JP2010089120A - Method of cutting and method of manufacturing workpiece - Google Patents
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Abstract
【課題】加工対象物から保護シートを除去するときに、加工対象物にかかる応力を抑制すること。
【解決手段】ＴＦＴ側偏光板７の格子状領域１２の外形にレーザ光を照射し、格子状領域１２の端部のＴＦＴ側偏光板７を引っ張ることで、格子状領域１２のＴＦＴ側偏光板７をガラス基板１から剥がして除去するようにした。それゆえ、ガラス基板１に機械的な応力を作用させることなく、ガラス基板１からＴＦＴ側偏光板７を剥がすことができる。そのため、ガラス基板１からＴＦＴ側偏光板７を除去するときに、ガラス基板１にかかる応力を抑制できる。
【選択図】図８An object of the present invention is to suppress stress applied to an object to be processed when a protective sheet is removed from the object to be processed.
Laser light is applied to the outer shape of a lattice region 12 of a TFT side polarizing plate 7, and the TFT side polarizing plate 7 at the end of the lattice region 12 is pulled, whereby the TFT side polarizing plate of the lattice region 12 is pulled. 7 was peeled off from the glass substrate 1 and removed. Therefore, the TFT side polarizing plate 7 can be peeled from the glass substrate 1 without applying mechanical stress to the glass substrate 1. Therefore, when the TFT side polarizing plate 7 is removed from the glass substrate 1, the stress applied to the glass substrate 1 can be suppressed.
[Selection] Figure 8
Description
本発明は、加工対象物を分断する加工対象物分断方法および対象物製造方法に関する。 The present invention relates to a processing object dividing method and an object manufacturing method for dividing a processing object.
従来、この種の技術としては、例えば、特許文献１に記載の技術がある。この特許文献１に記載の技術では、まず、液晶パネルの素材であるガラス基板の外面に偏光板を貼り付ける。次に、剥離カッタにより、ガラス基板から偏光板の一部を帯状に切削して、ガラス基板を帯状に表出させる。次に、ホイールカッタにより、表出したガラス基板の帯状領域に沿って分断用のスクライブ溝を形成する。これにより、スクライブ溝に沿ってガラス基板を分断することで、複数の液晶パネルを製造するようになっている。
しかしながら、上記特許文献１に記載の技術では、剥離カッタを用いて、ガラス基板から偏光板を切削するため、偏光板の切削時に、ガラス基板に機械的な応力が作用する。それゆえ、ガラス基板が薄板である場合には、ガラス基板が割れてしまう可能性があった。
本発明は、上記のような点に着目してなされたもので、加工対象物から保護シートを除去する際に、加工対象物にかかる応力を抑制することを課題としている。
However, in the technique described in Patent Document 1, since the polarizing plate is cut from the glass substrate using the peeling cutter, mechanical stress acts on the glass substrate when the polarizing plate is cut. Therefore, when the glass substrate is a thin plate, the glass substrate may be broken.
This invention is made paying attention to the above points, and makes it a subject to suppress the stress concerning a process target object, when removing a protection sheet from a process target object.
上記課題を解決するために、第１の発明は、
加工対象物の加工対象面に、当該加工対象面を保護する保護シートを、当該加工対象面の周縁から当該保護シートの端部が突出するように貼り付ける第１の工程と、突出した前記端部を外形の一部とする前記保護シートの領域を除去対象領域とし、当該除去対象領域の外形に沿って前記保護シートにレーザ光を照射する第２の工程と、前記除去対象領域の外形の一部である前記端部を引っ張り、前記加工対象面から前記除去対象領域の前記保護シートを剥がして、前記加工対象面を表出させる第３の工程と、前記加工対象物のうち、前記加工対象面が表出された部分に、当該加工対象物の分断の起点となる起点部を形成する第４の工程と、を有し、前記起点部で前記加工対象物を分断することを特徴とする。
このように、第１の発明によれば、加工対象物に機械的な応力を作用させることなく、加工対象物から保護シートを剥がすことができる。そのため、加工対象物から保護シートを除去するときに、加工対象物にかかる応力を抑制できる。
In order to solve the above problem, the first invention is:
A first step of attaching a protective sheet for protecting the processing target surface to the processing target surface of the processing target so that an end portion of the protective sheet protrudes from a peripheral edge of the processing target surface; and the protruding end A second step of irradiating the protective sheet with laser light along the outer shape of the removal target region, and an outer shape of the removal target region. A third step of pulling the end portion that is a part, peeling off the protective sheet in the removal target region from the processing target surface to expose the processing target surface, and among the processing target, the processing And a fourth step of forming a starting point portion that is a starting point for dividing the processing target object in a portion where the target surface is exposed, and the processing target object is split at the starting point portion. To do.
Thus, according to 1st invention, a protective sheet can be peeled from a process target object, without making a mechanical stress act on a process target object. Therefore, when removing a protection sheet from a processing target object, the stress concerning a processing target object can be suppressed.
また、第２の発明は、
前記第２の工程では、
前記第２の工程では、突出した前記端部を外形の一部とし、且つ、前記加工対象物を分断する分断予定線上に形成される前記保護シートの複数の一定幅の帯状領域を除去対象領域とし、レーザ光源から出射されるレーザ光を回折格子で２つの光束に分岐し、分岐した光束それぞれをレンズで、前記分断予定線を互いの間に挟み且つ互いに前記一定幅分離れた前記保護シート上の２点に集光し、集光した光束それぞれを前記分断予定線に沿った方向に移動させることで、前記複数の一定幅の帯状領域のうちの一の帯状領域の外形に沿って前記保護シートにレーザ光を照射することを特徴とする。
In addition, the second invention,
In the second step,
In the second step, the plurality of fixed-width band-like regions of the protective sheet formed on the parting line that divides the workpiece are formed as a part to be removed. The protective sheet is obtained by branching laser light emitted from a laser light source into two light beams by a diffraction grating, separating each of the branched light beams with a lens, sandwiching the division line between each other, and separating the predetermined width from each other The light is condensed at the upper two points, and each of the condensed light fluxes is moved in a direction along the planned dividing line. The protective sheet is irradiated with laser light.
このように、第２の発明によれば、帯状領域の両側部に一度にレーザ光を照射できる。そのため、レーザ光を照射する作業を比較的容易に行うことができる。
また、第３の発明は、
前記第２の工程では、前記一の帯状の領域の外形に沿って前記保護シートにレーザ光を照射する際に、当該一の帯状の領域と交差する他の帯状の領域内への前記レーザ光の照射を禁止することを特徴とする。
Thus, according to 2nd invention, a laser beam can be irradiated to the both sides of a strip | belt-shaped area | region at once. Therefore, the operation of irradiating laser light can be performed relatively easily.
In addition, the third invention,
In the second step, when the protective sheet is irradiated with laser light along the outer shape of the one band-shaped area, the laser light into another band-shaped area intersecting with the one band-shaped area It is characterized by prohibiting irradiation.
このように、第３の発明によれば、レーザ光によって他の帯状領域の保護シートが溶融されることを防止できる。そのため、除去対象領域の保護シートの端部を引っ張ったときに、除去対象領域内で保護シートが切れることを防止できる。
さらに、第４の発明は、
前記第１の発明から第３の発明のいずれか１つの発明である加工対象物分断方法で前記加工対象物から製造対象物を分断することを特徴とする。
このように、第４の発明によれば、製造対象物を比較的容易に製造することができる。
Thus, according to 3rd invention, it can prevent that the protection sheet of another strip | belt-shaped area | region is fuse | melted with a laser beam. Therefore, when the edge part of the protection sheet of a removal object area | region is pulled, it can prevent that a protection sheet cuts within the removal object area | region.
Furthermore, the fourth invention is:
The manufacturing object is divided from the processing object by the processing object dividing method according to any one of the first to third inventions.
As described above, according to the fourth aspect of the invention, it is possible to manufacture the manufacturing object relatively easily.
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
この実施形態では、液晶パネルの素材となるガラス基板を分断し、複数の液晶パネルを製造する手順について詳述する。
図１は、ガラス基板１の外観を示す斜視図である。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
In this embodiment, a procedure for dividing a glass substrate that is a material of a liquid crystal panel and manufacturing a plurality of liquid crystal panels will be described in detail.
FIG. 1 is a perspective view showing the appearance of the glass substrate 1.
（事前の準備）
まず、ガラス基板１を準備する。ガラス基板１は、図１（ａ）に示すように、互いに同一の長方形状の、ＴＦＴ(Thin Film Transistor)基板２およびカラーフィルタ基板３を張り合わせて形成する。ＴＦＴ基板２およびカラーフィルタ基板３は、光を通す透明材料で形成する。例えば、ホウケイ酸ガラス、ＡＮ−１００、ＯＡ−１０等を用いる。
また、ＴＦＴ基板２には、外面を長手方向と直交する方向の２直線（以下、「分断予定線Ｕ１、Ｕ２」とも呼ぶ）で３つに区切り、長手方向の直線（以下、「分断予定線Ｑ１、Ｑ２」とも呼ぶ）で３つに区切って、９つのＴＦＴ基板セル４を形成する。また、カラーフィルタ基板３には、外面を分断予定線Ｕ１、Ｕ２で３つに区切り、分断予定線Ｑ１、Ｑ２で３つに区切って、９つのカラーフィルタ基板セル５を形成する。これにより、互いに対向する一対のＴＦＴ基板セル４およびカラーフィルタ基板セル５を９つ形成する。
さらに、各一対のＴＦＴ基板セル４およびカラーフィルタ基板セル５の間には、液晶６を封入する。
(Preparation)
First, the glass substrate 1 is prepared. As shown in FIG. 1A, the glass substrate 1 is formed by sticking together a TFT (Thin Film Transistor) substrate 2 and a color filter substrate 3 having the same rectangular shape. The TFT substrate 2 and the color filter substrate 3 are formed of a transparent material that transmits light. For example, borosilicate glass, AN-100, OA-10, or the like is used.
In addition, the TFT substrate 2 has an outer surface divided into three by two straight lines in the direction orthogonal to the longitudinal direction (hereinafter also referred to as “division lines U1 and U2”), and a straight line in the longitudinal direction (hereinafter, “division line”). Nine TFT substrate cells 4 are formed, which are divided into three by Q1 and Q2 ”. In addition, nine color filter substrate cells 5 are formed on the color filter substrate 3 by dividing the outer surface into three by dividing lines U1 and U2 and dividing by three by dividing lines Q1 and Q2. Thus, nine pairs of TFT substrate cells 4 and color filter substrate cells 5 facing each other are formed.
Further, liquid crystal 6 is sealed between each pair of TFT substrate cell 4 and color filter substrate cell 5.
（第１の工程）
図２は、第１の工程の説明に用いる斜視図である。
図３は、ガラス基板の断面を拡大して示す要部拡大図である。
図４は、変形例を示す斜視図である。
まず、第１の工程を実行する。
第１の工程では、まず、図２に示すように、ＴＦＴ基板２の外面にＴＦＴ側偏光板７を貼り付ける。ＴＦＴ側偏光板７とは、特定の振動方向に振動する光のみを通す直線偏光特性を有するシートである。また、ＴＦＴ側偏光板７は、ＴＦＴ基板２の外面を保護する機能を有する。例えば、樹脂フィルムに二色性物質を吸着配向させて形成する。
(First step)
FIG. 2 is a perspective view used for explaining the first step.
FIG. 3 is an enlarged view of a main part showing an enlarged cross section of the glass substrate.
FIG. 4 is a perspective view showing a modification.
First, the first step is performed.
In the first step, first, as shown in FIG. 2, a TFT-side polarizing plate 7 is attached to the outer surface of the TFT substrate 2. The TFT-side polarizing plate 7 is a sheet having linear polarization characteristics that allows only light that vibrates in a specific vibration direction to pass through. The TFT side polarizing plate 7 has a function of protecting the outer surface of the TFT substrate 2. For example, it is formed by adsorbing and orienting a dichroic substance on a resin film.
ここで、ＴＦＴ側偏光板７としては、ＴＦＴ基板２より大判のものを用いる。例えば、ＴＦＴ基板２よりも長辺および短辺のそれぞれが１〜２cm長い長方形状のものを採用する。ＴＦＴ側偏光板７の貼り付けは、ＴＦＴ基板２がＴＦＴ側偏光板７の中央にくるように行う。これにより、図３に示すように、ＴＦＴ基板２の外面の周縁全て（つまり、外周全部）から、ＴＦＴ側偏光板７の端部がひさし状に数ｍｍ突出することになる。即ち、ＴＦＴ基板２の外面上から、ＴＦＴ側偏光板７の端部がはみ出すことになる。
なお、本実施形態では、ＴＦＴ基板２の外面にＴＦＴ側偏光板７を貼り付ける例を示したが、他の方法を採用することもできる。例えば、ＴＦＴ側偏光板７に代えて、他の保護フィルムを用いてもよい。例えば、ＰＥＴ(Polyethylene Terephthalate)を採用することができる。また、ＴＦＴ側偏光板７をＴＦＴ基板２に貼り付けるとともに、ＴＦＴ側偏光板７の外面に当該保護フィルムを貼り付けてもよい。貼り付ける保護フィルムは、一枚または複数枚であってもよい。
Here, the TFT side polarizing plate 7 is larger than the TFT substrate 2. For example, a rectangular shape whose long side and short side are longer by 1 to 2 cm than the TFT substrate 2 is employed. The TFT side polarizing plate 7 is attached so that the TFT substrate 2 is at the center of the TFT side polarizing plate 7. As a result, as shown in FIG. 3, the end of the TFT-side polarizing plate 7 protrudes from the entire peripheral edge of the outer surface of the TFT substrate 2 (that is, the entire outer periphery) several mm in an eave shape. That is, the end of the TFT side polarizing plate 7 protrudes from the outer surface of the TFT substrate 2.
In the present embodiment, the example in which the TFT-side polarizing plate 7 is attached to the outer surface of the TFT substrate 2 has been described, but other methods may be employed. For example, instead of the TFT side polarizing plate 7, another protective film may be used. For example, PET (Polyethylene Terephthalate) can be employed. Further, the TFT side polarizing plate 7 may be attached to the TFT substrate 2 and the protective film may be attached to the outer surface of the TFT side polarizing plate 7. One or a plurality of protective films may be attached.
また、本実施形態では、ＴＦＴ基板２の外面に、当該外面よりも長辺および短辺の両方が長い大判のＴＦＴ側偏光板７を貼り付ける例を示したが、他の方法を採用することもできる。例えば、図４に示すように、両辺が長いＴＦＴ側偏光板７に代えて、ＴＦＴ基板２の外面より長辺または短辺の一方のみが長いＴＦＴ側偏光板７を用いてもよい。
次に、カラーフィルタ側偏光板８に対して上記動作を繰り返す。これにより、カラーフィルタ基板３の外面に、当該外面の周縁全てから、カラーフィルタ側偏光板８の端部が突出するようにカラーフィルタ側偏光板８を貼り付ける。
In the present embodiment, an example in which the large-sized TFT-side polarizing plate 7 having both longer and shorter sides than the outer surface is attached to the outer surface of the TFT substrate 2 is shown. However, another method is adopted. You can also. For example, as shown in FIG. 4, instead of the TFT side polarizing plate 7 having both long sides, a TFT side polarizing plate 7 having only one longer side or shorter side than the outer surface of the TFT substrate 2 may be used.
Next, the above operation is repeated for the color filter side polarizing plate 8. Thereby, the color filter side polarizing plate 8 is affixed on the outer surface of the color filter substrate 3 so that the edge part of the color filter side polarizing plate 8 protrudes from all the periphery of the said outer surface.
このように、本実施形態では、分断前のガラス基板１にＴＦＴ側偏光板７およびカラーフィルタ側偏光板８を貼り付けるようにした。そのため、全体として強度を向上することができる。それゆえ、ガラス基板１が薄い、ガラス基板１が大きい等の要因により、ガラス基板１の強度が低い場合でも、ガラス基板１の取り扱いが容易になる。
また、本実施形態では、ガラス基板１を分断する前に、ＴＦＴ基板２の外面、つまり、ガラス基板１の外面に大判のＴＦＴ側偏光板７を一括に貼り付けるようにした。そのため、ガラス基板１の分断後に、分断したガラス基板１の一つ一つにＴＦＴ側偏光板７を貼り付ける方法に比べ、ＴＦＴ側偏光板７の貼り付けに要する手間が少なくて済む。
As described above, in this embodiment, the TFT side polarizing plate 7 and the color filter side polarizing plate 8 are attached to the glass substrate 1 before dividing. Therefore, the strength can be improved as a whole. Therefore, even when the strength of the glass substrate 1 is low due to the thin glass substrate 1 or the large glass substrate 1, the glass substrate 1 can be easily handled.
Further, in the present embodiment, before the glass substrate 1 is divided, the large TFT side polarizing plate 7 is pasted together on the outer surface of the TFT substrate 2, that is, the outer surface of the glass substrate 1. Therefore, after the glass substrate 1 is divided, the labor required for attaching the TFT side polarizing plate 7 can be reduced as compared with the method of attaching the TFT side polarizing plate 7 to each of the divided glass substrates 1.
（第２の工程）
図５は、第２の工程の説明に用いる斜視図である。
図６は、ＴＦＴ側偏光板を拡大して示す要部拡大図である。
図７は、変形例を示す要部拡大図である。
次に、第２の工程を実行する。
第２の工程では、図５（ａ）に示すように、ＴＦＴ側偏光板７に、ＴＦＴ側偏光板７の除去対象領域の外形に沿ってレーザ光を照射する。除去対象領域とは、ＴＦＴ側偏光板７のうち、後述する第３の工程でＴＦＴ基板２から剥がす部分を表す領域である。
(Second step)
FIG. 5 is a perspective view used for explaining the second step.
FIG. 6 is an enlarged view of a main part showing the TFT side polarizing plate in an enlarged manner.
FIG. 7 is an enlarged view of a main part showing a modification.
Next, the second step is performed.
In the second step, as shown in FIG. 5A, the TFT side polarizing plate 7 is irradiated with laser light along the outer shape of the region to be removed of the TFT side polarizing plate 7. The removal target region is a region representing a portion of the TFT side polarizing plate 7 that is peeled off from the TFT substrate 2 in a third step to be described later.
ここで、除去対象領域としては、ＴＦＴ側偏光板７の端部を外形の端部とし、且つ、分断予定線Ｕ１、Ｕ２、Ｑ１、Ｑ２それぞれの上に形成される複数の一定幅の帯状領域からなる、格子状領域１２を用いる。以下、ＴＦＴ側偏光板７の端部を外形の端部とし且つ分断予定線Ｕ１上に形成される一定幅の帯状領域を「分断予定線Ｕ１上の帯状領域」と呼ぶ。また、同様に、ＴＦＴ側偏光板７の端部を外形の端部とし且つ分断予定線Ｕ２、Ｑ１、Ｑ２上に形成される帯状の領域をそれぞれ「分断予定線Ｕ２上の帯状領域」「分断予定線Ｑ１上の帯状領域」「分断予定線Ｑ２上の帯状領域」と呼ぶ。
例えば、分断予定線Ｕ１上の帯状領域としては、図５（ｂ）に示すように、分断予定線Ｕ１を互いの中間に挟み、互いに一定距離（例えば、数百μｍ）離れた位置でそれぞれが分断予定線Ｕ１と同方向に伸びている直線Ｕ１ａ、Ｕ１ｂ間の領域を用いる。
Here, as the removal target region, an end portion of the TFT-side polarizing plate 7 is used as an end portion of the outer shape, and a plurality of strip regions having a constant width are formed on each of the planned dividing lines U1, U2, Q1, and Q2. A grid-like region 12 is used. Hereinafter, a band-shaped region having a constant width formed on the dividing line U1 with the end of the TFT side polarizing plate 7 as an end of the outer shape is referred to as a “banded region on the dividing line U1”. Similarly, the end portions of the TFT-side polarizing plate 7 are the end portions of the outer shape, and the band-like regions formed on the dividing lines U2, Q1, and Q2 are respectively “band-like regions on the dividing line U2” and “dividing”. This is referred to as “strip-shaped region on the planned line Q1” or “strip-shaped region on the planned split line Q2.”
For example, as shown in FIG. 5 (b), the band-like regions on the planned dividing line U1 are respectively located at positions spaced apart from each other by a fixed distance (for example, several hundred μm). A region between the straight lines U1a and U1b extending in the same direction as the planned dividing line U1 is used.
また、同様に、分断予定線Ｕ２上の帯状領域としては、分断予定線Ｕ２を互いの中間に挟み、互いに一定距離離れた位置でそれぞれが分断予定線Ｕ２と同方向に伸びている直線Ｕ２ａ、Ｕ２ｂ間の領域を用いる。
さらに、分断予定線Ｑ１上の帯状領域としては、分断予定線Ｑ１を互いの中間に挟み、互いに一定距離離れた位置でそれぞれが分断予定線Ｑ１と同方向に伸びている直線Ｑ１ａ、Ｑ１ｂ間の領域を用いる。
また、分断予定線Ｑ２上の帯状領域としては、分断予定線Ｑ２を互いの中間に挟み、互いに一定距離離れた位置でそれぞれが分断予定線Ｑ２と同方向に直線Ｑ２ａ、Ｑ２ｂ間の領域を用いる。
Similarly, the band-like region on the planned dividing line U2 includes a straight line U2a sandwiching the planned dividing line U2 between each other and extending in the same direction as the planned dividing line U2 at positions spaced apart from each other. The region between U2b is used.
Further, as the band-like region on the planned dividing line Q1, the planned dividing line Q1 is sandwiched between the lines, and each of the straight lines Q1a and Q1b extending in the same direction as the planned dividing line Q1 at a certain distance from each other. Use regions.
Further, as the band-like region on the planned dividing line Q2, the region between the straight lines Q2a and Q2b is used in the same direction as the planned dividing line Q2 at a certain distance from each other with the planned dividing line Q2 interposed between them. .
さらに、レーザ光としては、偏光板（つまり、樹脂フィルム）が吸収しやすいＹＡＧの第３高調波（例えば、波長３５５ｎｍ）を採用する。
また、レーザ光の照射には、レーザ光源（不図示）から出射されるレーザ光を回折格子１０で２つの光束に分岐し、分岐した光束それぞれをレンズ１１で、互いに前記帯状の領域の幅分離れたＴＦＴ側偏光板７上の２点に集光するレーザ照射機構９を利用する。そして、レーザ照射機構９に、ＴＦＴ側偏光板７上の直線Ｕ１ａ、Ｕ１ｂのそれぞれにレーザ光を集光させ、レーザ照射機構９を、分断予定線Ｕ１に沿ってＴＦＴ側偏光板７の端から端まで移動させる。これにより、レーザ光の集光点を、直線Ｕ１ａ、Ｕ１ｂに沿ってＴＦＴ側偏光板７の端から端まで移動させる。
Further, as the laser light, the third harmonic (for example, wavelength 355 nm) of YAG that is easily absorbed by the polarizing plate (that is, the resin film) is employed.
For laser light irradiation, laser light emitted from a laser light source (not shown) is split into two light beams by the diffraction grating 10, and each of the branched light beams is equal to the width of the band-shaped region by the lens 11. A laser irradiation mechanism 9 that condenses light at two points on the distant TFT side polarizing plate 7 is used. Then, the laser irradiation mechanism 9 focuses the laser light on each of the straight lines U1a and U1b on the TFT side polarizing plate 7, and the laser irradiation mechanism 9 is moved from the end of the TFT side polarizing plate 7 along the planned dividing line U1. Move to the end. Thereby, the condensing point of a laser beam is moved from the end of the TFT side polarizing plate 7 along the straight lines U1a and U1b.
また、同様に、レーザ照射機構９に、ＴＦＴ側偏光板７上の直線Ｕ２ａ、Ｕ２ｂのそれぞれにレーザ光を集光させ、レーザ照射機構９を、分断予定線Ｕ２に沿ってＴＦＴ側偏光板７の端から端まで移動させる。これにより、レーザ光の集光点を、直線Ｕ２ａ、Ｕ２ｂに沿ってＴＦＴ側偏光板７の端から端まで移動させる。
さらに、レーザ照射機構９に、ＴＦＴ側偏光板７上の直線Ｑ１ａ、Ｑ１ｂのそれぞれにレーザ光を集光させ、レーザ照射機構９を、分断予定線Ｑ１に沿ってＴＦＴ側偏光板７の端から端まで移動させる。これにより、レーザ光の集光点を、直線Ｑ１ａ、Ｑ１ｂに沿ってＴＦＴ側偏光板７の端から端まで移動させる。
Similarly, the laser irradiation mechanism 9 condenses laser light on each of the straight lines U2a and U2b on the TFT side polarizing plate 7, and the laser irradiation mechanism 9 moves along the planned dividing line U2 to the TFT side polarizing plate 7. Move from end to end. Thereby, the condensing point of a laser beam is moved from the end of the TFT side polarizing plate 7 along the straight lines U2a and U2b.
Further, the laser irradiation mechanism 9 focuses the laser light on each of the straight lines Q1a and Q1b on the TFT side polarizing plate 7, and the laser irradiation mechanism 9 is moved from the end of the TFT side polarizing plate 7 along the planned dividing line Q1. Move to the end. Thereby, the condensing point of the laser beam is moved from end to end of the TFT side polarizing plate 7 along the straight lines Q1a and Q1b.
また、レーザ照射機構９に、ＴＦＴ側偏光板７上の直線Ｑ２ａ、Ｑ２ｂのそれぞれにレーザ光を集光させ、レーザ照射機構９を、分断予定線Ｑ２に沿ってＴＦＴ側偏光板７の端から端まで移動させる。これにより、レーザ光の集光点を、直線Ｑ２ａ、Ｑ２ｂに沿ってＴＦＴ側偏光板７の端から端まで移動させる。
これら一連の動作により、図６に示すように、直線Ｕ１ａ、Ｕ１ｂ、Ｕ２ａ、Ｕ２ｂ、Ｑ１ａ、Ｑ１ｂ、Ｑ２ａ、Ｑ２ｂ上において、ＴＦＴ基板２の外面の周縁から突出したＴＦＴ側偏光板７の端部が切断される。また、その他の部分（つまり、ＴＦＴ基板２と接している部分）は完全には切断されず、レーザ光によって溶融されて厚みが薄くなる。
Further, the laser irradiation mechanism 9 condenses the laser light on each of the straight lines Q2a and Q2b on the TFT side polarizing plate 7, and the laser irradiation mechanism 9 is moved from the end of the TFT side polarizing plate 7 along the planned dividing line Q2. Move to the end. Thereby, the condensing point of the laser beam is moved from end to end of the TFT side polarizing plate 7 along the straight lines Q2a and Q2b.
As a result of these series of operations, as shown in FIG. 6, on the straight lines U1a, U1b, U2a, U2b, Q1a, Q1b, Q2a, Q2b, the end of the TFT side polarizing plate 7 protruding from the peripheral edge of the outer surface of the TFT substrate 2 Is disconnected. Further, the other part (that is, the part in contact with the TFT substrate 2) is not completely cut, and is melted by the laser beam to be thin.
即ち、ＴＦＴ側偏光板７の端部は、空中に突出していてＴＦＴ基板２に接していないため、レーザ光による熱が空気の断熱効果で外部に放射され難い。それゆえ、レーザ光による熱によって溶断される。一方、ＴＦＴ基板２に接している部分は、レーザ光による熱がＴＦＴ基板２に放射され易く、レーザ光による熱によっては溶断されない。
なお、レーザ照射機構９を分断予定線Ｕ１、Ｕ２に沿って移動させる際には、分断予定線Ｑ１、Ｑ２上の帯状領域内のいずれかにレーザ光の集光点が移動するときに、レーザ照射機構９にレーザ光の出射を停止させる。また、分断予定線Ｑ１、Ｑ２上の帯状領域内から当該帯状領域外にレーザ光の集光点が移動するときに、レーザ照射機構９にレーザ光の出射を再開させる。これにより、分断予定線Ｑ１、Ｑ２上の帯状領域内へのレーザ光の照射を禁止し、レーザ光によって当該帯状の領域内が溶融されることを回避する。
That is, since the end portion of the TFT side polarizing plate 7 protrudes into the air and does not contact the TFT substrate 2, the heat by the laser light is not easily emitted to the outside due to the heat insulation effect of air. Therefore, it is melted by heat from the laser beam. On the other hand, the portion in contact with the TFT substrate 2 is likely to be radiated with heat by the laser beam to the TFT substrate 2 and is not melted by the heat by the laser beam.
When the laser irradiation mechanism 9 is moved along the planned dividing lines U1 and U2, the laser beam condensing point moves to one of the band-like regions on the planned dividing lines Q1 and Q2. The irradiation mechanism 9 stops the emission of laser light. Further, when the condensing point of the laser light moves from the inside of the belt-like regions on the planned dividing lines Q1 and Q2 to the outside of the belt-like region, the laser irradiation mechanism 9 restarts the emission of the laser light. Thereby, irradiation of the laser beam into the band-like regions on the dividing lines Q1 and Q2 is prohibited, and melting of the band-like region by the laser light is avoided.
また、同様に、レーザ照射機構９を分断予定線Ｑ１、Ｑ２に沿って移動させる際には、分断予定線Ｕ１、Ｕ２上の帯状領域内にレーザ光の集光点が移動するときに、レーザ照射機構９にレーザ光の出射を停止させる。また、分断予定線Ｕ１、Ｕ２上の帯状領域内から当該帯状領域外にレーザ光の集光点が移動するときに、レーザ照射機構９にレーザ光の出射を再開させる。これにより、分断予定線Ｕ１、Ｕ２上の帯状領域内へのレーザ光の照射を禁止し、レーザ光によって当該帯状の領域内が溶融されることを回避する。 Similarly, when moving the laser irradiation mechanism 9 along the planned dividing lines Q1 and Q2, the laser beam condensing point moves within the band-like region on the planned dividing lines U1 and U2. The irradiation mechanism 9 stops the emission of laser light. Further, when the condensing point of the laser beam moves from the inside of the band-like regions on the dividing lines U1 and U2 to the outside of the band-like region, the laser irradiation mechanism 9 restarts the emission of the laser light. Thereby, irradiation of the laser beam into the band-like regions on the dividing lines U1 and U2 is prohibited, and melting of the band-like region by the laser light is avoided.
次に、カラーフィルタ側偏光板８に対して上記動作を繰り返す。これにより、格子状領域１２の外形に沿ってカラーフィルタ側偏光板８にレーザ光を照射する。
このように、本実施形態では、互いに帯状領域の幅分離れた２点にレーザ光を照射するレーザ照射機構９を用いて、ＴＦＴ基板２にレーザ光を照射するようにした。そのため、帯状の領域の外形に沿ってレーザ光を容易に照射することができる。
また、レーザ光を２点に照射する機構を回折格子およびレンズを用いて形成するようにした。そのため、レーザ照射機構９を比較的簡単な構成とすることができる。
なお、ＴＦＴ側偏光板７に代えてＰＥＴを貼り付けた場合でも、同様の方法で、図７に示すように、ＴＦＴ基板２の外面の周縁から突出したＰＥＴの端部を切断できる。
Next, the above operation is repeated for the color filter side polarizing plate 8. As a result, the color filter side polarizing plate 8 is irradiated with the laser light along the outer shape of the lattice region 12.
As described above, in this embodiment, the TFT substrate 2 is irradiated with the laser beam by using the laser irradiation mechanism 9 that irradiates the laser beam to the two points separated from each other in the width of the band-like region. Therefore, the laser beam can be easily irradiated along the outer shape of the band-like region.
Further, a mechanism for irradiating two points with laser light is formed using a diffraction grating and a lens. Therefore, the laser irradiation mechanism 9 can have a relatively simple configuration.
Even when PET is attached instead of the TFT-side polarizing plate 7, the end of the PET protruding from the peripheral edge of the outer surface of the TFT substrate 2 can be cut by the same method as shown in FIG.
（第３の工程）
図８は、第３の工程の説明に用いる斜視図である。
図９は、ＴＦＴ側偏光板を拡大して示す要部拡大図である。
図１０は、変形例を示す要部拡大図である。
次に、第３の工程を実行する。
第３の工程では、まず、図８（ａ）に示すように、ＴＦＴ側偏光板７の端部（つまり、ＴＦＴ基板２の外面の周縁から突出している部分）のうち、分断予定線Ｑ１上の帯状領域の一部となっている部分をピンセット１３で掴む。そして、格子状領域１２のＴＦＴ側偏光板７がＴＦＴ基板２から剥がれるようにピンセット１３で当該部分を引っ張る。これにより、図９に示すように、分断予定線Ｑ１上の帯状領域の端部から切れ目が進展し、レーザ光で溶融されて厚みが薄くなっている部分、つまり、格子状領域１２の外形が切れる。そして、格子状領域１２の外形全体が切れると、図８（ｂ）に示すように、格子状領域１２のＴＦＴ側偏光板７がＴＦＴ基板２から全て剥がれ、ＴＦＴ基板２が表出される。
(Third step)
FIG. 8 is a perspective view used for explaining the third step.
FIG. 9 is an enlarged view of a main part showing the TFT side polarizing plate in an enlarged manner.
FIG. 10 is an enlarged view of a main part showing a modification.
Next, the third step is performed.
In the third step, first, as shown in FIG. 8A, of the end portion of the TFT-side polarizing plate 7 (that is, the portion protruding from the peripheral edge of the outer surface of the TFT substrate 2) on the planned dividing line Q1. A portion that is a part of the belt-like region is gripped by the tweezers 13. Then, the portion is pulled by the tweezers 13 so that the TFT side polarizing plate 7 in the lattice region 12 is peeled off from the TFT substrate 2. As a result, as shown in FIG. 9, the cut progresses from the end of the band-shaped region on the planned dividing line Q1, and is melted by the laser light and thinned, that is, the outer shape of the lattice-shaped region 12 is Cut out. Then, when the entire outer shape of the lattice region 12 is cut, as shown in FIG. 8B, all the TFT side polarizing plates 7 in the lattice region 12 are peeled off from the TFT substrate 2, and the TFT substrate 2 is exposed.
なお、ＴＦＴ基板２の外面に、ＴＦＴ側偏光板７に代えてＰＥＴを貼り付けた場合でも、同様の方法で、図１０に示すように、ＰＥＴを剥がすことができる。
次に、カラーフィルタ側偏光板８に対して上記動作を繰り返す。これにより、格子状領域１２のカラーフィルタ側偏光板８をカラーフィルタ基板３から剥がす。
このように、本実施形態では、ＴＦＴ側偏光板７の格子状領域１２の外形にレーザ光を照射し、格子状領域１２の端部のＴＦＴ側偏光板７を引っ張ることで、格子状領域１２のＴＦＴ側偏光板７をＴＦＴ基板２から剥がして除去するようにした。それゆえ、ＴＦＴ基板２に機械的な応力を作用させることなく、ＴＦＴ基板２からＴＦＴ側偏光板７を剥がすことができる。そのため、ＴＦＴ側偏光板７を除去するときに、ＴＦＴ基板２（つまり、ガラス基板１）にかかる応力を抑制できる。
Even when PET is attached to the outer surface of the TFT substrate 2 instead of the TFT-side polarizing plate 7, the PET can be peeled off by the same method as shown in FIG.
Next, the above operation is repeated for the color filter side polarizing plate 8. Thus, the color filter side polarizing plate 8 in the lattice region 12 is peeled off from the color filter substrate 3.
As described above, in the present embodiment, the outer shape of the lattice region 12 of the TFT side polarizing plate 7 is irradiated with laser light, and the TFT side polarizing plate 7 at the end of the lattice region 12 is pulled to thereby form the lattice region 12. The TFT side polarizing plate 7 was peeled off from the TFT substrate 2 and removed. Therefore, the TFT side polarizing plate 7 can be peeled off from the TFT substrate 2 without applying mechanical stress to the TFT substrate 2. Therefore, when the TFT side polarizing plate 7 is removed, the stress applied to the TFT substrate 2 (that is, the glass substrate 1) can be suppressed.
また、本実施形態では、ＴＦＴ側偏光板７の格子状領域１２の外形にのみレーザ光を照射するため、溶融したＴＦＴ側偏光板７によるゴミが少なくて済む。それゆえ、ＴＦＴ側偏光板７によるゴミがＴＦＴ基板２に付着し難く、ＴＦＴ側偏光板７を残渣無く除去することができる。
ちなみに、本実施形態の方法と異なり、格子状領域１２内にレーザ光を照射し、格子状領域１２内のＴＦＴ側偏光板７を全て融除する方法では、レーザ光の照射領域の直径が数μｍ〜数十μｍであるため、レーザ光の走査量が増大し、多くの時間がかかる。
また、ＴＦＴ側偏光板７の融除量が増大するため、溶融したＴＦＴ側偏光板７によるゴミが増大する。そのため、ＴＦＴ基板２に残渣が付着し易くなる。
Further, in this embodiment, the laser beam is irradiated only on the outer shape of the lattice region 12 of the TFT side polarizing plate 7, so that less dust is generated by the molten TFT side polarizing plate 7. Therefore, dust from the TFT side polarizing plate 7 is difficult to adhere to the TFT substrate 2, and the TFT side polarizing plate 7 can be removed without residue.
Incidentally, unlike the method of the present embodiment, in the method of irradiating the laser light into the lattice region 12 and ablating all the TFT side polarizing plates 7 in the lattice region 12, the diameter of the laser light irradiation region is several. Since the thickness is from μm to several tens of μm, the scanning amount of the laser light increases and takes a lot of time.
Further, since the ablation amount of the TFT side polarizing plate 7 is increased, dust due to the molten TFT side polarizing plate 7 is increased. Therefore, the residue is likely to adhere to the TFT substrate 2.
（第４の工程）
図１１は、第４の工程の説明に用いる斜視図である。
次に、第４の工程を実行する。
第４の工程では、図１１（ａ）に示すように、表出したＴＦＴ基板２の外面に、分断予定線Ｕ１、Ｕ２、Ｑ１、Ｑ２に沿ってスクライブ溝Ｖ１、Ｖ２、Ｗ１、Ｗ２を形成する。
ここで、スクライブ溝Ｖ１、Ｖ２、Ｗ１、Ｗ２の形成には、ＴＦＴ基板２を切削するホイールカッタ１４を利用する。そして、ホイールカッタ１４を、分断予定線Ｕ１に沿ってＴＦＴ基板２の端から端まで移動させる。これにより、分断予定線Ｕ１に沿ってスクライブ溝Ｖ１を形成する。また、同様に、ホイールカッタ１４を、分断予定線Ｕ２、Ｑ１、Ｑ２それぞれに沿ってＴＦＴ基板２の端から端まで移動させることで、分断予定線Ｕ２、Ｑ１、Ｑ２に沿ってスクライブ溝Ｖ２、Ｗ１、Ｗ２それぞれを形成する。
(Fourth process)
FIG. 11 is a perspective view used for explaining the fourth step.
Next, a 4th process is performed.
In the fourth step, as shown in FIG. 11A, scribe grooves V1, V2, W1, and W2 are formed on the outer surface of the exposed TFT substrate 2 along the planned dividing lines U1, U2, Q1, and Q2. To do.
Here, a wheel cutter 14 for cutting the TFT substrate 2 is used to form the scribe grooves V1, V2, W1, and W2. Then, the wheel cutter 14 is moved from end to end of the TFT substrate 2 along the planned dividing line U1. Thereby, the scribe groove | channel V1 is formed along the parting plan line U1. Similarly, the wheel cutter 14 is moved from one end of the TFT substrate 2 to the other along the planned dividing lines U2, Q1, Q2, so that the scribe grooves V2, V2, Q1, Q2 are moved along the planned dividing lines U2, Q1, Q2. W1 and W2 are formed.
次に、カラーフィルタ基板３に対して上記動作を繰り返す。これにより、カラーフィルタ基板３の外面に分断予定線Ｕ１、Ｕ２、Ｑ１、Ｑ２に沿ってスクライブ溝を形成する。
なお、本実施形態では、ガラス基板１にスクライブ溝Ｖ１、Ｖ２、Ｗ１、Ｗ２を形成し、スクライブ溝Ｖ１、Ｖ２、Ｗ１、Ｗ２をもとにガラス基板１を分断する例を示したが、他の方法も採用することもできる。例えば、ガラス基板１の一方側の面を冷却し、他方側の面にレーザ光を照射してガラス基板１を割断するレーザ割断を用いることもできる。また、レーザ光をガラス基板１に照射し、ガラス基板１の分断予定線の内部に多光子吸収による改質領域を形成するレーザースクライブを用いることもできる。
Next, the above operation is repeated for the color filter substrate 3. Thereby, a scribe groove is formed on the outer surface of the color filter substrate 3 along the planned dividing lines U1, U2, Q1, and Q2.
In the present embodiment, the scribe grooves V1, V2, W1, and W2 are formed in the glass substrate 1, and the glass substrate 1 is divided based on the scribe grooves V1, V2, W1, and W2. This method can also be adopted. For example, it is possible to use laser cleaving in which one surface of the glass substrate 1 is cooled and the other surface is irradiated with laser light to cleave the glass substrate 1. In addition, laser scribing that irradiates the glass substrate 1 with laser light and forms a modified region by multiphoton absorption inside the planned dividing line of the glass substrate 1 can also be used.
（第５の工程）
図１２は、第５の工程の説明に用いる斜視図である。
次に、第５の工程を実行する。
第５の工程では、スクライブ溝Ｖ１等を形成したガラス基板１に負荷を与える。
ここで、ガラス基板１への負荷の付与には、例えば、ガラス基板１の分断予定線Ｕ１、Ｕ２、Ｑ１、Ｑ２に沿ってガラス基板１に曲げ応力や剪断応力を加える方法、ガラス基板１に温度差を与えて熱応力を発生させる方法を利用する。これにより、図１２に示すように、スクライブ溝Ｖ１、Ｖ２、Ｗ１、Ｗ２に沿ってガラス基板１が一対のＴＦＴ基板セル４およびカラーフィルタ基板セル５毎に分断され、９つの液晶パネル１５が完成する。
(Fifth step)
FIG. 12 is a perspective view used for explaining the fifth step.
Next, the fifth step is performed.
In the fifth step, a load is applied to the glass substrate 1 on which the scribe grooves V1 and the like are formed.
Here, for applying the load to the glass substrate 1, for example, a method of applying bending stress or shear stress to the glass substrate 1 along the planned dividing lines U 1, U 2, Q 1, Q 2 of the glass substrate 1, A method of generating a thermal stress by giving a temperature difference is used. Thus, as shown in FIG. 12, the glass substrate 1 is divided into a pair of TFT substrate cells 4 and color filter substrate cells 5 along the scribe grooves V1, V2, W1, and W2, and nine liquid crystal panels 15 are completed. To do.
このようにして完成した液晶パネル１５は、ＴＦＴ基板セル４およびカラーフィルタ基板セル５それぞれの外面ほぼ全域にわたってＴＦＴ側偏光板７およびカラーフィルタ側偏光板８それぞれが貼り付けられた状態となる。これにより、液晶パネル１５の分断時に、液晶パネル１５の表面に異物が付着することを防止できる。
また、液晶パネル１５の流動時に、ガラス基板１の外面にクラックが発生することを防止できる。それゆえ、液晶パネル１５のクラックを防止することで、当該クラックにより液晶パネル１５の表面強度（つまり、抗折強度）が低下することを防止できる。
The liquid crystal panel 15 thus completed is in a state in which the TFT-side polarizing plate 7 and the color filter-side polarizing plate 8 are attached to almost the entire outer surfaces of the TFT substrate cell 4 and the color filter substrate cell 5, respectively. Thereby, it is possible to prevent foreign matter from adhering to the surface of the liquid crystal panel 15 when the liquid crystal panel 15 is divided.
Further, it is possible to prevent the occurrence of cracks on the outer surface of the glass substrate 1 when the liquid crystal panel 15 flows. Therefore, by preventing the crack of the liquid crystal panel 15, it is possible to prevent the surface strength (that is, the bending strength) of the liquid crystal panel 15 from being lowered by the crack.
ここで、本実施形態では、図５のガラス基板１が加工対象物を構成する。以下同様に、図５のＴＦＴ側偏光板７およびカラーフィルタ側偏光板８が保護シートを構成する。また、図１２の液晶パネル１５が製造対象物を構成する。
なお、本実施形態では、本発明を、液晶パネル１５の製造に適用する例を示したが、他の方法を採用することもできる。例えば、有機ＥＬ(Electro Luminescence)ディスプレイ、データ写し込み装置、ライトバルブ、タッチパネル等、各種表示パネルの製造に用いてもよい。また、例えば、インクジェットヘッド、マイクロトータルアナリシスに用いられる流路構造等、ＭＥＭＳ(Micro Electro Mechanical Systems)の製造に用いてもよい。ここで、ＭＥＭＳ(Micro Electro Mechanical Systems)とは、機械要素部品、センサー、アクチュエータ、電子回路を一つのシリコン基板、ガラス基板、有機材料等の上に集積化したデバイスである。
Here, in this embodiment, the glass substrate 1 of FIG. 5 comprises a process target object. Similarly, the TFT side polarizing plate 7 and the color filter side polarizing plate 8 in FIG. 5 constitute a protective sheet. Moreover, the liquid crystal panel 15 of FIG. 12 comprises a manufacturing object.
In the present embodiment, an example in which the present invention is applied to the manufacture of the liquid crystal panel 15 has been shown, but other methods may be employed. For example, you may use for manufacture of various display panels, such as an organic EL (Electro Luminescence) display, a data copying apparatus, a light valve, a touch panel. Further, for example, it may be used for manufacturing MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) such as an ink jet head, a flow channel structure used for micro total analysis, and the like. Here, MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) is a device in which mechanical element parts, sensors, actuators, and electronic circuits are integrated on a single silicon substrate, glass substrate, organic material, or the like.
１はガラス基板（加工対象物）、２はＴＦＴ基板、３はカラーフィルタ基板、４はＴＦＴ基板セル、５はカラーフィルタ基板セル、６は液晶、７はＴＦＴ側偏光板（保護シート）、８はカラーフィルタ側偏光板（保護シート）、９はレーザ照射機構、１０は回折格子、１１はレンズ、１２は格子状領域、１３はピンセット、１４はホイールカッタ、１５は液晶パネル（製造対象物） 1 is a glass substrate (object to be processed), 2 is a TFT substrate, 3 is a color filter substrate, 4 is a TFT substrate cell, 5 is a color filter substrate cell, 6 is a liquid crystal, 7 is a TFT side polarizing plate (protective sheet), 8 Is a color filter side polarizing plate (protective sheet), 9 is a laser irradiation mechanism, 10 is a diffraction grating, 11 is a lens, 12 is a lattice area, 13 is tweezers, 14 is a wheel cutter, and 15 is a liquid crystal panel (manufacturing object)
Claims (4)
突出した前記端部を外形の一部とする前記保護シートの領域を除去対象領域とし、当該除去対象領域の外形に沿って前記保護シートにレーザ光を照射する第２の工程と、
前記除去対象領域の外形の一部である前記端部を引っ張り、前記加工対象面から前記除去対象領域の前記保護シートを剥がして、前記加工対象面を表出させる第３の工程と、
前記加工対象物のうち、前記加工対象面が表出された部分に、当該加工対象物の分断の起点となる起点部を形成する第４の工程と、を有し、
前記起点部で前記加工対象物を分断すること
を特徴とする加工対象物分断方法。 A first step of attaching a protective sheet that protects the processing target surface to the processing target surface of the processing target so that an end of the protective sheet protrudes from a peripheral edge of the processing target surface;
A second step of irradiating the protective sheet with laser light along the outer shape of the removal target region, with the region of the protective sheet having the protruding end as a part of the outer shape as a removal target region;
A third step of pulling out the end portion that is a part of the outer shape of the removal target region, peeling off the protective sheet of the removal target region from the processing target surface, and exposing the processing target surface;
A fourth step of forming a starting point portion serving as a starting point of division of the processing target object in a portion of the processing target object where the processing target surface is exposed;
The process target parting method is characterized in that the process target part is split at the starting point.
前記第２の工程では、
レーザ光源から出射されるレーザ光を回折格子で２つの光束に分岐し、分岐した光束それぞれをレンズで、前記分断予定線を互いの間に挟み且つ互いに前記一定幅分離れた前記保護シート上の２点に集光し、集光した光束それぞれを前記分断予定線に沿った方向に移動させることで、複数の前記帯状領域のうちの一の帯状領域の外形に沿って前記保護シートにレーザ光を照射すること
を特徴とする請求項１に記載の加工対象物分断方法。 The removal target area includes a plurality of band-shaped areas of a certain width of the protective sheet that are formed on parting lines that divide the processing target object, with the protruding end part being a part of the outer shape,
In the second step,
A laser beam emitted from a laser light source is split into two light beams by a diffraction grating, each of the branched light beams is separated by a lens, and the predetermined dividing line is sandwiched between each other and separated from each other by a certain width on the protective sheet. Laser light is focused on the protective sheet along the outer shape of one of the plurality of band-shaped regions by converging at two points and moving each of the collected light beams in a direction along the planned dividing line. The method for dividing a workpiece according to claim 1, wherein:
前記一の帯状の領域の外形に沿って前記保護シートにレーザ光を照射する際に、当該一の帯状の領域と交差する他の帯状の領域内への前記レーザ光の照射を禁止すること
を特徴とする請求項２に記載の加工対象物分断方法。 In the second step,
When irradiating the protective sheet with laser light along the outer shape of the one band-shaped region, prohibiting irradiation of the laser light into another band-shaped region intersecting with the one band-shaped region. The method for dividing an object to be processed according to claim 2, wherein
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20120110 |