JP2007103595A - 半導体チップ切出し方法および半導体チップ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】シリコン基板4上に構造体材料6を形成し、シリコン基板4の構造体材料6側に保持膜8を形成し、シリコン基板4の他方面側から一方面側の構造体材料6に至る貫通穴5と、構造体材料6の周囲を囲むスクライブ領域3とを同時にエッチングして半導体チップ2を切出す。
【選択図】図3
Description
Claims (10)
- 半導体チップを半導体ウェハから切り出す半導体チップ切出し方法であって、
前記半導体ウェハの半導体基板の一方面上に構造体を形成する工程と、
前記半導体基板の構造体側に、該構造体の表面に前記半導体チップを保持する保持膜を形成する工程と、
前記半導体基板の他方面側から前記構造体の周囲を囲む切出しラインをエッチングして前記半導体チップを切出す工程とを備える、半導体チップ切出し方法。 - さらに、前記切出しラインをエッチング後、前記半導体基板の構造体とは他方面側を保持部材に固定する工程を含む、請求項1に記載の半導体チップ切出し方法。
- さらに、前記保持部材に固定した半導体チップから前記保持膜を除去する工程を含む、請求項2に記載の半導体チップ切出し方法。
- 前記保持膜を形成する工程は、前記保持膜を前記構造体表面に形成した後、前記保持膜上に搬送部材を貼り付ける工程を含む、請求項1から3のいずれかに記載の半導体チップ切出し方法。
- 前記切出しラインは任意のラインを描く、請求項1から4のいずれかに記載の半導体チップ切出し方法。
- 前記切出しラインは円形を描く、請求項1から4のいずれかに記載の半導体チップ切出し方法。
- 前記半導体チップは、前記半導体基板の他方面側から一方面側の前記構造体に至り、前記構造体の一部を成す貫通穴を有していて、
前記半導体チップを切出す工程は、前記切出しラインと前記貫通穴とを同時にドライエッチングする工程を含む、請求項1から6のいずれかに記載の半導体チップ切出し方法。 - 前記半導体チップを切り出す工程は、前記貫通穴と前記切出しラインに対応する領域を除く半導体基板の他方面側にレジストを塗布し、ドライエッチングする工程を含む、請求項7に記載の半導体チップ切出し方法。
- 前記構造体は、少なくとも可動部および薄膜のいずれかを有する、請求項1から8のいずれかに記載の半導体チップ切出し方法。
- 請求項1から9のいずれかの各工程により形成された、半導体チップ。
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