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JP2007238724A - Liquid state material, method for producing substrate plate having membrane, method for producing electro-optical device and method for producing electronic instrument - Google Patents

Liquid state material, method for producing substrate plate having membrane, method for producing electro-optical device and method for producing electronic instrument Download PDF

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JP2007238724A
JP2007238724A JP2006061871A JP2006061871A JP2007238724A JP 2007238724 A JP2007238724 A JP 2007238724A JP 2006061871 A JP2006061871 A JP 2006061871A JP 2006061871 A JP2006061871 A JP 2006061871A JP 2007238724 A JP2007238724 A JP 2007238724A
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JP
Japan
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substrate
liquid material
film
solvent
contact angle
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JP2006061871A
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Inventor
Takashi Masuda
貴史 増田
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Seiko Epson Corp
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Seiko Epson Corp
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a liquid state material forming a highly fine-patterned membrane on a substrate plate simply and inexpensively by removing a solvent, a method for producing a substrate plate having a membrane forming the substrate plate equipped with the highly fine-patterned membrane by using such the liquid state material, and method for producing an electro-optical device and an electronic instrument by using such the method of production. <P>SOLUTION: This liquid state material is used for forming the membrane having a prescribed pattern on the substrate plate. Such the liquid state material is provided by dissolving a polymer without substantially having polarity in a solvent, and satisfying a relationship of A-B≥5° by taking a retreating contact angle of the solvent against the substrate plate as A° and the retreating contact angle of the obtained liquid state material against the substrate plate as B°. Here, the retreating contact angle means that in a state of loading a liquid droplet on the surface of the substrate plate and by increasing the inclined angle of the substrate plate gradually, at a time point that the liquid droplet begins to move relative to the substrate plate, it is the contact angle measured at the reverse side to the moving direction of the liquid droplet. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、液状材料、膜付き基板の製造方法、電気光学装置の製造方法および電子機器の製造方法に関する。   The present invention relates to a liquid material, a method for manufacturing a substrate with a film, a method for manufacturing an electro-optical device, and a method for manufacturing an electronic apparatus.

従来、膜付き基板の製造方法、すなわち、基板上に膜をパターニングする方法として、液状材料を液滴吐出法を用いて基板上に供給し、形成された液滴を乾燥させることにより、所望の形状の乾燥膜を形成する方法が知られている(例えば、特許文献1参照)。
この方法では、液状材料に溶解している固形分(溶質)の濃度と、基板上に液状材料を滴下することにより形成された液滴の乾燥速度のうちの少なくとも一方をパラメータとして、乾燥膜の形状を制御する。かかる方法によれば、フォトリソグラフィー技術のような煩雑なプロセスを多用するパターニング方法を用いることなく、所望の形状の乾燥膜を容易に得ることができる。
しかしながら、液状材料を構成する溶質と溶媒の各構成材料、およびこの液状材料を滴下する基板の構成材料の組み合わせによっては、高い寸法精度の乾燥膜を形成することが困難な場合がある。
Conventionally, as a method for manufacturing a substrate with a film, that is, a method for patterning a film on a substrate, a liquid material is supplied onto the substrate using a droplet discharge method, and the formed droplets are dried to obtain a desired A method of forming a dry film having a shape is known (for example, see Patent Document 1).
In this method, the concentration of the solid content (solute) dissolved in the liquid material and at least one of the drying speed of droplets formed by dropping the liquid material on the substrate are used as parameters, and the dry film is formed. Control the shape. According to this method, a dry film having a desired shape can be easily obtained without using a patterning method that frequently uses complicated processes such as photolithography.
However, it may be difficult to form a dry film with high dimensional accuracy depending on the combination of the constituent materials of the solute and the solvent constituting the liquid material and the constituent material of the substrate onto which the liquid material is dropped.

特開2005−28275号公報JP 2005-28275 A

本発明の目的は、溶媒を除去することにより、基板上に高精細なパターンの膜を簡単かつ安価に形成可能な液状材料、かかる液状材料を用いて高精細なパターンの膜を備えた基板を形成することができる膜付き基板の製造方法、および、かかる製造方法を用いた電気光学装置の製造方法および電子機器の製造方法を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a liquid material capable of easily and inexpensively forming a high-definition pattern film on a substrate by removing the solvent, and a substrate provided with a high-definition pattern film using the liquid material. An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a substrate with a film that can be formed, a method for manufacturing an electro-optical device using the method, and a method for manufacturing an electronic apparatus.

このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の液状材料は、基板上に所定パターンの膜を形成するのに用いられる液状材料であって、
前記液状材料は、実質的に極性を有さないポリマーを溶媒に溶解してなり、前記溶媒の前記基板に対する後退接触角をA[°]とし、前記液状材料の前記基板に対する後退接触角をB[°]としたとき、A−B≧5°となる関係を満足することを特徴とする。
これにより、溶媒を除去することにより、基板上に高精細なパターンの膜を簡単かつ安価に形成可能な液状材料が得られる。また、このような特性を示す液状材料は、液滴の収縮がより確実に抑制されることとなり、特に高い寸法精度を有する膜を、目的の位置に確実に形成し得るものとなる。
ここで、後退接触角とは、液滴を基板の表面に載置した状態で、基板の傾斜角度を徐々に増大させたとき、液滴が基板に対して移動を開始した時点において、液滴の移動方向と反対側において測定される接触角のことを言う。
Such an object is achieved by the present invention described below.
The liquid material of the present invention is a liquid material used to form a film having a predetermined pattern on a substrate,
The liquid material is obtained by dissolving a substantially non-polar polymer in a solvent, the receding contact angle of the solvent with respect to the substrate is A [°], and the receding contact angle of the liquid material with respect to the substrate is B. When [°], the relationship of AB ≧ 5 ° is satisfied.
Thereby, by removing the solvent, it is possible to obtain a liquid material capable of easily and inexpensively forming a high-definition pattern film on the substrate. In addition, the liquid material exhibiting such characteristics can more reliably suppress the contraction of the droplets, and can reliably form a film having a particularly high dimensional accuracy at a target position.
Here, the receding contact angle refers to a state in which the droplet starts to move relative to the substrate when the tilt angle of the substrate is gradually increased with the droplet placed on the surface of the substrate. This is the contact angle measured on the opposite side of the moving direction.

本発明の液状材料では、前記ポリマーの繰り返し単位を構成する単位構造の双極子モーメントが1D(デバイ単位)以下であることが好ましい。
単位構造の双極子モーメントは、ポリマー(溶質)の極性を実質的に支配している。このため、この双極子モーメントが前記範囲のように小さい値であれば、ポリマーの極性は極めて小さくなり、ポリマーは実質的に無極性となる。かかるポリマーは、液状材料に対する撥液性の強い基板に対して、特に、親和性の高いものとなり、ピニングが起こり易い液体材料を得ることができる。
In the liquid material of the present invention, the dipole moment of the unit structure constituting the repeating unit of the polymer is preferably 1D (Debye unit) or less.
The dipole moment of the unit structure substantially controls the polarity of the polymer (solute). For this reason, if this dipole moment is a small value as in the above range, the polarity of the polymer becomes extremely small and the polymer becomes substantially nonpolar. Such a polymer has a particularly high affinity for a substrate having a strong liquid repellency with respect to the liquid material, and a liquid material that easily undergoes pinning can be obtained.

本発明の液状材料では、前記溶媒の前記基板に対する静的接触角が50°以上であることが好ましい。
基板に対する静的接触角がこのように大きな値を示す溶媒は、基板に対する親和性が適度に低い、すなわち撥液性が比較的高いものであると言える。したがって、かかる溶媒を含む液状材料は、基板上に液滴として供給した際に、必要以上に濡れ拡がり難い液滴を形成し、目的とする形状・寸法の膜をより確実に得ることができるものとなる。
In the liquid material of the present invention, the static contact angle of the solvent with respect to the substrate is preferably 50 ° or more.
It can be said that a solvent having such a large static contact angle with respect to the substrate has a moderately low affinity for the substrate, that is, a relatively high liquid repellency. Therefore, when a liquid material containing such a solvent is supplied as a droplet on a substrate, it forms a droplet that is hard to spread more than necessary and can more reliably obtain a film having a desired shape and size. It becomes.

本発明の液状材料では、前記溶媒の前記ポリマーに対する第二ビリアル係数が、0〜1.5×10−4cm・mol/gであることが好ましい。
ポリマーに対する第二ビリアル係数が前記範囲内である溶媒は、ポリマーを溶解することができるが、その溶解度は低いものとなる。したがって、このようなポリマーと溶媒は、溶液(液状材料)として存在することが可能であるが、溶解度が低いため、液滴中からポリマーが析出し易く、基板に対して液滴の縁部が固定され易い。したがって、かかる溶液とポリマーとを含む液状材料は、ピニングが非常に起こり易く、特に高い寸法精度を有する膜を確実に形成し得るものとなる。
In the liquid material of the present invention, the second virial coefficient of the solvent with respect to the polymer is preferably 0 to 1.5 × 10 −4 cm 3 · mol / g 2 .
A solvent having a second virial coefficient for the polymer within the above range can dissolve the polymer, but its solubility is low. Therefore, although such a polymer and a solvent can exist as a solution (liquid material), since the solubility is low, the polymer is likely to be deposited from within the droplet, and the edge of the droplet with respect to the substrate is present. Easy to fix. Therefore, a liquid material containing such a solution and a polymer is very easily pinned, and a film having a particularly high dimensional accuracy can be reliably formed.

本発明の液状材料では、前記溶媒は、非プロトン性の極性有機溶媒を主成分とすることが好ましい。
非プロトン性極性溶媒は、多種のポリマーを長期にわたって安定的に溶解するため、液状材料に含む溶媒として好適に用いられる。
本発明の液状材料では、前記ポリマーは、ポリスチレンを主成分とし、前記溶媒は、γ−ブチロラクトンを主成分とすることが好ましい。
これにより、液状材料は、特にピニングが起こり易いものとなり、高い寸法精度を有する膜を確実に形成し得るものとなる。
In the liquid material of the present invention, the solvent preferably contains an aprotic polar organic solvent as a main component.
An aprotic polar solvent is suitably used as a solvent contained in a liquid material because it dissolves various polymers stably over a long period of time.
In the liquid material of the present invention, the polymer is preferably composed mainly of polystyrene, and the solvent is preferably composed of γ-butyrolactone.
Thereby, the liquid material is particularly prone to pinning, and a film having high dimensional accuracy can be reliably formed.

本発明の液状材料は、その粘度(常温)が0.5〜20cPであることが好ましい。
このような粘度の液状材料は、例えば、液滴吐出法により基板上に微小な液滴として供給され易く、かつ、液滴の形状が容易に変形し難くなる。このため、最終的に得られる膜の寸法精度を高めることができる。さらに、液状材料を、液滴吐出装置の吐出口から確実に排出することができる。
The liquid material of the present invention preferably has a viscosity (normal temperature) of 0.5 to 20 cP.
A liquid material having such a viscosity is easily supplied as a fine droplet on the substrate by a droplet discharge method, for example, and the shape of the droplet is not easily deformed. For this reason, the dimensional accuracy of the film finally obtained can be improved. Furthermore, the liquid material can be reliably discharged from the discharge port of the droplet discharge device.

本発明の液状材料は、その表面張力が20〜40mN/mであることが好ましい。
このような表面張力の液状材料を用いることにより、液滴が球形化し過ぎるのを防止しつつ、液滴の表面がより平滑化され易くなる。このため、厚みのバラツキが小さい膜を容易に得ることができる。
The liquid material of the present invention preferably has a surface tension of 20 to 40 mN / m.
By using a liquid material having such a surface tension, the surface of the droplet is more easily smoothed while preventing the droplet from becoming too spherical. For this reason, a film with small variation in thickness can be easily obtained.

本発明の液状材料は、液滴吐出法に用いられるものであることが好ましい。
液滴吐出法は、液状材料を微細なパターンで供給できるので、別途パターニング工程が不要となり、簡易な工程で精密な形状の膜を形成することができる。したがって、本発明の液状材料による膜の形成をより効果的に行うことができる。
The liquid material of the present invention is preferably used for a droplet discharge method.
In the droplet discharge method, since a liquid material can be supplied in a fine pattern, a separate patterning process is not required, and a film having a precise shape can be formed by a simple process. Therefore, it is possible to more effectively form a film with the liquid material of the present invention.

本発明の膜付き基板の製造方法は、基板上に膜を形成して膜付き基板を製造する膜付き基板の製造方法であって、
前記基板上に、実質的に極性を有さないポリマーを溶媒に溶解してなる液状材料を供給して液状被膜を形成する第1の工程と、
前記液状被膜から前記溶媒を除去して、前記膜を得る第2の工程とを有し、
前記液状材料として、前記溶媒の前記基板に対する後退接触角をA[°]とし、前記液状材料の前記基板に対する後退接触角をB[°]としたとき、A−B≧5°となる関係を満足するものを用いることを特徴とする。
これにより、基板上に高精細なパターンの膜を備えた膜付き基板を簡単かつ安価に形成することができる。
The method for manufacturing a substrate with a film according to the present invention is a method for manufacturing a substrate with a film by forming a film on the substrate and manufacturing the substrate with a film,
A first step of forming a liquid film on the substrate by supplying a liquid material obtained by dissolving a substantially non-polar polymer in a solvent;
Removing the solvent from the liquid coating to obtain the film,
When the receding contact angle of the solvent with respect to the substrate is A [°] and the receding contact angle of the liquid material with respect to the substrate is B [°], the relation of AB ≧ 5 ° is established. It is characterized by using a satisfactory one.
This makes it possible to easily and inexpensively form a film-coated substrate having a high-definition pattern film on the substrate.

本発明の膜付き基板の製造方法では、前記第1の工程に先立って、前記基板の少なくとも一方の面に撥液処理を施す工程を有することが好ましい。
これにより、基板の撥液処理を施された面は、後述する液状材料に対して、撥液性を強めるものとなる。その結果、基板上に供給された液状材料が、必要以上に濡れ拡がってしまい、目的とする膜の形状・寸法から逸脱するのを防止することができる。また、基板表面の液状材料に対する撥液性のバラツキを低減することができるため、基板上における膜の形状のバラツキを抑制することもできる。
In the method for manufacturing a film-coated substrate according to the present invention, it is preferable to have a step of performing a liquid repellent treatment on at least one surface of the substrate prior to the first step.
As a result, the surface of the substrate that has been subjected to the liquid repellent treatment enhances the liquid repellency relative to the liquid material described later. As a result, it is possible to prevent the liquid material supplied on the substrate from spreading out more than necessary and deviating from the target shape and dimensions of the film. In addition, since variation in liquid repellency with respect to the liquid material on the substrate surface can be reduced, variation in the shape of the film on the substrate can also be suppressed.

本発明の電気光学装置の製造方法は、本発明の膜付き基板の製造方法を含むことを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電気光学装置を製造することができる。
本発明の電子機器の製造方法は、本発明の電気光学装置の製造方法を含むことを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器を製造することができる。
The method for manufacturing an electro-optical device according to the present invention includes the method for manufacturing a film-coated substrate according to the present invention.
Thereby, an electro-optical device with high reliability can be manufactured.
The method for manufacturing an electronic apparatus according to the present invention includes the method for manufacturing the electro-optical device according to the present invention.
Thereby, a highly reliable electronic device can be manufactured.

以下、本発明の液状材料、膜付き基板の製造方法、電気光学装置の製造方法および電子機器の製造方法について、図示の好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
まず、本発明の液状材料および本発明の膜付き基板の製造方法の説明に先立ち、かかる製造方法により製造される膜付き基板について説明する。
本発明の膜付き基板の製造方法は、高精細なパターンの膜を基板上に形成するものであって、電気配線、電極または絶縁膜などに利用可能な膜を基板上に形成することができるものである。なお、以下では、膜付き基板の一例としてアクティブマトリクス装置を説明する。そして、膜付き基板上の膜を、アクティブマトリクス装置が備える薄膜トランジスタのゲート絶縁膜として用いる場合を例に説明する。
Hereinafter, a liquid material, a method for manufacturing a substrate with a film, a method for manufacturing an electro-optical device, and a method for manufacturing an electronic device according to the present invention will be described in detail based on the preferred embodiments shown in the drawings.
First, prior to description of the manufacturing method of the liquid material of the present invention and the film-coated substrate of the present invention, the film-coated substrate manufactured by the manufacturing method will be described.
The method for manufacturing a substrate with a film according to the present invention forms a film with a high-definition pattern on the substrate, and can form a film that can be used for electrical wiring, an electrode, an insulating film, or the like on the substrate. Is. Hereinafter, an active matrix device will be described as an example of a film-coated substrate. An example in which a film on a substrate with a film is used as a gate insulating film of a thin film transistor included in the active matrix device will be described.

図1は、本実施形態にかかるアクティブマトリクス装置(膜付き基板)の構成を示すブロック図であり、図2は、本実施形態のアクティブマトリクス装置が備える薄膜トランジスタの構成を示す図(縦断面図および平面図)である。なお、以下の説明では、図2(b)中、上側を「上」、下側を「下」として説明する。
図1に示すアクティブマトリクス装置100は、基板48と、いずれも基板48上に設けられ、互いに交差する複数のデータ線101および複数の走査線102と、これらのデータ線101と走査線102との各交点付近に設けられた薄膜トランジスタ1および画素電極103とを有している。
FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of an active matrix device (substrate with a film) according to the present embodiment, and FIG. 2 is a diagram showing a configuration of a thin film transistor included in the active matrix device of the present embodiment (longitudinal sectional view and FIG. Is a plan view). In the following description, in FIG. 2B, the upper side is described as “upper” and the lower side is described as “lower”.
The active matrix device 100 shown in FIG. 1 includes a substrate 48, a plurality of data lines 101 and a plurality of scanning lines 102 that are provided on the substrate 48 and intersect each other, and the data lines 101 and the scanning lines 102. It has a thin film transistor 1 and a pixel electrode 103 provided near each intersection.

図2に示すように、本実施形態において、薄膜トランジスタ1は、トップゲート型の薄膜トランジスタであり、基板48上に、互いに分離して設けられたソース電極72およびドレイン電極73と、ソース電極72およびドレイン電極73に接触して設けられた半導体層78と、ソース電極72、ドレイン電極73および半導体層78を覆うように設けられたゲート絶縁膜79と、半導体層78に対応するゲート絶縁膜79上に設けられたゲート電極80とを有している。
このような薄膜トランジスタ1では、ゲート電極80が走査線102に、ソース電極72がデータ線101に、ドレイン電極73が画素電極(個別電極)103に、それぞれ接続されている。
As shown in FIG. 2, in the present embodiment, the thin film transistor 1 is a top gate type thin film transistor, and a source electrode 72 and a drain electrode 73 provided separately from each other on the substrate 48, and a source electrode 72 and a drain. On the semiconductor layer 78 provided in contact with the electrode 73, the gate insulating film 79 provided so as to cover the source electrode 72, the drain electrode 73 and the semiconductor layer 78, and on the gate insulating film 79 corresponding to the semiconductor layer 78 And a gate electrode 80 provided.
In such a thin film transistor 1, the gate electrode 80 is connected to the scanning line 102, the source electrode 72 is connected to the data line 101, and the drain electrode 73 is connected to the pixel electrode (individual electrode) 103.

また、この画素電極103は、マトリクス状に、すなわち、縦横に規則正しく配列するように分割されている。
なお、薄膜トランジスタ1は、ボトムゲート型の薄膜トランジスタであってもよい。
このようなアクティブマトリクス装置100は、例えば、次のようにして製造することができる。
The pixel electrodes 103 are divided so as to be regularly arranged in a matrix, that is, vertically and horizontally.
Note that the thin film transistor 1 may be a bottom-gate thin film transistor.
Such an active matrix device 100 can be manufactured as follows, for example.

以下、一例として、アクティブマトリクス装置100の製造方法(本発明の膜付き基板の製造方法)を説明する。なお、以下では、薄膜トランジスタ1の製造方法を中心に説明する。
本実施形態における薄膜トランジスタ1の製造方法は、基板48上にソース電極72およびドレイン電極73を形成する工程(以下、ソース電極およびドレイン電極形成工程という)と、半導体層78を形成する工程(以下、半導体層形成工程という)と、ゲート絶縁膜79を形成する工程(以下、ゲート絶縁膜形成工程という)と、ゲート電極80を形成する工程(以下、ゲート電極形成工程という)とを有する。
Hereinafter, as an example, a method for manufacturing the active matrix device 100 (a method for manufacturing a substrate with a film of the present invention) will be described. In the following, the method for manufacturing the thin film transistor 1 will be mainly described.
The manufacturing method of the thin film transistor 1 in this embodiment includes a step of forming a source electrode 72 and a drain electrode 73 on a substrate 48 (hereinafter referred to as a source electrode and drain electrode formation step), and a step of forming a semiconductor layer 78 (hereinafter referred to as a source electrode and drain electrode 73). A step of forming a gate insulating film 79 (hereinafter referred to as a gate insulating film forming step), and a step of forming a gate electrode 80 (hereinafter referred to as a gate electrode forming step).

以下、図3を参照しつつ、各工程について順次説明する。
図3は、本実施形態のアクティブマトリクス装置100(膜付き基板)の製造方法を説明するための図(断面図)である。なお、以下の説明に用いる各図面では、説明の便宜上、各部の縮尺を適宜変更している。
Hereinafter, each process will be described in sequence with reference to FIG.
FIG. 3 is a view (cross-sectional view) for explaining a method for manufacturing the active matrix device 100 (substrate with a film) according to this embodiment. In the drawings used for the following description, the scale of each part is appropriately changed for convenience of description.

[A1] ソース電極およびドレイン電極形成工程
まず、図3(a)に示すように、基板48上に、ソース電極72およびドレイン電極73を形成する。
具体的に説明すると、まず、基板48を用意する。
基板48には、例えば、ガラス基板、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリメチルメタクリレート(PMMA)、ポリカーボネート(PC)、ポリエーテルスルホン(PES)、芳香族ポリエステル(液晶ポリマー)等で構成されるプラスチック基板(樹脂基板)、石英基板、シリコン基板、ガリウム砒素基板等を用いることができる。薄膜トランジスタに可撓性を付与する場合には、基板48には、樹脂基板が選択される。
[A1] Source and Drain Electrode Formation Step First, as shown in FIG. 3A, the source electrode 72 and the drain electrode 73 are formed on the substrate 48.
Specifically, first, a substrate 48 is prepared.
Examples of the substrate 48 include a glass substrate, polyimide, polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polymethyl methacrylate (PMMA), polycarbonate (PC), polyethersulfone (PES), and aromatic polyester (liquid crystal polymer). Or the like, a plastic substrate (resin substrate), a quartz substrate, a silicon substrate, a gallium arsenide substrate, or the like can be used. In the case where flexibility is given to the thin film transistor, a resin substrate is selected as the substrate 48.

次に、基板48のソース電極72およびドレイン電極73を形成する面に、撥液処理を施す。これにより、基板48の撥液処理を施された面は、後述する液状材料に対して、撥液性を強めるものとなる。その結果、基板48上に供給された液状材料が、必要以上に濡れ拡がってしまい、目的とする膜の形状・寸法から逸脱するのを防止することができる。
また、基板48表面の液状材料に対する撥液性のバラツキを低減することができるため、基板48上における膜の形状のバラツキを抑制することもできる。
Next, the surface of the substrate 48 on which the source electrode 72 and the drain electrode 73 are formed is subjected to a liquid repellent treatment. As a result, the surface of the substrate 48 that has been subjected to the liquid repellent treatment has a higher liquid repellency than the liquid material described later. As a result, it is possible to prevent the liquid material supplied onto the substrate 48 from spreading out more than necessary and deviating from the target shape and dimensions of the film.
In addition, variations in liquid repellency with respect to the liquid material on the surface of the substrate 48 can be reduced, so that variations in the shape of the film on the substrate 48 can also be suppressed.

このような撥液処理としては、例えば、基板48上に、撥液性の官能基を有する自己組織化膜(自己組織化単分子膜:SAM(Self Assembled Monolayer))を形成する方法が挙げられる。自己組織化膜とは、基板の表層原子と反応可能な結合性官能基とそれ以外の直鎖分子とからなり、直鎖分子の相互作用により極めて高い配向性を有する化合物を配向させて形成された膜である。この自己組織化膜は単分子を配向させて形成されているので、膜厚が極めて薄く、しかも、分子レベルで均一な膜となる。すなわち、膜の表面に同じ分子が位置するため、膜の表面に均一でしかも優れた撥液性を付与することができる。   Examples of such liquid repellent treatment include a method of forming a self-assembled film (self-assembled monolayer: SAM (Self Assembled Monolayer)) having a liquid repellent functional group on the substrate 48. . A self-assembled film consists of a binding functional group capable of reacting with surface layer atoms of a substrate and other linear molecules, and is formed by orienting a highly oriented compound by the interaction of linear molecules. Film. Since this self-assembled film is formed by orienting single molecules, the film thickness is extremely thin, and the film is uniform at the molecular level. That is, since the same molecule is located on the surface of the film, uniform and excellent liquid repellency can be imparted to the surface of the film.

本実施形態では、基板48上に、例えば、アルキル基やフルオロアルキル基のような撥液性の官能基を有する自己組織化膜を形成する。これにより、前述のような優れた特性を付与し得る撥液処理を施すことができる。
撥液性の官能基を有する化合物としては、例えば、基板48がシリコン基板で構成されている場合、ヘキシルトリメトキシシラン、オクチルトリエトキシシランのようなアルキルシランやフルオロアルキルシラン(シランカップリング剤)等を用いることができる。
In this embodiment, a self-assembled film having a liquid repellent functional group such as an alkyl group or a fluoroalkyl group is formed on the substrate 48. Thereby, the liquid repellent process which can provide the above outstanding characteristics can be performed.
As the compound having a liquid repellent functional group, for example, when the substrate 48 is composed of a silicon substrate, alkyl silanes such as hexyltrimethoxysilane and octyltriethoxysilane, and fluoroalkylsilanes (silane coupling agents) Etc. can be used.

また、撥液処理は、前述したような自己組織化膜を形成する方法に代えて、例えば、基板48表面に撥液性を有する層を形成したり、基板48表面に撥液性を示す原子(例えば、フッ素原子)を注入する方法等により行うようにしてもよい。
なお、撥液処理は、基板48の両面に行うようにしてもよい。
また、撥液処理は、必要に応じて行えばよく、基板48自体が適度な撥液性を有している場合には省略することもできる。
In addition, the liquid repellent treatment may be performed by, for example, forming a layer having liquid repellency on the surface of the substrate 48 or an atom having liquid repellency on the surface of the substrate 48 instead of the method of forming the self-assembled film as described above. It may be performed by a method of injecting (for example, fluorine atoms).
Note that the liquid repellent treatment may be performed on both surfaces of the substrate 48.
The liquid repellent treatment may be performed as necessary, and may be omitted when the substrate 48 itself has appropriate liquid repellency.

次に、基板48上に導電性膜を形成する。これは、例えば、プラズマCVD、熱CVD、レーザーCVDのような化学蒸着法(CVD)、真空蒸着、スパッタリング(低温スパッタリング)、イオンプレーティング等の乾式メッキ法、電解メッキ、浸漬メッキ、無電解メッキ等の湿式メッキ法、溶射法、ゾル・ゲル法、MOD法、金属箔の接合等により形成することができる。   Next, a conductive film is formed on the substrate 48. This includes, for example, chemical vapor deposition (CVD) such as plasma CVD, thermal CVD, and laser CVD, vacuum deposition, sputtering (low temperature sputtering), dry plating methods such as ion plating, electrolytic plating, immersion plating, and electroless plating. It can be formed by a wet plating method such as a thermal spraying method, a sol-gel method, a MOD method, or a metal foil bonding.

導電性膜の構成材料(すなわちソース電極72またはドレイン電極73の構成材料)としては、導電性を有するものであれば特に限定されず、例えば、Pd、Pt、Au、Ag、W、Ta、Mo、Al、Cr、Ti、Cuまたはこれらを含む合金等の導電性材料、ITO、FTO、ATO、SnO等の導電性酸化物、カーボンブラック、カーボンナノチューブ、フラーレン等の炭素系材料、ポリアセチレン、ポリピロール、PEDOT(poly-ethylenedioxythiophene)のようなポリチオフェン、ポリアニリン、ポリ(p−フェニレン)、ポリフルオレン、ポリカルバゾール、ポリシランまたはこれらの誘導体等の導電性高分子材料等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。なお、前記導電性高分子材料は、通常、塩化鉄、ヨウ素、無機酸、有機酸、ポリスチレンサルフォニック酸などの高分子でドープされ導電性を付与された状態で用いられる。これらの中でも、導電性膜の構成材料としては、それぞれ、Ni、Cu、Co、Au、Pd、Agまたはこれらを含む合金を主とするものが好適に用いられる。 The constituent material of the conductive film (that is, the constituent material of the source electrode 72 or the drain electrode 73) is not particularly limited as long as it has conductivity. For example, Pd, Pt, Au, Ag, W, Ta, Mo , Al, Cr, Ti, Cu or conductive materials such as alloys containing these, conductive oxides such as ITO, FTO, ATO, SnO 2 , carbon-based materials such as carbon black, carbon nanotubes, fullerene, polyacetylene, polypyrrole , Conductive polymer materials such as polythiophene such as PEDOT (poly-ethylenedioxythiophene), polyaniline, poly (p-phenylene), polyfluorene, polycarbazole, polysilane, or derivatives thereof. Alternatively, two or more kinds can be used in combination. The conductive polymer material is usually used in a state where it is doped with a polymer such as iron chloride, iodine, an inorganic acid, an organic acid, polystyrene sulfonic acid, and imparted with conductivity. Among these, as the constituent material of the conductive film, materials mainly composed of Ni, Cu, Co, Au, Pd, Ag, or alloys containing these are preferably used.

この導電性膜上に、レジスト材料を塗布した後に硬化させ、ソース電極72およびドレイン電極73の形状に対応する形状のレジスト層を形成する。このレジスト層をマスクとして用いて、導電性膜の不要部分を除去する。この導電性膜の除去には、例えば、プラズマエッチング、リアクティブイオンエッチング、ビームエッチング、光アシストエッチング等の物理的エッチング法、ウェットエッチング等の化学的エッチング法等のうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。   On the conductive film, a resist material is applied and then cured to form a resist layer having a shape corresponding to the shape of the source electrode 72 and the drain electrode 73. Using this resist layer as a mask, unnecessary portions of the conductive film are removed. For removing the conductive film, for example, one or more of physical etching methods such as plasma etching, reactive ion etching, beam etching, and light-assisted etching, and chemical etching methods such as wet etching are used. Can be used in combination.

その後、レジスト層を除去することにより、ソース電極72およびドレイン電極73が得られる。
なお、ソース電極72およびドレイン電極73は、例えば、導電性粒子を含む導電性材料を基板48上に供給して液状被膜を形成した後、必要に応じて、この液状被膜に対して後処理(例えば加熱、赤外線の照射、超音波の付与等)を施すことにより形成することもできる。
Then, the source electrode 72 and the drain electrode 73 are obtained by removing the resist layer.
For example, the source electrode 72 and the drain electrode 73 are formed by supplying a conductive material containing conductive particles onto the substrate 48 to form a liquid film, and then post-treating the liquid film as necessary (see FIG. For example, it can be formed by applying heat, infrared irradiation, application of ultrasonic waves, or the like.

また、導電性材料を供給する方法としては、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット法、マイクロコンタクトプリンティング法等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。
また、このとき、データ線101および画素電極103も形成する。
Examples of the method for supplying the conductive material include spin coating, casting, micro gravure coating, gravure coating, bar coating, roll coating, wire bar coating, dip coating, and spray coating. , Screen printing method, flexographic printing method, offset printing method, ink jet method, microcontact printing method and the like, and one or more of them can be used in combination.
At this time, the data line 101 and the pixel electrode 103 are also formed.

[A2]半導体層形成工程
次に、図3(b)に示すようなソース電極72とドレイン電極73との間の間隙を埋めるように、半導体層78を形成する。この半導体層78のうち、ソース電極72とドレイン電極73との間の領域がチャネル領域となる。
半導体層78の形成方法としては、特に限定されず、構成材料に応じて、前述したソース電極72およびドレイン電極73の形成方法で挙げた各種方法から適宜選択して用いることができる。
半導体層78の構成材料としては、特に限定されず、各種有機半導体材料および各種無機半導体材料を用いることができる。
[A2] Semiconductor Layer Formation Step Next, a semiconductor layer 78 is formed so as to fill a gap between the source electrode 72 and the drain electrode 73 as shown in FIG. In the semiconductor layer 78, a region between the source electrode 72 and the drain electrode 73 becomes a channel region.
The method for forming the semiconductor layer 78 is not particularly limited, and can be appropriately selected from the various methods described in the method for forming the source electrode 72 and the drain electrode 73 described above according to the constituent materials.
The constituent material of the semiconductor layer 78 is not particularly limited, and various organic semiconductor materials and various inorganic semiconductor materials can be used.

このうち、有機半導体材料としては、例えば、ナフタレン、アントラセン、テトラセン、ペンタセン、ヘキサセン、フタロシアニン、ペリレン、ヒドラゾン、トリフェニルメタン、ジフェニルメタン、スチルベン、アリールビニル、ピラゾリン、トリフェニルアミン、トリアリールアミン、オリゴチオフェン、フタロシアニンまたはこれらの誘導体のような低分子の有機半導体材料や、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン、ポリチオフェン、ポリヘキシルチオフェン、ポリ(p−フェニレンビニレン)、ポリチニレンビニレン、ポリアリールアミン、ピレンホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂、フルオレン−ビチオフェン共重合体、フルオレン−アリールアミン共重合体またはこれらの誘導体のような高分子の有機半導体材料(共役系高分子材料)が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができるが、特に、高分子の有機半導体材料(共役系高分子材料)を主とするものを用いるのが好ましい。共役系高分子材料は、その特有な電子雲の広がりにより、キャリアの移動能が特に高い。このような高分子の有機半導体材料は、簡易な方法で成膜することができるとともに、比較的容易に配向させることができる。   Among these, examples of organic semiconductor materials include naphthalene, anthracene, tetracene, pentacene, hexacene, phthalocyanine, perylene, hydrazone, triphenylmethane, diphenylmethane, stilbene, arylvinyl, pyrazoline, triphenylamine, triarylamine, oligothiophene. , Low molecular organic semiconductor materials such as phthalocyanine or derivatives thereof, poly-N-vinylcarbazole, polyvinylpyrene, polyvinylanthracene, polythiophene, polyhexylthiophene, poly (p-phenylenevinylene), polytinylenevinylene, poly Arylamine, pyrene formaldehyde resin, ethylcarbazole formaldehyde resin, fluorene-bithiophene copolymer, fluorene-arylamine copolymer Alternatively, a high molecular organic semiconductor material (conjugated high molecular material) such as a derivative thereof can be used, and one or more of these can be used in combination. It is preferable to use a material mainly composed of a material (conjugated polymer material). The conjugated polymer material has a particularly high carrier mobility due to its unique electron cloud spread. Such a high-molecular organic semiconductor material can be formed by a simple method and can be relatively easily oriented.

一方、無機半導体材料としては、例えば、多結晶シリコン、アモルファスシリコン等のシリコン、ゲルマニウム、ヒ素化ガリウム等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。液滴吐出装置を用いて半導体層78を形成する場合には、例えば、シクロペンタシランを含む液体シリコンを液滴吐出装置によりソース電極72とドレイン電極73との間の間隙に供給し、これを乾燥・焼成することにより、半導体層78を形成することができる。   On the other hand, examples of the inorganic semiconductor material include silicon such as polycrystalline silicon and amorphous silicon, germanium, gallium arsenide, and the like, and one or more of these can be used in combination. In the case of forming the semiconductor layer 78 using a droplet discharge device, for example, liquid silicon containing cyclopentasilane is supplied to the gap between the source electrode 72 and the drain electrode 73 by the droplet discharge device, and this is used. The semiconductor layer 78 can be formed by drying and baking.

[A3]ゲート絶縁膜形成工程
次に、図3(c)に示すように、ソース電極72、半導体層78、ドレイン電極73を覆うように基板48上にゲート絶縁膜79を形成する。
ゲート絶縁膜79は、溶質と、溶質を溶解する溶媒とを含む液状材料を、ソース電極72、半導体層78およびドレイン電極73を覆うように供給し、その後、必要に応じて後処理を施すことにより形成することができる。
このような液状材料として、本発明の液状材料を用いることができる。
[A3] Gate Insulating Film Formation Step Next, as shown in FIG. 3C, a gate insulating film 79 is formed on the substrate 48 so as to cover the source electrode 72, the semiconductor layer 78, and the drain electrode 73.
The gate insulating film 79 is supplied with a liquid material containing a solute and a solvent for dissolving the solute so as to cover the source electrode 72, the semiconductor layer 78, and the drain electrode 73, and then subjected to post-processing as necessary. Can be formed.
As such a liquid material, the liquid material of the present invention can be used.

まず、ゲート絶縁膜形成工程の説明に先立って、本発明の液状材料について以下に説明する。
なお、以下では、溶解とは、溶質が微分散した状態のことを含んでおり、また、溶媒は、溶質が微分散した分散媒(媒質)を含んでいる。
ここで、基板上に、ゲート絶縁膜79のような所定パターンの膜を形成する方法として、以前から、高分子系材料(溶質)と、溶媒とを含む液状材料を液滴吐出法を用いて基板上に供給し、形成された液滴を乾燥させることにより、所望の形状の乾燥膜を形成する方法が知られていた。
First, prior to the description of the gate insulating film forming step, the liquid material of the present invention will be described below.
In the following, dissolution includes a state in which a solute is finely dispersed, and the solvent includes a dispersion medium (medium) in which the solute is finely dispersed.
Here, as a method of forming a film having a predetermined pattern such as the gate insulating film 79 on the substrate, a liquid material containing a polymer material (solute) and a solvent has been used by a droplet discharge method. There has been known a method of forming a dry film having a desired shape by supplying a liquid onto a substrate and drying the formed droplets.

このような方法で膜を形成する場合、液状材料中の溶質は溶媒に溶解している必要があるため、溶質としては、前述のように、低分子系材料に比べて溶媒溶解性に優れる高分子系材料(ポリマー)が用いられる。さらに、ポリマーは、低分子系材料のように結晶化させる必要がないため取り扱い易く、ポリマーを含む液状材料を用いて形成された膜は、柔軟性に富んでいるという利点もある。   When a film is formed by such a method, the solute in the liquid material needs to be dissolved in the solvent. Therefore, as described above, the solute has a high solvent solubility compared to the low molecular weight material. A molecular material (polymer) is used. Further, since the polymer does not need to be crystallized unlike the low molecular weight material, it is easy to handle, and the film formed using the liquid material containing the polymer has an advantage that it is rich in flexibility.

しかしながら、液状材料中のポリマー(溶質)と溶媒、および基板の三者間の相互作用は、その作用機構が複雑であるため、ポリマー、溶媒および基板の各構成材料の組み合わせによっては、基板上に形成された液滴が乾燥する前に収縮してしまう。これにより、得られる乾燥膜の寸法精度が低下したり、目的の形状の乾燥膜が得られないという問題があった。
このような背景から、従来は、実際に実験を行うことにより、ポリマー、溶媒および基板の各構成材料の最適な組み合わせを見出し、これにより、所定パターンの膜を形成可能な液状材料を開発する方法が一般的であった。このため、開発の長期化あるいは高コスト化という問題を招いていた。
However, the interaction between the polymer (solute) in the liquid material, the solvent, and the substrate has a complicated mechanism of action, so depending on the combination of the constituent materials of the polymer, the solvent, and the substrate, The formed droplets shrink before drying. Thereby, there existed a problem that the dimensional accuracy of the dry film obtained fell, or the dry film of the target shape was not obtained.
Against this background, a method for developing a liquid material capable of forming a film having a predetermined pattern by finding an optimum combination of constituent materials of a polymer, a solvent, and a substrate by actually conducting experiments in the past. Was common. For this reason, there has been a problem of longer development or higher costs.

ところで、基板上に供給された液状材料から目的の形状の膜を得るためには、基板上に液滴として供給された液状材料が、基板に対して速やかに固定化(ピン止め)され、液滴が収縮するのを防止するようなものである必要がある。
そこで、本発明者は、ポリマーで構成され、高い寸法精度で所望の形状をなす膜(本実施形態では、ゲート絶縁膜79)を、容易かつ安価に形成可能な液状材料を得ることを目的に鋭意検討した結果、実質的に極性を有さないポリマーを用い、このポリマーを溶媒に溶解してなる液状材料であって、溶媒の基板に対する後退接触角をA[°]とし、得られた液状材料の基板に対する後退接触角をB[°]としたとき、A−B≧5°となる関係を満足するものが、前述の液状材料として有効であることを見出し、本発明を完成するに至った。
By the way, in order to obtain a film having a desired shape from the liquid material supplied on the substrate, the liquid material supplied as droplets on the substrate is quickly fixed (pinned) to the substrate, and the liquid is supplied. It needs to be something that prevents the droplets from shrinking.
Therefore, the present inventor aims to obtain a liquid material that can be easily and inexpensively formed of a film (in this embodiment, the gate insulating film 79) that is made of a polymer and has a desired shape with high dimensional accuracy. As a result of intensive studies, a liquid material obtained by using a polymer having substantially no polarity and dissolving the polymer in a solvent, the receding contact angle of the solvent with respect to the substrate being A [°], and the obtained liquid Assuming that the receding contact angle of the material with respect to the substrate is B [°], it has been found that a material satisfying the relationship of AB ≧ 5 ° is effective as the liquid material described above, and the present invention has been completed. It was.

ここで、接触角は、一般に、静的接触角および動的接触角に分類される。
図4は、静的接触角および動的接触角を説明するための図である。
このうち、静的接触角は、図4(a)のように、水平に維持した基板Sの表面に液滴Lを載置した状態で測定される接触角θのことを言う。
一方、動的接触角は、図4(b)のように、液滴Lを基板Sの表面に載置した状態で、基板Sの傾斜角度を徐々に増大させたとき、液滴Lが基板Sに対して移動を開始した時点において測定される接触角θおよび接触角θのことを言う。また、動的接触角のうち、液滴Lの移動方向の前方において測定される接触角θのことを前進接触角と言い、液滴Lの移動方向と反対側において測定される接触角θのことを後退接触角と言う。
Here, the contact angle is generally classified into a static contact angle and a dynamic contact angle.
FIG. 4 is a diagram for explaining the static contact angle and the dynamic contact angle.
Among these, the static contact angle refers to the contact angle θ 1 measured in a state where the droplet L is placed on the surface of the substrate S maintained horizontally as shown in FIG.
On the other hand, the dynamic contact angle is such that when the inclination angle of the substrate S is gradually increased with the droplet L placed on the surface of the substrate S as shown in FIG. The contact angle θ 2 and the contact angle θ 3 measured at the time of starting movement with respect to S. Also, of the dynamic contact angle refers to a contact angle theta 2 which is measured in the forward direction of movement of the droplet L and advancing contact angle, the contact angle measured on the opposite side to the moving direction of the droplet L theta 3 is called the receding contact angle.

このような各接触角は、液滴Lと基板Sとの相互作用の程度を反映する指標となり得るものである。
具体的には、静的接触角θは、液滴Lと基板Sとの相互作用が小さいと、すなわち親和性が低いと、その角度が大きくなる傾向を示す。
一方、液滴L中の溶質と基板Sとの相互作用が大きいと、液滴Lの縁部において、液滴L中の溶質が基板Sに対して固定化され易くなり、縁部が基板Sにピン止めされたような状態となる。このように、液滴L中の溶質によって液滴Lの縁部が基板Sにピン止めされる現象を「ピニング」とも言う。
このようなピニングされた状態で、基板Sの傾斜角度を徐々に増大させると、後退接触角θは、徐々に小さくなる傾向を示す。このような液滴L中の溶質の基板Sに対するピニングは、液滴L中の溶質と基板Sとの親和性が高いことに起因すると考えられるため、後退接触角θは、溶質と基板Sとの相互作用をより顕著に反映する指標となり得る。
Each such contact angle can be an index reflecting the degree of interaction between the droplet L and the substrate S.
Specifically, the static contact angle θ 1 tends to increase when the interaction between the droplet L and the substrate S is small, that is, when the affinity is low.
On the other hand, if the interaction between the solute in the droplet L and the substrate S is large, the solute in the droplet L is easily fixed to the substrate S at the edge of the droplet L, and the edge is the substrate S. It will be in the state where it was pinned to. Thus, the phenomenon that the edge of the droplet L is pinned to the substrate S by the solute in the droplet L is also referred to as “pinning”.
When the inclination angle of the substrate S is gradually increased in such a pinned state, the receding contact angle θ 3 tends to gradually decrease. Such pinning of the solute in the droplet L with respect to the substrate S is considered to be due to the high affinity between the solute in the droplet L and the substrate S. Therefore, the receding contact angle θ 3 is determined by the solute and the substrate S. It can be an index that more significantly reflects the interaction with.

したがって、前述したように、溶媒の基板に対する後退接触角A[°]より、液状材料の基板に対する後退接触角B[°]が小さいと、基板に対する親和性が溶媒より溶質の方が高いこと、すなわち、液状材料の収縮が抑制されることとなる。この状態で、後処理等によって溶媒が除去されると、残存した溶質により、目的の形状をなす膜を容易に得ることができる。また、基板上において、液滴全体が移動するのを防止することもできる。
このように、「後退接触角」という指標に着目して、膜を形成する基板に対して溶質および溶媒を選択することにより、高い寸法精度を有し、目的の形状をなす膜を、目的の位置に形成し得る液状材料を得ることができる。
Therefore, as described above, when the receding contact angle B [°] of the liquid material to the substrate is smaller than the receding contact angle A [°] of the solvent to the substrate, the affinity of the solute to the substrate is higher than that of the solvent. That is, the shrinkage of the liquid material is suppressed. In this state, when the solvent is removed by post-treatment or the like, a film having a desired shape can be easily obtained from the remaining solute. It is also possible to prevent the entire droplet from moving on the substrate.
Thus, paying attention to the index of “retreat contact angle”, by selecting a solute and a solvent for the substrate on which the film is formed, a film having a high dimensional accuracy and having a desired shape can be obtained. A liquid material that can be formed at a position can be obtained.

また、溶媒の基板に対する後退接触角A[°]と、液状材料の基板に対する後退接触角B[°]との差A−Bは、5°以上とされるが、25°以上であるのが好ましく、30°以上であるのがより好ましい。このような特性を示す液状材料は、液滴の収縮がより確実に抑制されることとなり、特に高い寸法精度を有する膜を、目的の位置に確実に形成し得るものとなる。   The difference AB between the receding contact angle A [°] of the solvent with respect to the substrate and the receding contact angle B [°] of the liquid material with respect to the substrate is 5 ° or more, but is 25 ° or more. Preferably, it is 30 ° or more. The liquid material exhibiting such characteristics can more reliably suppress the contraction of the droplets, and can reliably form a film having a particularly high dimensional accuracy at a target position.

また、液状材料中の溶媒は、その基板に対する静的接触角が50°以上であるものが好ましく、60°以上であるものがより好ましい。基板に対する静的接触角がこのように大きな値を示す溶媒は、基板に対する親和性が適度に低い、すなわち撥液性が比較的高いものであると言える。したがって、かかる溶媒を含む液状材料は、基板上に液滴として供給した際に、必要以上に濡れ拡がり難い液滴を形成し、目的とする形状・寸法の膜をより確実に得ることができるものとなる。   In addition, the solvent in the liquid material preferably has a static contact angle with respect to the substrate of 50 ° or more, more preferably 60 ° or more. It can be said that a solvent having such a large static contact angle with respect to the substrate has a moderately low affinity for the substrate, that is, a relatively high liquid repellency. Therefore, when a liquid material containing such a solvent is supplied as a droplet on a substrate, it forms a droplet that is hard to spread more than necessary and can more reliably obtain a film having a desired shape and size. It becomes.

また、かかる溶媒は、そのポリマー(溶質)に対する第二ビリアル係数が、0〜1.5×10−4cm・mol/g程度であるのが好ましく、0〜1.2×10−4cm・mol/g程度であるのがより好ましい。ポリマーに対する第二ビリアル係数が前記範囲内である溶媒は、ポリマーを溶解することができるが、その溶解度は低いものとなる。したがって、このようなポリマーと溶媒は、溶液(液状材料)として存在することが可能であるが、溶解度が低いため、液滴中からポリマーが析出し易く、基板に対して液滴の縁部が固定され易い。したがって、かかる溶液とポリマーとを含む液状材料は、ピニングが非常に起こり易く、特に高い寸法精度を有する膜を確実に形成し得るものとなる。 Further, the solvent preferably has a second virial coefficient with respect to the polymer (solute) of about 0 to 1.5 × 10 −4 cm 3 · mol / g 2 , and is preferably 0 to 1.2 × 10 −4. More preferably, it is about cm 3 · mol / g 2 . A solvent having a second virial coefficient for the polymer within the above range can dissolve the polymer, but its solubility is low. Therefore, although such a polymer and a solvent can exist as a solution (liquid material), since the solubility is low, the polymer is likely to be deposited from within the droplet, and the edge of the droplet with respect to the substrate is present. Easy to fix. Therefore, a liquid material containing such a solution and a polymer is very easily pinned, and a film having a particularly high dimensional accuracy can be reliably formed.

このような溶媒は、実質的に極性を有さない非極性溶媒(水素分子、窒素分子、二酸化炭素、メタンなど電荷の偏りを持たない無極性分子からなる溶媒であり、例えば、トルエン、シクロヘキサン等)であってもよいが、極性を有する極性溶媒(塩化水素、水、アンモニアのように、電荷のかたよりを持つ極性分子からなる溶媒)が好ましい。極性溶媒は、その極性にもよるが、前述のような実質的に極性を有さないポリマーに対する溶解度が比較的低い。このため、前述のように、液滴中からポリマーが析出し易くなり、ピニングが起こり易い液状材料が得られる。   Such a solvent is a nonpolar solvent having substantially no polarity (a solvent composed of nonpolar molecules having no charge bias such as hydrogen molecules, nitrogen molecules, carbon dioxide, methane, etc., for example, toluene, cyclohexane, etc. However, polar polar solvents (solvents composed of polar molecules having a charge-like nature such as hydrogen chloride, water, and ammonia) are preferred. A polar solvent has a relatively low solubility in a polymer having substantially no polarity as described above, although it depends on its polarity. For this reason, as described above, a liquid material in which the polymer easily precipitates from the droplets and pinning easily occurs is obtained.

極性溶媒としては、例えば、γ−ブチロラクトン、アセトン、アセトニトリル、N,N−ジメチルホルムアミド(DMF)、ジメチルスルホキシド(DMSO)、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン(DMI)、N−メチル−2−ピロリドン(NMP)のような非プロトン性極性溶媒、酢酸、メタノール、エタノール、1−プロパノール、2−プロパノール、ブタノール、エチレンジアミン、ジエチルアミン、水等のプロトン性極性溶媒等が挙げられるが、非プロトン性極性溶媒が好ましい。非プロトン性極性溶媒は、多種のポリマーを長期にわたって安定的に溶解するため、液状材料に含む溶媒として好適に用いられる。   Examples of the polar solvent include γ-butyrolactone, acetone, acetonitrile, N, N-dimethylformamide (DMF), dimethyl sulfoxide (DMSO), 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone (DMI), N-methyl- Examples include aprotic polar solvents such as 2-pyrrolidone (NMP), protic polar solvents such as acetic acid, methanol, ethanol, 1-propanol, 2-propanol, butanol, ethylenediamine, diethylamine, and water. Polar solvents are preferred. An aprotic polar solvent is suitably used as a solvent contained in a liquid material because it dissolves various polymers stably over a long period of time.

液体材料中のポリマーは、最終的に基板上に形成する膜の構成材料となるものであり、前述したように、実質的に極性を有さないものである。
このようなポリマーは、その繰り返し単位を構成する単位構造の双極子モーメントが1D(デバイ単位)(3.4×10−30C・m)以下のものであるのが好ましく、0.8D(2.7×10−30C・m)以下のものであるのがより好ましい。単位構造の双極子モーメントは、ポリマー(溶質)の極性を実質的に支配している。このため、この双極子モーメントが前記範囲のように小さい値であれば、ポリマーの極性は極めて小さくなり、ポリマーは実質的に無極性となる。かかるポリマーは、液体材料に対する撥液性の強い基板に対して、特に、親和性の高いものとなり、ピニングが起こり易い液体材料を得ることができる。
The polymer in the liquid material becomes a constituent material of a film finally formed on the substrate, and has substantially no polarity as described above.
Such a polymer preferably has a dipole moment of a unit structure constituting the repeating unit of 1D (Debye unit) (3.4 × 10 −30 C · m) or less, and 0.8D (2 0.7 × 10 −30 C · m) or less is more preferable. The dipole moment of the unit structure substantially controls the polarity of the polymer (solute). For this reason, if this dipole moment is a small value as in the above range, the polarity of the polymer becomes extremely small and the polymer becomes substantially nonpolar. Such a polymer has a particularly high affinity for a substrate having a strong liquid repellency with respect to the liquid material, and a liquid material that easily undergoes pinning can be obtained.

かかるポリマーとしては、例えば、ポリスチレン、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリビニルフェニレン、ポリカーボネート(PC)、ポリメチルメタクリレート(PMMA)のようなアクリル系樹脂、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)のようなフッ素系樹脂、ポリビニルフェノールあるいはノボラック樹脂のようなフェノール系樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリイソブチレン、ポリブテンなどのオレフィン系樹脂等の絶縁性ポリマーが挙げられる。
また、ポリスチレンを主成分とする溶質を、γ−ブチロラクトンを主成分とする溶媒に溶解してなる液状材料は、特にピニングが起こり易いものである。このため、かかる液状材料は、高い寸法精度を有する膜を確実に形成し得るものである。
Examples of such polymers include acrylic resins such as polystyrene, polyimide, polyamideimide, polyvinylphenylene, polycarbonate (PC), and polymethyl methacrylate (PMMA), fluorine resins such as polytetrafluoroethylene (PTFE), and polyvinyl. Insulating polymers such as phenolic resins such as phenol or novolac resins, and olefinic resins such as polyethylene, polypropylene, polyisobutylene and polybutene.
In addition, a liquid material obtained by dissolving a solute containing polystyrene as a main component in a solvent containing γ-butyrolactone as a main component is particularly susceptible to pinning. Therefore, such a liquid material can reliably form a film having high dimensional accuracy.

このような液状材料は、その粘度(常温)が、0.5〜20cP程度であるのが好ましく、1〜10cP程度であるのがより好ましい。このような粘度の液状材料は、例えば、液滴吐出法により基板上に微小な液滴として供給され易く、かつ、液滴の形状が容易に変形し難くなる。このため、最終的に得られる膜の寸法精度を高めることができる。さらに、液状材料を、液滴吐出装置の吐出口から確実に排出することができる。   Such a liquid material has a viscosity (normal temperature) of preferably about 0.5 to 20 cP, and more preferably about 1 to 10 cP. A liquid material having such a viscosity is easily supplied as a fine droplet on the substrate by a droplet discharge method, for example, and the shape of the droplet is not easily deformed. For this reason, the dimensional accuracy of the film finally obtained can be improved. Furthermore, the liquid material can be reliably discharged from the discharge port of the droplet discharge device.

また、液状材料の表面張力は、20〜40mN/m程度であるのが好ましく、25〜35mN/m程度であるのがより好ましい。このような表面張力の液状材料を用いることにより、液滴が球形化し過ぎるのを防止しつつ、液滴の表面がより平滑化され易くなる。このため、厚みのバラツキが小さい膜を容易に得ることができる。
なお、液状材料におけるポリマーの含有率は、ポリマーと溶媒との組み合わせによって若干異なるが、0.01〜5wt%程度であるのが好ましく、0.05〜1wt%程度であるのがより好ましい。これにより、液状材料は、十分な厚さの膜を形成し得るものとなる。
以上のような液状材料は、高い寸法精度を有し、目的の形状をなす膜を、目的の位置に確実に形成可能なものである。
Further, the surface tension of the liquid material is preferably about 20 to 40 mN / m, and more preferably about 25 to 35 mN / m. By using a liquid material having such a surface tension, the surface of the droplet is more easily smoothed while preventing the droplet from becoming too spherical. For this reason, a film with small variation in thickness can be easily obtained.
In addition, although the polymer content rate in a liquid material changes a little with the combination of a polymer and a solvent, it is preferable that it is about 0.01-5 wt%, and it is more preferable that it is about 0.05-1 wt%. Thereby, the liquid material can form a film having a sufficient thickness.
The liquid material as described above has high dimensional accuracy and can reliably form a film having a target shape at a target position.

次に、このような液状材料を用いてゲート絶縁膜79を形成する方法について詳述する。
液状材料を用意または調製した後、この液状材料を、ソース電極72、半導体層78、ドレイン電極73を覆うように、基板48上に供給する(第1の工程)。
液状材料を基板48上に供給する方法としては、例えば、スピンコート法やディップコート法のような塗布法、液滴吐出法(インクジェット法)やスクリーン印刷法のような印刷法等が挙げられる。
このうち、液状材料の供給方法には、液滴吐出法を用いるのが好ましい。液滴吐出法は、液状材料を微細なパターンで供給できるので、別途パターニング工程が不要となり、簡易な工程で精密な形状の膜を形成することができる方法である。したがって、かかる液滴吐出法によれば、本発明の液状材料による膜の形成をより効果的に行うことができる。
Next, a method for forming the gate insulating film 79 using such a liquid material will be described in detail.
After preparing or preparing the liquid material, the liquid material is supplied onto the substrate 48 so as to cover the source electrode 72, the semiconductor layer 78, and the drain electrode 73 (first step).
Examples of the method for supplying the liquid material onto the substrate 48 include a coating method such as a spin coating method and a dip coating method, a printing method such as a droplet discharge method (inkjet method) and a screen printing method.
Among these, it is preferable to use a droplet discharge method as a supply method of the liquid material. The droplet discharge method is a method in which a liquid material can be supplied in a fine pattern, so that a separate patterning step is unnecessary, and a film having a precise shape can be formed by a simple process. Therefore, according to such a droplet discharge method, a film can be formed more effectively using the liquid material of the present invention.

次に、基板48上に供給された液状材料を放置して、自然乾燥により、液状材料中から溶媒を除去する(第2の工程)。これにより、液状材料中から溶媒が経時的に揮発して除去され、絶縁性ポリマーが残存することとなる。このようにして、図3(c)に示すように、基板48上に絶縁性ポリマーで構成されたゲート絶縁膜79を形成することができる。
なお、自然乾燥による溶媒の除去に代えて、液状材料中から溶媒を強制的に除去する後処理を行うようにしてもよい。
溶媒を除去する後処理の方法としては、空気、窒素ガス等の気体を吹き付ける方法、周囲の圧力を減圧する方法、熱処理による方法等が挙げられる。
Next, the liquid material supplied on the substrate 48 is allowed to stand, and the solvent is removed from the liquid material by natural drying (second step). Thereby, the solvent is volatilized and removed from the liquid material over time, and the insulating polymer remains. In this way, as shown in FIG. 3C, a gate insulating film 79 made of an insulating polymer can be formed on the substrate 48.
Instead of removing the solvent by natural drying, post-treatment for forcibly removing the solvent from the liquid material may be performed.
Examples of the post-treatment method for removing the solvent include a method of blowing a gas such as air or nitrogen gas, a method of reducing the ambient pressure, and a method of heat treatment.

次に、必要に応じて、形成したゲート絶縁膜79を研磨し、膜厚を減少させることにより平坦性の高い面を得る。
この膜厚を減少させる方法としては、例えばCMP法(化学的機械的研磨法)を採用することができ、具体的な条件としては、例えば軟質ポリウレタン製のパッドと、アンモニア系又はアミン系のアルカリ溶液にシリカ粒子を分散させた研磨剤(スラリー)を組み合わせて用い、圧力30000Pa、回転数50回転/分、研磨剤の流量を200sccm、といった条件を採用することができる。
Next, if necessary, the formed gate insulating film 79 is polished to reduce the film thickness, thereby obtaining a highly flat surface.
As a method of reducing the film thickness, for example, a CMP method (chemical mechanical polishing method) can be employed. Specific conditions include, for example, a soft polyurethane pad and an ammonia-based or amine-based alkali. A combination of a polishing agent (slurry) in which silica particles are dispersed in a solution, a pressure of 30000 Pa, a rotation speed of 50 revolutions / minute, and a polishing agent flow rate of 200 sccm can be employed.

[A4]ゲート電極形成工程
次に、図3(d)に示すように、ソース電極72とドレイン電極73との間の領域に対応してゲート絶縁膜79上にゲート電極80を形成する。
ゲート電極80は、特に限定されず、前述したソース電極72およびドレイン電極73の形成方法と同様のものを用いることができる。
また、ゲート電極80の構成材料としては、ソース電極72とドレイン電極73と同様のものを用いることができる。
[A4] Gate Electrode Formation Step Next, as shown in FIG. 3D, a gate electrode 80 is formed on the gate insulating film 79 corresponding to the region between the source electrode 72 and the drain electrode 73.
The gate electrode 80 is not particularly limited, and the same method as the method for forming the source electrode 72 and the drain electrode 73 described above can be used.
Further, as the constituent material of the gate electrode 80, the same material as the source electrode 72 and the drain electrode 73 can be used.

以上説明したような各工程を経ることにより、半導体層78、ゲート絶縁膜79、ゲート電極80等を積層した電界効果型の薄膜トランジスタ1が得られる。
また、このとき、走査線102を形成する。これにより、図1に示すアクティブマトリクス装置100が得られる。
なお、本実施形態では、走査線102は、ゲート電極80とは別途形成されるが、隣接する薄膜トランジスタ1のゲート電極80を連続して形成することにより走査線102としてもよい。
Through the steps described above, the field effect thin film transistor 1 in which the semiconductor layer 78, the gate insulating film 79, the gate electrode 80, and the like are stacked is obtained.
At this time, the scanning line 102 is formed. Thereby, the active matrix device 100 shown in FIG. 1 is obtained.
In this embodiment, the scanning line 102 is formed separately from the gate electrode 80, but the scanning line 102 may be formed by continuously forming the gate electrode 80 of the adjacent thin film transistor 1.

なお、ソース電極72、ドレイン電極73、ゲート電極80、走査線102、データ線101または画素電極103の構成材料として導電性のポリマーを用いる場合、これらを、ゲート絶縁膜79の形成方法と同様の方法で形成することもできる。
この場合、導電性ポリマーは、例えば、前述の導電性高分子材料として挙げられた材料から、電気伝導率等を考慮して、適宜選択して用いることができる。
また、半導体層78の構成材料として前述の高分子系半導体材料を用いる場合、半導体層78を、ゲート絶縁膜79の形成方法と同様の方法で形成することもできる。
Note that when a conductive polymer is used as a constituent material of the source electrode 72, the drain electrode 73, the gate electrode 80, the scanning line 102, the data line 101, or the pixel electrode 103, these are the same as the method for forming the gate insulating film 79. It can also be formed by a method.
In this case, the conductive polymer can be appropriately selected and used, for example, from the materials listed as the conductive polymer material described above in consideration of electrical conductivity and the like.
In the case where the above-described polymer semiconductor material is used as a constituent material of the semiconductor layer 78, the semiconductor layer 78 can be formed by a method similar to the method for forming the gate insulating film 79.

<電気光学装置>
次に、前述したようなアクティブマトリクス装置(膜付き基板)が組み込まれた本発明の電気光学装置について、電気泳動表示装置を一例に説明する。
図5は、電気泳動表示装置の実施形態を示す縦断面図である。
図5に示す電気泳動表示装置200は、アクティブマトリクス装置100と、このアクティブマトリクス装置100に電気的に接続された電気泳動表示部400とで構成されている。
<Electro-optical device>
Next, an electrophoretic display device will be described as an example of the electro-optical device of the present invention in which the active matrix device (substrate with a film) as described above is incorporated.
FIG. 5 is a longitudinal sectional view showing an embodiment of the electrophoretic display device.
An electrophoretic display device 200 illustrated in FIG. 5 includes an active matrix device 100 and an electrophoretic display unit 400 that is electrically connected to the active matrix device 100.

図5に示すように、電気泳動表示部400は、アクティブマトリクス装置100上に、順次積層された、マイクロカプセル402と、透明電極(共通電極)403および透明基板404とを有している。
そして、マイクロカプセル402がバインダ材405により、画素電極103と透明電極403との間に固定されている。
画素電極103は、前述したように、マトリクス状に、すなわち、縦横に規則正しく配列するように分割されている。
As shown in FIG. 5, the electrophoretic display unit 400 includes a microcapsule 402, a transparent electrode (common electrode) 403, and a transparent substrate 404 that are sequentially stacked on the active matrix device 100.
The microcapsule 402 is fixed between the pixel electrode 103 and the transparent electrode 403 by a binder material 405.
As described above, the pixel electrodes 103 are divided so as to be regularly arranged in a matrix, that is, vertically and horizontally.

各カプセル402内には、それぞれ、特性の異なる複数種の電気泳動粒子、本実施形態では、電荷および色(色相)の異なる2種の電気泳動粒子421、422を含む電気泳動分散液420が封入されている。
このような電気泳動表示装置200では、1本あるいは複数本の走査線102に選択信号(選択電圧)を供給すると、この選択信号(選択電圧)が供給された走査線102に接続されている薄膜トランジスタ1がONとなる。
In each capsule 402, an electrophoretic dispersion liquid 420 including a plurality of types of electrophoretic particles having different characteristics, and in this embodiment, two types of electrophoretic particles 421 and 422 having different charges and colors (hues) are encapsulated. Has been.
In such an electrophoretic display device 200, when a selection signal (selection voltage) is supplied to one or a plurality of scanning lines 102, a thin film transistor connected to the scanning line 102 to which the selection signal (selection voltage) is supplied. 1 is turned on.

これにより、かかる薄膜トランジスタ1に接続されているデータ線101と画素電極103とは、実質的に導通する。このとき、データ線101に所望のデータ(電圧)を供給した状態であれば、このデータ(電圧)は画素電極103に供給される。
これにより、画素電極103と透明電極403との間に電界が生じ、この電界の方向、強さ、電気泳動粒子421、422の特性等に応じて、電気泳動粒子421、422は、いずれかの電極に向かって電気泳動する。
Thereby, the data line 101 connected to the thin film transistor 1 and the pixel electrode 103 are substantially conducted. At this time, if desired data (voltage) is supplied to the data line 101, this data (voltage) is supplied to the pixel electrode 103.
As a result, an electric field is generated between the pixel electrode 103 and the transparent electrode 403, and the electrophoretic particles 421 and 422 are either one of the electrophoretic particles 421 and 422 depending on the direction and strength of the electric field and the characteristics of the electrophoretic particles 421 and 422. Electrophoresis towards the electrode.

一方、この状態から、走査線102への選択信号(選択電圧)の供給を停止すると、薄膜トランジスタ1はOFFとなり、かかる薄膜トランジスタ1に接続されているデータ線101と画素電極103とは非導通状態となる。
したがって、走査線102への選択信号の供給および停止、あるいは、データ線101へのデータの供給および停止を適宜組み合わせて行うことにより、電気泳動表示装置200の表示面側(透明基板404側)に、所望の画像(情報)を表示させることができる。
On the other hand, when supply of the selection signal (selection voltage) to the scanning line 102 is stopped from this state, the thin film transistor 1 is turned off, and the data line 101 and the pixel electrode 103 connected to the thin film transistor 1 are in a non-conductive state. Become.
Therefore, by appropriately combining the supply and stop of the selection signal to the scanning line 102 or the supply and stop of the data to the data line 101, the display surface side (transparent substrate 404 side) of the electrophoretic display device 200 can be obtained. A desired image (information) can be displayed.

特に、本実施形態の電気泳動表示装置200では、電気泳動粒子421、422の色を異ならせていることにより、多階調の画像を表示することが可能となっている。
また、本実施形態の電気泳動表示装置200は、アクティブマトリクス装置100を有することにより、特定の走査線102に接続された薄膜トランジスタ1を選択的かつ確実にON/OFFすることができるので、クロストークの問題が生じにくく、また、回路動作の高速化が可能であることから、高品位の画像(情報)を得ることができる。
In particular, in the electrophoretic display device 200 of the present embodiment, it is possible to display a multi-tone image by making the colors of the electrophoretic particles 421 and 422 different.
In addition, since the electrophoretic display device 200 of the present embodiment includes the active matrix device 100, the thin film transistor 1 connected to the specific scanning line 102 can be selectively turned on and off, so that crosstalk This is unlikely to occur, and the circuit operation can be speeded up, so that a high-quality image (information) can be obtained.

また、本実施形態の電気泳動表示装置200は、低い駆動電圧で作動するため、省電力化が可能である。
なお、前述したような薄膜トランジスタ1を備えるアクティブマトリクス装置100が組み込まれた電気光学装置は、このような電気泳動表示装置200への適用に限定されるものではなく、例えば、液晶装置、有機または無機EL装置等の表示装置、あるいは発光装置に適用することもできる。
In addition, since the electrophoretic display device 200 according to the present embodiment operates with a low driving voltage, power saving can be achieved.
The electro-optical device in which the active matrix device 100 including the thin film transistor 1 as described above is incorporated is not limited to the application to such an electrophoretic display device 200, and for example, a liquid crystal device, organic or inorganic The present invention can also be applied to a display device such as an EL device or a light emitting device.

このような電気泳動表示装置(電気光学装置)は、例えば、透明基板404、透明電極403、マイクロカプセル402およびバインダ材405を備える電気泳動表示シートを用意する工程と、この電気泳動表示シートに画素電極103が接触するように、本発明の膜付き基板の製造方法で製造されたアクティブマトリクス装置100を貼り合わせる工程とを有する製造方法(本発明の電気光学装置の製造方法)により製造することができる。   Such an electrophoretic display device (electro-optical device) includes, for example, a step of preparing an electrophoretic display sheet including a transparent substrate 404, a transparent electrode 403, a microcapsule 402, and a binder material 405, and a pixel on the electrophoretic display sheet. It can be manufactured by a manufacturing method (manufacturing method of the electro-optical device of the present invention) having a step of bonding the active matrix device 100 manufactured by the manufacturing method of the film-coated substrate of the present invention so that the electrodes 103 are in contact with each other. it can.

さらに、この電気光学装置が、液晶装置である場合、例えば、この液晶装置は、本発明の膜付き基板の製造方法で製造されたアクティブマトリクス装置100と透明基板とを貼り合わせる工程と、貼り合わせたアクティブマトリクス装置100と透明基板との間に液晶材料を注入する工程とを有する製造方法(本発明の電気光学装置の製造方法)により製造することができる。   Further, when the electro-optical device is a liquid crystal device, for example, the liquid crystal device includes a step of bonding the active matrix device 100 manufactured by the method for manufacturing a film-coated substrate of the present invention and a transparent substrate, and a bonding process. Further, it can be manufactured by a manufacturing method (a manufacturing method of the electro-optical device of the present invention) including a step of injecting a liquid crystal material between the active matrix device 100 and the transparent substrate.

<電子機器>
このような電気泳動表示装置200は、各種電子機器に組み込むことができる。以下、電気泳動表示装置200を備える本発明の電子機器について説明する。
<<電子ペーパー>>
まず、本発明の電子機器を電子ペーパーに適用した場合の実施形態について説明する。
<Electronic equipment>
Such an electrophoretic display device 200 can be incorporated into various electronic devices. Hereinafter, an electronic apparatus of the present invention including the electrophoretic display device 200 will be described.
<< Electronic Paper >>
First, an embodiment when the electronic apparatus of the present invention is applied to electronic paper will be described.

図6は、本発明の電子機器を電子ペーパーに適用した場合の実施形態を示す斜視図である。
この図に示す電子ペーパー600は、紙と同様の質感および柔軟性を有するリライタブルシートで構成される本体601と、表示ユニット602とを備えている。
このような電子ペーパー600では、表示ユニット602が、前述したような電気泳動表示装置200で構成されている。
FIG. 6 is a perspective view showing an embodiment when the electronic apparatus of the present invention is applied to electronic paper.
An electronic paper 600 shown in this figure includes a main body 601 composed of a rewritable sheet having the same texture and flexibility as paper, and a display unit 602.
In such electronic paper 600, the display unit 602 includes the electrophoretic display device 200 as described above.

<<ディスプレイ>>
次に、本発明の電子機器をディスプレイに適用した場合の実施形態について説明する。
図7は、本発明の電子機器をディスプレイに適用した場合の実施形態を示す図であり、(a)は断面図、(b)は平面図である。
この図に示すディスプレイ800は、本体部801と、この本体部801に対して着脱自在に設けられた電子ペーパー600とを備えている。なお、この電子ペーパー600は、前述したような構成、すなわち、図6に示す構成と同様のものである。
<< Display >>
Next, an embodiment when the electronic apparatus of the present invention is applied to a display will be described.
7A and 7B are diagrams showing an embodiment in which the electronic apparatus of the present invention is applied to a display. FIG. 7A is a cross-sectional view, and FIG. 7B is a plan view.
A display 800 shown in this figure includes a main body 801 and an electronic paper 600 that is detachably provided to the main body 801. The electronic paper 600 has the same configuration as described above, that is, the configuration shown in FIG.

本体部801は、その側部(図中、右側)に電子ペーパー600を挿入可能な挿入口805が形成され、また、内部に二組の搬送ローラ対802a、802bが設けられている。電子ペーパー600を、挿入口805を介して本体部801内に挿入すると、電子ペーパー600は、搬送ローラ対802a、802bにより挟持された状態で本体部801に設置される。   The main body 801 has an insertion port 805 into which the electronic paper 600 can be inserted on the side (right side in the drawing), and two pairs of conveying rollers 802a and 802b are provided inside. When the electronic paper 600 is inserted into the main body 801 through the insertion port 805, the electronic paper 600 is installed in the main body 801 in a state of being sandwiched between the pair of conveyance rollers 802a and 802b.

また、本体部801の表示面側(下図(b)中、紙面手前側)には、矩形状の孔部803が形成され、この孔部803には、透明ガラス板804が嵌め込まれている。これにより、本体部801の外部から、本体部801に設置された状態の電子ペーパー600を視認することができる。すなわち、このディスプレイ800では、本体部801に設置された状態の電子ペーパー600を、透明ガラス板804において視認させることで表示面を構成している。   Further, a rectangular hole 803 is formed on the display surface side of the main body 801 (the front side in the drawing (b) below), and a transparent glass plate 804 is fitted into the hole 803. Thereby, the electronic paper 600 installed in the main body 801 can be viewed from the outside of the main body 801. That is, in the display 800, the display surface is configured by visually recognizing the electronic paper 600 installed in the main body 801 on the transparent glass plate 804.

また、電子ペーパー600の挿入方向先端部(図中、左側)には、端子部806が設けられており、本体部801の内部には、電子ペーパー600を本体部801に設置した状態で端子部806が接続されるソケット807が設けられている。このソケット807には、コントローラー808と操作部809とが電気的に接続されている。
このようなディスプレイ800では、電子ペーパー600は、本体部801に着脱自在に設置されており、本体部801から取り外した状態で携帯して使用することもできる。
また、このようなディスプレイ800では、電子ペーパー600が、前述したような電気泳動表示装置200で構成されている。
In addition, a terminal portion 806 is provided at the leading end portion (left side in the drawing) of the electronic paper 600, and the terminal portion with the electronic paper 600 installed on the main body portion 801 is provided inside the main body portion 801. A socket 807 to which 806 is connected is provided. A controller 808 and an operation unit 809 are electrically connected to the socket 807.
In such a display 800, the electronic paper 600 is detachably installed on the main body 801, and can be carried and used while being detached from the main body 801.
Further, in such a display 800, the electronic paper 600 is configured by the electrophoretic display device 200 as described above.

なお、本発明の電子機器は、以上のようなものへの適用に限定されず、例えば、テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、電子新聞、ワードプロセッサ、パーソナルコンピュータ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた機器等を挙げることができ、これらの各種電子機器の表示部に、電気泳動表示装置200を適用することが可能である。   Note that the electronic apparatus of the present invention is not limited to the application to the above, and for example, a television, a viewfinder type, a monitor direct view type video tape recorder, a car navigation device, a pager, an electronic notebook, a calculator, an electronic Examples include newspapers, word processors, personal computers, workstations, videophones, POS terminals, and devices equipped with touch panels. The electrophoretic display device 200 can be applied to the display units of these various electronic devices. is there.

このような電子機器は、例えば、電気光学装置を製造する工程と、この電気光学装置と、電子機器を構成する各構成部品とを組み立てる工程とを有する製造方法(本発明の電子機器の製造方法)により製造することができる。
以上、本発明の液状材料、膜付き基板の製造方法、電気光学装置の製造方法および電子機器の製造方法について説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。
また、本発明の膜付き基板の製造方法、電気光学装置の製造方法および電子機器の製造方法は、それぞれ、任意の目的の工程が1または2以上追加されていてもよい。
Such an electronic apparatus is, for example, a manufacturing method (a method of manufacturing an electronic apparatus according to the present invention) including a step of manufacturing an electro-optical device, and a step of assembling the electro-optical device and components constituting the electronic device. ).
The liquid material, the method for manufacturing a substrate with a film, the method for manufacturing an electro-optical device, and the method for manufacturing an electronic device have been described above, but the present invention is not limited to these.
In the method for manufacturing a film-coated substrate, the method for manufacturing an electro-optical device, and the method for manufacturing an electronic device according to the present invention, one or two or more steps for arbitrary purposes may be added.

次に、本発明の具体的実施例について説明する。
1−1.液状材料の調製
(実施例A)
以下に示すようにして、液状材料No.1〜4を、それぞれ調製した。
Next, specific examples of the present invention will be described.
1-1. Preparation of liquid material (Example A)
As shown below, the liquid material No. 1-4 were prepared respectively.

((液状材料No.1))
ポリスチレン(重量平均分子量:200000)を、γ−ブチロラクトン(溶媒)に、0.1wt%の割合で分散・溶解することにより液状材料を調製した。
なお、γ−ブチロラクトンのこのポリスチレンに対する第二ビリアル係数は、1.07×10−4cm・mol/gである。
また、ポリスチレンの単位構造の双極子モーメントは、0.1Dである。
((Liquid material No. 1))
A liquid material was prepared by dispersing and dissolving polystyrene (weight average molecular weight: 200000) in γ-butyrolactone (solvent) at a ratio of 0.1 wt%.
In addition, the 2nd virial coefficient with respect to this polystyrene of (gamma) -butyrolactone is 1.07 * 10 < -4 > cm < 3 > * mol / g < 2 >.
The dipole moment of the unit structure of polystyrene is 0.1D.

((液状材料No.2))
溶媒を、シクロヘキサンに変更した以外は、前記液状材料No.1と同様にして、液状材料を調製した。
なお、シクロヘキサンのこのポリスチレンに対する第二ビリアル係数は、−1.90×10−4cm・mol/gである。
((Liquid material No. 2))
The liquid material No. was changed except that the solvent was changed to cyclohexane. In the same manner as in No. 1, a liquid material was prepared.
In addition, the 2nd virial coefficient with respect to this polystyrene of a cyclohexane is -1.90 * 10 < -4 > cm < 3 > * mol / g < 2 >.

(比較例A)
((液状材料No.3、4))
溶媒を、表1に示すものに変更した以外は、前記液状材料No.1と同様にして、液状材料を調製した。
なお、各溶媒の前記ポリスチレンに対する第二ビリアル係数を、表1に示す。
(Comparative Example A)
((Liquid material No. 3, 4))
The liquid material No. was changed except that the solvent was changed to the one shown in Table 1. In the same manner as in No. 1, a liquid material was prepared.
In addition, Table 2 shows the second virial coefficient of each solvent with respect to the polystyrene.

1−2.液状材料の評価
各液状材料について、それぞれ、基板に対する静的接触角および後退接触角を測定した。
また、各液状材料中の溶媒についても、それぞれ、基板に対する静的接触角および後退接触角を測定した。
なお、基板は、オクチルトリエトキシシラン(シランカップリング剤)で撥液処理されたシリコン基板を用いた。
測定結果を表1に示す。
1-2. Evaluation of Liquid Material For each liquid material, a static contact angle and a receding contact angle with respect to the substrate were measured.
Moreover, the static contact angle and receding contact angle with respect to the substrate were also measured for the solvents in each liquid material.
As the substrate, a silicon substrate subjected to a liquid repellent treatment with octyltriethoxysilane (silane coupling agent) was used.
The measurement results are shown in Table 1.

Figure 2007238724
Figure 2007238724

表1に示すように、液状材料No.1、2(実施例A)は、それぞれ、基板に対する液状材料の後退接触角が、溶媒の後退接触角より大きいことが認められた。このことから、この基板に対して、液状材料No.1、2は、ピニングを起こし易いものであると言える。
特に、液状材料No.1は、液状材料と溶媒の後退接触角の差が40°以上と非常に大きく、また、溶媒の静的接触角が50°以上であったことから、特にピニングを起こし易いものであることが明らかとなった。
As shown in Table 1, the liquid material No. 1 and 2 (Example A), it was confirmed that the receding contact angle of the liquid material with respect to the substrate was larger than the receding contact angle of the solvent. For this reason, the liquid material No. 1 and 2 can be said to easily cause pinning.
In particular, liquid material No. No. 1 has a very large difference in receding contact angle between the liquid material and the solvent of 40 ° or more, and the static contact angle of the solvent is 50 ° or more, so that pinning is particularly likely to occur. It became clear.

さらに、液状材料No.1では、溶媒が非プロトン性極性有機溶媒であり、かつ、溶質に対する溶媒の第二ビリアル係数もピニングを起こし易い条件に合致していたため、前述のような傾向は、より顕著なものになると考えられる。
一方、液状材料No.3、4(比較例A)は、それぞれ、基板に対する液状材料の後退接触角が、溶媒の後退接触角とほぼ同等であった。
Furthermore, the liquid material No. In No. 1, since the solvent is an aprotic polar organic solvent and the second virial coefficient of the solvent with respect to the solute also matches the conditions that are likely to cause pinning, the above-described tendency is considered to be more prominent. It is done.
On the other hand, the liquid material No. In Examples 3 and 4 (Comparative Example A), the receding contact angle of the liquid material with respect to the substrate was almost equal to the receding contact angle of the solvent.

2−1.評価用膜付き基板の製造
(実施例B)
以下に示すようにして、サンプルNo.1〜4の評価用膜付き基板を、それぞれ製造した。
((サンプルNo.1))
まず、シリコン基板を用意し、水を用いて洗浄した後、乾燥した。
2-1. Production of evaluation substrate with film (Example B)
As shown below, sample no. 1-4 substrates with evaluation films were produced, respectively.
((Sample No. 1))
First, a silicon substrate was prepared, washed with water, and then dried.

次に、オクチルトリエトキシシラン(シランカップリング剤)を用いてシリコン基板に撥液処理を施した。
次に、シリコン基板の撥液処理を施した面に、インクジェット法により、液状材料No.1を液滴として供給した。
続いて、この状態で液滴を放置して自然乾燥させ、乾燥膜を得た。これにより、評価用膜付き基板を得た。
((サンプルNo.2))
液状材料No.2を用いた以外は、前記サンプルNo.1と同様にして、評価用膜付き基板を製造した。
Next, the silicon substrate was subjected to a liquid repellent treatment using octyltriethoxysilane (silane coupling agent).
Next, on the surface of the silicon substrate subjected to the liquid repellent treatment, the liquid material No. 1 was formed by an inkjet method. 1 was supplied as a droplet.
Subsequently, in this state, the liquid droplets were allowed to stand and naturally dried to obtain a dry film. Thereby, the board | substrate with a film | membrane for evaluation was obtained.
((Sample No. 2))
Liquid material No. Sample No. 2 was used except that No. 2 was used. In the same manner as in Example 1, a substrate with an evaluation film was produced.

(比較例B)
((サンプルNo.3、4))
液状材料を、それぞれ、液状材料No.3および液状材料No.4に変更した以外は、前記サンプルNo.1と同様にして、評価用膜付き基板を製造した。
(Comparative Example B)
((Sample No. 3, 4))
The liquid materials are designated as liquid material No. 3 and liquid material no. Except for changing to No. 4, the sample No. In the same manner as in Example 1, a substrate with an evaluation film was produced.

2−2.評価用膜付き基板の評価
各サンプルNo.の評価用膜付き基板の膜を、それぞれ、光学顕微鏡で観察した。
そして、得られた膜を、以下の基準にしたがって評価した。
○:膜のサイズが液滴とほぼ同等であった(膜の外径が液滴の外径の95%以上)
△:膜のサイズが液滴より若干小さい(膜の外径が液滴の外径の80%以上95%未満)
×:膜のサイズが液滴より著しく小さい(膜の外径が液滴の外径の80%未満)
評価結果を表2に示す。
2-2. Evaluation of substrate with film for evaluation Each of the films of the evaluation-coated substrate was observed with an optical microscope.
The obtained film was evaluated according to the following criteria.
○: The film size was almost the same as that of the droplet (the outer diameter of the film was 95% or more of the outer diameter of the droplet)
Δ: The film size is slightly smaller than the droplet (the outer diameter of the film is 80% or more and less than 95% of the outer diameter of the droplet)
X: The film size is significantly smaller than the droplet (the outer diameter of the film is less than 80% of the outer diameter of the droplet)
The evaluation results are shown in Table 2.

Figure 2007238724
Figure 2007238724

表2に示すように、各実施例Bの評価用膜付き基板では、外径が液滴の80%以上の膜が得られており、十分な寸法精度の膜が得られた。特に、サンプルNo.1の基板では、この傾向がより顕著であった。
一方、各比較例Bの評価用膜付き基板では、いずれも、外径が液滴の80%未満に収縮した膜が認められた。
As shown in Table 2, in the substrate with an evaluation film of each Example B, a film having an outer diameter of 80% or more of the droplets was obtained, and a film with sufficient dimensional accuracy was obtained. In particular, sample no. This tendency was more prominent with the substrate No. 1.
On the other hand, in each of the substrates with evaluation films of Comparative Examples B, a film having an outer diameter contracted to less than 80% of the droplets was observed.

3−1.アクティブマトリクス装置の製造
(実施例C1)
<1>まず、シリコン基板を用意し、水を用いて洗浄した後、乾燥した。続いて、フォトリソグラフィー法により、ソース電極およびドレイン電極を形成した。
<2>次に、シリコン基板上に、オクチルトリエトキシシラン(シランカップリング剤)を用いてシリコン基板に撥液処理を施した。
<3>次に、真空蒸着により、ソース電極とドレイン電極の間隙を埋めるように、ペンタセンを成膜し、半導体層を形成した。
3-1. Production of active matrix device (Example C1)
<1> First, a silicon substrate was prepared, washed with water, and then dried. Subsequently, a source electrode and a drain electrode were formed by a photolithography method.
<2> Next, the silicon substrate was subjected to a liquid repellent treatment using octyltriethoxysilane (silane coupling agent) on the silicon substrate.
<3> Next, pentacene was formed by vacuum deposition so as to fill the gap between the source electrode and the drain electrode, thereby forming a semiconductor layer.

<4>次に、ソース電極、ドレイン電極および半導体層を覆うように、インクジェット法により、液状材料No.1を供給し、液状被膜を形成した。
<5>次に、自然乾燥により、液状被膜中から溶媒を揮発・除去して、ゲート絶縁膜を形成した。
<6>次に、走査線、データ線および画素電極等を形成して、アクティブマトリクス装置を得た。
(実施例C2)
前記工程<4>において、液状材料No.2を用いた以外は、前記実施例C1と同様にしてアクティブマトリクス装置を得た。
<4> Next, in order to cover the source electrode, the drain electrode and the semiconductor layer, the liquid material No. 1 was supplied to form a liquid film.
<5> Next, the solvent was volatilized and removed from the liquid film by natural drying to form a gate insulating film.
<6> Next, scanning lines, data lines, pixel electrodes, and the like were formed to obtain an active matrix device.
(Example C2)
In the step <4>, the liquid material No. An active matrix device was obtained in the same manner as in Example C1 except that 2.

(比較例C1)
前記工程<4>において、液状材料No.3を用いた以外は、前記実施例C1と同様にしてアクティブマトリクス装置を得た。
(比較例C2)
前記工程<4>において、液状材料No.4を用いた以外は、前記実施例C1と同様にしてアクティブマトリクス装置を得た。
(Comparative Example C1)
In the step <4>, the liquid material No. An active matrix device was obtained in the same manner as in Example C1 except that 3 was used.
(Comparative Example C2)
In the step <4>, the liquid material No. An active matrix device was obtained in the same manner as in Example C1 except that 4 was used.

3−2.アクティブマトリクス装置の評価
各実施例および各比較例のアクティブマトリクス装置に形成された各薄膜トランジスタの特性を評価した。
その結果、各実施例で得られた薄膜トランジスタは、それぞれ、トランジスタとして機能した。
一方、各比較例で得られた薄膜トランジスタは、ゲート絶縁膜の絶縁性が不十分なため、機能しなかった。また、各比較例で得られた薄膜トランジスタの縦断面を電子顕微鏡で観察したところ、ゲート絶縁膜が薄い部分が認められ、さらに、一部では、ゲート電極と半導体層が短絡している部分も認められた。
3-2. Evaluation of Active Matrix Device The characteristics of each thin film transistor formed in the active matrix device of each example and each comparative example were evaluated.
As a result, each thin film transistor obtained in each example functioned as a transistor.
On the other hand, the thin film transistor obtained in each comparative example did not function because the insulating property of the gate insulating film was insufficient. Moreover, when the longitudinal section of the thin film transistor obtained in each comparative example was observed with an electron microscope, a thin portion of the gate insulating film was observed, and in addition, a portion where the gate electrode and the semiconductor layer were short-circuited was also observed. It was.

本実施形態にかかるアクティブマトリクス装置(膜付き基板)の構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the active matrix apparatus (substrate | substrate with a film | membrane) concerning this embodiment. 本実施形態のアクティブマトリクス装置が備える薄膜トランジスタの構成を示す図(縦断面図および平面図)である。It is a figure (a longitudinal cross-sectional view and a top view) which shows the structure of the thin-film transistor with which the active matrix apparatus of this embodiment is provided. 本実施形態のアクティブマトリクス装置の製造方法を説明するための図(断面図)である。It is a figure (sectional drawing) for demonstrating the manufacturing method of the active matrix apparatus of this embodiment. 静的接触角および動的接触角を説明するための図である。It is a figure for demonstrating a static contact angle and a dynamic contact angle. 電気泳動表示装置の実施形態を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows embodiment of an electrophoretic display apparatus. 本発明の電子機器を電子ペーパーに適用した場合の実施形態を示す斜視図である。It is a perspective view which shows embodiment at the time of applying the electronic device of this invention to electronic paper. 本発明の電子機器をディスプレイに適用した場合の実施形態を示す図である。It is a figure which shows embodiment at the time of applying the electronic device of this invention to a display.

符号の説明Explanation of symbols

1……薄膜トランジスタ 48……基板 72……ソース電極 73……ドレイン電極 78……半導体層 79……ゲート絶縁膜 80……ゲート電極 100……アクティブマトリクス装置(膜付き基板) 101……データ線 102……走査線 103……画素電極 200……電気泳動表示装置(電気光学装置) 400……電気泳動表示部 402……マイクロカプセル 420……電気泳動分散液 421、422……電気泳動粒子 403……透明電極 404……透明基板 405……バインダ材 600……電子ペーパー 601……本体 602……表示ユニット 800……ディスプレイ 801……本体部 802a、802b……搬送ローラ対 803……孔部 804……透明ガラス板 805……挿入口 806……端子部 807……ソケット 808……コントローラー 809……操作部 L……液滴 S……基板   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Thin film transistor 48 ... Substrate 72 ... Source electrode 73 ... Drain electrode 78 ... Semiconductor layer 79 ... Gate insulating film 80 ... Gate electrode 100 ... Active matrix device (substrate with film) 101 ... Data line DESCRIPTION OF SYMBOLS 102 ... Scanning line 103 ... Pixel electrode 200 ... Electrophoretic display device (electro-optical device) 400 ... Electrophoretic display unit 402 ... Microcapsule 420 ... Electrophoretic dispersion liquid 421, 422 ... Electrophoretic particle 403 ... Transparent electrode 404 ... Transparent substrate 405 ... Binder material 600 ... Electronic paper 601 ... Main body 602 ... Display unit 800 ... Display 801 ... Main body 802a, 802b ... Conveying roller pair 803 ... Hole 804 …… Transparent glass plate 805 …… Insertion slot 806 …… Terminal 8 07 …… Socket 808 …… Controller 809 …… Operation part L …… Droplet S …… Board

Claims (13)

基板上に所定パターンの膜を形成するのに用いられる液状材料であって、
前記液状材料は、実質的に極性を有さないポリマーを溶媒に溶解してなり、前記溶媒の前記基板に対する後退接触角をA[°]とし、前記液状材料の前記基板に対する後退接触角をB[°]としたとき、A−B≧5°となる関係を満足することを特徴とする液状材料。
A liquid material used to form a film with a predetermined pattern on a substrate,
The liquid material is obtained by dissolving a substantially non-polar polymer in a solvent, the receding contact angle of the solvent with respect to the substrate is A [°], and the receding contact angle of the liquid material with respect to the substrate is B. A liquid material characterized by satisfying a relationship of A−B ≧ 5 ° when [°].
前記ポリマーの繰り返し単位を構成する単位構造の双極子モーメントが1D(デバイ単位)以下である請求項1に記載の液状材料。   The liquid material according to claim 1, wherein a dipole moment of a unit structure constituting the repeating unit of the polymer is 1D (Debye unit) or less. 前記溶媒の前記基板に対する静的接触角が50°以上である請求項1または2に記載の液状材料。   The liquid material according to claim 1, wherein a static contact angle of the solvent with respect to the substrate is 50 ° or more. 前記溶媒の前記ポリマーに対する第二ビリアル係数が、0〜1.5×10−4cm・mol/gである請求項1ないし3のいずれかに記載の液状材料。 4. The liquid material according to claim 1, wherein a second virial coefficient of the solvent with respect to the polymer is 0 to 1.5 × 10 −4 cm 3 · mol / g 2 . 前記溶媒は、非プロトン性の極性有機溶媒を主成分とする請求項1ないし4のいずれかに記載の液状材料。   The liquid material according to claim 1, wherein the solvent is mainly composed of an aprotic polar organic solvent. 前記ポリマーは、ポリスチレンを主成分とし、前記溶媒は、γ−ブチロラクトンを主成分とする請求項1ないし5のいずれかに記載の液状材料。   The liquid material according to claim 1, wherein the polymer has polystyrene as a main component, and the solvent has γ-butyrolactone as a main component. 前記液状材料は、その粘度(常温)が0.5〜20cPである請求項1ないし6のいずれかに記載の液状材料。   The liquid material according to any one of claims 1 to 6, wherein the liquid material has a viscosity (normal temperature) of 0.5 to 20 cP. 前記液状材料は、その表面張力が20〜40mN/mである請求項1ないし7のいずれかに記載の液状材料。   The liquid material according to any one of claims 1 to 7, wherein the liquid material has a surface tension of 20 to 40 mN / m. 前記液状材料は、液滴吐出法に用いられるものである請求項1ないし8のいずれかに記載の液状材料。   The liquid material according to claim 1, wherein the liquid material is used for a droplet discharge method. 基板上に膜を形成して膜付き基板を製造する膜付き基板の製造方法であって、
前記基板上に、実質的に極性を有さないポリマーを溶媒に溶解してなる液状材料を供給して液状被膜を形成する第1の工程と、
前記液状被膜から前記溶媒を除去して、前記膜を得る第2の工程とを有し、
前記液状材料として、前記溶媒の前記基板に対する後退接触角をA[°]とし、前記液状材料の前記基板に対する後退接触角をB[°]としたとき、A−B≧5°となる関係を満足するものを用いることを特徴とする膜付き基板の製造方法。
A method for manufacturing a substrate with a film, which forms a film on a substrate to manufacture a substrate with a film,
A first step of forming a liquid film on the substrate by supplying a liquid material obtained by dissolving a substantially non-polar polymer in a solvent;
Removing the solvent from the liquid coating to obtain the film,
When the receding contact angle of the solvent with respect to the substrate is A [°] and the receding contact angle of the liquid material with respect to the substrate is B [°], the relation of AB ≧ 5 ° is established. A method for producing a substrate with a film, characterized by using a satisfactory one.
前記第1の工程に先立って、前記基板の少なくとも一方の面に撥液処理を施す工程を有する請求項10に記載の膜付き基板の製造方法。   The manufacturing method of the board | substrate with a film | membrane of Claim 10 which has the process of performing a liquid-repellent process on the at least one surface of the said board | substrate prior to a said 1st process. 請求項10または11に記載の膜付き基板の製造方法を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。   12. A method for manufacturing an electro-optical device, comprising the method for manufacturing a film-coated substrate according to claim 10. 請求項12に記載の電気光学装置の製造方法を含むことを特徴とする電子機器の製造方法。
An electronic apparatus manufacturing method comprising the electro-optical device manufacturing method according to claim 12.
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