JP2007207973A - Surface treatment method and surface treatment device - Google Patents
Surface treatment method and surface treatment device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007207973A JP2007207973A JP2006024392A JP2006024392A JP2007207973A JP 2007207973 A JP2007207973 A JP 2007207973A JP 2006024392 A JP2006024392 A JP 2006024392A JP 2006024392 A JP2006024392 A JP 2006024392A JP 2007207973 A JP2007207973 A JP 2007207973A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- treatment
- workpiece
- processing
- surface treatment
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Description
本発明は、表面処理方法及び表面処理装置に関し、更に詳しくは、空気中のパーティクル又は膜からの昇華物の堆積を防止する表面処理方法及び表面処理装置に関する。 The present invention relates to a surface treatment method and a surface treatment apparatus, and more particularly to a surface treatment method and a surface treatment apparatus for preventing deposition of sublimates from particles or films in the air.
従来、例えば基板に形成した塗膜を処理する場合には、形成された塗膜を上にして行う。したがって、処理を行う環境のクリーン度が低い場合、また、膜からの昇華物がある場合は膜表面にパーティクルが堆積することがある。このパーティクルが堆積すると、不良品の発生率が増加し、歩留まりの原因に直結する。このため、半導体の製造方法においては、浮遊パーティクル、昇華物を除去する必要がある。 Conventionally, for example, when a coating film formed on a substrate is processed, the coating film formed is performed upward. Therefore, when the degree of cleanliness of the environment in which the treatment is performed is low, or when there is a sublimate from the film, particles may accumulate on the film surface. When these particles accumulate, the incidence of defective products increases, which directly leads to yield. For this reason, in the semiconductor manufacturing method, it is necessary to remove floating particles and sublimated substances.
半導体プロセスなどでは、パーティクルを除去するために、クリーンルームやクリーンブースなどで製造が行われていた(特許文献1参照)。また、昇華物がある場合には、クリーンルームやクリーンブースで製造を行うのみでは、昇華物の堆積を防止することができず、真空系の炉を用いる、あるいは、炉内への供給ガスの流量を増やし、排気を多くするなど、さらなる設備が必要であった。
しかしながら、このような焼成又は半焼成を行うためには、クリーンルーム、クリーンブース、または新たな設備を必要とするため、高い設備投資が必要である。また、パーティクル等を完全に除去することは困難である。 However, in order to perform such baking or semi-baking, since a clean room, a clean booth, or new equipment is required, high capital investment is required. Moreover, it is difficult to completely remove particles and the like.
本発明は以上のような課題に鑑みてなされたものであり、処理面のパーティクルの堆積を低減し、歩留まり及び生産性の向上を図りつつ、設備の初期投資を抑えることができる表面処理方法及び表面処理装置を提供する。 The present invention has been made in view of the above problems, and a surface treatment method capable of suppressing initial investment of equipment while reducing the accumulation of particles on the treatment surface and improving yield and productivity, and A surface treatment apparatus is provided.
本発明者らは、被処理物の処理面を下方に向けた状態にて処理することにより、大気中に存在するパーティクル、または、被処理物からの昇華物が処理面に堆積せず、高い品質の製品を提供できることを見出し、本発明を完成するに至った。より具体的には、本発明は以下のようなものを提供する。 The inventors of the present invention treat the processing surface of the object to be processed downward, so that particles existing in the atmosphere or sublimates from the object do not accumulate on the processing surface, and are high. The present inventors have found that a quality product can be provided and have completed the present invention. More specifically, the present invention provides the following.
本発明の第一の発明は、被処理物の処理面の表面処理を行う方法であって、前記被処理物の処理面を略鉛直下方に向けた状態にて処理する工程を含む表面処理方法である。 A first invention of the present invention is a method for performing a surface treatment of a treatment surface of an object to be treated, the method comprising a step of treating the treatment surface of the object to be treated in a state of being directed substantially vertically downward. It is.
また、本発明の第二の発明は、被処理物の処理面を処理する表面処理装置であって、前記被処理物の処理面を略鉛直下方に向けるともに、前記被処理物の処理面を鉛直下方に向けた状態にて維持する反転維持手段と、前記被処理物の処理面を処理する表面処理手段と、を備える表面処理装置である。 The second invention of the present invention is a surface treatment apparatus for treating a treatment surface of an object to be treated, the treatment surface of the object to be treated being directed substantially vertically downward, and the treatment surface of the object to be treated being It is a surface treatment apparatus provided with an inversion maintenance means for maintaining in a state directed vertically downward, and a surface treatment means for treating a treatment surface of the workpiece.
本発明の表面処理方法は、被処理物の処理面を略鉛直下方に向けて処理することにより、被処理面に堆積するパーティクルを抑制することができ、歩留まりを下げることなく製造することができる。また、クリーン度の低い環境においても、クリーン度の高い環境で行った場合と同等の歩留まりで製造を行うことができる。 The surface treatment method of the present invention can suppress the particles accumulated on the surface to be processed by processing the processing surface of the object to be processed substantially vertically downward, and can be manufactured without reducing the yield. . Further, even in an environment with a low cleanness, manufacturing can be performed with a yield equivalent to that performed in an environment with a high cleanness.
本発明に係る表面処理装置は、反転手段、維持手段、膜形成手段、及び表面処理手段を備えている。以下、本発明の実施形態の一例について、図面に基づいて説明する。 The surface treatment apparatus according to the present invention includes a reversing unit, a maintaining unit, a film forming unit, and a surface treatment unit. Hereinafter, an example of an embodiment of the present invention will be described based on the drawings.
[表面処理装置]
図1、2は、本発明の表面処理装置の実施形態の一例を示す図である。図1は表面処理装置全体を示す側面図、図2は反転装置の平面図である。
[Surface treatment equipment]
1 and 2 are views showing an example of an embodiment of a surface treatment apparatus of the present invention. FIG. 1 is a side view showing the entire surface treatment apparatus, and FIG. 2 is a plan view of the reversing apparatus.
図1に示すように、この表面処理装置1は、反転手段である反転装置2、膜形成手段である膜形成装置3、表面処理手段である処理チャンバー4を備えている。また、処理チャンバー4は、被処理物を反転させたまま維持する維持手段である支持バー9を備えている。反転装置2により、膜形成装置3にて膜が形成された被処理物を、反転させ、処理チャンバー4に搬送可能となっている。
As shown in FIG. 1, the surface treatment apparatus 1 includes a
<表面処理手段>
表面処理手段とは、被処理物の処理面の表面処理を行うものである。この表面処理手段として、図1に示す処理チャンバー4について説明する。処理チャンバー4は、被処理物の処理面を処理する際に、被処理物の処理面を鉛直下方に向けた状態にて維持する支持バー9(維持手段)を備えている。処理チャンバー4としては、前記表面処理を行うことができればよく、アッシング手段、エッチング手段、UV、EB等の光(電磁波)を照射する光処理手段、加熱手段、現像手段等を挙げることでき、より具体的には加熱装置、露光装置、現像装置などを挙げることができる。加熱装置、露光装置、現像装置は、それぞれ、公知の装置を用いることができる。この中でも、特に、表面処理手段が熱処理手段であることが好ましく、処理チャンバー4は加熱装置であることが好ましい。処理チャンバー4を加熱装置とすることで、通常の加熱装置に対する設備の追加を減らすことができ、好適に処理を行うことができる。
<Surface treatment means>
The surface treatment means performs a surface treatment on the treatment surface of the workpiece. As this surface treatment means, the treatment chamber 4 shown in FIG. 1 will be described. The processing chamber 4 includes a support bar 9 (maintenance means) that maintains the processing surface of the object to be processed vertically downward when processing the processing surface of the object to be processed. As the processing chamber 4, it is sufficient that the surface treatment can be performed, and examples include ashing means, etching means, light processing means for irradiating light (electromagnetic waves) such as UV and EB, heating means, developing means, and the like. Specific examples include a heating device, an exposure device, and a developing device. Known devices can be used as the heating device, the exposure device, and the developing device, respectively. Among these, the surface treatment means is preferably a heat treatment means, and the treatment chamber 4 is preferably a heating device. By using the processing chamber 4 as a heating device, the addition of equipment to a normal heating device can be reduced, and processing can be suitably performed.
<反転手段>
反転手段は、被処理物の処理面を反転させるものである。この反転手段として、図2に示す反転装置について説明する。図2に示すように、反転装置2(反転手段)は、支柱5と、支柱5の中心に回転するアーム6を備えている。更に、アーム6は二手に分かれ、先端には、ガラス基板や半導体ウエハなどの被処理物Wを保持する保持手段として、真空チャック8を配置している。
<Inversion means>
The reversing means is for reversing the processing surface of the workpiece. As this inversion means, the inversion device shown in FIG. 2 will be described. As shown in FIG. 2, the reversing device 2 (reversing means) includes a
また、アーム6は、水平方向に進退自在となっており、保持された被処理物Wを水平方向に移動させることが可能である。また、支柱5は、アクチュエーターによる伸縮機構が設けられており、保持された被処理物Wを垂直方向に移動させることが可能である。したがって、アーム6の伸縮、アーム6の回転、支柱5の伸縮により、被処理物Wを、膜形成装置3から処理チャンバー4に搬送することができる。
Further, the
真空チャック8は、図示しない吸引装置に接続されている。被処理物Wにおける被処理面の反対の面から、吸引し、真空チャック8で保持する。尚、保持手段としてはこれに限定されず、メカチャックや静電チャックなど被処理物Wを固定できる保持手段であればどのようなものでも用いることができる。
The
また、アーム6は、回転軸7により回転させることができる。回転軸7により回転させることで、真空チャック8により保持されている被処理物Wの処理面の向きを変更させることができ、処理面を略鉛直下方に向けることができる。
Further, the
上記では、反転手段は、アーム6から二手に分かれており、2つの保持手段を備える例を挙げたが、これに限定されることなく、単数、3つ以上の複数に分かれており、対応する数の保持手段を備えていてもよい。
In the above, the reversing means is divided into two hands from the
<維持手段>
維持手段は、反転された被処理物を反転された状態にて維持するものである。具体的には、図1に示す支持バー9である。この支持バー9は、処理チャンバー4内に設けられている。そして、支持バー9は、反転装置2において略鉛直下方に向けられた被処理物Wを、略鉛直下方に向けられた状態に維持する。図1では、支持バー9は、処理チャンバー4内の両側面に備えられている。この構成により、被処理物Wの下側両側縁部で維持されることになり、処理面に接することなく維持することができる。また、このような維持手段は、処理面に接することなく、被処理物の処理面を略鉛直下方に向けた状態にて維持することができれば特に限定されない。
<Maintenance means>
The maintaining means maintains the inverted workpiece in an inverted state. Specifically, the support bar 9 shown in FIG. The support bar 9 is provided in the processing chamber 4. And the support bar 9 maintains the to-be-processed object W orient | assigned to the substantially perpendicular downward direction in the
<反転維持手段>
上記では、表面処理装置において、反転手段と、維持手段とを別途有する構成について説明したが、反転手段と維持手段とを組み合わせた構成(反転維持手段)を有していてもよい。つまり、反転維持手段は、被処理物を反転するとともに、反転された状態にて維持するものである。具体的には、反転維持手段としては反転装置2を挙げることができる。この構成では、反転装置2において、被処理物の処理面を略鉛直下方に反転させるとともに、反転させた状態にて維持する。そして、反転装置2において被処理物を反転させた状態で維持したまま、表面処理手段にて表面処理を行う構成である。
<Reversal maintenance means>
In the above description, the surface treatment apparatus has a configuration in which the reversing unit and the maintaining unit are separately provided. That is, the inversion maintaining means inverts the workpiece and maintains it in the inverted state. Specifically, the
<膜形成手段>
本発明の表面処理装置は、基板に形成された膜を処理するために用いることが好ましく、膜形成装置3を備えることが好ましい。膜形成装置3は、略鉛直上方に向いている基板の面上に膜を形成する膜形成手段であることが好ましく、公知の膜形成装置を用いることができる。膜形成手段としては、塗膜形成装置が挙げられる。この塗膜形成装置は、従来公知の装置を用いたものが挙げられ、例えば、スプレー塗布装置、ロールコート塗布装置、回転塗布装置等が挙げられる。また、上記膜形成手段としては、加熱装置を備え、塗膜を乾燥させるものであることが好ましい。
<Film forming means>
The surface treatment apparatus of the present invention is preferably used for processing a film formed on a substrate, and preferably includes a
なお、図1においては膜形成装置3を図示したが、処理チャンバー4にて行われる処理の前処理を行うことができる装置(前処理装置)であればよく、例えば、加熱装置または露光装置であってもよい。
Although the
また、本発明の表面処理装置は、上記の膜形成装置を有していなくてもよい。つまり、本発明の表面処理装置は、被処理物の処理面を鉛直下方に向ける反転手段と、被処理物の処理面を処理する表面処理手段を有するものであってよい。 Moreover, the surface treatment apparatus of this invention does not need to have said film formation apparatus. That is, the surface treatment apparatus of the present invention may include a reversing unit that directs the processing surface of the workpiece to be vertically downward and a surface processing unit that processes the processing surface of the workpiece.
[表面処理方法]
次に、上記の表面処理装置を用いた、本発明の表面処理方法について図1、2に更に図3を参照しながら説明する。本発明の表面処理方法は、被処理物の処理面を略鉛直下方に向けて処理する工程を含む処理方法である。
[Surface treatment method]
Next, the surface treatment method of the present invention using the above surface treatment apparatus will be described with reference to FIGS. The surface treatment method of the present invention is a treatment method including a step of treating a treatment surface of an object to be processed substantially vertically downward.
<第1実施形態>
図3は、本発明の表面処理方法の第1実施形態を示す図である。本発明の表面処理方法の第1実施形態は、膜形成工程(S1)と、反転維持工程(S2)と、処理工程(S3)とからなる。
<First Embodiment>
FIG. 3 is a diagram showing a first embodiment of the surface treatment method of the present invention. 1st Embodiment of the surface treatment method of this invention consists of a film formation process (S1), an inversion maintenance process (S2), and a process process (S3).
[被処理物]
本発明において用いられる被処理物Wは、特に限定されるものではなく、パーティクルの堆積の可能性がある被処理物であればよい。この被処理物としては、反転させることが容易である平板であることが好ましく、例えば基板、前処理された基板等であることが好ましい。上記前処理とは、反転手段にて反転される前にされる処理であって、例えば、加熱あるいは焼成する前の塗膜の形成が挙げられる。本発明においては、例えば、レジスト組成物、シリカ系被膜形成用材料(例えばSOG材料)、誘電体形成用塗布液等を塗布して形成した膜を有する基板を挙げることができる。基板の材料としては、銅、クロム、鉄、アルミニウムなどの金属や、シリコン、ガラスなどを挙げることができる。また、本発明の表面処理方法は、基板上に形成された膜に対して好適に用いることができる。膜の形成方法としては、以下の膜形成工程により形成することができる。
[Processed object]
The workpiece W used in the present invention is not particularly limited as long as it is a workpiece to which particles may be deposited. The object to be processed is preferably a flat plate that can be easily inverted, and is preferably a substrate, a pretreated substrate, or the like. The pretreatment is a treatment performed before being reversed by the reversing means, and includes, for example, formation of a coating film before heating or baking. In the present invention, for example, a substrate having a film formed by applying a resist composition, a silica-based film forming material (for example, an SOG material), a dielectric forming coating solution, or the like can be given. Examples of the material for the substrate include metals such as copper, chromium, iron, and aluminum, silicon, and glass. Further, the surface treatment method of the present invention can be suitably used for a film formed on a substrate. The film can be formed by the following film forming process.
(膜形成工程)
膜形成工程(S1)は、膜形成装置3にて行われ、基板10上に膜20を形成する工程である。この膜形成工程(S1)では、膜20を略鉛直上方に向けた基板10の上に形成する。膜20を形成するためには、例えば、上述した材料等からなる基板10に、膜形成組成物を塗布する。膜形成組成物としては、処理面を略鉛直下方に向けた際に、膜形成組成物が、下方に垂れなければ特に限定されるものではない。例えば、この膜形成組成物としては、シリカ系被膜形成用材料(例えばSOG材料)、高誘電体、強誘電体を形成するための誘電体形成塗布液、半導体製造用およびTFTアレイ用ポジ/ネガ型レジスト、CF用レジスト、層間絶縁膜用レジスト、スペーサー用レジスト、TAB/BUMP用レジスト等を挙げることができる。また、塗布方法としては、従来公知の方法を用いることができ、例えば、スプレー法、ロールコート法、回転塗布法等が挙げられる。
(Film formation process)
The film forming step (S1) is a step of forming the
膜形成組成物を塗布後、50〜400℃程度で加熱(乾燥)処理を行い、膜20を形成することが好ましい。所望に応じて、塗布から乾燥までの処理を複数回繰り返して、膜20の積層体を形成する。塗布後、乾燥させることにより、膜が硬化し、次工程の反転維持工程において、液垂れすることを防ぎ、効果的に処理を行うことができる。
It is preferable to form the
(反転維持工程)
図3に示すように、反転維持工程(S2)は、被処理物Wの処理面である膜20を略鉛直下方に反転させ、略鉛直下方に向けた状態にて維持する工程である。反転維持工程において、処理面を略鉛直下方に向けた状態にて維持することにより、昇華物、大気中のパーティクルの被処理面への堆積を防止することができる。
(Reversal maintenance process)
As shown in FIG. 3, the inversion maintaining step (S2) is a step of inverting the
反転させる方法としては、被処理物を略鉛直下方に反転させることができれば特に限定されない。図1に示す表面装置においては、まず、膜形成装置3内で膜が形成された被処理物Wの高さまで、支柱5を伸縮させる。次に、アーム6を伸ばし、真空チャック8を、被処理物Wの膜の形成されていない面に接触させる。被処理物Wは、真空チャック8により吸引され、真空チャック8により保持される。この状態で、アーム6を縮ませ膜形成装置3から搬出される。
The method of reversing is not particularly limited as long as the workpiece can be reversed substantially vertically downward. In the surface apparatus shown in FIG. 1, first, the
次に、支柱5を中心にしてアーム6を処理チャンバー4に搬入できるよう所定の位置に、水平方向に回転させる。アーム6の回転軸7により回転させ、被処理物Wの処理面を略鉛直下方に向けるように反転させ、被処理物Wの被処理面を略鉛直下方に向けた状態にて維持する。その後、膜形成装置3から、被処理物Wを搬出させた方法と同様の方法により、支柱5の伸縮機構、アーム6の伸縮により、被処理物Wを処理チャンバー4内に搬入させ、処理面を略鉛直下方に向けた状態で維持する。
Next, the
上記では、支柱5を中心にしてアーム6を回転させた後、処理チャンバー4に搬入できる位置において、被処理物Wを反転させたが、被処理物Wを膜形成装置3から搬出した時点で、被処理物Wを反転させてもよい。この方が、被処理面が略鉛直上方に向いている時間が短く、パーティクルの付着を減少させることができる。
In the above, after rotating the
(処理工程)
処理工程(S3)は、処理チャンバー4にて行われ、被処理物Wの処理面に好ましくは触ることなく、処理面を略鉛直下方に向けて処理することができる工程であれば、特に限定されない。このような工程としては、例えば、熱処理、気体処理、高エネルギー線処理、液体処理などを挙げることができる。更に詳しくは、熱処理としては、焼成処理、乾燥処理を、気体処理としては、アッシング処理、エッチング処理を、高エネルギー線処理としては、紫外線処理、電子ビーム処理を、液体処理としては、洗浄処理、現像処理、ウェットエッチング処理等を挙げることができる。本発明の処理方法は、高エネルギー線処理のように、いずれかの方向に処理面を向け処理を行う方法においても用いることができるが、熱処理のように処理チャンバー内の雰囲気を一定に保つことができる処理であることが好ましい。熱処理によれば、処理面を略鉛直下方に向けて処理を行っても、上方に向けて処理を行った場合と同様の処理を行うことができる。さらに、処理工程(S3)は、被処理物Wの被処理面を略鉛直下方に向けた状態にて維持した状態にて処理を行う工程である。
(Processing process)
The processing step (S3) is particularly limited as long as it is performed in the processing chamber 4 and can process the processing surface substantially vertically downward without preferably touching the processing surface of the workpiece W. Not. Examples of such steps include heat treatment, gas treatment, high energy ray treatment, and liquid treatment. More specifically, as the heat treatment, baking treatment, drying treatment, ashing treatment, etching treatment as gas treatment, ultraviolet treatment, electron beam treatment as high energy ray treatment, cleaning treatment as liquid treatment, Examples include development processing and wet etching processing. The processing method of the present invention can also be used in a method in which the processing surface is directed in either direction as in high energy beam processing, but the atmosphere in the processing chamber is kept constant as in heat treatment. It is preferable that the treatment can be performed. According to the heat treatment, even if the treatment surface is processed substantially vertically downward, the same treatment as when the treatment is performed upward can be performed. Furthermore, a process process (S3) is a process of processing in the state which maintained the to-be-processed surface of the to-be-processed object W in the state which faced the substantially vertical downward direction.
なお、本発明において、「略鉛直下方に向ける」とは、被処理物の処理面が、落下してくるパーティクルの処理面への付着を防ぐように下方に向けられていることであり、実質的にパーティクルの自由落下による付着を防ぐ方向に処理面が配置されていれば、その角度、向きに関わらず本発明に含まれる。具体的には、鉛直上方向からみて処理面が露出されない状態である。好ましくは、被処理物の処理面における法線と鉛直方向における下方向の直線とのなす角が90°以下であることが好ましい。 In the present invention, “to face substantially vertically downward” means that the processing surface of the object to be processed is directed downward so as to prevent the falling particles from adhering to the processing surface. In particular, if the processing surface is arranged in a direction that prevents adhesion of particles due to free fall, it is included in the present invention regardless of its angle and direction. Specifically, the processing surface is not exposed when viewed from the vertically upward direction. Preferably, the angle formed by the normal line on the processing surface of the workpiece and the downward straight line in the vertical direction is 90 ° or less.
<第2実施形態>
本発明の表面処理方法の第2実施形態として、第1実施形態の反転維持工程を省略してもよい。すなわち、被処理物の処理面が、既に略鉛直下方に向いている場合は、反転維持工程をすることなく、処理工程を行うことができる。
Second Embodiment
As a second embodiment of the surface treatment method of the present invention, the inversion maintaining step of the first embodiment may be omitted. That is, when the processing surface of the object to be processed is already substantially vertically downward, the processing step can be performed without performing the inversion maintaining step.
また、被処理物の処理面に膜を形成しなくても良い場合は、膜形成工程も省略することができる。 Further, in the case where it is not necessary to form a film on the processing surface of the object to be processed, the film forming process can be omitted.
(実施例1)
6inchのシリコン基板上に、塗布液(SGM FE100(商品名):東京応化工業(株)製)をスピンコートした。その後、塗布した面を下向きにして、ファーネスにて700℃、O2 5L/minで、1時間焼成を行った。なお、ファーネス内のクリーン度はクラス1000であり、圧力は常圧で行った。
Example 1
A coating solution (SGM FE100 (trade name): manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) was spin-coated on a 6-inch silicon substrate. Thereafter, the coated surface was faced down and baked in a furnace at 700 ° C. and O 2 at 5 L / min for 1 hour. The cleanliness in the furnace was class 1000, and the pressure was normal pressure.
(比較例1)
ファーネスにて焼成を行う際、塗布面を上向きとした以外は、実施例1と同様の条件で処理を行った。
(Comparative Example 1)
When firing in the furnace, the treatment was performed under the same conditions as in Example 1 except that the coated surface was turned up.
実施例1、比較例1の基板の処理面のパーティクル数を表面検査装置(日立ウェーハ表面検査装置LS6600)で測定した。実施例1における表面分析結果を図4に、比較例1における表面分析結果を図5に示す。 The number of particles on the treated surface of the substrate of Example 1 and Comparative Example 1 was measured with a surface inspection apparatus (Hitachi wafer surface inspection apparatus LS6600). The surface analysis results in Example 1 are shown in FIG. 4, and the surface analysis results in Comparative Example 1 are shown in FIG.
実施例1において、0.2μm以上のパーティクル数は、31個であり、これに対し、比較例1の0.2μm以上のパーティクル数は770個と多量に存在した。処理面を下向きにして処理することにより、パーティクルの堆積量を減らすことが確認できた。 In Example 1, the number of particles of 0.2 μm or more was 31. On the other hand, the number of particles of 0.2 μm or more in Comparative Example 1 was a large amount of 770. It was confirmed that the amount of accumulated particles was reduced by processing the processing surface downward.
1 表面処理装置
2 反転装置
3 膜形成装置
4 処理チャンバー
5 支柱
6 アーム
7 回転軸
8 真空チャック
9 支持バー
10 基板
20 膜
W 被処理物
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1
Claims (9)
前記被処理物の処理面を略鉛直下方に向けた状態にて処理する工程を含む表面処理方法。 A method of performing a surface treatment on a treated surface of a workpiece,
A surface treatment method including a step of treating the treatment surface of the workpiece to be processed in a substantially vertically downward direction.
前記被処理物の処理面を略鉛直下方に向けるともに、前記被処理物の処理面を略鉛直下方に向けた状態にて維持する反転維持手段と、
前記被処理物の処理面を処理する表面処理手段と、を備える表面処理装置。 A surface treatment apparatus for treating a treatment surface of a workpiece,
An inversion maintaining means for directing the processing surface of the object to be processed substantially vertically downward and maintaining the processing surface of the object to be processed substantially vertically downward;
A surface treatment means for treating a treatment surface of the workpiece.
前記被処理物の処理面を略鉛直下方に向ける反転手段と、
前記被処理物の処理面を略鉛直下方に向けた状態にて維持する維持手段と、
前記被処理物の処理面を処理する表面処理手段と、を備える表面処理装置。 A surface treatment apparatus for treating a treatment surface of a workpiece,
Reversing means for directing the processing surface of the object to be processed substantially vertically downward;
Maintaining means for maintaining the processing surface of the object to be processed substantially vertically downward;
A surface treatment means for treating a treatment surface of the workpiece.
前記膜を、略鉛直上方に向いている基板の面上に形成する膜形成手段を備える請求項6又は7記載の表面処理装置。 The processing surface of the workpiece is a film formed on a substrate,
The surface treatment apparatus of Claim 6 or 7 provided with the film | membrane formation means which forms the said film | membrane on the surface of the board | substrate which has faced substantially perpendicularly upward.
The surface treatment apparatus according to claim 6, wherein the surface treatment means is a heat treatment means.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006024392A JP2007207973A (en) | 2006-02-01 | 2006-02-01 | Surface treatment method and surface treatment device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006024392A JP2007207973A (en) | 2006-02-01 | 2006-02-01 | Surface treatment method and surface treatment device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007207973A true JP2007207973A (en) | 2007-08-16 |
Family
ID=38487170
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006024392A Pending JP2007207973A (en) | 2006-02-01 | 2006-02-01 | Surface treatment method and surface treatment device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007207973A (en) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101154843B1 (en) * | 2009-09-09 | 2012-06-18 | 주식회사 에스에프에이 | ES-Chuck carrier |
JP2015504598A (en) * | 2011-11-08 | 2015-02-12 | インテヴァック インコーポレイテッド | Substrate processing system and substrate processing method |
US9583661B2 (en) | 2012-12-19 | 2017-02-28 | Intevac, Inc. | Grid for plasma ion implant |
US9741894B2 (en) | 2009-06-23 | 2017-08-22 | Intevac, Inc. | Ion implant system having grid assembly |
CN112103227A (en) * | 2019-06-18 | 2020-12-18 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | Handover device, semiconductor equipment, semiconductor production line and handover method |
-
2006
- 2006-02-01 JP JP2006024392A patent/JP2007207973A/en active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9741894B2 (en) | 2009-06-23 | 2017-08-22 | Intevac, Inc. | Ion implant system having grid assembly |
KR101154843B1 (en) * | 2009-09-09 | 2012-06-18 | 주식회사 에스에프에이 | ES-Chuck carrier |
JP2015504598A (en) * | 2011-11-08 | 2015-02-12 | インテヴァック インコーポレイテッド | Substrate processing system and substrate processing method |
US9875922B2 (en) | 2011-11-08 | 2018-01-23 | Intevac, Inc. | Substrate processing system and method |
US9583661B2 (en) | 2012-12-19 | 2017-02-28 | Intevac, Inc. | Grid for plasma ion implant |
CN112103227A (en) * | 2019-06-18 | 2020-12-18 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | Handover device, semiconductor equipment, semiconductor production line and handover method |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10048664B2 (en) | Coating method, computer storage medium and coating apparatus | |
US7743449B2 (en) | System and method for a combined contact and non-contact wafer cleaning module | |
KR101619166B1 (en) | Apparatus for Cleaning and Drying Process of Substrate | |
JP6945314B2 (en) | Board processing equipment | |
JP6703858B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
TWI238470B (en) | Film coating unit and film coating method | |
JP2008177471A (en) | Processing method of substrate, coater and substrate treatment system | |
KR102493554B1 (en) | Substrate processing method, substrate processing apparatus and storage medium | |
TW201701082A (en) | Coating treatment method, computer-recordable medium, and coating treatment device | |
TWI809077B (en) | Substrate processing device, substrate processing method, and computer-readable storage medium | |
TW201822892A (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method capable of improving the replacement efficiency of replacing a processing liquid on a processed surface of a substrate with a volatile solvent | |
JP2007207973A (en) | Surface treatment method and surface treatment device | |
KR20180054480A (en) | Application method | |
JP2022090061A (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
JP2007088257A (en) | Substrate treating apparatus and substrate drying method | |
CN109494174A (en) | Substrate processing device, processing method for substrate and computer storage medium | |
JP5012632B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
JP2004524687A (en) | Apparatus and method for reducing particulate contamination on a substrate in a processing tool | |
JP2010123884A (en) | Substrate processing method, and substrate processing apparatus | |
US7007333B1 (en) | System and method for a combined contact and non-contact wafer cleaning module | |
TWI814298B (en) | Substrate drying device and substrate processing device | |
JP2006297197A (en) | Coater and film forming apparatus | |
JP2006269928A (en) | Method and apparatus for processing substrate | |
JP2007180117A (en) | Method of cleaning substrate and apparatus therefor | |
JP2016143873A (en) | Substrate processing method and substrate processing device |