JP2010091906A - 電気光学装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】画素内で液晶の配向方向が異なる液晶装置の光配向処理を好適に実施する。
【解決手段】光源３２から照射された光をワイヤーグリッド偏光子４２に入射して、ワイ
ヤーグリッド偏光子４２から出射された直線偏光を、配向膜を有する板状部材Ｗに照射し
て光配向処理を行なう電気光学装置の製造方法であって、光源３２は長手方向を有し、ワ
イヤーグリッド偏光子４２は、長手方向に隣り合うように配置された第１の方向に延在す
るワイヤーグリッド４１を備えた第１の領域５１と第１の方向とは異なる第２の方向に延
在するワイヤーグリッド４１を備えた第２の領域５２とを有しており、ワイヤーグリッド
偏光子４２の第１の領域５１から出射された第１の偏光と、ワイヤーグリッド偏光子４２
の第２の領域５２から出射された第２の偏光とを夫々、板状部材Ｗ上の異なる領域に同時
に照射して光配向処理を行なう電気光学装置の製造方法。
【選択図】図６

Description

本発明は電気光学装置の製造方法に関する。

電気光学装置の一つとしての液晶装置は、シール材を介して貼り合わされた一対の基板
と、該一対の基板の間に封入された液晶層とを備えている。該一対の基板の液晶層側の面
には、液晶層に含有される液晶分子を所定の方向に配向させるための配向膜が形成されて
いる。かかる配向膜の配向処理方法として、近年、光配向材料に偏光を露光することによ
り配向処理を行なう光配向が注目されている（例えば特許文献１）。

かかる光配向方法の一つとして、ロングアーク型、すなわち蛍光灯型（長尺状）の光源
から照射される光を偏光子を介して配向膜に照射する方法がある（例えば特許文献２）。
配向膜が形成された基板を上述の光源の下を搬送することにより、大面積の配向膜の配向
処理を効率的に行なうことができる。

特開２００４−３４７６６８号公報 特開２００６−１２６４６４号公報

しかしながら上述の構成の装置を用いた配向方法は、搬送方向に直交する方向で異なる
方向の配向を形成する場合には不向きで有り、高い精度も望めない。したがって、近年市
場が拡大している横電界方式の半透過反射型の液晶装置のように、画素内で液晶の配向方
向が異なる液晶装置における配向処理を好適に実施できないという課題がある。

本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形
態又は適用例として実現することが可能である。

［適用例１］光源から照射された光をワイヤーグリッド偏光子に入射して、該ワイヤー
グリッド偏光子から出射された直線偏光の光を、搬送手段の搬送面に載置された配向膜を
有する板状部材に照射して光配向処理を行なう電気光学装置の製造方法であって、上記光
源は長手方向を有して光を照射するとともに、上記ワイヤーグリッド偏光子は、上記長手
方向に隣り合うように配置された第１の方向に延在するワイヤーグリッドを備えた第１の
領域と上記第１の方向とは異なる第２の方向に延在するワイヤーグリッドを備えた第２の
領域とを有しており、上記ワイヤーグリッド偏光子の上記第１の領域から出射された第１
の偏光と、上記ワイヤーグリッド偏光子の上記第２の領域から出射された上記第１の偏光
と偏光方向が異なる第２の偏光とを夫々、上記配向膜を有した上記板状部材上の異なる領
域に同時に照射して光配向処理を行なうことを特徴とする電気光学装置の製造方法。

このような製造方法であれば、画素領域内で隣り合う微細な領域毎に、互いに異なる方
向の配向を形成できる。したがって、画素領域内で液晶の配向方向が異なる液晶装置の製
造コストを低減できる。

［適用例２］上述の製造方法であって、上記ワイヤーグリッド偏光子は、上記第１の方
向に延在したワイヤーグリッドが上記第１の領域に対応して選択的に設けられた第１のワ
イヤーグリッド偏光子と、該第１のワイヤーグリッド偏光子に重ねられ、上記第２の方向
に延在したワイヤーグリッドが上記第２の領域に対応して選択的に設けられた第２のワイ
ヤーグリッド偏光子と、を有して構成されていることを特徴とする電気光学装置の製造方
法。

このような構成であれば、個々のワイヤーグリッド偏光子には同一方向のワイヤーグリ
ッドを形成すれば済む。したがって、このような製造方法であれば、画素領域内で隣り合
うより一層微細な領域毎に互いに異なる方向の配向を形成でき、表示品質の高い液晶装置
の製造コストを低減できる。

［適用例３］上述の製造方法であって、上記ワイヤーグリッド偏光子は、同一基板上に
上記第１の領域と上記第２の領域とが配置されていることを特徴とする電気光学装置の製
造方法。

このような構成であれば、ワイヤーグリッド偏光子の構成を簡略化できる。したがって
、電気光学装置の製造コストを低減できる。

［適用例４］光源から照射された光をワイヤーグリッド偏光子に入射して、該ワイヤー
グリッド偏光子から出射された直線偏光の光を変調素子を介して、搬送手段の搬送面に載
置された配向膜を有する板状部材に照射して光配向処理を行なう電気光学装置の製造方法
であって、上記光源は長手方向を有して光を照射するとともに、上記変調素子は、上記長
手方向に隣り合うように配置された複屈折性の異なる第１の領域と第２の領域とを有して
おり、上記変調素子の上記第１の領域から出射された第１の偏光と、上記変調素子の上記
第２の領域から出射された上記第１の偏光と偏光方向が異なる第２の偏光とをそれぞれ、
上記配向膜を有した上記板状部材上の異なる領域に同時に照射して光配向処理を行なうこ
とを特徴とする電気光学装置の製造方法。

このような製造方法であれば、画素領域内で隣り合う微細な領域毎に、互いに異なる方
向の配向を形成できる。したがって、画素領域内で液晶の配向方向が異なる液晶装置の製
造コストを低減できる。

［適用例５］上述の電気光学装置の製造方法であって、上記変調素子は、上記第１の領
域が光学的に等方性を有し、上記第２の領域が複屈折性を有する位相変調素子であり、上
記ワイヤーグリッド偏光子を透過した偏光を、上記第１の領域において偏光方向を変えず
に上記第１の偏光として出射し、上記第２の領域において偏光方向を変えて上記第２の偏
光として出射することを特徴とする電気光学装置の製造方法。

かかる変調素子であれば、電気的な制御を行なわずに偏光方向を変化させることができ
る。したがって、このような製造方法であれば、画素領域内で隣り合う微細な領域毎に液
晶の配向方向が異なる液晶装置の製造コストをより一層低減できる。

［適用例６］上述の電気光学装置の製造方法であって、上記複屈折性を有する領域は重
合性液晶を硬化させることにより形成されていることを特徴とする電気光学装置の製造方
法。

重合性液晶をサーマルパターニングすると、複屈折性を有する領域と光学的等方性を有
する領域とを微細なピッチで形成できる。したがって、このような製造方法であれば、画
素領域内で隣り合うより一層微細な領域毎に互いに異なる方向の配向を形成でき、表示品
質の高い液晶装置の製造コストを低減できる。

［適用例７］上述の電気光学装置の製造方法であって、上記変調素子は、第１の基板と
、上記第１の基板とシール材を介して貼り合わされた第２の基板と、上記第１の基板と上
記第２の基板との間で上記シール材によって囲まれた領域内に充填された液晶層と、上記
液晶層に電圧を印加する電極と、を備える液晶素子であり、上記液晶層の配向状態を上記
長手方向に隣り合う領域毎に変化させることにより、偏光方向の異なる偏光をそれぞれ、
上記配向膜を有した上記板状部材上の異なる領域に同時に照射して光配向処理を行なうこ
とを特徴とする電気光学装置の製造方法。

このような構成の変調素子としての液晶素子であれば、上述の電圧を印加する電極の選
択により、上述の偏光方向を容易に変更できる。したがって、多品種の液晶装置の配向処
理を同一の変調素子を用いて実施でき、製造コストをより一層低減できる。

以下、図面を参照し、液晶装置、及び液晶装置の製造方法について説明する。なお、以
下に示す各図においては、各構成要素を図面上で認識され得る程度の大きさとするため、
各構成要素の寸法や比率を実際のものとは適宜に異ならせてある。

（第１の実施形態）
図１は、本実施形態の製造方法の対象である液晶装置の構成を模式的に示す図である。
図１（ａ）は液晶装置１の斜視図、図１（ｂ）は図１（ａ）中のＡ−Ａ’線における断面
図である。液晶装置１は横電界方式の一つであるＦＦＳ（Fringe-Field Switching）方式
の半透過反射型液晶装置であり、枠状のシール材１４を介して対向して貼り合わされた素
子基板１０及び対向基板１１を有している。上記双方の基板は透明性が必要であり、ガラ
スあるいは石英等で形成されている。

素子基板１０、対向基板１１、シール材１４によって囲まれた空間には、液晶層５５が
封入されている。素子基板１０の液晶層５５とは反対側の面には、第１の偏光板４７が配
置されており、対向基板１１の液晶層５５とは反対側の面には、第２の偏光板４８が配置
されている。素子基板１０は、対向基板１１より大きく、一部が対向基板１１に対して張
り出した状態で貼り合わされている。この張り出した部分には、液晶層５５を駆動するた
めのドライバＩＣ１５が実装されている。

素子基板１０の液晶層５５側の面には第１の配向膜５７ａが形成されており、対向基板
１１の液晶層５５側の面には第２の配向膜５７ｂが形成されている。したがって、液晶層
５５は上述の一対の配向膜で挟持されており、かかる配向膜により初期配向状態が規定さ
れている。画像形成領域１００には後述する画素２６（図３等参照）が規則的に形成され
ている。なお、画素２６とは、光を射出する領域を示す平面的な概念と、後述する画素電
極等の構成要素を含む機能的な概念の双方の意味を有している。

液晶装置１はアクティブマトリクス型の液晶装置であり、各々の画素がスイッチング素
子としてＴＦＴ（薄膜トランジスタ）２０（図３等参照）で駆動され、該画素部の液晶の
配向状態が変化することで、画像形成領域１００に画像が形成される。本実施形態にかか
る製造方法は、上述の一対の配向膜の形成工程、すなわち光配向材料からなる薄膜に直線
偏光の紫外線を照射することにより、該偏光の振動方向に沿った配向規制力を付与する工
程に関するものである。

図２は、液晶装置１の回路構成図である。液晶装置１の画像形成領域１００に規則的に
配置された複数の画素２６の各々には、画素電極２１と共通電極２２と画素電極２１をス
イッチング制御するためのＴＦＴ２０とが形成されている。共通電極２２は走査線駆動回
路１１２から延在する共通線１０６と電気的に接続されており、全ての画素２６間で、す
なわち画像形成領域１００の全域で共通の電位に保持されている。なお、画素２６に付記
されているアルファベットは、各々の画素が備える、後述するカラーフィルタの色である
。

データ線駆動回路１１４から延在するデータ線１０４がＴＦＴ２０のソース電極と電気
的に接続されている。ここで、データ線１０４の延在方向をＹ方向と定義する。データ線
駆動回路１１４は、画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを、データ線１０４を介して各画素２
６に供給する。

ＴＦＴ２０のゲート電極には、走査線駆動回路１１２から延在する走査線１０２が電気
的に接続されている。ここで、走査線１０２の延在方向をＸ方向と定義する。走査線駆動
回路１１２からは、所定のタイミングで走査線１０２にパルス的に供給される走査信号Ｇ
１、Ｇ２、…、Ｇｍが、この順に線順次でＴＦＴ２０のゲート電極に印加される。画素電
極２１は、ＴＦＴ２０のドレイン電極に電気的に接続されている。スイッチング素子であ
るＴＦＴ２０が走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍの入力により一定期間だけオン状態とされ
ることで、データ線１０４から供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが所定のタイミ
ングで画素電極２１に書き込まれるようになっている。画素電極２１を介して液晶に書き
込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、画素電極２１と液晶層５５（図
１（ｂ）参照）を介して対向する共通電極２２との間で一定期間保持される。

図３は、本実施形態の液晶装置１の素子基板１０の液晶層５５側の面上の構成を模式的
に示す図である。図示するように、各々の画素２６は、梯子状の平面形状（平面視での形
状）を有する画素電極２１と、該画素電極２１に平面視で略重なる位置に形成された略矩
形状の共通電極２２とを備えている。そして画素電極２１は、ＴＦＴ２０とコンタクトホ
ール２０ｃを介して接続している。上記双方の電極は互いに略直交するように形成された
走査線１０２とデータ線１０４とで形成される略矩形の枠内に平面視で重なるように形成
されており、図示しない層間絶縁層で電気的に絶縁されている。

ＴＦＴ２０は、走査線１０２とデータ線１０４との交差部近傍に形成されており、デー
タ線１０４及び画素電極２１と電気的に接続されている。上述したように走査線１０２の
延在方向がＸ方向であり、データ線１０４の延在方向がＹ方向である。

上記双方の電極が重なり合う領域が、透過光又は反射光を射出する画素領域である。そ
して、各々の画素領域の対向基板１１側にはなお、画素２６に付記されているアルファベ
ットの色（Ｂ＝青色、Ｇ＝緑色、Ｒ＝赤色）に対応するカラーフィルタ（不図示）と各々
のカラーフィルタ間を遮光する遮光層（不図示）とが形成されている。図示するように、
各々の画素領域は走査線１０２と平行な分割線により反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔと
に分割されている。透過表示領域Ｔは図示しないバックライトから照射される光を透過さ
せて画像を形成する領域であり、反射表示領域Ｒは外光を反射させて画像を形成する領域
である。

なお、上述の透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒとは、本来は画素領域毎に定められる領
域であるが、本明細書では走査線１０２の延在方向に連なる（すなわち遮光層の形成領域
も含む）帯状の領域として定義する。理由は、後述するように、本実施形態の製造方法は
、上記双方の表示領域に異なる方向に配向された配向膜を形成する方法にかかるものであ
り、上述の一対の配向膜は遮光層とも重なるように少なくとも画像形成領域１００の全域
に形成されており、光配向処理は走査線１０２の延在方向に沿って連続的に行なわれるた
めである。

画素電極２１はＩＴＯ（酸化インジウム・錫合金）等の透明導電材料からなり、スリッ
ト２３と該スリット間の領域である帯状部２４とを有している。該帯状部と共通電極２２
との間に形成される電界により液晶層５５に含有される液晶分子の配向方向を制御する。

共通電極２２は、ＩＴＯ等の透明導電材料からなり透過表示領域Ｔに対応する透明共通
電極２２ｔと、アルミニウムや銀などの光反射性を有する金属材料からなり反射表示領域
Ｒに対応する反射共通電極２２ｒと、からなる。透明共通電極２２ｔと反射共通電極２２
ｒとは、互いの端部において電気的に接続されている。本実施形態では、反射共通電極２
２ｒは、走査線１０２と平行に延びる共通線１０６と一体に形成されている。したがって
、透明共通電極２２ｔと反射共通電極２２ｒとからなる共通電極２２は、共通線１０６と
電気的に接続されている。

透過表示領域Ｔにおける配向膜（上記の一対の配向膜）の配向方向（配向規制方向）は
走査線１０２の延在方向と同一方向（０度）から７度までの角度を有する方向である。以
下の記載では、該延在方向と同一（０度）の角度として説明する。したがって、非印加時
（画素電極２１と共通電極２２との間に電圧が印加されていない状態）において、該領域
の液晶分子ＬＣｔは走査線１０２と略平行の方向に配向されている。一方、反射表示領域
Ｒにおける配向膜の配向方向は走査線１０２の延在方向に対して反時計回りに略４５度の
角度を有する方向である。該角度も所定の幅を有する値であるが、以下の記載では、４５
度として説明する。したがって、非印加時において、該領域の液晶分子ＬＣｒは走査線１
０２に対して４５度の方向に配向されている。

上記一対の電極間に電圧が印加されている状態であれば、液晶分子ＬＣ（ＬＣｒ及びＬ
Ｃｔ）は印加電圧の大きさに合わせて回転する。そして、画素２６毎に該回転の角度に応
じた比率で透過光又は反射光を射出することにより画像形成領域１００に画像を形成する
。なお、上述したように液晶装置１は横電界方式の液晶装置であり、上記双方の領域にお
ける第１の配向膜５７ａの配向方向と第２の配向膜５７ｂの配向方向とは同一である。

図４は、基板上における２種類の表示領域の配置を示す図である。図４（ａ）は、素子
基板１０及び対向基板１１の画像形成領域１００における画素２６の配置を示す図である
。図示するように、素子基板１０及び対向基板１１の画像形成領域１００には画素２６（
Ｒ，Ｇ，Ｂ）が規則的に形成されている。そして、各々の画素２６は、Ｙ方向に隣り合う
透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒとを有している。したがって、画像形成領域１００には
、Ｙ方向に隣り合う透過表示領域Ｔと反射表示領域ＲとがＸ方向に、帯状に延在する。

図４（ｂ）は、液晶装置１を製造する際に用いられる、板状部材としてのマザー基板Ｗ
を示す図である。かかるマザー基板Ｗは、上述の素子基板１０又は対向基板１１の集合体
である。液晶装置１は、素子基板１０と対向基板１１とが、かかる大面積の基板（マザー
基板Ｗ）上に別途形成され、シール材１４を介して貼り合わされた後に切り分けられて、
個々の液晶装置１となる。したがって、上述の一対の配向膜の光配向処理は、かかるマザ
ー基板Ｗの全体に形成した配向膜に対して一括で行なわれる。なお、光配向処理がなされ
る前の膜は、本来は配向膜ではないが、以下の記載においては該光配向処理がなされる前
の高分子材料からなる膜も配向膜と呼称する。

具体的には、Ｘ方向に延在する長尺状の光源を用いて、透過表示領域Ｔに対する走査線
の延在方向（Ｘ方向）と略平行に振動する紫外線の照射と、反射表示領域Ｒに対する走査
線の延在方向に対して略４５度の方向に振動する紫外線の照射と、を同時に行ない、画素
２６のＹ方向の長さ（数μｍ乃至数百μｍ）の略半分の幅でＹ方向に延在する互いに配向
方向が異なる２種類の配向領域を同時に形成する。
なお、図３のＹ方向において互いに隣り合う画素２６の間の領域は、配向を付与する必
要はないが、本明細書では、かかる領域にも配向を付与するものとして記載している。

図５は、本実施形態、及び後述する第２〜第４の実施形態に共通する、光配向処理方法
を示す図であり、長尺状の光源３２の長手方向３３（図６参照）から見た模式断面図であ
る。また、かかる光配向処理方法に用いる装置を示す図でもある。図６は、本実施形態に
かかる電気光学装置の製造方法としての光配向処理方法を模試的に示す斜視図である。光
源３２と集光鏡３６と光源３２から照射される照射光３９とワイヤーグリッド偏光子４２
と集光レンズ３４とマザー基板Ｗとを図示し、搬送手段３８（図５参照）は図示を省略し
ている。以下、上記双方の図を用いて説明する。

図５、及び図６に示すように、本実施形態の光配向処理方法に用いる装置は、光源３２
と、集光鏡３６と、ワイヤーグリッド偏光子４２と、集光レンズ３４と、搬送手段３８と
、を備えている。光源３２は、光配向処理を行なうための紫外線を照射する光源であり、
図６に示すように、長尺状、すなわち中心軸を有する棒状の形状を有している。かかる中
心軸の方向が長手方向３３である。図示するように、長手方向はＹ方向と略同一である。
なお、かかる「長手方向」は、ワイヤーグリッド偏光子４２等の他の構成要素にも適用さ
れる概念である。集光鏡３６は、少なくとも光源３２と同等の長さ（長手方向の寸法）を
有する長尺状の形状である。光源３２の搬送手段３８側の反対側を覆う様に位置しており
、光源３２から周囲に照射された光の多くを、ワイヤーグリッド偏光子４２の方向に反射
させて集光している。

光源３２と集光鏡３６とは、光源３２の中心軸が集光鏡３６の第１焦点と略一致するよ
うな位置関係を有している。光源３２から照射される光を集光鏡３６で集めて、ワイヤー
グリッド偏光子４２により直線偏光とした後、集光レンズ３４で集光して搬送手段３８で
搬送されるマザー基板Ｗに照射している。集光レンズ３４は必須のものではなく、マザー
基板Ｗを集光鏡３６の第２焦点に位置させて照射することも可能である。しかし、かかる
方式は装置の大型化につながるため、集光レンズ３４を用いることが好ましい。なお、集
光鏡３６は長尺状であるため、焦点も長手方向に連続する直線状となっているが、長手方
向に垂直な断面図では「点］で図示できるため、以下の記載においても「焦点」と表記す
る。

集光レンズ３４は、光源３２と搬送手段３８との間に位置する長尺状の平凸レンズであ
る。ワイヤーグリッド偏光子を透過した直線偏光を、Ｘ方向にのみ絞って、マザー基板Ｗ
上における、Ｙ方向の延在し（Ｘ方向の）幅が狭い領域に照射できる。なお、集光レンズ
の態様は平凸レンズに限定されるものではなく、両凸レンズ等を用いることもできる。

搬送手段３８は、板状部材としてのマザー基板Ｗを該マザー基板が有する配向膜を光源
３２側にして、矢印で示す搬送方向すなわちＸ方向に任意の速度で搬送する機能を有して
いる。上述したように光源３２等は中心軸を有する長尺状であり、各々の中心軸は互いに
平行で，かつＹ方向に沿っている。搬送手段３８は、搬送面すなわち搬送されるマザー基
板Ｗの基板面が上述の中心軸に平行になるように設定されている。

ワイヤーグリッド偏光子４２は長尺状であり、光源３２と集光レンズ３４との間に、（
該ワイヤーグリッド偏光子の）中心軸が光源３２等の中心軸と平行になるように位置して
いる。そして、光源から照射された自然光（振動方向がランダムに分布している光）であ
る照射光３９を、所定の方向に振動する直線偏光に変える機能を果たしている。なお、以
下の記載において、照射光３９は、ワイヤーグリッド偏光子４２を透過する前の自然光と
ワイヤーグリッド偏光子４２を透過後の直線偏光の双方を含んでいる。

ワイヤーグリッド偏光子４２は、図示するように、矩形の領域である第１の領域５１と
第２の領域５２とが長手方向に交互に隣接している。ここで「隣接している」とは、互い
に重ならず、かつ、隙間を空けることなく並んでいるということである。第１の領域５１
は、マザー基板Ｗの透過表示領域Ｔ（図４参照）に対応する領域である。第２の領域５２
は、マザー基板Ｗの反射表示領域Ｒ（図４参照）に対応する領域である。

かかる第１の領域５１と第２の領域５２とは、互いに異なる振動方向を有する第１の偏
光（第１の直線偏光）と第２の偏光（第２の直線偏光）とを同時に形成できる。したがっ
て、本実施形態にかかる電気光学装置の製造方法によれば、かかるワイヤーグリッド偏光
子４２を用いることにより、マザー基板Ｗが有する配向膜に領域毎に異なる方向の光配向
処理を同時に行なうことができる。具体的には、透過表示領域Ｔに必要な走査線１０２の
延在方向すなわちＸ方向の配向処理と、反射表示領域Ｒに必要な走査線１０２の延在方向
すなわちＸ方向に対して４５度の方向の配向処理と、を同時に行なうことができる。

ここで、ワイヤーグリッド偏光子４２の構成について説明する。図７は、一般的なワイ
ヤーグリッド偏光子の構成を示す図である。図７（ａ）はワイヤーグリッド偏光子の模式
斜視図、図７（ｂ）はワイヤーグリッド偏光子の、ワイヤーグリッドの延在方向に垂直な
面における断面図である。

ワイヤーグリッド偏光子４２は、ガラスあるいは石英等からなる透明基板５３と該透明
基板上に所定のピッチをもって略平行に配列された幅及び高さが共通の金属体（金属細線
）からなる。以下の記載において、かかる金属体をワイヤーグリッド４１と称する。ワイ
ヤーグリッド４１は透明基板５３上に形成された金属膜を干渉露光を用いたフォトリソグ
ラフィー法により形成される。各ワイヤーグリッド４１のピッチは、照射される光の波長
以下、望ましくは１／３以下が好ましい。ワイヤーグリッド４１の形成材料は、反射率の
高いＡｌ（アルミニウム）やＡｇ（銀）が好ましい。

かかる構造のワイヤーグリッド偏光子４２は、上方から照射される光、すなわちワイヤ
ーグリッド４１から透明基板５３の方向に進む光を偏光分離する性質を有している。具体
的には、波長が上述のピッチ、幅、及び高さよりも小さい光が本図における上方から照射
された場合、上記光を構成する振動成分のうち、ワイヤーグリッド４１の長手方向（延在
する方向）と平行する偏光成分を反射し、金属体の長手方向と直交する偏光成分を透過さ
せる性質を有している。したがって自然光を直線偏光にすることができる。

図８は、本実施形態で用いられるワイヤーグリッド偏光子４２を示す図である。図８（
ａ）はワイヤーグリッド偏光子４２を構成する第１のワイヤーグリッド偏光子４２ａと第
２のワイヤーグリッド偏光子４２ｂとの模式平面図、図８（ｂ）はワイヤーグリッド偏光
子４２の模式斜視図、図８（ｃ）はワイヤーグリッド偏光子４２のＹＺ面における模式断
面図である。

図８（ｂ）に示すように、ワイヤーグリッド偏光子４２は、２つのワイヤーグリッド偏
光子、すなわち第１のワイヤーグリッド偏光子４２ａと第２のワイヤーグリッド偏光子４
２ｂとを、若干の間隔を有するように重ねて形成されている。なお、以下の記載において
、ワイヤーグリッド偏光子４２は、上記２つのワイヤーグリッド偏光子（ａ，ｂ）の総称
としても用いる。

図８（ａ）に示すように、第１のワイヤーグリッド偏光子４２ａは、透明基板５３上の
第１の領域５１にＹ方向（すなわち走査線１０２に直交する方向）に延在するワイヤーグ
リッド４１を備えている。そして、第２のワイヤーグリッド偏光子４２ｂは、透明基板５
３上の第２の領域５２にＹ方向に対して反時計回りに略４５度の方向に延在するワイヤー
グリッド４１を備えている。上記Ｙ方向が第１の方向であり、該Ｙ方向に対して反時計回
りに略４５度の方向が第２の方向である。

上述したように、第１の領域５１は透過表示領域ＴにＹ方向において対応する領域であ
り、第２の領域５２は反射表示領域ＲにＹ方向において対応する領域である。そして、図
８（ｃ）に示すように、第１の領域５１と第２の領域５２とは、平面視でワイヤーグリッ
ド偏光子４２の長手方向に交互に、かつ相補的に形成されている。したがって、第１のワ
イヤーグリッド偏光子４２ａと第２のワイヤーグリッド偏光子４２ｂとを重ねた場合、第
１の領域５１と第２の領域５２とは、平面視で互いに重ならず、かつ間隔を有しないよう
に配置される。

かかる配置により、ワイヤーグリッド偏光子４２に照射された照射光３９は、図示する
ように第１の領域５１と第２の領域５２のいずれかの領域を透過する。すなわち、第１の
ワイヤーグリッド偏光子４２ａと第２のワイヤーグリッド偏光子４２ｂとのいずれか備え
るワイヤーグリッド４１を透過する。そして、上述のいずれかの領域に形成されているワ
イヤーグリッド４１の延在方向に直交する方向に振動する直線偏光となって、マザー基板
Ｗに照射される。具体的には、第１のワイヤーグリッド偏光子４２ａが備えるワイヤーグ
リッド４１を透過した照射光３９は、Ｘ方向に振動する第１の直線偏光となり、第２のワ
イヤーグリッド偏光子４２ｂが備えるワイヤーグリッド４１を透過した照射光３９は、Ｘ
方向に対して４５度の方向に振動する第２の直線偏光となって、夫々が同時にマザー基板
Ｗに照射される。

図６の集光レンズ３４に示す矢印の方向が、上述の振動方向である。該振動方向は、図
３に示す透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒとにおける、液晶分子ＬＣの初期配向の方向と
一致している。したがって、光源３２（図５参照）から紫外線を照射しつつマザー基板Ｗ
を（矢印の方向に）搬送すると、マザー基板Ｗにマトリクス状に配置されている個々の基
板（素子基板１０若しくは対向基板１１）が有する個々の画素２６の透過表示領域Ｔにお
ける配向膜（第１の配向膜５７ａ若しくは第２の配向膜５７ｂ）には走査線１０２の延在
方向の光配向処理が行なわれ、反射表示領域Ｒにおける該配向膜には走査線１０２の延在
方向に対して反時計回りに略４５度の方向の光配向処理が、同時に行なわれる。したがっ
て、本実施形態にかかる製造方法によれば、画素２６内の透過表示領域Ｔと反射表示領域
Ｒとで異なる方向に配向された配向膜５７を有する液晶装置を得ることができる。

上述したように、一般的な液晶装置の画素の寸法は数μｍから数１００μｍである。し
たがって、ラビング法を用いた場合、画素２６内で異なる方向に配向された配向膜５７を
有する液晶装置を得ることは困難である。本実施形態の液晶装置の製造方法によれば、振
動方向が長手方向で微細なピッチで入れ替わる光（紫外線）を同時に照射できるため、上
述の液晶装置、すなわち半透過反射型であり、透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒとで配向
方向が異なる配向膜を有する液晶装置を、製造コストの増加を抑制しつつ得ることができ
る。

また、本実施形態の製造方法はワイヤーグリッド偏光子４２を２つのワイヤーグリッド
偏光子４２（ａ，ｂ）を重ねて形成している点も、微細な振動方向が微細なピッチで入れ
替わる光を照射することに寄与している。上述したようにワイヤーグリッド４１は干渉露
光を用いて形成されているため、延在方向が交差する２以上のワイヤーグリッド４１を同
一の基板上に形成するためには（該偏光子の）製造コストを増加させ得る。本実施形態で
用いたワイヤーグリッド偏光子４２は、個々の透明基板５３上形成されたワイヤーグリッ
ド４１が交差していないため、一般的なワイヤーグリッド偏光子の製造方法をそのまま適
用でき、その点でも好適である。
なお、ワイヤーグリッド偏光子４２を構成する２つのワイヤーグリッド偏光子４２（ａ
，ｂ）は、（間隔を空けないように）積層してもよく、間隔を空けて配置してもよい。

（第２の実施形態）
続いて第２の実施形態について説明する。図９は、第２の実施形態にかかる製造方法で
用いるワイヤーグリッド偏光子４２を模式的に示す図である。本実施形態にかかる製造方
法の対象である液晶装置は、図１〜図３に示す液晶装置１と同一である。そして、第１の
実施形態と同様に、図４に示すマザー基板Ｗに対して偏光を照射する。また、用いる偏光
の照射に用いる装置も図５に示す装置と略同一であり、図６に示すようにマザー基板Ｗを
搬送して光配向処理を行なう。異なる点はワイヤーグリッド偏光子４２のみである。そこ
で、本実施形態の製造方法については、ワイヤーグリッド偏光子４２を示す図９のみを用
いて説明する。

図９は、第２の実施形態にかかる製造方法で用いるワイヤーグリッド偏光子４２を示す
図である。図９（ａ）は平面図、図９（ｂ）は図９（ａ）のＢ−Ｂ’線での断面図である
。図９（ａ）に示すように本実施形態にかかるワイヤーグリッド偏光子４２は、単一の透
明基板５３上に互いに延在方向の異なるワイヤーグリッド４１が形成されている。透明基
板５３のＹ方向、すなわち光配向処理時に走査線１０２の延在方向と直交する方向に交互
に区画された第１の領域５１と第２の領域５２の夫々にワイヤーグリッド４１が形成され
ている。ここで「交互」とは、第１の実施形態における第１の領域５１及び第２の領域５
２と同様に、互いに重ならず、かつ間隔を有しないように配置されていると言うことであ
る。したがって、光源３２（図５参照）により本実施形態にかかるワイヤーグリッド偏光
子４２に照射された照射光３９（図５参照）は、第１の領域５１と第２の領域５２のいず
れかの領域を透過する。

ここで、ワイヤーグリッド偏光子４２が有するワイヤーグリッド４１の延在方向は、上
述の第１の実施形態のワイヤーグリッド偏光子４２と同様である。すなわち、第１の領域
５１に形成されたワイヤーグリッド４１の延在方向はＹ方向（すなわち走査線１０２に直
交する方向）であり第２の領域５２に形成されたワイヤーグリッド４１の延在方向はＹ方
向に対して反時計回りに略４５度の方向である。したがって、第１の領域５１を透過した
照射光３９はＸ方向に振動する第１の直線偏光となり、第２の領域５２を透過した照射光
３９は、Ｘ方向に対して４５度の方向に振動する第２の直線偏光となって、夫々が同時に
マザー基板Ｗに照射される。

その結果、第１の実施形態にかかるワイヤーグリッド偏光子４２を用いた場合と同様に
、画素２６の透過表示領域Ｔにおける配向膜に対する走査線１０２の延在方向の光配向処
理と、反射表示領域Ｒにおける該配向膜にに対する走査線１０２の延在方向に対して反時
計回りに略４５度の方向の光配向処理とが、夫々同時に行われる。したがって、本実施形
態にかかる製造方法によれば、画素２６内の透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒとで異なる
方向に配向された配向膜５７を有する液晶装置を得ることができる。

（第３の実施形態）
続いて第３の実施形態について、図１０〜図１２を用いて説明する。図１０は、第１の
実施形態で用いた図６に相当する図であり、本実施形態、及び後述する第４の実施形態に
かかる光配向処理方法を模試的に示す斜視図である。図６と同様に、光源３２と集光鏡３
６と光源３２から照射される照射光３９とワイヤーグリッド偏光子４２と集光レンズ３４
とマザー基板Ｗとを図示している。なお、搬送手段は図示を省略しているが、図５に示す
搬送手段３８と同様の搬送手段、すなわちマザー基板ＷをＸ方向に搬送可能な搬送手段が
備えられている。
なお、本実施形態にかかる製造方法の対象である液晶装置は、図１〜図３に示す液晶装
置１と同一である。かかる液晶装置１の素子基板１０と対向基板１１とは、夫々マザー基
板Ｗ上にマトリクス状に形成される点も、第１の実施形態と同様である。

図１０に示すように、光源３２及び集光鏡３６等の構成も、第１の実施形態にかかる光
配向処理方法と類似している。すなわち、光源３２はＹ方向と略一致する長手方向３３を
有する長尺状であり、同じく長尺状の集光鏡３６の焦点（実際には、焦点がＹ方向に連続
する線）に位置している。光源３２から射出された照射光３９は集光鏡３６でマザー基板
Ｗの方向に集められた後、後述する光学素子４０により振動方向が異なる２種類の直線偏
光とされ、さらに集光レンズ３４によりＸ方向に絞られる。そして、マザー基板Ｗ上のＹ
方向に延在しＸ方向の幅が狭い領域に照射される。第１の実施形態にかかる光配向処理方
法と異なる点は、マザー基板Ｗの透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒとの領域毎に異なる直
線偏光を形成する手段である。本実施形態にかかる製造方法では、かかる領域毎に異なる
直線偏光を、ワイヤーグリッド偏光子４２と変調素子としての位相変調素子４５とを組み
合わせた光学素子４０により得ている。図１１に、かかる光学素子４０の構成を模式的に
示す。

図１１（ａ）は本実施形態におけるワイヤーグリッド偏光子４２の模式平面図であり、
図１１（ｂ）は位相変調素子４５の模式平面図であり、図１１（ｃ）は図１１（ａ）のＣ
−Ｃ’線における光学素子４０の模式断面図である。図１１（ｃ）に示すように、本実施
形態で用いられる光学素子４０は、ワイヤーグリッド偏光子４２と変調素子としての位相
変調素子４５とを組み合わせたものである。図１１ではワイヤーグリッド偏光子４２と位
相変調素子４５とが積層されるように図示しているが、図１０に示すように間隔を空けて
配置することもできる。ただし、ワイヤーグリッド偏光子４２が光源３２側に位置してい
る必要がある。

本実施形態で用いられるワイヤーグリッド偏光子４２は、上述の第２の実施形態で用い
られるワイヤーグリッド偏光子４２と同様の構成であり、透明基板５３と該透明基板上に
形成されたワイヤーグリッド４１とで構成されている。ただしワイヤーグリッド４１の延
在方向はＹ方向のみである。したがって、本実施形態のワイヤーグリッド偏光子４２は単
一の直線偏光のみを形成している。本実施形態にかかる光学素子４０は、かかる単一の直
線偏光を位相変調素子４５により第１の領域５１と第２の領域５２（図１１（ｂ）参照）
毎に異なる方向の直線偏光にしている。

図１１（ｂ）に示すように、位相変調素子４５は、平面視で、複屈折性を有する領域（
以下、「複屈折性領域」と称する。）６１と光学的に等方性を有する領域（以下、「等方
性領域」と称する。）６２とがＹ方向に隣り合う構成を有しているここで、複屈折性領域
６１は上述の第２の領域５２に対応する領域であり、等方性領域６２は上述の第１の領域
５１に対応する領域である。

図１１（ｃ）に示すように、位相変調素子４５は、シール材１４を介して対向配置され
た一対の透明基板５３と該一対の透明基板間に充填された重合性液晶層（重合性液晶材料
を紫外線等で硬化させて配向状態を固定化した層）５６とを備えている。透明基板５３と
重合性液晶層５６との間には配向膜（不図示）が形成されている。該（一対の）配向膜の
配向方向は同一である。そして、該重合性液晶層は、複屈折性領域６１においては所定の
方向に配向された状態で硬化されて複屈折性層６３となっており、等方性領域６２におい
ては、ランダムに配向された状態で硬化されて等方性層６４となっている。

かかる重合性液晶層の領域毎の配向は、サーマルパターニングによって形成されている
。上記一対の透明基板５３間に重合性液晶材料を充填すると、該液晶材料は上記一対の配
向膜の配向方向に沿って配向される。かかる状態で、複屈折性領域６１のみに選択的に紫
外線を照射すると、該領域の重合性液晶材料は上記一対の配向膜により付与された配向状
態を保ちつつ硬化されて複屈折性層６３となる。次に、充填された重合性液晶材料を加熱
する。すると上記一対の配向膜の配向規制力にもかかわらず、未硬化状態である等方性領
域６２の重合性液晶材料はランダムな配向となる。かかる状態を保ちつつ再度紫外線を照
射すると、該等方性領域に等方性層６４が形成される。かかる複屈折性層６３と等方性層
６４とにより、位相変調素子４５は該２つ（２種類）の領域で、互いに異なる方向に振動
する直線偏光を生成できる。

図１２は、かかる複屈折性層６３の配向方向と、該配向で得られる直線偏光の振動方向
等を示す図である。図１２において図示する４方向は、ワイヤーグリッド４１の延在方向
（すなわちＹ方向）８１と、位相変調素子４５に照射される第１の直線偏光の振動方向８
２と、複屈折性層６３における重合性液晶層５６の配向方向８３と、複屈折性領域６１に
形成されている複屈折性層６３（図１１）参照において生成される第２の直線偏光の振動
方向８４、である。

上述したようにワイヤーグリッド４１の延在方向８１はＹ方向であるため、位相変調素
子４５に照射される直線偏光の振動方向８２はＸ方向となる。重合性液晶層５６の配向方
向８３は、Ｘ方向に対して２２．５度すなわちワイヤーグリッド４１の延在方向に対して
６７．５度傾いている。ここで、重合性液晶層５６の配向方向８３は、重合性液晶層５６
を挟持する上述の一対の配向膜の配向方向でもある。

複屈折性層６３における重合性液晶層５６の層厚は、複屈折値Δｎ・ｄがλ／２となる
ように設定されている。したがって、複屈折性層６３において生成される第２の直線偏光
の振動方向８４は、位相変調素子４５に照射される直線偏光の振動方向８２に対して４５
度の角度を有する方向となる。

上述したように、複屈折性層６３が形成されている複屈折性領域６１は、光学素子４０
の第２の領域５２に対応する領域であり、該第２の領域は、図４に示す反射表示領域Ｒに
対応する領域である。したがって、本実施形態にかかる光学素子４０を用いると、マザー
基板Ｗ（図４参照）の反射表示領域Ｒに、Ｘ方向すなわち走査線１０２の延在方向に対し
て反時計回りに４５度の角度を有する配向を形成できる。

一方、等方性層６４が形成されている等方性領域６２は、上述したように光学素子４０
の第１の領域５１に対応する領域であり、該第１の領域は、図４に示す透過表示領域Ｔに
対応する領域である。また、等方性層６４に照射された光は、振動方向を初期の状態、す
なわちＸ方向に保ったままで、該等方性層を透過する。したがって、等方性領域６２にお
いて生成される第１の直線偏光は、Ｘ方向となる。

上述したように、等方性性層６４が形成されている等方性性領域６２は、光学素子４０
の第１の領域５１に対応する領域であり、該第１の領域は、図４に示す透過表示領域Ｔに
対応する領域である。したがって、本実施形態にかかる光学素子４０を用いると、マザー
基板Ｗ（図４参照）の透過表示領域Ｔに、Ｘ方向すなわち走査線１０２の延在方向の配向
を形成できる。

上述したように、マザー基板Ｗは、個々の液晶装置が備える一対の基板（素子基板１０
又は対向基板１１）の夫々の集合体である。したがって、本実施形態にかかる光学素子４
０を用いて、図１０に示すようにマザー基板Ｗに形成された配向膜５７に光配向処理を行
なうと、該配向膜のＹ方向に微細（数μｍ〜数百μｍ）なピッチで設定された、帯状の透
過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒの双方に夫々必要とされる方向の配向を、同時に形成でき
る。

本実施形態にかかる製造方法で用いる光学素子４０は、第１及び第２の実施形態で用い
られるワイヤーグリッド偏光子４２のみで構成された光学素子４０と同様の機能を有する
ものである。そして、微細なピッチで区画される領域毎で異なる方向の配向処理を実施で
きる点で共通している。しかし、ワイヤーグリッド４１の延在方向が単一であるため、ワ
イヤーグリッド偏光子４２の形成が容易であるという利点を有している。
位相変調素子４５は通常のフォトリソグラフィー法を用いて形成できるため、微細なパ
ターニングを容易に行なえる。したがって、本実施形態にかかる製造方法によれば、半透
過反射型の液晶装置のように画素内に異なる方向の配向処理が必要な液晶装置を製造する
にあたって、より一層高精細な液晶装置を製造できる。

（第４の実施形態）
続いて第４の実施形態について説明する。
本実施形態にかかる製造方法の対象である液晶装置は、（第３の実施形態にかかる製造
方法と同様に、）図１〜図３に示す液晶装置１と同一である。また、本実施形態にかかる
光配向処理方法は、図１０に示す第３の実施形態にかかる光配向処理方法と略同一である
。すなわち、光源３２、集光レンズ３４、集光鏡３６等の構成，及び配置の態様も、図１
０に示す第３の実施形態にかかる光配向処理方法と類似している。

本実施形態にかかる製造方法は、かかる構成により、光源３２から射出される照射光３
９を光学素子４０により互いに振動方向が異なる２種類の直線偏光としている。そして、
Ｙ方向（走査線１０２の延在方向に直交する方向）に隣り合う領域マザー基板Ｗ上の２つ
の領域、すなわち透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒとで（図４参照）、夫々の直線偏光を
照射している。第３の実施形態にかかる光配向処理方法と異なる点は、光学素子４０の構
成のみである。（各符号については図６参照）そこで、本実施形態の電気光学装置の製造
方法については、光学素子４０についてのみ、説明する。

図１３は、第４の実施形態にかかる製造方法で用いる光学素子４０を模式的に示す図で
ある。図１３（ａ）は第１の透明基板５３ａ上に形成された領域駆動電極６８を示す図、
図１３（ｂ）は第２の透明基板５３ｂ上に形成された共通駆動電極６７を示す図、図１３
（ｃ）は図１３（ａ）のＤ−Ｄ’線における断面図、そして図１３（ｄ）は液晶素子４６
を構成する一対の透明基板の液晶層（後述する変調素子液晶層４９）側に形成された配向
膜（不図示）の配向方向を示す図である。

本実施形態の製造方法で用いられる光学素子４０は、上述の第３の実施形態で用いられ
る光学素子４０と類似したものである。すなわち、ワイヤーグリッド偏光子４２と変調素
子とを、ワイヤーグリッド偏光子４２が光源３２（図５参照）側に位置するように組み合
わせたものである。ただし変調素子として、偏光変調機能を有する液晶素子４６を用いて
いる点で、上述の第３の実施形態にかかる電気光学装置の製造方法とは異なっている。

図１３（ｃ）に示すように、ワイヤーグリッド偏光子４２の構成も上述の第３の実施形
態で用いられるワイヤーグリッド偏光子４２と同様であり、透明基板５３と該透明基板上
に形成されたＹ方向に延在するワイヤーグリッド４１とで構成されている。ワイヤーグリ
ッド偏光子４２は単一の直線偏光のみを形成しており、該単一の直線偏光を液晶素子４６
により２つの領域（第１の領域５１と第２の領域５２）毎に異なる方向の直線偏光（第１
の直線偏光と第２の直線偏光）にしている。

液晶素子４６は、図１３（ｃ）に示すように、シール材１４を介して対向するように貼
り合わされた第１の透明基板５３ａと第２の透明基板５３ｂとの一対の透明基板５３と、
該一対の透明基板間に挟持されたＴＮ型の液晶層である変調素子液晶層４９と、該一対の
透明基板の変調素子液晶層４９側に形成された一対の電極等からなる。

上述の一対の電極のうち、第１の透明基板５３ａに形成された電極が領域駆動電極６８
であり、該領域駆動電極と変調素子液晶層４９を挟んで対向する電極が共通駆動電極６７
である。領域駆動電極６８は、第１の領域５１と第２の領域５２の夫々に対応するように
、かつ互いに若干の間隔を空けて形成されている。上記双方の電極と透明基板５３の間、
すなわち第１の透明基板５３ａと領域駆動電極６８との間、及び第２の透明基板５３ｂと
共通駆動電極６７との間には配向膜（不図示）が形成されている。かかる一対の配向膜の
配向方向を、ワイヤーグリッド４１の延在方向８１等と共に図１３（ｄ）に示す。

図１３（ｄ）に示すように、ワイヤーグリッド４１の延在方向８１はＹ方向であり、該
グリッドを透過して液晶素子４６に照射される直線偏光の振動方向８５はＸ方向である。
第１の透明基板５３ａの配向膜の配向方向はＸ方向であり、第２の透明基板５３ｂの配向
膜の配向方向はＸ方向から反時計回りに４５度傾いた方向である。したがって、変調素子
液晶層４９に含有されている液晶分子は、上述の一対の電極間に電圧が印加されていない
ときは、ワイヤーグリッド偏光子４２側から見て、反時計回りに４５度回転するように配
向される。かかる配向の領域に直線偏光が照射されると、該偏光は振動方向が反時計回り
に４５度回転した状態で集光レンズ３４に向けて射出される。一方、上述の一対の電極間
に電圧が印加されている場合、変調素子液晶層４９に含有されている液晶分子はＺ方向す
なわち配向膜に垂直に配置される。かかる配向の領域に照射された直線偏光は振動方向を
初期の状態に保ったままで、集光レンズ３４に向けて射出される。

上述したように、領域駆動電極６８は第１の領域５１と第２の領域５２との夫々に対応
するように形成（パターニング）されている。したがって、第１の領域５１に形成された
領域駆動電極６８と共通駆動電極６７との間に電圧を印加し、第２の領域５２に形成され
た領域駆動電極６８と共通駆動電極６７との間に電圧を印加しない状態で光学素子４０に
光源３２から照射光３９を照射すると、照射光３９はマザー基板Ｗに向けて、以下のよう
に照射される。

まず、光学素子４０の第１の領域５１を透過した光は、透過前の振動方向すなわちＸ方
向（すなわち走査線１０２の延在方向）の振動を保つ第１の直線偏光となり、集光レンズ
３４を介してマザー基板Ｗの透過表示領域Ｔに照射される。そして、該マザー基板Ｗの光
源３２側の表面の該透過表示領域に形成されている配向膜５７（図１（ｂ）参照）にＸ方
向、すなわち走査線１０２の延在方向の配向を付与する。

一方、光学素子４０の第２の領域５２を透過した光は透過前の振動方向、すなわちＸ方
向、から反時計回りに４５度回転した方向の振動を有する第２の直線偏光となり、集光レ
ンズ３４を介してマザー基板Ｗの反射表示領域Ｒに照射される。そして該マザー基板Ｗの
光源３２側の表面の該反射表示領域に形成されている配向膜５７に、走査線１０２の延在
方向からＹ方向（すなわちデータ線１０４の延在方向）に向けて反時計回りに４５度回転
した方向の配向を付与する。

上述したように、マザー基板Ｗは、個々の液晶装置が備える一対の基板（素子基板１０
又は対向基板１１）の夫々の集合体である。したがって、本実施形態にかかる光学素子４
０を用いて、図１０に示すようにマザー基板Ｗに形成された配向膜に光配向処理を行なう
と、該配向膜のＹ方向に微細（数μｍ〜数百μｍ）なピッチで設定された帯状の透過表示
領域Ｔと反射表示領域Ｒの双方に夫々必要とされる方向の配向を同時に形成できる。

本実施形態にかかる製造方法で用いる光学素子４０は、第３の実施形態で用いられる光
学素子４０と同様に、ワイヤーグリッド偏光子４２と変調素子とを組み合わせて構成され
ている。異なる点は、変調素子として重合性液晶ではなくＴＮ型の液晶を有する液晶素子
４６を用いている点にある。かかる液晶素子は印加する領域駆動電極６８の選択により、
任意の領域に、走査線１０２に対して角度を有する方向の光配向処理を行なうことができ
る。したがって、１つの光学素子４０を用いて異なるパターニングの光配向処理を行なう
ことができ、製造効率等を向上できる。

（変形例１）
上述の第４の実施形態で用いた液晶素子４６には、領域駆動電極６８が、第１の領域５
１と第２の領域５２の双方に対応するように形成されていた。しかし、第２の領域５２に
対応する領域駆動電極６８には電圧を印加しない場合は、該領域に対応する領域駆動電極
６８を形成せずに構成を簡略化することもできる。図１４はかかる変形例１の液晶素子４
６を示す図である。図示するように、第１の領域５１に対応する領域駆動電極６８のみを
形成することで構造を簡略化して、液晶素子４６の製造コスト、及び該液晶素子を備える
光学素子４０の製造コストを低減している。なお、図１４において、図１３に示す液晶素
子４６の構成要素と共通する要素には同一の符号を付与異説明の記載は一部省略している
。

（変形例２）
上述の第４の実施形態で用いた液晶素子４６には、領域駆動電極６８が、第１の領域５
１と第２の領域５２の双方に、１対１で対応するように形成されていた。しかし上述の各
領域毎に複数の領域駆動電極を形成することもできる。図１５に示す液晶素子は、かかる
変形例２の液晶素子４６を示す図である。図示するように、各領域毎に２つの領域駆動電
極６８を形成しており、画素２６（図３等参照）のピッチが１／２となるように微細化さ
れた液晶装置にも対応できる。各領域毎に３つ以上の領域駆動電極６８を形成することも
できる。なお、図１５において、図１３に示す液晶素子４６の構成要素と共通する要素に
は同一の符号を付与異説明の記載は一部省略している点は、上述の変形例１と同様である
。

（変形例３）
上述の第１〜第４の実施形態では、マザー基板Ｗ上に形成された配向膜５７に対して偏
光を照射する態様を示した。しかし、マザー基板Ｗを用いずに配向膜のみを搬送する態様
も可能である。ロール状の配向膜と該配向膜の巻き取り機構を用いることにより、配向膜
のみを光源３２から照射される紫外線が照射される領域を通過させて光配向処理を行なう
ことができる。

（変形例４）
上述の各実施形態では、配向膜に形成される配向の方向は２種類であった。しかし、３
種類以上の方向の配向を付与することも可能である。第１の実施形態では、夫々異なる方
向に延在するワイヤーグリッド４１が形成された透明基板を３枚重ねたワイヤーグリッド
偏光子４２を用いることで、配向膜に３種類の方向の配向を付与することができる。第２
の実施形態では、ワイヤーグリッド４１の延在方向を３種類とすることで、配向膜に３種
類の方向の配向を付与することができる。第３の実施形態では、複屈折性領域６１を、該
領域を構成する重合性液晶の配向方向が互いに異なる２種類の領域とすることで、配向膜
に３種類の方向の配向を付与することができる。

液晶装置の構成を模式的に示す図。 液晶装置の回路構成図。 液晶装置の素子基板の液晶層側の面上の構成を模式的に示す図。 基板上における２種類の表示領域の配置を示す図。 第１の実施形態の光配向処理方法を示す模式断面図。 第１の実施形態の光配向処理方法を示す模式斜視図。 ワイヤーグリッド偏光子の構成を示す図。 第１の実施形態にかかるワイヤーグリッド偏光子の模式図。 第２の実施形態にかかるワイヤーグリッド偏光子の模式図。 第３の実施形態にかかる光配向処理方法を模試的に示す斜視図。 第３の実施形態にかかる製造方法で用いる光学素子を模式的に示す図。 複屈折性層の配向方向と、該配向で得られる直線偏光の振動方向等を示す図。 第４の実施形態にかかる製造方法で用いる光学素子を模式的に示す図。 変形例１にかかる液晶素子を示す図。 変形例２にかかる液晶素子を示す図。

符号の説明

１…電気光学装置としての液晶装置、１０…素子基板、１１…対向基板、１４…シール
材、１５…ドライバＩＣ、２０…ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）、２０ｃ…コンタクトホー
ル、２１…画素電極、２２…共通電極、２２ｔ…透明共通電極、２２ｒ…反射共通電極、
２３…スリット、２４…帯状部、２６…画素、３２…光源、３３…長手方向、３４…集光
レンズ、３６…集光鏡、３８…搬送手段、３９…照射光、４０…光学素子、４１…ワイヤ
ーグリッド、４２…ワイヤーグリッド偏光子、４２ａ…第１のワイヤーグリッド偏光子、
４２ｂ…第２のワイヤーグリッド偏光子、４５…変調素子としての位相変調素子、４６…
変調素子としての液晶素子、４７…第１の偏光板、４８…第２の偏光板、４９…変調素子
液晶層、５１…第１の領域、５２…第２の領域、５３…透明基板、５３ａ…第１の透明基
板、５３ｂ…第２の透明基板、５５…液晶層、５６…重合性液晶層、５７…配向膜、５７
ａ…第１の配向膜、５７ｂ…第２の配向膜、６１…複屈折性領域、６２…等方性領域、６
３…複屈折性層、６４…等方性層、６７…共通駆動電極、６８…領域駆動電極、８１…グ
リッドの延在方向、８２…位相変調素子に照射される直線偏光の振動方向、８３…複屈折
性層における重合性液晶層の配向方向、８４…複屈折性層において生成される直線偏光の
振動方向、８５…液晶素子に照射される直線偏光の振動方向、１００…画像形成領域、１
０２…走査線、１０４…データ線、１０６…共通線、１１２…走査線駆動回路、１１４…
データ線駆動回路、ＬＣ…液晶分子、Ｒ…反射表示領域、Ｔ…透過表示領域、Ｗ…板状部
材としてのマザー基板。

Claims (7)

1. 光源から照射された光をワイヤーグリッド偏光子に入射して、該ワイヤーグリッド偏光
   子から出射された直線偏光の光を、搬送手段の搬送面に載置された配向膜を有する板状部
   材に照射して光配向処理を行なう電気光学装置の製造方法であって、
   前記光源は長手方向を有して光を照射するとともに、前記ワイヤーグリッド偏光子は、
   前記長手方向に隣り合うように配置された第１の方向に延在するワイヤーグリッドを備え
   た第１の領域と前記第１の方向とは異なる第２の方向に延在するワイヤーグリッドを備え
   た第２の領域とを有しており、
   前記ワイヤーグリッド偏光子の前記第１の領域から出射された第１の偏光と、前記ワイ
   ヤーグリッド偏光子の前記第２の領域から出射された前記第１の偏光と偏光方向が異なる
   第２の偏光とを夫々、前記配向膜を有した前記板状部材上の異なる領域に同時に照射して
   光配向処理を行なうことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
2. 請求項１に記載の電気光学装置の製造方法であって、
   前記ワイヤーグリッド偏光子は、前記第１の方向に延在したワイヤーグリッドが前記第
   １の領域に対応して選択的に設けられた第１のワイヤーグリッド偏光子と、該第１のワイ
   ヤーグリッド偏光子に重ねられ、前記第２の方向に延在したワイヤーグリッドが前記第２
   の領域に対応して選択的に設けられた第２のワイヤーグリッド偏光子と、を有して構成さ
   れていることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
3. 請求項１に記載の電気光学装置の製造方法であって、
   前記ワイヤーグリッド偏光子は、同一基板上に前記第１の領域と前記第２の領域とが配
   置されていることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
4. 光源から照射された光をワイヤーグリッド偏光子に入射して、該ワイヤーグリッド偏光
   子から出射された直線偏光の光を変調素子を介して、搬送手段の搬送面に載置された配向
   膜を有する板状部材に照射して光配向処理を行なう電気光学装置の製造方法であって、
   前記光源は長手方向を有して光を照射するとともに、前記変調素子は、前記長手方向に
   隣り合うように配置された複屈折性の異なる第１の領域と第２の領域とを有しており、
   前記変調素子の前記第１の領域から出射された第１の偏光と、前記変調素子の前記第２
   の領域から出射された前記第１の偏光と偏光方向が異なる第２の偏光とをそれぞれ、前記
   配向膜を有した前記板状部材上の異なる領域に同時に照射して光配向処理を行なうことを
   特徴とする電気光学装置の製造方法。
5. 請求項４に記載の電気光学装置の製造方法であって、
   前記変調素子は、前記第１の領域が光学的に等方性を有し、前記第２の領域が複屈折性
   を有する位相変調素子であり、前記ワイヤーグリッド偏光子を透過した偏光を、前記第１
   の領域において偏光方向を変えずに前記第１の偏光として出射し、前記第２の領域におい
   て偏光方向を変えて前記第２の偏光として出射することを特徴とする電気光学装置の製造
   方法。
6. 請求項５に記載の電気光学装置の製造方法であって、
   前記複屈折性を有する領域は重合性液晶を硬化させることにより形成されていることを
   特徴とする電気光学装置の製造方法。
7. 請求項４に記載の電気光学装置の製造方法であって、
   前記変調素子は、第１の基板と、前記第１の基板とシール材を介して貼り合わされた第
   ２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間で前記シール材によって囲まれた領
   域内に充填された液晶層と、前記液晶層に電圧を印加する電極と、を備える液晶素子であ
   り、
   前記液晶層の配向状態を前記長手方向に隣り合う領域毎に変化させることにより、偏光
   方向の異なる偏光をそれぞれ、前記配向膜を有した前記板状部材上の異なる領域に同時に
   照射して光配向処理を行なうことを特徴とする電気光学装置の製造方法。

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