Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

JP2010010348A - 基板処理装置 - Google Patents

基板処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2010010348A
JP2010010348A JP2008167268A JP2008167268A JP2010010348A JP 2010010348 A JP2010010348 A JP 2010010348A JP 2008167268 A JP2008167268 A JP 2008167268A JP 2008167268 A JP2008167268 A JP 2008167268A JP 2010010348 A JP2010010348 A JP 2010010348A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chemical
substrate
liquid
nozzle
discharge pipe
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2008167268A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5410040B2 (ja
Inventor
Nobuyasu Hiraoka
伸康 平岡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority to JP2008167268A priority Critical patent/JP5410040B2/ja
Publication of JP2010010348A publication Critical patent/JP2010010348A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5410040B2 publication Critical patent/JP5410040B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

【課題】処理液ノズルの吐出口からの処理液のぼた落ち、および処理液ノズルにおける処理液の結晶化を防止または抑制することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】薬液ノズル4は、薬液吐出管23と、薬液吐出管23の先端部(下部領域27A)の周囲を取り囲んで被覆するカバー24とを備えている。カバー24の内壁と薬液吐出管23の外壁とによって、薬液吐出管23の先端部に隣接する排気空間37が区画されている。排気空間37内が吸引されると、多孔質体30によって捕獲された薬液が、多孔質体30を通過して排気空間37に移動する。
【効果】薬液吐出管23の先端部の内壁に薬液が残留しない。
【選択図】図2

Description

この発明は、処理液ノズルを用いて基板に処理液を供給する基板処理装置に関する。処理の対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、FED(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等が含まれる。
半導体装置や液晶表示装置の製造工程には、半導体ウエハや液晶表示パネル用ガラス基板などの基板に対して処理液を用いた処理を施す基板処理装置が用いられる。このような基板処理装置には、複数枚の基板に対して一括して処理を施すバッチ型のものと、1枚ずつの基板に対して処理を施す枚葉型のものとがある。
枚葉型の基板処理装置は、基板をほぼ水平に保持して回転させるスピンチャックと、このスピンチャックに保持された基板に対して処理液を供給する処理液ノズルとを備えている。
図11は、従来の処理液ノズル50の構成を示す図解図である。処理液ノズル50には、処理液供給配管51が接続され、この処理液供給配管51の途中部には、処理液バルブ52が介装されている。そして、この処理液バルブ52の開閉によって、基板Wへの処理液の供給および供給停止が制御されるようになっている。
処理液ノズル50は、処理液吐出管53を備えている。この処理液吐出管53は、水平部54と、この水平部54の先端部から垂下した垂下部55とを有している。垂下部55は、円筒形状に形成されており、この垂下部55の下端に吐出口56が形成されている。処理液ノズル50は、基板Wの上方位置に、吐出口56を基板Wの表面に向けて配置されている。
処理液バルブ52と処理液ノズル50との間の処理液供給配管51からは、吸引配管57が分岐している。この吸引配管57は、吸引バルブ58を介して吸引装置(図示せず)に接続されている。
処理液バルブ52を閉じて処理液59の供給を停止するときには、吸引バルブ58が開かれ、処理液バルブ52よりも処理液ノズル50側の処理液59が吸引される。処理液59の吸引は、処理液59の先端面が水平部54にある所定の待機位置に後退するまで行われる。
特開2005−277211号公報
しかしながら、処理液ノズル50から吐出される処理液59が、粘性(表面張力)の低いもの(たとえば、ふっ酸やバファードふっ酸)である場合、処理液吐出管53内の処理液59が十分に吸引されずに、垂下部55の内壁に処理液59が残留するおそれがある。そして、処理液59の供給停止後に、垂下部55に残留する処理液59が内壁を伝って流下し、吐出口56から液滴となって基板W上にぼた落ちすることがある。この基板W上への処理液59のぼた落ちは、パーティクルの発生や基板Wの処理不良の原因になるおそれがある。
また、処理液ノズル50から吐出される処理液59が薬液(たとえば、ふっ酸やバファードふっ酸)である場合には、処理液吐出管53の先端部の内壁でこれらの薬液が乾燥して結晶化するおそれがある。こうした薬液結晶は、パーティクル発生の原因になるおそれがある。
そこで、この発明の目的は、処理液ノズルの吐出口からの処理液のぼた落ち、および処理液ノズルにおける処理液の結晶化を防止または抑制することができる基板処理装置を提供することである。
前記の目的を達成するための請求項1記載の発明は、先端部(23A)に形成された吐出口(29)から基板(W)に向けて処理液を吐出する処理液吐出管(23)と、前記先端部の前記管壁を伝う処理液を捕獲する捕獲部(30,61,83,91,101)とを備えた処理液ノズル(4,60,70,80,90,100)と、前記処理液ノズルに処理液を供給するための処理液供給手段(14)と、前記捕獲部に捕獲された処理液を、前記処理液吐出管の外部に向けて吸引する吸引手段(31,32,35)とを含む、基板処理装置である。
なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
この構成によれば、処理液吐出管の先端部の管壁を伝う処理液が、捕獲部によって捕獲される。そして、捕獲部によって捕獲された処理液が、吸引手段によって吸引されて、先端部の管壁から除去される。したがって、先端部の管壁に処理液がほとんど残留しない。これにより、処理液ノズルの吐出口からの処理液のぼた落ち、および処理液ノズルにおける処理液の結晶化を防止または抑制することができる。
請求項2記載の発明は、前記捕獲部が、前記先端部の管壁の少なくとも一部をなす多孔質体(30)を含み、前記吸引手段が、前記多孔質体に捕獲された処理液を、当該多孔質体を通して吸引する手段(31,32,35)を含む、請求項1記載の基板処理装置である。
この構成によれば、処理液吐出管の先端部の管壁が多孔質体によって構成されている。そのため、多孔質体を通過させることにより、処理液を処理液吐出管の管壁の内外を移動させることが可能である。したがって、処理液吐出管内で多孔質体により捕獲された処理液が、吸引手段によって多孔質体を通過して吸引されて処理液吐出管の外部に移動する。つまり、処理液吐出管内の処理液を、吐出口を経由せずに処理液吐出管外に除去することができる。これにより、基板上への処理液のぼた落ちをより一層抑制することができる。
請求項3記載の発明は、前記先端部の管壁と空隙(S)を隔てて配置されて、前記先端部の周囲を被覆するカバー(24,71)をさらに含み、前記吸引手段が、前記カバー内を吸引するカバー内吸引手段(31,32,35)を含む、請求項1または2記載の基板処理装置である。
この構成によれば、処理液吐出管の先端部に隣接して、カバー内、すなわちカバーと処理液吐出管の管壁とで仕切られる空間(37,72)が形成されている。そして、この空間がカバー内吸気手段によって吸引されることにより、先端部で捕獲された処理液を当該空間に取り込むことができる。これにより、処理液吐出管の先端部から処理液を除去することができる。
この請求項3記載の構成は、請求項2記載の構成と組み合わされて用いられることが好ましい。この場合、処理液吐出管の先端部で捕獲された処理液が、多孔質体を通過して、先端部に隣接する前記空間に移動するようになる。これにより、処理液吐出管の先端部から処理液をスムーズに除去することができる。
請求項4記載の発明は、前記吸引手段が、前記吐出口よりも基板寄りに配置され、当該吐出口に対向する吸引口(64,77)を通して、前記捕獲部に捕獲された処理液を吸引する手段(31,32,35)を含む、請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、吐出口よりも基板寄りに配置された吸引口が当該吐出口に対向している。このため、処理液吐出管の吐出口付近の管壁に付着する処理液が、吸引口を通して捕捉される。したがって、吐出口付近の処理液吐出管から処理液が除去されるので、基板上への処理液のぼた落ちをより一層抑制することができる。
請求項5に記載のように、前記捕獲部が、前記先端部の内壁に凹凸状に形成された凹凸部(61)を含んでいてもよい。
この凹凸部は、雌ねじ(61)であってもよい。この場合、処理液を捕獲するための捕獲部を、先端部の内壁に比較的容易に形成することができる。
前記処理液供給手段から前記処理液ノズルに供給される処理液がふっ酸を含んでいてもよい。
また、前記処理液供給手段から前記処理液ノズルに供給される処理液がバファードふっ酸を含んでいてもよい。
以下では、本発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図1は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を示す模式図である。
基板処理装置は、処理液を用いて、半導体ウエハなどの基板Wから汚染物質を除去するための洗浄処理を実行するための装置である。処理液として、たとえば、薬液とリンス液としてのDIW(脱イオン化された水)とを用いることができる。
この基板処理装置は、隔壁(図示せず)により区画された処理室2内に、基板Wをほぼ水平に保持して回転させるためのスピンチャック3と、スピンチャック3に保持された基板Wの表面(上面)に向けて薬液を供給するための薬液ノズル4と、スピンチャック3に保持された基板Wの表面(上面)に向けてDIWを供給するためのDIWノズル5と、スピンチャック3の周囲を取り囲み、基板Wをから飛散する薬液およびDIWを受け止めるためのカップ6とを備えている。
スピンチャック3は、モータ7と、このモータ7の回転駆動力によって鉛直軸線まわりに回転される円盤状のスピンベース8と、スピンベース8の周縁部の複数箇所にほぼ等間隔で設けられ、基板Wをほぼ水平な姿勢で挟持するための複数個の挟持部材9とを備えている。これにより、スピンチャック3は、複数個の挟持部材9によって基板Wを挟持した状態で、モータ7の回転駆動力によってスピンベース8を回転させることにより、その基板Wを、ほぼ水平な姿勢を保った状態で、スピンベース8とともに鉛直軸線まわりに回転させることができる。
なお、スピンチャック3としては、このような構成のものに限らず、たとえば、基板Wの裏面を真空吸着することにより基板Wをほぼ水平な姿勢で保持し、さらにその状態でほぼ鉛直な軸線まわりに回転することにより、その保持した基板Wを回転させることができる真空吸着式のもの(バキュームチャック)が採用されてもよい。
薬液ノズル4は、スピンチャック3の上方でほぼ水平に延びるノズルアーム10の先端部に取り付けられている。このノズルアーム10は、カップ6の側方でほぼ鉛直に延びたアーム支持軸11に支持されている。アーム支持軸11には、モータ(図示せず)を含むノズル駆動機構12が結合されている。ノズル駆動機構12からアーム支持軸11に回転力を入力して、アーム支持軸11を回動させることにより、スピンチャック3の上方でノズルアーム10を揺動させることができる。薬液ノズル4は、薬液の供給が行われないときには、カップ6の側方の退避位置に退避しており、薬液の供給時には、基板Wの上面に対向する処理位置へと移動する。
薬液ノズル4には、薬液供給源からの薬液が供給される薬液供給管(処理液供給手段)14が接続されている。薬液供給管14の途中部には、薬液ノズル4からの薬液の吐出/吐出停止を切り換えるための薬液バルブ15が介装されている。薬液バルブ15が開かれると、薬液バルブ15から薬液ノズル4に薬液が供給され、薬液ノズル4から薬液が吐出される。薬液ノズル4と薬液バルブ15との間の薬液供給管14からは、第1吸引配管16が分岐している。この第1吸引配管16は、第1吸引バルブ17を介して、処理室2の外部に配置された第1真空発生装置18に接続されている。そして、第1真空発生装置18に吸引された薬液および雰囲気は、図示しない排気液設備により処理される。この実施形態では、薬液供給源から薬液供給管14に供給される薬液が低粘性(低表面張力)の薬液(ふっ酸(HF)、バファードふっ酸(Buffered HF:ふっ酸とフッ化アンモニウムとの混合液)など)である場合を例にとって説明する。
スピンチャック3に基板Wが保持され、その基板Wの上方に薬液ノズル4が配置された状態で、薬液ノズル4から薬液を吐出させることにより、基板Wの表面に薬液を供給することができる。そして、この薬液ノズル4から基板Wの表面への薬液の供給時に、ノズルアーム10を所定の角度範囲内で揺動させることにより、基板Wの表面における薬液の供給位置を、基板Wの回転中心から基板Wの周縁部に至る範囲内を円弧状の軌跡を描きつつ移動させることができる。
DIWノズル5は、スピンチャック3の上方に、その吐出口をスピンチャック3の上面に向けて固定的に配置されている。
DIWノズル5には、DIW供給ラインからのDIWが供給されるDIW供給管20が接続されている。このDIW供給管20には、DIWバルブ21が介装されている。DIWバルブ21が開かれると、DIW供給管20からDIWノズル5にDIWが供給され、DIWノズル5からDIWが吐出される。スピンチャック3に基板Wが保持された状態で、DIWノズル5からDIWを吐出させることにより、基板Wの表面にDIWを供給することができる。
図2は、薬液ノズル4の構造を図解的に示す縦断面図である。
薬液ノズル4は、横断面形状が円環状の薬液吐出管23と、薬液吐出管23の先端部(後述する垂下部27の下部領域27A)の周囲を取り囲んで被覆するカバー24とを備えている。
薬液吐出管23は、内部に薬液流路25が形成されており、水平方向に延びる円筒状の水平部26と、この水平部26の先端部から垂下した円筒状の垂下部27とを備えている。薬液流路25は、水平部26の基端部で導入口28として開口するとともに、垂下部27の下端部27Bで吐出口29としてほぼ円形状に開口している。導入口28を介して薬液流路25に導入された薬液が、薬液流路25を流通した後、吐出口29から吐出される。
薬液吐出管23の垂下部27のほぼ下半分を占める下部領域27Aは、多孔質体(捕獲部)30によって形成されている。多孔質体30は、たとえばPVA(polyvinyl alcohol)製のスポンジであり、多数の空孔を有している。この多孔質体30の空孔は、薬液(たとえば、ふっ酸やバファードふっ酸)が通過することができる大きさ(たとえば、0.05〜100μmの径)である。このため、多孔質体30を通過させて、薬液を薬液吐出管23の管壁の内外を移動させることが可能である。なお、多孔質体30として、ウレタン樹脂、ポリエチレン樹脂、アクリル樹脂、シリコン、またはゴムなど、薬液吐出管23を流通する薬液に対する耐性がある他の材質のスポンジを採用することもできる。多孔質体30を除く薬液吐出管23は、PVC(poly−vinyl−chloride)、PTFE(poly tetra-fluoro ethylene)およびPFA(perfluoro−alkylvinyl−ether−tetrafluoro−ethlene−copolymer)などの樹脂材料によって形成されている。
カバー24は、垂下部27の中心軸線Jと共通の中心軸線を有する円筒状のものであり、薬液吐出管23の外壁と空隙Sを隔てて配置されている。カバー24の内壁と薬液吐出管23の外壁とによって排気空間37が区画されている。排気空間37は、薬液吐出管23の先端部(下部領域27A)に隣接して形成されており、垂下部27の中心軸線Jと共通の中心軸線を有する円筒状の間隙である。この排気空間37は、カバー24の上端部および下端部で閉塞されている。
カバー24には、その内外壁を貫通して形成される排気孔31が形成されている。排気孔31がカバー24の内壁に開口して排気口31Aが形成されている。排気孔31には、継ぎ手33を介して第2吸引配管32が接続されている。
第2吸引配管32は、処理室2の外部へ延びており、その先端は、第2吸引配管32内を真空吸引するための第2真空発生装置35に接続されている。第2吸引配管32の途中部には、第2吸引バルブ36が介装されている。
第2真空発生装置35が駆動された状態で第2吸引バルブ36が開かれると、排気空間37内が吸引される。これにより、薬液吐出管23内の薬液は、排気空間37、排気孔31および第2吸引配管32を介して第2真空発生装置35に吸引される。第2真空発生装置35に吸引された雰囲気および薬液は、図示しない排気液設備により処理される。
図3は、図1に示す基板処理装置の電気的構成を示すブロック図である。
基板処理装置は、マイクロコンピュータを含む構成の制御装置40を備えている。この制御装置40には、モータ7、ノズル駆動機構12、薬液バルブ15、DIWバルブ21、第1吸引バルブ17、第2吸引バルブ36、第1真空発生装置18および第2真空発生装置35などが、制御対象として接続される。
図4は、図1に示す基板処理装置の処理例を示す工程図であり、図5は、薬液処理工程を説明するためのフローチャートである。第1および第2真空発生装置18,35は、基板処理装置の電源オン時に駆動開始されている。
処理対象の基板Wは、図示しない搬送ロボットによって処理室2に搬入されて(ステップS1)、その表面を上方に向けた状態でスピンチャック3に保持される。また、制御装置40は、ノズル駆動機構12を制御してノズルアーム10を揺動させて、薬液ノズル4を、カップ6の側方の退避位置から基板Wの上方位置へと移動させる。
基板Wがスピンチャック3に保持された後、制御装置40は、モータ7を制御して、基板Wを回転開始させる(ステップS2)。基板Wの回転速度が1500rpmに達すると、基板Wの表面に薬液が供給されて、薬液を用いた薬液処理(ステップS3)が基板Wに施される。
この薬液処理工程について具体的に説明する。薬液の吐出タイミングになると(ステップS11)、制御装置40は、薬液バルブ15を開いて(ステップS12)、薬液ノズル4から薬液を吐出する。また、制御装置40は、基板Wへの薬液の吐出とともに、ノズル駆動機構12を制御して、基板Wの上方で薬液ノズル4を所定のスキャン速度で移動させる。より具体的には、基板Wの表面の回転中心に対向する位置と、基板Wの表面の周縁部に対向する位置との間で薬液ノズル4を往復して移動させたり、基板Wの表面の周縁部に対向する位置から基板Wの表面の回転中心に対向する位置を通って反対側の周縁部に対向する位置まで薬液ノズル4を往復して移動させたりする。これにより、基板Wへの薬液の供給位置が移動され、基板Wの表面全域に薬液が供給される。その結果、基板Wの表面に付着しているパーティクル等の異物が基板Wの表面全域から物理的に除去される。
薬液の供給開始から所定の薬液処理時間が経過すると(ステップS13でYES)、制御装置40は、薬液バルブ15を閉じて(ステップS14)、薬液ノズル4からの薬液の吐出を停止させる。また、制御装置40は、薬液バルブ15の閉塞と同じタイミングで、第1および第2吸引バルブ17,36を開く(ステップS15)。第1吸引バルブ17が開かれることにより、薬液バルブ15よりも薬液ノズル4側の薬液が吸引されて、薬液吐出管23内の薬液の先端面が水平部26にある所定の待機位置まで後退されるようになる。そして、第1真空発生装置18に吸引されて、排気液設備により処理される。第1真空発生装置18による吸引によっては除去されずに垂下部27に残留した薬液は、垂下部27の内壁を伝って流下して多孔質体30によって捕獲される。
一方、第2吸引バルブ36が開かれることに伴い、薬液吐出管23の多孔質体30に捕獲された薬液が、多孔質体30を通過して(多数の空孔を通って)、薬液吐出管23の先端部(下部領域27A)に隣接する排気空間37に移動する。そして、排気空間37、排気孔31および第2吸引配管32を通して第2真空発生装置35に吸引されて、排気液設備により処理される。したがって、薬液吐出管23内の薬液を、吐出口29を経由せずに薬液吐出管23外に除去することができる。
その後、吸引の開始から所定の第1吸引時間が経過すると(ステップS16でYES)、第1吸引バルブ17が閉じられて、薬液吐出管23の内部の吸引が停止される(ステップS17)。また、吸引の開始から所定の第2吸引時間が経過すると(ステップS18でYES)、第2吸引バルブ36が閉じられて、カバー24内の吸引が停止される(ステップS19)。この第2吸引バルブ36の停止タイミング(第2吸引時間)は、第1真空発生装置18による吸引後に薬液吐出管23の内壁の残留薬液を除去することができるタイミングに設定されている。
また、制御装置40は、DIWバルブ21を開いて、DIWノズル5から基板Wの表面の回転中心に向けてDIWが供給される。基板Wの表面に供給されたDIWが、基板Wの回転による遠心力を受けて基板Wの周縁に向けて流れ、このDIWによって基板Wの表面に付着している薬液が洗い流される(S4:リンス処理)。
DIWの供給開始から所定のリンス時間が経過すると、制御装置40は、DIWバルブ21を閉じて、基板WへのDIWの供給を停止する。また、制御装置40は、スピンチャック3をスピンドライ回転速度(たとえば3000rpm)まで加速する。これにより、リンス処理後の基板Wの表面に付着しているDIWを遠心力で振り切って乾燥させるスピンドライ処理が実施される(ステップS5)。スピンドライ処理が所定のスピンドライ時間にわたって行われると、スピンチャック3の回転が停止され(ステップS6)、その後、図示しない搬送ロボットによって基板Wが搬出される(ステップS7)。
この実施形態によれば、薬液吐出管23の内壁を伝う薬液が、多孔質体30によって捕獲される。そして、多孔質体30によって捕獲された薬液が、第2真空発生装置35に吸引されて、薬液吐出管23の先端部(下部領域27A)の内壁から除去される。したがって、薬液吐出管23の先端部の内壁に薬液がほとんど残留しない。これにより、薬液ノズル4の吐出口29からの薬液のぼた落ち、および薬液ノズル4における薬液の結晶化を防止または抑制することができる。
また、薬液吐出管23の先端部(下部領域27A)の管壁が、多孔質体30によって構成されている。そのため、多孔質体30を通過させて、薬液を薬液吐出管23の管壁の内外を移動させることが可能である。したがって、薬液吐出管23内で多孔質体30により捕獲された薬液が、多孔質体30を通過して吸引されて薬液吐出管23外に移動する。つまり、薬液吐出管23内の薬液を、吐出口29を経由せずに薬液吐出管23外に除去することができる。これにより、基板W上への薬液のぼた落ちをより一層抑制することができる。
さらに、薬液吐出管23の先端部に隣接して、カバー24と薬液吐出管23とで区画される排気空間37が形成されている。したがって、この排気空間37内が第2真空発生装置35によって吸引されると、多孔質体30によって捕獲された薬液が、多孔質体30を通過して排気空間37に移動するようになる。これにより、薬液吐出管23の先端部から薬液をスムーズに除去することができる。
図6は、本発明の他の実施形態(第2実施形態)に係る基板処理装置に用いられる薬液ノズル60の構成を図解的に示す断面図である。この第2実施形態において、図1〜図5に示す実施形態(第1実施形態)に示された各部に対応する部分には、図1〜図5と同一の参照符号を付して示し、説明を省略する。
この第2実施形態に係る薬液ノズル60では、薬液吐出管23全体が、PVC(poly−vinyl−chloride)、PTFE(poly tetra-fluoro ethylene)およびPFA(perfluoro−alkylvinyl−ether−tetrafluoro−ethlene−copolymer)などの樹脂材料によって形成されている。
垂下部27の下端部27B(薬液吐出管23の先端部)の内壁には、雌ねじ(凹凸部)61が形成されている。この雌ねじ61によって、垂下部27の下端部27Bの内壁を伝う薬液が捕獲される。この雌ねじ61は、たとえば、垂下部27の下端部27B(吐出口29)側からタップ(図示しない)を挿入することにより形成される。このため、薬液を捕獲するための雌ねじ61を、垂下部27の下端部27Bの内壁に比較的容易に形成することができる。
また、カバー24の先端部には、カバー24から中心軸線J側の斜め下方に向けて突出する環状突起62が形成されている。この環状突起62には、下方に向かうに従って小径となるテーパ状の内壁63が設けられており、これにより、排気空間37が下方に向かうに従って小径にされている。
カバー24と薬液吐出管23との間に形成される排気空間37の下端部は、吐出口29を取り囲む円環状の吸引口64として開口している。この吸引口64は、吐出口29よりも基板W寄りに配置され、吐出口29に対向している。このため、排気空間37内が吸引されると、吸引口64の周囲の雰囲気が吸引されて、雌ねじ61に捕獲された薬液が、吐出口29を介して、吸引口64によって捕捉される。
図7は、本発明のさらに他の実施形態(第3実施形態)に係る基板処理装置に用いられる薬液ノズル70の構成を図解的に示す断面図である。この第3実施形態において、第1および第2実施形態に示された各部に対応する部分には、図1〜図6と同一の参照符号を付して示し、説明を省略する。
この第3実施形態に係る薬液ノズル70が第2実施形態に係る薬液ノズル60と相違する点は、カバー24に代えて吸引管(カバー)71を設けた点にある。
薬液吐出管23および吸引管71は、吸引管71内に薬液吐出管23が挿通されることにより二重配管構造を形成している。薬液吐出管23の外壁と、吸引管71の内壁との間には、横断面形状が円環状の排気空間72が形成されている。吸引管71は、薬液吐出管23とほぼ整合する形状を有しており、薬液吐出管23の水平部26の周囲を取り囲む円筒状の水平部73と、薬液吐出管23の垂下部27の周囲を取り囲む円筒状の垂下部74とを備えている。吸引管71には、垂下部74の下端部74Bから中心軸線J側の斜め下方に向けて突出する環状突起75が形成されている。この環状突起75には、下方に向かうに従って小径となるテーパ状の内壁76が設けられており、これにより、排出空間72が下方に向かうに従って小径にされている。排出空間72の下端部が、吐出口29を取り囲む円環状の吸引口77として開口している。そのため、吸引口77は、吐出口29よりも基板W寄りに、吐出口29に対向して配置されている。排気空間72の水平部73の基端部側には、第2吸引配管32が接続されている。第2吸引配管32は、第2吸引バルブ36(図示しない)を介して第2真空発生装置35に接続されている。
第2真空発生装置35が駆動された状態で第2吸引バルブ36が開かれると、排気空間72内が吸引される。これにより、吸引口77の周囲の雰囲気が吸引されて、雌ねじ61に捕獲された薬液が、吐出口29を介して、吸引口64によって捕捉される。そして、第2吸引配管32を通して第2真空発生装置35に吸引されて、排気液設備により処理される。
図8は、本発明のさらに他の実施形態(第4実施形態)に係る基板処理装置に用いられる薬液ノズル80の構成を図解的に示す断面図である。この第4実施形態において、第1実施形態に示された各部に対応する部分には、図1〜図5と同一の参照符号を付して示し、説明を省略する。
この第4実施形態に係る薬液ノズル80が第1実施形態に係る薬液ノズル4と相違する点は、薬液吐出管23全体が、PVC(poly−vinyl−chloride)、PTFE(poly tetra-fluoro ethylene)およびPFA(perfluoro−alkylvinyl−ether−tetrafluoro−ethlene−copolymer)などの樹脂材料によって形成されているとともに、垂下部27の下端部27Bの管壁に、その内外壁を貫通する複数の貫通孔81が形成されたことにある。
また、薬液ノズル80が薬液ノズル4と相違する他の点は、垂下部27の下端部27B(薬液吐出管23の先端部)に、断面L字形状の受け部82が突出形成されたことにある。受け部82は、垂下部27の下端部27Bから中心軸線J側に向けて水平に延びる底部82Aと、その底部82Aの先端から鉛直上方に向けて立ち上がる円環状の立上部82Bとを備えている。この立上部82Bと薬液吐出管23の内壁とによって、液を溜めることが可能な円環状の受け溝(捕獲部)83が形成されている。受け溝83の縦断面形状がほぼU字形状である。薬液吐出管23の先端部(下端部27B)において内壁を伝って流下する薬液は、この受け溝83によって受け止められる。そして、受け溝83によって受け止められた薬液は、排気空間37内が吸引されることにより、貫通孔81を通して排気空間37に移動した後、排液される。この貫通孔81は、丸孔であってもよいし、薬液吐出管23の周方向に長い長孔であってもよい。
図9は、本発明のさらに他の実施形態(第5実施形態)に係る基板処理装置に用いられる薬液ノズル90の構成を図解的に示す断面図である。この第5実施形態において、第1および第4実施形態に示された各部に対応する部分には、図1〜図5および図8と同一の参照符号を付して示し、説明を省略する。
この第5実施形態に係る薬液ノズル90が第4実施形態に係る薬液ノズル80と相違する点は、縦断面形状がV字形状の受け溝(捕獲部)91が形成されている点である。薬液吐出管23の先端部(下端部27B)には、ほぼ円環状の先端構成部材92が内嵌されている。この先端構成部材92の上端部の外壁には外方に向かうに従って低くなるテーパ面93が形成されている。薬液吐出管23の内壁と先端構成部材92のテーパ面93とによって断面V字形状を有する円環状の受け溝91が形成されている。この受け溝91によって、薬液吐出管23の内壁を伝う薬液が捕獲される。また、先端構成部材92の下端部の外壁は、先端に向かうに従って細くなるテーパ面94が形成されている。受け溝91によって受け止められた薬液は、排気空間37内が吸引されることにより、貫通孔81を通して排気空間37に移動した後、排液される。また、薬液ノズル90の先端部分に先細りのテーパ面94が形成されているので、薬液の液切れがよい。したがって、この第5実施形態の薬液ノズル90では、液切れがよく、かつ、薬液吐出管23の内壁を伝う薬液の落下を防ぐことができるので、ぼた落ちを一層効果的に抑制できる。
図10は、本発明のさらに他の実施形態(第6実施形態)に係る基板処理装置に用いられる薬液ノズル100の構成を図解的に示す断面図である。この第6実施形態において、図1〜図5に示す実施形態(第1実施形態)に示された各部に対応する部分には、図1〜図5と同一の参照符号を付して示し、説明を省略する。
この第6実施形態に係る薬液ノズル100では、薬液吐出管23全体が、PVC(poly−vinyl−chloride)、PTFE(poly tetra-fluoro ethylene)およびPFA(perfluoro−alkylvinyl−ether−tetrafluoro−ethlene−copolymer)などの樹脂材料によって形成されている。
この第6実施形態に係る薬液ノズル100が第1実施形態に係る薬液ノズル4と相違する点は、薬液吐出管23全体が、PVC(poly−vinyl−chloride)、PTFE(poly tetra-fluoro ethylene)およびPFA(perfluoro−alkylvinyl−ether−tetrafluoro−ethlene−copolymer)などの樹脂材料によって形成されているとともに、垂下部27の下部領域27Aの管壁に、その内外壁を貫通する多数個の貫通孔(捕獲部)101が形成されたことにある。薬液吐出管23の先端部(下部領域27A)において内壁を伝って流下する薬液は、これら多数個の貫通孔101によって捕獲される。そして、貫通孔101によって捕獲された薬液は、排気空間37内が吸引されることにより、貫通孔101を通して排気空間37に移動した後、排液される。この貫通孔101は、丸孔であってもよいし、薬液吐出管23の周方向に長い長孔であってもよい。
以上、この発明の6つの実施形態について説明したが、この発明は、さらに他の形態で実施することもできる。
たとえば、前述の第2および第3実施形態では、薬液吐出管23の先端部(下端部27B)の内壁に形成された雌ねじ61を例に挙げて説明したが、薬液吐出管23の先端部(下端部27B)の内壁に、互いに平行な複数本の円環状の凹部が形成された構成であってもよい。
また、第2および第3実施形態において、薬液吐出管23の先端部(下端部27Bを除く下部領域27A)の管壁が多孔質体で構成されていてもよい。この場合、薬液吐出管23の内壁を伝って流下する薬液は、多孔質体および雌ねじ61の双方によって捕獲される。そして、排気空間37,72内が吸引されることにより、多孔質体によって捕獲された薬液が、多孔質体を透過して排気空間37に移動され、一方、雌ねじ61によって捕獲された薬液が、吸引口64,77を介して排気空間37,72に移動される。これにより、薬液吐出管23の先端部27A,27Bの内壁から薬液を確実に除去することができる。
また、第4および第5実施形態において、第1実施形態のように薬液吐出管23の先端部(下部領域27A)を多孔質体30で構成し、多孔質体30を通して薬液を、薬液吐出管23外の排気空間37に移動させる構成が採用されていてもよい。
また、前述の各実施形態では、第2吸引バルブ36の開タイミングを、薬液バルブ15の閉タイミングと同期させるものとして説明したが、たとえば、第2吸引バルブ36の開タイミングを、薬液バルブ15の閉タイミングよりも、所定時間(たとえば1秒間)だけ早いものとしてもよい。この場合、薬液吐出管23への薬液の供給停止時に、薬液吐出管23の先端部27A,27Bにおける吸引(第2真空発生装置35による吸引)が既に開始されているので、薬液吐出管23の先端部27A,27Bの内壁から薬液を、より確実に除去することができる。
また、薬液吐出管23から吐出される薬液として、ふっ酸やバファードふっ酸以外に、SC1(アンモニア過酸化水素水混合液)やSC2(塩酸過酸化水素水混合液)などを例示することができる。
また、かかる発明が薬液ノズル4,60,70,80,90,100だけでなく、リンス液を吐出するためのDIWノズル5に適用されていてもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
本発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を図解的に示す断面図である。 図1に示す薬液ノズルの構造を図解的に示す縦断面図である。 図1に示す基板処理装置の電気的構成を示すブロック図である。 図1に示す基板処理装置の処理例を示す工程図である。 基板処理装置の薬液処理工程を説明するためのフローチャートである。 本発明の他の実施形態(第2実施形態)に係る基板処理装置に用いられる薬液ノズルの構成を図解的に示す断面図である。 本発明のさらに他の実施形態(第3実施形態)に係る基板処理装置に用いられる薬液ノズルの構成を図解的に示す断面図である。 本発明のさらに他の実施形態(第4実施形態)に係る基板処理装置に用いられる薬液ノズルの構成を図解的に示す断面図である。 本発明のさらに他の実施形態(第5実施形態)に係る基板処理装置に用いられる薬液ノズルの構成を図解的に示す断面図である。 本発明のさらに他の実施形態(第6実施形態)に係る基板処理装置に用いられる薬液ノズルの構成を図解的に示す断面図である。 供給ノズルの従来の構成を示す図解図である。
符号の説明
4,60,70,80,90,100 薬液ノズル(処理液ノズル)
14 薬液供給管(処理液供給手段)
23 処理液吐出管
24 カバー
27A 下部領域(先端部)
27B 下端部(先端部)
29 吐出口
30 多孔質体
31 排気口(カバー内吸引手段、吸引手段)
32 第2吸引配管(カバー内吸引手段、吸引手段)
35 第2真空発生装置(カバー内吸引手段、吸引手段)
37,72 排気空間(空間)
61 雌ねじ(凹凸部)
64,77 吸引口
71 吸引管(カバー)
83 受け溝(捕獲部)
91 受け溝(捕獲部)
101 貫通孔(捕獲部)
S 空隙
W 基板

Claims (5)

  1. 先端部に形成された吐出口から基板に向けて処理液を吐出する処理液吐出管と、前記先端部の管壁を伝う処理液を捕獲する捕獲部とを備えた処理液ノズルと、
    前記処理液ノズルに処理液を供給するための処理液供給手段と、
    前記捕獲部に捕獲された処理液を、前記処理液吐出管の外部に向けて吸引する吸引手段とを含む、基板処理装置。
  2. 前記捕獲部が、前記先端部の管壁の少なくとも一部をなす多孔質体を含み、
    前記吸引手段が、前記多孔質体に捕獲された処理液を、当該多孔質体を通して吸引する手段を含む、請求項1記載の基板処理装置。
  3. 前記先端部の前記管壁と空隙を隔てて配置されて、前記先端部の周囲を被覆するカバーをさらに含み、
    前記吸引手段が、前記カバー内を吸引するカバー内吸引手段を含む、請求項1または2記載の基板処理装置。
  4. 前記吸引手段が、前記吐出口よりも基板寄りに配置され、当該吐出口に対向する吸引口を通して、前記捕獲部に捕獲された処理液を吸引する手段を含む、請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  5. 前記捕獲部が、前記先端部の内壁に凹凸状に形成された凹凸部を含む、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理装置。
JP2008167268A 2008-06-26 2008-06-26 基板処理装置 Expired - Fee Related JP5410040B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008167268A JP5410040B2 (ja) 2008-06-26 2008-06-26 基板処理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008167268A JP5410040B2 (ja) 2008-06-26 2008-06-26 基板処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010010348A true JP2010010348A (ja) 2010-01-14
JP5410040B2 JP5410040B2 (ja) 2014-02-05

Family

ID=41590494

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008167268A Expired - Fee Related JP5410040B2 (ja) 2008-06-26 2008-06-26 基板処理装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5410040B2 (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013027572A1 (ja) 2011-08-23 2013-02-28 日本電気株式会社 隆線方向抽出装置、隆線方向抽出方法、隆線方向抽出プログラム
JP2013098569A (ja) * 2011-10-31 2013-05-20 Semes Co Ltd ノズルユニット、基板処理装置、及び基板処理方法
JP2015159331A (ja) * 2010-01-22 2015-09-03 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP2016063035A (ja) * 2014-09-17 2016-04-25 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
JP2017183568A (ja) * 2016-03-31 2017-10-05 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
KR20180014329A (ko) * 2016-07-29 2018-02-08 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03262563A (ja) * 1990-03-13 1991-11-22 Tokyo Electron Ltd 塗布装置
JPH07326568A (ja) * 1994-05-30 1995-12-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 回転塗布装置
JPH0845832A (ja) * 1994-08-03 1996-02-16 Tokyo Electron Ltd 処理方法及び処理装置
JPH09155266A (ja) * 1995-12-05 1997-06-17 Hitachi Ltd 塗布装置
JPH10116775A (ja) * 1996-10-15 1998-05-06 Sony Corp 薬液処理装置
JPH11121344A (ja) * 1997-10-21 1999-04-30 Nec Yamagata Ltd スピン塗布装置
JPH11156278A (ja) * 1997-11-27 1999-06-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 処理液吐出ノズル及びそれを備えた基板処理装置
JP2005277211A (ja) * 2004-03-25 2005-10-06 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2007165661A (ja) * 2005-12-14 2007-06-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2008205059A (ja) * 2007-02-19 2008-09-04 Tokyo Electron Ltd 処理液供給装置
JP2009163938A (ja) * 2007-12-28 2009-07-23 Casio Comput Co Ltd 表示パネル製造装置及び表示パネルの製造方法

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03262563A (ja) * 1990-03-13 1991-11-22 Tokyo Electron Ltd 塗布装置
JPH07326568A (ja) * 1994-05-30 1995-12-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 回転塗布装置
JPH0845832A (ja) * 1994-08-03 1996-02-16 Tokyo Electron Ltd 処理方法及び処理装置
JPH09155266A (ja) * 1995-12-05 1997-06-17 Hitachi Ltd 塗布装置
JPH10116775A (ja) * 1996-10-15 1998-05-06 Sony Corp 薬液処理装置
JPH11121344A (ja) * 1997-10-21 1999-04-30 Nec Yamagata Ltd スピン塗布装置
JPH11156278A (ja) * 1997-11-27 1999-06-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 処理液吐出ノズル及びそれを備えた基板処理装置
JP2005277211A (ja) * 2004-03-25 2005-10-06 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2007165661A (ja) * 2005-12-14 2007-06-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2008205059A (ja) * 2007-02-19 2008-09-04 Tokyo Electron Ltd 処理液供給装置
JP2009163938A (ja) * 2007-12-28 2009-07-23 Casio Comput Co Ltd 表示パネル製造装置及び表示パネルの製造方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015159331A (ja) * 2010-01-22 2015-09-03 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP5841431B2 (ja) * 2010-01-22 2016-01-13 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
WO2013027572A1 (ja) 2011-08-23 2013-02-28 日本電気株式会社 隆線方向抽出装置、隆線方向抽出方法、隆線方向抽出プログラム
JP2013098569A (ja) * 2011-10-31 2013-05-20 Semes Co Ltd ノズルユニット、基板処理装置、及び基板処理方法
JP2016063035A (ja) * 2014-09-17 2016-04-25 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
JP2017183568A (ja) * 2016-03-31 2017-10-05 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
KR20180014329A (ko) * 2016-07-29 2018-02-08 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102037917B1 (ko) 2016-07-29 2019-10-30 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Also Published As

Publication number Publication date
JP5410040B2 (ja) 2014-02-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6229933B2 (ja) 処理カップ洗浄方法、基板処理方法および基板処理装置
KR101280768B1 (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
JP4976949B2 (ja) 基板処理装置
TWI823063B (zh) 基板洗淨裝置、基板洗淨方法及基板處理裝置
TWI489543B (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
JP5270251B2 (ja) 基板処理装置
TWI489542B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
US20150090694A1 (en) Substrate processing device and substrate processing method
JP6894264B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP5410040B2 (ja) 基板処理装置
JP5954862B2 (ja) 基板処理装置
JP6338904B2 (ja) 基板処理装置
JP6418554B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP2009135396A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2009267101A (ja) 基板処理装置
JP2009231710A (ja) 基板処理装置
JP2008060299A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP5318010B2 (ja) 基板処理装置
JP2009238793A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
TWI643257B (zh) Substrate processing method and substrate processing device
JP5016455B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2009206358A (ja) 基板処理装置
JP6555706B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP5355180B2 (ja) 基板処理装置
JP5016462B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20100630

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20101216

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110526

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20121221

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130110

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130311

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20131024

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20131106

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees