JP2009024194A - めっき部材 - Google Patents
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Abstract
【課題】鉛フリーの材料からなるめっき層を有するめっき部材において、めっき層の結晶方位面およびその配向指数を制御してウィスカが発生するのを抑制する。
【解決手段】基材1の表面に鉛フリーの材料からなるめっき層2を有するめっき部材3において、めっき層における(321)面の配向指数を15以上とし、かつ(220)面の配向指数を0.5以下とする。または、めっき層における(220)面の配向指数を10以上とし、かつ(321)面の配向指数を1.0以下とする。
【選択図】図1
【解決手段】基材1の表面に鉛フリーの材料からなるめっき層2を有するめっき部材3において、めっき層における(321)面の配向指数を15以上とし、かつ(220)面の配向指数を0.5以下とする。または、めっき層における(220)面の配向指数を10以上とし、かつ(321)面の配向指数を1.0以下とする。
【選択図】図1
Description
本発明はめっき部材に関し、特に、ICチップをリードフレームに搭載した半導体装置のような電子部品における外部端子のように、表面にめっき層を有するめっき部材に関する。
半導体装置のような電子部品において、外部端子の基材には銅、銅合金、黄銅、42アロイなどが用いられるが、素地のままでは端子表面が酸化してはんだ付け不良等による導通不良を引き起こす恐れがある。そのために、通常、めっき等により端子表面に保護膜(めっき層)を形成して酸化を防いでいる。
めっき層の材料としてSn合金等を用いる場合、従来から鉛を含む合金が用いられてきた。近年、環境負荷を軽減する観点から鉛フリー化が求められるようになり、前記端子のめっき層材料にも、例えば、Sn,Sn−Cu,Sn−Bi,Sn−Ag合金のように、鉛を含まない材料が使用されるようになっている。しかし、鉛フリーの材料で電子部品の端子表面をめっき処理すると、めっき層から例えばSnの針状単結晶であるウィスカが発生する。
近年、例えばICチップをリードフレームに搭載した半導体装置のような電子部品は一層の小型化が求められており、結果として、その端子間の間隔は数百μm程度まで狭くなってきている。前記ウィスカは数百μmの長さにまで成長することがあり、前記のように端子間の間隔が数百μm程度と狭い場合には、発生したウィスカにより端子間ショートが発生する恐れがあるので、ウィスカの発生を抑制するための対策が求められている。
ウィスカの発生および成長のメカニズムは完全には解明されてないが、めっき層の残留応力あるいはめっき層に加わる圧縮応力が一因であるとの考えから、残留応力を積極的に開放するあるいはめっき層に加わる圧縮応力を低減するようにした解決策が、多く提案されている。一方、めっき層の結晶方位面およびその配向指数を制御することで、ウィスカの発生を抑制できることが分かりつつあり、そのアプローチからの解決策も既に提案されている。例えば、特許文献1には、Snめっき層の結晶粒界にSn合金相を形成してウィスカの発生を抑制する技術であって、Sn合金相が形成しやすくするために、めっき層における(220)面と(321)面の配向指数を高くすることが記載されている。特許文献2には、Snめっき皮膜の結晶配向面が(220)面に優先配向すると共に、Snめっき皮膜形成後の皮膜応力を−7.2MPa以上0MPa以下とすることが記載されている。特許文献3には、Snめっき面の(220)/(200)の面配向割合を大きくすることでウィスカを抑制することが記載されている。
鉛フリーめっき層におけるウィスカの発生を抑制する技術として、上記のようにめっき層の結晶方位面およびその配向指数を制御する技術は、有効なものと考えられる。本発明者らも、この手法について多くの実験と研究を行ってきているが、従来提案されている方法は、いずれも充分な成果を上げているとは言い難く、なお改善すべき点があることを経験している。
本発明は上記のような事情のもとになされたものであり、本発明は、めっき層の結晶方位面およびその配向指数を制御する技術を用いて、より完全にウィスカの発生を抑制できるようにしためっき部材を提供することを課題とする。
上記の課題を解決すべく、本発明者らは、さらに実験と研究を行うことにより、めっき層の結晶方位面およびその配向指数を従来知られていなかった数値範囲のものとすることにより、特に冷熱サイクル時のウィスカ発生を抑制できることを見い出して、本発明をなすにいたった。
本発明は、上記の知見に基づいており、本発明の第1の形態によるめっき部材は、基材の表面に鉛フリーの材料からなるめっき層を有するめっき部材において、前記めっき層における(321)面の配向指数が15以上であり、かつ(220)面の配向指数が0.5以下であることを特徴とする。
本発明の第2の形態によるめっき部材は、基材の表面に鉛フリーの材料からなるめっき層を有するめっき部材において、前記めっき層における(220)面の配向指数が10以上であり、かつ(321)面の配向指数が1.0以下であることを特徴とする。
上記第1の形態および第2の形態によるめっき部材において、配向指数が上記の範囲を外れるものは、冷熱サイクルを繰り返し受けるようなめっき部材の場合に、ウィスカが発生する可能性が高く、好ましくない。
上記第1の形態および第2の形態によるめっき部材において、めっき層形成成分である鉛フリーの材料としては、Snあるいはそれらを第1材料とする合金が用いられる。好適には、めっき材料は、純Sn,またはSn−Cu,Sn−Bi,Sn−AgのようにSn合金である。基材は、Cu、黄銅等のCu合金、もしくは42アロイであることが好適である。
本発明によれば、基材の表面に鉛フリーの材料からなるめっき層を形成しためっき部材において、特に冷熱サイクルを受けたときに、そのめっき層にウィスカが発生するのをほぼ完全に抑制することができる。
以下、本発明を実施例と比較例により説明する。
[実施例1](前記第1の形態に係る実施例と比較例)
図1に示すように、Cu合金基材1の表面にSn−Bi合金からなるめっき層2を形成して試験用めっき部材3とした。その際に、めっき層2の結晶方位面(220)面の配向指数を0.72、(321)面の配向指数を16.0としたもの(部材1)と、めっき層2の結晶方位面(220)面の配向指数を0.03、(321)面の配向指数を20.0としたもの(部材2)の2種を用意した。
[実施例1](前記第1の形態に係る実施例と比較例)
図1に示すように、Cu合金基材1の表面にSn−Bi合金からなるめっき層2を形成して試験用めっき部材3とした。その際に、めっき層2の結晶方位面(220)面の配向指数を0.72、(321)面の配向指数を16.0としたもの(部材1)と、めっき層2の結晶方位面(220)面の配向指数を0.03、(321)面の配向指数を20.0としたもの(部材2)の2種を用意した。
2つの部材に対して、25℃、55℃、85℃の恒温状態で2000時間(h)放置する恒温放置試験と、−40℃と85℃の間および0℃と60℃の間での冷熱サイクルを2000サイクル繰り替えする冷熱サイクル試験とを行い、ウィスカ発生の有無を走査型電子顕微鏡により観察した。その結果を表1に示した。
なお、実施例1において、配向指数の算出はX線回析装置を用い次式により行った。
配向指数=(A/B)/(C/D)
但し、A:求める配向面のピーク強度測定値(cps)
B:考慮した配向面のピーク強度測定値の和(cps)
C:粉末X線解析による求める配向面のピーク強度(cps)
D:粉末X線解析による求める考慮した配向面のピーク強度の和(cps)
但し、A:求める配向面のピーク強度測定値(cps)
B:考慮した配向面のピーク強度測定値の和(cps)
C:粉末X線解析による求める配向面のピーク強度(cps)
D:粉末X線解析による求める考慮した配向面のピーク強度の和(cps)
[評価]
実施例1における部材1、2において、双方とも恒温放置試験ではウィスカの発生はないが、冷熱サイクル試験では、部材1でウィスカが発生し、部材2ではウィスカが発生していない。このことから、鉛フリーの材料からなるめっき層における(321)面の配向指数が16を越える場合であっても、(220)面の配向指数を0.03以下とすることにより、ウィスカの発生のないめっき部材が得られることがわかる。
実施例1における部材1、2において、双方とも恒温放置試験ではウィスカの発生はないが、冷熱サイクル試験では、部材1でウィスカが発生し、部材2ではウィスカが発生していない。このことから、鉛フリーの材料からなるめっき層における(321)面の配向指数が16を越える場合であっても、(220)面の配向指数を0.03以下とすることにより、ウィスカの発生のないめっき部材が得られることがわかる。
このことから、前記めっき層における(321)面の配向指数を15以上とし、かつ(220)面の配向指数を0.5以下とすることにより、特に冷熱サイクルを受けたときにウィスカ発生を抑制できるめっき部材が得られることが充分に推測できる。
[実施例2](前記第2の形態に係る実施例と比較例)
図1に示すように、Cu合金基材1の表面にSn−Ag合金からなるめっき層2を形成して試験用めっき部材3とした。その際に、めっき層2の結晶方位面(220)面の配向指数を11.0、(321)面の配向指数を1.07としたもの(部材3)と、めっき層2の結晶方位面(220)面の配向指数を11.8、(321)面の配向指数を0.08としたもの(部材4)の2種を用意した。なお、配向指数の算出は実施例1と同様にして行った。
図1に示すように、Cu合金基材1の表面にSn−Ag合金からなるめっき層2を形成して試験用めっき部材3とした。その際に、めっき層2の結晶方位面(220)面の配向指数を11.0、(321)面の配向指数を1.07としたもの(部材3)と、めっき層2の結晶方位面(220)面の配向指数を11.8、(321)面の配向指数を0.08としたもの(部材4)の2種を用意した。なお、配向指数の算出は実施例1と同様にして行った。
2つの部材に対して、25℃、55℃、85℃の恒温状態で2000時間(h)放置する恒温放置試験と、−40℃と85℃の間および0℃と60℃の間の冷熱サイクルを2000サイクル繰り替えする冷熱サイクル試験とを行い、ウィスカ発生の有無を走査型電子顕微鏡により観察した。その結果を表2に示した。
[評価]
実施例2における部材3、4において、双方とも恒温放置試験ではウィスカの発生はないが、冷熱サイクル試験では、部材3でウィスカが発生し、部材4ではウィスカが発生していない。このことから、鉛フリーの材料からなるめっき層における(220)面の配向指数が11を越える場合であっても、(321)面の配向指数が1.07の場合はウィスカが発生するが、(321)面の配向指数を0.08とすることにより、ウィスカの発生のないめっき部材が得られることがわかる。
実施例2における部材3、4において、双方とも恒温放置試験ではウィスカの発生はないが、冷熱サイクル試験では、部材3でウィスカが発生し、部材4ではウィスカが発生していない。このことから、鉛フリーの材料からなるめっき層における(220)面の配向指数が11を越える場合であっても、(321)面の配向指数が1.07の場合はウィスカが発生するが、(321)面の配向指数を0.08とすることにより、ウィスカの発生のないめっき部材が得られることがわかる。
このことから、前記めっき層における(220)面の配向指数を10以上とし、かつ(321)面の配向指数を1.0以下とすることにより、特に冷熱サイクルを受けたときにウィスカ発生を抑制できるめっき部材が得られることが充分に推測できる。
1…基材、2…めっき層、3…めっき部材
Claims (5)
- 基材の表面に鉛フリーの材料からなるめっき層を有するめっき部材において、前記めっき層における(321)面の配向指数が15以上であり、かつ(220)面の配向指数が0.5以下であることを特徴とするめっき部材。
- 基材の表面に鉛フリーの材料からなるめっき層を有するめっき部材において、前記めっき層における(220)面の配向指数が10以上であり、かつ(321)面の配向指数が1.0以下であることを特徴とするめっき部材。
- 請求項1または2に記載のめっき部材において、めっき層形成成分はSnおよび/またはSn合金であることを特徴とするめっき部材。
- Sn合金はSn−Ag合金またはSn−Bi合金である請求項3に記載のめっき部材。
- 基材がCuもしくはCu合金または42アロイである請求項1〜4のいずれかに記載のめっき部材。
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JP2012023286A (ja) * | 2010-07-16 | 2012-02-02 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003129284A (ja) * | 2001-10-24 | 2003-05-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 錫−銀合金めっき皮膜の製造方法とその製造方法により作製された錫−銀合金めっき皮膜及びそのめっき皮膜を有する電子部品用リードフレーム |
JP2006070340A (ja) * | 2004-09-03 | 2006-03-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 錫めっき皮膜及びそれを備えた電子部品並びにその製造方法 |
JP2006249460A (ja) * | 2005-03-08 | 2006-09-21 | Kobe Steel Ltd | ウイスカー発生抑制に優れたSnめっきまたはSn合金めっき |
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- 2007-07-17 JP JP2007185759A patent/JP2009024194A/ja active Pending
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