Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

JP2008028371A - 有機発光装置 - Google Patents

有機発光装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2008028371A
JP2008028371A JP2007144667A JP2007144667A JP2008028371A JP 2008028371 A JP2008028371 A JP 2008028371A JP 2007144667 A JP2007144667 A JP 2007144667A JP 2007144667 A JP2007144667 A JP 2007144667A JP 2008028371 A JP2008028371 A JP 2008028371A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
organic light
light emitting
emitting device
electron injection
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2007144667A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2008028371A5 (ja
JP4898560B2 (ja
Inventor
Yojiro Matsuda
陽次郎 松田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2007144667A priority Critical patent/JP4898560B2/ja
Priority to US11/762,383 priority patent/US7709833B2/en
Publication of JP2008028371A publication Critical patent/JP2008028371A/ja
Publication of JP2008028371A5 publication Critical patent/JP2008028371A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4898560B2 publication Critical patent/JP4898560B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/10Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14Carrier transporting layers
    • H10K50/16Electron transporting layers
    • H10K50/165Electron transporting layers comprising dopants
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17Carrier injection layers
    • H10K50/171Electron injection layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/85Arrangements for extracting light from the devices
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/875Arrangements for extracting light from the devices
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/351Thickness
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842Containers
    • H10K50/8426Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/85Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/852Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/875Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/876Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

【課題】高電圧化や発光効率低下を引き起こすことなく、各有機発光素子の発光色の光取り出し効率を向上させることができる有機発光装置を提供する。
【解決手段】各色の有機発光素子は電子注入層の膜厚が異なり、電子注入層の膜厚が薄いほど同電子注入層中の金属又は金属化合物の濃度が高く構成されている。
【選択図】図1

Description

本発明はフラットパネルディスプレイ、プロジェクションディスプレイ、プリンター等に用いられる有機発光装置に関する。
有機発光素子(有機EL素子、有機エレクトロルミネッセンス素子)が現在盛んに研究開発されている。このような有機発光素子は電子注入効率を向上させるために、アルミニウム・リチウム合金やマグネシウム・銀合金を陰極に用いることが知られている。また、陰極と接する電子注入層にリチウムやフッ化リチウム、酸化マグネシウム、フッ化カリウムなどの誘電体を極めて薄く(5〜10Å)挿入することも知られている。
特許文献1には、ドナー(電子供与性)ドーパントとして機能する金属を有する電子注入層(10〜3000Å)が陰極に接して設けられている構成が開示されている。このドナードーパントとして用いられる金属としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類を含む遷移金属等が開示されている。
特許文献2には、金属酸化物或いは金属塩をドーパントとして有する電子注入層(10〜2000Å)が陰極に接して設けられている構成が開示されている。
一方で、有機発光素子の光取り出し効率を向上させる取り組みがなされている。特許文献3には、発光界面から金属電極との界面までの光学的距離が波長の1/4の奇数倍と略等しくなるような膜厚で、有機発光層から金属電極に接する有機化合物層が成膜される構成が開示されている。このような構成により、発光される光と金属電極で反射されて戻る光との光干渉を最大とすることで光取り出し効率が向上する。
特許文献4には、陽極と陰極との光学的距離が波長の1/2の整数倍と等しくなるような膜厚で、有機化合物層が成膜される構成が開示されている。このような構成により、陽極と陰極との間で反射する光が互いに強め合う関係の共振器構造となり、光取り出し効率が向上する。
特開平10−270171号公報 特開平10−270172号公報 特開2000−323277号公報 特開2004−132189号公報
フッ化リチウム(LiF)やフッ化カリウム(KF)などの電子注入材料の単層を電子注入層として用いた従来の構成では、電子注入が可能な膜厚が5〜10Åと極めて薄いため、電子注入層の膜厚を制御して光取り出し効率を向上させることが困難であった。その一方で、有機化合物に電子注入材料をドープした電子注入層の場合、電子注入可能な膜厚が50〜3000Åとなる。
しかし、本発明者が鋭意検討した結果、有機化合物に電子注入材料をドープした電子注入層の場合においても、膜厚が薄くなるのに伴って注入効率が下がってしまい高電圧化する。更には、最適なキャリアバランスを崩して発光効率の低下をおこしてしまうことがあった。例えば、波長の短い青色の有機発光素子の光取り出し効率を向上させるために電子注入層の膜厚を薄くした場合において、高電圧化や発光効率低下を引き起こしてしまう問題がある。
本発明の目的は、発光色の異なる複数の有機発光素子を有する有機発光装置において、高電圧化や発光効率低下を引き起こすことなく、各有機発光素子の発光色の光取り出し効率を向上させることができる有機発光装置を提供することにある。
上記した背景技術の課題を解決するための手段として、請求項1に記載した発明に係る有機発光装置は、
基板と、前記基板の上に設けられている複数の有機発光素子と、を有しており、
前記複数の有機発光素子は、第1の発光色を発光する第1の有機発光素子と、第1の発光色とは異なる第2の発光色を発光する第2の有機発光素子と、を有し、
前記第1および前記第2の有機発光素子は、陰極と、陽極と、前記陰極と前記陽極との間に形成されている有機発光層と、前記陰極と前記有機発光層との間に前記陰極に接して形成されている電子注入層と、を有し、
前記電子注入層は、有機化合物と、電子注入ドーパント材料と、を有する、有機発光装置において、
前記第1の有機発光素子における前記電子注入層の厚みが、前記第2の有機発光素子における前記電子注入層の厚みよりも薄く、かつ前記第1の有機発光素子における前記電子注入ドーパント材料の濃度が、前記第2の有機発光素子における前記電子注入ドーパント材料の濃度よりも高いことを特徴とする。
本発明では、電子注入層の膜厚及び同電子注入層にドープする電子注入材料のドープ濃度を制御することで、高電圧化や発光効率低下を引き起こすことなく、各色の有機発光素子の光取り出し効率を向上させることができる。
つまり、従来のようにホール輸送層、有機発光層、電子輸送層、電子注入層の膜厚だけを制御した場合には、光学的な光取り出し効率を向上させることができても、電気的な特性(駆動電圧、発光効率)を劣化させてしまう場合がある。それに対して本発明に開示した構成では、光学的な最適化を、電子注入層の膜厚で行い、更には電気的な最適化を、前記電子注入層にドープする電子注入材料のドープ濃度で行うことができる。
本発明に係る有機発光装置は、基板と、基板上に設けられている複数の有機発光素子と、を有しており、複数の有機発光素子は、第1の発光色を発光する第1の有機発光素子と、第1の発光色とは異なる第2の発光色を発光する第2の有機発光素子と、を有する。第1の発光色と第2の発光色は任意の発光色を選択することができる。例えば、赤色と青色、白色と緑色、青色と橙色などいずれの色を組み合わせてもよい。また、複数の発光色を組み合わせてフルカラーの発光をする場合には、第1および第2の発光色とは異なる第3の発光色を発光する第3の有機発光素子を有していることが好ましい。この場合の発光色の組み合わせは赤色、緑色、青色の3色である。以下に示す実施形態は赤色、緑色、青色の3色の発光色の有機発光素子を有する構成について示すが、本発明はこの組み合わせに限られるものではない。
そして、各有機発光素子は、陰極と、陽極と、前記陰極と前記陽極との間に形成されている有機発光層と、前記陰極と前記有機発光層との間に前記陰極に接して形成されている電子注入層と、を有する。電子注入層は、有機化合物と、電子注入ドーパント材料と、を有する。電子注入ドーパント材料は、有機化合物にドープされる電子注入材料である。つまり有機化合物が主成分であり、電子注入ドーパント材料は有機化合物の中に少量ドープされる材料である。ドープされる濃度は、1重量%以上30重量%以下であることが好ましい。この範囲の濃度であることにより、電子注入効率の向上とともに、駆動電圧を抑えることができる。
そして、本発明の有機発光装置は、第1の有機発光素子における電子注入層の厚みが、第2の有機発光素子における電子注入層の厚みよりも薄いことを特徴とする。また、第1の有機発光素子における電子注入ドーパント材料の濃度が、第2の有機発光素子における電子注入ドーパント材料の濃度よりも高いことを特徴とする。
以下、図1を参照して本発明の有機発光装置の実施形態について説明する。
図1に示す有機発光装置は、基板1上に、透明性陽極22、ホール輸送層3、有機発光層4、電子輸送層5、電子注入層6、反射性陰極71を順次設けた構成である。有機発光層4は赤、緑、青の発光色に対応して、赤色(R)の有機発光層41、緑色(G)の有機発光層42、青色(B)の有機発光層43に塗り分けられている。有機発光層の上には反射性陰極71が設けられており、陽極から陰極までの構成が有機発光素子を構成している。この有機発光素子に電流を通電することで、陽極22から注入されたホールと、陰極71から注入された電子とが有機発光層4において再結合し発光を生じる。そして、有機発光素子の上にガラス部材10が配置されている。ガラス部材10は、図1に示すように有機発光素子の上部が掘り込まれた部材であってもよいし、後述する図2に示すように平板状のガラス板であっても良い。また、有機発光素子と封止部材との間は、図1に示すように空隙が設けられていても良いし、図2に示すように樹脂9を形成してもよい。
なお、本実施形態では基板1上に陽極22を形成した構成の一例を示したが、本発明はこの形態に限定されるものではない。基板1側より陰極、有機化合物層(ホール輸送層、有機発光層、電子輸送層、電子注入層)、陽極の順序で構成されていてもよく、電極の選択や、有機発光素子の積層順序には特に制限はない。ただし、基板1側より陽極、有機化合物層、陰極の順序で構成されている場合には、電子注入層が最後に形成される有機化合物層になるため、光取り出し効率や発光色度を調整するために膜厚を調整するのに好ましい。とくに、蒸着やインクジェット法により有機化合物層を成膜する場合には、比較的大きな膜厚の誤差が生じるからである。また、本実施形態では発光を基板1側から取り出すボトムエミッション型の発光装置を示しているが、基板1と反対側の上部電極から取り出すトップエミッション型の発光装置へも適用できる。
本発明の電極は特に限定されるものではなく、透明電極、反射電極、半透明反射電極として、ITOやIZO等の酸化物導電膜や、金、白金、銀やアルミニウム、マグネシウム等の金属やそれらの合金等、又は、これらの多層構成とすることができる。例えば、図1に示す有機発光装置では、透明陽極22としてITO(膜厚120nm)を用い、反射陰極71にアルミニウム(膜厚150nm)を用いる。半透明反射電極である場合には、金、白金、銀やアルミニウム、マグネシウム等の金属やそれらの合金等の薄膜(膜厚10nm〜30nm)が好ましく用いられる。
本発明の電子注入層6には、有機化合物にドナー(電子供与性)ドーパントとして機能する電子注入材料を含有した有機層(混合層)が設けられている。電子注入効率を向上させるために仕事関数の低い金属、又はその化合物をドーパントとして用いることが好ましく、仕事関数が低い金属としてはアルカリ金属又はアルカリ土類金属又は希土類が好ましい。アルカリ金属化合物は、大気中での取り扱いが比較的容易で好ましい。例えば、アルカリ金属化合物としてセシウム化合物が好ましく、炭酸セシウムは大気中で安定であり、取り扱いが容易である。電子注入層の有機化合物としては電子輸送性の材料が好ましく、公知の材料、例えばアルミキノリノール錯体やフェナントロリン化合物等を用いることができる。
上記の本発明の特徴について詳しく説明する。
本発明は、発光色に対応して電子注入層61、62、63の膜厚が異なるように形成されていることを特徴とする。発光色に対応して電子注入層の膜厚が異なることによって、電子注入層の厚みによって、各発光色の光取り出し効率をそれぞれ向上させることができる。
図1に示す有機発光装置では、有機発光層41、42、43とホール輸送層3との界面と、
反射性陰極71と電子注入層6の界面との間の光学的距離が各RGBの発光波長の1/4の奇数倍と略等しくなるような膜厚で電子注入層61、62、63が形成されている。更に本発明は、電子注入層の膜厚に対応して同電子注入層中の電子注入材料(本実施形態ではアルカリ金属化合物)の濃度が異なることを特徴としている。具体的には、電子注入層の膜厚が薄いほど同電子注入層中のアルカリ金属化合物の濃度が高いことを特徴とする。
フッ化リチウム(LiF)やフッ化カリウム(KF)などの単層の薄膜(5〜10Å)の電子注入層を用いた場合と異なり、有機化合物に電子注入材料をドープした電子注入層を用いた場合には、10〜3000Åの範囲で膜厚制御が可能となる。しかし、膜厚が薄くなるとその分だけ電子注入効率が低下する傾向を本発明者の検討で確認している。つまり、電子注入層の膜厚が薄くなるのに伴って電子注入性が下がってしまい高電圧化してしまう。更には、最適なキャリアバランスを崩して発光効率の低下をおこしてしまう。一方で、従来までのようにホール輸送層3、有機発光層4、電子輸送層5により膜厚制御をおこなった場合には、膜厚が厚くなるとその分だけ電子・ホール輸送性が低下することで高電圧化してしまう。更には、最適なキャリアバランスを崩して発光効率の低下をおこしてしまう。
上記の問題を鑑みて、本発明者が検討した結果、光学的な最適化を電子注入層の膜厚で行い、更には、電気的な最適化を電子注入層中の電子注入材料の濃度で行うことができることを見出した。具体的には、電子注入層の膜厚を薄くすると電子注入効率が低下するため、その分だけ電子注入材料の濃度を高くすることで電子注入効率を上げることができる。反対に、電子注入層の膜厚を厚くした場合には、電子注入材料の濃度を薄くすることで、最適なキャリアバランスを維持することができる。電子注入材料の濃度はICP−MS分析により電子注入層中に含まれる量を定量する事で求められる。
本発明の有機発光装置では、以下の(1)、(2)の2つの方法のいずれか一方、又はその両方を用いて光取り出し効率を向上させることができる。
(1)陰極または陽極のいずれか一方が反射面を有しており、反射面と有機発光層内の発光位置との間の厚みが、各有機発光素子の発光色を強めるようにそれぞれ設定されている。つまり、反射面と発光位置との間が光路差を生じ、有機発光層から直接外部に向かう光と、有機発光層から出射し反射面で反射した後に外部に向かう光とが干渉することにより発光が強められる。反射面とは、屈折率の異なる透明部材の界面で生じる反射を指すものではなく、金属層などのように30%〜100%程度の高い反射率を有する反射面を指すものである。反射面を有するとは、一方の電極が金属層単層からなる電極である構成や、金属層と金属層の有機発光層側に透明導電層とを有する構成を含むことを意味する。また、透明電極と金属層との間に絶縁層が形成されている構成であってもよい。
干渉により発光を強めるためには、具体的には有機発光層4内の発光位置と反射性陰極71の反射面との光学的距離dと、素子の発光スペクトルのピーク波長λと、反射面での位相シフト量φとが、下記式1を満たすように有機化合物層が成膜される。このような構成により、発光する光と反射性陰極71で反射して戻る光との光干渉が最大となり光取り出し効率が向上する。各発光色で干渉次数を表すNが同じである場合には、発光スペクトルピーク波長の短い有機発光素子の方が電子注入層の膜厚を薄くすることが好ましい。発光位置は、有機発光層4の材料が有するホール移動度と電子移動度に依存して決まるものであるが、有機発光層4に用いられる有機化合物の多くは、有機発光層4のいずれかの界面であることが知られている。
2d/λ+φ/2π=N(整数) (式1)
(2)陰極または陽極のいずれか一方が反射面を有し、かつ他方が半透明反射面を有しており、反射面と半透明反射面との間の厚みが、各有機発光素子の発光色を強めるようにそれぞれ設定されている。つまり、反射面と半透明反射面との間が光路差を生じ、半透明反射面を透過して外部に向かう光と、半透明反射面と反射面で反射した後に半透明反射面を透過して外部に向かう光とが干渉することにより発光が強められる。半透明反射面とは、金属の薄膜(10nm〜30nm)を形成することにより、一部の光を透過し、一部の光を反射する性質を持つ反射面のことである。半透明反射面を有するとは、一方の電極が金属薄膜の単層からなる電極である構成や、金属薄膜と、透明導電層とを有する構成を含むことを意味する。また、金属薄膜と透明導電層との間に絶縁層が形成されている構成であってもよい。
干渉により発光を強めるためには、具体的には透明性陽極22の半透明反射面と反射性陰極71の反射面との間の光学的距離Dと、
素子の発光波長λと、
半透明反射面での位相シフト量φ1と、
反射面での位相シフト量φ2とが、下記式2を満たすように有機化合物層が形成される。このような構成により、透明性陽極22と反射性陰極71との間で反射する光が互いに強め合う関係の共振器構造となり、光取り出し効率が向上する。
2D/λ+(φ1+φ2)/2π=N(整数) (式2)
なお、実際の有機発光装置では、正面の取り出し効率とトレードオフ関係にある視野角特性なども考慮して、必ずしも上記の膜厚に一致させる必要はない。
本発明において、有機化合物層は、上述する実施形態のように有機発光層、電子注入層の他に電子輸送層やホール輸送層等の別の層を有していてもよい。このように別の層を有する場合であっても、電子注入層の厚みを発光色毎に調節することによって光取り出し効率を向上させることができるため、別の層の厚みは発光色によらず同じにすることができる。電子輸送層やホール輸送層の厚みを同じにする場合、発光色の異なる有機発光素子間を跨いで共通して成膜することができるため、製造プロセスを大幅に簡略化することができる。また、電子注入層に比べて抵抗の大きい電子輸送層やホール輸送層の厚みを同じにすることによって各色の有機発光素子の駆動電圧差を低減することができる。駆動電圧の差が小さいことは、特にアクティブマトリクス型の有機発光装置において好ましい。発光色によらず有機発光素子の駆動を司る薄膜トランジスタは同じ構造であるため、駆動特性を揃えることが可能であるからである。
有機発光層については、発光色毎に異なる発光材料を用いる場合には、膜厚を同じにしても、製造プロセスを簡略化することは難しいが、相対的に他の有機化合物層よりも抵抗が大きいため、駆動電圧差を低減する効果が大きい。
以下、実施例に従って本発明を説明していくが、本発明はこれらに限定されるものではない。本発明者の検討結果から、電圧や効率に関して、電子注入層のCs濃度依存があることが分かっている。例えば、図5に、電圧に関するCs濃度依存データの一例を示す。このようにCs濃度によって電圧特性(電子注入特性)が変化する。更に、最適なCs濃度(電子注入特性)からはずれた場合、内部のキャリアバランスが崩れ、効率低下を引き起こしてしまう。本発明の本質は、RGB3色からなる発光装置において、それぞれの色において最適な干渉条件、キャリアバランス条件となるように、電子注入層の膜厚に従ってアルカリ金属化合物の濃度を塗り分けることにある。本発明者はこの知見に基づいて数値計算を行うことにより本発明の発光装置の発光特性を求めた。以下の実施例に記載の駆動電圧、電流密度、輝度、発光効率は、本発明者が参照実験のデータをもとに数値計算によって求めたものである。
<実施例1>
図1に示す構造のRGB3色からなる発光装置を以下に示す方法で作製する。本実施例で用いる有機化合物の化学式を化1に示し、各膜厚を表1に示す。
Figure 2008028371
Figure 2008028371
本実施例に係る発光装置は、基板1側の電極である透明性陽極22側から光を取り出す、いわゆるボトムエミッション型の発光装置である。そして、有機発光層4とホール輸送層3の界面と、反射性陰極71と電子注入層6の界面との光学的距離を調節することによって光取り出し効率を高める発光装置である。
支持体としてのガラス基板1上に、ITOを120nmの膜厚でスパッタリング法にてパターニングすることで透明性陽極22を形成する。次に、アクリル樹脂により素子分離膜を形成する。これをイソプロピルアルコール(IPA)で超音波洗浄し、煮沸洗浄後乾燥する。更に、UV/オゾン洗浄してから有機化合物を真空蒸着により形成する。
始めに、共通のホール輸送層3としてα−NPDを真空蒸着法にて40nmの膜厚に形成する。蒸着時の真空度は1×10-4Pa、成膜レートは0.3nm/secとする。
次に、シャドーマスクを用いてRGBそれぞれの有機発光層41、42、43を形成する。Rの有機発光層41としては、ホストとしてAlq3と発光性化合物Ir(piq)3とを共蒸着(重量比91:9)して膜厚30nmの有機発光層を形成する。Gの有機発光層42としては、ホストとしてAlq3と発光性化合物クマリン6を共蒸着(重量比99:1)して膜厚30nmの有機発光層を形成する。Bの有機発光層43としては、ホストとしてBalqと発光性化合物Peryleneとを共蒸着(重量比90:10)して膜厚20nmの有機発光層を形成する。蒸着時の真空度は1×10-4Pa、成膜レートは0.01〜0.1nm/secとする。
更に、共通の電子輸送層5としてバソフェナントロリン(Bphen)を真空蒸着法にて10nmの膜厚に形成する。蒸着時の真空度は1×10-4Pa、成膜レートは0.3nm/secとする。
次に、シャドーマスクを用いてRGB各色の電子注入層61、62、63を形成する。Rの電子注入層61としては、Bphenをホストの材料として、炭酸セシウムをアルカリ金属化合物のドーパントの材料として共蒸着したものを30nmの膜厚に形成する。蒸着時の真空度は1×10-4Pa、成膜レートは炭酸セシウムを0.0036nm/secとし、Bphenを0.3nm/secとする。Gの電子注入層62としては、Bphenをホストの材料として、炭酸セシウムをアルカリ金属化合物のドーパントの材料として共蒸着したものを20nmの膜厚に形成する。蒸着時の真空度は1×10-4Pa、成膜レートは炭酸セシウムを0.009nm/secとし、Bphenを0.3nm/secとする。Bの電子注入層63としては、Bphenをホストの材料として、炭酸セシウムをアルカリ金属化合物のドーパントの材料として共蒸着したものを10nmの膜厚に形成する。蒸着時の真空度は1×10-4Pa、成膜レートは炭酸セシウムを0.012nm/secとし、Bphenを0.3nm/secとする。
上記作製において、成膜レートと膜厚に関しては水晶振動子の膜厚モニターを用いて計測するが、電子注入層については別途シリコンウエハー上に電子注入層と同条件で単独膜を形成して、ICP−MS分析からセシウムイオン濃度を求める。RGB各色の電子注入層中のセシウム濃度がR:3.5wt%、G:8.3wt%、B:10.4wt%となる。
次に、膜厚150nmのアルミニウム(Al)を形成して反射性陰極71を形成する。陰極71まで形成した後、窒素雰囲気中のグローブボックスにおいて、乾燥剤を入れたガラスキャップにより封止をして有機発光装置を形成する。
このようにして得られた有機発光装置に直流電圧を印加してRGB各色の発光特性を計算した。計算した結果は表2に示す。R素子においては、印加電圧4.2Vにて電流密度20.6mA/cm2、輝度2013cd/m2、発光効率9.8cd/Aの発光特性を示す。G素子においては、印加電圧3.6Vにて電流密度23.4mA/cm2、輝度2520cd/m2、発光効率10.8cd/Aの発光特性を示す。B素子においては、印加電圧4.1Vにて電流密度41.8mA/cm2、輝度620cd/m2、発光効率1.5cd/Aの発光特性を示す。
Figure 2008028371
<比較例1>
本比較例では、RGB各色の電子輸送層の膜厚を塗り分ける。本比較例の構成を図3に示し、各膜厚を表3に示す。
Figure 2008028371
RGB各色の電子輸送層5の膜厚をそれぞれ、R:30nm、G:20nm、B:10nmとし、同一の電子注入層6とした以外は実施例1と同様の方法で発光装置を作製する。電子注入層6の膜厚を10nmとして、セシウム濃度を10.4wt%とする。
実施例1と同様に直流電圧を印加してRGB各色の発光特性を計算した。計算した結果は表4に示す。R素子のおいては、印加電圧5.1Vにて電流密度20.2mA/cm2、輝度1710cd/m2、発光効率8.5cd/Aの発光特性を示す。G素子においては、印加電圧4.5Vにて電流密度23.2mA/cm2、輝度2302cd/m2、発光効率9.9cd/Aの発光特性を示す。B素子においては、印加電圧4.1Vにて電流密度41.8mA/cm2、輝度620cd/m2、発光効率1.5cd/Aの発光特性を示す。
電子輸送層の膜厚のみで塗り分けた場合、電子注入層の膜厚とアルカリ金属化合物の濃度を塗り分けた実施例1と比較して、高電圧化と低効率化が見られる。
Figure 2008028371
<比較例2>
本比較例では、RGB各色の電子注入層の膜厚を塗り分けるが、電子注入層中のセシウム濃度は一定とする。
RGB各色の電子注入層6の膜厚をそれぞれ、R:30nm、G:20nm、B:10nmとして、セシウム濃度を3.5wt%で同一とした以外は実施例1と同様の方法で発光装置を作製する。
実施例1と同様に直流電圧を印加してRGB各色の発光特性を計算した。計算した結果は表5に示す。R素子のおいては、印加電圧4.2Vにて電流密度20.6mA/cm2、輝度2013cd/m2、発光効率9.8cd/Aの発光特性を示す。G素子においては、印加電圧4.2Vにて電流密度23.0mA/cm2、輝度2403cd/m2、発光効率10.4cd/Aの発光特性を示す。B素子においては、印加電圧4.6Vにて電流密度41.0mA/cm2、輝度480cd/m2、発光効率1.1cd/Aの発光特性を示す。
電子注入層の膜厚のみで塗り分けた場合、電子注入層の膜厚とアルカリ金属化合物の濃度を塗り分けた実施例1と比較して、高電圧化と低効率化が見られる。
Figure 2008028371
<実施例2>
図2に示す構造のRGB3色からなる発光装置を以下に示す方法で作製する。各膜厚を表6に示す。
Figure 2008028371
本実施例に係る発光装置は、基板と反対側の電極である半透明性陰極73側から光を取り出す、いわゆるトップエミッション型の発光装置である。そして、半透明性陰極73と電子注入層6の界面と、反射性陽極21と透明性陽極22の界面との光学的距離を調節することによって光取り出し効率を高める発光装置である。
支持体としてのガラス基板1上に、反射性陽極21としての銀合金(AgAuSn)を100nmの膜厚でスパッタリング法にて形成してパターニングする。次に、透明性陽極22としてのIZOをスパッタリング法にて20nmの膜厚で形成してパターニングすることで陽極を形成する。更に、ポリイミド樹脂により素子分離膜を形成する。これをイソプロピルアルコール(IPA)で超音波洗浄し、煮沸洗浄後乾燥する。そして、UV/オゾン洗浄してから有機化合物を真空蒸着により形成する。
始めに、共通のホール輸送層3としてFL03を真空蒸着法にて20nmの膜厚に形成する。蒸着時の真空度は1×10-4Pa、成膜レートは0.3nm/secとする。
次に、シャドーマスクを用いてRGBそれぞれの有機発光層41、42、43を形成する。Rの有機発光層41としては、ホストとしてAlq3と発光性化合物Ir(piq)3を共蒸着(重量比91:9)して膜厚40nmの有機発光層を形成する。Gの有機発光層42としては、ホストとしてAlq3と発光性化合物クマリン6を共蒸着(重量比99:1)して膜厚30nmの有機発光層を形成する。Bの有機発光層43としては、ホストとしてBalqと発光性化合物Peryleneを共蒸着(重量比90:10)して膜厚30nmの有機発光層を形成する。蒸着時の真空度は1×10-4Pa、成膜レートは0.01〜0.1nm/secとする。
更に、共通の電子輸送層5としてバソフェナントロリン(Bphen)を真空蒸着法にて10nmの膜厚に形成する。蒸着時の真空度は1×10-4Pa、成膜レートは0.3nm/secとする。
次に、シャドーマスクを用いてRGB各色の電子注入層61、62、63を形成する。Rの電子注入層61としては、Bphenをホストの材料として、炭酸セシウムをアルカリ金属化合物のドーパントの材料として共蒸着したものを40nmの膜厚に形成する。蒸着時の真空度は1×10-4Pa、成膜レートは炭酸セシウムを0.002nm/secとし、Bphenを0.3nm/secとする。Gの電子注入層62としては、Bphenをホストの材料として、炭酸セシウムをアルカリ金属化合物のドーパントの材料として共蒸着したものを30nmの膜厚に形成する。蒸着時の真空度は1×10-4Pa、成膜レートは炭酸セシウムを0.0036nm/secとし、Bphenを0.3nm/secとする。Bの電子注入層63としては、Bphenをホストの材料として、炭酸セシウムをアルカリ金属化合物のドーパントの材料として共蒸着したものを20nmの膜厚に形成する。蒸着時の真空度は1×10-4Pa、成膜レートは炭酸セシウムを0.009nm/secとし、Bphenを0.3nm/secとする。
上記作製において、成膜レートと膜厚に関しては水晶振動子の膜厚モニターを用いて計測するが、電子注入層については別途シリコンウエハー上に電子注入層と同条件で単独膜を形成して、ICP−MS分析からセシウムイオン濃度を求める。RGB各色の電子注入層中のセシウム濃度がR:1.9wt%、G:3.5wt%、B:8.3wt%となる。
次に、膜厚15nmの銀(Ag)を形成して半透明性陰極73を形成する。更に、透明性陰極72としてIZOをスパッタリング法にて60nmの膜厚に形成することで、陰極を形成する。陰極まで形成した後、有機発光素子を水分等から保護するためにPV(パッシベーション)層8として窒化シリコンを1200nmの膜厚に形成する。続いて、PV層8の上に樹脂層9として膜厚500μmのアクリル樹脂を、前記樹脂層9の上に厚さ700μmのガラス板10をそれぞれ貼り合わせて有機発光装置を形成する。
このようにして得られた有機発光装置に直流電圧を印加してRGB各色の発光特性を計算した。計算した結果は表7に示す。R素子のおいては、印加電圧4.4Vにて電流密度20.3mA/cm2、輝度2071cd/m2、発光効率10.2cd/Aの発光特性を示す。G素子においては、印加電圧3.8Vにて電流密度23.1mA/cm2、輝度2680cd/m2、発光効率11.6cd/Aの発光特性を示す。B素子においては、印加電圧4.2Vにて電流密度42mA/cm2、輝度756cd/m2、発光効率1.8cd/Aの発光特性を示す。
Figure 2008028371
<比較例3>
本比較例では、RGB各色の電子輸送層の膜厚を塗り分ける。本比較例の構成を図4に示す。また、各膜厚を表8に示す。
Figure 2008028371
RGB各色の電子輸送層5の膜厚をそれぞれ、R:30nm、G:20nm、B:10nmとし、同一の電子注入層6とした以外は実施例2と同様の方法で発光装置を作製する。電子注入層6の膜厚を20nmとして、セシウム濃度を8.3wt%とする。
実施例2と同様に直流電圧を印加してRGB各色の発光特性を計算した。計算した結果は表9に示す。R素子においては、印加電圧5.6Vにて電流密度20.0mA/cm2、輝度1605cd/m2、発光効率8.0cd/Aの発光特性を示す。G素子においては、印加電圧4.8Vにて電流密度22.8mA/cm2、輝度2311cd/m2、発光効率10.0cd/Aの発光特性を示す。B素子においては、印加電圧4.2Vにて電流密度42mA/cm2、輝度756cd/m2、発光効率1.8cd/Aの発光特性を示す。
電子輸送層の膜厚のみで塗り分けた場合、電子注入層の膜厚とアルカリ金属化合物の濃度を塗り分けた実施例2と比較して、高電圧化と低効率化が見られる。
Figure 2008028371
<比較例4>
本比較例では、RGB各色の電子注入層の膜厚を塗り分けるが、電子注入層中のセシウム濃度は一定とする。
RGB各色の電子注入層6の膜厚をそれぞれR:40nm、G:30nm、B:20nmとし、セシウム濃度を1.9wt%で同一とした以外は実施例2と同様の方法で発光装置を作製する。
実施例2と同様に直流電圧を印加してRGB各色の発光特性を計算した。計算した結果は表10に示す。R素子においては、印加電圧4.4Vにて電流密度20.3mA/cm2、輝度2071cd/m2、発光効率10.2cd/Aの発光特性を示す。G素子においては、印加電圧4.2Vにて電流密度23.0mA/cm2、輝度2560cd/m2、発光効率11.1cd/Aの発光特性を示す。B素子においては、印加電圧5.3Vにて電流密度41.5mA/cm2、輝度382cd/m2、発光効率0.9cd/Aの発光特性を示す。
電子注入層の膜厚のみで塗り分けた場合、電子注入層の膜厚とアルカリ金属化合物の濃度を塗り分けた実施例2と比較して、高電圧化と低効率化が見られる。
Figure 2008028371
本発明の有機発光装置は、テレビ、携帯情報端末、携帯電話、デジタルカメラ・デジタルビデオカメラのモニター、等に利用される可能性がある。
本発明の実施形態及び実施例1に係る有機発光装置の断面模式図である。 本発明の実施形態及び実施例2に係る有機発光装置の断面模式図である。 本発明の比較例1に係る有機発光装置の断面模式図である。 本発明の比較例3に係る有機発光装置の断面模式図である。 電圧に関するCs濃度依存性を示すグラフである。
符号の説明
1 基板
3 ホール輸送層
4 有機発光層
5 電子輸送層
6 電子注入層
8 PV層
9 樹脂層
10 ガラス部材
21 反射性陽極
22 透明性陽極
41 R有機発光層
42 G有機発光層
43 B有機発光層
61 R電子注入層
62 G電子注入層
63 B電子注入層
71 反射性陰極
72 透明性陰極
73 半透明性陰極

Claims (12)

  1. 基板と、前記基板の上に設けられている複数の有機発光素子と、を有しており、
    前記複数の有機発光素子は、第1の発光色を発光する第1の有機発光素子と、第1の発光色とは異なる第2の発光色を発光する第2の有機発光素子と、を有し、
    前記第1および前記第2の有機発光素子は、陰極と、陽極と、前記陰極と前記陽極との間に形成されている有機発光層と、前記陰極と前記有機発光層との間に前記陰極に接して形成されている電子注入層と、を有し、
    前記電子注入層は、有機化合物と、電子注入ドーパント材料と、を有する、有機発光装置において、
    前記第1の有機発光素子における前記電子注入層の厚みが、前記第2の有機発光素子における前記電子注入層の厚みよりも薄く、かつ前記第1の有機発光素子における前記電子注入ドーパント材料の濃度が、前記第2の有機発光素子における前記電子注入ドーパント材料の濃度よりも高いことを特徴とする有機発光装置。
  2. 前記第1および前記第2の有機発光素子における前記陰極または前記陽極のいずれか一方が反射面を有し、前記反射面と前記有機発光層内の発光位置との間の厚みが、前記第1および前記第2の発光色の発光を強めるようにそれぞれ設定されていること特徴とする請求項1に記載の有機発光装置。
  3. 前記第1および前記第2の有機発光素子における前記陰極または前記陽極のいずれか一方が反射面を有し、かつ他方が半透明反射面を有し、前記反射面と前記半透明反射面との間の厚みが、前記第1および前記第2の発光色の発光を強めるようにそれぞれ設定されていることを特徴とする請求項1または請求項2のいずれか1項に記載の有機発光装置。
  4. 前記複数の有機発光素子は、前記有機発光層と前記電子注入層との間に、電子輸送層を有し、
    前記第1の有機発光素子の前記電子輸送層の厚みは、前記第2の有機発光素子の前記電子輸送層の厚みと同じであることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の有機発光装置。
  5. 前記複数の有機発光素子は、前記有機発光層と前記陽極との間に、ホール輸送層を有し、
    前記第1の有機発光素子の前記ホール輸送層の厚みは、前記第2の有機発光素子の前記ホール輸送層の厚みと同じであることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の有機発光装置。
  6. 前記第1の有機発光素子の前記有機発光層の厚みは、前記第2の有機発光素子の前記有機発光層の厚みと同じであることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の有機発光装置。
  7. 前記有機発光装置は、アクティブマトリクス型の有機発光装置であり、
    前記基板の上に前記複数の有機発光素子を駆動する薄膜トランジスタが形成されていることを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載の有機発光装置。
  8. 前記複数の有機発光素子は、前記基板の側から順に陽極と、有機発光層と、電子注入層と、陰極とが配置されていることを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載の有機発光装置。
  9. 前記第1の有機発光素子の発光スペクトルピーク波長は、前記第2の有機発光素子の発光スペクトルピーク波長よりも短いことを特徴とする請求項1乃至請求項8のいずれか1項に記載の有機発光装置。
  10. 前記電子注入ドーパント材料は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類の少なくともいずれか1つを含むことを特徴とする請求項1乃至請求項9のいずれか1項に記載の有機発光装置。
  11. 前記電子注入ドーパント材料は、アルカリ金属化合物を含むことを特徴とする請求項1乃至請求項10のいずれか1項に記載の有機発光装置。
  12. 前記アルカリ金属化合物は、セシウム化合物であることを特徴とする請求項11に記載の有機発光装置。
JP2007144667A 2006-06-23 2007-05-31 有機発光装置 Expired - Fee Related JP4898560B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007144667A JP4898560B2 (ja) 2006-06-23 2007-05-31 有機発光装置
US11/762,383 US7709833B2 (en) 2006-06-23 2007-06-13 Organic light-emitting device

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006173250 2006-06-23
JP2006173250 2006-06-23
JP2007144667A JP4898560B2 (ja) 2006-06-23 2007-05-31 有機発光装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2008028371A true JP2008028371A (ja) 2008-02-07
JP2008028371A5 JP2008028371A5 (ja) 2010-07-15
JP4898560B2 JP4898560B2 (ja) 2012-03-14

Family

ID=38872911

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007144667A Expired - Fee Related JP4898560B2 (ja) 2006-06-23 2007-05-31 有機発光装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7709833B2 (ja)
JP (1) JP4898560B2 (ja)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009224781A (ja) * 2008-03-13 2009-10-01 Samsung Mobile Display Co Ltd 有機発光ディスプレイ装置及びその製造方法
WO2009125518A1 (ja) 2008-04-07 2009-10-15 パイオニア株式会社 発光素子及び表示パネル
WO2009125519A1 (ja) 2008-04-07 2009-10-15 パイオニア株式会社 発光素子及び表示パネル
JP2012015097A (ja) * 2010-06-03 2012-01-19 Canon Inc 表示装置
KR20140016108A (ko) * 2012-07-30 2014-02-07 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시소자의 제조방법
KR20140070372A (ko) * 2012-11-30 2014-06-10 삼성디스플레이 주식회사 유기 el 소자
WO2014133141A1 (ja) * 2013-02-28 2014-09-04 日本放送協会 有機電界発光素子
US8865320B2 (en) 2007-03-29 2014-10-21 Samsung Display Co., Ltd. Light-emitting device
EP2808914A1 (en) 2013-05-31 2014-12-03 Japan Display Inc. Organic electroluminescence display device
JP2017034239A (ja) * 2015-07-28 2017-02-09 株式会社Joled 有機el素子、および有機el表示パネル

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI323047B (en) * 2006-11-28 2010-04-01 Univ Nat Taiwan The method for forming electronic devices by using protection layers
JP2009238910A (ja) * 2008-03-26 2009-10-15 Canon Inc 有機発光素子
JP2010287484A (ja) * 2009-06-12 2010-12-24 Sony Corp 有機発光素子、並びにこれを備えた表示装置および照明装置
KR20120003216A (ko) * 2010-07-02 2012-01-10 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP5676949B2 (ja) * 2010-07-21 2015-02-25 キヤノン株式会社 有機el表示装置
KR101983229B1 (ko) * 2010-07-23 2019-05-29 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
JP5975831B2 (ja) * 2011-10-31 2016-08-23 キヤノン株式会社 表示装置
US8940568B2 (en) 2012-08-31 2015-01-27 Universal Display Corporation Patterning method for OLEDs
JP6111643B2 (ja) * 2012-12-17 2017-04-12 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置、及び電子機器
JP6114592B2 (ja) * 2013-03-21 2017-04-12 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置およびその製造方法、電子機器
KR20140116692A (ko) * 2013-03-25 2014-10-06 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102073884B1 (ko) * 2013-04-26 2020-02-06 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN103531721B (zh) * 2013-11-05 2015-04-22 京东方科技集团股份有限公司 叠层有机发光二极管器件和显示装置
KR102397823B1 (ko) * 2015-11-30 2022-05-12 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN106449715A (zh) * 2016-11-09 2017-02-22 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种有机发光显示面板及其制作方法
KR102387794B1 (ko) * 2017-10-27 2022-04-15 엘지디스플레이 주식회사 백색 유기 발광 소자 및 이를 적용한 유기 발광 표시 장치
KR102421769B1 (ko) * 2017-11-13 2022-07-18 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시장치
KR102640404B1 (ko) * 2018-10-18 2024-02-26 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 그 표시장치의 제조방법
CN111129332A (zh) * 2019-12-31 2020-05-08 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板
CN113036046A (zh) * 2021-03-03 2021-06-25 吉林奥来德光电材料股份有限公司 电子注入层用组合物、电子注入层、光电器件及显示装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001102175A (ja) * 1999-09-29 2001-04-13 Junji Kido 有機エレクトロルミネッセント素子、有機エレクトロルミネッセント素子群及びその発光スペクトルの制御方法
JP2004119201A (ja) * 2002-09-26 2004-04-15 Toshiba Corp 有機el表示装置
JP2005063910A (ja) * 2003-08-20 2005-03-10 Canon Inc 有機発光素子及びその製造方法
JP2006156344A (ja) * 2004-09-24 2006-06-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
JP2006237038A (ja) * 2005-02-22 2006-09-07 Seiko Epson Corp 発光装置、および発光装置の製造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10270171A (ja) * 1997-01-27 1998-10-09 Junji Kido 有機エレクトロルミネッセント素子
JP4136185B2 (ja) * 1999-05-12 2008-08-20 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス多色ディスプレイ及びその製造方法
JP4449116B2 (ja) 1999-09-20 2010-04-14 ソニー株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法と表示装置
KR20010050711A (ko) * 1999-09-29 2001-06-15 준지 키도 유기전계발광소자, 유기전계발광소자그룹 및 이런소자들의 발광스펙트럼의 제어방법
JP2003031363A (ja) 2001-07-16 2003-01-31 Sharp Corp スパッタ装置およびそれを用いた有機el素子パネルの製造方法並びに有機el素子
JP2004132189A (ja) 2002-10-08 2004-04-30 Toyota Motor Corp 車両の蓄熱システム
JP4507718B2 (ja) * 2004-06-25 2010-07-21 京セラ株式会社 カラー有機elディスプレイ及びその製造方法
JP4378366B2 (ja) * 2005-08-04 2009-12-02 キヤノン株式会社 発光素子アレイ
JP2007294901A (ja) * 2006-03-31 2007-11-08 Canon Inc 有機発光素子

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001102175A (ja) * 1999-09-29 2001-04-13 Junji Kido 有機エレクトロルミネッセント素子、有機エレクトロルミネッセント素子群及びその発光スペクトルの制御方法
JP2004119201A (ja) * 2002-09-26 2004-04-15 Toshiba Corp 有機el表示装置
JP2005063910A (ja) * 2003-08-20 2005-03-10 Canon Inc 有機発光素子及びその製造方法
JP2006156344A (ja) * 2004-09-24 2006-06-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
JP2006237038A (ja) * 2005-02-22 2006-09-07 Seiko Epson Corp 発光装置、および発光装置の製造方法

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8865320B2 (en) 2007-03-29 2014-10-21 Samsung Display Co., Ltd. Light-emitting device
US8344619B2 (en) 2008-03-13 2013-01-01 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same
JP2009224781A (ja) * 2008-03-13 2009-10-01 Samsung Mobile Display Co Ltd 有機発光ディスプレイ装置及びその製造方法
WO2009125518A1 (ja) 2008-04-07 2009-10-15 パイオニア株式会社 発光素子及び表示パネル
WO2009125471A1 (ja) * 2008-04-07 2009-10-15 パイオニア株式会社 発光素子及び表示パネル
WO2009125519A1 (ja) 2008-04-07 2009-10-15 パイオニア株式会社 発光素子及び表示パネル
WO2009125472A1 (ja) * 2008-04-07 2009-10-15 パイオニア株式会社 発光素子及び表示パネル
US8294360B2 (en) 2008-04-07 2012-10-23 Pioneer Corporation Light-emitting element and display panel
EP2701218A2 (en) 2008-04-07 2014-02-26 Pioneer Corporation Light-emitting device and display panel
JP2012015097A (ja) * 2010-06-03 2012-01-19 Canon Inc 表示装置
KR20140016108A (ko) * 2012-07-30 2014-02-07 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시소자의 제조방법
KR101950838B1 (ko) * 2012-07-30 2019-02-21 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시소자의 제조방법
KR20140070372A (ko) * 2012-11-30 2014-06-10 삼성디스플레이 주식회사 유기 el 소자
KR102115567B1 (ko) * 2012-11-30 2020-05-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 el 소자
JPWO2014133141A1 (ja) * 2013-02-28 2017-02-02 日本放送協会 有機電界発光素子
JP2017143072A (ja) * 2013-02-28 2017-08-17 日本放送協会 有機電界発光素子
WO2014133141A1 (ja) * 2013-02-28 2014-09-04 日本放送協会 有機電界発光素子
EP2808914A1 (en) 2013-05-31 2014-12-03 Japan Display Inc. Organic electroluminescence display device
JP2017034239A (ja) * 2015-07-28 2017-02-09 株式会社Joled 有機el素子、および有機el表示パネル
US10381589B2 (en) 2015-07-28 2019-08-13 Joled Inc. Organic EL element and organic EL display panel

Also Published As

Publication number Publication date
US7709833B2 (en) 2010-05-04
US20070296334A1 (en) 2007-12-27
JP4898560B2 (ja) 2012-03-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4898560B2 (ja) 有機発光装置
JP2010114428A (ja) 有機el表示装置
WO2011010696A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセント素子
JP2009521095A (ja) 白色発光有機電界発光素子
JP2006302878A (ja) 発光素子、その発光素子を備えた発光装置及びその製造方法
JP2006210845A (ja) 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置
JP2008218415A (ja) 有機電界発光表示装置及びその製造方法
KR100844788B1 (ko) 유기발광소자의 제조방법 및 이에 의하여 제조된유기발광소자
JP4479171B2 (ja) 表示素子
JP2007123865A (ja) 有機電界発光素子
JP5627809B2 (ja) 有機el表示装置
JP2006302879A (ja) 発光素子、その発光素子を備えた発光装置及びその製造方法
JP4770699B2 (ja) 表示素子
JP4254668B2 (ja) 有機電界発光素子および表示装置
JP2007235081A (ja) 有機led素子
JP2005011734A (ja) 表示素子および表示装置
JP2010027885A (ja) 有機電界発光素子
JP2008130485A (ja) 有機el素子アレイ
CN100508242C (zh) 有机电致发光器件
JP2008084910A (ja) 有機el表示装置
JP5791129B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス照明装置
JP2005294188A (ja) 表示素子
TWI569492B (zh) 有機發光元件
JP2012156075A (ja) 表示装置
JP2006100245A (ja) El素子

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100526

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100526

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110915

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20111004

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20111109

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20111129

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20111226

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150106

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees