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JP2007227129A - Organic electroluminescent device, and manufacturing method of the organic electroluminescent device - Google Patents

Organic electroluminescent device, and manufacturing method of the organic electroluminescent device Download PDF

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JP2007227129A
JP2007227129A JP2006046452A JP2006046452A JP2007227129A JP 2007227129 A JP2007227129 A JP 2007227129A JP 2006046452 A JP2006046452 A JP 2006046452A JP 2006046452 A JP2006046452 A JP 2006046452A JP 2007227129 A JP2007227129 A JP 2007227129A
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JP
Japan
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organic
electrode
partition
protective layer
forming
Prior art date
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JP2006046452A
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Japanese (ja)
Inventor
Nobuyuki Kurauchi
伸幸 倉内
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Seiko Epson Corp
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Seiko Epson Corp
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic EL device in which a manufacturing cost is suppressed by a simple and easy method and which is superior in display quality, and to provide a manufacturing method of the organic EL device. <P>SOLUTION: This is the organic EL device which has an organic functional layer, formed corresponding to a plurality of pixels on a substrate, and is provided with a plurality of first electrodes 14, formed corresponding to the plurality of the pixels, a barrier rib 17 formed by zoning the plurality of the first electrodes 14, the organic functional layer 15 formed at least a pixel region 3 interior and on the barrier rib 17 zoned by the barrier rib 17; a second electrode 21 formed on the organic functional layer 15 and on the barrier rib 17; a protective layer 25, formed at least on the second electrode 21 on the barrier rib 17 electrically connected to the second electrode 21, and comprises a conductive material and an auxiliary wiring 4 formed on the protection layer 25. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、有機EL装置及び有機EL装置の製造方法に関する。   The present invention relates to an organic EL device and a method for manufacturing the organic EL device.

バックライト等の光源を必要としない自発光素子を備えた表示装置として、近年、エレクトロルミネッセンス(以下、ELと称す)素子を備えた有機EL装置が注目されている。有機EL装置は、有機EL材料からなる発光層を一対の電極により挟持した発光素子を、基板面内に複数設けた構成を備えたもので、発光層からの光の取り出し方向の違いにより、基板側から光を取り出すボトムエミッション構造と、封止基板やカラーフィルタ基板等の対向基板側から光を取り出すトップエミッション構造とに分類される。   In recent years, attention has been paid to an organic EL device including an electroluminescence (hereinafter referred to as EL) element as a display device including a self-luminous element that does not require a light source such as a backlight. An organic EL device has a structure in which a plurality of light emitting elements each having a light emitting layer made of an organic EL material sandwiched between a pair of electrodes are provided within a substrate surface. It is classified into a bottom emission structure in which light is extracted from the side and a top emission structure in which light is extracted from the counter substrate side such as a sealing substrate and a color filter substrate.

トップエミッション構造の有機EL装置においては、一般的に、発光層を挟む一対の電極のうち共通電極は、光が射出される側に配置されている。そして、この共通電極は透光性を有する導電材料、例えば、ITO(インジウム・スズ酸化物)膜やIZO(インジウム・亜鉛酸化物)膜等によって形成されている。このようなITO膜やIZO膜は金属膜と比べて抵抗が大きいため、共通電極内において電圧の不均一を招き、表示品質が低下する恐れがある。このため、特に大型のトップエミッション構造の有機EL装置では、基板上に抵抗が小さい補助電極を形成し、この補助電極と共通電極の途中部位とを電気的に接続することによって共通電極の電圧降下を防止したものが提案されている(例えば、特許文献1参照。)。   In an organic EL device having a top emission structure, a common electrode is generally arranged on the light emission side of a pair of electrodes sandwiching a light emitting layer. The common electrode is formed of a light-transmitting conductive material such as an ITO (indium tin oxide) film or an IZO (indium zinc oxide) film. Since such an ITO film or an IZO film has a higher resistance than a metal film, the voltage in the common electrode may be nonuniform and display quality may be deteriorated. For this reason, particularly in a large organic EL device having a top emission structure, an auxiliary electrode having a small resistance is formed on a substrate, and the voltage drop of the common electrode is established by electrically connecting the auxiliary electrode and a middle portion of the common electrode. Has been proposed (see, for example, Patent Document 1).

この特許文献1に記載の有機EL装置の製造方法は、基板全面に絶縁層を形成した後、絶縁層上に第1電極及び補助電極を形成する。そして、この補助電極上に隔壁を形成し、さらに、隔壁に補助電極を露出するコンタクト部を形成した後、隔壁内にR,G,Bに対応する位置に、有機発光材料を吐出する。その後、基板全面に第2電極を成膜する方法である。   In the method of manufacturing an organic EL device described in Patent Document 1, an insulating layer is formed on the entire surface of a substrate, and then a first electrode and an auxiliary electrode are formed on the insulating layer. Then, a partition wall is formed on the auxiliary electrode, and a contact portion that exposes the auxiliary electrode is formed on the partition wall. Then, an organic light emitting material is discharged into the partition wall at positions corresponding to R, G, and B. Thereafter, the second electrode is formed on the entire surface of the substrate.

また、補助配線を有機膜が成膜される前に形成する方法が提案されている(例えば、特許文献2参照。)。この特許文献2に記載の有機EL装置の製造方法では、画素間隔壁側の面に、補助陰極としてタンタルをスパッタリング法によって成膜した後、画素間隔壁と同様のパターンとなるように、フォトリソグラフィ工程によりパターニング及びエッチングを行うことによって補助電極を形成している。そして、補助電極を形成した後、蒸着法により、隔壁内にR,G,Bに対応する位置に、有機発光材料を吐出する。
特開2002−318556号公報 特開2003−123988号公報
In addition, a method of forming the auxiliary wiring before the organic film is formed has been proposed (for example, see Patent Document 2). In the manufacturing method of the organic EL device described in Patent Document 2, tantalum is deposited as an auxiliary cathode on the surface on the pixel interval wall side by a sputtering method, and then photolithography is performed so that the same pattern as the pixel interval wall is obtained. The auxiliary electrode is formed by patterning and etching according to the process. And after forming an auxiliary electrode, an organic luminescent material is discharged to the position corresponding to R, G, B in a partition by a vapor deposition method.
JP 2002-318556 A JP 2003-123988 A

ところで、近年、隔壁により区画された領域をR,G,Bに塗り分ける必要がなく製造が容易であることから、白色の有機層及びカラーフィルタを用いてカラーの有機EL装置を作製する技術が提案されている。すなわち、特許文献1に記載の有機EL装置の製造方法では、白色の有機層(発光層)を全面に蒸着する場合、補助電極が露出しているため、補助電極上に有機層が形成されることになる。したがって、この有機層上に陰極を成膜しても、補助電極と陰極とは導通できないという問題が生じる。
また、特許文献2に記載の有機EL装置の製造方法では、各有機層を形成する際、蒸着法により形成しているため、蒸着位置の精度や、蒸着に用いられるマスクの製作,管理方法によるコストの高騰等の問題が生じる。
By the way, in recent years, since it is not necessary to separately coat the regions partitioned by the partition walls into R, G, and B, and manufacturing is easy, there is a technique for manufacturing a color organic EL device using a white organic layer and a color filter. Proposed. That is, in the method of manufacturing an organic EL device described in Patent Document 1, when a white organic layer (light emitting layer) is deposited on the entire surface, the auxiliary electrode is exposed, and thus the organic layer is formed on the auxiliary electrode. It will be. Therefore, even if a cathode is formed on the organic layer, there arises a problem that the auxiliary electrode and the cathode cannot be conducted.
Moreover, in the manufacturing method of the organic EL device described in Patent Document 2, since each organic layer is formed by a vapor deposition method, it depends on the accuracy of the vapor deposition position and the production and management method of a mask used for vapor deposition. Problems such as rising costs occur.

本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、簡易な方法で、製造コストを抑え、表示品質の良好な有機EL装置及び有機EL装置の製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object thereof is to provide an organic EL device having a good display quality and a manufacturing method of the organic EL device with a simple method, suppressing the manufacturing cost. And

上記目的を達成するために、本発明は、以下の手段を提供する。
本発明の有機EL装置は、基板上に、複数の画素に対応して形成された有機機能層を有する有機EL装置であって、前記複数の画素に対応して形成された複数の第1電極と、該複数の第1電極を区画して形成された隔壁と、少なくとも前記隔壁により区画された画素領域内部及び前記隔壁上に形成された前記有機機能層と、該有機機能層上及び前記隔壁上に形成された第2電極と、少なくとも前記隔壁上の前記第2電極上に形成されるとともに、前記第2電極と電気的に接続され、導電性材料からなる保護層と、該保護層上に形成された補助配線とを備えることを特徴とする。
In order to achieve the above object, the present invention provides the following means.
The organic EL device of the present invention is an organic EL device having an organic functional layer formed corresponding to a plurality of pixels on a substrate, and a plurality of first electrodes formed corresponding to the plurality of pixels. A partition formed by partitioning the plurality of first electrodes, at least the inside of the pixel region partitioned by the partition and the organic functional layer formed on the partition, the organic functional layer, and the partition A second electrode formed on the second electrode; and a protective layer formed on at least the second electrode on the partition wall and electrically connected to the second electrode and made of a conductive material; and on the protective layer And an auxiliary wiring formed on the substrate.

本発明に係る有機EL装置では、第2電極上が、保護層を介して補助配線と接続されているため、例えば、液滴吐出法により、保護層上に補助配線を形成した際、有機機能層上に対するダメージを保護層により保護することになる。したがって、補助配線を保護層上に形成することにより、保護層を介して第2電極全体の抵抗を下げることができ、表示品質に優れた有機EL装置を提供することが可能となる。   In the organic EL device according to the present invention, since the second electrode is connected to the auxiliary wiring via the protective layer, for example, when the auxiliary wiring is formed on the protective layer by the droplet discharge method, the organic function The damage on the layer is protected by the protective layer. Therefore, by forming the auxiliary wiring on the protective layer, the resistance of the entire second electrode can be lowered via the protective layer, and an organic EL device with excellent display quality can be provided.

また、本発明の有機EL装置は、前記保護層が、前記隔壁上のみに形成されていることが好ましい。
本発明に係る有機EL装置の製造方法では、保護層が、隔壁上のみに形成されているため、保護層の形成を最小限に抑えることができ、コストを低減することが可能となる。
In the organic EL device of the present invention, it is preferable that the protective layer is formed only on the partition wall.
In the manufacturing method of the organic EL device according to the present invention, since the protective layer is formed only on the partition wall, the formation of the protective layer can be minimized and the cost can be reduced.

また、本発明の有機EL装置は、前記隔壁上に溝部が形成され、前記溝部内に、前記有機機能層,前記第2電極及び前記保護層が順に形成されていることが好ましい。   In the organic EL device of the present invention, it is preferable that a groove is formed on the partition wall, and the organic functional layer, the second electrode, and the protective layer are formed in that order in the groove.

本発明に係る有機EL装置では、隔壁上に溝部を形成した後、隔壁に区画された領域内部及び隔壁上に有機機能層を形成する。そして、この有機機能層上に第2電極を形成した後、第2電極上に保護層を形成する。その後、溝部内の保護層上に補助配線を形成する。このように、溝部を形成することにより、例えば、液滴吐出法により補助配線を形成する際、補助配線を形成する材料が、隔壁に区画された領域内に流れ落ちるのを防止することができる。   In the organic EL device according to the present invention, after forming a groove on the partition, an organic functional layer is formed inside the region partitioned by the partition and on the partition. And after forming a 2nd electrode on this organic functional layer, a protective layer is formed on a 2nd electrode. Thereafter, auxiliary wiring is formed on the protective layer in the groove. Thus, by forming the groove portion, for example, when forming the auxiliary wiring by the droplet discharge method, it is possible to prevent the material forming the auxiliary wiring from flowing down into the region partitioned by the partition wall.

また、本発明の有機EL装置は、前記基板上に凹部を有する絶縁膜が形成され、前記絶縁膜の凹部に前記溝部を有する前記隔壁が形成されていることが好ましい。
本発明に係る有機EL装置では、絶縁膜の凹部に、溝部を有する隔壁が形成されているため、例えば、液滴吐出法により補助配線を形成する際、補助配線を形成する材料が、隔壁内に侵入するのを確実に防止することができる。したがって、より表示品質に優れた有機EL装置を得ることが可能となる。
さらに、隔壁の高さを低くすることができるため、隔壁により区画された領域に有機機能層を均一に成膜し易くなる。
In the organic EL device of the present invention, it is preferable that an insulating film having a recess is formed on the substrate, and the partition having the groove is formed in the recess of the insulating film.
In the organic EL device according to the present invention, since the partition having the groove is formed in the recess of the insulating film, for example, when the auxiliary wiring is formed by a droplet discharge method, the material for forming the auxiliary wiring Can be surely prevented. Therefore, it is possible to obtain an organic EL device with better display quality.
Furthermore, since the height of the partition can be reduced, it becomes easy to uniformly form the organic functional layer in the region partitioned by the partition.

本発明の有機EL装置の製造方法は、基板上に、複数の画素に対応して形成された有機機能層を有する有機EL装置の製造方法であって、複数の第1電極を形成する工程と、前記複数の第1電極を区画する隔壁を形成する工程と、少なくとも前記隔壁により区画された画素領域内部及び前記隔壁上に前記有機機能層を形成する工程と、前記有機機能層上及び前記隔壁上に第2電極を形成する工程と、少なくとも前記隔壁上の前記第2電極上に、前記第2電極と電気的に接続される導電性材料からなる保護層を形成する工程と、液滴吐出法により、前記保護層上に補助配線を形成する工程とを備えることを特徴とする。   The method for manufacturing an organic EL device according to the present invention is a method for manufacturing an organic EL device having an organic functional layer formed corresponding to a plurality of pixels on a substrate, and a step of forming a plurality of first electrodes. Forming a partition for partitioning the plurality of first electrodes, forming the organic functional layer at least on the inside of the pixel region partitioned by the partition and on the partition, and on the organic functional layer and the partition Forming a second electrode thereon, forming a protective layer made of a conductive material electrically connected to the second electrode on at least the second electrode on the partition; and discharging a droplet And a step of forming an auxiliary wiring on the protective layer by a method.

本発明に係る有機EL装置の製造方法では、隔壁に区画された領域内部及び隔壁上に有機機能層を形成する。そして、有機機能層上に第2電極を形成した後、第2電極上に保護層を形成する、その後、液滴吐出法により、保護層上に補助配線を形成する。このように、保護層を形成した後、液滴吐出法により、補助配線を形成することで、液滴吐出法による補助配線を形成する材料の有機機能層に対するダメージを保護層が保護することになる。したがって、液滴吐出法を用いることにより、簡易であり、かつ、製造コストを抑えた方法で、第2電極と補助配線とを良好に相互接続することができる。このような補助配線を保護層上に形成することにより、保護層を介して第2電極全体の抵抗を下げることができ、表示品質に優れた有機EL装置を製造することが可能となる。   In the manufacturing method of the organic EL device according to the present invention, the organic functional layer is formed inside the region partitioned by the partition and on the partition. Then, after forming the second electrode on the organic functional layer, a protective layer is formed on the second electrode, and then an auxiliary wiring is formed on the protective layer by a droplet discharge method. Thus, after forming the protective layer, the protective layer protects the organic functional layer from damage to the material forming the auxiliary wiring by the droplet discharge method by forming the auxiliary wiring by the droplet discharge method. Become. Therefore, by using the droplet discharge method, the second electrode and the auxiliary wiring can be satisfactorily interconnected by a simple method with reduced manufacturing costs. By forming such auxiliary wiring on the protective layer, the resistance of the entire second electrode can be lowered via the protective layer, and an organic EL device having excellent display quality can be manufactured.

また、有機機能層として白色の発光層を用いることができるので、蒸着法により、隔壁内にR,G,Bに対応する位置に、有機発光材料を吐出する場合に比べ、マスクの位置合わせや、マスクの製作等の必要がないため、コストを低減することも可能である。   In addition, since a white light emitting layer can be used as the organic functional layer, the mask alignment and the position of the organic light emitting material can be compared with the case where the organic light emitting material is ejected to the position corresponding to R, G, B in the partition wall by vapor deposition. Further, since there is no need to manufacture a mask, the cost can be reduced.

本発明の有機EL装置の製造方法は、前記保護層を構成する導電性材料が、前記補助配線を液滴吐出法で形成する際に用いる溶媒に対する耐性を有していることが好ましい。
本発明に係る有機EL装置の製造方法では、液滴吐出法により、保護層上に補助配線を形成する際、保護層が、補助配線に用いる溶媒に対する耐性を有しているため、有機機能層に対するダメージを確実に抑えることが可能となる。
In the method for manufacturing an organic EL device of the present invention, it is preferable that the conductive material forming the protective layer has resistance to a solvent used when the auxiliary wiring is formed by a droplet discharge method.
In the manufacturing method of the organic EL device according to the present invention, when the auxiliary wiring is formed on the protective layer by the droplet discharge method, the protective layer has resistance to the solvent used for the auxiliary wiring. It is possible to reliably suppress damage to the.

以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
なお、本実施形態は、発光層に白色発光の有機EL材料を用い、対向基板にカラーフィルタ基板を用いることによってフルカラー表示を行うような有機EL装置の製造方法に関するものである。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
This embodiment relates to a method of manufacturing an organic EL device that performs full color display by using a white light emitting organic EL material for a light emitting layer and using a color filter substrate for a counter substrate.

〔有機EL装置の構成〕
最初に、本実施形態によって製造された有機EL装置について説明する。
図1は、本発明の第一実施形態に係る有機EL表示装置(有機EL装置)1の配線構造を示す図である。
有機EL表示装置1は、スイッチング素子として薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor、以下TFTと略記する)を用いたアクティブマトリクス型のEL表示装置である。
なお、以下の説明では、有機EL表示装置1を構成する各部位や各層膜を認識可能とするために、各々の縮尺を異ならせている。
[Configuration of organic EL device]
First, the organic EL device manufactured according to this embodiment will be described.
FIG. 1 is a diagram showing a wiring structure of an organic EL display device (organic EL device) 1 according to the first embodiment of the present invention.
The organic EL display device 1 is an active matrix EL display device using a thin film transistor (hereinafter abbreviated as TFT) as a switching element.
In the following description, each scale and each layer film constituting the organic EL display device 1 are made different in scale so that they can be recognized.

有機EL表示装置1は、複数の走査線101と、各走査線101に対して直角に交差する方向に延びる複数の信号線102と、各信号線102に並列に延びる複数の電源線103とがそれぞれ配線された構成を有するとともに、走査線101と信号線102の各交点付近に画素領域Xが設けられる。
信号線102には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ線駆動回路100が接続される。また、走査線101には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査線駆動回路80が接続される。
The organic EL display device 1 includes a plurality of scanning lines 101, a plurality of signal lines 102 extending in a direction perpendicular to each scanning line 101, and a plurality of power supply lines 103 extending in parallel to each signal line 102. Each pixel region X is provided in the vicinity of each intersection of the scanning line 101 and the signal line 102 while having a wired configuration.
A data line driving circuit 100 including a shift register, a level shifter, a video line, and an analog switch is connected to the signal line 102. Further, a scanning line driving circuit 80 including a shift register and a level shifter is connected to the scanning line 101.

さらに、画素領域Xの各々には、走査線101を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用TFT112と、このスイッチング用TFT112を介して信号線102から供給される画素信号を保持する保持容量113と、該保持容量113によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用TFT5と、この駆動用TFT5を介して電源線103に電気的に接続したときに該電源線103から駆動電流が流れ込む画素電極(第1電極;陽極)14と、この画素電極14と共通電極(第2電極;陰極)21との間に挟み込まれた有機EL素子(有機機能層)15とが設けられる。   Further, in each pixel region X, a switching TFT 112 to which a scanning signal is supplied to the gate electrode via the scanning line 101 and a pixel signal to be supplied from the signal line 102 via the switching TFT 112 are held. A capacitor 113, a driving TFT 5 to which a pixel signal held by the holding capacitor 113 is supplied to the gate electrode, and driving from the power line 103 when electrically connected to the power line 103 through the driving TFT 5 A pixel electrode (first electrode; anode) 14 through which a current flows and an organic EL element (organic functional layer) 15 sandwiched between the pixel electrode 14 and a common electrode (second electrode; cathode) 21 are provided. .

この有機EL表示装置1によれば、走査線101が駆動されてスイッチング用TFT112がオン状態になると、そのときの信号線102の電位が保持容量113に保持され、該保持容量113の状態に応じて、駆動用TFT5のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用TFT5のチャネルを介して、電源線103から画素電極14に電流が流れ、さらに有機機能層15を介して共通電極21に電流が流れる。有機機能層15は、これを流れる電流量に応じて発光する。   According to the organic EL display device 1, when the scanning line 101 is driven and the switching TFT 112 is turned on, the potential of the signal line 102 at that time is held in the holding capacitor 113, and according to the state of the holding capacitor 113. Thus, the on / off state of the driving TFT 5 is determined. Then, a current flows from the power supply line 103 to the pixel electrode 14 via the channel of the driving TFT 5, and further a current flows to the common electrode 21 via the organic functional layer 15. The organic functional layer 15 emits light according to the amount of current flowing through it.

次に、有機EL表示装置1の具体的な構成について、図2及び図3を参照して説明する。
有機EL表示装置1は、図2に示すように、電気絶縁性を備えた基板2と、スイッチング用TFT(図示せず)に接続された画素電極が基板2上にマトリックス状に配置されてなる画素電極域(図示せず)と、画素電極域の周囲に配置されるとともに各画素電極に接続される電源線(図示せず)と、少なくとも画素電極域上に位置する平面視ほぼ矩形の画素部G(図2中一点鎖線枠内)とを具備して構成されたアクティブマトリクス型のものである。
Next, a specific configuration of the organic EL display device 1 will be described with reference to FIGS.
As shown in FIG. 2, the organic EL display device 1 includes a substrate 2 having electrical insulation and pixel electrodes connected to switching TFTs (not shown) arranged in a matrix on the substrate 2. A pixel electrode region (not shown), a power supply line (not shown) arranged around the pixel electrode region and connected to each pixel electrode, and a substantially rectangular pixel in a plan view located at least on the pixel electrode region It is of an active matrix type configured to include a part G (inside the one-dot chain line frame in FIG. 2).

画素部Gは、中央部分の実表示領域L(図2中二点鎖線枠内)と、実表示領域Lの周囲に配置されたダミー領域D(一点鎖線および二点鎖線の間の領域)とに区画される。
実表示領域Lには、それぞれ画素電極を有する表示領域R、G、BがA−B方向およびC−D方向にそれぞれ離間してマトリックス状に配置される。
また、実表示領域Lの図2中両側には、走査線駆動回路80が配置される。これら走査線駆動回路80は、ダミー領域Dの下側に配置されたものである。
The pixel portion G includes an actual display area L in the center (inside the two-dot chain line in FIG. 2) and a dummy area D (area between the one-dot chain line and the two-dot chain line) arranged around the actual display area L. It is divided into.
In the actual display region L, display regions R, G, and B each having a pixel electrode are arranged in a matrix in such a manner as to be separated from each other in the AB direction and the CD direction.
Further, on both sides of the actual display region L in FIG. These scanning line driving circuits 80 are arranged below the dummy area D.

さらに、実表示領域Lの図2中上側には、検査回路90が配置される。この検査回路90は、EL表示装置1の作動状況を検査するための回路であって、例えば検査結果を外部に出力する検査情報出力手段(図示せず)を備え、製造途中や出荷時の表示装置の品質、欠陥の検査を行うことができるように構成されたものである。なお、この検査回路90も、ダミー領域Dの下側に配置されたものである。   Further, an inspection circuit 90 is disposed above the actual display area L in FIG. The inspection circuit 90 is a circuit for inspecting the operating state of the EL display device 1 and includes, for example, inspection information output means (not shown) for outputting the inspection result to the outside, and is displayed during manufacture or at the time of shipment. The apparatus is configured to be able to inspect the quality and defect of the apparatus. The inspection circuit 90 is also arranged below the dummy area D.

図3は、本実施形態によって製造された有機EL装置1の構成を示す平面図を示すであり、図4は上記平面図におけるX−X矢視断面図である。
この有機EL表示装置1は、図3に示すように、基板2上には三原色の各色(R、G、B)に対応する長円形状の画素領域3が行列状(X方向及びY方向)に複数配置すると共に、一方向(Y方向)に配列する画素領域3間に、一方向と直交する他方向(X方向)に向かって延在する帯状の補助配線4が複数本配置されている。
FIG. 3 is a plan view showing the configuration of the organic EL device 1 manufactured according to this embodiment, and FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line XX in the plan view.
As shown in FIG. 3, the organic EL display device 1 has an elliptical pixel region 3 corresponding to each of the three primary colors (R, G, B) on a substrate 2 in a matrix (X direction and Y direction). A plurality of strip-like auxiliary wirings 4 extending in the other direction (X direction) orthogonal to one direction are arranged between the pixel regions 3 arranged in one direction (Y direction). .

また、図4に示すように、基板2上には駆動用TFT5が形成されている。この駆動用TFT5は、半導体膜6に形成されたソース領域5a、ドレイン領域5b、及びチャネル領域5cと、半導体膜6の表面に形成されたゲート絶縁膜7を介してチャネル領域5cに対向するゲート電極5dとによって主に構成されている。また、半導体膜6及びゲート絶縁膜7を覆う第1層間絶縁膜8が形成されており、この第1層間絶縁膜8を貫通して半導体膜6に達するコンタクトホール9,10内に、それぞれドレイン電極11、ソース電極12が埋設され、この各電極は上記ドレイン領域5b、ソース領域5aに導電接続されている。   In addition, as shown in FIG. 4, a driving TFT 5 is formed on the substrate 2. The driving TFT 5 includes a source region 5a, a drain region 5b, a channel region 5c formed in the semiconductor film 6, and a gate facing the channel region 5c via a gate insulating film 7 formed on the surface of the semiconductor film 6. It is mainly comprised by the electrode 5d. Further, a first interlayer insulating film 8 is formed to cover the semiconductor film 6 and the gate insulating film 7, and drains are respectively formed in the contact holes 9 and 10 that penetrate the first interlayer insulating film 8 and reach the semiconductor film 6. An electrode 11 and a source electrode 12 are embedded, and these electrodes are electrically connected to the drain region 5b and the source region 5a.

上記第1層間絶縁膜8上には第2平坦化絶縁膜13が形成されており、また、この第2平坦化絶縁膜13上には画素電極(第1電極)14が形成されている。画素電極14の一部は、第2平坦化絶縁膜13に貫設されたコンタクトホールに埋設されており、ドレイン電極11と導電接続されている。また、画素電極14の周縁部に一部乗り上げるようにして無機絶縁材料からなる無機隔壁16が形成されている。この無機隔壁16上には、有機材料からなる隔壁17が積層されている。   A second planarizing insulating film 13 is formed on the first interlayer insulating film 8, and a pixel electrode (first electrode) 14 is formed on the second planarizing insulating film 13. A part of the pixel electrode 14 is buried in a contact hole penetrating the second planarization insulating film 13 and is conductively connected to the drain electrode 11. In addition, an inorganic partition 16 made of an inorganic insulating material is formed so as to partially run on the peripheral edge of the pixel electrode 14. A partition wall 17 made of an organic material is laminated on the inorganic partition wall 16.

上記有機EL素子(有機機能層)15は、画素電極14、当該画素電極14上に形成された正孔注入/輸送層18、当該正孔注入/輸送層18上に形成された白色の発光層19、当該発光層19上に形成された電子注入/輸送層20及び当該電子注入/輸送層20上に形成された共通電極(第2電極)21によって構成されている。これら正孔注入/輸送層18、発光層19及び電子注入/輸送層20は、有機機能層を構成している。
また、隔壁17内部及び隔壁17上の全面にわたって、正孔注入/輸送層18,発光層19,電子注入/輸送層20及び共通電極21が順に形成されている。
The organic EL element (organic functional layer) 15 includes a pixel electrode 14, a hole injection / transport layer 18 formed on the pixel electrode 14, and a white light emitting layer formed on the hole injection / transport layer 18. 19, an electron injection / transport layer 20 formed on the light emitting layer 19 and a common electrode (second electrode) 21 formed on the electron injection / transport layer 20. These hole injection / transport layer 18, light emitting layer 19 and electron injection / transport layer 20 constitute an organic functional layer.
A hole injection / transport layer 18, a light emitting layer 19, an electron injection / transport layer 20, and a common electrode 21 are sequentially formed over the entire surface of the partition wall 17 and on the partition wall 17.

さらに、共通電極21上には、全面にわたって保護層25が形成されている。この保護層25は、ITO(インジウム・スズ酸化物)膜である。また、保護層25を構成する導電性材料は、補助配線4を液滴吐出法で形成する際に用いる溶媒に対する耐性を有している。また、隔壁17上の保護層25上には、補助配線4が形成されており、共通電極21は、保護層25を介して補助配線4と導通している。また、補助配線4の材料としては、銀(Ag)を使用している。   Furthermore, a protective layer 25 is formed on the common electrode 21 over the entire surface. The protective layer 25 is an ITO (indium tin oxide) film. Further, the conductive material constituting the protective layer 25 has resistance to the solvent used when the auxiliary wiring 4 is formed by the droplet discharge method. An auxiliary wiring 4 is formed on the protective layer 25 on the partition wall 17, and the common electrode 21 is electrically connected to the auxiliary wiring 4 through the protective layer 25. Further, silver (Ag) is used as the material of the auxiliary wiring 4.

基板2としては、いわゆるトップエミッション構造の有機EL装置の場合、有機EL素子15が配設された側から光を取り出す構成であるので、ガラス等の透明基板のほか、不透明基板も用いることができる。不透明基板としては、例えばアルミナ等のセラミックス、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したもの、また熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂、さらにはそのフィルム(プラスチックフィルム)などが挙げられる。また、画素電極14は、トップエミッション構造の場合には透光性である必要はなく、金属材料等の適宜な導電材料によって形成できる。   In the case of an organic EL device having a so-called top emission structure, the substrate 2 is configured to extract light from the side on which the organic EL element 15 is disposed. Therefore, in addition to a transparent substrate such as glass, an opaque substrate can also be used. . Examples of opaque substrates include ceramics such as alumina, metal sheets such as stainless steel that have been subjected to insulation treatment such as surface oxidation, thermosetting resins and thermoplastic resins, and films thereof (plastic films). It is done. Further, the pixel electrode 14 does not need to be translucent in the case of a top emission structure, and can be formed of an appropriate conductive material such as a metal material.

本実施形態における有機EL素子15は、共通電極21に光透過性を有する材料を用いることにより、発光層19で発光する光を共通電極21側から出射させるトップエミッション構造を採用したものである。このような材料としては、例えば、アルミニウム薄膜、マグネシウム銀の薄膜等を用いる事ができる。また、本実施形態の共通電極21の厚みは、約10nmであり、MgAg(マグネシウム銀)により形成されている。なお、共通電極21は、発光層19より発光した光が透過可能な厚みとなっている。   The organic EL element 15 in the present embodiment employs a top emission structure in which light emitted from the light emitting layer 19 is emitted from the common electrode 21 side by using a material having optical transparency for the common electrode 21. As such a material, for example, an aluminum thin film, a magnesium silver thin film, or the like can be used. Moreover, the thickness of the common electrode 21 of this embodiment is about 10 nm, and is formed of MgAg (magnesium silver). The common electrode 21 has a thickness that allows light emitted from the light emitting layer 19 to pass therethrough.

さらに、基板2と対向してカラーフィルタ基板22が設けられている。このカラーフィルタ基板22上には、三原色の各色(R、G、B)に対応するカラーフィルタ23と遮光用のBM(Black Matrix)パターン24が形成されている。また、カラーフィルタ基板22は、基板2側の画素領域3とカラーフィルタ23とが対向するように設けられている。なお、このカラーフィルタ基板22にはガラス等の透明性を有する基板が使用される。   Further, a color filter substrate 22 is provided to face the substrate 2. On the color filter substrate 22, a color filter 23 corresponding to each of the three primary colors (R, G, B) and a light-shielding BM (Black Matrix) pattern 24 are formed. The color filter substrate 22 is provided so that the pixel region 3 on the substrate 2 side and the color filter 23 face each other. The color filter substrate 22 is a transparent substrate such as glass.

〔有機EL装置の製造方法〕
次に、上記有機EL装置1の製造方法について説明する。本実施形態では、ガラス等の基板2上に各種配線や駆動用TFT5等を形成する工程、該駆動用TFT5上に画素電極14を形成する工程、当該画素電極14上に隔壁(無機隔壁16及び隔壁17)を形成する工程、この隔壁上に有機機能層を形成する工程、有機機能層上に共通電極21を形成する工程、当該共通電極21上に補助配線4を形成する工程を実施することにより、有機EL装置1を製造するものである。これら各工程のうち、各種配線や駆動用TFT5等を形成する工程については、周知の工程と同様なので、これ以降の工程について詳しく説明する。
[Method for Manufacturing Organic EL Device]
Next, a method for manufacturing the organic EL device 1 will be described. In this embodiment, various wirings, a driving TFT 5 and the like are formed on a substrate 2 such as glass, a pixel electrode 14 is formed on the driving TFT 5, and a partition wall (inorganic partition wall 16 and A step of forming a partition wall 17), a step of forming an organic functional layer on the partition wall, a step of forming the common electrode 21 on the organic functional layer, and a step of forming the auxiliary wiring 4 on the common electrode 21 Thus, the organic EL device 1 is manufactured. Among these steps, the steps for forming various wirings, driving TFTs 5 and the like are the same as well-known steps, and the subsequent steps will be described in detail.

(1)画素電極
図5(a)に示すように、基板2上に駆動用TFT5、半導体膜6、ゲート絶縁膜7、第1層間絶縁膜8、ドレイン電極11、ソース電極12及び第2平坦化絶縁膜13が形成されると、蒸着法により第2平坦化絶縁膜13上にインジウム・スズ酸化物(ITO)を全面成膜し、またこの膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、図5(b)に示すように画素電極14を形成する。なお、本実施形態の有機EL表示装置1は、前述したようにトップエミッションタイプなので、画素電極14は、透明である必要がないので、よって上記インジウム・スズ酸化物に限定されることなく適宜な導電材料によって形成することができる。
(1) Pixel Electrode As shown in FIG. 5A, a driving TFT 5, a semiconductor film 6, a gate insulating film 7, a first interlayer insulating film 8, a drain electrode 11, a source electrode 12, and a second flat surface are formed on a substrate 2. When the insulating insulating film 13 is formed, indium tin oxide (ITO) is formed on the entire surface of the second planarizing insulating film 13 by vapor deposition, and this film is patterned by photolithography. As shown in FIG. 5B, the pixel electrode 14 is formed. Since the organic EL display device 1 of the present embodiment is a top emission type as described above, the pixel electrode 14 does not need to be transparent, and thus is not limited to the indium tin oxide, and is appropriate. It can be formed of a conductive material.

(2)隔壁形成工程
次に、図5(c)に示すように、第2平坦化絶縁膜13、画素電極14上に第1の隔壁として無機隔壁16を形成し、さらに図5(d)に示すように、第2の隔壁として隔壁17を形成する。無機隔壁16は、例えばCVD法、スパッタ法、蒸着法等によって第2平坦化絶縁膜13、画素電極14上の全面にSiO、TiO、SiN等の無機物膜を形成し、この無機物膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより形成する。この無機隔壁16は、第2平坦化絶縁膜13上、画素電極14の周縁部上のみに設けられ、画素電極14の中央近傍に位置する電極面14aは露出している。
(2) Partition Formation Step Next, as shown in FIG. 5C, an inorganic partition 16 is formed as a first partition on the second planarization insulating film 13 and the pixel electrode 14, and FIG. As shown in FIG. 5, a partition wall 17 is formed as a second partition wall. The inorganic barrier 16 is formed by forming an inorganic film such as SiO 2 , TiO 2 or SiN on the entire surface of the second planarization insulating film 13 and the pixel electrode 14 by, for example, CVD, sputtering, vapor deposition, or the like. It is formed by patterning by photolithography. The inorganic partition 16 is provided only on the second planarization insulating film 13 and on the peripheral edge of the pixel electrode 14, and the electrode surface 14 a located near the center of the pixel electrode 14 is exposed.

次いで、上記無機隔壁16上に隔壁17を形成する。この隔壁17は、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶剤性を有する有機樹脂を材料として用いることができる。隔壁17は、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の有機樹脂を溶媒に溶かしたものを、スピンコート、ディップコート等により塗布して形成する。そして、隔壁17をフォトリソグラフィ法によりパターニングして開口を設ける。この隔壁17の開口部は、図5(d)に示すように、無機隔壁16の開口部よりやや広く形成することが好ましい。   Next, a partition wall 17 is formed on the inorganic partition wall 16. The partition wall 17 can be made of, for example, an organic resin having heat resistance and solvent resistance such as acrylic resin and polyimide resin. The partition wall 17 is formed by applying an organic resin such as acrylic resin or polyimide resin dissolved in a solvent by spin coating, dip coating, or the like. Then, the partition wall 17 is patterned by photolithography to provide an opening. The opening of the partition wall 17 is preferably formed slightly wider than the opening of the inorganic partition wall 16 as shown in FIG.

このようにして隔壁17が形成されると、続いてプラズマ処理を行う。このプラズマ処理は、画素電極14の電極面14aを活性化するものであり、画素電極14の電極面14aの表面洗浄、更に仕事関数の調整、更には親液化を主な目的として行われる。   When the partition wall 17 is formed in this way, plasma processing is subsequently performed. This plasma treatment activates the electrode surface 14a of the pixel electrode 14, and is performed mainly for the purpose of cleaning the surface of the electrode surface 14a of the pixel electrode 14, adjusting the work function, and further making it lyophilic.

(3)有機機能層形成工程
次に、図6に示すように、画素電極14、無機隔壁16及び隔壁17の全面に正孔注入/輸送層18を形成し、さらにその上に発光層19を形成し、さらにその上に電子注入/輸送層20を形成することによって有機機能層を形成する。正孔注入/輸送層18、発光層19及び電子注入/輸送層20は、各層に好適な蒸着材料を周知の蒸着法に基づいて蒸着することによって形成される。
(3) Organic Functional Layer Forming Step Next, as shown in FIG. 6, a hole injection / transport layer 18 is formed on the entire surface of the pixel electrode 14, the inorganic barrier 16 and the barrier 17, and a light emitting layer 19 is further formed thereon. The organic functional layer is formed by forming the electron injection / transport layer 20 thereon. The hole injection / transport layer 18, the light emitting layer 19, and the electron injection / transport layer 20 are formed by depositing a deposition material suitable for each layer based on a well-known deposition method.

発光層19の蒸着材料としては、白色の蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の低分子材料を用いることができ、例えばアントラセンやピレン、8−ヒドロキシキノリンアルミニウム、ビススチリルアントラセン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、クマリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ピロロピリジン誘導体、ペリノン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、またはこれら低分子材料に、ルブレン、キナクリドン誘導体、フェノキサゾン誘導体、DCM、DCJ、ペリノン、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、ジアザインダセン誘導体等をドープして用いることができる。また、電子注入/輸送層20の蒸着材料としては、LiF等のアルカリ金属のフッ化物あるいは酸化物、マグネシウムリチウム等の合金等を用いることができる。   As a deposition material for the light emitting layer 19, a known low molecular weight material capable of emitting white fluorescence or phosphorescence can be used. For example, anthracene, pyrene, 8-hydroxyquinoline aluminum, bisstyrylanthracene derivative, tetraphenyl A butadiene derivative, a coumarin derivative, an oxadiazole derivative, a distyrylbenzene derivative, a pyrrolopyridine derivative, a perinone derivative, a cyclopentadiene derivative, a thiadiazolopyridine derivative, or a low molecular weight material such as rubrene, a quinacridone derivative, a phenoxazone derivative, DCM, DCJ, perinone, perylene derivatives, coumarin derivatives, diazaindacene derivatives and the like can be used by doping. Further, as a vapor deposition material for the electron injection / transport layer 20, an alkali metal fluoride or oxide such as LiF or an alloy such as magnesium lithium can be used.

(4)共通電極形成工程
そして、図6に示すように、電子注入/輸送層20上の全面に、共通電極21を形成する。この共通電極形成工程では、トップエミッション構造を実現するために、マグネシウム銀の薄膜を蒸着法で形成して共通電極21とする。
次に、蒸着法により、共通電極21上にインジウム・スズ酸化物(ITO)を全面に成膜し、保護層25を形成する。
(4) Common Electrode Formation Step Then, as shown in FIG. 6, the common electrode 21 is formed on the entire surface of the electron injection / transport layer 20. In this common electrode formation step, a magnesium silver thin film is formed by vapor deposition to form the common electrode 21 in order to realize a top emission structure.
Next, indium tin oxide (ITO) is formed on the entire surface of the common electrode 21 by vapor deposition to form the protective layer 25.

(5)補助配線形成工程
次に、図6に示すように、保護層25上に補助配線4を液体プロセスとしての液滴吐出法によって形成する。まず、補助配線4を構成する組成物としての銀材料を含むにより形成された液状組成物Lを吐出ヘッド30のノズルNから吐出させる。このとき、吐出ヘッド30に設けられた、紙面手前及び奥に沿って延設されるガイドレール31に沿って吐出ヘッド30を基板2に対して画素領域3の配列方向に沿って相対移動させながら液状組成物Lを順次吐出する。これにより、保護層25上に液状組成物Lを塗布させる。また、補助配線4の幅は、画素領域3の間隔と略同一である。
(5) Auxiliary Wiring Formation Step Next, as shown in FIG. 6, the auxiliary wiring 4 is formed on the protective layer 25 by a droplet discharge method as a liquid process. First, a liquid composition L formed by containing a silver material as a composition constituting the auxiliary wiring 4 is discharged from the nozzle N of the discharge head 30. At this time, the discharge head 30 is moved relative to the substrate 2 along the arrangement direction of the pixel region 3 along the guide rail 31 provided on the discharge head 30 and extending along the front and back of the sheet. The liquid composition L is discharged sequentially. Thereby, the liquid composition L is applied on the protective layer 25. The width of the auxiliary wiring 4 is substantially the same as the interval between the pixel regions 3.

本実施形態に係る有機EL装置及び有機EL装置の製造方法では、保護層25を形成した後、液滴吐出法により、補助配線4を形成することで、液滴吐出法による補助配線4を形成する銀材料の有機EL素子15に対する衝撃を保護層25が吸収することになる。したがって、液滴吐出法を用いることにより、簡易であり、かつ、製造コストを抑えた方法で、共通電極21と補助配線4とを良好に相互接続することができる。このような補助配線4を保護層25上に形成することにより、保護層25を介して共通電極21全体の抵抗を下げることができ、表示品質に優れた有機EL装置1を製造することが可能となる。   In the organic EL device and the manufacturing method of the organic EL device according to the present embodiment, after forming the protective layer 25, the auxiliary wiring 4 is formed by the droplet discharge method, thereby forming the auxiliary wiring 4 by the droplet discharge method. The protective layer 25 absorbs the impact of the silver material to the organic EL element 15. Therefore, by using the droplet discharge method, the common electrode 21 and the auxiliary wiring 4 can be satisfactorily interconnected by a simple method with reduced manufacturing costs. By forming such auxiliary wiring 4 on the protective layer 25, the resistance of the entire common electrode 21 can be lowered via the protective layer 25, and the organic EL device 1 having excellent display quality can be manufactured. It becomes.

また、液滴吐出法により補助配線4を形成することが可能であるので、直接画素を描画できるためマスクを必要とせず、補助配線4を形成することができる。したがって、高精細なディスプレイの製造が可能となる。また、液相プロセスであるため真空を必要としないため、エネルギーコストおよび材料コストの面でも有利となり、特に大面積のパターニングに有効となる。   Further, since the auxiliary wiring 4 can be formed by a droplet discharge method, a pixel can be directly drawn, so that the auxiliary wiring 4 can be formed without a mask. Therefore, a high-definition display can be manufactured. Moreover, since it is a liquid phase process and does not require a vacuum, it is advantageous in terms of energy cost and material cost, and is particularly effective for patterning of a large area.

さらに、本実施形態において、隔壁17により区画された領域をR,G,Bに塗り分けることも可能であるが、本実施形態のように、発光層19として白色の蛍光あるいは燐光を発光することが可能な材料を用いることにより、隔壁17により区画された領域をR,G,Bに塗り分ける場合に比べ、マスクの位置合わせや、マスクの製作等の必要がないため、コストを低減することが可能である。   Furthermore, in the present embodiment, it is possible to separately coat the regions partitioned by the partition walls 17 into R, G, and B. However, as in the present embodiment, the light emitting layer 19 emits white fluorescence or phosphorescence. By using a material that can be used, it is not necessary to align the mask or manufacture the mask as compared with the case where the region partitioned by the partition wall 17 is separately applied to R, G, and B, thereby reducing the cost. Is possible.

また、保護層25を構成する導電性材料が、補助配線4を液滴吐出法で形成する際に用いる溶媒に対する耐性を有しているため、液滴吐出法により、保護層25上に補助配線4を形成する際、有機EL素子15に対するダメージを確実に抑えることが可能となる。   Further, since the conductive material constituting the protective layer 25 has resistance to the solvent used when the auxiliary wiring 4 is formed by the droplet discharge method, the auxiliary wiring is formed on the protective layer 25 by the droplet discharge method. When forming 4, the damage to the organic EL element 15 can be reliably suppressed.

次に、本発明に係る第2実施形態について、図7を参照して説明する。なお、以下に説明する各実施形態において、上述した第1実施形態に係る有機EL装置1と構成を共通とする箇所には同一符号を付けて、説明を省略することにする。
本実施形態に係る有機EL装置40において、隔壁17を形成する際、隔壁17上に溝部45を形成する点で、第1実施形態と異なる。
Next, a second embodiment according to the present invention will be described with reference to FIG. In each embodiment described below, portions having the same configuration as those of the organic EL device 1 according to the first embodiment described above are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
The organic EL device 40 according to the present embodiment differs from the first embodiment in that when the partition wall 17 is formed, a groove 45 is formed on the partition wall 17.

溝部45の内部には、図7に示すように、隔壁17の内部と同様に、正孔注入/輸送層18,発光層19,電子注入/輸送層20,共通電極21及び保護層25が順に形成されている。そして、溝部45の内部の保護層25上に補助配線41が形成されている。   As shown in FIG. 7, the hole injection / transport layer 18, the light emitting layer 19, the electron injection / transport layer 20, the common electrode 21, and the protective layer 25 are sequentially formed in the groove 45, as in the partition 17. Is formed. An auxiliary wiring 41 is formed on the protective layer 25 inside the groove 45.

次に、本実施形態の有機EL装置40の製造方法について説明する。
まず、第1実施形態と同様に、画素電極14及び隔壁17を形成した後、隔壁17の上面17aに、フォトリソグラフィ法及びエッチング法によりパターニングして溝部45を設ける。この溝部45の深さLは、隔壁17の深さMに対して、1/3程度である。その後、第1実施形態と同様に、有機EL素子15,共通電極21及び保護層25を形成する。そして、溝部45内部の保護層25上に、補助配線41を形成することにより、図7に示す有機EL装置40が製造される。
Next, a method for manufacturing the organic EL device 40 of this embodiment will be described.
First, as in the first embodiment, after the pixel electrode 14 and the partition wall 17 are formed, the groove portion 45 is provided on the upper surface 17a of the partition wall 17 by patterning using a photolithography method and an etching method. The depth L of the groove 45 is about 1/3 of the depth M of the partition wall 17. Thereafter, similarly to the first embodiment, the organic EL element 15, the common electrode 21, and the protective layer 25 are formed. Then, by forming the auxiliary wiring 41 on the protective layer 25 inside the groove 45, the organic EL device 40 shown in FIG. 7 is manufactured.

本実施形態に係る有機EL装置及び有機EL装置の製造方法では、溝部45を形成することにより、液滴吐出法により補助配線41を形成する際、補助配線41を形成する材料が、隔壁17内に流れ落ちるのを防止することができる。   In the organic EL device and the method for manufacturing the organic EL device according to the present embodiment, when forming the auxiliary wiring 41 by the droplet discharge method by forming the groove 45, the material for forming the auxiliary wiring 41 is within the partition wall 17. Can be prevented from flowing down.

次に、本発明に係る第3実施形態について、図8を参照して説明する。
本実施形態に係る有機EL装置50では、基板2上に凹部53aを有する第2平坦化絶縁膜53が形成され、第2平坦化絶縁膜53の凹部53aに溝部51を有する隔壁54が形成されている点において第1実施形態と異なる。すなわち、隔壁54の深さPより、溝部51の深さQの方が深い構成となっている。
Next, a third embodiment according to the present invention will be described with reference to FIG.
In the organic EL device 50 according to the present embodiment, the second planarization insulating film 53 having the recesses 53a is formed on the substrate 2, and the partition walls 54 having the groove portions 51 are formed in the recesses 53a of the second planarization insulation film 53. This is different from the first embodiment. That is, the depth Q of the groove 51 is deeper than the depth P of the partition wall 54.

また、溝部51の形成方法としては、まず、第2平坦化絶縁膜53に、フォトリソグラフィ法によりパターニングして凹部53aを設ける。そして、第2実施形態と同様に、画素電極14及び隔壁54を形成した後、隔壁54の上面54aに、フォトリソグラフィ法によりパターニングして溝部51を形成する。そして、溝部51内部の保護層25上に、補助配線52を形成することにより、図8に示す有機EL装置50が製造される。   As a method for forming the groove 51, first, the concave portion 53a is provided by patterning the second planarization insulating film 53 by a photolithography method. Then, similarly to the second embodiment, after forming the pixel electrode 14 and the partition wall 54, the groove portion 51 is formed on the upper surface 54 a of the partition wall 54 by patterning using a photolithography method. Then, by forming the auxiliary wiring 52 on the protective layer 25 inside the groove 51, the organic EL device 50 shown in FIG. 8 is manufactured.

本実施形態に係る有機EL装置及び有機EL装置の製造方法では、第2平坦化絶縁膜53の凹部53aに、溝部51を有する隔壁54が形成されているため、液滴吐出法により補助配線52を形成する際、補助配線52を形成する材料が、隔壁54内に侵入するのを確実に防止することができる。したがって、より表示品質に優れた有機EL装置50を製造することが可能となる。
さらに、第2実施形態に比べ隔壁の深さMに比べ、本実施形態の隔壁の深さQを低くすることができるため、隔壁54により区画された領域に有機EL素子15を均一に成膜し易くなる。
In the organic EL device and the method for manufacturing the organic EL device according to the present embodiment, since the partition wall 54 having the groove 51 is formed in the recess 53a of the second planarization insulating film 53, the auxiliary wiring 52 is formed by a droplet discharge method. Can be reliably prevented from entering the partition wall 54 by the material forming the auxiliary wiring 52. Therefore, it is possible to manufacture the organic EL device 50 with better display quality.
Further, since the partition wall depth Q of this embodiment can be made lower than the partition wall depth M compared to the second embodiment, the organic EL element 15 is uniformly formed in the region partitioned by the partition wall 54. It becomes easy to do.

なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、補助配線4を形成する材料としては、銀(Ag)に限らず、導電性を有する材料を使用すれば良い。
また、保護層25は、ITO(インジウム・スズ酸化物)膜であるとしたが、透明材料で形成されていれば良いため、IZO(インジウム・亜鉛酸化物)膜、酸化亜鉛膜等であっても良い。さらに、保護層25は、共通電極21上の全面にわたって形成された構成としたが、保護層25は少なくとも隔壁17上に形成された共通電極21上のみに形成されていれば良い。この構成により、保護層25の形成を最小限に抑えることができ、コストを低減することが可能となる。
また、保護層25を形成することにより、有機EL素子15のダメージを保護することができるため、保護層25を構成する導電性材料が、補助配線4を液滴吐出法で形成する際に用いる溶媒に対する耐性を必ずしも有する必要はない。
また、補助配線4,41,52を形成する方法として、液滴吐出法を用いたが、これに限るものではない。
The technical scope of the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
For example, the material for forming the auxiliary wiring 4 is not limited to silver (Ag), and a conductive material may be used.
The protective layer 25 is an ITO (indium tin oxide) film, but may be an IZO (indium zinc oxide) film, a zinc oxide film, etc., as long as it is formed of a transparent material. Also good. Further, although the protective layer 25 is formed over the entire surface of the common electrode 21, the protective layer 25 may be formed only on the common electrode 21 formed on at least the partition wall 17. With this configuration, the formation of the protective layer 25 can be minimized, and the cost can be reduced.
Moreover, since the damage of the organic EL element 15 can be protected by forming the protective layer 25, the conductive material constituting the protective layer 25 is used when the auxiliary wiring 4 is formed by the droplet discharge method. It is not always necessary to have resistance to a solvent.
Further, although the droplet discharge method is used as a method of forming the auxiliary wirings 4, 41, and 52, it is not limited to this.

本発明の第一実施形態に係る有機EL表示装置の配線構造を示す図である。It is a figure which shows the wiring structure of the organic electroluminescence display which concerns on 1st embodiment of this invention. 本発明の第一実施形態に係る有機EL表示装置の構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the structure of the organic electroluminescence display which concerns on 1st embodiment of this invention. 本発明の第1実施形態に係る有機EL装置を示す平面図である。1 is a plan view showing an organic EL device according to a first embodiment of the present invention. 図3のX−X線矢視における断面図である。It is sectional drawing in the XX arrow of FIG. 本発明の第1実施形態に係る有機EL装置の製造方法の工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the process of the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus which concerns on 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1実施形態に係る有機EL装置の製造方法の工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the process of the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus which concerns on 1st Embodiment of this invention. 本発明の第2実施形態に係る有機EL装置を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the organic electroluminescent apparatus which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第3実施形態に係る有機EL装置を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the organic electroluminescent apparatus which concerns on 3rd Embodiment of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1,40,50…有機EL表示装置(有機EL装置)、4,41,52…補助配線、14…画素電極(第1電極)、15…有機EL素子(有機機能層)、17…隔壁、21…共通電極(第2電極)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,40,50 ... Organic EL display apparatus (organic EL apparatus) 4,41,52 ... Auxiliary wiring, 14 ... Pixel electrode (1st electrode), 15 ... Organic EL element (organic functional layer), 17 ... Partition 21 ... Common electrode (second electrode)

Claims (6)

基板上に、複数の画素に対応して形成された有機機能層を有する有機EL装置であって、
前記複数の画素に対応して形成された複数の第1電極と、
該複数の第1電極を区画して形成された隔壁と、
少なくとも前記隔壁により区画された画素領域内部及び前記隔壁上に形成された前記有機機能層と、
該有機機能層上及び前記隔壁上に形成された第2電極と、
少なくとも前記隔壁上の前記第2電極上に形成されるとともに、前記第2電極と電気的に接続され、導電性材料からなる保護層と、
該保護層上に形成された補助配線とを備えることを特徴とする有機EL装置。
An organic EL device having an organic functional layer formed corresponding to a plurality of pixels on a substrate,
A plurality of first electrodes formed corresponding to the plurality of pixels;
A partition formed by partitioning the plurality of first electrodes;
The organic functional layer formed at least inside the pixel region partitioned by the partition and on the partition;
A second electrode formed on the organic functional layer and the partition;
A protective layer formed on at least the second electrode on the partition and electrically connected to the second electrode and made of a conductive material;
An organic EL device comprising: an auxiliary wiring formed on the protective layer.
前記保護層が、前記隔壁上のみに形成されていることを特徴とする請求項1に記載の有機EL装置。   The organic EL device according to claim 1, wherein the protective layer is formed only on the partition wall. 前記隔壁上に溝部が形成され、
前記溝部内に、前記有機機能層,前記第2電極及び前記保護層が順に形成されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の有機EL装置。
A groove is formed on the partition;
The organic EL device according to claim 1, wherein the organic functional layer, the second electrode, and the protective layer are sequentially formed in the groove.
前記基板上に凹部を有する絶縁膜が形成され、
前記絶縁膜の凹部に前記溝部を有する前記隔壁が形成されていることを特徴とする請求項3に記載の有機EL装置。
An insulating film having a recess is formed on the substrate,
The organic EL device according to claim 3, wherein the partition wall having the groove is formed in a recess of the insulating film.
基板上に、複数の画素に対応して形成された有機機能層を有する有機EL装置の製造方法であって、
複数の第1電極を形成する工程と、
前記複数の第1電極を区画する隔壁を形成する工程と、
少なくとも前記隔壁により区画された画素領域内部及び前記隔壁上に前記有機機能層を形成する工程と、
前記有機機能層上及び前記隔壁上に第2電極を形成する工程と、
少なくとも前記隔壁上の前記第2電極上に、前記第2電極と電気的に接続される導電性材料からなる保護層を形成する工程と、
液滴吐出法により、前記保護層上に補助配線を形成する工程とを備えることを特徴とする有機EL装置の製造方法。
A method of manufacturing an organic EL device having an organic functional layer formed corresponding to a plurality of pixels on a substrate,
Forming a plurality of first electrodes;
Forming a partition partitioning the plurality of first electrodes;
Forming the organic functional layer at least inside the pixel region partitioned by the partition and on the partition;
Forming a second electrode on the organic functional layer and the partition;
Forming a protective layer made of a conductive material electrically connected to the second electrode on at least the second electrode on the partition;
And a step of forming an auxiliary wiring on the protective layer by a droplet discharge method.
前記保護層を構成する導電性材料が、前記補助配線を液滴吐出法で形成する際に用いる溶媒に対する耐性を有していること特徴とする請求項5に記載の有機EL装置の製造方法。   The method for manufacturing an organic EL device according to claim 5, wherein the conductive material constituting the protective layer has resistance to a solvent used when the auxiliary wiring is formed by a droplet discharge method.
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