JP2008028240A

JP2008028240A - 固体撮像装置

Info

Publication number: JP2008028240A
Application number: JP2006200920A
Authority: JP
Inventors: Masaaki Ogawa; 雅章小川; Toshihiko Kitamura; 敏彦北村; Takashi Doi; 高志土居
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2006-07-24
Filing date: 2006-07-24
Publication date: 2008-02-07
Also published as: US20080210985A1; US7550792B2

Abstract

【課題】受光部への集光率が高い固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置１において、シリコン基板２を設け、シリコン基板２の表面部の一部にＰ型ウェル３を形成し、その表面部の一部にＮ型領域４を形成する。また、シリコン基板２上に多層配線層５を設け、この多層配線層５内におけるＮ型領域４の直上域に、Ｎ型領域４に接合するようにＰ^＋型Ｓｉ層２２を設ける。そして、Ｐ^＋型Ｓｉ層２２内の不純物濃度を、Ｎ型領域４から離れるにつれて低下させる。
【選択図】図２

Description

本発明は、固体撮像装置に関し、特に、基板表面に形成されたフォトダイオードに光を入射させることにより撮像を行う固体撮像装置に関する。

ＣＣＤ（Charge-Coupled Device：電荷結合素子）又はＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor：相補型金属酸化膜半導体）を用いた固体撮像装置については、従来より、チップサイズの縮小によるコストダウン、及び多画素化による解像度の向上が要求されており、画素サイズの縮小が必須となっている。

しかしながら、固体撮像装置は、通常、半導体基板及びその上に設けられた多層配線層によって構成されている。そして、半導体基板の表面に受光部であるＰＤ（Photo Diode：フォトダイオード）が形成されており、外部から入射した光は、例えば多層配線層内に設けられた柱状の導光部を透過してＰＤに到達するようになっている。このため、画素サイズを縮小すると、受光面積が減少すると共に導光部のアスペクト比が高くなり、各画素に入射する光量が減少して感度が低下したり、チップ周辺部に入射する斜め光の光量が著しく減少して感度ムラ（シェーディング）が顕著になったりする。また、導光部間の距離が短くなるため、隣の画素から光が混入しやすくなり、混色が生じやすくなる。

これらの問題を改善するためには、ＰＤへの集光率をいかに向上させられるかがポイントとなる。ＰＤへの集光率を向上させる手法として、従来より、いくつかの方法が提案されている。例えば、多層配線層上に設けられたオンチップマイクロレンズの他に、ＳｉＮなどの高屈折率材料からなるインナーレンズ（層内レンズ）を設け、このインナーレンズをオンチップマイクロレンズとＰＤとの間の光路に介在させ、導光部に入射した光の利用効率を向上させる方法が提案されている。また、他の手法として、多層配線層内の導光部に層間絶縁膜よりも屈折率の高い材料を埋め込んで光導波路を形成し、導光部に入射した光を光導波路内に閉じ込めて、高い効率でＰＤに伝達する方法も提案されている（例えば、特許文献１参照。）。

しかしながら、上述の方法では、今後画素サイズがより一層縮小され、導光部の直径が可視光の長波長の１／２程度以下まで小さくなると、導光部への光の入射自体が困難になってしまい、ＰＤへの集光率を向上させる効果が不十分になるという問題がある。

特開２００５−２０９６７６号公報

本発明の目的は、受光部への集光率が高い固体撮像装置を提供することである。

本発明の一態様によれば、少なくともその表面部の一部が第１導電型領域である基板と、前記第１導電型領域の表面部の少なくとも一部に設けられた第２導電型領域と、前記基板上に設けられた多層配線層と、前記多層配線層内における前記第２導電型領域の直上域に設けられ、前記第２導電型領域に接合された第２導電型層と、を備え、前記第２導電型層内の不純物濃度は、前記第２導電型領域から離れるにつれて低下していることを特徴とする固体撮像装置が提供される。

本発明によれば、受光部への集光率が高い固体撮像装置を実現することができる。

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、各図面中の同一部分には同一の符号を付している。

（第１の実施形態）
先ず、本発明の第１の実施形態について説明する。
図１は、本実施形態に係る固体撮像装置を例示する平面図であり、
図２は、図１に示すＡ−Ａ’線に沿った断面図である。なお、図２には、固体撮像装置における１つの画素のみを示している。

図１及び図２に示すように、本実施形態に係る固体撮像装置１においては、シリコン基板２が設けられており、シリコン基板２の表面部の一部には、Ｐ型ウェル３が形成されている。また、Ｐ型ウェル３の表面部の一部には、Ｎ型領域４が形成されており、シリコン基板２の表面において露出している。シリコン基板２の表面に垂直な方向から見て（以下、「上方から見て」ともいう）、Ｎ型領域４の形状は例えば正方形である。シリコン基板２の表面には、複数のＮ型領域４が例えばマトリクス状に配列されており、各Ｎ型領域４はＰ型ウェル３との間でＰＮ接合を形成し、受光部であるＰＤ（フォトダイオード）を構成している。また、シリコン基板２には、これらの他に、電荷転送部であるＣＣＤ又はＣＭＯＳトランジスタの拡散層（図示せず）が形成されている。

一方、シリコン基板２上には、多層配線層５が設けられている。多層配線層５においては、層間絶縁膜６内に、配線７が多層に埋設されている。層間絶縁膜６は、例えばＳｉＯ２等の絶縁材料により形成されている。配線７は、例えば、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｍｏ若しくはＷなどの高融点金属、又はＴｉＳｉ、ＭｏＳｉ若しくはＷＳｉなどの高融点金属のシリサイドにより形成されている。また、多層配線層５には遮光膜（図示せず）が形成されているか、又は配線７の一部が遮光膜を兼ねている。更に、多層配線層５には、電荷転送部の転送電極（図示せず）も設けられている。

また、多層配線層５内におけるＮ型領域４の直上域には、柱状のＮ型Ｓｉ層８が設けられている。上方から見て、Ｎ型Ｓｉ層８の外縁は、Ｎ型領域４の外縁とほぼ一致しているか、僅かに内側に位置している。Ｎ型Ｓｉ層８の下面はＮ型領域４に接合されており、Ｎ型Ｓｉ層８の上面は薄い層間絶縁膜６により覆われている。なお、Ｎ型Ｓｉ層８は配線７には接続されておらず、また、Ｎ型Ｓｉ層８の内部には、配線７、転送電極及び遮光膜などの構成物は設けられていない。そして、Ｎ型Ｓｉ層８内の不純物濃度は、下端部、すなわちＮ型領域４との界面近傍においては、Ｎ型領域４の不純物濃度と略等しく、上方に向かうにつれて、すなわちＮ型領域４から離れるにつれて、連続的に低下している。

Ｎ型Ｓｉ層８は、シリコン基板２上に多層配線層５を形成した後、この多層配線層５におけるＮ型領域４の直上域に、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching：反応性イオンエッチング）により、その上方から見た面積がＮ型領域４の面積とほぼ同じである孔をＮ型領域４に達するように形成し、この孔の内部において、Ｐ（リン）などのＮ型不純物をドーピングしながら、Ｓｉ層をＮ型領域４の表面から多層配線層５の最上層の配線７の高さまでエピタキシャル成長させることにより、形成されたものである。Ｎ型不純物のドーピング量は、成膜開始時にはＮ型Ｓｉ層８の不純物濃度がＮ型領域４の不純物濃度と略等しくなるような量に設定し、Ｓｉ層を成長させていくに従って、ドーピング量を徐々に減少させていく。Ｎ型Ｓｉ層８の形成方法としては、例えば、原料ガスとしてシラン（ＳｉＨ_４）とホスフィン（ＰＨ_３）との混合ガスを用い、７００℃程度の温度でＳｉ層を気相エピタキシャル成長させつつ、ＰＨ３ガスの流量を徐々に減少させていく方法が挙げられる。

多層配線層５上には、樹脂からなる平坦化膜９が設けられており、平坦化膜９上におけるＮ型Ｓｉ層８の直上域を含む領域には、色フィルタ１０が設けられている。また、色フィルタ１０上には、凸レンズ型のマイクロレンズ１１が設けられている。上方から見て、色フィルタ１０の形状は例えば正方形であり、マイクロレンズ１１の形状は例えば角部が丸められた正方形である。

固体撮像装置１の各部の寸法の一例を挙げれば、上方から見て、Ｎ型領域４の一辺の長さは例えば１．０μｍである。また、マイクロレンズ１１の一辺の長さは例えば１．０〜３．０μｍである。一方、各層の厚さについて例示すると、多層配線層５の厚さは例えば２〜３μｍであり、平坦化膜９の厚さは例えば０．５μｍであり、色フィルタ１０の厚さは例えば１．０μｍであり、マイクロレンズ１１の最大厚さは例えば０．５μｍである。

また、各部の不純物濃度の一例を挙げれば、Ｐ型ウェル３におけるＰ型不純物の濃度は例えば１×１０^１５ｃｍ^−３のオーダーであり、Ｎ型領域４におけるＮ型不純物の濃度は例えば１×１０^１７ｃｍ^−３のオーダーである。また、Ｎ型Ｓｉ層８におけるＮ型不純物の濃度は、下端部ではＮ型領域４と同程度の１×１０^１７ｃｍ^−３のオーダーであり、上端部では１×１０^１５〜１×１０^１６ｃｍ^−３のオーダーである。

次に、本実施形態に係る固体撮像装置の動作について説明する。
図３は、横軸にポテンシャルをとり、縦軸に高さ方向の位置をとって、本実施形態の固体撮像装置におけるポテンシャル分布を例示する模式的グラフ図である。なお、図３には、縦軸に表す固体撮像装置の位置に相当する構成要素（Ｐ型ウェル３、Ｎ型領域４、Ｎ型Ｓｉ層８）も示しており、また、入射光により励起された電子の挙動も示している。

図３に示すように、Ｎ型Ｓｉ層８内においては、不純物濃度が傾斜しているため、ポテンシャルも傾斜している。具体的には、Ｎ型Ｓｉ層８内においては、下方にいくほどＮ型不純物の濃度が高くなっているため、下方にいくほどポテンシャルが正になる。そして、Ｎ型Ｓｉ層８の不純物濃度は最下部、すなわち、Ｎ型領域４との接合面において最大となり、Ｎ型領域４の不純物濃度と略等しくなる。従って、ポテンシャルは、Ｎ型領域４において最大となる。

図２及び図３に示すように、固体撮像装置１に上方から光が入射すると、この光はマイクロレンズ１１により集光され、色フィルタ１０を透過することによって波長成分が選択され、平坦化膜９を透過して、Ｎ型Ｓｉ層８にその上面から入射する。この光が、Ｎ型Ｓｉ層８内において光電変換され、電子（ｅ⁻）が発生する。このとき、Ｎ型Ｓｉ層８内のポテンシャルは下方にいくほど正になるように傾斜しているため、電子（ｅ⁻）には下方に向かう力が作用する。この結果、電子（ｅ⁻）は下方に移動してＮ型領域４内に引き込まれ、Ｎ型領域４において蓄積される。そして、電荷転送部の動作により、Ｎ型領域４に蓄積された電子が、所定のタイミングで読み出される。

次に、本実施形態の効果について説明する。
上述の如く、本実施形態においては、固体撮像装置１に入射した光はＮ型Ｓｉ層８内において光電変換されるため、Ｎ型Ｓｉ層８を設けない場合と比較して、光がマイクロレンズ１１に入射してから光電変換されるまでの光路長が短くなる。この効果は、Ｎ型Ｓｉ層８が設けられていない装置において、マイクロレンズ１１と受光部であるＮ型領域４との間の距離を縮小した場合の効果と等価である。すなわち、マイクロレンズ１１、色フィルタ１０及び平坦化膜９を透過した光が多層配線層５に入射すると、層間絶縁膜６をほとんど通過することなく、Ｎ型Ｓｉ層８内に入射し、光電変換される。このため、従来の固体撮像装置のように、固体撮像装置１に入射した光が多層配線層内に設けられた柱状の導光部を通過する必要がない。この結果、受光部への集光率を向上させることができる。

このように、本実施形態によれば、画素サイズが縮小されてＰＤの開口が小さくなっても、集光性の維持・向上を可能とすることができ、受光部への集光率が高い固体撮像装置を実現することができる。この結果、各画素への光の入射量が低減することによる感度低下を抑制できると共に、隣の画素に光が入射することによる混色（クロストーク）も抑制できる。

（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。
図４は、本実施形態に係る固体撮像装置を例示する断面図である。
図４に示すように、本実施形態に係る固体撮像装置２１においては、Ｎ型Ｓｉ層８上にＰ^＋型Ｓｉ層２２が設けられている。Ｐ^＋型Ｓｉ層２２のＰ型不純物の濃度は、例えば、１×１０^１９ｃｍ^−３のオーダーである。Ｐ^＋型Ｓｉ層２２は、例えば、Ｎ型Ｓｉ層８をエピタキシャル成長させた後、ドーピングする不純物をＢ（ボロン）などのＰ型不純物に変更し、引き続きＳｉ層をエピタキシャル成長させることにより形成することができる。例えば、シラン（ＳｉＨ_４）とホスフィン（ＰＨ_３）との混合ガスにより、７００℃程度の温度でＳｉ層をエピタキシャル成長させてＮ型Ｓｉ層８を形成した後、原料ガスをＰＨ_３からジボラン（Ｂ_２Ｈ_６）に切り替えて、同様な温度でＳｉ層を気相エピタキシャル成長させることにより、Ｐ^＋型Ｓｉ層２２を形成する。従って、Ｐ^＋型Ｓｉ層２２はＮ型Ｓｉ層８に接合されている。また、Ｐ^＋型Ｓｉ層２２は多層配線層５の最上層の配線７に接続されている。更に、Ｐ^＋型Ｓｉ層２２の上面は層間絶縁膜６により覆われている。本実施形態における上記以外の構成は、前述の第１の実施形態と同様である。

次に、本実施形態に係る固体撮像装置の動作について説明する。
図５は、横軸にポテンシャルをとり、縦軸に高さ方向の位置をとって、本実施形態の固体撮像装置におけるポテンシャル分布を例示する模式的グラフ図である。なお、図５には、縦軸に表す固体撮像装置の位置に相当する構成要素（Ｐ型ウェル３、Ｎ型領域４、Ｎ型Ｓｉ層８）も示しており、また、入射光により励起された電子の挙動も示している。

図４及び図５に示すように、本実施形態においては、配線７及びＰ^＋型Ｓｉ層２２を介して、Ｎ型Ｓｉ層８の上端部にＰ型ウェル３よりも低い電位を印加する。例えば、Ｐ型ウェル３に接地電位を印加し、Ｎ型Ｓｉ層８の上端に負の電位を印加する。これにより、Ｎ型Ｓｉ層８の内部に、下端から上端に向かう電界が形成される。この結果、Ｎ型Ｓｉ層８内において光電変換により発生した電子（ｅ⁻）には、Ｎ型Ｓｉ層８内の濃度勾配に起因する下向きの力に加えて、電界による下向きの力が作用する。これにより、電子をより確実にＮ型領域４内に引き込むことができる。

また、Ｎ型Ｓｉ層８の上面をＰ^＋型Ｓｉ層２２によって覆うことにより、Ｎ型Ｓｉ層８の表面欠陥、あるいはまたＮ型Ｓｉ層８と層間絶縁膜６との界面に存在するダングリングボンド（未結合手）に起因して発生する暗電流を抑制することができる。この結果、固体撮像装置２１の撮像画像におけるノイズを低減することができる。本実施形態における上記以外の動作及び効果は、前述の第１の実施形態と同様である。

（第３の実施形態）
次に、本発明の第３の実施形態について説明する。
図６は、本実施形態に係る固体撮像装置を例示する断面図である。
図６に示すように、本実施形態に係る固体撮像装置３１においては、前述の第２の実施形態に係る固体撮像装置２１（図４参照）の構成に加えて、多層配線層５内に透明電極３２が設けられている。透明電極３２は、ＩＴＯ（Indium tin oxide：インジウム錫酸化物）又はＺｎＯ（亜鉛酸化物）などの透明導電性材料により形成されている。透明電極３２は、Ｐ^＋型Ｓｉ層２２よりも上方に設けられているが、その上面は層間絶縁膜６により覆われている。また、透明電極３２の下面はＰ^＋型Ｓｉ層２２に接続されている。これにより、Ｐ^＋型Ｓｉ層２２は、配線７ではなく透明電極３２によって電位が印加される。

本実施形態によれば、Ｐ型ウェル３と透明電極３２との間にバイアス電圧を印加することにより、Ｎ型Ｓｉ層８の内部に電界を形成し、前述の第２の実施形態と同様な効果を得ることができる。また、本実施形態によれば、配線７をＰ^＋型Ｓｉ層２２まで延出する必要がないため、開口率をより一層向上させることができる。本実施形態における上記以外の構成、動作及び効果は、前述の第２の実施形態と同様である。

（第４の実施形態）
次に、本発明の第４の実施形態について説明する。
図７は、本実施形態に係る固体撮像装置を例示する断面図である。
図７に示すように、本実施形態に係る固体撮像装置４１においては、前述の第３の実施形態に係る固体撮像装置３１（図６参照）の構成に加えて、Ｎ型Ｓｉ層８の側面にＰ型層４２が形成されている。Ｐ型層４２は、Ｂ（ボロン）などのＰ型不純物を含むＳｉにより形成されている。なお、Ｐ型層４２は、Ｎ型Ｓｉ層８及びＰ^＋型Ｓｉ層２２に接触している。また、Ｐ型層４２のさらに外側には、ＢＳＧ（Boron Silicate Glass：ホウ珪酸ガラス）膜４３が設けられている。

次に、本実施形態に係る固体撮像装置４１の製造方法について説明する。
図８〜図１１は、本実施形態に係る固体撮像装置の製造方法を例示する工程断面図である。
先ず、図８に示すように、シリコン基板２の表面部の一部にＰ型ウェル３を形成し、このＰ型ウェル３の表面部の一部にＮ型領域４を形成する。なお、このとき、シリコン基板２には、電荷転送部であるＣＣＤ又はＣＭＯＳトランジスタの拡散層（図示せず）なども形成する。次に、シリコン基板２上に層間絶縁膜６及び配線７を交互に形成し、積層体４６を形成する。なお、このとき、電荷転送部の転送電極（図示せず）も形成する。次に、積層体４６におけるＮ型領域４の直上域に、Ｎ型領域４まで到達する開口部４７を形成する。

次に、図９に示すように、ＣＶＤ法（Chemical Vapor Deposition法：化学気相成長法）により、ＢがドープされたＳｉＯ_２膜を全面にコンフォーマルに成膜し、ＢＳＧ膜４３を形成する。ＢＳＧ膜４３は、積層体４６の上面上、開口部４７の側面上及びＮ型領域４の上面上に連続的に形成される。
次に、図１０に示すように、異方性エッチングを施し、積層体４６の上面上及びＮ型領域４の上面上に形成されたＢＳＧ膜４３を除去し、開口部４７の側面上にのみ残留させる。

次に、図１１に示すように、開口部４７内において、Ｎ型不純物及びＰ型不純物を順次ドーピングしながらＳｉ層をエピタキシャル成長させて、Ｎ型Ｓｉ層８及びＰ^＋型Ｓｉ層２２を形成する。このときの成膜温度は例えば７００℃とする。その後、温度が例えば９００℃の熱処理を施す。これにより、Ｓｉ層をエピタキシャル成長させる際の７００℃の熱処理及びその後の９００℃の熱処理により、ＢＳＧ膜４３中のＢ（ボロン）がＮ型Ｓｉ層８内に拡散（固相拡散）し、Ｎ型Ｓｉ層８の側面にＰ型層４２が形成される。なお、このとき、配線７は高融点金属又はそのシリサイドにより形成されているため、これらの熱処理により損傷を受けることはない。

次に、図７に示すように、積層体４６及びＰ^＋型Ｓｉ層２２上に透明電極３２を形成し、層間絶縁膜６を形成することにより、多層配線層５を形成する。次に、多層配線層５上に、平坦化膜９、色フィルタ１０及びマイクロレンズ１１を形成する。これにより、固体撮像装置４１が製造される。

本実施形態によれば、透明電極３２に負電位を印加することにより、Ｐ^＋型Ｓｉ層２２及びＰ型層４２を介して、Ｎ型Ｓｉ層８の上面及び側面に負電位を印加することができる。一方、Ｐ型ウェル３には、透明電極３２よりも高い電位を印加する。これにより、Ｎ型Ｓｉ層８内において発生した電子を、より確実にＮ型領域４に引き込むことができる。また、Ｎ型Ｓｉ層８の上面及び側面がＰ^＋型Ｓｉ層２２及びＰ型層４２により覆われており、層間絶縁膜６と接触していないため、エピタキシャル層と絶縁膜との界面で発生する暗電流をより一層低減することができる。本実施形態における上記以外の構成、動作及び効果は、前述の第３の実施形態と同様である。

なお、本実施形態においては、開口部４７内にＢＳＧ膜４３を形成し、このＢＳＧ膜４３からＮ型Ｓｉ層８内にＢを拡散させることによりＰ型層４２を形成する例を示したが、本発明はこれに限定されない。例えば、上述の図８に示す工程において積層体４６に開口部４７を形成した後、開口部４７の側面に露出した層間絶縁膜６に対して斜め方向からＢをイオン注入してもよい。これにより、その後、開口部４７内にＮ型Ｓｉ層８を形成して熱処理を施すと、層間絶縁膜６に注入されたＢがＮ型Ｓｉ層８内に拡散し、Ｎ型Ｓｉ層８の側面にＰ型層を形成することができる。

以上、第１〜第４の実施形態を参照して本発明の特徴を説明したが、本発明はこれらの実施形態には限定されない。
例えば、図１においては、画素がマトリクス状に配列されている例を説明したが、画素の配列形態はマトリクス状には限定されず、例えばハニカム状であってもよい。
また、上述の各実施形態においては、Ｐ型ウェル３（第１導電型領域）、Ｐ^＋型Ｓｉ層２２（第１導電型層）及びＰ型層４２（他の第１導電型層）の導電型がＰ型であり、Ｎ型領域４（第２導電型領域）及びＮ型Ｓｉ層８（第２導電型層）の導電型がＮ型である例を示したが、これらの導電型は逆であってもよい。

更に、上述の各実施形態においては、シリコン基板２の表面部にＰ型ウェル３を形成する例を示したが、本発明はこれに限定されず、例えば、シリコン基板２としてＰ型基板を使用し、Ｐ型ウェル３の形成を省略してもよい。
更にまた、上述の第２〜第４の実施形態においては、Ｐ^＋型Ｓｉ層２２をＮ型Ｓｉ層８の上端部に電位を印加する例を示したが、Ｐ^＋型Ｓｉ層２２を設けずに、配線７又は透明電極３２をＮ型Ｓｉ層８に直接接続することにより、電位を印加してもよい。
更にまた、上述の各実施形態に対して当業者が適宜設計変更を加えたもの、及び各実施形態に対して構成要素の一部を追加又は削除したものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

本発明の第１の実施形態に係る固体撮像装置を例示する平面図である。図１に示すＡ−Ａ’線に沿った断面図である。横軸にポテンシャルをとり、縦軸に高さ方向の位置をとって、第１の実施形態の固体撮像装置におけるポテンシャル分布を例示する模式的グラフ図である。本発明の第２の実施形態に係る固体撮像装置を例示する断面図である。横軸にポテンシャルをとり、縦軸に高さ方向の位置をとって、第２の実施形態の固体撮像装置におけるポテンシャル分布を例示する模式的グラフ図である。本発明の第３の実施形態に係る固体撮像装置を例示する断面図である。本発明の第４の実施形態に係る固体撮像装置を例示する断面図である。第４の実施形態に係る固体撮像装置の製造方法を例示する工程断面図である。第４の実施形態に係る固体撮像装置の製造方法を例示する工程断面図である。第４の実施形態に係る固体撮像装置の製造方法を例示する工程断面図である。第４の実施形態に係る固体撮像装置の製造方法を例示する工程断面図である。

符号の説明

１固体撮像装置、２シリコン基板、３Ｐ型ウェル、４Ｎ型領域、５多層配線層、６層間絶縁膜、７配線、８Ｎ型Ｓｉ層、９平坦化膜、１０色フィルタ、１１マイクロレンズ、２１固体撮像装置、２２Ｐ^＋型Ｓｉ層、３１固体撮像装置、３２透明電極、４１固体撮像装置、４２Ｐ型層、４３ＢＳＧ膜、４６積層体、４７開口部

Claims

少なくともその表面部の一部が第１導電型領域である基板と、
前記第１導電型領域の表面部の少なくとも一部に設けられた第２導電型領域と、
前記基板上に設けられた多層配線層と、
前記多層配線層内における前記第２導電型領域の直上域に設けられ、前記第２導電型領域に接合された第２導電型層と、
を備え、
前記第２導電型層内の不純物濃度は、前記第２導電型領域から離れるにつれて低下していることを特徴とする固体撮像装置。
前記第２導電型層の上面に接合された第１導電型層をさらに備えたことを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
前記第１導電型層は、前記多層配線層の配線又は前記多層配線層内に設けられた透明電極に接続されていることを特徴とする請求項２記載の固体撮像装置。
前記第２導電型層の側面に、前記第１導電型層に接続された他の第１導電型層が形成されていることを特徴とする請求項２または３に記載の固体撮像装置。
前記第１導電型領域の電位よりも低い電位を前記第１導電型層に印加すると、前記第２導電型層において光電変換により発生した電子が前記第１導電型領域に向けて引き込まれることを特徴とする請求項２〜４のいずれか１つに記載の固体撮像装置。