Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

JP2007329166A - ウエーハの分割方法 - Google Patents

ウエーハの分割方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2007329166A
JP2007329166A JP2006157211A JP2006157211A JP2007329166A JP 2007329166 A JP2007329166 A JP 2007329166A JP 2006157211 A JP2006157211 A JP 2006157211A JP 2006157211 A JP2006157211 A JP 2006157211A JP 2007329166 A JP2007329166 A JP 2007329166A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
laser beam
adhesive film
along
dividing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2006157211A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4777830B2 (ja
Inventor
Toshiyuki Yoshikawa
敏行 吉川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Abrasive Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Abrasive Systems Ltd filed Critical Disco Abrasive Systems Ltd
Priority to JP2006157211A priority Critical patent/JP4777830B2/ja
Priority to US11/806,847 priority patent/US7737002B2/en
Publication of JP2007329166A publication Critical patent/JP2007329166A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4777830B2 publication Critical patent/JP4777830B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H01L21/3043—Making grooves, e.g. cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/073—Shaping the laser spot
    • B23K26/0736—Shaping the laser spot into an oval shape, e.g. elliptic shape
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0005—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing
    • B28D5/0011—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing with preliminary treatment, e.g. weakening by scoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

【課題】ウエーハに装着された接着フィルムをダイシングテープに溶着させることなくウエーハとともに分割することができるウエーハの分割方法を提供する。
【解決手段】複数のストリート２０１によって複数の区画された領域にデバイスが形成され裏面にダイボンディング用の接着フィルム２１が装着されたウエーハ２０を、ストリート２０１に沿って分割するウエーハの分割であって、楕円形の集光スポットの長軸と短軸との比が１５〜２０：１の第１のレーザー光線をウエーハ２０に形成されたストリート２０１に沿って照射し、ウエーハ２０にストリート２０１に沿って分割溝２００を形成するウエーハ分割工程と、楕円形の集光スポットの長軸と短軸との比が６０〜７０：１の第２のレーザー光線を該ウエーハ分割工程によって形成された分割溝２００を通して接着フィルム２１に照射し、接着フィルム２１を分割溝２００に沿って破断する接着フィルム破断工程とを含む。
【選択図】図１７

Description

本発明は、裏面にダイボンディング用の接着フィルムが装着されたウエーハの分割方法に関する。
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状であるシリコン基板の表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成する。そして、半導体ウエーハをストリートに沿って切断することによりデバイスが形成された領域を分割して個々の半導体チップを製造している。また、サファイヤ、炭化ケイ素基板の表面にフォトダイオード等の受光素子やレーザーダイオード等の発光素子等が積層された光デバイスウエーハもストリートに沿って切断することにより個々のフォトダイオード、レーザーダイオード等の光デバイスに分割され、電気機器に広く利用されている。
上述した半導体ウエーハや光デバイスウエーハをストリートに沿って分割する方法として、ウエーハに対して吸収性を有する波長のパルスレーザー光線をストリートに沿って照射することによりレーザー加工溝を形成し、このレーザー加工溝に沿って破断する方法が提案されている。（例えば、特許文献１参照。）
特開２０００−１５６３５８号公報
一方、個々に分割されたデバイスは、その裏面にエポキシ樹脂等で形成された厚さ７０〜８０μｍのダイアタッチフィルムと称するダイボンディング用の接着フィルムが装着され、この接着フィルムを介してデバイスを支持するダイボンディングフレームに加熱することによりボンディングされる。デバイスの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着する方法としては、ウエーハの裏面に接着フィルムを貼着し、この接着フィルムを介してウエーハをダイシングテープに貼着した後、ウエーハの表面に形成されたストリートに沿ってウエーハとともに接着フィルムを切断することにより、裏面に接着フィルムが装着されたデバイスを形成している。
しかるに、ウエーハに形成されたストリートに沿ってレーザー光線を照射し、ウエーハとともに接着フィルムを切断すると、接着フィルムが溶融してダイシングテープに溶着し、分割されたデバイスをダイシングテープからピックアップすることができないという問題がある。
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、ウエーハに装着された接着フィルムをダイシングテープに溶着させることなくウエーハとともに分割することができるウエーハの分割方法を提供することにある。
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、表面に格子状に形成された複数のストリートによって複数の領域が区画され、この区画された領域にデバイスが形成され裏面にダイボンディング用の接着フィルムが装着されたウエーハを、環状のフレームに装着されたダイシングテープに貼着した状態で、集光スポットが楕円形のレーザー光線をウエーハに形成されたストリートに沿って照射しつつウエーハを所定の加工送り速度で加工送りし、ウエーハをストリートに沿って分割するウエーハの分割であって、
楕円形の集光スポットの長軸と短軸との比が１５〜２０：１の第１のレーザー光線をウエーハに形成されたストリートに沿って照射し、ウエーハにストリートに沿って分割溝を形成するウエーハ分割工程と、
楕円形の集光スポットの長軸と短軸との比が６０〜７０：１の第２のレーザー光線を該ウエーハ分割工程によって形成された分割溝を通して接着フィルムに照射し、接着フィルムを分割溝に沿って破断する接着フィルム破断工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの分割方法が提供される。
上記第１のレーザー光線の楕円形の集光スポットは長軸が２００μm、短軸が１０μmに設定されており、上記第２のレーザー光線の楕円形の集光スポットは長軸が６５０μm、短軸が１０μmに設定されている。
また、上記ウエーハ分割工程は、上記第１のレーザー光線の繰り返し周波数が１０ｋＨｚ、平均出力が７Wに設定され、加工送り速度が３００ｍｍ／秒に設定されており、上記接着フィルム破断工程は、上記第２のレーザー光線の繰り返し周波数が１０ｋＨｚ、平均出力が５Wに設定され、加工送り速度が１５０ｍｍ／秒に設定されている。
本発明においては、ウエーハ分割工程において照射する第１のレーザー光線は楕円形の集光スポットの長軸と短軸との比がウエーハの溝形成に適する１５〜２０：１に設定されているので、ウエーハをストリートに沿って確実に切断することができる。また、接着フィルム破断工程において照射する第２のレーザー光線は楕円形の集光スポットの長軸と短軸との比が接着フィルムの破断に適する６０〜７０：１に設定されているので、接着フィルムをダイシングテープに溶着させることなく破断することができる。
以下、本発明によるウエーハの分割方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して、更に詳細に説明する。
図１には、本発明によるウエーハの分割方法を実施するためのレーザー加工装置の斜視図が示されている。図１に示すレーザー加工装置１は、静止基台２と、該静止基台２に矢印Ｘで示す加工送り方向に移動可能に配設され被加工物を保持するチャックテーブル機構３と、静止基台２に上記矢印Ｘで示す方向と直角な矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動可能に配設されたレーザー光線照射ユニット支持機構４と、該レーザー光線ユニット支持機構４に矢印Ｚで示す方向に移動可能に配設されたレーザー光線照射ユニット５とを具備している。
上記チャックテーブル機構３は、静止基台２上に矢印Ｘで示す加工送り方向に沿って平行に配設された一対の案内レール３１、３１と、該案内レール３１、３１上に矢印Ｘで示す加工送り方向に移動可能に配設された第一の滑動ブロック３２と、該第１の滑動ブロック３２上に矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動可能に配設された第２の滑動ブロック３３と、該第２の滑動ブロック３３上に円筒部材３４によって支持されたカバーテーブル３５と、被加工物保持手段としてのチャックテーブル３６を具備している。このチャックテーブル３６は多孔性材料から形成された吸着チャック３６１を具備しており、吸着チャック３６１上に被加工物である例えば円盤状の半導体ウエーハを図示しない吸引手段によって保持するようになっている。このように構成されたチャックテーブル３６は、円筒部材３４内に配設された図示しないパルスモータによって回転せしめられる。なお、チャックテーブル３６には、後述する環状のフレームを固定するためのクランプ３６２が配設されている。
上記第１の滑動ブロック３２は、その下面に上記一対の案内レール３１、３１と嵌合する一対の被案内溝３２１、３２１が設けられているとともに、その上面に矢印Ｙで示す割り出し送り方向に沿って平行に形成された一対の案内レール３２２、３２２が設けられている。このように構成された第１の滑動ブロック３２は、被案内溝３２１、３２１が一対の案内レール３１、３１に嵌合することにより、一対の案内レール３１、３１に沿って矢印Ｘで示す加工送り方向に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構３は、第１の滑動ブロック３２を一対の案内レール３１、３１に沿って矢印Ｘで示す加工送り方向に移動させるための加工送り手段３７を具備している。加工送り手段３７は、上記一対の案内レール３１と３１の間に平行に配設された雄ネジロッド３７１と、該雄ネジロッド３７１を回転駆動するためのパルスモータ３７２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド３７１は、その一端が上記静止基台２に固定された軸受ブロック３７３に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ３７２の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド３７１は、第１の滑動ブロック３２の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ３７２によって雄ネジロッド３７１を正転および逆転駆動することにより、第一の滑動ブロック３２は案内レール３１、３１に沿って矢印Ｘで示す加工送り方向に移動せしめられる。
上記第２の滑動ブロック３３は、その下面に上記第１の滑動ブロック３２の上面に設けられた一対の案内レール３２２、３２２と嵌合する一対の被案内溝３３１、３３１が設けられており、この被案内溝３３１、３３１を一対の案内レール３２２、３２２に嵌合することにより、矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構３は、第２の滑動ブロック３３を第１の滑動ブロック３２に設けられた一対の案内レール３２２、３２２に沿って矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動させるための第１の割り出し送り手段３８を具備している。第１の割り出し送り手段３８は、上記一対の案内レール３２２と３２２の間に平行に配設された雄ネジロッド３８１と、該雄ネジロッド３８１を回転駆動するためのパルスモータ３８２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド３８１は、その一端が上記第１の滑動ブロック３２の上面に固定された軸受ブロック３８３に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ３８２の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド３８１は、第２の滑動ブロック３３の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ３８２によって雄ネジロッド３８１を正転および逆転駆動することにより、第２の滑動ブロック３３は案内レール３２２、３２２に沿って矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられる。
上記レーザー光線照射ユニット支持機構４は、静止基台２上に矢印Ｙで示す割り出し送り方向に沿って平行に配設された一対の案内レール４１、４１と、該案内レール４１、４１上に矢印Ｙで示す方向に移動可能に配設された可動支持基台４２を具備している。この可動支持基台４２は、案内レール４１、４１上に移動可能に配設された移動支持部４２１と、該移動支持部４２１に取り付けられた装着部４２２とからなっている。装着部４２２は、一側面に矢印Ｚで示す方向に延びる一対の案内レール４２３、４２３が平行に設けられている。図示の実施形態におけるレーザー光線照射ユニット支持機構４は、可動支持基台４２を一対の案内レール４１、４１に沿って矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動させるための第２の割り出し送り手段４３を具備している。第２の割り出し送り手段４３は、上記一対の案内レール４１、４１の間に平行に配設された雄ネジロッド４３１と、該雄ねじロッド４３１を回転駆動するためのパルスモータ４３２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド４３１は、その一端が上記静止基台２に固定された図示しない軸受ブロックに回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ４３２の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド４３１は、可動支持基台４２を構成する移動支持部４２１の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された雌ネジ穴に螺合されている。このため、パルスモータ４３２によって雄ネジロッド４３１を正転および逆転駆動することにより、可動支持基台４２は案内レール４１、４１に沿って矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられる。
図示の実施形態のおけるレーザー光線照射ユニット５は、ユニットホルダ５１と、該ユニットホルダ５１に取り付けられたレーザー光線照射手段５２を具備している。ユニットホルダ５１は、上記装着部４２２に設けられた一対の案内レール４２３、４２３に摺動可能に嵌合する一対の被案内溝５１１、５１１が設けられており、この被案内溝５１１、５１１を上記案内レール４２３、４２３に嵌合することにより、矢印Ｚで示す方向に移動可能に支持される。
図示の実施形態におけるレーザー光線照射ユニット５は、ユニットホルダ５１を一対の案内レール４２３、４２３に沿って矢印Ｚで示す方向に移動させるための移動手段５３を具備している。移動手段５３は、一対の案内レール４２３、４２３の間に配設された雄ネジロッド（図示せず）と、該雄ネジロッドを回転駆動するためのパルスモータ５３２等の駆動源を含んでおり、パルスモータ５３２によって図示しない雄ネジロッドを正転および逆転駆動することにより、ユニットホルダ５１およびレーザビーム照射手段５２を案内レール４２３、４２３に沿って矢印Ｚで示す方向に移動せしめる。なお、図示の実施形態においてはパルスモータ５３２を正転駆動することによりレーザー光線照射手段５２を上方に移動し、パルスモータ５３２を逆転駆動することによりレーザー光線照射手段５２を下方に移動するようになっている。
図示のレーザー光線照射手段５２は、上記ユニットホルダ５１に固定され実質上水平に延出する円筒形状のケーシング５２１を具備している。また、レーザー光線照射手段５２は、図２に示すようにケーシング５２１内に配設されたパルスレーザー光線発振手段５２２および伝送光学系５２３と、ケーシング５２１の先端に配設されパルスレーザー光線発振手段５２２によって発振されたパルスレーザー光線を上記チャックテーブル３６に保持された被加工物に照射する加工ヘッド６を具備している。上記パルスレーザー光線発振手段５２２は、ＹＡＧレーザー発振器或いはＹＶＯ４レーザー発振器からなるパルスレーザー光線発振器５２２ａと、これに付設された繰り返し周波数設定手段５２２ｂとから構成されている。伝送光学系５２３は、ビームスプリッタの如き適宜の光学要素を含んでいる。
上記加工ヘッド６は、図３に示すように方向変換ミラー６１と、集光器７とからなっている。方向変換ミラー６１は、上記パルスレーザー光線発振手段５２２によって発振され伝送光学系５２３を介して照射されたパルスレーザー光線を集光器７に向けて方向変換する。集光器７は、図示の実施形態においては上記チャックテーブル３６に保持された被加工物と対向する集光レンズ８と、該集光レンズ８よりレーザー光線照射方向上流側、即ち集光レンズ８と方向変換ミラー６１との間に配設されたシリンドリカルレンズユニット９と、集光レンズ８とシリンドリカルレンズユニット９との間隔を調整するための後述する間隔調整機構とを具備している。上記方向変換ミラー６１とシリンドリカルレンズユニット９とおよび後述する間隔調整機構は、図４に示すように上記ケーシング５２１の先端に装着された加工ヘッドハウジング６０内に配設されている。また、上記集光レンズ８は、加工ヘッドハウジング６０の下端に装着されるレンズハウジング８０内に配設されている。この集光レンズ８は、図示の実施形態においては焦点距離が４０mmに設定されている。
上記シリンドリカルレンズユニット９について、図５乃至図７を参照して説明する。図５にはシリンドリカルレンズユニット９の斜視図が示されており、図６には図５に示すシリンドリカルレンズユニット９の分解斜視図が示されている。
図５および図６に示すシリンドリカルレンズユニット９は、シリンドリカルレンズ９１と、該シリンドリカルレンズを保持するレンズ保持部材９２と、該レンズ保持部材９２を保持する第１の枠体９３と、該第１の枠体９３を保持する第２の枠体９４とからなっている。
シリンドリカルレンズ９１は、図７に示すように断面が半円形状に形成された凸レンズからなっている。このシリンドリカルレンズ９１は、図示の実施形態においては焦点距離が４０mmに設定されている。シリンドリカルレンズ９１を保持するレンズ保持部材９２は、図示の実施形態においては、合成樹脂によって円形に形成されている。この合成樹脂によって形成されたレンズ保持部材９２に、シリンドリカルレンズ９１が上面および下面を露出して埋設される。また、レンズ保持部材９２には、図６に示すように外周面の一箇所に被作動片９２１が突出して形成されている。
上記第１の枠体９３は、図６に示すように一辺の長さがＥの正方形に形成され、その上面には上記レンズ保持部材９２が嵌合する円形凹部９３１が形成されているとともに、レンズ保持部材８２に設けられた被作動片９２１を収容する作動室９３２が形成されている。円形凹部９３１の底壁９３１aの中央部には、穴９３１bが形成されている。また、作動室９３２を形成する壁面９３２aには、ばね座となる凹部９３２bが形成されている。なお、第１の枠体９３には、凹部９３２bの軸線上にネジ穴９３２cが形成されている。このように構成された第１の枠体９３には、図５に示すように円形凹部９３１にレンズ保持部材９２が嵌合され、作動室９３２に被作動片９２１が収容される。従って、第１の枠体９３の円形凹部９３１に嵌合されたレンズ保持部材９２は、被作動片９２１が作動室９３２内で移動可能な範囲において円形凹部９３１の内周面に沿って回動することができる。そして、上記凹部９３２bと被作動片９２１との間には、圧縮コイルばね９５が介在される。また、上記ネジ穴９３２cには第１の調整ネジ９６が螺合され、その先端が被作動片９２１に当接するようになっている。従って、第１の調整ネジ９６を一方向に回転して前進させると圧縮コイルばね９５のばね力に抗してレンズ保持部材９２を一方向に回動し、第１の調整ネジ９６を他方向に回転して後退させると圧縮コイルばね９５のばね力によってレンズ保持部材９２が他方向に回動せしめられる。このように、レンズ保持部材９２に設けられた被作動片９２１と、第１の調整ネジ９６および圧縮コイルばね９５は、レンズ保持部材９２を円形凹部９３１の内周面に沿って回動する回動調整手段として機能する。
上記第２の枠体９４は矩形状に形成され、その上面には図６に示すように上記第１の枠体９３が嵌合する矩形状凹部９４１が形成されている。この矩形状凹部９４１は、幅Aが上記正方形の第１の枠体９３の一辺の長さＥと対応した寸法に形成され、長さBが第１の枠体９３の一辺の長さＥより大きい寸法に形成されている。矩形状凹部９４１は、底壁９４２aと側壁９４２b、９４２c、９４２d、９４２eによって区画されている。底壁９４２aの中央部には穴９４２fが形成されている。矩形状凹部９４１を区画する壁面９４２dの内面には、ばね座となる凹部９４２gが形成されている。この凹部９４２gが形成され壁面９４２dと対向する側壁９４２eは、ネジ穴９４２hが形成されている。また、第２の枠体９４の側壁９４２bには、上記第１の調整ネジ９６が挿通するための長穴９４２jが形成されている。このように構成された第２の枠体９４の矩形状凹部９４１に、図５に示すように上記第１の枠体９３が嵌合される。そして、上記壁面９４２dの内面に形成された凹部９４２gと第１の枠体９３の側壁との間には、圧縮コイルばね９７が介在される。また、側壁９４２eに形成されたネジ穴９４２hには第２の調整ネジ９８が螺合され、その先端が第１の枠体９３の側壁に当接するようになっている。従って、第２の調整ネジ９８を一方向に回転して前進させると圧縮コイルばね９７のばね力に抗して第１の枠体９３を一方向に移動し、第２の調整ネジ９８を他方向に回転して後退させると圧縮コイルばね９７のばね力によって第１の枠体９３が他方向に移動せしめられる。このように、第２の調整ネジ９８および圧縮コイルばね９７は、第１の枠体９３をシリンドリカルレンズ９１aの集光方向と直交する方向に第２の枠体９４に対して移動する移動調整手段として機能する。
以上のように構成されたシリンドリカルレンズユニット９は、図８に示す間隔調整機構１０にセットされる。以下、間隔調整機構１０について説明する。
図８に示す間隔調整機構１０は、支持基板１１と、該支持基板１１の下端に設けられた集光レンズ支持板１２と、該支持基板１１の前面に沿って上下方向に移動可能に配設された支持テーブル１３とを具備している。
支持基板１１は、前面中央部に上下方向に形成された案内溝１１１を備えている。集光レンズ支持板１２は、支持基板１１の前面に対して直角に突出して形成されている。この集光レンズ支持板１２には、中央部に穴１２１が形成されている。このように構成された集光レンズ支持板１２の下面における穴１２１と対応する位置に集光レンズ８が配設されたレンズハウジング８０が装着される。
上記支持テーブル１３は、支持部１４と、該支持部１４の下端に設けられたテーブル部１５とからなっている。支持部１４は、後面に上記支持基板１１に形成された案内溝１１１に嵌合する被案内レール１４１が形成されている。この被案内レール１４１が案内溝１１１に嵌合することにより、支持テーブル１３は支持基板１１の案内溝１１１に沿って上下方向に移動可能に支持される。上記テーブル部１５は、支持部１４の前面に対して直角に突出して形成されている。このテーブル部１５には、中央部に穴１５１が形成されている。また、テーブル部１５の両側端には支持基板１１の前面に対して直角に延びる位置決めレール１５２、１５３が形成されている。この位置決めレール１５２、１５３の間隔は、上記シリンドリカルレンズユニット９を構成する第２の枠体９４の幅方向寸法に対応した寸法に設定されている。
図示の実施形態における間隔調整機構１０は、支持テーブル１３を支持基板１１の案内溝１１１に沿って下方向に移動せしめる移動手段１６を具備している。移動手段１６は、支持テーブル１３の支持部１４を側方に上下方向に配設された雄ネジロッド１６１と、該雄ネジロッド１６１を回転駆動するためのパルスモータ１６２を含んでいる。雄ネジロッド１６１は、支持部１４の上端に固定された移動板１６３に形成された雌ねじ穴１６３aに螺合して配設され、その下端がこの支持基板１１の側面に固定された軸受け１６４に回転可能に軸支されている。パルスモータ１６２は、支持基板１１に取り付けられ、その駆動軸１６２aが雄ネジロッド１６１の上端に連結されている。従って、パルスモータ１６２によって雄ネジロッド１６１を正転駆動することにより支持テーブル１３を例えば下方に移動し、雄ネジロッド１６１を逆転駆動することにより持テーブル１３を例えば上方に移動する。このように移動手段１６は、パルスモータ１６２を正転または逆転駆動することにより、支持テーブル１３のテーブル部１５と集光レンズ支持板１２との間隔を適宜調整することができる。
以上のように構成された間隔調整機構１０の支持テーブル１３を構成するテーブル部１５には、図９に示すように上記シリンドリカルレンズユニット９がセットされる。即ち、シリンドリカルレンズユニット９の第２の枠体９４を支持テーブル１３を構成するテーブル部１５における位置決めレール１５２、１５３の間に載置する。なお、支持テーブル１３のテーブル部１５上の所定位置に載置されたシリンドリカルレンズユニット９は、図示しない適宜の固定手段によって支持テーブル１３のテーブル部１５に固定される。このようにして支持テーブル１３のテーブル部１５上に配置されたシリンドリカルレンズユニット９のシリンドリカルレンズ９は、集光方向が図１においてXで示す加工送り方向にセットされる。
図１に戻って説明を続けると、上記レーザー光線照射手段５２を構成するケーシング５２１の前端部には、上記レーザー光線照射手段５２によってレーザー加工すべき加工領域を検出する撮像手段１７が配設されている。この撮像手段１７は、撮像素子（ＣＣＤ）等で構成されており、撮像した画像信号を制御手段１００に送る。制御手段１００は、コンピュータによって構成されており、上記撮像手段１７から撮像した画像信号を入力し、上記パルスモータ３７２、パルスモータ３８２、パルスモータ４３２、パルスモータ５３２、パルスモータ１６２等に制御信号を出力する。
図示の実施形態におけるレーザー加工装置は以上のように構成されており、以下その作用について説明する。
上述したレーザー光線照射手段５２によって照射されるレーザー光線の集光スポット形状について、図１０および図１１を参照して説明する。
先ず、図１０の（a）および１０の（b）に示すようにシリンドリカルレンズ９１と集光レンズ８の間隔(d1)をシリンドリカルレンズ９１の焦点距離(f2)と同一の４０mmに設定した場合について説明する。この場合、レーザー光線Lは、シリンドリカルレンズ９１によってY方向は集光されず、集光レンズ８のみによってY方向に集光される。即ち、図１０の（a）に示すようにシリンドリカルレンズ９１を通過したレーザー光線Lは、集光レンズ８の焦点距離(f1)である４０mm下方の集光点P1で集光される。
一方、レーザー光線Lは、シリンドリカルレンズ９１によってX方向が集光される。即ち、シリンドリカルレンズ９１の焦点距離(f2)が４０mmに設定されているので、図１０の（b）に示すようにシリンドリカルレンズ９１によってレーザー光線L がX方向に集光される集光点P2は集光レンズ８の中心位置となる。このようにして集光レンズ８の中心位置で集光されたレーザー光線Lは、集光レンズ８の下面に向けて広がり、集光レンズ８の下面から上記集光点P1で再度集光される。このように、シリンドリカルレンズ９１と集光レンズ８の間隔(d1)をシリンドリカルレンズ９１の焦点距離(f2)と同一にすると、シリンドリカルレンズ９１に入射された断面が円形のレーザー光線Lは、シリンドリカルレンズ９１によって矢印X方向が集光され、集光レンズ８によって矢印Y方向が集光されるので、集光点P1において図１０の（c）に拡大して示すように断面が円形の集光スポットS1が形成される。従って、集光点P1の位置に被加工物をセットすることにより、断面が円形の集光スポットS1によって被加工物にレーザー加工を施すことができる。
次に、図１１の（a）および１１の（b）に示すようにシリンドリカルレンズ９１と集光レンズ８の間隔(d1)をシリンドリカルレンズ９１の焦点距離(f2)の半分の２０mmに設定した場合について説明する。この場合もレーザー光線Lは、シリンドリカルレンズ９１によってY方向は集光されず、集光レンズ８のみによってY方向に集光される。即ち、図１１の（a）に示すようにシリンドリカルレンズ９１を通過したレーザー光線Lは、集光レンズ８の焦点距離(f1)である４０mm下方の集光点(P1)で集光される。
一方、シリンドリカルレンズ９１の焦点距離(f2)が４０mmに設定されているので、図１１の（b）に示すようにシリンドリカルレンズ９１によってX方向に集光されるレーザー光線Lは集光される途中で集光レンズ８に入光し、集光レンズ８によって更に集光され集光点P3で集光された後被加工物に達するまで矢印Xで示す方向に広げられる。この結果、集光点P1の位置においては、図１１の（c）に拡大して示すように断面が楕円形の集光スポットS2が形成される。この楕円形の集光スポットS2は、長軸D1が矢印Xで示す方向に向けて形成される。なお、楕円形の集光スポットS2の長軸D1と短軸D2との比（アスペクト比）は、集光レンズ８とシリンドリカルレンズ９１との間隔(d1)を変更することによって調整することができる。即ち、集光レンズ８とシリンドリカルレンズ９１との間隔(d1)がシリンドリカルレンズ９１の焦点距離(f2)より小さくなる程、楕円形の集光スポットS2の長軸D1と短軸D2との比（アスペクト比）は大きくなる。従って、集光点P1の位置に被加工物をセットすることにより、断面が楕円形の集光スポットS2によって被加工物にレーザー加工を施すことができる。
次に、図１１の（c）に示すように断面が楕円形の集光スポットS2を用いて、被加工物にレーザー加工溝を形成する加工方法について説明する。
ここで、上記レーザー加工装置１によって加工される被加工物としての半導体ウエーハについて、図１２を参照して説明する。図１２に示す半導体ウエーハ２０は厚さが５０μmのシリコンウエーハからなり、その表面２０ａに格子状に形成された複数のストリート２０１によって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス２０２が形成されている。
上述した半導体ウエーハ２０の裏面２０bには、図１３の(a)および(b)に示すようにダイボンディング用の接着フィルム２１が装着される（接着フィルム装着工程）。このとき、８０〜２００°Ｃの温度で加熱しつつ接着フィルム２１を半導体ウエーハ２０の裏面２０ｂに押圧して装着する。なお、接着フィルム２１は、図示の実施形態においてはエポキシ系樹脂とアクリル系樹脂を混合したフィルム材からなり、その厚さが４０μm程度に形成されている。このような接着フィルムは、例えば株式会社日立化成が製造販売する接着フィルム：FH940を用いることができる
接着フィルム装着工程を実施したならば、図１４の(a)および(b)に示すように環状のフレーム２２の内側開口部を覆うように外周部が装着されたダイシングテープ２３の表面２３aに半導体ウエーハ２０の接着フィルム２１側を貼着する（ウエーハ支持工程）。なお、上記ダイシングテープ２３は、図示の実施形態においては厚さが７０μｍのポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）からなるシート基材の表面に、アクリル樹脂系の粘着層が厚さが５μｍ程度塗布されている。
上述した接着フィルム装着工程およびウエーハ支持工程の他の実施形態について、図１５を参照して説明する。
図１５に示す実施形態は、ダイシングテープの表面に予め接着フィルムが貼着された接着フィルム付きのダイシングテープを使用する。即ち、図１５の（ａ）および（ｂ）に示すように環状のフレーム２２の内側開口部を覆うように外周部が装着されたダイシングテープ２３の表面２３aに貼着された接着フィルム２１を、半導体ウエーハ２０の裏面２０ｂに装着する。このとき、８０〜２００°Ｃの温度で加熱しつつ接着フィルム２１を半導体ウエーハ２０の裏面２０ｂに押圧して装着する。なお、接着フィルム付きのダイシングテープは、株式会社リンテック社製の接着フィルム付きのダイシングテープ：ＬＥ５０００を用いることができる。
図１に示すレーザー加工装置１を用いて上述したようにダイシングテープ２３に貼着された半導体ウエーハ２０および接着フィルム２１をストリート２０１に沿って分割するには、先ずレーザー加工装置１のチャックテーブル３６上に半導体ウエーハ２０の表面２０ａを上にして載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、チャックテーブル３６上にダイシングテープ２３を介して半導体ウエーハ２０を吸引保持する。また、ダイシングテープ２３が装着された環状のフレーム２２は、チャックテーブル３６に配設されたクランプ３６２によって固定される。半導体ウエーハ２０を吸引保持したチャックテーブル３６は、加工送り手段３７によって撮像手段１７の直下に位置付けられる。チャックテーブル３６が撮像手段１７の直下に位置付けられると、撮像手段１７および制御手段１００によって半導体ウエーハ２０のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段１７および制御手段１００は、半導体ウエーハ２０の所定方向に形成されているストリート２０１に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段５２の集光器７との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行する。また、半導体ウエーハ２０に形成されている所定方向と直交する方向に形成されているストリート２０１に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。
以上のようにしてチャックテーブル３６上に保持された半導体ウエーハ２０に形成されているストリート２０１を検出し、レーザー光線照射位置のアライメントが行われたならば、図１６の（a）で示すようにチャックテーブル３６をレーザー光線照射手段５２の集光器７が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定のストリート２０１の一端(図１６の（ａ）において左端)を集光器７の直下に位置付ける。なお、集光器７から照射されるレーザー光線の断面が楕円形の集光スポットは、図１１の(c)に示す長軸D1がストリート２０１に沿って位置付けられる。
次に、楕円形の集光スポットの長軸と短軸との比（アスペクト比）が１５〜２０：１の第１のレーザー光線をウエーハに形成されたストリートに沿って照射し、ストリートに沿って分割溝を形成するウエーハ分割工程を実施する。このウエーハ分割工程は、本発明者の実験によると第１のレーザー光線の楕円形の集光スポットの長軸と短軸との比（アスペクト比）を、ウエーハの溝形成に適する１５〜２０：１に設定することが重要である。なお、楕円形の集光スポットのアスペクト比の調整は、設定されたアスペクト比になるように制御手段１００が上記間隔調整機構１０のパルスモータ１６２を制御する。そして、集光器７から照射されるパルスレーザー光線の集光点Ｐ1を半導体ウエーハ２０の表面２０ａ（上面）付近に合わせる。この集光点Ｐ1を半導体ウエーハ２０の表面２０ａ（上面）付近に合わせるのは、レーザー光線照射手段５２を案内レール４２３、４２３に沿って矢印Ｚで示す方向に移動する移動手段５３によって行う。次に、レーザー光線照射手段５２の集光器７から半導体ウエーハ２０に対して吸収性を有する波長（２００〜６００nm）のパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル３６を図１６の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。そして、ストリート２０１の他端（図１６の（a）において右端）が集光器７の直下位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル３６の移動を停止する。次に、図１６の（ｂ）に示すようにレーザー光線照射手段５２の集光器７からパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル３６を図１６の（ｂ）において矢印Ｘ２で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。そして、ストリート２０１の他端（図１６の（b）において左端）が集光器７の直下位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル３６の移動を停止する。このウエーハ分割工程を複数回（例えば、３往復）実施することにより、図１３の(c)に示すように例え厚さが５０μｍの半導体ウエーハ２０にはストリート２０１に沿って裏面２０ｂに達する分割溝２００が形成される。この結果、半導体ウエーハ２０は、ストリート２０１に沿って分割された状態となる。
なお、上記ウエーハ分割工程は、例えば以下の加工条件で行われる。
レーザー光線の光源 ：ＹＶＯ４レーザーまたはＹＡＧレーザー
波長 ：３５５ｎｍ
繰り返し周波数 ：１０ｋＨｚ
平均出力 ：７W
集光スポット ：楕円形 長軸(D1)２００μｍ、短軸(D2)１０μｍ
加工送り速度 ：３００ｍｍ／秒
上記ウエーハ分割工程においては、第１のレーザー光線の楕円形の集光スポットの長軸(D1)が２００μｍ、短軸(D2)が１０μｍでアスペクト比が２０：１と設定され、後述する接着フィルム２１を破断する第２のレーザー光線の集光スポットのアスペクト比より小さく、照射されるレーザー光線のパワー密度が高いため、シリコンウエーハからなる半導体ウエーハ２０を確実に切断することができる。
上述したウエーハ分割工程を実施したならば、楕円形の集光スポットの長軸と短軸との比が６０〜７０：１の第２のレーザー光線をウエーハ分割工程によって形成された分割溝２００を通して接着フィルム２１に照射し、接着フィルム２１を分割溝２００に沿って破断する接着フィルム破断工程を実施する。この接着フィルム破断工程においては、本発明者の実験によると第２のレーザー光線の楕円形の集光スポットの長軸と短軸との比（アスペクト比）を、接着フィルムの破断に適する６０〜７０：１に設定することが重要である。なお、楕円形の集光スポットのアスペクト比の調整は、制御手段１００に設定されたアスペクト比になるように上記間隔調整機構１０のパルスモータ１６２を制御する。そして、図１７の（a）で示すように上記分割２００（ストリート２０１）の一端(図１７の（ａ）において左端)を集光器７の直下に位置付ける。なお、集光器７から照射されるレーザー光線の断面が楕円形の集光スポットの長軸が分割溝２００（ストリート２０１）に沿って位置付けられる。そして、集光器７から照射されるパルスレーザー光線の集光点Ｐ1を接着フィルム２１の上面付近に合わせる。この集光点Ｐ1を接着フィルム２１の上面付近に合わせるのは、レーザー光線照射手段５２を案内レール４２３、４２３に沿って矢印Ｚで示す方向に移動する移動手段５３によって行う。
次に、レーザー光線照射手段５２の集光器７からパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル３６を図１７の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。そして、分割溝２００（ストリート２０１）の他端（図１７の（a）において右端）が集光器７の直下位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル３６の移動を停止する。次に、図１７の（ｂ）に示すようにレーザー光線照射手段５２の集光器７からパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル３６を図１７の（ｂ）において矢印Ｘ２で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。そして、分割溝２００（ストリート２０１）の他端（図１７の（b）において左端）が集光器７の直下位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル３６の移動を停止する。この接着フィルム破断工程を複数回（例えば、２往復）実施することにより、図１７の(c)に示すように例え厚さが４０μｍの接着フィルム２１には分割溝２００（ストリート２０１）に沿って下面に達する破断溝２１０が形成される。この結果、接着フィルム２１は、分割溝２００（ストリート２０１）に沿って破断される。
なお、上記接着フィルム破断工程は、例えば以下の加工条件で行われる。
レーザー光線の光源 ：ＹＶＯ４レーザーまたはＹＡＧレーザー
波長 ：３５５ｎｍ
繰り返し周波数 ：１０ｋＨｚ
平均出力 ：５W
集光スポット ：楕円形 長軸(D1)６５０μｍ、短軸(D2)１０μｍ
加工送り速度 ：１５０ｍｍ／秒
上記接着フィルム破断工程においては、第のレーザー光線の楕円形の集光スポットの長軸(D1)と短軸(D2)のアスペクト比が６５：１に設定され、上記ウエーハ分割工程における集光スポットの長軸(D1)と短軸(D2)のアスペクト比より大きく設定され集光スポットの面積が大きくなるため、照射されるレーザー光線のパワー密度が低くなるので、接着フィルム２１が溶融してダイシングテープ２３に溶着することがない。
本発明によるウエーハのレーザー加工方法を実施するためのレーザー加工装置の斜視図。 図１に示すレーザー加工装置に装備されるレーザー光線照射手段の構成ブロック図。 図２に示すレーザー光線照射手段を構成する第１の実施形態における集光器を備えた加工ヘッドの説明図。 図３に示す加工ヘッドの斜視図。 図３に示す加工ヘッドの集光器を構成するシリンドリカルレンズユニットの斜視図。 図５に示すシリンドリカルレンズユニットの構成部材を分解して示す斜視図。 図５に示すシリンドリカルレンズユニットを構成するシリンドリカルレンズを保持したレンズ保持部材の断面図。 図１に示すレーザー加工装置に装備され集光レンズとシリンドリカルレンズユニットとの間隔を調整する間隔調整機構の斜視図。 図８に示す間隔調整機構にシリンドリカルレンズユニットをセットした状態を示す斜視図。 集光レンズと凸レンズからなるシリンドリカルレンズによって断面が円形の集光スポットを形成する状態を示す説明図。 集光レンズと凸レンズからなるシリンドリカルレンズによって断面が楕円形の集光スポットを形成する状態を示す説明図。 ウエーハとしての半導体ウエーハを示す斜視図。 図１２に示す半導体ウエーハの裏面に接着フィルムを装着する接着フィルム装着工程を示す説明図。 裏面に接着フィルムが装着された半導体ウエーハを環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着するウエーハ支持工程を示す斜視図。 裏面に接着フィルムが装着された半導体ウエーハを環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着するウエーハ支持工程の他の実施形態を示す説明図。 図１に示すレーザー加工装置によって実施する本発明によるウエーハの分割方法におけるウエーハ分割工程の説明図。 図１に示すレーザー加工装置によって実施する本発明によるウエーハの分割方法における接着フィルム破断工程の説明図。
符号の説明
２：静止基台
３：チャックテーブル機構
３１：案内レール
３６：チャックテーブル
３７：加工送り手段
３８：第１の割り出し送り手段
４：レーザー光線照射ユニット支持機構
４１：案内レール
４２：可動支持基台
４３：第２の割り出し送り手段
５：レーザー光線照射ユニット
５１：ユニットホルダ
５２：レーザー光線加工手段
６：加工ヘッド
６１：方向変換ミラー
７：集光器
８：集光レンズ
９：シリンドリカルレンズユニット
９１：シリンドリカルレンズ
９２：レンズ保持部材
９３：第１の枠体
９４：第２の枠体
１０：間隔調整機構
１１：支持基板
１２：集光レンズ支持板
１３：支持テーブル
１６：移動手段
１７：撮像手段
２０：半導体ウエーハ
２１：接着フィルム
２２：環状のフレーム
２３：ダイシングテープ

Claims (3)

  1. 表面に格子状に形成された複数のストリートによって複数の領域が区画され、この区画された領域にデバイスが形成され裏面にダイボンディング用の接着フィルムが装着されたウエーハを、環状のフレームに装着されたダイシングテープに貼着した状態で、集光スポットが楕円形のレーザー光線をウエーハに形成されたストリートに沿って照射しつつウエーハを所定の加工送り速度で加工送りし、ウエーハをストリートに沿って分割するウエーハの分割であって、
    楕円形の集光スポットの長軸と短軸との比が１５〜２０：１の第１のレーザー光線をウエーハに形成されたストリートに沿って照射し、ウエーハにストリートに沿って分割溝を形成するウエーハ分割工程と、
    楕円形の集光スポットの長軸と短軸との比が６０〜７０：１の第２のレーザー光線を該ウエーハ分割工程によって形成された分割溝を通して接着フィルムに照射し、接着フィルムを分割溝に沿って破断する接着フィルム破断工程と、を含む、
    ことを特徴とするウエーハの分割方法。
  2. 該第１のレーザー光線の楕円形の集光スポットは長軸が２００μm、短軸が１０μmに設定されており、該第２のレーザー光線の楕円形の集光スポットは長軸が６５０μm、短軸が１０μmに設定されている、請求項１記載のウエーハの分割方法。
  3. 該ウエーハ分割工程は、該第１のレーザー光線の繰り返し周波数が１０ｋＨｚ、平均出力が７Wに設定され、加工送り速度が３００ｍｍ／秒に設定されており、
    該接着フィルム破断工程は、該第２のレーザー光線の繰り返し周波数が１０ｋＨｚ、平均出力が５Wに設定され、加工送り速度が１５０ｍｍ／秒に設定されている、請求項２記載のウエーハの分割方法。
JP2006157211A 2006-06-06 2006-06-06 ウエーハの分割方法 Active JP4777830B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006157211A JP4777830B2 (ja) 2006-06-06 2006-06-06 ウエーハの分割方法
US11/806,847 US7737002B2 (en) 2006-06-06 2007-06-04 Wafer dividing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006157211A JP4777830B2 (ja) 2006-06-06 2006-06-06 ウエーハの分割方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007329166A true JP2007329166A (ja) 2007-12-20
JP4777830B2 JP4777830B2 (ja) 2011-09-21

Family

ID=38862111

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006157211A Active JP4777830B2 (ja) 2006-06-06 2006-06-06 ウエーハの分割方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7737002B2 (ja)
JP (1) JP4777830B2 (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008235398A (ja) * 2007-03-19 2008-10-02 Disco Abrasive Syst Ltd デバイスの製造方法
JP2009195943A (ja) * 2008-02-21 2009-09-03 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの裏面に装着された接着フィルムの破断方法
JP2010115684A (ja) * 2008-11-13 2010-05-27 V Technology Co Ltd レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JPWO2009144985A1 (ja) * 2008-05-29 2011-10-06 電気化学工業株式会社 ダイシング方法
WO2018170635A1 (zh) * 2017-03-18 2018-09-27 深圳市方鹏科技有限公司 一种高智能激光焊接机械人系统
JP2020031135A (ja) * 2018-08-22 2020-02-27 株式会社ディスコ シリコンウェーハの加工方法及びプラズマエッチングシステム

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8211781B2 (en) * 2008-11-10 2012-07-03 Stanley Electric Co., Ltd. Semiconductor manufacturing method
JP5846764B2 (ja) * 2011-06-01 2016-01-20 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP5846765B2 (ja) 2011-06-01 2016-01-20 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
US8450188B1 (en) * 2011-08-02 2013-05-28 Micro Processing Technology, Inc. Method of removing back metal from an etched semiconductor scribe street
KR101943227B1 (ko) * 2017-12-26 2019-01-28 김찬삼 레이저빔의 회절을 이용하여 재질의 표면에 패턴을 형성하는 가공 장치 및 그 방법

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06163687A (ja) * 1992-11-18 1994-06-10 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置のダイシング方法及び装置
KR100283415B1 (ko) 1998-07-29 2001-06-01 구자홍 레이저를이용한투명매질의가공방법및장치
US6514795B1 (en) * 2001-10-10 2003-02-04 Micron Technology, Inc. Packaged stacked semiconductor die and method of preparing same
JP2003173988A (ja) * 2001-12-04 2003-06-20 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体ウェハのダイシング方法
US6896760B1 (en) * 2002-01-16 2005-05-24 Micron Technology, Inc. Fabrication of stacked microelectronic devices
JP4128843B2 (ja) * 2002-10-16 2008-07-30 古河電気工業株式会社 半導体チップ製造方法
TWI248244B (en) * 2003-02-19 2006-01-21 J P Sercel Associates Inc System and method for cutting using a variable astigmatic focal beam spot
JP2004273895A (ja) * 2003-03-11 2004-09-30 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウエーハの分割方法
JP4439990B2 (ja) * 2004-04-28 2010-03-24 株式会社ディスコ レーザー加工方法
JP4440036B2 (ja) * 2004-08-11 2010-03-24 株式会社ディスコ レーザー加工方法
JP2006093368A (ja) * 2004-09-24 2006-04-06 Furukawa Electric Co Ltd:The ウエハ固定用粘着テープおよびダイシング方法
JP4684687B2 (ja) * 2005-03-11 2011-05-18 株式会社ディスコ ウエーハのレーザー加工方法および加工装置
JP2006269897A (ja) * 2005-03-25 2006-10-05 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハのレーザー加工方法
JP2006319198A (ja) * 2005-05-13 2006-11-24 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハのレーザー加工方法およびレーザー加工装置
JP2006344795A (ja) * 2005-06-09 2006-12-21 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
JP2007012878A (ja) * 2005-06-30 2007-01-18 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
JP2007136477A (ja) * 2005-11-16 2007-06-07 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工装置
JP4769560B2 (ja) * 2005-12-06 2011-09-07 株式会社ディスコ ウエーハの分割方法
JP4833657B2 (ja) * 2005-12-19 2011-12-07 株式会社ディスコ ウエーハの分割方法
JP2007305646A (ja) * 2006-05-09 2007-11-22 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハのレーザー加工方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008235398A (ja) * 2007-03-19 2008-10-02 Disco Abrasive Syst Ltd デバイスの製造方法
JP2009195943A (ja) * 2008-02-21 2009-09-03 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの裏面に装着された接着フィルムの破断方法
JPWO2009144985A1 (ja) * 2008-05-29 2011-10-06 電気化学工業株式会社 ダイシング方法
KR101559190B1 (ko) 2008-05-29 2015-10-12 덴끼 가가꾸 고교 가부시키가이샤 다이싱 방법
JP2010115684A (ja) * 2008-11-13 2010-05-27 V Technology Co Ltd レーザ加工方法及びレーザ加工装置
WO2018170635A1 (zh) * 2017-03-18 2018-09-27 深圳市方鹏科技有限公司 一种高智能激光焊接机械人系统
JP2020031135A (ja) * 2018-08-22 2020-02-27 株式会社ディスコ シリコンウェーハの加工方法及びプラズマエッチングシステム

Also Published As

Publication number Publication date
JP4777830B2 (ja) 2011-09-21
US7737002B2 (en) 2010-06-15
US20070293021A1 (en) 2007-12-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4777830B2 (ja) ウエーハの分割方法
JP5154838B2 (ja) レーザー加工装置
JP6062315B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP4938339B2 (ja) レーザー加工装置
JP5203744B2 (ja) ウエーハの裏面に装着された接着フィルムの破断方法
JP2004273895A (ja) 半導体ウエーハの分割方法
JP5980504B2 (ja) ウエーハの加工方法およびレーザー加工装置
JP2014104484A (ja) レーザー加工装置
JP2007136477A (ja) レーザー加工装置
US9981343B2 (en) Laser processing apparatus
US10276413B2 (en) Laser processing apparatus
JP2006319198A (ja) ウエーハのレーザー加工方法およびレーザー加工装置
JP2010158691A (ja) レーザー加工装置
JP4684687B2 (ja) ウエーハのレーザー加工方法および加工装置
JP2007305646A (ja) ウエーハのレーザー加工方法
JP2006040988A (ja) ウエーハの分割方法および分割装置
JP2005222989A (ja) ウエーハの分割方法
JP5331417B2 (ja) レーザー加工装置
JP2010064125A (ja) レーザー加工装置
JP4402974B2 (ja) ウエーハの分割方法
JP2013102039A (ja) 半導体ウエーハの加工方法
JP2006289388A (ja) レーザー加工装置
JP2005142303A (ja) シリコンウエーハの分割方法および分割装置
JP2008264805A (ja) レーザー加工装置およびウエーハの裏面に装着された接着フィルムのレーザー加工方法
JP2007307597A (ja) レーザー加工装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090521

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110602

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110607

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110630

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 4777830

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140708

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140708

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250