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JP2008236660A - インバータアンプ - Google Patents

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JP2008236660A JP2007077002A JP2007077002A JP2008236660A JP 2008236660 A JP2008236660 A JP 2008236660A JP 2007077002 A JP2007077002 A JP 2007077002A JP 2007077002 A JP2007077002 A JP 2007077002A JP 2008236660 A JP2008236660 A JP 2008236660A
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Tetsuro Maruyama
哲朗 丸山
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Abstract

【課題】電界効果型トランジスタで構成されるインバータアンプは、定電流源である電界効果型トランジスタのゲート電圧変動により増幅率が悪化し、多段接続時には直流バイアス電線を介して電圧変動が混合するため互いに悪影響を及ぼし合い、所定の性能が得られない。
【解決手段】本発明のインバータアンプは、アンプを構成する定電流源である電界効果型トランジスタのゲート端子に電圧変動防止回路を備えている。電圧変動防止回路は、そのゲート端子に伝播する電圧変動などを抑制する。このような構成とすることによって、アンプを構成する電界効果型トランジスタのゲート電圧は変動せず、インバータアンプの増幅率を損うことなく増幅できる。また、多段接続の場合でも、各アンプが不安定となる要因を排除することができるから、大増幅を行うアンプも実現可能になる。
【選択図】図1

Description

この発明は、所定の導電型のトランジスタを組み合わせた増幅回路に関し、特に標準時刻情報信号を含む標準電波を受信し、時刻を表示する電波修正時計に用いるインバータアンプに関する。
電波修正時計は、数万年に1秒とも言われる精度を持つ原子時計による時刻情報や日付情報を含む標準電波(例えば、40kHzの電波)を内蔵するアンテナで受信し、時刻の誤差を修正する機能を具備している時計である。このため、常時正確な時刻を表示することが可能であり、時刻修正の手間を省くことができるため、近年急速に普及しつつある。
電波修正時計において、標準電波の受信性能を決める要因は、アンテナ特性と受信回路特性とがある。特に受信回路は、低消費電力が要求されることから、搭載する増幅回路の改良が進んでいる。受信回路は、微弱な標準電波を受信し標準時刻情報信号を検波するため、入力部に高倍率な増幅回路が必要である。つまり、この増幅回路の低消費電力化の要求が高いのである。
このため、増幅回路には、回路の消費電流低減と小型化とを考慮し、電界効果型トランジスタなどを使ったインバータアンプが多く用いられる。
従来知られているインバータアンプは、異なる導電形のトランジスタを組み合わせた高倍率の増幅回路であり、簡易な構成による小型化、低消費電力化が可能であるという特徴を有するため、多くの提案を見るものである。
このような従来から知られるインバータアンプを電波修正時計に用いるには、入力信号の大きさに合わせた増幅倍率制御が必要であるが、線形な増幅倍率制御が難しいという問題があった。このような問題を解決するための技術は散見される(例えば、特許文献1参照。)。
特許文献1に従来技術として記載している技術は、インバータアンプとしては一般的なものであり、その技術を図を用いて説明する。図7は特許文献1に示した従来技術を説明するためにその趣旨を逸脱しないように書き直した回路図である。図7において、10,11は電界効果型トランジスタ、1は信号入力線、2,4は電源線、3は直流バイアス電線、5は信号出力線、6は直流バイアス電源回路である。
直流バイアス電源6の負側端子は接地、正側端子は電界効果型トランジスタ11のゲート端子に接続し、信号入力線1は、電界効果型トランジスタ10のゲート端子に接続している。
電界効果型トランジスタ11のソース端子は電源線4に接続し、電界効果型トランジスタ10のソース端子は、電源線2に接続している。電界効果型トランジスタ11,10のドレイン端子同士を接続し、信号出力線5としている。つまり、電源線2,4の間に電界効果型トランジスタ11,10を直列接続している。
また、電界効果型トランジスタ11のサブストレート端子は電源線4に接続し、電界効果型トランジスタ10のサブストレート端子は電源線2に接続している。
電源線2,4に、電源線4側を正とする図示しない直流電源を接続し、直流バイアス電源回路6にて電源線2と電源線4との電位の中間値にあたる電位を電界効果型トランジスタ11のゲートに加え、信号線入力1にアナログ信号を加えると、信号出力線5には増幅
された信号線入力1と逆相の信号が現れる。
直流バイアス電源回路6の電位を増減させることで、信号出力線5に現れる信号の増幅率を変えることができる。
特開昭56−2715号公報(第2頁、第1図)
図7に示す特許文献1に従来技術として記載している技術は、直流バイアス電線3の電圧により電界効果型トランジスタ10,11で構成されるインバータアンプの増幅率を線形に制御できるというメリットがあるが、発明者が検討したところによると、直流バイアス電線3に直列に抵抗成分が付加されているとき、インバータアンプの増幅率を悪化させるという問題があることがわかった。
すでに述べた通り、図7に示したインバータアンプは、電界効果型トランジスタで構成している。このよう回路は、ディスクリート(単機能部品)の組み合わせで構成する場合と半導体基板に集積して形成する場合とがある。その双方の場合において、各部品や各素子の配線が引き回されることがあり、この配線が、直流バイアス電線3とすると、この電線には配線抵抗などの抵抗成分が直列に接続してしまうことがある。
バイアス電源回路6に直列して抵抗成分が挿入され、電界効果型トランジスタ11のゲート端子に接続した場合、信号出力線5に現れた信号波形に応じて電界効果型トランジスタ11のゲート電圧が変化し、信号入力線1に入力された波形と逆位相の波形が現れるため定電圧を保つことができず、電界効果型トランジスタ10,11で構成されるインバータアンプの増幅率を悪化させてしまうのである。
このような問題を引き起こすバイアス電源回路6に直列して挿入する抵抗成分は、上述のような配線抵抗のほか、バイアス電源回路6自身の内部抵抗も含む。
また、このようなインバータアンプを多段接続して入力信号を大増幅する場合には、直流バイアス電圧線3を通して各インバータアンプの電圧変動が混合されてしまい、予期せぬ帰還が電界効果型トランジスタ11のゲート端子にかかる。このため、各インバータアンプが互いに悪影響を及ぼし、発振に至る場合もある。特に、バイアス電源回路6が電池の場合は、内部抵抗が高く、このような問題が著しい。
つまり、従来知られている技術では、構成する素子に抵抗成分が付加したり、用いるバイアス電源回路の内部抵抗に制約があったりするため、実際に使用しようとすると正常に動作させるための制約が多く、実用的ではなかった。
本発明のインバータアンプは、これらの問題を解決するためになされるものであって、電圧変動防止手段を備え、インバータアンプを構成する電界効果型トランジスタのゲート電圧の変動を抑制し、理論どおりの増幅率を得るための増幅回路を提供するものである。
上記課題を解決するため、本発明は、以下の構成を採用する。
一導電型の第1のトランジスタと、一導電型とは異なる導電形の第2のトランジスタとを第1の電源と第2の電源との間に直列接続してなり、互いの出力端子を共通にすると共に、互いの入力端子にそれぞれ異なる電圧信号を入力するインバータアンプにおいて、
第1のトランジスタまたは第2のトランジスタのどちらか一方の入力端子と、電圧信号
を発生する発生源との間に電圧変動防止手段を介挿し、電圧変動防止手段の動作によって、電圧信号の変動を補正することを特徴とする。
電圧変動防止手段は、入力ノードと出力ノードとの間に抵抗手段を直列に接続し、出力ノードと第1の電源または第2の電源との間に容量手段を接続するフィルタ回路であることを特徴とする。
電圧変動防止手段は、入力ノードに入力する電圧信号を発生する発生源の電圧信号を所定の電圧信号に変換して出力する定電圧回路であることを特徴とする。
定電圧回路は、基準電流源と差動増幅回路と出力回路とを有する電圧レギュレータ回路であることを特徴とする。
本発明のインバータアンプは、増幅率を制御する電界効果トランジスタのゲート電圧に生じる電圧変動を防止する電圧変動防止手段を備えている。この電圧変動防止手段は、インバータアンプを構成する電界効果型トランジスタにおけるゲート電圧の変動を抑制できるため、誤動作もなく設計値通りの増幅率を得ることができる。
また、インバータアンプを多段接続して増幅率を大きくする必要がある場合でも、定電流源となっている各増幅段の電界効果型トランジスタのゲート電圧に現れた電圧変動を除去でき、直流バイアス電圧線を通した混合を防止できるため、増幅回路が不安定となる要因を排除することが可能である。
このように、本発明のインバータアンプは、電圧変動防止手段を備えているため、電圧信号を発生する発生源に電池を用いても、期待通りの増幅率を得ることができ、微小な入力信号に対して増幅率を制御しながら大増幅することができる。
以下に、本発明に係るインバータアンプの実施形態を図面参照しながら詳細に説明する。本発明の実施形態では、標準電波を受信し時刻修正する電波修正時計の受信回路に用いるインバータアンプとして用いる場合を例にして説明する。
なお、本実施形態においては、インバータアンプを構成するトランジスタを電界効果型トランジスタとし、Pチャンネル型とNチャンネル型とを用いる例で説明する。
[全体ブロックの説明:図1]
図1は、本発明のインバータアンプの第1の実施形態を説明するブロック図である。図1において、50,51は電界効果型トランジスタ、52は電圧変動防止手段としての電圧変動防止回路、61は信号入力線、62,64,68は電源線、63は電圧変動防止回路52の入力ノード、65は信号出力線、66は直流バイアス電源、67は抵抗素子、69は電圧変動防止回路52の出力ノードである。
電解効果型トランジスタ51は、例えばPチャンネル型とし、電解効果型トランジスタ50は、例えばNチャンネル型とすることができる。
なお、この回路への供給電源は負電源で説明する。つまり、電源線64はグランド(例えば、0V)とし、電源線68,62は負の電圧を出力する電源手段に接続する。もちろん、正電源で動作させてもよく、そのときは、電源線68,62をグランドとし、電源線64を正の電圧を出力する電源手段に接続してもよい。
直流バイアス電源66は、負側端子が電源線68に接続し、正側端子は電圧変動防止回路52の入力ノード63に接続し、電圧変動防止回路52の出力である出力ノード69は
、電界効果型トランジスタ51のゲート端子と接続している。
電界効果型トランジスタ51のソース端子は、電源線64に接続し、電界効果型トランジスタ50のソース端子は、電源線62に接続している。また、電界効果型トランジスタ51,50のドレイン端子同士は接続し、信号出力線65に接続している。電界効果型トランジスタ51のサブストレート端子は電源線64に接続し、電界効果型トランジスタ50のサブストレート端子は電源線62に接続している。
電界効果型トランジスタ50のゲート端子には、信号入力線61が接続している。入力信号線61の信号は、図示しない回路から得られるタイムコードを含む入力信号である。なお、電界効果型トランジスタ50のゲート端子とドレイン端子とは、抵抗素子67で接続している。
信号入力線61より入力する入力信号は、抵抗素子67により帰還回路が構成された電界効果型トランジスタ50により増幅するが、増幅率は電界効果型トランジスタ51のゲート端子とソース端子との間の電圧により制御される。
すでに説明したように、直流バイアス電源66が電池、あるいは定電圧を保持する能力に乏しい電圧供給回路を用いる場合は、直流バイアス電源66の電圧により駆動される複数の回路動作に伴い電圧変動を受けやすく、理想電源として定電圧を維持することが難しくなる。
本発明のインバータアンプは、直流バイアス電源66と電界効果型トランジスタ51のゲート端子との間に電圧変動防止回路52を設けている。これにより、他の回路から混入する電圧変動を除去し電界効果型トランジスタ51のゲート電圧を一定に保つことができる。
また、信号出力線65の増幅波形の一部が電界効果型トランジスタ51のゲートに出現し、電界効果型トランジスタ50,51で構成するインバータアンプの増幅率が低下する問題も、この電圧変動防止回路52で電界効果型トランジスタ51のゲート端子の電圧変動を抑制することで、防ぐことができる。
[インバータアンプの多段接続の説明:図2]
本発明のインバータアンプは、電圧変動防止回路52を有しており、電界効果型トランジスタ51のゲート電圧の変動を抑制できるため、インバータアンプの増幅率を悪化させることがない。もちろん、このインバータアンプを直列に接続し、多段接続して入力信号を大増幅させてもよい。その場合においても、電圧変動防止回路52をインバータアンプの段数ごとに設ければよく、そのような構成にすることによって、各インバータアンプでの電圧変動を各電圧変動防止回路52で抑制できるから、インバータアンプは安定動作することができる。
その様子を示すのが、図2である。本発明のインバータアンプの第2の実施形態を説明するブロック図である。図2において、200a〜200cは図1に示すインバータアンプ、500a〜500cは、図1に示す電圧変動防止回路52である。213,214は容量素子、223は第1の信号入力線、224は第1の信号出力線、225は第2の信号入力線、226は第2の信号出力線、227は第3の信号入力線である。228は第3の信号出力線であり、この多段アンプの出力信号線である。なお、すでに説明した同一の構成には同一の番号を付与している。
図2に示すように、3つのインバータアンプと電圧変動防止回路とを接続し、3段の多段アンプを構成している。各インバータアンプ間には容量素子213,214が挿入されている。電圧変動防止回路500a,500b,500c入力は、直流バイアス電源66に接続している。
第1の信号入力線223から入力された信号は、インバータアンプ200aで増幅し、第1の信号出力線224に出力する。第1の信号出力線224の増幅信号は、容量素子213で直流成分が除去され、第2の入力信号線225を伝いインバータアンプ200bで増幅し、第2の信号出力線226に出力する。
第2の信号出力線226の増幅信号は、容量素子214で直流成分が除去され、第3の入力信号線227を伝いインバータアンプ200cで増幅し、第3の信号出力線228に出力する。
また、電圧変動防止回路500a,500b,500cの各入力は、直流バイアス電源66に接続しており、入力ノード63から伝播してくる電圧変動を除去すると共に、それぞれのインバータアンプの出力によって各インバータアンプを構成する電界効果型トランジスタのゲート端子に生じる電圧変動を抑制する。
[電圧変動防止回路の説明1:図3,図4]
次に、電圧変動防止回路52を説明する。図3は図1に示す電圧変動防止回路52の一例を説明する回路図である。図3において、70は抵抗素子、71は容量素子、72は電源ノードである。すでに説明した同一の構成には同一の番号を付与している。
入力ノード63と出力ノード69との間に抵抗素子70を直列に接続し、抵抗素子70と出力ノード69との接続点と電源ノード72との間に容量素子71を接続している。
この電源ノード72は、一定の電圧を有する電源手段に接続するノードであり、例えば、グランドまたは電源線68に接続する。
図3に示す電圧変動防止回路52の一例は、一種のフィルタ回路であって、電界効果型トランジスタ51のゲートに伝播した信号出力線65の出力波形による電圧変動を、コンデンサ71で平滑化し入力ノード63に電圧変動を伝達させないように抵抗素子70で分離する1次のローパスフィルタである。
この回路は、直流バイアス電源66により駆動される別の回路からの電圧変動も排除できる。
この回路に用いる抵抗素子70と容量素子71の時定数は自由に選択することができる。この場合の時定数とは、抵抗素子70の抵抗値と容量素子71の容量値を乗算した値である。この時定数は、インバータアンプの能力や電気特性、本発明のインバータアンプを用いる回路やシステムの仕様に合わせて自由に変更することができる。
例えば、電界効果型トランジスタ51のゲートに伝播する電圧変動の周波数やその値によっては、抵抗素子70をあまり大きくしない方がよい場合もある。そのときは、その抵抗値を鑑みて、容量素子71の容量値を大きくするのである。
もちろん、図2に示すようにインバータアンプを直列に接続し、多段接続して入力信号を大増幅させるとき、電圧変動防止回路500a,500b,500cでそれぞれその時定数を個別に変更してもよいことは言うまでもない。
図3に示す電圧変動防止回路52は、1次のローパスフィルタであるが、電界効果型トランジスタ51のゲート電圧変動が著しい場合には、図3に示す回路を複数個直列に接続し、高次のローパスフィルタとしてもよい。
図4は、図1に示す電圧変動防止回路52の一例を説明する回路図であって、図3に示す例とは異なる構成の回路である。図4において、73は電界効果型トランジスタであり、すでに説明した同一の構成には同一の番号を付与している。
図4に示す例と図3に示す例との違いは、容量素子71の代わりに電界効果型トランジ
スタ73を用いている点である。電界効果型トランジスタ73は、抵抗素子70と出力ノード69との接続点と電源ノード72との間に直列に接続している。電界効果型トランジスタ73のゲート端子は電源ノード72に接続している。電源ノード72に接続する電源手段に関しては、図3に示す構成と同一である。
本発明のインバータアンプを半導体装置として半導体基板に集積して構成するとき、電界効果型トランジスタ73は、通常の電界効果型トランジスタと同一の構造とすることができる。このため、容量素子71を用いる場合に比べて、素子の占有面積を小さくすることができる。
なお、図4に示す構成についても1次のローパスフィルタであって、図3に示す構成と動作は同じであるため、その説明は省略する。
[電圧変動防止回路の説明2:図5,図6]
次に、電圧変動防止回路52のさらに別の構成例を説明する。図5は図1に示す電圧変動防止回路52の一例を説明する回路図であって、すでに説明した構成とは異なる回路である。図5において、52aは定電圧回路である。すでに説明した同一の構成には同一の番号を付与している。
図5に示す定電圧回路52aは、電源線62と電源線64とに接続し、その間の一定の電圧を出力する電圧回路である。この定電圧回路52aの構成は、特に限定しないが、電源線62と電源線64との間に電界効果型トランジスタや抵抗素子を直列に接続してなる構成を用いることができる。大切なことは、電源線62や電源線64の変動に対しても一定の電圧を出力するということである。
図6は、図5に示す定電圧回路52aの構成を説明する回路図であって、レギュレータ回路の一例を示すものである。
図6において、80aはリファレンス電圧を発生する基準電流源、80bは差動増幅回路、80cは出力回路である。
図6において、81は抵抗素子、93は容量素子、82,83,84,85は基準電流源80aを構成する電界効果型トランジスタ、86,87,88,89,90は差動増幅回路80bを構成する電界効果型トランジスタ、91,92は出力回路80cを構成する電界効果型トランジスタである。100,101は電源線である。
図6に示すレギュレータ回路は、基準電流源80aで発生したリファレンス電圧を1倍の差動増幅回路で増幅し、出力回路80cで所定の電圧に電圧変換して出力する。もちろん、図6に示すレギュレータ回路の構成は一例であって、その回路構成は特に限定するものではなく、自由に変更が可能である。例えば、差動増幅回路80bの倍率を変更してもよいのである。
図5,図6に示す定電圧回路52aは、電界効果型トランジスタ51のゲート電圧を一定に保つように動作する。このため、信号出力線65から伝播する電圧変動をおさえ、たとえ電源線62,64が電圧変動をしたとしても、常に一定のゲート電圧を電界効果型トランジスタ51のゲート端子に印加する。
したがって、他の回路から混入する電圧変動を除去し電界効果型トランジスタ51のゲート電圧を一定に保つことができる。
図5,図6に示す定電圧回路52aは、もちろん図2に示すような複数のインバータアンプと電圧変動防止回路とを接続した多段アンプにも用いることができる。その際は、インバータアンプごとに定電圧回路52aの回路構成や定電圧の電圧を変更してもよく、本発明のインバータアンプを用いる回路やシステムの仕様に合わせて自由に変更することが
できる。
本発明のインバータアンプは、実施部品点数の少ない小型な回路構成で増幅率を損なわずほぼ線形に制御できるインバータ回路を実現できる。このため、入力信号の大きさに合わせた増幅倍率制御が必要である自動利得制御装置や高精度を要求される電波修正時計用に搭載する増幅回路として好適である。
本発明の電圧変動防止回路を備えたインバータアンプの構成を説明する回路図である。 本発明の電圧変動防止回路を備えたインバータアンプによる多段接続の一例を説明する回路図である。 本発明のインバータアンプの電圧変動防止回路を説明する回路図である。 本発明のインバータアンプの電圧変動防止回路の異なる例を説明する回路図である。 本発明のインバータアンプの電圧変動防止回路のさらに異なる例を説明する回路図である。 本発明のインバータアンプの電圧変動防止回路を構成する定電圧回路の一例であるレギュレータ回路を説明する回路図である 特許文献1に示した従来技術を説明する回路図である。
符号の説明
50,51 電界効果型トランジスタ
52 電圧変動防止回路
52a 定電圧回路
61 信号入力線
62,64,68 電源線
63 入力ノード
65 信号出力線
66 直流バイアス電源
67 抵抗素子
69 出力ノード

Claims (4)

  1. 一導電型の第1のトランジスタと、該一導電型とは異なる導電形の第2のトランジスタとを第1の電源と第2の電源との間に直列接続してなり、互いの出力端子を共通にすると共に、互いの入力端子にそれぞれ異なる電圧信号を入力するインバータアンプにおいて、
    前記第1のトランジスタまたは前記第2のトランジスタのどちらか一方の前記入力端子と、前記電圧信号を発生する発生源との間に電圧変動防止手段を介挿し、該電圧変動防止手段の動作によって、前記電圧信号の変動を補正することを特徴とするインバータアンプ。
  2. 前記電圧変動防止手段は、入力ノードと出力ノードとの間に抵抗手段を直列に接続し、該出力ノードと前記第1の電源または前記第2の電源との間に容量手段を接続するフィルタ回路であることを特徴とする請求項1に記載のインバータアンプ。
  3. 前記電圧変動防止手段は、前記入力ノードに入力する前記電圧信号を発生する発生源の電圧信号を所定の電圧信号に変換して出力する定電圧回路であることを特徴とする請求項1に記載のインバータアンプ。
  4. 前記定電圧回路は、基準電流源と差動増幅回路と出力回路とを有する電圧レギュレータ回路であることを特徴とする請求項3に記載のインバータアンプ。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US9105225B2 (en) 2012-05-23 2015-08-11 Samsung Display Co., Ltd. Display device with modulated gate-on gate-off voltages and driving method thereof

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