JP2007160769A - Removing plate for reverse offset printing and method for forming conductive pattern lising the same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、反転オフセット印刷による導電パターンの形成に用いられる除去版および反転オフセット印刷による導電パターンの形成方法に関する。 The present invention relates to a removal plate used for forming a conductive pattern by reverse offset printing and a method for forming a conductive pattern by reverse offset printing.
近年、電子部品の低コスト化および微細化に対応するため、導電性パターンを印刷法により形成することが試みられている。 In recent years, attempts have been made to form a conductive pattern by a printing method in order to cope with cost reduction and miniaturization of electronic components.
微細なパターンが形成可能な印刷法として、反転オフセット印刷法が提案されている。(特許文献1参照) A reverse offset printing method has been proposed as a printing method capable of forming a fine pattern. (See Patent Document 1)
また、反転オフセット印刷法により導電性パターンを形成して電磁波シールドを作製することが提案されている。(特許文献2参照) In addition, it has been proposed to form an electromagnetic wave shield by forming a conductive pattern by a reverse offset printing method. (See Patent Document 2)
反転オフセット印刷法について図2を用いて説明する。 The reverse offset printing method will be described with reference to FIG.
まず、剥離性表面を有するブランケット11aに、転写物を含むインク12を塗布乾燥してブランケット11a表面に転写物13aを形成する。(図2(b)) First, an ink 12 containing a transfer product is applied and dried on a blanket 11a having a peelable surface to form a transfer product 13a on the surface of the blanket 11a. (Fig. 2 (b))
次に、転写物13aを除去版14に密着させ離すことで、ブランケット11aに転写物13cを形成する。(図2(f)) Next, the transfer product 13a is brought into intimate contact with the removal plate 14, thereby forming the transfer product 13c on the blanket 11a. (Fig. 2 (f))
次に、転写物13cを被転写物15に密着させ離すことで、被転写物15にパターンを形成する(図2(i))印刷方法である。 Next, a pattern is formed on the transfer object 15 by bringing the transfer object 13c into close contact with the transfer object 15 (FIG. 2 (i)).
しかし、反転オフセット印刷法は、低解像度部と高解像度部が混在した導電性パターンを形成することは困難である。 However, in the reverse offset printing method, it is difficult to form a conductive pattern in which a low resolution portion and a high resolution portion are mixed.
図3、図4を用いて説明する。 This will be described with reference to FIGS.
図3は、凹部および凸部の壁面が版面にほぼ垂直に形成された除去版24と、ブランケット21bが接触している状態を説明するための断面図である。 FIG. 3 is a cross-sectional view for explaining a state in which the blanket 21b is in contact with the removal plate 24 in which the wall surfaces of the concave and convex portions are formed substantially perpendicular to the plate surface.
ブランケット21bは除去版24との接触時の圧力により変形する。
低解像度部28の凹部の開口巾に対して凹部の版深が小さい場合は、低解像度部28においては、その凹版領域の大部分にブランケット21bが接触してしまう。
これにより、ブランケット21bの除去版24凹部に接触した部分の転写物がブランケット21bから除去されてしまい、パターン内部の大部分が抜けてしまう。
The blanket 21b is deformed by the pressure at the time of contact with the removal plate 24.
When the plate depth of the concave portion is smaller than the opening width of the concave portion of the low resolution portion 28, the blanket 21 b comes into contact with most of the intaglio region in the low resolution portion 28.
As a result, the transferred portion of the blanket 21b in contact with the recessed portion of the removal plate 24 is removed from the blanket 21b, and most of the pattern is removed.
低解像度部28の凹版領域とブランケット21bの接触を避けるために除去版24の版深を深くすると、高解像度部29の凸部のアスペクト比(版深÷開口巾)が大きくなり、凸部の強度が低下するという問題が生じてしまう。 When the plate depth of the removal plate 24 is increased in order to avoid contact between the intaglio area of the low resolution portion 28 and the blanket 21b, the aspect ratio (plate depth ÷ opening width) of the convex portion of the high resolution portion 29 is increased. The problem that intensity falls will arise.
図4は、除去版の形成方法の一例を説明するための断面図である。 FIG. 4 is a cross-sectional view for explaining an example of a removal plate forming method.
除去版となる基板36上にレジスト37が形成されており、ウェットエッチングすることにより除去版を形成する。
ウェットエッチングは等方的であり版深と同程度にサイドエッチングが生じる。
低解像度部28の版深を深くすると、高解像度部29の解像度が損なわれるという問題が生じてしまう。
A resist 37 is formed on the substrate 36 to be a removal plate, and the removal plate is formed by wet etching.
Wet etching is isotropic and side etching occurs to the same extent as the plate depth.
If the plate depth of the low resolution portion 28 is deepened, the resolution of the high resolution portion 29 is impaired.
本発明の課題は、低解像度部と高解像度部が混在した導電パターンを形成することが可能な除去版、およびそれを用いた導電パターンの形成方法を提供するものである。 An object of the present invention is to provide a removal plate capable of forming a conductive pattern in which a low resolution portion and a high resolution portion are mixed, and a method of forming a conductive pattern using the same.
請求項1に記載の発明は、反転オフセット印刷に用いられる除去版であって、該除去版の凹部領域に、高さ方向の距離が該凹部領域の深さ方向の距離以下である複数の凸部が形成されていることを特徴とする除去版である。 The invention according to claim 1 is a removal plate used for reversal offset printing, wherein a plurality of protrusions whose distance in the height direction is equal to or less than the distance in the depth direction of the recess region are formed in the recess region of the removal plate. The removal plate is characterized in that a portion is formed.
請求項2に記載の発明は、前記凸部の高さ方向の距離が前記凹部領域の深さ方向の距離に等しく、前記凹部領域の面積をS1、前記凸部の版面をなす面の面積の総和をS2とした時に、0.01≦(S2÷S1)≦0.2を満たすことを特徴とする請求項1に記載の除去版である。 According to a second aspect of the present invention, the distance in the height direction of the convex portion is equal to the distance in the depth direction of the concave portion region, the area of the concave portion is S1, and the area of the surface forming the plate surface of the convex portion is The removal plate according to claim 1, wherein 0.01 ≦ (S2 ÷ S1) ≦ 0.2 is satisfied when the sum is S2.
請求項3に記載の発明は、前記凸部の版面における形状が円であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の除去版である。 The invention according to claim 3 is the removal plate according to claim 1 or 2, wherein the shape of the convex portion on the plate surface is a circle.
請求項4に記載の発明は、前記凸部の形状が互いに同一であり、前記凸部が前記凹部に規則的に配置していることを特徴とする、請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の除去版である。 The invention according to claim 4 is characterized in that the shapes of the convex portions are the same, and the convex portions are regularly arranged in the concave portions. It is a removal version as described in item 1.
請求項5に記載の発明は、反転オフセット印刷法によるパターン形成方法であって、請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の除去版を用いてパターニングすることを特徴とするパターン形成方法である。 The invention according to claim 5 is a pattern forming method by a reverse offset printing method, wherein patterning is performed using the removal plate according to any one of claims 1 to 4. Is the method.
本発明の請求項1の発明は、反転オフセット印刷に用いられる除去版であって、該除去版の凹部領域に、高さ方向の距離が該凹部領域の深さ方向の距離以下である複数の凸部が形成することにより、ブランケットと除去版を接触することを防げ、低解像度部と高解像度部が混在した導電パターンを形成することが可能となる。 The invention of claim 1 of the present invention is a removal plate used for reversal offset printing, wherein the distance in the height direction is equal to or less than the distance in the depth direction of the recess region in the recess region of the removal plate. By forming the convex portion, it is possible to prevent the blanket and the removal plate from coming into contact with each other, and to form a conductive pattern in which the low resolution portion and the high resolution portion are mixed.
まず、本発明の除去版を、図1を用いて説明する。 First, the removal plate of the present invention will be described with reference to FIG.
凹部領域44aに、凹部領域44aの深さ方向の距離に等しい高さ方向の距離を持つ複数の凸部44bが形成されている。 A plurality of convex portions 44b having a height direction distance equal to the depth direction distance of the concave region 44a are formed in the concave region 44a.
凸部44bを設けることで、反転オフセット印刷に際して、ブランケットが除去版の低解像度部に接触するのを防ぐことができる。
凸部44bはブランケットに接触するため、この部分は所望パターンから抜けてしまうが、所望パターンが導電パターンである場合は、凸部の凹部に対する面積率を小さくすればさほど問題にならない。
By providing the convex portion 44b, it is possible to prevent the blanket from coming into contact with the low resolution portion of the removed plate during reverse offset printing.
Since the convex portion 44b comes into contact with the blanket, this portion is removed from the desired pattern. However, when the desired pattern is a conductive pattern, there is no problem if the area ratio of the convex portion to the concave portion is reduced.
凸部44bの凹部44aに対する面積率は、該凹部領域の面積をS1、該凸部の版面をなす面の面積の総和をS2とした時に、0.01≦(S2÷S1)≦0.2の関係を満たしている。
(S2÷S1)がこの範囲より小さい場合、凸部の形状や配置を最適化しても、凹部の大部分においてブランケットが接触することを避けるのは困難となる。
また、(S2÷S1)がこの範囲より大きい場合、凸部のブランケットへの接触によるパターン抜けが大きくなり、問題となる。
The area ratio of the convex portion 44b to the concave portion 44a is 0.01 ≦ (S2 ÷ S1) ≦ 0.2, where S1 is the area of the concave region and S2 is the total area of the surfaces forming the printing plate of the convex portion. Meet the relationship.
When (S2 ÷ S1) is smaller than this range, it is difficult to avoid contact of the blanket in most of the concave portions even if the shape and arrangement of the convex portions are optimized.
Further, when (S2 ÷ S1) is larger than this range, pattern omission due to contact of the convex portion with the blanket becomes large, which causes a problem.
凸部の形状は、異方性をできるだけ小さくするため、本例のように互いに同一、かつ、円形であることが好ましく、また、凸部は規則的に配置していることが好ましい。
規則的な配置としては、2次元格子の格子点に配置させる方法があるが、この中でも対称要素が多い六方格子が好ましい。
In order to minimize the anisotropy as much as possible, the shape of the protrusions is preferably the same and circular as in this example, and the protrusions are preferably arranged regularly.
As a regular arrangement, there is a method of arranging at a lattice point of a two-dimensional lattice. Among them, a hexagonal lattice having many symmetric elements is preferable.
凸部の大きさと数密度は、前記0.01≦(S2÷S1)≦0.2の関係を満たす範囲において、凹部の深さと開口の大きさにより適宜最適化される。 The size and number density of the convex portions are appropriately optimized depending on the depth of the concave portion and the size of the opening within a range satisfying the relationship of 0.01 ≦ (S2 ÷ S1) ≦ 0.2.
除去版44は、材料としてガラス、ステンレス等の金属、各種レジスト材料などが用いられ、サンドブラスト、フォトリソエッチング、FIB(収束イオンビーム)などの方法で加工される。 The removal plate 44 is made of a metal such as glass or stainless steel, various resist materials, or the like, and is processed by a method such as sand blasting, photolithography etching, or FIB (focused ion beam).
次に、本発明の導電パターンの形成方法を、図2を基に説明する。 Next, a method for forming a conductive pattern according to the present invention will be described with reference to FIG.
まず、剥離性表面を有するブランケット11aに、インク12を塗布乾燥してブランケット11a表面に転写物13aを形成する。(図2(b)) First, the ink 12 is applied and dried on a blanket 11a having a peelable surface to form a transfer product 13a on the surface of the blanket 11a. (Fig. 2 (b))
ブランケット11aの材料としては、転写物13aの形成が可能で、除去版14による転写物13bの除去および被印刷物15への転写物13cの転写が可能なものが用いられる。
また、変形の少ない硬い材料が好ましいが、ある程度の柔軟性が必要である。
このような材料として、シリコーン系エラストマー、ブチルゴム、エチレンプロピレンゴム等を用いることができる。
また、ブランケット11a表面の濡れ性を調整するため、ブランケット11a表面に、フッ素樹脂およびシリコーンの塗工、プラズマ処理、UVオゾン洗浄処理などの表面処理を施してもよい。
As the material of the blanket 11 a, a material that can form the transfer product 13 a and can remove the transfer product 13 b by the removal plate 14 and transfer the transfer product 13 c to the printing material 15 is used.
Moreover, although a hard material with few deformation | transformation is preferable, a certain amount of softness | flexibility is required.
As such a material, silicone elastomer, butyl rubber, ethylene propylene rubber and the like can be used.
Further, in order to adjust the wettability of the blanket 11a surface, the blanket 11a surface may be subjected to a surface treatment such as coating of fluororesin and silicone, plasma treatment, UV ozone cleaning treatment, or the like.
インク12の材料としては、金、銀、銅、ニッケル、白金、パラジウム、ロジウムなどの金属微粒子分散液に、必要に応じ各種添加物を加えたものを用いることができる。
分散媒としては、ブランケットを膨潤変形させない水またはアルコール系が好ましい。
As the material of the ink 12, a material in which various additives are added to a metal fine particle dispersion such as gold, silver, copper, nickel, platinum, palladium, rhodium or the like as required can be used.
The dispersion medium is preferably water or alcohol that does not swell and deform the blanket.
導電性インク組成物のブランケット11aへの塗布法としては、バーコート、ダイコート、スピンコート法を用いることができるが、これに限定されるものではない。 As a method for applying the conductive ink composition to the blanket 11a, a bar coating, a die coating, or a spin coating method can be used, but the method is not limited thereto.
転写物13aの厚さは、パターン解像度にもよるが、通常10μm以下にする。
膜厚が10μmより大きいと、転写物13b除去工程や転写物13cの転写工程において、転写物の凝集破壊が生じ易くなり好ましくない。
The thickness of the transferred product 13a is usually 10 μm or less, although it depends on the pattern resolution.
When the film thickness is larger than 10 μm, the transfer product 13b is removed and the transfer product 13c is transferred.
次に、転写物13aを除去版14に密着させ離すことで、ブランケット11aに転写物13cを形成する。(図2(f)) Next, the transfer product 13a is brought into intimate contact with the removal plate 14, thereby forming the transfer product 13c on the blanket 11a. (Fig. 2 (f))
転写物13aを除去版14に密着させ離す方法としては、ブランケットロールに巻き付けたブランケット11aが除去版14に接触する状態を保ちながらブランケットロールに巻き付けたブランケット11aを除去版14上で転がす方法を用いることができる。 As a method of bringing the transfer product 13a into close contact with the removal plate 14, a method of rolling the blanket 11a wound around the blanket roll on the removal plate 14 while keeping the blanket 11a wound around the blanket roll in contact with the removal plate 14 is used. be able to.
最後に、転写物13cを被転写物15に密着させ離して、被転写物15にパターンを形成する。(図2(i)) Finally, the transfer product 13 c is brought into close contact with the transfer object 15 to form a pattern on the transfer object 15. (Fig. 2 (i))
転写物13cを被転写物15に密着させ離す方法としては、ブランケットロールに巻き付けブランケット11cを被転写物15に接触する状態でブランケットロールに巻き付けブランケット11cを被転写物15上で転がす方法を用いることができる。 As a method of bringing the transfer product 13 c into close contact with the transfer object 15, a method of winding the blanket 11 c on the transfer object 15 while winding the blanket 11 c around the transfer object 15 while using the blanket 11 c in contact with the transfer object 15 is used. Can do.
被転写物15の材料としては、転写物13cが転写可能で、熱処理に耐えられる物であれば良く、ソーダライムガラス、石英、シリコンウエハーや、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、シクロオレフィンポリマー、ポリイミド、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリメチルメタクリレート(PMMA)、ポリカーボネート、ポリアリルレートなどを用いることができる。 The material of the transfer object 15 may be any material that can transfer the transfer object 13c and can withstand heat treatment, such as soda lime glass, quartz, silicon wafer, polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), A cycloolefin polymer, polyimide, polyethersulfone (PES), polymethyl methacrylate (PMMA), polycarbonate, polyallylate and the like can be used.
まず、基材として厚さ0.7mmのガラス板を用い、周知のウェットエッチング法で除去版を形成した。
除去版は100mm×100mmの版の中央付近に図1に示すパターンを100個×100個で配列させたものである。
図1に示すパターンの各部寸法は、領域が250μm×250μmに高解像度部ライン/スペース幅が5μm/5μm、低解像度部矩形が140μm×210μm、版深が2μmであった。
また、凸部は、版面での形状が円(半径3μm)であり、六方格子状に配列し、(S2÷S1)=0.08であった。
First, a glass plate having a thickness of 0.7 mm was used as a substrate, and a removal plate was formed by a known wet etching method.
The removal plate is obtained by arranging 100 × 100 patterns shown in FIG. 1 near the center of a 100 mm × 100 mm plate.
The dimensions of each part of the pattern shown in FIG. 1 were an area of 250 μm × 250 μm, a high resolution part line / space width of 5 μm / 5 μm, a low resolution part rectangle of 140 μm × 210 μm, and a plate depth of 2 μm.
Further, the convex portions had a circular shape (radius 3 μm) on the printing plate, arranged in a hexagonal lattice shape, and (S2 ÷ S1) = 0.08.
次に、銀粒子水分散液(平均粒径20nm、住友電工製)にポリエチレンオキサイド(平均分子量10,000、アルドリッチ製)を、(ポリエチレンオキサイド/銀粒子/水)=(1/8/31)の重量比となるように溶解させインクを調製した。 Next, polyethylene oxide (average molecular weight 10,000, manufactured by Aldrich) is added to the silver particle aqueous dispersion (average particle size 20 nm, manufactured by Sumitomo Electric Industries), (polyethylene oxide / silver particles / water) = (1/8/31). Ink was prepared by dissolving so that the weight ratio was.
次に、東芝GE社製の2液型シリコーンゴムを、厚さ2mm、大きさ100mm×100mmに成形してブランケットを作製した。 Next, a two-pack type silicone rubber manufactured by Toshiba GE was molded into a thickness of 2 mm and a size of 100 mm × 100 mm to produce a blanket.
次に、ブランケットロールに巻き付けたブランケットにインクをバーコータ(#6)で塗布した後、室温で3分間乾燥させ、ブランケット上に転写物を形成した。 Next, ink was applied to the blanket wound around the blanket roll with a bar coater (# 6) and then dried at room temperature for 3 minutes to form a transfer on the blanket.
次に、ブランケット上の転写物を除去版に密着させたのち剥離し、転写物のうち除去版に接触した部分をブランケットから除去し、パターン形成されたブランケットを得た。 Next, the transfer product on the blanket was brought into close contact with the removal plate and then peeled off, and the portion of the transfer product that contacted the removal plate was removed from the blanket to obtain a patterned blanket.
次に、ブランケット上の導電パターンを、厚さ0.7mm、大きさが100mm×100mmのソーダライムガラス基板上に密着させたのち剥離して、転写した。 Next, the conductive pattern on the blanket was peeled off after being adhered onto a soda lime glass substrate having a thickness of 0.7 mm and a size of 100 mm × 100 mm, and transferred.
次に、これを200℃で30分間熱処理して導電パターンを形成した。 Next, this was heat-treated at 200 ° C. for 30 minutes to form a conductive pattern.
得られた導電パターンを光学顕微鏡で観察したところ、低解像度部におけるパターン抜けは除去版の凸部に対応した部分のみであり、全体的なパターン抜けは生じなかった。 When the obtained conductive pattern was observed with an optical microscope, pattern omission in the low resolution portion was only a portion corresponding to the convex portion of the removed plate, and no overall pattern omission occurred.
<比較例>
実施例において除去版凹部に凸部を形成しないこと以外は、実施例1と同様の除去版を用いた。
また、実施例の除去版を用いないこと以外は、実施例と同様の方法で導電パターンを形成した。
<Comparative example>
The removal plate similar to that of Example 1 was used except that no convex portion was formed in the removal plate recess in the example.
Further, a conductive pattern was formed in the same manner as in the example except that the removal plate of the example was not used.
得られた導電パターンを光学顕微鏡で観察したところ、低解像度部におけるパターン抜けはパターン全域に及んでおり、導電パターンとして機能するものではなかった。 When the obtained conductive pattern was observed with an optical microscope, pattern omission in the low-resolution part reached the entire pattern area and did not function as a conductive pattern.
本発明の反転オフセット印刷用除去版およびこれを用いた導電パターンの形成方法は、低解像度部と高解像度部が広く混在した導電パターンを形成することが可能となるので、配線基板、薄膜トランジスタ等の電子デバイスに利用できる。 The reverse offset printing removal plate of the present invention and the conductive pattern forming method using the same can form a conductive pattern in which a low resolution portion and a high resolution portion are widely mixed. Available for electronic devices.
11a・・・ブランケット
11b・・・転写物13aが形成された印刷用ブランケット
11c・・・転写物13cが形成された印刷用ブランケット
12・・・・(導電)インク
13a・・・(ブランケットの全面に形成された)転写物
13b・・・(除去版によりパターン除去された)転写物
13c・・・(ブランケットにパターン形成された)転写物
14・・・・除去版
15・・・・被転写物
21b・・・転写物が全面に形成されたブランケット
24・・・・凹部/凸部の壁面が版面にほぼ垂直に形成された除去版
28・・・・除去版24の低解像度部
29・・・・除去版24の高解像度部
36・・・・除去版となる基板
37・・・・レジスト
44・・・・本発明の除去版
44a・・・凹部領域
44b・・・凹部領域に形成された凸部
11a ... Blanket 11b ... Printing blanket with transfer 13a formed 11c ... Printing blanket with transfer 13c formed 12 ... (conductive) ink 13a ... (entire blanket) Transfer product 13b (transferred pattern is removed by removal plate) Transfer product 13c (transfer pattern formed on blanket) Transfer plate 14 ... Removal plate 15 ... Transfer target Material 21b: Blanket with the transfer material formed on the entire surface 24 .... Removal plate with concave / convex wall surfaces formed substantially perpendicular to the plate surface 28 .... Low resolution portion of removal plate 24 29.・ ・ ・ High resolution part of removal plate 24 36... Substrate to be removal plate 37... Resist 44 .. removal plate of the present invention 44 a. The Convex part
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