JP2007225653A - Electrooptical device and its driving method, and electronic equipment - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、有機発光ダイオード(以下「OLED(Organic Light Emitting Diode)」
という)素子などの電気光学素子を制御する技術に関する。
The present invention relates to an organic light emitting diode (hereinafter referred to as “OLED (Organic Light Emitting Diode)”).
The present invention relates to a technique for controlling an electro-optical element such as an element.
電気光学素子の駆動にトランジスタ(以下「駆動トランジスタ」という)を利用した電
気光学装置においては、駆動トランジスタの閾値電圧の誤差(バラツキ)に起因して各電
気光学素子に階調のムラが発生するという問題がある。この問題を解決するために、例え
ば特許文献1には、駆動トランジスタの閾値電圧の誤差を補償する構成が開示されている
。
In an electro-optical device that uses a transistor (hereinafter referred to as “driving transistor”) for driving an electro-optical element, gradation unevenness occurs in each electro-optical element due to an error (variation) in threshold voltage of the driving transistor. There is a problem. In order to solve this problem, for example,
この構成においては、駆動トランジスタと同じ閾値電圧Vthの調整用トランジスタが、
ダイオード接続された状態で駆動トランジスタのゲートに接続される。そして、調整用ト
ランジスタに対する電流の供給によって駆動トランジスタのゲートを閾値電圧Vthに応じ
た補償電圧に収束させ、この収束後の電圧を所望の階調に応じて変動させることで電気光
学素子を駆動し始める。
It is connected to the gate of the driving transistor in a diode-connected state. Then, by supplying current to the adjustment transistor, the gate of the driving transistor is converged to a compensation voltage corresponding to the threshold voltage Vth, and the electro-optic element is driven by varying the converged voltage according to a desired gradation. start.
しかしながら、特許文献1の構成においては、駆動トランジスタのゲートの電圧を補償
電圧に収束させるまでに時間を要するため、電気光学素子の駆動に実際に利用できる時間
が制限されるという問題がある。以上の事情に鑑みて、本発明は、電気光学素子の駆動に
利用できる時間を充分に確保するという課題の解決を目的としている。
However, in the configuration of
以上の問題を解決するために、本発明に係る電気光学装置は、ゲートの電圧に応じた導
通状態となる駆動トランジスタと、駆動トランジスタの導通状態に応じて駆動される電気
光学素子と、第1電極(例えば図2の電極E1)とゲートに接続された第2電極(例えば
図2の電極E2)とを有する容量素子(例えば図2の容量素子C1)と、駆動トランジスタ
の閾値電圧に対応した閾値電圧を有するトランジスタであってダイオード接続された状態
で第1電極に接続された補償用トランジスタと、ゲートを、データ電圧が供給される状態
と電気的なフローティング状態とに切り換える第1スイッチング素子(例えば図2のトラ
ンジスタT1)とを具備する。
In order to solve the above problems, an electro-optical device according to the present invention includes a drive transistor that is in a conductive state according to a gate voltage, an electro-optical element that is driven according to the conductive state of the drive transistor, and a first A capacitive element (eg, capacitive element C1 in FIG. 2) having an electrode (eg, electrode E1 in FIG. 2) and a second electrode (eg, electrode E2 in FIG. 2) connected to the gate, and corresponding to the threshold voltage of the drive transistor A transistor having a threshold voltage, which is connected to the first electrode in a diode-connected state, and a first switching element that switches a gate between a state in which a data voltage is supplied and an electrically floating state ( For example, the transistor T1) of FIG.
以上の構成においては、例えば、補償用トランジスタに電流を供給する補償動作によっ
て第1電極の電圧が補償用トランジスタの閾値電圧に対応した所定値に収束する前の第1
期間にて、データ供給手段(例えば図1のデータ線駆動回路25)から出力されたデータ
電圧がゲートに供給されるように第1スイッチング素子が制御手段(例えば図1の走査線
駆動回路23)によって制御され、第1期間が経過してから第1電極の電圧が所定値に収
束するまでに、ゲートが電気的なフローティング状態となるように第1スイッチング素子
が制御手段によって制御される。電気光学素子は、第1期間において、ゲートに供給する
データ電圧に応じた状態に駆動され、制御手段によってフローティング状態とされたゲー
トの電圧が補償動作時の第1電極の電圧に応じて変化することで、データ電圧と補償用ト
ランジスタの閾値電圧とに応じた状態に駆動される。
In the above configuration, for example, the first before the voltage of the first electrode converges to a predetermined value corresponding to the threshold voltage of the compensation transistor by the compensation operation for supplying current to the compensation transistor.
In the period, the first switching element controls the control means (for example, the scanning
駆動トランジスタのゲートがデータ電圧の供給後に電気的なフローティング状態とされ
ることで、ゲートの電圧は補償動作の実行中における第1電極の電圧に応じて変化する。
第1電極の電圧が所定値に到達すると、駆動トランジスタのゲートの電圧は、データ電圧
と補償用トランジスタの閾値電圧とに応じた電圧値に設定される。補償用トランジスタの
閾値電圧は駆動トランジスタの閾値電圧に対応する(典型的には一致する)から、以上の
構成によれば、駆動トランジスタの閾値電圧の誤差(バラツキ)が電気光学素子の状態に
与える影響が低減される。
また、以上の構成においては、補償動作によって第1電極の電圧が所定値に収束する前
に、駆動トランジスタのゲートに対するデータ電圧の供給によって電気光学素子がデータ
電圧に応じて駆動される。そして、その後に電気的なフローティング状態とされたゲート
の電圧が補償動作時の第1電極の電圧に応じて変化することで電気光学素子がデータ電圧
と補償用トランジスタの閾値電圧とに応じた状態に駆動される。すなわち、データ電圧に
応じた電気光学素子の駆動と並行して補償動作が実行される。したがって、電気光学素子
の駆動と補償動作とが別個の期間に実行される構成と比較して、電気光学素子の駆動に長
い時間を利用できる。
The gate of the driving transistor is brought into an electrically floating state after the data voltage is supplied, so that the gate voltage changes according to the voltage of the first electrode during the execution of the compensation operation.
When the voltage of the first electrode reaches a predetermined value, the gate voltage of the driving transistor is set to a voltage value corresponding to the data voltage and the threshold voltage of the compensation transistor. Since the threshold voltage of the compensation transistor corresponds to (typically coincides with) the threshold voltage of the driving transistor, according to the above configuration, an error (variation) in the threshold voltage of the driving transistor gives the state of the electro-optic element. Impact is reduced.
In the above configuration, the electro-optic element is driven according to the data voltage by supplying the data voltage to the gate of the driving transistor before the voltage of the first electrode converges to a predetermined value by the compensation operation. Then, the state of the electro-optic element according to the data voltage and the threshold voltage of the compensating transistor is changed by the voltage of the gate which is subsequently in an electrically floating state changing according to the voltage of the first electrode during the compensation operation. Driven by. That is, the compensation operation is executed in parallel with the driving of the electro-optic element according to the data voltage. Therefore, it is possible to use a longer time for driving the electro-optical element as compared with a configuration in which the driving of the electro-optical element and the compensation operation are performed in separate periods.
なお、電気光学素子とは、電気的な作用および光学的な作用の一方を他方に変換する要
素であり、典型的には電気エネルギの供給(電流の供給や電圧の印加)によって輝度や透
過率といった光学的な性状が変化する素子である。例えば、電流の供給によって輝度が変
化する電流駆動型の発光素子(例えばOLED素子)など様々な素子が本発明の電気光学
素子として採用される。すなわち、本発明に係る電気光学装置のひとつの形態は、電気光
学素子として発光素子を利用した発光装置である。
また、電気的なフローティング状態とは、固定的に接続された要素(例えば第2電極)
以外には何れの導電体にも接続されない状態(換言すると外部から電圧が印加されない状
態)を意味する。駆動トランジスタのゲート(第2電極)と第1電極とは容量的に結合し
ているから、フローティング状態にあるゲートの電圧は第1電極の電圧に応じて変化する
。
An electro-optical element is an element that converts one of an electrical action and an optical action into the other. Typically, luminance and transmittance are supplied by supplying electric energy (supplying current or applying voltage). This is an element whose optical properties change. For example, various elements such as a current-driven light-emitting element (for example, an OLED element) whose luminance changes with current supply are employed as the electro-optical element of the present invention. That is, one form of the electro-optical device according to the present invention is a light-emitting device using a light-emitting element as an electro-optical element.
In addition, the electrically floating state is a fixedly connected element (for example, the second electrode).
In other words, it means a state in which no electrical conductor is connected (in other words, a state in which no voltage is applied from the outside). Since the gate (second electrode) of the driving transistor and the first electrode are capacitively coupled, the voltage of the gate in the floating state changes according to the voltage of the first electrode.
電気光学素子の状態が電流(駆動電流)に応じて制御される場合、例えば駆動電流の経
路上に駆動トランジスタを配置した構成が採用される。この構成においては、駆動トラン
ジスタのゲートの電圧に応じて駆動電流の電流値が制御される。ただし、駆動トランジス
タの配置の態様は任意である。例えば、駆動電流の経路から分岐した経路上に駆動トラン
ジスタが電気光学素子と並列に配置された構成としてもよい。この構成においては、電気
光学素子に流れる駆動電流と駆動トランジスタに流れる電流との比率が駆動トランジスタ
のゲートの電圧に応じて変化するから、駆動トランジスタの導通状態に応じて電気光学素
子を駆動することが可能である。また、以上においては電流駆動型の電気光学素子を想定
したが、駆動トランジスタの導通状態に応じた電圧の印加によって駆動される電圧駆動型
の電気光学素子(例えば液晶素子)にも本発明は適用される。
When the state of the electro-optical element is controlled according to the current (drive current), for example, a configuration in which a drive transistor is arranged on the path of the drive current is employed. In this configuration, the current value of the drive current is controlled according to the gate voltage of the drive transistor. However, the arrangement of the drive transistors is arbitrary. For example, the driving transistor may be arranged in parallel with the electro-optical element on a path branched from the driving current path. In this configuration, since the ratio of the drive current flowing through the electro-optical element and the current flowing through the drive transistor changes according to the gate voltage of the drive transistor, the electro-optical element is driven according to the conduction state of the drive transistor. Is possible. In the above description, a current-driven electro-optical element is assumed. However, the present invention is also applied to a voltage-driven electro-optical element (for example, a liquid crystal element) that is driven by applying a voltage according to the conduction state of the driving transistor. Is done.
さらに好適な態様において、第1の電極には補償動作の開始前にリセット電圧が供給さ
れる。換言すると、第1スイッチング素子は、ゲートを、データ電圧が供給される状態と
、電気的なフローティング状態と、リセット電圧が供給される状態との何れかに設定する
。この態様によれば、ノイズなどに起因して第1電極が不適当な電圧(例えばその後の補
償動作を阻害するような電圧)に設定された場合であっても、第1電極をリセット電圧に
設定して確実に補償動作を実行させることが可能となる。リセット電圧の電圧値は任意で
あるが、補償動作を確実に実行するという観点からすれば、補償動作の終了時に設定され
るべき第1電極の電圧(例えば図3の補償電圧「VEL−Vth」)よりも低電位であること
が望ましい。
より具体的には、例えば、データ線と第1電極との電気的な接続を制御する第2スイッ
チング素子が設置され、制御手段は、補償動作の開始前の初期化期間にて第2スイッチン
グ素子をオン状態とし、データ供給手段は、初期化期間にてデータ線にリセット電圧を供
給する。この態様によれば、データ電圧の供給とリセット電圧の供給とにデータ線が兼用
されるから、電気光学装置の構成が簡素化されるという利点がある。
また、リセット電圧が供給される給電線と第1電極との電気的な接続を制御する第2ス
イッチング素子を設け、制御手段が、補償動作の開始前の初期化期間にて第2スイッチン
グ素子をオン状態とする態様も採用される。この態様によれば、リセット電圧を供給する
給電線がデータ線とは別個に形成されるから、データ供給手段がデータ線への出力をデー
タ電圧とリセット電圧とで切り替える必要はない。したがって、データ供給手段の構成が
簡素化されるという利点がある。
In a further preferred aspect, the first electrode is supplied with a reset voltage before the start of the compensation operation. In other words, the first switching element sets the gate to any one of a state where a data voltage is supplied, an electrical floating state, and a state where a reset voltage is supplied. According to this aspect, even when the first electrode is set to an inappropriate voltage (for example, a voltage that hinders subsequent compensation operation) due to noise or the like, the first electrode is set to the reset voltage. It is possible to reliably perform the compensation operation by setting. Although the voltage value of the reset voltage is arbitrary, from the viewpoint of surely executing the compensation operation, the voltage of the first electrode to be set at the end of the compensation operation (for example, the compensation voltage “VEL−Vth” in FIG. 3). ) Is desirable.
More specifically, for example, a second switching element for controlling the electrical connection between the data line and the first electrode is installed, and the control unit is configured to perform the second switching element in the initialization period before the start of the compensation operation. The data supply means supplies a reset voltage to the data line in the initialization period. According to this aspect, since the data line is also used for supplying the data voltage and the reset voltage, there is an advantage that the configuration of the electro-optical device is simplified.
In addition, a second switching element that controls electrical connection between the power supply line to which the reset voltage is supplied and the first electrode is provided, and the control unit sets the second switching element in the initialization period before the start of the compensation operation. A mode in which the switch is turned on is also employed. According to this aspect, since the power supply line for supplying the reset voltage is formed separately from the data line, it is not necessary for the data supply means to switch the output to the data line between the data voltage and the reset voltage. Therefore, there is an advantage that the configuration of the data supply means is simplified.
駆動トランジスタと補償用トランジスタとは閾値電圧が略一致する。例えば、駆動トラ
ンジスタと補償用トランジスタとはサイズ(チャネル長やチャネル幅)および導電型が共
通する。また、駆動トランジスタと補償用トランジスタとは、半導体層に対するレーザア
ニールの走査の方向とチャネル長の方向との関係(直交/平行)が共通する。
The threshold voltages of the driving transistor and the compensating transistor are substantially the same. For example, the drive transistor and the compensation transistor have the same size (channel length and channel width) and conductivity type. Further, the drive transistor and the compensation transistor have a common relationship (orthogonal / parallel) between the scanning direction of laser annealing on the semiconductor layer and the channel length direction.
本発明に係る電気光学装置は各種の電子機器に利用される。この電子機器の典型例は、
電気光学装置を表示装置として利用した機器である。この種の電子機器としては、パーソ
ナルコンピュータや携帯電話機などがある。もっとも、本発明に係る電気光学装置の用途
は画像の表示に限定されない。例えば、光線の照射によって感光体ドラムなどの像担持体
に潜像を形成するための露光装置(露光ヘッド)、液晶装置の背面側に配置されてこれを
照明する装置(バックライト)、あるいは、スキャナなどの画像読取装置に搭載されて原
稿を照明する装置など各種の照明装置など、様々な用途に本発明の電気光学装置を適用す
ることができる。
The electro-optical device according to the invention is used in various electronic apparatuses. A typical example of this electronic device is
This is an apparatus using an electro-optical device as a display device. Examples of this type of electronic device include a personal computer and a mobile phone. However, the use of the electro-optical device according to the present invention is not limited to image display. For example, an exposure device (exposure head) for forming a latent image on an image carrier such as a photosensitive drum by irradiation of light, a device (backlight) that is arranged on the back side of the liquid crystal device and illuminates it, or The electro-optical device of the present invention can be applied to various applications such as various illumination devices such as a device that illuminates a document by being mounted on an image reading device such as a scanner.
本発明は、電気光学装置を駆動する方法としても特定される。本発明の駆動方法は、ゲ
ートの電圧に応じた導通状態となる駆動トランジスタと、駆動トランジスタの導通状態に
応じて駆動される電気光学素子と、第1電極とゲートに接続された第2電極とを有する容
量素子とを含む電気光学装置を駆動する方法であり、第1電極の電圧を駆動トランジスタ
の閾値電圧に対応した所定値に収束させる補償動作を実行する一方、第1電極の電圧が補
償動作によって所定値に到達する前に、ゲートに対するデータ電圧の供給によって電気光
学素子をデータ電圧に応じた状態に駆動する第1動作と、第1動作後にゲートを電気的な
フローティング状態とすることによってゲートの電圧を補償動作中の第1電極の電圧に応
じて変化させて電気光学素子をデータ電圧と閾値電圧とに応じた状態に駆動する第2動作
とを実行する。この駆動方法によれば、本発明の電気光学装置と同様の作用および効果が
奏される。
The present invention is also specified as a method of driving an electro-optical device. The driving method of the present invention includes a driving transistor that is turned on according to the gate voltage, an electro-optic element that is driven according to the conduction state of the driving transistor, a second electrode connected to the first electrode and the gate, And a compensation operation for converging the voltage of the first electrode to a predetermined value corresponding to the threshold voltage of the driving transistor, while the voltage of the first electrode is compensated. A first operation for driving the electro-optical element to a state corresponding to the data voltage by supplying a data voltage to the gate before reaching a predetermined value by the operation, and a gate in an electrically floating state after the first operation. A second operation of driving the electro-optic element to a state corresponding to the data voltage and the threshold voltage by changing the voltage of the gate according to the voltage of the first electrode during the compensation operation; Row. According to this driving method, the same operation and effect as the electro-optical device of the present invention are exhibited.
電気光学装置は、駆動トランジスタの閾値電圧に対応した閾値電圧を有するトランジス
タであってダイオード接続された状態で第1電極に接続された補償用トランジスタを含み
、補償動作は、補償用トランジスタに電流を流すことによって、第1電極の電圧を補償用
トランジスタの閾値電圧に対応した所定値に変化させる動作である。この態様においては
、補償用トランジスタに対する電流の供給によって第1電極の電圧が変化するから、第1
電極の電圧の収束に長時間を要する場合が多い。したがって、電気光学素子の駆動と補償
動作との並行的な実行によって電気光学素子の駆動の時間を確保できる本発明が特に好適
に採用される。
The electro-optical device includes a compensation transistor having a threshold voltage corresponding to the threshold voltage of the driving transistor and connected to the first electrode in a diode-connected state, and the compensation operation supplies a current to the compensation transistor. This is an operation of changing the voltage of the first electrode to a predetermined value corresponding to the threshold voltage of the compensating transistor by flowing the first electrode. In this aspect, since the voltage of the first electrode changes due to the supply of current to the compensation transistor, the first
In many cases, it takes a long time to converge the voltage of the electrode. Therefore, the present invention that can secure the driving time of the electro-optic element by executing the driving of the electro-optic element and the compensation operation in parallel is particularly preferably employed.
本発明に係る電気光学装置のひとつの態様として例示したように、本発明に係る駆動方
法の好適な態様においても、第1電極の電圧が、補償動作の開始前にリセット電圧に設定
される。この態様によれば、ノイズなどの起因した誤動作(補償動作の阻害)を未然に防
止できるという利点がある。
例えば、電気光学装置が、データ線とゲートとの電気的な接続を制御する第1スイッチ
ング素子と、データ線と第1電極との電気的な接続を制御する第2スイッチング素子とを
含む構成においては、補償動作の開始前に、データ線にリセット電圧を供給するとともに
第1スイッチング素子および第2スイッチング素子をオン状態とし、第1動作においては
、データ線にデータ電圧を供給するとともに第1スイッチング素子をオン状態とし、第2
動作においては、第1スイッチング素子をオフ状態とすることでゲートを電気的なフロー
ティング状態とする。この態様の具体例は図3に例示される。
また、電気光学装置が、電気光学装置は、データ線とゲートとの電気的な接続を制御す
る第1スイッチング素子と、給電線と第1電極との電気的な接続を制御する第2スイッチ
ング素子とを含む構成においては、補償動作の開始前に、給電線にリセット電圧を供給す
るとともに第2スイッチング素子をオン状態とし、第1動作においては、データ線にデー
タ電圧を供給するとともに第1スイッチング素子をオン状態とし、第2動作においては、
第1スイッチング素子をオフ状態とすることでゲートを電気的なフローティング状態とす
る。この態様の具体例は図7に例示される。
As exemplified as one aspect of the electro-optical device according to the present invention, also in a preferred aspect of the driving method according to the present invention, the voltage of the first electrode is set to the reset voltage before the start of the compensation operation. According to this aspect, there is an advantage that malfunction (inhibition of compensation operation) caused by noise or the like can be prevented in advance.
For example, in the configuration in which the electro-optical device includes a first switching element that controls electrical connection between the data line and the gate, and a second switching element that controls electrical connection between the data line and the first electrode. Supplies a reset voltage to the data line and turns on the first switching element and the second switching element before starting the compensation operation, and supplies the data voltage to the data line and the first switching in the first operation. The device is turned on and the second
In operation, the gate is brought into an electrically floating state by turning off the first switching element. A specific example of this embodiment is illustrated in FIG.
The electro-optical device includes a first switching element that controls electrical connection between the data line and the gate, and a second switching element that controls electrical connection between the power supply line and the first electrode. In the configuration including the above, before the compensation operation is started, the reset voltage is supplied to the power supply line and the second switching element is turned on. In the first operation, the data voltage is supplied to the data line and the first switching is performed. The device is turned on, and in the second operation,
The gate is brought into an electrically floating state by turning off the first switching element. A specific example of this aspect is illustrated in FIG.
<A−1:電気光学装置の構成>
図1は本発明のひとつの形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。同図
に例示された電気光学装置Dは、画像を表示する手段として各種の電子機器に利用される
装置であり、複数の単位回路(画素回路)Uが面状に配列された素子アレイ部10と、各
単位回路Uを駆動するための走査線駆動回路23およびデータ線駆動回路25とを含む。
なお、走査線駆動回路23およびデータ線駆動回路25は、素子アレイ部10とともに基
板上に形成された薄膜トランジスタによって構成されてもよいしICチップの形態で実装
されてもよい。
<A-1: Configuration of electro-optical device>
FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of an electro-optical device according to one embodiment of the present invention. The electro-optical device D illustrated in the figure is a device used in various electronic devices as a means for displaying an image, and an
The scanning
図1に示すように、素子アレイ部10には、X方向に延在するm本の走査線131と、
各走査線131に対をなしてX方向に延在するm本の初期化線132と、X方向に直交す
るY方向に延在するn本のデータ線15とが形成される(mおよびnの各々は2以上の自
然数)。各単位回路Uは、走査線131および初期化線132の対とデータ線15との交
差に対応した各位置に配置される。したがって、これらの単位回路Uは縦m行×横n列の
マトリクス状に配列する。各単位回路Uには、電源回路(図示略)から電源電位VELと接
地電位Gndとが供給される。
As shown in FIG. 1, the
走査線駆動回路23は、走査信号Gwrt[1]〜Gwrt[m]と初期化信号Gres[1]〜Gres[m]
とを生成する手段である。走査信号Gwrt[i]は第i行目の走査線131に出力され(iは
1≦i≦mを満たす整数)、初期化信号Gres[i]は第i行目の初期化線132に出力され
る。なお、走査信号Gwrt[1]〜走査信号Gwrt[m]を出力する回路と初期化信号Gres[1]〜
Gres[m]を出力する回路とは別個に設置されてもよい。データ線駆動回路25は、各単位
回路Uの階調データに基づいてデータ信号S[1]〜S[n]を生成する手段である。データ信
号S[j]は第j列目のデータ線15に出力される(jは1≦j≦nを満たす整数)。階調
データは、電気光学装置Dが搭載される電子機器のCPUなど各種の外部装置から単位回
路Uごとに供給される。なお、単位回路Uに供給される各信号の具体的な波形については
後述する。
The scanning
It is a means to produce | generate. The scanning signal Gwrt [i] is output to the i-th row scanning line 131 (i is an integer satisfying 1 ≦ i ≦ m), and the initialization signal Gres [i] is output to the i-th
It may be installed separately from the circuit that outputs Gres [m]. The data line driving
<A−2:単位回路Uの構成>
図2は、各単位回路Uの具体的な構成を示す回路図である。同図においては、第i行の
第j列目に位置するひとつの単位回路Uのみが図示されているが、これ以外の単位回路U
も同様の構成である。
<A-2: Configuration of the unit circuit U>
FIG. 2 is a circuit diagram showing a specific configuration of each unit circuit U. In the figure, only one unit circuit U located in the i-th row and j-th column is shown, but other unit circuits U are shown.
Is the same configuration.
図2に示すように、単位回路Uは、電源線(電源電位VEL)と接地線(接地電位Gnd)
との間に介在する電気光学素子11を含む。電気光学素子11は、駆動電流Idrに応じた
状態に駆動される要素である。本実施形態の電気光学素子11は、有機EL(ElectroLum
inescence)材料からなる発光層を陽極と陰極との間に介在させたOLED素子(発光素
子)であり、発光層に供給される駆動電流Idrの電流値に応じた輝度(階調)で発光する
。電気光学素子11の陰極は接地(Gnd)される。
As shown in FIG. 2, the unit circuit U includes a power line (power potential VEL) and a ground line (ground potential Gnd).
The electro-
an OLED element (light emitting element) in which a light emitting layer made of a material is interposed between an anode and a cathode, and emits light with luminance (gradation) corresponding to the current value of the drive current Idr supplied to the light emitting layer. . The cathode of the electro-
図2に示すように、電源線から電気光学素子11に至る経路上にはnチャネル型の駆動
トランジスタTdが配置される。駆動トランジスタTdのドレイン(D)は電源線に接続さ
れ、そのソース(S)は電気光学素子11の陽極に接続される。駆動トランジスタTdは
、ソースとドレインとの導通状態がゲート(G)の電圧(以下「ゲート電圧」という)V
gに応じて変化することで当該ゲート電圧Vgに応じた駆動電流Idrを生成する手段である
。したがって、電気光学素子11は駆動トランジスタTdの導通状態(ソース−ドレイン
間の抵抗)に応じた階調に駆動される。
As shown in FIG. 2, an n-channel driving transistor Td is disposed on a path from the power supply line to the electro-
It is means for generating a drive current Idr corresponding to the gate voltage Vg by changing according to g. Therefore, the electro-
図2に示すように、本実施形態の単位回路Uは、2個の容量素子(C1・C2)と、nチ
ャネル型の3個のトランジスタ(Tc・T1・T2)とを含む。単位回路Uを構成する各ト
ランジスタ(Td・Tc・T1・T2)としては例えば薄膜トランジスタが好適に採用される
。容量素子C1は、電極E1と電極E2との間隙に誘電体が介挿された素子である。容量素
子C1の電極E2は駆動トランジスタTdのゲートに接続される。容量素子C2は、駆動トラ
ンジスタTdのゲートと電源線(駆動トランジスタTdのドレイン)との間に介挿される。
As shown in FIG. 2, the unit circuit U of the present embodiment includes two capacitive elements (C1 · C2) and three n-channel transistors (Tc · T1 · T2). As each transistor (Td, Tc, T1, T2) constituting the unit circuit U, for example, a thin film transistor is preferably employed. The capacitive element C1 is an element in which a dielectric is inserted in the gap between the electrode E1 and the electrode E2. The electrode E2 of the capacitive element C1 is connected to the gate of the drive transistor Td. The capacitive element C2 is interposed between the gate of the driving transistor Td and the power supply line (drain of the driving transistor Td).
トランジスタTcは、駆動トランジスタTdの閾値電圧の誤差(バラツキ)を補償するた
めに利用されるトランジスタ(以下「補償用トランジスタ」という)である。補償用トラ
ンジスタTcはダイオード接続された状態で容量素子C1の電極E1と電源線との間に介在
する。すなわち、補償用トランジスタTcのソースは容量素子C1の電極E1に接続され、
ドレインおよびゲートの双方が電源線に接続(ダイオード接続)される。
The transistor Tc is a transistor (hereinafter referred to as “compensating transistor”) used to compensate for an error (variation) in the threshold voltage of the driving transistor Td. The compensation transistor Tc is interposed between the electrode E1 of the capacitive element C1 and the power supply line in a diode-connected state. That is, the source of the compensation transistor Tc is connected to the electrode E1 of the capacitive element C1,
Both the drain and the gate are connected to the power supply line (diode connection).
補償用トランジスタTcの特性と駆動トランジスタTdの特性とは相互に対応する。さら
に詳述すると、本実施形態における補償用トランジスタTcの閾値電圧Vthは駆動トラン
ジスタTdの閾値電圧Vthと略一致する。同じサイズ(チャネル長・チャネル幅)および
同じ導電型(nチャネル型)の補償用トランジスタTcと駆動トランジスタTdとを、相互
に近接する位置に共通の工程で一括的に形成することによって、各々の閾値電圧Vthを略
一致させることが可能である。
The characteristics of the compensation transistor Tc and the characteristics of the drive transistor Td correspond to each other. More specifically, the threshold voltage Vth of the compensation transistor Tc in this embodiment is substantially equal to the threshold voltage Vth of the drive transistor Td. By forming the compensation transistor Tc and the drive transistor Td of the same size (channel length / channel width) and the same conductivity type (n-channel type) in a common process at positions close to each other, It is possible to make the threshold voltages Vth substantially coincide.
なお、補償用トランジスタTcおよび駆動トランジスタTdの各々の半導体層は、例えば
アモルファスの半導体層をレーザアニールによって結晶化することで形成される。アニー
リングの工程におけるレーザ光の走査の方向とチャネル長の方向との関係(直交/平行)
はトランジスタの閾値電圧Vthに影響する。したがって、補償用トランジスタTcおよび
駆動トランジスタTdの各半導体層には、各々のチャネル長の方向とレーザ光の走査の方
向との関係(直交/平行)が一致するようにレーザアニールが実行される。
Each semiconductor layer of the compensation transistor Tc and the drive transistor Td is formed by crystallizing an amorphous semiconductor layer by laser annealing, for example. Relationship between laser beam scanning direction and channel length direction (orthogonal / parallel) in the annealing process
Affects the threshold voltage Vth of the transistor. Therefore, laser annealing is performed on the semiconductor layers of the compensation transistor Tc and the drive transistor Td so that the relationship (orthogonal / parallel) between the channel length direction and the laser beam scanning direction coincides.
トランジスタT1は、駆動トランジスタTdのゲート(電極E2)とデータ線15との間
に介在して両者の電気的な接続(導通/非導通)を制御するスイッチング素子である。第
i行目に属するn個の単位回路Uの各々におけるトランジスタT1のゲートは第i行目の
走査線131に対して共通に接続される。トランジスタT2は、容量素子C1の電極E1と
データ線15との間に介在して両者の電気的な接続を制御するスイッチング素子である。
第i行目に属するn個の単位回路Uの各々におけるトランジスタT2のゲートは第i行目
の初期化線132に対して共通に接続される。
The transistor T1 is a switching element that is interposed between the gate (electrode E2) of the driving transistor Td and the
The gates of the transistors T2 in each of the n unit circuits U belonging to the i-th row are commonly connected to the
次に、図3を参照して、電気光学装置Dにおいて利用される各信号の具体的な波形を説
明する。同図に示すように、走査信号Gwrt[1]〜Gwrt[m]は、各フレーム期間F内の所定
の期間Hごとに順番にハイレベルとなる信号である。すなわち、走査信号Gwrt[i]は、ひ
とつのフレーム期間Fのうち第i番目の期間Hにてハイレベルを維持するとともにそれ以
外の期間(以下「駆動期間」という)Pdrvにてローレベルを維持する。
Next, specific waveforms of signals used in the electro-optical device D will be described with reference to FIG. As shown in the figure, the scanning signals Gwrt [1] to Gwrt [m] are signals that sequentially become a high level every predetermined period H in each frame period F. That is, the scanning signal Gwrt [i] maintains a high level in the i-th period H of one frame period F and maintains a low level in the other period (hereinafter referred to as “driving period”) Pdrv. To do.
期間Hは、その始点から所定の時間長が経過するまでの期間(以下「初期化期間」とい
う)Presと、初期化期間Presの終点から期間Hの終点までの期間(以下「書込期間」と
いう)Pwrtとに区分される。図3に示すように、初期化信号Gres[i]は、走査信号Gwrt
[i]がハイレベルとなる期間Hのうち初期化期間Presにてハイレベルとなり、それ以外の
期間(書込期間Pwrt・駆動期間Pdrv)にてローレベルを維持する信号である。
The period H is a period from the start point until a predetermined time length elapses (hereinafter referred to as “initialization period”) Pres, and a period from the end point of the initialization period Pres to the end point of the period H (hereinafter referred to as “writing period”). And Pwrt). As shown in FIG. 3, the initialization signal Gres [i] is the scanning signal Gwrt.
This is a signal that becomes high level in the initialization period Pres during the period H in which [i] is high level, and maintains the low level in other periods (writing period Pwrt / driving period Pdrv).
また、データ信号S[j]は、走査信号Gwrt[i]がハイレベルとなる期間Hのうちの書込
期間Pwrtにおいて、第i行に属する第j列目の単位回路Uの階調データに応じた電圧(
以下「データ電圧」という)Vdataとなる。さらに、データ信号S[j]は、各期間Hの初
期化期間Presにおいて所定の電圧(以下「リセット電圧」という)Vresとなる。本実施
形態のリセット電圧Vresは、電源電位VELから補償用トランジスタTcの閾値電圧Vthを
減算した電圧(VEL−Vth)よりも低い電圧値であり、かつ、駆動トランジスタTdのゲ
ートに供給されたときに駆動トランジスタTdをオフ状態とする電圧値(データ電圧Vdat
aの最低値よりも低い電圧値)に設定される。
In addition, the data signal S [j] is converted into gradation data of the unit circuit U in the j-th column belonging to the i-th row in the writing period Pwrt in the period H in which the scanning signal Gwrt [i] is at a high level. According voltage (
(Hereinafter referred to as “data voltage”) Vdata. Further, the data signal S [j] becomes a predetermined voltage (hereinafter referred to as “reset voltage”) Vres in the initialization period Pres of each period H. The reset voltage Vres of the present embodiment has a voltage value lower than the voltage (VEL−Vth) obtained by subtracting the threshold voltage Vth of the compensation transistor Tc from the power supply potential VEL and is supplied to the gate of the drive transistor Td. Is a voltage value (data voltage Vdat) at which the drive transistor Td is turned off.
a voltage value lower than the minimum value of a).
<A−3:電気光学装置の動作>
図4ないし図6は、以上の各期間における単位回路Uの様子を模式的に示す回路図であ
る。以下では図4から図6を参照しながら、第i行に属する第j列目の単位回路Uの動作
を、初期化期間Pres(図4)と書込期間Pwrt(図5)と発光期間Pdrv(図6)とに区
分して説明する。
<A-3: Operation of the electro-optical device>
4 to 6 are circuit diagrams schematically showing the state of the unit circuit U in each of the above periods. Hereinafter, the operation of the unit circuit U in the j-th column belonging to the i-th row will be described with reference to FIGS. 4 to 6 as to the initialization period Pres (FIG. 4), the writing period Pwrt (FIG. 5), and the light emission period Pdrv. (FIG. 6) and it demonstrates.
(a) 初期化期間Pres(図4)
初期化期間Presにおいてはデータ信号S[j]がリセット電圧Vresに設定される。また
、走査信号Gwrt[i]および初期化信号Gres[i]の双方がハイレベルとなるから、図4に示
すように、トランジスタT1およびトランジスタT2の双方がオン状態となる。したがって
、駆動トランジスタTdのゲートにはリセット電圧Vresが供給される(Vg=Vres)。
(a) Initialization period Pres (Fig. 4)
In the initialization period Pres, the data signal S [j] is set to the reset voltage Vres. Since both the scanning signal Gwrt [i] and the initialization signal Gres [i] are at a high level, both the transistor T1 and the transistor T2 are turned on as shown in FIG. Therefore, the reset voltage Vres is supplied to the gate of the drive transistor Td (Vg = Vres).
また、容量素子C1の電極E1はトランジスタT2を介してデータ線15に導通する。こ
れによって電極E1にもリセット電圧Vresが供給される。リセット電圧Vresは、電源電
位VELから閾値電圧Vthを減算した電圧(VEL−Vth)よりも低いから、初期化期間Pre
sにおいては、電源線から補償用トランジスタTcとトランジスタT2とを経由してデータ
線15に至る経路に電流が流れる。したがって、より厳密に言えば、電極E1の電圧Vnは
、リセット電圧VresにトランジスタT2のドレイン−ソース間の電圧を加算した電圧値と
なる(Vn≒Vres)。
The electrode E1 of the capacitive element C1 is electrically connected to the
In s, a current flows in a path from the power supply line to the
(b) 書込期間Pwrt(図5)
図3および図5に示すように、書込期間Pwrtにおいては、初期化信号Gres[i]がロー
レベルに遷移してトランジスタT2はオフ状態に変化する。したがって、電極E1の電圧V
nは、図3に示すように、トランジスタT2がオフ状態に変化した時点(すなわち書込期間
Pwrtの始点)から徐々に増加していき、最終的には電源電位VELから補償用トランジス
タTcの閾値電圧Vthを減算したレベル(以下「補償電圧」という)に収束する。なお、
以下では、補償用トランジスタTcに対する電流の供給によって電極E1の電圧Vnをリセ
ット電圧Vresから徐々に増加させて補償電圧に収束させる動作を「補償動作」と表記し
、電圧Vnが補償動作によって増加し始めた時点(書込期間Pwrtの始点)から補償電圧に
到達するまでの期間を「補償期間Pcps」と表記する。
(b) Write period Pwrt (Fig. 5)
As shown in FIGS. 3 and 5, in the writing period Pwrt, the initialization signal Gres [i] changes to the low level, and the transistor T2 changes to the off state. Therefore, the voltage V of the electrode E1
As shown in FIG. 3, n gradually increases from the time when the transistor T2 changes to the OFF state (that is, the start point of the writing period Pwrt), and finally the threshold value of the compensation transistor Tc from the power supply potential VEL. It converges to a level obtained by subtracting the voltage Vth (hereinafter referred to as “compensation voltage”). In addition,
In the following, the operation of gradually increasing the voltage Vn of the electrode E1 from the reset voltage Vres by supplying current to the compensation transistor Tc to converge to the compensation voltage is referred to as “compensation operation”, and the voltage Vn increases by the compensation operation. A period from the start time point (start point of the writing period Pwrt) until the compensation voltage is reached is referred to as “compensation period Pcps”.
また、図5に示すように、トランジスタT1がオン状態に維持されたまま、データ線1
5の電圧(データ信号S[j])はデータ電圧Vdataに変化する。したがって、駆動トラン
ジスタTdのゲート電圧Vgは、図3に示すように、初期化期間Presで設定されたリセッ
ト電圧Vresからデータ電圧Vdataに変化する。これによって駆動トランジスタTdはデー
タ電圧Vdataに応じた導通状態となるから、データ電圧Vdataに応じた駆動電流Idrが電
源線から駆動トランジスタTdを経由して電気光学素子11に供給される。すなわち、電
気光学素子11は、書込期間Pwrtの始点の直後(すなわちゲート電圧Vgがデータ電圧V
dataに設定された時点)からデータ電圧Vdataに応じた階調に駆動され始める。
Further, as shown in FIG. 5, the
5 (data signal S [j]) changes to the data voltage Vdata. Therefore, as shown in FIG. 3, the gate voltage Vg of the drive transistor Td changes from the reset voltage Vres set in the initialization period Pres to the data voltage Vdata. As a result, the drive transistor Td becomes conductive according to the data voltage Vdata, so that the drive current Idr corresponding to the data voltage Vdata is supplied from the power supply line to the electro-
The driving is started at the gradation corresponding to the data voltage Vdata from the time when the data is set.
図3に示すように、書込期間Pwrtは補償期間Pcpsの途中の時点で終了する。すなわち
、走査信号Gwrt[i]は電圧Vnが補償電圧(VEL−Vth)に到達する前にローレベルに遷
移する。書込期間Pwrtの終点にて電極E1の電圧Vnは、図3および図5に示すように、
初期化期間Presにて設定されたリセット電圧Vresと書込期間Pwrtの始点から終点まで
の増加分ΔV1との加算値「Vres+ΔV1」となる。
As shown in FIG. 3, the writing period Pwrt ends at a point in the middle of the compensation period Pcps. That is, the scanning signal Gwrt [i] transitions to a low level before the voltage Vn reaches the compensation voltage (VEL−Vth). As shown in FIGS. 3 and 5, the voltage Vn of the electrode E1 at the end point of the writing period Pwrt is
This is an added value “Vres + ΔV1” of the reset voltage Vres set in the initialization period Pres and the increment ΔV1 from the start point to the end point of the write period Pwrt.
(c) 駆動期間Pdrv(図6)
以上のように書込期間Pwrtの終点において電圧Vnは変化の途中であったから、駆動期
間Pdrvの開始後にも電圧Vnは増加し続け、駆動期間Pdrvの途中の時点(補償期間Pcps
の終点)で補償電圧(VEL−Vth)に到達する。図3に示す電圧ΔV2は、駆動期間Pdrv
の始点から補償期間Pcpsの終点までの電圧Vnの変化量である。すなわち、以下の式(1)
で表現されるように、リセット電圧Vresと書込期間Pwrtでの電圧Vnの変化量ΔV1と駆
動期間Pdrvでの電圧Vnの変化量ΔV2との加算値が補償電圧(VEL−Vth)となる。
Vres+ΔV1+ΔV2=VEL−Vth ……(1)
(c) Driving period Pdrv (FIG. 6)
As described above, since the voltage Vn is in the middle of the change at the end point of the writing period Pwrt, the voltage Vn continues to increase after the start of the driving period Pdrv, and is in the middle of the driving period Pdrv (compensation period Pcps).
The compensation voltage (VEL−Vth) is reached at the end point of. The voltage ΔV2 shown in FIG.
The change amount of the voltage Vn from the start point of the compensation period to the end point of the compensation period Pcps. That is, the following formula (1)
As expressed by the equation, the sum of the reset voltage Vres, the change amount ΔV1 of the voltage Vn in the writing period Pwrt, and the change amount ΔV2 of the voltage Vn in the driving period Pdrv becomes the compensation voltage (VEL−Vth).
Vres + ΔV1 + ΔV2 = VEL−Vth (1)
駆動期間Pdrvの始点において走査信号Gwrt[i]はローレベルに遷移するから、図6に
示すようにトランジスタT1はオフ状態に変化する。駆動トランジスタTdのゲートのイン
ピーダンスは充分に高いから、駆動期間Pdrvにおいて電極E2(駆動トランジスタTdの
ゲート)は電気的なフローティング状態となる。
Since the scanning signal Gwrt [i] changes to the low level at the start point of the driving period Pdrv, the transistor T1 changes to the off state as shown in FIG. Since the impedance of the gate of the driving transistor Td is sufficiently high, the electrode E2 (gate of the driving transistor Td) is in an electrically floating state during the driving period Pdrv.
したがって、電極E1の電圧Vnが補償動作によって変動すると、電極E2の電圧(ゲー
ト電圧Vg)は、容量素子C1における容量カップリングによって、トランジスタT1がオ
フ状態に変化した時点(電極E2がフローティング状態に遷移した時点)から徐々に変動
(増加)する。そして、ゲート電圧Vgは、書込期間Pwrtにて設定された電圧Vdataから
変化量ΔV2に対応した変化量だけ変動した時点で安定する。このときのゲート電圧Vgの
電圧の変化量は、容量素子C1の容量値と容量素子C2の容量値との相対比に応じて定まる
。より具体的には、ゲート電圧Vgの変化量は、容量素子C1の容量値c1と容量素子C2の
容量値c2とを用いて「ΔV2・c1/(c1+c2)」と表現される。したがって、式(1)か
ら導出される電圧ΔV2を考慮すると、駆動期間Pdrvにおいて駆動トランジスタTdのゲ
ート電圧Vgは、以下の式(2)で表現される電圧値に安定する。なお、駆動トランジスタT
dのゲート容量やその他の配線に寄生する容量を考慮する場合、容量値c2は、容量素子C
2とこれらの容量とを合成した数値となる。
Vg=Vdata+k・ΔV2
=Vdata+k・(VEL−Vth−Vres−ΔV1) ……(2)
ただし、k=c1/(c1+c2)
Therefore, when the voltage Vn of the electrode E1 fluctuates due to the compensation operation, the voltage of the electrode E2 (gate voltage Vg) is changed to the time when the transistor T1 is turned off by capacitive coupling in the capacitive element C1 (the electrode E2 is in a floating state). It gradually fluctuates (increases) from the point of transition. The gate voltage Vg becomes stable when it changes from the voltage Vdata set in the writing period Pwrt by a change amount corresponding to the change amount ΔV2. The amount of change in the gate voltage Vg at this time is determined according to the relative ratio between the capacitance value of the capacitive element C1 and the capacitance value of the capacitive element C2. More specifically, the amount of change in the gate voltage Vg is expressed as “
When considering the gate capacitance of d and the capacitance parasitic to other wiring, the capacitance value c2 is the capacitance element C2.
It is a numerical value combining 2 and these capacities.
Vg = Vdata + k · ΔV2
= Vdata + k ・ (VEL−Vth−Vres−ΔV1) (2)
However, k = c1 / (c1 + c2)
以上に説明したように、駆動期間Pdrv(より厳密には補償期間Pcpsの経過後)におい
ては、式(2)で表現されるゲート電圧Vgが駆動トランジスタTdのゲートに印加される。
したがって、電気光学素子11は、書込期間Pwrtに引き続き、データ電圧Vdataに応じ
た駆動電流Idrの供給によってデータ電圧Vdataに応じた輝度で発光する。駆動トランジ
スタTdが飽和領域で動作すると仮定すれば、駆動電流Idrは以下の式(3)で表現される。
なお、以下の式における「β」は駆動トランジスタTdの利得係数である。また、「Vgs
」は駆動トランジスタTdのゲート−ソース間の電圧であり、駆動トランジスタTdのソー
スの電圧(電気光学素子11の特性に応じて定まる電圧)を「Vs」とすれば「Vgs=Vs
−Vg」と表現される。
Idr=(β/2)(Vgs−Vth)2
=(β/2)(Vs−Vg−Vth)2 ……(3)
式(2)から明らかなように式(3)のゲート電圧Vgは補償用トランジスタTcの閾値電圧V
th(駆動トランジスタTdの閾値電圧Vth)に応じて定まるから、本実施形態によれば、
電圧Vgが閾値電圧Vthとは無関係に設定される構成と比較して、閾値電圧Vthの誤差が
駆動電流Idrの電流値に与える影響を低減することができる。したがって、本実施形態に
よれば、各駆動トランジスタTdの閾値電圧Vthのバラツキを補償して各電気光学素子1
1の階調のムラを抑制することができる。特に、式(2)における容量値c2が無視できるほ
ど小さい場合(c2≒0)、式(2)の電圧Vgは「Vdata+VEL−Vth−Vres−ΔV1」と
なる。これを式(3)に代入すれば閾値電圧Vthは相殺されるから、閾値電圧Vthの誤差が
階調ムラに与える影響は有効に抑制される。
As described above, in the driving period Pdrv (more strictly, after the compensation period Pcps has elapsed), the gate voltage Vg expressed by the equation (2) is applied to the gate of the driving transistor Td.
Therefore, the electro-
Note that “β” in the following expression is a gain coefficient of the driving transistor Td. In addition, “Vgs
"Is a voltage between the gate and the source of the drive transistor Td. If the source voltage of the drive transistor Td (a voltage determined according to the characteristics of the electro-optical element 11) is" Vs ", then" Vgs = Vs ".
-Vg ".
Idr = (β / 2) (Vgs−Vth) 2
= (Β / 2) (Vs−Vg−Vth) 2 (3)
As is clear from the equation (2), the gate voltage Vg in the equation (3) is the threshold voltage Vg of the compensating transistor Tc.
Since it is determined according to th (threshold voltage Vth of the drive transistor Td), according to the present embodiment,
Compared with a configuration in which the voltage Vg is set regardless of the threshold voltage Vth, it is possible to reduce the influence of the error of the threshold voltage Vth on the current value of the drive current Idr. Therefore, according to the present embodiment, each electro-
Unevenness of gradation of 1 can be suppressed. In particular, when the capacitance value c2 in the equation (2) is negligibly small (c2≈0), the voltage Vg in the equation (2) is “Vdata + VEL−Vth−Vres−ΔV1”. By substituting this into equation (3), the threshold voltage Vth is canceled out, so that the influence of the error of the threshold voltage Vth on the gradation unevenness is effectively suppressed.
以上に説明したように、本実施形態においては、電気光学素子11が階調データに応じ
た輝度に駆動される期間(書込期間Pwrt・駆動期間Pdrv)と補償動作が実行される補償
期間Pcpsとが重複するから、電気光学素子11が駆動される期間とは別個の期間にて閾
値電圧Vthの誤差を補償する動作が実行される構成と比較して、駆動期間Pdrvを長い時
間に設定することができる。また、駆動期間Pdrvを長期化できるということは、所定の
光量を得るために電気光学素子11に供給すべき電気エネルギ(特に駆動電流Idrの電流
値)が低減されることを意味する。電気光学素子11の劣化はこれに供給される電気エネ
ルギに応じて進行するから、本実施形態よれば電気光学素子11の劣化を防止してその長
寿命化を実現できるという利点がある。
As described above, in the present embodiment, the period (writing period Pwrt / driving period Pdrv) in which the electro-
ところで、補償用トランジスタTcのソース(容量素子C1の電極E1)は、書込期間Pw
rtの開始前に、ノイズなど様々な原因によって補償電圧VEL−Vthよりも高位となる可能
性がある。この状態のまま書込期間Pwrtの始点にてトランジスタT2をオフ状態に変化さ
せたとしても、補償用トランジスタTcに電流は流れないから、電極E1の電位Vnを補償
電圧(VEL−Vth)に変化させることはできない。本実施形態においては、書込期間Pwr
tの開始前の初期化期間Presにおいて補償用トランジスタTcのソースの電圧がリセット
電圧Vresまで低下するから、補償用トランジスタTcに流れる電流を補償期間Pcpsにて
確実に発生させることができる。したがって、本実施形態によれば、ノイズなどに起因し
た誤動作を未然に防止できるという利点がある。しかも、本実施形態においては、リセッ
ト電圧Vresがデータ線15を介して各単位回路Uに供給されるから、リセット電圧Vres
の伝送のために専用される配線をデータ線15から独立して形成する必要はない。したが
って、電気光学装置Dの構成が簡素化されるという利点がある。
By the way, the source of the compensation transistor Tc (the electrode E1 of the capacitive element C1) is connected to the writing period Pw.
Before the start of rt, there is a possibility that it becomes higher than the compensation voltage VEL−Vth due to various causes such as noise. Even if the transistor T2 is changed to the OFF state at the start point of the writing period Pwrt in this state, no current flows through the compensation transistor Tc, so that the potential Vn of the electrode E1 is changed to the compensation voltage (VEL−Vth). I can't let you. In the present embodiment, the writing period Pwr
Since the voltage of the source of the compensation transistor Tc drops to the reset voltage Vres in the initialization period Pres before the start of t, the current flowing through the compensation transistor Tc can be reliably generated in the compensation period Pcps. Therefore, according to this embodiment, there is an advantage that malfunction caused by noise or the like can be prevented in advance. Moreover, in the present embodiment, the reset voltage Vres is supplied to each unit circuit U via the
It is not necessary to form wiring dedicated for the transmission of the
<B:変形例>
以上の各形態には様々な変形を加えることができる。具体的な変形の態様を例示すれば
以下の通りである。なお、以下の各態様を適宜に組み合わせてもよい。
<B: Modification>
Various modifications can be made to each of the above embodiments. An example of a specific modification is as follows. In addition, you may combine each following aspect suitably.
(1)変形例1
以上の形態においては、リセット電圧Vresがデータ線15を介して各単位回路Uに供
給される構成を例示したが、図7に示すように、リセット電圧Vresが印加される配線1
7をデータ線15とは別個に形成した構成も採用される。図7の構成において、トランジ
スタT2は、容量素子C1の電極E1と配線17との電気的な接続を制御するスイッチング
素子として機能する。配線17には、リセット電圧Vresが恒常的に印加される。各部の
動作は以上の形態にて説明した通りである。図7の構成によっても、書込期間Pwrtや駆
動期間Pdrvにおける動作と並行して補償動作が実行されるから、図2の構成と同様の効
果が奏される。また、本変形例においては、データ線15にリセット電圧Vresを供給す
る必要がないから、データ線15の電圧をリセット電圧Vresとデータ電圧Vdataとで切
り替える必要がある図2の構成と比較してデータ線駆動回路25の構成が簡素化される。
(1)
In the above embodiment, the configuration in which the reset voltage Vres is supplied to each unit circuit U through the
7 is formed separately from the
(2)変形例2
単位回路Uの具体的な構成は以上の例示に限定されない。例えば、図2の形態において
は、Y方向に配列するm個の単位回路Uの各々に対して1本のデータ線15を介して時分
割でデータ電圧Vdataが供給される構成を例示した。この構成においては、データ電圧V
dataの出力先となる単位回路Uを順次に変更するために、各単位回路Uとデータ線15と
の電気的な接続を制御するトランジスタT1が必要となる。しかしながら、例えば単位回
路Uごとにデータ線15が形成された構成(1本のデータ線15にはこれに対応する単位
回路Uのデータ電圧Vdataのみが供給される構成)においては、各単位回路Uとデータ線
15との電気的な接続を制御する必要はない。この構成において図2のトランジスタT1
は省略されてもよい。例えば、画像形成装置に利用されて感光体ドラムを露光する露光装
置(光ヘッド)においては、単位回路Uがひとつの方向のみに配列され、各単位回路Uが
独立のデータ線15を介してデータ線駆動回路25に接続された構成が採用される。この
構成においては、図2のトランジスタT1が省略され、駆動トランジスタTdのゲート(電
極E2)はデータ線15に対して直接に接続される。
(2)
The specific configuration of the unit circuit U is not limited to the above examples. For example, in the configuration of FIG. 2, the configuration in which the data voltage Vdata is supplied in a time division manner to each of the m unit circuits U arranged in the Y direction via one
In order to sequentially change the unit circuit U that is the output destination of data, the transistor T1 that controls the electrical connection between each unit circuit U and the
May be omitted. For example, in an exposure apparatus (optical head) that is used in an image forming apparatus and exposes a photosensitive drum, unit circuits U are arranged in only one direction, and each unit circuit U receives data via an
また、単位回路Uを構成する各トランジスタの導電型は適宜に変更される。例えば、図
8に示すように、駆動トランジスタTdをpチャネル型としてもよい。なお、補償用トラ
ンジスタTcの閾値電圧Vthを駆動トランジスタTdの閾値電圧Vthと一致させるために、
図8の構成においては補償用トランジスタTcもpチャネル型とされている。また、図8
に示すように容量素子C2を省略してもよい。
Further, the conductivity type of each transistor constituting the unit circuit U is appropriately changed. For example, as shown in FIG. 8, the drive transistor Td may be a p-channel type. In order to make the threshold voltage Vth of the compensation transistor Tc coincide with the threshold voltage Vth of the drive transistor Td,
In the configuration of FIG. 8, the compensation transistor Tc is also a p-channel type. In addition, FIG.
As shown in FIG. 5, the capacitive element C2 may be omitted.
(3)変形例3
以上の形態においては、補償動作の開始から所定の時間が経過した段階で電極E2がフ
ローティング状態とされる構成を例示したが、例えば、補償動作の開始前に電極E2がフ
ローティング状態とされる構成も採用される。この構成では、補償動作が開始された時点
においてゲート電圧Vgがデータ電圧Vdataから増加し始める。また、以上の形態におい
ては、補償動作の開始と同時に駆動トランジスタTdのゲートにデータ電圧Vdataが供給
される構成を例示したが、ゲートにデータ電圧Vdataが供給され始める時機は補償動作の
開始後であってもよい。以上のように、駆動トランジスタTdのゲートにデータ電圧Vdat
aを供給する動作と、この動作後に電極E2(駆動トランジスタTdのゲート)を電気的な
フローティング状態とする動作とは、電極E1の電圧が補償動作によって補償電圧(VEL
−Vth)に到達する前(補償期間Pcpsの終点が到来する前)に実行されれば足り、これ
らの動作が実行される時機と補償動作が開始される時機との関係は適宜に変更される。
(3)
In the above embodiment, the configuration in which the electrode E2 is in a floating state when a predetermined time has elapsed from the start of the compensation operation is illustrated. However, for example, the configuration in which the electrode E2 is in the floating state before the compensation operation is started. Is also adopted. In this configuration, the gate voltage Vg starts to increase from the data voltage Vdata when the compensation operation is started. In the above embodiment, the configuration in which the data voltage Vdata is supplied to the gate of the drive transistor Td at the same time as the start of the compensation operation is illustrated, but the timing when the data voltage Vdata starts to be supplied to the gate is after the start of the compensation operation. There may be. As described above, the data voltage Vdat is applied to the gate of the drive transistor Td.
The operation of supplying a and the operation of bringing the electrode E2 (the gate of the drive transistor Td) into an electrically floating state after this operation are the compensation voltage (VEL) by the compensation operation of the voltage of the electrode E1.
-Vth) (before the end of the compensation period Pcps arrives) is sufficient, and the relationship between the timing at which these operations are performed and the timing at which the compensation operation is started is appropriately changed. .
(4)変形例4
本発明における電気光学素子とは、電気的な作用および光学的な作用の一方を他方に変
換する要素である。電気エネルギの付与によって光度や透過率といった光学的な特性が制
御(駆動)される素子は本発明の電気光学素子として特に好適に採用される。この種の電
気光学素子については、自身が光を放射する自発光型の素子と透過率に応じて外光を変調
する非発光型の素子との区別や、電流の供給によって駆動される電流駆動型の素子と電圧
の印加によって駆動される電圧駆動型の素子との区別を問わず本発明に適用される。例え
ば、以上の各形態にて例示したOLED素子に代えて、無機EL素子やフィールド・エミ
ッション(FE)素子、表面導電型エミッション(SE:Surface-conduction Electron
-emitter)素子、弾道電子放出(BS:Ballistic electron Surface emitting)素子
、LED(Light Emitting Diode)素子、液晶素子、電気泳動素子、エレクトロクロミ
ック素子など様々な電気光学素子を本発明に利用することができる。
(4) Modification 4
The electro-optical element in the present invention is an element that converts one of an electrical action and an optical action into the other. An element in which optical characteristics such as light intensity and transmittance are controlled (driven) by applying electric energy is particularly preferably employed as the electro-optical element of the present invention. For this type of electro-optic element, the self-luminous element that emits light and the non-luminous element that modulates external light according to the transmittance, or current drive driven by supplying current The present invention is applied to the present invention regardless of the distinction between a type element and a voltage driven type element driven by application of a voltage. For example, instead of the OLED elements exemplified in the above embodiments, inorganic EL elements, field emission (FE) elements, and surface-conduction emission (SE) are used.
-emitter) elements, ballistic electron surface emitting (BS) elements, LED (Light Emitting Diode) elements, liquid crystal elements, electrophoretic elements, electrochromic elements, and the like can be used in the present invention. it can.
<C:応用例>
次に、本発明に係る電気光学装置を利用した電子機器について説明する。図9ないし図
11には、以上に説明した何れかの形態に係る電気光学装置Dを表示装置として採用した
電子機器の形態が図示されている。
<C: Application example>
Next, electronic equipment using the electro-optical device according to the invention will be described. FIGS. 9 to 11 show forms of electronic apparatuses that employ the electro-optical device D according to any one of the forms described above as a display device.
図9は、電気光学装置Dを採用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す
斜視図である。パーソナルコンピュータ2000は、各種の画像を表示する電気光学装置
Dと、電源スイッチ2001やキーボード2002が設置された本体部2010とを具備
する。電気光学装置DはOLED素子を電気光学素子11として使用しているので、視野
角が広く見易い画面を表示できる。
FIG. 9 is a perspective view showing the configuration of a mobile personal computer employing the electro-optical device D. The
図10は、電気光学装置Dを適用した携帯電話機の構成を示す斜視図である。携帯電話
機3000は、複数の操作ボタン3001およびスクロールボタン3002と、各種の画
像を表示する電気光学装置Dとを備える。スクロールボタン3002を操作することによ
って、電気光学装置Dに表示される画面がスクロールされる。
FIG. 10 is a perspective view illustrating a configuration of a mobile phone to which the electro-optical device D is applied. The
図11は、電気光学装置Dを適用した携帯情報端末(PDA:Personal Digital Ass
istants)の構成を示す斜視図である。情報携帯端末4000は、複数の操作ボタン40
01および電源スイッチ4002と、各種の画像を表示する電気光学装置Dとを備える。
電源スイッチ4002を操作すると、住所録やスケジュール帳といった様々な情報が電気
光学装置Dに表示される。
FIG. 11 shows a portable information terminal (PDA: Personal Digital Ass) to which the electro-optical device D is applied.
It is a perspective view which shows the structure of istants). The information
01, a
When the
なお、本発明に係る電気光学装置が適用される電子機器としては、図9から図11に示
した機器のほか、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装
置、ページャ、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション
、テレビ電話、POS端末、プリンタ、スキャナ、複写機、ビデオプレーヤ、タッチパネ
ルを備えた機器等などが挙げられる。また、本発明に係る電気光学装置の用途は画像の表
示に限定されない。例えば、光書込み型のプリンタや電子複写機といった画像形成装置に
おいては、用紙などの記録材に形成されるべき画像に応じて感光体を露光する光ヘッド(
書込ヘッド)が使用されるが、この種の光ヘッドとしても本発明の電気光学装置は利用さ
れる。
The electronic apparatus to which the electro-optical device according to the present invention is applied includes the digital still camera, the television, the video camera, the car navigation device, the pager, the electronic notebook, and the electronic paper in addition to the apparatuses shown in FIGS. Calculators, word processors, workstations, videophones, POS terminals, printers, scanners, copiers, video players, devices with touch panels, and the like. The use of the electro-optical device according to the invention is not limited to image display. For example, in an image forming apparatus such as an optical writing type printer or an electronic copying machine, an optical head that exposes a photosensitive member in accordance with an image to be formed on a recording material such as paper (
The electro-optical device of the present invention is also used as this type of optical head.
D……電気光学装置、U……単位回路、10……素子アレイ部、11……電気光学素子、
131……走査線、132……初期化線、15……データ線、17……配線、Td……駆
動トランジスタ、Tc……補償用トランジスタ、T1,T2……トランジスタ、C1,C2…
…容量素子、Pres……初期化期間、Pwrt……書込期間、Pcps……補償期間、Pdrv……
駆動期間、Gwrt[i](Gwrt[1]〜Gwrt[m])……走査信号、Gres[i](Gres[1]〜Gres[
m])……初期化信号、S[j](S[1]〜S[n])……データ信号。
D: Electro-optical device, U: Unit circuit, 10: Element array unit, 11: Electro-optical element,
131... Scanning line, 132... Initialization line, 15... Data line, 17... Wiring, Td... Driving transistor, Tc ... Compensation transistor, T1, T2.
... Capacitance element, Pres ... Initialization period, Pwrt ... Writing period, Pcps ... Compensation period, Pdrv ...
Drive period, Gwrt [i] (Gwrt [1] to Gwrt [m]) ... Scan signal, Gres [i] (Gres [1] to Gres [
m]) .. Initialization signal, S [j] (S [1] to S [n]) ... Data signal.
Claims (12)
通状態に応じて駆動される電気光学素子と、第1電極と前記ゲートに接続された第2電極
とを有する容量素子とを含む電気光学装置の駆動方法であって、
前記第1電極の電圧を前記駆動トランジスタの閾値電圧に対応した所定値に収束させる
補償動作を実行する一方、
前記第1電極の電圧が前記補償動作によって前記所定値に到達する前に、前記ゲートに
対するデータ電圧の供給によって前記電気光学素子をデータ電圧に応じた状態に駆動する
第1動作と、前記第1動作後に前記ゲートを電気的なフローティング状態とすることによ
って前記ゲートの電圧を前記補償動作中の前記第1電極の電圧に応じて変化させて前記電
気光学素子をデータ電圧と前記閾値電圧とに応じた状態に駆動する第2動作とを実行する
ことを特徴とする電気光学装置の駆動方法。 A drive transistor that is turned on according to the voltage of the gate; an electro-optic element that is driven according to the turn-on state of the drive transistor; and a capacitive element having a first electrode and a second electrode connected to the gate; An electro-optical device driving method including:
While performing a compensation operation to converge the voltage of the first electrode to a predetermined value corresponding to the threshold voltage of the driving transistor,
A first operation of driving the electro-optic element to a state corresponding to the data voltage by supplying a data voltage to the gate before the voltage of the first electrode reaches the predetermined value by the compensation operation; By setting the gate in an electrically floating state after operation, the voltage of the gate is changed according to the voltage of the first electrode during the compensation operation, and the electro-optic element is changed according to the data voltage and the threshold voltage. And a second operation for driving the electro-optical device to a state where the electro-optical device is driven.
ランジスタであってダイオード接続された状態で前記第1電極に接続された補償用トラン
ジスタを含み、
前記補償動作は、前記補償用トランジスタに電流を流すことによって、前記第1電極の
電圧を前記補償用トランジスタの閾値電圧に対応した所定値に変化させる動作である
請求項1に記載の電気光学装置の駆動方法。 The electro-optical device includes a compensation transistor connected to the first electrode in a diode-connected state, the transistor having a threshold voltage corresponding to the threshold voltage of the driving transistor,
The electro-optical device according to claim 1, wherein the compensation operation is an operation of changing a voltage of the first electrode to a predetermined value corresponding to a threshold voltage of the compensation transistor by passing a current through the compensation transistor. Driving method.
請求項1または請求項2に記載の電気光学装置の駆動方法。 The driving method of the electro-optical device according to claim 1, wherein the voltage of the first electrode is set to a predetermined reset voltage before the start of the compensation operation.
ング素子と、前記データ線と前記第1電極との電気的な接続を制御する第2スイッチング
素子とを含み、
前記補償動作の開始前に、前記データ線にリセット電圧を供給するとともに前記第1ス
イッチング素子および前記第2スイッチング素子をオン状態とし、
前記第1動作においては、前記データ線にデータ電圧を供給するとともに前記第1スイ
ッチング素子をオン状態とし、
前記第2動作においては、前記第1スイッチング素子をオフ状態とすることで前記ゲー
トを電気的なフローティング状態とする
請求項3に記載の電気光学装置の駆動方法。 The electro-optical device includes a first switching element that controls electrical connection between a data line and the gate, and a second switching element that controls electrical connection between the data line and the first electrode. ,
Before starting the compensation operation, a reset voltage is supplied to the data line and the first switching element and the second switching element are turned on,
In the first operation, a data voltage is supplied to the data line and the first switching element is turned on.
4. The driving method of the electro-optical device according to claim 3, wherein in the second operation, the gate is set in an electrically floating state by turning off the first switching element. 5.
ング素子と、給電線と前記第1電極との電気的な接続を制御する第2スイッチング素子と
を含み、
前記補償動作の開始前に、前記給電線にリセット電圧を供給するとともに前記第2スイ
ッチング素子をオン状態とし、
前記第1動作においては、前記データ線にデータ電圧を供給するとともに前記第1スイ
ッチング素子をオン状態とし、
前記第2動作においては、前記第1スイッチング素子をオフ状態とすることで前記ゲー
トを電気的なフローティング状態とする
請求項3に記載の電気光学装置の駆動方法。 The electro-optical device includes a first switching element that controls electrical connection between a data line and the gate, and a second switching element that controls electrical connection between a power supply line and the first electrode,
Before starting the compensation operation, a reset voltage is supplied to the feeder line and the second switching element is turned on.
In the first operation, a data voltage is supplied to the data line and the first switching element is turned on.
4. The driving method of the electro-optical device according to claim 3, wherein in the second operation, the gate is set in an electrically floating state by turning off the first switching element. 5.
開始する
請求項1から請求項5の何れかに記載の電気光学装置の駆動方法。 The driving method of the electro-optical device according to claim 1, wherein the compensation operation is started at a timing at which a data voltage starts to be supplied to the gate in the first operation.
前記駆動トランジスタの導通状態に応じて駆動される電気光学素子と、
第1電極と前記ゲートに接続された第2電極とを有する容量素子と、
前記駆動トランジスタの閾値電圧に対応した閾値電圧を有するトランジスタであってダ
イオード接続された状態で前記第1電極に接続された補償用トランジスタと、
前記ゲートを、データ電圧が供給される状態と電気的なフローティング状態とに切り換
える第1スイッチング素子と
を具備する電気光学装置。 A driving transistor that becomes conductive according to the voltage of the gate;
An electro-optic element driven in accordance with the conduction state of the driving transistor;
A capacitive element having a first electrode and a second electrode connected to the gate;
A transistor having a threshold voltage corresponding to the threshold voltage of the driving transistor and connected to the first electrode in a diode-connected state;
An electro-optical device comprising: a first switching element that switches the gate between a state in which a data voltage is supplied and an electrically floating state.
なフローティング状態と、リセット電圧が供給される状態との何れかに設定する
請求項7に記載の電気光学装置。 The electro-optical device according to claim 7, wherein the first switching element sets the gate to any one of a state in which a data voltage is supplied, an electrical floating state, and a state in which a reset voltage is supplied. .
前記第1スイッチング素子を制御する制御手段とを具備し、
前記制御手段は、前記補償用トランジスタに電流を供給する補償動作によって前記第1
電極の電圧が前記補償用トランジスタの閾値電圧に対応した所定値に収束する前の第1期
間にて、前記データ線のデータ電圧が前記ゲートに供給されるように前記第1スイッチン
グ素子を制御し、前記第1期間が経過してから前記第1電極の電圧が前記所定値に収束す
るまでに、前記ゲートが電気的なフローティング状態となるように前記第1スイッチング
素子を制御し、
前記電気光学素子は、前記データ供給手段が前記ゲートに供給するデータ電圧に応じた
状態に駆動され、前記制御手段によってフローティング状態とされた前記ゲートの電圧が
前記補償動作時の前記第1電極の電圧に応じて変化することで、データ電圧と前記補償用
トランジスタの閾値電圧とに応じた状態に駆動される
請求項7または請求項8に記載の電気光学装置。 Data supply means for supplying a data voltage to the data line;
Control means for controlling the first switching element,
The control means performs the first operation by a compensation operation for supplying a current to the compensation transistor.
The first switching element is controlled so that the data voltage of the data line is supplied to the gate in a first period before the voltage of the electrode converges to a predetermined value corresponding to the threshold voltage of the compensation transistor. Controlling the first switching element so that the gate is in an electrically floating state after the first period has elapsed and before the voltage of the first electrode converges to the predetermined value.
The electro-optic element is driven in a state corresponding to the data voltage supplied to the gate by the data supply means, and the voltage of the gate which is floated by the control means is the voltage of the first electrode during the compensation operation. The electro-optical device according to claim 7, wherein the electro-optical device is driven to a state corresponding to a data voltage and a threshold voltage of the compensation transistor by changing according to the voltage.
し、
前記制御手段は、補償動作の開始前の初期化期間にて前記第2スイッチング素子をオン
状態とし、
前記データ供給手段は、前記初期化期間にて前記データ線にリセット電圧を供給する
請求項9に記載の電気光学装置。 A second switching element for controlling electrical connection between the data line and the first electrode;
The control means turns on the second switching element in an initialization period before the start of the compensation operation,
The electro-optical device according to claim 9, wherein the data supply unit supplies a reset voltage to the data line in the initialization period.
ッチング素子を具備し、
前記制御手段は、補償動作の開始前の初期化期間にて前記第2スイッチング素子をオン
状態とする
請求項9に記載の電気光学装置。 A second switching element for controlling electrical connection between the power supply line to which a reset voltage is supplied and the first electrode;
The electro-optical device according to claim 9, wherein the control unit turns on the second switching element in an initialization period before the start of a compensation operation.
An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 7.
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
JP2006043483A JP2007225653A (en) | 2006-02-21 | 2006-02-21 | Electrooptical device and its driving method, and electronic equipment |
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