JP2009098053A - Apparatus and method for inspecting unevenness of periodic pattern - Google Patents
Apparatus and method for inspecting unevenness of periodic pattern Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009098053A JP2009098053A JP2007271097A JP2007271097A JP2009098053A JP 2009098053 A JP2009098053 A JP 2009098053A JP 2007271097 A JP2007271097 A JP 2007271097A JP 2007271097 A JP2007271097 A JP 2007271097A JP 2009098053 A JP2009098053 A JP 2009098053A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- illumination
- imaging
- periodic pattern
- image
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
Description
本発明は、周期性パターンを有する被検査体においてパターンのムラを検査するための装置および方法に関する。周期性パターンとは、一定の間隔を有するパターンの集合体を称し、例えば、パターンが所定のピッチで配列したストライプ状の周期性パターン、または開口部のパターンが所定の周期で2次元的に配列したマトリクス状のパターン等が該当する。周期性パターンを有する被検査体としては特に、半導体装置、撮像デバイスおよび表示デバイス等を製造する際にフォトリソグラフィー処理の露光工程で用いられるフォトマスクが挙げられる。 The present invention relates to an apparatus and method for inspecting pattern unevenness in an inspection object having a periodic pattern. A periodic pattern refers to an aggregate of patterns having a constant interval. For example, a periodic pattern of stripes in which patterns are arranged at a predetermined pitch, or a pattern of openings is two-dimensionally arranged at a predetermined period. Such a matrix pattern corresponds to this. Examples of the inspection object having a periodic pattern include a photomask used in an exposure process of a photolithography process when manufacturing a semiconductor device, an imaging device, a display device, and the like.
従来、半導体装置、撮像デバイスおよび表示デバイス等の製造工程で用いられるフォトマスクとしては、ガラス等の透明基板上にクロム等の遮光膜が一定のパターンに部分的に除去されて構成されたものが知られている。 Conventionally, as a photomask used in a manufacturing process of a semiconductor device, an imaging device, a display device and the like, a photomask that is configured by partially removing a light shielding film such as chromium on a transparent substrate such as glass in a certain pattern is used. Are known.
フォトマスクのような周期性パターンにおけるムラ欠陥は、通常微細なピッチズレや位置ズレが規則的に配列していることが原因であることが多いため、個々のパターン検査では発見することが困難であるが、周期性パターンを広い領域において観察した時に初めて認識される欠陥である。 Uneven defects in periodic patterns such as photomasks are usually caused by the regular arrangement of fine pitch deviations and positional deviations, and are therefore difficult to find by individual pattern inspection. However, this is a defect recognized for the first time when the periodic pattern is observed in a wide area.
従来の周期性パターンにおけるムラ検査では、同軸の透過照明や平面照明を用いて透過率画像を撮像し、各々の画像での光強度を比較することによって正常部とムラ部の視認を行っている。しかし、正常部とムラ部における光の強度差は決して大きいわけではなく、得られる画像のコントラストは低い。そのため、コントラストの低い画像に対しその強度差の処理方法を工夫することでコントラストアップを図り、ムラ部を抽出し検査を行っている(特許文献1参照)。 In the conventional unevenness inspection of periodic patterns, a transmittance image is captured using coaxial transmission illumination or planar illumination, and the normal portion and the unevenness portion are visually recognized by comparing the light intensity in each image. . However, the difference in light intensity between the normal part and the uneven part is not always large, and the contrast of the obtained image is low. For this reason, the contrast difference is improved by devising an intensity difference processing method for an image having a low contrast, and a nonuniformity portion is extracted for inspection (see Patent Document 1).
しかし、上記従来技術においては、格子状周期性パターンのブラックマトリクスのムラ、特に開口部の大きいブラックマトリクスのムラの撮像において、正常部とムラ部でのコントラスト向上が期待されず、強度差の処理を工夫したとしても元画像のコントラストが低い画像の場合の検査では、目視での官能検査方法より低い検査能力しか達成できないという問題がある。 However, in the above-described conventional technique, in the imaging of the black matrix unevenness of the lattice-like periodic pattern, particularly the black matrix unevenness having a large opening, the contrast between the normal portion and the uneven portion is not expected to be improved. However, the inspection in the case of an image with a low contrast of the original image has a problem that only an inspection ability lower than the visual sensory inspection method can be achieved.
一方、半導体の微細化や、微細な表示と明るい画面の電子部品の増加により、前記周期性パターンでは微細化、または開口部比率の増大傾向が進んでいる。将来的には、より開口部の大きい、より微細形状の周期性パターンのムラ検査装置およびその方法が必要となる。すなわち、従来の光の振幅による光の強度(明るさ)の強弱のみの出力では限界がある。 On the other hand, due to the miniaturization of semiconductors and the increase in electronic components with fine displays and bright screens, the periodic pattern tends to be miniaturized or the ratio of openings is increased. In the future, a non-uniformity inspection apparatus and method for a periodic pattern having a finer shape and a larger opening will be required. That is, there is a limit in the conventional output with only the intensity (brightness) of light based on the amplitude of light.
そこで、周期性のあるパターン、例えばブラックマトリクスムラを安定的、高精度に撮像、検出可能な周期性パターンムラ検査装置を提供することを目的として、照明光が被検査体に照射され、周期性パターンによって生じる透過回折光を画像検査する、例えば特許文献2のような検査装置が提案された。周期性パターンの正常部では開口部の形状・ピッチが一定となるため互いに干渉し一定の方向に回折光を生じる。それに対し、ムラ部では開口部の形状、ピッチが不規則になるため、形状、ピッチに応じて種々の方向に、種々の強さで回折光が生じる。この検査装置では、正常部とムラ部における回折光強度コントラストの違いから、ムラ部を検出する方式をとっている。 Therefore, for the purpose of providing a periodic pattern unevenness inspection apparatus capable of imaging and detecting a periodic pattern, for example, black matrix unevenness stably and with high accuracy, illumination light is irradiated onto the object to be inspected. For example, an inspection apparatus such as Patent Document 2 for inspecting transmitted diffracted light generated by a pattern has been proposed. In the normal part of the periodic pattern, the shape and pitch of the openings are constant, so that they interfere with each other and generate diffracted light in a certain direction. On the other hand, since the shape and pitch of the opening are irregular in the uneven portion, diffracted light is generated with various intensities in various directions according to the shape and pitch. In this inspection apparatus, a method of detecting a nonuniformity portion from the difference in diffracted light intensity contrast between the normal portion and the nonuniformity portion is adopted.
ところで、周期性パターン、例えばフォトマスクにおいては、パターンの微細化が進んでおり、フォトリソグラフィー処理の露光工程時において、ステッパの解像力に限界が迫りつつあることや、レンズ縮小系だけで解像力を向上させることが困難となりつつある。このため各種の解像力向上技法が提案されてきており、その中の1つに位相シフトマスクが挙げられる。位相シフトマスクはガラスと遮光部の透過位相を180度ずらし、光の干渉効果を利用して微細パターンを解像するマスクである。この中では、遮光部を半透明膜にしたハーフトーンマスクが多く利用されている。図1に、従来のCrマスクとハーフトーンマスクとの比較を模式的に示す。 By the way, in the periodic pattern, for example, photomask, the miniaturization of the pattern is progressing, and the resolution of the stepper is approaching the limit during the exposure process of the photolithography process, and the resolution is improved only by the lens reduction system. It is becoming difficult to do. For this reason, various resolution improvement techniques have been proposed, and one of them is a phase shift mask. The phase shift mask is a mask for resolving a fine pattern by shifting the transmission phase between the glass and the light shielding portion by 180 degrees and utilizing the light interference effect. Among them, a halftone mask having a light-shielding portion as a semitransparent film is often used. FIG. 1 schematically shows a comparison between a conventional Cr mask and a halftone mask.
ハーフトーンマスクは従来のCrマスクと異なり、露光波長で高いコントラストが得られるように膜の透過率と位相が決められている。半透膜材質としては、MoSi系の単層膜が広く用いられており、その分光透過率は可視域において50〜60%におよぶ場合もあり、Cr遮光膜に比べて高い値となる特性を有している。 Unlike a conventional Cr mask, the halftone mask has the film transmittance and phase determined so that a high contrast can be obtained at the exposure wavelength. As a semi-permeable film material, a MoSi-based single layer film is widely used, and its spectral transmittance may reach 50 to 60% in the visible range, and has a characteristic that is higher than that of a Cr light shielding film. Have.
前述した透過回折光を用いる検査装置では、照明光として可視光を用いている。そのため、ハーフトーンマスクを検査対象とした場合、ほとんどの光の成分はパターン部にて遮光されずに透過してしまう。その結果得られる検査画像では明暗のコントラストが低くなり、正常部とムラ部とのコントラストが著しく低くなってしまうため、回折光強度コントラストの違いからムラ部を検出する方法は困難となってしまう。 In the above-described inspection apparatus using transmitted diffracted light, visible light is used as illumination light. Therefore, when a halftone mask is used as an inspection target, most light components are transmitted without being blocked by the pattern portion. In the inspection image obtained as a result, the contrast between light and dark becomes low, and the contrast between the normal part and the uneven part becomes extremely low. Therefore, it becomes difficult to detect the uneven part from the difference in the contrast of the diffracted light intensity.
以下に公知文献を記す。
本発明は上記の問題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、周期性のあるパターン、特にハーフトーンマスクのように可視光による検査が困難とされるような被検査体に対しても、ムラを高精度に撮像、検出可能な周期性パターンのムラ検査装置、および方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and its object is to provide an object to be inspected that is difficult to inspect with visible light, such as a periodic pattern, particularly a halftone mask. In contrast, an object of the present invention is to provide a periodic pattern unevenness inspection apparatus and method capable of capturing and detecting unevenness with high accuracy.
上記課題を解決するために為された請求項1に記載の発明は、基板上に周期性パターンが形成されたパターン基板を検査対象基板とし、周期性パターンにより生じる回折光を用いて検査するムラ検査装置であって、X軸およびY軸方向に駆動する機構を具備する搬送手段と、前記搬送手段に設置された検査対象基板上の前記周期性パターンに対して、照明ヘッド部の垂直方向角度および水平方向角度調整が可能であり、かつ照明の照射位置が一定であるように制御可能な照明駆動部を具備する透過照明部および反射照明部を有する照明手段と、前記照明手段によって透過照明または反射照明された前記周期性パターンにおいて生じる回折光を撮像する撮像手段と、前記撮像手段の出力をディジタル化した画像情報とする画像入力手段と、前記画像入力手段により得られた画像情報について、欠陥部抽出・判定処理を行う画像処理手段と、前記撮像手段で撮像した画像、および前記画像処理手段による処理画像を表示する表示手段と、を具備し、かつ前記照明手段において、可視光が照射可能な光源及び紫外光が照射可能な光源と、光源からの導光手段切替機構と、各々の光源の点灯および消灯手段とを具備する照明光切替手段と、前記透過照明部および前記反射照明部において、それぞれ可視光照射のための前記照明ヘッド部および紫外光照射のための前記照明ヘッド部と、を備える特徴とするムラ検査装置としたものである。 The invention according to claim 1, which has been made in order to solve the above-described problem, is a non-uniformity inspecting using a diffracted light generated by a periodic pattern, with a pattern substrate having a periodic pattern formed on the substrate as a substrate to be inspected. An inspection apparatus, which is a vertical angle of an illumination head unit with respect to the periodic pattern on a substrate to be inspected installed on the substrate to be inspected and having a mechanism for driving in the X-axis and Y-axis directions And a illuminating means having a transmissive illumination part and a reflective illuminating part, each of which can be adjusted so that the angle of the horizontal direction can be adjusted and the irradiation position of the illumination is constant; Imaging means for imaging diffracted light generated in the periodic pattern that has been reflected and illuminated, image input means for converting the output of the imaging means into digitized image information, and Image processing means for performing defect portion extraction / determination processing on the image information obtained by the image input means, and display means for displaying an image captured by the imaging means and a processed image by the image processing means. In addition, the illumination means includes: a light source capable of irradiating visible light; a light source capable of irradiating ultraviolet light; a light guide means switching mechanism from the light source; and a light on / off means for each light source. And a non-uniformity inspection apparatus including the illumination head unit for irradiation with visible light and the illumination head unit for irradiation with ultraviolet light in the transmission illumination unit and the reflection illumination unit, respectively. .
また請求項2に記載の発明は、前記撮像手段が、少なくとも紫外域〜可視域において撮像可能な受光感度を有し、かつ前記照明手段における紫外光導光手段および紫外光照射のための照明ヘッド部は紫外光透過特性を有する光学部材から成ることを特徴とする、請求項1に記載のムラ検査装置としたものである。 The invention according to claim 2 is characterized in that the imaging means has a light receiving sensitivity capable of imaging at least in an ultraviolet range to a visible range, and an ultraviolet light guide means in the illumination means and an illumination head unit for ultraviolet light irradiation. The nonuniformity inspection apparatus according to claim 1, wherein the unevenness inspection apparatus comprises an optical member having ultraviolet light transmission characteristics.
また請求項3に記載の発明は、前記照明手段における光源が、メタルハライドランプおよび水銀キセノンランプであることを特徴とする、請求項1、2のいずれかに記載のムラ検査装置としたものである。 The invention according to claim 3 is the unevenness inspection apparatus according to claim 1, wherein the light source in the illumination means is a metal halide lamp and a mercury xenon lamp. .
また請求項4に記載の発明は、前記照明手段が前記周期性パターンに対して平行光を照射し、前記撮像手段が前記周期性パターンに対して垂直な透過回折光および反射回折光のみを抽出する光学系を有することを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載のムラ検査装置としたものである。 According to a fourth aspect of the present invention, the illumination unit irradiates the periodic pattern with parallel light, and the imaging unit extracts only transmitted diffracted light and reflected diffracted light perpendicular to the periodic pattern. The unevenness inspection apparatus according to claim 1, wherein the unevenness inspection apparatus has an optical system.
また請求項5に記載の発明は、前記照明手段における光源の動作時間に対する光量変動幅が1%以下であることを特徴とする、請求項1〜4のいずれかに記載のムラ検査装置としたものである。 The invention according to claim 5 is the unevenness inspection apparatus according to any one of claims 1 to 4, wherein a light amount fluctuation range with respect to an operation time of the light source in the illumination unit is 1% or less. Is.
また請求項6に記載の発明は、前記照明手段における光源において、内部にバンドパスフィルターが複数設置可能であり、かつ前記バンドパスフィルターを切り替え可能なフィルターチェンジャー部を内蔵していることを特徴とする、請求項1〜5のいずれかに記載のムラ検査装置としたものである。 According to a sixth aspect of the present invention, in the light source of the illumination means, a plurality of band pass filters can be installed therein, and a filter changer portion capable of switching the band pass filter is incorporated. The unevenness inspection apparatus according to any one of claims 1 to 5 is provided.
また請求項7に記載の発明は、基板上に周期性パターンが形成されたパターン基板を検査対象基板とし、基板上に周期性パターンが形成されたパターン基板を検査対象基板とし、照明手段により照明光を前記検査対象基板に斜め入射し、周期性パターンにより生じる回折光を用いて検査するムラ検査方法であって、被検査基板に応じて、照明手段について、透過回折光または反射回折光、可視光又は紫外光、照明角度を設定する検査条件設定工程と、前記検査条件に応じて前記照明手段を切替え、透過照明または反射照明された前記周期性パターンにおいて生じる回折光を撮像する撮像工程と、前記撮像段階の出力をディジタル化した画像情報とする画像入力工程と、前記画像入力段階により得られた画像情報について、欠陥部抽出・判定処理を行う画像処理工程と、を有することを特徴とするムラ検査方法としたものである。 According to the seventh aspect of the present invention, a pattern substrate having a periodic pattern formed on a substrate is used as an inspection target substrate, and a pattern substrate having a periodic pattern formed on the substrate is used as an inspection target substrate. A nonuniformity inspection method in which light is obliquely incident on the inspection target substrate and inspected by using diffracted light generated by a periodic pattern, and depending on the inspected substrate, transmitted illumination light or reflected diffraction light, visible light An inspection condition setting step for setting light or ultraviolet light, an illumination angle, an imaging step for switching the illumination means in accordance with the inspection condition, and imaging diffracted light generated in the periodic pattern that is transmitted or reflected and illuminated, An image input process in which the output at the imaging stage is digitized image information, and a defect extraction / determination process for the image information obtained by the image input stage. To have an image processing step of performing is obtained by the unevenness inspection method comprising.
本発明の周期性パターンのムラ検査装置および方法によれば、周期性のあるパターン、特にハーフトーンマスクのように可視光による検査が困難とされるような被検査体に対しても、ムラを高精度に撮像、検出することができる。
つまり、本発明のムラ検査装置及びムラ検査方法によれば、
1)従来の照射光の波長領域では、回折光パターンのコントラストが小さく、検出が困難であった被検査体においても、可視光域から紫外線領域に渡る波長領域で検査可能であるために、最適な波長を選択し、検出精度を向上させることができた。
2)可視光及び紫外光の選択、さらには反射光及び透過光による照射の選択が導光手段切替機構等により被検査体の特性に合わせて適宜設定することが可能であるため、一つの装置で多品種の被検査体に対応することが可能となった。
3)また各照明ヘッド部の垂直方向角度および水平方向角度、照明駆動部を有することにより、照明の投射位置を変えずに照明角度を変化させることができるため、各光源波長、及び基板の周期性パターンに合わせて観察検査することができた。
4)さらに動作時間に対する光量変動幅が1%以下で光量安定度が高い光源を用いることにより、検査により取得される画像の安定性・検査結果再現性を確保することが可能となった。
According to the periodic pattern unevenness inspection apparatus and method of the present invention, unevenness can be generated even for a periodic pattern, particularly an object to be inspected that is difficult to inspect with visible light, such as a halftone mask. Imaging and detection can be performed with high accuracy.
That is, according to the unevenness inspection apparatus and unevenness inspection method of the present invention,
1) Optimum because the contrast of the diffracted light pattern is small in the conventional wavelength range of the irradiated light, and it is difficult to detect the object to be inspected in the wavelength range from the visible light region to the ultraviolet region. The correct wavelength was selected and the detection accuracy was improved.
2) Selection of visible light and ultraviolet light, and further, selection of irradiation with reflected light and transmitted light can be appropriately set according to the characteristics of the object to be inspected by the light guide switching mechanism, etc. This makes it possible to handle a wide variety of test objects.
3) Since the illumination angle can be changed without changing the projection position of illumination by having the vertical angle and horizontal angle of each illumination head unit, and the illumination driving unit, the light source wavelength and the period of the substrate Observational inspection was possible according to the sex pattern.
4) Further, by using a light source having a light amount fluctuation range of 1% or less with respect to the operation time and a high light amount stability, it becomes possible to ensure the stability of the image acquired by inspection and the reproducibility of the inspection result.
本発明を適用する周期性パターンのムラ検査装置の実施形態について説明する。図2は本発明によるムラ検査装置1の概略構成図である。図2に示すように、本装置は透過照明部10と、反射照明部20と、透過照明および反射照明が可能なXYステージ部30と、光源部40と、被検査基板70の画像を撮像するための撮像部50と、撮像部50からの出力をディジタル化した画像情報として画像入力を行い、画像強調処理等の演算処理を行い、さらに画像を表示する機能を有する処理部60から構成されている。なお、本装置は外乱光や迷光を極力低減させた暗環境かつ被検査基板への異物付着を防止するクリーン環境で稼動されることが望ましい。 An embodiment of a periodic pattern unevenness inspection apparatus to which the present invention is applied will be described. FIG. 2 is a schematic configuration diagram of the unevenness inspection apparatus 1 according to the present invention. As shown in FIG. 2, the present apparatus captures images of a transmission illumination unit 10, a reflection illumination unit 20, an XY stage unit 30 capable of transmission illumination and reflection illumination, a light source unit 40, and an inspected substrate 70. An image capturing unit 50, and a processing unit 60 having a function of inputting an image as digitized image information, performing an image enhancement process, and further displaying an image. Yes. It is desirable that this apparatus be operated in a dark environment where disturbance light and stray light are reduced as much as possible and in a clean environment that prevents foreign matter from adhering to the substrate to be inspected.
透過照明部10では、ターンテーブル11上に円弧レール12が設置されており、円弧レール12には可視光照射用照明ヘッド13、紫外光照射用照明ヘッド14がそれぞれ設けられている。ターンテーブル11が回転することにより水平方向の照射角度調整が可能であり、また円弧レール12を駆動させることによって垂直方向の照射角度調整が可能となっている。これらの機能により、XYステージ部30上の被検査基板70に対して、様々な角度・方向からの透過照明が可能となっている。なお、各照明ヘッド部には平行光学系が設けられている。また、紫外光照射用照明ヘッド14およびライトガイド16に関しては、紫外光透過特性を有する光学部材から成るものを選定している。 In the transmitted illumination unit 10, an arc rail 12 is installed on the turntable 11, and a visible light irradiation illumination head 13 and an ultraviolet light irradiation illumination head 14 are provided on the arc rail 12, respectively. The turntable 11 can be rotated to adjust the irradiation angle in the horizontal direction, and the arcuate rail 12 can be driven to adjust the irradiation angle in the vertical direction. With these functions, transmitted illumination from various angles and directions can be performed on the inspected substrate 70 on the XY stage unit 30. Each illumination head unit is provided with a parallel optical system. For the ultraviolet light irradiation head 14 and the light guide 16, an optical member having an ultraviolet light transmission characteristic is selected.
反射照明部20にも同様にターンテーブル21上に円弧レール22、23が設置されており、円弧レール22には可視光照射用照明ヘッド24、円弧レール23には紫外光照射用照明ヘッド25がそれぞれ設けられている。ターンテーブル21が回転することにより水平方向の照射角度調整が可能であり、また円弧レール22を駆動させることによって垂直方向の照射角度調整が可能となっている。これらの機能により、XYステージ部30上の被検査基板70に対して、様々な角度・方向からの反射照明が可能となっている。なお、各照明ヘッド部には平行光学系が設けられている。また、紫外光照射用照明ヘッド25およびライトガイド27に関しては、紫外光透過特性を有する光学部材から成るものを選定している。 Similarly, the reflection illumination unit 20 is provided with arc rails 22 and 23 on the turntable 21. The arc rail 22 has a visible light irradiation illumination head 24, and the arc rail 23 has an ultraviolet light irradiation illumination head 25. Each is provided. The turntable 21 can be rotated to adjust the irradiation angle in the horizontal direction, and the arcuate rail 22 can be driven to adjust the irradiation angle in the vertical direction. With these functions, reflected illumination from various angles and directions can be performed on the substrate 70 to be inspected on the XY stage unit 30. Each illumination head unit is provided with a parallel optical system. For the ultraviolet light irradiation head 25 and the light guide 27, an optical member having an ultraviolet light transmission characteristic is selected.
XYステージ部30では、被検査基板70をXYステージ部の所定の位置に載置する。前記XYステージ部30は、測定機能を有し、位置を認知して、被検査基板70の検査開始位置に装置の光軸を重ねる。X軸およびY軸方向に駆動する手段を用いて、予め設定した動作手順に従ってXYステージをX軸およびY軸方向に駆動する。 In the XY stage unit 30, the inspected substrate 70 is placed at a predetermined position of the XY stage unit. The XY stage unit 30 has a measurement function, recognizes the position, and superimposes the optical axis of the apparatus on the inspection start position of the substrate 70 to be inspected. Using the means for driving in the X-axis and Y-axis directions, the XY stage is driven in the X-axis and Y-axis directions according to a preset operation procedure.
光源部40は、可視光照射用光源41と、紫外光照射用光源42と、透過/反射光および可視/紫外光切替を行うための照明光切替機構部43と、光源点灯/消灯切替動作および照明光切替機構部動作制御を行う光源部制御装置44から構成される。可視光照射用光源41にはフィルターチェンジャー機構が設けられており、複数の波長選択フィルタを用いることが可能となっている。また紫外光照射用光源42にはUVバンドパスフィルターが搭載されている。なお本実施例では、可視光照射用光源41としてメタルハライドランプを、紫外光照射用光源42として水銀キセノンランプを用いており、どちらの光源においても、動作時間に対する光量変動幅が1%以下で光量安定度が高いものを選定していることが特徴である。照明光切替機構部43は、図3に示すように入射側には2箇所、出射側には4箇所のライトガイド取付口が設けられており、入射側円盤を図3に示す方向に回転させ、かつ2つの照明の点灯/消灯の切替を行うことにより、図4に示すように透過照明と反射照明の切替を行うことが可能となっている。以上の機能を活用することによって、被検査基板70のパターン密度・レイアウト・膜種等の製品情報に応じた最適検査波長を設定することが可能となる。 The light source unit 40 includes a visible light irradiation light source 41, an ultraviolet light irradiation light source 42, an illumination light switching mechanism unit 43 for switching transmitted / reflected light and visible / ultraviolet light, a light source on / off switching operation, and It is comprised from the light source part control apparatus 44 which performs illumination light switching mechanism part operation control. The visible light irradiation light source 41 is provided with a filter changer mechanism, and a plurality of wavelength selection filters can be used. The UV light irradiation light source 42 is equipped with a UV bandpass filter. In this embodiment, a metal halide lamp is used as the light source 41 for visible light irradiation, and a mercury xenon lamp is used as the light source 42 for ultraviolet light irradiation. In either light source, the light amount fluctuation range with respect to the operating time is 1% or less. The feature is that one with high stability is selected. As shown in FIG. 3, the illumination light switching mechanism 43 is provided with two light guide attachment ports on the incident side and four places on the emission side, and rotates the incident side disk in the direction shown in FIG. In addition, by switching on / off the two lights, it is possible to switch between the transmitted light and the reflected light as shown in FIG. By utilizing the above functions, it is possible to set an optimum inspection wavelength according to product information such as the pattern density, layout, and film type of the substrate 70 to be inspected.
撮像部50は、画像を撮像する手段としてのカメラ51と、光軸に平行な撮像側平行光学系52から構成される。カメラ51としては各種のカメラを使用することができるが、その用途に応じてエリアカメラ、ラインカメラ等の選択が可能である。なお本実施例ではカメラ51はエリアカメラを用いているが、エリアカメラの性能は、被検査基板のパターン密度、レイアウト等を考慮して撮像分解能等が最適な物を選定することが望ましい。また、複数台の性能の異なるカメラとカメラ切替機構を具備することにより、使用カメラの切替で検査毎に最適なものを選択できるようにしてもよい。また、撮像側平行光学系52は倍率調整機能や絞りの自動調整機能等の機能を具備していても良い。 The imaging unit 50 includes a camera 51 as a means for capturing an image and an imaging side parallel optical system 52 parallel to the optical axis. Various cameras can be used as the camera 51, and an area camera, a line camera, or the like can be selected according to the application. In this embodiment, the camera 51 uses an area camera, but it is desirable to select an area camera having an optimal imaging resolution in consideration of the pattern density, layout, etc. of the substrate to be inspected. In addition, by providing a plurality of cameras with different performances and a camera switching mechanism, it may be possible to select an optimal one for each inspection by switching the camera used. The imaging side parallel optical system 52 may have functions such as a magnification adjustment function and an automatic aperture adjustment function.
処理部60では、透過照明部10、反射照明部20、XYステージ部30、光源部40、および撮像部50の動作管理および制御を行う。さらに処理部60では、撮像部50からの出力を画像入力装置64によりディジタル化した画像情報として取り込み、該画像情報に対して所定のデータ処理を行い、該画像情報の特徴量の数値化を行い、合否を判定する。前記データ処理手順としては、シェーディング補正や膨張・収縮処理等のノイズ除去処理や、フィルタリング処理等による画像強調処理、プロジェクション法等による特徴量抽出処理、およびそれらの複合処理等が挙げられる。 The processing unit 60 performs operation management and control of the transmission illumination unit 10, the reflection illumination unit 20, the XY stage unit 30, the light source unit 40, and the imaging unit 50. Further, the processing unit 60 takes the output from the imaging unit 50 as image information digitized by the image input device 64, performs predetermined data processing on the image information, and digitizes the feature amount of the image information. Judge the pass / fail. Examples of the data processing procedure include noise removal processing such as shading correction and expansion / contraction processing, image enhancement processing such as filtering processing, feature amount extraction processing such as a projection method, and composite processing thereof.
図5は、本発明の実施形態による検査方法を示すフローチャート図である。本発明の実施形態による検査方法は、S1〜S15という一連のステップによって行われる。以下、各ステップの内容をステップ順に説明する。 FIG. 5 is a flowchart showing an inspection method according to an embodiment of the present invention. The inspection method according to the embodiment of the present invention is performed by a series of steps S1 to S15. Hereinafter, the contents of each step will be described in the order of steps.
電源の投入や光源の点灯など、装置全体の立ち上げを行う(S1)。 The entire apparatus is started up such as turning on the power and turning on the light source (S1).
検査条件設定前の初期条件設定を行う。この段階で、透過光を利用するか、反射光を利用するかどうかも合わせて決定される(S2)。 Set initial conditions before setting inspection conditions. At this stage, whether to use transmitted light or reflected light is also determined (S2).
被検査基板70におけるピッチ、L/S、チップレイアウト等の製品情報を入力する。この段階で、使用する光源とフィルタの組合せが決定される(S3)。 Product information such as pitch, L / S, chip layout, etc. on the inspected substrate 70 is input. At this stage, a combination of a light source and a filter to be used is determined (S3).
ステージ31を、S2で設定した初期条件設定の位置まで移動する(S4)。 The stage 31 is moved to the initial condition setting position set in S2 (S4).
ステージ31の所定の位置に、被検査基板70を載置する(S5)。 The inspected substrate 70 is placed at a predetermined position on the stage 31 (S5).
設定された検査開始位置にステージ31を移動する(S6) The stage 31 is moved to the set inspection start position (S6).
透過照明部10および反射照明部20、および光源部40について、光量の設定、水平方向角度、垂直方向角度、および被検査基板70への投光位置の設定を行う(S7a〜S7d)。 For the transmission illumination unit 10, the reflection illumination unit 20, and the light source unit 40, the setting of the light amount, the horizontal direction angle, the vertical direction angle, and the light projection position on the inspected substrate 70 are performed (S7a to S7d).
検査時に用いる撮像部50の撮像倍率等を設定する(S8)。 The imaging magnification of the imaging unit 50 used at the time of inspection is set (S8).
上記S5〜S8による検査条件の設定が終了した後、XYステージを所定の動作に従って駆動させ、カメラ51による撮像により画像情報を取得する。 After the setting of the inspection conditions in S5 to S8 is completed, the XY stage is driven according to a predetermined operation, and image information is acquired by imaging with the camera 51.
また、同一範囲での撮像を複数回繰り返し、複数の検査画像を取得してもよい。前記の複数回の撮像を行う場合には、撮像時ごとに透過照明部、反射照明部および撮像部の設定を異なる設定に変更し、複数の異なる検査条件下における検査画像を取得しても良い(S9)。 Further, a plurality of inspection images may be acquired by repeating imaging in the same range a plurality of times. When performing the imaging a plurality of times, the settings of the transmission illumination unit, the reflection illumination unit, and the imaging unit may be changed to different settings for each imaging, and inspection images under a plurality of different inspection conditions may be acquired. (S9).
以上のようにして得られた検査画像に対して、処理部40にてシェーディング補正や膨張・収縮処理等のノイズ除去処理、フィルタリング処理等による画像強調処理、プロジェクション法等による特徴量抽出処理等の各種データ処理を行い、検査画像の特徴量を数値化し、被検査基板70の合否判定および結果出力を行う(S10〜S13)。 For the inspection image obtained as described above, the processing unit 40 performs noise removal processing such as shading correction and expansion / contraction processing, image enhancement processing by filtering processing, feature amount extraction processing by projection method, etc. Various data processing is performed, the feature amount of the inspection image is digitized, and pass / fail judgment of the inspected substrate 70 and result output are performed (S10 to S13).
これらの手順により被検査基板70の検査が終了した後、ステージ31から被検査基板70を搬出し、装置全体の立ち下げを行い、本装置における周期性パターンのムラ検査の全工程が終了する(S14、S15)。 After the inspection of the substrate 70 to be inspected by these procedures, the substrate 70 to be inspected is unloaded from the stage 31, the entire apparatus is lowered, and all steps of periodic pattern unevenness inspection in this apparatus are completed ( S14, S15).
以上に記述した各工程における一連の動作は、対人操作装置63による操作あるいは予め組み込まれたプログラムによって実行され、これらの検査経過情報や出力結果が表示装置62に表示される。 A series of operations in each process described above is executed by an operation by the interpersonal operation device 63 or by a program incorporated in advance, and the inspection progress information and output results are displayed on the display device 62.
前述した手段を具備した周期性パターンのムラ検査装置では、斜め方向からの投光を行うことによって生じる、周期性パターンでの透過回折光あるいは反射回折光を撮像することを特徴とする周期性パターンのムラ検査装置である。 In the periodic pattern unevenness inspection apparatus provided with the above-described means, the periodic pattern is characterized by imaging transmitted diffracted light or reflected diffracted light in the periodic pattern, which is generated by performing light projection from an oblique direction. This is a non-uniformity inspection apparatus.
このように構成された本周期性パターンのムラ検査装置において、透過照明部10あるいは反射照明部20から照射された光が周期性パターンの被検査基板70の周期性パターンにて回折され、その回折光が画像として撮像部50に捉えられる。回折された光においては、スリット部または開口部の形状・ピッチの差異が強調される効果があり、さらに照明の入射角度を少しずつ変化させることによっても回折光の差異は強調される。 In the periodic pattern unevenness inspection apparatus configured as described above, the light emitted from the transmission illumination unit 10 or the reflection illumination unit 20 is diffracted by the periodic pattern of the substrate 70 to be inspected of the periodic pattern, and the diffraction Light is captured by the imaging unit 50 as an image. The diffracted light has an effect of enhancing the difference in the shape and pitch of the slit or opening, and the difference in the diffracted light is also enhanced by changing the incident angle of illumination little by little.
前記被検査基板70にて回折される回折光は、フォトマスクやブラックマトリクスの線幅やスリット幅、パターンの寸法や位置ズレ等に微妙な変動があると、その変動部において光の回折角が変化するため、前記撮像部50に捉えられた画像は変動部に起因したムラを強調した画像となる(図6に模式的に示す)。さらに、透過照明部10および反射照明部20、撮像部50に平行光学系を用いることによって、回折光の変動をより精度良く強調した画像を捉えることが可能となる。 If the diffracted light diffracted by the substrate 70 to be inspected has a slight variation in the line width or slit width of the photomask or black matrix, the dimension of the pattern, the positional deviation, etc., the diffraction angle of the light at the variation portion Therefore, the image captured by the imaging unit 50 is an image in which unevenness caused by the changing unit is emphasized (schematically shown in FIG. 6). Furthermore, by using a parallel optical system for the transmission illumination unit 10, the reflection illumination unit 20, and the imaging unit 50, it is possible to capture an image that emphasizes the fluctuation of the diffracted light with higher accuracy.
また図7に、被検査基板70としてハーフトーンマスクを検査した場合における、可視光によるムラの可視化例と、紫外光によるムラの可視化例をそれぞれ模式的に示す。ハーフトーンマスクは従来のCrマスクと異なり、露光波長で高いコントラストが得られるように半透膜の透過率と位相が決められている。そのため、図7(a)のように例えば波長550nmの可視光を照射した場合、ほとんどの光の成分はパターン部にて遮光されずに透過してしまう。その結果得られる検査画像では明暗のコントラストが低くなり、正常部とムラ部とのコントラストが著しく低くなってしまい、合否の判別が困難となってしまう。しかし図7(b)に示すように、露光波長に比較的近い紫外光を照射した場合には、ある程度の光の成分がパターン部にて遮光され、パターン部において生じる回折光の抽出が比較的容易となる。そのため、検査画像においては正常部とムラ部とのコントラスト差が確保されるため、合否の判別が可能となる。 FIG. 7 schematically shows an example of visualizing unevenness with visible light and an example of visualizing unevenness with ultraviolet light when a halftone mask is inspected as the substrate 70 to be inspected. Unlike the conventional Cr mask, the halftone mask has the transmittance and phase of the semipermeable membrane so that a high contrast can be obtained at the exposure wavelength. Therefore, as shown in FIG. 7A, for example, when visible light having a wavelength of 550 nm is irradiated, most light components are transmitted without being blocked by the pattern portion. In the inspection image obtained as a result, the contrast between light and dark becomes low, the contrast between the normal part and the uneven part becomes extremely low, and it becomes difficult to determine pass / fail. However, as shown in FIG. 7B, when ultraviolet light relatively close to the exposure wavelength is irradiated, a certain amount of light component is shielded by the pattern portion, and the extraction of the diffracted light generated in the pattern portion is relatively It becomes easy. Therefore, in the inspection image, a contrast difference between the normal part and the uneven part is ensured, and it is possible to determine whether or not it is acceptable.
このようにして、被検査基板70の製品情報からその都度最適な検査光・検査波長帯域を決定し、最適な検査条件を設定することにより、種々の被検査対象物に対して高精度にムラを検出することが可能となる。 In this way, the optimum inspection light / inspection wavelength band is determined each time from the product information of the substrate 70 to be inspected, and the optimum inspection conditions are set. Can be detected.
また、動作時間に対する光量変動幅が1%以下で光量安定度が高い光源を採用したことにより、検査により取得される画像の安定性・検査結果再現性を確保することが可能となる。 In addition, by adopting a light source that has a light amount fluctuation range of 1% or less with respect to the operation time and a high light amount stability, it is possible to ensure the stability of the image acquired by inspection and the reproducibility of the inspection result.
そして、判定されたムラ部の位置やレベルをムラ画像と同時に表示装置62に表示することで、ムラのモニター用途としての利用も有効となっている。 Then, by displaying the determined position and level of the unevenness portion on the display device 62 simultaneously with the unevenness image, the use for unevenness monitoring is also effective.
以上説明したように、本発明の実施の形態によれば、周期性パターンのムラを安定に、高精度に検出することができる。 As described above, according to the embodiment of the present invention, it is possible to detect the irregularity of the periodic pattern stably and with high accuracy.
10 透過照明部
11 ターンテーブル
12 円弧レール
13 可視光照射用照明ヘッド
14 紫外光照射用照明ヘッド
15 ライトガイド
16 ライトガイド
20 反射照明部
21 ターンテーブル
22 円弧レール
23 円弧レール
24 可視光照射用照明ヘッド
25 紫外光照射用照明ヘッド
26 ライトガイド
27 ライトガイド
30 XYステージ部
31 ステージ
32 X駆動機構
33 Y駆動機構
40 光源部
41 可視光照射用光源
42 紫外光照射用光源
43 照明光切替機構部
44 光源制御装置
45 ライトガイド
46 ライトガイド
50 撮像部
51 カメラ
52 撮像側平行光学系
60 処理部
61 演算処理装置
62 表示装置
63 対人操作装置
64 画像入力装置
70 被検査基板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Transmission illumination part 11 Turntable 12 Arc rail 13 Illumination head 14 for visible light irradiation Illumination head 15 for ultraviolet light irradiation 15 Light guide 16 Light guide 20 Reflection illumination part 21 Turntable 22 Arc rail 23 Arc rail 24 Visible light illumination head 25 UV light irradiation head 26 Light guide 27 Light guide 30 XY stage unit 31 Stage 32 X drive mechanism 33 Y drive mechanism 40 Light source unit 41 Light source for visible light irradiation 42 Light source for ultraviolet light irradiation 43 Illumination light switching mechanism unit 44 Light source Control device 45 Light guide 46 Light guide 50 Imaging unit 51 Camera 52 Imaging side parallel optical system 60 Processing unit 61 Arithmetic processing device 62 Display device 63 Interpersonal operation device 64 Image input device 70 Substrate to be inspected
Claims (7)
X軸およびY軸方向に駆動する機構を具備する搬送手段と、
前記搬送手段に設置された検査対象基板上の前記周期性パターンに対して、照明ヘッド部の垂直方向角度および水平方向角度調整が可能であり、かつ照明の照射位置が一定であるように制御可能な照明駆動部を具備する透過照明部および反射照明部を有する照明手段と、
前記照明手段によって透過照明または反射照明された前記周期性パターンにおいて生じる回折光を撮像する撮像手段と、
前記撮像手段の出力をディジタル化した画像情報とする画像入力手段と、
前記画像入力手段により得られた画像情報について、欠陥部抽出・判定処理を行う画像処理手段と、
前記撮像手段で撮像した画像、および前記画像処理手段による処理画像を表示する表示手段と、
を具備し、かつ前記照明手段において、
可視光が照射可能な光源及び紫外光が照射可能な光源と、
光源からの導光手段切替機構と、
各々の光源の点灯および消灯手段とを具備する照明光切替手段と、
前記透過照明部および前記反射照明部において、それぞれ可視光照射のための前記照明ヘッド部および紫外光照射のための前記照明ヘッド部と、
を備えることを特徴とするムラ検査装置。 A non-uniformity inspection apparatus that inspects a pattern substrate in which a periodic pattern is formed on a substrate as an inspection target substrate, and inspects using diffracted light generated by the periodic pattern,
Conveying means comprising a mechanism for driving in the X-axis and Y-axis directions;
The vertical angle and horizontal angle of the illumination head can be adjusted with respect to the periodic pattern on the substrate to be inspected installed on the transport means, and the illumination irradiation position can be controlled to be constant. Illuminating means having a transmissive illuminating unit and a reflective illuminating unit, each of which includes a lighting drive
Imaging means for imaging diffracted light generated in the periodic pattern that is transmitted or reflected by the illumination means;
Image input means for converting the output of the imaging means into digitized image information;
With respect to the image information obtained by the image input means, image processing means for performing defect portion extraction / determination processing;
Display means for displaying an image captured by the imaging means and a processed image by the image processing means;
And in the lighting means,
A light source capable of emitting visible light and a light source capable of emitting ultraviolet light;
A light guide switching mechanism from the light source;
Illumination light switching means comprising lighting and extinguishing means for each light source;
In the transmitted illumination unit and the reflected illumination unit, the illumination head unit for visible light irradiation and the illumination head unit for ultraviolet light irradiation, respectively,
A nonuniformity inspection apparatus comprising:
検査対象基板に応じて、前記照明手段について、透過回折光または反射回折光、可視光又は紫外光、照明角度を設定する検査条件設定工程と、
前記検査条件に応じて前記照明手段を切替え、透過照明または反射照明された前記周期性パターンにおいて生じる回折光を撮像する撮像工程と、
前記撮像段階の出力をディジタル化した画像情報とする画像入力工程と、
前記画像入力段階により得られた画像情報について、欠陥部抽出・判定処理を行う画像処理工程と、
を有することを特徴とするムラ検査方法。 This is a non-uniformity inspection method in which a pattern substrate on which a periodic pattern is formed is used as an inspection target substrate, illumination light is obliquely incident on the inspection target substrate by an illuminating means, and inspection is performed using diffracted light generated by the periodic pattern. And
According to the substrate to be inspected, for the illuminating means, transmitted diffraction light or reflected diffracted light, visible light or ultraviolet light, an inspection condition setting step for setting an illumination angle, and
An imaging step of imaging the diffracted light generated in the periodic pattern that has been switched in accordance with the inspection conditions and that is transmitted or reflected and is illuminated.
An image input step for converting the output of the imaging stage into digitized image information;
For the image information obtained by the image input step, an image processing step for performing defect extraction / determination processing;
A method for inspecting unevenness, characterized by comprising:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007271097A JP2009098053A (en) | 2007-10-18 | 2007-10-18 | Apparatus and method for inspecting unevenness of periodic pattern |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007271097A JP2009098053A (en) | 2007-10-18 | 2007-10-18 | Apparatus and method for inspecting unevenness of periodic pattern |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009098053A true JP2009098053A (en) | 2009-05-07 |
Family
ID=40701193
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007271097A Pending JP2009098053A (en) | 2007-10-18 | 2007-10-18 | Apparatus and method for inspecting unevenness of periodic pattern |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009098053A (en) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011247804A (en) * | 2010-05-28 | 2011-12-08 | Toppan Printing Co Ltd | Periodic pattern inspection method and periodic pattern inspection device |
WO2012115013A1 (en) * | 2011-02-25 | 2012-08-30 | 株式会社ニコン | Inspecting apparatus and method for manufacturing semiconductor device |
JP2012194022A (en) * | 2011-03-16 | 2012-10-11 | Toppan Printing Co Ltd | Unevenness inspection device, unevenness inspection method and unevenness determination method |
JP2014511530A (en) * | 2011-02-24 | 2014-05-15 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | Non-uniformity detection system in web-based materials |
EP3081901A1 (en) * | 2015-04-17 | 2016-10-19 | Hennecke Systems GmbH | Inspection method and device for inspecting a surface pattern |
JP7511875B2 (en) | 2020-06-01 | 2024-07-08 | 株式会社 システムスクエア | Inspection Equipment |
-
2007
- 2007-10-18 JP JP2007271097A patent/JP2009098053A/en active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011247804A (en) * | 2010-05-28 | 2011-12-08 | Toppan Printing Co Ltd | Periodic pattern inspection method and periodic pattern inspection device |
JP2014511530A (en) * | 2011-02-24 | 2014-05-15 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | Non-uniformity detection system in web-based materials |
WO2012115013A1 (en) * | 2011-02-25 | 2012-08-30 | 株式会社ニコン | Inspecting apparatus and method for manufacturing semiconductor device |
JP6036680B2 (en) * | 2011-02-25 | 2016-11-30 | 株式会社ニコン | Inspection apparatus and semiconductor device manufacturing method |
JP2012194022A (en) * | 2011-03-16 | 2012-10-11 | Toppan Printing Co Ltd | Unevenness inspection device, unevenness inspection method and unevenness determination method |
EP3081901A1 (en) * | 2015-04-17 | 2016-10-19 | Hennecke Systems GmbH | Inspection method and device for inspecting a surface pattern |
WO2016166593A1 (en) * | 2015-04-17 | 2016-10-20 | Hennecke Systems Gmbh | Inspection method and device for inspecting a surface pattern |
JP7511875B2 (en) | 2020-06-01 | 2024-07-08 | 株式会社 システムスクエア | Inspection Equipment |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4869129B2 (en) | Pattern defect inspection method | |
KR102052229B1 (en) | Using reflected and transmission maps to detect reticle degradation | |
EP1850176A2 (en) | Pattern Defect Inspection Method, Photomask Manufacturing Method, and Display Device Substrate Manufacturing Method | |
JP4831607B2 (en) | Pattern defect inspection method and photomask manufacturing method | |
JP2009098053A (en) | Apparatus and method for inspecting unevenness of periodic pattern | |
JP2007310162A (en) | Inspecting device and inspecting method, and manufacturing method for pattern substrate using same inspecting method | |
JP5152818B2 (en) | Foreign matter inspection method and foreign matter inspection apparatus using the foreign matter inspection method | |
JP4583155B2 (en) | Defect inspection method and system, and photomask manufacturing method | |
JP2012242268A (en) | Inspection device and inspection method | |
JP5320936B2 (en) | Inspection condition setting method and inspection apparatus in periodic pattern unevenness inspection apparatus | |
JP4949928B2 (en) | Pattern defect inspection method, pattern defect inspection apparatus, photomask product manufacturing method, and display device substrate manufacturing method | |
JP2009204388A (en) | Defect inspection method | |
JP5895350B2 (en) | Unevenness inspection device and unevenness inspection method | |
JP2011075310A (en) | Method and apparatus for inspecting unevenness | |
JP5104438B2 (en) | Periodic pattern unevenness inspection apparatus and method | |
TWI734992B (en) | Foreign body inspection device and foreign body inspection method | |
JP2008180578A (en) | Cyclic pattern nonuniformity inspection device | |
JP2007170827A (en) | Defect inspection device of periodic pattern | |
JP2007132729A (en) | Inspection device, inspection method and manufacturing method of pattern substrate | |
JP2009139209A (en) | Defect inspection method | |
JP5531405B2 (en) | Periodic pattern unevenness inspection method and inspection apparatus | |
JP5685833B2 (en) | Periodic pattern inspection method | |
JP2012058029A (en) | Periodic pattern inspection device | |
JP2007114125A (en) | Method for inspecting film thickness irregularities | |
JP2007327761A (en) | Visual inspection method and visual inspecting device of color filter |