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JP2008057000A - Film deposition system of lithium or lithium alloy - Google Patents

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JP2008057000A
JP2008057000A JP2006235801A JP2006235801A JP2008057000A JP 2008057000 A JP2008057000 A JP 2008057000A JP 2006235801 A JP2006235801 A JP 2006235801A JP 2006235801 A JP2006235801 A JP 2006235801A JP 2008057000 A JP2008057000 A JP 2008057000A
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lithium
film forming
film
substrate
transport pipe
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JP2006235801A
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Japanese (ja)
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Hidetsugu Fuchida
英嗣 渕田
Yoshiyuki Honjo
嘉之 本城
Yukio Yamakawa
幸雄 山川
Hironori Yamazaki
浩則 山崎
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FUCHITA NANO GIKEN KK
HONJIYOU KINZOKU KK
HONSHU KINZOKU KK
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FUCHITA NANO GIKEN KK
HONJIYOU KINZOKU KK
HONSHU KINZOKU KK
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a film deposition system where, in a gas deposition device comprising an evaporation source, a hyperfine particle formation chamber, a carrier tube and a film deposition chamber with a built-in substrate arranged so as to be confronted with a nozzle, and in which hyperfine particles formed by being heated and evaporated from the evaporation source are carried to the film deposition chamber in a vacuum together with an inert gas from the hyperfine particle formation chamber with the carrier tube and are jetted from the nozzle, so as to deposit a film of the hyperfine particles on the substrate, the carrier tube and the nozzle are heated, at the upper part than the inlet end of the carrier tube, a suction tube with a diameter larger than that of the carrier tube is arranged coaxially with the carrier tube, and an annular space between the suction tube and the carrier tube is connected to an exhaust apparatus, a transferrable lithium thin film is deposited on the substrate. <P>SOLUTION: The evaporation source is an evaporation source of lithium or a lithium alloy, the substrate is made of a flexible, heat resistant synthetic resin, and, while heating the surface of the substrate to a temperature lower than the softening point of the synthetic resin, a film of the hyperfine particles of lithium or a lithium alloy is deposited. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明はリチウムまたはリチウム合金の成膜装置に関するものであり、詳しくはリチウムまたはリチウム合金の超微粒子を不活性ガスによって搬送し、ノズルから高速で噴射させて、対向する基板上にリチウムまたはリチウム合金の超微粒子の膜を形成させるガスデポジション装置を用いたリチウムまたはリチウム合金の成膜装置に関する。 The present invention relates to a film forming apparatus for lithium or lithium alloy, and more specifically, lithium or lithium alloy ultrafine particles are conveyed by an inert gas and sprayed from a nozzle at a high speed to form lithium or lithium alloy on an opposing substrate. The present invention relates to a film forming apparatus for lithium or lithium alloy using a gas deposition apparatus for forming a film of ultrafine particles.

図4は従来例によるガスデポジション装置1の全体を示し、概しては、超微粒子生成室21、搬送管31、膜形成室41がほぼ垂直方向に配置されている。 FIG. 4 shows the entire gas deposition apparatus 1 according to the conventional example. In general, the ultrafine particle generation chamber 21, the transfer pipe 31, and the film formation chamber 41 are arranged in a substantially vertical direction.

超微粒子生成室21内には、蒸発源としての蒸発材料Auを入れた開口径5.0mmφのルツボ22が配設されている。ルツボ22の周囲には高周波加熱のためのコイル23が巻装され、コイル23は超微粒子生成室21の外部に設置された交流電源24と接続されている。 In the ultrafine particle generation chamber 21, a crucible 22 having an opening diameter of 5.0 mmφ containing an evaporation material Au as an evaporation source is disposed. A coil 23 for high-frequency heating is wound around the crucible 22, and the coil 23 is connected to an AC power source 24 installed outside the ultrafine particle generation chamber 21.

又、超微粒子生成室21には室内を所定の圧力に維持し、かつ生成した超微粒子を搬送するためのHeガスが、メッシュ・フィルタ式導入口25を経て導入される。すなわち、ボンベ2から可変流量バルブ3を経たHeガスは、フィルタの面積と開口率とを変更し得るメッシュ・フィルタ式導入口25により、蒸発源周囲のガス流速を調節されて、超微粒子生成室21へ導入されるようになっている。更に超微粒子生成室21には圧力計6が取り付けられている。 Further, He gas for maintaining the interior of the ultrafine particle generation chamber 21 at a predetermined pressure and conveying the generated ultrafine particles is introduced through the mesh filter type inlet 25. That is, the He gas that has passed through the variable flow rate valve 3 from the cylinder 2 is adjusted in the gas flow rate around the evaporation source by the mesh filter type inlet 25 that can change the area and opening ratio of the filter, and the ultrafine particle generation chamber. 21 is introduced. Furthermore, a pressure gauge 6 is attached to the ultrafine particle generation chamber 21.

搬送管31はほぼ垂直に配設された内径4.3mmφの直管である。その下端部は超微粒子生成室21に挿入されて、入口端31aをルツボ22の開口端の直上方30mmに位置させ、上端部は膜形成室41に挿入されている。搬送管31の出口端31bには超微粒子を噴射させるノズル32が接続されている。 The conveyance pipe 31 is a straight pipe having an inner diameter of 4.3 mmφ arranged almost vertically. The lower end is inserted into the ultrafine particle generation chamber 21, the inlet end 31 a is positioned 30 mm directly above the opening end of the crucible 22, and the upper end is inserted into the film forming chamber 41. A nozzle 32 for injecting ultrafine particles is connected to the outlet end 31 b of the transport pipe 31.

ノズル32は内径0.6mmφの細孔部33を有しており、図5に示すようにノズル32の軸心を通る断面において、内径4.3mmφの搬送管31の出口端31bとの接続個所から細孔部33の入口33aまでの間がトロコイド曲線に沿う形状で絞られており、かつ搬送管31とノズル32との接続個所の内面間に段差をなくし、搬送管31自体も屈曲部を持たない直管としていることも合わせて、搬送する超微粒子の流れに乱れが生じないようにされている。 The nozzle 32 has a pore 33 having an inner diameter of 0.6 mmφ, and as shown in FIG. 5, in a cross section passing through the axial center of the nozzle 32, a connection point with the outlet end 31 b of the transport pipe 31 having an inner diameter of 4.3 mmφ. To the inlet 33a of the pore 33 is narrowed in a shape that follows the trochoid curve, and a step is eliminated between the inner surfaces of the connection portion between the transport pipe 31 and the nozzle 32, and the transport pipe 31 itself has a bent portion. Combined with the fact that it is a straight pipe that does not have, the flow of ultrafine particles to be conveyed is not disturbed.

更には、搬送管31とノズル32とは加熱されるようになっている。図4に戻り、搬送管31はそれ自体が抵抗体として発熱するように上端部と下端部との間に直流電源55が接続されている。図6は搬送管31と直流電源55との他の結線例であり、膜形成室41をアースとし、かつ搬送管31の外気露出部の超微粒子生成室21に近い個所と膜形成室41との間に抵抗Rを並列に接続して、搬送管31に温度勾配を付して加熱することを可能ならしめている。又、図7に示すように、ノズル32には他の交流電源57と接続したシースヒータ56が巻装されている。 Furthermore, the conveyance pipe 31 and the nozzle 32 are heated. Returning to FIG. 4, the DC power supply 55 is connected between the upper end and the lower end so that the transport pipe 31 itself generates heat as a resistor. FIG. 6 shows another example of connection between the transfer pipe 31 and the DC power supply 55. The film formation chamber 41 is grounded, and the portion close to the ultrafine particle generation chamber 21 in the outside air exposed portion of the transfer pipe 31 and the film formation chamber 41 A resistor R is connected in parallel between the two, so that the conveyance pipe 31 can be heated with a temperature gradient. As shown in FIG. 7, a sheath heater 56 connected to another AC power source 57 is wound around the nozzle 32.

更には、図4を参照して、超微粒子生成室21内において、搬送管31の入口端31aより上方に、搬送管31と軸心を共有する大径の吸込管34が二重管として設けられ、搬送管31との間に環状空間が形成されている。この吸込管34はルツボ22の直上部以外の超微粒子生成室21内に滞留する超微粒子を吸込むべく設けられている。吸込管34は超微粒子生成室21の外側において搬送管31と分離され、真空バルブ35を介し真空ポンプ36に接続されている。 Furthermore, referring to FIG. 4, in the ultrafine particle generation chamber 21, a large-diameter suction pipe 34 sharing an axis with the transport pipe 31 is provided as a double pipe above the inlet end 31 a of the transport pipe 31. An annular space is formed between the transfer pipe 31 and the transfer pipe 31. The suction pipe 34 is provided to suck in the ultrafine particles staying in the ultrafine particle generation chamber 21 other than the portion directly above the crucible 22. The suction pipe 34 is separated from the transport pipe 31 outside the ultrafine particle generation chamber 21 and is connected to a vacuum pump 36 through a vacuum valve 35.

又更には、搬送管31と吸込管34との二重管が超微粒子生成室21の壁を貫通する真空接続部は、金属ベローズ37を介在させた接続としている。金属ベローズ37の一方のフランジは超微粒子生成室21の外壁の開口部の外周部に固定し、他方のフランジは吸込管34に設けたフランジ39に固定することによって、搬送管31の入口端31aのカーボン・ルツボ22上の位置調整のために、二重管、すなわち搬送管31を若干傾けることのできる真空接続としている。 Furthermore, the vacuum connection part through which the double pipe of the conveyance pipe 31 and the suction pipe 34 penetrates the wall of the ultrafine particle production chamber 21 is connected with a metal bellows 37 interposed. One flange of the metal bellows 37 is fixed to the outer peripheral portion of the opening of the outer wall of the ultrafine particle generation chamber 21, and the other flange is fixed to a flange 39 provided on the suction pipe 34, whereby the inlet end 31 a of the transport pipe 31 is fixed. In order to adjust the position on the carbon crucible 22, the double pipe, that is, the vacuum pipe connection that can slightly tilt the transport pipe 31 is used.

図4において、膜形成室41内にはノズル32に直角に対向して、基板42が配置されている。基板42はこれを取り付けている操作板9によって矢印に示すX軸方向、これと直角なY軸方向、に移動されるようになっている。そして、操作板9は基板42を加熱するための図示しない加熱機構を備えている。又膜形成室41には真空バルブ4を介して真空ポンプ5が接続されており、更には真空計7が取り付けられている。 In FIG. 4, a substrate 42 is disposed in the film forming chamber 41 so as to face the nozzle 32 at a right angle. The substrate 42 is moved in the X-axis direction indicated by the arrow and the Y-axis direction perpendicular thereto by the operation plate 9 to which the substrate 42 is attached. The operation plate 9 includes a heating mechanism (not shown) for heating the substrate 42. A vacuum pump 5 is connected to the film forming chamber 41 via a vacuum valve 4, and a vacuum gauge 7 is further attached.

従来例は以上のように構成されるが、次にその作用について説明する。 The conventional example is configured as described above, and the operation thereof will be described next.

図4において、真空バルブ4を開とし、真空ポンプ5によって膜形成室41を真空引きする。同時に真空バルブ35を開とし真空ポンプ36によって吸込管34からの真空引きも開始する。一方、可変流量バルブ3を開としボンベ2のHeガスをメッシュ・フィルタ式導入口25から超微粒子生成室21へ2atmの圧力を維持するように導入する。なお、メッシュ・フィルタ式導入口25には、Heガスの流量を40SLM(1分間当りの標準状態リットル数)としても蒸発源近傍の流速が0.2m/sec程度であるように、開口率50%、面積85cm2 のフィルタが使用されている。 In FIG. 4, the vacuum valve 4 is opened, and the film forming chamber 41 is evacuated by the vacuum pump 5. At the same time, the vacuum valve 35 is opened and the vacuum pump 36 starts evacuation from the suction pipe 34. On the other hand, the variable flow valve 3 is opened, and the He gas in the cylinder 2 is introduced from the mesh filter type inlet 25 to the ultrafine particle production chamber 21 so as to maintain a pressure of 2 atm. The mesh filter type inlet 25 has an opening ratio of 50 so that the flow rate in the vicinity of the evaporation source is about 0.2 m / sec even if the flow rate of He gas is 40 SLM (standard liters per minute). %, An area of 85 cm 2 is used.

導入するHeガスの流量40SLMのうち、搬送管31を経由してノズル32から噴出されるHeガスを約10SLM、吸込管34によって吸込まれ系外へ排出されるHeガスを約30SLMとなるようにする。吸込管34へのHeガス量を大としているのは次の理由による。すなわち超微粒子の生成が定常状態にあっても、搬送管31に吸引されずに超微粒子生成室21内に放出され滞留する超微粒子が存在し、これら余分の超微粒子は滞留中に凝集体となって何時かは搬送管31に吸引され、形成される膜に悪影響を与える。従ってこれらを可及的に早く排出する必要があるからである。 Of the He gas flow rate 40 SLM to be introduced, the He gas ejected from the nozzle 32 via the transfer pipe 31 is about 10 SLM, and the He gas sucked by the suction pipe 34 and discharged outside the system is about 30 SLM. To do. The reason for increasing the amount of He gas to the suction pipe 34 is as follows. That is, even when the production of ultrafine particles is in a steady state, there are ultrafine particles that are discharged and stay in the ultrafine particle production chamber 21 without being sucked into the transport pipe 31, and these extra ultrafine particles are aggregated during the stay. At some time, it is sucked into the transport pipe 31 and adversely affects the formed film. Therefore, it is necessary to discharge these as soon as possible.

このような条件下で、膜形成室41の真空計7は0.3Torrを示し、超微粒子生成室21と膜形成室41との間に約2atmの差圧が形成される。 Under such conditions, the vacuum gauge 7 in the film formation chamber 41 shows 0.3 Torr, and a differential pressure of about 2 atm is formed between the ultrafine particle generation chamber 21 and the film formation chamber 41.

更には、搬送管31自体及びノズル27を巻装するシースヒータに通電してそれぞれを加熱し、搬送管31の入口端31a近傍で約300℃、ノズルで約350℃となるように温度勾配を与えて温度制御する。基板42も加熱して200℃の温度とする。 Further, the sheath heater around which the transport pipe 31 itself and the nozzle 27 are wound is energized to heat each, and a temperature gradient is applied so that the temperature is about 300 ° C. near the inlet end 31a of the transport pipe 31 and about 350 ° C. with the nozzle. To control the temperature. The substrate 42 is also heated to a temperature of 200 ° C.

次いでAu5grを入れたルツボ22を1500℃の温度に加熱し、Auを溶かして蒸発させると、雰囲気が圧力2atmのHeガスであるため、Auの蒸気は超微粒子となる。生成した超微粒子の殆どはルツボ22の開口部から立ちのぼり、2atmの差圧によって搬送管31の入口31aへ吸引される。そして、蒸発源周辺のHeガスの流速を0.2m/secとしているので超微粒子の立ちのぼりの形状は乱されることなく、安定した吸引となる。 Next, when the crucible 22 containing 5 gr of Au is heated to a temperature of 1500 ° C., the Au is melted and evaporated, the atmosphere of the gas is He gas having a pressure of 2 atm, so the vapor of Au becomes ultrafine particles. Most of the generated ultrafine particles rise from the opening of the crucible 22 and are sucked into the inlet 31a of the transport pipe 31 by a differential pressure of 2 atm. Since the flow rate of He gas around the evaporation source is 0.2 m / sec, the shape of the rising edge of the ultrafine particles is not disturbed, and the suction is stable.

この時、金属ベローズ37によって傾斜可能となっている搬送管31を操作して、超微粒子の搬送量が最大となるように、すなわち、搬送管31に吸引されない超微粒子量が最小となるように、搬送管31の入口端31aとルツボ22との位置調整を行なう。搬送量が最大となる位置は使用する不活性ガスの種類、ガス導入量、超微粒子生成室21と膜形成室41との差圧の大きさなどによって微妙に変化するからである。なお、超微粒子の搬送量は実際には膜形成室41内で基板42を固定した場合の膜堆積高さ速度(μm/sec)によって測定される。 At this time, the conveyance tube 31 that can be tilted by the metal bellows 37 is operated so that the conveyance amount of the ultrafine particles is maximized, that is, the amount of ultrafine particles that are not sucked into the conveyance tube 31 is minimized. The position of the inlet end 31a of the transport pipe 31 and the crucible 22 is adjusted. This is because the position where the conveyance amount is maximum varies slightly depending on the type of inert gas used, the amount of gas introduced, the magnitude of the differential pressure between the ultrafine particle generation chamber 21 and the film formation chamber 41, and the like. The transport amount of ultrafine particles is actually measured by the film deposition height rate (μm / sec) when the substrate 42 is fixed in the film forming chamber 41.

搬送管31へ吸引されたAuの超微粒子はHeガスと共に加熱された搬送管31内を搬送され、加熱されたノズルから200℃に加熱された基板42上へ高速で噴射される。 The ultrafine particles of Au sucked into the transport pipe 31 are transported in the transport pipe 31 heated together with the He gas, and are jetted at a high speed onto the substrate 42 heated to 200 ° C. from the heated nozzle.

このような条件下で操作板9と共に基板42をX軸方向、Y軸方向に移動させてAuの超微粒子を基板42上に噴射させたが、10時間の間、膜堆積高さ速度は6μm/secと一定しており、かつ膜中に見られる粒子の径は0.1μm以下である凝集体のないAu膜が基材のNi面上に形成された。 Under such conditions, the substrate 42 was moved in the X-axis direction and the Y-axis direction together with the operation plate 9 to inject Au ultrafine particles onto the substrate 42. During 10 hours, the film deposition height rate was 6 μm. An Au film having no aggregate and having a particle diameter of 0.1 μm or less was formed on the Ni surface of the substrate.

特開平 7−166332号公報JP 7-166332 A

然るに現在、リチウム電池の開発が盛んに行われているが、例えば、リチウム電池用またはハイブリッド用キャパシタ用電極にそれらの性能を向上させるためにリチウム薄膜を形成させたい場合がある。上記特許文献ではガスデポジッション装置を使って、超微粒子のAu膜を基材のニッケル面上に形成したが、その密着強度は非常に大きい。Au膜の代わりにLi 膜を形成させたとしても、その密着強度は非常に大きいものと思われる.実際に、銅材にリチウム膜を形成して、上記電極に転写せんとしても銅との密着強度は非常に大きくて、上記電極に転写することが出来ない。すなわち、銅面からリチウム薄膜を剥離することが出来ない.他方、ガスデポジッション装置で形成される超微粒子のリチウム膜のリチウムの純度は非常に高いので、その転写技術が強く望まれているところである。 However, lithium batteries are currently being actively developed. For example, there is a case where a lithium thin film is desired to be formed on an electrode for a lithium battery or a hybrid capacitor in order to improve their performance. In the above patent document, a gas deposition apparatus is used to form an ultrafine Au film on the nickel surface of the substrate, but the adhesion strength is very high. Even if a Li film is formed instead of an Au film, the adhesion strength seems to be very high. Actually, even when a lithium film is formed on a copper material and transferred to the electrode, the adhesion strength with copper is very high and cannot be transferred to the electrode. That is, the lithium thin film cannot be peeled off from the copper surface. On the other hand, since the purity of lithium in the ultrafine lithium film formed by the gas deposition apparatus is very high, the transfer technique is strongly desired.

以上の課題は蒸発源、その上方に位置する搬送管の入口部及び不活性ガスの導入部を内蔵する超微粒子生成室と、前記搬送管と、前記搬送管の出口部、該出口部に接続されたノズル及び該ノズルに対向して配置される基板を内蔵する膜形成室とからなり、前記蒸発源から加熱蒸発されて生成する超微粒子を前記不活性ガスと共に前記超微粒子によって真空下の前記膜形成室へ搬送し、前記ノズルから噴射させて、前記基板上に超微粒子の膜を形成させるようにし、前記搬送管と前記ノズルとの両者に加熱手段が設けられておりかつ記搬送管の入り口端より上方に前記搬送管と同心軸的に該搬送管より大径の吸い込み管が配設され、該吸い込み管と前記搬送管との間の環状空間が排気装置に接続されているガスデポジション装置において、前記蒸発源はリチウムまたはリチウム合金の前記蒸発源であり、前記基板はフレキシブルで耐熱性のある合成樹脂でなり、該基板の表面温度を前記合成樹脂の軟化点以下の温度に加熱しながら超微粒子のリチウムまたはリチウム合金の膜を形成させるようにしたことを特徴とする成膜装置、によって解決される。
The problems described above are connected to the evaporation source, the ultrafine particle generation chamber containing the inlet portion of the transport pipe located above and the introduction portion of the inert gas, the transport pipe, the outlet section of the transport pipe, and the outlet section. And a film forming chamber containing a substrate disposed opposite to the nozzle, and the ultrafine particles generated by heating and evaporation from the evaporation source together with the inert gas are vacuumed by the ultrafine particles. The film is transported to a film forming chamber and sprayed from the nozzle to form an ultrafine particle film on the substrate, and heating means are provided in both the transport pipe and the nozzle, and A suction pipe having a diameter larger than that of the transport pipe is disposed concentrically with the transport pipe above the inlet end, and an annular space between the suction pipe and the transport pipe is connected to an exhaust device. In the position device, The source is the evaporation source of lithium or lithium alloy, the substrate is made of a flexible and heat-resistant synthetic resin, and the surface temperature of the substrate is heated to a temperature lower than the softening point of the synthetic resin while This can be solved by a film forming apparatus characterized in that a film of lithium or lithium alloy is formed.

超微粒子のリチウムまたはリチウム合金の膜は、生産過程の条件を制御することにより、高純度なリチウムの純度を保持した成膜が可能である。また基材に形成したリチウムまたはリチウム合金膜はリチウム電池用電極またはハイブリッドキャパシタ用電極上に容易に転写することが出来る。このようにして製造されたリチウム二次電池の不可逆容量は少ない、電気化学的容量は従来より大きいなどの優れた電池特性をもつ。
An ultrafine lithium or lithium alloy film can be formed while maintaining the purity of high-purity lithium by controlling the production process conditions. The lithium or lithium alloy film formed on the substrate can be easily transferred onto the lithium battery electrode or the hybrid capacitor electrode. The lithium secondary battery thus produced has excellent battery characteristics such as low irreversible capacity and higher electrochemical capacity than conventional ones.

以下、本発明の実施の形態のリチウムの成膜装置につき図面を参照して説明する。
図1は同成膜装置の要部を示すが図示しない他部分は図4の従来技術と同等である。
なお、リチウムを収容する坩堝22は本実施の形態ではタンタルでなり、抵抗加熱方式で加熱される。
また、ヘリウムガスの純度は99.9995%以上とされる。
本実施の形態では、基材(基板ともいう)として短冊状のポリプロピレンmのシートが四隅で押さえねじgにより操作盤9に固定される.操作盤9は加熱機構を内蔵し、またノズル32も加熱されている。ノズル32の開口と基材mと間隔は5mmとされている。基材mの表面温度は図示しない熱電対による温度測定により、80℃となるように制御されている。
Hereinafter, a lithium film forming apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 shows a main part of the film forming apparatus, but other parts not shown are the same as those of the prior art of FIG.
Note that the crucible 22 containing lithium is made of tantalum in this embodiment and is heated by a resistance heating method.
Further, the purity of helium gas is set to 99.9995% or more.
In the present embodiment, a strip-shaped polypropylene m sheet is fixed to the operation panel 9 by holding screws g at four corners as a base material (also referred to as a substrate). The operation panel 9 has a built-in heating mechanism, and the nozzle 32 is also heated. The distance between the opening of the nozzle 32 and the base material m is 5 mm. The surface temperature of the base material m is controlled to be 80 ° C. by measuring the temperature with a thermocouple (not shown).

蒸発源が加熱され、超微粒子のリチウムがノズル32から噴出される。操作盤9はX方向に移動する.所定距離移動すると、ノズル32からの噴出を一旦、停止させX方向とは垂直方向のY方向に所定距離移動させてから、再び、ノズルから超微粒子のリチウムを噴出させながら操作盤9をX方向に移動させる。 The evaporation source is heated, and ultrafine lithium is ejected from the nozzle 32. The operation panel 9 moves in the X direction. After moving a predetermined distance, the ejection from the nozzle 32 is temporarily stopped, moved a predetermined distance in the Y direction perpendicular to the X direction, and then the operation panel 9 is moved in the X direction while ejecting ultrafine lithium from the nozzle again. Move to.

以上のようにして基材m上に所定幅のリチウム膜が形成される。
膜形成室41内は、図示しないがグローブボックス仕様となっており、高純度なArガスでの雰囲気での取り扱いが可能な構造と成っている。大気圧のAr ガスで満たし、操作盤9に固定されている基材mは押さえねじgを外して、密封容器に入れ外部に取り出される。図2は長尺基材用の転写装置を示し、後に詳述するが、この装置の主要部であるロールプレス機の一対の圧縮ロール68,70間の間隙に、転写されるリチウム電池用電極n(これも基材mとほぼ同面積)と端部を揃えて相通させる。これらの圧縮ロール機は、図示しないが、ドライルームあるいはグローブボックス内に設置されているものとする。
相互に押し合う圧縮ロール68、70間を通るときに、リチウム膜形成基材Li +m の
リチウム膜 Li はリチウム電池用電極材n上に転写される。
As described above, a lithium film having a predetermined width is formed on the base material m.
Although the film forming chamber 41 has a glove box specification (not shown), it can be handled in an atmosphere of high-purity Ar gas. The base material m filled with Ar gas at atmospheric pressure and fixed to the operation panel 9 is removed from the holding screw g, put into a sealed container, and taken out to the outside. FIG. 2 shows a transfer device for a long base material, which will be described in detail later. An electrode for a lithium battery transferred to a gap between a pair of compression rolls 68 and 70 of a roll press machine which is a main part of this device. n (this is also approximately the same area as the base material m) and the ends are aligned and communicated. Although not shown, these compression roll machines are installed in a dry room or a glove box.
When passing between the compression rolls 68 and 70 that are pressed against each other, the lithium film Li of the lithium film forming base material Li + m is transferred onto the lithium battery electrode material n.

第一の実施の形態はバッチ式の成膜装置であるが、次に第2の実施の形態による連続式成膜装置あるいは長尺用成膜装置につき図2及び図3を参照して説明する。
図3においても図示しない他の部分は従来例の図4と同様である。膜形成室80は真空下に置かれる。室内には巻き出しロール82と巻き取りロール84とが配設されている。巻き出しロール82の軸82aにはリチウム膜が形成される基材としてのポリプロピレンMが卷回されている。ここから巻きだされた基材Mは補助ローラ86,88、ガイド板(加熱機構を内蔵するか、これ自体が加熱体であってもよい)94、補助ローラ90,92を通って巻き取りロール84の軸84a に巻き取られる。軸84a には駆動モータが取り付けられている。
The first embodiment is a batch type film forming apparatus. Next, a continuous film forming apparatus or a long film forming apparatus according to a second embodiment will be described with reference to FIGS. .
3 are the same as those in FIG. 4 of the conventional example. The film forming chamber 80 is placed under vacuum. An unwinding roll 82 and a winding roll 84 are disposed in the room. Polypropylene M as a base material on which a lithium film is formed is wound around the shaft 82a of the unwinding roll 82. The base material M unwound from here is auxiliary rollers 86 and 88, a guide plate (which incorporates a heating mechanism or may itself be a heating body) 94, auxiliary rollers 90 and 92, and a winding roll. 84 is wound around a shaft 84a. A drive motor is attached to the shaft 84a.

本実施の形態でも、ポリプロピレンMの表面は軟化点以下の例えば80℃に加熱されるように基材Mの走行速度や、ガイド板94の温度や、ノズル32の温度が設定される。
基材Mが矢印で示すように走行し、ノズル32から超微粒子のリチウムが噴出されると、
基材M上にリチウム膜が形成される。
Also in the present embodiment, the traveling speed of the base material M, the temperature of the guide plate 94, and the temperature of the nozzle 32 are set so that the surface of the polypropylene M is heated to, for example, 80 ° C. below the softening point.
When the base material M travels as indicated by an arrow and ultrafine lithium is ejected from the nozzle 32,
A lithium film is formed on the substrate M.

次に転写装置について説明する。
図2において巻き出しロール60には成膜された基材Mが卷回され、下方の巻き出しロール62にはリチウム電池用電極材n が卷回されている。基材Mは補助ロール64,72を介して巻き取りロール76に巻き取られる。電極材nは補助ロール66、74を介して巻き取りロール78に巻き取られる。補助ロール64,72 と補助ロール66,74との間にはロールプレス機の一対の圧力ロール68,70が配設される。
図3において、成膜された巻取りロール84が高純度なAr 雰囲気中、あるいはドライルーム中で取り扱われ、図2の転写装置の巻き出しロール60としてセットする。また運転開始にあたって、リチウム電極材nを卷回させた巻き出しローラ62を図示の位置にセットする。なお基材mと電極材nとの各端部は揃えて、一対の圧力ローラ68、72間を相通させ、補助ロール72,74を案内させて、巻き取りロール76、78の軸に係合させておくものとする。
Next, the transfer device will be described.
In FIG. 2, the base material M formed on the unwinding roll 60 is wound, and the lithium battery electrode material n is wound on the unwinding roll 62 below. The base material M is wound around the winding roll 76 via the auxiliary rolls 64 and 72. The electrode material n is wound around a winding roll 78 via auxiliary rolls 66 and 74. Between the auxiliary rolls 64 and 72 and the auxiliary rolls 66 and 74, a pair of pressure rolls 68 and 70 of a roll press machine are disposed.
In FIG. 3, the film-winding roll 84 is handled in a high-purity Ar atmosphere or in a dry room, and is set as the winding roll 60 of the transfer apparatus in FIG. At the start of operation, the unwinding roller 62 wound with the lithium electrode material n is set at the position shown in the drawing. The ends of the base material m and the electrode material n are aligned so that the pair of pressure rollers 68 and 72 communicate with each other, the auxiliary rolls 72 and 74 are guided, and the shafts of the winding rolls 76 and 78 are engaged. I shall let you.

巻き取りロール76,78の軸はそれぞれ駆動モータによって回転駆動される。一対の圧力ローラ68,70はそれぞれ反時計方向、時計方向に回動される。リチウム膜形成基材Li+MのLi 膜は電極材nに押圧されながら、ローラ68,70間を通過すると、Li
膜は電極材nに転写される。結局、ローラ76には基材のポリプロピレンMだけが卷回される。巻き取りロール78にはリチウム膜Li を転写させた電極材nが卷回される。この
電極材nを用いたリチウム二次電池の電池特性は従来より優れている。これはリチウム膜の、電極材nへの転写がほぼ完全に行われたためであると思われる.
The shafts of the take-up rolls 76 and 78 are driven to rotate by drive motors. The pair of pressure rollers 68 and 70 are rotated counterclockwise and clockwise, respectively. When the Li film of the lithium film forming substrate Li + M passes between the rollers 68 and 70 while being pressed by the electrode material n, Li
The film is transferred to the electrode material n. Eventually, only the base material polypropylene M is wound on the roller 76. On the winding roll 78, the electrode material n to which the lithium film Li is transferred is wound. The battery characteristics of a lithium secondary battery using this electrode material n are superior to those of the prior art. This seems to be because the transfer of the lithium film to the electrode material n was almost completely performed.

以上、本発明の各実施の形態について説明したが、勿論、本発明はこれらに限定されることなく、本発明の技術的思想に基いて種々の変形が可能である。 As mentioned above, although each embodiment of this invention was described, of course, this invention is not limited to these, A various deformation | transformation is possible based on the technical idea of this invention.

例えば実施形態においては、搬送管31の加熱に、搬送管31自体を抵抗体として通電し、発生するジュール熱によって加熱する方法を採用したが、これ以外の加熱方法、例えばノズル27と同じくシースヒータを巻装する方法としてもよい。またノズルの加熱温度も適宜変更可能なものとする。 For example, in the embodiment, a method of heating the transport pipe 31 by energizing the transport pipe 31 itself as a resistor and heating it by the generated Joule heat is employed. It is good also as a method of winding. The heating temperature of the nozzle can be changed as appropriate.

又以上の実施例では、ルツボ22と搬送管31の入口端31aとの位置合わせに、搬送管31を傾斜させる方法を採用したが、搬送管31は固定しておき、ルツボ22を移動させるようにしてもよい。また以上の実施の形態では、加熱に抵抗加熱方式をとったが、図4の従来例のように高周波加熱方式を採ってもよい。 In the above embodiment, the method of inclining the transport pipe 31 is used for positioning the crucible 22 and the inlet end 31a of the transport pipe 31, but the transport pipe 31 is fixed and the crucible 22 is moved. It may be. In the above embodiment, the resistance heating method is used for heating, but a high frequency heating method may be adopted as in the conventional example of FIG.

又以上の実施形態では、搬送管31を直管としたが、超微粒子を含むHeガスの流れを乱さない範囲で緩い屈曲部を持たせてもよい。 In the above embodiment, the transport pipe 31 is a straight pipe. However, a loose bent portion may be provided as long as the flow of He gas containing ultrafine particles is not disturbed.

又以上の実施形態では、不活性ガスとしてHeを使用したが、He以外の不活性ガス、例えばNe(ネオン)やAr(アルゴン)を使用してもよい。 In the above embodiment, He is used as the inert gas. However, an inert gas other than He, for example, Ne (neon) or Ar (argon) may be used.

また以上の実施の形態では、リチウム膜を転写される、材料としてリチウム電池の電極を適用させたが、他の部材であってもよい。またハイブリッドキャパシタ用電極に適用してもよい。 In the above embodiment, the lithium battery electrode is applied as a material to which the lithium film is transferred, but other members may be used. Moreover, you may apply to the electrode for hybrid capacitors.

また以上の実施の形態では、合成樹脂としてポリプロピレンを適用したが、メタクリル樹脂、ポリメタクリル酸メチル、ポリアミドポリプロピレン、メタクリル樹脂、ポリメタクリル酸メチル、ポリアミド、ポリカーボネト、ポリアセタール、熱可塑性ポリエステル、フッ素樹脂、ポリスルフォン、ポリフェニレンオキシド、ポリブチレン、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ケイ素樹脂、フタル酸ジアリル、ポリウレタンを用いてもよい。 In the above embodiment, polypropylene is applied as a synthetic resin. Polysulfone, polyphenylene oxide, polybutylene, phenol resin, urea resin, melamine resin, polyester resin, epoxy resin, silicon resin, diallyl phthalate, and polyurethane may be used.

また以上の実施の形態ではノズルと基材mまたはMとの間隔は5mmとされたが、更に小さく2mmとされても、転写可能で均一な膜が形成された。更に大きくして500mmとされても転写可能で均一な膜が形成された。
また、φ0.6mm のノズル以外に幅広ノズル(例えば、開口部が、5mm×0.5mm、30mm×0.3mm、80mm×1mm など)を使用してもよく、これらの場合には幅の広い成膜が効率よく作製でき、転写可能な均一な成膜ができた。
In the above embodiment, the distance between the nozzle and the base material m or M is 5 mm. However, even if the distance is further reduced to 2 mm, a transferable and uniform film is formed. Even when the thickness was further increased to 500 mm, a uniform film that could be transferred was formed.
In addition to φ0.6 mm nozzles, wide nozzles (for example, openings of 5 mm × 0.5 mm, 30 mm × 0.3 mm, 80 mm × 1 mm, etc.) may be used. Film formation was efficient and uniform transferable film formation was achieved.

本発明の第1実施形態によるガスデポジション装置を用いたリチウム成膜装置の要部を示す概略破断図である。It is a schematic fracture | rupture figure which shows the principal part of the lithium film-forming apparatus using the gas deposition apparatus by 1st Embodiment of this invention. 本発明の第2実施形態に用いられる転写装置の全体を示す概略図である。It is the schematic which shows the whole transfer apparatus used for 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第2実施形態による成膜装置の要部を示す概略図Schematic which shows the principal part of the film-forming apparatus by 2nd Embodiment of this invention. 従来例のガスデポジッション装置の概略図Schematic diagram of conventional gas deposition equipment 従来例で使用されるノズルの断面図である。It is sectional drawing of the nozzle used by a prior art example. 従来例における搬送管の加熱のための電気回路図である。It is an electric circuit diagram for the heating of the conveyance pipe in a prior art example. 従来例におけるノズルを巻装するシースヒータの概略図である。It is the schematic of the sheath heater which winds the nozzle in a prior art example.

符号の説明Explanation of symbols

1 ガスデポジション装置
21 超微粒子生成室
31 搬送管
32 ノズル
41 膜形成室
m 基材 ポリプロピレン
M 基材 ポリプロピレン
g 押さえねじ
68 70 圧力ロール

DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Gas deposition apparatus 21 Ultrafine particle production | generation chamber 31 Transfer pipe 32 Nozzle 41 Film formation chamber m Base material Polypropylene M Base material Polypropylene g Holding screw 68 70 Pressure roll

Claims (9)

蒸発源、その上方に位置する搬送管の入口部及び不活性ガスの導入部を内蔵する超微粒子生成室と、前記搬送管と、前記搬送管の出口部、該出口部に接続されたノズル及び該ノズルに対向して配置される基板を内蔵する膜形成室とからなり、前記蒸発源から加熱蒸発されて生成する超微粒子を前記不活性ガスと共に前記超微粒子生成室から前記搬送管によって真空下の前記膜形成室へ搬送し、前記ノズルから噴射させて、前記基板上に超微粒子の膜を形成させるようにし前記搬送管と前記ノズルとの両者に加熱手段が設けられておりかつ前記搬送管の入口端より上方に前記搬送管と同心軸的に該搬送管より大径の吸い込み管が配設され、該吸い込み管と前記搬送管との間の環状空間が排気装置に接続されているガスデポジション装置において、前記蒸発源はリチウムまたはリチウム合金の前記蒸発源であり、前記基板はフレキシブルで耐熱性のある合成樹脂でなり該基板の表面温度を前記合成樹脂の軟化点以下の温度に加熱しながら超微粒子のリチウムまたはリチウム合金の膜を形成させるようにしたことを特徴とする成膜装置。 An ultrafine particle generation chamber containing an evaporation source, an inlet part of a transport pipe located above and an introduction part of an inert gas; the transport pipe; an outlet part of the transport pipe; a nozzle connected to the outlet part; A film forming chamber containing a substrate disposed opposite to the nozzle, and the ultrafine particles generated by heating and evaporation from the evaporation source are vacuumed together with the inert gas from the ultrafine particle generating chamber by the transfer tube. The film forming chamber is sprayed from the nozzle to form an ultrafine particle film on the substrate, and heating means is provided in both the transport pipe and the nozzle, and the transport pipe A suction pipe having a diameter larger than that of the transport pipe is disposed concentrically with the transport pipe above the inlet end of the gas, and an annular space between the suction pipe and the transport pipe is connected to an exhaust device. In deposition equipment The evaporation source is the evaporation source of lithium or lithium alloy, and the substrate is made of a flexible and heat-resistant synthetic resin, and the surface temperature of the substrate is heated to a temperature lower than the softening point of the synthetic resin. A film forming apparatus characterized in that a film of lithium or a lithium alloy is formed. 前記リチウムまたはリチウム合金を成膜させた前記基板と、リチウム電池用またはハイブリッドキャパシタ用電極とをロールプレス機の一対のロール間に挟圧させて、前記電極上に前記リチウムまたはリチウム合金膜を転写させるようにしたことを特徴とする請求項 1 に記載の成膜装置。 The lithium or lithium alloy film and the lithium battery or hybrid capacitor electrode are sandwiched between a pair of roll press machines to transfer the lithium or lithium alloy film onto the electrode. 2. The film forming apparatus according to claim 1, wherein 前記合成樹脂は下記のいずれかであることを特徴とする請求項1または2に記載の成膜装置、
ポリプロピレン、メタクリル樹脂、ポリメタクリル酸メチル、ポリアミド、
ポリカーボネト、ポリアセタール、熱可塑性ポリエステル、フッ素樹脂、ポリスルフォン、ポリフェニレンオキシド、ポリブチレン、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ケイ素樹脂、フタル酸ジアリル、ポリウレタン。
The film forming apparatus according to claim 1, wherein the synthetic resin is any of the following:
Polypropylene, methacrylic resin, polymethyl methacrylate, polyamide,
Polycarbonate, polyacetal, thermoplastic polyester, fluorine resin, polysulfone, polyphenylene oxide, polybutylene, phenol resin, urea resin, melamine resin, polyester resin, epoxy resin, silicon resin, diallyl phthalate, polyurethane.
前記基板表面温度を該基板の材質の軟化点以下にするために
前記ノズルと前記基板との距離を2乃至500mmとしたことを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。
2. The film forming apparatus according to claim 1, wherein a distance between the nozzle and the substrate is set to 2 to 500 mm so that the substrate surface temperature is equal to or lower than a softening point of a material of the substrate.
前記超微粒子生成室を下方にして、前記超微粒子生成室と前記搬送管と前記膜形成室とがほぼ垂直線上に配置されている請求項1に記載の成膜装置。 2. The film forming apparatus according to claim 1, wherein the ultrafine particle generation chamber, the transfer pipe, and the film forming chamber are arranged on a substantially vertical line with the ultrafine particle generation chamber facing downward. 前記超微粒子生成室と前記膜形成室とを連結し、かつその軸心に前記搬送管を内包するように、金属ベローズがその一端を前記超微粒子生成室の開口部外周に固定し、他端を前記膜形成室の外壁に固定して設けられている請求項1又は請求項2に記載の成膜装置。
The metal bellows fixes one end to the outer periphery of the opening of the ultrafine particle generation chamber so that the ultrafine particle generation chamber and the film formation chamber are connected and the transport pipe is included in the axial center, and the other end The film forming apparatus according to claim 1, wherein the film forming apparatus is fixed to an outer wall of the film forming chamber.
前記蒸発源と前記搬送管の入口部との相対的な位置を調整するための調整機構が設けられている請求項1から請求項6までの何れかに記載の成膜装置。
The film forming apparatus according to claim 1, further comprising an adjustment mechanism for adjusting a relative position between the evaporation source and an inlet portion of the transfer pipe.
.
前記不活性ガスの導入部がメッシュ・フィルタ式導入口である請求項1から請求項7までの何れかに記載の成膜装置。 The film forming apparatus according to claim 1, wherein the introduction portion of the inert gas is a mesh filter type introduction port. 前記不活性ガスの純度は99.9995%以上であることを特徴とする請求項1乃至8のいずれかに記載の成膜装置。 The film forming apparatus according to any one of claims 1 to 8, wherein the purity of the inert gas is 99.9995% or more.
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