JP2010266887A - Retardation plate, and display - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、液晶材料を用いた位相差板およびそれを備えた表示装置に関する。 The present invention relates to a retardation plate using a liquid crystal material and a display device including the same.
近年、3次元表示が可能なディスプレイの開発が進んでいる。3次元表示方式としては、例えば、右眼用の画像と左眼用の画像とをそれぞれディスプレイの画面に表示し、これを偏光めがねをかけた状態で観察する方式がある(例えば、特許文献1参照)。この方式は、2次元表示が可能なディスプレイ、例えばブラウン管、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイの前面に、パターニングされた位相差板を配置することで実現される。このような位相差板では、左右の眼にそれぞれ入射する光の偏光状態を制御するために、リタデーションや光学軸をディスプレイの画素レベルでパターニングすることが必要となる。 In recent years, a display capable of three-dimensional display has been developed. As a three-dimensional display method, for example, there is a method of displaying an image for the right eye and an image for the left eye on a display screen and observing the image with polarized glasses (for example, Patent Document 1). reference). This method is realized by arranging a patterned retardation plate on the front surface of a display capable of two-dimensional display, for example, a cathode ray tube, a liquid crystal display, or a plasma display. In such a phase difference plate, it is necessary to pattern retardation and optical axes at the pixel level of the display in order to control the polarization state of light incident on the left and right eyes, respectively.
例えば、特許文献1,2では、液晶材料や位相差材料を、フォトレジストなどを用いて部分的にパターニングすることにより、上記のような位相差板を作製する手法が開示されている。ところが、このような手法では、プロセスステップ数が多く、低コストで製造しにくいという問題があった。そこで、特許文献3には、光配向膜を用いてパターニングを行うことにより位相差板を作製する手法が開示されている。具体的には、基板上に光配向膜を形成したのち、この光配向膜を、偏光紫外線を用いてパターニングする。こののち、パターニングした光配向膜上に、重合性を有する液晶材料(以下、液晶性モノマーという)を塗布し、液晶分子を所望の方向に配向させる。こののち、紫外線を照射して液晶性モノマーを重合させることにより、位相差板を作製する。また、液晶ディスプレイにおいては、ポリイミド配向膜にラビング処理を施すことによりパターニングを行う手法がよく用いられている。
For example,
しかしながら、上記特許文献3の光配向膜を用いる手法や、ポリイミド配向膜にラビング処理を施す手法では、配向膜において光吸収や色づきが生じて透過率が低下し、利用効率が低下してしまうという問題があった。また、光配向膜による手法では、パターニングの際に偏光紫外線を用いて部分照射を行う必要があるため、プロセスステップ数が多くなるという問題があった。
However, in the method using the photo-alignment film of
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、簡易な工程で製造することができると共に、光利用効率の低下を抑制することが可能な位相差板およびそれを備えた表示装置を提供することにある。 The present invention has been made in view of such problems, and an object thereof is to provide a retardation plate that can be manufactured by a simple process and can suppress a decrease in light utilization efficiency, and a display including the retardation plate. To provide an apparatus.
本発明の位相差板は、特定の方向に延在する複数の溝を表面に有する基板と、基板の表面に接して設けられ、複数の溝の延在方向に沿って配向した重合性液晶材料を含む位相差層とを備えたものである。なお、本発明における基板は、板状やフィルム状の基材であり、また、このような基材上に他の樹脂層などを積層した構成であってもよい。本発明の位相差板において、複数の溝によって形成されたパターンは、周期構造を有している。ここで、上記周期構造は、例えば、凹凸のピッチにおいて2〜10%の広がりを有しており、凹凸の角度において3〜8°の広がりを有している。 The retardation plate of the present invention includes a substrate having a plurality of grooves extending in a specific direction on the surface, and a polymerizable liquid crystal material provided in contact with the surface of the substrate and aligned along the extending direction of the plurality of grooves And a retardation layer including the same. In addition, the board | substrate in this invention is a plate-shaped or film-shaped base material, and the structure which laminated | stacked another resin layer etc. on such a base material may be sufficient. In the retardation plate of the present invention, the pattern formed by the plurality of grooves has a periodic structure. Here, the periodic structure has, for example, a spread of 2 to 10% at the pitch of the unevenness and a spread of 3 to 8 ° at the angle of the unevenness.
本発明の位相差板では、基板の表面に設けられた複数の溝の延在方向に沿って重合性液晶材料が配向していることにより、溝の延在方向に基づいて光学軸が形成され、位相差特性が発揮される。ここで、位相差層が基板表面に接して設けられていることにより、すなわち、位相差層と基板との界面付近に光配向膜やラビング用の配向膜が設けられていないことにより、界面付近での光損失が低減される。 In the retardation plate of the present invention, the polymerizable liquid crystal material is oriented along the extending direction of the plurality of grooves provided on the surface of the substrate, so that the optical axis is formed based on the extending direction of the grooves. The phase difference characteristic is exhibited. Here, when the retardation layer is provided in contact with the substrate surface, that is, near the interface between the retardation layer and the substrate, no photo-alignment film or rubbing alignment film is provided. The optical loss at is reduced.
本発明の表示装置は、光源と、光源からの光に基づいて表示を行う表示セルと、表示セルの光源側に設けられた第1偏光子および表示側に設けられた第2偏光子とを備え、第1偏光子および第2偏光子のうち、少なくとも一の偏光子の光出射側に上記本発明の位相差板を備えたものである。 The display device of the present invention includes a light source, a display cell that performs display based on light from the light source, a first polarizer provided on the light source side of the display cell, and a second polarizer provided on the display side. The retardation plate of the present invention is provided on the light exit side of at least one of the first polarizer and the second polarizer.
参考例に係る位相差板の製造方法は、基板の表面に、特定の方向に延在する複数の溝を形成する工程と、複数の溝を形成した基板の表面に、重合性を有する液晶材料を塗布する工程と、液晶材料を重合させる工程とを含むものである。本発明の位相差板の製造方法において、複数の溝によって形成されたパターンは、周期構造を有している。ここで、上記周期構造は、例えば、凹凸のピッチにおいて2〜10%の広がりを有しており、凹凸の角度において3〜8°の広がりを有している。 A method of manufacturing a retardation plate according to a reference example includes a step of forming a plurality of grooves extending in a specific direction on a surface of a substrate, and a liquid crystal material having a polymerization property on the surface of the substrate formed with the plurality of grooves. And a step of polymerizing a liquid crystal material. In the method for producing a retardation plate of the present invention, the pattern formed by the plurality of grooves has a periodic structure. Here, the periodic structure has, for example, a spread of 2 to 10% at the pitch of the unevenness and a spread of 3 to 8 ° at the angle of the unevenness.
参考例に係る位相差板の製造方法では、複数の溝を形成した基板の表面に、重合性を有する液晶材料を塗布することにより、液晶分子は、溝の形状により溝の延在方向に基づいて配向する。その後、上記液晶材料を重合させることにより、液晶分子の配向状態が固定される。 In the method of manufacturing a retardation plate according to the reference example, a liquid crystal material having a polymerizable property is applied to the surface of a substrate on which a plurality of grooves are formed, so that liquid crystal molecules are based on the extending direction of the grooves depending on the shape of the grooves. Orient. Thereafter, the liquid crystal material is polymerized to fix the alignment state of the liquid crystal molecules.
本発明の位相差板および参考例に係る位相差板の製造方法によれば、複数の溝を有する基板表面に接して位相差層を設け、すなわち光配向膜やラビング用の配向膜を用いることなく、基板上の溝によって重合性液晶材料を配向させている。これにより、上記のような配向膜を用いる場合に比べ、基板と位相差層との界面付近における光損失を低減させることができる。よって、簡易な工程で製造できると共に、光利用効率の低下を抑制することが可能となる。また、本発明の表示装置によれば、上記位相差板を、表示セルの光源側もしくは表示側に設けるようにしたので、位相差板を例えば偏光めがねを用いた立体視用の位相差板や視野角補償フィルムとして用いる場合に、明るい表示を行うことが可能となる。 According to the retardation plate of the present invention and the retardation plate manufacturing method according to the reference example, a retardation layer is provided in contact with the substrate surface having a plurality of grooves, that is, a photo-alignment film or an alignment film for rubbing is used. The polymerizable liquid crystal material is aligned by the grooves on the substrate. Thereby, compared with the case where the above alignment films are used, the optical loss near the interface between the substrate and the retardation layer can be reduced. Therefore, it is possible to manufacture with a simple process and to suppress a decrease in light utilization efficiency. Further, according to the display device of the present invention, since the retardation plate is provided on the light source side or the display side of the display cell, the retardation plate is a stereoscopic retardation plate using, for example, polarized glasses, When used as a viewing angle compensation film, bright display can be performed.
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
1.実施の形態(位相差領域の光学軸がストライプ方向と+45°,−45°をなす例)
2.変形例1(位相差領域の光学軸がストライプ方向と0°,+90°をなす例)
3.変形例2(位相差領域のリタデーションを液晶材料により変化させる例)
4.変形例3(位相差領域のリタデーションを液晶材料・厚みにより変化させる例)
5.変形例4(基板表面の部分的な領域にのみ位相差層を形成する例)
6.変形例5(位相差領域の光学軸が基板面内の一方向にのみ形成されている例)
7.変形例6(転写用型の溝を、端面に研削加工痕を有する金属薄板を重ね合わせることにより形成する例)
8.変形例7(転写用型の溝を、傾けて回転させた砥石による加工により形成する例)
9.変形例8(転写用型の溝を、バイトによる加工により形成する例)
10.変形例9(転写用型の溝を、溝の圧力転写により形成する例)
11.変形例10(転写用型の溝を、超短パルスレーザを用いて形成する例)
12.適用例1(3Dディスプレイ)
13.適用例2(2次元表示用のディスプレイ)
14.適用例3(半透過型の2次元表示用のディスプレイ)
15.実施例1(電子線描画にて形成したレジスト層を用いて溝を形成した例)
16.実施例2(超短パルスレーザにて形成した平板型を用いて溝を形成した例)
17.実施例3(実施例2とは異なる材料の基板を用いて溝を形成した例)
18.実施例4(超短パルスレーザにて形成した型ロールを用いて溝を形成した例)
19.実施例5(実施例2とは異なる材料の基板を用いて溝を形成した例)
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The description will be given in the following order.
1. Embodiment (example in which the optical axis of the retardation region forms + 45 ° and −45 ° with the stripe direction)
2. Modification 1 (example in which the optical axis of the retardation region forms 0 ° and + 90 ° with the stripe direction)
3. Modification 2 (example in which retardation of retardation region is changed by liquid crystal material)
4). Modification 3 (example in which retardation of retardation region is changed by liquid crystal material and thickness)
5). Modification 4 (example in which a retardation layer is formed only in a partial region of the substrate surface)
6). Modification 5 (example in which the optical axis of the retardation region is formed only in one direction within the substrate surface)
7). Modification 6 (Example in which the groove of the transfer mold is formed by superimposing a metal thin plate having grinding marks on the end face)
8). Modified example 7 (example in which the groove of the transfer mold is formed by processing with an inclined and rotated grindstone)
9. Modification 8 (Example in which a groove of a transfer mold is formed by processing with a cutting tool)
10. Modification 9 (Example in which the groove of the transfer mold is formed by pressure transfer of the groove)
11. Modification 10 (Example of forming a transfer mold groove using an ultrashort pulse laser)
12 Application example 1 (3D display)
13. Application example 2 (display for two-dimensional display)
14 Application Example 3 (Semi-transmissive 2D display)
15. Example 1 (Example of forming a groove using a resist layer formed by electron beam drawing)
16. Example 2 (Example in which a groove is formed using a flat plate formed by an ultrashort pulse laser)
17. Example 3 (Example in which a groove is formed using a substrate made of a material different from that in Example 2)
18. Example 4 (Example of forming a groove using a die roll formed by an ultrashort pulse laser)
19. Example 5 (Example in which a groove is formed using a substrate made of a material different from that in Example 2)
[位相差板10の構成]
図1(A)は、本発明の一実施の形態に係る位相差板10の断面構成の一例を表すものである。図1(B)は、図1(A)の基板11を表面側からみたものである。位相差板10では、基板11の表面に溝領域11A,11Bがパターニングされており、この基板11の表面に接して位相差層12が形成されている。
[Configuration of Retardation Plate 10]
FIG. 1A illustrates an example of a cross-sectional configuration of a
基板11は、例えばプラスチックなどの熱可塑性を有する材料、具体的には、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスチレンなどから構成されている。また、位相差板10を、後述の偏光めがね方式による3次元表示用に用いる場合には、基板11の位相差はできるだけ小さい方が好ましいので、非晶質シクロオレフィンポリマーや脂環式アクリル樹脂、ノルボルネン系樹脂から構成されることが好ましい。基板11の厚みは、例えば30μm〜500μmである。本実施の形態では、従来のように配向膜を用いて液晶分子を配向させる場合と異なり、高温での加熱処理を必要としないため、ガラス材料などに比べて、加工し易く、かつ安価なプラスチック材料を用いることができる。
The
基板11は、例えば単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。基板11が多層構造となっている場合には、基板11は、例えば、図2に示したように、基材31の表面に樹脂層32が形成された2層構造となっている。ここで、樹脂層32は、上記特許文献3の光配向膜や、ポリイミド配向膜とは異なっており、樹脂層32において光吸収や色づきはほとんど生じない。なお、図2には、基板11の最表層に形成された樹脂層32に、上述した溝領域11A,11Bがパターニングされている場合が例示されている。
The
溝領域11A,11Bは、基板11の表面において、例えばストライプ状に、交互に配列している。これらのストライプ幅は、例えば表示装置(後述)における画素ピッチと同等の幅となっている。このうち、溝領域11Aは、複数の溝111aが配列したものであり、これら複数の溝111aは、互いに同一の方向d1に沿って延在している。溝領域11Bは、複数の溝111bが配列したものであり、これら複数の溝111bが互いに同一の方向d2に沿って延在している。また、方向d1,d2は、互いに直交している。但し、本実施の形態では、方向d1,d2は、溝領域11A,11Bのストライプ方向Sに対してそれぞれ、−45°,+45°の角度をなしている。
The
位相差層12は、ストライプ状の位相差領域12a,12bが交互に配列して構成されたものである。これらの位相差領域12a,12bは、上記溝領域11A,11Bのそれぞれに対向して設けられ、互いに位相差特性が異なっている。具体的には、位相差領域12aでは、溝領域11Aにおける溝111aの延在方向d1を光学軸とし、位相差領域12bでは、溝領域11Bにおける溝111bの延在方向d2を光学軸として、それぞれ所定のリタデーション値が設定されている。本実施の形態では、位相差領域12a,12bは、光学軸方向が異なり、リタデーションの絶対値は互いに等しくなっている。
The
ここで、図3および図4(A),(B)を参照して、溝領域11A,11Bおよび位相差層12の詳細な構成について説明する。但し、図3は、溝領域11Aと位相差領域12aとの界面付近の様子の一例を模式的に表す斜視図である。図4(A)は図3の界面付近の上面図であり、図4(B)は断面図である。なお、溝領域11Aおよび溝領域11Bは、溝111a,111bのそれぞれの延在方向以外は、同様の構成となっているため、ここでは、溝領域11Aを例に挙げて説明する。
Here, with reference to FIG. 3 and FIG. 4 (A), (B), the detailed structure of groove area |
溝領域11Aにおいて、各溝111aの断面形状は、例えばV字状となっている。言い換えると、溝領域11A全体の断面形状は、鋸歯状となっている。このような溝111aの形状は、例えば後述する型を用いた転写によって一括形成される。
In the
位相差層12は、例えば重合した高分子液晶材料を含んで構成されたものである。すなわち、位相差層12では、液晶分子120の配向状態が固定されている。高分子液晶材料としては、相転移温度(液晶相−等方相)、液晶材料の屈折率波長分散特性、粘性特性、プロセス温度などに応じて選定された材料が用いられる。但し、重合基としてアクリロイル基あるいはメタアクリロイル基を有していることが、透明性の観点から好ましい。また、重合性官能基と液晶骨格との間にメチレンスペーサのない材料を用いることが好ましい。プロセス時の配向処理温度を低くすることができるためである。この位相差層12の厚みは、例えば0.1μm〜10μmである。なお、位相差層12が、重合した高分子液晶材料を含んで構成されている場合に、位相差層12が、重合した高分子液晶材料だけで構成されている必要はなく、その一部に未重合の液晶性モノマーを含んでいてもよい。位相差層12に含まれる未重合の液晶性モノマーは、後述の配向処理(加熱処理)によって、その周囲に存在する液晶分子120の配向方向と同様の方向に配向しており、高分子液晶材料の配向特性と同様の配向特性を有しているからである。
The
このような溝領域11Aと位相差領域12aとの界面付近では、液晶分子120の長軸が、溝111aの延在方向d1に沿うように配列している。また、図示しない位相差領域12aの上層の液晶分子120についても、下層の液晶分子120の配向方向に倣うように方向d1に沿って配向している。すなわち、溝領域11Aにおいて方向d1に延在する溝111aの形状により、液晶分子120の配向が制御され、位相差領域12aの光学軸が設定される。
In the vicinity of the interface between the
また、上記位相差層12において、位相差領域12a,12bの構成材料や厚みを調整することにより、位相差層12のリタデーション値が設定される。この位相差層12のリタデーション値は、基板11が位相差を有する場合には、この基板11の位相差をも考慮して設定されることが好ましい。なお、本実施の形態では、位相差領域12a,12bは互いに同一の材料および厚みにより構成され、これにより、上述したようにリタデーションの絶対値が互いに等しくなっている。
Moreover, in the said
[位相差板10の製造方法]
次いで、上記位相差板10の製造方法について説明する。最初に、熱転写法により基板11を製造する場合について説明し、続いて、いわゆる2P成型法(Photo Polymerization:光硬化を利用した成型法)により基板11を製造する場合について説明する。その後、これらの方法により製造された基板11を利用して位相差板10を製造する方法について説明する。
[Manufacturing Method of Retardation Plate 10]
Next, a method for manufacturing the
図5は、熱転写法により基板11を製造する過程を示したものである。図5に示したように、基板11の表面に溝領域11A,11Bをパターニングする。このときの基板11は、単層構造となっていてもよいし、多層構造(例えば、基材の表面に樹脂層が形成された2層構造)となっていてもよい。このとき、例えば、溝領域11A,11Bの反転パターンが形成された型ロール112を用いた転写により、溝領域11A,11Bを一括形成する。すなわち、上述した材料よりなる基板11をガラス転移温度付近まで加熱し、この加熱した基板11の表面に型ロール112を押し当てたのち、冷却、離型することにより、基板11上の全面に溝領域11A,11Bを形成する。これにより、図6に示したように、基板11の表面に溝領域11A,11Bがストライプ状に交互に形成される。
FIG. 5 shows a process of manufacturing the
上記型ロール112の材料としては、例えば、NiP、銅(Cu)およびステンレスなどの金属材料や、石英、シリコン、炭化ケイ素、サファイア、ダイヤモンドなどを用いることができる。型ロール112は、このような材料よりなる基材の表面に、例えばバイト切削や各種リソグラフィ法などを用いて反転パターンを形成したのち、この基材をロールに巻き付けることにより形成する。なお、バイト切削の場合には、型ロール112の材料としてはNiPを用いることが好ましい。また、転写用の型としては、本実施の形態のようなロール状の型ロール112を用いてもよいが、平板状の型を用いるようにしてもよい。但し、ロール状の型を用いた方が、量産性を向上させることができる。
Examples of the material of the
図7は、2P成型法により基板11を製造する装置の一例を表したものである。2P成型法では、例えば、基材上に紫外線や電子線で硬化する樹脂材料を塗布して樹脂層を形成し、形成した樹脂層の上から溝領域の反転パターンを有する型を押し当てる。この後、紫外線や電子線などのエネルギー線を照射して樹脂層を硬化させることにより、型のパターンを樹脂層の表面に転写するようにしている。以下に、図7に記載の製造装置の構成と、この製造装置を用いた基板11の製造方法とについて説明する。
FIG. 7 shows an example of an apparatus for manufacturing the
図7に記載の製造装置は、巻き出しロール200と、ガイドロール220,230,250,260と、ニップロール240と、型ロール112と、巻き取りロール270と、吐出機280と、紫外線照射機290とを備えたものである。ここで、巻き出しロール200は、フィルム状の基材31を同心円状に巻いたものであり、基材31を供給するためものである。巻き出しロール200から巻き出された基材31は、ガイドロール220、ガイドロール230、ニップロール240、型ロール112、ガイドロール250、ガイドロール260の順に流れて行き、最後に巻き取りロール270で巻き取られるようになっている。ガイドロール220,230は、巻き出しロール200から供給された基材31をニップロール240に導くためのものである。ニップロール240は、ガイドロール230から供給された基材31を型ロール112に押し当てるものである。型ロール112は、ニップロール240と所定の間隙を介して配置されている。型ロール112の周面には、溝領域11A,11Bの反転パターンが形成されている。ガイドロール250は、型ロール112に巻きついている基板31を剥がすためのものである。また、ガイドロール260は、ガイドロール250によって剥がされた基板31を巻き取りロール270に導くためのものである。吐出機280は、巻き出しロール200から供給された基板31のうちガイドロール230と接する部分と所定の間隙を介して設けられている。吐出機280は、紫外線や電子線で硬化する液状の樹脂材料に光重合開始剤などの添加物が必要に応じて添加された組成物32Aを、基板31上に滴下するようになっている。紫外線照射機290は、巻き出しロール200から供給された基板31のうちニップロール240を
通過した後の部分であって、かつ型ロール112と接している部分に対して紫外線を照射するようになっている。
7 includes an
このような構成の製造装置を用いて、基板11を形成する。具体的には、まず、巻き出しロール200から巻き出した基材31を、ガイドロール220を介してガイドロール230に導いたのち、基材31上に、組成物32Aを吐出機280から滴下する。吐出機280から滴下された組成物32Aをニップロール240で、基材31を介して型ロール112の周面に押し当てる。これにより、組成物32Aが型ロール112の周面に隙間無く接し、組成物32Aに、型ロール112の周面に形成された凹凸形状が転写される。
The board |
その後、紫外線照射機290から、組成物32Aに対して紫外線UVを照射する。これにより、組成物32Aに含まれる液晶性モノマが重合するので、液晶性モノマが型ロール112の周面に形成された凹凸形状の延在方向に配向した高分子液晶となる。最後に、ガイドロール250で、基板31を型ロール112から剥離したのち、ガイドロール260を介して巻き取りロール270に巻き取る。このようにして、重合した高分子液晶材料を含む樹脂層32を基材31の表面に有する基板11が形成される。
Thereafter, the
なお、基材31が紫外線UVを透過しない材料である場合には、型ロール112を、紫外線UVを透過する材料(例えば石英)で構成し、型ロール112の内部から組成物32Aに対して紫外線UVを照射するようにしてもよい。
In the case where the
次に、上述した方法により製造された基板11を利用して位相差板10を製造する方法について説明する。
Next, a method for manufacturing the
図9(A),(B)は、基板11を利用して位相差板10を製造する過程を示したものである。なお、図9(A),(B)には、2P成型法により製造された基板11を用いた場合が例示されている。図9(A)に示したように、溝領域11A,11Bがパターニングされた基板11の表面に、液晶性モノマーを含む液晶層12−1を、例えばロールコータなどでコーティングして形成する。このとき、液晶層12−1として、重合性官能基と液晶骨格の間にメチレンスペーサのない高分子化合物を用いることにより、室温付近でネマティック相を示すため、後の工程における配向処理の加熱温度を低くすることができる。
FIGS. 9A and 9B show a process of manufacturing the
このとき、液晶層12−1には、必要に応じて、液晶性モノマーを溶解させるための溶媒、重合開始剤、重合禁止剤、界面活性剤、レベリング剤などを用いることができる。溶媒としては、特に限定されないが、液晶性モノマーの溶解性が高く、室温での蒸気圧が低く、また室温で蒸発しにくいものを用いることが好ましい。室温で蒸発しにくい溶媒としては、例えば、1−メトキシ−2−アセトキシプロパン(PGMEA)、トルエン、メチルエチルケトン(MEK)、メチルイソブチルケトン(MIBK)などが挙げられる。これは、室温で蒸発しやすい溶媒を用いると、液晶層12−1を塗布形成後の溶媒の蒸発速度が速すぎて、溶媒の蒸発後に形成される液晶性モノマーの配向に乱れが生じやすくなるためである。この乱れは、液晶相−等方相間の相転移温度以上の温度に加熱した後、徐々に冷却する配向処理(後述)を行っても、改善できない傾向がある。 At this time, a solvent for dissolving the liquid crystalline monomer, a polymerization initiator, a polymerization inhibitor, a surfactant, a leveling agent, and the like can be used as necessary for the liquid crystal layer 12-1. Although it does not specifically limit as a solvent, It is preferable to use the thing with the high solubility of a liquid crystalline monomer, low vapor pressure at room temperature, and being hard to evaporate at room temperature. Examples of the solvent that hardly evaporates at room temperature include 1-methoxy-2-acetoxypropane (PGMEA), toluene, methyl ethyl ketone (MEK), and methyl isobutyl ketone (MIBK). This is because if a solvent that easily evaporates at room temperature is used, the evaporation rate of the solvent after coating and forming the liquid crystal layer 12-1 is too high, and the orientation of the liquid crystalline monomer formed after the evaporation of the solvent tends to be disturbed. Because. This disorder tends to be unable to be improved even by performing an alignment treatment (described later) that is gradually cooled after heating to a temperature equal to or higher than the phase transition temperature between the liquid crystal phase and the isotropic phase.
続いて、基板11の表面に塗布された液晶層12−1の液晶性モノマーの配向処理(加熱処理)を行う。この加熱処理は、液晶性モノマーの相転移温度以上、溶媒を用いた場合には、この溶媒が乾燥する温度以上の温度、例えば50℃〜130℃で行うようにする。但し、昇温速度や保持温度、時間、降温速度などを制御することが重要である。例えば、相転移温度52℃の液晶性モノマーを、固形分が30重量%となるように、1−メトキシ−2−アセトキシプロパン(PGMEA)に溶解した液晶層12−1を用いた場合には、まず、液晶性モノマーの相転移温度(52℃)以上で溶媒が乾燥する温度、例えば70℃程度に加熱し、数分程度保持する。
Subsequently, alignment treatment (heating treatment) of the liquid crystalline monomer of the liquid crystal layer 12-1 applied to the surface of the
ここで、前工程における液晶性モノマーのコーティングによって、液晶性モノマーと基板との界面にずり応力が働き、流れによる配向(流動配向)や力による配向(外力配向)が生じ、液晶分子が意図しない方向に配向してしまうことがある。上記加熱処理は、このような意図しない方向に配向してしまった液晶性モノマーの配向状態を一旦キャンセルするために行われる。これにより、液晶層12−1では、溶媒が乾燥して液晶性モノマーのみとなり、その状態は等方相となる。 Here, the coating of the liquid crystalline monomer in the previous step causes shear stress to act on the interface between the liquid crystalline monomer and the substrate, resulting in flow orientation (flow orientation) and force orientation (external force orientation), and liquid crystal molecules are not intended. May be oriented in the direction. The heat treatment is performed in order to temporarily cancel the alignment state of the liquid crystalline monomer that has been aligned in such an unintended direction. Thereby, in the liquid crystal layer 12-1, the solvent is dried to become only the liquid crystalline monomer, and the state is an isotropic phase.
この後、相転移温度(52℃)よりも少し低い温度、例えば47℃まで1〜5℃/分程度で徐冷する。このように、相転移温度以下の温度に降温することにより、液晶性モノマーは、基板11の表面に形成された溝領域11A,11Bのパターンに応じて配向する。すなわち、液晶性モノマーが溝111a,111bの延在方向d1,d2に沿って配向する。
Then, it is gradually cooled at a temperature slightly lower than the phase transition temperature (52 ° C.), for example, 47 ° C. at about 1 to 5 ° C./min. Thus, by lowering the temperature to a temperature equal to or lower than the phase transition temperature, the liquid crystalline monomer is aligned according to the pattern of the
続いて、図9(B)に示したように、配向処理後の液晶層12−1に対して、例えば紫外線UVを照射することにより、液晶性モノマーを重合させる。なお、このとき、処理温度は、一般に室温付近であることが多いが、リタデーション値を調整するために温度を相転移温度以下の温度まで上げるようにしてもよい。また、紫外線UVに限らず、熱や電子線などを用いるようにしてもよい。但し、紫外線UVを用いた方がプロセスの簡便化を図ることができる。これにより、方向d1,d2に沿って液晶分子120の配向状態が固定され、位相差領域12a、12bが形成される。以上により、図2に示した位相差板10を完成する。
Subsequently, as shown in FIG. 9B, the liquid crystalline monomer is polymerized by, for example, irradiating ultraviolet rays UV to the liquid crystal layer 12-1 after the alignment treatment. At this time, the treatment temperature is generally near room temperature, but the temperature may be raised to a temperature equal to or lower than the phase transition temperature in order to adjust the retardation value. Moreover, not only ultraviolet rays UV but heat, an electron beam, etc. may be used. However, the process can be simplified by using ultraviolet rays UV. Thereby, the alignment state of the
次いで、位相差板10およびその製造方法の作用、効果について説明する。
Next, operations and effects of the
[位相差板10の作用]
位相差板10では、基板11の裏面側もしくは位相差層12の表面側から、位相差領域12a,12bに光が入射すると、位相差領域12a,12bのそれぞれの位相差特性に基づいて偏光状態が変化した出射光が得られる。このとき、位相差領域12a,12bは、互いに同一の材料および厚みにより構成され、各領域における液晶分子120はそれぞれ、溝111a,111bの延在方向d1,d2に沿って配向している。よって、位相差領域12a,12bでは、光学軸をそれぞれ方向d1,d2とし、かつリタデーション値が互いに等しい位相差特性が発揮される。
[Operation of retardation plate 10]
In the
ここで、比較例として、配向膜を用いて位相差特性のパターニングがなされた位相差板100について、図10(A),(B)を参照して説明する。位相差板100では、基板101上に、配向膜102A,102Bがストライプ状に交互に設けられ、これらの配向膜102A,102B上に位相差層103が形成されている。配向膜102A,102Bは、互いに直交する配向制御方向d1,d2を有している。位相差層103には、配向膜102A,102Bのパターンに対応して、互いに位相差特性の異なる位相差領域103a,103bが形成されている。配向膜102A,102Bとしては、例えば、ラビングした水平用ポリイミド配向膜、垂直用ポリイミド配向膜、斜方蒸着SiO、光配向膜、LB膜などが挙げられる。このような配向膜102A,102Bを用いた場合には、これらの配向膜102A,102Bによって、光吸収や色づきが生じて透過率が低下し、これにより光損失が生じて光利用効率が低下してしまう。
Here, as a comparative example, a
これに対し、本実施の形態では、位相差層12が基板11の表面に接した構成となっている。すなわち、位相差層12と基板11との界面付近には、上記のように光吸収や色づきを生じる配向膜が設けられていないため、このような配向膜に起因して生じる光損失がなくなる。
In contrast, in the present embodiment, the
なお、上記のような位相差特性を有する位相差板10が例えば偏光子と組み合わされて使用される場合には、偏光子の光学軸と上記方向d1,d2とのなす角が、それぞれ45°となるように配置される。
When the
また、上記位相差板10は、例えば偏光めがねを用いて立体視を行う3次元ディスプレイに用いられる位相差板として好適である。
The
[位相差板10の製造方法の作用]
また、位相差板10の製造方法では、溝領域11A,11Bを形成した基板11の表面に、液晶層12−1を塗布形成することにより、液晶性モノマーは、基板11の表面との界面における作用により、溝111a,111bの延在方向に沿って配向する。その後、上記液晶層12−1を重合させることにより、液晶分子の配向状態が固定される。
[Operation of manufacturing method of retardation plate 10]
Moreover, in the manufacturing method of the
ここで、比較例として、図10(A),(B)に示した位相差板100の製造方法について図11(A)〜(C)および図12(A),(B)を参照して説明する。なお、配向膜102A,102Bとしては、上記配向膜のうち光配向膜を用いた場合を例に挙げて説明する。
Here, as a comparative example, with reference to FIGS. 11A to 11C and FIGS. 12A and 12B, a method for manufacturing the
まず、図11(A)に示したように、ガラス材料などよりなる基板101上に光配向膜102を塗布形成して乾燥させる。続いて、図11(B)に示したように、フォトマスク104を用いて、選択的な領域にのみ偏光紫外線UV1を照射することにより、配向膜102Bが形成される。こののち、図11(C)に示したように、偏光紫外線UV2を全面照射することにより、配向膜102Aが形成される。これにより、基板101上に、配向膜102A,102Bがパターニングされる。
First, as shown in FIG. 11A, a photo-
続いて、図12(A)に示したように、パターニングした配向膜102A,102B上に、液晶性モノマーを含む液晶層103−1を塗布形成する。こののち、液晶性モノマーの配向を安定化させるために、所定の温度で加熱処理を施す。最後に、図12(B)に示したように、紫外線UVを照射して液晶性モノマーを重合させることにより、位相差板100を作製する。
Subsequently, as shown in FIG. 12A, a liquid crystal layer 103-1 containing a liquid crystalline monomer is applied and formed on the patterned
ところが、このような配向膜102A,102Bを用いた製造方法では、配向膜102A,102Bのパターニングに際し、偏光紫外線UV1,UV2を用いた部分照射が必要となる。すなわち枚葉方式によりパターニングを行うため、プロセスステップ数が多くなる。また、偏光紫外線照射装置を用いた手法では、大型化が困難であると共に高価となる。
However, in the manufacturing method using
これに対し、本実施の形態では、基板11にプラスチック材料を用い、この基板11の表面に型を押し当てることにより、溝領域11A,11Bのパターンを転写している。そのため、溝領域11A,11Bを一括して容易に形成することができるので、上記配向膜を用いた場合に比べて、プロセス数を削減することができる。また、本実施の形態において、熱転写を用いた場合には、紫外線照射装置を用いる必要がないので、容易に大型化することができ、しかも、安価に製造することができる。
On the other hand, in the present embodiment, a plastic material is used for the
また、基板11の表面に液晶層12−1を塗布形成したのち、液晶性モノマーの相転移温度以上の温度で、加熱処理を行うことにより、液晶性モノマーの配向をより精確に制御することができる。但し、この加熱処理は、上述したような比較的低温下で行われるものであるため、基板11としてプラスチック材料を用いた場合でも、変形や反りが生じにくい。このように、基板11にプラスチック材料を用いることにより、加工性が向上すると共に、低コストとなるため、大量生産も可能となる。
In addition, after the liquid crystal layer 12-1 is applied and formed on the surface of the
ちなみに、通常の液晶ディスプレイなどに用いられる配向膜、例えばラビングしたポリイミド配向膜においては、非常に強いアンカリング力が必要である。これは、ディスプレイの分野では、電圧印加によって液晶分子を傾倒させて表示を行い、電圧無印加時においては、再び元の液晶配向状態に戻す必要があるためである。そして、このような強いアンカリング力を付与するためには、ポリイミド配向膜を200℃以上の焼成温度で加熱する必要がある。このため、基板にプラスチック材料などの熱可塑性樹脂を用いた場合、基板が変形したり、反りが生じてしまう。また、この基板の変形や反りによって、その後のラビング処理においても不具合が生じる虞がある。 Incidentally, an alignment film used for a normal liquid crystal display or the like, for example, a rubbed polyimide alignment film, requires a very strong anchoring force. This is because in the field of display, it is necessary to display liquid crystal molecules by tilting them by applying a voltage, and to return to the original liquid crystal alignment state when no voltage is applied. And in order to provide such a strong anchoring force, it is necessary to heat a polyimide alignment film at the baking temperature of 200 degreeC or more. For this reason, when a thermoplastic resin such as a plastic material is used for the substrate, the substrate is deformed or warped. In addition, the deformation or warpage of the substrate may cause problems in the subsequent rubbing process.
これに対して、本実施の形態の位相差板10では、最終的に液晶性モノマーを紫外線などで重合させてしまうので、上記ディスプレイのような強いアンカリング力は不要である。つまり、紫外線硬化までの間、配向状態を維持する程度のアンカリング力を有していれば十分である。従って、前述の通り、液晶性モノマーの相転移温度あるいは溶媒の乾燥する温度に応じた比較的低温下において加熱処理を行えばよいので、プラスチック材料を用いたとしても特に問題は生じない。
On the other hand, in the
以上説明したように、本実施の形態では、溝領域11A,11Bを形成した基板11の表面に接して位相差層12を設け、光配向膜やラビング用の配向膜などを用いることなく、基板11の表面の溝領域11A,11Bによって、液晶分子120を配向させている。これにより、基板11と位相差層12との界面付近における光損失を低減させることができる。よって、簡易な工程で製造できると共に、光利用効率の低下を抑制することが可能となる。
As described above, in the present embodiment, the
また、本実施の形態において、基板11を単層構造とした場合には、光利用効率を最大化することができる。また、本実施の形態において、基板11を、基材31の表面に樹脂層32を形成した2層構造とした場合においても、樹脂層32において光吸収や色づきはほとんど生じないことから、光利用効率の低下を最小限に抑えることができる。
In the present embodiment, when the
次に、本実施の形態の変形例について図面を参照して説明する。以下では、上記実施の形態の位相差板10と同様の構成要素については同一の符号を付し、適宜説明を省略する。なお、変形例1〜5は、位相差板10の構成についての変形例であり、変形例6〜10は、位相差板10の製造方法についての変形例である。なお、変形例1〜5では、基板11として単層構造のものを用いた場合が例示されているが、多層構造(例えば、基材の表面に樹脂層が形成された2層構造)のものを用いることはもちろん可能である。
Next, a modification of the present embodiment will be described with reference to the drawings. Below, the same code | symbol is attached | subjected about the component similar to the
(変形例1)
図13は、変形例1に係る位相差板の基板13を表面側からみたものである。本変形例では、この基板13の表面に形成された溝領域13A,13Bの構成以外は、上記実施の形態の位相差板10と同様の構成となっている。
(Modification 1)
FIG. 13 shows the
溝領域13A,13Bは、基板13の表面において、例えばストライプ状に、交互に配列している。溝領域13Aは、互いに同一の方向d3に沿って延在する複数の溝130aにより構成され、溝領域13Bは、互いに同一の方向d4に沿って延在する複数の溝130bにより構成されている。また、方向d3,d4は、互いに直交している。但し、本変形例では、方向d3,d4は、溝領域13A,13Bのストライプ方向Sに対してそれぞれ、0°,90°の角度をなしている。溝130a,130bのそれぞれの断面形状は、上記実施の形態の溝111a,111bと同様に、例えばV字状となっている。
The
このような溝領域13A,13Bに対応して、互いに位相差特性が異なる位相差領域(図示せず)を有する位相差層が形成されている。すなわち、基板13の表面に接して、方向d3,d4をそれぞれ光学軸とする位相差領域がストライプ状に交互に形成されている。また、本変形例においても、位相差層は、上記実施の形態の位相差層12と同様の液晶材料により構成され、更に各位相差領域についても、同一の材料および厚みで構成されている。これにより、各位相差領域では、互いにリタデーション値が等しく、方向d3,d4にそれぞれ光学軸を有する位相差特性が発揮される。
A phase difference layer having a phase difference region (not shown) having different phase difference characteristics is formed corresponding to the
また、本変形例の位相差板を製造する際には、溝領域13A,13Bを形成する工程において、基板13の表面に、溝領域13A,13Bの反転パターンが形成された型ロールを押し当てて転写を行うようにすればよく、その他の工程は、上記実施の形態の位相差板10と同様である。
Moreover, when manufacturing the retardation plate of this modification, in the step of forming the
本変形例のように、溝領域13A,13Bにおける溝130a,130bの延在方向d3,d4は、ストライプ方向Sに平行もしくは直交していてもよい。このように、各溝領域における溝の延在方向は、互いに直交していればよく、ストライプ方向Sとのなす角は特に限定されない。なお、本変形例の位相差板が偏光子と組み合わされて使用される場合には、これらの方向d3,d4と偏光子の透過軸方向とのなす角が45°となるように配置する。
As in this modification, the extending directions d3 and d4 of the
(変形例2)
図14は、変形例2に係る位相差板の断面構造を表すものである。本変形例では、位相差層14の構成以外は、上記実施の形態の位相差板10と同様の構成となっている。
(Modification 2)
FIG. 14 illustrates a cross-sectional structure of a retardation plate according to Modification 2. In the present modification, the configuration is the same as that of the
位相差層14は、例えば重合した高分子液晶材料を含んで構成されたものである。すなわち、位相差層14では、液晶分子120の配向状態が固定されている。高分子液晶材料としては、上記実施の形態の位相差層12と同様の材料を用いることができる。但し、本変形例では、この位相差層14において、位相差領域14a,14bのリタデーションの絶対値が互いに異なるように構成されている。具体的には、位相差領域14aは、第2液晶層141の単層膜により構成される一方、位相差領域14bは、第1液晶層140と第2液晶層141の積層膜により構成されている。第1液晶層140および第2液晶層141は、互いに異なる液晶材料を含んでいる。
The
上記位相差板は、例えば次のようにして製造することができる。まず、図15(A)に示したように、溝領域11A,11B上の全面に液晶性モノマーを含む液晶層140−1を塗布形成したのち、フォトマスク110を用いて、溝領域11Bに対向する領域のみに紫外線UVを照射する。なお、本変形例においても、液晶層140−1を塗布形成したのち、紫外線UVを照射する前に、上述したような配向処理として、液晶層140−1の相転移温度以上の温度に加熱する処理を行う。これにより、溝領域11Bに対向する領域(位相差領域14b)においてのみ、液晶層140−1が重合する。この後、図15(B)に示したように、基板11の表面を洗浄することにより、溝領域11Bに対向する領域(位相差領域14b)にのみ、第1液晶層140が形成される。
The retardation plate can be manufactured, for example, as follows. First, as shown in FIG. 15A, after a liquid crystal layer 140-1 containing a liquid crystalline monomer is applied and formed on the entire surface of the
続いて、図16(A)に示したように、第1液晶層140を形成した基板11の全面に、液晶性モノマーを含む液晶層141−1を塗布形成したのち、上述したような配向処理として、液晶層141−1の相転移温度以上の温度に加熱する処理を行う。この後、図16(B)に示したように、基板11の全面に紫外線UVを照射することにより、液晶層141−1が重合し、第2液晶層141が形成される。以上により、図14示した位相差板
を完成する。
Subsequently, as shown in FIG. 16A, a liquid crystal layer 141-1 containing a liquid crystalline monomer is applied and formed on the entire surface of the
本変形例では、基板11の表面に接して形成された位相差領域14a,14bでは、溝領域11A,11Bにより、方向d1,d2にそれぞれ光学軸が形成される。よって、上記実施の形態と同等の効果を得ることができる。また、一方で、位相差領域14a,14bの材料が互いに異なるように構成されていることにより、それぞれのリタデーション値は互いに異なるものとなる。このように、位相差領域ごとに、液晶材料を互いに異なるように構成してもよい。これにより、各位相差領域のリタデーション値を任意に調整することが可能となる。
In this modification, in the
(変形例3)
図17は、変形例3に係る位相差板の断面構造を表すものである。本変形例では、位相差層15の構成以外は、上記実施の形態の位相差板10と同様の構成となっている。
(Modification 3)
FIG. 17 illustrates a cross-sectional structure of a retardation film according to
位相差層15は、上記実施の形態の位相差層12と同等の材料により構成されている。但し、本変形例では、位相差領域15a,15bが、それぞれ材料および厚みの異なる液晶層151,150により構成されている。このような位相差板は、例えば次のようにして製造することができる。まず、図18(A)に示したように、上記変形例2と同様にして、溝領域11Bに対向する領域(位相差領域15b)にのみ液晶層150を形成したのち、液晶性モノマーを含む液晶層151−1を基板11の全面に塗布形成する。こののち、上述した配向処理としての加熱処理を行う。続いて、図18(B)に示したように、フォトマスク110を用いて、溝領域11Aに対向する領域(位相差領域15a)のみに紫外線UVを照射する。最後に、基板11の表面を洗浄することにより、位相差領域15aにのみ、液晶層151が形成され、図17に示した位相差板を完成する。
The
本変形例のように、位相差層15において、位相差領域15a,15bが互いに異なる材料および厚みで構成されていてもよい。このような構成によっても、上記実施の形態と同等の効果を得ることができると共に、各位相差領域のリタデーション値を任意に調整することが可能となる。
As in this modification, in the
(変形例4)
図19は、変形例4に係る位相差板の断面構造を表すものである。本変形例では、位相差層16の構成以外は、上記実施の形態の位相差板10と同様の構成となっている。
(Modification 4)
FIG. 19 illustrates a cross-sectional structure of a retardation plate according to Modification 4. In the present modification, the configuration is the same as that of the
位相差層16は、上記実施の形態の位相差層12と同等の材料により構成されている。但し、本変形例では、基板11上の選択的な領域、例えば位相差領域16bにのみ、液晶層が形成された構成となっている。このような位相差板は、液晶性モノマーを含む液晶層を基板11の全面に塗布形成したのち、上述した配向処理としての加熱処理を行い、溝領域11Bに対向する領域(位相差領域16b)のみに紫外線UVを照射することにより製造することができる。
The
本変形例のように、位相差層16において、位相差領域16bにのみ、部分的に液晶層が形成されていてもよい。このような構成によっても、上記実施の形態とほぼ同等の効果を得ることができる。
As in this modification, in the
(変形例5)
図20(A)は、変形例5に係る位相差板20の断面構造を表すものである。図20(B)は、基板17を表面側からみたものである。位相差板20では、基板17の表面に溝領域17Aがパターニングされており、この基板17の表面に接して位相差層18が形成されている。但し、本変形例では、基板17の全面に渡って溝領域17Aが形成されている。溝領域17Aは、一の方向d1に沿って延在する複数の溝170aによって構成されている。
(Modification 5)
FIG. 20A shows a cross-sectional structure of the
このように、基板17の表面において、溝領域は必ずしもストライプ状にパターニングされていなくともよい。上記実施の形態で説明した位相差板は、例えば3Dディスプレイの構成部品として好適であることは既に述べたが、本変形例の位相差板20は、上記のような3Dディスプレイに限らず、例えば通常の2次元表示用のディスプレイの視野角補償フィルム(例えば、後述のAプレート)として好適に用いることができる。
Thus, on the surface of the
(変形例6)
図21は、変形例6に係る位相差板の製造方法において、各溝領域のパターンを基板へ転写する際に用いる型210の平面構成を模式的に表したものである。型210の表面には、例えばパターン領域210A,210Bが交互に配列している。パターン領域210A,210Bにはそれぞれ、位相差板10の溝領域11A,11Bの反転パターンとなる凹凸が形成されており、この凸(凹)部の延在方向d1,d2が互いに直交している。本変形例では、このような型210のパターン領域210A,210Bを、分割した型の組み合わせにより形成する。
(Modification 6)
FIG. 21 schematically shows a planar configuration of a
例えば、図22(A)に示したように、厚みがパターン領域210Aの幅と等しい複数の金属薄板310Aと、厚みがパターン領域210Bの幅と等しい複数の金属薄板310Bとを用意する。金属薄板310Aの一の端面には、パターン領域210Aが形成されており、金属薄板310Bの一の端面には、パターン領域210Bが形成されている。次に、図22(B)に示したように、金属薄板310Aと、金属薄板310Bとを、パターン領域210A,210Bが同一面内に配置されるように、交互に重ね合わせる。このようにして、本変形例に係る型210を作製することができる。
For example, as shown in FIG. 22A, a plurality of
金属薄板310A,310Bは、例えば、次にようにして作製することができる。まず、図23(A)に示したように、厚みがパターン領域210Aの幅と等しい複数の金属薄板311を互いに重ね合わせた積層体312を用意する。このとき、金属薄板311として、例えば、厚さ0.3mmのSUS薄板を用い、積層体312に含まれる金属薄板311の枚数を10枚とする。次に、図23(B)に示したように、積層体312を両側から鋼材320で挟み固定したのち、図23(B)の矢印Aに示したように、積層体312の一の側面に対して、筋目が+45°となるように、研削砥石を移動させて研削加工痕を入れる。さらに、図23(B)の矢印Bに示したように、積層体312の他の側面に対して、筋目が−45°となるように、研削砥石を移動させて研削加工痕を入れる。このとき研削砥石としてアルミナ系砥粒の#1000〜#3000程度のものを使用する。研削加工後に、積層体312に含まれる複数の金属薄板311のうち偶数枚目のものはそのままで、奇数枚目のものだけを回転させる。具体的には、図23(C)に示したように、筋目が−45°となるように研削加工痕が入れられた面(パターン領域210A)と、筋目が45°となるように研削加工痕が入れられた面(パターン領域210B)とが互いに同一面内となるように奇数枚目の金属薄板311を回転させる。このようにして作製した型210を用いて、位相差板10を製造したところ、液晶分子120が研削筋目の方向に配向することを確認することができた。
The metal
(変形例7)
変形例7に係る位相差板の製造方法では、図21に示した型210のパターン領域210A,210Bを、固定砥粒や遊離砥粒による加工時の加工痕を用いて形成する。
(Modification 7)
In the retardation plate manufacturing method according to the modified example 7, the
例えば、図24に示したように、未加工の平板350を一の方向D1にスライドさせると共に、円板状の砥石340を、砥石340の法線と平行な軸AX2を中心として回転させる。このとき、図25(A)に示したように、砥石340を、中心軸AX2が方向D1に対して+45°で交差するように傾けて、砥石340の周面に形成された砥粒面を平板350の上面(のうち未研磨領域)に押し当てることにより、研削加工痕を入れる。また、図25(B)に示したように、砥石340を、中心軸AX2が方向D1に対して−45°で交差するように傾けて、砥石340の周面に形成された平板350の上面(のうち未研磨領域)に押し当てることにより、研削加工痕を入れる。このとき研削砥石としてアルミナ系砥粒の#1000〜#3000程度のものを使用する。このようにして作製した型210を用いて、位相差板10を製造したところ、液晶分子120が研削筋目の方向に配向することを確認することができた。
For example, as shown in FIG. 24, the unprocessed
また、パターン領域210A,210Bをロールに形成するときには、例えば、以下のようにすればよい。すなわち、図26に示したように、未加工のロール330を、ロール330の中心軸AX1を中心として回転させると共に、円板状の砥石340を、砥石340の法線と平行な軸AX2を中心として回転させる。このとき、図27(A)に示したように、砥石340を、中心軸AX2が中心軸AX1に対して+45°で交差するように傾けて、砥石340の周面に形成された砥粒面をロール330の周面(のうち未研磨領域)に押し当てることにより、研削加工痕を入れる。また、図27(B)に示したように、砥石340を、中心軸AX2が中心軸AX1に対して−45°で交差するように傾けて、砥石340の周面に形成された砥粒面をロール330の周面(のうち未研磨領域)に押し当てることにより、研削加工痕を入れる。このとき砥石340の粒面の幅は、パターン領域210A、210Bの幅に対応する幅とすればよい。このようにして作製した型210を用いて、位相差板10を製造することができる。
Moreover, when forming pattern area |
(変形例8)
変形例8に係る位相差板の製造方法では、図21に示した型210のパターン領域210A,210Bを、バイトによる切削加工を用いて形成する。金型材料の表面をバイトで切削することにより、サブミクロンオーダーの微細な溝を加工する。パターン形成のためには、金型材料の表面のうちパターン領域210A,210Bに対応する領域に対して、それぞれ角度の異なる溝を形成する。例えば、Ni−Pめっき面にピッチ250nmで断面がV字形状となる溝を形成する。このようにして作製した型210を用いて、位相差板10を製造したところ、液晶分子120が溝の方向に配向することを確認することができた。
(Modification 8)
In the retardation plate manufacturing method according to
(変形例9)
変形例9に係る位相差板の製造方法では、図21に示した型210のパターン領域210A,210Bを、パターン領域210A,210Bの凹凸と同一の凹凸形状を有する溝が形成された型の圧力転写によって形成する。
(Modification 9)
In the retardation plate manufacturing method according to the modified example 9, the pressure of the mold in which the
例えば、図28(A)に示したように、周面の延在方向に対して45°で交差する方向に延在する複数の溝361が形成された円板状の型360を用意する。次に、図29に示したように、未加工のロール330を、ロール330の中心軸AX1を中心として回転させると共に、円板状の型360を、型360の法線と平行な軸AX3を中心として回転させる。このとき、軸AX3が中心軸AX1と平行となり、かつ型360とロール330の周速度が同じになるように、型360を回転させる。そして、型360をロール330の周面(のうち未研磨領域)に押し当てることにより、型360の溝361をロール330に圧力転写する。
For example, as shown in FIG. 28A, a disk-shaped
また、図28(B)に示したように、周面の延在方向に対して−45°で交差する方向に延在する複数の溝371が形成された円板状の型370を用意する。次に、図29に示したように、未加工のロール330を、ロール330の中心軸AX1を中心として回転させると共に、円板状の型370を、型370の法線と平行な軸AX3を中心として回転させる。このとき、軸AX3が中心軸AX1と平行となり、型370とロール330の周速度が同じになるように型370を回転させる。そして、型370をロール330の周面(のうち未研磨領域)に押し当てることにより、型370の溝371をロール330に圧力転写する。
Further, as shown in FIG. 28B, a disk-shaped
このようにして製作したパターン領域210A,210Bを有するロール330を用いて、位相差板10を製造することができる。
The
(変形例10)
変形例10に係る位相差板の製造方法では、図21に示した型210のパターン領域210A,210Bを、例えば、SUS、Ni、Cu、Al、Feなどの金属等に、パルス幅が1ピコ秒(10-12秒)以下の超短パルスレーザ、いわゆるフェムト秒レーザを用いてパターンを描画することにより形成する。
(Modification 10)
In the retardation plate manufacturing method according to the modified example 10, the
このとき、レーザ波長、繰り返し周波数、パルス幅、ビームスポット形状、偏光、サンプルへ照射するレーザ強度、レーザの走査速度等を適宜設定することにより、所望の凹凸を有するパターン領域210A,210Bを形成することができる。また、レーザ光の偏光を直線偏光とし、その偏光方向角度を凸(凹)部の延在方向d1,d2とそれぞれ直交する方向に設定する。
At this time, by appropriately setting the laser wavelength, repetition frequency, pulse width, beam spot shape, polarization, laser intensity applied to the sample, laser scanning speed, etc.,
レーザ加工に用いるレーザの波長は、例えば800nmである。ただし、レーザ加工に用いるレーザの波長は、400nmや266nmなどでもかまわない。繰り返し周波数は、加工時間を考慮すると大きいほうが好ましいが、繰り返し周波数が1000Hzや2000Hzであっても加工は可能である。パルス幅は短い方が好ましく、200フェムト秒(10-15秒)〜1ピコ秒(10-12秒)程度であることが好ましい。型へ照射されるレーザのビームスポットは、四角形形状であることが好ましい。ビームスポットの整形は、例えば、アパーチャーやシリンドリカルレンズ等によって行うことが可能である(図33、図34参照)。 The wavelength of the laser used for laser processing is, for example, 800 nm. However, the wavelength of the laser used for laser processing may be 400 nm or 266 nm. The repetition frequency is preferably larger in consideration of the processing time, but processing is possible even when the repetition frequency is 1000 Hz or 2000 Hz. The pulse width is preferably shorter, and is preferably about 200 femtoseconds (10-15 seconds) to 1 picosecond (10-12 seconds). The beam spot of the laser irradiated on the mold is preferably rectangular. The beam spot can be shaped by using, for example, an aperture or a cylindrical lens (see FIGS. 33 and 34).
また、ビームスポットの強度分布は、例えば、図30に示すように、なるべく均一であることが好ましい。これは、型に形成する凹凸の深さなどの面内分布をなるべく均一化したいためである。ビームスポットのサイズを、図30に示したように、Lx、Lyとし、レーザの走査方向をy方向とすると、Lxは加工したいパターン領域の幅によって決まる。例えば、図31に示すように、Lxのサイズをパターン領域210Aと同程度にしてもよいし、図32に示すように、Lxのサイズをパターン領域210Aの半分程度とし、2回の走査により、パターン領域210Aを形成するようにしてもよい。この他にも、Lxのサイズをパターン領域210Aの1/N(Nは自然数)とし、N回の走査によりパターン領域210Aを形成してもよい。Lyはステージ速度やレーザ強度、繰り返し周波数などにより、適宜決めることができるが、例えば、30〜500μm程度である。
Further, the intensity distribution of the beam spot is preferably as uniform as possible, for example, as shown in FIG. This is because it is desired to make the in-plane distribution such as the depth of the unevenness formed in the mold as uniform as possible. As shown in FIG. 30, when the beam spot size is Lx, Ly, and the laser scanning direction is the y direction, Lx is determined by the width of the pattern region to be processed. For example, as shown in FIG. 31, the size of Lx may be approximately the same as that of the
型210の作製手法の詳細について説明する。図33および図34は、レーザ加工の際に用いる光学装置の一例を表したものである。図33は平板の型を作製する場合の光学配置の一例を表したものであり、図34はロール状の型を作製する場合の光学装置の一例を表したものである。
Details of the method of manufacturing the
レーザ本体400は、サイバーレーザー株式会社製のIFRIT(商品名)である。レーザ波長は800nm、繰り返し周波数は1000Hz、パルス幅は220fsである。レーザ本体400は、垂直方向に直線偏光したレーザ光を射出するようになっている。そのため、本装置では、波長板410(λ/2波長板)を用いて、偏光方向を回転させることで、所望の方向の直線偏光を得るようにしている。また、本装置では、四角形の開口を有するアパーチャー420を用いて、レーザ光の一部を取り出すようにしている。これは、レーザ光の強度分布がガウス分布となっているので、その中央付近のみを用いることで、面内強度分布の均一なレーザ光を得るようにしている。また、本装置では、直交させた2枚のシリンドリカルレンズ430を用いて、レーザ光を絞ることにより、所望のビームサイズになるようにしている。
The
平板350を加工する時には、リニアステージ440を等速で移動させる。例えば、図35に示すように、まず、パターン領域210Aのみを順番に走査し、その後、パターン領域210Bを順番に走査することが可能である。図35に括弧付きで示した数字は、走査する順番を示している。このような走査方法を用いた場合には、パターン領域210Aを走査している間およびパターン領域210Bを走査している間は、波長板410の角度を変える必要がない。そのため、パターン領域210Aの加工が終了し、次に、パターン領域210Bの加工を開始する際に、波長板410の角度を変えるだけで済む。
When processing the
また、例えば、図36に示すように、パターン領域210Aとパターン領域210Bとを交互に走査してもよい。このような走査方法を用いた場合には、パターン領域210Aからパターン領域210Bに加工が移る際と、パターン領域210Bからパターン領域210Aに加工が移る際に、偏光の方向を変えるために波長板410の角度を変える必要がある。
For example, as shown in FIG. 36, the
ロール330を加工する際には、リニアステージ440を移動させる代わりに、ロール330を回転させればよい。ロール330を加工する際のレーザ光の走査手順は、平板350を加工する際のレーザ光の走査手順と同様である。
When processing the
続いて、実際に加工した型のレーザ光の条件について述べる。 Next, the conditions of the actually processed laser beam will be described.
(1)パターン領域210A,210Bの幅がそれぞれ、530μmである場合
型の材料としてSUS304を用い、ビームサイズLxを530μmとし、ビームサイズLyを30μmとし、パワーを156mWとし、ステージ速度を3mm/sとした。パターン領域210Aを走査する際には、レーザの偏光方向をd1の方向にし、パターン領域210Bを走査する際には、レーザの偏光方向をd2の方向とした。d1方向は、パターン領域210A,210Bの延在方向に対して−45°とし、d2方向は、パターン領域210A,210Bの延在方向に対して+45°とした。
(1) When the width of each of the
これにより、+45°方向に凹(凸)の延在方向を有する530μm幅のパターン領域210Aと、−45°方向に凹(凸)の延在方向を有する530μm幅のパターン領域210Bとが交互に配列された型を作製することができた。同様の条件で、SUS420J2、NiPも加工したが、同様に型を作製することができた。なお、NiPとして、SUS上にめっきしたものを用いた。
Thereby, a
(2)パターン領域210A,210Bの幅がそれぞれ、270μmである場合
型の材料としてSUS304を用い、ビームサイズLxを270μmとし、ビームサイズLyを220μmとし、パワーを200mWとし、ステージ速度を6mm/sとした。パターン領域210Aを走査する際には、レーザの偏光方向をd1の方向にし、パターン領域210Bを走査する際には、レーザの偏光方向をd2の方向とした。d1方向は、パターン領域210A,210Bの延在方向に対して−45°とし、d2方向は、パターン領域210A,210Bの延在方向に対して+45°とした。
(2) When the width of each of the
これにより、+45°方向に凹(凸)の延在方向を有する270μm幅のパターン領域210Aと、−45°方向に凹(凸)の延在方向を有する270μm幅のパターン領域210Bとが交互に配列された型を作製することができた。
Thereby, a
以上の手法にて作製した型の凹凸は、その周期構造のピッチが約700nm、深さが50〜250nm程度であった。 The unevenness of the mold produced by the above method had a pitch of the periodic structure of about 700 nm and a depth of about 50 to 250 nm.
なお、このフェムト秒レーザを用いて作製した型210を用いて転写を行う工程以外の工程は、上記実施の形態と同様である。以下、本変形例の作用・効果について、一般的なリソグラフィを用いた場合と比較しつつ説明する。
The steps other than the step of performing transfer using the
上記実施の形態では、型のパターン形成法として、バイト切削やリソグラフィを挙げたが、リソグラフィとしては一般に、電子線や2光束干渉法などを用いたものが用いられている。これらのうち、電子線を用いたリソグラフィは、型の表面にレジストを塗布したのち、電子線を照射することによりパターンを描画し、現像工程およびエッチング工程等を経て、所望のパターンを形成するものである。また、2光束干渉法を用いたリソグラフィは、2つのレーザ光を干渉させて照射することにより干渉縞を発生させ、この干渉縞を利用したリソグラフィによりパターンを形成するものである。 In the above-described embodiment, bite cutting and lithography are mentioned as the pattern forming method of the mold, but generally, lithography using an electron beam, a two-beam interference method, or the like is used. Among these, lithography using an electron beam is a method in which a resist is applied to the surface of a mold, a pattern is drawn by irradiating the electron beam, and a desired pattern is formed through a development process, an etching process, and the like. It is. In the lithography using the two-beam interference method, interference fringes are generated by irradiating two laser beams with interference, and a pattern is formed by lithography using the interference fringes.
ところが、電子線を用いたリソグラフィでは、微細な周期構造を有するパターンを5mm角の面積で描画するためには、高性能な装置を用いた場合であっても12時間もの長い時間を要する。他方、2光束干渉法では、1度の描画に要する時間は数十秒程度であるものの、1度に描画できる周期構造の面積は、レーザ光のビーム径によって決定されるため、数mm角程度と非常に小さくなる。その為、数cm角の面積を持つ無反射周期構造を形成するためには、照射位置を変えながら、数mm角のパターンを何度も繋ぎ合わせて描画しなければならない。このため、繋ぎ合わせ部分にパターンのミスマッチが生じ易い。また、2光束干渉法では、干渉縞によって形成される格子の周期が2つの光の入射角度に影響され易いため、この入射角度のブレを抑制する必要がある。このため、光学系を厳密に調整して各レーザ光の光路を精確に設定しなければならず、装置構成が煩雑となってしまう。 However, in lithography using an electron beam, in order to draw a pattern having a fine periodic structure with an area of 5 mm square, a long time of 12 hours is required even when a high-performance apparatus is used. On the other hand, in the two-beam interferometry, although the time required for one drawing is about several tens of seconds, the area of the periodic structure that can be drawn at one time is determined by the beam diameter of the laser light, and is about several mm square. And very small. For this reason, in order to form a non-reflective periodic structure having an area of several centimeters square, it is necessary to draw several millimeter square patterns by connecting them many times while changing the irradiation position. For this reason, a pattern mismatch is likely to occur at the joining portion. Further, in the two-beam interference method, since the period of the grating formed by the interference fringes is easily influenced by the incident angles of the two lights, it is necessary to suppress the fluctuation of the incident angles. For this reason, the optical system must be strictly adjusted to accurately set the optical path of each laser beam, and the apparatus configuration becomes complicated.
これに対し、本変形例では、型210のパターン領域210A,210Bをフェムト秒レーザを用いて、そのビームスポット形状を制御して描画することにより、一度の照射でパターン領域210A,210Bをそれぞれ一括して形成することができる。また、フェムト秒レーザを用いた場合には、偏光方向に直交する方向に沿って延在するように凸(凹)部が形成されるため、偏光の制御によって容易に位相差板の溝方向を設定することができる。よって、製造プロセスの簡易化に有利となる。また、型の大面積化にも対応し易くなる。
On the other hand, in the present modification, the
ところで、本変形例でのフェムト秒レーザにて形成されたパターン領域210A,210Bは、図37(A),(B)に示したように、ある程度の周期構造を有するが、その周期や凹凸の方向に若干の揺らぎを有している。つまり、本変形例のパターン領域210A,210Bは、揺らいだ周期構造を有している。一方で、電子線描画など、他の手法で形成されたパターン領域210A,210Bは、図38(A),(B)に示したように、揺らぎを有していない。
Incidentally, the
本変形例の揺らぎを有するパターン領域210A,210Bが形成された型を使い、基板に転写を行った場合には、基板にも揺らぎのある凹凸形状が転写されることになる。この表面に、液晶層を形成すると、例えば、図39(A),(B)に示したように、揺らぎのある凹凸形状(溝111a)の上に液晶層が形成される。なお、凹凸形状(溝111a)において揺らぎの生じていない型を用いた場合を図40(A),(B)に示した。
When the pattern on which the
凹凸に周期構造を有する場合(ある程度の揺らぎがある場合も含む)には、液晶分子120と基板11との屈折率が異なると、入射された光の一部は回折される。以下で、この回折に凹凸形状(溝111a)に揺らぎがある場合と揺らぎがない場合について比較を行う。図41(B)に示したように、凹凸形状(溝111a)に揺らぎがない場合には、入射光が、揺らぎを有しない周期構造によって、ある特定の一方向のみに回折される。回折は波長依存性を有しており、入射光の波長により回折角が変わるので、回折光が虹色に見えてしまう。これに対し、本変形例では、図41(A)に示したように、凹凸形状(溝111a)に揺らぎがあるので、揺らいだ周期構造によって、回折光はある角度範囲にぼやけた形であらわれる。このため、入射光の回折光がはっきりとはあらわれない。
In the case where the unevenness has a periodic structure (including the case where there is a certain degree of fluctuation), if the refractive index of the
このことは、位相差板を表示装置に用いた際に、例えば蛍光灯などの外光が入射されたときに、回折光の影響の差が顕著にあらわれる。つまり、凹凸形状(溝111a)に揺らぎのない場合には、蛍光灯などの外光が映り込んだ際に、表示画面が虹色に見える。それに対して、凹凸形状(溝111a)に揺らぎがある場合には、蛍光灯などの外光が映りこんでも回折光がぼやけ、表示画面が虹色に色づくことがない。従って、パターン領域210A,210Bの凹凸形状には周期や凹凸の方向に揺らぎがある方が好ましい。
This means that when the phase difference plate is used in a display device, for example, when external light such as a fluorescent lamp is incident, the difference in the influence of diffracted light appears significantly. That is, when there is no fluctuation in the uneven shape (
次に、どの程度の揺らぎがあることが好ましいかについて考察する。ここではパターン領域210Aの写真データをDFT(離散的フーリエ変換)解析し、その空間周波数領域でどの程度の幅を持っているかで定量化することとした。図42(A),(B)は、凹凸形状(溝111a)に揺らぎがある場合のDFT解析結果を示す。図43(A),(B)は、凹凸形状(溝111a)に揺らぎがない場合のDFT解析結果を示す。このDFT像を定量化するために、DFT像のパワースペクトル密度(PSD)が最大となる空間周波数付近において、以下のガウス関数にて、フィッティングすることとした。
ここで、fは空間周波数であり、θは角度である。f0はPSDが最大となる空間周波数であり、θ0はPSDが最大となる角度である。fWおよびθWはピーク付近における広がりを示す量である。このガウス関数をもとに、凹凸のピッチと凹凸の角度の広がりを求めると、揺らぎがある場合は、ピッチの広がりが2〜10%程度であり、角度の広がりが3〜8°程度であるのに対し、揺らぎがない場合は、ピッチの広がりが0〜2%程度と小さく、角度の広がりも0〜1°程度と小さい。 Here, f is a spatial frequency and θ is an angle. f0 is the spatial frequency at which PSD is maximized, and θ0 is the angle at which PSD is maximized. fW and θW are quantities indicating the spread in the vicinity of the peak. Based on this Gaussian function, when the pitch of the unevenness and the spread of the angle of the unevenness are obtained, if there is fluctuation, the spread of the pitch is about 2 to 10%, and the spread of the angle is about 3 to 8 °. On the other hand, when there is no fluctuation, the pitch spread is as small as about 0 to 2%, and the angle spread is also small as about 0 to 1 °.
次に、上記実施の形態および変形例1〜4に係る位相差板の適用例1、および変形例5に係る位相差板20の適用例2,3について説明する。なお、適用例1では、図1に示した位相差板10の構成を例に挙げて説明する。
Next, application example 1 of the phase difference plate according to the above-described embodiment and modification examples 1 to 4, and application examples 2 and 3 of the
(適用例1)
図44は、適用例1に係る表示装置1の断面構造を表すものである。図45は、表示装置1の積層構造を表す模式図である。この表示装置1は、例えば、右眼用の画像信号と左眼用の画像信号とのそれぞれに基づいて2次元画像を表示するものであり、これらの2次元画像を偏光めがねを用いて観察することにより、立体視を実現する3Dディスプレイである。
(Application example 1)
FIG. 44 illustrates a cross-sectional structure of the
表示装置1は、例えば赤(R:Red)、緑(G:Green)、青(B:Blue)の3原色の画
素がマトリクス状に複数配置され、バックライト21の側から順に、偏光子22、駆動基板23、液晶層24、対向基板25、偏光子26を備えたものである。そして、偏光子26の光出射側には、上記位相差板10が、例えば位相差層12の側が偏光子26に対向するように貼り付けられている。このような構成において、位相差層12における位相差領域12a,12bのそれぞれの光学軸方向は、偏光子26の透過軸に対して45°の角度をなすように配置されている。また、位相差板10の溝領域11A,11Bは、表示画素領域の偶数ラインと奇数ラインとにそれぞれ対応しており、溝領域11A,11Bのストライプ幅は、画素ピッチに等しくなっている。
In the
バックライト21は、例えば、導光板を用いたエッジライト型や、直下型のタイプのものが用いられ、例えば、CCFL(Cold Cathode Fluorescent
Lamp:冷陰極蛍光ランプ
)や、LED(Light Emitting Diode:発光ダイオード)などを含んで構成されている。
As the
Lamp: cold cathode fluorescent lamp), LED (Light Emitting Diode: light emitting diode), and the like.
駆動基板23は、例えばガラスなどの透明基板23aの表面に、TFT(Thin Film Transistor;薄膜トランジスタ)などの画素駆動素子が形成されたものである。対向基板25は、例えばガラスなどの透明基板25aの表面に、上記3原色に対応したカラーフィルタ層25bが形成されたものである。
The
液晶層24は、例えばネマティック液晶、スメクティック液晶、コレステリック液晶などの液晶材料より構成され、例えばVA(Vertical
Alignment)モードの液晶によって構成されている。液晶層24と、駆動基板23および対向基板25とのそれぞれの間には、液晶層24の液晶分子の配向を制御するための配向膜(図示せず)、例えばポリイミド配向膜などが設けられている。
The
Alignment) mode liquid crystal. An alignment film (not shown) for controlling the alignment of liquid crystal molecules in the
偏光子22,26は、特定の方向に振動する偏光を透過させ、それと直交する方向に振動する偏光を吸収もしくは反射するようになっている。これらの偏光子22,26は、それぞれの透過軸が、互いに直交するように配置されている。なお、ここでは、偏光子22は、水平方向の偏光成分を選択的に透過し、偏光子26は、垂直方向の偏光成分を選択的に透過するようになっている。
The
このような表示装置1では、バックライト21から発せられた光は、偏光子22へ入射すると、水平方向の偏光成分のみが透過され、駆動基板23を透過して、液晶層24へ入射する。この入射光は、液晶層24において、画像信号に基づいて変調されて透過する。液晶層24を透過した光は、対向基板25のカラーフィルタ25bにより、3原色の画素ごとに、それぞれ赤、緑、青の光として取り出されたのち、偏光板26によって垂直方向の偏光成分のみが透過される。そして、偏光板26を透過した偏光成分は、位相差板10における位相差層12により、位相差領域12a,12bごとに所定の偏光状態に変換されて、基板11の側から出射する。このようにして位相差板10を出射した光は、偏光めがねをかけた観察者によって3次元の立体画像として認識される。このとき、上述したように、位相差板10に配向膜が形成されていないことにより、位相差板10による光損失の発生が抑制され、光利用効率が高まる。よって、従来よりも明るい表示を実現することができる。
In such a
なお、前述の変形例1に係る位相差板を上記のような表示装置1に適用する場合には、例えば図46に示したように、透過軸が水平方向と45°の角度をなすように設定された偏光子27を用いるようにする。これにより、偏光子27の透過軸方向と、位相差板の各位相差領域の光学軸方向とが、それぞれ45°の角度をなすように配置される。
When the retardation plate according to the above-described
また、位相差板10は、表示装置1の前面に貼り合わせられているので、ディスプレイの最表面に配置されることとなる。このため、明所でのコントラスト改善のために、基板11の裏面に反射防止層やアンチグレア層(いずれも図示せず)を設けることが好ましい。さらに、位相差パターン同士の境界付近を黒色パターンで覆うようにしてもよい。このように構成することで、位相差パターン間でのクロストークの発生を抑制することができる。
Moreover, since the
(適用例2)
図47は、適用例2に係る表示装置2の断面構造を表すものである。図48は、表示装置2の積層構造を表す模式図である。この表示装置2は、例えば、液晶テレビやパーソナルコンピュータなどの2次元表示用のディスプレイであり、位相差板20を視野角補償フィルムとして用いたものである。この表示装置2は、バックライト21の側から順に、偏光子22、駆動基板23、液晶層24、対向基板25、偏光子26を備えたものであり、偏光子22の光出射側に変形例5に係る位相差板20が配置されたものである。位相差板20は、上述したように、位相差層18における重合性液晶を溝の延在方向に一様に配向させたもの(Aプレート)である。この場合、位相差板20の溝の延在方向すなわち光学軸方向と偏光子22の透過軸方向とのなす角が0°となるように配置される。
(Application example 2)
FIG. 47 illustrates a cross-sectional structure of the display device 2 according to Application Example 2. FIG. 48 is a schematic diagram illustrating a stacked structure of the display device 2. The display device 2 is a display for two-dimensional display such as a liquid crystal television or a personal computer, for example, and uses the
ここで、上記のようなディスプレイに使用される視野角補償フィルムとしては、上記Aプレートの他にも、Cプレートなどを用いることができる。また、例えば偏光紫外線を照射することにより、位相差層に二軸性を付与した位相差板を用いることも可能である。但し、液晶層24にVAモードの液晶を用いた場合には、Aプレート、Cプレートまたはこれらの両方を使用することが望ましい。
Here, as the viewing angle compensation film used for the display as described above, in addition to the A plate, a C plate or the like can be used. In addition, for example, a retardation plate in which biaxiality is imparted to the retardation layer by irradiating polarized ultraviolet rays can be used. However, when VA mode liquid crystal is used for the
なお、上記Cプレートとしての位相差板は、位相差層が、例えばカイラルネマチック相(コレステリック相)を有し、その光学軸方向が基板面の法線方向に一致している。このCプレートは、溝の延在方向に沿って配向した液晶分子が、カイラル剤などの投入により、基板面の法線方向に螺旋軸を有する螺旋構造を形成したものである。このように、位相差層の厚み方向において、液晶分子の配向が変化するような構成であってもよい。言い換えると、溝の延在方向と位相差板の光学軸方向とが互いに異なっていてもよい。最終的には、液晶分子が厚み方向においてどのような配向状態にあるかによって、位相差板としての光学異方性が決まるからである。 In the retardation plate as the C plate, the retardation layer has, for example, a chiral nematic phase (cholesteric phase), and the optical axis direction thereof coincides with the normal direction of the substrate surface. In this C plate, liquid crystal molecules aligned along the extending direction of the groove form a helical structure having a helical axis in the normal direction of the substrate surface by introducing a chiral agent or the like. Thus, a configuration in which the orientation of liquid crystal molecules changes in the thickness direction of the retardation layer may be employed. In other words, the extending direction of the groove and the optical axis direction of the retardation plate may be different from each other. This is because the optical anisotropy as a retardation plate is finally determined depending on the alignment state of the liquid crystal molecules in the thickness direction.
このような表示装置2では、バックライト21から発せられた光は、偏光子22へ入射すると、水平方向の偏光成分のみが透過されて、位相差板20に入射する。位相差板20を透過した光は、駆動基板23、液晶層24、対向基板25および偏光子26を順に透過して、偏光子26から垂直方向の偏光成分として出射する。これにより、2次元表示がなされる。ここで、位相差板20が配置されていることにより、斜め方向からみた場合の液晶の位相差が補償され、黒表示の際の斜め方向の漏れ光や色づきを低減することができる。すなわち、位相差板20を視野角補償フィルムとして用いることができる。また、このとき、位相差板20に配向膜が形成されていないことにより、位相差板20による光損失の発生が抑制され、光利用効率が高まる。よって、従来よりも明るい表示を実現することができる。
In such a display device 2, when the light emitted from the
なお、このような視野角補償フィルムとしての位相差板20は、上述の適用例1に係る3D表示用の表示装置1において、偏光子22と駆動基板23との間に配置するようにしてもよい。また、位相差板20の光学軸方向d1と、偏光子22の透過軸方向とのなす角が、0°となるように配置した構成を例に挙げて説明したが、これらの方向のなす角は0°に限られない。例えば、偏光子22として円偏光板を用いた場合には、位相差板20の光学軸方向d1と偏光子22の透過軸方向とのなす角が45°となるように配置される。
The
(適用例3)
図49は、適用例3に係る表示装置3の断面構造を表すものである。表示装置3は、例えば半透過型の2次元表示ディスプレイである。この表示装置3では、駆動基板23と対向基板25との間に、視野角補償フィルムとしての位相差板20が表示変調用の液晶層33A,33Bと共に形成されている。具体的には、駆動基板23上の選択的な領域に、反射層34が設けられており、対向基板25側の反射層34に対向する領域に位相差板20が形成されている。駆動基板23と位相差板20との間には、液晶層33Bが封止されている。一方、駆動基板23と対向基板25との間の他の領域には液晶層33Aが封止されている。液晶層33A,33Bは、電圧印加により光を変調するようになっており、それぞれ位相差がλ/2,λ/4となっている。なお、駆動基板23の下方にはバックライト21と偏光子22、対向基板25の上方には、偏光子26(いずれも図49には図示せず)が配置されている。
(Application example 3)
FIG. 49 illustrates a cross-sectional structure of the
このように、視野角補償フィルムとしての位相差板20を、液晶セル内部に配置する構成、すなわちインセル構造であってもよい。
Thus, the structure which arrange | positions the
(実施例1)
次に、上記実施の形態の位相差板10の実施例について説明する。位相差板10を、以下のような条件下で実際に作製した。まず、シリコン基板上に、溝領域11A,11Bに対応する形状を、電子線レジストを用いた電子線描画にて、ストライプ幅1mmで形成した。各溝領域における溝のピッチは200nmとした。このようにして形成したレジストパターンを用いて、電鋳法にてNi原盤を作成した。このNi原盤に離型処理を行い、非晶質シクロオレフィンポリマーフィルムを基板11として、Ni原盤と基板11を160℃に加熱しながら、基板11の表面に溝領域11A,11Bを転写した。
Example 1
Next, examples of the
こののち、液晶性モノマー(大日本インキ化学工業株式会社製UCL−017−030)を溶媒(PGMEA)に濃度30重量%で溶解させ、重合開始剤を添加した溶液を、基板11の表面に塗布した。続いて、液晶性モノマーを塗布した基板11の温度を80℃まで上昇させ、この温度に3分間保持して、液晶性モノマーを等方相状態に変化させた後、3℃/分程度の速度で徐々に室温まで温度を低下させた。最後に、室温に戻した後、紫外線UVを照射して液晶性モノマーを重合させた。
Thereafter, a liquid crystal monomer (UCL-017-030 manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.) is dissolved in a solvent (PGMEA) at a concentration of 30% by weight, and a solution to which a polymerization initiator is added is applied to the surface of the
偏光顕微鏡観察の結果、液晶分子120は、溝方向d1,d2に配向していた。重合した液晶層の位相差は140nmであった。さらに、偏光顕微鏡にλ/4板を挿入して、作成した位相差パターンを観察した結果、サンプルを回転させるとシャッター機能を有していた。
As a result of observation with a polarizing microscope, the
(実施例2)
また、実施例2として、変形例10で説明したフェムト秒レーザを利用して形成した型210を用いて位相差板60を作製した。このとき、型210としては、鏡面加工された厚み1mmのSUSを使用し、基材としてはゼオノアフィルム(ZF14:日本ゼオン(株)製)を用いた。また、基材に溝パターンを転写する際には、まず、型210に離型処理を施した後、UV硬化アクリル樹脂液(TB3042:スリーボンド(株)製)を展開し、ゼオノアフィルムよりなる基材で封止して、基材側からUV照射してアクリル樹脂を硬化させた。こののち、微細な溝が転写された基材を型210から剥離し、形成された溝の表面をAFM(Atomic
Force Microscope:原子間力顕微鏡)を用いて観察したところ
、サブミクロンオーダーの溝が形成されていることを確認した。図50に、実際に形成したパターン領域の一部を拡大したものを示す。次いで、この溝が形成された基材上にスピンコート法により液晶モノマー溶液(RMS03−001C:メルク(株)製)を塗布した後、55℃下において2分間加熱し、更に窒素雰囲気下でUV照射することにより位相差板60を得た。
(Example 2)
Further, as Example 2, a retardation film 60 was manufactured using a
When observed using a Force Microscope, it was confirmed that a submicron-order groove was formed. FIG. 50 shows an enlarged part of the actually formed pattern region. Next, a liquid crystal monomer solution (RMS03-001C: manufactured by Merck & Co., Inc.) was applied onto the substrate on which the grooves were formed by spin coating, and then heated at 55 ° C. for 2 minutes, and further UV-treated in a nitrogen atmosphere. The phase difference plate 60 was obtained by irradiating.
(実施例3)
また、実施例3として、実施例2において用いた基材とは異なる基材を用いて位相差板61を作製した。基材としてはトリアセチルセルロース(TAC)フィルム(FT−80SZ、パナック(株)製)を用いた。なお、基材以外の材料や型については、実施例2で使用したものと同一のものを用いた。また、製造製法についても、実施例2で実施した方法と同一の方法を用いた。実施例3において、基材上に形成された溝の表面を、AFMを用いて観察したところ、サブミクロンオーダーの溝が形成されていることを確認した。
(Example 3)
Further, as Example 3, a retardation film 61 was manufactured using a base material different from the base material used in Example 2. As the substrate, a triacetyl cellulose (TAC) film (FT-80SZ, manufactured by Panac Co., Ltd.) was used. In addition, about the materials and molds other than the base material, the same ones used in Example 2 were used. Further, the same manufacturing method as that used in Example 2 was used. In Example 3, when the surface of the groove formed on the substrate was observed using an AFM, it was confirmed that a submicron-order groove was formed.
得られた位相差板60,61を偏光顕微鏡観察した結果、両者とも液晶分子は溝方向d1,d2に沿って配向しており、その位相差は共に135nmであった。また、偏光顕微鏡にλ/4板を挿入して、作成した位相差パターンを観察した結果、共にサンプルを回転させるとシャッター機能を有していた。 As a result of observing the obtained retardation plates 60 and 61 with a polarizing microscope, liquid crystal molecules were aligned along the groove directions d1 and d2 in both cases, and both of the retardations were 135 nm. Also, as a result of observing the created phase difference pattern by inserting a λ / 4 plate into a polarizing microscope, both had a shutter function when the sample was rotated.
(実施例4)
実施例4として、変形例11で説明したフェムト秒レーザを利用して形成した型ロール112を用いて図7、図51のロールプロセスによって位相差板62を作製した。このとき、型ロール112としては、鏡面加工されたΦ100mm、幅150mmのSUSロールを使用し、基材としては140mm幅のゼオノアロールフィルム(ZF14:日本ゼオン(株)製)を用いた。基材に溝パターンを転写する際には、まず、型ロール112に離型処理を施した後、UV硬化アクリル樹脂液(TB3042:スリーボンド(株)製)を展開した。続いて、成膜速度0.6m/minの速度で、ゼオノアフィルムよりなる基材でUV硬化アクリル樹脂液を封止しながら、基材面より1500mJ/cm2(波長365nm)のエネルギーでUV照射を行った。こののち、微細な溝が転写された基材を型ロール112から剥離し、巻きとった。基材上に形成された溝の表面をAFMを用いて観察したところ、サブミクロンオーダーの溝が形成されていることを確認した。次いで、図51に示したように、この溝が形成された基材(基板11)を巻き出しロール400から送り出した。続いて、ロールダイコーティング方式により、基材上に、ドライ膜厚が約0.8μmになるように液晶モノマー溶液410(RMS03−001C:メルク(株)製、30
wt%)を吐出機420から吐出し、塗布した。こののち、製膜速度を1.0m/minに保った状態で、基材を乾燥機430に通し、乾燥温度100℃、乾燥ゾーン1mの条件で液晶モノマー溶液410を乾燥させた。そして、1500mJ/cm2(波長365nm)のエネルギー、窒素雰囲気の条件で紫外線照射機440から液晶モノマー溶液410に向けてUV照射を行ったのち、基材を巻き取りロール450で巻き取る。このようにして、位相差板62を得た。
Example 4
As Example 4, the phase difference plate 62 was produced by the roll process shown in FIGS. 7 and 51 using the
wt%) was discharged from the
(実施例5)
また、実施例5として、実施例4において用いた基材とは異なる基材を用いて位相差板63を作製した。基材としてはトリアセチルセルロース(TAC)フィルム(FT−80SZ、パナック(株)製)を用いた。なお、基材以外の材料や型については、実施例2で使用したものと同一のものを用いた。また、製造製法についても、実施例4で実施した方法と同一の方法を用いた。実施例5において、基材上に形成された溝の表面を、AFMを用いて観察したところ、サブミクロンオーダーの溝が形成されていることを確認した。
(Example 5)
Further, as Example 5, a retardation plate 63 was manufactured using a base material different from the base material used in Example 4. As the substrate, a triacetyl cellulose (TAC) film (FT-80SZ, manufactured by Panac Co., Ltd.) was used. In addition, about the materials and molds other than the base material, the same ones used in Example 2 were used. In addition, the same manufacturing method as that used in Example 4 was used. In Example 5, when the surface of the groove formed on the substrate was observed using AFM, it was confirmed that a submicron-order groove was formed.
得られた位相差板62,63を偏光顕微鏡観察した結果、両者とも液晶分子は溝方向d1,d2に沿って配向しており、その位相差は共に132nmであった。また、偏光顕微鏡にλ/4板を挿入して、作成した位相差パターンを観察した結果、共にサンプルを回転させるとシャッター機能を有していた。また、実施例4,5では、位相差板をロールプロセスで作製したので、実施例2,3の場合よりも、位相差板を効率良く作製することができた。また、実施例2〜5では、基材として用いたゼオノアフィルムおよびTACフィルムや、基材上の樹脂層として用いたアクリル樹脂は、上記特許文献3の光配向膜や、ポリイミド配向膜とは異なり、光吸収や色づきのほとんど生じない材料であることから、光利用効率の低下が少ない。
As a result of observing the obtained retardation plates 62 and 63 with a polarizing microscope, liquid crystal molecules were aligned along the groove directions d1 and d2 in both cases, and both of the retardations were 132 nm. Also, as a result of observing the created phase difference pattern by inserting a λ / 4 plate into a polarizing microscope, both had a shutter function when the sample was rotated. In Examples 4 and 5, since the retardation plate was produced by a roll process, the retardation plate could be produced more efficiently than in Examples 2 and 3. Moreover, in Examples 2-5, the ZEONOR film and TAC film used as a base material, and the acrylic resin used as a resin layer on a base material differ from the photo-alignment film and the polyimide alignment film of the said
以上、実施の形態および変形例を挙げて本発明を説明したが、上記実施の形態等に限定されず、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態等では、溝の断面形状がV字状の場合を例に挙げて説明したが、溝の断面形状はV字状に限定されず、他の形状、例えば円形状や多角形状であってもよい。また、各溝同士の形状は必ずしも同一でなくともよく、基板上の領域ごとに、溝の深さや大きさなどを変化させるようにしてもよい。 As described above, the present invention has been described with the embodiment and the modification. However, the present invention is not limited to the above-described embodiment and the like, and various modifications can be made. For example, in the above-described embodiment and the like, the case where the cross-sectional shape of the groove is V-shaped has been described as an example. However, the cross-sectional shape of the groove is not limited to V-shaped, and other shapes such as a circular shape and a polygonal shape are used. It may be a shape. Moreover, the shape of each groove | channel does not necessarily need to be the same, You may make it change the depth of a groove | channel, a magnitude | size, etc. for every area | region on a board | substrate.
また、上記実施の形態等では、溝領域において、複数の溝を隙間なく緻密に配列した構成を例に挙げて説明したが、これに限定されず、各溝同士の間に所定の間隔を設けるようにしてもよい。また、全面に溝を設けた構成を例に挙げて説明したが、必要とされる位相差特性に応じて、基板上の局部的な領域にのみ溝を設けるようにしてもよい。 Moreover, in the said embodiment etc., in the groove | channel area | region, although demonstrated taking the example of the structure which arranged the several groove | channel densely without the gap, it is not limited to this, A predetermined space | interval is provided between each groove | channel. You may do it. Further, the configuration in which the groove is provided on the entire surface has been described as an example, but the groove may be provided only in a local region on the substrate in accordance with a required phase difference characteristic.
あるいは、溶媒などに溶解した樹脂を型上に展開したのち、溶媒などを蒸発させることでパターニングするようにしてもよい。さらに、溝領域の反転パターンを有する型を用いて、プラスチック材料よりなる基板を溶融押し出しで形成するようにしてもよい。また、基板上に、パターン形成用の他の材料を塗布したのち、この上からガラス基板を押し当ててパターニングすることもできる。 Alternatively, a resin dissolved in a solvent or the like may be developed on a mold and then patterned by evaporating the solvent or the like. Further, a substrate made of a plastic material may be formed by melt extrusion using a mold having a reverse pattern of the groove region. Alternatively, after applying another material for pattern formation on the substrate, the glass substrate can be pressed from above to pattern the substrate.
1,2,3…表示装置、10,20…位相差板、11…基板、11A,11B,13A,13B,17A…溝領域、12…位相差層、12a,12b,14a,14b,15a,15b,16a,16b…位相差領域、21…バックライト、22,26…偏光子、23…駆動基板、24…液晶層、25…対向基板、31…基材、32…樹脂層。 1, 2, 3 ... Display device, 10, 20 ... Retardation plate, 11 ... Substrate, 11A, 11B, 13A, 13B, 17A ... Groove region, 12 ... Retardation layer, 12a, 12b, 14a, 14b, 15a, 15b, 16a, 16b ... retardation region, 21 ... backlight, 22, 26 ... polarizer, 23 ... driving substrate, 24 ... liquid crystal layer, 25 ... counter substrate, 31 ... base material, 32 ... resin layer.
Claims (12)
前記基板の表面に接して設けられ、前記複数の溝の延在方向に沿って配向すると共に重合した液晶材料を含む位相差層と
を備え、
前記複数の溝によって形成されたパターンは、周期構造を有し、
前記周期構造は、凹凸のピッチにおいて2〜10%の広がりを有し、凹凸の角度において3〜8°の広がりを有する
位相差板。 A substrate having on its surface a plurality of grooves extending in a specific direction;
A retardation layer that is provided in contact with the surface of the substrate and includes a liquid crystal material that is aligned and polymerized along the extending direction of the plurality of grooves, and
The pattern formed by the plurality of grooves has a periodic structure;
The periodic structure has a spread of 2 to 10% in the pitch of the unevenness and a spread of 3 to 8 in the angle of the unevenness.
前記複数の第1の溝からなる第1の溝領域と、前記複数の第2の溝からなる第2の溝領域とは、それぞれストライプ状であると共に交互に配置されている
請求項1に記載の位相差板。 The plurality of grooves include a plurality of first grooves extending in a first direction and a plurality of second grooves extending in a second direction orthogonal to the first direction,
The first groove region composed of the plurality of first grooves and the second groove region composed of the plurality of second grooves are each in a stripe shape and alternately arranged. Phase difference plate.
前記偏光子の透過軸方向と、前記溝の延在方向とのなす角が45°である
請求項1または請求項2に記載の位相差板。 Provided with a polarizer that transmits a selectively polarized component on the back side of the substrate or the front side of the retardation layer,
The phase difference plate according to claim 1, wherein an angle formed by a transmission axis direction of the polarizer and an extending direction of the groove is 45 °.
請求項2に記載の位相差板。 The phase difference plate according to claim 2, wherein a vicinity of a boundary between the first groove region and the second groove region is covered with a black pattern.
請求項1または請求項2に記載の位相差板。 The phase difference plate according to claim 1, further comprising an antireflection layer or an antiglare layer on a back surface of the substrate.
請求項1または請求項2に記載の位相差板。 The retardation plate according to claim 1, wherein a depth of the periodic structure is 50 to 250 nm.
前記光源からの光に基づいて表示を行う表示セルと、
前記表示セルの光源側に設けられた第1偏光子、および表示側に設けられた第2偏光子と、
前記第1偏光子および第2偏光子のうち、少なくとも一の偏光子の光出射側に配置された位相差板と
を備え、
前記位相差板は、
特定の方向に延在する複数の溝を表面に有する基板と、
前記基板の表面に接して設けられ、前記複数の溝の延在方向に沿って配向すると共に重合した液晶材料を含む位相差層と
を有し、
前記複数の溝によって形成されたパターンは、周期構造を有し、
前記周期構造は、凹凸のピッチにおいて2〜10%の広がりを有し、凹凸の角度において3〜8°の広がりを有する
表示装置。 A light source;
A display cell for performing display based on light from the light source;
A first polarizer provided on the light source side of the display cell, and a second polarizer provided on the display side;
A retardation plate disposed on the light exit side of at least one of the first polarizer and the second polarizer; and
The retardation plate is
A substrate having on its surface a plurality of grooves extending in a specific direction;
A retardation layer that is provided in contact with the surface of the substrate and includes a liquid crystal material that is aligned and polymerized along the extending direction of the plurality of grooves, and
The pattern formed by the plurality of grooves has a periodic structure;
The periodic structure has a spread of 2 to 10% in the pitch of the unevenness, and a spread of 3 to 8 ° in the angle of the unevenness.
前記複数の溝は、第1の方向に延在した複数の第1の溝と、前記第1の方向に直交する第2の方向に延在した複数の第2の溝とを含み、
前記複数の第1の溝からなる第1の溝領域と、前記複数の第2の溝からなる第2の溝領域とは、それぞれストライプ状であると共に交互に配置され、
前記第2偏光子の透過軸方向と、前記第1の溝および前記第2の溝の延在方向とのなす角がそれぞれ45°である
請求項7に記載の表示装置。 The retardation plate is disposed on the light exit side of the second polarizer,
The plurality of grooves include a plurality of first grooves extending in a first direction and a plurality of second grooves extending in a second direction orthogonal to the first direction,
The first groove region composed of the plurality of first grooves and the second groove region composed of the plurality of second grooves are each in a stripe shape and alternately arranged,
The display device according to claim 7, wherein an angle formed by a transmission axis direction of the second polarizer and an extending direction of the first groove and the second groove is 45 °.
前記第1偏光子の透過軸方向と、前記溝の延在方向とのなす角が0°もしくは45°である
請求項7または請求項8に記載の表示装置。 The retardation film is disposed on a light emission side of the first polarizer, and an angle formed between a transmission axis direction of the first polarizer and an extending direction of the groove is 0 ° or 45 °. Item 9. The display device according to item 7 or 8.
請求項8に記載の表示装置。 The display device according to claim 8, wherein a vicinity of a boundary between the first groove region and the second groove region is covered with a black pattern.
請求項7または請求項8に記載の表示装置。 The display device according to claim 7, further comprising an antireflection layer or an antiglare layer on a back surface of the substrate.
請求項7または請求項8に記載の表示装置。 The display device according to claim 7, wherein a depth of the periodic structure is 50 to 250 nm.
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