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JP2008085113A - Light emitting device - Google Patents

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JP2008085113A
JP2008085113A JP2006264056A JP2006264056A JP2008085113A JP 2008085113 A JP2008085113 A JP 2008085113A JP 2006264056 A JP2006264056 A JP 2006264056A JP 2006264056 A JP2006264056 A JP 2006264056A JP 2008085113 A JP2008085113 A JP 2008085113A
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light emitting
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light
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emitting device
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JP2006264056A
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Yoshiyuki Ide
義行 井手
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Panasonic Holdings Corp
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light emitting device capable of preventing the light taking-out efficiency from degrading while employing thin profile, even if an element other than a light emitting element is mounted on a substrate. <P>SOLUTION: The light emitting device includes an insulating substrate 11 on which a wiring pattern is formed, with a first substrate 11a and a second substrate 11b being laminated, a light emitting element 12 mounted on the first substrate 11a, and a zener diode 13 which is mounted on the second substrate 11b. The second substrate 11b is formed wider than the first substrate 11a by such area as the zener diode 13 can be mounted, forming a housing part 116 for housing the zener diode 13. Since the zener diode 13 is housed in the housing part 116, the light emitted sideways from the light emitting element 12 is prevented from being obstructed by the zener diode 13. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、基板上に発光素子と他の素子とが搭載された発光装置に関する。   The present invention relates to a light emitting device in which a light emitting element and another element are mounted on a substrate.

発光装置は、発光する発光素子の他に、静電気などから発光素子を保護するためにバイパスコンデンサやツェナーダイオードとして機能する素子が設けられることもある。例えば、特許文献1には、パスコンデンサやツェナーダイオードとして機能するサブマウント素子に発光素子を搭載した複合発光素子が記載されている。
特開2003−60243号公報
In addition to a light emitting element that emits light, the light emitting device may be provided with an element that functions as a bypass capacitor or a Zener diode in order to protect the light emitting element from static electricity or the like. For example, Patent Document 1 describes a composite light emitting element in which a light emitting element is mounted on a submount element that functions as a pass capacitor or a Zener diode.
JP 2003-60243 A

しかし、特許文献1に記載された複合発光素子のように発光素子をサブマウント素子に搭載すると高さが高くなってしまうので、発光装置全体の厚みが厚くなり、薄型化の要請に応えることができない。また、発光装置は、高輝度化が求められている中で、発光面積の広い発光素子が開発されており、サブマウント素子には搭載することが困難となっている。従って、サブマント素子のような静電気からの保護を目的とした素子を、発光装置に設ける場合には、発光素子に近接した側方の位置に配置することになる。   However, when the light-emitting element is mounted on the submount element as in the composite light-emitting element described in Patent Document 1, the height of the light-emitting device is increased, which satisfies the demand for thinning. Can not. In addition, as light emitting devices are required to have high luminance, light emitting elements having a wide light emitting area have been developed, and it is difficult to mount them on submount elements. Therefore, when an element intended to protect against static electricity such as a submant element is provided in the light emitting device, it is disposed at a side position close to the light emitting element.

しかし、発光素子は、発光面から周囲全体に広がるように発光するので、他の素子を発光素子の側方に配置すると発光素子から側方へ出射される光を阻害してしまい発光装置の光取り出し効率が低下してしまう。   However, since the light emitting element emits light so as to spread from the light emitting surface to the entire periphery, if other elements are arranged on the side of the light emitting element, the light emitted from the light emitting element to the side is obstructed and the light of the light emitting device. The extraction efficiency is reduced.

そこで本発明の目的は、発光素子以外の他の素子が基板に搭載されていても、薄型化を図りつつ、光取り出し効率の低下を防止することができる発光装置を提供することにある。   Accordingly, an object of the present invention is to provide a light emitting device capable of preventing a decrease in light extraction efficiency while reducing the thickness even when other elements other than the light emitting elements are mounted on a substrate.

本発明の発光装置は、配線パターンが形成された基板と、前記基板上に搭載された発光素子および1以上の他の素子とを備え、前記基板には、前記他の素子の高さ以上の深さを有し、内底面に前記他の素子が収納された収納部が形成されていることを特徴とする。   The light emitting device of the present invention includes a substrate on which a wiring pattern is formed, a light emitting element mounted on the substrate and one or more other elements, and the substrate has a height equal to or higher than the height of the other elements. A storage portion having a depth and storing the other element is formed on the inner bottom surface.

本発明の発光装置は、発光素子からの光が、収納部に収納された他の素子により阻害されることなく周囲に広がるように出射するので、光取り出し効率の低下を防止することができる。また、他の素子は収納部に収納された状態で基板に搭載されるので、発光装置の厚みに影響を与えることがないので、薄型化を図ることができる。   In the light emitting device of the present invention, light from the light emitting element is emitted so as to spread to the surroundings without being blocked by other elements accommodated in the accommodating portion, so that a reduction in light extraction efficiency can be prevented. In addition, since the other elements are mounted on the substrate in a state of being stored in the storage portion, the thickness of the light emitting device is not affected, so that the thickness can be reduced.

本願の第1の発明は、配線パターンが形成された基板と、基板上に搭載された発光素子および1以上の他の素子とを備え、基板には、他の素子の高さ以上の深さを有し、内底面に他の素子が収納された収納部が形成されていることを特徴としたものである。   1st invention of this application is equipped with the board | substrate with which the wiring pattern was formed, the light emitting element mounted on the board | substrate, and one or more other elements, The depth more than the height of another element in a board | substrate And a housing portion in which another element is housed is formed on the inner bottom surface.

本発明の発光装置には、基板上に発光素子と1以上の他の素子が搭載されている。この基板には、他の素子の高さ以上の深さを有し、内底面に他の素子が収納される収納部が形成されている。従って、発光素子からの光は、この収納部に収納された他の素子により阻害されることなく周囲に広がるように出射するので、光取り出し効率の低下を防止することができる。また、他の素子は収納部に収納された状態で基板に搭載されるので、発光装置の厚みに影響を与えることがないので、薄型化を図ることができる。   In the light emitting device of the present invention, a light emitting element and one or more other elements are mounted on a substrate. The substrate is formed with a storage portion having a depth greater than the height of other elements and accommodating other elements on the inner bottom surface. Accordingly, the light from the light emitting element is emitted so as to spread to the surroundings without being obstructed by other elements accommodated in the accommodating portion, so that it is possible to prevent the light extraction efficiency from being lowered. In addition, since the other elements are mounted on the substrate in a state of being stored in the storage portion, the thickness of the light emitting device is not affected, so that the thickness can be reduced.

本願の第2の発明は、発光素子からの光により励起されて波長変換する蛍光体を含有した樹脂で、発光素子と1以上の他の素子とを封止した樹脂封止部が設けられ、発光素子は、基板の中央部に配置され、樹脂封止部は、発光素子の発光面と対向する面までの間が等距離となるように形成されていることを特徴としたものである。   2nd invention of this application is resin containing the fluorescent substance which is excited by the light from a light emitting element, and wavelength-converts, The resin sealing part which sealed the light emitting element and one or more other elements is provided, The light emitting element is arranged at the center of the substrate, and the resin sealing portion is formed so that the distance to the surface facing the light emitting surface of the light emitting element is equal.

樹脂封止部が蛍光体を含有していることで、発光装置の光は、発光素子からの光により励起されて波長変換された光と、発光素子からのそのままの光とが混色したものとなる。この樹脂封止部を、発光素子の発光面と対向する面までの間が等距離となるように形成することで、樹脂封止部を通過する距離を等距離とすることができる。従って、通過することで波長変換される光の度合いが樹脂封止部の各面で同じになるので、色むらの発生を防止することができる。   Since the resin sealing portion contains a phosphor, the light of the light emitting device is a mixture of light that is excited by the light from the light emitting element and wavelength-converted and the light as it is from the light emitting element. Become. By forming the resin sealing portion so that the distance to the surface facing the light emitting surface of the light emitting element is equal, the distance passing through the resin sealing portion can be equal. Therefore, since the degree of light whose wavelength is converted by passing becomes the same on each surface of the resin sealing portion, it is possible to prevent color unevenness.

本願の第3の発明は、収納部の深さは、他の素子の高さとほぼ同じ高さとしたことを特徴としたものである。   The third invention of the present application is characterized in that the depth of the storage portion is substantially the same as the height of the other elements.

収納部の深さを他の素子の高さとほぼ同じ高さとすることで、収納部に収納された他の素子の上面は発光素子を搭載した基板の搭載面とほぼ同じ位置となる。従って、発光素子から側方へ出射された光を、効率よく他の素子の上面に反射させることができる。   By making the depth of the storage portion substantially the same as the height of the other elements, the upper surfaces of the other elements stored in the storage portion are substantially at the same position as the mounting surface of the substrate on which the light emitting elements are mounted. Therefore, the light emitted from the light emitting element to the side can be efficiently reflected on the upper surface of another element.

本願の第4の発明は、収納部に収納された他の素子の上面に、発光素子からの光を反射する反射部が形成されていることを特徴としたものである。   A fourth invention of the present application is characterized in that a reflection part for reflecting light from the light emitting element is formed on an upper surface of another element housed in the housing part.

他の素子の上面に反射部を設けることで、更に発光素子からの光を効率よく反射させることができるので、光取り出し効率を向上させることができる。   By providing the reflective portion on the upper surface of another element, light from the light emitting element can be further efficiently reflected, so that light extraction efficiency can be improved.

本願の第5の発明は、他の素子は、発光素子のアノードおよびカソードのそれぞれに接続され、発光素子への静電気をバイパスする機能を備えていることを特徴としたものである。   The fifth invention of the present application is characterized in that the other element is connected to each of the anode and the cathode of the light emitting element and has a function of bypassing static electricity to the light emitting element.

他の素子を発光素子への静電気をバイパスさせる機能を備えたものとすることで、本発明の発光装置を輸送しているときや、実装基板に実装しているときなどに、静電気が発光素子に印加されても保護することができる。   By providing other elements with a function of bypassing static electricity to the light emitting elements, the static electricity is emitted when the light emitting device of the present invention is transported or mounted on a mounting board. It can be protected even if it is applied to.

(実施の形態1)
本発明の実施の形態1に係る発光装置を図1および図2に基づいて説明する。図1は、本発明の実施の形態1に係る発光装置を示す断面図である。図2は、図1に示す発光装置の平面図である。
(Embodiment 1)
A light-emitting device according to Embodiment 1 of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a cross-sectional view showing a light emitting device according to Embodiment 1 of the present invention. FIG. 2 is a plan view of the light-emitting device shown in FIG.

図1および図2に示すように、発光装置10は、絶縁基板11に、発光素子12と、発光素子12以外に、他の素子としてツェナーダイオード13とが搭載され、樹脂封止部14により封止されている。   As shown in FIG. 1 and FIG. 2, the light emitting device 10 includes an insulating substrate 11 on which a light emitting element 12 and a Zener diode 13 other than the light emitting element 12 are mounted and sealed by a resin sealing portion 14. It has been stopped.

絶縁基板11は、白色のアルミナセラミック基板で、平面視して矩形状に形成されている。絶縁基板11には、発光素子12およびツェナーダイオード13を導通搭載する配線パターン110が、発光素子12を搭載している搭載面側に形成されている。この配線パターン110は、発光素子12のアノードとバイパスコンデンサの一方の電極とを接続する第1配線パターン111と、カソードとツェナーダイオード13の他方の電極とを接続する第2配線パターン112とを有している。この第1配線パターン111と第2配線パターン112は、絶縁基板11の裏面側に形成された第1電極113と第2電極114とスルーホール電極115を介して接続されている。   The insulating substrate 11 is a white alumina ceramic substrate and is formed in a rectangular shape in plan view. On the insulating substrate 11, a wiring pattern 110 for conducting and mounting the light emitting element 12 and the Zener diode 13 is formed on the mounting surface side on which the light emitting element 12 is mounted. The wiring pattern 110 includes a first wiring pattern 111 that connects the anode of the light emitting element 12 and one electrode of the bypass capacitor, and a second wiring pattern 112 that connects the cathode and the other electrode of the Zener diode 13. is doing. The first wiring pattern 111 and the second wiring pattern 112 are connected via a first electrode 113, a second electrode 114, and a through-hole electrode 115 formed on the back surface side of the insulating substrate 11.

絶縁基板11には、発光素子12が搭載された搭載面より一段低く、ツェナーダイオード13を搭載する収納部116が形成されている。この収納部116は、発光素子12を搭載する搭載面を有する第1基板11aと、第1基板11aよりツェナーダイオード13を搭載する搭載面の領域だけ第1基板11aより広く形成された第2基板11bとを貼り合わせることで形成されている。第1基板11aは、その厚みがツェナーダイオード13の高さとほぼ同じに形成されている。つまり収納部116の深さが、ツェナーダイオード13の高さとほぼ同じとなっている。ほぼ同じとは、ツェナーダイオード13の高さと第1基板11aの厚みとが、製造誤差程度の違いを有していても含まれる。すなわちツェナーダイオード13の高さと第1基板11aの厚みとを意図的に異なるサイズとした場合以外は含まれる。   The insulating substrate 11 is formed with a storage portion 116 on which the Zener diode 13 is mounted, which is one step lower than the mounting surface on which the light emitting element 12 is mounted. The storage portion 116 includes a first substrate 11a having a mounting surface on which the light emitting element 12 is mounted, and a second substrate formed wider than the first substrate 11a only in the mounting surface area on which the Zener diode 13 is mounted than the first substrate 11a. 11b is bonded together. The thickness of the first substrate 11 a is substantially the same as the height of the Zener diode 13. That is, the depth of the storage portion 116 is substantially the same as the height of the Zener diode 13. The term “substantially the same” includes even if the height of the Zener diode 13 and the thickness of the first substrate 11a have a difference of about a manufacturing error. That is, it is included except when the height of the Zener diode 13 and the thickness of the first substrate 11a are intentionally different sizes.

本実施の形態1に係る絶縁基板11は、収納部116を、大きさの異なる第1基板11aと第2基板11bとを貼り合わせることで形成しているが、1枚の絶縁基板を切削することで形成するようにしてもよい。その場合には、第2基板11bの大きさで、第1基板11aと第2基板11bとの合計の厚みを有する基板を準備して、第1基板11aの厚み分を削り取ることで可能である。また、また収納部116は、絶縁基板11の一方の端部に寄せるように形成されているが、第1絶縁基板をくり抜いた状態で第2基板と貼り合わせたり、1枚の絶縁基板にザグリ加工を施したりすることで、収納部として周壁面部を有する凹部とすることも可能である。   In the insulating substrate 11 according to the first embodiment, the storage portion 116 is formed by bonding the first substrate 11a and the second substrate 11b having different sizes, but one insulating substrate is cut. You may make it form. In that case, it is possible to prepare a substrate having the size of the second substrate 11b and the total thickness of the first substrate 11a and the second substrate 11b and scrape off the thickness of the first substrate 11a. . Further, the storage portion 116 is formed so as to approach one end portion of the insulating substrate 11. However, the housing portion 116 is bonded to the second substrate in a state where the first insulating substrate is cut out, or the counterbore is attached to one insulating substrate. It can also be set as the recessed part which has a surrounding wall surface part as an accommodating part by giving a process.

発光素子12は、青色発光素子であり、サファイア基板に化合物半導体層であるn層、発光層、およびp層が積層され、n層にはn電極が、p層にはp電極がそれぞれボンディング電極として設けられている。この発光素子12は、第1配線パターン111と第2配線パターン112とにバンプ120を介して接続されている。   The light emitting element 12 is a blue light emitting element, and an n layer, a light emitting layer, and a p layer, which are compound semiconductor layers, are stacked on a sapphire substrate, an n electrode is formed on the n layer, and a p electrode is formed on the p layer. It is provided as. The light emitting element 12 is connected to the first wiring pattern 111 and the second wiring pattern 112 via bumps 120.

ツェナーダイオード13は、第1配線パターン111と第2配線パターン112とにバンプ131を介して接続されている。ツェナーダイオード13は、表面が金属光沢を有する材質のものを採用したり、表面に反射率の高い液体を塗布して硬化させたり、反射率の高いシートを貼り付けたりして、反射部として機能させるのが望ましい。   The Zener diode 13 is connected to the first wiring pattern 111 and the second wiring pattern 112 via bumps 131. The zener diode 13 functions as a reflective part by adopting a material having a metallic luster on the surface, applying a liquid with a high reflectance on the surface and curing it, or attaching a sheet with a high reflectance. It is desirable to let them.

樹脂封止部14は、例えばエポキシ系樹脂を用いることができ、蛍光体(図示せず)を含有している。蛍光体は、発光素子12からの光を波長変換して補色となる色を発光するものである。本実施の形態1では、発光素子12として青色に発光するものを採用しており、蛍光体としては黄色に波長変換するものを採用しているので、樹脂封止部14の表面は、発光素子12からの青色と波長変換されたと黄色とが混色して白色となる。   For example, an epoxy resin can be used for the resin sealing portion 14 and contains a phosphor (not shown). The phosphor emits a complementary color by converting the wavelength of light from the light emitting element 12. In the first embodiment, the light emitting element 12 that emits blue light is used, and the phosphor that converts the wavelength to yellow is used. Therefore, the surface of the resin sealing portion 14 is a light emitting element. The blue color from 12 and the yellow color after wavelength conversion are mixed to become white.

以上のように構成される本発明の実施の形態1に係る発光装置10の使用状態について図1および図2に基づいて説明する。   The usage state of the light emitting device 10 according to the first embodiment of the present invention configured as described above will be described with reference to FIGS. 1 and 2.

まず、第1電極113にプラス、第2電極114にマイナスの電圧を印加する。第1電極113および第2電極114に電圧を印加することで、スルーホール電極115および第1配線パターン111、第2配線パターン112を介して発光素子12に電流が流れる。発光素子12から出射された青色の光は、樹脂封止部14の蛍光体を励起する光と、そのまま通過する光とが混色して白色となる。そして、発光素子12の側方からの光は、絶縁基板11を白色のアルミナセラミック基板としているので、効率よく反射させることができる。また、収納部116に収納されたツェナーダイオード13の上方を通過した光は、樹脂封止部14の側面から出射される。従って、絶縁基板11に発光素子12以外のツェナーダイオード13が搭載されていても、発光素子12の側方からの光を阻害することがないので、光取り出し効率の低下を防止することができる。   First, a positive voltage is applied to the first electrode 113 and a negative voltage is applied to the second electrode 114. By applying a voltage to the first electrode 113 and the second electrode 114, a current flows through the light emitting element 12 through the through-hole electrode 115, the first wiring pattern 111, and the second wiring pattern 112. The blue light emitted from the light emitting element 12 is mixed with the light that excites the phosphor of the resin sealing portion 14 and the light that passes through it to become white. And since the insulating substrate 11 is made into the white alumina ceramic substrate, the light from the side of the light emitting element 12 can be reflected efficiently. Further, the light that has passed above the Zener diode 13 stored in the storage unit 116 is emitted from the side surface of the resin sealing unit 14. Therefore, even if the Zener diode 13 other than the light emitting element 12 is mounted on the insulating substrate 11, the light from the side of the light emitting element 12 is not hindered, so that a decrease in light extraction efficiency can be prevented.

また、ツェナーダイオード13は、発光素子12を、ツェナーダイオード13の上面に搭載していないので、第1基板11aから樹脂封止部14の上面までの厚みを薄くできる。従って、絶縁基板11に発光素子12以外のツェナーダイオード13が搭載されていても、発光装置10全体の厚みを薄くできるので、薄型化を向上させることができる。   Further, since the Zener diode 13 does not have the light emitting element 12 mounted on the upper surface of the Zener diode 13, the thickness from the first substrate 11a to the upper surface of the resin sealing portion 14 can be reduced. Therefore, even if the Zener diode 13 other than the light emitting element 12 is mounted on the insulating substrate 11, the thickness of the entire light emitting device 10 can be reduced, and thus the thickness reduction can be improved.

なお収納部116の深さは、ツェナーダイオード13の高さより深ければ、収納部116にツェナーダイオード13を収納することで、発光素子12の側方からの光を阻害することはない。しかし、ツェナーダイオード13の高さより深くすると、発光素子12の側方からの光がツェナーダイオード13の上面全部に到達し難くなるので、ツェナーダイオード13の上面による反射量が減少し、光取り出し効率が低下する。従って、収納部116の深さをツェナーダイオード13の高さと同じとするのが望ましい。すなわち、第1基板11aの厚みをツェナーダイオード13の高さと同じとするのが望ましい。   Note that if the depth of the storage portion 116 is deeper than the height of the Zener diode 13, the light from the side of the light emitting element 12 is not inhibited by storing the Zener diode 13 in the storage portion 116. However, if it is deeper than the height of the Zener diode 13, light from the side of the light emitting element 12 becomes difficult to reach the entire upper surface of the Zener diode 13, so that the amount of reflection by the upper surface of the Zener diode 13 is reduced and the light extraction efficiency is improved. descend. Therefore, it is desirable that the depth of the storage portion 116 is the same as the height of the Zener diode 13. That is, it is desirable that the thickness of the first substrate 11a is the same as the height of the Zener diode 13.

また、ツェナーダイオード13は、発光素子12と並列に接続されているので、静電気のような急峻に立ち上がるノイズをバイパスさせることができる。従って、静電気から発光素子12を保護することができる。更にツェナーダイオード13は、その表面が反射部として機能するので、発光素子12の側方から出射される光を効率よく反射させることができる。   Further, since the Zener diode 13 is connected in parallel with the light emitting element 12, it is possible to bypass noise that rises sharply such as static electricity. Therefore, the light emitting element 12 can be protected from static electricity. Furthermore, since the surface of the Zener diode 13 functions as a reflecting portion, the light emitted from the side of the light emitting element 12 can be efficiently reflected.

本実施の形態では、発光素子12を保護するための素子としてツェナーダイオード13を接続しているが、バイパスコンデンサとしてもよい。   In the present embodiment, the Zener diode 13 is connected as an element for protecting the light emitting element 12, but a bypass capacitor may be used.

(実施の形態2)
本発明の実施の形態2に係る発光装置を図3および図4に基づいて説明する。図3は、本発明の実施の形態2に係る発光装置を示す断面図である。図4は、図3に示す発光装置の平面図である。なお図3および図4においては、図1および図2と同じ構成のものは同符号を付して説明を省略する。
(Embodiment 2)
A light emitting device according to Embodiment 2 of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 3 is a cross-sectional view showing a light-emitting device according to Embodiment 2 of the present invention. FIG. 4 is a plan view of the light-emitting device shown in FIG. 3 and FIG. 4, the same components as those in FIG. 1 and FIG.

図3および図4に示すように、本発明の実施の形態2に係る発光装置20は、発光素子12を絶縁基板21の中央部に配置したものである。そして樹脂封止部22は、実施の形態1の樹脂封止部14と同様に蛍光体を含有した樹脂で形成され、平面視して絶縁基板21と同じ正方形状に形成されている。つまり、発光素子12が絶縁基板21の中央部に配置されていることで、発光素子12の4つの側面121〜124とそれぞれ対向する樹脂封止部22の4つの側面221〜224との間の距離を、等距離としている。また、発光素子12の上面125とこの上面125と対向する樹脂封止部22の上面225との間の距離も、等距離としている。   As shown in FIGS. 3 and 4, the light emitting device 20 according to the second embodiment of the present invention has the light emitting element 12 arranged at the center of an insulating substrate 21. The resin sealing portion 22 is formed of a resin containing a phosphor similarly to the resin sealing portion 14 of the first embodiment, and is formed in the same square shape as the insulating substrate 21 in plan view. That is, since the light emitting element 12 is disposed in the central portion of the insulating substrate 21, the four side surfaces 121 to 124 of the light emitting element 12 and the four side surfaces 221 to 224 of the resin sealing portion 22 facing each other are disposed. The distance is assumed to be equidistant. In addition, the distance between the upper surface 125 of the light emitting element 12 and the upper surface 225 of the resin sealing portion 22 facing the upper surface 125 is also equal.

そして、この絶縁基板21は、実施の形態1と同様に、発光素子12を搭載する搭載面を有し、ツェナーダイオード13の高さと同じ厚みを有する第1基板21aと、第1基板21aよりツェナーダイオード13を搭載する搭載面の領域だけ第1基板21aより広く形成された第2基板21bとを貼り合わせることで形成されている。このように第1基板21aを第2基板21bに貼り合わせることで、発光素子12が搭載された搭載面より一段低いツェナーダイオード13を収納する収納部212が形成されている。従って、この発光装置20にツェナーダイオード13を設けていても収納部212に収納されているので発光素子12の側方からの光を阻害することがない。また、収納部212の深さを、ツェナーダイオード13の高さと同じとしているので、発光素子12の側方からの光がツェナーダイオード13の上面に反射して、樹脂封止部22の側面223から効率よく出射させることができる。   As in the first embodiment, the insulating substrate 21 has a mounting surface on which the light emitting element 12 is mounted, a first substrate 21a having the same thickness as the height of the Zener diode 13, and a Zener than the first substrate 21a. Only the region of the mounting surface on which the diode 13 is mounted is formed by bonding the second substrate 21b formed wider than the first substrate 21a. In this way, by attaching the first substrate 21a to the second substrate 21b, a storage portion 212 that stores the Zener diode 13 that is one step lower than the mounting surface on which the light emitting element 12 is mounted is formed. Therefore, even if the Zener diode 13 is provided in the light emitting device 20, the light from the side of the light emitting element 12 is not obstructed because it is accommodated in the accommodating portion 212. In addition, since the depth of the storage portion 212 is the same as the height of the Zener diode 13, the light from the side of the light emitting element 12 is reflected on the upper surface of the Zener diode 13 and from the side surface 223 of the resin sealing portion 22. The light can be emitted efficiently.

次に、発光装置20の製造方法を、更に図5を参照しながら説明する。図5は、本発明の実施の形態2に係る発光装置の製造方法を示す図である。なお図5においては、正面視しているため発光素子12が1列のみの配置に図示されているが、奥行き方向にも発光素子12が配置されていることで、マトリックス状に配列されている。   Next, a method for manufacturing the light emitting device 20 will be described with reference to FIG. FIG. 5 shows a method for manufacturing the light emitting device according to Embodiment 2 of the present invention. In FIG. 5, since the light emitting elements 12 are illustrated in a single row arrangement as viewed from the front, the light emitting elements 12 are also arranged in the depth direction so that they are arranged in a matrix. .

図3から図5に示すように、この発光装置20を作製するときには、まず第2基板21bとなる基板材23に、縦列および横列に第1基板21aを配置して貼り合わせる。次にスルーホール電極115、第1配線パターン111、第2配線パターン112、第1電極113、第2電極114を所定の位置に形成する。次に、発光素子12およびツェナーダイオード13をそれぞれ配置する。そして金型で型締めして樹脂封止部22となる樹脂層24を形成する。この樹脂層24の厚みは、発光素子12の側面121〜124と、後に個片としたときの樹脂封止部22の側面221〜224との間の距離が、等距離となるよう形成する。この樹脂層24は、スクリーン印刷法で形成することもできる。   As shown in FIGS. 3 to 5, when manufacturing the light emitting device 20, first, the first substrates 21 a are arranged and bonded to the substrate material 23 to be the second substrate 21 b in the vertical and horizontal rows. Next, the through-hole electrode 115, the first wiring pattern 111, the second wiring pattern 112, the first electrode 113, and the second electrode 114 are formed at predetermined positions. Next, the light emitting element 12 and the Zener diode 13 are respectively arranged. And the resin layer 24 used as the resin sealing part 22 is formed by clamping with a metal mold | die. The thickness of the resin layer 24 is formed such that the distance between the side surfaces 121 to 124 of the light emitting element 12 and the side surfaces 221 to 224 of the resin sealing portion 22 when they are later separated into pieces is equal. The resin layer 24 can also be formed by a screen printing method.

そして、ダイサーで基板材23を切断線Cごとに切断して個片とすることで、図3および図4に示す発光装置20とする。   And the board | substrate material 23 is cut | disconnected for every cutting line C with a dicer, and it is set as the light-emitting device 20 shown in FIG. 3 and FIG.

ここで、等距離とは、図5に示す樹脂層24を形成する際の誤差、および切断線Cでダイシングするときの誤差程度の違いは含まれる。つまり、意図的に発光素子12の各発光面(側面121〜124および上面125)から、その各面と対向する樹脂封止部22の各面(側面221〜224および上面225)とを異なる距離としている以外は含まれる。   Here, the equidistance includes a difference in error when forming the resin layer 24 shown in FIG. 5 and a difference in error when dicing along the cutting line C. That is, intentionally different distances from the respective light emitting surfaces (side surfaces 121 to 124 and the upper surface 125) of the light emitting element 12 to the respective surfaces (side surfaces 221 to 224 and the upper surface 225) of the resin sealing portion 22 facing the respective surfaces. Included except.

このように発光装置20を作製することで、樹脂封止部22を平面視して絶縁基板21と同じ正方形状に形成するだけでなく、絶縁基板21に対して樹脂封止部22の側面221〜224を垂直面とすることができる。   By manufacturing the light emitting device 20 in this way, the resin sealing portion 22 is not only formed in the same square shape as the insulating substrate 21 in plan view, but also the side surface 221 of the resin sealing portion 22 with respect to the insulating substrate 21. ˜224 can be the vertical plane.

つまり、発光素子12の各発光面(側面121〜124および上面125)と、その各面と対向する樹脂封止部22の各面(側面221〜224および上面225)とが平行となるので、その間の距離が等距離となる。従って、発光素子12の各面から樹脂封止部22の各面へ、光が直接到達する距離が等しくなるので、通過することで蛍光体により波長変換される光の度合いを同じにすることができる。   That is, each light emitting surface (side surfaces 121 to 124 and upper surface 125) of the light emitting element 12 and each surface (side surfaces 221 to 224 and upper surface 225) of the resin sealing portion 22 facing each surface are parallel. The distance between them is equidistant. Therefore, since the distance that light directly reaches from each surface of the light emitting element 12 to each surface of the resin sealing portion 22 becomes equal, the degree of light whose wavelength is converted by the phosphor by passing through can be made the same. it can.

収納部212の深さをツェナーダイオード13の高さと同じとしているので、ツェナーダイオード13の上面の位置と第1基板21aの搭載面との位置とが同じ高さである。従って、発光素子12の側面123を除く側面121、122、124から第1基板21aに一旦反射して樹脂封止部22の側面223を除く側面221、222、224へ到達する光と、発光素子12の側面123からツェナーダイオード13の上面に反射して樹脂封止部22の側面223へ到達する光とが、それぞれ進行することで蛍光体により波長変換される度合いを、それぞれ同じとすることができる。   Since the depth of the storage portion 212 is the same as the height of the Zener diode 13, the position of the upper surface of the Zener diode 13 and the position of the mounting surface of the first substrate 21a are the same height. Therefore, the light that once reflects from the side surfaces 121, 122, and 124 except the side surface 123 of the light emitting element 12 to the first substrate 21a and reaches the side surfaces 221, 222, and 224 except the side surface 223 of the resin sealing portion 22, and the light emitting element The degree of the wavelength conversion of the phosphors by the light traveling from the side surfaces 123 of the twelve side surfaces 123 to the upper surface of the Zener diode 13 and reaching the side surfaces 223 of the resin sealing portion 22 may be the same. it can.

よって、樹脂封止部22の各面(側面221〜224および上面225)から出射される光の色むらを防止することができる。   Therefore, uneven color of light emitted from each surface (side surfaces 221 to 224 and upper surface 225) of the resin sealing portion 22 can be prevented.

以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、例えば、発光装置10,20は、他の素子として発光素子12を静電気から保護するツェナーダイオード13を搭載しているが、ツェナーダイオードとしてもよいし、電流を制限する抵抗としてもよし、他の機能を有する制御IC(Integrated Circuit)としてもよい。   Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments. For example, the light emitting devices 10 and 20 protect the light emitting elements 12 from static electricity as other elements. Although the Zener diode 13 is mounted, it may be a Zener diode, a resistor for limiting the current, or a control IC (Integrated Circuit) having other functions.

また、他の素子として複数搭載されていても、収納部に収納されていれば光の進行を阻害しないので問題はない。更に発光素子も複数搭載されていても、他の素子を収納部に収納することで、同様の効果を得ることができる。   Even if a plurality of other elements are mounted, there is no problem because the light does not hinder the light if it is stored in the storage section. Further, even when a plurality of light emitting elements are mounted, the same effect can be obtained by storing other elements in the storage portion.

本発明は、発光素子以外の他の素子が基板に搭載されていても、薄型化を図りつつ、光取り出し効率の低下を防止することができるので、基板上に発光素子と他の素子とが搭載された発光装置に好適である。   In the present invention, even when other elements than the light emitting element are mounted on the substrate, it is possible to prevent the light extraction efficiency from being lowered while reducing the thickness. It is suitable for a mounted light emitting device.

本発明の実施の形態1に係る発光装置を示す断面図Sectional drawing which shows the light-emitting device which concerns on Embodiment 1 of this invention. 図1に示す発光装置の平面図FIG. 1 is a plan view of the light emitting device shown in FIG. 本発明の実施の形態2に係る発光装置を示す断面図Sectional drawing which shows the light-emitting device concerning Embodiment 2 of this invention. 図3に示す発光装置の平面図FIG. 3 is a plan view of the light emitting device shown in FIG. 本発明の実施の形態2に係る発光装置の製造方法を示す図The figure which shows the manufacturing method of the light-emitting device which concerns on Embodiment 2 of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

10 発光装置
11 絶縁基板
11a 第1基板
11b 第2基板
110 配線パターン
111 第1配線パターン
112 第2配線パターン
113 第1電極
114 第2電極
115 スルーホール電極
116 収納部
12 発光素子
120 バンプ
121〜124 側面
125 上面
13 ツェナーダイオード
131 バンプ
14 樹脂封止部
20 発光装置
21 絶縁基板
21a 第1基板
21b 第2基板
212 収納部
22 樹脂封止部
221〜224 側面
225 上面
23 基板材
24 樹脂層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Light-emitting device 11 Insulating substrate 11a 1st board | substrate 11b 2nd board | substrate 110 Wiring pattern 111 1st wiring pattern 112 2nd wiring pattern 113 1st electrode 114 2nd electrode 115 Through-hole electrode 116 Storage part 12 Light emitting element 120 Bump 121-124 Side surface 125 Upper surface 13 Zener diode 131 Bump 14 Resin sealing portion 20 Light emitting device 21 Insulating substrate 21a First substrate 21b Second substrate 212 Storage portion 22 Resin sealing portions 221 to 224 Side surface 225 Upper surface 23 Substrate material 24 Resin layer

Claims (5)

配線パターンが形成された基板と、
前記基板上に搭載された発光素子および1以上の他の素子とを備え、
前記基板には、前記他の素子の高さ以上の深さを有し、内底面に前記他の素子が収納された収納部が形成されていることを特徴とする発光装置。
A substrate on which a wiring pattern is formed;
A light emitting device mounted on the substrate and one or more other devices,
The light emitting device according to claim 1, wherein the substrate has a depth greater than or equal to the height of the other element, and a storage portion in which the other element is stored is formed on an inner bottom surface.
前記発光素子からの光により励起されて波長変換する蛍光体を含有した樹脂で、前記発光素子と前記1以上の他の素子とを封止した樹脂封止部が設けられ、
前記樹脂封止部は、前記発光素子の発光面と対向する面までの間が等距離となるように形成されていることを特徴とする請求項1記載の発光装置。
A resin-sealed portion that seals the light-emitting element and the one or more other elements with a resin containing a phosphor that is excited by light from the light-emitting element to convert the wavelength,
The light emitting device according to claim 1, wherein the resin sealing portion is formed so as to be equidistant from a surface facing the light emitting surface of the light emitting element.
前記収納部の深さは、前記他の素子の高さとほぼ同じ高さとしたことを特徴とする請求項1または2記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 1, wherein a depth of the storage portion is substantially the same as a height of the other element. 前記収納部に収納された前記他の素子の上面に、前記発光素子からの光を反射する反射部が形成されていることを特徴とする請求項1から3のいずれかの項に記載の発光装置。 The light emitting device according to any one of claims 1 to 3, wherein a reflection portion that reflects light from the light emitting element is formed on an upper surface of the other element housed in the housing portion. apparatus. 前記他の素子は、前記発光素子のアノードおよびカソードのそれぞれに接続され、前記発光素子への静電気をバイパスさせる機能を備えていることを特徴とする請求項1から4のいずれかの項に記載の発光装置。 5. The device according to claim 1, wherein the other element is connected to each of an anode and a cathode of the light emitting element and has a function of bypassing static electricity to the light emitting element. Light-emitting device.
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