JP2007189150A - Lead frame for low-height led device and method for manufacturing same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、背が低いLED(発光ダイオード)デバイスを製造するための低背LEDデバイス用リードフレームに関する。また、本発明は低背LEDデバイス用リードフレームの製造方法に関する。 The present invention relates to a lead frame for a low profile LED device for manufacturing a short LED (light emitting diode) device. The present invention also relates to a method for manufacturing a lead frame for a low-profile LED device.
図7は従来のLEDデバイスの正面断面図である。
厚さが均一の長尺板状金属材料をトランスファープレスを通して多段打抜き加工した後に射出成形機に通して、チップパッド部及びインナー・リード部12a、12bに樹脂成形して樹脂製カップ部を形成し、続いてアウター・リード部12c、12d、12e、12fを2ヶ所で90°曲げ加工して'コ'の字に成形し、アウター・リード部の先端12d、12fを樹脂製カップ部の底面10dに密接させ、アウター・リード部の根元12c、12eを樹脂製カップ部の側面10cに平行としている。
FIG. 7 is a front sectional view of a conventional LED device.
A long plate-shaped metal material having a uniform thickness is subjected to multi-stage punching through a transfer press and then passed through an injection molding machine to form a resin cup portion by resin molding on the chip pad portion and the
樹脂製カップ部の上面10a、内側面10b、内上面10fが形成されており、内上面10fに隣接してインナー・リード部12a、12bが互いに電気絶縁されて露出している。内側面10bは、垂直ではなく、傾斜しており、上方にゆくにしたがって広がる空間を形成している。
そして、内側面10bは反射面として機能している。不図示のLEDチップを樹脂製カップ部の内上面に貼り付け、LEDチップの電極と対応するインナー・リード部12a、12bとを金線で接続するワイヤーボンディング加工が行われる。
従来のLEDデバイスのハイト(高さ)は最低でも1.4mmであるが、近年ではハイト(高さ)が1mmを切るLEDデバイスが求められている。
An
The
The height (height) of a conventional LED device is at least 1.4 mm, but in recent years, an LED device having a height (height) of less than 1 mm has been demanded.
従来のLEDデバイスについて、ハイト(高さ)を低減させようとして、リードフレームより下の樹脂部分の厚さを減少させるとともに、アウター・リード部の根元12c、12eの長さを対応して短くすることを試みたところ、リードフレームに加わる曲げ応力が大きくなりすぎ、リード・フレームと樹脂との間に剥離が生じたり、樹脂にひび割れが生じたりするトラブルが生じやすい。そのため、封止のためのエポキシ樹脂が剥離部やひび割れ部を通って外部へ漏れ出しやすくLEDデバイスの欠陥となり問題である。
In the conventional LED device, in order to reduce the height (height), the thickness of the resin portion below the lead frame is reduced, and the lengths of the
そこで、本発明の目的は、リード・フレームと樹脂との間の剥離や樹脂のひび割れが生じにくいとともに、ハイト(高さ)が低く1mm以下である低背LEDデバイスを提供することである。また、このような低背LEDデバイスの製造方法を提供する。 SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide a low-profile LED device in which peeling between a lead frame and a resin and cracking of the resin are difficult to occur, and the height (height) is low and is 1 mm or less. Moreover, the manufacturing method of such a low profile LED device is provided.
発明者は上記目的を達成するため鋭意研究を進めて、従来のLEDデバイスとは全く異なった発想の本発明に係るLEDデバイス用リードフレームを発明するに至ったものである。 The inventor has intensively studied to achieve the above object, and has led to the invention of a lead frame for an LED device according to the present invention, which has a completely different concept from that of a conventional LED device.
上記目的は、請求項1に係る低背LEDデバイス用リードフレーム、すなわち、
厚さの比が2.5:1〜3.5:1である通常部と薄肉部と通常部とを長手方向に順に並べた長尺異形状金属材料を打抜き加工して、薄肉部にチップパッド部及びインナー・リード部を形成し、通常部にアウター・リード部を形成し、次に、樹脂製カップ部を射出成形し、その後に切断してアウター・リード部の端部を形成し、アウター・リード部を曲げない、低背LEDデバイス用リードフレームによって、達成される。
The object is to provide a lead frame for a low profile LED device according to
A long irregular metal material in which a normal portion, a thin portion, and a normal portion having a thickness ratio of 2.5: 1 to 3.5: 1 are sequentially arranged in the longitudinal direction is punched into chips in the thin portion. Form the pad part and inner lead part, form the outer lead part in the normal part, then injection mold the resin cup part, then cut to form the end of the outer lead part, This is achieved by a lead frame for a low-profile LED device that does not bend the outer lead portion.
本発明の好ましい実施態様においては、請求項2に記載のように、R、G、Bの3個のLEDチップを取り付けることができる。 In a preferred embodiment of the present invention, as described in claim 2, three LED chips of R, G, and B can be attached.
本発明のさらに好ましい実施態様においては、請求項3に記載のように、高さが1mm以下である。 In a further preferred embodiment of the present invention, as described in claim 3, the height is 1 mm or less.
また、本発明の目的は、請求項4に係る低背LEDデバイス用リードフレームの製造方法、すなわち、通常部と薄肉部の厚さの比が2.5:1〜3.5:1であり、通常部と薄肉部と通常部とを長手方向に順に並べた長尺異形状金属材料をトランスファープレス及び射出成形機に通して、打抜き加工、切断加工、及び樹脂成形加工を行い、曲げ加工を行わずに高さが1mm以下の低背LEDデバイス用リードフレームを得る低背LEDデバイス用リードフレームの製造方法によっても達成される。 Another object of the present invention is to provide a method for manufacturing a lead frame for a low-profile LED device according to claim 4, that is, the ratio of the thickness of the normal part to the thin part is 2.5: 1 to 3.5: 1. The long irregular metal material in which the normal part, thin part and normal part are arranged in order in the longitudinal direction is passed through a transfer press and an injection molding machine, and punching, cutting, and resin molding are performed and bending is performed. This is also achieved by a method for manufacturing a lead frame for a low-profile LED device that obtains a lead frame for a low-profile LED device having a height of 1 mm or less without performing the process.
アウター・リード部を曲げないので、曲げ応力が作用しない。そのため、リードフレームと樹脂との間の剥離がほとんど生じないとともに樹脂のひび割れもほとんどない。また、製造工程を短縮することができる。 Since the outer lead is not bent, bending stress does not act. Therefore, there is almost no peeling between the lead frame and the resin and there is almost no cracking of the resin. In addition, the manufacturing process can be shortened.
アウター・リード部がインナー・リード部やチップ・パッド部に比べて板厚が厚いので放熱効果が大きい。そのために、出力のより大きなLEDをのせることができる。
特に、LEDデバイスのハイト(高さ)を1mm以下にすることができ、出願人が従来製造していたLEDデバイスに比べ約1/2とすることができた。そのため、液晶ディスプレイのさらなる薄型化が可能となる。
The outer lead part is thicker than the inner lead part and the chip pad part, so the heat dissipation effect is great. Therefore, an LED with a larger output can be mounted.
In particular, the height (height) of the LED device can be reduced to 1 mm or less, and can be reduced to about ½ compared with the LED device conventionally manufactured by the applicant. Therefore, the liquid crystal display can be further reduced in thickness.
以下、本発明の実施形態の低背LEDデバイス用リードフレームについて、添付図面を参照して、詳細に説明する。 Hereinafter, a lead frame for a low-profile LED device according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
図3は、本発明の実施形態の低背LEDデバイス用リードフレームを製造するのに用いた長尺異形状金属材料の断面図であり、長手方向に直交する断面についての断面図である。
厚さが0.15〜0.25mm程度の薄肉部1の両側方は、厚さが0.4〜0.5mm程度の通常部2a、2bによって平行に挟まれた形状であり、下面は平坦になっているが、上面は薄肉部1がへこんでおり、段差がある。材質としては、電気伝導性や価格の点から、銅合金やステンレス鋼などを用いることができる。
FIG. 3 is a cross-sectional view of a long irregular metal material used for manufacturing a lead frame for a low-profile LED device according to an embodiment of the present invention, and is a cross-sectional view of a cross section orthogonal to the longitudinal direction.
Both sides of the
図4は、図3に示した長尺異形状金属材料をトランスファープレス(多段順送りプレス機群)に通して、打抜き加工し、V字溝を形成した状態を示す断面図である。打抜き加工して、打抜き部1aを設け、薄肉部1にインナー・リード部及びチップ・パッド部を形成し、通常部2a、2bにアウター・リード部を形成している。
また、通常部2a、2bについては、後工程で切断し、アウター・リード部の先端とすべき位置に、上面及び下面からV字溝5c、8cを形成している。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a state in which the long irregular metal material shown in FIG. 3 is passed through a transfer press (multistage progressive press machine group) and punched to form a V-shaped groove. A punching portion 1a is provided by punching, an inner lead portion and a chip pad portion are formed in the
Further, the
図5は、図4に示した半加工の長尺異形状金属材料を射出成形機に通して、インサート・モールド加工して樹脂製カップ部を形成した状態を示す断面図である。長尺異形状金属材料の下面にはインナー・リード部の一部とチップ・パッド部を露出させ、それらの周囲に樹脂製カップ部本体を下方へ突出して形成してある。樹脂製カップ部本体は、上面10a、側面10c、及び内側面である反射面10bによって囲まれている。一方、長尺異形状金属材料の上面には、薄肉部1に伴うへこみ、インナー・リード部の打抜き部1a、及び不図示のアウター・リード部の打抜き部を充填するように樹脂成形してある。10dは底面、10eは樹脂注入部へこみ部を示している。樹脂製カップ部の側方からはアウター・リード部が垂直にわずかに突出し、V字溝5c、8cが位置している。また、樹脂製カップ部の前後(長手方向)の側面には、薄肉部にインナー・リード部とわずかに離れて形成されたハンガー・リード部の端縁がわずかに食い込んで位置している。
FIG. 5 is a cross-sectional view showing a state in which a resin-made cup portion is formed by inserting and molding the half-processed long irregular metal material shown in FIG. 4 through an injection molding machine. A part of the inner lead part and the chip pad part are exposed on the lower surface of the long irregular metal material, and a resin cup part main body is formed so as to protrude downward around them. The resin cup part body is surrounded by an
インサート・モールド工程の後に、アウター・リード部のV字溝5c、8cの位置で切断してアウター・リード部の端部を形成する。チップ・ボンディングし、エポキシ樹脂やシリコンで封止し、LEDデバイスを完成した後に、LEDデバイス自体を押して、ハンガー・リード部を樹脂製カップ部の前後の側面から除去して取り外し、LEDデバイス単品とする。
After the insert molding process, the outer lead portion is cut at the positions of the V-
図1は本発明の実施形態の低背LEDデバイス用リードフレームの平面図であり、図2はその底面図である。図5は図1におけるC−C断面図であり、図6は図1におけるD−D断面図である。 FIG. 1 is a plan view of a lead frame for a low-profile LED device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a bottom view thereof. 5 is a cross-sectional view taken along the line CC in FIG. 1, and FIG. 6 is a cross-sectional view taken along the line DD in FIG.
インナー・リード部3a、6aをまたいで、例えばR(赤色)LEDチップが載置されボンディングされる。同様に、インナー・リード部4a、7aをまたいで、例えばG(緑色)-LEDチップが載置されボンディングされる。また、同様にインナー・リード部5a、8aをまたいで、例えば、B(青色)-LEDチップを載置されボンディングされる。3色のLEDチップを載置することによって、フルカラーを発光することができる。
For example, an R (red) LED chip is placed and bonded across the
樹脂製カップ部の上方をレンズに覆い、エポキシ樹脂等で封止することによって、低背LEDデバイスが完成する。樹脂製カップ部の側方から直角にわずかに突出しているアウター・リード部は曲げ加工せずに使用する。 The upper part of the resin cup is covered with a lens and sealed with an epoxy resin or the like to complete a low-profile LED device. Use the outer lead part protruding slightly from the side of the resin cup part at a right angle without bending.
1 薄肉部
2a 通常部
2b 通常部
3a インナー・リード部
4a インナー・リード部
5a インナー・リード部
6a インナー・リード部
7a インナー・リード部
8a インナー・リード部
1a 打抜き部
5c V字溝
8c V字溝
10a 上面
10b 反射面(内側面)
10c 側面
10d 底面
10e 樹脂注入部へこみ部
10f 内上面
12a インナー・リード部
12b インナー・リード部
12c アウター・リード部
12d アウター・リード部
12e アウター・リード部
12f アウター・リード部
DESCRIPTION OF
6a
5c V-
Claims (4)
A ratio of the thickness of the normal part to the thin part is 2.5: 1 to 3.5: 1, and a long irregular metal material in which the normal part, the thin part, and the normal part are sequentially arranged in the longitudinal direction is transfer-pressed. The lead frame for a low-profile LED device is obtained by performing punching, cutting, and resin molding through an injection molding machine to obtain a lead frame for a low-profile LED device having a height of 1 mm or less without performing a bending process. Production method.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006007472A JP2007189150A (en) | 2006-01-16 | 2006-01-16 | Lead frame for low-height led device and method for manufacturing same |
KR20060109218A KR20070076390A (en) | 2006-01-16 | 2006-11-07 | Lead frame for low height LED device and manufacturing method thereof |
TW095142650A TW200735417A (en) | 2006-01-16 | 2006-11-17 | Lead frame for low-height led device and method for manufacturing the same |
CN 200610172361 CN101005109A (en) | 2006-01-16 | 2006-12-18 | Low height lead frame for LED device and the manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006007472A JP2007189150A (en) | 2006-01-16 | 2006-01-16 | Lead frame for low-height led device and method for manufacturing same |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007189150A true JP2007189150A (en) | 2007-07-26 |
Family
ID=38344087
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006007472A Pending JP2007189150A (en) | 2006-01-16 | 2006-01-16 | Lead frame for low-height led device and method for manufacturing same |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007189150A (en) |
KR (1) | KR20070076390A (en) |
CN (1) | CN101005109A (en) |
TW (1) | TW200735417A (en) |
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-
2006
- 2006-01-16 JP JP2006007472A patent/JP2007189150A/en active Pending
- 2006-11-07 KR KR20060109218A patent/KR20070076390A/en not_active Application Discontinuation
- 2006-11-17 TW TW095142650A patent/TW200735417A/en unknown
- 2006-12-18 CN CN 200610172361 patent/CN101005109A/en active Pending
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---|---|
CN101005109A (en) | 2007-07-25 |
KR20070076390A (en) | 2007-07-24 |
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