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JP2010021199A - Substrate processing apparatus, holding member and substrate processing method - Google Patents

Substrate processing apparatus, holding member and substrate processing method Download PDF

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JP2010021199A JP2008178069A JP2008178069A JP2010021199A JP 2010021199 A JP2010021199 A JP 2010021199A JP 2008178069 A JP2008178069 A JP 2008178069A JP 2008178069 A JP2008178069 A JP 2008178069A JP 2010021199 A JP2010021199 A JP 2010021199A
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent a processing liquid supplied to a substrate to be processed from flowing into the lower surface of a turntable, thereby rotating the substrate to be processed at a low speed and processing it. <P>SOLUTION: Substrate processing apparatuses 10a, 10b process substrates to be processed. The substrate processing apparatuses 10a, 10b are each provided with: a turntable freely rotatably provided; a holding member 50 shakably provided on the turntable and holding a substrate to be processed when one end is shaking upward; a rotation driving mechanism 60 for rotating the turntable when the holding member 50 holds a substrate to be processed; and a sealing member disposed between the turntable and the holding member 50. The sealing member seals between the turntable and the holding member 50 when the one end of the holding member is shaking upward. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、被処理基板を回転させながら、この被処理基板に対して所定の処理を施す基板処理装置および基板処理方法、並びに、このような基板処理装置に用いられる保持部材に関するものである。   The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for performing a predetermined process on a substrate to be processed while rotating the substrate to be processed, and a holding member used in such a substrate processing apparatus.

従来から、図7に示すように、回転台30の回転によって被処理基板である半導体ウエハW(以下、ウエハWとも呼ぶ)を回転させながら、このウエハWに対して所定の処理を施す回転処理装置(基板処理装置)が知られている。このような回転処理装置(基板処理装置)としては、回転駆動源によって回転される回転台30と、この回転台30と共に回転し、かつ回転台30の上方でウエハWの周縁部Wを保持自在な保持部材50と、回転台30の下方に配置され、駆動機構によって上下方向に駆動される加圧部材と、を備え、保持部材50が、揺動軸50aを中心として回転台30に対して揺動自在であり、保持部材50の一端部には保持部51が設けられ、他端部には被加圧部52が設けられ、保持部材50の保持部51を回転台30中心側に付勢する弾性部材56が回転台30に設けられ、被加圧部52が加圧部材によって弾性部材56の付勢方向とは逆の方向に加圧されうるように構成されている回転処理装置(基板処理装置)が知られている(特許文献1参照)。
特開平10−209254号
Conventionally, as shown in FIG. 7, while rotating a semiconductor wafer W (hereinafter also referred to as a wafer W), which is a substrate to be processed, by rotating the turntable 30, a rotation process for performing a predetermined process on the wafer W is performed. An apparatus (substrate processing apparatus) is known. Such rotary apparatus (substrate processing apparatus), and retention turntable 30 which is rotated by the rotation driving source, the rotating together with the turntable 30, and the peripheral edge portion W E of the wafer W above the turntable 30 The holding member 50 includes a free holding member 50 and a pressurizing member that is disposed below the turntable 30 and is driven in the vertical direction by a drive mechanism. The holding member 50 is located with respect to the turntable 30 about the swing shaft 50a. The holding member 50 is provided with a holding portion 51 at one end thereof, and a pressed portion 52 is provided at the other end thereof, and the holding portion 51 of the holding member 50 is placed at the center of the turntable 30. The rotation processing device is configured such that an elastic member 56 to be urged is provided on the turntable 30 and the pressurized portion 52 can be pressed in a direction opposite to the urging direction of the elastic member 56 by the pressure member. (Substrate processing apparatus) is known (Patent Document 1). reference).
JP-A-10-209254

しかしながら、従来の基板処理装置では、回転台30の回転遠度を遅くして、ウエハWの周縁部Wから、ウエハW上の処理液を振り切るだけの遠心力が発生しない場合、回転台30と保持部材50と間の間隙Sに生じる毛細管現象により、間隙Sから保持部材50を伝って処理液が回転台30の下面に流れ込むことがある。 However, in the conventional substrate processing apparatus, when using a slower rotational far of the turntable 30, the peripheral edge portion W E of the wafer W, the centrifugal force of only shaken off the processing liquid on the wafer W is not generated, the turntable 30 Due to the capillary phenomenon that occurs in the gap S between the holding member 50 and the holding member 50, the processing liquid may flow from the gap S to the lower surface of the turntable 30 through the holding member 50.

そして、このように処理液が回転台30の下面に流れ込むと、保持部材50や回転台30の下方部分が汚れてしまい、異なる処理液を速続して用いた処理を行った場合には、各処理液が混ざり合って処理液が結晶化してしまい、基板処理装置内が汚れてしまう。   Then, when the processing liquid flows into the lower surface of the turntable 30 in this way, the holding member 50 and the lower part of the turntable 30 become dirty, and when processing using different processing liquids is performed quickly, The processing liquids are mixed and the processing liquid is crystallized, and the inside of the substrate processing apparatus becomes dirty.

このため、従来の基板処理装置ではウエハWを高速(例えば、1000rpm程)で回転させなければならないが、このようにウエハWを高速で回転させることによって、例えば、以下に示すような不利益が発生してしまう。まず、基板処理装置内の気流が乱れてしまう。また、ウエハWに付着した処理液が基板処理装置内で飛散し、基板処理装置内が汚れてしまう。さらに、ウエハWの周縁部Wでの熱交換が大きくなるので、ウエハWの中心部と周縁部Wとでエッチングレートを不均一になってしまい、ウエハWを精度良く処理することができない。 For this reason, in the conventional substrate processing apparatus, the wafer W has to be rotated at a high speed (for example, about 1000 rpm). However, by rotating the wafer W at such a high speed, for example, there are the following disadvantages: Will occur. First, the airflow in the substrate processing apparatus is disturbed. Further, the processing liquid adhering to the wafer W is scattered in the substrate processing apparatus, and the inside of the substrate processing apparatus becomes dirty. Further, since the heat exchange at the periphery W E of the wafer W is increased, the central portion of the wafer W and the peripheral portion W E becomes the etching rate nonuniform, it is impossible to precisely process the wafer W .

本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、被処理基板に供給された処理液が、回転台の下面に流れ込むことを防止することができ、ひいては、低速で被処理基板を回転させて処理することができる基板処理装置および基板処理方法、並びに、このような基板処理装置に用いられる保持部材を提供することを目的とする。   The present invention has been made in consideration of such points, and the processing liquid supplied to the substrate to be processed can be prevented from flowing into the lower surface of the turntable, and thus the substrate to be processed at a low speed. An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of processing by rotating the substrate, and a holding member used in such a substrate processing apparatus.

本発明による基板処理装置は、
被処理基板を処理する基板処理装置において、
回転自在に設けられた回転台と、
前記回転台に揺動自在に設けられ、一端が上方側に揺動しているときに前記被処理基板を保持する保持部材と、
前記保持部材が前記被処理基板を保持しているときに、前記回転台を回転させる回転駆動機構と、
前記回転台と前記保持部材との間に配置されたシール部材と、を備え、
前記シール部材が、前記保持部材の一端が上方側に揺動しているときに、前記回転台と前記保持部材との間を密封する。
A substrate processing apparatus according to the present invention comprises:
In a substrate processing apparatus for processing a substrate to be processed,
A turntable provided rotatably,
A holding member that is swingably provided on the turntable and holds the substrate to be processed when one end is swung upward;
A rotation drive mechanism for rotating the turntable when the holding member holds the substrate to be processed;
A seal member disposed between the turntable and the holding member,
The seal member seals between the rotary base and the holding member when one end of the holding member swings upward.

このような構成により、被処理基板に供給された処理液が、回転台の下面に流れ込むことを防止することができ、ひいては、低速で被処理基板を回転させて処理することができる。   With such a configuration, the processing liquid supplied to the substrate to be processed can be prevented from flowing into the lower surface of the turntable, and thus the substrate to be processed can be rotated and processed at a low speed.

本発明による基板処理装置において、
前記回転台に、前記保持部材の一端が上方側に揺動しているときに、該保持部材が通過する開口が設けられ、
前記シール部材が、前記開口の周縁外方を囲んで配置されていることが好ましい。
In the substrate processing apparatus according to the present invention,
The rotating table is provided with an opening through which the holding member passes when one end of the holding member is swung upward.
It is preferable that the seal member is disposed so as to surround the outer periphery of the opening.

このような構成により、処理液が、回転台の下面に流れ込むことを、容易かつ確実に防止することができる。   With such a configuration, the processing liquid can be easily and reliably prevented from flowing into the lower surface of the turntable.

本発明による基板処理装置において、
前記シール部材は、前記回転台の下面に設けられていることが好ましい。
In the substrate processing apparatus according to the present invention,
The seal member is preferably provided on the lower surface of the turntable.

本発明による基板処理装置において、
前記シール部材は、前記保持部材の一端側に設けられていることが好ましい。
In the substrate processing apparatus according to the present invention,
The seal member is preferably provided on one end side of the holding member.

本発明による基板処理装置において、
前記保持部材によって保持された前記被処理基板の裏面に処理液を供給する裏面側処理液供給部をさらに備えたことが好ましい。
In the substrate processing apparatus according to the present invention,
It is preferable that the apparatus further includes a back side processing liquid supply unit that supplies a processing liquid to the back surface of the substrate to be processed held by the holding member.

このような構成により、被処理基板の裏面に処理液が供給されることとなるが、被処理基板の裏面に供給された処理液は、回転台の下面に流れ込むことはない。   With such a configuration, the processing liquid is supplied to the back surface of the substrate to be processed, but the processing liquid supplied to the back surface of the substrate to be processed does not flow into the bottom surface of the turntable.

本発明による基板処理装置において、
前記シール部材は、O−リングからなることが好ましい。
In the substrate processing apparatus according to the present invention,
The seal member is preferably made of an O-ring.

本発明による保持部材は、
回転自在に設けられた回転台に、揺動自在に設けられた保持部材であって、
前記回転台との間に設けられたシール部材を有し、
一端が上方側に揺動しているときに被処理基板を保持するとともに、前記シール部材によって、前記回転台との間を密封する。
The holding member according to the present invention is:
It is a holding member that is swingably provided on a turntable that is rotatably provided,
A seal member provided between the rotary table and
The substrate to be processed is held when one end is swung upward, and the space between the rotary table is sealed by the seal member.

このような構成により、処理液が、回転台の下面に流れ込むことを防止することができる。   With such a configuration, the processing liquid can be prevented from flowing into the lower surface of the turntable.

本発明による基板処理方法は、
被処理基板を処理する基板処理方法において、
回転台と、該回転台に揺動自在に設けられた保持部材と、前記回転台と前記保持部材との間に配置されたシール部材と、を有する基板処理装置を用いた基板処理方法であって、
前記保持部材の一端が上方側に揺動し、前記被処理基板を保持する保持工程と、
前記保持部材が前記被処理基板を保持しているときに、前記回転台を回転させる回転工程と、を備え、
前記保持工程において、前記シール部材によって、前記回転台と前記保持部材との間が密封され、
前記回転工程が、100rpm以下の速度で前記回転台を回転させる。
The substrate processing method according to the present invention comprises:
In a substrate processing method for processing a substrate to be processed,
A substrate processing method using a substrate processing apparatus comprising: a turntable; a holding member swingably provided on the turntable; and a seal member disposed between the turntable and the holding member. And
A holding step in which one end of the holding member swings upward to hold the substrate to be processed;
A rotation step of rotating the turntable when the holding member holds the substrate to be processed, and
In the holding step, the seal member seals between the turntable and the holding member,
The rotation process rotates the turntable at a speed of 100 rpm or less.

このような方法により、被処理基板に供給された処理液が回転台の下面に流れ込むことを防止することができ、かつ、低速で被処理基板を回転させて処理することができる。   By such a method, it is possible to prevent the processing liquid supplied to the substrate to be processed from flowing into the lower surface of the turntable, and to perform processing by rotating the substrate to be processed at a low speed.

本発明によれば、シール部材が、保持部材の一端が上方側に揺動しているときに、回転台と保持部材との間を密封するので、被処理基板に供給された処理液が、回転台の下面に流れ込むことを防止することができる。さらに、このように、処理液が回転台の下面に流れ込むことを防止することができるので、低速で被処理基板を回転させて処理することができる。   According to the present invention, since the seal member seals between the turntable and the holding member when one end of the holding member swings upward, the processing liquid supplied to the substrate to be processed is It can prevent flowing into the lower surface of the turntable. Furthermore, since the processing liquid can be prevented from flowing into the lower surface of the turntable in this manner, the substrate to be processed can be rotated and processed at a low speed.

発明の実施の形態BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION

実施の形態
以下、本発明に係る、被処理基板である半導体ウエハW(以下、ウエハWとも言う)を洗浄する基板処理装置を有する洗浄処理システムの実施の形態について、図面を参照して説明する。ここで、図1乃至図5は本発明の実施の形態を示す図である。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of a cleaning processing system having a substrate processing apparatus for cleaning a semiconductor wafer W (hereinafter also referred to as a wafer W), which is a substrate to be processed, according to the present invention will be described with reference to the drawings. . Here, FIG. 1 to FIG. 5 are diagrams showing an embodiment of the present invention.

図1に示すように、洗浄処理システムは、ウエハWを洗浄するとともに、洗浄した後のウエハWを熱的に処理する洗浄処理部2と、この洗浄処理部2内にウエハWを搬入したり、洗浄処理部2内からウエハWを搬出したりする搬入出部3とから構成されている。なお、図1は、本実施の形態による洗浄処理システムを上方から見た平面図である。   As shown in FIG. 1, the cleaning processing system cleans a wafer W and thermally processes the cleaned wafer W, and carries the wafer W into the cleaning processing unit 2. , And a loading / unloading section 3 for unloading the wafer W from the cleaning processing section 2. FIG. 1 is a plan view of the cleaning system according to this embodiment as viewed from above.

図1に示すように、搬入出部3は、ウエハWを載置するためのイン・アウトポート4と、このイン・アウトポート4から洗浄処理部2にウエハWを受け渡したり、洗浄処理部2からイン・アウトポート4にウエハWを受け渡したりするウエハ搬送部5とから構成されている。   As shown in FIG. 1, the loading / unloading unit 3 transfers the wafer W to the cleaning processing unit 2 from the in / out port 4 on which the wafer W is placed, and the cleaning processing unit 2. And a wafer transfer unit 5 that delivers the wafer W to the in / out port 4.

このうち、イン・アウトポート4は、図1に示すように、複数枚のウエハWを所定の間隔で略水平に収容するキャリア(容器)Cと、このキャリアを載置するための載置台6と、を有している。この載置台6上には、複数(図1では3個)のキャリアCを水平面に並べて所定位置に載置することができるようになっている。   Among these, the in / out port 4 includes a carrier (container) C that accommodates a plurality of wafers W substantially horizontally at a predetermined interval, and a mounting table 6 for mounting the carrier, as shown in FIG. And have. On the mounting table 6, a plurality (three in FIG. 1) of carriers C can be placed on a horizontal plane and placed at predetermined positions.

また、図1に示すように、ウエハ搬送部5は、載置台6に載置されたキャリアCと洗浄処理部2との間でウエハWの受け渡しを行うウエハ搬送装置7を有している。このウエハ搬送装置7は、載置台6に載置された全てのキャリアCにアクセスし、また、洗浄処理部2に配設されたウエハ受け渡しユニット8(後述)にアクセスして、イン・アウトポート4側から洗浄処理部2側へ、逆に、洗浄処理部2側からイン・アウトポート4側へ、ウエハWを搬送するように構成されている。   As shown in FIG. 1, the wafer transfer unit 5 includes a wafer transfer device 7 that transfers the wafer W between the carrier C mounted on the mounting table 6 and the cleaning processing unit 2. The wafer transfer device 7 accesses all the carriers C placed on the placing table 6, and also accesses a wafer transfer unit 8 (described later) disposed in the cleaning processing unit 2, so that an in / out port is provided. The wafer W is transferred from the 4 side to the cleaning processing unit 2 side, and conversely from the cleaning processing unit 2 side to the in / out port 4 side.

また、図1に示すように、洗浄処理部2は、ウエハWを搬送する主ウエハ搬送装置15と、ウエハWを一時的に載置するウエハ受け渡しユニット8と、ウエハWを洗浄する基板処理装置10a,10bと、この基板処理装置10a,10bで洗浄された後のウエハWを加熱した後、冷却する加熱・冷却部12と、を有している。なお、加熱・冷却部12は、ウエハWを加熱処理する加熱ユニット(図示せず)と、この加熱ユニットで加熱されたウエハWを冷却する冷却ユニット(図示せず)とからなっている。また、主ウエハ搬送装置15は、ウエハ受け渡しユニット8、基板処理装置10a,10b、および、加熱・冷却部12の全てにアクセス可能となっている。   As shown in FIG. 1, the cleaning processing unit 2 includes a main wafer transfer device 15 that transfers the wafer W, a wafer transfer unit 8 that temporarily places the wafer W, and a substrate processing apparatus that cleans the wafer W. 10a and 10b, and a heating / cooling unit 12 that heats and cools the wafer W after being cleaned by the substrate processing apparatuses 10a and 10b. The heating / cooling unit 12 includes a heating unit (not shown) that heats the wafer W and a cooling unit (not shown) that cools the wafer W heated by the heating unit. The main wafer transfer device 15 is accessible to all of the wafer transfer unit 8, the substrate processing apparatuses 10a and 10b, and the heating / cooling unit 12.

また、基板処理装置10a,10bは、図2に示すように、筐体21と、筐体21内に配置され、上面が開口した略円筒形状のカップ22と、カップ22の内方に回転自在に設けられた回転テーブル(回転台)30と、この回転テーブル30の中心部から下方に向かって鉛直方向に延在し、中空構造からなる(中空部31aを有する)円筒状の回転軸31(図3参照)と、を備えている。   Further, as shown in FIG. 2, the substrate processing apparatuses 10 a and 10 b are rotatable inside the casing 21, a substantially cylindrical cup 22 disposed in the casing 21 and having an upper surface opened, and the cup 22. A rotary table (rotary table) 30 provided in the cylinder, and a cylindrical rotary shaft 31 (having a hollow portion 31a) that extends vertically downward from the center of the rotary table 30 and has a hollow structure (having a hollow portion 31a). 3).

また、図5(b)に示すように、回転テーブル30から下方に突出した突出部33には、揺動軸50aを中心として揺動自在に保持部材50が設けられている。そして、この保持部材50は、外方側の一端に設けられて上方側に突出し、上方側に揺動しているときに(図5(b)の実線参照)ウエハWの周縁部Wを保持する保持部51と、内方側の他端に設けられて下方側に突出した被加圧部52と、これら保持部51と被加圧部52との間で延在した保持本体50bとを有している。なお、本実施の形態では、3つの保持部材50が、回転テーブル30の回転方向に沿って配置されている(図4参照)。 Further, as shown in FIG. 5B, a holding member 50 is provided on the protrusion 33 protruding downward from the rotary table 30 so as to be swingable about the swing shaft 50a. Then, the holding member 50 protrudes provided at one end of the outer side on the upper side, a peripheral edge portion W E of the wafer W (see the solid line in FIG. 5 (b)) when it is swung upward A holding part 51 to hold, a pressurized part 52 provided at the other end on the inner side and projecting downward, and a holding body 50b extending between the holding part 51 and the pressurized part 52; have. In the present embodiment, the three holding members 50 are arranged along the rotation direction of the turntable 30 (see FIG. 4).

また、図5(b)に示すように、保持部材50は、揺動軸50aと被加圧部52との間に、凹形状の係止部53を有している。そして、この係止部53と回転テーブル30の下面の所定位置との間には、保持部材50の他端側、すなわち被加圧部52側、を下方に押し下げるような弾性力を与えるバネなどの弾性部材56が配設されている。このため、常態において、保持部材50の一端部側、すなわち保持部51側、が上方側へ付勢されている。   Further, as shown in FIG. 5B, the holding member 50 has a concave locking portion 53 between the swing shaft 50 a and the pressed portion 52. And between this latching | locking part 53 and the predetermined position of the lower surface of the turntable 30, the spring etc. which give the elastic force which pushes down the other end side of the holding member 50, ie, the to-be-pressurized part 52 side, etc. The elastic member 56 is disposed. For this reason, in the normal state, one end portion side of the holding member 50, that is, the holding portion 51 side is urged upward.

なお、図5(b)に示すように、揺動軸50aは、保持本体50b上であって、保持部51と係止部53との間に設けられている(本実施の形態では、揺動軸50aと係止部53との間の距離と、揺動軸50aと保持部51との間の距離との比率は、2:1程度になっている)。   As shown in FIG. 5B, the swing shaft 50a is provided on the holding main body 50b and between the holding portion 51 and the locking portion 53 (in this embodiment, the swinging shaft 50a is The ratio of the distance between the moving shaft 50a and the locking portion 53 and the distance between the swing shaft 50a and the holding portion 51 is about 2: 1).

また、カップ22内であって、各保持部材50の被加圧部52の下方側には、この被加圧部52を下方側から加圧することによって被加圧部52を上方側に移動させ、保持部材50を揺動軸50aを中心として揺動させる加圧機構(図示せず)が配置されている。なお、この加圧機構は、被加圧部52と当接可能な当接部材と、この当接部材を上下方向に移動させる上下方向駆動機構と、を有している。   Further, in the cup 22, on the lower side of the pressed part 52 of each holding member 50, the pressurized part 52 is moved upward by pressing the pressurized part 52 from the lower side. A pressurizing mechanism (not shown) for swinging the holding member 50 about the swing shaft 50a is disposed. The pressurizing mechanism includes a contact member that can come into contact with the pressurized portion 52, and a vertical drive mechanism that moves the contact member in the vertical direction.

また、図3に示すように、回転テーブル30の中心部には、回転軸31の中空部31aに連通された円形の孔30aが形成されている。また、回転軸31の中空部31a内には、当該中空部31a内で上下方向に移動可能な昇降部材35が配置されている。また、この昇降部材35の上面には、受け渡し位置(上方位置)においてウエハWを指示する支持ピン35aが設けられている。   As shown in FIG. 3, a circular hole 30 a communicating with the hollow portion 31 a of the rotating shaft 31 is formed at the center of the rotary table 30. Further, in the hollow portion 31a of the rotating shaft 31, a lifting member 35 that is movable in the vertical direction within the hollow portion 31a is disposed. Further, on the upper surface of the elevating member 35, support pins 35a for instructing the wafer W at the delivery position (upper position) are provided.

また、図3に示すように、昇降部材35には、処理液供給部(図示せず)から裏面側供給路36aを経て供給された処理液を、保持部材50によって保持されたウエハWの裏面に供給する裏面側液供給口36が設けられている。また、中空部31aからは、不活性ガス供給部(図示せず)から供給される不活性ガス(例えば窒素ガス)が吐出されように構成されている。なお、裏面側液供給口36と、裏面側供給路36aと、処理液供給部とによって、裏面側処理液供給部が構成されている。   Further, as shown in FIG. 3, the back surface of the wafer W held by the holding member 50 is supplied to the elevating member 35 from the processing liquid supply unit (not shown) through the back surface side supply path 36 a. A back surface side liquid supply port 36 for supplying to is provided. In addition, an inert gas (for example, nitrogen gas) supplied from an inert gas supply unit (not shown) is discharged from the hollow portion 31a. In addition, the back surface side process liquid supply part is comprised by the back surface side liquid supply port 36, the back surface side supply path 36a, and the process liquid supply part.

また、図2に示すように、回転テーブル30の上方には、保持部材50によって保持されたウエハWの表面に、処理液供給部(図示せず)から供給された処理液を供給する表面側液表面側液供給ノズル40が設けられている。この表面側液表面側液供給ノズル40は、ウエハWの中心部Wから周縁部Wにかけて、移動することができる。 Further, as shown in FIG. 2, above the turntable 30, the surface side that supplies the processing liquid supplied from the processing liquid supply unit (not shown) to the surface of the wafer W held by the holding member 50. A liquid surface side liquid supply nozzle 40 is provided. The surface side liquid surface liquid supply nozzle 40, from the center W C of the wafer W over the periphery W E, can be moved.

また、図4および図5(a)(b)に示すように、回転テーブル30には、保持部材50の一端(保持部51)が上方側に揺動しているときに、保持部材50が通過する開口30pが設けられている。そして、保持部材50の一端が上方側に揺動しているときには、保持部51が回転テーブル30の上方側に突出し、当該保持部51によって保持されたウエハWは、回転テーブル30から浮いた状態で保持されることとなる(図5(b)参照)。   As shown in FIGS. 4 and 5A and 5B, the rotary table 30 has a holding member 50 when the one end (holding portion 51) of the holding member 50 is swung upward. An opening 30p is provided. When one end of the holding member 50 swings upward, the holding unit 51 protrudes above the rotary table 30, and the wafer W held by the holding unit 51 floats from the rotary table 30. (See FIG. 5B).

また、図4および図5(a)(b)に示すように、回転テーブル30の下面には、開口30pの周縁外方を囲むようにしてO−リング(シール部材)55が設けられている。そして、保持部材50の一端が上方側に揺動しているときには、このO−リング55によって、回転テーブル30と保持部材50との間が密封されることとなる。   4 and 5A and 5B, an O-ring (seal member) 55 is provided on the lower surface of the turntable 30 so as to surround the outer periphery of the opening 30p. When one end of the holding member 50 swings upward, the O-ring 55 seals between the rotary table 30 and the holding member 50.

なお、本実施の形態では、回転テーブル30の下面にO−リング55が設けられている態様を用いて説明するが、これに限られることなく、保持部材50の一端側に、O−リング55などのシール部材が設けられてもよい(図6参照)。   In the present embodiment, a description will be given using a mode in which the O-ring 55 is provided on the lower surface of the turntable 30, but the present invention is not limited to this, and the O-ring 55 is provided on one end side of the holding member 50. Etc. may be provided (see FIG. 6).

また、図2に示すように、回転軸31には、この回転軸31を回転させることによって回転テーブル30を回転させるモータMを有する回転駆動機構60が連結されている。   As shown in FIG. 2, the rotary shaft 31 is connected to a rotary drive mechanism 60 having a motor M that rotates the rotary table 30 by rotating the rotary shaft 31.

次に、このような構成からなる本実施の形態の作用効果について述べる。   Next, the function and effect of the present embodiment having such a configuration will be described.

まず、ウエハ搬送装置7によって、キャリアCから取り出されたウエハWが、いったんウエハ受け渡しユニット8に載置される(図1参照)。   First, the wafer W taken out from the carrier C is temporarily placed on the wafer delivery unit 8 by the wafer transfer device 7 (see FIG. 1).

次に、主ウエハ搬送装置15によって、ウエハ受け渡しユニット8に載置されたウエハWが、出入口(図示せず)から筐体21内に搬入される(図2参照)。このとき、昇降部材35は、受け渡し位置(上方位置)に位置づけられており、この昇降部材35の支持ピン35a上にウエハWが受け渡される。その後、主ウエハ搬送装置15は筐体21内から退避する。   Next, the wafer W placed on the wafer delivery unit 8 is carried into the housing 21 from the entrance (not shown) by the main wafer transfer device 15 (see FIG. 2). At this time, the elevating member 35 is positioned at the delivery position (upper position), and the wafer W is delivered onto the support pins 35 a of the elevating member 35. Thereafter, the main wafer transfer device 15 is retracted from the housing 21.

次に、昇降部材35が下降すると同時に、加圧機構(図示せず)の加圧部材(図示せず)が下降する。このように加圧部材が下降することによって、加圧部材による被加圧部52への加圧が解除され、保持部材50の保持部51が弾性部材56から与えられる付勢力によって揺動軸50aを中心に上方側へ(図5(b)の点線から実線へ)揺動される。そして、図5(b)において実線で示されたように、保持部51によって、ウエハWの周縁部Wが保持される(保持工程)。 Next, at the same time when the elevating member 35 is lowered, the pressure member (not shown) of the pressure mechanism (not shown) is lowered. When the pressure member is lowered in this way, the pressure applied to the pressurized portion 52 by the pressure member is released, and the holding portion 51 of the holding member 50 is oscillated by the urging force applied from the elastic member 56. Is pivoted upward (from the dotted line to the solid line in FIG. 5B). Then, as indicated by the solid line in FIG. 5 (b), the holding portion 51, the peripheral edge portion W E of the wafer W is held (holding step).

このとき、回転テ一ブル30の下面に設けられたO−リング55が、保持部材50の一端から加わる押圧力(弾性部材56の付勢力)によって押圧され、回転テーブル30と保持部材50との間が密封される。   At this time, the O-ring 55 provided on the lower surface of the rotary table 30 is pressed by the pressing force applied from one end of the holding member 50 (the urging force of the elastic member 56). The space is sealed.

ここで、本実施の形態では、保持部材50のうちO−リング55と当接する部分と、揺動軸50aとの間が、ある程度離されているので(揺動軸50aと係止部53との間の距離と、揺動軸50aと保持部51との間の距離との比率が、2:1程度になっているので)、てこの原理における作用点と支点との距離を離すことができる。このため、保持部材50のうちO−リング55と当接する部分に、弾性部材56の付勢力に起因する強い力を加えることができる。なお従来では、図7に示すように、揺動軸50aが保持部51の下方に位置しており、保持部51と揺動軸50aとの間の距離が近接しているので、本実施の形態のように強い付勢力を保持部51に与えることができない。   Here, in the present embodiment, the portion of the holding member 50 that contacts the O-ring 55 and the swing shaft 50a are separated to some extent (the swing shaft 50a and the locking portion 53). The ratio between the distance between the swinging shaft 50a and the distance between the holding portion 51 is about 2: 1), so that the distance between the action point and the fulcrum in the lever principle can be separated. it can. For this reason, a strong force resulting from the biasing force of the elastic member 56 can be applied to the portion of the holding member 50 that contacts the O-ring 55. In the prior art, as shown in FIG. 7, the swing shaft 50a is positioned below the holding portion 51, and the distance between the holding portion 51 and the swing shaft 50a is close, so this embodiment A strong biasing force cannot be applied to the holding portion 51 as in the form.

上述のようにして、保持部51によってウエハWの周縁部Wが保持されると、回転駆動機構60のモータMによって、回転軸31が回転駆動される(図2参照)。そして、これに伴って、回転テーブル30が回転駆動されて、保持部材50によって保持されているウエハWも回転される(回転工程)。以下の工程は、このようにウエハWが回転されている間に行われる。 As described above, when the peripheral edge portion W E of the wafer W is held by the holding unit 51, by the motor M of the rotation drive mechanism 60, the rotation shaft 31 is rotated (see Figure 2). Along with this, the rotary table 30 is driven to rotate, and the wafer W held by the holding member 50 is also rotated (rotating step). The following steps are performed while the wafer W is rotated in this way.

次に、表面側液供給ノズル40から、ウエハWの表面に対して薬液、リンス液、乾燥液などからなる処理液が供給され、ウエハWの表面が所定の洗浄処理に付される。そして、このようにウエハWの表面に向かって供給された処理液は、ウエハWの表面を、ウエハWの周縁部Wに向かって流れる。なお、ウエハWを乾燥させる乾燥工程で供給される乾燥液は、IPA(イソプロピルアルコール)などの疎水性の液体からなっている。 Next, a processing liquid composed of a chemical liquid, a rinsing liquid, a drying liquid, and the like is supplied from the surface side liquid supply nozzle 40 to the surface of the wafer W, and the surface of the wafer W is subjected to a predetermined cleaning process. The thus treated liquid supplied toward the surface of the wafer W, the surface of the wafer W, flow toward the periphery W E of the wafer W. The drying liquid supplied in the drying process for drying the wafer W is made of a hydrophobic liquid such as IPA (isopropyl alcohol).

また、上述のように、表面側液供給ノズル40から処理液が供給されるときには、回転軸31内の昇降部材35に形成されている裏面側液供給口36から、ウエハWの裏面に向かって処理液が供給される。そして、このようにウエハWの裏面に向かって供給された処理液は、ウエハWの裏面と回転テーブル30との間を、ウエハWの周縁部Wに向かって流れる。なお、ウエハWを乾燥させる乾燥工程では、裏面側液供給口36から処理液は供給されず、中空部31aから、不活性ガス供給部(図示せず)から供給された不活性ガス(例えば窒素ガス)が吐出される。 Further, as described above, when the processing liquid is supplied from the front surface side liquid supply nozzle 40, the back surface side liquid supply port 36 formed in the elevating member 35 in the rotating shaft 31 is directed toward the back surface of the wafer W. Treatment liquid is supplied. The thus treated liquid supplied toward the rear surface of the wafer W is between the rear surface of the wafer W and the rotary table 30, it flows towards the periphery W E of the wafer W. In the drying process of drying the wafer W, the processing liquid is not supplied from the back surface side liquid supply port 36, and an inert gas (for example, nitrogen) supplied from an inert gas supply part (not shown) from the hollow part 31a. Gas) is discharged.

このように、ウエハWの表面と裏面が処理液によって処理されている間、ウエハWの回転速度は低速から高速まで、処理内容に応じて自在に変化される。   In this way, while the front and back surfaces of the wafer W are being processed by the processing liquid, the rotation speed of the wafer W can be freely changed from a low speed to a high speed according to the processing content.

ウエハWに供給された処理液は、ウエハWが回転することによって発生する遠心力により、ウエハWの周縁部Wに向けて流れていくが、ウエハWが100rpm以下の低速で回転される場合には、周縁部Wからカップ22へ処理液を振り切るだけの遠心力を発生させることができない。このため、ウエハWに供給された処理液が、毛細管現象により回転テーブル30と保持部材50との間の間隙Sから回転テーブル30の下面に入り込もうとする(図5(b)参照)。 Processing liquid supplied to the wafer W by centrifugal force wafer W is generated by a rotating flows toward the peripheral edge portion W E of the wafer W, but if the wafer W is rotated by the following low speed 100rpm the can not generate a centrifugal force of only shaken off the processing liquid from the periphery W E into the cup 22. For this reason, the processing liquid supplied to the wafer W tends to enter the lower surface of the turntable 30 through the gap S between the turntable 30 and the holding member 50 by capillary action (see FIG. 5B).

しかしながら、本実施の形態によれば、O−リング55によって、回転テーブル30と保持部材50との間が密封されている(図5(b)参照)。このため、100rpm以下の低速でウエハWを回転させて処理する場合であっても、ウエハWに供給された処理液は、回転テーブル30の下面に流れ込むことなく、ウエハWの周縁部Wからカップ22へと排液される。 However, according to the present embodiment, the space between the rotary table 30 and the holding member 50 is sealed by the O-ring 55 (see FIG. 5B). Therefore, even when the process by rotating the wafer W with the following low speed 100 rpm, the processing liquid supplied to the wafer W, without flowing into the underside of the rotary table 30, from the periphery W E of the wafer W The liquid is drained to the cup 22.

この結果、異なる種類の処理液を連続して用いた場台であっても、各処理液を、回転テーブル30からカップ22へ確実に排液することができるので、各処理液が混ざり合うことがない。従って、処理液の結晶が生成されることを防止することができ、ひいては、カップ22などが汚れることを防止することができる。   As a result, each processing solution can be surely drained from the rotary table 30 to the cup 22 even in a place where different types of processing solutions are used continuously, so that each processing solution is mixed. There is no. Therefore, it is possible to prevent the crystal of the processing liquid from being generated, and consequently, it is possible to prevent the cup 22 and the like from becoming dirty.

さらに、本実施の形態では、回転テーブル30がウエハWの大きさよりも大きく構成され、当該回転テーブル30の下面に保持部材50が通過するための開口30pが設けられている(図4および図5(a)(b)参照)。このため、この開口30pの周縁外方のみを囲むようにしてO−リング55を設けるだけで、確実に、ウエハWに供給された処理液が、回転テーブル30の下面に流れ込むことを防止することができる。   Further, in the present embodiment, the turntable 30 is configured to be larger than the size of the wafer W, and an opening 30p for allowing the holding member 50 to pass therethrough is provided on the lower surface of the turntable 30 (FIGS. 4 and 5). (See (a) and (b)). For this reason, it is possible to reliably prevent the processing liquid supplied to the wafer W from flowing into the lower surface of the turntable 30 only by providing the O-ring 55 so as to surround only the outer periphery of the opening 30p. .

なお、上述のように、O−リング55によって回転テーブル30と保持部材50との間が密封されているので、裏面側液供給口36からウエハWの裏面に向かって供給される処理液であっても、回転テーブル30の下面に流れ込むことはない。   As described above, since the space between the rotary table 30 and the holding member 50 is sealed by the O-ring 55, the processing liquid supplied from the back surface side liquid supply port 36 toward the back surface of the wafer W is used. However, it does not flow into the lower surface of the rotary table 30.

上述のように、本実施の形態によれば、100rpm以下の低速でウエハWを回転させて処理する場合であっても、ウエハWに供給された処理液が、回転テーブル30の下面に流れ込むことを防止することができる。このため、従来では行うことができなかった低速回転で、ウエハWを処理することができる。   As described above, according to the present embodiment, even when the wafer W is rotated and processed at a low speed of 100 rpm or less, the processing liquid supplied to the wafer W flows into the lower surface of the turntable 30. Can be prevented. For this reason, the wafer W can be processed at a low-speed rotation that could not be performed conventionally.

すなわち、従来では、低速でウエハWを回転させると、ウエハWに供給された処理液が、回転テーブル30と保持部材50との間の間隙Sから回転テーブル30の下面に流れ込むので、高速(例えば、1000rpm程)でウエハWを回転させる必要であった。これに対して、本実施の形態では、O−リング55によって回転テーブル30と保持部材50との間が密封されるので(図5(b)参照)、100rpm以下の低速でウエハWを回転させても、ウエハWに供給された処理液が、回転テーブル30と保持部材50との間の間隙Sから回転テーブル30の下面に流れ込まない。このため、従来では行うことができなかった低速回転で、ウエハWを処理することができるのである。   That is, conventionally, when the wafer W is rotated at a low speed, the processing liquid supplied to the wafer W flows into the lower surface of the rotary table 30 from the gap S between the rotary table 30 and the holding member 50, so that high speed (for example, , About 1000 rpm), it was necessary to rotate the wafer W. On the other hand, in this embodiment, since the space between the rotary table 30 and the holding member 50 is sealed by the O-ring 55 (see FIG. 5B), the wafer W is rotated at a low speed of 100 rpm or less. However, the processing liquid supplied to the wafer W does not flow into the lower surface of the turntable 30 from the gap S between the turntable 30 and the holding member 50. For this reason, the wafer W can be processed at a low-speed rotation that could not be performed conventionally.

この結果、本実施の形態によれば、100rpm以下の低速でウエハWを回転させることができることに起因して、以下の効果も奏することができる。   As a result, according to the present embodiment, the following effects can be achieved due to the fact that the wafer W can be rotated at a low speed of 100 rpm or less.

すなわち、まず、カップ22内の気流が乱れることを防止することができる。   That is, first, it is possible to prevent the airflow in the cup 22 from being disturbed.

また、ウエハWに付着した処理液が、カップ22に飛散することを防止することができ、カップ22などが汚れることを抑えることができる。   In addition, it is possible to prevent the processing liquid adhering to the wafer W from being scattered to the cup 22 and to prevent the cup 22 and the like from becoming dirty.

また、このようにウエハWに供給された処理液が飛散することを防止することができるので、ウエハWに処理液を一定時間留まらせて、当該ウエハWを処理することができる。このため、従来の基板処理装置と比較して、少量の処理液でウエハWを処理することができ、処理液の使用量を削減することができる。   Further, since the processing liquid supplied to the wafer W can be prevented from being scattered in this way, the processing liquid can be kept on the wafer W for a certain period of time to process the wafer W. For this reason, compared with the conventional substrate processing apparatus, the wafer W can be processed with a small amount of processing liquid, and the amount of processing liquid used can be reduced.

また、処理液として揮発性薬液(例えばフッ化アンモニア溶液など)を便用した場合には、従来技術のようにウエハWを高速で回転させると、ウエハWに付着した処理液が蒸発する量が多くなってしまう。このため、薬液を回収して再利用する揚合には、蒸発による処理液の濃度変化が大きくなってしまう。この点、本実施の形態によれば、100rpm以下の低速でウエハWを回転させることができるので、このような揮発性薬液を処理液として用いた場合であっても、処理液の蒸発を小さくすることができる。このため、蒸発による処理液の濃度変化を小さくすることができ、ひいては、ウエハWを精度良く処理することができる。   Further, when a volatile chemical solution (for example, an ammonia fluoride solution) is used as the processing solution, when the wafer W is rotated at a high speed as in the conventional technique, the amount of the processing solution attached to the wafer W evaporates. It will increase. For this reason, the concentration change of the processing liquid due to evaporation becomes large when the chemical liquid is collected and reused. In this regard, according to the present embodiment, since the wafer W can be rotated at a low speed of 100 rpm or less, even when such a volatile chemical solution is used as the processing solution, the evaporation of the processing solution is reduced. can do. For this reason, the change in the concentration of the processing liquid due to evaporation can be reduced, and the wafer W can be processed with high accuracy.

さらに、低速回転でウエハWを処理することによって、速度の速くなるウエハWの周縁部Wにおいても熱交換が大きくなることを防止することができ、ウエハWに付着した処理液の温度が中心部Wと周縁部Wとで大きく異なることを防止することができる。このため、ウエハWの中心部Wと周縁部Wとでエッチングレートを均一にすることができ、ウエハWを精度良く処理することができる。 Furthermore, the center by treating the wafer W at low speed, also it is possible to prevent the heat exchanger becomes larger in the periphery W E of the faster becomes the wafer W speed, temperature of the processing liquid adhering to the wafer W is it is possible to prevent the large difference between the parts W C and the peripheral portion W E. Accordingly, between the central portion W C and the peripheral portion W E of the wafer W can be made uniform etching rate, a wafer W can be precisely processed.

また、本実施の形態によれば、このように低速回転でウエハWを処理することができるので、高速回転でのウエハWの処理と低速回転でのウエハWの処理とを適宜組み合わせることができ、例えば、ウエハWにリンス液を供給している間に、当該ウエハWの低速回転と高速回転とを繰り返して行うこともできる。この結果、従来の基板処理装置に比べ、多様な処理レシピを組むことができるようになる。   Further, according to the present embodiment, since the wafer W can be processed at such a low speed, the processing of the wafer W at a high speed and the processing of the wafer W at a low speed can be appropriately combined. For example, while supplying the rinse liquid to the wafer W, the wafer W can be repeatedly rotated at a low speed and a high speed. As a result, various processing recipes can be assembled as compared with the conventional substrate processing apparatus.

上述のような処理液によるウエハWの処理が終了すると、回転駆動機構60のモータMが停止され、保持部材50によって保持されているウエハWの回転も停止される(図2参照)。   When the processing of the wafer W with the processing liquid as described above is completed, the motor M of the rotation drive mechanism 60 is stopped, and the rotation of the wafer W held by the holding member 50 is also stopped (see FIG. 2).

次に、昇降部材35が上昇すると同時に、加圧機構の加圧部材が上昇する。このように加圧部材が上昇することによって、加圧部材によって被加圧部52が当接された後、加圧され、保持部材50の保持部51が揺動軸50aを中心に下方側へ(図5(b)の実線から点線へ)揺動され、ウエハWの周縁部Wが保持部51から開放される。その後、昇降部材35の支持ピン35aによってウエハWの裏面が支持され、昇降部材35がさらに上昇し続けることによって、昇降部材35が受け渡し位置(上方位置)に位置づけられる。 Next, at the same time that the elevating member 35 is raised, the pressure member of the pressure mechanism is raised. As the pressure member rises in this way, the pressurized portion 52 is brought into contact with the pressure member and then pressurized, and the holding portion 51 of the holding member 50 moves downward about the swing shaft 50a. (to the dotted line from the solid line in FIG. 5 (b)) is swung, the peripheral edge portion W E of the wafer W is released from the holding portion 51. Thereafter, the back surface of the wafer W is supported by the support pins 35a of the elevating member 35, and the elevating member 35 continues to rise, so that the elevating member 35 is positioned at the delivery position (upper position).

次に、主ウエハ搬送装置15によって、昇降部材35の支持ピン35aによって支持されていたウエハWが、出入口(図示せず)から筐体21外に搬出され、加熱・冷却部12内に搬入される(図1および図2参照)。   Next, the wafer W supported by the support pins 35 a of the elevating member 35 is unloaded from the entrance / exit (not shown) by the main wafer transfer device 15 and is loaded into the heating / cooling unit 12. (See FIGS. 1 and 2).

次に、加熱・冷却部12によって、基板処理装置10a,10bで洗浄されたウエハWが加熱され、その後、冷却される(図1参照)。   Next, the wafer W cleaned by the substrate processing apparatuses 10a and 10b is heated by the heating / cooling unit 12 and then cooled (see FIG. 1).

次に、主ウエハ搬送装置15によって、加熱・冷却部12からウエハWが搬出されて、いったんウエハ受け渡しユニット8に載置される(図1参照)。その後、ウエハ搬送装置7によって、処理されたウエハWが、キャリアC内へと搬入されて収納され(図1参照)、一枚のウエハWの処理が完了する。   Next, the main wafer transfer device 15 unloads the wafer W from the heating / cooling unit 12 and temporarily places it on the wafer delivery unit 8 (see FIG. 1). Thereafter, the processed wafer W is carried into and stored in the carrier C by the wafer transfer device 7 (see FIG. 1), and the processing of one wafer W is completed.

ところで、本実施の形態では、被処理基板として略円形のウエハWを用いて説明したが、これに限られることなく、例えば、LCD基板のような方形からなるものを被処理基板として用いることもできる。   By the way, in the present embodiment, the description has been given using the substantially circular wafer W as the substrate to be processed. However, the present invention is not limited to this. For example, a rectangular substrate such as an LCD substrate may be used as the substrate to be processed. it can.

本発明の実施の形態による洗浄処理システムを上方から見た平面図。The top view which looked at the washing processing system by an embodiment of the invention from the upper part. 本発明の実施の形態による基板処理装置の側方断面図。1 is a side sectional view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施の形態による基板処理装置の回転テーブル中心付近を拡大した側方断面図。The side sectional view which expanded the rotation table center vicinity of the substrate processing apparatus by an embodiment of the invention. 本発明の実施の形態による基板処理装置の回転テーブルを上方から見た平面図である。It is the top view which looked at the turntable of the substrate processing apparatus by embodiment of this invention from upper direction. 本発明の実施の形態による基板処理装置の保持部材を詳細に示した平面図と側方断面図。The top view and side sectional view which showed in detail the holding member of the substrate processing apparatus by embodiment of this invention. 本発明の実施の形態の変形例による基板処理装置の保持部材を詳細に示した側方断面図。The sectional side view which showed in detail the holding member of the substrate processing apparatus by the modification of embodiment of this invention. 従来の基板処理装置の保持部材を詳細に示した側方断面図。Side sectional drawing which showed the holding member of the conventional substrate processing apparatus in detail.

符号の説明Explanation of symbols

21 筐体
22 カップ
30 回転テーブル(回転台)
30p 開口
50 保持部材
50a 揺動軸
50b 保持本体
51 保持部
52 被加圧部
55 O−リング(シール部材)
56 弾性部材
60 回転駆動機構
W ウエハ(被処理基板)
21 Housing 22 Cup 30 Turntable (turntable)
30p Opening 50 Holding member 50a Oscillating shaft 50b Holding body 51 Holding part 52 Pressurized part 55 O-ring (seal member)
56 Elastic member 60 Rotation drive mechanism W Wafer (substrate to be processed)

Claims (8)

被処理基板を処理する基板処理装置において、
回転自在に設けられた回転台と、
前記回転台に揺動自在に設けられ、一端が上方側に揺動しているときに前記被処理基板を保持する保持部材と、
前記保持部材が前記被処理基板を保持しているときに、前記回転台を回転させる回転駆動機構と、
前記回転台と前記保持部材との間に配置されたシール部材と、を備え、
前記シール部材は、前記保持部材の一端が上方側に揺動しているときに、前記回転台と前記保持部材との間を密封することを特徴とする基板処理装置。
In a substrate processing apparatus for processing a substrate to be processed,
A turntable provided rotatably,
A holding member that is swingably provided on the turntable and holds the substrate to be processed when one end is swung upward;
A rotation drive mechanism for rotating the turntable when the holding member holds the substrate to be processed;
A seal member disposed between the turntable and the holding member,
The substrate processing apparatus, wherein the seal member seals between the rotary base and the holding member when one end of the holding member is swung upward.
前記回転台に、前記保持部材の一端が上方側に揺動しているときに、該保持部材が通過する開口が設けられ、
前記シール部材は、前記開口の周縁外方を囲んで配置されていることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
The rotating table is provided with an opening through which the holding member passes when one end of the holding member is swung upward.
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the seal member is disposed so as to surround an outer periphery of the opening.
前記シール部材は、前記回転台の下面に設けられていることを特徴とする請求項1または2のいずれかに記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the seal member is provided on a lower surface of the turntable. 前記シール部材は、前記保持部材の一端側に設けられていることを特徴とする請求項1または2のいずれかに記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the seal member is provided on one end side of the holding member. 前記保持部材によって保持された前記被処理基板の裏面に処理液を供給する裏面側処理液供給部をさらに備えたことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の基板処理装置。   5. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a back surface side processing liquid supply unit configured to supply a processing liquid to the back surface of the substrate to be processed held by the holding member. . 前記シール部材は、O−リングからなることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the seal member is an O-ring. 回転自在に設けられた回転台に、揺動自在に設けられた保持部材であって、
前記回転台との間に設けられたシール部材を有し、
一端が上方側に揺動しているときに被処理基板を保持するとともに、前記シール部材によって、前記回転台との間を密封することを特徴とする保持部材。
It is a holding member that is swingably provided on a turntable that is rotatably provided,
A seal member provided between the rotary table and
A holding member that holds a substrate to be processed when one end swings upward, and that seals between the rotating table and the rotating table by the sealing member.
被処理基板を処理する基板処理方法において、
回転台と、該回転台に揺動自在に設けられた保持部材と、前記回転台と前記保持部材との間に配置されたシール部材と、を有する基板処理装置を用いた基板処理方法であって、
前記保持部材の一端が上方側に揺動し、前記被処理基板を保持する保持工程と、
前記保持部材が前記被処理基板を保持しているときに、前記回転台を回転させる回転工程と、を備え、
前記保持工程において、前記シール部材によって、前記回転台と前記保持部材との間が密封され、
前記回転工程は、100rpm以下の速度で前記回転台を回転させることを特徴とする基板処理方法。
In a substrate processing method for processing a substrate to be processed,
A substrate processing method using a substrate processing apparatus comprising: a turntable; a holding member swingably provided on the turntable; and a seal member disposed between the turntable and the holding member. And
A holding step in which one end of the holding member swings upward to hold the substrate to be processed;
A rotation step of rotating the turntable when the holding member holds the substrate to be processed, and
In the holding step, the seal member seals between the turntable and the holding member,
In the rotating step, the rotating table is rotated at a speed of 100 rpm or less.
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