JP2007155448A - 端面検査装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】従来のシリコンウエハ等の薄板状基板の端面を検査は、基板製造工程における基板検査は不可欠な工程であるが、専用の装置は高価格であり高製造コスト化を助長しており、検査装置の占有スペースを減少させ、且つ検査時間の短縮が望まれている。
【解決手段】本発明は、複数の反射ミラー2,3及び4が基板の端面7a及び該端面7aに掛かる表裏面まで回り込む観察視野範囲を有するようにミラー保持部5で保持され、且つミラー保持部5を退避・移動するミラー退避機構10(ミラー昇降機構を含む)を備える簡易な構成であり、光学観察装置11となる実像顕微鏡に搭載することにより、基板端面7aを表面から裏面に至る全範囲に亘って欠陥を実像化された画像を作成し目視検査により簡単に検査判断を行う端面検査装置である。
【選択図】図2
【解決手段】本発明は、複数の反射ミラー2,3及び4が基板の端面7a及び該端面7aに掛かる表裏面まで回り込む観察視野範囲を有するようにミラー保持部5で保持され、且つミラー保持部5を退避・移動するミラー退避機構10(ミラー昇降機構を含む)を備える簡易な構成であり、光学観察装置11となる実像顕微鏡に搭載することにより、基板端面7aを表面から裏面に至る全範囲に亘って欠陥を実像化された画像を作成し目視検査により簡単に検査判断を行う端面検査装置である。
【選択図】図2
Description
本発明は、半導体基板やガラス基板等の処理基板の外周端面及びこの外周端面に繋がる基板の表裏面エッジ領域を検査する端面検査装置に関する。
一般に、半導体デバイスの処理基板としては、シリコンウエハやガラスウエハ等が用いられている。通常、これらの基板は、製造工程において顕微鏡等を用いて、基板表面を観察して、欠けやクラックの有無及び、異物の付着等に対して検査が行われている。
近年の半導体製造技術の進歩から、半導体デバイスの高集積度化や多機能化を満たしつつ、シリコンウエハの大型化が実現され、300mm径までに大きくなっている。これに伴い、シリコンウエハの管理がより厳しくなっている。これは一枚当たりのシリコンウエハで製造されるチップ数が相当数に増大したため、完成時のシリコンウエハが高価となり、たとえ一枚のウエハ割れにおいても大きな損害が発生するためである。
近年の半導体製造技術の進歩から、半導体デバイスの高集積度化や多機能化を満たしつつ、シリコンウエハの大型化が実現され、300mm径までに大きくなっている。これに伴い、シリコンウエハの管理がより厳しくなっている。これは一枚当たりのシリコンウエハで製造されるチップ数が相当数に増大したため、完成時のシリコンウエハが高価となり、たとえ一枚のウエハ割れにおいても大きな損害が発生するためである。
また半導体製造装置は、コンピュータ管理による自動搬送や自動処理が行われており、真空内処理が行われる工程も多いため、ウエハ割れが発生した場合には、その割れウエハの除去に時間が掛かり、復旧させて再稼働に至るまでに時間を要している。さらにウエハ割れが発生した場所(装置)によっては、製造ラインが停止する場合がある。特に、クリーンルーム内でウエハ割れが発生すると、粉状のウエハ片がパーティクルとなり、他の製造ラインに入り込み、製造中の製品に付着して悪い影響を与える。
このウエハ割れは、搬送時などに他のものとの衝突によりシリコンウエハの外周端部(エッジ)にカケやクラック等が生じ、製造工程の熱処理による温度ストレスや裏面研削によるメカニカルなストレスが加えられることが原因と考えられている。
従来の基板端面検査装置の主なものとしては、(1)サーフェイススキャン装置に代表されるレーザー光の散乱光を利用した欠陥位置の特定と数をカウントする自動検査装置、(2)特定の光を基板に照射し膜厚等を自動検査する自動マクロ検査装置、(3)特定の光を照射して目視観察する手動マクロ検査装置、(4)顕微鏡等の検査器具を用いたミクロ検査装置等が知られている。このようなカケやクラック等を検出するものとして、例えば、特許文献1や特許文献2には、シリコンウエハのエッジ部分を専門に検査する端部欠陥検査装置が開示されている。
特開平9−269298号公報
特開2003−344307公報
前述した特許文献1,2による端部欠陥検査装置のように、検査機能を基板端面の欠陥検出に限定した装置であれば、単独目的のみで使用する検査装置となる。基板端面の検査のためのみに専用の装置を備えると、設備購入だけでなく、その設置場所を必要とし、その結果、高製造コスト化を助長することとなる。特に、汎用性メモリのように市場価格が低く抑えられている製品は、製造コストの低減が不可欠な課題となる。しかし、製品の歩留まりの改善や不良率の低減を図るには、基板製造工程における基板検査は不可欠な工程である。特に製造業者の共通した課題は、基板端面の欠陥を回路素子形成前に発見すること、工場フロア内で検査装置が占有するスペースを最小化させること、短時間で検査が終了することである。
そこで本発明は、低価格で簡易な構成であり、光学観察装置に搭載して光学観察装置の機能を用いて基板端面の検査を実施する利便性も備える端面検査装置を提供することを目的とする。
本発明は上記目的を達成するために、対物レンズ及び移動回転可能なステージを有する任意の光学観察装置に搭載され、複数の反射ミラーが、前記ステージに載置される薄板状基板の端面及び該端面に掛かる表裏面まで回り込む前記光学観察装置の観察視野範囲を有し、且つ前記端面から各反射ミラーの反射面を経て前記対物レンズに至るまでの各光軸の距離が等しくなるように、前記対物レンズと前記基板の端面の近傍に設けられるミラー保持部を具備し、前記基板の端面及び該端面に掛かる表裏面を観察する端面検査装置を提供する。
本発明の端面検査装置によれば、所望する光学観察装置として実像顕微鏡に搭載され、基板端面部位の表面から裏面に至る全範囲に亘り、欠陥を実像化された画像で簡単に検査判断を行うことができる。装置単体としては簡易な構成であり、端面角度のみを観察するための可変機構が必ずしも必要ではなく、低廉化を実現することが可能である。
また、搭載した顕微鏡の有する全ての観察機能を利用しているため、専用の検査装置と同等な基板端面の目視検査を実施することができる。さらに、多機種に亘る顕微鏡に搭載することが可能であり、顕鏡法では明視野、暗視野、微分観察等、また絞りの可変によるコントラストの調整、照明光源の種類の変更など、広い応用範囲に適用することができる。
以下、図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。
本発明の端面検査装置に係る第1の実施形態について説明する。図1は、本実施形態の端面検査装置を搭載する光学観察装置の一例となる実像顕微鏡の概念的な構成例を示す図である。図2(a)は、第1の実施形態となる光学観察装置に搭載された状態の端面検査装置の概略的な構成を示し、図2(b)は、その光学観察装置の対物レンズの光軸方向から見た端面検査装置の上面外観構成を示す図である。
本発明の端面検査装置に係る第1の実施形態について説明する。図1は、本実施形態の端面検査装置を搭載する光学観察装置の一例となる実像顕微鏡の概念的な構成例を示す図である。図2(a)は、第1の実施形態となる光学観察装置に搭載された状態の端面検査装置の概略的な構成を示し、図2(b)は、その光学観察装置の対物レンズの光軸方向から見た端面検査装置の上面外観構成を示す図である。
本実施形態の端面検査装置1は、例えば図1に示すような顕微鏡11に搭載される。この顕微鏡11は、少なくとも、対物レンズ12を含む観察光学系、検査対象物となる薄板形状の例えば、シリコンウエハ等の検査用基板7を載置するステージ13と、ステージ13を3次元に移動及び回転可能なステージ駆動部14と、基板7を照明するケーラー照明系等の任意の光源15a,15bと、基板7を光像として観察する接眼部16と、その光像を撮像する撮像部17と、撮像された画像を表示するモニタ18と、端面検査装置1及び顕微鏡全体を制御する制御部19と、ユーザによる指示やデータ入力を行うためのタッチパネルやキーボード等からなる入力部20とを備えている。また、制御部19は、少なくともステージ駆動部14を制御する位置制御部21と、撮像部17を制御する撮像制御部22と、撮像部17で撮像された画像データに対して種々の画像処理を行う画像処理部(例えば、画像キャプチャ装置)23と、駆動用プログラムやアプリケーションソフトウエアや画像データ等を記憶する記憶部24と、制御に伴う演算処理等を行うCPU等からなる処理部25とを備えている。
本実施形態の端面検査装置は、図2(a)に示すように、基板端面7aの光像を対物レンズに導く少なくとも1つ以上、例えば3つの反射ミラー2,3及び4からなる反射ミラー群を所定の角度で保持するミラー保持部5と、ミラー保持部5を対物レンズ12の光軸方向と垂直な方向(ステージ13の載置面と水平な方向)に退避させるミラー退避機構10とで構成される。ミラー退避機構10は、手動による駆動する構成でも良いが、エアーシリンダ、電磁石又はモータ等を用いた電気的又は機械的に駆動制御可能な構成としてもよい。また、別途、図示しないミラー昇降機構を設けた構成であれば、ミラー保持部5を光軸方向に移動させて、他の構成部位が干渉しない位置に退避させてもよい。
反射ミラー2,3及び4は、その観察視野に応じたある程度の円形面積が必要となるため、対物レンズ1の駆動距離(以下WDと称する)は比較的大きなものが望ましい。一般にWDの大きな対物レンズ12は、NAの制限によりあまり高い倍率が選択できないが、基板7が例えば、シリコンウエハで厚みが標準的な0.7mm程度であれば、選択すべき対物レンズ12は20倍以下でも十分観察出来るため問題とはならない。
このミラー保持部5は、各反射ミラー2,3及び4が基板端面7aからそれぞれの反射面を経て対物レンズ12に至るまでの光軸の距離が等しく、且つ基板端面7aの中心から対物レンズまで利高さが等しくなるように配置して保持している。このように保持することにより、基板端面7aを観察する角度を変更する際に、対物レンズ12と基板端面7a間の駆動距離をミラー毎に調整する必要が無く、対物レンズ12に対してミラー保持部5及びステージ13を一体的に基板面と水平な方向へ相対的に移動させるだけでフォーカス調整が必要なく観察角度を変更することができる。またミラー保持部5は、固定ネジ10a,10bを用いて移動用レール32上のベース部に固定されている。
本実施形態の端面検査装置の反射ミラー群により反射されて対物レンズ12に入射されるので観察者は、基板水平面に対して90度垂直な基板端面7a(エッジ面)や面取り部等が各反射ミラー2,3及び4の角度に応じた3つの方向から観察することができる。反射ミラー群において、反射ミラー4は基板端面7aの上エッジ近傍から基板表面(水平面)に掛かる領域を観察し、反射ミラー3は基板端面7aを正面から見た領域を観察し、反射ミラー2は基板端面7aの下エッジ近傍から基板裏面(水平面)に掛かる領域を観察する。
本実施形態では、反射ミラー4を用いて斜め上方より検査を行う場合には、対物レンズ12の光軸(視野範囲)上に、基板7の観察領域が入るようにステージ13とミラー保持部5を移動させているが、必ずしもステージ13とミラー保持部5を移動させる必要は無く、ステージ13とミラー保持部5の位置関係を保持したまま顕微鏡11全体が移動する構成であってもよい。
また、搭載される観察装置が表面観察(ミクロ検査)を行うレボルバ等の対物レンズ交換式の顕微鏡であった場合には、ミラー退避機構10によりミラー保持部5(反射ミラー群)を対物レンズ12に干渉しない位置に退避させるか、又は図示しないミラー昇降機構を駆動してミラー保持部5を基板端面7aより下方に移動させる。この退避・移動により、対物レンズ12と反射ミラー群の干渉を防ぐことができるため、種々の作動距離(WD)の対物レンズを使用することができる。そのため、対物レンズ12の作動距離(WD)によらない自由な表面観察領域を実現することができる。
また、搭載される観察装置が表面観察(ミクロ検査)を行うレボルバ等の対物レンズ交換式の顕微鏡であった場合には、ミラー退避機構10によりミラー保持部5(反射ミラー群)を対物レンズ12に干渉しない位置に退避させるか、又は図示しないミラー昇降機構を駆動してミラー保持部5を基板端面7aより下方に移動させる。この退避・移動により、対物レンズ12と反射ミラー群の干渉を防ぐことができるため、種々の作動距離(WD)の対物レンズを使用することができる。そのため、対物レンズ12の作動距離(WD)によらない自由な表面観察領域を実現することができる。
このように構成された本実施形態の端面検査装置による検査について説明する。
まず、光学観察装置となる顕微鏡のステージ13に検査対象物となる基板7を載置する。光源の電源をオンして対物レンズ12を通じて、照明光を観察領域、即ち基板端面7aに照射する。この照明光は、顕微鏡に設けられた光源から投光管(図示せず)を通じて対物レンズに入射して、基板端面7aに照射される。その光源の種類は、LED、ハロゲンランプ、水銀ランプ又は、メタルハライドランプ等、特に制限は無い。対物レンズ12においても、作動距離(WD)が元々広ければ倍率の制限は無い。
まず、光学観察装置となる顕微鏡のステージ13に検査対象物となる基板7を載置する。光源の電源をオンして対物レンズ12を通じて、照明光を観察領域、即ち基板端面7aに照射する。この照明光は、顕微鏡に設けられた光源から投光管(図示せず)を通じて対物レンズに入射して、基板端面7aに照射される。その光源の種類は、LED、ハロゲンランプ、水銀ランプ又は、メタルハライドランプ等、特に制限は無い。対物レンズ12においても、作動距離(WD)が元々広ければ倍率の制限は無い。
例えば、対物レンズ12の光軸に対して基板水平面方向に対して、例えば45度傾けて配置されている反射ミラー3に入射する。反射ミラー3はミラー面の反射率が十分高ければ、その種類に制限は無く、45度プリズムであっても使用することができる。勿論、この角度45度は限定されたものではなく、設計により適宜変更することが可能である。
反射ミラー3で反射した照明光は基板水平面方向に照射され、その一部は基板端面7aに照射する。この基板端面7aで反射した光は、再度、反射ミラー3に戻り、光軸に沿って対物レンズ12に入射する。反射した光は、対物レンズ12を通じて顕微鏡内部の観察光学系を経て接眼レンズに入射する。又は、撮像部17(CCDカメラ)にて撮像され、モニタ18上に表示される。いずれの経路であってもそれぞれ実像として観察することができる。
基板端面7aからの反射光は、その端面角度に応じて拡散しているため、反射ミラー群を観察したい角度に相応する位置と角度に変更することによりあらゆる端面位置の画像を得ることも出来る。つまり、基板端面7aの像は、基板表面に近い角度位置では、その反射像が基板端面7aより上方に反射し、基板裏面に近い角度位置では基板端面より下方に反射するので、それらに応じてミラー保持部5の各ミラーが所望する角度と観察位置(観察視野範囲)となるよう変更可能としてもよい。特に、基板端面7aが面取り部を有する場合、少しずつ見る位置が面取り(傾き)に合わせて変わるので補正が可能となる。
このような場合でも対物レンズ1のWDが十分大きければ駆動距離を変更する必要は生じない。各反射ミラー2,3及び4が、平面研磨された平面の反射面を有する場合は、上述した通りに移動させればよいが、反射面が曲面研磨により連続する曲面の反射面に形成されていてもよい。得られる画像に歪みがあるが、ある範囲の基板端面7aの領域は観察可能である。尚、曲面の反射ミラーによる光像を撮像した画像データに対しては、画像処理の段階でその画像の歪みを補正する処理を施してモニタ18に表示してもよい。
以上説明したように、第1の実施形態によれば、複数の反射ミラーと退避又は昇降移動可能な保持部から成る簡易な構成であり、光学観察装置となる顕微鏡に搭載することにより、基板端面の表面から裏面に至る全範囲に亘って欠陥を実像化された画像に対して、目視検査により簡単に検査判断を行うことができる。また、複数の反射ミラーを基板端面の表面から裏面に至る全範囲に亘ってカバーするように保持固定して観察するため、反射ミラーの角度を可変する機構が不要であり、低廉化することが可能である。
さらに、本実施形態の端面検査装置は、任意の顕微鏡に搭載しているため、その顕微鏡が有する機能を利用することができるため、専用の検査装置と同等に基板端面を観察し、且つ欠陥等を容易に見出すことができる。特に、搭載した顕微鏡の観察機能が全て利用することが可能であり、明視野、暗視野、微分観察等、又は絞りの可変によるコントラストの調整、照明光源の種類の変更など、広い適用範囲を有している。また、本実施形態による基板端面からの反射光は、その端面角度に応じて、拡散しているため、各反射ミラーを観察したい角度に相応する位置と角度に変更可能とすることによりあらゆる端面位置の画像を得ることができる。
図3には、本発明の端面検査装置に係る第2の実施形態としての装置構成例を示して説明する。図3(a)は、光学観察装置に搭載された状態の端面検査装置の概略的な構成を示し、図3(b)は、光学観察装置の対物レンズの光軸方向から見た端面検査装置の上面外観構成を示す図である。ここで、前述した第1の実施形態における構成要素(構成部品)で同一のものには同じ参照符号を付してその説明を省略し、第1の実施形態と同様に図2に示すような顕微鏡11に搭載されたものとして説明する。
本実施形態の端面検査装置1は、ステージ13に載置した基板7を回転させつつ、全基板外周に亘り基板端面7aを連続して観察し検査する。検査を行う基板7をステージ13上に載置する場合、顕微鏡側が有するアライメントユニット等を用いて、基板中心がステージ回転中心と一致するように載置されることが理想であるが、どのような位置調整及び基板保持手段を用いても、若干のアライメントずれによる偏心は避けることができない。また、回転するステージ13上に載置される基板7の歪み等により発生する基板水平面(表面:素子形成面、又は裏面)7bにおける上下の揺れが発生する。載置された基板7の大きなアライメントずれや上下の揺れは、接眼部16又は撮像部17に対して、焦点位置及び観察位置に影響を与える。つまり、モニタで観察したときのピント外れや視野からのずれが発生する。
これらを解決するため、本実施形態における端面検査装置1は、基板7が回転した際に基板水平面に発生する上下方向の揺れ即ち、上下変動を検出する上下位置センサ8と、基板7が回転した際に基板水平面方向に発生する基板端面7aの遠近の揺れ即ち、偏心変動を検出する偏心センサ9と、基板水平方向にミラー保持部5を移動するミラー水平移動機構26とを備える。これらの上下位置センサ8及び偏心センサ9は観察光学装置本体に固定されている。これら上下位置センサ8及び偏心センサ9は、隣接して配置される。また、各センサからの信号は、ステージ13の回転角度と対応付けできるようにしている。これらのセンサにおける検出方式は、反射形、透過形又は近接形等、適宜検査対象物に適した方式を選択する。但し、上下位置センサ8及び偏心センサ9による2つの同時検出は、必須ではなく、基板種類や厚みなどで上下変動が無い場合などには省略することも可能である。また、ステージ13は、ステージ駆動部14の指示により3次元方向に移動し、基板7の偏心及び上下変動を抑制するように動作する。ここで、ミラー水平移動機構26を設け、これは、観察光学装置本体に水平移動可能に設置されてもよい。つまり、ミラー保持部5は、ミラー水平移動機構26により基板水平方向に移動可能とし、また、第1の実施形態と同様に、ミラー昇降機構(図示せず)により上下に移動可能としてもよい。
これらのうち、上下位置センサ8からの基板7の上下変動成分の検出信号は、誤差信号(エラー信号)として制御部19に送出され処理部25で演算される。同様に、偏心センサ9からの基板7の偏芯変動成分の検出信号は、制御部19に送出され処理部25で演算される。そして、この演算では、基板端面7a中心位置が常に一定となるように、ステージ13の上下方向及びステージ13の軸中心と光軸を結ぶ方向の移動すべき量を算出し、ステージ駆動部14に制御信号が入力される。この時、それぞれの移動方向は、エラー信号をキャンセルする方向である。即ち、上下変動成分及び偏芯変動成分を無くすように移動させるフィードバック制御を行う。
この時の誤差残差は、主に合焦精度に影響するが倍率の低い対物レンズ12であれば、その焦点深度は20μm程度であり、誤差残差がこの範囲内であれば像の品質に大きな影響を与えない。尚、この誤差残差の解消のため、顕微鏡にオートフォーカス機能を備えてもよい。
従って本実施形態では、ステージ駆動部14にフィードバック制御させて、常に最適な観察位置と合焦状態を維持させる。このような自動観察位置と合焦位置の調整が行われることにより、基板7を高速で回転させて、基板端面7aを連続的にピントずれや観察位置ずれが発生せずに撮像でき、画像処理部23で画像処理して記憶部24に記憶することが可能となる。検査者は、撮像後に記憶部24から画像データを読み出して、モニタ18に基板端面画像を表示させて検査を行うことができる。
また本実施形態は、専用の上下位置センサ8及び偏心センサ9は反射ミラー群近傍に配置されている構成例であったが、これらのセンサを顕微鏡が有する機能により代用することもできる。例えば、アライメント機構で検出したデータをセンサ検出信号として用いてもよい。この検出したデータを用いる場合は、ステージ13の回転角に応じたオープン制御となる。この機能を兼用させることにより、第1の実施形態の構成で本実施形態の効果を得られ、且つセンサを設ける必要がないため、低廉化で実現できる。本実施形態によれば、基板をステージによって回転させ、常に安定した連続的な基板端面の画像を得ることができ、特に検査時間の短縮に大きく寄与する。
図4には、本発明の端面検査装置に係る第3の実施形態としての装置構成例を示して説明する。図4(a)は、光学観察装置に搭載された状態の端面検査装置の概略的な構成を示し、図4(b)は、光学観察装置の対物レンズの光軸方向から見た端面検査装置の上面外観構成を示す図であり、図4(c)は、光学観察装置のステージ側から見た正面外観構成を示す図である。
本実施形態は、前述した第1,第2の実施形態の構成に、さらに光源を設けて、間接照明による暗視野観察を可能とするものである。公知なように暗視野による観察は、対物レンズ12の落射照明を利用した明視野観察とは異なった効果をもたらしている。一般的に傷、クラック、異物の抽出においては、明視野観察よりも暗視野の方が優れている。
図4(a)〜(c)に示すように、光源となるリング照明31は、基板7側から見てミラー保持部5の後方近傍に配置され、反射ミラー群の周囲後方から基板端面7a全域を照明する。このリング照明部31は、例えば、複数の発光ダイオード(LED)30をリング状に配置され、基板水平面(表面及び裏面)を0°として、表面及び裏面側に対してそれぞれ45°の角度幅を持つように配置されている。また、LEDに代わって、ファイバー照明のリングアダプタ等を用いてもよい。また、リングアダプタの形状は、種々のものが選択可能である。例えば、半球状のドーム形状であってもよい。また、同心円状で中心から外周方向の線で分割された面光源であってもよい。この光源の発光波長は、基板端面方向から入射されるため、基板水平面への影響はほとんど無く、斜照明等の広い範囲での選択が出来る。
このリング照明部31から発光された照明光は、基板端面7aで全拡散する。傷等の無い鏡面であれば反射ミラーに入射する光は存在せず暗い像となる一方、傷、異物などが存在する場合は乱反射した光の一部が反射ミラー側に到達して対物レンズに捕捉される。
この実施形態によれば、暗視野観察機能を有していない顕微鏡に搭載された場合でも、光源を搭載することにより、暗視野観察を行うことができる。
この実施形態によれば、暗視野観察機能を有していない顕微鏡に搭載された場合でも、光源を搭載することにより、暗視野観察を行うことができる。
尚、照明の点燈させるLEDは、すべてである必要はなく、最も観察に適した部分のみでもよい。また、観察に適した部分を選択するのに当たっては、予め複数の点燈させる候補を準備しておき、観察しながら選択できるようにしてもよい。
また、対物レンズの水平方向の移動のみで観察方向を変更できることを説明したが、対物レンズの倍率や基板の厚さ、基板端面の形状によっては、ピント調整が必要となる場合がある。この時は、観察装置の対物レンズをミラー保持部5及びステージ13に対して水平方向のみではなく、垂直方向にも2次元的に相対移動させるようにすればよい。
1…端面検査装置、2,3,4…反射ミラー、5…ミラー保持部、10…ミラー退避機構、7…基板、7a…基板端面、8…上下位置センサ、9…偏心センサ、10a,10b…固定ネジ、11…顕微鏡、12…対物レンズ、13…ステージ、14…ステージ駆動部、15a,15b…光源、16…接眼部、17…撮像部、18…モニタ、19…制御部、20…入力部、21…位置制御部、22…撮像制御部、23…画像処理部、24…記憶部、25…処理部、26…ミラー水平移動機構、30…発光ダイオード(LED)、31…リング照明部。
Claims (5)
- 対物レンズ及び移動回転可能なステージを有する任意の光学観察装置に搭載され、
複数の反射ミラーが、前記ステージに載置される薄板状基板の端面及び該端面に掛かる表裏面まで回り込む前記光学観察装置の観察視野範囲を有し、且つ前記端面から各反射ミラーの反射面を経て前記対物レンズに至るまでの各光軸の距離が等しくなるように、前記対物レンズと前記基板の端面の近傍に設けられるミラー保持部を具備し、
前記基板の端面及び該端面に掛かる表裏面を観察することを特徴とする端面検査装置。 - 前記各光軸を選択するように対物レンズを水平方向に移動することにより、前記基板の端面の観察方向を変更することを特徴とする請求項1に記載の端面検査装置。
- 前記端面検査装置において、さらに、
回転する前記ステージに載置される前記基板における基板水平面に発生する前記反射ミラーに対して上下方向の揺れである上下変動を検出する上下位置センサと、
回転する前記ステージに載置される前記基板における基板水平面方向に発生する前記反射ミラーに対する前記基板端面の距離の遠近の揺れである偏心変動を検出する偏心センサと、
を備え、
前記上下位置センサ及び前記偏心センサにより検出された上下変動成分及び偏芯変動成分を無くすように、前記ステージの移動と、前記対物レンズ及び前記ミラー保持部を相対的に移動させる、フィードバック制御を行うことを特徴とする請求項1に記載の端面検査装置。 - 前記端面検査装置において、さらに、
前記基板側から見て前記ミラー保持部の近傍に配置される光源を備え、
前記光源の照明光を前記反射ミラーの近傍から前記基板端面検査部位を照明し、前記基板端面を観察することを特徴とする請求項1に記載の端面検査装置。 - 前記端面検査装置において、
前記反射ミラーは、反射面が平面若しくは曲面で形成されることを特徴とする請求項1に記載の端面検査装置。
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JP (1) | JP2007155448A (ja) |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009054469A1 (ja) * | 2007-10-25 | 2009-04-30 | Nikon Corporation | 観察装置および観察方法、並びに検査装置および検査方法 |
JP2010034118A (ja) * | 2008-07-25 | 2010-02-12 | Ebara Corp | 基板処理装置 |
JP2011199142A (ja) * | 2010-03-23 | 2011-10-06 | Honda Motor Co Ltd | 薄膜太陽電池の製造方法および製造装置 |
CN102569119A (zh) * | 2011-12-19 | 2012-07-11 | 立晔科技股份有限公司 | 晶片或晶圆检测装置 |
KR101379817B1 (ko) * | 2009-07-07 | 2014-04-01 | 엘지디스플레이 주식회사 | 백라이트 어셈블리 검사 장치 및 표시소자 검사 장치 |
CN107104064A (zh) * | 2016-02-22 | 2017-08-29 | 东京毅力科创株式会社 | 基板拍摄装置 |
CN109411379A (zh) * | 2017-08-15 | 2019-03-01 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置 |
TWI662251B (zh) * | 2018-04-02 | 2019-06-11 | China University Of Science And Technology | 三維線性檢測方法及系統 |
JP2019536113A (ja) * | 2017-09-02 | 2019-12-12 | フナン チャンシャ アワーツール バイオロジカル テクノロジー カンパニー リミテッド | 鏡像顕微結像装置、顕微操作針の姿勢校正システム及び姿勢校正方法 |
JP2020004998A (ja) * | 2019-09-25 | 2020-01-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板撮像装置 |
CN112113974A (zh) * | 2020-08-07 | 2020-12-22 | 深圳瑞波光电子有限公司 | 一种芯片检测装置及芯片检测的方法 |
JP2022009316A (ja) * | 2017-11-20 | 2022-01-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び塗布モジュールのパラメータの調整方法並びに記憶媒体 |
JP2022023202A (ja) * | 2019-09-25 | 2022-02-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板撮像装置及び基板撮像方法 |
JP2022062132A (ja) * | 2017-08-15 | 2022-04-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
-
2005
- 2005-12-02 JP JP2005349625A patent/JP2007155448A/ja not_active Withdrawn
Cited By (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009054469A1 (ja) * | 2007-10-25 | 2009-04-30 | Nikon Corporation | 観察装置および観察方法、並びに検査装置および検査方法 |
JP2010034118A (ja) * | 2008-07-25 | 2010-02-12 | Ebara Corp | 基板処理装置 |
US8414355B2 (en) | 2008-07-25 | 2013-04-09 | Ebara Corporation | Substrate processing apparatus |
KR101379817B1 (ko) * | 2009-07-07 | 2014-04-01 | 엘지디스플레이 주식회사 | 백라이트 어셈블리 검사 장치 및 표시소자 검사 장치 |
JP2011199142A (ja) * | 2010-03-23 | 2011-10-06 | Honda Motor Co Ltd | 薄膜太陽電池の製造方法および製造装置 |
CN102569119A (zh) * | 2011-12-19 | 2012-07-11 | 立晔科技股份有限公司 | 晶片或晶圆检测装置 |
CN114070977A (zh) * | 2016-02-22 | 2022-02-18 | 东京毅力科创株式会社 | 基板拍摄装置 |
KR20170098694A (ko) * | 2016-02-22 | 2017-08-30 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 촬상 장치 |
JP2017152443A (ja) * | 2016-02-22 | 2017-08-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板撮像装置 |
CN107104064A (zh) * | 2016-02-22 | 2017-08-29 | 东京毅力科创株式会社 | 基板拍摄装置 |
US11832026B2 (en) | 2016-02-22 | 2023-11-28 | Tokyo Electron Limited | Substrate imaging apparatus |
KR102684594B1 (ko) | 2016-02-22 | 2024-07-15 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 촬상 장치 |
CN107104064B (zh) * | 2016-02-22 | 2021-11-09 | 东京毅力科创株式会社 | 基板拍摄装置 |
US10523905B2 (en) | 2016-02-22 | 2019-12-31 | Tokyo Electron Limited | Substrate imaging apparatus |
TWI834967B (zh) * | 2016-02-22 | 2024-03-11 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 基板拍攝裝置 |
US10958879B2 (en) | 2016-02-22 | 2021-03-23 | Tokyo Electron Limited | Substrate imaging apparatus |
CN109411379B (zh) * | 2017-08-15 | 2024-02-20 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置 |
JP7274009B2 (ja) | 2017-08-15 | 2023-05-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JP2019036634A (ja) * | 2017-08-15 | 2019-03-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
CN109411379A (zh) * | 2017-08-15 | 2019-03-01 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置 |
JP2022062132A (ja) * | 2017-08-15 | 2022-04-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
AU2018325048B2 (en) * | 2017-09-02 | 2020-07-30 | Hunan Changsha Ourtool Biological Technology Co., Ltd. | Mirror image microscopic imaging device, and microneedle attitude calibration system and method |
JP2019536113A (ja) * | 2017-09-02 | 2019-12-12 | フナン チャンシャ アワーツール バイオロジカル テクノロジー カンパニー リミテッド | 鏡像顕微結像装置、顕微操作針の姿勢校正システム及び姿勢校正方法 |
US11372225B2 (en) | 2017-09-02 | 2022-06-28 | Hunan Changsha Ourtool Biological Technology Co., Ltd. | Mirror image microscopic imaging device, and microneedle attitude calibration system and method |
JP2022009316A (ja) * | 2017-11-20 | 2022-01-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び塗布モジュールのパラメータの調整方法並びに記憶媒体 |
TWI662251B (zh) * | 2018-04-02 | 2019-06-11 | China University Of Science And Technology | 三維線性檢測方法及系統 |
JP7314237B2 (ja) | 2019-09-25 | 2023-07-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板撮像装置及び基板撮像方法 |
JP2022023202A (ja) * | 2019-09-25 | 2022-02-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板撮像装置及び基板撮像方法 |
JP2020004998A (ja) * | 2019-09-25 | 2020-01-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板撮像装置 |
JP7511724B2 (ja) | 2019-09-25 | 2024-07-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板撮像装置及び基板撮像方法 |
CN112113974A (zh) * | 2020-08-07 | 2020-12-22 | 深圳瑞波光电子有限公司 | 一种芯片检测装置及芯片检测的方法 |
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