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JP2010021549A - Stage apparatus, aligner, and device manufacturing method - Google Patents

Stage apparatus, aligner, and device manufacturing method Download PDF

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JP2010021549A
JP2010021549A JP2009162139A JP2009162139A JP2010021549A JP 2010021549 A JP2010021549 A JP 2010021549A JP 2009162139 A JP2009162139 A JP 2009162139A JP 2009162139 A JP2009162139 A JP 2009162139A JP 2010021549 A JP2010021549 A JP 2010021549A
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JP
Japan
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moving member
stage
space
substrate
gas
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Application number
JP2009162139A
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Inventor
Hiroyuki Nagasaka
博之 長坂
Soichi Yamato
壮一 大和
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a stage apparatus suppressing performance deterioration. <P>SOLUTION: The stage apparatus includes a moving member movable in a predetermined direction, an intake formed on a first side of the moving member facing a front space of the moving member to take a gas into the member, an air passage formed in the moving member to guide the gas from the intake and a first exhaust port formed in the moving member to exhaust the gas guided along the air passage. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、ステージ装置、露光装置、及びデバイス製造方法に関する。   The present invention relates to a stage apparatus, an exposure apparatus, and a device manufacturing method.

半導体デバイス、電子デバイス等のマイクロデバイスの製造工程において、下記特許文献に開示されているような、露光ビームで基板を露光する露光装置が使用される。露光装置は、環境(温度、湿度、圧力、及びクリーン度の少なくとも1つを含む)が制御された空間内で移動する可動部材(例えば、基板を保持する基板保持部材)を備えている。   In the manufacturing process of microdevices such as semiconductor devices and electronic devices, an exposure apparatus that exposes a substrate with an exposure beam as disclosed in the following patent document is used. The exposure apparatus includes a movable member (for example, a substrate holding member that holds a substrate) that moves in a space in which the environment (including at least one of temperature, humidity, pressure, and cleanness) is controlled.

米国特許第6452292号明細書US Pat. No. 6,452,292 米国特許第6762820号明細書US Pat. No. 6,762,820

例えば可動部材の移動によって、可動部材が移動する空間の環境が変化すると、その可動部材の移動性能が低下する可能性がある。例えば、その空間で基板の露光処理が行われる場合には、露光不良が発生したり、不良デバイスが発生したりする可能性がある。   For example, if the environment of the space in which the movable member moves changes due to the movement of the movable member, the movement performance of the movable member may be reduced. For example, when a substrate exposure process is performed in the space, there is a possibility that an exposure failure may occur or a defective device may occur.

また、可動部材の温度が上昇すると、その可動部材の移動性能が低下する可能性がある。例えば、その可動部材に露光される基板が保持されていたり、基板の露光に関する計測器が搭載されている場合には、露光不良が発生したり、不良デバイスが発生したりする可能性がある。   Moreover, when the temperature of a movable member rises, the movement performance of the movable member may fall. For example, when a substrate to be exposed is held on the movable member or a measuring instrument relating to exposure of the substrate is mounted, an exposure failure may occur or a defective device may occur.

本発明の態様は、可動部材の移動性能の低下を抑制できるステージ装置を提供することを目的とする。また本発明の態様は、露光不良の発生を抑制できる露光装置を提供することを目的とする。また本発明の態様は、不良デバイスの発生を抑制できるデバイス製造方法を提供することを目的とする。   An object of an aspect of the present invention is to provide a stage apparatus that can suppress a decrease in movement performance of a movable member. Another object of the present invention is to provide an exposure apparatus that can suppress the occurrence of exposure failure. Another object of the present invention is to provide a device manufacturing method that can suppress the occurrence of defective devices.

本発明の第1の態様に従えば、所定方向に移動可能な移動部材と、所定方向において、移動部材の前方の空間に面する、移動部材の第1側に形成され、気体を取り入れる取入口と、移動部材の内部に形成され、取入口からの気体をガイドする通気路と、移動部材に形成され、通気路にガイドされた気体が排出される第1排気口と、を備えるステージ装置が提供される。   According to the first aspect of the present invention, a moving member that is movable in a predetermined direction, and an intake port that is formed on the first side of the moving member and faces the space in front of the moving member in the predetermined direction and takes in gas. A stage device that is formed inside the moving member and guides the gas from the intake port, and a first exhaust port that is formed in the moving member and discharges the gas guided by the air passage. Provided.

本発明の第2の態様に従えば、ベース部材の所定面上を移動する移動部材と、移動部材の少なくとも一部に配置されたヒートシンクと、ヒートシンクに配置された冷却ファンと、を備えるステージ装置が提供される。   According to the second aspect of the present invention, a stage apparatus comprising: a moving member that moves on a predetermined surface of the base member; a heat sink disposed on at least a part of the moving member; and a cooling fan disposed on the heat sink. Is provided.

本発明の第3の態様に従えば、露光ビームで基板を露光する露光装置であって、第1,第2の態様のステージ装置を備えた露光装置が提供される。   According to a third aspect of the present invention, there is provided an exposure apparatus that exposes a substrate with an exposure beam, the exposure apparatus including the stage device according to the first and second aspects.

本発明の第4の態様に従えば、投影系からの露光ビームで基板を露光する露光装置であって、投影系の像面側の光路を含む、実質的に閉ざされた空間と、空間内で移動可能な移動部材と、移動部材の所定方向への移動するときの、移動部材の前方側の空間及び、移動部材の後方側の空間の圧力変動を抑制する抑制装置と、を備える露光装置が提供される。   According to a fourth aspect of the present invention, there is provided an exposure apparatus for exposing a substrate with an exposure beam from a projection system, wherein the exposure apparatus includes an optical path on the image plane side of the projection system, a substantially closed space, An exposure apparatus comprising: a movable member that can be moved at a time; and a suppression device that suppresses pressure fluctuations in a space on the front side of the movable member and a space on the rear side of the movable member when the movable member moves in a predetermined direction. Is provided.

本発明の第5の態様に従えば、第4の態様の露光装置を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。   According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a device manufacturing method including exposing a substrate using the exposure apparatus according to the fourth aspect and developing the exposed substrate.

本発明によれば、可動部材の移動性能の低下を抑制できる。また本発明によれば、露光不良の発生を抑制でき、不良デバイスの発生を抑制できる。   According to the present invention, it is possible to suppress a decrease in movement performance of the movable member. Further, according to the present invention, it is possible to suppress the occurrence of exposure failure and suppress the occurrence of defective devices.

第1実施形態に係る露光装置の一例を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows an example of the exposure apparatus which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係る基板ステージの一例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows an example of the substrate stage which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係る基板ステージの一例を示す平面図である。It is a top view which shows an example of the substrate stage which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係る基板ステージの動作の一例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating an example of operation | movement of the substrate stage which concerns on 1st Embodiment. 比較例に係る基板ステージを示す図である。It is a figure which shows the substrate stage which concerns on a comparative example. 第1実施形態に係る基板ステージの動作の一例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating an example of operation | movement of the substrate stage which concerns on 1st Embodiment. 第2実施形態に係る基板ステージの一例を示す一部を破断した斜視図である。It is the perspective view which fractured | ruptured a part which shows an example of the substrate stage which concerns on 2nd Embodiment. 第3実施形態に係る基板ステージの一例を示す一部を破断した斜視図である。It is the perspective view which fractured | ruptured a part which shows an example of the substrate stage which concerns on 3rd Embodiment. 第4実施形態に係る計測ステージの一例を示す側面図である。It is a side view which shows an example of the measurement stage which concerns on 4th Embodiment. 第5実施形態に係る基板ステージの一例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows an example of the substrate stage which concerns on 5th Embodiment. マイクロデバイスの製造工程の一例を説明するためのフローチャートである。It is a flowchart for demonstrating an example of the manufacturing process of a microdevice.

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、XYZ直交座標系を設定し、このXYZ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をX軸方向、水平面内においてX軸方向と直交する方向をY軸方向、X軸方向及びY軸方向のそれぞれと直交する方向(すなわち鉛直方向)をZ軸方向とする。また、X軸、Y軸及びZ軸まわりの回転(傾斜)方向をそれぞれ、θX、θY及びθZ方向とする。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings, but the present invention is not limited thereto. In the following description, an XYZ orthogonal coordinate system is set, and the positional relationship of each member will be described with reference to this XYZ orthogonal coordinate system. A predetermined direction in the horizontal plane is defined as an X-axis direction, a direction orthogonal to the X-axis direction in the horizontal plane is defined as a Y-axis direction, and a direction orthogonal to each of the X-axis direction and the Y-axis direction (that is, a vertical direction) is defined as a Z-axis direction. In addition, the rotation (inclination) directions around the X, Y, and Z axes are the θX, θY, and θZ directions, respectively.

<第1実施形態>
第1実施形態について説明する。図1は、第1実施形態に係る露光装置EXの一例を示す概略構成図である。本実施形態の露光装置EXは、液体LQを介して露光ビームELで基板Pを露光する液浸露光装置である。本実施形態においては、液体LQとして、水(純水)を用いる。
<First Embodiment>
A first embodiment will be described. FIG. 1 is a schematic block diagram that shows an example of an exposure apparatus EX according to the first embodiment. The exposure apparatus EX of the present embodiment is an immersion exposure apparatus that exposes a substrate P with an exposure beam EL through a liquid LQ. In the present embodiment, water (pure water) is used as the liquid LQ.

図1において、露光装置EXは、マスクMを保持して移動可能なマスクステージ1と、基板Pを保持して移動可能な基板ステージ2と、露光ビームELを計測する計測器Cを搭載して移動可能な計測ステージ3と、マスクステージ1を移動するための駆動システム10と、基板ステージ2及び計測ステージ3を移動するための駆動システム20と、マスクステージ1、基板ステージ2、及び計測ステージ3の位置を光学的に計測する干渉計システム4と、マスクMを露光ビームELで照明する照明系ILと、露光ビームELで照明されたマスクMのパターンの像を基板Pに投影する投影系PLと、露光ビームELの光路の少なくとも一部が液体LQで満たされるように液浸空間を形成可能な液浸部材5と、露光ビームELが進行する空間を形成するチャンバ装置6と、露光装置EX全体の動作を制御する制御装置7とを備えている。   In FIG. 1, an exposure apparatus EX includes a mask stage 1 that can move while holding a mask M, a substrate stage 2 that can move while holding a substrate P, and a measuring instrument C that measures an exposure beam EL. A movable measurement stage 3, a drive system 10 for moving the mask stage 1, a drive system 20 for moving the substrate stage 2 and the measurement stage 3, the mask stage 1, the substrate stage 2, and the measurement stage 3 An interferometer system 4 that optically measures the position of the mask, an illumination system IL that illuminates the mask M with the exposure beam EL, and a projection system PL that projects an image of the pattern of the mask M illuminated with the exposure beam EL onto the substrate P. A liquid immersion member 5 capable of forming an immersion space so that at least a part of the optical path of the exposure beam EL is filled with the liquid LQ, and a space in which the exposure beam EL travels. A chamber unit 6, and a control device 7 for controlling the operation of the entire exposure apparatus EX.

本実施形態において、基板ステージ2は、気体を取入れ可能な複数の開口31と、複数の開口31の少なくとも1つからの気体をガイドする通気路33とを備えている。計測ステージ3は、気体を取り入れ可能な複数の開口41と、複数の開口41の少なくとも1つからの気体をガイドする通気路43とを備えている。   In the present embodiment, the substrate stage 2 includes a plurality of openings 31 into which gas can be taken, and an air passage 33 that guides gas from at least one of the plurality of openings 31. The measurement stage 3 includes a plurality of openings 41 through which gas can be taken, and a ventilation path 43 that guides gas from at least one of the plurality of openings 41.

また、露光装置EXは、例えばクリーンルーム内の支持面FL上に設けられた第1コラム9、及び第1コラム9上に設けられた第2コラム10を含むボディ8を備えている。本実施形態において、チャンバ装置6によって形成される空間には、マスクステージ1、基板ステージ2、計測ステージ3、照明系IL、投影系PL、及びボディ8等が配置される。   Further, the exposure apparatus EX includes a body 8 including, for example, a first column 9 provided on a support surface FL in a clean room and a second column 10 provided on the first column 9. In the present embodiment, a mask stage 1, a substrate stage 2, a measurement stage 3, an illumination system IL, a projection system PL, a body 8, and the like are arranged in a space formed by the chamber device 6.

第1コラム9は、第1支持部材14と、第1支持部材14に防振装置15を介して支持された第1定盤16とを備えている。第2コラム10は、第1定盤16上に配置された第2支持部材17と、第2支持部材17に防振装置18を介して支持された第2定盤19とを備えている。   The first column 9 includes a first support member 14 and a first surface plate 16 supported by the first support member 14 via a vibration isolator 15. The second column 10 includes a second support member 17 disposed on the first surface plate 16 and a second surface plate 19 supported on the second support member 17 via a vibration isolator 18.

第1コラム9は、第1空間11を形成する。本実施形態において、第1コラム9は、支持面FLとの間で第1空間11を形成する。第1空間11は、実質的に閉ざされている。なお、第1空間11が第1コラム9と第3定盤27(後述)で画定されてもよい。   The first column 9 forms a first space 11. In the present embodiment, the first column 9 forms a first space 11 with the support surface FL. The first space 11 is substantially closed. The first space 11 may be defined by the first column 9 and the third surface plate 27 (described later).

第2コラム10は、第2空間12を形成する。本実施形態において、第2コラム10は、第1定盤16との間で第2空間12を形成する。第2空間12は、実質的に閉ざされている。   The second column 10 forms a second space 12. In the present embodiment, the second column 10 forms a second space 12 with the first surface plate 16. The second space 12 is substantially closed.

チャンバ装置6は、第3空間13を形成する。本実施形態において、チャンバ装置6は、第2定盤19との間で第3空間13を形成する。第3空間13は、実質的に閉ざされている。   The chamber device 6 forms a third space 13. In the present embodiment, the chamber device 6 forms a third space 13 with the second surface plate 19. The third space 13 is substantially closed.

また、本実施形態において、露光装置EXは、第1,第2,第3空間11,12,13の環境(温度、湿度、圧力、及びクリーン度の少なくとも1つ)を制御する環境制御装置21,22,23を備えている。本実施形態において、環境制御装置21〜23のそれぞれは、気体の温度を調整可能な温度調整装置、及び気体中の異物を除去可能なフィルタユニット等を有する。環境制御装置21〜23のそれぞれは、第1〜第3空間11〜13の環境を制御するために、第1〜第3空間11〜13にクリーンで温度調整された気体を供給する。   In the present embodiment, the exposure apparatus EX controls the environment (at least one of temperature, humidity, pressure, and cleanness) of the first, second, and third spaces 11, 12, and 13. , 22, 23. In the present embodiment, each of the environment control devices 21 to 23 includes a temperature adjustment device that can adjust the temperature of the gas, a filter unit that can remove foreign matters in the gas, and the like. Each of the environment control devices 21 to 23 supplies clean and temperature-adjusted gas to the first to third spaces 11 to 13 in order to control the environment of the first to third spaces 11 to 13.

本実施形態においては、制御装置7は、環境制御装置21〜23を制御して、第1〜第3空間11〜13のうち、第1空間11のクリーン度が最も高く、第1空間11に次いで第3空間13のクリーン度が高く、第3空間13に次いで第2空間12のクリーン度が高くなるように、第1〜第3空間11〜13の環境を調整する。   In the present embodiment, the control device 7 controls the environment control devices 21 to 23, and the first space 11 has the highest cleanliness among the first to third spaces 11 to 13. Next, the environment of the first to third spaces 11 to 13 is adjusted so that the cleanness of the third space 13 is high and the cleanness of the second space 12 is high next to the third space 13.

また、本実施形態においては、制御装置7は、環境制御装置21〜23を制御して、第1〜第3空間11〜13のうち、第1空間11の圧力が最も高く、且つ第3空間13の圧力が第2空間12の圧力より高くなるように、第1〜第3空間11〜13の環境を調整する。   Moreover, in this embodiment, the control apparatus 7 controls the environmental control apparatuses 21-23, and the pressure of the 1st space 11 is the highest among the 1st-3rd spaces 11-13, and 3rd space. The environment of the first to third spaces 11 to 13 is adjusted so that the pressure of 13 is higher than the pressure of the second space 12.

照明系ILは、所定の照明領域IRを均一な照度分布の露光ビームELで照明する。照明系ILは、照明領域IRに配置されたマスクMの少なくとも一部を均一な照度分布の露光ビームELで照明する。照明系ILから射出される露光ビームELとして、例えば水銀ランプから射出される輝線(g線、h線、i線)及びKrFエキシマレーザ光(波長248nm)等の遠紫外光(DUV光)、ArFエキシマレーザ光(波長193nm)、及びFレーザ光(波長157nm)等の真空紫外光(VUV光)等が用いられる。本実施形態においては、露光ビームELとして、ArFエキシマレーザ光を用いる。 The illumination system IL illuminates a predetermined illumination area IR with an exposure beam EL having a uniform illuminance distribution. The illumination system IL illuminates at least a part of the mask M arranged in the illumination region IR with an exposure beam EL having a uniform illuminance distribution. As the exposure beam EL emitted from the illumination system IL, for example, bright ultraviolet rays (g rays, h rays, i rays) emitted from a mercury lamp and far ultraviolet light (DUV light) such as KrF excimer laser light (wavelength 248 nm), ArF Excimer laser light (wavelength 193 nm), vacuum ultraviolet light (VUV light) such as F 2 laser light (wavelength 157 nm), or the like is used. In the present embodiment, ArF excimer laser light is used as the exposure beam EL.

マスクステージ1は、マスクMを保持した状態で、第3空間13内で移動可能である。マスクステージ1は、マスクMをリリース可能に保持するマスク保持部1Hを有する。本実施形態において、マスク保持部1Hは、マスクMの表面(パターン形成面)とXY平面とがほぼ平行となるように、マスクMを保持する。   The mask stage 1 is movable in the third space 13 while holding the mask M. The mask stage 1 has a mask holding unit 1H that holds the mask M in a releasable manner. In the present embodiment, the mask holding unit 1H holds the mask M so that the surface (pattern formation surface) of the mask M and the XY plane are substantially parallel.

マスクステージ1は、第2定盤19のガイド面19G上を移動可能である。マスクステージ1は、ガイド面19G上において、照明領域IR(照明系ILからの露光ビームELの照射位置)に移動可能である。ガイド面19Gは、XY平面とほぼ平行である。マスクステージ1は、駆動システム10の作動により、ガイド面19G上を移動する。本実施形態において、駆動システム10は、ガイド面19G上でマスクステージ1を移動するための平面モータを含む。マスクステージ1を移動するための平面モータは、例えば米国特許第6452292号明細書に開示されているような、マスクステージ1に配置された可動子1Mと、第1定盤19に配置された固定子19Cとを有する。本実施形態において、可動子1Mは、マグネットアレイを含み、固定子19Cは、コイルアレイを含む。なお、可動子1Mがコイルアレイを含み、固定子19Cがマグネットアレイを含んでもよい。本実施形態においては、マスクステージ1は、平面モータを含む駆動システム10の作動により、X軸、Y軸、Z軸、θX、θY、及びθZ方向の6つの方向に移動可能である。   The mask stage 1 is movable on the guide surface 19G of the second surface plate 19. The mask stage 1 is movable on the guide surface 19G to the illumination region IR (the irradiation position of the exposure beam EL from the illumination system IL). The guide surface 19G is substantially parallel to the XY plane. The mask stage 1 moves on the guide surface 19G by the operation of the drive system 10. In the present embodiment, the drive system 10 includes a planar motor for moving the mask stage 1 on the guide surface 19G. The planar motor for moving the mask stage 1 includes, for example, a movable element 1M arranged on the mask stage 1 and a fixed board arranged on the first surface plate 19, as disclosed in US Pat. No. 6,452,292. And a child 19C. In the present embodiment, the mover 1M includes a magnet array, and the stator 19C includes a coil array. The mover 1M may include a coil array, and the stator 19C may include a magnet array. In the present embodiment, the mask stage 1 is movable in six directions including the X-axis, Y-axis, Z-axis, θX, θY, and θZ directions by the operation of the drive system 10 including a planar motor.

投影系PLは、所定の投影領域PRに露光ビームELを照射する。投影系PLは、投影領域PRに配置された基板Pの少なくとも一部に、マスクMのパターンの像を所定の投影倍率で投影する。投影系PLの複数の光学素子は、鏡筒24に保持されている。鏡筒24は、フランジ24Fを有する。投影系PLは、フランジ24Fを介して、第1定盤16に支持される。なお、第1定盤16と鏡筒24との間に防振装置を設けることができる。   The projection system PL irradiates a predetermined projection region PR with the exposure beam EL. The projection system PL projects an image of the pattern of the mask M at a predetermined projection magnification onto at least a part of the substrate P arranged in the projection region PR. A plurality of optical elements of the projection system PL are held by the lens barrel 24. The lens barrel 24 has a flange 24F. Projection system PL is supported by first surface plate 16 via flange 24F. A vibration isolator can be provided between the first surface plate 16 and the lens barrel 24.

本実施形態の投影系PLは、その投影倍率が例えば1/4、1/5、又は1/8等の縮小系である。なお、投影系PLは等倍系及び拡大系のいずれでもよい。本実施形態においては、投影系PLの光軸はZ軸と平行である。また、投影系PLは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。また、投影系PLは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。   The projection system PL of the present embodiment is a reduction system whose projection magnification is, for example, 1/4, 1/5, or 1/8. The projection system PL may be either an equal magnification system or an enlargement system. In the present embodiment, the optical axis of the projection system PL is parallel to the Z axis. The projection system PL may be any of a refractive system that does not include a reflective optical element, a reflective system that does not include a refractive optical element, and a catadioptric system that includes a reflective optical element and a refractive optical element. Further, the projection system PL may form either an inverted image or an erect image.

投影系PLの複数の光学素子のうち、投影系PLの像面に最も近い終端光学素子25は、投影系PLの像面に向けて露光ビームELを射出する射出面26を有する。投影領域PRは、投影系PL(終端光学素子25)の射出面26から射出される露光ビームELの照射位置を含む。   Of the plurality of optical elements of the projection system PL, the terminal optical element 25 closest to the image plane of the projection system PL has an exit surface 26 that emits the exposure beam EL toward the image plane of the projection system PL. The projection region PR includes the irradiation position of the exposure beam EL emitted from the emission surface 26 of the projection system PL (terminal optical element 25).

本実施形態において、投影系PLの複数の光学素子のうち、少なくとも終端光学素子25は、第1空間11に配置されている。本実施形態において、終端光学素子25の射出面26から射出される露光ビームELの光路は、第1空間11に配置される。すなわち、本実施形態において、第1空間11は、投影系PLの像面側の光路を含む。   In the present embodiment, among the plurality of optical elements of the projection system PL, at least the terminal optical element 25 is disposed in the first space 11. In the present embodiment, the optical path of the exposure beam EL emitted from the exit surface 26 of the last optical element 25 is disposed in the first space 11. That is, in the present embodiment, the first space 11 includes an optical path on the image plane side of the projection system PL.

基板ステージ2は、基板Pを保持した状態で、第1空間11内で移動可能である。基板ステージ2は、基板Pをリリース可能に保持する基板保持部2Hを有する。本実施形態において、基板Pは基板保持部2Hの上側(+Z側)に保持される。本実施形態において、基板保持部2Hは、基板Pの表面(露光面)とXY平面とがほぼ平行となるように、基板Pを保持する。   The substrate stage 2 is movable in the first space 11 while holding the substrate P. The substrate stage 2 has a substrate holding part 2H that holds the substrate P in a releasable manner. In the present embodiment, the substrate P is held on the upper side (+ Z side) of the substrate holding part 2H. In the present embodiment, the substrate holding unit 2H holds the substrate P so that the surface (exposure surface) of the substrate P and the XY plane are substantially parallel.

計測ステージ3は、計測器Cを搭載した状態で、第1空間11内で移動可能である。計測器Cは、露光ビームELを計測可能である。計測ステージ3に搭載される計測器Cとして、例えば米国特許出願公開第2002/0041377号明細書に開示されているような投影系PLによる空間像を計測可能な空間像計測システムの少なくとも一部、例えば米国特許第4465368号明細書に開示されているような露光ビームELの照度むらを計測可能な照度むら計測システムの少なくとも一部、例えば米国特許第6721039号明細書に開示されているような投影系PLの露光ビームELの透過率の変動量を計測可能な計測システムの少なくとも一部、例えば米国特許出願公開第2002/0061469号明細書等に開示されているような照射量計測システム(照度計測システム)の少なくとも一部、及び例えば欧州特許第1079223号明細書に開示されているような波面収差計測システムの少なくとも一部等が挙げられる。なお、基板Pを保持して移動可能な基板ステージと、基板Pを保持せずに、露光ビームELを計測する計測器Cを搭載して移動可能な計測ステージとを備えた露光装置の一例が、例えば、例えば米国特許第6897963号明細書、米国特許出願公開第2007/0127006号明細書等に開示されている。   The measurement stage 3 is movable in the first space 11 with the measuring instrument C mounted. The measuring instrument C can measure the exposure beam EL. As the measuring instrument C mounted on the measuring stage 3, for example, at least a part of an aerial image measuring system capable of measuring an aerial image by the projection system PL as disclosed in US Patent Application Publication No. 2002/0041377, For example, at least a part of an illuminance unevenness measuring system capable of measuring the illuminance unevenness of the exposure beam EL as disclosed in US Pat. No. 4,465,368, for example, a projection as disclosed in US Pat. No. 6,721,039. At least a part of a measurement system capable of measuring the fluctuation amount of the transmittance of the exposure beam EL of the system PL, for example, a dose measurement system (illuminance measurement) as disclosed in, for example, US Patent Application Publication No. 2002/0061469 System) and, for example, as disclosed in EP 1079223 At least a portion or the like of the wavefront aberration measuring system can be mentioned. An example of an exposure apparatus that includes a substrate stage that can move while holding the substrate P, and a measurement stage that can move by mounting the measuring device C that measures the exposure beam EL without holding the substrate P. For example, it is disclosed in, for example, US Pat. No. 6,897,963 and US Patent Application Publication No. 2007/0127006.

基板ステージ2及び計測ステージ3のそれぞれは、第3定盤27のガイド面27G上を移動可能である。基板ステージ2及び計測ステージ3のそれぞれは、ガイド面27G上において、投影領域PR(投影系PLからの露光ビームELの照射位置)に移動可能である。ガイド面27Gは、XY平面とほぼ平行である。第3定盤27は、防振装置28を介して、支持面FLに支持されている。第3定盤28は、第1空間11に配置されている。   Each of the substrate stage 2 and the measurement stage 3 is movable on the guide surface 27G of the third surface plate 27. Each of the substrate stage 2 and the measurement stage 3 can move to the projection region PR (the irradiation position of the exposure beam EL from the projection system PL) on the guide surface 27G. The guide surface 27G is substantially parallel to the XY plane. The third surface plate 27 is supported on the support surface FL via the vibration isolator 28. The third surface plate 28 is disposed in the first space 11.

基板ステージ2及び計測ステージ3は、駆動システム20の作動により、ガイド面27G上を移動する。本実施形態において、駆動システム20は、ガイド面27G上で基板ステージ2及び計測ステージ3を移動するための平面モータを含む。基板ステージ2及び計測ステージ3を移動するための平面モータは、例えば米国特許第6452292号明細書に開示されているような、基板ステージ2及び計測ステージ3のそれぞれに配置された可動子2M,3Mと、第3定盤27に配置された固定子27Cとを有する。本実施形態において、可動子2M,3Mは、コイルアレイを含み、固定子27Cは、マグネットアレイを含む。なお、可動子2M,3Mがマグネットアレイを含み、固定子27Cがコイルアレイを含んでもよい。本実施形態においては、基板ステージ2及び計測ステージ3のそれぞれは、平面モータを含む駆動システム20の作動により、X軸、Y軸、Z軸、θX、θY、及びθZ方向の6つの方向に移動可能である。   The substrate stage 2 and the measurement stage 3 move on the guide surface 27G by the operation of the drive system 20. In the present embodiment, the drive system 20 includes a planar motor for moving the substrate stage 2 and the measurement stage 3 on the guide surface 27G. Planar motors for moving the substrate stage 2 and the measurement stage 3 are, for example, movable elements 2M and 3M arranged on the substrate stage 2 and the measurement stage 3 as disclosed in US Pat. No. 6,452,292. And a stator 27C disposed on the third surface plate 27. In the present embodiment, the movers 2M and 3M include a coil array, and the stator 27C includes a magnet array. The movers 2M and 3M may include a magnet array, and the stator 27C may include a coil array. In the present embodiment, each of the substrate stage 2 and the measurement stage 3 is moved in six directions of the X axis, the Y axis, the Z axis, the θX, the θY, and the θZ directions by the operation of the drive system 20 including the planar motor. Is possible.

液浸部材5は、終端光学素子25の近傍に配置される。液浸部材5は、終端光学素子25と、投影領域PRに配置された物体との間の露光ビームELの光路が液体LQで満たされるように液浸空間を形成する。液浸空間は、液体LQで満たされた部分(空間、領域)である。本実施形態において、投影領域PRに配置可能な物体は、基板ステージ2、基板ステージ2に保持された基板P、計測ステージ3、及び計測ステージ3に搭載された計測器Cの少なくとも一つを含む。基板Pの露光中、液浸部材5は、終端光学素子25と基板Pとの間の露光ビームELの光路が液体LQで満たされるように液浸空間を形成する。   The liquid immersion member 5 is disposed in the vicinity of the last optical element 25. The liquid immersion member 5 forms an immersion space so that the optical path of the exposure beam EL between the terminal optical element 25 and the object disposed in the projection region PR is filled with the liquid LQ. The immersion space is a portion (space, region) filled with the liquid LQ. In the present embodiment, the object that can be arranged in the projection region PR includes at least one of the substrate stage 2, the substrate P held on the substrate stage 2, the measurement stage 3, and the measuring instrument C mounted on the measurement stage 3. . During the exposure of the substrate P, the immersion member 5 forms an immersion space so that the optical path of the exposure beam EL between the last optical element 25 and the substrate P is filled with the liquid LQ.

液浸部材5は、物体と対向可能な下面29を有し、下面29と物体との間の空間は液体LQを保持可能である。下面29と物体との間に保持された液体LQによって液浸空間が形成される。本実施形態においては、基板Pの露光中は、投影領域PRを含む基板Pの表面の一部の領域が液体LQで覆われるように液浸空間が形成される。基板Pの露光中は、液体LQの界面(メニスカス、エッジ)は、液浸部材5の下面29と基板Pの表面との間に形成される。すなわち、本実施形態の露光装置EXは、局所液浸方式を採用する。   The liquid immersion member 5 has a lower surface 29 that can face the object, and a space between the lower surface 29 and the object can hold the liquid LQ. An immersion space is formed by the liquid LQ held between the lower surface 29 and the object. In the present embodiment, during exposure of the substrate P, an immersion space is formed so that a partial region of the surface of the substrate P including the projection region PR is covered with the liquid LQ. During the exposure of the substrate P, the interface (meniscus, edge) of the liquid LQ is formed between the lower surface 29 of the liquid immersion member 5 and the surface of the substrate P. That is, the exposure apparatus EX of the present embodiment employs a local liquid immersion method.

本実施形態において、液浸部材5は、例えば米国特許出願公開第2007/0132976号明細書に開示されているような液浸部材であって、液体LQを供給する供給口と、液体LQを回収する回収口とを有する。制御装置7は、供給口を用いる液体供給動作と並行して、回収口を用いる液体回収動作を実行することによって、一方側の終端光学素子25及び液浸部材5と、終端光学素子25及び液浸部材5と対向する他方側の物体との間に液体LQで液浸空間を形成可能である。   In the present embodiment, the liquid immersion member 5 is a liquid immersion member as disclosed in, for example, US Patent Application Publication No. 2007/0132976, a supply port for supplying the liquid LQ, and collecting the liquid LQ. A recovery port. The control device 7 executes the liquid recovery operation using the recovery port in parallel with the liquid supply operation using the supply port, so that the terminal optical element 25 and the liquid immersion member 5 on one side, the terminal optical element 25 and the liquid are recovered. A liquid immersion space can be formed with the liquid LQ between the immersion member 5 and the object on the other side facing the immersion member 5.

干渉計システム4は、XY平面内におけるマスクステージ1(マスクM)の位置情報を光学的に計測可能な第1干渉計ユニット4Aと、XY平面内における基板ステージ2(基板P)及び計測ステージ3(計測器C)の位置情報を光学的に計測可能な第2干渉計ユニット4Bとを有する。第1,第2干渉計ユニット4A,4Bのそれぞれは、レーザ干渉計を複数有する。第1干渉計ユニット4Aは、マスクステージ1に設けられた計測ミラー1Rに計測光を照射して、X軸、Y軸、及びθZ方向に関するマスクステージ1(マスクM)の位置情報を計測する。第2干渉計ユニット4Bは、基板ステージ2に設けられた計測ミラー2R、及び計測ステージ3に設けられた計測ミラー3Rのそれぞれに計測光を照射して、X軸、Y軸、及びθZ方向に関する基板ステージ2(基板P)、及び計測ステージ3(計測器C)の位置情報を計測する。   The interferometer system 4 includes a first interferometer unit 4A capable of optically measuring position information of the mask stage 1 (mask M) in the XY plane, a substrate stage 2 (substrate P), and a measurement stage 3 in the XY plane. A second interferometer unit 4B capable of optically measuring position information of (measuring instrument C). Each of the first and second interferometer units 4A and 4B has a plurality of laser interferometers. The first interferometer unit 4A irradiates the measurement mirror 1R provided on the mask stage 1 with measurement light, and measures position information of the mask stage 1 (mask M) in the X axis, Y axis, and θZ directions. The second interferometer unit 4B irradiates measurement light to each of the measurement mirror 2R provided on the substrate stage 2 and the measurement mirror 3R provided on the measurement stage 3, and relates to the X-axis, Y-axis, and θZ directions. Position information of the substrate stage 2 (substrate P) and the measurement stage 3 (measurement device C) is measured.

また、不図示であるが、例えば米国特許第5448332号明細書、米国特許第6327025号明細書等に開示されているような、基板ステージ2に保持された基板Pの表面の位置情報を検出するフォーカス・レベリング検出システムが配置されている。なお、フォーカス・レベリング検出システムは、基板Pの表面の位置情報のみならず、基板ステージ2の上面、及び計測ステージ3の上面の位置情報を検出することができる。   Although not shown, position information on the surface of the substrate P held on the substrate stage 2 as disclosed in, for example, US Pat. No. 5,448,332 and US Pat. No. 6,327,025 is detected. A focus leveling detection system is arranged. The focus / leveling detection system can detect not only the position information of the surface of the substrate P but also the position information of the upper surface of the substrate stage 2 and the upper surface of the measurement stage 3.

基板Pの露光処理を実行するとき、あるいは所定の計測処理を実行するとき、制御装置7は、干渉計システム4の計測結果、及びフォーカス・レベリング検出システムの検出結果に基づいて、駆動システム10,20を作動し、マスクステージ1(マスクM)、基板ステージ2(基板P)、及び計測ステージ3(計測器C)の位置制御を実行する。   When executing the exposure process of the substrate P or when executing a predetermined measurement process, the control device 7 determines the drive system 10, based on the measurement result of the interferometer system 4 and the detection result of the focus / leveling detection system. 20 is operated to control the position of the mask stage 1 (mask M), the substrate stage 2 (substrate P), and the measurement stage 3 (measuring instrument C).

本実施形態の露光装置EXは、マスクMと基板Pとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクMのパターンの像を基板Pに投影する走査型露光装置(所謂スキャニングステッパ)である。基板Pの露光時、制御装置7は、マスクステージ1及び基板ステージ2を制御して、マスクM及び基板Pを、XY平面内の所定の走査方向に移動する。本実施形態においては、基板Pの走査方向(同期移動方向)をY軸方向とし、マスクMの走査方向(同期移動方向)もY軸方向とする。   The exposure apparatus EX of the present embodiment is a scanning exposure apparatus (so-called scanning stepper) that projects an image of the pattern of the mask M onto the substrate P while synchronously moving the mask M and the substrate P in a predetermined scanning direction. When the substrate P is exposed, the control device 7 controls the mask stage 1 and the substrate stage 2 to move the mask M and the substrate P in a predetermined scanning direction in the XY plane. In the present embodiment, the scanning direction (synchronous movement direction) of the substrate P is the Y-axis direction, and the scanning direction (synchronous movement direction) of the mask M is also the Y-axis direction.

本実施形態においては、基板P上に露光対象領域であるショット領域がマトリクス状に複数配置されている。例えば基板P上の第1ショット領域を露光するために、制御装置7は、基板P(第1ショット領域)を投影系PLの投影領域PRに対してY軸方向に移動するとともに、その基板PのY軸方向への移動と同期して、照明系ILの照明領域IRに対してマスクMをY軸方向に移動しつつ、投影系PLと基板P上の液浸空間の液体LQとを介して第1ショット領域に露光ビームELを照射する。これにより、マスクMのパターンの像が基板Pの第1ショット領域に投影され、その第1ショット領域は、投影系PLからの露光ビームELで露光される。第1ショット領域の露光が終了した後、制御装置7は、次の第2ショット領域の露光を開始するために、液浸空間を形成した状態で、基板PをX軸方向(あるいはXY平面内においてX軸方向に対して傾斜する方向)に移動する動作(ステッピング動作)を実行し、第2ショット領域を露光開始位置に移動する。そして、制御装置7は、第2ショット領域の露光を開始する。制御装置7は、投影領域PRに対してショット領域をY軸方向に移動しながらそのショット領域を露光するスキャン露光動作と、そのショット領域の露光が終了した後、次のショット領域を露光開始位置に移動するためのステッピング動作とを繰り返しながら、基板P上の複数のショット領域を順次露光する。   In the present embodiment, a plurality of shot areas, which are exposure target areas, are arranged on the substrate P in a matrix. For example, in order to expose the first shot region on the substrate P, the control device 7 moves the substrate P (first shot region) in the Y-axis direction with respect to the projection region PR of the projection system PL, and the substrate P The mask M is moved in the Y-axis direction with respect to the illumination region IR of the illumination system IL in synchronization with the movement in the Y-axis direction through the projection system PL and the liquid LQ in the immersion space on the substrate P. Then, the exposure beam EL is irradiated to the first shot area. Thereby, an image of the pattern of the mask M is projected onto the first shot region of the substrate P, and the first shot region is exposed with the exposure beam EL from the projection system PL. After the exposure of the first shot area is completed, the control device 7 moves the substrate P in the X-axis direction (or in the XY plane) with the immersion space formed in order to start the exposure of the next second shot area. (Stepping operation) that moves in the direction tilted with respect to the X-axis direction at (), the second shot area is moved to the exposure start position. Then, the control device 7 starts exposure of the second shot area. The control device 7 performs a scan exposure operation for exposing the shot area while moving the shot area in the Y-axis direction with respect to the projection area PR, and after the exposure of the shot area is completed, sets the next shot area to the exposure start position. A plurality of shot areas on the substrate P are sequentially exposed while repeating the stepping operation for moving to.

図2は、本実施形態に係る基板ステージ2の一例を示す斜視図、図3は、平面図である。図2及び図3において、基板ステージ2は、第1空間11内における圧力変動を抑制するために、複数の開口31と、通気路33とを備えている。本実施形態において、基板ステージ2は、基板ステージ2の中心に対して+Y側の第1側面2Aと、−Y側の第2側面2Bと、+X側の第3側面2Cと、−X側の第4側面2Dとを有する。本実施形態において、開口31は、第1,第2、第3,第4側面2A,2B,2C,2Dのそれぞれに配置されている。以下の説明において、第1,第2,第3,第4側面2A,2B,2C,2Dに配置された開口31のそれぞれを適宜、第1,第2,第3,第4開口31A,31B,31C,31D、と称する。   FIG. 2 is a perspective view showing an example of the substrate stage 2 according to the present embodiment, and FIG. 3 is a plan view. 2 and 3, the substrate stage 2 includes a plurality of openings 31 and a ventilation path 33 in order to suppress pressure fluctuations in the first space 11. In this embodiment, the substrate stage 2 includes a first side surface 2A on the + Y side, a second side surface 2B on the -Y side, a third side surface 2C on the + X side, and a third side surface 2C on the -X side with respect to the center of the substrate stage 2. And a fourth side surface 2D. In the present embodiment, the opening 31 is disposed on each of the first, second, third, and fourth side surfaces 2A, 2B, 2C, and 2D. In the following description, each of the openings 31 arranged on the first, second, third, and fourth side surfaces 2A, 2B, 2C, and 2D is appropriately replaced with the first, second, third, and fourth openings 31A and 31B. , 31C, 31D.

本実施形態において、第1開口31Aは、第1側面2Aのほぼ中央に形成されている。同様に、第2〜第4開口31B〜31Dのそれぞれは、第2〜第4側面2B〜2Dのそれぞれのほぼ中央に形成されている。本実施形態において、第1〜第4開口31A〜31Dの形状及び大きさは、それぞれほぼ同じである。   In the present embodiment, the first opening 31A is formed substantially at the center of the first side surface 2A. Similarly, each of the second to fourth openings 31B to 31D is formed at substantially the center of each of the second to fourth side surfaces 2B to 2D. In the present embodiment, the shapes and sizes of the first to fourth openings 31A to 31D are substantially the same.

基板ステージ2は、ガイド面27G上において、XY方向に移動可能である。例えば基板ステージ2が+Y方向へ移動することによって、基板ステージ2の+Y側に形成されている第1開口31Aに、第1空間11の気体が流入する。第1開口31Aは、Y軸方向において、基板ステージ2の前方(+Y側)の空間に面しており、基板ステージ2が+Y方向へ移動することによって、第1空間11の気体を取り入れることができる。すなわち、基板ステージ2が+Y方向へ移動する場合において、第1開口31Aは、気体を取り入れる取入口として機能する。   The substrate stage 2 is movable in the XY directions on the guide surface 27G. For example, when the substrate stage 2 moves in the + Y direction, the gas in the first space 11 flows into the first opening 31A formed on the + Y side of the substrate stage 2. The first opening 31A faces the space in front of the substrate stage 2 (+ Y side) in the Y-axis direction, and the gas in the first space 11 can be taken in as the substrate stage 2 moves in the + Y direction. it can. That is, when the substrate stage 2 moves in the + Y direction, the first opening 31A functions as an inlet for taking in gas.

通気路33は、基板ステージ2の内部に形成されている。通気路33は、第1〜第4開口31A〜31Dのそれぞれに接続されるように形成されている。基板ステージ2が+Y方向へ移動する場合において、通気路33は、第1開口31Aから流入した気体をガイドする。通気路33は、第1開口31Aからの気体を、第2〜第4開口31B〜31Dの少なくとも1つにガイド可能である。第2〜第4開口31B〜31Dのそれぞれは、第1開口31Aより流入し、通気路33にガイドされた気体を排出可能である。すなわち、基板ステージ2が+Y方向へ移動する場合において、第2〜第4開口31B〜31Dの少なくとも1つは、第1開口31Aから取り入れられ、通気路33にガイドされた気体が排出される排気口として機能する。   The ventilation path 33 is formed inside the substrate stage 2. The ventilation path 33 is formed so as to be connected to each of the first to fourth openings 31A to 31D. When the substrate stage 2 moves in the + Y direction, the air passage 33 guides the gas flowing in from the first opening 31A. The ventilation path 33 can guide the gas from the first opening 31A to at least one of the second to fourth openings 31B to 31D. Each of the second to fourth openings 31 </ b> B to 31 </ b> D can flow out of the first opening 31 </ b> A and discharge the gas guided by the ventilation path 33. That is, when the substrate stage 2 moves in the + Y direction, at least one of the second to fourth openings 31B to 31D is taken from the first opening 31A and the exhaust gas from which the gas guided to the air passage 33 is discharged. Acts as a mouth.

本実施形態において、通気路33は、第1開口31Aに接続され、気体をほぼY軸方向にガイドする流路33Aと、第2開口31Bに接続され、気体をほぼY軸方向にガイドする流路33Bと、第3開口31Cに接続され、気体をほぼX軸方向にガイドする流路33Cと、第4開口31Dに接続され、気体をほぼX軸方向にガイドする流路33Dとを含む。本実施形態において、流路33A,33Bと流路33C,33Dとは、ほぼ直交する。また、流路33A〜33Dの幅は、それぞれほぼ同じである。   In the present embodiment, the air flow path 33 is connected to the first opening 31A and is connected to the flow path 33A that guides the gas substantially in the Y-axis direction and the second opening 31B, and the flow that guides the gas substantially in the Y-axis direction. It includes a channel 33B, a flow path 33C that is connected to the third opening 31C and guides the gas substantially in the X-axis direction, and a flow path 33D that is connected to the fourth opening 31D and guides the gas substantially in the X-axis direction. In the present embodiment, the flow paths 33A and 33B and the flow paths 33C and 33D are substantially orthogonal. The widths of the flow paths 33A to 33D are substantially the same.

通気路33の少なくとも一部は、基板ステージ2の内部において、基板ステージ2のほぼ中央に形成されている。通気路33の少なくとも一部は、基板保持部2Hの−Z側に配置される。すなわち、基板保持部2Hの下方に通気路33の少なくとも一部が設けられている。流路33A〜33Dのそれぞれが交わる部分は、基板ステージ2のほぼ中央に配置される。以下の説明において、基板ステージ2のほぼ中央に配置される通気路33の少なくとも一部を適宜、中央部33S、と称する。   At least a part of the air passage 33 is formed in the center of the substrate stage 2 inside the substrate stage 2. At least a part of the air passage 33 is disposed on the −Z side of the substrate holding part 2H. That is, at least a part of the air passage 33 is provided below the substrate holding part 2H. A portion where each of the flow paths 33 </ b> A to 33 </ b> D intersects is disposed at substantially the center of the substrate stage 2. In the following description, at least a part of the air passage 33 disposed substantially at the center of the substrate stage 2 is appropriately referred to as a center portion 33S.

流路33A,33Bは、基板ステージ2の内部に形成された第1,第2ガイド部51,52によって形成される。流路33C,33Dは、基板ステージ2の内部に形成された第3,第4ガイド部53,54によって形成される。第1ガイド部51は、中央部33Sと第1開口31Aとの間で気体をガイドする。第2ガイド部52は、中央部33Sと第2開口31Bとの間で気体をガイドする。第3ガイド部53は、中央部33Sと第3開口31Cとの間で気体をガイドする。第4ガイド部54は、中央部33Sと第4開口31Dとの間で気体をガイドする。また、本実施形態においては、第1ガイド部51と第3,第4ガイド部53,54との接続部55は曲面であり、第2ガイド部52と第3,第4ガイド部53,54との接続部55は曲面である。接続部55が曲面なので、気体は各流路33A〜33D間で円滑に流れることができる。   The flow paths 33A and 33B are formed by first and second guide portions 51 and 52 formed inside the substrate stage 2. The flow paths 33 </ b> C and 33 </ b> D are formed by third and fourth guide portions 53 and 54 formed inside the substrate stage 2. The first guide portion 51 guides the gas between the central portion 33S and the first opening 31A. The second guide part 52 guides the gas between the central part 33S and the second opening 31B. The third guide portion 53 guides the gas between the central portion 33S and the third opening 31C. The fourth guide portion 54 guides the gas between the central portion 33S and the fourth opening 31D. Further, in the present embodiment, the connecting portion 55 between the first guide portion 51 and the third and fourth guide portions 53 and 54 is a curved surface, and the second guide portion 52 and the third and fourth guide portions 53 and 54. The connecting portion 55 is a curved surface. Since the connection part 55 is a curved surface, gas can flow smoothly between each flow path 33A-33D.

基板ステージ2の−Y側に形成されている第2開口31Bは、基板ステージ2が+Y方向へ移動する場合において、基板ステージ2の後方(−Y側)の空間に面している。基板ステージ2が+Y方向に移動することによって第1開口31Aより通気路33に流入し、流路33Bを流れた気体の少なくとも一部は、第2開口31Bより排出される。   The second opening 31B formed on the −Y side of the substrate stage 2 faces the space behind (−Y side) the substrate stage 2 when the substrate stage 2 moves in the + Y direction. When the substrate stage 2 moves in the + Y direction, at least part of the gas that flows into the air passage 33 from the first opening 31A and flows through the flow path 33B is discharged from the second opening 31B.

第3,第4開口31C,31Dは、基板ステージ2の+X側及び−X側に形成されている。基板ステージ2が+Y方向に移動することによって第1開口31Aより通気路33に流入し、流路33C,33Dを流れた気体の少なくとも一部は、第3,第4開口31C,31Dより排出できる。   The third and fourth openings 31 </ b> C and 31 </ b> D are formed on the + X side and the −X side of the substrate stage 2. When the substrate stage 2 moves in the + Y direction, at least part of the gas that flows into the air passage 33 from the first opening 31A and flows through the flow paths 33C and 33D can be discharged from the third and fourth openings 31C and 31D. .

なお、ここでは、基板ステージ2が+Y方向に移動する場合について説明した。例えば基板ステージ2が−Y方向へ移動する場合には、第2開口31Bが、気体を取り入れる取入口として機能し、第1,第3,第4開口31A,31C,31Dの少なくとも1つが、通気路33にガイドされた気体が排出される排気口として機能する。また、基板ステージ2が+X方向に移動する場合には、第3開口31Cが、気体を取り入れる取入口として機能し、第1,第2,第4開口31A,31B,31Dの少なくとも1つが、通気路33にガイドされた気体が排出される排気口として機能する。基板ステージ2が−X方向に移動する場合には、第4開口31Dが、気体を取り入れる取入口として機能し、第1〜第3開口31A〜31Cの少なくとも1つが、通気路33にガイドされた気体が排出される排気口として機能する。   Here, the case where the substrate stage 2 moves in the + Y direction has been described. For example, when the substrate stage 2 moves in the −Y direction, the second opening 31B functions as an inlet for taking in gas, and at least one of the first, third, and fourth openings 31A, 31C, and 31D is ventilated. It functions as an exhaust port through which the gas guided by the passage 33 is discharged. When the substrate stage 2 moves in the + X direction, the third opening 31C functions as an inlet for taking in gas, and at least one of the first, second, and fourth openings 31A, 31B, and 31D is vented. It functions as an exhaust port through which the gas guided by the passage 33 is discharged. When the substrate stage 2 moves in the −X direction, the fourth opening 31D functions as an inlet for taking in gas, and at least one of the first to third openings 31A to 31C is guided by the air passage 33. It functions as an exhaust port through which gas is exhausted.

また、本実施形態においては、基板ステージ2は、第1〜第4開口31A〜31Dを閉めることができる第1〜第4シャッタ装置32A〜32Dを備えている。図2に示すように、第1シャッタ装置32Aは、少なくとも1つのプレート部材34と、第1開口31Aに対してプレート部材34を移動可能な駆動装置35とを備えている。本実施形態において、第1シャッタ装置32Aは、2つのプレート部材34を有する。駆動装置35によりプレート部材34を第1開口31Aに配置することによって、第1開口31Aが閉まる。また駆動装置35によりプレート部材34Aが第1開口31Aから退くことによって、第1開口31Aが開く。第2〜第4シャッタ装置32B〜32Dは、第1シャッタ装置32Aと同等の構成である。第2〜第4シャッタ装置32B〜32Dについての説明は省略する。   In the present embodiment, the substrate stage 2 includes first to fourth shutter devices 32A to 32D that can close the first to fourth openings 31A to 31D. As shown in FIG. 2, the first shutter device 32A includes at least one plate member 34 and a drive device 35 that can move the plate member 34 with respect to the first opening 31A. In the present embodiment, the first shutter device 32 </ b> A has two plate members 34. By arranging the plate member 34 in the first opening 31A by the driving device 35, the first opening 31A is closed. Further, when the plate member 34A is retracted from the first opening 31A by the driving device 35, the first opening 31A is opened. The second to fourth shutter devices 32B to 32D have the same configuration as the first shutter device 32A. A description of the second to fourth shutter devices 32B to 32D is omitted.

なお、本実施形態において、基板ステージ2は、基板保持部2Hの周囲に配置され、終端光学素子25及び液浸部材5と対向可能な上面2Tを有する。基板ステージ2の上面2Tは、平坦で、XY平面とほぼ平行である。   In the present embodiment, the substrate stage 2 has an upper surface 2T that is disposed around the substrate holding part 2H and can face the terminal optical element 25 and the liquid immersion member 5. The upper surface 2T of the substrate stage 2 is flat and substantially parallel to the XY plane.

計測ステージ3は、+Y側の第1側面と、−Y側の第2側面と、+X側の第3側面と、−X側の第4側面とを有する。開口41は、計測ステージ3の第1〜第4側面のそれぞれに配置される。開口41は、計測ステージ3の第1〜第4側面のそれぞれのほぼ中央に形成されている。計測ステージ3の内部には、開口41のそれぞれに接続されるように、通気路43が形成されている。   The measurement stage 3 has a first side surface on the + Y side, a second side surface on the -Y side, a third side surface on the + X side, and a fourth side surface on the -X side. The opening 41 is disposed on each of the first to fourth side surfaces of the measurement stage 3. The opening 41 is formed at substantially the center of each of the first to fourth side surfaces of the measurement stage 3. An air passage 43 is formed inside the measurement stage 3 so as to be connected to each of the openings 41.

本実施形態において、基板ステージ2の複数の開口31及び通気路33と同様に、複数の開口41及び通気路43が計測ステージ3に設けられている。計測ステージ3に形成されている開口41及び通気路43についての詳細説明は省略する。また、本実施形態においては、計測ステージ3も、開口41を閉めることができるシャッタ装置を備えている。計測ステージ3に設けられるシャッタ装置と、基板ステージ2に設けられるシャッタ装置とは、同等の構成である。計測ステージ3に設けられるシャッタ装置についての詳細説明は省略する。   In the present embodiment, like the plurality of openings 31 and the air passages 33 of the substrate stage 2, the plurality of openings 41 and the air passages 43 are provided in the measurement stage 3. A detailed description of the opening 41 and the air passage 43 formed in the measurement stage 3 is omitted. In the present embodiment, the measurement stage 3 is also provided with a shutter device that can close the opening 41. The shutter device provided on the measurement stage 3 and the shutter device provided on the substrate stage 2 have the same configuration. A detailed description of the shutter device provided on the measurement stage 3 will be omitted.

次に、上述の構成を有する露光装置EXの動作の一例について説明する。   Next, an example of the operation of the exposure apparatus EX having the above-described configuration will be described.

基板Pの露光動作を開始するために、制御装置7は、基板ステージ2を基板交換位置へ移動して、搬送システム(不図示)を用いて、基板交換位置に配置された基板ステージ2に、露光前の基板Pをロードする。終端光学素子25及び液浸部材5と対向する位置には、計測ステージ3が配置されており、終端光学素子25及び液浸部材5と計測ステージ3との間に、液体LQで液浸空間が形成されている。制御装置7は、必要に応じて、計測ステージ3を用いる計測動作を実行する。   In order to start the exposure operation of the substrate P, the control device 7 moves the substrate stage 2 to the substrate replacement position, and uses the transfer system (not shown) to place the substrate stage 2 on the substrate replacement position. The substrate P before exposure is loaded. The measurement stage 3 is disposed at a position facing the last optical element 25 and the liquid immersion member 5, and an immersion space is formed with the liquid LQ between the last optical element 25 and the liquid immersion member 5 and the measurement stage 3. Is formed. The control device 7 performs a measurement operation using the measurement stage 3 as necessary.

基板ステージ2に基板Pがロードされた後、制御装置7は、駆動システム20を作動して、終端光学素子25及び液浸部材5と計測ステージ3とが対向する状態から、終端光学素子25及び液浸部材5と基板ステージ2とが対向する状態に変化するように、基板ステージ2及び計測ステージ3を移動する。   After the substrate P is loaded on the substrate stage 2, the control device 7 operates the drive system 20 so that the terminal optical element 25 and the liquid immersion member 5 and the measurement stage 3 face each other from the state in which the terminal optical element 25 and the measurement stage 3 face each other. The substrate stage 2 and the measurement stage 3 are moved so that the liquid immersion member 5 and the substrate stage 2 are changed to a facing state.

制御装置7は、基板Pの露光動作を実行するために、終端光学素子25及び液浸部材5と基板Pの表面との間に液体LQで液浸空間を形成する。制御装置7は、基板Pの複数のショット領域を、投影系PL及び液浸空間LSの液体LQを介して順次露光する。   In order to execute the exposure operation of the substrate P, the control device 7 forms an immersion space with the liquid LQ between the terminal optical element 25 and the immersion member 5 and the surface of the substrate P. The control device 7 sequentially exposes a plurality of shot areas on the substrate P via the projection system PL and the liquid LQ in the immersion space LS.

基板Pの露光が終了した後、制御装置7は、露光後の基板Pを基板ステージ2からアンロードするために、駆動システム20を作動して、終端光学素子25及び液浸部材5と基板ステージ2とが対向する状態から、終端光学素子25及び液浸部材5と計測ステージ3とが対向する状態に変化するように、基板ステージ2及び計測ステージ3を移動する。制御装置7は、基板ステージ2を基板交換位置へ移動して、搬送システム(不図示)を用いて、基板交換位置に配置された基板ステージ2から、露光後の基板Pのアンロードを実行する。その後、制御装置7は、その基板ステージ2に対して、搬送システムを用いて、露光前の基板Pをロードする。以下、上述と同様の処理が繰り返される。   After the exposure of the substrate P is completed, the control device 7 operates the drive system 20 to unload the exposed substrate P from the substrate stage 2, and the terminal optical element 25, the liquid immersion member 5, and the substrate stage. The substrate stage 2 and the measurement stage 3 are moved so that the terminal optical element 25 and the liquid immersion member 5 and the measurement stage 3 are opposed to each other. The control device 7 moves the substrate stage 2 to the substrate exchange position, and uses the transfer system (not shown) to unload the substrate P after exposure from the substrate stage 2 arranged at the substrate exchange position. . Thereafter, the control device 7 loads the substrate P before exposure onto the substrate stage 2 using the transport system. Thereafter, the same processing as described above is repeated.

本実施形態においては、制御装置7は、少なくとも基板Pの露光中、図4に示すように、第1,第2開口31A,31Bを開ける。また、本実施形態においては、制御装置7は、第3,第4シャッタ装置32C,32Dを用いて、第3,第4開口31C,31Dを閉じる。基板Pのスキャン露光動作において、基板ステージ2は、+Y方向及び−Y方向のそれぞれに移動する。換言すれば、基板ステージ2は、基板Pの複数のショット領域の露光のために、Y軸方向に往復するように移動する。例えば、図4に示すように、基板ステージ2が+Y方向へ移動する場合には、第1開口31Aから通気路33に気体が流入し、その気体の少なくとも一部は、通気路33にガイドされて、第2開口31Bより排出される。一方、基板ステージ2が−Y方向へ移動する場合には、第2開口31Bから通気路33に気体が流入し、その気体の少なくとも一部は、通気路33にガイドされて、第1開口31Aより排出される。   In the present embodiment, the control device 7 opens the first and second openings 31A and 31B as shown in FIG. 4 at least during the exposure of the substrate P. In the present embodiment, the control device 7 uses the third and fourth shutter devices 32C and 32D to close the third and fourth openings 31C and 31D. In the scan exposure operation of the substrate P, the substrate stage 2 moves in each of the + Y direction and the −Y direction. In other words, the substrate stage 2 moves so as to reciprocate in the Y-axis direction for exposure of a plurality of shot regions of the substrate P. For example, as shown in FIG. 4, when the substrate stage 2 moves in the + Y direction, gas flows into the ventilation path 33 from the first opening 31 </ b> A, and at least a part of the gas is guided to the ventilation path 33. And is discharged from the second opening 31B. On the other hand, when the substrate stage 2 moves in the −Y direction, a gas flows into the ventilation path 33 from the second opening 31B, and at least a part of the gas is guided by the ventilation path 33 and the first opening 31A. More discharged.

本実施形態において、通気路33は、基板ステージ2が+Y方向に移動するときに、基板ステージ2の前方側(+Y側)の空間の気体を、後方側(−Y側)の空間へ流し、基板ステージ2が−Y方向に移動するときに、基板ステージ2の前方側(−Y側)の空間の気体を、後方側(+Y側)の空間へ流す。すなわち、基板ステージ2が+Y方向に移動する場合には、基板ステージ2の前方側(+Y側)の空間から第1開口31Aを介して気体が流出し、第2開口31Bを介して後方側(−Y側)の空間へ気体が流入する。また基板ステージ2が−Y方向に移動する場合には、基板ステージ2の前方側(−Y側)の空間から第2開口31Bを介して気体が流出し、第1開口31Aを介して後方側(−Y側)の空間へ気体が流入する。   In the present embodiment, when the substrate stage 2 moves in the + Y direction, the ventilation path 33 allows the gas in the space on the front side (+ Y side) of the substrate stage 2 to flow to the space on the rear side (−Y side). When the substrate stage 2 moves in the −Y direction, the gas in the space on the front side (−Y side) of the substrate stage 2 flows into the space on the rear side (+ Y side). That is, when the substrate stage 2 moves in the + Y direction, gas flows out from the space on the front side (+ Y side) of the substrate stage 2 through the first opening 31A, and the rear side ( -Y side) gas flows into the space. Further, when the substrate stage 2 moves in the −Y direction, gas flows out from the space on the front side (−Y side) of the substrate stage 2 through the second opening 31B, and the rear side through the first opening 31A. Gas flows into the (−Y side) space.

本実施形態においては、基板ステージ2に、気体を取り入れる取入口31A(31B)と、取入口31A(31B)からの気体をガイドする通気路33と、通気路33にガイドされた気体が排出される排気口31B(31A)とが設けられているので、第1空間11内の圧力変動を抑制することができる。第1空間11の圧力変動は、第1空間11内の圧力分布の変化、及び第1空間11内における各部分での圧力変動の少なくとも一方を含む。   In the present embodiment, an inlet 31A (31B) for taking in the gas, an air passage 33 for guiding the gas from the inlet 31A (31B), and the gas guided by the air passage 33 are discharged to the substrate stage 2. Since the exhaust port 31B (31A) is provided, the pressure fluctuation in the first space 11 can be suppressed. The pressure fluctuation in the first space 11 includes at least one of a change in pressure distribution in the first space 11 and a pressure fluctuation in each part in the first space 11.

図5は、比較例に係る基板ステージ2Jの一例を示す図である。図5に示す基板ステージ2Jには、取入口、通気路、及び排気口は設けられていない。このような基板ステージ2Jが、実質的に閉ざされた第1空間11内で、例えば+Y方向に移動すると、Y軸方向において、基板ステージ2Jの前方側(+Y側)の空間の圧力が過剰に高くなり、後方側(−Y側)の空間の圧力が過剰に低くなる現象が生じる可能性がある。このように、基板ステージ2Jが第1空間11内において移動することによって、第1空間11内の圧力変動が発生する可能性がある。   FIG. 5 is a diagram illustrating an example of the substrate stage 2J according to the comparative example. The substrate stage 2J shown in FIG. 5 is not provided with an intake port, an air passage, and an exhaust port. When such a substrate stage 2J moves in the substantially closed first space 11, for example, in the + Y direction, the pressure in the space on the front side (+ Y side) of the substrate stage 2J is excessive in the Y-axis direction. There is a possibility that a phenomenon occurs in which the pressure in the space on the rear side (−Y side) becomes excessively low due to the increase. As described above, when the substrate stage 2J moves in the first space 11, a pressure fluctuation in the first space 11 may occur.

第1空間11の圧力変動が生じると、例えば基板ステージ2Jの位置を光学的に計測するための第2干渉計ユニット4Bの計測光の光路の屈折率が変動して、基板ステージ2Jの位置の計測精度が低下する可能性がある。その結果、基板ステージ2Jの移動性能が低下し、露光不良が発生したり、不良デバイスが発生したりする可能性がある。   When the pressure variation in the first space 11 occurs, for example, the refractive index of the optical path of the measurement light of the second interferometer unit 4B for optically measuring the position of the substrate stage 2J varies, and the position of the substrate stage 2J is changed. Measurement accuracy may be reduced. As a result, there is a possibility that the movement performance of the substrate stage 2J is deteriorated and an exposure failure occurs or a defective device occurs.

また、第1空間11は実質的に閉ざされているものの、第1空間11の圧力変動によって、外部空間(例えば、第2空間12)から第1空間11に気体が流入してしまう可能性がある。上述のように、制御装置7は、第1空間11のクリーン度が第2空間12のクリーン度より高くなるように制御し、且つ、第2空間12の気体が第1空間11に流入することを抑制するために、第1空間11の圧力が第2空間12の圧力より高くなるように制御しているものの、基板ステージ2Jの移動により発生する第1空間11内の圧力変動によって、第2空間12の気体が第1空間11に流入してしまう可能性がある。その結果、第1空間11のクリーン度が低下し、露光不良が発生したり、不良デバイスが発生したりする可能性がある。   Further, although the first space 11 is substantially closed, there is a possibility that gas flows into the first space 11 from the external space (for example, the second space 12) due to the pressure fluctuation of the first space 11. is there. As described above, the control device 7 performs control so that the cleanness of the first space 11 is higher than the cleanness of the second space 12, and the gas in the second space 12 flows into the first space 11. In order to suppress this, the pressure in the first space 11 is controlled to be higher than the pressure in the second space 12, but the second fluctuation is caused by the pressure fluctuation in the first space 11 caused by the movement of the substrate stage 2J. There is a possibility that the gas in the space 12 flows into the first space 11. As a result, the cleanliness of the first space 11 is lowered, and there is a possibility that an exposure failure may occur or a defective device may occur.

本実施形態においては、基板ステージ2に取入口31A(31B)、通気路33、及び排気口31B(31A)が設けられているので、第1空間11内で基板ステージ2が移動しても、その第1空間11内の圧力変動を抑制することができる。すなわち本実施形態においては、基板ステージ2に開口31及び通気路33が設けられているので、基板ステージ2の前方側の空間および後方側の空間の圧力変動をそれぞれ抑制することができる。したがって、基板ステージ2の前方側の空間および後方側の空間の圧力差を小さくすることができる。本実施形態においては、通気路33は、取入口31A(31B)からの気体を、第1空間11内の圧力変動が抑制されるように、排気口31B(31A)に向けてガイドするので、第1空間11内の圧力変動を抑制することができる。本実施形態において、通気路33は、所定の形状を有し、その通気路33には、気体の流れを妨げる部材が配置されていない。そのため、通気路33は、第1空間11内の圧力変動が抑制されるように、取入口31A(31B)から取り入れられた気体を、排気口31B(31A)へガイドすることができる。   In the present embodiment, the substrate stage 2 is provided with the intake port 31A (31B), the air passage 33, and the exhaust port 31B (31A), so that even if the substrate stage 2 moves in the first space 11, The pressure fluctuation in the first space 11 can be suppressed. That is, in the present embodiment, since the opening 31 and the air passage 33 are provided in the substrate stage 2, it is possible to suppress pressure fluctuations in the space on the front side and the space on the rear side of the substrate stage 2. Therefore, the pressure difference between the space on the front side and the space on the rear side of the substrate stage 2 can be reduced. In the present embodiment, the air passage 33 guides the gas from the intake port 31A (31B) toward the exhaust port 31B (31A) so that the pressure fluctuation in the first space 11 is suppressed. The pressure fluctuation in the first space 11 can be suppressed. In the present embodiment, the air passage 33 has a predetermined shape, and no member that prevents the gas flow is disposed in the air passage 33. Therefore, the air passage 33 can guide the gas taken in from the intake port 31A (31B) to the exhaust port 31B (31A) so that the pressure fluctuation in the first space 11 is suppressed.

また、本実施形態においては、取入口31A(31B)は、Y軸方向において、基板ステージ2の前方の空間に面する側面2A(2B)のほぼ中央に形成されているので、基板ステージ2がY軸方向に移動した場合でも、第1空間11内の圧力変動が抑制されるように、気体を良好に取り入れることができる。   Further, in the present embodiment, the intake 31A (31B) is formed substantially at the center of the side surface 2A (2B) facing the space in front of the substrate stage 2 in the Y-axis direction. Even when moving in the Y-axis direction, the gas can be satisfactorily introduced so that the pressure fluctuation in the first space 11 is suppressed.

また、本実施形態においては、平面モータの可動子2Mが、基板ステージ2に配置されている。通気路33は、可動子2Mの近傍(上部)に配置されている。すなわち、本実施形態においては、通気路33の少なくとも一部が基板保持部2Hと可動子2Mとの間にもうけられている。したがって、その通気路33を流れる気体によって、可動子2Mを冷却することができる。したがって、可動子2Mからの熱によって基板保持部2Hが温度変化したり、変形したり、伸縮したりすることが抑制される。   In the present embodiment, the movable element 2M of the planar motor is arranged on the substrate stage 2. The ventilation path 33 is disposed in the vicinity (upper part) of the mover 2M. That is, in the present embodiment, at least a part of the air passage 33 is provided between the substrate holding part 2H and the mover 2M. Therefore, the mover 2M can be cooled by the gas flowing through the ventilation path 33. Therefore, the substrate holder 2H is prevented from changing in temperature, deformed, or expanded or contracted by heat from the mover 2M.

なお、例えば基板ステージ2が+Y方向に移動する場合に、第1開口31Aから流入した気体を排出させるために開けられる開口は、第2開口31Bに限らない。すなわち、第1開口31Aから流入した気体を排出させるために、第2開口31B、第3開口31C、第4開口31Dの少なくとも1つを開けることができる。すなわち、本実施形態においては、基板ステージ2を移動する場合、基板ステージ2の前方側の空間に面する開口と、それ以外の3つ開口の少なくとも1つを開けることができる。例えば、図6に示すように、基板ステージ2が+Y方向に移動する場合において、制御装置7は、基板ステージ2の前方側(+Y側)の第1開口31A、及び+X側の第3開口31Cを開け、第2,第4シャッタ装置32B,32Dを用いて、第2,第4開口31B,31Dを閉じることができる。こうすることによっても、基板ステージ2の移動に伴う第1空間11内の圧力変動を抑制することができる。   For example, when the substrate stage 2 moves in the + Y direction, the opening that is opened to discharge the gas flowing in from the first opening 31A is not limited to the second opening 31B. That is, at least one of the second opening 31B, the third opening 31C, and the fourth opening 31D can be opened in order to discharge the gas flowing in from the first opening 31A. That is, in the present embodiment, when the substrate stage 2 is moved, at least one of the opening facing the space on the front side of the substrate stage 2 and the other three openings can be opened. For example, as shown in FIG. 6, when the substrate stage 2 moves in the + Y direction, the control device 7 causes the first opening 31A on the front side (+ Y side) of the substrate stage 2 and the third opening 31C on the + X side. And the second and fourth shutter devices 32B and 32D can be used to close the second and fourth openings 31B and 31D. Also by doing so, pressure fluctuations in the first space 11 accompanying the movement of the substrate stage 2 can be suppressed.

また、図6に示すように、基板ステージ2に向けて第2干渉計ユニット4Bの計測光が、基板ステージ2の中心に対して−X側及び−Y側の計測ミラー2Rに照射されている場合、制御装置7は、計測光の光路に近い第2,第4開口31B,31Dを、シャッタ装置32B,32Dを用いて閉じることによって、その計測光の光路に、通気路33から排気された気体が供給されることを抑制することができる。   As shown in FIG. 6, the measurement light of the second interferometer unit 4 </ b> B is directed toward the substrate stage 2 on the measurement mirror 2 </ b> R on the −X side and the −Y side with respect to the center of the substrate stage 2. In this case, the control device 7 exhausts the second and fourth openings 31B and 31D close to the optical path of the measurement light using the shutter devices 32B and 32D to the optical path of the measurement light from the ventilation path 33. Supply of gas can be suppressed.

なお、ここでは、基板ステージ2について説明したが、計測ステージ3についても同様である。すなわち、計測ステージ3に、開口41、及び通気路43が形成されているので、第1空間11内で計測ステージ3が移動しても、その第1空間11内の圧力変動を抑制することができる。また、通気路43を流れる気体によって、計測ステージ3に配置されている可動子3M、及び/又は計測器Cを冷却することができる。   Although the substrate stage 2 has been described here, the same applies to the measurement stage 3. That is, since the opening 41 and the air passage 43 are formed in the measurement stage 3, even if the measurement stage 3 moves in the first space 11, the pressure fluctuation in the first space 11 can be suppressed. it can. Further, the mover 3M and / or the measuring instrument C arranged on the measurement stage 3 can be cooled by the gas flowing through the ventilation path 43.

以上説明したように、本実施形態によれば、基板ステージ2、及び計測ステージ3の移動に伴う第1空間11の圧力変動の発生を抑制することができる。したがって、その圧力変動に起因する露光不良の発生、不良デバイスの発生を抑制することができる。   As described above, according to the present embodiment, it is possible to suppress the occurrence of pressure fluctuations in the first space 11 due to the movement of the substrate stage 2 and the measurement stage 3. Therefore, it is possible to suppress the occurrence of defective exposure and the occurrence of defective devices due to the pressure fluctuation.

また、本実施形態においては、通気路33,43を流れる気体によって、基板ステージ2の部材(例えば、可動子2)、および計測ステージ3の部材(可動子3M、計測器Cなど)を冷却することができる。例えば基板ステージ2、計測ステージ3の可動子2M,3Mの温度が上昇すると、例えば基板ステージ2,計測ステージ3の移動性能が低下する可能性がある。また、基板ステージ2の可動子2Mの温度が上昇すると、基板保持部2Hに保持されている基板Pが熱変形する可能性がある。また、計測器Cの温度が上昇すると、その計測器Cの性能が低下する可能性がある。これらの不都合が生じると、露光不良が発生し、その結果、不良デバイスが発生する可能性がある。本実施形態においては、基板ステージ2の所定部材が冷却されるように通気路33が設けられ、計測ステージ3の所定部材が冷却されるように通気路43が設けられているので、露光不良の発生、不良デバイスの発生を抑制することができる。   In the present embodiment, the member (for example, the movable element 2) of the substrate stage 2 and the member of the measurement stage 3 (such as the movable element 3M and the measuring instrument C) are cooled by the gas flowing through the ventilation paths 33 and 43. be able to. For example, when the temperatures of the movable elements 2M and 3M of the substrate stage 2 and the measurement stage 3 rise, the movement performance of the substrate stage 2 and the measurement stage 3, for example, may deteriorate. Further, when the temperature of the mover 2M of the substrate stage 2 rises, there is a possibility that the substrate P held by the substrate holding part 2H is thermally deformed. Further, when the temperature of the measuring instrument C rises, the performance of the measuring instrument C may be reduced. When these inconveniences occur, exposure failure occurs, and as a result, a defective device may occur. In this embodiment, the air passage 33 is provided so that the predetermined member of the substrate stage 2 is cooled, and the air passage 43 is provided so that the predetermined member of the measurement stage 3 is cooled. Generation and generation of defective devices can be suppressed.

<第2実施形態>
次に、第2実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
<Second Embodiment>
Next, a second embodiment will be described. In the following description, the same or equivalent components as those of the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is simplified or omitted.

図7は、第2実施形態に係る基板ステージ2Eの一例を示す一部を破断した斜視図である。図7に示すように、基板ステージ2は、通気路33に配置されたヒートシンク70を備えている。本実施形態においては、基板ステージ2の可動子2Mを冷却するために、ヒートシンク70は、通気路33の下面33Uに配置されている。本実施形態においては、ヒートシンク70は、通気路33の下面33Uに接触するように配置されたプレート部材71と、プレート部材71の上面に配置された複数のピン72とを含む。ヒートシンク70は、例えばアルミニウム、あるいはアルミニウム合金などで形成されている。本実施形態においては、通気路33にヒートシンク70を配置することによって、可動子2Mが、効果的に冷却される。   FIG. 7 is a partially broken perspective view showing an example of the substrate stage 2E according to the second embodiment. As shown in FIG. 7, the substrate stage 2 includes a heat sink 70 disposed in the ventilation path 33. In the present embodiment, the heat sink 70 is disposed on the lower surface 33 </ b> U of the air passage 33 in order to cool the mover 2 </ b> M of the substrate stage 2. In the present embodiment, the heat sink 70 includes a plate member 71 disposed so as to contact the lower surface 33 </ b> U of the air passage 33, and a plurality of pins 72 disposed on the upper surface of the plate member 71. The heat sink 70 is made of, for example, aluminum or aluminum alloy. In the present embodiment, the mover 2M is effectively cooled by disposing the heat sink 70 in the ventilation path 33.

なお、本実施形態において、XY平面において、基板ステージ2Eのほぼ中央に1つのヒートシンク70が配置されているが、ヒートシンクの数および配置は、冷却対象の位置及び/又は数に応じて任意に決めることができる。   In the present embodiment, one heat sink 70 is arranged in the approximate center of the substrate stage 2E on the XY plane, but the number and arrangement of the heat sinks are arbitrarily determined according to the position and / or number of objects to be cooled. be able to.

<第3実施形態>
次に、第3実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
<Third Embodiment>
Next, a third embodiment will be described. In the following description, the same or equivalent components as those of the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is simplified or omitted.

第3実施形態は、第2実施形態の変形例である。図8は、第3実施形態に係る基板ステージ2Fの一例を示す一部を判断した斜視図である。図8に示すように、基板ステージ2Fは、ヒートシンク70と、ヒートシンク70に配置された冷却ファン80とを備えている。ヒートシンク70及び冷却ファン80のそれぞれは、通気路33に配置されている。通気路33に配置されたヒートシンク70及び冷却ファン80を使って、可動子2Mが、効果的に冷却される。   The third embodiment is a modification of the second embodiment. FIG. 8 is a partial perspective view showing an example of the substrate stage 2F according to the third embodiment. As shown in FIG. 8, the substrate stage 2 </ b> F includes a heat sink 70 and a cooling fan 80 disposed on the heat sink 70. Each of the heat sink 70 and the cooling fan 80 is disposed in the air passage 33. The mover 2M is effectively cooled by using the heat sink 70 and the cooling fan 80 disposed in the air passage 33.

なお、冷却ファン80は、電動ファンであってもよいし、通気路33を通過する気体によって回転するファンであってもよい。   The cooling fan 80 may be an electric fan or may be a fan that is rotated by gas passing through the air passage 33.

なお、本実施形態においては、XY平面において、基板ステージ2Fのほぼ中央にヒートシンク70と冷却ファン80が1つずつ配置されているが、ヒートシンク及び冷却ファンの数および配置は、冷却対象の位置及び/又は数に応じて任意に決めることができる。基板ステージ2Fが複数のヒートシンクを備える場合であっても、そのすべてに冷却ファンを搭載しなくてもよい。   In the present embodiment, one heat sink 70 and one cooling fan 80 are arranged at approximately the center of the substrate stage 2F on the XY plane. However, the number and arrangement of the heat sinks and cooling fans depend on the position of the cooling target and the cooling target. It can be arbitrarily determined according to the number. Even when the substrate stage 2F includes a plurality of heat sinks, it is not necessary to mount a cooling fan on all of them.

<第4実施形態>
次に、第4実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
<Fourth embodiment>
Next, a fourth embodiment will be described. In the following description, the same or equivalent components as those of the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is simplified or omitted.

図9は、第4実施形態に係る計測ステージ3Gの一例を示す側面図である。図9に示すように、計測ステージ3Gは、通気路43に配置されたヒートシンク70Gを備えている。本実施形態においては、計測ステージ3の計測器Cを冷却するために、ヒートシンク70Gは、通気路43の上面43Tに配置されている。ヒートシンク70Gは、通気路43の上面43Tに接触するように配置されたプレート部材71Gと、プレート部材71Gの下面に配置された複数のピン72Gとを含む。ヒートシンク70Gは、例えばアルミニウム、あるいはアルミニウム合金などで形成されている。通気路43に配置されたヒートシンク70Gを使って、計測器Cが、効果的に冷却される。   FIG. 9 is a side view showing an example of the measurement stage 3G according to the fourth embodiment. As shown in FIG. 9, the measurement stage 3 </ b> G includes a heat sink 70 </ b> G disposed in the ventilation path 43. In the present embodiment, the heat sink 70 </ b> G is disposed on the upper surface 43 </ b> T of the air passage 43 in order to cool the measuring instrument C of the measuring stage 3. The heat sink 70G includes a plate member 71G disposed so as to contact the upper surface 43T of the air passage 43, and a plurality of pins 72G disposed on the lower surface of the plate member 71G. The heat sink 70G is made of, for example, aluminum or an aluminum alloy. Using the heat sink 70G disposed in the air passage 43, the measuring instrument C is effectively cooled.

なお、本実施形態においても、ヒートシンクの数および配置は、冷却対象の位置及び/又は数に応じて任意に決めることができる。   Also in this embodiment, the number and arrangement of heat sinks can be arbitrarily determined according to the position and / or number of objects to be cooled.

また、図9に示すヒートシンク70Gに、図8を参照して説明した冷却ファン80を配置することができる。   Further, the cooling fan 80 described with reference to FIG. 8 can be arranged on the heat sink 70G shown in FIG.

また、ヒートシンク70Gに加えて、あるいはヒートシンク70Gを付けずに、通気路43の下面43Uにヒートシンクを配置してもよい。これにより、そのヒートシンクを使って、計測ステージ3の可動子3Mが、効果的に冷却される。この場合も、そのヒートシンクに、図8を参照して説明した冷却ファン80を配置することができる。なお、上述の第1〜第4実施形態においては、基板ステージ2と計測ステージ3の両方に通気路が設けられているが、どちらか一方のみに通気路を設けてもよい。例えば、計測ステージ3の移動によって、第1空間11内に生じる圧力変動が小さい場合には、基板ステージ2のみに通気路を設ければよい。   In addition to the heat sink 70G or without the heat sink 70G, a heat sink may be disposed on the lower surface 43U of the air passage 43. Thereby, the mover 3M of the measurement stage 3 is effectively cooled using the heat sink. Also in this case, the cooling fan 80 described with reference to FIG. 8 can be disposed on the heat sink. In the first to fourth embodiments described above, the air passage is provided in both the substrate stage 2 and the measurement stage 3, but the air passage may be provided in only one of them. For example, when the pressure fluctuation generated in the first space 11 due to the movement of the measurement stage 3 is small, a ventilation path may be provided only in the substrate stage 2.

また、上述の第1〜第4実施形態においては、ステージ(基板ステージ2及び/又は計測ステージ3)の複数の開口のそれぞれにシャッタ装置が配置されているが、シャッタ装置を省いてもよい。あるいは、ステージ(基板ステージ2及び/又は計測ステージ3)に設けられている複数の開口の一部のみにシャッタ装置を設けてもよい。   In the first to fourth embodiments described above, the shutter device is disposed in each of the plurality of openings of the stage (the substrate stage 2 and / or the measurement stage 3), but the shutter device may be omitted. Or you may provide a shutter apparatus only in some of the some opening provided in the stage (the substrate stage 2 and / or the measurement stage 3).

また、上述の第1〜第4実施形態においては、ステージ(基板ステージ2及び/又は計測ステージ3)の4つの側面にそれぞれに1つの開口が設けられ、各側面における開口の位置及び/又は数は任意に決めることができる。この場合、基板ステージ2の開口の数と計測ステージ3の開口の数が異なっていてもよい。   In the first to fourth embodiments described above, one opening is provided on each of the four side surfaces of the stage (substrate stage 2 and / or measurement stage 3), and the position and / or number of openings on each side surface. Can be determined arbitrarily. In this case, the number of openings of the substrate stage 2 and the number of openings of the measurement stage 3 may be different.

また、上述の第1〜第4実施形態においては、ステージ(基板ステージ2及び/又は計測ステージ3)の4つの側面にそれぞれに開口が設けられているが、ステージ(基板ステージ2及び/又は計測ステージ3)の少なくとも2つの側面に少なくとも1つの開口を備えていればよい。例えば、ステージ(基板ステージ2及び/又は計測ステージ3)のY方向への移動に起因する第1空間11内の圧力変動が大きい場合には、ステージ(基板ステージ2及び/又は計測ステージ3)のY方向の一側と他側のみに開口を設けるだけでもよい。この場合も、基板ステージ2の開口の数と計測ステージ3の開口の数が異なっていてもよい。   In the first to fourth embodiments described above, openings are provided on the four side surfaces of the stage (substrate stage 2 and / or measurement stage 3), but the stage (substrate stage 2 and / or measurement) is provided. It suffices to provide at least one opening on at least two side surfaces of the stage 3). For example, when the pressure fluctuation in the first space 11 due to the movement of the stage (substrate stage 2 and / or measurement stage 3) in the Y direction is large, the stage (substrate stage 2 and / or measurement stage 3) The openings may be provided only on one side and the other side in the Y direction. Also in this case, the number of openings of the substrate stage 2 and the number of openings of the measurement stage 3 may be different.

<第5実施形態>
次に、第5実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
<Fifth Embodiment>
Next, a fifth embodiment will be described. In the following description, the same or equivalent components as those of the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is simplified or omitted.

図9は、第5実施形態に係る基板ステージ2Kの一例を示す斜視図である。図9において、基板ステージ2Kは、XY平面内の所定方向に移動するときに、基板ステージ2の前方側の空間の気体を、基板ステージ2Kの後方側の空間へ流すための通気路33Kを備えている。本実施形態において、通気路33Kは、第1〜第4側面2A〜2Dのそれぞれに形成された凹部を含む。本実施形態においても、通気路33Kによって、基板ステージ2の移動に伴う第1空間11内の圧力変動を抑制することができる。   FIG. 9 is a perspective view showing an example of the substrate stage 2K according to the fifth embodiment. In FIG. 9, the substrate stage 2 </ b> K includes a ventilation path 33 </ b> K for flowing the gas in the space on the front side of the substrate stage 2 to the space on the rear side of the substrate stage 2 </ b> K when moving in a predetermined direction in the XY plane. ing. In the present embodiment, the air passage 33K includes a recess formed in each of the first to fourth side surfaces 2A to 2D. Also in the present embodiment, the pressure passage in the first space 11 accompanying the movement of the substrate stage 2 can be suppressed by the ventilation path 33K.

なお、本実施形態においては、基板ステージ2Kの第1〜第4側面2A〜2Dのそれぞれに通気路33Kが形成されているが、第1〜第4側面2A〜2Dのうちの1つ、又は2つ、又は3つに通気路33Kを設けるだけでもよい。   In the present embodiment, the air passage 33K is formed in each of the first to fourth side surfaces 2A to 2D of the substrate stage 2K, but one of the first to fourth side surfaces 2A to 2D, or Only two or three ventilation paths 33K may be provided.

また、本実施形態において、通気路33Kの下面に、少なくとも1つのヒートシンク70Kが配置されている。本実施形態においては、基板ステージ2Kの4つの側面2A〜2Dのそれぞれの近傍に1つのヒートシンク70Kが配置されている。基板ステージ2Kの可動子2Mは、ヒートシンク70Kを使って冷却される。なお、ヒートシンク70Kに、図8のように、冷却ファンを配置することができる。   In the present embodiment, at least one heat sink 70K is disposed on the lower surface of the air passage 33K. In the present embodiment, one heat sink 70K is disposed in the vicinity of each of the four side surfaces 2A to 2D of the substrate stage 2K. The mover 2M of the substrate stage 2K is cooled using the heat sink 70K. A cooling fan can be arranged on the heat sink 70K as shown in FIG.

なお、本実施形態においては、計測ステージの4つの側面の少なくとも1に凹部を形成して、基板ステージ2Kと同様に、計測ステージに通気路を設けることができる。   In the present embodiment, a recess can be formed on at least one of the four side surfaces of the measurement stage, and an air passage can be provided in the measurement stage in the same manner as the substrate stage 2K.

なお、基板ステージおよび計測ステージの一方の内部に、第1〜第4実施形態のように通気路を形成し、他方のステージの4つの側面の少なくとも1つに第5実施形態のように通気路として機能する凹部を設けてもよい。   An air passage is formed in one of the substrate stage and the measurement stage as in the first to fourth embodiments, and an air passage is provided in at least one of the four side surfaces of the other stage as in the fifth embodiment. You may provide the recessed part which functions as.

なお、上述の各実施形態においては、基板ステージ2及び計測ステージ3が1つずつ配置される場合を例にして説明したが、基板ステージ2及び計測ステージ3の少なくとも一方が、2つ以上配置されてもよい。また、露光装置EXが計測ステージ3を備えていなくてもよい。この場合、計測器Cを基板ステージ2に搭載すればよい。   In each of the above embodiments, the case where the substrate stage 2 and the measurement stage 3 are arranged one by one has been described as an example. However, at least one of the substrate stage 2 and the measurement stage 3 is arranged two or more. May be. Further, the exposure apparatus EX may not include the measurement stage 3. In this case, the measuring instrument C may be mounted on the substrate stage 2.

なお、上述の各実施形態において、チャンバ装置6によって形成される空間内に、3つの部分空間として、第1空間11、第2空間12、及び第3空間13が画定されているが、チャンバ装置6によって形成される空間内に部分空間の数、および配置は任意に決めることができる。チャンバ装置6によって形成される空間内に部分空間が存在しなくてもよい。   In each of the above-described embodiments, the first space 11, the second space 12, and the third space 13 are defined as three partial spaces in the space formed by the chamber device 6. The number and arrangement of the subspaces in the space formed by 6 can be arbitrarily determined. There may be no partial space in the space formed by the chamber device 6.

なお、上述の第1〜第5実施形態においては、投影系PLの終端光学素子25の射出側(像面側)の光路が液体LQで満たされているが、例えば国際公開第2004/019128号パンフレットに開示されているように、終端光学素子25の入射側(物体面側)の光路も液体LQで満たされる投影系を採用することもできる。   In the first to fifth embodiments described above, the optical path on the exit side (image plane side) of the terminal optical element 25 of the projection system PL is filled with the liquid LQ. For example, International Publication No. 2004/019128 As disclosed in the pamphlet, a projection system in which the optical path on the incident side (object plane side) of the last optical element 25 is also filled with the liquid LQ can be employed.

なお、上述の各実施形態の液体LQは水であるが、水以外の液体であってもよい。例えば、液体LQとして、ハイドロフロロエーテル(HFE)、過フッ化ポリエーテル(PFPE)、フォンブリンオイル等を用いることも可能である。また、液体LQとして、種々の流体、例えば、超臨界流体を用いることも可能である。   In addition, although the liquid LQ of each above-mentioned embodiment is water, liquids other than water may be sufficient. For example, hydrofluoroether (HFE), perfluorinated polyether (PFPE), fomblin oil, or the like can be used as the liquid LQ. In addition, various fluids such as a supercritical fluid can be used as the liquid LQ.

なお、上述の各実施形態の基板Pとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版(合成石英、シリコンウエハ)等が適用される。   As the substrate P in each of the above embodiments, not only a semiconductor wafer for manufacturing a semiconductor device, but also a glass substrate for a display device, a ceramic wafer for a thin film magnetic head, or an original mask or reticle used in an exposure apparatus. (Synthetic quartz, silicon wafer) or the like is applied.

露光装置EXとしては、マスクMと基板Pとを同期移動してマスクMのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置(スキャニングステッパ)の他に、マスクMと基板Pとを静止した状態でマスクMのパターンを一括露光し、基板Pを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置(ステッパ)にも適用することができる。   As the exposure apparatus EX, in addition to the step-and-scan type scanning exposure apparatus (scanning stepper) that scans and exposes the pattern of the mask M by moving the mask M and the substrate P synchronously, the mask M and the substrate P Can be applied to a step-and-repeat type projection exposure apparatus (stepper) in which the pattern of the mask M is collectively exposed while the substrate P is stationary and the substrate P is sequentially moved stepwise.

さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第1パターンと基板Pとをほぼ静止した状態で、投影系を用いて第1パターンの縮小像を基板P上に転写した後、第2パターンと基板Pとをほぼ静止した状態で、投影系を用いて第2パターンの縮小像を第1パターンと部分的に重ねて基板P上に一括露光してもよい(スティッチ方式の一括露光装置)。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板P上で少なくとも2つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Pを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。   Further, in the step-and-repeat exposure, after the reduced image of the first pattern is transferred onto the substrate P using the projection system with the first pattern and the substrate P substantially stationary, the second pattern and In a state where the substrate P is substantially stationary, the reduced image of the second pattern may be overlapped with the first pattern using the projection system and may be collectively exposed on the substrate P (stitch-type batch exposure apparatus). Further, the stitch type exposure apparatus can be applied to a step-and-stitch type exposure apparatus in which at least two patterns are partially transferred on the substrate P, and the substrate P is sequentially moved.

また、例えば対応米国特許第6611316号明細書に開示されているように、2つのマスクのパターンを、投影系を介して基板上で合成し、1回の走査露光によって基板上の1つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。また、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナーなどにも本発明を適用することができる。   Further, for example, as disclosed in the corresponding US Pat. No. 6,611,316, two mask patterns are synthesized on the substrate via a projection system, and one shot area on the substrate is obtained by one scanning exposure. The present invention can also be applied to an exposure apparatus that performs double exposure almost simultaneously. The present invention can also be applied to proximity type exposure apparatuses, mirror projection aligners, and the like.

また、本発明は、米国特許第6341007号明細書、米国特許第6208407号明細書、米国特許第6262796号明細書等に開示されているような複数の基板ステージを備えたマルチステージ型の露光装置にも適用できる。基板ステージは、3つ以上配置することができる。   The present invention also relates to a multistage exposure apparatus having a plurality of substrate stages as disclosed in US Pat. No. 6,341,007, US Pat. No. 6,208,407, US Pat. No. 6,262,796, and the like. It can also be applied to. Three or more substrate stages can be arranged.

露光装置EXの種類としては、基板Pに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子(CCD)、マイクロマシン、MEMS、DNAチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。   The type of the exposure apparatus EX is not limited to an exposure apparatus for manufacturing a semiconductor element that exposes a semiconductor element pattern on the substrate P, but an exposure apparatus for manufacturing a liquid crystal display element or a display, a thin film magnetic head, an image sensor (CCD). ), An exposure apparatus for manufacturing a micromachine, a MEMS, a DNA chip, a reticle, a mask, or the like.

また、上述の各実施形態では、露光ビームELとしてArFエキシマレーザ光を発生する光源装置として、ArFエキシマレーザを用いてもよいが、例えば、米国特許第7023610号明細書に開示されているように、DFB半導体レーザ又はファイバーレーザなどの固体レーザ光源、ファイバーアンプなどを有する光増幅部、及び波長変換部などを含み、波長193nmのパルス光を出力する高調波発生装置を用いてもよい。さらに、上記実施形態では、前述の各照明領域と、投影領域がそれぞれ矩形状であるものとしたが、他の形状、例えば円弧状などでもよい。   In each of the above-described embodiments, an ArF excimer laser may be used as a light source device that generates ArF excimer laser light as the exposure beam EL. For example, as disclosed in US Pat. No. 7,023,610. A harmonic generator that outputs pulsed light with a wavelength of 193 nm may be used, including a solid-state laser light source such as a DFB semiconductor laser or a fiber laser, an optical amplification unit having a fiber amplifier, a wavelength conversion unit, and the like. Furthermore, in the above-described embodiment, each illumination area and the projection area described above are rectangular, but other shapes such as an arc shape may be used.

なお、上述の各実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン(又は位相パターン・減光パターン)を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第6778257号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク(電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる)を用いてもよい。可変成形マスクは、例えば非発光型画像表示素子(空間光変調器)の一種であるDMD(Digital Micro-mirror Device)等を含む。また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。自発光型画像表示素子としては、例えば、CRT(Cathode Ray Tube)、無機ELディスプレイ、有機ELディスプレイ(OLED:Organic Light Emitting Diode)、LEDディスプレイ、LDディスプレイ、電界放出ディスプレイ(FED:Field Emission Display)、プラズマディスプレイ(PDP:Plasma Display Panel)等が挙げられる。   In each of the above-described embodiments, a light-transmitting mask in which a predetermined light-shielding pattern (or phase pattern / dimming pattern) is formed on a light-transmitting substrate is used. As disclosed in Japanese Patent No. 6778257, a variable shaped mask (also known as an electronic mask, an active mask, or an image generator) that forms a transmission pattern, a reflection pattern, or a light emission pattern based on electronic data of a pattern to be exposed. May be used). The variable shaping mask includes, for example, a DMD (Digital Micro-mirror Device) which is a kind of non-light emitting image display element (spatial light modulator). Further, a pattern forming apparatus including a self-luminous image display element may be provided instead of the variable molding mask including the non-luminous image display element. As a self-luminous type image display element, for example, CRT (Cathode Ray Tube), inorganic EL display, organic EL display (OLED: Organic Light Emitting Diode), LED display, LD display, field emission display (FED: Field Emission Display) And a plasma display panel (PDP).

上述の各実施形態においては、投影系PLを備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、投影系PLを用いない露光装置及び露光方法に本発明を適用することができる。このように投影系PLを用いない場合であっても、露光ビームはレンズ等の光学部材を介して基板に照射され、そのような光学部材と基板との間の所定空間に液浸空間が形成される。   In each of the embodiments described above, the exposure apparatus provided with the projection system PL has been described as an example. However, the present invention can be applied to an exposure apparatus and an exposure method that do not use the projection system PL. Even when the projection system PL is not used in this way, the exposure beam is irradiated onto the substrate via an optical member such as a lens, and an immersion space is formed in a predetermined space between the optical member and the substrate. Is done.

また、例えば国際公開第2001/035168号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板P上に形成することによって、基板P上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置(リソグラフィシステム)にも本発明を適用することができる。   Further, as disclosed in, for example, International Publication No. 2001/035168, an exposure apparatus (lithography system) that exposes a line and space pattern on the substrate P by forming interference fringes on the substrate P. The present invention can also be applied to.

以上のように、本実施形態の露光装置EXは、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。   As described above, the exposure apparatus EX of the present embodiment maintains various mechanical subsystems including the respective constituent elements recited in the claims of the present application so as to maintain predetermined mechanical accuracy, electrical accuracy, and optical accuracy. Manufactured by assembling. In order to ensure these various accuracies, before and after assembly, various optical systems are adjusted to achieve optical accuracy, various mechanical systems are adjusted to achieve mechanical accuracy, and various electrical systems are Adjustments are made to achieve electrical accuracy. The assembly process from the various subsystems to the exposure apparatus includes mechanical connection, electrical circuit wiring connection, pneumatic circuit piping connection and the like between the various subsystems. Needless to say, there is an assembly process for each subsystem before the assembly process from the various subsystems to the exposure apparatus. When the assembly process of the various subsystems to the exposure apparatus is completed, comprehensive adjustment is performed to ensure various accuracies as the entire exposure apparatus. The exposure apparatus is preferably manufactured in a clean room where the temperature, cleanliness, etc. are controlled.

半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図11に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ201、この設計ステップに基づいたマスク(レチクル)を製作するステップ202、デバイスの基材である基板を製造するステップ203、上述の実施形態に従って、マスクのパターンを用いて露光ビームで基板を露光すること、及び露光された基板を現像することを含む基板処理ステップ204、デバイス組み立てステップ(ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む)205、検査ステップ206等を経て製造される。   As shown in FIG. 11, a microdevice such as a semiconductor device includes a step 201 for designing a function / performance of the microdevice, a step 202 for manufacturing a mask (reticle) based on the design step, and a substrate as a substrate of the device. Manufacturing step 203, substrate processing step 204 including exposing the substrate with an exposure beam using a pattern of a mask and developing the exposed substrate according to the above-described embodiment, device assembly step (dicing process, (Including processing processes such as a bonding process and a packaging process) 205, an inspection step 206, and the like.

なお、上述の各実施形態の要件は、適宜組み合わせることができる。また、一部の構成要素を用いない場合もある。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。   Note that the requirements of the above-described embodiments can be combined as appropriate. Some components may not be used. In addition, as long as permitted by law, the disclosure of all published publications and US patents related to the exposure apparatus and the like cited in the above-described embodiments and modifications are incorporated herein by reference.

2…基板ステージ、2A〜2D…側面、2M…可動子、3…計測ステージ、3M…可動子、4…干渉計システム、5…液浸部材、7…制御装置、11…第1空間、20…駆動システム、25…終端光学素子、27…第3定盤、27G…ガイド面、31A〜31D…開口、32A〜32D…シャッタ装置、33…通気路、70…ヒートシンク、80…冷却ファン、C…計測器、EL…露光ビーム、EX…露光装置、LQ…液体、LS…液浸空間、P…基板、PL…投影系   DESCRIPTION OF SYMBOLS 2 ... Substrate stage, 2A-2D ... Side surface, 2M ... Movable element, 3 ... Measurement stage, 3M ... Movable element, 4 ... Interferometer system, 5 ... Liquid immersion member, 7 ... Control apparatus, 11 ... 1st space, 20 DESCRIPTION OF SYMBOLS ... Drive system, 25 ... Terminal optical element, 27 ... 3rd surface plate, 27G ... Guide surface, 31A-31D ... Opening, 32A-32D ... Shutter apparatus, 33 ... Air passage, 70 ... Heat sink, 80 ... Cooling fan, C ... Measuring instrument, EL ... Exposure beam, EX ... Exposure apparatus, LQ ... Liquid, LS ... Immersion space, P ... Substrate, PL ... Projection system

Claims (36)

所定方向に移動可能な移動部材と、
前記所定方向において、前記移動部材の前方の空間に面する、前記移動部材の第1側に形成され、気体を取り入れる取入口と、
前記移動部材の内部に形成され、前記取入口からの気体をガイドする通気路と、
前記移動部材に形成され、前記通気路にガイドされた気体が排出される第1排気口と、を備えるステージ装置。
A movable member movable in a predetermined direction;
In the predetermined direction, facing the space in front of the moving member, formed on the first side of the moving member, and an intake for taking in gas,
An air passage formed inside the moving member for guiding gas from the intake;
A stage device comprising: a first exhaust port that is formed in the moving member and from which the gas guided by the air passage is exhausted.
前記第1排気口は、前記所定方向において、前記移動部材の後方の空間に面する、前記移動部材の第2側に形成される請求項1記載のステージ装置。   The stage device according to claim 1, wherein the first exhaust port is formed on a second side of the moving member facing a space behind the moving member in the predetermined direction. 前記第1側及び前記第2側と異なる、前記移動部材の第3側に形成された第2排気口をさらに備え、
前記通気路は、前記取入口からの気体の少なくとも一部を前記第2排気口にガイド可能である請求項2記載のステージ装置。
A second exhaust port formed on a third side of the moving member, different from the first side and the second side;
The stage device according to claim 2, wherein the air passage is capable of guiding at least a part of the gas from the intake port to the second exhaust port.
前記移動部材は、前記所定方向において、前記移動部材の後方の空間に面する第2側と、前記第1側及び前記第2側と異なる第3側とを有し、
前記第1排気口は、前記第3側に形成される請求項1又は2記載のステージ装置。
The moving member has a second side facing a space behind the moving member in the predetermined direction, and a third side different from the first side and the second side,
The stage apparatus according to claim 1, wherein the first exhaust port is formed on the third side.
前記移動部材は、実質的に閉ざされた空間内で移動する請求項1〜4のいずれか一項記載のステージ装置。   The stage device according to any one of claims 1 to 4, wherein the moving member moves in a substantially closed space. 前記通気路は、前記空間内の圧力変動が抑制されるようにガイドする請求項5記載のステージ装置。   The stage device according to claim 5, wherein the air passage guides the pressure fluctuation in the space to be suppressed. 前記通気路に配置されたヒートシンクを備える請求項1〜6のいずれか一項記載のステージ装置。   The stage apparatus as described in any one of Claims 1-6 provided with the heat sink arrange | positioned at the said ventilation path. 前記ヒートシンクに配置された冷却ファンを備える請求項7記載のステージ装置。   The stage apparatus according to claim 7, further comprising a cooling fan disposed on the heat sink. 前記移動部材を移動するための平面モータをさらに備え、
前記平面モータの可動子が、前記移動部材に配置され、
前記可動子が、前記ヒートシンクを使って冷却される請求項7又は8記載のステージ装置。
A flat motor for moving the moving member;
A movable element of the planar motor is disposed on the moving member;
The stage apparatus according to claim 7 or 8, wherein the movable element is cooled using the heat sink.
前記第1排気口を閉めることができるシャッタ装置を備える請求項1〜9のいずれか一項記載のステージ装置。   The stage apparatus as described in any one of Claims 1-9 provided with the shutter apparatus which can close a said 1st exhaust port. 前記移動部材は、物体を保持するための保持部を有し、
前記通気路の少なくとも一部が、前記保持部の下方に設けられている請求項1記載のステージ装置。
The moving member has a holding part for holding an object,
The stage apparatus according to claim 1, wherein at least a part of the ventilation path is provided below the holding portion.
前記通気路の少なくとも一部は、前記移動部材のほぼ中央に形成される請求項1〜11のいずれか一項記載のステージ装置。   The stage device according to any one of claims 1 to 11, wherein at least a part of the air passage is formed substantially at the center of the moving member. 前記移動部材は、前記第1側に第1面を有し、
前記取入口は、前記第1面のほぼ中央に形成される請求項1〜12のいずれか一項記載のステージ装置。
The moving member has a first surface on the first side,
The stage apparatus according to any one of claims 1 to 12, wherein the intake port is formed substantially at the center of the first surface.
前記移動部材は、前記第2側に第2面を有し、
前記第1排気口は、前記第2面のほぼ中央に形成される請求項2又は3記載のステージ装置。
The moving member has a second surface on the second side,
The stage apparatus according to claim 2 or 3, wherein the first exhaust port is formed at a substantially center of the second surface.
ベース部材の所定面上を移動する移動部材と、
前記移動部材の少なくとも一部に配置されたヒートシンクと、
前記ヒートシンクに配置された冷却ファンと、を備えるステージ装置。
A moving member that moves on a predetermined surface of the base member;
A heat sink disposed on at least a portion of the moving member;
And a cooling fan disposed on the heat sink.
前記移動部材に形成され、気体を取り入れる取入口と、
前記移動部材の内部に形成され、前記取入口からの気体が流れる通気路と、を備え、
前記ヒートシンク及び冷却ファンは、前記通気路に配置される請求項15記載のステージ装置。
An inlet formed in the moving member for taking in gas;
An air passage formed inside the moving member and through which gas from the intake port flows,
The stage apparatus according to claim 15, wherein the heat sink and the cooling fan are disposed in the air passage.
前記移動部材に形成され、前記通気路を流れた気体が排出される排気口を備える請求項16記載のステージ装置。   The stage apparatus according to claim 16, further comprising an exhaust port that is formed in the moving member and exhausts the gas that has flowed through the ventilation path. 前記移動部材に配置された部材が、前記ヒートシンクと前記冷却ファンを使って冷却される請求項15〜17のいずれか一項記載のステージ装置。   The stage device according to any one of claims 15 to 17, wherein a member disposed on the moving member is cooled using the heat sink and the cooling fan. 前記移動部材を移動するための平面モータを備え、
前記移動部材に配置された部材は、前記平面モータの可動子を含む請求項18記載のステージ装置。
A planar motor for moving the moving member;
The stage device according to claim 18, wherein the member disposed on the moving member includes a mover of the planar motor.
前記移動部材は、物体を保持する保持部を有し、
前記ヒートシンクと前記冷却ファンは、前記保持部と前記可動子との間に配置される請求項19記載のステージ装置。
The moving member has a holding part for holding an object,
The stage apparatus according to claim 19, wherein the heat sink and the cooling fan are disposed between the holding unit and the movable element.
前記移動部材は、物体を保持する保持部を有し、
前記ヒートシンクと前記冷却ファンは、前記保持部の下方に配置される請求項15〜19のいずれか一項記載のステージ装置。
The moving member has a holding part for holding an object,
The stage device according to any one of claims 15 to 19, wherein the heat sink and the cooling fan are disposed below the holding portion.
露光ビームで基板を露光する露光装置であって、
請求項1〜21のいずれか一項記載のステージ装置を備えた露光装置。
An exposure apparatus that exposes a substrate with an exposure beam,
An exposure apparatus comprising the stage apparatus according to any one of claims 1 to 21.
投影系からの露光ビームで基板を露光する露光装置であって、
投影系の像面側の光路を含む、実質的に閉ざされた空間と、
前記空間内で移動可能な移動部材と、
前記移動部材の所定方向への移動するときの、前記移動部材の前方側の空間の及び、前記移動部材の後方側の空間の圧力変動を抑制する抑制装置と、を備える露光装置。
An exposure apparatus that exposes a substrate with an exposure beam from a projection system,
A substantially closed space containing the optical path on the image plane side of the projection system;
A movable member movable in the space;
An exposure apparatus comprising: a suppressing device that suppresses pressure fluctuations in a space on the front side of the moving member and in a space on the rear side of the moving member when the moving member moves in a predetermined direction.
前記抑制装置は、前記前方側の空間から気体を流出させる請求項23記載の露光装置。   24. The exposure apparatus according to claim 23, wherein the suppression device causes gas to flow out of the space on the front side. 前記抑制装置は、前記後方側の空間へ気体を流入させる請求項23又は24記載の露光装置。   The exposure apparatus according to claim 23 or 24, wherein the suppression device causes a gas to flow into the space on the rear side. 前記抑制装置は、前記移動部材の内部に形成された、前記前方側の空間の気体を前記後方側の空間へ流す通気路を含む請求項23〜25のいずれか一項記載の露光装置。   26. The exposure apparatus according to any one of claims 23 to 25, wherein the suppressing device includes an air passage formed inside the moving member and allowing a gas in the front space to flow to the space on the rear side. 前記移動部材は、物体を保持する保持部を有し、且つ前記投影系の下方で移動可能であり、
前記通気路の少なくとも一部は、前記保持部の下方に設けられている請求項26記載の露光装置。
The moving member has a holding unit for holding an object, and is movable below the projection system;
27. The exposure apparatus according to claim 26, wherein at least a part of the ventilation path is provided below the holding portion.
前記移動部材は、前記前方側の空間に面し、前記前方側の空間から気体を取り入れる取入口と、
前記所定方向において、前記移動部材の後方の空間に面し、前記取入口から取り入れられた気体が排出される排気口と、をさらに備え、
前記通気路は、前記取入口から取り入れられた気体を前記第1排気口へガイドする請求項27記載の露光装置。
The moving member faces the space on the front side, and an intake port for taking in gas from the space on the front side,
An exhaust port that faces the space behind the moving member in the predetermined direction and exhausts the gas taken in from the intake port; and
28. The exposure apparatus according to claim 27, wherein the air passage guides the gas taken in from the intake port to the first exhaust port.
前記排気口を閉めることができるシャッタ装置を備える請求項28記載の露光装置。   The exposure apparatus according to claim 28, further comprising a shutter device capable of closing the exhaust port. 前記通気路に配置されたヒートシンクを備える請求項26〜29のいずれか一項記載の露光装置。   The exposure apparatus according to any one of claims 26 to 29, further comprising a heat sink disposed in the air passage. 前記ヒートシンクに配置された冷却ファンを備える請求項30記載の露光装置。   31. The exposure apparatus according to claim 30, further comprising a cooling fan disposed on the heat sink. 前記移動部材を移動するための平面モータをさらに備え、
前記平面モータの可動子が、前記移動部材に配置され、
前記可動子が、前記ヒートシンクを使って冷却される請求項30又は31記載の露光装置。
A flat motor for moving the moving member;
A movable element of the planar motor is disposed on the moving member;
32. The exposure apparatus according to claim 30, wherein the movable element is cooled using the heat sink.
前記移動部材は、前記露光ビームの照射位置に移動可能である請求項22〜32のいずれか一項記載の露光装置。   The exposure apparatus according to any one of claims 22 to 32, wherein the moving member is movable to an irradiation position of the exposure beam. 前記移動部材は、前記基板を保持する請求項22〜33のいずれか一項記載の露光装置。   34. The exposure apparatus according to any one of claims 22 to 33, wherein the moving member holds the substrate. 前記移動部材は、前記露光ビームを計測する計測器を搭載する請求項22〜34のいずれか一項記載の露光装置。   The exposure apparatus according to any one of claims 22 to 34, wherein the moving member is equipped with a measuring instrument that measures the exposure beam. 請求項22〜35のいずれか一項記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
Exposing the substrate using the exposure apparatus according to any one of claims 22 to 35;
Developing the exposed substrate; and a device manufacturing method.
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