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JP2009071214A - Device for treating substrate - Google Patents

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JP2009071214A
JP2009071214A JP2007240532A JP2007240532A JP2009071214A JP 2009071214 A JP2009071214 A JP 2009071214A JP 2007240532 A JP2007240532 A JP 2007240532A JP 2007240532 A JP2007240532 A JP 2007240532A JP 2009071214 A JP2009071214 A JP 2009071214A
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Japan
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chamber
processed
substrate
atmosphere
connection
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JP2007240532A
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Hideaki Miyazawa
秀明 宮澤
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Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a device for treating substrates, with which the device can be small sized and suppress throughput even when untreated substrate needs to be moved back and forth between two chambers. <P>SOLUTION: The device 11 for treating substrates includes the first chamber 15 with vacuum atmosphere and the second chamber 16 with nitrogen atmosphere. Since the first chamber 15 and the second chamber 16 have planar regular octagon shapes, when one side of each, 15a and 16a are arranged to be facing to each other, two areas A and B opening at 90° exist between the first chamber 15 and the second chamber 16. Further, in these areas A and B, the first connection room 41 and the second connection room 42, which can be communicated to the first chamber 15 and the second chamber 16 and store a multiple number of untreated substrates 12, are arranged. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、大気と異なる複数の雰囲気下で被処理基板を処理する基板処理装置に関する。   The present invention relates to a substrate processing apparatus that processes a substrate to be processed in a plurality of atmospheres different from the atmosphere.

上記した基板処理装置は、例えば、有機EL(Electro Luminescence)装置、液晶装置、半導体装置を製造する際に用いられる。基板処理装置は、例えば、特許文献1に記載のように、大気と異なる雰囲気のチャンバ内で被処理基板に処理を施し、大気とチャンバとの間で被処理基板の搬送を行う。詳述すると、基板処理装置は、例えば、減圧ヘリウム雰囲気のチャンバに対してロードロック室を接続し、このロードロック室を経由して減圧ヘリウム雰囲気のチャンバと大気雰囲気との間で、被処理基板の搬入及び搬出が行われる。   The above-described substrate processing apparatus is used, for example, when manufacturing an organic EL (Electro Luminescence) device, a liquid crystal device, and a semiconductor device. For example, as described in Patent Document 1, the substrate processing apparatus performs processing on a substrate to be processed in a chamber having an atmosphere different from the atmosphere, and conveys the substrate to be processed between the atmosphere and the chamber. More specifically, the substrate processing apparatus, for example, connects a load lock chamber to a chamber in a reduced pressure helium atmosphere, and the substrate to be processed is connected between the chamber in the reduced pressure helium atmosphere and the atmospheric atmosphere via the load lock chamber. Are carried in and out.

特開2001−118904号公報JP 2001-118904 A

しかしながら、上記した基板処理装置は、減圧ヘリウム雰囲気のチャンバと大気雰囲気との間での被処理基板の搬入および搬出を行う装置であり、そのままでは、例えば、真空雰囲気下での工程、窒素雰囲気下での工程、真空雰囲気下での工程を連続して行う場合や、真空雰囲気の第1チャンバから窒素雰囲気の第2チャンバに基板を搬入した後、第2チャンバから第1チャンバに基板を戻し、しかる後、第1チャンバから基板を排出するような場合、スループットが低下したり、基板処理装置が大きくなったりするという問題がある。より具体的には、第1チャンバと第2チャンバとの間に連絡室を設ける必要があり、この一つの連絡室を経由して、第1チャンバから第2チャンバへの被処理基板の搬入と、第2チャンバから第1チャンバへの被処理基板の搬出とを行うので、スループットが低下する。   However, the above-described substrate processing apparatus is an apparatus that carries in and out a substrate to be processed between a chamber in a reduced-pressure helium atmosphere and an atmospheric atmosphere, and as it is, for example, a process in a vacuum atmosphere, under a nitrogen atmosphere In the case of continuously performing the process in step 1 and in the vacuum atmosphere, or after carrying the substrate from the first chamber in the vacuum atmosphere to the second chamber in the nitrogen atmosphere, the substrate is returned from the second chamber to the first chamber, Thereafter, when the substrate is discharged from the first chamber, there is a problem that the throughput is lowered or the substrate processing apparatus is enlarged. More specifically, it is necessary to provide a communication chamber between the first chamber and the second chamber, and the substrate to be processed is transferred from the first chamber to the second chamber via this one communication chamber. Since the substrate to be processed is carried out from the second chamber to the first chamber, the throughput is lowered.

また、第1チャンバ及び第2チャンバの他に、これらのチャンバが配置されている領域から両側に大きく張り出すように連絡室を設ける必要があるため、基板処理装置が大型化する。更に、チャンバが配置されている領域から両側に大きく張り出すように設けた連絡室とチャンバとの間で基板を搬送するため、基板搬送ロボットとして大型のものをチャンバ内に設ける必要があり、これによりチャンバが大きくなり、その結果、基板処理装置が大型化するという問題がある。   Further, in addition to the first chamber and the second chamber, it is necessary to provide a communication chamber so as to protrude greatly on both sides from a region where these chambers are arranged, so that the substrate processing apparatus is increased in size. Furthermore, in order to transfer the substrate between the communication chamber provided so as to protrude greatly on both sides from the area where the chamber is disposed and the chamber, it is necessary to provide a large substrate transfer robot in the chamber. As a result, the chamber becomes larger, and as a result, the substrate processing apparatus becomes larger.

本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。   SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following forms or application examples.

[適用例1]本適用例に係る基板処理装置は、大気と異なる第1雰囲気の第1チャンバと、前記大気及び前記第1雰囲気と異なる第2雰囲気の第2チャンバと、を有する基板処理装置であって、前記第1チャンバ及び前記第2チャンバは、内角をもって連なる辺部を有すると共に互いの一つの辺部同士が対向するように配置され、前記第1チャンバと前記第2チャンバとの間に生じた凹状の隙間に、前記第1チャンバ及び前記第2チャンバの辺部と隣接すると共に前記第1チャンバ及び前記第2チャンバと連通可能な複数枚の被処理基板を格納する連結室が配置されていることを特徴とする。   Application Example 1 A substrate processing apparatus according to this application example includes a first chamber having a first atmosphere different from the atmosphere, and a second chamber having a second atmosphere different from the atmosphere and the first atmosphere. The first chamber and the second chamber have side portions that are continuous with an inner angle, and are disposed so that one side portion of the first chamber and the second chamber are opposed to each other, and between the first chamber and the second chamber. A connecting chamber for storing a plurality of substrates to be processed adjacent to the side portions of the first chamber and the second chamber and capable of communicating with the first chamber and the second chamber is disposed in the concave gap generated in It is characterized by being.

この構成によれば、第1チャンバ及び第2チャンバが内角をもって連なる辺部を有しているので、互いに一つの辺部同士が対向するように互いを配置したとき、凹状の隙間が存在する。言い換えれば、凹状の隙間ができるような内角を有する形状のチャンバを互いに配置する。よって、この隙間に連結室を配置することにより、連結室が第1チャンバ及び第2チャンバが配置されている領域から大きく側方にはみ出ないようにすることができる。よって、基板処理装置が大型化することを抑えることができる。更に、第1チャンバと第2チャンバとを連結する連結室が、複数枚の被処理基板を格納することができるので、第1チャンバ又は第2チャンバに複数枚の被処理基板を一度に受け渡すことができる。よって、連結室の雰囲気を異なる雰囲気に変換している間、処理チャンバを手空きにさせることなく(停止させることなく)、生産性を向上させることができる。更に、被処理基板の平均1枚当たりの搬送時間を短くすることができ、スループットを向上させることができる。   According to this configuration, since the first chamber and the second chamber have side portions that are continuous with an inner angle, a concave gap exists when the first chamber and the second chamber are arranged so that one side portion faces each other. In other words, the chambers having the inner angles that allow the concave gap to be formed are arranged with each other. Therefore, by disposing the connection chamber in this gap, it is possible to prevent the connection chamber from greatly protruding laterally from the region where the first chamber and the second chamber are disposed. Therefore, an increase in the size of the substrate processing apparatus can be suppressed. Furthermore, since the connection chamber that connects the first chamber and the second chamber can store a plurality of substrates to be processed, the plurality of substrates to be processed are delivered to the first chamber or the second chamber at a time. be able to. Therefore, productivity can be improved without making the processing chamber empty (without stopping) while changing the atmosphere of the connection chamber to a different atmosphere. Further, the average transfer time per substrate to be processed can be shortened, and the throughput can be improved.

[適用例2]上記適用例に係る基板処理装置において、前記連結室は、前記第1チャンバと前記第2チャンバとの間に生じた一方の凹状の領域に第1連結室が配置され、他方の凹状の領域に第2連結室が配置されていることが好ましい。   Application Example 2 In the substrate processing apparatus according to the application example described above, the connection chamber includes a first connection chamber disposed in one concave region generated between the first chamber and the second chamber, and the other It is preferable that the second connection chamber is disposed in the concave region.

この構成によれば、2つの凹状の領域の一方に第1連結室を配置し、他方に第2連結室を配置するので、例えば、第1チャンバから第2チャンバに搬送する場合は第1連結室、第2チャンバから第1チャンバに搬送する場合は第2連結室のように、搬送方向を専用化させることが可能となる。よって、第1チャンバ側と第2チャンバ側とで処理時間が異なる場合でも、それぞれ別々のタイミングで被処理基板を搬送させることができる。   According to this configuration, the first connection chamber is disposed in one of the two concave regions, and the second connection chamber is disposed in the other. Therefore, for example, when transporting from the first chamber to the second chamber, the first connection chamber When transporting from the chamber and the second chamber to the first chamber, the transport direction can be dedicated as in the second connection chamber. Therefore, even when the processing time differs between the first chamber side and the second chamber side, the substrate to be processed can be transported at different timings.

[適用例3]上記適用例に係る基板処理装置において、前記連結室は、前記被処理基板を載置して格納するカセットを有し、前記カセットは、複数枚の前記被処理基板を法線方向に並べて格納することが好ましい。   Application Example 3 In the substrate processing apparatus according to the application example described above, the connection chamber includes a cassette on which the substrate to be processed is placed and stored, and the cassette normalizes a plurality of the substrates to be processed. It is preferable to store them side by side in the direction.

この構成によれば、複数の被処理基板を法線方向に並べて格納するので、平面方向のスペースが広がることを防ぐことができる。   According to this configuration, since the plurality of substrates to be processed are stored side by side in the normal direction, it is possible to prevent the space in the plane direction from being widened.

[適用例4]上記適用例に係る基板処理装置において、前記第1チャンバ及び前記第2チャンバは、略同一サイズの正八角形の平面形状を有していることが好ましい。   Application Example 4 In the substrate processing apparatus according to the application example described above, it is preferable that the first chamber and the second chamber have a regular octagonal planar shape having substantially the same size.

この構成によれば、第1チャンバ及び第2チャンバが正八角形であり辺部の数が多いので、各チャンバの辺部に多くの処理チャンバを接続することができる。また、第1チャンバと第2チャンバとが略同一サイズの正八角形を有しているので、互いの一つの辺部が対向するように配置させると、第1チャンバと第2チャンバとの間には、90°に開口する凹状の隙間が存在する。よって、この隙間にある辺部に隣接するように正方形の連結室を配置することにより、連結室が第1チャンバ及び第2チャンバが配置されている領域から大きく側方にはみ出ないようにすることができる。   According to this configuration, since the first chamber and the second chamber are regular octagons and the number of sides is large, many processing chambers can be connected to the sides of each chamber. Further, since the first chamber and the second chamber have regular octagons of substantially the same size, if they are arranged so that one side of each other faces, the space between the first chamber and the second chamber. Has a concave gap opening at 90 °. Therefore, by arranging the square connection chamber so as to be adjacent to the side portion in the gap, the connection chamber is not greatly protruded from the side where the first chamber and the second chamber are disposed. Can do.

[適用例5]上記適用例に係る基板処理装置において、前記第1チャンバは、前記複数枚の被処理基板を格納する第1格納室と共に、第1処理ステーションに配置され、前記第2チャンバは、前記複数枚の被処理基板を格納する第2格納室と共に、第2処理ステーションに配置されていることが好ましい。   Application Example 5 In the substrate processing apparatus according to the application example described above, the first chamber is disposed in a first processing station together with a first storage chamber that stores the plurality of substrates to be processed, and the second chamber is It is preferable that the second processing chamber is disposed in the second processing station together with the second storage chamber for storing the plurality of substrates to be processed.

この構成によれば、第1処理ステーションに第1格納室が配置され、第2処理ステーションに第2格納室が配置されていることにより、第1連結室又は第2連結室から受け渡された複数枚の被処理基板や、処理ステーションに集まった複数枚の被処理基板を格納することができる。よって、第1連結室及び第2連結室の雰囲気を他の雰囲気に変換している間、複数枚の被処理基板に処理を施すことができる。   According to this configuration, the first storage chamber is disposed in the first processing station, and the second storage chamber is disposed in the second processing station, so that the first storage chamber is delivered from the first connection chamber or the second connection chamber. A plurality of substrates to be processed and a plurality of substrates to be processed gathered at a processing station can be stored. Therefore, it is possible to perform processing on a plurality of substrates to be processed while the atmosphere in the first connection chamber and the second connection chamber is converted to another atmosphere.

図1は、基板処理装置の構造を示す模式平面図である。図2は、基板処理装置を構成する連結室の構造を示す模式断面図である。以下、基板処理装置及び連結室の構造を、図1及び図2を参照しながら説明する。   FIG. 1 is a schematic plan view showing the structure of the substrate processing apparatus. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing the structure of the connection chamber constituting the substrate processing apparatus. Hereinafter, the structure of the substrate processing apparatus and the connection chamber will be described with reference to FIGS. 1 and 2.

図1に示すように、基板処理装置11は、被処理基板12を備えた有機EL装置、液晶装置、半導体装置などの製造に用いられる装置であり、第1処理ステーション13と、第2処理ステーション14とを有する。なお、基板処理装置11は、第1処理ステーション13及び第2処理ステーション14のみに限定されず、例えば、それぞれの処理ステーション13,14に、更に複数の処理ステーション(図示せず)が接続されている。   As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 11 is an apparatus used for manufacturing an organic EL device, a liquid crystal device, a semiconductor device and the like provided with a substrate to be processed 12, and includes a first processing station 13 and a second processing station. 14. The substrate processing apparatus 11 is not limited to the first processing station 13 and the second processing station 14. For example, a plurality of processing stations (not shown) are connected to the respective processing stations 13 and 14. Yes.

第1処理ステーション13は、大気と異なる第1雰囲気の第1チャンバ15を備えている。また、第2処理ステーション14は、大気及び第1雰囲気と異なる第2雰囲気の第2チャンバ16を備えている。つまり、被処理基板12に対して大気と異なる雰囲気下での処理が複数工程行われるため、第1チャンバ15と第2チャンバ16との間で被処理基板12が往復搬送される。   The first processing station 13 includes a first chamber 15 having a first atmosphere different from the atmosphere. In addition, the second processing station 14 includes a second chamber 16 having a second atmosphere different from the first atmosphere. That is, since the substrate 12 to be processed is subjected to a plurality of processes under an atmosphere different from the atmosphere, the substrate 12 to be processed is reciprocated between the first chamber 15 and the second chamber 16.

次に、被処理基板12に施す処理について説明する。例えば、有機EL装置を製造する場合、被処理基板12としての素子基板に対し、真空雰囲気下でのCVD(Chemical Vapor Deposition)法、スパッタ法、蒸着法など金属膜の成膜工程及び封止工程、フォトリソグラフィ技術を利用したパターンニング工程、窒素雰囲気下での有機膜の封止工程、更に、インクジェット技術を利用した印刷工程などの処理が行われる。以下、第1チャンバ15の雰囲気を真空雰囲気とし、第2チャンバ16の雰囲気を窒素雰囲気とする場合の基板処理装置11の構造を説明する。   Next, processing performed on the substrate 12 to be processed will be described. For example, in the case of manufacturing an organic EL device, a metal film forming process and a sealing process such as a CVD (Chemical Vapor Deposition) method, a sputtering method, and a vapor deposition method in a vacuum atmosphere with respect to an element substrate as the substrate 12 to be processed. A patterning process using a photolithography technique, an organic film sealing process under a nitrogen atmosphere, and a printing process using an inkjet technique are performed. Hereinafter, the structure of the substrate processing apparatus 11 when the atmosphere of the first chamber 15 is a vacuum atmosphere and the atmosphere of the second chamber 16 is a nitrogen atmosphere will be described.

第1処理ステーション13は、上記したように、真空雰囲気の第1チャンバ15を備えている。具体的には、例えば、10-5Paの真空雰囲気に設定されている。第1チャンバ15は、例えば、8つの辺部15aを有する正八角形の平面形状に形成されている。各辺部15aは、互いに135°の内角をもって連なっている。このように、第1チャンバ15が、正八角形の平面形状を有していることにより、辺部15aの数が多く、辺部15aに対して多くの処理チャンバを接続することができる。 As described above, the first processing station 13 includes the first chamber 15 in a vacuum atmosphere. Specifically, for example, a vacuum atmosphere of 10 −5 Pa is set. The first chamber 15 is formed in, for example, a regular octagonal planar shape having eight sides 15a. The side portions 15a are connected to each other with an internal angle of 135 °. Thus, since the 1st chamber 15 has a regular octagonal planar shape, the number of the side parts 15a is large, and many process chambers can be connected to the side parts 15a.

8つの辺部15aのうち一つの辺部15aには、ゲートバルブ又はシャッタなどからなる開閉装置17aを介して第1基板搬送室18が配置されている。第1基板搬送室18は、第1処理ステーション13と、第1処理ステーション13と接続されている同じ真空雰囲気下の他の処理ステーションとの間で、被処理基板12の搬送が行われる。   A first substrate transfer chamber 18 is disposed on one of the eight side portions 15a via an opening / closing device 17a including a gate valve or a shutter. In the first substrate transfer chamber 18, the substrate 12 to be processed is transferred between the first processing station 13 and another processing station connected to the first processing station 13 in the same vacuum atmosphere.

また、8つの辺部15aのうち一つの辺部15aには、開閉装置17bを介して、真空雰囲気下での処理が行われる第1処理チャンバ21が配置されている。第1処理チャンバ21では、例えば、金属膜の封止処理が行われる。開閉装置17a,17bを閉状態から開状態にすることにより、第1チャンバ15と、第1基板搬送室18又は第1処理チャンバ21との間で、被処理基板12を行き来させることができる。   Moreover, the 1st process chamber 21 in which the process in a vacuum atmosphere is performed is arrange | positioned through the opening / closing apparatus 17b in one side part 15a among the eight side parts 15a. In the first processing chamber 21, for example, a metal film sealing process is performed. By changing the open / close devices 17a and 17b from the closed state to the open state, the substrate 12 to be processed can be moved back and forth between the first chamber 15 and the first substrate transfer chamber 18 or the first processing chamber 21.

また、8つの辺部15aのうち二つの辺部15aには、開閉装置17c,17dを介して、複数枚の被処理基板12を収納可能な第1格納室22と第4格納室23が配置されている。第1格納室22及び第4格納室23には、複数枚の被処理基板12を法線方向に一定の間隔をおいて載置することが可能なカセット(図示せず)が設けられている。カセットには、例えば、10枚の被処理基板12を載置することが可能となっている。第1格納室22は、例えば、真空雰囲気下の第1処理ステーション13側で処理が終了した被処理基板12が格納される。第4格納室23は、例えば、第2処理ステーション14から搬送された被処理基板12が格納される。   In addition, the first storage chamber 22 and the fourth storage chamber 23 that can store a plurality of substrates to be processed 12 are arranged on two of the eight side portions 15a via the opening / closing devices 17c and 17d. Has been. The first storage chamber 22 and the fourth storage chamber 23 are provided with cassettes (not shown) capable of mounting a plurality of substrates 12 to be processed at regular intervals in the normal direction. . For example, ten substrates to be processed 12 can be placed on the cassette. In the first storage chamber 22, for example, the substrate 12 to be processed that has been processed on the first processing station 13 side in a vacuum atmosphere is stored. In the fourth storage chamber 23, for example, the substrate 12 to be processed transferred from the second processing station 14 is stored.

第1チャンバ15の中央付近には、第1基板搬送ロボット24が配置されている。第1基板搬送ロボット24は、例えば、2本のアーム24a,24b(ダブルアーム、ツインアーム)が独立して動作するように構成されている。具体的には、2本のアーム24a,24bのそれぞれが、被処理基板12を搬送したり取り上げたり載置したりすることができる。第1チャンバ15には、真空雰囲気にするための真空引き機構(図示せず)が接続されている。なお、第1チャンバ15には、第1処理チャンバ21のみに限定されず、複数の処理チャンバが接続されていてもよい。   A first substrate transfer robot 24 is disposed near the center of the first chamber 15. The first substrate transfer robot 24 is configured such that, for example, two arms 24a and 24b (double arm and twin arm) operate independently. Specifically, each of the two arms 24a and 24b can transport, pick up, and place the substrate 12 to be processed. A vacuum evacuation mechanism (not shown) for making a vacuum atmosphere is connected to the first chamber 15. The first chamber 15 is not limited to the first processing chamber 21 and a plurality of processing chambers may be connected.

第2処理ステーション14は、上記したように、窒素雰囲気の第2チャンバ16を備えている。具体的には、水分濃度の非常に低い、例えば、10ppmの窒素雰囲気に設定されている。第2チャンバ16は、例えば、第1チャンバ15と略同一のサイズに形成されている。第2チャンバ16は、第1チャンバ15と同様に、例えば、8つの辺部16aを有する正八角形の平面形状に形成されている。各辺部16aは、互いに135°の内角をもって連なっている。   As described above, the second processing station 14 includes the second chamber 16 having a nitrogen atmosphere. Specifically, it is set to a nitrogen atmosphere with a very low moisture concentration, for example, 10 ppm. For example, the second chamber 16 is formed to have substantially the same size as the first chamber 15. Similar to the first chamber 15, the second chamber 16 is formed in, for example, a regular octagonal planar shape having eight side portions 16a. The side portions 16a are connected to each other with an internal angle of 135 °.

8つの辺部16aのうち一つの辺部16aには、ゲートバルブ又はシャッタなどからなる開閉装置17eを介して第2基板搬送室25が配置されている。第2基板搬送室25は、第2処理ステーション14と、第2処理ステーション14と接続されている同じ窒素雰囲気下の他の処理ステーションとの間で、被処理基板12の搬送が行われる。   The second substrate transfer chamber 25 is disposed on one side portion 16a of the eight side portions 16a via an opening / closing device 17e including a gate valve or a shutter. In the second substrate transfer chamber 25, the substrate 12 to be processed is transferred between the second processing station 14 and another processing station connected to the second processing station 14 under the same nitrogen atmosphere.

また、8つの辺部16aのうち一つの辺部16aには、開閉装置17fを介して、窒素雰囲気下での処理が行われる第2処理チャンバ31が接続されている。第2処理チャンバ31では、例えば、有機膜の封止処理が行われる。開閉装置17e,17fを閉状態から開状態にすることにより、第2チャンバ16と、第2基板搬送室25又は第2処理チャンバ31との間で、被処理基板12を行き来させることができる。   Moreover, the 2nd process chamber 31 in which the process in a nitrogen atmosphere is performed is connected to one side part 16a among the eight side parts 16a via the switchgear 17f. In the second processing chamber 31, for example, an organic film sealing process is performed. By changing the open / close devices 17e and 17f from the closed state to the open state, the substrate 12 to be processed can be moved back and forth between the second chamber 16 and the second substrate transfer chamber 25 or the second processing chamber 31.

また、8つの辺部16aのうち二つの辺部16aには、開閉装置17g,17hを介して、複数枚の被処理基板12を収納可能な第2格納室32と第3格納室33が配置されている。第2格納室32及び第3格納室33は、第1格納室22及び第4格納室23と同様に、複数枚の被処理基板12を法線方向に一定の間隔をおいて載置することが可能なカセット(図示せず)が設けられている。カセットには、例えば、10枚の被処理基板12を載置することが可能となっている。第2格納室32は、例えば、第1処理ステーション13から搬送された被処理基板12が格納される。第3格納室33は、例えば、窒素雰囲気下の第2処理ステーション14側で処理が終了した被処理基板12が格納される。   In addition, the second storage chamber 32 and the third storage chamber 33 that can store a plurality of substrates to be processed 12 are arranged in two of the eight side portions 16a via the opening / closing devices 17g and 17h. Has been. Similarly to the first storage chamber 22 and the fourth storage chamber 23, the second storage chamber 32 and the third storage chamber 33 place a plurality of substrates to be processed 12 at regular intervals in the normal direction. A cassette (not shown) is provided. For example, ten substrates to be processed 12 can be placed on the cassette. In the second storage chamber 32, for example, the substrate 12 to be processed transferred from the first processing station 13 is stored. In the third storage chamber 33, for example, the substrate 12 to be processed that has been processed on the second processing station 14 side in a nitrogen atmosphere is stored.

第2チャンバ16の中央付近には、第2基板搬送ロボット34が配置されている。第2基板搬送ロボット34は、第1基板搬送ロボット24と同様に、例えば、2本のアーム34a,34bが独立して動作するように構成されている。第2チャンバ16には、窒素雰囲気にするための雰囲気置換装置(図示せず)が接続されている。なお、第2チャンバ16には、第2処理チャンバ31のみに限定されず、複数の処理チャンバが接続されていてもよい。   Near the center of the second chamber 16, a second substrate transfer robot 34 is disposed. Similar to the first substrate transfer robot 24, the second substrate transfer robot 34 is configured such that, for example, two arms 34a and 34b operate independently. The second chamber 16 is connected to an atmosphere replacement device (not shown) for making a nitrogen atmosphere. The second chamber 16 is not limited to the second processing chamber 31 and a plurality of processing chambers may be connected.

第1チャンバ15と第2チャンバ16とは、第1チャンバ15の一つの辺部15aと第2チャンバ16の一つの辺部16aとが対向するように隣接配置されている。このように配置することにより、第1チャンバ15と第2チャンバ16とによって囲まれた凹状の隙間としての領域A,Bが存在する。この領域A,Bを利用して、平面正方形の第1連結室41と第2連結室42とが配置されている。   The first chamber 15 and the second chamber 16 are adjacently arranged so that one side 15a of the first chamber 15 and one side 16a of the second chamber 16 face each other. By arranging in this way, there are regions A and B as concave gaps surrounded by the first chamber 15 and the second chamber 16. Using these areas A and B, the first connection chamber 41 and the second connection chamber 42 having a square shape are arranged.

第1連結室41は、第1ゲートバルブ43を介して、第1チャンバ15と連通可能に配置されている。また、第1連結室41は、第2ゲートバルブ44を介して、第2チャンバ16と連通可能に配置されている。第1連結室41は、例えば、真空引き機構を備えた雰囲気置換機構が設けられており、真空雰囲気と窒素雰囲気とに切り換えられるようになっている。つまり、ゲートバルブ43,44を開けたときに、連通するチャンバと同じ雰囲気にしておく必要がある。また、第1連結室41は、例えば、第1チャンバ15から第2チャンバ16に被処理基板12を受け渡すときに用いられる。   The first connection chamber 41 is arranged to be able to communicate with the first chamber 15 via the first gate valve 43. Further, the first connection chamber 41 is arranged to be able to communicate with the second chamber 16 via the second gate valve 44. The first connection chamber 41 is provided with, for example, an atmosphere replacement mechanism including a vacuum evacuation mechanism, and can be switched between a vacuum atmosphere and a nitrogen atmosphere. That is, when the gate valves 43 and 44 are opened, it is necessary to have the same atmosphere as that of the communicating chamber. The first connection chamber 41 is used, for example, when delivering the substrate 12 to be processed from the first chamber 15 to the second chamber 16.

第2連結室42は、第3ゲートバルブ45を介して、第2チャンバ16と連通可能に配置されている。また、第2連結室42は、第4ゲートバルブ46を介して、第1チャンバ15と連通可能に配置されている。第2連結室42は、第1連結室41と同様に、例えば、真空引き機構を備えた雰囲気置換機構が設けられており、真空雰囲気と窒素雰囲気とに切り換えられるようになっている。また、第2連結室42は、例えば、第2チャンバ16から第1チャンバ15に被処理基板12を受け渡すときに用いられる。   The second connection chamber 42 is arranged to be able to communicate with the second chamber 16 via the third gate valve 45. Further, the second connection chamber 42 is arranged to be able to communicate with the first chamber 15 via the fourth gate valve 46. Similarly to the first connection chamber 41, the second connection chamber 42 is provided with, for example, an atmosphere replacement mechanism including a vacuum evacuation mechanism, and can be switched between a vacuum atmosphere and a nitrogen atmosphere. The second connection chamber 42 is used, for example, when delivering the substrate 12 to be processed from the second chamber 16 to the first chamber 15.

第1連結室41及び第2連結室42には、複数枚の被処理基板12を法線方向に一定の間隔をおいて載置することが可能な多段式のカセット47(図2参照)が備えられている。カセット47には、例えば、10枚の被処理基板12を載置することが可能となっている。カセット47に格納できる被処理基板12の枚数は、被処理基板12に対する真空雰囲気下での処理能力や、窒素雰囲気下での処理能力に応じて決定することが望ましい。   In the first connection chamber 41 and the second connection chamber 42, a multi-stage cassette 47 (see FIG. 2) capable of mounting a plurality of substrates to be processed 12 at regular intervals in the normal direction. Is provided. For example, ten substrates to be processed 12 can be placed on the cassette 47. The number of substrates to be processed 12 that can be stored in the cassette 47 is desirably determined according to the processing capability of the substrate 12 to be processed in a vacuum atmosphere or the processing capability in a nitrogen atmosphere.

具体的には、例えば、第1連結室41を窒素雰囲気から真空雰囲気に置換するのに10分かかるとする。また、1枚の被処理基板12に対して、第1処理ステーション13を含む真空雰囲気下での処理に1分かかるとする(搬送時間を含む)。この場合、第1連結室41の雰囲気を他の雰囲気に置換している10分の間、10枚の被処理基板12に処理を行うことができる。つまり、10枚の被処理基板12を1回に真空雰囲気側に搬送しておくことにより、真空雰囲気側の第1処理チャンバ21などを停止することなく(手空きの時間なく)稼動させることができる。なお、第2連結室42においても同様である。更に、被処理基板12の平均1枚当たりの搬送時間を短くすることができ(例えば、1分程度)、スループットを向上させることができる。   Specifically, for example, it is assumed that it takes 10 minutes to replace the first connection chamber 41 from the nitrogen atmosphere to the vacuum atmosphere. Further, it is assumed that one substrate 12 to be processed in a vacuum atmosphere including the first processing station 13 takes 1 minute (including a transfer time). In this case, 10 substrates 12 can be processed for 10 minutes while the atmosphere in the first connection chamber 41 is replaced with another atmosphere. That is, by transporting the 10 substrates to be processed 12 to the vacuum atmosphere side at a time, the first processing chamber 21 on the vacuum atmosphere side and the like can be operated without stopping (with no free time). it can. The same applies to the second connection chamber 42. Further, the average transfer time per substrate 12 to be processed can be shortened (for example, about 1 minute), and the throughput can be improved.

次に、基板処理装置11の搬送動作について、図1及び図2を参照しながら説明する。以下、被処理基板12が第1処理ステーション13を含む真空雰囲気下で処理が施された後、第2処理ステーション14を含む窒素雰囲気下で処理が施され、再び、第1処理ステーション13を含む真空雰囲気下で処理が施されるような、被処理基板12を往復搬送させる場合を説明する。   Next, the transfer operation of the substrate processing apparatus 11 will be described with reference to FIGS. 1 and 2. Hereinafter, after the target substrate 12 is processed in a vacuum atmosphere including the first processing station 13, the processing is performed in a nitrogen atmosphere including the second processing station 14, and again includes the first processing station 13. A case will be described in which the substrate 12 to be processed is transported in a reciprocating manner so that processing is performed in a vacuum atmosphere.

まず、真空雰囲気下で処理が施された被処理基板12を、第1基板搬送室18から第1格納室22に搬送する。被処理基板12は、第1基板搬送ロボット24によって搬送される。第1格納室22には、真空雰囲気下での処理が終了した複数枚の被処理基板12が格納されている。   First, the substrate 12 to be processed that has been processed in a vacuum atmosphere is transferred from the first substrate transfer chamber 18 to the first storage chamber 22. The substrate 12 to be processed is transferred by the first substrate transfer robot 24. The first storage chamber 22 stores a plurality of substrates to be processed 12 that have been processed in a vacuum atmosphere.

次に、被処理基板12を第1格納室22から第1連結室41に搬送する。なお、第1連結室41は、第1ゲートバルブ43を開状態にする前に真空雰囲気にしておく。第2ゲートバルブ44は、閉状態である。具体的には、第1基板搬送ロボット24の2本のアーム24a,24bを使って、同時に2枚の被処理基板12を搬送する。10枚の被処理基板12は、第1連結室41のカセット47に載置される。   Next, the substrate 12 to be processed is transferred from the first storage chamber 22 to the first connection chamber 41. The first connection chamber 41 is set in a vacuum atmosphere before the first gate valve 43 is opened. The second gate valve 44 is in a closed state. Specifically, two substrates to be processed 12 are simultaneously transferred using the two arms 24 a and 24 b of the first substrate transfer robot 24. Ten substrates to be processed 12 are placed in the cassette 47 of the first connection chamber 41.

次に、第1連結室41の雰囲気を真空雰囲気から窒素雰囲気に置換する。まず、第1ゲートバルブ43を閉状態にする。次に、雰囲気置換機構を用いて真空雰囲気から窒素雰囲気に置換する。   Next, the atmosphere of the first connection chamber 41 is replaced from a vacuum atmosphere to a nitrogen atmosphere. First, the first gate valve 43 is closed. Next, the atmosphere is replaced from a vacuum atmosphere to a nitrogen atmosphere using an atmosphere replacement mechanism.

次に、被処理基板12を、第1連結室41から第2処理ステーション14の第2格納室32に搬送する。まず、第1連結室41の第2ゲートバルブ44を開状態にする。次に、第2基板搬送ロボット34を用いて、第1連結室41から第2チャンバ16を経由して第2格納室32に、10枚の被処理基板12を搬送する。なお、1枚の被処理基板12は、直接、第1連結室41から第2処理チャンバ31に搬送され、窒素雰囲気下での処理が施される。   Next, the substrate 12 to be processed is transferred from the first connection chamber 41 to the second storage chamber 32 of the second processing station 14. First, the second gate valve 44 of the first connection chamber 41 is opened. Next, using the second substrate transfer robot 34, the ten substrates to be processed 12 are transferred from the first connection chamber 41 to the second storage chamber 32 via the second chamber 16. In addition, the one to-be-processed substrate 12 is directly conveyed from the 1st connection chamber 41 to the 2nd process chamber 31, and the process in nitrogen atmosphere is performed.

次に、第2処理チャンバ31から第2基板搬送室25を経由して他の処理ステーションに被処理基板12を搬送し、窒素雰囲気下での処理を行う。窒素雰囲気下での処理が終了した被処理基板12は、第3格納室33に順次格納される。なお、空になった第1連結室41は、次の搬送動作に備えて、窒素雰囲気から真空雰囲気に置換する。   Next, the substrate 12 to be processed is transferred from the second processing chamber 31 to another processing station via the second substrate transfer chamber 25, and processing is performed in a nitrogen atmosphere. The substrate 12 to be processed that has been processed under the nitrogen atmosphere is sequentially stored in the third storage chamber 33. The empty first connection chamber 41 is replaced with a vacuum atmosphere from a nitrogen atmosphere in preparation for the next transfer operation.

次に、第3格納室33から第2連結室42に被処理基板12を搬送する。なお、第2連結室42において、第3ゲートバルブ45を開状態にする前に窒素雰囲気にしておく。第4ゲートバルブ46は、閉状態である。具体的には、第2基板搬送ロボット34の2本のアーム34a,34bを使って、同時に2枚の被処理基板12を搬送する。10枚の被処理基板12は、第2連結室42のカセット47に載置される。   Next, the substrate 12 to be processed is transferred from the third storage chamber 33 to the second connection chamber 42. In the second connection chamber 42, a nitrogen atmosphere is set before the third gate valve 45 is opened. The fourth gate valve 46 is in a closed state. Specifically, two substrates to be processed 12 are simultaneously transferred using the two arms 34 a and 34 b of the second substrate transfer robot 34. Ten substrates to be processed 12 are placed in the cassette 47 of the second connection chamber 42.

次に、第2連結室42の雰囲気を窒素雰囲気から真空雰囲気に置換する。まず、第3ゲートバルブ45を閉状態にする。次に、雰囲気置換機構を用いて窒素雰囲気から真空雰囲気に置換する。   Next, the atmosphere of the second connection chamber 42 is replaced from a nitrogen atmosphere to a vacuum atmosphere. First, the third gate valve 45 is closed. Next, a nitrogen atmosphere is replaced with a vacuum atmosphere using an atmosphere replacement mechanism.

次に、被処理基板12を、第2連結室42から第1処理ステーション13の第4格納室23に搬送する。まず、第2連結室42の第4ゲートバルブ46を開状態にする。次に、第1基板搬送ロボット24を用いて、第2連結室42から第1チャンバ15を経由して第4格納室23に、10枚の被処理基板12を搬送する。なお、1枚の被処理基板12は、直接、第2連結室42から第1処理チャンバ21に搬送され、真空雰囲気下での処理が施される。   Next, the substrate 12 to be processed is transferred from the second connection chamber 42 to the fourth storage chamber 23 of the first processing station 13. First, the fourth gate valve 46 of the second connection chamber 42 is opened. Next, using the first substrate transfer robot 24, 10 substrates 12 to be processed are transferred from the second connection chamber 42 to the fourth storage chamber 23 via the first chamber 15. In addition, the one to-be-processed substrate 12 is directly conveyed from the 2nd connection chamber 42 to the 1st process chamber 21, and the process in a vacuum atmosphere is performed.

次に、第1処理チャンバ21から他の処理ステーションに被処理基板12を搬送する。そして複数枚の被処理基板12に所定の処理を施した後、例えば、被処理基板12が外部に排出される。   Next, the substrate 12 to be processed is transferred from the first processing chamber 21 to another processing station. Then, after performing a predetermined process on the plurality of substrates to be processed 12, for example, the substrate to be processed 12 is discharged to the outside.

以上のように、第1連結室41及び第2連結室42において、複数枚の被処理基板12を格納することが可能となっているので、第1処理ステーション13側(真空雰囲気下)や第2処理ステーション14側(窒素雰囲気下)に一度に複数枚の被処理基板12を受け渡すことができる。よって、第1連結室41及び第2連結室42が、それぞれの雰囲気に置換している間、処理チャンバが停止する時間(待ち時間)を少なくすることが可能となり、複数枚の被処理基板12を効率よく処理することができる。   As described above, since the plurality of substrates to be processed 12 can be stored in the first connection chamber 41 and the second connection chamber 42, the first processing station 13 side (in a vacuum atmosphere) 2 A plurality of substrates to be processed 12 can be delivered to the processing station 14 side (under a nitrogen atmosphere) at a time. Therefore, while the first connection chamber 41 and the second connection chamber 42 are replaced with the respective atmospheres, it is possible to reduce the time (waiting time) during which the processing chamber is stopped, and the plurality of substrates 12 to be processed. Can be processed efficiently.

更に、第1連結室41を、第1チャンバ15から第2チャンバ16への被処理基板12の搬入専用とし、第2連結室42を、第2チャンバ16から第1チャンバ15への被処理基板12の搬入専用として用いるので、第1連結室41と第2連結室42とを、それぞれ別々のタイミングで動作をさせることが可能となる。よって、真空雰囲気下での処理時間と窒素雰囲気下での処理時間とに差があったとしても、それぞれの連結室41,42でそれぞれのタイミングで雰囲気の置換を行うことができ、効率よく搬送を行うことができる。   Further, the first connection chamber 41 is dedicated to loading the substrate 12 to be processed from the first chamber 15 to the second chamber 16, and the second connection chamber 42 is the substrate to be processed from the second chamber 16 to the first chamber 15. Therefore, the first connection chamber 41 and the second connection chamber 42 can be operated at different timings. Therefore, even if there is a difference between the processing time in the vacuum atmosphere and the processing time in the nitrogen atmosphere, the atmosphere can be replaced at each timing in each of the connection chambers 41 and 42, and the transfer can be efficiently performed. It can be performed.

以上詳述したように、本実施形態の基板処理装置11によれば、以下に示す効果が得られる。   As described above in detail, according to the substrate processing apparatus 11 of the present embodiment, the following effects can be obtained.

(1)本実施形態によれば、第1チャンバ15及び第2チャンバ16を平面視したとき、第1チャンバ15及び第2チャンバ16はいずれも正八角形を有しているため、辺部15a,16aを対向させると、第1チャンバ15と第2チャンバ16との間には、広い領域Aと領域Bが存在する。よって、この領域Aにある辺部15a,16aに隣接するように第1連結室41を配置し、領域Bに隣接するように第2連結室42を配置することにより、第1連結室41及び第2連結室42を、第1チャンバ15及び第2チャンバ16が配置されている領域から大きく側方にはみ出ないようにすることができる。また、第1連結室41及び第2連結室42が第1チャンバ15及び第2チャンバ16の配置領域から大きく側方にはみ出ていないので、基板搬送ロボット24,34として小型のもので対応させることが可能となり、第1チャンバ15及び第2チャンバ16を大型化する必要がなくなる。   (1) According to the present embodiment, when the first chamber 15 and the second chamber 16 are viewed in plan, the first chamber 15 and the second chamber 16 both have a regular octagon. When facing 16a, a wide region A and a region B exist between the first chamber 15 and the second chamber 16. Therefore, by arranging the first connection chamber 41 so as to be adjacent to the side portions 15a, 16a in the region A and arranging the second connection chamber 42 so as to be adjacent to the region B, the first connection chamber 41 and It is possible to prevent the second connection chamber 42 from greatly protruding laterally from the region where the first chamber 15 and the second chamber 16 are disposed. In addition, since the first connection chamber 41 and the second connection chamber 42 do not protrude largely laterally from the arrangement region of the first chamber 15 and the second chamber 16, the substrate transfer robots 24 and 34 should be small in size. Therefore, it is not necessary to increase the size of the first chamber 15 and the second chamber 16.

(2)本実施形態によれば、2つのチャンバ15,16間で被処理基板12を往復させる場合において、第1連結室41及び第2連結室42が複数枚の被処理基板12を格納することができるので、第1チャンバ15側(真空雰囲気下)や第2チャンバ16側(窒素雰囲気下)に一度に複数枚の被処理基板12を受け渡すことができる。よって、第1連結室41及び第2連結室42が、それぞれの雰囲気に置換している間、処理チャンバが停止する時間(待ち時間)を少なくすることが可能となり、複数枚の被処理基板12を効率よく処理することができる。更に、被処理基板12の平均1枚当たりの搬送時間を短くすることができ、スループットを向上させることができる。   (2) According to this embodiment, when the substrate to be processed 12 is reciprocated between the two chambers 15 and 16, the first connection chamber 41 and the second connection chamber 42 store a plurality of substrates to be processed 12. Therefore, a plurality of substrates to be processed 12 can be delivered to the first chamber 15 side (in a vacuum atmosphere) and the second chamber 16 side (in a nitrogen atmosphere) at a time. Therefore, while the first connection chamber 41 and the second connection chamber 42 are replaced with the respective atmospheres, it is possible to reduce the time (waiting time) during which the processing chamber is stopped, and the plurality of substrates 12 to be processed. Can be processed efficiently. Further, the average transfer time per substrate 12 to be processed can be shortened, and the throughput can be improved.

(3)本実施形態によれば、領域A及び領域Bにおける第1チャンバ15及び第2チャンバ16の辺部15a,16aがなす角度は略90°であるので、2つの連結室41,42に対して被処理基板12の搬送方向は90°であり、基板搬送ロボット24,34にシンプルな動作を行わせるだけで被処理基板12の搬送を行うことができる。   (3) According to the present embodiment, the angle formed by the side portions 15a and 16a of the first chamber 15 and the second chamber 16 in the region A and the region B is approximately 90 °. On the other hand, the transport direction of the substrate 12 to be processed is 90 °, and the substrate 12 to be processed can be transported only by causing the substrate transport robots 24 and 34 to perform simple operations.

なお、実施形態は上記に限定されず、以下のような形態で実施することもできる。   In addition, embodiment is not limited above, It can also implement with the following forms.

(変形例1)
上記したように、第1チャンバ15及び第2チャンバ16の平面形状をいずれも正八角形としたが、互いに135°の内角をもって連なる辺部を有していればよく、正八角形に限定されるものではない。また、正八角形に限定されず、例えば、2つのチャンバ15,16間に、連結室41,42を配置する隙間が生じる形状(例えば、六角形)であればよい。
(Modification 1)
As described above, the planar shape of each of the first chamber 15 and the second chamber 16 is a regular octagon. is not. Moreover, it is not limited to a regular octagon, for example, what is necessary is just a shape (for example, hexagon) which the clearance gap which arrange | positions the connection chambers 41 and 42 between the two chambers 15 and 16 produces.

(変形例2)
上記したように、第1連結室41を第1チャンバ15から第2チャンバ16への被処理基板12の搬送専用として用い、第2連結室42を第2チャンバ16から第1チャンバ15への被処理基板12の搬送専用として用いたが、これに限定されず、例えば、第1チャンバ15と第2チャンバ16との双方向への搬送を行わせるようにしてもよい。
(Modification 2)
As described above, the first connection chamber 41 is used exclusively for transporting the substrate 12 to be processed from the first chamber 15 to the second chamber 16, and the second connection chamber 42 is used from the second chamber 16 to the first chamber 15. Although the processing substrate 12 is used exclusively for transporting, the present invention is not limited to this. For example, the first chamber 15 and the second chamber 16 may be transported in both directions.

(変形例3)
上記したように、基板処理装置11は、真空雰囲気、窒素雰囲気の処理ステーション13,14であることに限定されず、それ以外の雰囲気、又は、それ以外の雰囲気を含んで構成するようにしてもよい。
(Modification 3)
As described above, the substrate processing apparatus 11 is not limited to the processing stations 13 and 14 in a vacuum atmosphere and a nitrogen atmosphere, and may be configured to include other atmospheres or other atmospheres. Good.

(変形例4)
上記したように、第1処理チャンバ21及び第2処理チャンバ31が封止処理を行うことに限定されず、他の処理を行うようにしてもよい。
(Modification 4)
As described above, the first processing chamber 21 and the second processing chamber 31 are not limited to performing the sealing process, and other processes may be performed.

基板処理装置の構造を示す模式平面図。The schematic plan view which shows the structure of a substrate processing apparatus. 基板処理装置を構成する連結室の構造を示す模式断面図。The schematic cross section which shows the structure of the connection chamber which comprises a substrate processing apparatus.

符号の説明Explanation of symbols

11…基板処理装置、12…被処理基板、13…第1処理ステーション、14…第2処理ステーション、15…第1チャンバ、15a…辺部、16…第2チャンバ、17a,17b,17c,17d,17e,17f,17g,17h…開閉装置、18…第1基板搬送室、21…第1処理チャンバ、22…第1格納室、23…第4格納室、24…第1基板搬送ロボット、25…第2基板搬送室、31…第2処理チャンバ、32…第2格納室、33…第3格納室、34…第2基板搬送ロボット、41…第1連結室、42…第2連結室、43…第1ゲートバルブ、44…第2ゲートバルブ、45…第3ゲートバルブ、46…第4ゲートバルブ、47…カセット。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 ... Substrate processing apparatus, 12 ... Substrate to be processed, 13 ... First processing station, 14 ... Second processing station, 15 ... First chamber, 15a ... Side, 16 ... Second chamber, 17a, 17b, 17c, 17d , 17e, 17f, 17g, 17h ... opening / closing device, 18 ... first substrate transfer chamber, 21 ... first processing chamber, 22 ... first storage chamber, 23 ... fourth storage chamber, 24 ... first substrate transfer robot, 25 2nd substrate transfer chamber, 31 ... 2nd processing chamber, 32 ... 2nd storage chamber, 33 ... 3rd storage chamber, 34 ... 2nd substrate transfer robot, 41 ... 1st connection chamber, 42 ... 2nd connection chamber, 43 ... 1st gate valve, 44 ... 2nd gate valve, 45 ... 3rd gate valve, 46 ... 4th gate valve, 47 ... Cassette.

Claims (5)

大気と異なる第1雰囲気の第1チャンバと、
前記大気及び前記第1雰囲気と異なる第2雰囲気の第2チャンバと、
を有する基板処理装置であって、
前記第1チャンバ及び前記第2チャンバは、内角をもって連なる辺部を有すると共に互いの一つの辺部同士が対向するように配置され、
前記第1チャンバと前記第2チャンバとの間に生じた凹状の隙間に、前記第1チャンバ及び前記第2チャンバの辺部と隣接すると共に前記第1チャンバ及び前記第2チャンバと連通可能な複数枚の被処理基板を格納する連結室が配置されていることを特徴とする基板処理装置。
A first chamber having a first atmosphere different from the atmosphere;
A second chamber having a second atmosphere different from the atmosphere and the first atmosphere;
A substrate processing apparatus comprising:
The first chamber and the second chamber have side portions that are continuous with an inner angle and are arranged so that one side portion of the first chamber and the second chamber face each other.
A plurality of concave gaps formed between the first chamber and the second chamber are adjacent to the side portions of the first chamber and the second chamber and can communicate with the first chamber and the second chamber. A substrate processing apparatus, wherein a connection chamber for storing a plurality of substrates to be processed is disposed.
請求項1に記載の基板処理装置であって、
前記連結室は、前記第1チャンバと前記第2チャンバとの間に生じた一方の凹状の領域に第1連結室が配置され、他方の凹状の領域に第2連結室が配置されていることを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 1,
In the connection chamber, a first connection chamber is disposed in one concave region generated between the first chamber and the second chamber, and a second connection chamber is disposed in the other concave region. A substrate processing apparatus.
請求項1又は請求項2に記載の基板処理装置であって、
前記連結室は、前記被処理基板を載置して格納するカセットを有し、
前記カセットは、複数枚の前記被処理基板を法線方向に並べて格納することを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 1 or 2, wherein
The connection chamber has a cassette for placing and storing the substrate to be processed;
A substrate processing apparatus, wherein the cassette stores a plurality of substrates to be processed side by side in a normal direction.
請求項1〜請求項3のいずれか一項に記載の基板処理装置であって、
前記第1チャンバ及び前記第2チャンバは、略同一サイズの正八角形の平面形状を有していることを特徴とする基板処理装置。
A substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein
The substrate processing apparatus, wherein the first chamber and the second chamber have a regular octagonal planar shape having substantially the same size.
請求項1〜請求項4のいずれか一項に記載の基板処理装置であって、
前記第1チャンバは、前記複数枚の被処理基板を格納する第1格納室と共に、第1処理ステーションに配置され、
前記第2チャンバは、前記複数枚の被処理基板を格納する第2格納室と共に、第2処理ステーションに配置されていることを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 4, wherein
The first chamber is disposed in a first processing station together with a first storage chamber for storing the plurality of substrates to be processed.
The substrate processing apparatus, wherein the second chamber is disposed in a second processing station together with a second storage chamber for storing the plurality of substrates to be processed.
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