JP2008136195A - Condenser microphone - Google Patents
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Abstract
Description
本発明はコンデンサマイクロホンおよびこれを備える電気音響変換装置に関し、特にMEMSセンサパッケージとしてのコンデンサマイクロホンに関する。 The present invention relates to a condenser microphone and an electroacoustic transducer including the same, and more particularly to a condenser microphone as a MEMS sensor package.
従来、MEMSセンサパッケージとしてのコンデンサマイクロホンが知られている。特許文献1には、配線基板に接合された電気音響変換ダイがカバーで覆われ、パッケージ内の電気音響変換ダイに音波を到達させるための音響孔がパッケージのカバーまたは配線基板に形成されているコンデンサマイクロホンが記載されている。音響孔からは塵埃、光、水滴など、パッケージ内のダイの作動に悪影響を及ぼす要素が進入し得るため、音響孔はなるべく小径であることが望ましい。
しかし、音響孔での共振は音響孔が小径で長いほど低い周波数で起こるようになる。したがって、パッケージの底部に相当する配線基板自体やカバー自体に小径の音響孔を形成すると、音響孔の長さがこれらの厚さに等しくなるため、共振が可聴域内で起こり得る。 However, resonance at the acoustic hole occurs at a lower frequency as the acoustic hole becomes smaller and longer. Therefore, if a small-diameter acoustic hole is formed in the wiring board itself or the cover itself corresponding to the bottom of the package, the length of the acoustic hole becomes equal to these thicknesses, so that resonance can occur in the audible range.
本発明は、音響孔の共振周波数が高いコンデンサマイクロホンおよびそれを備える電気音響変換装置を提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide a condenser microphone having a high resonance frequency of an acoustic hole and an electroacoustic transducer having the same.
(1)上記目的を達成するためのコンデンサマイクロホンは、内側に空洞を形成し、通孔を有するパッケージと、前記パッケージに接合され、前記通孔に重なる音響孔を有し、前記通孔の長さより薄いプレートと、前記空洞の一部に収納される電気音響変換ダイと、を備える。
このコンデンサマイクロホンによると、パッケージの通孔の長さより薄いプレートがパッケージに接合され、プレートに音響孔が形成されるため、パッケージ自体に音響孔を形成する場合に比べ、音響孔の長さを短くすることができる。したがってこのコンデンサマイクロホンによると、音響孔の共振周波数を高くすることができる。
(1) A condenser microphone for achieving the above object includes a package having a cavity inside and having a through hole, an acoustic hole joined to the package and overlapping the through hole, and the length of the through hole. A thinner plate and an electroacoustic transducer die housed in a portion of the cavity.
According to this condenser microphone, a plate that is thinner than the length of the through hole of the package is joined to the package, and an acoustic hole is formed in the plate. Therefore, the length of the acoustic hole is shorter than when the acoustic hole is formed in the package itself. can do. Therefore, according to this condenser microphone, the resonance frequency of the acoustic hole can be increased.
(2)上記目的を達成するためのコンデンサマイクロホンにおいて、前記パッケージは、前記通孔を有し外部配線基板に接合される底部と、前記底部に接合され前記底部とともに内側に前記空洞を形成しているカバーとを備えてもよい。この場合、前記プレートは、前記底部に接合され、前記底部より薄くても良い。またこの場合、前記電気音響変換ダイは、静止電極と、前記静止電極に対する振動電極と、前記音響孔の周囲において前記底部又は前記プレートに接合され前記静止電極と前記振動電極とを内側に支持する環状の支持部と、を備えても良い。
この場合、音響孔と電気音響変換ダイとが重なるため、コンデンサマイクロホンのフットプリントを小さくすることができる。またこの場合、パッケージの底部から電気音響変換ダイの内側に直接音波が到達するため、パッケージ内の電気音響変換ダイの外側空間の広い容積をバックキャビティとして利用することができ、その結果、カットオフ周波数を低くすることができる。尚、環状の支持部は静止電極と振動電極とを取り囲む形状であればよく、内側および外側の輪郭はいずれも円形であっても長方形であっても正方形であっても多角形であってもよい。
(2) In the condenser microphone for achieving the above object, the package has a bottom portion having the through hole and joined to an external wiring board, and the cavity is formed on the inside together with the bottom portion and joined to the bottom portion. And a cover. In this case, the plate may be bonded to the bottom and thinner than the bottom. Further, in this case, the electroacoustic conversion die is bonded to the bottom portion or the plate around the acoustic hole and supports the stationary electrode and the vibrating electrode on the inner side, the vibrating electrode with respect to the stationary electrode, and the acoustic hole. And an annular support portion.
In this case, since the acoustic hole and the electroacoustic conversion die overlap, the footprint of the condenser microphone can be reduced. In this case, since the sound wave directly reaches the inside of the electroacoustic transducer die from the bottom of the package, a large volume of the outer space of the electroacoustic transducer die in the package can be used as a back cavity, and as a result, the cut-off The frequency can be lowered. The ring-shaped support portion may have any shape that surrounds the stationary electrode and the vibration electrode, and the inner and outer contours may be circular, rectangular, square, or polygonal. Good.
(3)上記目的を達成するためのコンデンサマイクロホンにおいて、前記音響孔の長さは100μm以下であり、前記音響孔の直径は100μm以下であることが望ましい。
音響孔の長さは音響孔周囲のプレートの厚さに相当する。
(3) In the condenser microphone for achieving the above object, it is preferable that the acoustic hole has a length of 100 μm or less, and the acoustic hole has a diameter of 100 μm or less.
The length of the acoustic hole corresponds to the thickness of the plate around the acoustic hole.
(4)上記目的を達成するためのコンデンサマイクロホンにおいて、前記プレートは金属材料からなることが望ましい。 (4) In the condenser microphone for achieving the above object, the plate is preferably made of a metal material.
(5)上記目的を達成するためのコンデンサマイクロホンにおいて、前記プレートはリードフレームからなっても良い。
リードフレームを用いるパッケージの場合、リードフレームに音響孔を形成することによって構造を簡素化し、製造コストを低減することができる。
(5) In the condenser microphone for achieving the above object, the plate may comprise a lead frame.
In the case of a package using a lead frame, the structure can be simplified and the manufacturing cost can be reduced by forming an acoustic hole in the lead frame.
(6)上記目的を達成するためのコンデンサマイクロホンにおいて、前記底部は多層配線基板であって、前記プレートは前記多層配線基板に接合されている導電膜からなっても良い。
この場合、多層配線基板の製造工程においてプレートを多層配線基板に接合できるため、製造コストを低減することができる。
(6) In the condenser microphone for achieving the above object, the bottom portion may be a multilayer wiring board, and the plate may be made of a conductive film bonded to the multilayer wiring board.
In this case, since the plate can be bonded to the multilayer wiring board in the manufacturing process of the multilayer wiring board, the manufacturing cost can be reduced.
(7)上記目的を達成するためのコンデンサマイクロホンにおいて、前記底部は多層配線基板であって、前記プレートは前記多層配線基板に内包されている導電膜からなっても良い。
この場合も、多層配線基板の製造工程においてプレートを多層配線基板に接合できるため、製造コストを低減することができる。
(7) In the condenser microphone for achieving the above object, the bottom portion may be a multilayer wiring board, and the plate may be made of a conductive film included in the multilayer wiring board.
Also in this case, since the plate can be bonded to the multilayer wiring board in the manufacturing process of the multilayer wiring board, the manufacturing cost can be reduced.
(8)上記目的を達成するためのコンデンサマイクロホンにおいて、前記プレートを複数備え、前記底部は多層配線基板であって、複数の前記プレートのそれぞれは前記多層配線基板に接合され絶縁層を間に挟んで重なり合っている導電膜からなってもよい。
この場合も、多層配線基板の製造工程においてプレートを多層配線基板に接合できるため、製造コストを低減することができる。
(8) A condenser microphone for achieving the above object, comprising a plurality of the plates, wherein the bottom is a multilayer wiring board, each of the plurality of plates being bonded to the multilayer wiring board and sandwiching an insulating layer therebetween It may consist of conductive films overlapping with each other.
Also in this case, since the plate can be bonded to the multilayer wiring board in the manufacturing process of the multilayer wiring board, the manufacturing cost can be reduced.
(9)上記目的を達成するためのコンデンサマイクロホンにおいて、第一の前記導電膜が形成している前記音響孔と第二の前記導電膜が形成している前記音響孔とは重なっていないことが望ましい。
この場合、2つの導電膜にそれぞれ形成されている音響孔をいずれも通り抜けなければ塵埃や光や水滴がパッケージ内に進入できないため、コンデンサマイクロホンの使用環境適応能力が向上する。
(9) In the condenser microphone for achieving the above object, the acoustic hole formed by the first conductive film and the acoustic hole formed by the second conductive film may not overlap. desirable.
In this case, since the dust, light, and water droplets cannot enter the package unless they pass through the acoustic holes formed in the two conductive films, the use environment adaptability of the condenser microphone is improved.
(10)上記目的を達成するためのコンデンサマイクロホンにおいて、第一の前記導電膜と第二の前記導電膜との間に通気性シートをさらに備えても良い。
この場合、コンデンサマイクロホンの使用環境適応能力が向上する。
(10) In the condenser microphone for achieving the above object, a breathable sheet may be further provided between the first conductive film and the second conductive film.
In this case, the use environment adaptability of the condenser microphone is improved.
(11)上記目的を達成するためのコンデンサマイクロホンにおいて、前記プレートの前記電気音響変換ダイを基準とする裏面の少なくとも前記音響孔の周囲に撥水膜が形成されていても良い。
この場合、コンデンサマイクロホンの防滴性能が向上する。
(11) In the condenser microphone for achieving the above object, a water repellent film may be formed around at least the acoustic hole on the back surface of the plate with the electroacoustic conversion die as a reference.
In this case, the drip-proof performance of the condenser microphone is improved.
(12)上記目的を達成するためのコンデンサマイクロホンにおいて、前記プレートは、外周が前記電気音響変換ダイの投影領域を包含していてもよい。
一般にコンデンサマイクロホンの電気音響変換ダイの出力インピーダンスは高い。この場合、プレートが電気音響変換ダイのノイズシールドとして機能するため、コンデンサマイクロホンのS/Nを向上させることができる。
(12) In the condenser microphone for achieving the above object, the outer periphery of the plate may include the projection area of the electroacoustic conversion die.
In general, the output impedance of an electroacoustic transducer die of a condenser microphone is high. In this case, since the plate functions as a noise shield of the electroacoustic conversion die, the S / N of the condenser microphone can be improved.
(13)上記目的を達成するためのコンデンサマイクロホンにおいて、前記プレートは、グラウンド電位の配線に接続されていても良い。
この場合、プレートのノイズシールド効果が向上するため、コンデンサマイクロホンのS/Nをさらに向上させることができる。
(13) In the condenser microphone for achieving the above object, the plate may be connected to a ground potential wiring.
In this case, since the noise shielding effect of the plate is improved, the S / N of the condenser microphone can be further improved.
(14)上記目的を達成するための電気音響変換装置は、コンデンサマイクロホンと、前記コンデンサマイクロホンが接合される外部配線基板と、を備える。前記コンデンサマイクロホンは通孔を有し外部配線基板に接合される底部と、前記底部に接合され前記底部とともに内側に空洞を形成しているカバーと、前記底部に接合され、前記通孔の長さより薄く、前記通孔に重なる音響孔を有するプレートと、前記空洞の一部に収納され、静止電極と、前記静止電極に対する振動電極と、前記静止電極と前記振動電極とを内側に支持する環状の支持部と、を備える電気音響変換ダイと、を備える。前記外部配線基板は前記通孔に重なる第二の通孔を有する。
この電気音響変換装置によると、外部配線基板に接合される底部の通孔の長さより薄いプレートに音響孔が形成されるため、外部配線基板に接合される底部自体に音響孔を形成する場合に比べ、音響孔の長さを短くすることができる。したがってこのコンデンサマイクロホンによると、音響孔の共振周波数を高くすることができる。
(14) An electroacoustic transducer for achieving the above object includes a condenser microphone and an external wiring board to which the condenser microphone is joined. The condenser microphone has a bottom having a through hole and joined to an external wiring board, a cover joined to the bottom and forming a cavity inside with the bottom, and joined to the bottom, from the length of the through hole A thin plate having an acoustic hole that overlaps with the through-hole, and a ring that is housed in a part of the cavity and supports the stationary electrode, the vibrating electrode with respect to the stationary electrode, and the stationary electrode and the vibrating electrode on the inside. And an electroacoustic conversion die provided with a support part. The external wiring board has a second through hole that overlaps the through hole.
According to this electroacoustic transducer, since the acoustic hole is formed in the plate that is thinner than the length of the bottom through hole joined to the external wiring board, the acoustic hole is formed in the bottom part joined to the external wiring board. In comparison, the length of the acoustic hole can be shortened. Therefore, according to this condenser microphone, the resonance frequency of the acoustic hole can be increased.
(15)上記目的を達成するための電気音響変換装置において、前記支持部は、前記音響孔の周囲において前記底部又は前記プレートに接合されていても良い。
この場合、音響孔と電気音響変換ダイとが重なるため、コンデンサマイクロホンのフットプリントを小さくすることができ、その結果、装置全体を小型化することができる。またこの場合、外部配線基板に接合される底部から電気音響変換ダイの内側に直接音波が到達するため、パッケージ内の電気音響変換ダイの外側空間の広い容積をバックキャビティとして利用することができ、その結果、カットオフ周波数を低くすることができる。
(15) In the electroacoustic transducer for achieving the above object, the support portion may be joined to the bottom portion or the plate around the acoustic hole.
In this case, since the acoustic hole and the electroacoustic conversion die overlap, the footprint of the condenser microphone can be reduced, and as a result, the entire apparatus can be reduced in size. In this case, since the sound wave directly reaches the inside of the electroacoustic conversion die from the bottom part joined to the external wiring board, a large volume of the outer space of the electroacoustic conversion die in the package can be used as a back cavity. As a result, the cutoff frequency can be lowered.
以下、本発明の実施の形態を添付図面を参照して説明する。
(第一実施例)
・電気音響変換装置の構成
図1Aは本発明による電気音響変換装置の第一実施例の要部を示す断面図である。この電気音響変換装置は、携帯電話端末、ボイスレコーダー、ノート型パーソナルコンピュータなど、音響を電気信号に変換する機能を備える装置である。電気音響変換装置の外殻を構成する図示しない筐体には、種々の電子部品が実装される外部配線基板17が収納されている。コンデンサマイクロホン1は外部配線基板17に図示しないBGA(Ball Grid Array)などを介して接合されている。コンデンサマイクロホン1の直下において外部配線基板17に第二の通孔171が形成されている。第二の通孔171はコンデンサマイクロホン1まで音波を通過させるための孔である。電気音響変換装置の外殻を構成する筐体には第二の通孔171まで音波を通過させるための通孔が形成されている。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.
(First Example)
Configuration of electroacoustic transducer FIG. 1A is a cross-sectional view showing the main part of a first embodiment of the electroacoustic transducer according to the present invention. This electroacoustic conversion device is a device having a function of converting sound into an electric signal, such as a mobile phone terminal, a voice recorder, and a notebook personal computer. An
・コンデンサマイクロホンの構成
コンデンサマイクロホン1は、電気音響変換ダイ12とインピーダンス変換ダイ18と、これらを収容するパッケージ16と、パッケージ16に接合されたプレート19とを備えている。電気音響変換ダイ12とインピーダンス変換ダイ18とは金線13によるワイヤーボンディングなどによって電気的に接続されている。インピーダンス変換ダイ18は、ワイヤーボンディング、フリップチップ結合などによってパッケージ16の配線に電気的に接続されている。
Configuration of Condenser Microphone The
・・電気音響変換ダイ
電気音響変換ダイ12は、音波を電気信号に変換する機能を有する。電気音響変換ダイ12はシリコンウェハ上にドープトシリコン薄膜などの導電膜や、シリコン酸化膜などの絶縁膜が積層された構造を有する。電気音響変換ダイ12にはコンデンサの対向電極を構成する振動電極123とこれに対する静止電極122とこれらの電極膜を支持する環状の支持部124が備えられている。支持部124はプレート19の音響孔191の周囲に接合されている。
.. Electroacoustic Conversion Die The electroacoustic conversion die 12 has a function of converting sound waves into electrical signals. The electroacoustic conversion die 12 has a structure in which a conductive film such as a doped silicon thin film and an insulating film such as a silicon oxide film are stacked on a silicon wafer. The electroacoustic conversion die 12 is provided with a vibrating
振動電極123は2つの空間を仕切るダイヤフラムとして構成される。振動電極123によって仕切られる2つの空間のうち、電気音響変換ダイ12の変換対象である音波が到来してくる空間を音響空間といい、他方の空間をバックキャビティというものとする。バックキャビティ内に位置する静止電極122には複数の後方通孔121が形成されているため、振動電極123によって仕切られているバックキャビティはパッケージ16内部の電気音響変換ダイ12の外部空間を含む。尚、図1Aには静止電極122がバックキャビティに位置する例を示しているが、静止電極122が音響空間に位置していても良い。この場合、静止電極122に形成されている通孔を通った音波が振動電極123に到達することになる。
The vibrating
図6Aは電気音響変換ダイ12の積層構造の一例を示す模式的な断面図である。電気音響変換ダイ12は、ダイ基板12a、下層絶縁膜12b、下層導電膜12c、スペーサ絶縁膜12d、上層導電膜12e、表層絶縁膜12fなどからなる基板と薄膜の積層構造体である。電気音響変換ダイ12を構成するこれらの基板と薄膜とは、互いに接合されている。このような電気音響変換ダイ12は、例えば、ダイ基板12aとなるシリコンウェハの上に、下層導電膜12c、上層導電膜12e、下層導電膜12c、スペーサ絶縁膜12d、上層導電膜12e、表層絶縁膜12fなどを堆積によって形成したり、これらの薄膜をパターニングした後、ダイシングすることによって形成される。
FIG. 6A is a schematic cross-sectional view showing an example of a laminated structure of the electroacoustic conversion die 12. The electroacoustic conversion die 12 is a laminated structure of a substrate and a thin film made of a
図6Bは電気音響変換ダイ12を構成する基板と薄膜と電気音響変換ダイ12の機械的な構成要素との対応関係を説明するための模式図である。図6Bにおいては、電気音響変換ダイ12を構成する基板と薄膜の界面と薄膜同士の界面とがそれぞれ破線で示されている。静止電極122は例えばドープトシリコン薄膜などの上層導電膜12eからなる。静止電極124の外周は円形でも矩形でも多角形でもよい。振動電極123は例えばドープトシリコン薄膜などの下層導電膜12cからなる。振動電極123の外周は円形でも矩形でも多角形でもよい。振動電極123は少なくとも一部が空隙を間に挟んで静止電極122と対向している。すなわち振動電極123および静止電極122はコンデンサの対向電極を構成している。支持部124はダイ基板12a、下層絶縁膜12b、下層導電膜12c、スペーサ絶縁膜12d、上層導電膜12e、表層絶縁膜12fなどからなる複層構造体である。支持部124は静止電極122と振動電極123とを取り囲む形状である。振動電極123、静止電極122およびダイ基板12aは図示しない導電膜によって構成される貫通電極やボンディングパッドを介してインピーダンス変換ダイ18に電気的に接続される。
FIG. 6B is a schematic diagram for explaining a correspondence relationship between a substrate, a thin film, and mechanical components of the electroacoustic transducer die 12 that constitute the electroacoustic transducer die 12. In FIG. 6B, the substrate constituting the electroacoustic conversion die 12, the thin film interface, and the thin film interface are indicated by broken lines. The
尚、上述したように上層導電膜12eの一部が静止電極122を構成し、上層導電膜12eの残部が支持部124の一部を構成している。このため機械的な構造体としては、支持部124に静止電極122の外周の全部または一部が結合され、支持部124の内側に静止電極122が支持されていることになる。また、上述したように下層導電膜12cの一部が振動電極123に含まれ、下層導電膜12cの残部が支持部124に含まれている。このため、機械的な構造体としては、支持部124に振動電極123の外周の全部または一部が結合され、支持部124の内側に振動電極123が支持されていることになる。
As described above, a part of the upper
静止電極122がバックキャビティに位置するように図6Aおよび図6Bに示す構造を有する電気音響変換ダイ12をプレート19に接合する場合、プレート19にはダイ基板12aが例えば接着剤によって気密に接合される。静止電極122が音響空間に位置するように図6Aおよび図6Bに示す構造を有する電気音響変換ダイ12をプレート19に接合する場合、プレート19には表層絶縁膜12fが例えば接着剤によって気密に接合される。
When the electroacoustic conversion die 12 having the structure shown in FIGS. 6A and 6B is bonded to the
従来、バックキャビティは電気音響変換ダイ12の基板に形成され一端がパッケージによって閉塞される通孔によって形成されていた。バックキャビティの容積が大きいほどコンデンサマイクロホン1のカットオフ周波数を低くすることができる。シリコンウェハなどからなる基板にエッチングで通孔を形成することは容易でないが、シリコンウェハに形成する通孔でバックキャビティの容積を確保するとすれば、厚いシリコンウェハに深い通孔を形成する必要がある。本実施例ではパッケージ16内部の余剰空間をバックキャビティとして利用できるため、エッチングによってバックキャビティを形成する場合に比べ、カットオフ周波数を高くすることができる。また、電気音響変換ダイ12の内側空間のみでバックキャビティの容積を確保する必要がないため、本実施例では電気音響変換ダイ12を薄くすることによって、コンデンサマイクロホン1を薄くすることができる。尚、プレート19と振動電極123との間の空間の容積が小さく、振動電極123の面積が大きいほどコンデンサマイクロホン1の感度が向上するので、プレート19と振動電極123との間隔を狭くし、振動電極123の面積を大きくすることが望ましい。
Conventionally, the back cavity is formed in the substrate of the electroacoustic conversion die 12 and is formed by a through hole whose one end is closed by a package. The cutoff frequency of the
後方通孔121が形成されている静止電極122は音響空間を伝わってくる音波によっては振動しないため、振動電極123は静止電極122に対して振動する。音波を受けた振動電極123が静止電極122に対して振動すると、これらの対向電極によって形成されるコンデンサの容量が変化するため、音響は電気音響変換ダイ12によって電気信号に変換される。
Since the
・・インピーダンス変換ダイ
インピーダンス変換ダイ18は静止電極122、振動電極123のいずれか一方にバイアス電圧を印加するためのチャージポンプ(図示略)、静止電極122、振動電極123の他方に接続されるインピーダンス変換器(図示略)などを備えている。インピーダンス変換器は、電気音響変換ダイ12のハイインピーダンスの出力をローインピーダンス化し、コンデンサマイクロホン1のノイズ耐性を向上させる。
.. Impedance conversion die The impedance conversion die 18 is a charge pump (not shown) for applying a bias voltage to one of the
・・パッケージ
パッケージ16は多層配線基板によって構成される底部162と、底部162とともにパッケージ16の内側に空洞を形成しているカバー161とで構成されている。
Package The
底部162は、インピーダンス変換ダイ18と外部配線基板17とを接続するための配線を形成する図示しない導電膜と図示しないセラミックシートの積層構造を有する無蓋の箱形態である。底部162には、外部配線基板17に形成されている第二の通孔171と重なり連通している通孔163が形成されている。図1Bに示すように通孔163は電気音響変換ダイ12の直下に位置し、プレート19を間に挟んで振動電極123と重なっている。
The
底部162に接合されているカバー161は底部162の通孔163以外からパッケージ16の内部に音波が進入しないように底部162に覆い被さっている。カバー161はノイズに対するシールド効果をもたらす導体で構成されていることが望ましく、グラウンド電位に接続されていることがさらに望ましい。
The
・・プレート
プレート19は、パッケージ16を構成するカバー161、底部162のいずれの最小肉厚よりも薄い。プレート19の厚さをパッケージ16に形成される通孔163と比べた場合、プレート19は通孔163の長さより薄い。プレート19は、図1Bに示すように電気音響変換ダイ12の投影領域F1を包含する外周を有する。プレート19は、金属材料などからなる導電膜で構成され、パッケージ16の底部162に接合されている。プレート19の材料としては、例えばステンレス、ベリリウム銅、Fe−Ni合金(64アロイ)などを選択し得る。プレート19は電気音響変換ダイ12に接合されるため、シリコンウェハと熱膨張係数の近い材料が選択されることが望ましい。また、ノイズに対するシールド効果を高めるため、プレート19をグラウンド電位に接続することが望ましい。
.. Plate The
プレート19には音響孔191が形成されている。図1Bに示すように音響孔191は底部162の通孔163と重なって連通している。音響孔191からは音以外の塵埃、水滴、光などが進入可能であるため、塵埃、水滴、光などの進入を阻止する観点からは音響孔191の断面積は小さいほどよい。一方、音響孔191の断面積が小さいほど音響孔191の共振周波数は低くなるため、共振周波数を可聴域よりも高める観点からは音響孔191の断面積は大きいほどよい。また音響孔191の共振周波数を可聴域より高くするため、音響孔191の長さは短いほどよい。音響孔191の長さはプレート19の厚さに等しいため、プレート19の厚さは、薄いほどよい。本実施例では、音響孔191の長さを短くすることによって共振周波数を高め、音響孔191の断面積を小さくすることによって塵埃、水滴、光などの進入を阻止する。具体的には、音響孔191の断面を円形とすると、直径は100μm以下であることが望ましく、プレート19の厚さは100μm以下であることが望ましい。このように短い音響孔191を形成するためのプレート19は、印刷や塗布によって底部162の表面に金属材料で形成する膜によって形成することができる。プレート19が薄ければ断面積の小さい通孔を形成することは容易であり、フォトリソグラフィを用いたエッチング、レーザ加工、プレス加工などによってプレート19に断面積の小さい音響孔191を形成することができる。
・・効果
以上説明した第一実施例の構造において、音響孔191の直径を100μm、音響孔191の長さを100μm、振動電極123とプレート19の間隔を512μm、振動電極123を直径700μmの円形としてコンデンサマイクロホン1の共振周波数をシミュレーションすると約25kHzとなり、コンデンサマイクロホン1の共振周波数は可聴域より高くなる。
An
..Effect In the structure of the first embodiment described above, the diameter of the
(第二実施例)
図2Aは、本発明による電気音響変換装置の第二実施例の要部を示す断面図である。第一実施例と共通の構成要素には共通の符号を付し、重複する説明は省略する。第二実施例はコンデンサマイクロホン2のパッケージ16の底部162が樹脂モールドからなり、プレートが樹脂封止されたリードフレーム14からなる点において第一実施例と異なる。
(Second embodiment)
FIG. 2A is a cross-sectional view showing a main part of a second embodiment of the electroacoustic transducer according to the present invention. Constituent elements common to the first embodiment are denoted by common reference numerals, and redundant description is omitted. The second embodiment differs from the first embodiment in that the
第二実施例のコンデンサマイクロホン2はSOP(Small Outline Package)、QFP(Quad Flat Package)、PGA(Pin Grid Array)などを構成するリードフレーム14を備えている。リードフレーム14には電気音響変換ダイ12とインピーダンス変換ダイ18とが接合されている。リードフレーム14は、インピーダンス変換ダイ18とワイヤボンド接続される図示しないリードを有し、このリードは樹脂モールドからなる底部162の外側に突出している。断面積が狭く短い音響孔142を形成するためのプレートをリードフレーム14で構成することにより、パッケージの構造を簡素化し、製造コストを低減することができる。
The
リードフレーム14の樹脂モールドによって封止されていない一部は残部に比べて薄く形成されており、薄く形成されている部分には断面積が小さく短い音響孔142が形成されている。リードフレーム14の音響孔142が形成されている部位は、パッケージ16を構成するカバー161、底部162のいずれの最小肉厚よりも薄い。リードフレーム14のパッケージ16の外側に露出する面の音響孔142の近傍には図2Bに示すように撥水膜141を形成することが望ましい。撥水膜141はリードフレーム141にシリコンゴム、フッ素樹脂などの撥水性のある薄膜をコーティングすることにより形成される。パッケージ16の外側に露出する音響孔142の近傍に撥水膜141を形成することにより、パッケージ16の内部への水滴の進入を防止することができる。撥水膜141はリードフレーム141の音響孔142の少なくとも周囲を含む部分に形成し、音響孔142の周囲においてはリードフレーム141の表裏両面に形成することが望ましく、音響孔142の内壁面にも形成することが望ましい。
A part of the
(第三実施例)
図3Aは、本発明による電気音響変換装置の第三実施例の要部を示す断面図である。第一実施例と共通の構成要素には共通の符号を付し、重複する説明は省略する。第三実施例は、プレート15が多層配線基板からなる底部162に内包されている導電膜で構成されている点において第一実施例と異なる。
(Third embodiment)
FIG. 3A is a sectional view showing an essential part of a third embodiment of the electroacoustic transducer according to the present invention. Constituent elements common to the first embodiment are denoted by common reference numerals, and redundant description is omitted. The third embodiment is different from the first embodiment in that the
プレート15は多層配線基板の積層構造の一部である導電膜として構成されている。プレート15を構成する導電膜は、パッケージ16を構成するカバー161、底部162のいずれの最小肉厚よりも薄い。プレート15には断面積が小さく短い音響孔151が形成されている。プレート15は電気音響変換ダイ12の投影領域F1とインピーダンス変換ダイ18の投影領域F2とを包含する外周を有する。プレート15はグラウンド電位に接続されており、パッケージ16のフットプリントとプレート15のフットプリントはほぼ等しい。したがって、第三実施例のコンデンサマイクロホン3では、プレート15のノイズに対するシールド効果が先の第一実施例、第二実施例のプレートが奏するシールド効果よりも高い。
The
以上説明した第三実施例の構造において、音響孔151の直径を100μm、音響孔151の長さを100μm、振動電極123とプレート15の間隔を512μm、底部162の表面からプレート15の表面までの深さを150μm、振動電極123を直径700μmの円形としてコンデンサマイクロホン3の共振周波数をシミュレーションすると約22kHzとなり、コンデンサマイクロホン3の共振周波数は可聴域より高くなる。
In the structure of the third embodiment described above, the diameter of the
(第四実施例)
図4Aは、本発明による電気音響変換装置の第四実施例の要部を示す断面図である。第一実施例、第三実施例と共通の構成要素には共通の符号を付し、重複する説明は省略する。第四実施例は、音響孔を有するプレートが多層配線基板からなる底部162の表面に接合されている第一のプレート19と、底部162を構成する多層配線基板の積層構造の一部を構成している導電膜からなる第二のプレート15とで構成されている点において、第一実施例と第三実施例とを組み合わせた構成となっている。
(Fourth embodiment)
FIG. 4A is a sectional view showing an essential part of a fourth embodiment of the electroacoustic transducer according to the present invention. Constituent elements common to the first embodiment and the third embodiment are denoted by common reference numerals, and redundant description is omitted. The fourth embodiment constitutes a part of a laminated structure of a
第四実施例のコンデンサマイクロホン4の第一のプレート19と第二のプレート15とはそれらの間に位置する多層配線基板の絶縁層に接合されている。図4Aおよび図4Bに示すように、第一のプレート19に形成されている音響孔191と第二のプレート15に形成されている音響孔151とは、重なっていないが連通しており、2つの音響孔151、191を通過した音波が振動電極123に到達する構成になっている。音響孔151と音響孔191とが重なっていないため、2つの音響孔151、191からパッケージ16の内部に光、塵埃、水滴などが進入しにくい。
The
以上説明した第四実施例の構造において、音響孔191、151の直径をそれぞれ100μm、音響孔191、151の長さをそれぞれ100μm、振動電極123と第一のプレート19の間隔を512μm、第一のプレート19と第二のプレート15の間隔を150μm、振動電極123を直径700μmの円形としてコンデンサマイクロホン1の共振周波数をシミュレーションすると、第一のプレート19と第二のプレート15の空隙の共振周波数が約33kHz、振動電極123と第一のプレート19の空隙の共振周波数が約25kHzとなり、コンデンサマイクロホン1の共振周波数は可聴域より高くなる。
In the structure of the fourth embodiment described above, the diameter of the
(第五実施例)
図5は、本発明による電気音響変換装置の第五実施例の要部を示す断面図である。第四実施例と共通の構成要素には共通の符号を付し、重複する説明は省略する。第五実施例のコンデンサマイクロホン5は第一のプレート19と第二のプレート15との間に通気性シート11を備える点において第四実施例と異なる。
(Fifth embodiment)
FIG. 5 is a sectional view showing an essential part of a fifth embodiment of the electroacoustic transducer according to the present invention. Constituent elements common to the fourth embodiment are denoted by common reference numerals, and redundant description is omitted. The
通気性シート11は多層配線基板からなる底部162に形成されている通孔163の内部において、第一のプレート19と第二のプレート15とに挟まれている。通気性シート11は、不織布や、通気性と防滴性を兼ね備えた繊維材料からなる。コンデンサマイクロホン5は、通気性シート11を備えているため、2つの音響孔151、191からパッケージ16の内部に光、塵埃、水滴などがさらに進入しにくい。
The
(他の実施例)
以上実施例に即して本発明の実施形態を詳細に説明したが、本発明は上述した実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、プレートに形成する音響孔の数が少ないほど共振周波数は高くなるが、1枚のプレートに形成する音響孔の数は1つに限定されないし、3枚以上のプレートによって3つ以上の音響孔を形成してもよい。また音響孔はパッケージのカバーに接合するプレートに形成しても良いし、パッケージの側壁に接合するプレートに形成しても良い。また断面積が小さく短い音響孔を形成するためのプレートを金属材料以外の樹脂、セラミックなどの無機物で形成しても良い。またパッケージされたコンデンサマイクロホンの内部に2つのダイを収納する構成を例示したが、1つのダイに電気音響変換機能とインピーダンス変換機能とを備え、これら2つの機能を有する1つのダイをパッケージすることも可能である。
(Other examples)
Although the embodiments of the present invention have been described in detail according to the examples, the present invention is not limited to the above-described examples, and various modifications can be made without departing from the scope of the present invention. Of course. For example, the smaller the number of acoustic holes formed in the plate, the higher the resonance frequency, but the number of acoustic holes formed in one plate is not limited to one, and three or more plates are formed by three or more plates. A hole may be formed. The acoustic hole may be formed in a plate that is bonded to the cover of the package, or may be formed in a plate that is bonded to the side wall of the package. Further, a plate for forming a short acoustic hole having a small cross-sectional area may be formed of an inorganic material such as a resin other than a metal material or a ceramic. In addition, the configuration in which two dies are accommodated inside the packaged condenser microphone is illustrated, but one die has an electroacoustic conversion function and an impedance conversion function, and one die having these two functions is packaged. Is also possible.
1:コンデンサマイクロホン、2:コンデンサマイクロホン、3:コンデンサマイクロホン、4:コンデンサマイクロホン、5:コンデンサマイクロホン、11:通気性シート、12:電気音響変換ダイ、12:支持部、12:電気音響変換ダイ、13:金線、14:リードフレーム、15:プレート、16:パッケージ、17:外部配線基板、18:インピーダンス変換ダイ、19:プレート、121:後方通孔、122:静止電極、123:振動電極、141:リードフレーム、141:撥水膜、151:音響孔、161:カバー、162:底部、163:通孔、171:通孔、191:音響孔、192:音響孔 1: condenser microphone, 2: condenser microphone, 3: condenser microphone, 4: condenser microphone, 5: condenser microphone, 11: breathable sheet, 12: electroacoustic conversion die, 12: support part, 12: electroacoustic conversion die, 13: Gold wire, 14: Lead frame, 15: Plate, 16: Package, 17: External wiring board, 18: Impedance conversion die, 19: Plate, 121: Rear through hole, 122: Stationary electrode, 123: Vibration electrode, 141: lead frame, 141: water repellent film, 151: acoustic hole, 161: cover, 162: bottom, 163: through hole, 171: through hole, 191: acoustic hole, 192: acoustic hole
Claims (15)
前記パッケージに接合され、前記通孔に重なる音響孔を有し、前記通孔の長さより薄いプレートと、
前記空洞の一部に収納される電気音響変換ダイと、
を備えるコンデンサマイクロホン。 A package forming a cavity inside and having a through hole;
A plate that is bonded to the package and has an acoustic hole that overlaps the through hole, and is thinner than the length of the through hole;
An electroacoustic transducer die housed in a portion of the cavity;
Condenser microphone with
前記通孔を有し外部配線基板に接合される底部と、
前記底部に接合され前記底部とともに内側に前記空洞を形成しているカバーとを備え、
前記プレートは、前記底部に接合され、前記底部より薄く、
前記電気音響変換ダイは、静止電極と、前記静止電極に対する振動電極と、前記音響孔の周囲において前記底部又は前記プレートに接合され前記静止電極と前記振動電極とを内側に支持する環状の支持部と、を備える、
請求項1に記載のコンデンサマイクロホン。 The package is
A bottom portion having the through hole and bonded to an external wiring board;
A cover joined to the bottom and forming the cavity inside with the bottom;
The plate is joined to the bottom, thinner than the bottom,
The electroacoustic conversion die includes a stationary electrode, a vibrating electrode for the stationary electrode, and an annular support portion that is joined to the bottom or the plate around the acoustic hole and supports the stationary electrode and the vibrating electrode on the inside. And comprising
The condenser microphone according to claim 1.
前記音響孔の直径は100μm以下である、
請求項1または2に記載のコンデンサマイクロホン。 The acoustic hole has a length of 100 μm or less,
The diameter of the acoustic hole is 100 μm or less,
The condenser microphone according to claim 1 or 2.
請求項1、2又は3に記載のコンデンサマイクロホン。 The plate is made of a metal material,
The condenser microphone according to claim 1, 2 or 3.
請求項4に記載のコンデンサマイクロホン。 The plate comprises a lead frame;
The condenser microphone according to claim 4.
前記プレートは前記多層配線基板の表面に接合されている導電膜からなる、
請求項4に記載のコンデンサマイクロホン。 The bottom is a multilayer wiring board,
The plate is made of a conductive film bonded to the surface of the multilayer wiring board.
The condenser microphone according to claim 4.
前記プレートは前記多層配線基板に内包されている導電膜からなる、
請求項4に記載のコンデンサマイクロホン。 The bottom is a multilayer wiring board,
The plate is made of a conductive film included in the multilayer wiring board.
The condenser microphone according to claim 4.
前記底部は多層配線基板であって、
複数の前記プレートのそれぞれは前記多層配線基板に接合され絶縁層を間に挟んで重なり合っている導電膜からなる、
請求項4に記載のコンデンサマイクロホン。 A plurality of the plates;
The bottom is a multilayer wiring board,
Each of the plurality of plates is made of a conductive film bonded to the multilayer wiring board and overlapping with an insulating layer interposed therebetween,
The condenser microphone according to claim 4.
請求項8に記載のコンデンサマイクロホン。 The acoustic hole formed by the first conductive film and the acoustic hole formed by the second conductive film do not overlap,
The condenser microphone according to claim 8.
請求項8又は9に記載のコンデンサマイクロホン。 Further comprising a breathable sheet between the first conductive film and the second conductive film,
The condenser microphone according to claim 8 or 9.
請求項1〜10のいずれか一項に記載のコンデンサマイクロホン。 A water repellent film is formed around at least the acoustic hole on the back surface of the plate with respect to the electroacoustic conversion die;
The condenser microphone according to claim 1.
請求項1〜11のいずれか一項に記載のコンデンサマイクロホン。 The plate includes a projection area of the electroacoustic conversion die on the outer periphery,
The condenser microphone according to any one of claims 1 to 11.
請求項1〜12のいずれか一項に記載のコンデンサマイクロホン。 The plate is connected to a ground potential wiring,
The condenser microphone according to claim 1.
前記コンデンサマイクロホンが接合される外部配線基板と、を備え、
前記コンデンサマイクロホンは、
通孔を有し外部配線基板に接合される底部と、
前記底部に接合され前記底部とともに内側に空洞を形成しているカバーと、
前記底部に接合され、前記通孔の長さより薄く、前記通孔に重なる音響孔を有するプレートと、
前記空洞の一部に収納され、静止電極と、前記静止電極に対する振動電極と、前記静止電極と前記振動電極とを内側に支持する環状の支持部と、
を備える電気音響変換ダイと、
を備え、
前記外部配線基板は前記通孔に重なる第二の通孔を有する、
電気音響変換装置。 A condenser microphone,
An external wiring board to which the condenser microphone is joined, and
The condenser microphone is:
A bottom portion having a through hole and bonded to an external wiring board;
A cover joined to the bottom and forming a cavity inside with the bottom;
A plate joined to the bottom and having an acoustic hole thinner than the length of the through hole and overlapping the through hole;
Housed in a part of the cavity, a stationary electrode, a vibrating electrode for the stationary electrode, and an annular support portion that supports the stationary electrode and the vibrating electrode on the inside,
An electroacoustic conversion die comprising:
With
The external wiring board has a second through hole that overlaps the through hole.
Electroacoustic transducer.
請求項14に記載の電気音響変換装置。 The support is joined to the bottom or the plate around the acoustic hole,
The electroacoustic transducer according to claim 14.
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010041565A (en) * | 2008-08-07 | 2010-02-18 | Funai Electric Co Ltd | Manufacturing method of microphone unit and its housing |
WO2010092856A1 (en) * | 2009-02-13 | 2010-08-19 | 船井電機株式会社 | Microphone unit |
KR20150103454A (en) * | 2014-03-03 | 2015-09-11 | 삼성전기주식회사 | Microphone package |
JP2015530030A (en) * | 2012-08-10 | 2015-10-08 | ノールズ エレクトロニクス,リミテッド ライアビリティ カンパニー | Microphone assembly with a barrier to prevent entry of contaminants |
JP2017187446A (en) * | 2016-04-08 | 2017-10-12 | アルプス電気株式会社 | Sensor device |
-
2007
- 2007-10-29 JP JP2007280662A patent/JP2008136195A/en not_active Withdrawn
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010041565A (en) * | 2008-08-07 | 2010-02-18 | Funai Electric Co Ltd | Manufacturing method of microphone unit and its housing |
WO2010092856A1 (en) * | 2009-02-13 | 2010-08-19 | 船井電機株式会社 | Microphone unit |
CN102318365A (en) * | 2009-02-13 | 2012-01-11 | 船井电机株式会社 | Microphone unit |
CN102318365B (en) * | 2009-02-13 | 2014-05-14 | 船井电机株式会社 | Microphone unit |
US8818010B2 (en) | 2009-02-13 | 2014-08-26 | Funai Electric Co., Ltd. | Microphone unit |
JP2015530030A (en) * | 2012-08-10 | 2015-10-08 | ノールズ エレクトロニクス,リミテッド ライアビリティ カンパニー | Microphone assembly with a barrier to prevent entry of contaminants |
KR20150103454A (en) * | 2014-03-03 | 2015-09-11 | 삼성전기주식회사 | Microphone package |
KR101598270B1 (en) * | 2014-03-03 | 2016-02-26 | 삼성전기주식회사 | Microphone package |
JP2017187446A (en) * | 2016-04-08 | 2017-10-12 | アルプス電気株式会社 | Sensor device |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20110104 |