Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

JP2007527019A - マイクロリトグラフィーにおける対象物の分析方法 - Google Patents

マイクロリトグラフィーにおける対象物の分析方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2007527019A
JP2007527019A JP2006518102A JP2006518102A JP2007527019A JP 2007527019 A JP2007527019 A JP 2007527019A JP 2006518102 A JP2006518102 A JP 2006518102A JP 2006518102 A JP2006518102 A JP 2006518102A JP 2007527019 A JP2007527019 A JP 2007527019A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
imaging
correction
scintillator
euv
optics
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2006518102A
Other languages
English (en)
Inventor
ザイツ ホルガー
ヴィンデパッシンガー ロマン
Original Assignee
カール ツアイス エスエムエス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by カール ツアイス エスエムエス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング filed Critical カール ツアイス エスエムエス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
Publication of JP2007527019A publication Critical patent/JP2007527019A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • G03F1/84Inspecting
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/70Adapting basic layout or design of masks to lithographic process requirements, e.g., second iteration correction of mask patterns for imaging
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605Workpiece metrology
    • G03F7/70653Metrology techniques
    • G03F7/70666Aerial image, i.e. measuring the image of the patterned exposure light at the image plane of the projection system

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)

Abstract

【課題】 少なくとも2つの結像ステップから成る空間像測定システム(AIMS)による、特にマスクなど、マイクロリトグラフィーにおける対象物の分析方法
【解決手段】検出画像について第2またはそれ以降の結像ステップの伝達性が修正フィルタにより修正され、対象物の照明が落射光および/または透過光で行われる、しかもその場合、修正出力量がフォトリトグラフィー用のステッパまたはスキャナの結像に一致するように、再コンボリューションによって修正が行われ、測定または計算による修正値が修正に利用される方法である。
【選択図】図2

Description

光学結像システムは、その光学伝達性が個別素子の伝達特性によって定義付けされる伝達チェーンとして説明し得ることが多い。その伝達性は、分解能に明瞭に現われるが、通例通り、点像分布関数(PSF:Point Spread Functionの略)により、またはスペクトル観点から光学的伝達関数(OTF:Optical Transfer Functionの略)により表示される[非特許文献1〜4]。
US特許5498923 US特許6002740 M. Born他"Principlesof Optics"(Cambridge University Press、1999年) J. W. Goodman "Introduction toFourier Optics"(McGraw Hill Book Co Ltd、2000年) T. L. Williams "The OpticalTransfer Function of Imaging Systems"、出版元:Instituteof Physics(1999年) G. D. Boreman "ModulationTransfer Function in Optical and Electro-Optical Systems"(Tutorial Texts in Optical Engineering Vol. TT52)、出版元:SPIE - The International Society of Optical Engineering(2001年) H. Naumann, G. Schroeder"Bauelemente der Optik"(Carl Hanser 社刊/ミュンヘン、ウィーン、1992年) D. Murata者、"EinApparat zur Messung von Uebertragungsfunktionen optischer Systeme"、Optik 17(1960年) K.-J. Rosenbruch, K. Rosenhauer "Messung der optischen Uebertragungsfunktionen nach Amplitude und Phase miteinem halbautomatischen Analysator"、Optik 21(1964年) A. Bigelmaier他"Ein Geraet zur Messung der Uebertragungsfunktionen undSpaltbilder von Photoobjektiven"、Optik 26(1967/68年) E. Hecht "Optik"(Oldenbourg社刊/ミュンヘン、ウィーン、2001年) La Fontaine他"Submicron soft X-ray fluorescence imaging" Appl. Phys.Lett. 282B、1995年
個別素子の光学的伝達特性は、通常技術的な周辺条件によって大枠が決定され、その限界内で変動するだけである。他方、測定技術的用途には、通例定義付けされた伝達特性が要求される。所与の周辺条件があまりにも制限されていれば、望まれるシステムの伝達特性がもはや要求レベルでは達成し得なくなる。その結果として、コントラストおよび分解能の低下、さらには結像欠陥発生のおそれがある。
AIMS(空間像測定システム)に対する基本的要求は、フォトリトグラフィー用ステッパまたはスキャナのOTFをできる限り正確に再現することにある。OTFの偏差が測定結果およびその評価において誤差を招来する。この場合、通例では、第1の拡大ステップは、そのOTFがステッパのOTFを再現するように決められるが、他方、後続素子の分解能は、システムのOTFへの妨害ができる限り考慮不要な程度になるように選定される。しかし実際では、技術的および/または金銭的な付随条件がステッパOTFとの一致可能範囲を制限している。
前述の問題は、本発明により、AIMSシステム(空間像測定システム)における伝達特性の出力量を、修正後の出力量が求めるシステムOTFを持つフォトリトグラフィー用ステッパ/スキャナの結像に相応するように修正することによって解決される。
そのためには、特に次の点が前提条件となる。
・ 出力量がディスクリートまたはアナログ電子信号である、あるいは対応のデジタルデータ記録(例えば、CCDアレイ型検出器のピクセル値)であること。
・ 求める伝達特性(Gsollで表わされるOTF)が伝達素子の少なくとも1つによって既にプリセットされていること。
・ 外乱発生素子の分解能(Gstoerで表わされるOTF)が修正された求めるシステムの分解能より高いこと。
本発明に基づく修正は、出力量のフィルタリングにあり、伝達性に占める外乱発生伝達素子の割合が補整される。技術的な実現可能性は次のとおりである。
・ 電子スイッチング(アナログまたはディスクリート・フィルタ)
・ デジタルコンピュータのソフトウェアによるアルゴリズムでの修正(μC、PC、DSPなど)
基本原理
以下では、位置空間に依存する量は小文字で、それらに対するそれぞれのフーリエ変換は大文字で表示する。例として、ここではPSF(表示形態:g(x,y))およびそのフーリエ変換、OTF(表示形態:G(f,f))を挙げることにする。
伝達特性がN個の素子を持つ線型システムにより近似的に書き表すことができるのであれば、システムのOTFは個別伝達素子のOTFの積として、またPSFは個別素子のPSFの畳み込み積として求められる。一般には、OTFはPSFのスペクトル、つまりそのフーリエ変換であるとされる。したがって、二次元結像の場合、システムのOTFは、
GSystem(fx,
fy) = G1(fx, fy)・G2(fx, fy)・…・GN(fx,
fy) = GSoll(fx, fy)・GStoer(fx,
fy) (1. 1)
すなわち、GStoer(fx,
fy) = G2(fx, fy)・…・GN(fx, fy)
およびシステムのPSFは、畳み込み演算子“*”を用いた次式となる。
gSystem(x,
y) = g1(x, y)*g2(x, y)*…*gN(x, y) = gSoll(x,
y)*gStoer(x, y)
すなわち、gStoer(x,
y) = g2(x, y)*…*gN(x, y)
GSoll(x, y)≠0が成り立つすべての(fx, fy)について、GStoer(fx, fy)≠0であるとの前提下では、修正フィルタは次式で表わされる。
GStoer(fx,
fy)≠0のすべての(fx, fy)について、GFilter(fx, fy) = [GStoer(fx, fy)]-1
その他の場合、GFilter(fx,
fy) = c
ただし、cは任意の定数とする。したがって、フィルタリングにより理論的には次式が得られる。
GSystem(fx,
fy)・GFilter(fx, fy) = GSoll(fx,
fy)
フィルタリングは位置領域での畳み込みとしても行うことができる。
gSystem(x,
y)*gFilter(x, y) = gSoll(x, y)
ただし、フィルタ関数は
gFilter(x,
y) = FT-1{GFilter(fx, fy)}であり、
FT−1{…}は(逆)フーリエ変換である。
上記のフィルタ関数のほかに、伝達特性全体を変更するのではないが、例えば雑音に関してより好ましい特性を有している別な関数も考え得る。例えば、次の関数である。
GSoll(fx,
fy)・GStoer(fx, fy)≠0が成り立つすべての(fx, fy)についてGFilter(fx, fy) = [GStoer(fx,
fy)]-1
その他の場合、GFilter(fx,
fy) = 0
説明した操作手順は、主旨として一次元または多次元の結像に当てはまる。そのほか、原則的には、例えばZ変換のようにフーリエ変換に依拠しないスペクトル表示も考え得る。
実際の結像システムではOTFは画像領域を通じて多少とも変動する。この種の変動は、適宜選択した部分領域に対応するフィルタ関数を作成し、当該フィルタリングの結果を重み付けして重畳することにより近似的に考慮することができる。
図1には本発明の原理が模式的に描かれている。
対象物における強度i(x,y)によって特徴付けられる対象物結像システムは、それぞれが伝達関数によって表わされるN段のステップG〜Gから成っている。
信号分布s(x,y)によって特徴付けされる生成画像は、修正フィルタの使用下で修正されるが、そのためには、結像システムのステップG〜Gについて再コンボリューションが行われる。
その結果として、画像信号分布s(x,y)を持つ修正画像が得られる。
以下では実施例として、図1の伝達関数G、Gに相当する2つの結像ステップに分割されたシステムについて説明する(図2参照)。
図2には、半導体製造マスクの検査用2段階式EUV−VIS−AIMS(空間像測定システム)の結像原理(EUV照明ユニットなし)が描かれている。照明はEUV照明の場合と同様落射光で行えるが、また透過光でも行える。
対象物(ここではマスク構造体)は、EUV波長を可視光に変換させるシンチレータにEUV対物レンズを通じて結像させる(中間像)。中間像は続いてのVIS光学系を通じてCCDカメラに伝送される。
ただし、
i0(x,
y):対象物における強度
i1(x,
y):ステップ1の出力強度(中間画像)
s(x, y) :測定された画像信号(ステップ2の出力量)
上記AIMSの場合では次式が成立する。
GAIMS(fx,
fy) = GSystem(fx, fy) = G1(fx, fy)・G2(fx, fy)
ただし、
GSoll(fx,
fy) = G1(fx, fy) = GStepper(fx, fy) (ステップ1)
および、
GStoer(fx,
fy) = G2(fx, fy) (このステップ2は、例えばVIS光学系の成分とCCDカメラの成分から合成することができる)。
(fx,fy)はステッパの伝達特性を再現させる第1拡大ステップのOTFである。後続ステップ、例えば再拡大ステップ、画像変換層、CCDアレイ型検出器などのOTFはG(fx,fy)に集約されている。
ステップ2による結像は畳み込み積によって表わすことができる。
s(x, y) = g2(x,
y)*i1(x, y)
等価:画像スペクトルS(fx,fy)は、積として表わすことができる。
S(fx, fy) = G2(fx,
fy)・I1(fx, fy)
ただし、g(x,y)はインパルス応答、G(fx,fy)はステップ2の伝達関数である。
ステップ2の分解能はステップ1の分解能より大きい。
換言すれば、ステップ2の上限周波数はステップ1の場合より大きい。
すなわち、ステップ1の上限周波数より下方のすべての点(fx,fy)について、|G2(fx,
fy)|>0が成立する(場合によっては、幾つかの点(fx,fy)について例外的に|G2(fx, fy)| = 0(?)が成立する)。
機器パラメータに基づく測定にしろ、計算にしろ、g(x,y)またはG(fx,fy)は、十分に詳しい数値が求められる。
強度i(x,y)は、本発明に基づきs(x,y)から再構成すべきである。
システム伝達関数の算定例
・ 具体的計算例:円形開口による理想的な、すなわち結像誤差のないインコヒーレントな結像のためには、対象物平面i(x,y)における照射強度分布および基準化された点像分布関数gの畳み込みにより画像平面s(x,y)での照射強度分布が得られる。
ただし
とする。
(NA:開口数、λ:波長、J:第一種ベッセル関数)
この理想的インコヒーレント結像の対応OTF Gは次式のとおりである。
したがって、理想的なインコヒーレント結像のための修正フィルタは次のようになる。
Gi
(fx, fy) ≠ 0が成立するすべての(fx, fy)についてGFilter(fx, fy) = [Gi(fx, fy)] -1
その他の場合、GFilter(fx,
fy) = 0
結像誤差は、例えばインコヒーレントOTFと位相項eiφ(fx,fy)を掛け合わせることによって捕捉することができる。
非特許文献文献3〜5から、例えば長方形開口、画像変換層、CCDカメラアレイ、マルチチャネル・プレートなどによる理想的なインコヒーレント結像等に関する別なシステムの計算が公知である。
・ 伝達関数の測定のため、様々な方法が開発された。例えば非特許文献3〜8参照。システムまたは部分システムの伝達関数は、例えば波長および開口数に依存することに注意しなければならない。伝達関数は使用されるすべてのシステム調整について測定可能であるか、または単独(あるいは少数)のシステム調整において測定された伝達関数を他のシステム調整に補外法で適用することができる。
解決法:インパルス応答g(x,y)の補償
・ 数学的方法での実現:
− スペクトル領域での補償
1.フーリエ変換:S(fx,
fy) = F{s(x, y)}
2.G2(fx,
fy)による除法:S'(fx, fy) = S(fx, fy)/G2(fx, fy)
3.逆変換:sk(x,
y) = F-1{S'(fx, fy)}
位置領域での展開は反復アルゴリズムによっても同様に行える。
・ ステップ2で倍率Mを考慮した場合、座標の値iはi′に変える。
i2(x,
y) = g2(x, y)*i1'(x, y) ただし、i1'(x,
y) = i1(x/M, y/M)
または
l2(fx,
fy) = G2(fx, fy)・l1'(fx, fy) ただし、l1'(fx, fy) = |M|・l1(M・fx, M・fy)
(フーリエ変換)
・ ステップ2は一般にはそれ自体合成されたシステムと見なし得る。
・ ステップ2は必ずしも波動光学的な部分システムを含む必要はない。最も簡易な例では検出器(CCDアレイなど)だけから成っている。
・ ステップ2による結像は、その出力強度がPSFによる入力強度の畳み込みによって発生するインコヒーレントな光学結像に数学的に類似した性状を示している。
計算されたフィルタでの修正によるインパルス応答g(x,y)の補償(図3〜5参照)
・ 図3は、対象物構造強度i(x,y)の位置関数としての計算横断面(幅および距離nm単位の3ライン)および第1結像ステップi(x,y)、システム全体s(x,y)および修正されたシステムs(x,y)の対応画像強度を示している。その場合、結像パラメータとしては波長、開口数、シグマが使用されている。外乱発生素子(第2結像ステップ)については理想的なVIS対物レンズが想定されている。
図4より、第1結像ステップの強度(要求値)と修正されたシステムの強度が非常に良く一致しているのが明瞭に認められる。
・ 図4は、図3に対応する、第1結像ステップG(fx,fy)、第2結像ステップG(fx,fy)、総システムGAIMS(fx, fy) = G1(fx, fy)・G2(fx, fy)および修正されたシステムG(fx,fy)のスペクトルを示している。ここでも、第1結像ステップにおけるOTFのスペクトル(要求値)と修正されたシステムのOTFスペクトルが非常に良く一致しているのが明瞭に認められる。
・ 図5は、図3および4に対応する、修正フィルタGFilter(fx, fy) = 1/G2(fx, fy)のスペクトルを示している。
発明の長所
1)後続の外乱発生素子については低い分解能で十分である。
例えば
・ 上記実施例においてVIS光学系は低開口数で十分であり、
・ 上記実施例においてVIS光学系は長波長で十分である。
・ EUV/VIS解決法の場合では、AIMSによりステッパの結像をエミュレートするに当り、シンチレータとVIS光学系間の指数適合化(非特許文献10、特許文献1参照)は不要である。
2)技術的により簡単に実現でき、したがって低コストである。
3)より大きなピクセルまたはビンニングを有するCCDの使用が可能である⇒低雑音で、しかも短時間⇒短時間で、より多い露光量。
4)総倍率を低く設定可能⇒大きな画像フィールドにおける多量の通過光量。
基本原理の略図 実施例EUV−VIS−AIMS(照明なしの結像ユニット)の簡略原理図 対象物および画像における強度 図3に対応するスペクトル 図3+4に対応するスペクトル

Claims (8)

  1. 少なくとも2つの結像ステップから成る空間像測定システム(AIMS)による、特にマスクなどの、マイクロリトグラフィーにおける対象物の分析方法であり、ただし、検出画像について第2またはそれ以降の結像ステップの伝達性が修正フィルタにより修正される方法。
  2. 対象物に対する照明が、落射光および/または透過光で行なわれる、請求項1に記載の方法。
  3. 修正後の出力量が、フォトリトグラフィー用のステッパまたはスキャナの結像に相応するように修正が行われる、前記請求項のいずれか1つに記載の方法。
  4. 修正が再コンボリューションによって行われる、前記請求項のいずれか1つに記載の方法。
  5. 測定された修正値が修正に利用される、前記請求項のいずれか1つに記載の方法。
  6. 計算された修正値が修正に利用される、前記請求項のいずれか1つに記載の方法。
  7. 修正が、アナログまたはデジタル・フィルタによる電子スイッチングを通じて、あるいはデジタルコンピュータのソフトウェアによるアルゴリズム修正を通じて行われる、前記請求項のいずれか1つに記載の方法。
  8. 少なくとも下記の構成要素、すなわち
    ミラー、それも特に球面または非球面のブラックパネル対物レンズ付のEUV結像光学系、
    および/または
    ゾーンプレート付のEUV結像光学系、
    および/または
    ミラー、それも特に球面または非球面のブラックパネル対物レンズ付のX線結像光学系、
    および/または
    ゾーンプレート付のX線結像光学系、
    および/または
    回折光学系(レンズ、ビームスプリッタ、プリズム、格子他)付のUV結像光学系、
    から成る第1結像ステップ(a)、
    並びに
    回折光学系(レンズ、ビームスプリッタ、プリズム、格子他)付のUV結像光学系、
    および/または
    回折光学系(レンズ、ビームスプリッタ、プリズム、格子…)付のVIS結像光学系、
    および/または
    電子顕微鏡(光電子顕微鏡PEEM)、
    および/または
    EUV/VISシンチレータ、
    および/または
    EUV/UVシンチレータ、
    および/または
    X線/VISシンチレータ、
    および/または
    X線/UVシンチレータ、
    および/または
    UV/VISシンチレータ、
    および/または
    光陰極:光子(X線、EUV、UV)から電子への変換、
    および/または
    ファイバ光学系、
    および/または
    カメラ、
    および/または
    カメラまたはシンチレータ上のマイクロレンズアレイ、
    および/または
    増倍素子(マルチチャネルプレート)、
    から成る少なくとも1つの第2結像ステップ(b)、
    を有する、前記請求項のいずれか1つに記載の方法の実施のためのAIMSシステム。

JP2006518102A 2003-07-11 2004-07-03 マイクロリトグラフィーにおける対象物の分析方法 Pending JP2007527019A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10332059A DE10332059A1 (de) 2003-07-11 2003-07-11 Verfahren zur Analyse von Objekten in der Mikrolithographie
PCT/EP2004/007267 WO2005008335A2 (de) 2003-07-11 2004-07-03 Verfahren zur analyse von objekten in der mikrolithographie

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2007527019A true JP2007527019A (ja) 2007-09-20

Family

ID=33547017

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006518102A Pending JP2007527019A (ja) 2003-07-11 2004-07-03 マイクロリトグラフィーにおける対象物の分析方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20060269117A1 (ja)
EP (1) EP1644775A2 (ja)
JP (1) JP2007527019A (ja)
DE (1) DE10332059A1 (ja)
WO (1) WO2005008335A2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022533556A (ja) * 2019-05-08 2022-07-25 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー リソグラフィマスクの空間像を3次元的に決定するための方法

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7995832B2 (en) * 2007-01-11 2011-08-09 Kla-Tencor Corporation Photomask inspection and verification by lithography image reconstruction using imaging pupil filters
DE102007000981B4 (de) 2007-02-22 2020-07-30 Vistec Semiconductor Systems Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Vermessen von Strukturen auf einer Maske und zur Berechnung der aus den Strukturen resultierenden Strukturen in einem Photoresist
DE102007047924B4 (de) 2007-02-23 2013-03-21 Vistec Semiconductor Systems Jena Gmbh Verfahren zur automatischen Detektion von Fehlmessungen mittels Qualitätsfaktoren
DE102007041939A1 (de) * 2007-09-04 2009-03-05 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Vorrichtung und Verfahren für die XUV-Mikroskopie
DE102008002873A1 (de) * 2008-05-30 2009-12-17 Vistec Semiconductor Systems Gmbh Verfahren zum Auffinden eines Gebiets minimaler Lensdistortion eines Objektivs und Verwendung des Verfahrens bei einer Koordinaten-Messmaschine
DE102009038558A1 (de) 2009-08-24 2011-03-10 Carl Zeiss Sms Gmbh Verfahren zur Emulation eines fotolithographischen Prozesses und Maskeninspektionsmikroskop zur Durchführung des Verfahrens
DE102010030261A1 (de) * 2010-06-18 2011-12-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung sowie Verfahren zum ortsaufgelösten Vermessen einer von einer Lithographie-Maske erzeugten Strahlungsverteilung
JP7294806B2 (ja) * 2015-03-23 2023-06-20 テックインサイツ インコーポレイテッド イメージング装置における歪み補正に関する方法、システム及び装置
CN108734177B (zh) * 2018-05-17 2021-06-29 中国人民解放军陆军工程大学 双步相关滤波目标跟踪方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4633504A (en) * 1984-06-28 1986-12-30 Kla Instruments Corporation Automatic photomask inspection system having image enhancement means
US5576829A (en) * 1990-10-08 1996-11-19 Nikon Corporation Method and apparatus for inspecting a phase-shifted mask
US5700602A (en) * 1992-08-21 1997-12-23 Intel Corporation Method and apparatus for precision determination of phase-shift in a phase-shifted reticle
US5789118A (en) * 1992-08-21 1998-08-04 Intel Corporation Method and apparatus for precision determination of phase-shift in a phase-shifted reticle
US5498923A (en) * 1994-01-05 1996-03-12 At&T Corp. Fluoresence imaging
US6002740A (en) * 1996-10-04 1999-12-14 Wisconsin Alumni Research Foundation Method and apparatus for X-ray and extreme ultraviolet inspection of lithography masks and other objects
US6091845A (en) * 1998-02-24 2000-07-18 Micron Technology, Inc. Inspection technique of photomask
US6466315B1 (en) * 1999-09-03 2002-10-15 Applied Materials, Inc. Method and system for reticle inspection by photolithography simulation
US7120285B1 (en) * 2000-02-29 2006-10-10 Advanced Micro Devices, Inc. Method for evaluation of reticle image using aerial image simulator
US20020041377A1 (en) * 2000-04-25 2002-04-11 Nikon Corporation Aerial image measurement method and unit, optical properties measurement method and unit, adjustment method of projection optical system, exposure method and apparatus, making method of exposure apparatus, and device manufacturing method
US7072502B2 (en) * 2001-06-07 2006-07-04 Applied Materials, Inc. Alternating phase-shift mask inspection method and apparatus
DE10230755A1 (de) * 2002-07-09 2004-01-22 Carl Zeiss Jena Gmbh Anordnung zur Herstellung von Photomasken

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022533556A (ja) * 2019-05-08 2022-07-25 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー リソグラフィマスクの空間像を3次元的に決定するための方法
JP7385679B2 (ja) 2019-05-08 2023-11-22 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー リソグラフィマスクの空間像を3次元的に決定するための方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE10332059A1 (de) 2005-01-27
WO2005008335A3 (de) 2005-06-09
WO2005008335A2 (de) 2005-01-27
EP1644775A2 (de) 2006-04-12
US20060269117A1 (en) 2006-11-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6483952B2 (en) Super resolution methods for electro-optical systems
JP4831072B2 (ja) 顕微鏡装置
JP5220420B2 (ja) 静的マルチモードマルチプレックス分光法のための静的2次元符号化アパーチャ
Horstmeyer et al. Overlapped Fourier coding for optical aberration removal
Viallefont-Robinet et al. Improvement of the edge method for on-orbit MTF measurement
JP2007527019A (ja) マイクロリトグラフィーにおける対象物の分析方法
JP2002531840A (ja) コンピュータを使用した適応画像形成装置及び方法
JP2022046447A (ja) 構造化方式で照明される顕微鏡画像の超高解像度評価方法及び構造化照明顕微鏡
Wilde et al. Coherent superresolution imaging via grating-based illumination
JP2016090291A (ja) 撮像装置、分光システム、および分光方法
Hallada et al. Fresnel zone plate light field spectral imaging
Gureyev et al. Image deblurring by means of defocus
Fontbonne et al. Experimental validation of hybrid optical–digital imaging system for extended depth-of-field based on co-optimized binary phase masks
JPWO2019216213A1 (ja) 分光計測装置、および分光計測方法
JP4124747B2 (ja) 微細構造検査装置及び微細構造検査方法
Ciurlo et al. AIROPA II: modeling instrumental aberrations for off-axis point spread functions in adaptive optics
Ledesma-Carrillo et al. Hadamard circular masks: high focal depth with high throughput
JP2019092088A (ja) 撮像装置
Machihin et al. A spectral distortion correction method for an imaging spectrometer
WO2022196351A1 (ja) 情報処理装置、情報処理方法及びプログラム
WO2020049041A1 (en) High sensitivity phase microscopy imaging
US20230177644A1 (en) Method and system for super-resolved imaging
WO2005031645A1 (en) Enhancement of spatial resolution of imaging systems by means of defocus
JP2008077741A (ja) 回折格子の測定装置及び回折格子の測定方法
US20240233158A9 (en) Method and device for light field microscopy