JP2010133886A - Semiconductor test device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は被試験デバイスのテストを行う半導体試験装置に関し、特に被試験デバイスのテストを行うためのパターンデータを記憶したパターンメモリを備えた半導体試験装置に関するものである。 The present invention relates to a semiconductor test apparatus that tests a device under test, and more particularly to a semiconductor test apparatus that includes a pattern memory that stores pattern data for testing a device under test.
被試験デバイス(以下、DUT)に対して所定の試験信号を入力して測定を行うテストとして、パターンデータを記憶したパターンメモリを備える半導体試験装置が従来から知られている。図6に従来の半導体試験装置の概略を示す。この半導体試験装置はDUT101とALPG102とPE103とを備えて概略構成されている。DUT101はメモリやIC、LSI等の半導体デバイスであり、試験対象となる被試験デバイスである。ALPG(Algorithmic Pattern Generator)102はDUT101のパターンデータを生成するためのコントローラである。また、PE(Pin Electronics)103はDUT101に対して試験信号を入力して試験を行うテスト部である。
2. Description of the Related Art Conventionally, a semiconductor test apparatus including a pattern memory that stores pattern data is known as a test for performing measurement by inputting a predetermined test signal to a device under test (hereinafter referred to as DUT). FIG. 6 shows an outline of a conventional semiconductor test apparatus. This semiconductor test apparatus is schematically configured to include a
ALPG102はPG111とクロック発生部112とユーザ情報設定部113とを備えて概略構成している。PG111はパターンデータを生成するためのパターンジェネレータである。クロック発生部112はテストの動作基準となる基準クロックCLKを発生するためのものである。ユーザ情報設定部113はユーザが設定する情報を記憶するものであり、ここでは後述するアドレス制御信号CTRと初期アドレスSAとが設定されるものとして説明する。そして、これらの情報はPE103に出力される。
The ALPG 102 includes a
PE103は複数(n個:nは自然数)の個別制御ユニット120−1〜120―n(総称して個別制御ユニット120とする)を備えている。個別制御ユニット120はDUT101に対して個別的にテスト信号を印加するための機構であり、TG121−1〜121―n(総称してTG121とする)と個別パターン生成部122−1〜123―n(総称して個別パターン生成部122とする)と信号生成部123−1〜122―n(総称して信号生成部123とする)とを備えている。
The
TG121はDUT101に対してテスト信号を印加するためのタイミングを生成するタイミングジェネレータであり、ALPG102のPG111から出力されるパターンデータおよび基準クロックCLKを入力してDUT101のテストタイミングを生成している。個別パターン生成部122はDUT101に対して個別的なパターンデータを生成する。ALPG102のPG111から出力されるパターンデータは全てのDUT101に対して共通のパターンデータ(以下、共通パターンデータCPATとする)であり、DUT101に対してそれぞれ異なるパターンデータを印加するために個別的なパターンデータ(以下、パターンデータPATとする)を個別パターン生成部122が発生している。信号生成部123は、TG121から出力されるタイミングおよび個別パターン生成部122から出力されたパターンデータPAT(DUT101に対して個別的に生成されたパターンPAT)を用いてテスト信号を生成してDUT101に印加を行う。
The TG 121 is a timing generator that generates timing for applying a test signal to the
個別パターン生成部122について、図7を用いて説明する。個別パターン生成部122はパターンメモリ131とアドレス生成部132とアドレスレジスタ133とを備えて概略構成している。パターンメモリ131にはDUT101に個別的に対応した複数のパターンデータPATが記憶されており、パターンメモリ131から読み出されたパターンデータPATが信号生成部123に出力される。アドレス生成部132はパターンメモリ131に記憶されているパターンデータPATを読み出すためのアドレスを演算して生成しており、生成されたアドレス(アドレス132Aとする)をアドレスレジスタ133に出力する。アドレスレジスタ133はアドレス生成部132から出力されたアドレス132Aを一時的に保持するためのレジスタであり、保持したアドレスはアドレス133Aとしてパターンメモリ131に出力される。
The individual
アドレス生成部132はアドレス制御信号CTRの制御に基づいて、入力したアドレスをインクリメントすることにより、或いはアドレスのインクリメントを行わずにそのままのアドレスを出力することによりパターンメモリ131からパターンデータPATを読み出すためのアドレスを生成する。アドレス制御信号CTRが「0」を示していれば入力したアドレスをそのまま出力し、「1」を示していれば入力したアドレスをインクリメントしたアドレスを出力する。アドレス生成部132はアドレスレジスタ133が出力するアドレス133Aを入力しており、インクリメントを行う対象となるアドレスはアドレス133Aになる。
The
アドレスレジスタ133には初期アドレスSAが入力される。従って、アドレスレジスタ133に初期アドレスSAが保持され、この初期アドレスSAがアドレス133Aとしてパターンメモリ131およびアドレス生成部132に出力される。つまり、初期アドレスSAをスタートアドレスとして、アドレス生成部132によるインクリメントにより、初期アドレスSAから連続したアドレスにアクセスされることになる。
An initial address SA is input to the
図8に示すように、パターンメモリ131は複数のエリアに分割されている。各エリアにはDUT101のテストを行うために必要な制御パターンが記述されている。制御パターンはコマンドおよびコマンドを実行するための1または複数のデータから構成されており、コマンドとデータとはそれぞれ1つのアドレスに記憶されているパターンデータPATを構成する。例えば、データエリアBの制御パターンとしては、アドレス03にコマンドが記憶されており、アドレス04〜08にコマンドを実行するための5つのデータが記憶されている。これらは全てパターンデータPATとなる。
As shown in FIG. 8, the
初期アドレスSAとしてアドレス03を指定して、アドレス生成部132が順次アドレスのインクリメントを行っていくことにより、コマンドおよび各データのパターンデータPATが読み込まれて、信号生成部123に出力されていく。
By designating the address 03 as the initial address SA and the
図6および図7に示すように、個別制御ユニット120のTG121、そして個別パターン生成部122のパターンメモリ131およびアドレスレジスタ133はクロック発生部112が発生した基準クロックCLKを入力しており、基準クロックCLKのタイミングで動作を行う。
As shown in FIGS. 6 and 7, the TG 121 of the individual control unit 120 and the
次に、以上の構成の動作について図9のタイミングチャートを用いて説明する。図9において、アドレス制御信号CTRはCTR(0)が初期値となっており、CTR(1)、CTR(2)、・・・がそれぞれ各時刻におけるアドレス制御信号CTRの値になっている。これらアドレス制御信号CTRの値は予めユーザ情報設定部113に設定されている。ここでは、全てのアドレス制御信号CTRの値は「1」であるものとして説明する。つまり、全ての時刻においてアドレス生成部3は必ずアドレスのインクリメントの制御を行うものとする。
Next, the operation of the above configuration will be described using the timing chart of FIG. 9, CTR (0) has an initial value for the address control signal CTR, and CTR (1), CTR (2),... Are the values of the address control signal CTR at each time. The values of these address control signals CTR are set in the user
また、図9におけるADD(0)、ADD(1)、・・・は連続したアドレスを示している。ADD(0)は初期アドレスSAを示しており、この初期アドレスSAはユーザ情報設定部113に設定されている。アドレス生成部132から出力されるアドレス132Aおよびアドレスレジスタ133から出力されるアドレス133Aは両者とも初期値がADD(0)とする。PAT(ADD(m))はパターンメモリ131のADD(m)におけるパターンデータを示している(mは自然数)。
Further, ADD (0), ADD (1),... In FIG. ADD (0) indicates an initial address SA, and this initial address SA is set in the user
アドレス生成部132はアドレス制御信号CTRに基づいてアドレスのインクリメントを行うか、或いは入力したアドレスをそのまま出力する。アドレス制御信号CTRは全て「1」を示しているので、全ての時刻において入力したアドレスを必ずインクリメントする。アドレス生成部132にはアドレスレジスタ133から出力されたアドレス133Aが入力されており、初期値としてはADD(0)となっている。従って、アドレス生成部132は時刻t0から開始して、基準クロックCLKの立ち上がりタイミングに同期して、毎回アドレスのインクリメントを行っていく。このため、アドレス132AとしてはADD(1)、ADD(2)、・・・の順番で連続したアドレスが生成されていく。
The
アドレスレジスタ133はアドレス生成部132が生成したアドレス132Aを基準クロックCLKの1クロック分遅いタイミングで保持していく。従って、時刻t1から開始して基準クロックCLKの立ち上がりタイミングに同期して、ADD(1)、ADD(2)、・・・の順番で連続したアドレスをレジスタ内に保持していく。
The
パターンメモリ131はアドレスレジスタ133から出力されるアドレス133Aを入力して、パターンデータPATを読み出す。パターンメモリ131がパターンデータPATを読み出すタイミングはアドレスレジスタ133がアドレスを保持するタイミングよりも1クロック分遅れている。このため、時刻t2から開始して基準クロックCLKの立ち上がりタイミングに同期して、PAT(ADD(1))、PAT(ADD(1))、・・・の順番で読み出されていく。読み出されたパターンデータPATは順次信号生成部123に出力されていく。
The
以上のように、アドレス生成部132が順次アドレスのインクリメントを行っていくことで、パターンメモリ131から連続したアドレスのパターンデータPATが信号生成部123に出力されていくようになる。なお、以上のような構成および動作を行う半導体試験装置としては、例えば特許文献1に開示されている技術がある。
図6に示したように、半導体試験装置のALPG102とPE103とは別個独立のハードウェアとして備えられており、PE103はALPG102により動作制御がなされている。別個独立の装置間で制御側と被制御側とに分かれているため、ALPG102によるPE103の動作制御は簡単なものであることが望まれる。ALPG102により複雑な動作制御がされると、ハードウェアが著しく複雑化するためである。特に、ALPG102とPE103との間はケーブルにより接続されており、複雑な動作制御を行うと、ケーブルに内包される信号線の数が大幅に増加してしまう。また、複雑な動作制御を行うようにすると、DUT101のテスト動作自体が著しく低速化する。近年の半導体試験装置では試験時間の短縮が必須の課題であるため、ALPG102による動作制御をできるだけ簡単なものにすることで、試験時間の短縮を図りつつ、ハードウェアを単純なものにしなければならない。
As shown in FIG. 6, the
このため、パターンメモリ131に対するアドレス制御は任意のアドレスにフレキシブルにアクセス可能にするのではなく、1ビットのアドレス制御信号CTRを用いたインクリメントによる制御としている。1ビットのアドレス制御信号CTRによる制御により極めて簡単な動作制御になり、試験時間の短縮およびハードウェアの単純化といった要請を十分に満たすことができるようになる。
For this reason, the address control for the
一方で、アドレスの制御をインクリメントで行う場合には、アドレスを1つずつ増加することしかできないため、以前にアクセスしたアドレスに復帰させることはできない。このため、例えば以前にアクセスしたアドレスにジャンプさせるような制御、或いは特定の処理を繰り返すループ処理等といったような複雑な制御は1つのテスト中に行うことができない。このため、特定のアドレスに復帰させるためには、テストを一度終了させた後に再度テストを開始するようにしなければならない。 On the other hand, when the address control is performed in increments, the address can only be increased one by one, and therefore it is not possible to return to the previously accessed address. For this reason, complicated control such as control for jumping to an address accessed previously, loop processing for repeating specific processing, or the like cannot be performed during one test. Therefore, in order to return to a specific address, it is necessary to end the test once and then start the test again.
例えば、図8に示したパターンメモリ131のうちデータエリアBの制御パターンを繰り返して実行するループ処理の場合には、最初にアドレス03を初期アドレスSAとして設定を行い、その後インクリメントによるアドレス制御を行ってアドレス08まで連続的にアクセスを行う。アドレス08の次にアドレス03に戻ることができないため、DUT101のテストを終了させ、初期アドレスSAをアドレス03に設定してテスト可能な状態に設定した後に、再びテストを開始する。そして、アドレス03からアドレスをインクリメントしてテストを行っていく。このため、ループ処理を行う場合には、最終アドレス(アドレス08)までのパターンデータPATが読み出された後にテストを終了させて、再度テストを開始させるために初期設定を行わなければならない。従って、テストを終了させた後に初期設定を行い、再びテストを開始するまでに要する時間が無駄になり、大幅なタイムロスが生じるようになる。例えば、ループ処理の回数がx回(xは自然数)の場合には、大幅なタイムロスがx回生じることになり、試験速度が著しく低下することになる。
For example, in the case of a loop process in which the control pattern of the data area B is repeatedly executed in the
そこで、本発明は、ハードウェアの単純化および試験時間の短縮を図りつつ、パターンメモリの任意のアドレスに復帰可能にすることを目的とする。 Therefore, an object of the present invention is to make it possible to return to an arbitrary address of a pattern memory while simplifying hardware and shortening a test time.
以上の課題を解決するため、本発明の請求項1の半導体試験装置は、被試験デバイスのテストを行うためのパターンデータを記憶するパターンメモリを備える半導体試験装置であって、アドレスをインクリメントして前記パターンメモリのパターンデータを読み出すためのアドレスを生成するアドレス生成部と、このアドレス生成部から前記パターンメモリに出力するアドレスを格納して、格納したアドレスを前記アドレス生成部に出力するアドレス格納部と、を備えたことを特徴とする。
In order to solve the above problems, a semiconductor test apparatus according to
この半導体試験装置によれば、アドレス格納部に一時的に復帰させるアドレスを記憶し、これをアドレス生成部に入力させているため、一度アクセスしたアドレスに復帰させることができるようになる。しかも、パターンメモリのアドレスはインクリメント制御によりなされているため、簡単な制御でアドレスの制御を行うことができるようになり、ハードウェアの単純化および試験時間の短縮を図ることができる。 According to this semiconductor test apparatus, since the address to be temporarily restored is stored in the address storage unit and input to the address generation unit, the address can be restored to the address once accessed. In addition, since the address of the pattern memory is controlled by increment control, the address can be controlled with simple control, and the hardware can be simplified and the test time can be shortened.
本発明の請求項2の半導体試験装置は、請求項1記載の半導体試験装置において、前記アドレス生成部と前記アドレス格納部とは、それぞれ1ビットの制御信号により制御がされることを特徴とする。 A semiconductor test apparatus according to a second aspect of the present invention is the semiconductor test apparatus according to the first aspect, wherein the address generation unit and the address storage unit are each controlled by a 1-bit control signal. .
この半導体試験装置によれば、1ビットの制御信号によりアドレス生成部とアドレス格納部とが制御されるため、極めて簡単にアドレスの制御を行うことができるようになる。 According to this semiconductor test apparatus, since the address generation unit and the address storage unit are controlled by a 1-bit control signal, the address can be controlled very easily.
本発明の請求項3の半導体試験装置は、請求項1記載の半導体試験装置において、前記アドレス生成部から出力されたアドレスと前記アドレス格納部から出力されたアドレスとのうち何れか一方を選択して、前記アドレス生成部に出力するセレクタを備えたことを特徴とする。 A semiconductor test apparatus according to a third aspect of the present invention is the semiconductor test apparatus according to the first aspect, wherein one of the address output from the address generation unit and the address output from the address storage unit is selected. And a selector for outputting to the address generation unit.
この半導体試験装置によれば、セレクタを設けることにより、インクリメントされたアドレスと復帰させたいアドレスとのうち何れか一方を自由に選択させる制御ができるようになる。 According to this semiconductor test apparatus, by providing the selector, it is possible to control to freely select one of the incremented address and the address to be restored.
本発明の請求項4の半導体試験装置は、請求項3記載の半導体試験装置において、前記アドレス生成部と前記アドレス格納部と前記セレクタとは、それぞれ1ビットの制御信号により制御がされることを特徴とする。 A semiconductor test apparatus according to a fourth aspect of the present invention is the semiconductor test apparatus according to the third aspect, wherein the address generation unit, the address storage unit, and the selector are each controlled by a 1-bit control signal. Features.
この半導体試験装置によれば、アドレス生成部とアドレス格納部とセレクタとは1ビットの制御信号により制御がされていることから、極めて簡単にアドレスの制御を行うことができるようになる。 According to this semiconductor test apparatus, the address generation unit, the address storage unit, and the selector are controlled by a 1-bit control signal, so that the address can be controlled very easily.
本発明の請求項5の半導体試験装置は、請求項3記載の半導体試験装置において、前記パターンメモリと前記アドレス生成部と前記アドレス格納部と前記セレクタとを設けた個別パターン生成部を複数備えるテスト部と、前記テスト部とは別個独立の装置として構成され、前記テスト部の制御を行うコントローラと、を備えたことを特徴とする。 A semiconductor test apparatus according to a fifth aspect of the present invention is the semiconductor test apparatus according to the third aspect, comprising a plurality of individual pattern generation units each provided with the pattern memory, the address generation unit, the address storage unit, and the selector. And a controller configured to be independent of the test unit and controlling the test unit.
この半導体試験装置によれば、テスト部とコントローラとは別個独立の装置により構成されており、コントローラの制御によりテスト部の制御がされている。コントローラからの制御をアドレスのインクリメントによる簡単な制御にしつつ、アドレス格納部に一時的にアドレスを格納することで任意のアドレスに復帰させられるようになる。コントローラとしてはALPGを適用でき、テスト部としてはPEを適用できる。 According to this semiconductor test apparatus, the test unit and the controller are constituted by independent devices, and the test unit is controlled by the control of the controller. It is possible to return to an arbitrary address by temporarily storing the address in the address storage unit while making the control from the controller simple by incrementing the address. ALPG can be applied as the controller, and PE can be applied as the test unit.
本発明の請求項6の半導体試験装置は、請求項1記載の半導体試験装置において、前記アドレス格納部は、前記アドレス生成部から前記パターンメモリに出力されるアドレスを格納するアドレス格納レジスタを複数備えていることを特徴とする。 A semiconductor test apparatus according to a sixth aspect of the present invention is the semiconductor test apparatus according to the first aspect, wherein the address storage section includes a plurality of address storage registers for storing addresses output from the address generation section to the pattern memory. It is characterized by.
この半導体試験装置によれば、複数のアドレス格納レジスタにそれぞれ異なるアドレスを格納させることで、復帰させるアドレスを複数に設定できるようになる。 According to this semiconductor test apparatus, it is possible to set a plurality of addresses to be restored by storing different addresses in a plurality of address storage registers.
本発明の請求項7の半導体試験装置は、請求項1記載の半導体試験装置において、前記アドレス格納部は、前記アドレス生成部から前記パターンメモリに出力されるアドレスを順次格納していくアドレス格納FIFOを備えていることを特徴とする。 A semiconductor test apparatus according to a seventh aspect of the present invention is the semiconductor test apparatus according to the first aspect, wherein the address storage unit sequentially stores addresses output from the address generation unit to the pattern memory. It is characterized by having.
この半導体試験装置によれば、アドレス格納FIFOに複数のアドレスを格納させることができるため、復帰させるアドレスを複数に設定できるようになる。 According to this semiconductor test apparatus, since a plurality of addresses can be stored in the address storage FIFO, a plurality of addresses to be restored can be set.
本発明の請求項8の半導体試験装置は、請求項1記載の半導体試験装置において、前記アドレス格納部は、前記アドレス生成部から前記パターンメモリに出力される複数のアドレスを記憶するアドレスメモリを備えていることを特徴とする。 The semiconductor test apparatus according to an eighth aspect of the present invention is the semiconductor test apparatus according to the first aspect, wherein the address storage unit includes an address memory that stores a plurality of addresses output from the address generation unit to the pattern memory. It is characterized by.
この半導体試験装置によれば、アドレスメモリに複数のアドレスを記憶させることができるため、復帰させるアドレスを複数に設定できるようになる。 According to this semiconductor test apparatus, since a plurality of addresses can be stored in the address memory, a plurality of addresses to be restored can be set.
本発明の半導体試験装置は、パターンメモリに出力されるアドレスをアドレス格納部に格納しておくことで、任意のアドレスに復帰させることが可能になる。しかも、アドレス生成部はアドレスのインクリメントによるアドレス制御を行うため、非常に簡単な制御でパターンメモリのアドレスを生成していくことができる。これにより、ハードウェアの単純化および試験時間の短縮を図りつつ、任意のアドレスに復帰させるフレキシブルなアドレス制御を行うことができるようになる。 The semiconductor test apparatus of the present invention can return to an arbitrary address by storing the address output to the pattern memory in the address storage unit. In addition, since the address generation unit performs address control by incrementing the address, the address of the pattern memory can be generated with very simple control. This makes it possible to perform flexible address control for returning to an arbitrary address while simplifying the hardware and shortening the test time.
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。図1は個別パターン生成部1を示している。図6で説明したように半導体試験装置にはALPG102とPE103とを設けているが、これらの構成は背景技術で説明した構成とほぼ同様である。ただし、個別パターン生成部の構成が従来のものと異なる。以下、本実施形態における個別パターン生成部1について説明する。なお、半導体試験装置の全体構成は図6を用いて、パターンメモリの構成については図8を用いて説明するが、以下の実施形態において、個別パターン生成部1以外の構成については背景技術と同じ符号を用いて説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows an individual
個別パターン生成部1は、パターンメモリ2とアドレス生成部3とアドレスレジスタ4とアドレス格納レジスタ5とセレクタ6とを備えて概略構成している。パターンメモリ2とアドレス生成部3とアドレスレジスタ4とは背景技術で説明したもの同じである。図6で示したように、PE103には複数の個別パターン生成部1が設けられる。個別パターン生成部1はDUT101に個別的に対応してパターンデータ(以下、パターンデータPATとする)を生成しているが、1つのDUT101の複数の接続ピンに対応してそれぞれ個別パターン生成部1を設けるものであってもよい。なお、PE103に1つの個別パターン生成部1を設けるものであってもよい。
The individual
パターンメモリ2はパターンデータPATを記憶するためのメモリであり、メモリ内は複数のエリアに分割され、各エリアにはDUT101のテストを行うための制御パターンが記憶されている。制御パターンはコマンドとデータから構成され、1つのコマンドに対してデータが複数になる場合もある。コマンドまたはデータは1つのアドレスに格納されているため、制御パターンは連続した複数のアドレスに記憶されるようになる。例えば、図8であれば、データエリアBのアドレス03にコマンドが記憶され、アドレス04〜08にコマンドを実行するためのデータが記憶される。パターンメモリ2から出力されるパターンデータPATは信号生成部123に入力されて、信号生成部123はDUT101に印加する試験信号を生成する。
The
アドレス生成部3はアドレス制御信号CTRに基づいて、入力したアドレスのインクリメント制御を行ってアドレス3Aとして出力を行う。アドレス3Aはパターンメモリ2のアドレスを指定するためのものである。アドレス生成部3には後述するセレクタ6が出力したアドレス6Aが入力され、このアドレス6Aのインクリメントを行う。アドレス生成部3は、アドレス制御信号CTRが「0」を示している場合にはアドレス6Aをそのままアドレス3Aとして出力し、アドレス制御信号CTRが「1」を示している場合にはアドレス6Aをインクリメントしたアドレスをアドレス3Aとして出力する。
Based on the address control signal CTR, the
アドレスレジスタ4はアドレス生成部3が出力したアドレス3Aを一時的に保持するアドレスである。アドレスレジスタ4が保持したアドレス3Aはアドレス4Aとして出力される。アドレスレジスタ4には初期アドレスSAが入力されるようになっており、パターンメモリ2のスタートアドレスが指定される。例えば、データエリアBの制御パターンを指定する場合には、初期アドレスSAはアドレス03になる。初期アドレスSAとして設定されたアドレス03はアドレス生成部3によりインクリメントされることにより、順次エリア内のアドレスのコマンド或いはデータが読み込まれていく。なお、アドレス生成部3が生成したアドレスをパターンメモリ2に直接的に入力させるようにしてもよい。この場合には、アドレスレジスタ4を設けなくてもよいが、アドレス生成部3に初期アドレスSAを設定する手段を設けなくてはならない。
The
アドレス格納部としてのアドレス格納レジスタ5は、アドレスの復帰を行うためにパターンメモリ2に出力されるアドレス4Aを格納(保存)するレジスタになる。アドレスの格納はアドレス制御信号CTRに基づいて行っており、格納したアドレスをアドレス5Aとしてセレクタ6に出力している。アドレス格納信号ADSが「0」を示している場合にはアドレス4Aを格納せず、「1」を示している場合にはアドレス4Aを格納する動作を行う。アドレス格納レジスタ5は1つのアドレスを格納するようになっており、複数のアドレスを格納できるようにはなっていない。従って、アドレス格納信号ADSが「1」を示した時点でのアドレス4Aを格納しているが、次にアドレス格納信号ADSが「1」になったときには、先に格納したアドレス4Aは失われ、最新のアドレス4Aが格納されるようになる。
An
セレクタ6はアドレスレジスタ4から出力されたアドレス4Aとアドレス格納レジスタ5から出力されたアドレス5Aとを入力して何れか一方のアドレスを選択的に出力する。このセレクタ6が出力するアドレスをアドレス6Aとする。セレクタ6はセレクト信号SELに基づいて動作を行っており、セレクト信号SELが「0」を示している場合にはアドレス4Aを選択して出力し、「1」を示している場合にはアドレス5Aを選択して出力する。セレクタ6から出力されたアドレス6Aは前述したようにアドレス生成部3に入力されるようになっている。
The
パターンメモリ2とアドレスレジスタ4とアドレス格納レジスタ5とセレクタ6とは基準クロックCLKに同期して動作を行っている。なお、アドレス生成部3はアドレス制御信号CTRに基づいて動作を行っており、このアドレス制御信号CTRはALPG102において基準クロックCLKに同期させていることから、実質的にアドレス生成部3も基準クロックCLKに同期して動作を行なっていることになる。
The
アドレス制御信号CTRとアドレス格納信号ADSとセレクト信号SELとはそれぞれ1ビット(二値)の制御信号である。これらの制御信号はPE103の外部から入力される。PE103はALPG102により制御がされるため、ここではALPG102から信号が出力されるものとする。ALPG102にはユーザ情報設定部113を設けてあり、ユーザ情報設定部113からアドレス制御信号CTRとアドレス格納信号ADSとセレクト信号SELとを出力するようにしている。ユーザ情報設定部113には、これらの信号の出力タイミングが予め記憶されている。勿論、ALPG102以外の制御機構から各制御信号が出力されるようにしてもよい。
The address control signal CTR, the address storage signal ADS, and the select signal SEL are each 1-bit (binary) control signals. These control signals are input from outside the
なお、アドレス制御信号CTRとアドレス格納信号ADSとセレクト信号SELとは1ビットの制御信号であるものを例示しているが、これに限定されず、2ビット或いは3ビット等の少ないビット数の制御信号であってもよい。例えば、2ビットの制御信号にすることにより、条件付きでアドレスのインクリメントを行わせる等の制御ができる。ただし、制御信号は少ないビット数であるほど有利な効果を発揮するため、1ビットの制御信号であることが望ましい。 The address control signal CTR, the address storage signal ADS, and the select signal SEL are illustrated as one-bit control signals. However, the present invention is not limited to this, and control of a small number of bits such as 2 bits or 3 bits is possible. It may be a signal. For example, by using a 2-bit control signal, it is possible to control the address to be incremented conditionally. However, since the control signal exhibits an advantageous effect as the number of bits is small, it is desirable that the control signal is a 1-bit control signal.
本発明では、アドレス格納信号ADSとセレクト信号SELとの2つの制御信号を新たに追加しているが、これらの信号は1ビットの信号である。従って、制御信号の追加を行ったとしても、アドレス制御が複雑化することは殆どない。ALPG102から制御信号を伝達するための制御信号線を新たに追加されるが、1ビットの制御信号を伝達するための制御信号線であるため、ハードウェアは従来のものに比べて殆ど変化はない。また、アドレス制御も非常に簡単なものであるため、試験時間が冗長化するといった問題も殆ど発生しない。
In the present invention, two control signals of an address storage signal ADS and a select signal SEL are newly added. These signals are 1-bit signals. Therefore, even if the control signal is added, the address control is hardly complicated. A control signal line for transmitting a control signal from the
アドレスレジスタ4に入力される初期アドレスSAも外部から入力されるようになっており、ここではALPG102のユーザ情報設定部113から入力するようにしている。初期アドレスSAはアドレスを示す情報であり、複数ビットの信号からなる情報になるが、初期アドレスSAは初期的な設定時にのみ使用されるものであり、テストの動作を行っているときに使用されるものではない。従って、最初に初期アドレスSAを設定してしまえばテスト中に使用されることがないため、アドレス制御が複雑化するという問題は生じない。
The initial address SA input to the
DUT101のテストを行うときには、テストを開始するために初期アドレスSAの設定等の初期設定を行った後に、実際にDUT101のテストが開始される。初期設定は最初の設定動作にすぎず、その後のテスト動作に関与しない。従って、この初期設定時に複数ビットの初期アドレスSAが使用されたとしても、それほど制御が複雑化することはない。
When the test of the
以上の構成における動作について、図2のタイミングチャートを用いて説明する。図2において、アドレス制御信号CTRの初期値をCTR(0)、時刻t0における値をCTR(1)、時刻t1における値をCTR(2)、・・・としている。アドレス制御信号CTRは基準クロックCLKの立ち上がりタイミングに同期して「1」または「0」の値がアドレス生成部3に入力される。従って、各時刻においてアドレス制御信号CTRは「1」または「0」の値を示すようになるが、以下においては、全ての時刻において「1」を示すものとして説明する。つまり、全ての時刻において、アドレス生成部3がアドレスのインクリメントを行うものとする。勿論、アドレス制御信号CTRが「0」を示しているものでもよく、その場合にはアドレスのインクリメントは行われない。
The operation in the above configuration will be described with reference to the timing chart of FIG. 2, the initial value of the address control signal CTR is CTR (0), the value at time t0 is CTR (1), the value at time t1 is CTR (2),. As the address control signal CTR, a value “1” or “0” is input to the
ADD(0)は初期アドレスSAであり、ADD(1)、ADD(2)、・・・は順次アドレスをインクリメントした値になる。ここでは、アドレス生成部3が出力しているアドレス3Aとアドレスレジスタ4が保持しているアドレス4Aとアドレス格納レジスタ5に格納されているアドレスとの初期値は全てADD(0)であるものとする。ADD(0)はアドレスレジスタ4に設定される初期アドレスSAになる。そして、図2において、PAT(ADD(m))はパターンメモリ2に記憶されているアドレスADD(m)のパターンデータを示している(mは自然数)。
ADD (0) is the initial address SA, and ADD (1), ADD (2),... Here, the initial values of the
前述したように、アドレス制御信号CTRは全ての時刻において「1」を示している。このため、全ての時刻においてアドレスのインクリメントが行われるため、アドレス生成部3は各時刻において、ADD(1)、ADD(2)、・・・のように連続したアドレスを生成していく。
As described above, the address control signal CTR indicates “1” at all times. For this reason, since the address is incremented at all times, the
アドレスレジスタ4はアドレス生成部3が出力したアドレス3Aを一時的に保持するが、保持するタイミングとしてはアドレス生成部3がアドレス3Aを出力するタイミングよりも1クロック分(基準クロックCLKの分)だけ遅れている。従って、アドレスレジスタ4はアドレス生成部3が出力するアドレス3Aよりも1クロック分遅れたタイミングで、ADD(1)、ADD(2)、・・・のように連続したアドレスを保持していく。そして、保持したアドレスをアドレス4Aとして出力している。
The
アドレス格納レジスタ5に入力されるアドレス格納信号ADSは時刻t1の基準クロックCLKの立ち上がりタイミングに同期して、「0」から「1」に変化する。従って、このタイミングで入力しているアドレス4Aを格納する。時刻t1においては、アドレスレジスタ4から出力されているアドレス4AはADD(1)であるため、アドレス格納レジスタ5はADD(1)を保持する。時刻t2の基準クロックCLKの立ち上がりタイミングに同期してアドレス格納信号ADSは「1」から「0」に変化する。従って、アドレス格納信号ADSが次に「1」に変化するまでの間は、アドレス格納レジスタ5はADD(1)を保持している。
The address storage signal ADS input to the
セレクタ6に入力されるセレクト信号SELは時刻t3の基準クロックCLKの立ち上がりタイミングに同期して「0」から「1」に変化している。このタイミングでセレクタ6は、それまで選択していたアドレス4Aからアドレス5Aに切り替えて出力を行う。従って、時刻t3において、セレクタ6が出力するアドレスはアドレス格納レジスタ5が格納しているADD(1)が出力される。そして、時刻t4の基準クロックCLKの立ち上がりタイミングに同期して「1」から「0」に変化しているため、セレクタ6は、アドレス5Aから再びアドレス4Aに切り替えて出力を行う。
The select signal SEL input to the
アドレス生成部3はセレクタ6の出力を入力しているため、時刻t3においてセレクタ6の出力がADD(1)に切り替わると、このADD(1)をインクリメントしたADD(2)をアドレス3Aとして出力する。そして、時刻t4においては、アドレスレジスタ4がADD(2)を保持しており、セレクタ6はアドレスレジスタ4が保持しているアドレス4Aに選択を切り替えているため、アドレス生成部3にはADD(2)が入力されて、ADD(2)をインクリメントしたADD(3)が出力される。以降、基準クロックCLKの立ち上がりタイミングに同期してADD(4)、ADD(5)、・・・のように連続したアドレスが生成されていく。
Since the
パターンメモリ2から読み出されるパターンデータPATは、アドレスレジスタ4が保持しているアドレス4Aよりも1クロック分遅いタイミングになるため、時刻t1までは初期アドレスのPAT(ADD(0))が読み出され、時刻t2から時刻t4まではPAT(ADD(1))、PAT(ADD(2))、PAT(ADD(3))が読み出される。一方、時刻t5においては、時刻t4にアドレスレジスタ4から出力されたアドレス4A、すなわちADD(1)に対応するパターンデータPAT(ADD(1))が再び読み出されるようになる。つまり、アドレス格納レジスタ5に格納していたADD(1)にそれまでのADD(3)からアドレスの復帰をさせることができるようになる。
Since the pattern data PAT read from the
従って、アドレス格納レジスタ5にインクリメントされていくアドレスを一時的に格納することにより、格納したアドレスに復帰させて、再びインクリメント制御によるアドレス生成を行うことができるようになる。例えば、連続したアドレスのパターンデータPATからなる制御パターンを繰り返して実行する場合にはループ処理がなされる。ループ処理の場合は、ループ範囲の最終アドレスが読み出された次に、ループ範囲の先頭アドレスに復帰しなければならない。このとき、アドレス生成部3が生成した先頭アドレスをアドレス格納レジスタ5に格納しておき、最終アドレスの次に先頭アドレスが読み出されるようにセレクタ6を制御する。これにより、ループ処理を実現することができるようになる。
Therefore, by temporarily storing the incremented address in the
前述したように、パターンメモリ2からパターンデータPATを読み出すときには、任意のアドレスから読み出し可能にしているのではなく、1ビットのアドレス制御信号CTRに基づいてインクリメント制御を行うことにより読み出しを行っている。従って、極めて簡単なアドレス制御により実現できるため、ハードウェアの単純化および試験時間の短縮を大幅に図ることができる。そして、アドレス格納部5に復帰したいアドレスを格納しておき、セレクタ6の出力を切り替えることにより、任意のアドレスに復帰させることができる。このため、アドレスを復帰させるために、テストを終了して、再度テストを開始するために初期設定を行う必要がないことから、アドレス復帰の時間を大幅に短縮できるようになる。また、前述したようにアドレス格納信号ADSとセレクト信号SELとを新たに追加してアドレス制御を行っているが、両信号ともに1ビットの信号であるため、アドレス制御が複雑になることは殆どない。このため、ハードウェアの単純化および試験時間の短縮を図りつつ、任意のアドレスに復帰させるフレキシブルなアドレス制御を行うことができるようになる。
As described above, when the pattern data PAT is read from the
次に、変形例について説明する。図3には第1の変形例を示している。前述した実施形態ではアドレス格納部としてアドレス格納レジスタ5を1つ設けた例を説明したが、本変形例ではアドレス格納部として複数(k個:kは自然数)のアドレス格納レジスタ10−1〜10−k(総称してアドレス格納レジスタ10とする)を設けている。その他の構成は実施形態と同じである。全てのアドレス格納レジスタ10にはアドレスレジスタ4から出力されたアドレス4Aを入力しており、また全てのアドレス格納レジスタ10はセレクタ6に対してアドレスの出力を行っている。このように、複数のアドレス格納レジスタ10を設けることにより、複数のアドレスを一時的に格納できるようになる。
Next, a modified example will be described. FIG. 3 shows a first modification. In the above-described embodiment, an example in which one
各アドレス格納レジスタ10にはそれぞれアドレス格納信号ADSが入力されている。アドレス格納レジスタ10ごとに個別的に対応させたアドレス格納信号ADSにより、何れのアドレス格納レジスタ10にアドレス4Aを格納させるかを自由に選択できるようになる。また、セレクタ6はk個のアドレス格納レジスタ10からアドレスを入力しているため、何れのアドレスを選択して出力するかをセレクト信号SELにより決定する。従って、アドレス格納信号ADSはそれぞれ1ビットの制御信号であるが、全体としてはkビットの情報量になる。また、セレクト信号SELもk個のアドレスの中から1つの制御信号を選択するため、kビット或いはlog2kビットの情報量になる。
Each
複数のアドレスを一時的に格納できることで、復帰するアドレスを複数に設定できる。アドレスレジスタ4から出力されるアドレス4Aを異なるタイミングで各アドレス格納レジスタ10に格納していくことで、k個のアドレスを復帰先に指定できるようになる。例えば、多重ループの場合には、複数のアドレスを復帰先に選定しなければならないため、前述した実施形態のようにアドレス格納レジスタが1つの場合には、多重ループの処理を行うことができなくなる。この点において、本発明は多重ループ等の処理にフレキシブルに対応することもできる。
Since a plurality of addresses can be temporarily stored, a plurality of addresses to be restored can be set. By storing the
ただし、前述したように、アドレス格納信号ADSおよびセレクト信号SELは複数ビットの情報量が必要になる。このため、制御性の観点からは実施形態の方が有利になる。従って、実際に行うDUT101の処理が多重ループ等の複雑な処理を要求する場合には本変形例のような構成を採用し、要求されない場合には前述した実施形態のような構成を採用する。何れの構成を採用するかは、処理内容等に応じて適宜自由に選択できる。
However, as described above, the address storage signal ADS and the select signal SEL require a plurality of bits of information. For this reason, the embodiment is more advantageous from the viewpoint of controllability. Therefore, when the actual processing of the
次に、図4を用いて第2の変形例について説明する。本変形例では、アドレス格納部としてアドレス格納FIFO20を設けている。アドレス格納FIFO20には2本の制御信号が入力される。1つの制御信号がアドレス格納信号ADSであり、もう1つの制御信号がアドレス出力信号ADLである。アドレス格納信号ADSはアドレス格納FIFO20にアドレスを格納させる制御信号になる。また、アドレス出力信号ADLはアドレス格納FIFO20に格納されているアドレスの出力を制御する信号である。
Next, a second modification will be described with reference to FIG. In this modification, an
アドレス格納FIFO20はFIFO(First In First Out)方式の記憶手段であり、アドレス格納信号ADSに基づいてアドレスレジスタ4から出力されるアドレス4Aを順番に格納していく。アドレス格納FIFO20には先頭から順番に複数のアドレスを格納していくことができる。そして、アドレス出力信号ADLに基づいて、先頭に格納されているアドレスから順番にセレクタ6に出力されていく。アドレス出力信号ADLはセレクタ6にも接続されており、アドレス格納FIFO20からアドレスを出力するタイミングに同期してセレクタ6の選択をアドレス格納FIFO20側に切り替えるようになっている。前述した実施形態ではセレクト信号SELによりセレクタ6の制御を行っていたが、本変形例では、セレクト信号SELがアドレス格納FIFO20を制御する役割も兼ねている。また、アドレス格納信号ADSは前述した実施形態でも使用していたものである。よって、制御信号の追加はされてはいない。
The
本変形例では、アドレス格納FIFO20を採用しているため、複数のアドレスを格納して出力することが可能になる。そして、アドレス格納信号ADSおよびアドレス出力信号ADLは1ビットの制御信号になり、且つ制御信号の追加もないことから、前述した実施形態と制御の複雑性をほぼ同等にしながら、複数のアドレスに復帰させることができるようになる。
In this modification, since the
ただし、アドレス格納FIFO20はFIFO方式であるため、一度取り出されたアドレスは再度格納しなければ失われてしまうという側面もあり、処理内容によって、前述してきた実施形態または変形例1を採用するのか、或いは本変形例を採用するのかを適宜自由に選択する。
However, since the
次に、変形例3について図5を用いて説明する。本変形例では、アドレス格納部としてアドレス格納メモリ30を用いており、このアドレス格納メモリ30を制御する格納メモリ制御部31を設けている。アドレス格納メモリ30には入力したアドレスを複数格納することができるようになっている。アドレス格納メモリ30に格納されるアドレス(アドレスレジスタ4から出力されるアドレス4A)はデータとしてメモリ内に書き込まれるため、以下においてアドレス格納メモリ30に格納されるアドレスをアドレスデータとして説明する。
Next,
格納メモリ制御部31はアドレス格納メモリ30に格納されるアドレスデータのアドレス(つまり、アドレス格納メモリ30内のアドレス)を指定する制御を行う。アドレス格納メモリ30と格納メモリ制御部31とには1ビットのアドレス格納信号ADSが入力されている。アドレス格納メモリ30はこの信号をライトイネーブル信号(WEN:Write Enable)として使用し、格納メモリ制御部31はこの信号をインクリメント用に使用する。アドレス格納メモリ30には先頭アドレスから順にアドレスデータを格納するようにしており、アドレス格納信号ADSが格納メモリ制御部31のライトイネーブルをオンにしたタイミングで格納メモリ制御部31がアドレスのインクリメントを行っている。そして、インクリメントしたアドレス(WAD:Write Address)をアドレス格納メモリ30に入力することにより、アドレス格納メモリ30の先頭から順にアドレスデータ(DN:Data Input)を格納していくことができる。
The storage
セレクタ6に入力される1ビットのセレクト信号SELはアドレス格納メモリ30にも入力されている。アドレス格納メモリ30に入力されるセレクト信号SELはリードイネーブル信号(REN:Read Enable)として使用され、この信号がオンになったタイミングでアドレス格納メモリ30が格納していたアドレスデータ(DT:Data Output)が出力される。従って、セレクト信号SELがオンになったときに、アドレス格納メモリ30からアドレスデータが出力され、同時にセレクタ6の選択もアドレス格納メモリ30側に切り替えられるため、アドレス生成部3にアドレスデータが出力されるようになる。
The 1-bit select signal SEL input to the
アドレス格納メモリ30(のRAD:Read Address)にはアドレス選択信号ADRが入力される。アドレス格納メモリ30には複数のアドレスデータが格納されているため、出力するアドレスデータのアドレスをアドレス選択信号ADRにより指定する。アドレス格納メモリ30のアドレスを指定するためにアドレス格納信号ADSは複数ビットの情報量を有している。
An address selection signal ADR is input to the address storage memory 30 (RAD: Read Address). Since the
本変形例では、複数のアドレスをアドレスデータとしてアドレス格納メモリ30に格納でき、またメモリ内の任意のアドレスデータを出力できるようになるため、変形例2のアドレス格納FIFO20のように取り出されたアドレスが失われることはない。ただし、アドレス選択信号ADRが複数ビットの情報量になるため変形例2よりは制御が複雑になる。また、アドレス格納メモリ30はメモリでるため、広範な実装面積を必要とする。サイズの小さい基板上に各種ハードウェアを実装していくような場合には、前述した実施形態の方が有利である。一方、処理が多重ループのような場合には、一度取り出したアドレスに再度アクセスする必要があるため、本変形例のような構成を採用することが望ましい。
In the present modification, a plurality of addresses can be stored in the
1 個別パターン生成部 2 パターンメモリ
3 アドレス生成部 4 アドレスレジスタ
5 アドレス格納レジスタ 6 セレクタ
10 アドレス格納レジスタ 20 アドレス格納FIFO
30 アドレス格納メモリ 101 DUT
102 ALPG 103 PE
120 個別制御ユニット 122 個別パターン生成部
123 信号生成部 131 パターンメモリ
132 アドレス生成部 133 アドレスレジスタ
DESCRIPTION OF
30
102
120
Claims (8)
アドレスをインクリメントして前記パターンメモリのパターンデータを読み出すためのアドレスを生成するアドレス生成部と、
このアドレス生成部から前記パターンメモリに出力するアドレスを格納して、格納したアドレスを前記アドレス生成部に出力するアドレス格納部と、
を備えたことを特徴とする半導体試験装置。 A semiconductor test apparatus including a pattern memory for storing pattern data for testing a device under test,
An address generation unit that generates an address for incrementing the address and reading the pattern data of the pattern memory;
Storing an address to be output from the address generator to the pattern memory, and outputting the stored address to the address generator;
A semiconductor test apparatus comprising:
ことを特徴とする請求項1記載の半導体試験装置。 The semiconductor test apparatus according to claim 1, wherein the address generation unit and the address storage unit are each controlled by a 1-bit control signal.
を特徴とする請求項1記載の半導体試験装置。 The selector which selects any one of the address output from the said address generation part and the address output from the said address storage part, and outputs to the said address generation part is provided. Semiconductor test equipment.
ことを特徴とする請求項3記載の半導体試験装置。 The semiconductor test apparatus according to claim 3, wherein the address generation unit, the address storage unit, and the selector are each controlled by a 1-bit control signal.
前記テスト部とは別個独立の装置として構成され、前記テスト部の制御を行うコントローラと、
を備えたことを特徴とする請求項3記載の半導体試験装置。 A test unit including a plurality of individual pattern generation units provided with the pattern memory, the address generation unit, the address storage unit, and the selector;
A controller that is configured as an independent device from the test unit, and that controls the test unit;
The semiconductor test apparatus according to claim 3, further comprising:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008311825A JP2010133886A (en) | 2008-12-08 | 2008-12-08 | Semiconductor test device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008311825A JP2010133886A (en) | 2008-12-08 | 2008-12-08 | Semiconductor test device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010133886A true JP2010133886A (en) | 2010-06-17 |
Family
ID=42345316
Family Applications (1)
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---|---|---|---|
JP2008311825A Pending JP2010133886A (en) | 2008-12-08 | 2008-12-08 | Semiconductor test device |
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Country | Link |
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2008
- 2008-12-08 JP JP2008311825A patent/JP2010133886A/en active Pending
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