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JP2008172125A - チップ型led発光装置及びその製造方法 - Google Patents

チップ型led発光装置及びその製造方法 Download PDF

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JP2008172125A JP2007005584A JP2007005584A JP2008172125A JP 2008172125 A JP2008172125 A JP 2008172125A JP 2007005584 A JP2007005584 A JP 2007005584A JP 2007005584 A JP2007005584 A JP 2007005584A JP 2008172125 A JP2008172125 A JP 2008172125A
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崇宏 和田
Satoru Kikuchi
悟 菊池
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Abstract

【課題】 リフレクター集合体を単個に切断する時に蒸着部に剥がれが発生する。
【解決手段】 LEDチップを実装し、透光性樹脂2で封止した発光体3を搭載した回路基板1上に、回路基板1と平面形状が略同形状をしたリフレクター4を接着したチップ型LED発光装置で、リフレクター4は中央底面に開口部5を有し、発光体3を取り囲むように開口部5から上面に向かってテーパ状に広がるすり鉢状の反射面6に反射膜7が形成され、リフレクター4の表面外周周縁部に反射膜7を施さない領域8を形成すると同時に、該領域8に隣接して反射膜7を施さない端子位置識別マーク10を形成する。反射膜7を施さない領域8のダイシングラインに沿って切断するので、反射膜7は剥離することはない。また、端子位置識別マークの配設に金型冶具作成の負荷が減少する。
【選択図】 図2

Description

本発明は、一般照明用LED、携帯電話用フラッシュLED、KYE照明用LEDなどに係わり、詳しくは、リフレクターの多数個取り生産において、ダイシング時に蒸着部の剥がれが発生しない、チップ型LED発光装置及びその製造方法に関する。
従来、軽薄短小を追求する電子機器向けに提供された表面実装型の発光ダイオードで、一般的に、携帯電話のカメラ用補助光源、スポットライトなどに使用される発光ダイオードにおいては、指向性をもった製品が多く使用される。その際、通常の発光ダイオードにリフレクターまたはレンズを付加することにより、用途に合わせた指向特性を持つ発光ダイオードを作っている。これらの発光ダイオードの一般的な構造は、ガラスエポキシ基板の表面に形成された電極パターン上にLEDチップを実装すると共に、前記LEDチップを実装したプリント基板上にUV硬化型接着剤などを用いて、別体加工で成形されたリフレクターまたはレンズを接着することにより、LEDチップの光を無駄なく有効利用するLEDランプがある。(例えば、特許文献1参照)
特許文献1に開示されているLEDランプは、図17〜図20に示すように、アノードとカソードからなる一対の電極部が3組形成された回路基板21と、この回路基板21上に実装されたLEDチップ22と、これを覆うように透光性樹脂23で封止された発光体24と、発光体24を取り囲む反射面が形成されたリフレクター25とで構成されている。
特開2004−327955号(第4〜5頁、図1〜図5)
前記回路基板21は、図18に示すように、ガラスエポキシやBTレジン等で略四角形に形成され、両側面にアノード電極(A1、A2、A3)及びカソード電極(K1、K2、K3)がスルーホールによって形成されている。回路基板21の中央部には3個のLEDチップ22が実装され、ボンディングワイヤを介して接続されている。
また、リフレクター25は、図17に示すように、前記回路基板21と略同じ平面形状をしており、前記回路基板21上に配置されている。前記リフレクター25は、中央部底面に開口部26を有し、該開口部26から上面に向かってテーパ状に広がる反射面27が形成され、該反射面27にはニッケルメッキその他の銀色系のメッキ加工が施され反射膜28が形成されている。
図19、図20に示すように、前記LEDチップ22を実装したプリント基板21上にリフレクター25をUV硬化型接着剤などを用いて接着することにより、LEDランプが得られる。
また、従来一般に左右対称製品など製品を上面から見た場合に製品の端子29の位置が何処にあるかを視認できるように、製品の表面に1PINマークやカソードマークをマーキングする。図21、図22に示すように、リフレクター成形時に金型でリフレクター25の上面に凹形状をした端子位置識別マーク30を配設する。
解決しようとする問題点は、上記した特許文献1に開示されているLEDランプは、リ
フレクターを多数個取り生産する場合に、リフレクター集合体を成形し、反射面をメッ加
工もしくは蒸着にて反射膜を形成した後、個々のリフレクターに分割するのにダイシング
マシーンにてカットする。ダイシングする際にメッキ加工もしくは蒸着された部分から反
射膜が剥がれるという問題が発生する。上記した剥がれ対策として、メッキ加工もしくは
蒸着後にTOPコートを行うが、それにより反射膜の反射率が低下してしまう。
また、製品の端子位置識別マークを配設するのに、リフレクターの上面に凹形状を形成するために金型冶具が複雑になり金型冶具の製作に負荷が掛かる。などの問題があった。
本発明は、上述の欠点を解消するもので、その目的は、リフレクターを多数個取り生産する際に、ダイシングラインに未蒸着部を設けることにより、ダイシングによる反射膜の剥がれはなくなり歩留まりの向上を図る。また、蒸着剥がれ対策としてのTOPコートの必要もなくなり反射率を低下させることもない。更に、製品の端子位置識別マークを配設するのに、反射膜を形成しない領域を形成する際に同時に、該領域に隣接して形成されるので、金型冶具の製作に負荷が掛からない。信頼性に優れ、安価なチップ型LED発光装置及びその製造方法を提供するものである。
上記目的を達成するために、本発明におけるチップ型LED発光装置は、平面形状が略四角形状した回路基板にLEDチップを実装し透光性樹脂で封止した発光体を搭載し、前記回路基板上に、該回路基板と平面形状が略同形状をしたリフレクターを接合したチップ型LED発光装置において、前記リフレクターは中央底面に開口部を有し、前記LEDチップを取り囲むように前記開口部から上面に向かってテーパ状に広がるすり鉢状の反射面に反射膜が形成され、略四角形状をした表面の外周周縁部に前記反射膜を施さない領域を形成したことを特徴とするものである。
また、平面形状が略四角形状した回路基板にLEDチップを実装し透光性樹脂で封止した発光体を搭載し、該回路基板上に、前記回路基板と平面形状が略同形状をしたリフレクターを接合したチップ型LED発光装置において、前記リフレクターは中央底面に開口部を有し、前記LEDチップを取り囲むように前記開口部から上面に向かってテーパ状に広がるすり鉢状の反射面に反射膜が形成され、略四角形状をした表面の外周周縁部に前記反射膜を施さない領域を形成すると共に、該領域に隣接して反射膜を施さない端子位置識別マークを形成したことを特徴とするものである。
また、本発明におけるチップ型LED発光装置の製造方法は、平面形状が略四角形状した回路基板にLEDチップを実装し透光性樹脂で封止した発光体を搭載し、前記回路基板上に、該回路基板と平面形状が略同形状をしたリフレクターを接合したチップ型LED発光装置において、平面形状が略四角形状し、中央底面に開口部を有し、該開口部から上面に向かってテーパ状に広がるすり鉢状の反射面を有するリフレクターを格子状に複数個配列して成形したリフレクター集合体成形工程と、前記リフレクター集合体の個々のリフレクターの略四角形状をした外周周縁部を覆う金型冶具セット工程と、前記金型冶具がセットされたリフレクター集合体の表面にメッキ加工もしくは蒸着で反射膜を形成する反射膜形成工程と、前記リフレクター集合体から金型冶具を除去して個々のリフレクターの外周周縁部に反射膜を施さない領域を形成する金型冶具外し工程と、リフレクター集合体を前記領域に沿って個々のリフレクターに分割するダイシング工程と、発光体を搭載した個々の回路基板上に、分割されたリフレクターを接着する接合工程よりなることを特徴とするものである。
また、平面形状が略四角形状した回路基板にLEDチップを実装し、該LEDチップを実装した回路基板上に、該回路基板と平面形状が略同形状をしたリフレクターを接着したチップ型LED発光装置の製造方法において、平面形状が略四角形状し、中央底面に開口部を有し、該開口部から上面に向かってテーパ状に広がるすり鉢状の反射面を有するリフレクターを格子状に複数個配列して成形したリフレクター集合体成形工程と、前記リフレクター集合体の個々のリフレクターの略四角形状をした外周周縁部と、該外周周辺部に隣接して反射膜を施さない端子位置識別マークを覆う金型冶具セット工程と、前記金型冶具がセットされたリフレクター集合体の表面にメッキ加工もしくは蒸着で反射膜を形成する反射膜形成工程と、前記リフレクター集合体から金型冶具を除去して個々のリフレクターの外周周縁部に反射膜を施さない領域と、該領域に隣接して反射膜を施さない端子位置識別マークを同時に形成する金型冶具外し工程と、リフレクター集合体を前記領域に沿って個々のリフレクターに分割するダイシング工程と、発光体を搭載した個々の回路基板上に、分割されたリフレクターを接着する接合工程よりなることを特徴とするものである。
本発明のチップ型LED発光装置及びその製造方法において、リフレクターを多数個取り生産する際に、リフレクター外周周辺の反射膜を施さない領域をダイシングするので、反射膜の剥がれることはない。そのため、蒸着剥がれ対策としてのTOPコートの必要もない。また、製品の端子位置識別マークを、前記反射膜を施さない領域を形成する際に同時に、前記領域に隣接して形成するので、金型冶具の製作に負荷が掛からない。など信頼性に優れ、安価なチップ型LED発光装置及びその製造方法を提供することが可能である。
本発明のチップ型LED発光装置及びその製造方法について、図面に基づいて説明する。
図1、図3〜図14は、本発明の実施例1に係わり、図1は、チップ型LED発光装置の斜視図、図3〜図14は、チップ型LED発光装置の製造方法を示す説明図である。
図1において、チップ型LED発光装置は、ガラスエポキシやBTレジン等で平面形状が略四角形に形成された回路基板1上に図示しないLEDチップが実装され、該LEDチップを覆うように透光性樹脂2で封止された発光体3と、この回路基板1上に実装された発光体3を取り囲む反射面が形成されたリフレクター4とで構成されている。
前記リフレクター4は樹脂成形され、前記回路基板1と略同じ平面形状をしており、中央部底面に開口部5を有し、該開口部5から上面に向かってテーパ状に広がるすり鉢状の反射面6が形成され、該反射面6にはAl、Agなどの高反射金属膜を用いメッキもしくは蒸着により反射膜7が形成されている。また、前記反射膜7の形成は、誘電体を添加することで、高反射率の多層膜を形成し、高反射誘電体多層膜を形成する方法や、白色以外のパッケージの場合、反射波長を限定し、増反射処理を施して形成しても良い。前記リフレクター4の略四角形状をした表面の外周周縁部に前記反射膜7を施さない領域8を後述する製造方法により形成する。前記リフレクター4は回路基板1上に接着剤とした、例えば、UV硬化型の接着剤などを使用して接着・接合する。
図3〜図14によりチップ型LED発光装置の製造方法について説明する。図3、図4は、リフレクター集合体成形工程を示し、上記したように、平面形状が略四角形状し、中央底面に開口部5を有し、該開口部5から上面に向かってテーパ状に広がるすり鉢状の反射面6を有する個々のリフレクター部分を格子状に複数個配列してリフレクター集合体4Aを成形する。
図5、図6は、金型冶具セット工程を示し、前記リフレクター集合体4Aの個々のリフレクターの略四角形状をした外周周縁部(反射膜を施さない領域)を覆うように金型冶具9をセットする。金型冶具9の代わりにレジストでマスクしても良い。
図7、図8は、反射膜形成工程を示し、リフレクター集合体4Aの上に金型冶具9をセットした状態で表面にAl、Ag等の高反射金属膜を用いメッキもしくは蒸着により反射膜7を形成する。
図9、図10は、金型冶具外し工程を示し、前記リフレクター集合体4Aから金型冶具9を除去することにより、略四角形状をした蒸着部の外周周縁部に反射膜7を施さない領域8により個々のリフレクター部分に仕切られる。
図11、図12は、ダイシング工程を示し、図9に示すリフレクター集合体4Aに形成された反射膜7を施さない領域8上を直交する2つのダイシングライン(X、Y)に沿って切断することにより、個々のリフレクター4に分割される。
図13、図14は、接合工程を示し、LEDチップを覆うように透光性樹脂2で封止された発光体3を搭載実装した個々の回路基板1上に、分割されたリフレクター4を接着剤とした、例えば、UV硬化型の接着剤などを使用して接着・接合することにより、略四角形状をしたリフレクター4の外周周縁部に反射膜7を施さない領域8が形成されたチップ型LED発光装置が完成される。
上述したように、リフレクターを多数個取り生産する際に、リフレクター外周周辺の反射膜7を施さない領域8をダイシングするので、反射膜7が剥がれることはない。
図2、図15、図16は、本発明の実施例2に係わり、上述した実施例1と異なるところは、図2に示すように、略四角形状をしたリフレクター4の表面の外周周縁部に前記反射膜7を施さない領域8に隣接して、反射膜を施さない端子位置識別マーク10を形成したことである。該端子位置識別マーク10は、左右対称製品など製品を上面から見た場合に製品の端子11の位置が何処にあるかを視認できるように、製品の表面に配設する。
上記した端子位置識別マークの配設方法について説明する。図15、図16に示すように、金型冶具9Aは、前記リフレクター集合体4Aの個々のリフレクターの略四角形状をした外周周縁部と、該外周周辺部に隣接して四隅の一つに反射膜を施さない端子位置識別マーク10を覆うように製作されている。その他の製造工程は、上記した実施例1と同様であるので説明は省略する。リフレクター集合体成形工程、金型冶具セット工程、反射膜形成工程、金型冶具外し工程、ダイシング工程、LEDチップを実装した個々の回路基板上に、分割されたリフレクターを接着する接合工程を行うことにより、図2に示すように、リフレクター4の四隅の一つに端子位置識別マーク10を施したチップ型LED発光装置が得られる。
上述したように、リフレクターを多数個取り生産する際に、リフレクター外周周辺の反射膜を施さない領域と端子位置識別マークを同時に形成することができるので、金型冶具の製作に負荷が掛からない。
本発明の実施例1に係るチップ型LED発光装置の斜視図である。 本発明の実施例2に係るチップ型LED発光装置の斜視図である。 図1のリフレクター集合体成形工程を示す平面図である。 図3の断面図である。 図3のリフレクター集合体上に金型冶具をセットした状態の平面図である。 図5の断面図である。 図5の金型冶具をセットした上面に反射膜を施した状態の平面図である。 図7の断面図である。 図7の金型冶具を外し反射膜と反射膜を施さない領域を示す平面図である。 図9の断面図である。 図9のリフレクター集合体をダイシングして製品に分割した状態の平面図である。 図11の断面図である。 図1のチップ型LED発光装置の平面図である。 図13の断面図である。 図2のリフレクター集合体上に金型冶具をセットした状態の平面図である。 図15の断面図である。 従来のLEDランプのリフレクターの斜視図である。 従来のLEDランプの回路基板上に発光体を搭載した状態の斜視図である。 従来のLEDランプの斜視図である。 図19の断面図である。 従来のLEDランプのリフレクター上面に端子位置識別マークを配設した状態の平面図である。 図21の断面図である。
符号の説明
1 回路基板
2 透光性樹脂
3 発光体
4 リフレクター
4A リフレクター集合体
5 開口部
6 反射面
7 反射膜
8 反射膜を施さない領域
9、9A 金型冶具
10 端子位置識別マーク
11 端子 X、Y ダイシングライン

Claims (4)

  1. 平面形状が略四角形状した回路基板にLEDチップを実装し透光性樹脂で封止した発光体を搭載し、前記回路基板上に、該回路基板と平面形状が略同形状をしたリフレクターを接合したチップ型LED発光装置において、前記リフレクターは、中央底面に開口部を有し、前記発光体を取り囲むように開口部から上面に向かってテーパ状に広がるすり鉢状の反射面に反射膜が形成され、略四角形状をした表面の外周周縁部に前記反射膜を施さない領域を形成したことを特徴とするチップ型LED発光装置。
  2. 平面形状が略四角形状した回路基板にLEDチップを実装し透光性樹脂で封止した発光体を搭載し、前記回路基板上に、該回路基板と平面形状が略同形状をしたリフレクターを接合したチップ型LED発光装置において、前記リフレクターは中央底面に開口部を有し、前記LEDチップを取り囲むように前記開口部から上面に向かってテーパ状に広がるすり鉢状の反射面に反射膜が形成され、略四角形状をした表面の外周周縁部に前記反射膜を施さない領域を形成すると共に、該領域に隣接して反射膜を施さない端子位置識別マークを形成したことを特徴とするチップ型LED発光装置。
  3. 平面形状が略四角形状した回路基板にLEDチップを実装し透光性樹脂で封止した発光体を搭載し、前記回路基板上に、該回路基板と平面形状が略同形状をしたリフレクターを接合したチップ型LED発光装置の製造方法において、平面形状が略四角形状し、中央底面に開口部を有し、該開口部から上面に向かってテーパ状に広がるすり鉢状の反射面を有するリフレクターを格子状に複数個配列して成形したリフレクター集合体成形工程と、前記リフレクター集合体の個々のリフレクターの略四角形状をした外周周縁部を覆う金型冶具セット工程と、前記金型冶具がセットされたリフレクター集合体の表面にメッキ加工もしくは蒸着で反射膜を形成する反射膜形成工程と、前記リフレクター集合体から金型冶具を除去して個々のリフレクターの外周周縁部に反射膜を施さない領域を形成する金型冶具外し工程と、リフレクター集合体を該領域に沿って個々のリフレクターに分割するダイシング工程と、発光体を搭載した個々の回路基板上に、分割されたリフレクターを接着する接合工程よりなることを特徴とするチップ型LED発光装置の製造方法。
  4. 平面形状が略四角形状した回路基板にLEDチップを実装し透光性樹脂で封止した発光体を搭載し、前記回路基板上に、該回路基板と平面形状が略同形状をしたリフレクターを接合したチップ型LED発光装置の製造方法において、平面形状が略四角形状し、中央底面に開口部を有し、該開口部から上面に向かってテーパ状に広がるすり鉢状の反射面を有するリフレクターを格子状に複数個配列して成形したリフレクター集合体成形工程と、前記リフレクター集合体の個々のリフレクターの略四角形状をした外周周縁部と、該外周周辺部に隣接して反射膜を施さない端子位置識別マークを覆う金型冶具セット工程と、前記金型冶具がセットされたリフレクター集合体の表面にメッキ加工もしくは蒸着で反射膜を形成する反射膜形成工程と、前記リフレクター集合体から金型冶具を除去して個々のリフレクターの外周周縁部に反射膜を施さない領域と、該領域に隣接して反射膜を施さない端子位置識別マークを同時に形成する金型冶具外し工程と、リフレクター集合体を前記領域に沿って個々のリフレクターに分割するダイシング工程と、発光体を搭載した個々の回路基板上に、分割されたリフレクターを接着する接合工程よりなることを特徴とするチップ型LED発光装置の製造方法。
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011003706A (ja) * 2009-06-18 2011-01-06 Stanley Electric Co Ltd 発光装置及び発光装置の製造方法
JP2011187552A (ja) * 2010-03-05 2011-09-22 Citizen Electronics Co Ltd 発光装置
WO2012102266A1 (ja) * 2011-01-27 2012-08-02 大日本印刷株式会社 樹脂付リードフレームおよびその製造方法、ならびにリードフレーム
JP2012529176A (ja) * 2009-06-05 2012-11-15 クリー インコーポレイテッド 固体発光デバイス
JP2013038190A (ja) * 2011-08-05 2013-02-21 Dainippon Printing Co Ltd リフレクタ付基板の製造方法
KR101504227B1 (ko) * 2013-08-01 2015-03-23 주식회사 루멘스 발광 소자 패키지 및 이의 제작 방법
JP2015090889A (ja) * 2013-11-05 2015-05-11 京セラ株式会社 多数個取り配線基板、配線基板および電子部品
JP2016032082A (ja) * 2014-07-30 2016-03-07 シチズン電子株式会社 メッキ膜の剥離防止方法、部品集合体および発光装置
KR101928150B1 (ko) * 2016-11-25 2018-12-11 조성은 진공증착을 이용한 리플렉터 제조방법
JP2019016620A (ja) * 2017-07-03 2019-01-31 株式会社沖データ 光源用反射体、光源及び光源用反射体の製造方法
WO2019067841A1 (en) * 2017-09-29 2019-04-04 Molex, Llc REFLECTIVE LAYER COATING JIB APPARATUS FOR REFLECTOR AND REFLECTOR MANUFACTURING METHOD

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI364557B (en) * 2008-05-02 2012-05-21 Chimei Innolux Corp Light source and backlight module and liquid crystal display device using same
US8598602B2 (en) * 2009-01-12 2013-12-03 Cree, Inc. Light emitting device packages with improved heat transfer
KR101064026B1 (ko) * 2009-02-17 2011-09-08 엘지이노텍 주식회사 발광 디바이스 패키지 및 그 제조방법
US8686445B1 (en) 2009-06-05 2014-04-01 Cree, Inc. Solid state lighting devices and methods
US8860043B2 (en) * 2009-06-05 2014-10-14 Cree, Inc. Light emitting device packages, systems and methods
US9111778B2 (en) 2009-06-05 2015-08-18 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) devices, systems, and methods
JP5302117B2 (ja) * 2009-06-22 2013-10-02 スタンレー電気株式会社 発光装置の製造方法、発光装置および発光装置搭載用基板
KR100985956B1 (ko) 2010-05-13 2010-10-06 이두환 전 개구 발광 구조의 엘이디 반사판
DE102010023955A1 (de) 2010-06-16 2011-12-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil
US8269244B2 (en) 2010-06-28 2012-09-18 Cree, Inc. LED package with efficient, isolated thermal path
US8648359B2 (en) 2010-06-28 2014-02-11 Cree, Inc. Light emitting devices and methods
DE102010027212A1 (de) * 2010-07-15 2012-01-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Bauelement
USD643819S1 (en) * 2010-07-16 2011-08-23 Cree, Inc. Package for light emitting diode (LED) lighting
USD679842S1 (en) 2011-01-03 2013-04-09 Cree, Inc. High brightness LED package
US8610140B2 (en) 2010-12-15 2013-12-17 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) packages, systems, devices and related methods
TW201251140A (en) 2011-01-31 2012-12-16 Cree Inc High brightness light emitting diode (LED) packages, systems and methods with improved resin filling and high adhesion
WO2012109225A1 (en) 2011-02-07 2012-08-16 Cree, Inc. Components and methods for light emitting diode (led) lighting
TWI517452B (zh) * 2011-03-02 2016-01-11 建準電機工業股份有限公司 發光晶體之多晶封裝結構
CN103534821B (zh) * 2011-05-03 2017-03-29 克利公司 发光二极管(led)的封装、系统、装置及相关方法
DE102012211938B4 (de) * 2012-07-09 2015-07-16 Oktalite Lichttechnik GmbH Reflektor mit ebenen Reflektorflächen
KR101974349B1 (ko) * 2012-10-04 2019-05-02 삼성전자주식회사 발광모듈과 이를 이용한 조명장치
CN105027306A (zh) * 2013-03-13 2015-11-04 皇家飞利浦有限公司 具有底部反射体的封装led透镜
US20140367816A1 (en) * 2013-06-12 2014-12-18 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte.Ltd. Photodetector device having light-collecting optical microstructure
CN104132281B (zh) * 2014-08-06 2016-04-06 浙江长兴金盛光电科技有限公司 投光灯
USD782989S1 (en) * 2015-05-15 2017-04-04 Citizen Electronics Co., Ltd. Light-emitting diode
USD777694S1 (en) * 2015-05-15 2017-01-31 Citizen Electronics Co., Ltd. Light-emitting diode
USD845917S1 (en) * 2016-04-18 2019-04-16 Citizen Electronics Co., Ltd. Light emitting diode
USD845918S1 (en) 2016-04-18 2019-04-16 Citizen Electronics Co., Ltd. Light emitting diode
JP1567062S (ja) * 2016-04-18 2017-01-16
JP1581164S (ja) 2016-12-15 2017-07-10
KR102559064B1 (ko) 2018-02-20 2023-07-24 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 광원모듈 및 이를 포함하는 자외선 조사 장치
CN110970406B (zh) * 2018-09-28 2022-05-13 深圳光峰科技股份有限公司 Led显示屏幕

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004327955A (ja) * 2003-04-09 2004-11-18 Citizen Electronics Co Ltd Ledランプ
JP2005019688A (ja) * 2003-06-26 2005-01-20 Kyocera Corp 発光素子収納用パッケージおよび発光装置
JP2005101283A (ja) * 2003-09-25 2005-04-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 表面実装型発光ダイオード
JP2006013144A (ja) * 2004-06-25 2006-01-12 Citizen Seimitsu Co Ltd 光半導体パッケージの製造方法およびその製造方法を用いて製造した光半導体パッケージ。
JP2006344717A (ja) * 2005-06-08 2006-12-21 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置およびその製造方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6462669B1 (en) * 1999-04-06 2002-10-08 E. P . Survivors Llc Replaceable LED modules
US6949771B2 (en) * 2001-04-25 2005-09-27 Agilent Technologies, Inc. Light source
JP2005183531A (ja) * 2003-12-17 2005-07-07 Sharp Corp 半導体発光装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004327955A (ja) * 2003-04-09 2004-11-18 Citizen Electronics Co Ltd Ledランプ
JP2005019688A (ja) * 2003-06-26 2005-01-20 Kyocera Corp 発光素子収納用パッケージおよび発光装置
JP2005101283A (ja) * 2003-09-25 2005-04-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 表面実装型発光ダイオード
JP2006013144A (ja) * 2004-06-25 2006-01-12 Citizen Seimitsu Co Ltd 光半導体パッケージの製造方法およびその製造方法を用いて製造した光半導体パッケージ。
JP2006344717A (ja) * 2005-06-08 2006-12-21 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置およびその製造方法

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012529176A (ja) * 2009-06-05 2012-11-15 クリー インコーポレイテッド 固体発光デバイス
JP2011003706A (ja) * 2009-06-18 2011-01-06 Stanley Electric Co Ltd 発光装置及び発光装置の製造方法
JP2011187552A (ja) * 2010-03-05 2011-09-22 Citizen Electronics Co Ltd 発光装置
US9806241B2 (en) 2011-01-27 2017-10-31 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Resin-attached lead frame and semiconductor device
WO2012102266A1 (ja) * 2011-01-27 2012-08-02 大日本印刷株式会社 樹脂付リードフレームおよびその製造方法、ならびにリードフレーム
JP5861943B2 (ja) * 2011-01-27 2016-02-16 大日本印刷株式会社 樹脂付リードフレームおよびその製造方法、ならびにリードフレーム
US9461220B2 (en) 2011-01-27 2016-10-04 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Resin-attached lead frame, method for manufacturing the same, and lead frame
KR101760545B1 (ko) * 2011-01-27 2017-07-21 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 수지 부착 리드 프레임 및 그 제조 방법, 및 리드 프레임
JP2013038190A (ja) * 2011-08-05 2013-02-21 Dainippon Printing Co Ltd リフレクタ付基板の製造方法
KR101504227B1 (ko) * 2013-08-01 2015-03-23 주식회사 루멘스 발광 소자 패키지 및 이의 제작 방법
JP2015090889A (ja) * 2013-11-05 2015-05-11 京セラ株式会社 多数個取り配線基板、配線基板および電子部品
JP2016032082A (ja) * 2014-07-30 2016-03-07 シチズン電子株式会社 メッキ膜の剥離防止方法、部品集合体および発光装置
KR101928150B1 (ko) * 2016-11-25 2018-12-11 조성은 진공증착을 이용한 리플렉터 제조방법
JP2019016620A (ja) * 2017-07-03 2019-01-31 株式会社沖データ 光源用反射体、光源及び光源用反射体の製造方法
WO2019067841A1 (en) * 2017-09-29 2019-04-04 Molex, Llc REFLECTIVE LAYER COATING JIB APPARATUS FOR REFLECTOR AND REFLECTOR MANUFACTURING METHOD
KR20190037478A (ko) 2017-09-29 2019-04-08 몰렉스 엘엘씨 리플렉터용 반사막 형성을 위한 지그 장치 및 이를 이용한 리플렉터 제조방법

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