JP2008085113A - Light emitting device - Google Patents
Light emitting device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008085113A JP2008085113A JP2006264056A JP2006264056A JP2008085113A JP 2008085113 A JP2008085113 A JP 2008085113A JP 2006264056 A JP2006264056 A JP 2006264056A JP 2006264056 A JP2006264056 A JP 2006264056A JP 2008085113 A JP2008085113 A JP 2008085113A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- substrate
- light
- emitting element
- emitting device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
Description
本発明は、基板上に発光素子と他の素子とが搭載された発光装置に関する。 The present invention relates to a light emitting device in which a light emitting element and another element are mounted on a substrate.
発光装置は、発光する発光素子の他に、静電気などから発光素子を保護するためにバイパスコンデンサやツェナーダイオードとして機能する素子が設けられることもある。例えば、特許文献1には、パスコンデンサやツェナーダイオードとして機能するサブマウント素子に発光素子を搭載した複合発光素子が記載されている。
しかし、特許文献1に記載された複合発光素子のように発光素子をサブマウント素子に搭載すると高さが高くなってしまうので、発光装置全体の厚みが厚くなり、薄型化の要請に応えることができない。また、発光装置は、高輝度化が求められている中で、発光面積の広い発光素子が開発されており、サブマウント素子には搭載することが困難となっている。従って、サブマント素子のような静電気からの保護を目的とした素子を、発光装置に設ける場合には、発光素子に近接した側方の位置に配置することになる。 However, when the light-emitting element is mounted on the submount element as in the composite light-emitting element described in Patent Document 1, the height of the light-emitting device is increased, which satisfies the demand for thinning. Can not. In addition, as light emitting devices are required to have high luminance, light emitting elements having a wide light emitting area have been developed, and it is difficult to mount them on submount elements. Therefore, when an element intended to protect against static electricity such as a submant element is provided in the light emitting device, it is disposed at a side position close to the light emitting element.
しかし、発光素子は、発光面から周囲全体に広がるように発光するので、他の素子を発光素子の側方に配置すると発光素子から側方へ出射される光を阻害してしまい発光装置の光取り出し効率が低下してしまう。 However, since the light emitting element emits light so as to spread from the light emitting surface to the entire periphery, if other elements are arranged on the side of the light emitting element, the light emitted from the light emitting element to the side is obstructed and the light of the light emitting device. The extraction efficiency is reduced.
そこで本発明の目的は、発光素子以外の他の素子が基板に搭載されていても、薄型化を図りつつ、光取り出し効率の低下を防止することができる発光装置を提供することにある。 Accordingly, an object of the present invention is to provide a light emitting device capable of preventing a decrease in light extraction efficiency while reducing the thickness even when other elements other than the light emitting elements are mounted on a substrate.
本発明の発光装置は、配線パターンが形成された基板と、前記基板上に搭載された発光素子および1以上の他の素子とを備え、前記基板には、前記他の素子の高さ以上の深さを有し、内底面に前記他の素子が収納された収納部が形成されていることを特徴とする。 The light emitting device of the present invention includes a substrate on which a wiring pattern is formed, a light emitting element mounted on the substrate and one or more other elements, and the substrate has a height equal to or higher than the height of the other elements. A storage portion having a depth and storing the other element is formed on the inner bottom surface.
本発明の発光装置は、発光素子からの光が、収納部に収納された他の素子により阻害されることなく周囲に広がるように出射するので、光取り出し効率の低下を防止することができる。また、他の素子は収納部に収納された状態で基板に搭載されるので、発光装置の厚みに影響を与えることがないので、薄型化を図ることができる。 In the light emitting device of the present invention, light from the light emitting element is emitted so as to spread to the surroundings without being blocked by other elements accommodated in the accommodating portion, so that a reduction in light extraction efficiency can be prevented. In addition, since the other elements are mounted on the substrate in a state of being stored in the storage portion, the thickness of the light emitting device is not affected, so that the thickness can be reduced.
本願の第1の発明は、配線パターンが形成された基板と、基板上に搭載された発光素子および1以上の他の素子とを備え、基板には、他の素子の高さ以上の深さを有し、内底面に他の素子が収納された収納部が形成されていることを特徴としたものである。 1st invention of this application is equipped with the board | substrate with which the wiring pattern was formed, the light emitting element mounted on the board | substrate, and one or more other elements, The depth more than the height of another element in a board | substrate And a housing portion in which another element is housed is formed on the inner bottom surface.
本発明の発光装置には、基板上に発光素子と1以上の他の素子が搭載されている。この基板には、他の素子の高さ以上の深さを有し、内底面に他の素子が収納される収納部が形成されている。従って、発光素子からの光は、この収納部に収納された他の素子により阻害されることなく周囲に広がるように出射するので、光取り出し効率の低下を防止することができる。また、他の素子は収納部に収納された状態で基板に搭載されるので、発光装置の厚みに影響を与えることがないので、薄型化を図ることができる。 In the light emitting device of the present invention, a light emitting element and one or more other elements are mounted on a substrate. The substrate is formed with a storage portion having a depth greater than the height of other elements and accommodating other elements on the inner bottom surface. Accordingly, the light from the light emitting element is emitted so as to spread to the surroundings without being obstructed by other elements accommodated in the accommodating portion, so that it is possible to prevent the light extraction efficiency from being lowered. In addition, since the other elements are mounted on the substrate in a state of being stored in the storage portion, the thickness of the light emitting device is not affected, so that the thickness can be reduced.
本願の第2の発明は、発光素子からの光により励起されて波長変換する蛍光体を含有した樹脂で、発光素子と1以上の他の素子とを封止した樹脂封止部が設けられ、発光素子は、基板の中央部に配置され、樹脂封止部は、発光素子の発光面と対向する面までの間が等距離となるように形成されていることを特徴としたものである。 2nd invention of this application is resin containing the fluorescent substance which is excited by the light from a light emitting element, and wavelength-converts, The resin sealing part which sealed the light emitting element and one or more other elements is provided, The light emitting element is arranged at the center of the substrate, and the resin sealing portion is formed so that the distance to the surface facing the light emitting surface of the light emitting element is equal.
樹脂封止部が蛍光体を含有していることで、発光装置の光は、発光素子からの光により励起されて波長変換された光と、発光素子からのそのままの光とが混色したものとなる。この樹脂封止部を、発光素子の発光面と対向する面までの間が等距離となるように形成することで、樹脂封止部を通過する距離を等距離とすることができる。従って、通過することで波長変換される光の度合いが樹脂封止部の各面で同じになるので、色むらの発生を防止することができる。 Since the resin sealing portion contains a phosphor, the light of the light emitting device is a mixture of light that is excited by the light from the light emitting element and wavelength-converted and the light as it is from the light emitting element. Become. By forming the resin sealing portion so that the distance to the surface facing the light emitting surface of the light emitting element is equal, the distance passing through the resin sealing portion can be equal. Therefore, since the degree of light whose wavelength is converted by passing becomes the same on each surface of the resin sealing portion, it is possible to prevent color unevenness.
本願の第3の発明は、収納部の深さは、他の素子の高さとほぼ同じ高さとしたことを特徴としたものである。 The third invention of the present application is characterized in that the depth of the storage portion is substantially the same as the height of the other elements.
収納部の深さを他の素子の高さとほぼ同じ高さとすることで、収納部に収納された他の素子の上面は発光素子を搭載した基板の搭載面とほぼ同じ位置となる。従って、発光素子から側方へ出射された光を、効率よく他の素子の上面に反射させることができる。 By making the depth of the storage portion substantially the same as the height of the other elements, the upper surfaces of the other elements stored in the storage portion are substantially at the same position as the mounting surface of the substrate on which the light emitting elements are mounted. Therefore, the light emitted from the light emitting element to the side can be efficiently reflected on the upper surface of another element.
本願の第4の発明は、収納部に収納された他の素子の上面に、発光素子からの光を反射する反射部が形成されていることを特徴としたものである。 A fourth invention of the present application is characterized in that a reflection part for reflecting light from the light emitting element is formed on an upper surface of another element housed in the housing part.
他の素子の上面に反射部を設けることで、更に発光素子からの光を効率よく反射させることができるので、光取り出し効率を向上させることができる。 By providing the reflective portion on the upper surface of another element, light from the light emitting element can be further efficiently reflected, so that light extraction efficiency can be improved.
本願の第5の発明は、他の素子は、発光素子のアノードおよびカソードのそれぞれに接続され、発光素子への静電気をバイパスする機能を備えていることを特徴としたものである。 The fifth invention of the present application is characterized in that the other element is connected to each of the anode and the cathode of the light emitting element and has a function of bypassing static electricity to the light emitting element.
他の素子を発光素子への静電気をバイパスさせる機能を備えたものとすることで、本発明の発光装置を輸送しているときや、実装基板に実装しているときなどに、静電気が発光素子に印加されても保護することができる。 By providing other elements with a function of bypassing static electricity to the light emitting elements, the static electricity is emitted when the light emitting device of the present invention is transported or mounted on a mounting board. It can be protected even if it is applied to.
(実施の形態1)
本発明の実施の形態1に係る発光装置を図1および図2に基づいて説明する。図1は、本発明の実施の形態1に係る発光装置を示す断面図である。図2は、図1に示す発光装置の平面図である。
(Embodiment 1)
A light-emitting device according to Embodiment 1 of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a cross-sectional view showing a light emitting device according to Embodiment 1 of the present invention. FIG. 2 is a plan view of the light-emitting device shown in FIG.
図1および図2に示すように、発光装置10は、絶縁基板11に、発光素子12と、発光素子12以外に、他の素子としてツェナーダイオード13とが搭載され、樹脂封止部14により封止されている。
As shown in FIG. 1 and FIG. 2, the
絶縁基板11は、白色のアルミナセラミック基板で、平面視して矩形状に形成されている。絶縁基板11には、発光素子12およびツェナーダイオード13を導通搭載する配線パターン110が、発光素子12を搭載している搭載面側に形成されている。この配線パターン110は、発光素子12のアノードとバイパスコンデンサの一方の電極とを接続する第1配線パターン111と、カソードとツェナーダイオード13の他方の電極とを接続する第2配線パターン112とを有している。この第1配線パターン111と第2配線パターン112は、絶縁基板11の裏面側に形成された第1電極113と第2電極114とスルーホール電極115を介して接続されている。
The insulating substrate 11 is a white alumina ceramic substrate and is formed in a rectangular shape in plan view. On the insulating substrate 11, a
絶縁基板11には、発光素子12が搭載された搭載面より一段低く、ツェナーダイオード13を搭載する収納部116が形成されている。この収納部116は、発光素子12を搭載する搭載面を有する第1基板11aと、第1基板11aよりツェナーダイオード13を搭載する搭載面の領域だけ第1基板11aより広く形成された第2基板11bとを貼り合わせることで形成されている。第1基板11aは、その厚みがツェナーダイオード13の高さとほぼ同じに形成されている。つまり収納部116の深さが、ツェナーダイオード13の高さとほぼ同じとなっている。ほぼ同じとは、ツェナーダイオード13の高さと第1基板11aの厚みとが、製造誤差程度の違いを有していても含まれる。すなわちツェナーダイオード13の高さと第1基板11aの厚みとを意図的に異なるサイズとした場合以外は含まれる。
The insulating substrate 11 is formed with a
本実施の形態1に係る絶縁基板11は、収納部116を、大きさの異なる第1基板11aと第2基板11bとを貼り合わせることで形成しているが、1枚の絶縁基板を切削することで形成するようにしてもよい。その場合には、第2基板11bの大きさで、第1基板11aと第2基板11bとの合計の厚みを有する基板を準備して、第1基板11aの厚み分を削り取ることで可能である。また、また収納部116は、絶縁基板11の一方の端部に寄せるように形成されているが、第1絶縁基板をくり抜いた状態で第2基板と貼り合わせたり、1枚の絶縁基板にザグリ加工を施したりすることで、収納部として周壁面部を有する凹部とすることも可能である。
In the insulating substrate 11 according to the first embodiment, the
発光素子12は、青色発光素子であり、サファイア基板に化合物半導体層であるn層、発光層、およびp層が積層され、n層にはn電極が、p層にはp電極がそれぞれボンディング電極として設けられている。この発光素子12は、第1配線パターン111と第2配線パターン112とにバンプ120を介して接続されている。
The
ツェナーダイオード13は、第1配線パターン111と第2配線パターン112とにバンプ131を介して接続されている。ツェナーダイオード13は、表面が金属光沢を有する材質のものを採用したり、表面に反射率の高い液体を塗布して硬化させたり、反射率の高いシートを貼り付けたりして、反射部として機能させるのが望ましい。
The Zener
樹脂封止部14は、例えばエポキシ系樹脂を用いることができ、蛍光体(図示せず)を含有している。蛍光体は、発光素子12からの光を波長変換して補色となる色を発光するものである。本実施の形態1では、発光素子12として青色に発光するものを採用しており、蛍光体としては黄色に波長変換するものを採用しているので、樹脂封止部14の表面は、発光素子12からの青色と波長変換されたと黄色とが混色して白色となる。
For example, an epoxy resin can be used for the
以上のように構成される本発明の実施の形態1に係る発光装置10の使用状態について図1および図2に基づいて説明する。
The usage state of the
まず、第1電極113にプラス、第2電極114にマイナスの電圧を印加する。第1電極113および第2電極114に電圧を印加することで、スルーホール電極115および第1配線パターン111、第2配線パターン112を介して発光素子12に電流が流れる。発光素子12から出射された青色の光は、樹脂封止部14の蛍光体を励起する光と、そのまま通過する光とが混色して白色となる。そして、発光素子12の側方からの光は、絶縁基板11を白色のアルミナセラミック基板としているので、効率よく反射させることができる。また、収納部116に収納されたツェナーダイオード13の上方を通過した光は、樹脂封止部14の側面から出射される。従って、絶縁基板11に発光素子12以外のツェナーダイオード13が搭載されていても、発光素子12の側方からの光を阻害することがないので、光取り出し効率の低下を防止することができる。
First, a positive voltage is applied to the
また、ツェナーダイオード13は、発光素子12を、ツェナーダイオード13の上面に搭載していないので、第1基板11aから樹脂封止部14の上面までの厚みを薄くできる。従って、絶縁基板11に発光素子12以外のツェナーダイオード13が搭載されていても、発光装置10全体の厚みを薄くできるので、薄型化を向上させることができる。
Further, since the
なお収納部116の深さは、ツェナーダイオード13の高さより深ければ、収納部116にツェナーダイオード13を収納することで、発光素子12の側方からの光を阻害することはない。しかし、ツェナーダイオード13の高さより深くすると、発光素子12の側方からの光がツェナーダイオード13の上面全部に到達し難くなるので、ツェナーダイオード13の上面による反射量が減少し、光取り出し効率が低下する。従って、収納部116の深さをツェナーダイオード13の高さと同じとするのが望ましい。すなわち、第1基板11aの厚みをツェナーダイオード13の高さと同じとするのが望ましい。
Note that if the depth of the
また、ツェナーダイオード13は、発光素子12と並列に接続されているので、静電気のような急峻に立ち上がるノイズをバイパスさせることができる。従って、静電気から発光素子12を保護することができる。更にツェナーダイオード13は、その表面が反射部として機能するので、発光素子12の側方から出射される光を効率よく反射させることができる。
Further, since the
本実施の形態では、発光素子12を保護するための素子としてツェナーダイオード13を接続しているが、バイパスコンデンサとしてもよい。
In the present embodiment, the
(実施の形態2)
本発明の実施の形態2に係る発光装置を図3および図4に基づいて説明する。図3は、本発明の実施の形態2に係る発光装置を示す断面図である。図4は、図3に示す発光装置の平面図である。なお図3および図4においては、図1および図2と同じ構成のものは同符号を付して説明を省略する。
(Embodiment 2)
A light emitting device according to Embodiment 2 of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 3 is a cross-sectional view showing a light-emitting device according to Embodiment 2 of the present invention. FIG. 4 is a plan view of the light-emitting device shown in FIG. 3 and FIG. 4, the same components as those in FIG. 1 and FIG.
図3および図4に示すように、本発明の実施の形態2に係る発光装置20は、発光素子12を絶縁基板21の中央部に配置したものである。そして樹脂封止部22は、実施の形態1の樹脂封止部14と同様に蛍光体を含有した樹脂で形成され、平面視して絶縁基板21と同じ正方形状に形成されている。つまり、発光素子12が絶縁基板21の中央部に配置されていることで、発光素子12の4つの側面121〜124とそれぞれ対向する樹脂封止部22の4つの側面221〜224との間の距離を、等距離としている。また、発光素子12の上面125とこの上面125と対向する樹脂封止部22の上面225との間の距離も、等距離としている。
As shown in FIGS. 3 and 4, the
そして、この絶縁基板21は、実施の形態1と同様に、発光素子12を搭載する搭載面を有し、ツェナーダイオード13の高さと同じ厚みを有する第1基板21aと、第1基板21aよりツェナーダイオード13を搭載する搭載面の領域だけ第1基板21aより広く形成された第2基板21bとを貼り合わせることで形成されている。このように第1基板21aを第2基板21bに貼り合わせることで、発光素子12が搭載された搭載面より一段低いツェナーダイオード13を収納する収納部212が形成されている。従って、この発光装置20にツェナーダイオード13を設けていても収納部212に収納されているので発光素子12の側方からの光を阻害することがない。また、収納部212の深さを、ツェナーダイオード13の高さと同じとしているので、発光素子12の側方からの光がツェナーダイオード13の上面に反射して、樹脂封止部22の側面223から効率よく出射させることができる。
As in the first embodiment, the insulating
次に、発光装置20の製造方法を、更に図5を参照しながら説明する。図5は、本発明の実施の形態2に係る発光装置の製造方法を示す図である。なお図5においては、正面視しているため発光素子12が1列のみの配置に図示されているが、奥行き方向にも発光素子12が配置されていることで、マトリックス状に配列されている。
Next, a method for manufacturing the
図3から図5に示すように、この発光装置20を作製するときには、まず第2基板21bとなる基板材23に、縦列および横列に第1基板21aを配置して貼り合わせる。次にスルーホール電極115、第1配線パターン111、第2配線パターン112、第1電極113、第2電極114を所定の位置に形成する。次に、発光素子12およびツェナーダイオード13をそれぞれ配置する。そして金型で型締めして樹脂封止部22となる樹脂層24を形成する。この樹脂層24の厚みは、発光素子12の側面121〜124と、後に個片としたときの樹脂封止部22の側面221〜224との間の距離が、等距離となるよう形成する。この樹脂層24は、スクリーン印刷法で形成することもできる。
As shown in FIGS. 3 to 5, when manufacturing the
そして、ダイサーで基板材23を切断線Cごとに切断して個片とすることで、図3および図4に示す発光装置20とする。
And the board |
ここで、等距離とは、図5に示す樹脂層24を形成する際の誤差、および切断線Cでダイシングするときの誤差程度の違いは含まれる。つまり、意図的に発光素子12の各発光面(側面121〜124および上面125)から、その各面と対向する樹脂封止部22の各面(側面221〜224および上面225)とを異なる距離としている以外は含まれる。
Here, the equidistance includes a difference in error when forming the
このように発光装置20を作製することで、樹脂封止部22を平面視して絶縁基板21と同じ正方形状に形成するだけでなく、絶縁基板21に対して樹脂封止部22の側面221〜224を垂直面とすることができる。
By manufacturing the
つまり、発光素子12の各発光面(側面121〜124および上面125)と、その各面と対向する樹脂封止部22の各面(側面221〜224および上面225)とが平行となるので、その間の距離が等距離となる。従って、発光素子12の各面から樹脂封止部22の各面へ、光が直接到達する距離が等しくなるので、通過することで蛍光体により波長変換される光の度合いを同じにすることができる。
That is, each light emitting surface (side surfaces 121 to 124 and upper surface 125) of the
収納部212の深さをツェナーダイオード13の高さと同じとしているので、ツェナーダイオード13の上面の位置と第1基板21aの搭載面との位置とが同じ高さである。従って、発光素子12の側面123を除く側面121、122、124から第1基板21aに一旦反射して樹脂封止部22の側面223を除く側面221、222、224へ到達する光と、発光素子12の側面123からツェナーダイオード13の上面に反射して樹脂封止部22の側面223へ到達する光とが、それぞれ進行することで蛍光体により波長変換される度合いを、それぞれ同じとすることができる。
Since the depth of the
よって、樹脂封止部22の各面(側面221〜224および上面225)から出射される光の色むらを防止することができる。
Therefore, uneven color of light emitted from each surface (side surfaces 221 to 224 and upper surface 225) of the
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、例えば、発光装置10,20は、他の素子として発光素子12を静電気から保護するツェナーダイオード13を搭載しているが、ツェナーダイオードとしてもよいし、電流を制限する抵抗としてもよし、他の機能を有する制御IC(Integrated Circuit)としてもよい。
Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments. For example, the
また、他の素子として複数搭載されていても、収納部に収納されていれば光の進行を阻害しないので問題はない。更に発光素子も複数搭載されていても、他の素子を収納部に収納することで、同様の効果を得ることができる。 Even if a plurality of other elements are mounted, there is no problem because the light does not hinder the light if it is stored in the storage section. Further, even when a plurality of light emitting elements are mounted, the same effect can be obtained by storing other elements in the storage portion.
本発明は、発光素子以外の他の素子が基板に搭載されていても、薄型化を図りつつ、光取り出し効率の低下を防止することができるので、基板上に発光素子と他の素子とが搭載された発光装置に好適である。 In the present invention, even when other elements than the light emitting element are mounted on the substrate, it is possible to prevent the light extraction efficiency from being lowered while reducing the thickness. It is suitable for a mounted light emitting device.
10 発光装置
11 絶縁基板
11a 第1基板
11b 第2基板
110 配線パターン
111 第1配線パターン
112 第2配線パターン
113 第1電極
114 第2電極
115 スルーホール電極
116 収納部
12 発光素子
120 バンプ
121〜124 側面
125 上面
13 ツェナーダイオード
131 バンプ
14 樹脂封止部
20 発光装置
21 絶縁基板
21a 第1基板
21b 第2基板
212 収納部
22 樹脂封止部
221〜224 側面
225 上面
23 基板材
24 樹脂層
DESCRIPTION OF
Claims (5)
前記基板上に搭載された発光素子および1以上の他の素子とを備え、
前記基板には、前記他の素子の高さ以上の深さを有し、内底面に前記他の素子が収納された収納部が形成されていることを特徴とする発光装置。 A substrate on which a wiring pattern is formed;
A light emitting device mounted on the substrate and one or more other devices,
The light emitting device according to claim 1, wherein the substrate has a depth greater than or equal to the height of the other element, and a storage portion in which the other element is stored is formed on an inner bottom surface.
前記樹脂封止部は、前記発光素子の発光面と対向する面までの間が等距離となるように形成されていることを特徴とする請求項1記載の発光装置。 A resin-sealed portion that seals the light-emitting element and the one or more other elements with a resin containing a phosphor that is excited by light from the light-emitting element to convert the wavelength,
The light emitting device according to claim 1, wherein the resin sealing portion is formed so as to be equidistant from a surface facing the light emitting surface of the light emitting element.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006264056A JP2008085113A (en) | 2006-09-28 | 2006-09-28 | Light emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006264056A JP2008085113A (en) | 2006-09-28 | 2006-09-28 | Light emitting device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008085113A true JP2008085113A (en) | 2008-04-10 |
Family
ID=39355648
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006264056A Withdrawn JP2008085113A (en) | 2006-09-28 | 2006-09-28 | Light emitting device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008085113A (en) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010004661A1 (en) * | 2008-07-09 | 2010-01-14 | 株式会社カネヒロデンシ | Led lamp |
KR101283579B1 (en) * | 2010-01-22 | 2013-07-05 | 일진엘이디(주) | Light emitting diode package |
JP2013201273A (en) * | 2012-03-23 | 2013-10-03 | Toshiba Corp | Semiconductor light emitting element and manufacturing method of the same |
JP2014154582A (en) * | 2013-02-05 | 2014-08-25 | Asahi Glass Co Ltd | Light-emitting element substrate and light-emitting device |
US9153545B2 (en) | 2010-12-20 | 2015-10-06 | Rohm Co., Ltd. | Light-emitting element unit and light-emitting element package |
JP2016086191A (en) * | 2010-11-05 | 2016-05-19 | ローム株式会社 | Semiconductor light-emitting device |
JP2020145482A (en) * | 2018-08-27 | 2020-09-10 | 日亜化学工業株式会社 | Light-emitting device |
-
2006
- 2006-09-28 JP JP2006264056A patent/JP2008085113A/en not_active Withdrawn
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010020962A (en) * | 2008-07-09 | 2010-01-28 | Kanehirodenshi Corp | Led lamp |
WO2010004661A1 (en) * | 2008-07-09 | 2010-01-14 | 株式会社カネヒロデンシ | Led lamp |
KR101283579B1 (en) * | 2010-01-22 | 2013-07-05 | 일진엘이디(주) | Light emitting diode package |
JP2019216250A (en) * | 2010-11-05 | 2019-12-19 | ローム株式会社 | Semiconductor light-emitting device |
JP2016086191A (en) * | 2010-11-05 | 2016-05-19 | ローム株式会社 | Semiconductor light-emitting device |
US9153545B2 (en) | 2010-12-20 | 2015-10-06 | Rohm Co., Ltd. | Light-emitting element unit and light-emitting element package |
US9741640B2 (en) | 2010-12-20 | 2017-08-22 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2013201273A (en) * | 2012-03-23 | 2013-10-03 | Toshiba Corp | Semiconductor light emitting element and manufacturing method of the same |
US9087974B2 (en) | 2012-03-23 | 2015-07-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same |
KR101515282B1 (en) * | 2012-03-23 | 2015-04-24 | 가부시끼가이샤 도시바 | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same |
US8916901B2 (en) | 2012-03-23 | 2014-12-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same |
JP2014154582A (en) * | 2013-02-05 | 2014-08-25 | Asahi Glass Co Ltd | Light-emitting element substrate and light-emitting device |
JP2020145482A (en) * | 2018-08-27 | 2020-09-10 | 日亜化学工業株式会社 | Light-emitting device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9484509B2 (en) | Lighting device and method of manufacturing the same | |
TWI688126B (en) | Light-emitting device and backlight module using the same | |
CN105702842B (en) | Opto-electronic semiconductor module | |
CN109427757B (en) | Lighting device | |
US7687823B2 (en) | Light-emitting apparatus and method of producing the same | |
JP4044078B2 (en) | High power light emitting diode package and manufacturing method | |
US9420642B2 (en) | Light emitting apparatus and lighting apparatus | |
CN100440555C (en) | Light emitting device and manufacturing method thereof | |
US10096585B2 (en) | Method of manufacturing light emitting element and light emitting device including forming resin film including phosphor containing layer | |
CN103348498B (en) | For the method manufacturing at least one opto-electronic semiconductor module | |
JP5374876B2 (en) | Light emitting device | |
CN104685625B (en) | Opto-electronic device | |
JP6421952B2 (en) | Light-emitting diode color conversion substrate and method for manufacturing the same | |
JP2008085113A (en) | Light emitting device | |
TWI573295B (en) | Light-emitting diode mixing chamber having a reflective wall formed in the trench | |
JP2009071264A (en) | Light emitting diode package and manufacturing method thereof | |
JP2011040494A (en) | Light emitting module | |
JP2009135381A (en) | Chip-type led and method of manufacturing the same | |
JP6191667B2 (en) | Light emitting device | |
US8633499B2 (en) | Light emitting device | |
JP2008103480A (en) | Light-emitting device | |
JP5200471B2 (en) | Light emitting device and manufacturing method thereof | |
JP2008198782A (en) | Light-emitting device | |
CN103887296A (en) | Light-emitting device and manufacturing method thereof | |
US9029902B2 (en) | Optoelectronic semiconductor device comprising a semiconductor chip, a carrier substrate and a film |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090907 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20091014 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110831 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20110929 |