JP2009076773A - Chuck table mechanism - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、ウエーハ等の被加工物を吸引保持するチャックテーブル機構に関する。 The present invention relates to a chuck table mechanism that sucks and holds a workpiece such as a wafer.
IC,LSI等の数多くのデバイスが表面に形成され、且つ個々のデバイスが分割予定ライン(ストリート)によって区画された半導体ウエーハは、研削装置によって裏面が研削されて所定の厚みに加工された後、ダイシング装置(切削装置)によって分割予定ラインを切削して個々のデバイスに分割され、携帯電話、パソコン等の電気機器に利用される。 A semiconductor wafer in which a large number of devices such as IC and LSI are formed on the surface and each device is partitioned by a line to be divided (street) is processed by a grinding machine to have a predetermined thickness after the back surface is ground. A division line is cut by a dicing machine (cutting machine) and divided into individual devices, which are used for electric devices such as mobile phones and personal computers.
ダイシング装置は、半導体ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハを切削する切削手段と、チャックテーブルを切削手段に対して相対的に加工送り方向に加工送りする加工送り手段とを具備している。 The dicing apparatus includes a chuck table for holding a semiconductor wafer, a cutting means for cutting the wafer held on the chuck table, and a machining feed means for machining and feeding the chuck table in a machining feed direction relative to the cutting means. It has.
ウエーハは環状フレームに粘着テープ(ダイシングテープ)を介して保持され、環状フレームをチャックテーブル周囲に配置したクランプによって固定することにより、ウエーハはウエーハ側を上にした状態で粘着テープを介してチャックテーブルに吸引保持され、高速回転する切削ブレードに対して加工送り手段によりチャックテーブルを移動することにより、ウエーハが個々のデバイスに分割される。 The wafer is held on the annular frame via an adhesive tape (dicing tape), and the annular frame is fixed by a clamp arranged around the chuck table, so that the wafer is held on the chuck table via the adhesive tape with the wafer side facing up. The wafer is divided into individual devices by moving the chuck table by the processing feed means with respect to the cutting blade which is sucked and held at a high speed.
環状フレームの搬送時にクランプが環状フレームと接触したり、機械的な誤動作若しくは不注意による操作ミスがあっても、切削ブレードがクランプに接触するのを回避するため、例えば実開平5−7414号公報に示すように、クランプは、環状フレームをチャックテーブル上面より下側に引き落とすように固定している。
ところで、電気製品の軽薄短小化のトレンドに伴い、半導体のチップサイズ(デバイスサイズ)は徐々に小さく薄くなる傾向にあり、ダイシングするウエーハの厚さも、100μmを切る薄さのものが多くなってきている。 By the way, along with the trend of thinning and thinning of electric products, the chip size (device size) of semiconductors tends to become smaller and thinner, and the thickness of wafers to be diced is becoming thinner than 100 μm. Yes.
こうしたウエーハを切削加工した場合、これまでと同じ加工条件を用いても、チップを横断するような欠けや、切削溝からチップの内側へ派生するようなクラックが発生することが多くなってきている。 When such a wafer is machined, chipping that crosses the chip and cracks that are derived from the cutting groove to the inside of the chip often occur even if the same processing conditions as before are used. .
これらの発生については様々な原因が考えられるが、特にウエーハの外周部に多く見られる上述したような現象について、本願発明者は検証を行った。鋭意研究の結果、切削ブレードでウエーハを切削加工中、環状フレームがクランプにより下方向に引き落とされて固定されるため、粘着テープに張力が発生し、特にウエーハの外周付近のウエーハ及び粘着テープが、チャックテーブルの中心から見て放射線状に半径方向外側に移動してしまい、チップに欠けやクラックが発生し易くなっていたことが判明した。 Although various causes can be considered for these occurrences, the inventor of the present application has verified the above-described phenomenon that is often seen in the outer peripheral portion of the wafer. As a result of diligent research, while cutting the wafer with a cutting blade, the annular frame is pulled down and fixed by the clamp, so tension is generated in the adhesive tape, especially the wafer and adhesive tape near the outer periphery of the wafer, It was found that the chip moved radially outward as viewed from the center of the chuck table, and chipping and cracking were likely to occur.
粘着テープの周辺に過度な張力を及ぼさないためには、環状フレームをクランプにより下方向に引き落とさず、クランプの位置をチャックテーブルとほぼ同等の高さにすれば改善が望める。スピンドルが一本タイプのダイシング装置では、このような構成にしても切削中の切削ブレードとクランプとの接触を避けるように制御することは可能である。 In order not to apply excessive tension to the periphery of the adhesive tape, an improvement can be expected if the annular frame is not pulled down by the clamp and the position of the clamp is made almost the same height as the chuck table. In a dicing apparatus having a single spindle type, even with such a configuration, it is possible to control so as to avoid contact between the cutting blade and the clamp during cutting.
しかし、現在増加の傾向にあるスピンドルを2本備えたタイプのダイシング装置においては、2個の切削ブレードを加工送り方向に離して配置しなければならず、クランプがチャックテーブル上面と同等若しくは若干でも高い位置にあると、いずれかの切削ブレードが切削加工中にクランプに接触してしまうため、従来の工程に追加して切削ブレードの上下動が必要となり、そのためのプログラム及び加工時間の増加という問題が発生してしまう。 However, in a dicing machine having two spindles that are currently increasing, the two cutting blades must be arranged away from each other in the machining feed direction, and the clamp may be equal to or slightly above the upper surface of the chuck table. If it is at a high position, one of the cutting blades will come into contact with the clamp during the cutting process, so it is necessary to move the cutting blade up and down in addition to the conventional process. Will occur.
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ウエーハの切削時に欠けやクラックの発生を抑制することが可能なチャックテーブル機構を提供することである。 The present invention has been made in view of these points, and an object of the present invention is to provide a chuck table mechanism capable of suppressing the occurrence of chipping and cracking during wafer cutting.
本発明によると、外周縁が環状フレームに貼着された粘着テープの表面に貼着されたウエーハを、該粘着テープを介して吸引保持するウエーハ保持部を有するチャックテーブルと、該ウエーハ保持部に保持されるウエーハを該粘着テープを介して支持する前記環状フレームを固定するためのクランプとを備えたチャックテーブル機構であって、前記チャックテーブルの前記ウエーハ保持部は、前記環状フレームに粘着テープを介して配設されたウエーハを吸引保持した際、前記粘着テープ上でウエーハが占めるウエーハ領域を吸引保持するウエーハ保持領域と、該ウエーハ保持領域を囲繞してウエーハの外周の前記粘着テープを所定幅に渡り吸引保持する粘着テープ保持領域と、を備えていることを特徴とするチャックテーブル機構が提供される。 According to the present invention, a chuck table having a wafer holding part for sucking and holding a wafer attached to the surface of an adhesive tape having an outer peripheral edge attached to an annular frame via the adhesive tape, and the wafer holding part A chuck table mechanism for fixing the annular frame for supporting the wafer to be held via the adhesive tape, wherein the wafer holding portion of the chuck table has an adhesive tape attached to the annular frame. A wafer holding area for sucking and holding the wafer area occupied by the wafer on the adhesive tape, and surrounding the wafer holding area, the adhesive tape on the outer periphery of the wafer has a predetermined width. An adhesive tape holding area for sucking and holding the chuck table mechanism. That.
好ましくは、所定幅は5〜10mmの範囲内であり、チャックテーブルの吸引手段は、到達真空度が−90kPa以上である真空発生器に連通されている。 Preferably, the predetermined width is in the range of 5 to 10 mm, and the suction means of the chuck table is communicated with a vacuum generator whose ultimate vacuum is −90 kPa or more.
本発明のチャックテーブル機構によると、粘着テープ上でウエーハが占めるウエーハ領域を囲繞する外周領域の粘着テープが、チャックテーブルのウエーハ保持部の粘着テープ保持領域に保持されているため、クランプの引き落としの影響がウエーハ領域まで及ぶことがなく、切削されたチップ(デバイス)に欠けやクラックが発生することが防止される。 According to the chuck table mechanism of the present invention, the adhesive tape in the outer peripheral area surrounding the wafer area occupied by the wafer on the adhesive tape is held in the adhesive tape holding area of the wafer holding portion of the chuck table. The influence does not reach the wafer region, and it is possible to prevent the chip (device) that has been cut from being chipped or cracked.
また、吸引力の強い真空発生器を吸引手段に使用すれば、粘着テープを吸引保持する力が強いため、クランプの引き落としにより粘着テープ及びウエーハが放射線状に半径方向外側に移動するのを防止することができる。 Also, if a vacuum generator with a strong suction force is used as the suction means, the force to suck and hold the adhesive tape is strong, so that the adhesive tape and wafer are prevented from moving radially outward due to the pulling of the clamp. be able to.
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1は本発明のチャックテーブル機構を具備し、ウエーハをダイシングして個々のチップ(デバイス)に分割することのできる切削装置(ダイシング装置)2の外観を示している。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 shows an external view of a cutting device (dicing device) 2 that includes the chuck table mechanism of the present invention and can divide a wafer into individual chips (devices).
切削装置2の前面側には、オペレータが加工条件等の装置に対する指示を入力するための操作手段4が設けられている。装置上部には、オペレータに対する案内画面や後述する撮像手段によって撮像された画像が表示されるCRT等の表示手段6が設けられている。
On the front side of the
図2に示すように、ダイシング対象のウエーハWの表面においては、第1のストリートS1と第2ストリートS2とが直交して形成されており、第1のストリートS1と第2のストリートS2とによって区画されて多数のデバイスDがウエーハW上に形成されている。 As shown in FIG. 2, on the surface of the wafer W to be diced, the first street S1 and the second street S2 are formed orthogonally, and the first street S1 and the second street S2 A plurality of devices D are partitioned and formed on the wafer W.
ウエーハWは粘着テープであるダイシングテープTに貼着され、ダイシングテープTの外周縁部は環状フレームFに貼着されている。これにより、ウエーハWはダイシングテープTを介してフレームFに支持された状態となり、図1に示したウエーハカセット8中にウエーハが複数枚(例えば25枚)収容される。ウエーハカセット8は上下動可能なカセットエレベータ9上に載置される。
The wafer W is attached to a dicing tape T that is an adhesive tape, and the outer peripheral edge of the dicing tape T is attached to an annular frame F. As a result, the wafer W is supported by the frame F via the dicing tape T, and a plurality of wafers (for example, 25 sheets) are accommodated in the
ウエーハカセット8の後方には、ウエーハカセット8から切削前のウエーハWを搬出するとともに、切削後のウエーハをウエーハカセット8に搬入する搬出入手段10が配設されている。ウエーハカセット8と搬出入手段10との間には、搬出入対象のウエーハが一時的に載置される領域である仮置き領域12が設けられており、仮置き領域12には、ウエーハWを一定の位置に位置合わせする位置合わせ手段14が配設されている。
Behind the
仮置き領域12の近傍には、ウエーハWと一体となったフレームFを吸着して搬送する旋回アームを有する搬送手段16が配設されており、仮置き領域12に搬出されたウエーハWは、搬送手段16により吸着されてチャックテーブル18上に搬送され、このチャックテーブル18に吸引されるとともに、複数の固定手段(クランプ)19によりフレームFが固定されることでチャックテーブル18上に保持される。
In the vicinity of the
チャックテーブル18は、回転可能且つX軸方向に往復動可能に構成されており、チャックテーブル18のX軸方向の移動経路の上方には、ウエーハWの切削すべきストリートを検出するアライメント手段20が配設されている。
The chuck table 18 is configured to be rotatable and reciprocally movable in the X-axis direction. Above the movement path of the chuck table 18 in the X-axis direction, an
アライメント手段20は、ウエーハWの表面を撮像する撮像手段22を備えており、撮像により取得した画像に基づき、パターンマッチング等の処理によって切削すべきストリートを検出することができる。撮像手段22によって取得された画像は、表示手段6に表示される。
The
アライメント手段20の左側には、チャックテーブル18に保持されたウエーハWに対して切削加工を施す切削手段24が配設されている。切削手段24はアライメント手段20と一体的に構成されており、両者が連動してY軸方向及びZ軸方向に移動する。
On the left side of the alignment means 20, a cutting means 24 for cutting the wafer W held on the chuck table 18 is disposed. The
切削手段24は、回転可能なスピンドル26の先端に切削ブレード28が装着されて構成され、Y軸方向及びZ軸方向に移動可能となっている。切削ブレード28は撮像手段22のX軸方向の延長線上に位置している。
The
図3を参照すると、本発明実施形態に係るチャックテーブル機構17の斜視図が示されている。図4はその縦断面図である。30はチャックテーブル機構17の円柱状支持基台であり、支持基台30の上面にはチャックテーブル18が着脱可能に搭載されている。
Referring to FIG. 3, a perspective view of the
チャックテーブル18は、ステンレス鋼等の金属材料によって円盤状に形成されたチャックテーブル本体32を含んでいる。チャックテーブル本体32の上面には円盤状凹部34が形成されており、円盤状凹部34の段差部36には円盤状の吸着チャック38が嵌合されている。吸着チャック38は、ポーラスなセラミック等から形成された無数の吸引孔を供えた多孔製部材によって形成されている。吸着チャック38はウエーハ保持部を構成する。
The chuck table 18 includes a chuck table
環状のクランプ支持部40が支持基台30と一体的に形成されており、このクランプ支持部40に、互いに円周方向に90度離間して4個のクランプ19が取り付けられている。
An
各クランプ19は、クランプ支持部40にその一端が固定された互いに平行な一対のガイドレール42と、これらのガイドレール42に沿って移動可能に取り付けられたホルダー44と、ホルダー44に回転可能に取り付けられたローラ46と、ローラ46に固定されたL形状のクランプ爪48を含んでいる。
Each
調整ねじ50を緩めることにより、ウエーハを保持する環状フレームFのサイズに応じてホルダー44の位置をガイドレール42に沿って調整し、調整後に調整ねじ50を締め付けることによりホルダー44の位置を固定する。図示しないエアシリンダによりローラ46を回転することにより、クランプ爪48は図4に示す解放位置と図5に示すクランプ位置との間で回動される。
By loosening the
支持基台30の上面には、環状の吸引溝52が形成されており、この吸引溝52は吸引通路56に接続されている。チャックテーブル本体36の略中央部には凹部34に連通する吸引通路50が形成されており、支持基台30上にチャックテーブル18が搭載されると、吸引通路50は支持基台30に形成された吸引通路54に連通するように構成されている。
An
尚、吸引通路50と吸引通路54の接合部には図示しないシールが配置されており、環状吸引溝52の周囲にも図示しないシールが配置されている。吸引通路54は吸引パイプ58及び電磁開閉弁60を介して負圧吸引源(真空発生器)62に接続されており、吸引通路56は吸引パイプ64及び電磁開閉弁66を介して負圧吸引源62に接続されている。
A seal (not shown) is disposed at the joint between the
図4に示すように、チャックテーブル機構17は、支持基台30の周囲を覆うカバーテーブル68を具備している。このカバーテーブル68は中央部に開口70が形成されており、この開口70の周辺に上方に突出するフランジ部68aが設けられている。
As shown in FIG. 4, the
カバーテーブル68のフランジ部68aが、支持基台30と一体的に形成されたクランプ支持部40のスカート部40aの内側に位置付けられ、カバーテーブル68は図示しない支持部材によって図4に示す状態で支持される。
The
図4に示した状態では、電磁開閉弁66がオフであるため、吸引パイプ64は遮断されており、環状吸引溝52に負圧が作用することがないため、チャックテーブル18は支持基台30から自由に取り外すことができる。
In the state shown in FIG. 4, since the electromagnetic on-off
また、電磁開閉弁60もオフであるため、吸引パイプ58は遮断されており、チャックテーブル18の凹部34に負圧が作用することなく、吸着チャック38は非作動状態である。
Further, since the electromagnetic on-off
図5を参照すると、外周縁が環状フレームFに貼着された粘着テープ(ダイシングテープ)Tの表面に貼着されたウエーハWを、チャックテーブル18が粘着テープTを介して吸引保持した状態が示されている。 Referring to FIG. 5, a state where the chuck table 18 sucks and holds the wafer W attached to the surface of the adhesive tape (dicing tape) T whose outer peripheral edge is attached to the annular frame F via the adhesive tape T is shown. It is shown.
環状フレームFは、図4の状態から図示しないエアシリンダによりローラ46を回転することにより、ホルダー44とクランプ爪48との間にクランプされている。このとき、環状フレームFがクランプ19により下方向に引き落とされてクランプされるため、粘着テープTの外周部には大きな張力が発生する。
The annular frame F is clamped between the
図5に示した状態では、電磁開閉弁66が励磁されてオン作動されるため、吸引パイプ64が電磁開閉弁66を介して負圧吸引源62に接続される。よって、環状吸引溝52に大きな負圧が作用し、チャックテーブル18が支持基台30上に固定される。
In the state shown in FIG. 5, the electromagnetic open /
更に、電磁開閉弁60が励磁されてオン作動されるため、吸引パイプ58が電磁開閉弁60を介して負圧吸引源62に接続され、チャックテーブル18の凹部34に大きな負圧が作用し、吸着チャック(ウエーハ保持部)38がウエーハWを吸引保持する。
Further, since the electromagnetic on / off
本実施形態のチャックテーブル機構17では、チャックテーブル18のウエーハ保持部(吸着チャック)38の直径がウエーハWの直径よりもかなり大きく形成されているため、ウエーハ保持部38は、粘着テープT上でウエーハWが占めるウエーハ領域を吸引保持するウエーハ保持領域72と、ウエーハ保持領域72を囲繞してウエーハWの外周の粘着テープTを所定幅に渡り吸引保持する粘着テープ保持領域74とを含んでいる。好ましくは、この所定幅は5〜10mmの範囲内である。
In the
このように、粘着テープT上でウエーハWが占めるウエーハ領域を囲繞する外周領域の粘着テープTが、チャックテーブル18のウエーハ保持部(吸着チャック)38の粘着テープ保持領域74に保持されているため、クランプ19の引き落としの影響は粘着テープ保持領域74で吸着保持される粘着テープTで吸収され、粘着テープTのウエーハ領域まで及ぶことがなく、粘着テープTの伸びに起因する切削されたチップ(デバイス)に欠けやクラックが発生することが防止される。
As described above, the adhesive tape T in the outer peripheral region surrounding the wafer area occupied by the wafer W on the adhesive tape T is held in the adhesive
従来のチャックテーブルのウエーハ保持部の直径は吸引保持するウエーハの直径とほぼ同程度に形成されていたため、環状フレームFがクランプ19により下方向に引き落とされて固定される際、特にウエーハの外周付近のウエーハ及び粘着テープTが、チャックテーブル18の中心から見て放射線状に半径方向外側に移動してしまい、これが原因でチップに欠けやクラックが発生し易くなっていた。
Since the diameter of the wafer holding portion of the conventional chuck table is formed to be approximately the same as the diameter of the wafer to be sucked and held, when the annular frame F is pulled down and fixed by the
さらに、本実施形態では、負圧吸引源(真空発生器)62として真空到達度が−90kPa以上である負圧吸引源を使用するようにした。このように吸引力の強い負圧吸引源62を吸引手段に使用すれば、粘着テープTを吸引保持する力が強いため、クランプ19の引き落としにより粘着テープT及びウエーハWが放射線状に半径方向外側に移動するのを防止することができる。
Furthermore, in this embodiment, a negative pressure suction source having a vacuum level of −90 kPa or more is used as the negative pressure suction source (vacuum generator) 62. If the negative
このように構成された切削装置2において、ウエーハカセット8に収容されたウエーハWは、搬出入手段10によってフレームFが挟持され、搬出入手段10が装置後方(Y軸方向)に移動し、仮置き領域12においてその挟持が解除されることにより、仮置き領域12に載置される。そして、位置合わせ手段14が互いに接近する方向に移動することにより、ウエーハWが一定の位置に位置づけられる。
In the
次いで、搬送手段16によってフレームFは吸着され、搬送手段16が旋回することによりフレームFと一体となったウエーハWがチャックテーブル18に搬送されてチャックテーブル18により保持される。そして、チャックテーブル18がX軸方向に移動してウエーハWはアライメント手段20の直下に位置づけられる。
Next, the frame F is adsorbed by the
アライメント手段20が切削すべきストリートを検出するアライメントの際のパターンマッチングに用いる画像は、切削前に予め取得しておく必要がある。そこで、ウエーハWがアライメント手段20の直下に位置づけられると、撮像手段22がウエーハWの表面を撮像し、撮像した画像を表示手段6に表示させる。
The image used for pattern matching at the time of alignment in which the
以下、撮像手段22によるアライメントの概要について説明する。切削装置2のオペレータは、操作手段4を操作することにより、撮像手段22で撮像し、表示手段6上に表示された画像をゆっくりと移動させながらパターンマッチングのターゲットとなるキーパターンを探索する。このキーパターンは、例えばデバイスD中の回路の特徴部分を利用する。
Hereinafter, an outline of alignment by the
オペレータがキーパターンを決定すると、そのキーパターンを含む画像が切削装置2のアライメント手段20に備えたメモリに記憶される。また、そのキーパターンとストリートS1,S2の中心線との距離を座標値等によって求めその値もメモリに記憶させておく。
When the operator determines a key pattern, an image including the key pattern is stored in a memory provided in the
さらに、撮像画像を画面上でゆっくりと移動することにより、隣り合うストリートとストリートとの間隔(ストリートピッチ)を座標値等によって求め、ストリートピッチの値についてもアライメント手段20のメモリに記憶させておく。 Further, by slowly moving the captured image on the screen, an interval between the adjacent streets (street pitch) is obtained by a coordinate value or the like, and the street pitch value is also stored in the memory of the alignment means 20. .
ウエーハWのストリートに沿った切断の際には、記憶させたキーパターンの画像と実際に撮像手段22により撮像されて取得した画像とのパターンマッチングをアライメント手段20にて行う。このパターンマッチングは、X軸方向に伸長する同一ストリートS1に沿った互いに離間した少なくとも2点で実施する。
At the time of cutting along the street of the wafer W, the
まず、A点で撮像した画像を画面上でゆっくりと移動させながら、記憶させたキーパターンと実際の画像のキーパターンとのパターンマッチングを行い、キーパターンがマッチングした状態で画面を固定する。 First, while slowly moving the image picked up at point A on the screen, pattern matching between the stored key pattern and the actual image key pattern is performed, and the screen is fixed in a state where the key pattern is matched.
このようにA点での撮像画面からパターンマッチングを実施したら、チャックテーブル18をX軸方向に移動させてA点とX軸方向に相当離れたB点でのパターンマッチングを行う。 When pattern matching is performed from the imaging screen at point A as described above, the chuck table 18 is moved in the X-axis direction, and pattern matching is performed at point B that is considerably separated from point A in the X-axis direction.
このとき、A点からB点まで一気に移動してパターンマッチングを行うのではなく、B点への移動途中の複数個所で必要に応じてパターンマッチングを実施してY軸方向のずれを補正すべくチャックテーブル18を僅かに回転させてθ補正を行って、最終的にB点でのパターンマッチングを実施することが好ましい。 At this time, instead of moving from point A to point B at once, pattern matching is performed, but pattern matching is performed as necessary at a plurality of points in the middle of movement to point B to correct the deviation in the Y-axis direction. It is preferable to slightly rotate the chuck table 18 to perform θ correction and finally perform pattern matching at point B.
A点及びB点でのパターンマッチングが完了すると、2つのキーパターンを結んだ直線はストリートS1と平行となったことになり、キーパターンとストリートS1の中心線との距離分だけ切削手段24をY軸方向に移動させることにより、切削しようとするストリートと切削ブレード28との位置合わせを行う。
When the pattern matching at the points A and B is completed, the straight line connecting the two key patterns is parallel to the street S1, and the cutting means 24 is moved by the distance between the key pattern and the center line of the street S1. By moving in the Y-axis direction, the street to be cut and the
切削しようとするストリートと切削ブレード28との位置合わせが行われた状態で、チャックテーブル18をX軸方向に移動させるとともに、切削ブレード28を高速回転させながら切削手段24を下降させると、位置合わせされたストリートが切削される。
When the street to be cut and the
このウエーハWの切削プロセスを、図6を参照して更に説明する。切削ブレード28を矢印76方向に高速回転させながら、チャックテーブル18を加工送り方向、すなわち矢印78で示すX軸方向に移動させて、ウエーハWを位置合わせされたストリートに沿って切削する。
The cutting process of the wafer W will be further described with reference to FIG. While the
切削ブレード28によるストリートの切削の際に、図示しない切削水供給ノズルから切削水を切削ブレード28及びウエーハWに向かって噴出しながらストリートの切削を遂行する。切削ブレード28に切削水を噴出することにより切削ブレード28を冷却する。
When the street is cut by the
メモリに記憶されたストリートピッチずつ切削手段24をY軸方向にインデックス送りにしながら切削を行うことにより、同方向のストリートS1が全て切削される。更に、チャックテーブル18を90°回転させてから、上記と同様の切削を行うと、ストリートS2も全て切削され、個々のデバイスDに分割される。 By performing cutting while feeding the cutting means 24 in the Y-axis direction by the street pitch stored in the memory, all the streets S1 in the same direction are cut. Furthermore, when the chuck table 18 is rotated by 90 ° and then the same cutting as described above is performed, the streets S2 are all cut and divided into individual devices D.
切削が終了したウエーハWはチャックテーブル18をX軸方向に移動してから、Y軸方向に移動可能な搬送手段25により把持されて洗浄装置27まで搬送される。洗浄装置27では、洗浄ノズルから水を噴射しながらウエーハWを低速回転(例えば300rpm)させることによりウエーハを洗浄する。
The wafer W that has been cut is moved in the X-axis direction by the chuck table 18 and is then gripped by the transfer means 25 that can move in the Y-axis direction and transferred to the
洗浄後、ウエーハWを高速回転(例えば3000rpm)させながらエアノズルからエアを噴出させてウエーハWを乾燥させた後、搬送手段16によりウエーハWを吸着して仮置き領域12に戻し、更に搬出入手段10によりウエーハカセット8の元の収納場所にウエーハWが戻される。
After the cleaning, the wafer W is dried at a high speed (for example, 3000 rpm) by blowing air from the air nozzle and drying the wafer W. Then, the wafer W is adsorbed by the conveying
次に、図7を参照して、従来のチャックテーブル機構を使用した場合に比較して本発明実施形態のチャックテーブル機構17を使用した場合の、ウエーハをダイシングした際のクラック又は欠けが発生したチップの測定結果を示す。図7(A)は従来のチャックテーブル機構を使用した場合の測定結果を、図7(B)が本発明実施形態のチャックテーブル機構17を使用した場合の測定結果を示す。
Next, referring to FIG. 7, cracks or chipping occurred when the wafer was diced when the
黒四角は側面クラック又は角部欠けが発生したチップを示している。まず、矢印X1方向に切削し、次いでチャックテーブルを90度回転させて、矢印X2方向に切削した結果を示している。 The black square indicates a chip in which a side crack or a corner chip is generated. First, the result of cutting in the direction of arrow X1 and then cutting in the direction of arrow X2 by rotating the chuck table 90 degrees is shown.
図7(A)及び図7(B)の比較から明らかなように、本発明実施形態のチャックテーブル機構17を使用してウエーハWのダイシングを実施した場合、側面クラック又は角部欠けの発生チップの数が顕著に減少していることが理解される。
As is apparent from the comparison between FIG. 7A and FIG. 7B, when the wafer W is diced using the
2 切削装置
17 チャックテーブル機構
18 チャックテーブル
19 クランプ
24 切削手段
26 スピンドル
28 切削ブレード
30 支持基台
32 チャックテーブル本体
38 吸着チャック(ウエーハ保持部)
62 負圧吸引源
72 ウエーハ保持領域
74 粘着テープ保持領域
2 Cutting
62 Negative
Claims (3)
前記チャックテーブルの前記ウエーハ保持部は、前記環状フレームに粘着テープを介して配設されたウエーハを吸引保持した際、
前記粘着テープ上でウエーハが占めるウエーハ領域を吸引保持するウエーハ保持領域と、
該ウエーハ保持領域を囲繞してウエーハの外周の前記粘着テープを所定幅に渡り吸引保持する粘着テープ保持領域と、
を備えていることを特徴とするチャックテーブル機構。 A chuck table having a wafer holding portion for sucking and holding a wafer attached to the surface of an adhesive tape having an outer peripheral edge attached to an annular frame via the adhesive tape, and a wafer held by the wafer holding portion. A chuck table mechanism comprising a clamp for fixing the annular frame supported via the adhesive tape,
When the wafer holding portion of the chuck table sucks and holds the wafer disposed on the annular frame via an adhesive tape,
A wafer holding area for sucking and holding a wafer area occupied by the wafer on the adhesive tape;
An adhesive tape holding area that surrounds the wafer holding area and sucks and holds the adhesive tape on the outer periphery of the wafer over a predetermined width;
A chuck table mechanism comprising:
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- 2007-09-21 JP JP2007245841A patent/JP2009076773A/en active Pending
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