。
ステップＳ１９０において次のウエハを転写すると判定された場合、図１０に示される分岐Ｂに進む。分岐Ｂ以降のステップは、ステップＳ１１２以降のもう一方のフローと並列して実行される。

ステップＳ１９０において次のウエハを転写しないと判定された場合、分岐Ｂに進まずに何もすることなく、もう一方のフローに戻る。もう一方のフローでは、ステップＳ１１２において、モールド搬送ロボット１９のモールド保持用ハンド１９Ｈにより、モールドＭａ（モールド１０Ａ）が保持される。すなわち、図９に示されるように、モールド１０Ａを、モールド搬送ロボット１９のモールド保持用ハンド１９Ｈと、レジスト及びウエハ１０２を介したチャックＡ（２１Ａ、２２Ａ）とで同時に保持する。

続いて、ステップＳ１１３では、図７のステップＳ１４と同様の動作により、離型動作が行われ、モールドＭａ（モールド１０Ａ）とウエハ１０２とが分離される。ステップＳ１１４では、モールド搬送ロボット１９により、モールドＭａ（モールド１０Ａ）が図示しないモールド収納ケースに回収される。そしてステップＳ１１５では、ＸＹステージ４Ａを＋ｘ方向に駆動して、チャックＡ（２１Ａ、２２Ａ）を離型位置Ｐｄからウエハ回収位置Ｐｒに移動させる。

ステップＳ１１６において、チャックＡ（２１Ａ・２２Ａ）の吸着をオフ状態にする。最後に、ステップＳ１１７において、チャックＡ（２１Ａ、２２Ａ）上の転写済みのウエハ１０２をウエハ搬送ロボット１８２を用いて図示しないウエハカセットに回収し、１枚のウエハのパターン転写が終了する。

２枚目のウエハ２０１については、上述のモールドＭｂ（モールド１０Ｂ）を使用して、図１１に示されるように、図１０と同様のフローによりパターンの転写が行われる。３枚目以降のパターン転写は、分岐Ｄへと続くが、上述と同様のフローで転写が行われるため、フローの図示と説明は省略する。

このように、本実施例の押印装置（パターン転写装置）は、押印及び硬化後の離型を押印位置とは別の位置で行うことにより、次のウエハへのパターン転写を並行して行うことができる。このため、本実施例によれば、押印装置のスループットを向上させることが可能となる。
［物品の製造方法の実施形態］
物品としてのデバイス（半導体集積回路素子、液晶表示素子等）の製造方法は、前述したインプリント装置（押印装置）を用いて基板（ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板等）にパターンを転写（形成）するステップを含む。さらに、パターンを転写された前記基板をエッチングするステップを含みうる。なお、パターンドメディア（記録媒体）や光学素子などの他の物品を製造する場合には、エッチングステップの代わりに、パターンを転写された前記基板を加工する他の加工ステップを含みうる。

本実施形態のデバイス製造方法は、デバイスの性能、品質、生産性および生産コストの少なくとも一つにおいて従来よりも有利である。

以上のとおり、上記各実施例の押印装置によれば、石英のような剛性の高いモールドを使用し、かつ、大面積を一括転写するナノインプリントであっても、パターン転写後のモールドの離型に必要とされる力が小さくて済む。このため、離型時のパターン損壊の発生は抑制され、スループットと歩留りを向上させた押印装置を提供することができる。また、スループットと歩留りを向上させたデバイス製造方法を提供することができる。

以上、本発明の実施例について具体的に説明した。ただし、本発明は上記実施例として記載された事項に限定されるものではなく、本発明の技術思想を逸脱しない範囲内で適宜変更が可能である。

１００、１０１、１０２、２０１：ウエハ
２０、２１、２２、２１Ａ、２２Ａ、２１Ｂ、２２Ｂ：ウエハチャック
１０、１０Ａ、１０Ｂ：モールド
Ｍｐ：レジスト

Claims (6)

1. 型による基板上の樹脂の成形と、前記基板からの離型とを行って、前記樹脂のパターンを前記基板上に形成するインプリント装置であって、
   前記基板の裏面をその端部において保持する第１保持部と、
   前記基板の裏面を前記端部とは異なる部分において保持する第２保持部と、
   前記第１保持部及び前記第２保持部を互いに相対的に移動させる駆動部と、
   を有し、
   前記第２保持部の可撓性は、前記第１保持部の可撓性より高い、
   ことを特徴とすることを特徴とするインプリント装置。
2. 前記駆動部は、前記第２保持部に対して前記第１保持部を移動させて前記基板からの離型を一部行った後に、前記第１保持部および前記第２保持部を移動させて前記基板からの離型を完了する、ことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
3. 前記第２保持部に対する前記第１保持部の移動は、前記第１保持部と前記第２保持部との境界線に平行な軸の周りの前記第１保持部の回転を含む、ことを特徴とする請求項１又は２に記載のインプリント装置。
4. 前記第１保持部の可撓性及び前記第２保持部の可撓性は、前記基板の可撓性より高い、ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のインプリント装置。
5. 前記成形を行う成形ステーションと、
   前記離型を行う離型ステーションと、
   を有する、ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のインプリント装置。
6. 請求項１乃至５のいずれかに記載のインプリント装置を用いて樹脂のパターンを基板上に形成する工程と、
   前記工程で前記パターンを形成された基板を加工する工程と、
   を有することを特徴とする物品の製造方法。