JP2010116577A - 成膜装置の再稼働方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】この成膜装置の再稼働方法は、成膜材料となる液体原料を気化させる気化器と、気化器で気化された液体原料が供給される成膜室を有する成膜装置の再稼働方法であって、停止時洗浄工程、停止工程、及び再稼働時洗浄工程を有する。停止時洗浄工程は、成膜装置を停止させるときに気化器の内部を洗浄剤で洗浄する工程である。停止工程は、成膜装置を停止した状態で保持する工程である。再稼働時洗浄工程は、成膜装置を再稼働させるときに、気化器の内部を洗浄剤で洗浄する工程である。
【選択図】図1
Description
前記成膜装置を停止させるときに、前記気化器の内部を洗浄剤で洗浄する停止時洗浄工程と、
前記成膜装置を停止した状態で保持する停止工程と、
前記成膜装置を再稼働させるときに、前記気化器の内部を洗浄剤で洗浄する再稼働時洗浄工程と、
を備える成膜装置の再稼働方法が提供される。
110 供給路
112 噴射ノズル
120 キャリアガス供給路
130 気化室
200 成膜室
300 気化室
310 配管
312 バルブ
320 配管
322 バルブ
324 バルブ
326 流量制御部
330 配管
332 バルブ
340 配管
350 配管
352 バルブ
360 配管
362 バルブ
Claims (8)
- 成膜材料となる液体原料を気化させる気化器と、前記気化器で気化された前記液体原料が供給される成膜室を有する成膜装置の再稼働方法であって、
前記成膜装置を停止させるときに、前記気化器の内部を洗浄剤で洗浄する停止時洗浄工程と、
前記成膜装置を停止した状態で保持する停止工程と、
前記成膜装置を再稼働させるときに、前記気化器の内部を洗浄剤で洗浄する再稼働時洗浄工程と、
を備える成膜装置の再稼働方法。 - 請求項1に記載の成膜装置の再稼働方法において、前記液体原料は、テトラキスジメチルアミノジルコニウム、テトラキスジエチルアミノジルコニウム、テトラキスエチルメチルアミノジルコニウム、テトラターシャリーブトキシジルコニウム、テトラキスジメチルアミノハフニウム、テトラキスジエチルアミノハフニウム、テトラキスエチルメチルアミノハフニウム、テトラターシャリーブトキシハフニウム、テトラキスジメチルアミノシラン、トリスジメチルアミノシラン、トリスジエチルアミノシラン、ビスジメチルアミノシラン、ペンタキスジメチルアミノタンタル、ペンタキスジエチルアミノタンタル、ペンタエトキシタンタル、ランタン(III)ナイトレートヘキサハイドレート、トリスイソプロピルシクロペンタジエニルランタン、トリスエチルシクロペンタジエニルランタン、トリスビストリメチルシリルアミドランタン、トリスターシャーリーブトキシランタン、イットリウム(III)ナイトレートヘキサハイドレート、トリスエチルシクロペンタジエニルイットリウム、トリスビストリメチルシリルアミドイットリウム、トリスジピバロイルメタネートイットリウム、及びトリスヘキサフルオロアセチルアセトナートイットリウムからなる群から選ばれた少なくとも一つを含む成膜装置の再稼働方法。
- 請求項1または2に記載の成膜装置の再稼働方法において、
前記気化器は、前記液体原料を気化させるときには加熱されており、
前記停止工程の前に、前記気化器の温度を下げる冷却工程を備える成膜装置の再稼働方法。 - 請求項3に記載の成膜装置の再稼働方法において、
前記停止工程の後、かつ前記再稼働時洗浄工程の前に、
前記気化器を昇温する昇温工程と、
前記成膜室をベーキングするベーキング工程を備えている成膜装置の再稼働方法。 - 請求項4に記載の成膜装置の再稼働方法において、
前記昇温工程と、前記ベーキング工程の間に、前記気化器の内部を洗浄剤で洗浄する第2の再稼働時洗浄工程を備える成膜装置の再稼働方法。 - 請求項1〜5のいずれか一つに記載の成膜装置の再稼働方法において、
前記気化器は、直径が0.5mm以下であり、前記液体原料を噴出させる孔を有しており、
前記再稼働時洗浄工程において、前記洗浄剤を0.05MPa以上の圧力で前記気化器に供給する成膜装置の再稼働方法。 - 請求項1〜6のいずれか一つに記載の成膜装置の再稼働方法において、
前記成膜装置は
流量計を介して前記気化器に接続する第1配管と、
流量計を介さないで前記気化器に接続する第2配管と
を備え、
前記液体原料は、前記第1配管を介して前記気化器に供給され、
前記再稼働洗浄工程において、前記洗浄剤は前記第2配管を介して前記気化器に供給される成膜装置の再稼働方法。 - 請求項1〜7のいずれか一つに記載の成膜装置の再稼働方法において、
前記停止時洗浄工程の後、前記停止工程の前に、前記気化器の内部を不活性ガスで置換する置換工程を備える成膜装置の再稼働方法。
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Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0817749A (ja) * | 1994-06-29 | 1996-01-19 | Tokyo Electron Ltd | 成膜処理室への液体材料供給装置、その使用方法及びその配管構造 |
JPH1192939A (ja) * | 1997-09-19 | 1999-04-06 | Canon Inc | 液体原料輸送装置およびそれを用いた薄膜形成装置と薄膜形成方法 |
JP2000150497A (ja) * | 1998-11-04 | 2000-05-30 | Ebara Corp | 成膜装置 |
JP2001250819A (ja) * | 2000-03-03 | 2001-09-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2003282449A (ja) * | 2002-03-20 | 2003-10-03 | Japan Pionics Co Ltd | 気化器及び半導体製造装置の洗浄方法 |
JP2006108230A (ja) * | 2004-10-01 | 2006-04-20 | Utec:Kk | Cvd用気化器、溶液気化式cvd装置及びcvd用気化方法 |
JP2007109865A (ja) * | 2005-10-13 | 2007-04-26 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
JP2008251614A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Tokyo Electron Ltd | 気化装置、成膜装置及び気化方法 |
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0817749A (ja) * | 1994-06-29 | 1996-01-19 | Tokyo Electron Ltd | 成膜処理室への液体材料供給装置、その使用方法及びその配管構造 |
JPH1192939A (ja) * | 1997-09-19 | 1999-04-06 | Canon Inc | 液体原料輸送装置およびそれを用いた薄膜形成装置と薄膜形成方法 |
JP2000150497A (ja) * | 1998-11-04 | 2000-05-30 | Ebara Corp | 成膜装置 |
JP2001250819A (ja) * | 2000-03-03 | 2001-09-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2003282449A (ja) * | 2002-03-20 | 2003-10-03 | Japan Pionics Co Ltd | 気化器及び半導体製造装置の洗浄方法 |
JP2006108230A (ja) * | 2004-10-01 | 2006-04-20 | Utec:Kk | Cvd用気化器、溶液気化式cvd装置及びcvd用気化方法 |
JP2007109865A (ja) * | 2005-10-13 | 2007-04-26 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
JP2008251614A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Tokyo Electron Ltd | 気化装置、成膜装置及び気化方法 |
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