JP2008148434A - Semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、直流の入力電源を用いて、発光ダイオードに対し、所定の周期にて点灯・点滅制御を行う半導体装置に関する。 The present invention relates to a semiconductor device that performs lighting / flashing control on a light emitting diode at a predetermined cycle using a DC input power supply.
従来から電源供給状態を示すため、LED(発光ダイオード)を一定周期により、点灯・点滅させる回路が用いられている(例えば、特許文献1参照)。
ここで、従来、直流の入力電源を用いて、発光ダイオードを点灯させる回路において、発光ダイオードに流れる順方向電流をモニタするため、検出用抵抗を付加し、その抵抗の端子間の電圧を、スイッチングレギュレータ等の出力電圧制御手段にて帰還させ、一定の電流をLEDに流すことにより、点灯時における発光の輝度を一定に保つ方法が用いられている。
Conventionally, in order to indicate a power supply state, a circuit that lights and blinks an LED (light emitting diode) at a constant cycle is used (for example, see Patent Document 1).
Here, in a conventional circuit for lighting a light emitting diode using a DC input power supply, a detection resistor is added to monitor the forward current flowing through the light emitting diode, and the voltage between the terminals of the resistor is switched. A method is used in which the luminance of light emission at the time of lighting is kept constant by feeding back a constant current to the LED by feedback by an output voltage control means such as a regulator.
上記回路としては、例えば、図3に示すように、電源201から入力される直流電圧より、インダクタ203,スイッチング手段206および制御回路207からなる昇圧方式(または降圧方式)のDC−DCコンバータ回路を用いて、ダイオード204にて整流した結果のパルスにより、Hレベルの期間にてLEDに駆動電流を流し、点灯制御を行う。
すなわち、LEDに順方向電流を流すために必要な電圧をDC−DCコンバータにより生成して出力し、その出力信号をLEDに与え、LEDに順方向電流を流すことにより、LEDを発光させる。
As the circuit, for example, as shown in FIG. 3, a DC-DC converter circuit of a step-up type (or step-down type) composed of an
That is, a voltage necessary for flowing a forward current to the LED is generated and output by a DC-DC converter, the output signal is given to the LED, and the LED is caused to emit light by passing the forward current to the LED.
その際、図3に示すように、LEDの順方向電流を一定に保つために、LEDに対して直列に接続された電流検出用の抵抗208を用い、電流制御を行う定電流回路を用いられている。
しかしながら、図1に示される回路にあっては、電流検出用の抵抗208に流れる電流により、余分な電力の損失が発生する。
また、この電力の損失は、LEDを高輝度に点灯させる場合、より大きな順方向電流を流すため、輝度を上げるに従い増加する。
また、上記順方向電圧(VF)は、LEDの種類や個体差などにより異なる。そのため、この順方向電圧のばらつきを吸収するため、DC−DCコンバータの出力電圧を大きめに設定する必要がある。
これにより、順方向電圧が小さいほうにばらついたものは、順方向電流が増加し、損失が大きくなるという欠点がある。
However, in the circuit shown in FIG. 1, extra power loss occurs due to the current flowing through the
In addition, when the LED is lit at a high luminance, this power loss increases as the luminance increases because a larger forward current flows.
The forward voltage (VF) varies depending on the type of LED and individual differences. Therefore, in order to absorb this variation in forward voltage, it is necessary to set the output voltage of the DC-DC converter larger.
As a result, when the forward voltage varies to a smaller value, the forward current increases and the loss increases.
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、順方向電圧のばらつきに対して、DC−DCコンバータの出力電圧を増加させることなく対応させるLED点灯駆動を行う半導体装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such circumstances, and provides a semiconductor device that performs LED lighting driving to cope with variations in forward voltage without increasing the output voltage of the DC-DC converter. With the goal.
本発明の半導体装置は、直流電圧により、LEDを点滅させるパルス形状の電圧信号を生成して供給する半導体装置であり、直流電圧を発生する直流電源と、一端が直流電源に接続され、他端がLEDに対して駆動電圧を出力する出力端子に接続されたインダクタと、前記インダクタの他端と接地点との間に介挿されたコンデンサと、前記インダクタの他端に接続されたスイッチング素子とを有し、前記インダクタとコンデンサとの共振により、LEDに対してパルス形状の駆動電圧を供給することを特徴とする。 The semiconductor device of the present invention is a semiconductor device that generates and supplies a pulse-shaped voltage signal that blinks an LED with a DC voltage, and is connected to a DC power source that generates a DC voltage, one end connected to the DC power source, and the other end. An inductor connected to an output terminal for outputting a drive voltage to the LED, a capacitor interposed between the other end of the inductor and a ground point, and a switching element connected to the other end of the inductor, And a pulse-shaped drive voltage is supplied to the LED by resonance between the inductor and the capacitor.
本発明の半導体装置は、LEDを接続する際、前記出力端子にカソードを、接地点にアノードを接続し、前記パルス状の駆動電圧が前記LEDの順方向電圧となったときに点灯することを特徴とする。 In the semiconductor device of the present invention, when an LED is connected, a cathode is connected to the output terminal, an anode is connected to a ground point, and the LED is turned on when the pulsed drive voltage becomes the forward voltage of the LED. Features.
本発明の半導体装置は、前記出力端子にアノードが接続されたダイオードと、該ダイオードのカソード及び接地点の間に介挿され、直列接続された第1の抵抗および第2の抵抗と、前記第1及び第2の抵抗の接続点の電位によりスイッチング素子のオン/オフ制御を行う制御部とをさらに有することを特徴とする。 The semiconductor device of the present invention includes a diode having an anode connected to the output terminal, a first resistor and a second resistor connected in series between the cathode of the diode and a ground point, and the first resistor. And a controller that performs on / off control of the switching element by a potential at a connection point of the first and second resistors.
以上説明したように、本発明によれば、直流電源から入力される直流電圧に対し、スイッチング素子によりコイルから接地点に流れる電流をオン/オフ制御し、コイルに蓄積された電気エネルギーにより、コイルとコンデンサとの共振回路による共振動作により、LEDのカソードに供給する電圧を、パルス状に上昇および下降させ、LEDに順方向電流を流して点灯制御することにより、LEDに直列に接続する抵抗が不要となり、輝度を高くした場合に、不要の電力の損失を従来例に比較して減少させることができる。 As described above, according to the present invention, on / off control of the current flowing from the coil to the ground point is performed by the switching element with respect to the DC voltage input from the DC power supply, and the electric energy accumulated in the coil By the resonance operation by the resonance circuit of the capacitor and the capacitor, the voltage supplied to the cathode of the LED is increased and decreased in a pulsed manner, and a forward current is supplied to the LED to control lighting so that a resistor connected in series with the LED can be obtained. When it becomes unnecessary and the luminance is increased, the loss of unnecessary power can be reduced as compared with the conventional example.
また、本発明によれば、LEDが順方向電圧が個体差などによりばらついているが、上述したようにLEDと直列に抵抗が介挿されていないため、順方向電圧が小さいLEDに使用する際に、順方向電流が多く流れたとしても、電力の損失が大きくなることを抑制することができる、という効果が得られる。 Further, according to the present invention, the forward voltage of the LED varies due to individual differences or the like. However, as described above, since the resistor is not inserted in series with the LED, when the LED is used for an LED having a small forward voltage. In addition, even if a large amount of forward current flows, an effect of suppressing an increase in power loss can be obtained.
以下、本発明の一実施形態による半導体装置を図面を参照して説明する。図1は同実施形態による半導体装置の構成例を示すブロック図である。
この図において、直流電源101は、正極(+側)がインダクタンス(コイル)110の一端に接続され負極(−側)が接地点(GND:グランド)に接続されている。
インダクタ110は、他端がコンデンサ113の一端と接続点Aにおいて接続されている。
コンデンサ113は、他端が接地点に接続されており、すなわち直流電源101の正極と接地点との間にてインダクタ110と直列に接続されている。
A semiconductor device according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram showing a configuration example of the semiconductor device according to the embodiment.
In this figure, the
The other end of the
The other end of the
スイッチング素子111は、制御回路部120からの制御信号(制御パルス)、たとえばHレベルのパルスにてオンし、直流電源101からインダクタ110を介して接地点に対して電流を流し、インダクタ110に電気エネルギー(電荷)を蓄積させる。また、スイッチング素子111は、制御回路部120から、制御信号をLレベルにて入力するとオフ状態となり、インダクタ110から接地点に対して電流を流さない。
The
上述した制御回路部120の制御により、インダクタ110に蓄積された電気エネルギーにより、インダクタ110及びコンデンサ113による共振動作が起こる。
LED112は、カソードがA点(出力端子)に接続され、他端が接地点に接続されている。
ダイオード102は、アノードがA点に接続されている。コンデンサ105は、ダイオード102のカソードと接地点との間に介挿されている。
この構成において、スイッチング素子111,コンデンサ113,インダクタ110,ダイオード102及び制御回路部120によりDC−DCコンバータが形成されている。
Under the control of the
The
The
In this configuration, the
抵抗103は、一端がダイオード102のカソードに接続され、他端がB点にて抵抗104の一端に接続されている。
上記抵抗104は、他端が接地点に接続されており、すなわちダイオード102のカソードと接地点との間にて、抵抗103と直列に接続されている。
制御回路部120は、上述したインダクタ110及びコンデンサ113による共振動作を起こさせる制御として、接続点Bの電圧VBにより、スイッチング素子111へ出力する、一定周期の制御パルスのデューティを変化させ、スイッチング素子111のオン/オフ制御を行う。ここで、制御回路部120は、電圧VBが予め設定した設定電圧VSETに対して低下したことを検出した場合、Hレベルの期間を延ばし、制御パルスを出力する予め設定した周期におけるLレベルの期間を短くし、電圧VBが予め設定された設定電圧VSETに対して上昇したことを検出した場合、Hレベルの期間を短くし、Lレベルの期間を延ばす。
The
The other end of the
The
次に、図1および図2を参照して、本実施形態の半導体装置の動作の説明を行う。図2は、本実施形態の半導体装置の動作例を示す波形図である。
時刻t1において、制御回路部120は、Hレベルの制御パルスをスイッチング素子111に対して出力する。
これにより、スイッチング素子111がオン状態となり、インダクタ110は直流電源101の正極から接地点に対する電流が流れることにより、この電流の流れる期間に対応する電気エネルギー(電荷)が蓄積される。
Next, the operation of the semiconductor device of this embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 2 is a waveform diagram showing an operation example of the semiconductor device of this embodiment.
At time t <b> 1, the
As a result, the
時刻t2において、制御回路部120は、制御パルスをLレベルに遷移させ、スイッチング素子111をオフ状態とする。このときにインダクタ110に流れる電流ILが、インダクタ110に流れる最大電流ILpeakとなる。
そして、インダクタ110に蓄積された電気エネルギーにより、上記時刻t2と時刻t4との間にて、インダクタ110及びコンデンサ113にて共振動作が行われる。
図2に示すように、時刻t2から時刻t3までに、蓄積された電気エネルギーにより、インダクタ110に電流が流れる。
At time t2, the
The resonance operation is performed in the
As shown in FIG. 2, from time t2 to time t3, a current flows through the
そして、コンデンサ113に電気エネルギーが移行するに従い、徐々にインダクタ110に流れる電流が減少し、時刻t3にて電気エネルギーが0となると電流ILも0とり、点Aにおける電圧値は最大値VHとなる。
次に、共振動作により、コンデンサ113に蓄積された電気エネルギーにより、インダクタ110に対して徐々に負の電流が流れ、この電流値が絶対値としてみると増加する。
このとき、スイッチング素子111をオフ状態となった際の最大電流ILpeakと同様の電流値(絶対値)の負の電流値(−ILpeak)となるまで下降する。
Then, as the electric energy is transferred to the
Next, due to the resonance operation, a negative current gradually flows through the
At this time, the voltage decreases until the current value (absolute value) is the same as the negative current value (−ILpeak) of the maximum current ILpeak when the
そして、上述したように、時刻t3において、インダクタ110に流れる電流ILは「0」となり、A点の電圧値は最大値VHとなり、時刻t4において電流ILは-ILpeakとなる。ここで、上記最大値VHは以下の式により求められる。
VH=2π×f×L×ILpeak+Vin
この式において、fはインダクタ110及びコンデンサ113における共振周波数であり、Lはインダクタ110のインダクタンスであり、Vinは直流電源101の出力電圧値である。
As described above, at time t3, the current IL flowing through the
VH = 2π × f × L × ILpeak + Vin
In this equation, f is a resonance frequency in the
この時刻t4において最大電流ILpeakとなり、A点、すなわちLED112のカソードに発生する電圧と接地点の電圧差がLED112の順方向電圧を越えた場合、LED112に順方向電流が流れて、LED112は点灯する。
このとき、A点の電圧と接地点との電圧差は、ほぼLED112の順方向電圧(VF)に近い電圧となる。
そして、時刻t5において、制御回路部120は、スイッチング素子111に対して、制御パルスをHレベルとする。
At this time t4, the maximum current ILpeak is reached, and when the voltage difference between the point A, that is, the voltage generated at the cathode of the
At this time, the voltage difference between the voltage at the point A and the ground point is a voltage that is substantially close to the forward voltage (VF) of the
At time t <b> 5, the
これにより、インダクタ110に、強制的に接地点に対する電流が流れ、インダクタ110及びコンデンサ113の共振動作が停止し、A点の電圧は「0」となり、LED112の順方向電圧より低下し、LED112は消灯する。
以降、時刻t1から時刻t5までの処理が繰り返され、LED112に対してパルス形状(時刻t4から時刻t5までの時間幅のパルス)の駆動電圧が印加されることとなる。このLED112の点灯時間は、コンデンサ113に蓄積される電気エネルギー(電荷)の量に比例している。
As a result, a current to the ground point is forced to flow through the
Thereafter, the processing from time t1 to time t5 is repeated, and a drive voltage having a pulse shape (a pulse having a time width from time t4 to time t5) is applied to the
上述した処理において、制御回路部120は、B点の電圧値と設定されている電圧VSETとを比較することにより、スイッチング素子111に対する制御パルスの幅(Hレベルの時間、すなわち、制御パルスの出力する一定周期におけるデューティ)を変化させる。
B点における電圧は、ダイオード102を介して入力されるA点の電圧波形の最大電圧値VHから、ダイオード102の順方向電圧を差し引いた電圧値VKを、抵抗103及び抵抗104により分圧した電圧値となる。
したがって、制御回路部120に対してフィードバックの電圧であるVBを出力する分圧回路を構成する抵抗103及び抵抗104の抵抗値を、これらの抵抗がダイオード102と直列に接続されていないため、従来例における抵抗207に比較して高抵抗とすることができる。すなわち、LED112に供給される電圧を検出する上記分圧回路の消費電力を従来例の構成に比較して抑制することが可能となる。
In the processing described above, the
The voltage at the point B is a voltage obtained by dividing the voltage value VK obtained by subtracting the forward voltage of the
Therefore, since the resistance values of the
ここで、A点においても、インダクタ110及びコンデンサ113による共振動作により、LED112に電流が流れなければ、時刻t4の所定時間後に、時刻t3における最大値VHと同様の負電圧VHMが発生する。
すなわち、ダイオード102のカソードにおける電圧が、上記最大値VHよりダイオード102の順方向電圧を差し引いた電圧値VKとなり、この電圧VKを検出することにより、負電圧VHMの値を推定することができる。
Here, also at point A, a negative voltage VHM similar to the maximum value VH at time t3 is generated after a predetermined time from time t4 if no current flows through the
That is, the voltage at the cathode of the
したがって、制御回路部120において、LED112の順方向電圧VFを越え、設定された輝度に対応した電圧VKが抵抗103及び抵抗104により分圧される電圧値以上となるよう、設定電圧VSETを設定しておく。
これにより、制御回路部120は、時刻t4においてA点の電圧がLED112を点灯させるように、スイッチング素子111に対して、必要なHレベルのパルス幅の制御パルスを与える制御を行う。したがって、LED112の発光する輝度の調整を、上記設定電圧VSETを調整することによって、容易に調整することができる。
Therefore, in the
Thereby, the
上述した構成により、本実施形態の半導体装置は、制御回路部120が検出する電圧値を、従来のようにLED112に対して直列に接続していないため、余分の電力消費を低減し、かつ設定値VSETの調整により輝度調整を行うことにより、LED112の順方向電圧VFのばらつきを容易に吸収することができる。
With the configuration described above, the semiconductor device according to the present embodiment is configured such that the voltage value detected by the
101…直流電源
102…ダイオード
103,104…抵抗
105,113…コンデンサ
110…インダクタ
111…スイッチング素子
112…LED
120…制御回路部
DESCRIPTION OF
120 ... Control circuit section
Claims (3)
直流電圧を発生する直流電源と、
一端が直流電源に接続され、他端がLEDに対して駆動電圧を出力する出力端子に接続されたインダクタと、
前記インダクタの他端と接地点との間に介挿されたコンデンサと、
前記インダクタの他端に接続されたスイッチング素子と
を有し、
前記インダクタとコンデンサとの共振により、LEDに対してパルス形状の駆動電圧を供給することを特徴とする半導体装置。 A semiconductor device that generates and supplies a pulse-shaped voltage signal that blinks an LED with a DC voltage,
A DC power source for generating a DC voltage;
An inductor having one end connected to a DC power source and the other end connected to an output terminal that outputs a drive voltage to the LED;
A capacitor interposed between the other end of the inductor and a ground point;
A switching element connected to the other end of the inductor,
A semiconductor device characterized in that a pulse-shaped drive voltage is supplied to an LED by resonance between the inductor and the capacitor.
前記パルス状の駆動電圧が前記LEDの順方向電圧となったときに点灯することを特徴とする請求項1記載の半導体装置。 When connecting the LED, connect the cathode to the output terminal, the anode to the ground point,
2. The semiconductor device according to claim 1, wherein the semiconductor device is turned on when the pulsed drive voltage becomes a forward voltage of the LED.
該ダイオードのカソード及び接地点の間に介挿され、直列接続された第1の抵抗および第2の抵抗と、
前記第1及び第2の抵抗の接続点の電位によりスイッチング素子のオン/オフ制御を行う制御部と
をさらに有することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体装置。 A diode having an anode connected to the output terminal;
A first resistor and a second resistor interposed between the cathode and ground of the diode and connected in series;
The semiconductor device according to claim 1, further comprising: a control unit that performs on / off control of a switching element by a potential at a connection point of the first and second resistors.
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