JP2010258085A - 面位置検出方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 微細化トレンドに従って焦点深度が極めて小さくなるに従って、フォーカス検出の高精度化がますます重要となっている。しかしながら要求精度に合致する検出範囲は狭小化の一途にあり、ウエハ表面を確実に検出範囲内に位置付けることが難しくなっており、露光不良の一因となっている。
【解決手段】 ウエハを保持する可動ステージと、面位置計測手段を持った面位置計測方法において、ウエハ表面の全体、又は一部のウエハ表面形状を計測する段階と、計測したウエハ表面形状を記憶する段階を持ち、記憶したウエハ表面形状に沿った軌道で可動ステージを動かしながら面位置の変化量を計測する手段と、軌道からの変化量を駆動する手段とを有する。
【選択図】 図９

Description

本発明は、半導体デバイスの製造に使用する面位置検出方法に関する。

例えば半導体素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド等をリソグラフィー工程で製造する際に、マスク又はレチクル(以下「レチクル」と総称する)パターンを、投影光学系を介して感光基板上に結像する露光装置が使用される。

露光装置においては、集積回路の微細化、高密度化に伴いレチクル面上の回路パターンを基板面上に、より高い解像力で投影露光することが要求される。

回路パターンの投影解像力は、投影光学系の開口数（ＮＡ）と露光波長に依存する。

そこで、露光波長を固定にして投影光学系のＮＡを大きくする方法が行なわれている。また、露光波長においては、例えばｇ線よりｉ線、ｉ線よりエキシマレーザー発振波長、エキシマレーザー発振波長においても、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、更には１５７ｎｍというように短波長化の取り組みが行われている。

更に、露光面積の大画面化も進んでいる。

これらを達成する手段として、ほぼ正方形状に近い露光領域を基板面上に縮小して一括投影露光する方式のステッパーや、露光領域を矩形、又は円弧のスリット形状とし、レチクルと基板を相対的に高速走査して大画面を精度良く露光するスキャナーがある。

走査型露光装置、通称スキャナーは、走査露光スリット単位で基板の表面形状を最適露光像面位置に合わせ込むため、基板平面度の影響も低減できる効果を有する。

また、スキャナーは、ステッパーと同等のレンズを使いながら、露光領域と、ＮＡを、大きくすることができる。そのため、スキャナーは露光装置の主流となってきている。

スキャナーは、走査露光スリット毎に基板表面を露光像面位置にリアルタイムで合わせ込む。そのために、露光スリットに差し掛かる前に基板表面位置を光斜入射系の表面位置検出手段や、エアーマイクロセンサ、静電容量センサ等のギャップセンサを用いて計測し、駆動を補正する。

図１２はスキャナーを使ったフォーカスアルゴリズムの一例を示す。Ｓｔｅｐ１２０１でウエハステージにウエハが搬入されて吸着、チャックに固定される。Ｓｔｅｐ１２０２で図３に示すように、ウエハ内を代表する数ショットのフォーカス計測ショット（３０１〜３０４）においてフォーカス計測する。Ｓｔｅｐ１２０３でこのフォーカス計測データから、例えば最小２乗近似等の方法でグローバル近似平面を計算して、ウエハ全面の傾斜成分を補正するようにレベリングステージを駆動する。Ｓｔｅｐ１２０４でＸＹステージを対象露光ショットのスキャン開始位置にステップ移動する。移動完了後、Ｓｔｅｐ１２０５で対象露光ショットのスキャン駆動を開始する。Ｓｔｅｐ１２０６でウエハ表面位置が露光スリットに差し掛かる前に、ウエハ表面位置を逐次フォーカス計測して、リアルタイムに駆動を補正する。Ｓｔｅｐ１２０７で、同時に露光スリットに差し掛かったウエハ表面を露光する。ショット終端まで露光して、Ｓｔｅｐ１２０８で対象露光ショットのスキャン駆動が終了する。Ｓｔｅｐ１２０９で全ショットにわたる露光シーケンスが終了したかを判断し、終了していなければ最初に計測したグローバル近似平面のデータを用いて上記フォーカスアルゴリズム（Ｓｔｅｐ１２０３〜１２０７）を繰り返す。ＩＣチップの回路パターンが形成されたウエハの場合には、さらにパターン構造に依存する誤差を補正したフォーカス計測の方法が提供される。この方法は、特許文献１に示されている。

特開平０９−０４５６０８号公報

大口径のＮＡ比をもつレンズを用いた縮小投影光学系において、微小パターンを転写投影する用途においては大口径化するほど焦点深度が浅くなる。その為、ウエハ表面を確実に像面に位置合わせするには、フォーカス計測の高精度化が不可欠となる。

前述のフォーカス計測手段を高精度化する方法としては、光斜入射系の表面位置検出手段では光学レンズの高NA化による高分解能化が一般的に行なわれている。また、ギャップセンサの場合には、センササイズを大きくして、計測対象物からの距離を短くする方法が専ら行なわれている。

こうして、高精度にフォーカス計測できる範囲が狭小化した結果、ウエハ表面が測定範囲に入らない場合には、計測精度が不足する新たな問題が引き起こり、像面に確実な位置合わせができない原因となる。

例えば、前述の露光装置を使って製造するものとして、ＤＲＡＭデバイスがある。

ＤＲＡＭ製造プロセスにおいては、成膜→リソグラフィー→加工の一連のプロセスとして、露光・転写・現像というリソグラフィー工程が２０回から３０回繰り返されて、ＤＲＡＭデバイスが形成されていくことになる。露光装置に搬入されて、露光・転写されるウエハは、該リソグラフィー工程毎において各種材料の成膜工程、また、リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）などの加工工程等を経ることになる。該ウエハはプロセス上の温度、圧力条件からソリなどの変形を生じる。尚、この変形はプロセス条件によって異なり、常に一定の変形量が各リソグラフィー工程時において生じているわけではない。

このように、ウエハ表面の全体、又は一部がプロセス歪みにより鞍型や椀型のように変形した場合に、グローバルチルト平面を基準にフォーカス計測すると、一部のウエハ表面が狭小化された測定範囲から外れて、計測誤差が拡大する原因となる。この結果、ステージ駆動量が増大し、同期精度の低下から露光不良につながる問題となる。

本発明の目的は、上記従来例に鑑み、ウエハ表面の全体、又は一部がプロセス歪みによって変形した場合においても、その影響を受けることなく、ウエハ表面の位置を高精度に検出し、補正を駆動することができる面位置検出方法を提供することである。

本発明の面位置検出方法は、ウエハを保持する可動ステージと、面位置計測手段を持ち、ウエハ表面の全体、又は一部のウエハ表面形状を計測する段階と、計測したウエハ表面形状を記憶する段階を持つ。そして、記憶したウエハ表面形状に沿った軌道で可動ステージを動かしながら面位置の変化量を計測する手段と、軌道からの変化量を駆動する手段とを有することを特徴とする。

本発明によれば、ウエハ表面の全部、又は一部がプロセス歪みによって変形した場合においても、ウエハ表面を確実に測定範囲内に位置付ける方法を有する為、その影響を受けることなく、ウエハ表面の位置を高精度に検出し、補正を駆動することができる。

本発明の面位置検出方法を用いるスリット・スキャン方式の投影露光装置の一例を示す部分的概略図。 図１におけるウエハステージの制御を行なう制御演算ユニットを示す図。 基板表面状態の計測を行なうサンプルショットの選択の例を示す平面図。 基板を側面からみた模式図 基板を側面からみた模式図 基板を側面からみた模式図 基板表面状態の計測を行なうサンプルショットの選択の例を示す平面図。 基板を側面からみた模式図 基板を側面からみた模式図 基板表面状態の計測を行なうサンプルショットの選択の例を示す平面図。 従来シーケンス例を説明したフローチャート図。 パターン基板の状態の計測を行なうサンプルショットの選択の例を示す平面図。 本発明の実施例を示すフローチャート図。 本発明の実施例を示すフローチャート図。（図１３の続き）

（実施例１）
以下、図面を用いて本発明の実施例を説明する。

図１は、スリット・スキャン方式の投影露光装置の部分概略図である。レチクル２はレチクルステージ３上に保持され、レチクル２のパターンは縮小投影レンズ系１の倍率で１／４ないし１／２、或いは１／５に縮小投影されその像面に像を形成する。表面にレジストが塗布された基板４には、先の露光工程で形成された同一のパターン構造を有する多数個の被露光領域(ショット領域)が配列されている。基板４は保持治具である基板チャック５に吸着・固定される。基板チャック５は基板ステージ６に固定されている。基板ステージ６は、ＸＹステージ、Ｚ軸方向の移動やＸ、Ｙ軸回りに回転可能なレベリングステージ、Ｚ軸回りに回転可能な回転ステージにより構成されうる。レチクルパターン像を基板上の被露光領域に合致させるための６軸補正系を構成する基板ステージ６(以下、「露光ステージ」という)は定盤７上に設置される。第一の高さ位置計測器１０〜１９は、基板４の表面位置及び傾きを計測するために設けた計測光学系の各要素である。光源１０は、白色ランプ又は相異なる複数のピーク波長を持つ高輝度発光ダイオードの光を照射する照明ユニットよりなる。コリメータレンズ１１は、光源１０からの光束を断面の強度分布がほほ均一の平行光束として射出する。プリズム形状のスリット部材１２は、一対のプリズムを互いの斜面が相対する様に貼り合わせ、この貼り合わせ面に複数の開口(例えば９個のピンホール) をクロム等の遮光膜を利用して設けている。両テレセントリック系の光学系１３は、スリット部材１２の複数のピンホールを通過した独立の９本の光束をミラー１４を介して基板４面上の９個の計測スポットに導光する。図１では３光束しか示されていないが、各光束は紙面垂直方向に３本の光束を有している。光学系１３に対してピンホールの形成されている平面と基板４の表面を含む平面とはシャインプルーフの条件を満足するように設定している。

次に基板４からの反射光束を検出する側、即ち１５から１９の各構成について説明する。

両テレセントリック系の受光光学系１６は、ミラー１５を介して基板４面からの９本の反射光束を受光する。受光光学系１６内に設けたストッパー絞り１７は９個の各計測スポットに対して共通に設けられ、基板４上に存在する回路パターンによって発生する高次の回折光 (ノイズ光) をカットする。両テレセントリック系の受光光学系１６を通過した光束は、補正光学系群１８の９個の個別の補正レンズにより光電変換器群１９の計測面に、互いに同一の大きさのスポット光となるように再結像する。受光する側の要素１６〜１８は、基板４面上の各計測スポットと光電変換器群１９の計測面とが、互いに共役となるように倒れ補正を行っている。そのため、各計測スポットの局所的な傾きにより計測面でのピンホール像の位置が変化することはなく、各計測スポットの光軸方向ＡＸでの高さ変化に応答して計測面上でピンホール像が変化する。光電変換器群１９は９個の例えば一次元ＣＣＤラインセンサでもよいし、複数の二次元位置計測素子でもよい。

レチクルステージ３に吸着・固定されたレチクル２は、図１に示す矢印３ａ(Ｙ軸方向)方向に一定速度でスキャンするとともに矢印３ａと直交する方向 (Ｘ軸方向)には目標座標位置を維持してスキャンする様に補正駆動される。レチクルステージのＸ、Ｙ方向の位置情報は、レチクルステージ３に固定されたＸＹバーミラー２０へ外部のレチクル干渉系２１から複数のレーザービームが照射されることにより常時計測される。

照明光学系８は、エキシマレーザー等のパルス光を発生する光源、ビーム整形光学系、オプティカルインテグレイダー、コリメータ及びミラー等の部材で構成されうる。照明光学系８は、遠紫外領域のパルス光を効率的に透過或いは反射する材料で形成されうる。ビーム整形光学系は、入射ビームの断面形状(寸法含む)を所望の形に整形する。オプティカル・インテグレータは光束の配光特性を均一にしてレチクル２を均一照度で照明する。

照明光学系８内のマスキングブレードは、チップサイズに対応する矩形の照明領域を設定する。その照明領域で部分照明されたレチクル２上のパターンが投影レンズ１を介してレジストが塗布された基板４上に投影される。本実施形態の露光系は、照明光学系８及び縮小投影光学系１から定盤７に至る各要素より構成される。

図１に示すメイン制御部２７はレチクル２のスリット像を基板４の所定領域にＸＹ面内の位置とＺ方向の位置を調整しながら、レチクルと基板を投影光学系に対し同期させて走査させる。それとともに縮小投影光学系１を介してレチクル２上のパターンを基板上に投影露光するスキャン露光を行う様に全系をコントロールしている。

レチクル上のパターンのＸＹ面内での位置あわせは、レチクル干渉計２１とＸＹステージ干渉計２４の位置データと不図示のアライメント顕微鏡から算出した位置データを制御することで実現する。

レチクルステージ３を図１矢印３ａの方向に走査する場合ＸＹステージ６は図１の矢印６ａの方向に投影レンズの縮小倍率分だけ補正されたスピードで走査される。

レチクルステージ３の走査スピードは露光照明光学系８内の不図示のマスキングブレードのスキャン(走査)方向の幅と基板４の表面に塗布されたレジストの感度からスループットが有利となるように決定される。

レチクル上のパターンのＺ軸方向における位置合わせ、即ち像面への位置合わせは、基板４の高さデータを検出する面位置検出系２６の演算結果をもとにＸＹステージ内のレベリングステージを制御することで実現する。

即ち、スキャン方向に対して予め計測した高さデータからスキャン方向と垂直方向の傾き及び光軸ＡＸ方向の高さを計算し、露光位置での最適像面位置への補正量を求めて補正を行っている。

図２は図１に示されたウエハ位置制御系２５に含まれる制御演算ユニットを表している。

センサ信号入力部２０１には、ＸＹステージ干渉計２４と不図示の定盤間干渉計、及びＸＹステージに実装されているＺセンサからの各位置データが取り込まれる。この信号は補正処理部２０２に渡されて各軸の現在位置を表すデータに加工される。

この補正処理部２０２では、姿勢補正テーブル２０８を反映して、ＸＹステージのＸＹ位置に応じたＺ方向の位置、及びレベリングステージの姿勢位置をリアルタイムに補正駆動することができる。姿勢補正テーブル２０８にはＺ方向への補正量、及び傾き補正量がＸＹの関数として設定されている。

プロファイラ２０７は、メイン制御部２７から連続的に指令される制御目標値の変化に対して、ＸＹステージに規定された以上の加速度が加わらないように徐々に目標値を変化させてＸＹステージを移動させるものである。差分演算器２０３はプロファイラ２０７の出力と補正処理部２０２の出力を比較して逐次的に変化する目標値に対する偏差量を計算する。２０４はサーボ補償器であり、ＸＹステージのメカ的な特性に配慮した補償機能、例えばＰＩＤ調節計やノッチフィルター等の機能が実装されている。サーボ補償器２０４を経た制御量は、推力分配器２０５によって実際に配置しているＸＹステージのアクチュエータの操作量として分配され、ドライブ出力２０６となる。

次に、本発明の面位置検出方法により、狭小化した測定範囲内に確実に基板４の表面を位置決めして、被露光領域の位置を高精度に検出する方法をのべる。

これを、図１３のフローチャートを使用して説明する。

まず、Ｓｔｅｐ１３０１で基板４をウエハチャック５に載せて吸着・固定する。

Ｓｔｅｐ１３０２で図３に示すように、基板内を代表する数ショットのフォーカス計測ショット（３０１〜３０４）においてフォーカス計測する。このフォーカス計測データから、Ｓｔｅｐ１３０３で基板全面の傾斜成分を計算して、補正するようにレべリングステージを駆動する。即ち、図４における一次傾斜量４０１が無くなるように補正駆動される。

Ｓｔｅｐ１３０４でアライメントマーク計測を実施するか判断し、実施する場合はＳｔｅｐ１３０５でアライメントマーク計測を行なう。例えば図４のように、基板面上にデバイスパターン４０２が形成されていた場合には、不図示のアライメント顕微鏡下へ特定ショットのアライメントマークを移動して、アライメントマークの位置も計測する。複数のショットで測定したアライメントデータから基板上の全露光位置のショット配列データを補正する。これによって、ショット毎のデバイスパターンとフォーカス計測位置がアライメント精度の範囲内で一致する。ショット毎のフォーカス計測において、ショット内の同一パターン構造の同一箇所を測定していることになる。

Ｓｔｅｐ１３０６で基板の面形状を測定するシーケンスに移行する。

まず予め決定されたサンプルショットＳｉ（ｉ＝１〜ｍ）内の第１計測ポイント位置へＸＹステージ干渉計２４の出力信号に基づいて移動する。

ここで、サンプルショットの選び方は図７のように基板内のほぼ全ショットを対象としても良いし、図１０のように基板上の一部分（１００１）を選んでも良い。図７における矩形７０１はショット領域を表し、各○マークは計測ポイント位置を表している。計測ポイント７０２と計測ポイント７０３は基板の内側にあるか外側にあるかを意味しており、本実施例では基板の内側に位置する計測ポイントを使用する。

また、図７ではショット内の計測ポイント数を９個で表しているが、これに限定する必要はなく、任意の個数が設定できる。

被露光領域内第ｊ計測ポイントに移動した後、基板表面での面位置計測データ即ち基板表面のＡＸ方向の位置Ｚｊｋ（ｋ＝１〜ｐ）を検出光学系（１０〜１９）で検出する。

Ｓｔｅｐ１３０７では、基板表面のＡＸ方向の位置Ｚｊｋ（ｋ＝１〜ｐ）を計測したのち、検出面をベストフォーカス近傍へ補正駆動する。これは、図１１に示すように高精度に計測できる範囲ａがベストフォーカス（１１０１）付近に狭小化されている為であり、測定範囲を外れて計測した場合(１１０２)に計測誤差（Δｄ）が含まれるのを防止する為である。

従って、既に測定範囲にある場合や、計測誤差（Δｄ）の影響が無視できる場合には、補正駆動を省略しても構わない。若干、計測精度条件を緩くしてＳｔｅｐ１３０７の処理スピードを向上することが出来る。

図５は図３に示したサンプルショットで基板全面の傾斜成分を補正駆動した状態において、ＸＹ平面５０１を基準にフォーカス計測の為の駆動をする例を表している。

図６はフォーカス計測の為にＸＹ平面に対して基板表面６０１に駆動する例を表している。

Ｓｔｅｐ１３０８で、基板全面の傾斜成分を補正駆動後のレベリングステージの位置（Ｚｊ、α０、β０）と、その位置での面位置計測データ即ち基板表面の光軸ＡＸ方向の位置Ｚ０ｊｋ（ｋ＝１〜ｐ）のデータから、
Ｚｊｋ（ｋ＝１〜ｐ）＝Ｚ０＋Ｚｊ−Ｚ０；
と計算する。

この位置Ｚ０ｊｋ（ｋ＝１〜ｐ）に対応する信号がｐ個の光電変換器群１９から面位置検出系２６へ入力される。上記補正計測を実施したあと、第ｊ計測ポイントでの計測値としてメモリに記憶される。

このあとＳｔｅｐ１３０９にて、この位置でのＸＹステージのポジション（Ｘｉｊ、Ｙｉｊ）を同時にメモリに記憶する。

Ｓｔｅｐ１３１０では同様の測定をサンプルショット内全ポイント（ｊ＝１〜ｎ）での計測が終了したかを判定し、終了していなければＳｔｅｐ１３０７で次のポイントへ移動し同様の計測を繰り返す。終了した場合、Ｓｔｅｐ１３１１で全サンプルショット（ｉ＝１〜ｍ）での計測が終了したか判定し、終了していなければＳｔｅｐ１３０６へ移動する。

Ｓｔｅｐ１３１１の判定で全サンプルショット内、全サンプルポイントでの計測が終了したと判定された場合、Ｓｔｅｐ１３１２にてメモリ内のデータから基板面形状関数Ｆｎｐ（ｘ，ｙ）を次のように算出する。

被露光位置内の計測ポイントｊでの計測センサｋの計測値Ｚｊｋにより、ｎ×ｐ個の基板面形状関数Ｆｎｐ（ｘ、ｙ）（各面形状関数のデータポイント数はサンプルショットＳｉ（ｉ＝１〜ｍ）のｍポイント）が決定される。これらの基板面形状関数Ｆｎｐ（ｘ、ｙ）の曲面の次数や展開式は所定の多項式の形で予め定めておく。

各面のオフセット量を求めるために測定値Zｊｋを面位置データとして用い、最小自乗法によりＦｎｐの係数、即ちオフセット補正値を求める。

具体的には、
∬（Ｆｊｋ（ｘ、ｙ）−Ｚｊｋ（ｘ、ｙ））²ｄｘｄｙ＝０（ｊ＝１〜ｎ、ｋ＝１〜ｐ）
なる式を満足するような定数項Ｃｊｋを求めて、ＸＹ位置に対するＺとチルト量を算出する。

算出した結果を姿勢補正テーブル２０８に設定する。

Ｓｔｅｐ１３１３でＸＹステージを対象露光ショットのスキャン開始位置にステップする。このとき、基板面形状が反映されたＸＹステージ姿勢で位置決めされる為、図８の基板面形状８０１に沿った姿勢となる。

Ｓｔｅｐ１３１４でスキャン駆動が開始される。基板面形状関数Ｆｎｐ（ｘ，ｙ）でショット内のスキャン駆動は補正される。Ｓｔｅｐ１３１５でウエハ表面位置が露光スリットに差し掛かる前にウエハ表面を逐次フォーカス計測して、リアルタイムに駆動を補正する。即ち図９に示すウエハ表面９０１を像面に合わせるように駆動が補正される。Ｓｔｅｐ１３１６で、同時に露光スリットに差し掛かったウエハ表面を露光する。ショット終端まで露光して、Ｓｔｅｐ１３１７で対象露光ショットのスキャン駆動が終了する。Ｓｔｅｐ１３１８で全ショットにわたる露光シーケンスが終了したかを判断し、終了していなければＳｔｅｐ１３１３に戻って終了するまで繰り返す。

ところで、図１３では基板面形状を求めてから露光するまでを一連の処理として説明したが、次の場合においても十分に適用できる。

デバイス製造における露光処理は複数枚（例えば２５枚）の基板を単位としたロット単位で行なわれ、同一ロット内におけるプロセス歪みの傾向は極めて一致する。即ち、ロット先頭で求めた基板面形状を以降の露光処理に適用することで、スループット（単位時間に露光処理することが出来る基板枚数）を向上することが可能となる。

また、本実施例ではシングルステージの露光装置を用いて説明したが、露光処理と計測処理が別々のステージで並列処理できるツインステージの露光装置に対しても適用可能である。

即ち、計測ステージにおいては、基板面形状に沿って駆動しながらウエハ表面のフォーカス計測処理を行い、露光ステージにおいて、その結果を用いてリアルタイム駆動を補正して、露光処理を行なえば良い。更にロット先頭、或いはステージ毎に最初の基板から求めた基板形状を、以降の計測ステージで活用すれば、スループットを向上する効果も得られる。

１ 縮小投影レンズ系
２ レチクル
３ レチクルステージ
４ ウエハ
５ チャック
６ ウエハステージ
７ 定盤
８ 露光照明光学系
１０ 光源
１１ コリメータレンズ
１２ プリズム形状のスリット部材
１３、１６ 検出レンズ
１４、１５ 折り曲げミラー
１７ ストッパー絞り
１８ 補正光学系群
１９ 光電変換手段群
２０ レチクルバーミラー
２１ レチクルステージ干渉計
２２ レチクル位置制御系
２３ ステージバーミラー
２４ ウエハーステージ干渉計
２５ ウエハー位置制御系
２６ 面位置検出系
２７ メイン制御部

Claims (4)

1. ウエハを保持する可動ステージと、面位置計測手段を持ち、ウエハ表面の全体、又は一部のウエハ表面形状を計測する段階と、計測したウエハ表面形状を記憶する段階を持ち、
   記憶したウエハ表面形状に沿った軌道で可動ステージを動かしながら面位置の変化量を計測する手段を有することを特徴とした面位置検出方法。
2. ウエハを保持する可動ステージと、面位置計測手段を持ち、ウエハ表面の全体、又は一部のウエハ表面形状を計測する段階と、計測したウエハ表面形状を記憶する段階を持ち、
   記憶したウエハ表面形状に沿った軌道で可動ステージを動かしながら面位置の変化量を計測する手段と、軌道からの変化量を駆動する手段とを有することを特徴とした面位置検出方法。
3. ウエハを保持する可動ステージと、面位置計測手段を持ち、ウエハ表面の全体、又は一部のウエハ表面形状を計測する場合の計測精度と、該ウエハ表面形状に沿った軌道で可動ステージを動かしながら面位置の変化量を計測する場合の計測精度を異ならしめることを特徴とした面位置検出方法。
4. ウエハを保持する可動ステージと、面位置計測手段を持ち、ウエハ表面の全体、又は一部のウエハ表面形状を計測する場合の計測有効範囲と、該ウエハ表面形状に沿った軌道で可動ステージを動かしながら面位置の変化量を計測する場合の計測有効範囲を異ならしめることを特徴とした面位置検出方法。