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JP2007101921A - 液晶装置、及び投射型表示装置 - Google Patents

液晶装置、及び投射型表示装置 Download PDF

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JP2007101921A JP2005292098A JP2005292098A JP2007101921A JP 2007101921 A JP2007101921 A JP 2007101921A JP 2005292098 A JP2005292098 A JP 2005292098A JP 2005292098 A JP2005292098 A JP 2005292098A JP 2007101921 A JP2007101921 A JP 2007101921A
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啓友 熊井
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Abstract

【課題】 光変調装置として用いられた際の光学特性が高く、小型な投射型表示装置を提供できる液晶装置、及び該液晶装置を備えた投射型表示装置を提供する。
【解決手段】 対向して配置された第1の基板10及び第2の基板20の間に液晶層50が挟持された液晶装置である。第1の基板10及び第2の基板20の少なくとも一方における、液晶層50が設けられた側と反対側の面に、ワイヤーグリッド構造50を備えている。
【選択図】 図3

Description

本発明は、液晶装置、及び投射型表示装置に関する。
プロジェクタ等の投射型表示装置における光変調装置として、液晶装置が用いられている。このような液晶装置としては、対向配置された一対の基板間に液晶層が挟持された構成のものが知られており、この一対の基板の内側には、液晶層に電圧を印加するための電極がそれぞれ形成されている。そして、一対の基板の外側(液晶層に対向する面とは異なる面側)には偏光板が配設されており、液晶層に対して所定の偏光が入射される構成となっている。
ところで、プロジェクタは、光源としてハロゲンランプや高圧水銀ランプを用いており、偏光板に対して強力な光を照射することから、熱や光により偏光板が劣化して光学特性が低下してしまうおそれがある。そこで、例えば液晶装置と偏光板との間隙に冷却ファンによって風を送り込むことで偏光板を冷却し、偏光板の劣化を緩和する技術がある(例えば、特許文献1参照)。また、偏光板を冷却する他の方法として、例えば偏光板の表面に熱伝導性の高いサファイア基板と該サファイア基板に接続した放熱部材により放熱する技術もある(例えば、特許文献2参照)。また、ガラス基板上にストライプ状の金属格子パターンが形成された、いわゆるワイヤーグリッド型の偏光素子を用いることにより、耐光性、及び耐熱性を向上させることも考えられる。
一方、近年、プロジェクタは様々な場所で多岐にわたる用途で利用されていることから、小型で持ち運び易く、携帯性の高いものが望まれている。そこで、例えば液晶装置の内部、すなわち対向基板の液晶層と接する面に、上記のワイヤーグリッド型の偏光素子を備えることでプロジェクタの小型化を図った技術がある(例えば、特許文献3参照)。このようなワイヤーグリッド型の偏光素子は、その光学特性がグリッド(導電部材)間に介在する材質に影響を受けることが知られており、前記グリッド間には屈折率が1となる材料、すなわち空気(若しくは真空雰囲気)が介在した状態とすることが望ましい。
特開平11−258569号公報 特開2002−214585号公報 特開平9−160013号公報
しかしながら、上記特許文献1に記載の技術では、偏光板から放熱することで光学特性の低下を緩和しているものの、前記偏光板に風を効率的に送り込むために導風構造を形成することから部品点数が増加してしまうことにより、プロジェクタを十分に小型化するのが難しい。
また、上記特許文献2に記載の技術では、放熱構造を形成する際に、部材として非常に高価なサファイアガラス基板を用いていることから高コストなものとなってしまい量産化が難しく、またサファイアガラス基板に蓄積された熱を逃がすための放熱部材を別途設けているため、やはりプロジェクタを十分に小型化できなかった。
さらに、上記特許文献3に記載の技術では、グリッド間に液晶が充填された状態となっているので、グリッド間に屈折率が1以上となる材質が介在した状態となっている。したがって、このワイヤーグリッド型の偏光素子は光学特性が低いものとなってしまう。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、偏光板の光学特性を低下させることなく、投射型表示装置を小型にする液晶装置、及び該液晶装置を備えた投射型表示装置を提供することを目的とする。
本発明の液晶装置は、対向して配置された第1の基板及び第2の基板の間に液晶層が挟持された液晶装置において、前記第1の基板及び前記第2の基板の少なくとも一方における、前記液晶層が設けられた側と反対側の面に、ワイヤーグリッド構造を備えていることを特徴とする。
本発明の液晶装置によれば、例えば該液晶装置を投射型表示装置における光源からの光を変調する光変調装置として利用した場合、第1の基板及び第2の基板の少なくとも一方に設けられたワイヤーグリッド構造を偏光板として用いることができる。このように、液晶装置と偏光板とが一体となった構造を有しているので、従来の投射型表示装置では必要となっていた、偏光板を保持する部材が不要となり投射型表示装置の構成部品数が少なくなる。したがって、この液晶装置を備える投射型表示装置を薄型で軽量なものとすることができる。
また、上記液晶装置においては、前記ワイヤーグリッド構造は、前記第1の基板又は前記第2の基板上に形成された誘電体部と該誘電体部上に設けられたワイヤー状の金属グリッドとから構成されているのが好ましい。
このようにすれば、ワイヤーグリッド構造を構成する金属グリッド部が、前記第1の基板又は前記第2の基板の最外面に設けられた状態となるので、前記金属グリッド部は外気(空気等)に触れた状態となる。よって、金属グリッド間に空気が充填された状態となっているので、ワイヤーグリッド構造は偏光特性の高いものとなる。また、特に、光入射側の偏光板として前記ワイヤーグリッド構造を利用した場合には、前記金属グリッドが基板の最外面に設けられているので、金属グリッドに発生した熱を効率的に放熱することができる。
また、上記液晶装置においては、前記ワイヤーグリッド構造が、前記第1の基板及び前記第2の基板のそれぞれに設けられているのが好ましい。
このようにすれば、第1の基板及び第2の基板がそれぞれワイヤーグリッド構造を備えたものとなっているので、該液晶装置を光変調装置として用いた投射型表示装置をより小型なものとすることができる。
また、上記液晶装置においては、前記第1の基板及び前記第2の基板の一方を光入射側の基板とし、該光入射側の基板と前記ワイヤーグリッド構造との間にマイクロレンズが設けられているのが好ましい。
このようにすれば、基板内に入射し、ワイヤーグリッド構造によって偏光された光をマイクロレンズにより集光しているので、光の利用効率が高い液晶装置となる。
本発明の投射型表示装置は、光源と、該光源から出射した光を変調する光変調装置と、該光変調装置により変調された光を投射する投射装置とを備えた投射型表示装置において、前記光変調装置が上記の液晶装置によって構成されてなることを特徴とする。
本発明の投射型表示装置によれば、対向配置された基板の少なくとも一方に、偏光板として機能するワイヤーグリッド構造が一体に設けられた液晶装置を光変調装置として備えたことにより、従来のように偏光板を保持するための部材が不要となって、したがって薄くて小型なものとなる。
以下、図面を参照して本発明の液晶装置及び投射型表示装置の実施形態について説明する。なお、以下の各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
(第1の実施の形態)
第1の実施の形態では、薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor;TFT)を画素スイッチング素子として備えたアクティブマトリクス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば投射型表示装置のライトバルブ(光変調装置)として好適に用いることができるものである。
(液晶装置)
まず、本発明の液晶装置の一実施形態について説明する。図1は、液晶装置の概略構成を示す平面図であり、図中符号100は液晶装置である。図2は、液晶装置100の画像表示領域においてマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路を示す図である。また、図3は、液晶装置100の側断面の概略構成を示す図である。
液晶装置100は、図1に示すように、TFTアレイ基板(第1の基板)10と対向基板(第2の基板)20とがシール材52によって貼り合わされ、このシール材52によって区画された領域内に液晶層80が封入されている。なお、図1中においては対向基板20上に設けられている、後述するワイヤーグリッド構造の図示を省略している。
前記シール材52の形成領域の内側の領域には、遮光性材料からなる遮光膜(周辺見切り)53が形成されている。シール材52の外側の領域には、データ線駆動回路201および外部回路実装端子202がTFTアレイ基板10の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する2辺に沿って走査線駆動回路204が形成されている。TFTアレイ基板10の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路204の間を接続するための複数の配線205が設けられている。また、対向基板20の角部においては、TFTアレイ基板10と対向基板20との間で電気的導通をとるための基板間導通材206が配設されている。
なお、データ線駆動回路201および走査線駆動回路204をTFTアレイ基板10の上に形成する代わりに、例えば、駆動用LSIが実装されたTAB(Tape Automated Bonding)基板とTFTアレイ基板10の周辺部に形成された端子群とを異方性導電膜を介して電気的および機械的に接続するようにしてもよい。
このような構造を有する液晶装置100の画像表示領域においては、図2に示すように、複数のドット100aがマトリクス状に構成されているとともに、これらのドット100aの各々には、画素スイッチング用のTFT30が形成されており、画素信号S1、S2、…、Snを供給するデータ線6aがTFT30のソースに電気的に接続されている。データ線6aに書き込む画素信号S1、S2、…、Snは、この順に線順次で供給してもよく、相隣接する複数のデータ線6a同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。また、TFT30のゲートには走査線3aが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線3aにパルス的に走査信号G1、G2、…、Gmをこの順に線順次で印加するように構成されている。画素電極9は、TFT30のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるTFT30を一定期間だけオン状態とすることにより、データ線6aから供給される画素信号S1、S2、…、Snを各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極9を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号S1、S2、…、Snは、図2に示す対向基板20の対向電極21との間で一定期間保持される。また、保持された画素信号S1、S2、…、Snがリークするのを防ぐために、画素電極9と対向電極21との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量60が付加されている。符号3bは蓄積容量60を構成する容量線である。
液晶装置100は、図3に示すように、上下に対向配置された透明のガラス等からなるTFTアレイ基板10及び対向基板20の間に液晶層80が挟持された基本構造を具備している。前記液晶層80における液晶モードとしては、TN(Twisted Nematic)モードが採用されているが、その他にもSTN(Super Twisted Nematic)モード、ECB(Electrically Controlled Birefringence)モード等を採用することができる。
TFTアレイ基板10は、ガラスや石英等の透光性の基板から構成されたものであって、該TFTアレイ基板10の内面側(液晶層80が設けられた側)には、マトリクス状に配置されたそれぞれの画素100aに対して、TFT30及びITO等の透明導電膜からなる画素電極9が設けられている。
実際には、データ線6a、走査線3a等の配線が形成されているが、図3中ではこれらの図示を省略している。また、TFTアレイ基板10の内面には、これらTFT30や画素電極9を覆うように、液晶層80の配向を制御する配向膜(図示せず)が画像表示領域全体に亘って設けられている。
一方、対向基板20は、TFT基板10と同様、ガラスや石英等の透光性の基板から構成されたもので、該対向基板20の内面側(液晶層80が設けられた側)には、遮光膜23が設けられている。遮光膜23は、TFT30や配線等(データ線6a、走査線3a等)が形成される各画素100aの縁に沿って、格子状に設けられている。遮光膜23によって照明光が遮られる領域が非照明領域であり、遮光膜23の開口部を通して照明光が透過する領域が照明領域である。照明領域のみが表示に寄与する。対向基板20の内面には、ITO等の透明導電膜からなる対向電極21が遮光膜23を覆うように全面に設けられており、さらに対向電極21を覆うように、液晶層80の配向を制御する配向膜(図示せず)が画像表示領域全体に亘って設けられている。
これらの基板10,20の間には、液晶層80が保持されている。液晶層80を構成する液晶材料としては、ネマチック液晶、スメクチック液晶など配向し得るものであればいかなる液晶材料を用いても構わないが、TN型液晶パネルの場合、ネマチック液晶を形成させるものが好ましく、例えば、フェニルシクロヘキサン誘導体液晶、ビフェニル誘導体液晶、ビフェニルシクロヘキサン誘導体液晶、テルフェニル誘導体液晶、フェニルエーテル誘導体液晶、フェニルエステル誘導体液晶、ビシクロヘキサン誘導体液晶、アゾメチン誘導体液晶、アゾキシ誘導体液晶、ピリミジン誘導体液晶、ジオキサン誘導体液晶、キュバン誘導体液晶等が挙げられる。さらに、これらネマチック液晶分子にモノフルオロ基、ジフルオロ基、トリフルオロ基、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基などのフッ素系置換基を導入した液晶分子も含まれる。
(ワイヤーグリッド構造)
図3に示したように、液晶装置100は前記TFTアレイ基板10及び前記対向基板20における液晶層80が設けられた側と反対側の面(外面側)にそれぞれワイヤーグリッド構造50を備えている。ここで、図4〜6を参照してワイヤーグリッド構造50について説明する。ここで、図4は、液晶装置100の分解斜視図を示す図であり、図5は前記ワイヤーグリッド構造50の平面模式図である。また、図6はワイヤーグリッド構造50を光が透過する際の作用について説明する図である。
本実施形態における、ワイヤーグリッド構造50は、TFTアレイ基板10及び対向基板20の外面側に設けられた防塵ガラス11Aと該防塵ガラス11A上に縞状に設けられた導電部材、例えばアルミからなる格子形成部材12とから構成されている。なお、防塵ガラス11Aは、液晶装置に付着した埃やゴミ等の影が該液晶装置により表示される画像に映りこんでしまうといった不具合を防止するためのものである。
図4に示すように、ワイヤーグリッド構造50はTFTアレイ基板10及び対向基板20の外面側にそれぞれ設けられている。
ここで、以下の説明においては、便宜上、液晶装置100を透過する光は、対向基板20側から入射してTFTアレイ基板10側から出射されるものとする。よって、対向基板20側に設けられたワイヤーグリッド構造50を光入射側ワイヤーグリッド構造50aとし、TFTアレイ基板10側に設けられたワイヤーグリッド構造50を光出射側ワイヤーグリッド構造50bとする。また、光入射側ワイヤーグリッド構造50a及び光出射側ワイヤーグリッド構造50bは、互いの格子形成部材12における長手方向が直交した状態に設けられている。
具体的に、前記ワイヤーグリッド構造50は、SiO、アクリル、及びガラス等の誘電材料からなる透光性の防塵ガラス11A上に、例えばアルミ等からなる格子形成部材(導電材料)12が縞状に配置されている。このように、誘電材料と該誘電体材料上に縞状に配置された格子形成部材12により、いわゆるワイヤーグリッド型の偏光素子として機能するようになっている。
すなわち、液晶装置100はTFTアレイ基板10及び対向基板20にそれぞれ偏光素子(偏光板)の機能を一体に備えたものとなっている。なお、ワイヤーグリッド構造としては、本実施形態の構造に限定されることが無く、例えば誘電体(SiO)からなるTFTアレイ基板10及び対向基板20上に格子形成部材12を形成することにより、基板10,20と該格子形成部材12との間でワイヤーグリッド構造を形成し、該ワイヤーグリッド構造を防塵ガラスで覆った構造にしてもよい。
図5に示すように、各格子形成部材12は平面視した状態(防塵ガラス基板11Aを上面側から見た際の状態)で縞状に配置されており、各格子形成部材12は例えば140nm程度のピッチPで防塵ガラス基板11A上に配置されている。また、各格子形成部材12の幅は、例えば70nm程度に設定されていることから、図4に示したように各格子形成部材12間には70nmの間隙13が空いた状態となっている。さらに、格子形成部材12の高さは150nm程度となっていて、当該格子形成部材12のアスペクト比は2.1程度となっている。なお、前記格子形成部材12の幅は、ワイヤーグリッド構造50に入射する光の波長の1/10程度にするとより好ましい。
ここで、前記ワイヤーグリッド構造50を形成する方法について説明する。なお、前記TFTアレイ基板10及び対向基板20のそれぞれに設けられたワイヤーグリッド構造50は同一構成からなるものであることから、本説明では対向基板20側に設けられたワイヤーグリッド構造50について説明する。
本実施形態では、対向基板20上に誘電体材料であるSiOからなる防塵ガラス基板11Aを貼り合わせた後、該防塵ガラス11A上に金属薄膜を膜厚150nm程度に形成する。このような薄膜を構成する材料としては、Al、Ag、Au、Cu、Ta、Cr、Moから選択される金属若しくはこれらの金属を含む複合金属からなる膜が好適に採用でき、本実施形態ではスパッタや真空蒸着等の成膜方法によってAl層を成膜する。そして、このAl層上に縞状のパターンを有したレジストを膜厚150nm〜250nm程度で形成する。このようなレジストの形成方法としては、スピンコート法によりレジスト樹脂(ポジ型のレジスト樹脂)を前記防塵ガラス基板11A上に均一塗布した後、これを多光束干渉露光(2光束ないしそれ以上の光束による干渉光)法として、例えば二光束干渉露光を用いることにより、縞状に構成された所定間隔の溝パターンをレジスト樹脂に形成している。このような多光束干渉露光を用いることで、通常のマスク露光を採用することができないような微細な露光パターンを形成する場合、多光束干渉露光によって、所望の周期の干渉縞を金属ガラス層2上に生じさせて、微細な露光パターン(干渉縞)を形成することが可能となる。
この二光束干渉露光法におけるレーザー光の照射工程では、前述した格子形成部材12を配置するピッチ(140nm)Pに対応した溝パターン部分となるレジスト樹脂上を選択的に露光している。
2光束干渉露光では、第1のレーザー光源(図示略)から射出されるレーザー光と第2のレーザー光源(図示略)から射出されるレーザー光とを干渉させることにより、干渉光(二光束干渉光)によるエネルギ分布をレジスト樹脂上に生じさせ、上述したような縞状の溝パターンをレジスト樹脂を露光する。そして、現像工程を行うことで前記溝パターンが形成されたレジスト樹脂が形成される。
なお、上述した多光束干渉露光法に代えて、レジスト樹脂に対して縞状の突起物を有した型を押し当てて、当該突起物に対応した縞状の溝パターンを形成するナノインプリントリソグラフィにより前記溝パターンを形成するようにしてもよい。
次いで、上記の溝パターンを有したレジスト樹脂をマスクとして、前記Al層をエッチングすることにより防塵ガラス11A上に格子形成部材12を形成する。このようにして、対向基板20上に、防塵ガラス11Aと該防塵ガラス11A上に縞状に設けられた格子形成部材12とからなるワイヤーグリッド構造50を形成できる。
次に、図6を参照しワイヤーグリッド構造50を光が透過する際の作用について説明する。
図6に示すように、ワイヤーグリッド構造50は、格子形成部材12の屈折率nと、格子形成部材12間に介在する間隙13の屈折率nとが異なるため、ワイヤーグリッド構造50に入射した光の偏光方向により、偏光選択を行なっている。具体的には、格子形成部材12の延在方向と垂直な方向に偏光軸を有する直線偏光Xを透過させ、格子形成部材12の延在方向と平行な方向に偏光軸を有する直線偏光Yを反射している。したがって、本実施形態のワイヤーグリッド構造50は、光反射型偏光子と同じ作用、すなわち光軸(透過軸)と平行な偏光を透過させ、垂直な偏光に対しては反射させる作用を有している。すなわち、本実施形態におけるワイヤーグリッド構造50は、光反射型偏光素子として機能するものである。
そして、液晶装置100は、後述するようにプロジェクタの光変調装置として用いられるものである。よって、前記液晶装置100は上述したように偏光素子として機能するワイヤーグリッド構造50が一体に設けられた構造となっているので、従来のプロジェクタで必要となっていた偏光板の保持部材を不要にできる。
また、前記ワイヤーグリッド構造50は、図3に示したように、格子形成部材12がTFTアレイ基板10及び対向基板20の最外面に設けられた状態となっている。よって、格子形成部材12は外気(空気等)に触れた状態となっているので、この格子形成部材12の間に設けられた間隙13には空気が充填されている。このように、格子形成部材12の間隙13に空気が充填されている場合、すなわち屈折率が1となる場合には、ワイヤーグリッド型の偏光素子は透過率、及びコントラスト等の偏光特性が向上することが知られている。すなわち、ワイヤーグリッド構造50は、偏光特性が高いものとなっている。したがって、このワイヤーグリッド構造50を後述するプロジェクタの偏光素子として好適に採用することができる。
すると、光入射側となる対向基板20側に設けられた入射側ワイヤーグリッド構造50aは、前記格子形成部材12が基板の最外面に設けられているので、入射光により格子形成部材12に発生した熱を外気中に効率的に放熱することができる。したがって、熱による劣化が起こり難くく、安定した光学特性を備えたものとなっている。
本実施形態の液晶装置100によれば、TFTアレイ基板10及び対向基板20に設けられたワイヤーグリッド構造50を偏光素子として用いることができるので、この液晶装置100をプロジェクタにおける光変調装置として好適用いることができる。そして、液晶装置100は、偏光板が一体となった構造を有しているので、従来のプロジェクタで必要となっていた偏光板を保持するための部材が不要となってプロジェクタの構成部品数を少なくできる。したがって、この液晶装置100を備えるプロジェクタを軽量、かつ薄くて小型なものとすることができる。
また、本実施形態の液晶装置100は、TFTアレイ基板10及び対向基板20がそれぞれワイヤーグリッド構造50を備えているので、該液晶装置100を備えるプロジェクタをより軽量、かつ薄くて小型なものとすることができる。
なお、本実施形態では、ワイヤーグリッド構造50をTFTアレイ基板10と対向基板20とのそれぞれに備えた構成としたが、本発明はこれに限定されず少なくともいずれか一方の基板に前記ワイヤーグリッド構造50を設け、他方には従来の偏光板を設ければ、上述した効果を得ることが可能となる。
(第2の実施形態)
続いて、液晶装置の第2の実施形態について図面を参照して説明する。本実施形態における液晶装置は、前記実施形態における液晶装置100において光が入射する対向基板20とワイヤーグリッド構造50との間にマイクロレンズが設けられた構造となっている点において、第1の実施形態と異なっている。よって、前記マイクロレンズ以外の構成については前記第1の実施形態と同一の構成となっているので、その説明を簡略化する。
図7は、本実施形態の液晶装置の側断面構造を模式的に示した図であり、図7中符号200は液晶装置である。
図7に示すように、対向基板20上には、多数のマイクロレンズMAが設けられている。具体的には、マイクロレンズMAは、表面に凹曲面部が形成された透光性基材129が接着層128を介して対向基板20上に貼りあわされている。なお、前記凹曲面部は、概ね半球状の形状を有し、凹底部が曲面になっている。
前記接着層128は、前記透光性基材129とは異なる屈折率を有する光硬化性の接着剤からなるものである。そして、透光性基材129に形成された凹曲面部に前記接着層128が充填されることにより集光レンズとして機能するようになっている。つまり、接着層128によりマイクロレンズMAが構成され、該マイクロレンズMAは入射した光をTFTアレイ基板10に形成された画素電極9のそれぞれに集光するようにマトリクス状に形成されている。
本実施形態における液晶装置200では、ワイヤーグリッド構造50と対向基板20との間にマイクロレンズMAを設けているので、ワイヤーグリッド構造50による偏光は、各マイクロレンズMAによって、遮光膜23の間に集光される。したがって、従来遮光膜23で遮られていた光を該遮光膜23の間を通って画素電極9まで届くようになるので、透過光量を増大させることができる。これにより、開口率を向上させた場合と同様、明るい表示を行うことができる。
したがって、本実施形態の液晶装置200によれば、マイクロレンズMAを備えたことで第1実施形態の効果に加えて、マイクロレンズMAの集光作用により、光利用効率が高く、明るい表示が可能な液晶装置200を提供できる。
(マイクロレンズの変形例)
続いて、上記マイクロレンズの変形例について図面を参照して説明する。本実施形態における液晶装置は、前記マイクロレンズ以外の構成については前記第2の実施形態と同一の構成となっているので、その説明を簡略化する。
図8は、液晶装置の側断面構造を模式的に示した図であり、図8中符号300は液晶装置である。
図8に示すように、対向基板20上には、多数のマイクロレンズMAが設けられている。本変形例におけるマイクロレンズMAは、表面に凸曲面部が形成された透光性基材129Aが接着層128Aを介して対向基板20上に貼りあわされたものとなっている。ここで、前記透光性基材129Aとしては、ネオセラムを好適に採用することができ、その屈折率は1.5である。また、前記接着層は透光性を有した樹脂材料から構成されたものが採用され、屈折率が1.3である。なお、前記凸曲面部は、概ね半球状の形状を有し、凸部が曲面になっている。
上述したように、前記透光性部材129Aの屈折率(n=1.5)は、接着層の屈折率(n=1.3)に比べて大きくなっているので、該接着層128A及び透光性部材129Aとの界面部分により、外部からの光を集光するようになる。すなわち、接着層128A及び透光性部材129AがマイクロレンズMAを構成し、該各マイクロレンズMAは入射した光をTFTアレイ基板10に形成された画素電極9のそれぞれに集光するようにマトリクス状に形成されている。
本実施形態における液晶装置300では、上記第2の実施形態の液晶装置200と同様にマイクロレンズMAを備えているので、ワイヤーグリッド構造50による偏光を各マイクロレンズMAにより遮光膜23の間に集光することができる。したがって、透過光量を増大させ、開口率を向上させた場合と同様、明るい表示が可能となる。
したがって、本実施形態の液晶装置300によれば、上記第2実施形態と同様にマイクロレンズMAの集光作用により、光利用効率が高く、明るい表示が可能な液晶装置300を提供できる。
(プロジェクタ)
次に、本発明の投射型表示装置の一実施形態としての、プロジェクタについて図面を参照して説明する。図9は、本実施形態のプロジェクタの概略構成を示す図であり、図中符号800はプロジェクタである。本実施形態のプロジェクタ800は、光変調装置として上述した液晶装置100を用いた液晶プロジェクタである。
図9において、810は光源、813、814はダイクロイックミラー、815,816,817は反射ミラー、818は入射レンズ、819はリレーレンズ、820は出射レンズ、822,823,824は前記液晶装置100からなる液晶光変調装置(光変調装置)、825はクロスダイクロイックプリズム、826は投射レンズ(投射装置)である。なお、前記液晶装置100は、上述したようにワイヤーグリッド構造50を備え、該ワイヤーグリッド構造50は偏光素子として機能するものである。すなわち、本発明の液晶装置822,823,824は、液晶装置としての光変調機能と偏光素子の偏光機能とを兼ねたものとなっている。
前記光源810は、メタルハライド等のランプ811とランプの光を反射するリフレクタ812とからなる。なお、光源810としては、メタルハライド以外にも超高圧水銀ランプ、フラッシュ水銀ランプ、高圧水銀ランプ、Deep UVランプ、キセノンランプ、キセノンフラッシュランプ等を用いることも可能である。
ダイクロイックミラー813は、光源810からの白色光に含まれる赤色光を透過させるとともに、青色光と緑色光とを反射する。透過した赤色光は反射ミラー817で反射されて、赤色光用の液晶光変調装置822に入射される。また、ダイクロイックミラー813で反射された緑色光は、ダイクロイックミラー814によって反射され、緑色光用の液晶光変調装置823に入射される。さらに、ダイクロイックミラー813で反射された青色光は、ダイクロイックミラー814を透過する。青色光に対しては、長い光路による光損失を防ぐため、入射レンズ818、リレーレンズ819および出射レンズ820を含むリレーレンズ系からなる導光手段821が設けられている。この導光手段821を介して、青色光が青色光用の液晶光変調装置824に入射される。
次に、光変調装置に光が入射する際について説明するに際し、赤色光が赤色光用液晶光変調装置822に入射する場合を例に挙げて説明する。なお、青色光、及び緑色光が各光変調装置823,824に入射した場合については、赤色の場合と同様であることからその説明を省略する。
具体的には、前記赤色光用の液晶光変調装置822は、上述したように偏光素子としての機能を備えたものとなっている。
よって、赤色光用の液晶光変調装置822に入射した赤色光は、まず防塵ガラス11A上に縞状に設けられた格子形成部材12によって構成されるワイヤーグリッド構造50を透過し直線偏光となる。
ここで、光が入射する対向基板20側に設けられたワイヤーグリッド構造50は、光源810によって加熱されて発熱する場合がある。
しかしながら、本実施形態のワイヤーグリッド構造50は上述したように格子形成部材12が対向基板20の最外面に配置された状態に設けられているので(図4参照)、格子形成部材12は外気(空気等)に触れた状態となっているので、格子形成部材12に発生した熱を外気中に効率的に放熱することができる。
また、前記格子形成部材12の間に設けられた間隙13には空気が充填されている。このように、格子形成部材12の間隙13が空気によって充填されることで、このワイヤーグリッド構造50は、透過率、及びコントラスト等の偏光特性が高いものとなっている。
さらに、液晶光変調装置822〜824では前記ワイヤーグリッド構造50を介して入射した直線偏光の位相制御が行われる。つまり、画素電極9及び対向電極21に対する印加電圧により液晶層80の駆動制御を行い、当該入射光の位相を制御することが可能となっている。位相制御された光は、光射出側に配設されたワイヤーグリッド構造50に入射して変調される。
各液晶光変調装置822〜824で変調された各色の光はクロスダイクロイックプリズム825に入射する。このクロスダイクロイックプリズム825は4つの直角プリズムを貼り合わせたものであり、その界面には赤光を反射する誘電体多層膜と青光を反射する誘電体多層膜とがX字状に形成されている。これらの誘電体多層膜により3つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が形成される。合成された光は、投射レンズ(投射装置)826によってスクリーン827上に投写され、画像が拡大されて表示される。
本実施形態におけるプロジェクタ800は、上述したように、対向配置されたTFTアレイ基板10及び対向基板20に偏光素子として機能するワイヤーグリッド構造50を備えた液晶装置100を光変調装置として備えているので、従来のように偏光板を保持するための部材が不要となる。したがって、プロジェクタ800を構成する部品点数が少なくなるので、このプロジェクタ800は、薄型で小さく、かつ偏光特性及び信頼性の高いものとなる。
液晶装置の概略構成を示す平面図である。 液晶装置の等価回路を示す図である。 液晶装置の側断面の概略構成を示す図である。 液晶装置の分解斜視図を示す図である。 ワイヤーグリッド構造を模式的に示す平面図である。 ワイヤーグリッド構造を光が透過する場合の説明図である。 第2の実施形態における液晶装置の側断面の概略構成を示す図である。 マイクロレンズの変形例を示す図である。 プロジェクタの概略構成を示す図である。
符号の説明
10…TFTアレイ基板(第1の基板)、11A…防塵ガラス(誘電体部)、12…(導電材料)20…対向基板(第2の基板)、50…ワイヤーグリッド構造、80…液晶層、100…液晶装置、800…プロジェクタ(投射型表示装置)、810…光源、822,823,824…光変調装置、MA…マイクロレンズ、826…投射レンズ(投射装置)、

Claims (5)

  1. 対向して配置された第1の基板及び第2の基板の間に液晶層を挟持する液晶装置において、
    前記第1の基板及び前記第2の基板の少なくとも一方の、前記液晶層と反対側の面に、ワイヤーグリッド構造を備えていることを特徴とする液晶装置。
  2. 前記ワイヤーグリッド構造は、前記第1の基板及び前記第2の基板の少なくとも一方に形成された誘電体部材と該誘電体部材上に縞状に設けられた導電部材とから構成されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶装置。
  3. 前記ワイヤーグリッド構造が、前記第1の基板及び前記第2の基板にそれぞれ設けられていることを特徴とする請求項1又は2に記載の液晶装置。
  4. 前記第1の基板及び前記第2の基板の一方を光入射側の基板とし、該光入射側の基板と前記ワイヤーグリッド構造との間にマイクロレンズが設けられていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の液晶装置。
  5. 光源と、該光源から出射した光を変調する光変調装置と、該光変調装置により変調された光を投射する投射装置とを備えた投射型表示装置において、
    前記光変調装置が請求項1〜4のいずれか一項に記載の液晶装置によって構成されてなることを特徴とする投射型表示装置。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009222980A (ja) * 2008-03-17 2009-10-01 Seiko Epson Corp 電気光学装置及び電子機器
KR100952137B1 (ko) 2008-04-18 2010-04-09 실리콘 디스플레이 (주) 입체 영상 디스플레이 장치 및 그 제조방법
JP2010532006A (ja) * 2007-06-20 2010-09-30 リアルディー インコーポレイテッド 立体投影用のワイヤグリッド偏光子を有するZScreen(登録商標)変調器
JP2010539554A (ja) * 2007-09-19 2010-12-16 レイブンブリック,エルエルシー ナノスケールのワイヤグリッドを組み込んだ窓用低放射膜
JP2011118343A (ja) * 2009-10-30 2011-06-16 Seiko Epson Corp 偏光素子、偏光素子の製造方法、液晶装置および電子機器
USRE44483E1 (en) 2007-06-20 2013-09-10 Reald Inc. ZSCREEN® modulator with wire grid polarizer for stereoscopic projection
JP5533671B2 (ja) * 2009-02-05 2014-06-25 旭硝子株式会社 偏光子付き積層体、支持体付き表示装置用パネル、表示装置用パネル、表示装置およびこれらの製造方法
WO2016125221A1 (ja) * 2015-02-05 2016-08-11 ソニー株式会社 プロジェクタ及び光学ユニット

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5677885A (en) * 1979-11-28 1981-06-26 Citizen Watch Co Ltd Liquid crystal display unit
JP2000235178A (ja) * 1999-02-15 2000-08-29 Seiko Epson Corp 液晶パネル用対向基板の製造方法、液晶パネルおよび投射型表示装置
JP2001141908A (ja) * 1999-11-12 2001-05-25 Seiko Epson Corp マイクロレンズ基板の製造方法、マイクロレンズ基板、液晶パネル用対向基板、液晶パネルおよび投射型表示装置
WO2001055778A1 (fr) * 2000-01-28 2001-08-02 Seiko Epson Corporation Polariseur de reflexion optique et projecteur comprenant ce polariseur
JP2001341210A (ja) * 2000-05-30 2001-12-11 Seiko Epson Corp マイクロレンズ基板の製造方法、液晶パネル用対向基板、液晶パネルおよび投射型表示装置
JP2004157159A (ja) * 2002-11-01 2004-06-03 Ricoh Opt Ind Co Ltd 無機偏光素子および偏光光学素子および液晶素子
JP2004279962A (ja) * 2003-03-18 2004-10-07 Sony Corp 液晶表示素子及び画像表示装置
JP2005157065A (ja) * 2003-11-27 2005-06-16 Seiko Epson Corp 光変調素子、およびプロジェクタ

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5677885A (en) * 1979-11-28 1981-06-26 Citizen Watch Co Ltd Liquid crystal display unit
JP2000235178A (ja) * 1999-02-15 2000-08-29 Seiko Epson Corp 液晶パネル用対向基板の製造方法、液晶パネルおよび投射型表示装置
JP2001141908A (ja) * 1999-11-12 2001-05-25 Seiko Epson Corp マイクロレンズ基板の製造方法、マイクロレンズ基板、液晶パネル用対向基板、液晶パネルおよび投射型表示装置
WO2001055778A1 (fr) * 2000-01-28 2001-08-02 Seiko Epson Corporation Polariseur de reflexion optique et projecteur comprenant ce polariseur
JP2001341210A (ja) * 2000-05-30 2001-12-11 Seiko Epson Corp マイクロレンズ基板の製造方法、液晶パネル用対向基板、液晶パネルおよび投射型表示装置
JP2004157159A (ja) * 2002-11-01 2004-06-03 Ricoh Opt Ind Co Ltd 無機偏光素子および偏光光学素子および液晶素子
JP2004279962A (ja) * 2003-03-18 2004-10-07 Sony Corp 液晶表示素子及び画像表示装置
JP2005157065A (ja) * 2003-11-27 2005-06-16 Seiko Epson Corp 光変調素子、およびプロジェクタ

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010532006A (ja) * 2007-06-20 2010-09-30 リアルディー インコーポレイテッド 立体投影用のワイヤグリッド偏光子を有するZScreen(登録商標)変調器
USRE44483E1 (en) 2007-06-20 2013-09-10 Reald Inc. ZSCREEN® modulator with wire grid polarizer for stereoscopic projection
JP2010539554A (ja) * 2007-09-19 2010-12-16 レイブンブリック,エルエルシー ナノスケールのワイヤグリッドを組み込んだ窓用低放射膜
JP2009222980A (ja) * 2008-03-17 2009-10-01 Seiko Epson Corp 電気光学装置及び電子機器
KR100952137B1 (ko) 2008-04-18 2010-04-09 실리콘 디스플레이 (주) 입체 영상 디스플레이 장치 및 그 제조방법
JP5533671B2 (ja) * 2009-02-05 2014-06-25 旭硝子株式会社 偏光子付き積層体、支持体付き表示装置用パネル、表示装置用パネル、表示装置およびこれらの製造方法
JP2011118343A (ja) * 2009-10-30 2011-06-16 Seiko Epson Corp 偏光素子、偏光素子の製造方法、液晶装置および電子機器
WO2016125221A1 (ja) * 2015-02-05 2016-08-11 ソニー株式会社 プロジェクタ及び光学ユニット
JPWO2016125221A1 (ja) * 2015-02-05 2017-11-09 ソニー株式会社 プロジェクタ及び光学ユニット
US10511814B2 (en) 2015-02-05 2019-12-17 Sony Corporation Projector and optical unit

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