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JP2007518277A - Cmpパッドをラミネートする層状支持体及び方法 - Google Patents

Cmpパッドをラミネートする層状支持体及び方法 Download PDF

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JP2007518277A JP2006549404A JP2006549404A JP2007518277A JP 2007518277 A JP2007518277 A JP 2007518277A JP 2006549404 A JP2006549404 A JP 2006549404A JP 2006549404 A JP2006549404 A JP 2006549404A JP 2007518277 A JP2007518277 A JP 2007518277A
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Abstract

CMPパッドをラミネートする装置及び方法は、CMPパッドに類似する材料組成を有する板を備えるCMPパッドを支持することを有する。故に、ラミネート中にCMPパッドを支持することによって、CMPパッドに対する損傷の可能性を少なくし、ラミからの接着をよくする。特には、CMPパッド材料は、CMPパッドを受けるよう凹部を有し得る第1の板と接触する際にラミネートされる。パッドは、パッド材料に対して同等又はそれより大きい寸法を有する。他の一実施例では、板は、ラミネーションに対してCMPパッドの対向する側部上に与えられる。

Description

本発明は、化学機械平坦化(CMP)研磨パッドを作る方法に係る。特には、本発明は、CMP研磨パッドに対して接着層をラミネートする(積層する)方法に係る。
CMP研磨パッド(又は「CMPパッド」)は、面を研磨する、又は「平坦化する」CMP装置の構成部品である。CMPは、多くの半導体及び光学構成部品の製造における1つの段階である。例えば、CMPは、電子装置の半導体ウエハ処理における中間段階であり、処理段階間で面を平坦化するよう使用される。
CMP装置は、CMP装置のプラテンに対して取り付けられたCMPパッド及び加工中の部品の面にわたって動く化学的研磨スラリーの作用によって研磨する。CMPパッドは、固体面、溝を有する面の形状における熱可塑性物質又は繊維、あるいはフェルトを有する多種の材料のうちの1つで作られ得、スラリーは、化学エッチャントにおいて研磨粒子を典型的には有する。CMPパッド及び加工中の部品は、通常は回転と軌道周回とを組み合わせた複雑な動きである均質な研磨を保証するよう意図された動きにおいて、互いに対して動く。加えて、均質な研磨は、CMP装置に新しいスラリーを有させること及び加工中の部品からスラリーを除去させることによって達成される。
CMPパッドは、接着剤によってプラテンに対して取り付けられ得る使い捨ての構成部品である。典型的には、CMPパッドは、CMP装置のユーザに、粘着剤(PSA)、あるいは熱硬化性接着剤又は加熱活性接着剤のいずれかを与える。PSAは、CMPパッドをプラテン上に置く前に除去される接着剤にわたるリリースライナーを有する。熱硬化性接着剤は、接着剤を活性化するよう加熱される。
PSAは、一側上にPSA、及び裏面上に第2の接着剤を有するフィルムのロール又はシートとして与えられ得る。PSA及びリリースライナーを有するCMPパッドの製造は、SPAフィルムの裏面をCMPパッド材料の裏面にラミネートすることによって通常は達成される。特には、CMPパッド材料及びリリースライナーを有するPSAフィルムは、ラミネータのピンチローラを介して送られる。第2の接着剤は加熱活性され、続いて、PSAフィルムに対して抑えられるピンチローラが加熱される。
CMPパッドはまた、CMPパッド材料、及び、異なる硬度等の異なる特性を有するか又は研磨流体のフローに対する導管を有する「サブパッド」を有し得る。これらの多層CMPパッドは、1つの段階において、一側上に接着剤及び対向する側部上にPSAフィルム及びリリースライナーを有するサブパッドを有してCMPパッド材料をラミネートすることによって作られ得る。CMPパッドを作る従来技術の方法は、ラミネータのピンチローラを介して直接、PSAフィルム及びリリースライナーとともにCMPパッド及びサブパッド材料のスタックを供給する。
CMPパッドをラミネートするこの従来技術の方法に関する課題は、複数ある。第一に、パッド又はサブパッドの厚さの偏差は、ラミネート圧の適切な適用を保証するよう、ピンチローラの間のギャップ等のラミネータの調整を求める。第二に、CMPパッドとピンチローラとの接触は、特にローラが相容れない材料で作られる場合、CMPパッド材料の前面を損傷又は汚染し得る。例えば、ローラの通常の摩耗から発生する傷又は他の欠陥により、ローラは、CMPパッドの前面を物理的に損傷し得る。加工中の部品の物理的及び化学的汚染は、半導体ウエハの製造において特に懸念されることである。第三に、CMPパッド面がラミネート中に取り扱われる場合、CMPパッドをラミネートする者は、パッドを損傷又は汚染し得る。第四に、反り又は巻き上がり等のラミネートされたCMPパッドにおける非均質性、あるいは、気泡、皺、又はPSA又はサブパッド材料における不均一なラミネートは、ラミネート中の圧縮圧の不適切な分配から発生し得る。
本発明は、従来技術のCMPラミネート方法に関する問題を克服するラミネート方法を使用するPSAバッキングを有するCMPパッドを作ることを目的とする。特には、反らない、又はCMPパッドの形状を変えない、あるいはCMPパッドを汚染しないCMPパッドのラミネート方法を有することが所望される。また、サブパッドを有するCMPパッドのラミネートを可能にする、且つ、圧力又は加熱活性接着剤のいずれかを使用してCMPパッドに対して取り付けるPSAフィルムに対して使用可能である方法を有することが所望される。
本発明は、従来技術のCMPパッドラミネート装置及び方法に関する前述した課題を、ラミネート中にCMPパッドを支持する装置及び方法を与えることによって解決する。本発明は、パッドの厚さにおける偏差を補正するようラミネータを調整する必要を低減又は排除するよう、及び、ラミネート中にCMPパッド面を保護するよう、CMPパッド及びサブパッドの暑さを補正する装置及び方法与える。
本発明の1つの面は、CMPパッドを製造する方法を与える。該方法は、板、CMPパッド材料、及びリリースライナーを備えたPSAフィルムを有するバッキングを有するスタックを形成する段階、CMPパッド材料及びバッキングのラミネートを形成するよう該スタックを圧縮する段階、及び、ラミネートされたCMPパッド及びリリースライナーを板から離す段階、を有する。板及びCMPパッド材料は、同様の材料組成を有する。一実施例では、第2の板は、リリースライナーにわたって与えられる。
本発明の他の面は、CMPパッドを製造する方法を与える。該方法は、第1の板、CMPパッド、及び、リリースライナーを有する接着剤及びサブパッドのバッキング、及び第2の板を有するスタックを形成する段階、CMPパッド及びサブパッドをラミネートするようスタックを圧縮する段階、及び、ラミネートされたCMPパッド及びリリースライナーを板から除去する段階、を有する。板及びCMPパッド材料は、同様の材料組成を有する。
本発明の更に他の面は、CMPパッドの一側上又は両側上で板を使用してCMPパッドを製造する方法を与える。一実施例では、各板の面積は、前出のCMPパッド材料の面積と同等又はより大きく、望ましくは少なくとも10%大きい。他の実施例では、各板は、約3/100’’より小さい厚さ許容差を有する約1/16’’乃至約1/4’’の厚さを有する。更に他の実施例では、第1の板は、CMPパッド材料を受けるよう1つの面上に凹部(recess)を有し、前出のCMPパッド材料の厚さの約50%乃至約90%の奥行きを有する。
本発明の1つの面は、粘着剤又は加熱活性粘着剤を使用してパッドをラミネートすることによってCMPパッドを製造する方法を与える。
本発明の更に他の面は、CMPパッドのラミネートを支持する装置を与える。該装置は、CMPパッド材料と類似する組成を有し、前出のCMPパッド材料の面積と同等又はより大きい面積を有する板を有する。
これらの特徴、並びに、多種の補助的条件及び特徴は、以下の詳細の説明から当業者にとっては明らかであり、本発明のCMPラミネート装置及び方法によって得られ、望ましい実施例は、例証としてのみ添付の図面を参照して示される。
本発明の前出の面及び付随する利点は、添付の図面を参照して、以下の詳細な説明によって容易により明らかとなる。
参照符号は、特定の構成部品、面、又は特徴を示すよう図中で使用され、1つより多い図中で共通する参照符号は、同様の構成部品、面、又は特徴を示す。
全般に、本発明は、PSAフィルム又はPSAフィルムを有するCMPサブパッドのいずれかであり得るCMPパッド材料及びバッキングから形成されるラミネートされたCMP研磨パッドを作る装置及び方法を与える。本発明は、CMPパッドに類似した構成を有する材料から形成された板を使用して、従来のラミネータにおいてラミネート中にCMPパッド構成部品の一側又両側に対して支持体を与える。
本発明は、CMPパッドのラミネートに係る。実例的なCMP研磨パッド200は、図2中に示され、CMPパッド材料201、接着剤203、CMPサブパッド205、及び、第1の接着層217及び第2の接着層219を有するPSAフィルム207を有する。CMP研磨パッド200は、本発明の装置及び方法を使用して製造され得るCMPパッドの一例であるが、本発明は、この特定のパッドに関して説明される実施例に制限されない。CMPパッド材料201は、前面211及び背面213を有し、CMPサブパッド205は、接着剤203及び背面217によって覆われた面を有する。接着剤203は、CMPサブパッド205をCMPサブパッド背面213上に取り付ける。第1の接着剤層217は、PSAフィルム207をCMPサブパッド背面214に対して取り付け、第2の接着層219は、CMPパッド200をCMP装置に対して取り付ける。リリースライナー209は、CMPパッドをCMP装置に対して取り付ける前に接着層219を保護するよう、及びPSAを露出するよう除去されるよう、層219にわたって与えられる。一般的に、CMP研磨の技術においては既知である通り、CMPパッド材料201及びCMPサブパッド205は、CMPパッド材料の硬度にしたがって加工中の部品を研磨する能力、加工中の部品に対して及び該部品から研磨流体を方向付ける能力、及び加工中の部品の研磨に関連する他の特性に対して、選択される。CMPパッド材料201及びCMPサブパッド205は熱硬化性又は熱可塑性の樹脂から形成される、ことが望ましい。また、CMPパッド201及びCMPサブパッド205は柔らかいサブパッド及び比較的より硬いCMPパッド材料等の異なる硬度の材料から形成される、ことが望ましいが、必須ではない。1つの実例的なCMPパッド及びサブパッドの材料は、キャスト又はフォームのウレタン等のエラストマ系である。
CMP装置において使用されるCMPパッド200を作成する際、リリースライナー209は、層219から除去され、CMPパッドは、CMP装置のプラテン上で位置合わせされて置かれ、力は、CMP研磨パッド200に対して該パッドをプラテンに固定するよう適用される。
図3A及び図3Bは、第1の実施例のラミネート方法によってラミネートされるべきリリースライナー209を有するCMPパッド200の2つの構成部品を図示する。具体的には、図3Aは、CMPサブパッド205、接着層203及び307、及び、リリースライナー209を有するそう300の側面図であり、図3Bは、CMPパッド材料201の側面図である。第1の実施例のラミネートは、CMPパッド材料201に対してラミネートされるバッキング又はラミネート前の層300から説明される。
図3C乃至図3Eは、ラミネート工程を示す。図3Cは、図3A中の層300、図3B中のCMPパッド材料201、天板303、及び地板301から形成されたスタック310の側面図であり、地板301は図5に図示される凹部を有する。図3Dは、ラミネート中の図3C中のスタックの側部断面図であり、図3Eは、天板及び地板から離されたラミネートされたCMPパッドの側面図である。追加的な図は、図4及び図5中に示される。図4は、CMPパッド及び板の範囲を示す、図3C中の4−4の平面断面図である。図5は、ラミネートに対するCMPパッド、並びに、支持天板及び支持地板を示す、図3C中の5−5の平面側面図である。他の一実施例では、地板301は平坦であり、凹部を有さない。
この実施例では、PSAは、全ての構成部品間の接着剤として使用される。即ち、接着剤203及びPSA207は、PSAである。スタック301のリリースライナー209を有するCMPパッド200のラミネートは、図3C及び図5中に示される通り、図示される要素の順次的なスタッキングを進める。第一に、CMPパッド材料201は、板301の凹部302において置かれる。続いて、層300は、CMPパッド材料201の上部上では位置合わせされて置かれる。最後に、板302は、押圧されること無く、層300上に置かれ、厚さDのスタックを形成する。
スタック310を形成後、該スタックは、図3D中に示される通りラミネータの適切に間隔をあけられたピンチローラ320を介して与えられる。特には、スタック301は、図3C及び3D中に示される厚さDを有し、厚さDの約70%乃至95%のギャップPを有するピンチローラ320に向かって徐々に案内される。ピンチローラ320は、スタック301を同時に送って圧縮するよう回転し、該スタックをラミネートする。ラミネータを通ったと、ラミネートされたCMPパッド200は、図3Eにおいて示される通り、リリースライナー209を有するCMP研磨パッド200を残して、板301及び303から離される。
板301及び303は、CMPパッド300の寸法及び材料特性にしたがって寸法及び材料特性を有するよう選択される。特には、板301及び303の材料は、望ましくはCMPパッド材料201の材料に対して類似する構成を有する。CMPパッド材料201、サブパッド205、板301及び303は、エラストマ系又は熱可塑性である、ことが望ましい。CMPパッド材料201、及び板301と303に対する共通する材料は、キャストウレタン及びフォームウレタン等のウレタンを有する。板301及び303の典型的な硬度は、例えばキャストウレタンに対する25乃至73ショアD(Shore D)及びフォームウレタンに対する45−95ショアAである、45ショアA乃至75ショアDに及ぶ。
層300及びCMPパッド材料201は、図5中のAとして示される面積における範囲を有する。板301及び303の範囲は、同一であるか、又は図5中の面積A等のラミネートされるべき部分の範囲より僅かに大きい、ことが望ましい。図3乃至図5の実施例では、板301及び303は、図3Cの側面図において示される通り、CMPパッドの端部にわたって延在する。他の実施例において、板301及び303は、CMPパッドの範囲より10%又はより長い。また、板301及び303は、1/16乃至1/4インチの厚さを有する、ことが望ましく、典型的には3/100インチより大きいCMPパッド材料201の平坦性の許容差(flatness tolerance)と略同等又はそれより優れた平坦性の許容差を有する。
図5はまた、奥行きCを有するCMPパッド材料、並びに、奥行きB及びAと同等又はAより僅かに大きい平面範囲(planar extend)を有する板301における凹部302を示す。より具体的には、凹部302は、Aと同等又はAより僅かに大きい範囲を有するため、CMPパッド材料が凹部302に適合し得る。Aは、Cの約50%乃至90%の範囲を有する、ことが望ましい。
板301及び303の使用は、CMPパッド200の構成部品を支持し、ピンチローラ320による汚染及び損傷からCMPパッド面を保護し、CMPパッド全体にわたって圧力を分配し、したがって、反り(巻き上げ)、気泡、皺、又は不均一なラミネートを排除する。
他の実例的なCMP研磨パッド100は、CMPパッド材料101を有するよう図1中に示される。CMP研磨パッド100は、CMPパッド材料101、及び、第1の接着層111及び第2の接着層113を有するPSAフィルム103を有する。CMPパッド材料101は、前面107及び背面111を有する。接着層111は、CMPパッド背面111上へとPSAフィルム103を取り付け、接着層113は、CMPパッド100をCMP装置に対して取り付ける。リリースライナー105は、PSAフィルム103にわたって与えられ、CMPパッドをCMP装置に対して取り付ける前にPSAを保護するようにされる。一般的にはCMPパッド材料201は、CMPパッド材料の硬度にしたがって加工中の部品を研磨する能力、加工中の部品に対して及び該部品から研磨流体を方向付ける能力、及び加工中の部品の研磨に関連する他の特性に対して、選択される。
CMP装置において使用されるCMPパッド100を作成する際、リリースライナー105は、PSAフィルム103から除去され、CMP装置のプラテン上で位置合わせされて置かれ、力は、CMP研磨パッド100に対して該パッドをプラテンに固定するよう適用される。
本発明の他の一実施例はこれより、図1中のリリースライナー105を有するCMP研磨パッド100を作るラミネーションに対する図6を参照して示される。接着剤115は、熱硬化性接着剤である。図6Aは、バッキング、又は層600の側面図であって、熱硬化性接着剤115及び圧力活性接着剤113を有するPSAフィルム103及びリリースライナー105を有する。図6Bは、CMPパッド材料101の側面図である。一般的には、CMPパッド材料101は、熱可塑性又は熱硬化性材料である。制限的ではないがキャスト又はウレタンフォームを有するエラストマ系は、1つの望ましい材料である。続いて説明される通り、CMP研磨パッド100及びリリースライナー105は、PSAフィルム103をCMPパッド材料101に対して留める接着層115によって形成さる。
上述された通り、接着剤115は、熱硬化性接着剤であり、故にCMPパッド100のラミネーションは、必然的に該接着層の加熱を有する。次に説明される通り、接着剤115の加熱は、CMP研磨パッド100の一部分及び該熱硬化性接着剤に対して最も近いリリースライナー105を加熱すること、即ちリリースライナー105を加熱することによって発生する。接着剤の加熱を容易にするよう、板はリリースライナー105上に置かれない、ことが望ましい。
図6C乃至図6Eは、本発明の他の実施例のラミネート工程を示す。図6Cは、図6A中の層600、図6B中のCMPパッド材料101、及び板601から形成されたスタック610の側面図である。図6Dは、ラミネート中の図6Cのスタックの側部断面図であり、図6Eは板から離されたラミネートされたCMPパッドの側面図である。
板601は、CMPパッド100のラミネーを向上するよう与えられ、CMPパッド100の寸法及び材料特性に相当する寸法及び材料特性を有するよう選択される。具体的には層600及びCMPパッド材料101であるラミネートされるべき部分は、板601の上部上に置かれる。層600、CMPパッド材料601、及び板601は、面積において同一の寸法である。また、板601は、1/16乃至1/4インチの厚さを有し、典型的には3/100インチより小さいCMPパッド材料101の平坦性の許容差と略同等又はそれより優れた平坦性の許容差を有する。
板601は、前述された平坦性の許容差内まで、平らであり、CMPパッド材料101の前面107を支持する。あるいは、板601は、CMPパッド材料の範囲の約10%に至るまでの分をCMPパッド材料101の端部を超えて突出する。板601の材料は、CMPパッド材料101の材料と同類の構成を有する。例えば、板601は、板301及び303の選択に関して前述された通り、熱可塑性又は熱硬化性の材料であり得る。
CMPパッド100のラミネートに対する作成において、スタック601は、板601上にCMPパッド材料101を置くことによって形成され、続いて層600は、CMPパッド材料の上部上に平らに置かれる。スタック610は続いて、ピンチローラ621と623との間でのラミネート中のスタックの側部断面図である図6Dにおいて示される通り、ラミネートされ、作られる。スタック601は、厚さXを有し、続いて、厚さXの約70%乃至95%のギャップYを有するピンチローラ621と623との間で徐々に案内される。ピンチローラ621は、ホット・ローラであり、当該分野において既知である技術を使用してラミネート中に接着剤を加熱する。ピンチローラ621及び623は、スタック601を同時に送り、接着剤115を加熱し活性化させるよう、及び、スタックを圧縮及びラミネートするよう回転する。ラミネートされた後、板601は、除去され、CMP研磨パッド100及びリリースライナー105を残す。
CMPパッドと同様の材料特性を有する支持板をラミネート中にCMPパッドの一側上又は両側上で使用することによって、CMPパッドは、複数の手法において保護される。面を研磨するCMP研磨パッドがラミネータ・ローラと直接接触しないため、面損傷及び面汚染のリスクは、最小限に抑えられる。加えて、支持板は、ラミネート中にCMPパッド上での圧力の分散を助け、パッドの反り又は巻き上げの低減、及びラミネートされた構成部品間の更に優れた接着接触を与える。具体的には板の使用は、厚さにおける非均質性又は反りからの非均質性を補正し、ラミネート中のより均質な圧力分配を与える。ラミネート中のより均質な圧力は、PSA及びサブパッド材料において、より優れた接着、より少ない気泡及び皺、より均一なラミネート、及び他の物理的な欠陥の低減をもたらす。
本発明は故に、CMP研磨パッドのラミネートに対する方法及び装置を与える。上述された実施例は、本発明の実例であり、本発明の範囲を説明された特定の実施例に制限することを意図されない。したがって、本発明の1つ又はそれ以上の実施例が図示及び説明されてきたが、多種の変更は、本発明の趣旨及び必須の特徴から逸脱することなくなされ得る、ことが理解される。例えば、板は、互いに対して同一又は互いに対して異なる硬度を有し得るか、あるいはCMPパッド材料又はCMPサブパッドと異なる硬度を有し得、CMPパッドは、上述された実施例において与えられる構造とは異なる構造を有し得る。したがって、本願中の開示及び説明は、本発明の範囲の実例を意図するものであり、制限するものではなく、添付の請求項において説明される。
CMPパッド材料及びPSAフィルムから形成されたCMP研磨パッドの側面図である。 CMPパッド材料、CMPサブパッド、及びPSAフィルムから形成されたCMP研磨パッドの側面図である。 CMPパッド材料に対して取り付ける接着層及びリリースライナーを有するPSAを有する、CMPサブパッド及び接着層の側面図である。 CMPパッド材料の側面図である。 図3A中のCMPサブパッド及び接着層、図3BのCMPパッド材料、天板、及び凹部を有する地板のスタックの側面図である。 ラミネート中の図3Cのスタックの側部断面図である。 天板及び地板から離されたラミネートされたCMPパッドの側面図である。 CMPパッド及び板の範囲を示す図3C中の4−4の平面断面図である。 ラミネートに対するCMPパッド、並びに、支持天板及び支持地板を示す、図3C中の5−5の側部断面図である。 CMPパッド材料に対して取り付ける接着層及びリリースライナーを有するPSAの側面図である。 CMPパッド材料の側面図である。 図6A中のPSAとリリースライナー及び接着層、図6B中のCMPパッド材料、及び地板のスタックの側面図である。 ラミネート中の図6C中のスタックの側部断面図である。 天板及び地板から離されたラミネートされたCMPパッド側面図である。

Claims (35)

  1. CMPパッドを製造する方法であって、
    板と、前記板に近接するCMPパッド材料と、前記CMPパッド材料に近接する一側の少なくとも一部分上の第1の接着剤及び前記CMPパッド材料に対向する側の少なくとも一部分上の粘着剤(PSA)及びリリースライナーを有する第2の接着剤を有するバッキングと、を有するスタックを形成し、前記板の材料と前記CMPパッド材料とが同様の組成を有する段階と、
    前記スタックを前記CMPパッド材料に対して接着し、前記CMPパッド材料を有する上部側と前記PSAと前記リリースライナーを有する下部側とを有するラミネートを形成するよう、前記スタックを圧縮する段階と、
    前記板を前記ラミネートから離す段階と、
    を有する、
    方法。
  2. 前記圧縮段階は、ピンチローラを介して前記スタックを送る段階を有する、
    請求項1記載の方法。
  3. 前記ピンチローラは、前記スタックの厚さの約70%乃至約95%の間隔を有する、
    請求項2記載の方法。
  4. 前記板の材料及び前記CMPパッド材料は、熱可塑性である、
    請求項1記載の方法。
  5. 前記板の材料及び前記CMPパッド材料は、エラストマ系である、
    請求項4記載の方法。
  6. 前記エラストマ系は、キャストウレタンである、
    請求項5記載の方法。
  7. 前記エラストマ系は、フォームウレタンである、
    請求項5記載の方法。
  8. 前記板の面積は、前記CMPパッド材料の面積と同等であるか、又はより大きい、
    請求項1記載の方法。
  9. 前記板の面積は、前記CMPパッド材料の前記面積より少なくとも10%大きい、
    請求項5記載の方法。
  10. 前記板は、約3/100’’より小さい厚さ許容差を有する約1/16’’乃至約1/4’’の厚さを有する、
    請求項1記載の方法。
  11. 前記板は、前記板の1つの面上に凹部を有し、
    前記凹部は、前記CMPパッド材料の平坦な形状と同等又はより大きい平坦な形状と、前記CMPパッド材料の前記厚さの約50%乃至約90%の奥行きと、を有する、
    請求項1記載の方法。
  12. 前記第1の接着剤は、熱硬化性の接着剤であり、前記状態は、前記第1の接着剤を活性化するよう十分である温度に前記バッキングを加熱することを有する、
    請求項1記載の方法。
  13. 前記圧縮段階は、ピンチローラを介して前記スタックを送る段階を有し、前記ピンチローラのうち一方は、前記第1のバッキング側を圧縮し、加熱される、
    請求項12記載の方法。
  14. 前記第1の接着剤はPSAである、
    請求項1記載の方法。
  15. 前記バッキングは、前記第1の接着剤と前記第2の接着剤との間のCMPサブパッドを有する、
    請求項14記載の方法。
  16. 前記板は第1の板であり、前記スタックは前記リリースライナーに近接する第2の板を更に有し、
    前記ラミネートから前記第2の板を離す段階を更に有する、
    請求項14記載の方法。
  17. CMPパッドを製造する方法であって、
    第1の板と、前記板に近接するCMPパッド材料と、前記CMPパッド材料に近接する一側の少なくとも一部分上で粘着財(PSA)を有する第1の接着剤及び前記CMPパッド材料に対向する一側の少なくとも一部分上で粘着剤(PSA)とリリースライナーとを有する第2の接着剤を有するバッキングと、前記リリースライナーに近接する第2の板と、を有するスタックを形成し、前記第1の板の前記材料と、前記第2の板の前記材料と、前記CMPパッド材料とが同様の組成を有する段階と、
    前記バッキングを前記CMPパッド材料に対して接着し、前記CMPパッド材料を有する上部側と前記PSA及び前記リリースライナーを有する下部側とを有するラミネートを形成するよう、前記スタックを圧縮する段階と、
    前記第1の板及び前記第2の板を前記ラミネートから離す段階と、
    を有する方法。
  18. 前記圧縮段階は、ピンチローラを介して前記スタックを送る段階を有する、
    請求項17記載の方法。
  19. 前記ピンチローラは、前記スタックの前記厚さの約70%乃至約95%の間隔を有する、
    請求項17記載の方法。
  20. 前記板の材料と、前記第2の板の材料と、前記CMPパッド材料とは、ウレタンである、
    請求項17記載の方法。
  21. 前記ウレタンは、キャストウレタンである、
    請求項20記載の方法。
  22. 前記ウレタンは、フォームウレタンである、
    請求項20記載の方法。
  23. 前記第1の板及び前記第2の板の前記面積は、前記CMPパッド材料の面積と同等であるか、又はより大きい、
    請求項17記載の方法。
  24. 前記第1の板及び前記第2の板の前記面積は、前記CMPパッド材料の前記面積より各々少なくとも10%大きい、
    請求項17記載の方法。
  25. 前記第1の板と前記第2の板は各々、約3/100’’より小さい厚さ許容差を有する約1/16’’乃至約1/4’’の厚さを有する、
    請求項17記載の方法。
  26. 前記第1の板は、前記板の1つの面上に凹部を有し、
    前記凹部は、前記CMPパッド材料の前記平坦な形状と同等又はより大きい平坦な形状と、前記CMPパッド材料の前記厚さの約50%乃至約90%の奥行きと、を有する、
    請求項17記載の方法。
  27. 前記バッキングは、前記第1の接着剤と前記第2の接着剤との間にCMPサブパッドを有する、
    請求項17記載の方法。
  28. 前記板は、第1の板であり、
    前記スタックは、前記リリースライナーに近接する第2の板を更に有し、
    前記第2の板を前記ラミネートから離す段階を更に有する、
    請求項17記載の方法。
  29. 面積を有するCMPパッド材料を有するCMPパッドのラミネーションを支持する装置であって、
    前記CMPパッド材料と同様の組成と、前記CMPパッド材料の前記面積と同等又はより大きい面積とを有する板を有する、
    装置。
  30. 前記板及び前記CMPパッド材料は、ウレタンである、
    請求項29記載の装置。
  31. 前記板及び前記CMPパッド材料は、キャストウレタンである、
    請求項30記載の装置。
  32. 前記板及び前記CMPパッド材料は、フォームウレタンである、
    請求項31記載の装置。
  33. 前記板の前記面積は、前記CMPパッド材料の前記面積より少なくとも10%大きい、
    請求項27記載の装置。
  34. 前記板は、約3/100’’より小さい厚さ許容差を有する約1/16’’乃至約1/4’’の厚さを有する、
    請求項27の装置。
  35. 前記板は、前記板の1つの面上に凹部を有し、
    前記凹部は、前記CMPパッド材料の平坦な形状と同等又はより大きい平坦な形状と、前記CMPパッド材料の前記厚さの約50%乃至約90%の奥行きと、を有する、
    請求項27記載の装置。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005260222A (ja) * 2004-02-27 2005-09-22 Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc 積層研磨パッドを形成する方法
JP2009190107A (ja) * 2008-02-13 2009-08-27 Toyo Tire & Rubber Co Ltd 研磨パッドの製造方法及び製造装置、研磨パッド、並びに該研磨パッドを用いた半導体デバイスの製造方法
KR20100009505A (ko) * 2008-07-18 2010-01-27 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스, 인코포레이티드 화학 기계 연마 패드 제조 조립체
JP2010028113A (ja) * 2008-07-18 2010-02-04 Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc 複数層化学機械研磨パッド製造方法
WO2014017148A1 (ja) * 2012-07-24 2014-01-30 東洋ゴム工業株式会社 積層研磨パッド及びその製造方法

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8607935B2 (en) * 2005-12-20 2013-12-17 Intuitive Surgical Operations, Inc. Guide systems for laminated spring assemblies
JP2007329342A (ja) * 2006-06-08 2007-12-20 Toshiba Corp 化学的機械的研磨方法
US20100112919A1 (en) * 2008-11-03 2010-05-06 Applied Materials, Inc. Monolithic linear polishing sheet
JP5759888B2 (ja) * 2011-12-28 2015-08-05 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド
JP5893413B2 (ja) * 2012-01-17 2016-03-23 東洋ゴム工業株式会社 積層研磨パッドの製造方法
TWI571356B (zh) * 2016-01-20 2017-02-21 三芳化學工業股份有限公司 可顯色使用壽命終點之吸附墊及其製造方法
US9652640B1 (en) * 2016-02-26 2017-05-16 Ncr Corporation Card locking

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3616029A (en) * 1968-08-21 1971-10-26 Milbern Co Method for forming a resilient pad from a plurality of plastic foam sheet members
US3598684A (en) * 1970-01-20 1971-08-10 Richard Militana Automatic fusing press for fabrics
US3921344A (en) * 1973-05-14 1975-11-25 American Optical Corp Lens surfacing pads and method of making the same
US3940864A (en) * 1974-03-25 1976-03-02 Contemporary, Inc. Plastic plates adapted to be imprinted and methods of manufacturing and imprinting on plastic plates
US4199391A (en) * 1974-05-20 1980-04-22 Polaroid Corporation Method of using a laminating carrier
US4158587A (en) * 1977-09-26 1979-06-19 General Binding Corporation Method of producing laminated sheets using laminated pouch support
EP0032624A1 (en) * 1980-01-17 1981-07-29 Imperial Chemical Industries Plc Apparatus and method for the continuous manufacture of foam board
JPS5882217U (ja) * 1981-11-27 1983-06-03 ヤマウチ株式会社 成形プレス用クッション材
JPS60151048A (ja) * 1984-01-19 1985-08-08 日立化成工業株式会社 積層板の製造法
US4780361A (en) * 1986-08-01 1988-10-25 Schlein Allen P Laminated scrub pad having an abrasive surface
US4861648A (en) * 1988-03-14 1989-08-29 Gila River Products, Inc. Materials for laminating flexible printed circuits
US4885317A (en) * 1988-07-21 1989-12-05 Northrop Corporation Press forming process and apparatus for plastic foam and plastic foam product
US5129978A (en) * 1990-07-11 1992-07-14 Solar-Kist Corporation Method of contamination free ironing of wet state substances on selected areas
US5205035A (en) * 1992-01-24 1993-04-27 International Business Machines Corporation Low cost pin and tab assembly for ceramic and glass substrates
DE4392791T1 (de) * 1992-06-12 1995-06-01 Aluminum Co Of America Verfahren zur Herstellung mehrlagiger Strukturen mit nichtebenen Oberflächen
DE4305081C2 (de) * 1993-02-19 1996-08-01 Minnesota Mining & Mfg Verfahren und Vorrichtung zum Auftragen von Haftkleber auf Bogen aus Papier oder dergleichen Material
US5472556A (en) * 1993-06-24 1995-12-05 Alfred D. Lobo Co. Flow-through linear transfer system for making a laminate from synthetic resinous sheets
US5989377A (en) * 1994-07-08 1999-11-23 Metallized Products, Inc. Method of protecting the surface of foil and other thin sheet materials before and during high-temperature and high pressure laminating
US5443869A (en) * 1994-07-15 1995-08-22 Harris; Gary L. Laminated graphics-to-glass composite back-lit display panels
JP2649899B2 (ja) * 1994-09-21 1997-09-03 ヤマウチ株式会社 成形プレス用クッション材
GB9421573D0 (en) * 1994-10-26 1994-12-14 Marathon Belting Ltd A press pad
DE9418984U1 (de) * 1994-11-25 1995-01-26 Rheinische Filztuchfabrik GmbH, 52222 Stolberg Preßpolster für Hoch- und Niederdruckpressen
JPH08174405A (ja) 1994-12-20 1996-07-09 Hitachi Kasei Polymer Co Ltd 研磨材の接着方法
JP3594146B2 (ja) * 1995-09-26 2004-11-24 富士写真フイルム株式会社 ラミネータキャリア
US6142053A (en) * 1997-07-23 2000-11-07 Foamex L.P. Method of cutting a cellular polymer surface with a continous platform cutting apparatus
US6146490A (en) * 1997-10-30 2000-11-14 Xyron, Inc. Web leader device
US6210257B1 (en) * 1998-05-29 2001-04-03 Micron Technology, Inc. Web-format polishing pads and methods for manufacturing and using web-format polishing pads in mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates
JP3461291B2 (ja) * 1998-08-06 2003-10-27 ヤマウチ株式会社 熱プレスのクッション材用ゴム、熱プレス用クッション材およびプリント基板の製造方法
US6179951B1 (en) * 1999-03-05 2001-01-30 International Business Machines Corporation Method of protecting a non-planar feature using compressive pads and apparatus thereof
US6290883B1 (en) * 1999-08-31 2001-09-18 Lucent Technologies Inc. Method for making porous CMP article
EP1268134A1 (en) * 1999-12-14 2003-01-02 Rodel Holdings, Inc. Method of manufacturing a polymer or polymer composite polishing pad
US6746311B1 (en) * 2000-01-24 2004-06-08 3M Innovative Properties Company Polishing pad with release layer
KR100394572B1 (ko) * 2000-12-28 2003-08-14 삼성전자주식회사 복합특성을 가지는 씨엠피 패드구조와 그 제조방법
US6635211B2 (en) * 2001-06-25 2003-10-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd Reinforced polishing pad for linear chemical mechanical polishing and method for forming
US6783437B1 (en) * 2003-05-08 2004-08-31 Texas Instruments Incorporated Edge-sealed pad for CMP process

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005260222A (ja) * 2004-02-27 2005-09-22 Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc 積層研磨パッドを形成する方法
JP2009190107A (ja) * 2008-02-13 2009-08-27 Toyo Tire & Rubber Co Ltd 研磨パッドの製造方法及び製造装置、研磨パッド、並びに該研磨パッドを用いた半導体デバイスの製造方法
KR20100009505A (ko) * 2008-07-18 2010-01-27 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스, 인코포레이티드 화학 기계 연마 패드 제조 조립체
JP2010028112A (ja) * 2008-07-18 2010-02-04 Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc 化学機械研磨パッド製造用組立品
JP2010028113A (ja) * 2008-07-18 2010-02-04 Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc 複数層化学機械研磨パッド製造方法
TWI460051B (zh) * 2008-07-18 2014-11-11 羅門哈斯電子材料Cmp控股公司 化學機械研磨墊製造組合件及製造化學機械研磨墊的方法
KR101650195B1 (ko) 2008-07-18 2016-08-22 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스, 인코포레이티드 화학 기계 연마 패드 제조 조립체
WO2014017148A1 (ja) * 2012-07-24 2014-01-30 東洋ゴム工業株式会社 積層研磨パッド及びその製造方法
JP2014024123A (ja) * 2012-07-24 2014-02-06 Toyo Tire & Rubber Co Ltd 積層研磨パッド及びその製造方法

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