JP2009007634A - Etching method for silver alloy film, and etching solution - Google Patents
Etching method for silver alloy film, and etching solution Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009007634A JP2009007634A JP2007170348A JP2007170348A JP2009007634A JP 2009007634 A JP2009007634 A JP 2009007634A JP 2007170348 A JP2007170348 A JP 2007170348A JP 2007170348 A JP2007170348 A JP 2007170348A JP 2009007634 A JP2009007634 A JP 2009007634A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- silver alloy
- alloy film
- etching solution
- nitrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
Description
本発明は、銀合金膜のエッチング方法およびエッチング溶液に係り、より詳細には微細なパターニング加工に好適な銀合金膜のエッチング方法およびエッチング溶液に関する。 The present invention relates to a silver alloy film etching method and etching solution, and more particularly to a silver alloy film etching method and etching solution suitable for fine patterning.
銀は低抵抗であるとともに高い反射率を有することから、電極膜および反射膜としての利用が検討されているが、耐環境性が良好でないことおよびガラス基板、Ｓｉ基板などの基材上へ形成される場合に基材との密着性が良好でないために、Ａｕ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｓｎ、Ｎｄ等の元素が添加された銀合金膜として市場に供給されている。その用途としては、例えばミラー用金属膜、液晶用半透過膜、太陽電池用電極膜、及び有機ＥＬ用電極膜等が注目されている。その中で液晶用半透過膜、有機EL用電極膜では、より繊細な画像が求められることから銀合金膜についても微細なパターニング加工が求められるようになってきている状況にある。 Since silver has low resistance and high reflectivity, its use as an electrode film and a reflective film has been studied, but it has poor environmental resistance and is formed on a substrate such as a glass substrate or Si substrate. In this case, since the adhesion to the substrate is not good, it is supplied to the market as a silver alloy film to which elements such as Au, Pd, Cu, Sn, and Nd are added. As its application, for example, a metal film for mirror, a semi-transmissive film for liquid crystal, an electrode film for solar cell, and an electrode film for organic EL are attracting attention. Among them, the semi-transparent film for liquid crystal and the electrode film for organic EL are required to have finer patterning processing for the silver alloy film because more delicate images are required.
溶液エッチングによる銀合金薄膜のパターニングは、以下の手順で行われる。まず、銀合金膜の上にスピンコート法等によりレジストを塗布し、該レジストに所望のパターン露光を行うためのフォトマスクを介した露光を行い現像してレジストのパターン形成をする。その後、レジストをマスクとしてエッチング溶液により銀合金膜をエッチングし、レジストを除去してパターンを形成する。 Patterning of the silver alloy thin film by solution etching is performed according to the following procedure. First, a resist is coated on the silver alloy film by a spin coat method or the like, and the resist is exposed through a photomask for performing a desired pattern exposure and developed to form a resist pattern. Thereafter, the silver alloy film is etched with an etching solution using the resist as a mask, and the resist is removed to form a pattern.
銀合金膜はガラス等の基板への付着強度が低いために、銀合金膜下に密着層としてＣｒ、Ｍｏ、Ｔｉ等の金属膜、ＩＴＯ、ＴｉＯ２等の酸化物および銀を含む酸化膜が用いられる。密着層の密着強度が弱い場合には、エッチング溶液が密着層と銀合金膜の界面および密着層とガラスの界面より膜へ染み込むことでサイドエッチングが大きくなり、所望のパターン形成が困難になる。そのため、基板と密着層および密着層と銀合金膜の界面においては十分な密着強度が要求される。また、密着層と銀合金膜層との間に電位差を生じ、電食が発生して銀合金膜の腐食が進展しやすい。銀合金膜において微細なパターンが困難であるのはこの理由による。 Since the silver alloy film has low adhesion strength to a substrate such as glass, a metal film such as Cr, Mo and Ti, an oxide film such as ITO and TiO 2 and an oxide film containing silver as an adhesion layer under the silver alloy film. Used. In the case where the adhesion strength of the adhesion layer is weak, the etching solution penetrates into the film from the interface between the adhesion layer and the silver alloy film and the interface between the adhesion layer and the glass, so that the side etching becomes large and it becomes difficult to form a desired pattern. Therefore, sufficient adhesion strength is required at the interface between the substrate and the adhesion layer and between the adhesion layer and the silver alloy film. In addition, a potential difference is generated between the adhesion layer and the silver alloy film layer, and electric corrosion is generated, and the corrosion of the silver alloy film is likely to progress. It is for this reason that a fine pattern is difficult in the silver alloy film.
この銀合金膜で微細なパターニングを行うために、膜構造、多々のエッチング方法、およびエッチング溶液が提案されている。
銀合金膜のエッチング溶液としては、一般にリン酸、硝酸、及び酢酸の混合酸が使用されるが、リン酸、硝酸、酢酸の重量％を規定することでパターニング時の精度を上昇させる提案（特許文献１）およびリン酸、硝酸、酢酸に硝酸銀を添加して揺動なく、エッチング可能なエッチング溶液の提案（特許文献２）、また、二層銀膜（銀合金膜と密着層用酸化性銀合金膜）を特許文献２に示すエッチング溶液にてエッチングする方法等が提案されている（特許文献３）。さらにはエッチング時の安定化および均一性のためにリン酸、硝酸、酢酸のほかに少量のエッチング溶液安定剤および極微量のエッチング時の均一性保持剤（酢酸アンモニウム）を添加する提案（特許文献４）もなされている。
In order to perform fine patterning with this silver alloy film, a film structure, various etching methods, and etching solutions have been proposed.
Generally, a mixed acid of phosphoric acid, nitric acid, and acetic acid is used as an etching solution for the silver alloy film, but a proposal to increase the patterning accuracy by specifying the weight percent of phosphoric acid, nitric acid, and acetic acid (patent) Document 1) and a proposal of an etching solution that can be etched without shaking by adding silver nitrate to phosphoric acid, nitric acid, and acetic acid (Patent Document 2), and a two-layer silver film (a silver alloy film and an oxidizing silver for an adhesion layer) A method of etching an alloy film with an etching solution shown in Patent Document 2 has been proposed (Patent Document 3). In addition to phosphoric acid, nitric acid, and acetic acid, in addition to phosphoric acid, nitric acid, and acetic acid, a small amount of etching solution stabilizer and a very small amount of uniformity retaining agent (ammonium acetate) are added for etching (patent document). 4) is also made.
しかしながら、リン酸、酢酸、硝酸のみによるエッチング溶液では、エッチング時におけるエッチングレートの安定性が良好でなく、銀合金膜のパターンにおける線幅にばらつきを生じる。リン酸、硝酸、酢酸に硝酸銀を添加したエッチング溶液を用いた場合でも、エッチング溶液中の純水の含有量が多く、溶液が酸性であるため、密着層と上層の間に電位差を生じて上層に電食を発生させ、サイドエッチング幅が多くなり銀合金膜の微細なパターニングが困難になる。さらにリン酸、硝酸、酢酸のほかにエッチング安定剤および均質性保持剤として酢酸アンモニウムを添加することでエッチング時におけるエッチング溶液の安定化、均質化が可能であるが、依然として純水の添加量が多く、溶液も酸性であるために、密着層とその上層の銀合金膜の間に発生する電食によりサイドエッチング量が多くなってしまう虞があった。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、密着層を有する銀合金膜において、サイドエッチング幅を低減せしめ、所望の微細なパターニング加工を可能とする銀合金膜のエッチング方法を提供することを第一の目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a silver alloy film etching method capable of reducing a side etching width and enabling a desired fine patterning process in a silver alloy film having an adhesion layer. The primary purpose is to do.
本発明は、銀合金膜をエッチング処理する際に、サイドエッチング幅を低減しつつ、所望の線幅を得る銀合金膜のパターニング処理を可能とする銀合金膜のエッチング溶液を提供することを第二の目的とする。 The present invention provides an etching solution for a silver alloy film that enables patterning of the silver alloy film to obtain a desired line width while reducing the side etching width when etching the silver alloy film. Second purpose.
密着層を有した銀合金膜において、微細な銀合金パターンを形成するために、鋭意検討した結果、エッチング溶液を検討することで解決することが可能であることを見出した。 As a result of intensive studies to form a fine silver alloy pattern in a silver alloy film having an adhesion layer, it has been found that the problem can be solved by examining an etching solution.
すなわち、銀合金膜のエッチング方法であって、リン酸イオン、硝酸イオン、酢酸イオン、及び純水を少なくとも含み、それらのイオンはリン酸、酢酸、リン酸塩、硝酸塩、酢酸塩のいずれかに由来するエッチング溶液を用い、基板上に密着層を介して配されてなる銀合金膜をエッチング処理することを特徴とする銀合金膜のエッチング方法である。 That is, a silver alloy film etching method comprising at least phosphate ions, nitrate ions, acetate ions, and pure water, and these ions are any one of phosphoric acid, acetic acid, phosphate, nitrate, and acetate. An etching method for a silver alloy film, characterized by etching a silver alloy film formed on a substrate via an adhesion layer using an etching solution derived therefrom.
前記純水の含有量を、０．５重量％以上６重量％以下とした前記エッチング溶液を用いることを特徴とする銀合金膜のエッチング方法である。 An etching method for a silver alloy film, characterized by using the etching solution in which the pure water content is 0.5 wt% or more and 6 wt% or less.
前記密着層を、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔｉ、ＩＴＯ、ＴｉＯ２、または銀を含む酸化膜、を用いて形成することを特徴とする銀合金膜のエッチング方法である。 In the etching method for a silver alloy film, the adhesion layer is formed using Cr, Mo, Ti, ITO, TiO 2 , or an oxide film containing silver.
また、銀合金膜用のエッチング溶液は、リン酸イオン、硝酸イオン、酢酸イオン、及び純水を少なくとも含み、それらのイオンはリン酸、酢酸、リン酸塩、硝酸塩、酢酸塩のいずれかに由来することを特徴とする。 The etching solution for the silver alloy film contains at least phosphate ion, nitrate ion, acetate ion, and pure water, and these ions are derived from any of phosphoric acid, acetic acid, phosphate, nitrate, and acetate. It is characterized by doing.
前記エッチング溶液に占める前記純水の含有量は、０．５重量％以上６重量％以下であることを特徴とする銀合金膜用のエッチング溶液である。 A content of the pure water in the etching solution is 0.5 wt% or more and 6 wt% or less.
本発明の銀合金膜のエッチング方法は、リン酸イオン、硝酸イオン、酢酸イオン、及び純水を少なくとも含み、それらのイオンはリン酸、酢酸、リン酸塩、硝酸塩、酢酸塩のいずれかに由来するエッチング溶液を用いてエッチングを行う。
このエッチング溶液の硝酸イオンの由来として、硝酸塩を用いる。これにより、溶液中に強酸である硝酸を添加しない構成とすることができる。そのため、エッチング溶液のｐＨを中性へと近づけることにより、密着層と銀合金膜との間に発生する電食を抑制することができる。ゆえに、銀合金膜のエッチングの高精度化が図れ、微細な所望の線幅を得る銀合金膜のパターニング処理をすることが可能となる効果を奏する。
The silver alloy film etching method of the present invention includes at least phosphate ions, nitrate ions, acetate ions, and pure water, and these ions are derived from any one of phosphoric acid, acetic acid, phosphate, nitrate, and acetate. Etching is performed using an etching solution.
Nitrate is used as a source of nitrate ions in the etching solution. Thereby, it can be set as the structure which does not add nitric acid which is a strong acid in a solution. Therefore, the electric corrosion generated between the adhesion layer and the silver alloy film can be suppressed by bringing the pH of the etching solution close to neutral. Therefore, the etching accuracy of the silver alloy film can be improved, and the silver alloy film can be patterned to obtain a fine desired line width.
本発明の銀合金膜のエッチング溶液は、リン酸、酢酸、リン酸塩、硝酸塩、酢酸塩のいずれかに由来するリン酸イオン、硝酸イオン、及び酢酸イオンと、純水とからなる。
このエッチング溶液中の硝酸イオンは硝酸塩由来のため、強酸である硝酸をエッチング溶液の構成成分としない。そのため、ｐＨがより中性に近づいたエッチング溶液となるため、該エッチング溶液の導電率が低下し、密着層と銀合金膜との間で電食が発生し難い。ゆえに、該エッチング溶液は、サイドエッチング幅を低減しつつ、所望の線幅を得る銀合金膜のパターニング処理を可能とする効果を奏する。
The silver alloy film etching solution of the present invention comprises phosphate ions, nitrate ions, and acetate ions derived from any one of phosphoric acid, acetic acid, phosphate, nitrate, and acetate, and pure water.
Since nitrate ions in the etching solution are derived from nitrate, nitric acid, which is a strong acid, is not used as a constituent of the etching solution. Therefore, since the etching solution has a pH closer to neutrality, the electrical conductivity of the etching solution is reduced, and electrolytic corrosion is unlikely to occur between the adhesion layer and the silver alloy film. Therefore, the etching solution has an effect of enabling the patterning process of the silver alloy film to obtain a desired line width while reducing the side etching width.
本発明は、密着層を有した銀合金膜をパターニングする際のエッチング方法であり、エッチング対象の銀合金薄膜をエッチング溶液に浸漬することで、良好な精度のエッチングを行うことができる。以下、それぞれについて説明する。 The present invention is an etching method for patterning a silver alloy film having an adhesion layer. Etching with good accuracy can be performed by immersing a silver alloy thin film to be etched in an etching solution. Each will be described below.
使用するエッチング溶液は、リン酸イオン、硝酸イオン、酢酸イオン、及び純水を少なくとも含み、それらのイオンはリン酸、酢酸、リン酸塩、硝酸塩、酢酸塩のいずれかに由来するエッチング溶液である。
エッチング溶液に含まれる、リン酸イオン、硝酸イオン、酢酸イオンは、該エッチング溶液を作製する際に添加されるリン酸、酢酸、リン酸塩、硝酸塩、酢酸塩のいずれかに由来する。ここで由来とは、リン酸、酢酸、リン酸塩、硝酸塩、酢酸塩のいずれかが、純水と混在することにより、各イオンが生じる（イオン化）ことを意味する。
The etching solution used includes at least phosphate ions, nitrate ions, acetate ions, and pure water, and these ions are etching solutions derived from any of phosphoric acid, acetic acid, phosphate, nitrate, and acetate. .
The phosphate ions, nitrate ions, and acetate ions contained in the etching solution are derived from any of phosphoric acid, acetic acid, phosphate, nitrate, and acetate added when the etching solution is prepared. Here, “derived” means that any of phosphoric acid, acetic acid, phosphate, nitrate, and acetate is mixed with pure water to generate each ion (ionization).
このエッチング溶液中の各イオンの濃度比は、銀合金膜の組成、エッチングの作用時間、温度等を考慮して、適宜調節して用いることができる。各イオンの濃度比を調節することで、エッチング中に生じるエッチング溶液濃度のバラツキを低減でき、エッチングされている箇所においてエッチングされる銀合金膜の量が異なることを抑制することができる。 The concentration ratio of each ion in the etching solution can be appropriately adjusted in consideration of the composition of the silver alloy film, the etching operation time, temperature, and the like. By adjusting the concentration ratio of each ion, variation in the concentration of the etching solution generated during etching can be reduced, and the amount of the silver alloy film to be etched at the portion being etched can be suppressed.
本発明のエッチング溶液に用いるリン酸塩としては例えば、リン酸アンモニウム、リン酸カリウム、リン酸ナトリウム等が挙げられる。
硝酸塩としては例えば、硝酸アンモニウム、硝酸銀、硝酸カリウム、硝酸ナトリウム、硝酸カルシウム、硝酸鉄、硝酸銅、硝酸バリウム等が挙げられる。
酢酸塩としては例えば、酢酸アンモニウム、酢酸ナトリウム、酢酸カルシウム、酢酸銅等が挙げられる。
上記硝酸塩、酢酸塩、及びリン酸塩は銀合金膜のエッチング溶液中に単独にて用いてもよく、２種類以上を混合して用いてもよい。また、硝酸塩、酢酸塩、リン酸塩は上記にあげた物質に限らず、本発明に含むことができる。
Examples of the phosphate used in the etching solution of the present invention include ammonium phosphate, potassium phosphate, and sodium phosphate.
Examples of the nitrate include ammonium nitrate, silver nitrate, potassium nitrate, sodium nitrate, calcium nitrate, iron nitrate, copper nitrate, and barium nitrate.
Examples of the acetate include ammonium acetate, sodium acetate, calcium acetate, and copper acetate.
The nitrate, acetate, and phosphate may be used alone in the etching solution of the silver alloy film, or two or more kinds may be mixed and used. In addition, nitrates, acetates, and phosphates are not limited to the substances listed above, and can be included in the present invention.
本発明のエッチング溶液において、酸の代替として塩を用いることが好ましい。この塩としては、例えばリン酸アンモニウム、酢酸アンモニウム、硝酸アンモニウム、硝酸銀等が挙げられる。
このような塩を用いることでエッチング溶液の水素イオンの濃度を低下させることが可能となり、エッチング液の均質性をより向上させることができ、エッチング性をより均質化させることが可能となる。また、ｐＨを中性に近づけることもできる。特に、強酸である硝酸の代替として硝酸塩（例えば硝酸アンモニウム、硝酸銀）を用いることにより、エッチング能力を保ちつつ、エッチング溶液を中性に近づけることも可能となる。
ｐＨを中性に近づけることにより、エッチング溶液の導電率を低く抑えられる。その結果、仮に密着層と銀合金膜との間で電食が発生した場合であっても、この電食による影響を低減できるので、銀合金膜のサイドエッチングの発生量を抑制することが可能となる。
In the etching solution of the present invention, it is preferable to use a salt as an alternative to the acid. Examples of the salt include ammonium phosphate, ammonium acetate, ammonium nitrate, silver nitrate and the like.
By using such a salt, the concentration of hydrogen ions in the etching solution can be reduced, the homogeneity of the etching solution can be further improved, and the etching property can be further homogenized. Moreover, pH can also be approximated to neutrality. In particular, by using nitrate (for example, ammonium nitrate or silver nitrate) as an alternative to nitric acid, which is a strong acid, it is possible to make the etching solution close to neutral while maintaining the etching ability.
By bringing the pH close to neutral, the conductivity of the etching solution can be kept low. As a result, even if galvanic corrosion occurs between the adhesion layer and the silver alloy film, the influence of this galvanic corrosion can be reduced, so the amount of side etching of the silver alloy film can be suppressed. It becomes.
純水に関しては、エッチング溶液の導電率を低下させるために、エッチング溶液に含まれる純水の量を低減させることが好ましい。エッチング溶液に占める純水の含有量が６重量％以下であれば、十分にエッチング溶液の導電率を低下させることで銀合金膜のサイドエッチングの発生量を抑制することができる。リン酸及び酢酸の純度を上げるために、エッチング溶液に占める純水の含有量を０．５重量％以下とすることで、より銀合金膜のサイドエッチングの発生量を抑制する効果が期待できるが、エッチング溶液の大幅なコストの増加が見込まれること、及び、エッチング溶液の占める純水の含有量が０．５重量％以上で、十分に銀合金膜のサイドエッチングの発生量を抑制できることから、エッチング溶液に占める純水の含有量は、０．５重量％以上６重量％以下であることが好ましい。 With respect to pure water, it is preferable to reduce the amount of pure water contained in the etching solution in order to reduce the conductivity of the etching solution. If the content of pure water in the etching solution is 6% by weight or less, the amount of side etching of the silver alloy film can be suppressed by sufficiently reducing the conductivity of the etching solution. In order to increase the purity of phosphoric acid and acetic acid, the content of pure water in the etching solution is 0.5% by weight or less, but the effect of suppressing the amount of side etching of the silver alloy film can be expected. From the fact that a significant increase in cost of the etching solution is expected, and the content of pure water occupied by the etching solution is 0.5% by weight or more, the amount of side etching of the silver alloy film can be sufficiently suppressed, The content of pure water in the etching solution is preferably 0.5% by weight or more and 6% by weight or less.
エッチング対象である銀合金膜に関してはＡｇを主とし、そのほかにＡｕ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｎｄ、Ｓｍ等を添加することができる。添加量を多くすると銀合金特有の反射率が低下するため、全部で８％以内の添加量とすることが好ましい。 The silver alloy film to be etched is mainly composed of Ag, and in addition, Au, Pd, Cu, Sn, Bi, Nd, Sm and the like can be added. When the addition amount is increased, the reflectance specific to the silver alloy is lowered. Therefore, the addition amount is preferably within 8% in total.
銀合金膜は一般にＳｉ基板やガラス基板等への密着が良好でなく、基板との接着に密着層を必要とする。密着層として用いられる材質は、例えばＣｒ、Ｍｏ、Ｔｉ等が挙げられ、ＩＴＯ、ＴｉＯ２等の酸化物および銀を含む酸化膜を用いることも可能である。密着層の基板上への形成方法としては、スパッタ法が好ましく、反応性スパッタがより好ましい。 Silver alloy films generally do not adhere well to Si substrates, glass substrates, etc., and require an adhesion layer for adhesion to the substrate. Examples of the material used for the adhesion layer include Cr, Mo, Ti, and the like, and an oxide film containing an oxide such as ITO or TiO 2 and silver can also be used. As a method for forming the adhesion layer on the substrate, sputtering is preferable, and reactive sputtering is more preferable.
銀合金膜のエッチングに関して、反応温度は、エッチング溶液の各イオンの濃度比や銀合金膜の組成等を考慮して適宜調節することができ、例えば、２０℃〜３０℃が好ましい。
エッチング時間は、エッチング溶液の各イオンの濃度比や銀合金の組成、反応温度等を考慮して適宜調節することができる。
Regarding the etching of the silver alloy film, the reaction temperature can be appropriately adjusted in consideration of the concentration ratio of each ion of the etching solution, the composition of the silver alloy film, etc.
The etching time can be appropriately adjusted in consideration of the concentration ratio of each ion in the etching solution, the composition of the silver alloy, the reaction temperature, and the like.
本発明に使用するエッチング溶液には、銀合金膜への濡れ性を改善するために、界面活性剤を添加してもよい。界面活性剤としては、例えば、アニオン系界面活性剤、ノニオン系界面活性材、またはカチオン系界面活性剤の何れの界面活性剤を用いることもでき、複数種の界面活性剤を混合して用いてもよい。また、エッチング中のエッチング溶液の濃度を安定化させる目的から、アルキル基を有した安定剤を添加してもよい。このような安定剤としては、エッチングの際に通常用いるものであれば、特に限定されるものではない。 A surfactant may be added to the etching solution used in the present invention in order to improve wettability to the silver alloy film. As the surfactant, for example, any of an anionic surfactant, a nonionic surfactant, or a cationic surfactant can be used, and a mixture of a plurality of types of surfactants can be used. Also good. Further, for the purpose of stabilizing the concentration of the etching solution during etching, a stabilizer having an alkyl group may be added. Such a stabilizer is not particularly limited as long as it is usually used in etching.
本発明の実施例を下記に示す。尚、実施例は本発明の一例であり、本発明はこれに限るものではない。 Examples of the present invention are shown below. In addition, an Example is an example of this invention and this invention is not restricted to this.
（実施例１）
無アルカリガラス（コーニング１７３７）に密着層としてＡｇ−１．７ｗｔ％Ａｕ−１．８ｗｔ％Ｃｕ−２．０ｗｔ％Ｓｎ合金酸化膜を反応性スパッタによって２０ｎｍ成膜した上に、銀合金膜として厚さ１３０ｎｍのＡｇ−１．０ｗｔ％Ａｕ−０．３ｗｔ％Ｃｕ合金膜をＡｒガスによるスパッタにより形成した。
上記銀合金膜上にフォトレジスト（ＡＺエレクトロマテリアルズ社製ＡＺＰ１３５０）を８００ｎｍ塗布し、１００℃にて３０分ベークをした後にフォトマスクを介した露光、そしてＫＯＨ１ｗｔ％液による現像を行って、２０μｍのライン＆スペースを有するレジストパターンを形成したものをエッチング評価用のサンプルとした。そして、８５％濃度リン酸を４５ｍｌ、９９％酢酸を７５ｍｌ、硝酸アンモニウム７ｇの割合にて作製したエッチング溶液を用いて２５℃にて上記銀合金膜のエッチングを行った。このエッチング溶液において純水の量比は全体の４．６重量％であった。
この状態にて線状の銀合金膜におけるサイドエッチング量を側長機にて測定したところ、１．３μｍであった。この後、サンプルにおけるレジストをＮａＯＨ５％水溶液４０℃に５分浸漬し、除去した。銀合金膜パターンの線幅を測定したところ、１７．４μｍであった。
Example 1
An Ag-1.7 wt% Au-1.8 wt% Cu-2.0 wt% Sn alloy oxide film was formed as a close adhesion layer on an alkali-free glass (Corning 1737) by reactive sputtering, and then a silver alloy film was thick. A 130 nm thick Ag-1.0 wt% Au-0.3 wt% Cu alloy film was formed by sputtering with Ar gas.
A photoresist (AZP1350 manufactured by AZ Electromaterials) was applied to the silver alloy film at 800 nm, baked at 100 ° C. for 30 minutes, exposed through a photomask, and developed with a 1 wt% KOH solution, and 20 μm. A sample for etching evaluation was formed by forming a resist pattern having the following lines and spaces. And the said silver alloy film was etched at 25 degreeC using the etching solution produced in the ratio of 45 ml of 85% concentration phosphoric acid, 75 ml of 99% acetic acid, and 7 g of ammonium nitrate. In this etching solution, the amount of pure water was 4.6% by weight.
In this state, the amount of side etching in the linear silver alloy film was measured with a side length machine and found to be 1.3 μm. Thereafter, the resist in the sample was removed by immersing in a NaOH 5% aqueous solution at 40 ° C. for 5 minutes. When the line width of the silver alloy film pattern was measured, it was 17.4 μm.
（実施例２）
実施例１と同様に、エッチング評価用のサンプルを作製した。
そして、８５％濃度リン酸を４５ｍｌ、９９％酢酸を６０ｍｌ、酢酸アンモニウム１３ｇ、硝酸アンモニウム７ｇの割合にて作製したエッチング溶液を用いて２５℃にて銀合金膜のエッチングを行った。このエッチング溶液において純水の量比は全体の４．６重量％であった。
この状態にて線状の銀合金膜の側面におけるサイドエッチング量を側長機にて測定したところ、１．６μｍであった。この後、実施例１と同様にレジストを除去した。銀合金パターンの線幅を測定したところ、１６．８μｍであった。
(Example 2)
Similar to Example 1, a sample for etching evaluation was prepared.
Then, the silver alloy film was etched at 25 ° C. using an etching solution prepared in a ratio of 45 ml of 85% concentration phosphoric acid, 60 ml of 99% acetic acid, 13 g of ammonium acetate, and 7 g of ammonium nitrate. In this etching solution, the amount of pure water was 4.6% by weight.
In this state, the side etching amount on the side surface of the linear silver alloy film was measured with a side length machine, and found to be 1.6 μm. Thereafter, the resist was removed in the same manner as in Example 1. When the line width of the silver alloy pattern was measured, it was 16.8 μm.
（実施例３）
実施例１と同様に、エッチング評価用のサンプルを作製した。
そして、８５％濃度リン酸を４５ｍｌ、９９％酢酸を７５ｍｌ、硝酸銀１０ｇの割合にて作製したエッチング溶液を用いて２５℃にて銀合金膜のエッチングを行った。このエッチング溶液において純水の量比は全体の４．５重量％であった。
この状態にて線状の銀合金膜の側面におけるサイドエッチング量を側長機にて測定したところ、１．４μｍであった。この後、実施例１と同様にレジストを除去した。銀合金パターンの線幅を測定したところ、１７．２μｍであった。
(Example 3)
Similar to Example 1, a sample for etching evaluation was prepared.
Then, the silver alloy film was etched at 25 ° C. using an etching solution prepared in a ratio of 45 ml of 85% phosphoric acid, 75 ml of 99% acetic acid, and 10 g of silver nitrate. In this etching solution, the amount ratio of pure water was 4.5% by weight of the whole.
In this state, the side etching amount on the side surface of the linear silver alloy film was measured by a side length machine, and found to be 1.4 μm. Thereafter, the resist was removed in the same manner as in Example 1. When the line width of the silver alloy pattern was measured, it was 17.2 μm.
（実施例４）
実施例１と同様に、エッチング評価用のサンプルを作製した。
そして、８５％濃度リン酸を３０ｍｌ、リン酸アンモニウム１５ｇ、９９％酢酸を７５ｍｌ、硝酸アンモニウム７ｇの割合にて作製したエッチング溶液を用いて２５℃にて銀合金膜のエッチングを行った。このエッチング溶液において純水の量比は全体の３．５重量％であった。
この状態にて線状の銀合金膜の側面におけるサイドエッチング量を側長機にて測定したところ、１．２μｍであった。この後、実施例１と同様にレジストを除去した。銀合金パターンの線幅を測定したところ、１７．６μｍであった。
Example 4
Similar to Example 1, a sample for etching evaluation was prepared.
Then, the silver alloy film was etched at 25 ° C. using an etching solution prepared in a ratio of 30 ml of 85% phosphoric acid, 15 g of ammonium phosphate, 75 ml of 99% acetic acid, and 7 g of ammonium nitrate. In this etching solution, the amount ratio of pure water was 3.5% by weight of the whole.
In this state, the side etching amount on the side surface of the linear silver alloy film was measured by a side length machine, and found to be 1.2 μm. Thereafter, the resist was removed in the same manner as in Example 1. When the line width of the silver alloy pattern was measured, it was 17.6 μm.
（比較例１）
実施例１と同様に、エッチング評価用のサンプルを作製した。
そして、８５％濃度リン酸を４０ｍｌ、９９％酢酸を５０ｍｌ、７０％硝酸１０ｍｌの割合にて作製したエッチング溶液を用いて２５℃にて銀合金膜のエッチングを行った。このエッチング溶液において純水の量比は全体の７．１重量％であった。
この状態にて線状の銀合金膜の側面におけるサイドエッチング量を側長機にて測定したところ、２．６μｍであった。この後、実施例１と同様にレジストを除去した。銀合金パターンの線幅を測定したところ、１４．８μｍであった。
(Comparative Example 1)
Similar to Example 1, a sample for etching evaluation was prepared.
Then, the silver alloy film was etched at 25 ° C. using an etching solution prepared in a ratio of 40 ml of 85% phosphoric acid, 50 ml of 99% acetic acid, and 10 ml of 70% nitric acid. In this etching solution, the amount of pure water was 7.1% by weight of the whole.
In this state, the amount of side etching on the side surface of the linear silver alloy film was measured with a side length machine and found to be 2.6 μm. Thereafter, the resist was removed in the same manner as in Example 1. When the line width of the silver alloy pattern was measured, it was 14.8 μm.
（比較例２）
実施例１と同様に、エッチング評価用のサンプルを作製した。
そして、８５％濃度リン酸を４０ｍｌ、７０％硝酸を１０ｍｌ、純水５０ｍｌの割合にて作製したエッチング溶液を用いて２５℃にて銀合金膜のエッチングを行った。このエッチング溶液において純水の量比は全体の４５重量％であった。
この状態にて線状の銀合金膜の側面におけるサイドエッチング量を側長機にて測定したところ、４．８μｍであった。この後、実施例１と同様にレジストを除去した。銀合金パターンの線幅を測定したところ、１０．４μｍであった。
(Comparative Example 2)
Similar to Example 1, a sample for etching evaluation was prepared.
Then, the silver alloy film was etched at 25 ° C. using an etching solution prepared at a ratio of 40 ml of 85% phosphoric acid, 10 ml of 70% nitric acid, and 50 ml of pure water. In this etching solution, the amount ratio of pure water was 45% by weight of the whole.
In this state, the side etching amount on the side surface of the linear silver alloy film was measured with a side length machine, and found to be 4.8 μm. Thereafter, the resist was removed in the same manner as in Example 1. When the line width of the silver alloy pattern was measured, it was 10.4 μm.
上記実施例１〜４、及び比較例１、２について、そのエッチング溶液の組成、エッチングによって起こるサイドエッチング量、並びにレジストを除去した際の銀合金パターンの線幅を、表１に示す。 Table 1 shows the composition of the etching solution, the amount of side etching caused by etching, and the line width of the silver alloy pattern when the resist was removed for Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 and 2.
表１より、硝酸の代わりに硝酸塩である硝酸アンモニウムまたは硝酸銀を用いたエッチング溶液（実施例１〜４）では、硝酸を用いたエッチング溶液（比較例１，２）と比べ、エッチング溶液中の純水含有量が低下し、銀合金膜のサイドエッチング量が大幅に低減した。硝酸塩に加えリン酸塩を加えた実施例４においては、更に純水含有量の低下が観察された。
この結果は、エッチング溶液中の純水含有量が低減したこと、及び硝酸水溶液の代替として硝酸塩を用いたことでエッチング溶液のｐＨが中性に近づいたこと、によって、該エッチング溶液の導電率が低下し、密着層と銀合金膜との間に発生する電食を抑制することで、線状の銀合金膜の側面におけるサイドエッチングが低減されたものと考えられる。
From Table 1, in the etching solutions (Examples 1 to 4) using ammonium nitrate or silver nitrate which is a nitrate instead of nitric acid, pure water in the etching solution was compared with the etching solutions using Nitric Acid (Comparative Examples 1 and 2). The content decreased, and the side etching amount of the silver alloy film was greatly reduced. In Example 4 in which phosphate was added in addition to nitrate, a further decrease in pure water content was observed.
This result shows that the conductivity of the etching solution is reduced due to the reduced pure water content in the etching solution and the fact that the pH of the etching solution is close to neutral by using nitrate as an alternative to the aqueous nitric acid solution. It is considered that the side etching on the side surface of the linear silver alloy film is reduced by suppressing the electrolytic corrosion generated between the adhesion layer and the silver alloy film.
本発明を用いることで有機ＥＬ用電極膜パターンおよび半透過型電極パターン等の微細なパターンを低抵抗である銀合金膜にて形成することが可能であり、フラットパネルディスプレイ等に適用させた場合、消費電力を低減させることが可能となる。 By using the present invention, it is possible to form a fine pattern such as an organic EL electrode film pattern and a transflective electrode pattern with a low resistance silver alloy film, and when applied to a flat panel display or the like Thus, power consumption can be reduced.
Claims (5)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007170348A JP2009007634A (en) | 2007-06-28 | 2007-06-28 | Etching method for silver alloy film, and etching solution |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007170348A JP2009007634A (en) | 2007-06-28 | 2007-06-28 | Etching method for silver alloy film, and etching solution |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2009007634A true JP2009007634A (en) | 2009-01-15 |
Family
ID=40323010
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007170348A Withdrawn JP2009007634A (en) | 2007-06-28 | 2007-06-28 | Etching method for silver alloy film, and etching solution |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2009007634A (en) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010242124A (en) * | 2009-04-01 | 2010-10-28 | Tosoh Corp | Composition for etching, and etching method |
| US8040761B2 (en) | 2009-06-24 | 2011-10-18 | Tdk Corporation | Near-field light generating device including near-field light generating element disposed over waveguide with buffer layer and adhesion layer therebetween |
| KR20140117815A (en) * | 2013-03-27 | 2014-10-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | Etchant composition, method of forming a metal pattern and method of manufacturing a display substrate using the same |
| JP2016167581A (en) * | 2015-03-09 | 2016-09-15 | 東友ファインケム株式会社Dongwoo Fine−Chem Co., Ltd. | Liquid composition for etching silver-containing film and manufacturing method of array substrate for display device using same |
| KR20170131947A (en) * | 2016-05-23 | 2017-12-01 | 동우 화인켐 주식회사 | Etching solution composition for silver-containing layer and an display substrate using the same |
| KR20190011984A (en) * | 2017-07-26 | 2019-02-08 | 동우 화인켐 주식회사 | Etchant composition for etching metal layer and method of forming conductive pattern using the same |
| JP2019212897A (en) * | 2018-05-30 | 2019-12-12 | 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | Thin film etchant composition and metal pattern-forming method by utilizing the same |
| CN113166923A (en) * | 2018-12-05 | 2021-07-23 | 三菱综合材料株式会社 | Metal film and sputtering target |
-
2007
- 2007-06-28 JP JP2007170348A patent/JP2009007634A/en not_active Withdrawn
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010242124A (en) * | 2009-04-01 | 2010-10-28 | Tosoh Corp | Composition for etching, and etching method |
| US8040761B2 (en) | 2009-06-24 | 2011-10-18 | Tdk Corporation | Near-field light generating device including near-field light generating element disposed over waveguide with buffer layer and adhesion layer therebetween |
| KR20140117815A (en) * | 2013-03-27 | 2014-10-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | Etchant composition, method of forming a metal pattern and method of manufacturing a display substrate using the same |
| KR102087791B1 (en) | 2013-03-27 | 2020-03-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | Etchant composition, method of forming a metal pattern and method of manufacturing a display substrate using the same |
| JP2016167581A (en) * | 2015-03-09 | 2016-09-15 | 東友ファインケム株式会社Dongwoo Fine−Chem Co., Ltd. | Liquid composition for etching silver-containing film and manufacturing method of array substrate for display device using same |
| KR20170131947A (en) * | 2016-05-23 | 2017-12-01 | 동우 화인켐 주식회사 | Etching solution composition for silver-containing layer and an display substrate using the same |
| KR102546803B1 (en) | 2016-05-23 | 2023-06-22 | 동우 화인켐 주식회사 | Etching solution composition for silver-containing layer and an display substrate using the same |
| KR20190011984A (en) * | 2017-07-26 | 2019-02-08 | 동우 화인켐 주식회사 | Etchant composition for etching metal layer and method of forming conductive pattern using the same |
| KR102457168B1 (en) * | 2017-07-26 | 2022-10-19 | 동우 화인켐 주식회사 | Etchant composition for etching metal layer and method of forming conductive pattern using the same |
| JP2019212897A (en) * | 2018-05-30 | 2019-12-12 | 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | Thin film etchant composition and metal pattern-forming method by utilizing the same |
| JP7403966B2 (en) | 2018-05-30 | 2023-12-25 | 三星ディスプレイ株式會社 | Thin film etching solution composition and metal pattern forming method using the same |
| CN113166923A (en) * | 2018-12-05 | 2021-07-23 | 三菱综合材料株式会社 | Metal film and sputtering target |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2009007634A (en) | Etching method for silver alloy film, and etching solution | |
| TWI278535B (en) | Etchant compositions for metal thin films having as the major component silver | |
| JP5735811B2 (en) | Etching solution composition for metal thin film mainly composed of copper | |
| KR101256276B1 (en) | Etchant composition for etching a conductive multi-layer film and etching method using the same | |
| JP2006339635A (en) | Etching composition | |
| JP4940212B2 (en) | Etching solution composition for forming metal wiring for TFT-LCD | |
| TW201446491A (en) | Fused metal nanostructured networks, fusing solutions with reducing agents and methods for forming metal networks | |
| KR20130130515A (en) | Echant for silver pattern | |
| JP2009206488A (en) | Etchant composition for forming metal wiring for thin-film transistor liquid display device | |
| KR20100048144A (en) | Chemical etching composition for metal layer | |
| TW201323661A (en) | Etchant for copper and copper alloy | |
| JP4949416B2 (en) | Etching solution composition for ITO film and method for etching ITO film using the same | |
| JP2005097715A (en) | Etching solution for titanium-containing layer and method for etching titanium-containing layer | |
| TW201638393A (en) | Etchant composition and method of manufacturing array substrate for liquid crystal display | |
| JP5304637B2 (en) | Etching solution and etching method | |
| KR20130045190A (en) | Etching solution composition for metalfilm comprising copper layer and/or copper alloy layer, and etching method using same | |
| CN110295368B (en) | Indium tin oxide/silver multi-layer film etching liquid composition containing no phosphate | |
| CN104419932B (en) | It is used to form the wiring of silver or silver alloy and the etching agent composite in reflecting layer | |
| JPWO2008026542A1 (en) | Etching solution and etching method | |
| CN106555187B (en) | Etchant composition, method for etching copper-based metal layer, method for manufacturing array substrate and array substrate manufactured by same | |
| JP2005328041A (en) | Etching method and etchant | |
| JP4696565B2 (en) | Etching solution and etching method | |
| TWI364072B (en) | Etching composition | |
| KR101941289B1 (en) | Manufacturing method of an array substrate for liquid crystal display | |
| JP4188299B2 (en) | Ag-based alloy wiring electrode film for flat panel display, Ag-based alloy sputtering target, and flat panel display |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20100907 |