Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

JP2007143099A - Ramp signal generation circuit and electro-optical device - Google Patents

Ramp signal generation circuit and electro-optical device Download PDF

Info

Publication number
JP2007143099A
JP2007143099A JP2006107267A JP2006107267A JP2007143099A JP 2007143099 A JP2007143099 A JP 2007143099A JP 2006107267 A JP2006107267 A JP 2006107267A JP 2006107267 A JP2006107267 A JP 2006107267A JP 2007143099 A JP2007143099 A JP 2007143099A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
terminal
voltage
double
switch
throw switch
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2006107267A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Katsunori Yamazaki
克則 山崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Epson Imaging Devices Corp
Original Assignee
Epson Imaging Devices Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Epson Imaging Devices Corp filed Critical Epson Imaging Devices Corp
Priority to JP2006107267A priority Critical patent/JP2007143099A/en
Publication of JP2007143099A publication Critical patent/JP2007143099A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)
  • Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a ramp signal generation circuit and an electro-optical device with low power consumption. <P>SOLUTION: As a first process a single-throw switch S<SB>0</SB>is closed, and for double-throw switches S<SB>1-u</SB>, S<SB>1-d</SB>, S<SB>2</SB>a terminal a and a common terminal are closed. As a second process, the single-throw switch S<SB>0</SB>is opened, and for the double throw switches S<SB>1-u</SB>, S<SB>1-d</SB>, S<SB>2</SB>the terminal a and the common terminal are closed. As a third process, for the double-throw switches S<SB>1-u</SB>, S<SB>1-d</SB>, S<SB>2</SB>a terminal b and the common terminal are closed. Thereafter, the second and third processes are repeated. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、電気光学装置に好適なランプ波形を生成する技術に関する。   The present invention relates to a technique for generating a lamp waveform suitable for an electro-optical device.

液晶などの電気光学的な変化により表示を行う電気光学装置は、走査線に選択電圧が印
加される期間に、階調に応じた電圧を、データ線を介して画素電極に印加することにより
画素に印加される電圧実効値を制御して、階調表示を行う構成となっている。ただし、こ
の構成では、階調に応じた電圧を、正極性および負極性の電圧を生成する必要があるので
、電圧生成回路が複雑化して、構成の簡易化を阻害する。
そこで、走査線に選択電圧が印加される期間に、画素電極に対向するコモン電極に対し
、電圧が徐々に変化するランプ信号を印加するとともに、データ線を階調に応じた期間だ
け所定の電位に保った後、ハイ・インピーダンス状態とさせる技術が提案されている(特
許文献1参照)。
このようなランプ信号を生成する技術としては、上記文献のほか、容量素子(コンデン
サ)を定電流源で充電させることによって、コンデンサの保持電圧を、一定の割合で変化
させ、これをランプ信号とする技術が挙げられる(特許文献2参照)。
特開平7−281641号公報 特開平6−326565号公報
An electro-optical device that performs display by an electro-optical change such as a liquid crystal displays a pixel by applying a voltage corresponding to a gradation to a pixel electrode through a data line during a period in which a selection voltage is applied to the scanning line. The gray scale display is performed by controlling the effective voltage value applied to. However, in this configuration, it is necessary to generate a positive polarity voltage and a negative polarity voltage according to the gradation, so that the voltage generation circuit becomes complicated, and simplification of the configuration is hindered.
Therefore, during the period when the selection voltage is applied to the scanning line, a ramp signal whose voltage gradually changes is applied to the common electrode facing the pixel electrode, and the data line is set to a predetermined potential only during the period corresponding to the gradation. A technique for bringing the state into a high impedance state after being kept at is proposed (see Patent Document 1).
As a technique for generating such a ramp signal, in addition to the above-mentioned document, a capacitor element (capacitor) is charged with a constant current source to change the holding voltage of the capacitor at a constant rate, and this is referred to as a ramp signal. (Refer to Patent Document 2).
JP-A-7-281642 JP-A-6-326565

ところで、電気光学装置では、低消費電力であることの要求が極めて強い。このため、
ランプ信号生成回路についても、ランプ信号を生成する際に、低消費電力であることが強
く求められているが、上記2つの技術では低消費電力化の観点において十分ではなかった

本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、低消費
電力化を図ったランプ信号生成回路および電気光学装置を提供することにある。
By the way, in the electro-optical device, there is an extremely strong demand for low power consumption. For this reason,
The ramp signal generation circuit is also strongly required to have low power consumption when generating the ramp signal, but the above two techniques are not sufficient in terms of low power consumption.
The present invention has been made in view of such circumstances, and an object thereof is to provide a lamp signal generation circuit and an electro-optical device that achieve low power consumption.

上記目的を達成するため本発明にあっては、単投スイッチと、第1、第2および第3双
投スイッチと、第1、第2および第3容量素子と、基準電圧源と、バッファ回路と、スイ
ッチ制御回路と、を具備し、前記第1および第2双投スイッチの共通端に前記第1容量素
子が介挿され、前記第1双投スイッチの第1端子に前記基準電圧源の一方の極が接続され
、前記第3双投スイッチの共通端に前記第2容量素子の一方の端子が接続され、前記第3
双投スイッチの第1端子に、前記単投スイッチの一方の端子、前記第3容量素子の一方の
端子、および、前記バッファ回路の入力端が接続され、前記第1または第2双投スイッチ
のいずれか一方の第2端子に、前記第3双投スイッチの第2端子が接続され、前記基準電
圧源の他方の極に、前記第2双投スイッチの第1端子、前記第2容量素子の他方の端子、
前記単投スイッチの他方の端子、および、前記第3容量素子の他方の端子が共通接続され
、前記バッファ回路の出力端が前記第1または第2双投スイッチのいずれか他方の第2端
子に接続され、前記バッファ回路の電圧を出力とし、前記スイッチ制御回路は、第1行程
として、前記単投スイッチを閉成させ、第2行程として、前記単投スイッチを開放させる
とともに、前記第1、第2および第3双投スイッチに対し、それぞれ前記第1端子と前記
共通端とを閉成させ、第3行程として、前記第1、第2および第3双投スイッチに対し、
それぞれ前記第2端子と前記共通端とを閉成させ、以降、前記第2および第3行程とを繰
り返すことを特徴とする。
この構成によれば、第1容量素子への充電、第2および第3容量素子への分配を繰り返
すことによって、ランプ信号が生成されるので、消費される電力が抑えられるとともに、
ランプ信号の電圧変化を、第2および第3行程の繰り返し周期でコントロールすることが
できる。
To achieve the above object, the present invention includes a single throw switch, first, second and third double throw switches, first, second and third capacitive elements, a reference voltage source, and a buffer circuit. And a switch control circuit, wherein the first capacitive element is inserted at a common end of the first and second double throw switches, and the reference voltage source is connected to a first terminal of the first double throw switch. One pole is connected, one terminal of the second capacitive element is connected to the common end of the third double throw switch, and the third
One terminal of the single throw switch, one terminal of the third capacitive element, and an input terminal of the buffer circuit are connected to the first terminal of the double throw switch, and the first or second double throw switch The second terminal of the third double-throw switch is connected to one of the second terminals, and the first terminal of the second double-throw switch and the second capacitor element are connected to the other pole of the reference voltage source. The other terminal,
The other terminal of the single throw switch and the other terminal of the third capacitive element are connected in common, and the output terminal of the buffer circuit is connected to the other second terminal of the first or second double throw switch. The output of the voltage of the buffer circuit, and the switch control circuit closes the single throw switch as a first stroke and opens the single throw switch as a second stroke, and the first, For the second and third double throw switches, the first terminal and the common end are closed, respectively, and as the third stroke, for the first, second and third double throw switches,
The second terminal and the common end are respectively closed, and thereafter, the second and third steps are repeated.
According to this configuration, since the ramp signal is generated by repeating the charging to the first capacitor element and the distribution to the second and third capacitor elements, the consumed power is suppressed, and
The voltage change of the ramp signal can be controlled by the repetition period of the second and third strokes.

本発明において、前記第1または第2双投スイッチのいずれか一方の第2端子を選択し
て、前記第3双投スイッチの第2端子に接続するとともに、前記第1または第2双投スイ
ッチのいずれか他方の第2端子を選択して、前記バッファ回路の出力端に接続する切替回
路を、さらに有する構成としても良い。この構成によりランプ信号の変化方向を上昇方向
と下降方向とで切り替えることが可能となる。
本発明において、第4および第5双投スイッチと、第4容量素子と、をさらに有し、前
記第4および第5双投スイッチの共通端に第4容量素子が介挿され、前記バッファ回路の
出力端に前記第4双投スイッチの第1端子が接続され、前記基準電圧源の他方の極に、さ
らに前記第4双投スイッチの第2端子、および、前記第5双投スイッチの第1端子が接続
され、前記第5双投スイッチの第2端子が前記バッファ回路の入力端に接続され、前記ス
イッチ制御回路は、前記第1行程において、前記第4および第5双投スイッチに対し、そ
れぞれ前記第1端子と前記共通端とを閉成させ、前記第2行程以降において、前記第4お
よび第5双投スイッチに対し、それぞれ前記第2端子と前記共通端とを一旦閉成させた後
に開放する構成としても良い。
この構成において、前記第3容量素子を外した場合に、前記スイッチ制御回路は、前記
第1行程において、前記第4および第5双投スイッチに対し、それぞれ前記一方の端子と
前記共通端とを閉成させ、前記第2行程以降において、前記第4および第5双投スイッチ
に対し、それぞれ前記他方の端子と前記共通端とを閉成させても良い。
また、前記スイッチ制御回路によって前記第2および第3行程が所定回数繰り返された
ときに、前記バッファ回路による出力電圧が所定の電圧に達してなければ、前記第3容量
素子の容量値に対して前記第1または第2容量素子の容量値の相対値が小さくなるように
、前記第1、第2、第3容量素子の少なくとも1つの容量値を変更する容量変更回路と、
をさらに有して良いし、前記スイッチ制御回路によって前記第2および第3行程が所定回
数繰り返される以前に、前記バッファ回路による出力電圧が所定の電圧に達したとき、前
記第3容量素子の容量値に対して前記第1、第2または第3容量素子の容量値の相対値が
大きくなるように、前記第1、第2、第3容量素子の少なくとも1つの容量値を変更する
容量変更回路と、をさらに有しても良い。
一方、前記スイッチ制御回路によって前記第2および第3行程が所定回数繰り返された
ときに、前記バッファ回路による出力電圧が所定の電圧に達してない場合、前記第4容量
素子の容量値に対して前記第1または第2容量素子の容量値の相対値が小さくなるように
、前記第1、第2および第3容量素子の少なくとも1つの容量値を変更する容量変更回路
をさらに有する構成としても良いし、前記スイッチ制御回路によって前記第2および第3
行程が所定回数繰り返される以前に、前記バッファ回路による出力電圧が所定の電圧に達
した場合、前記第4容量素子の容量値に対して前記第1または第2容量素子の容量値の相
対値が大きくなるように、前記第1、第2および第3容量素子の少なくとも1つの容量値
を変更する容量変更回路をさらに有する構成としても良い。
なお、本発明は、ランプ信号生成回路のみならず、当該ランプ信号生成回路を有する電
気光学装置としても概念することが可能である。
In the present invention, the second terminal of either the first or second double throw switch is selected and connected to the second terminal of the third double throw switch, and the first or second double throw switch It is good also as a structure which further has the switching circuit which selects the other 2nd terminal and connects to the output terminal of the said buffer circuit. With this configuration, the change direction of the ramp signal can be switched between the upward direction and the downward direction.
In the present invention, the buffer circuit further includes fourth and fifth double throw switches and a fourth capacitive element, and a fourth capacitive element is interposed at a common end of the fourth and fifth double throw switches. Is connected to the first terminal of the fourth double-throw switch, to the other terminal of the reference voltage source, to the second terminal of the fourth double-throw switch, and to the second terminal of the fifth double-throw switch. One terminal is connected, a second terminal of the fifth double-throw switch is connected to an input terminal of the buffer circuit, and the switch control circuit is connected to the fourth and fifth double-throw switches in the first step. The first terminal and the common end are closed, and after the second stroke, the second terminal and the common end are once closed for the fourth and fifth double throw switches, respectively. It is good also as a structure opened after a while.
In this configuration, when the third capacitive element is removed, the switch control circuit connects the one terminal and the common end to the fourth and fifth double throw switches in the first stroke, respectively. The second terminal and the common end may be closed with respect to the fourth and fifth double throw switches after the second stroke.
If the output voltage from the buffer circuit does not reach a predetermined voltage when the second and third steps are repeated a predetermined number of times by the switch control circuit, the capacitance value of the third capacitive element A capacitance changing circuit that changes at least one capacitance value of the first, second, and third capacitance elements so that the relative value of the capacitance values of the first or second capacitance elements becomes small;
And when the output voltage from the buffer circuit reaches a predetermined voltage before the switch control circuit repeats the second and third steps a predetermined number of times, the capacitance of the third capacitor element A capacitance changing circuit that changes at least one capacitance value of the first, second, and third capacitive elements so that the relative value of the capacitance value of the first, second, or third capacitive element is larger than the value. And may further include
On the other hand, if the output voltage from the buffer circuit does not reach a predetermined voltage when the second and third steps are repeated a predetermined number of times by the switch control circuit, the capacitance value of the fourth capacitive element A configuration may further include a capacitance changing circuit that changes at least one capacitance value of the first, second, and third capacitance elements so that the relative value of the capacitance values of the first or second capacitance elements becomes small. The second and third are controlled by the switch control circuit.
If the output voltage from the buffer circuit reaches a predetermined voltage before the process is repeated a predetermined number of times, the relative value of the capacitance value of the first or second capacitance element with respect to the capacitance value of the fourth capacitance element is It may be configured to further include a capacitance changing circuit that changes at least one capacitance value of the first, second, and third capacitance elements so as to increase.
The present invention can be conceptualized not only as a lamp signal generation circuit but also as an electro-optical device having the lamp signal generation circuit.

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

<第1実施形態>
まず、本発明の第1実施形態に係るランプ信号生成回路について説明する。図1は、こ
のランプ信号生成回路の構成を示す回路図である。
この図に示されるように、ランプ信号生成回路10は、単投スイッチSと、双投スイ
ッチS1−u、S1−dおよびSと、コンデンサ21、22、23と、基準電圧源30
と、バッファ回路40と、スイッチ制御回路50とを有する。
このうち、単投スイッチSは、スイッチ制御回路50から供給されるリセット信号R
esがHレベルのときに閉成するものであり、また、双投スイッチS1−u、S1−dおよ
びSの各々は、スイッチ制御回路50から供給されるクロック信号ClkがHレベルのと
きに、共通端子と端子a(第1端子)との間で閉成する一方、クロック信号ClkがLレベ
ルのときに、共通端子と端子b(第2端子)との間で閉成するものである。なお、本実施
形態において、双投スイッチS1−u、S1−dおよびSが、それぞれ第1、第2およ
び第3双投スイッチに相当する。
<First Embodiment>
First, the ramp signal generation circuit according to the first embodiment of the present invention will be described. FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration of the ramp signal generation circuit.
As shown in this figure, the ramp signal generation circuit 10 includes a single throw switch S 0 , double throw switches S 1 -u , S 1 -d and S 2 , capacitors 21, 22 and 23, and a reference voltage source. 30
And a buffer circuit 40 and a switch control circuit 50.
Among these, the single throw switch S 0 is the reset signal R supplied from the switch control circuit 50.
Each of the double throw switches S 1-u , S 1-d, and S 2 is closed when es is at the H level, and the clock signal Clk supplied from the switch control circuit 50 is at the H level. Sometimes closed between the common terminal and the terminal a (first terminal), while closed between the common terminal and the terminal b (second terminal) when the clock signal Clk is at L level It is. In the present embodiment, the double throw switches S 1-u , S 1-d, and S 2 correspond to the first, second, and third double throw switches, respectively.

双投スイッチS1−u、S1−dの各共通端の間に、コンデンサ21(第1容量素子)
が介挿されている。双投スイッチS1−uの端子aは、基準電圧Vrefを発生させる基準
電圧源30の正極端子に接続され、双投スイッチS1−uの端子bは、双投スイッチS
の端子bに接続されている。
双投スイッチSの共通端子は、コンデンサ22(第2容量素子)の一方の端子に接続
され、双投スイッチSの端子aは、単投スイッチSの一方の端子、コンデンサ23(
第3容量素子)の一方の端子、および、バッファ回路40の入力端にそれぞれ接続されて
いる。
なお、コンデンサ21の端子のうち、双投スイッチS1−uの側を一方の端子mとし、
コンデンサ22の端子のうち、双投スイッチSの側を端子nとする。
Between each common end of the double throw switches S1 -u and S1 -d , a capacitor 21 (first capacitance element)
Is inserted. Terminal a of double throw switch S 1-u is connected to the positive terminal of the reference voltage source 30 that generates a reference voltage Vref, the terminal b of the double throw switch S 1-u is double-throw switch S 2
Is connected to terminal b.
The common terminal of the double-throw switch S 2 is connected to one terminal of the capacitor 22 (second capacitor element), the terminal a of the double throw switch S 2 is one terminal of the single-throw switches S 0, the capacitor 23 (
And the input terminal of the buffer circuit 40, respectively.
Of the terminals of the capacitor 21, the double throw switch S1 -u side is defined as one terminal m,
Of the terminals of the capacitor 22, to the side of the double throw switch S 2 and the terminal n.

バッファ回路40は、増幅率が「1」である電圧増幅回路であり、その出力電圧が、ラ
ンプ信号生成回路10の出力電圧Voutとなる。なお、この出力端は、双投スイッチS
−dの端子bに接続されている。
双投スイッチS1−dの端子a、コンデンサ22の他方の端子、単投スイッチSの他
方の端子、および、コンデンサ23の他方の端子は、それぞれ基準電圧源30の負極性端
子に共通接続されている。本実施形態では、この共通接続部分を、電圧ゼロの接地電位と
している(後述する第2および第3実施形態においても同様である)。
The buffer circuit 40 is a voltage amplification circuit with an amplification factor of “1”, and the output voltage thereof is the output voltage Vout of the ramp signal generation circuit 10. The output terminal is a double throw switch S 1.
-D is connected to the terminal b.
The terminal a of the double throw switch S 1 -d , the other terminal of the capacitor 22, the other terminal of the single throw switch S 0 , and the other terminal of the capacitor 23 are commonly connected to the negative terminal of the reference voltage source 30. Has been. In the present embodiment, the common connection portion is set to a ground potential of zero voltage (the same applies to the second and third embodiments described later).

スイッチ制御回路50は、クロック信号Clkおよびリセット信号Resを出力するもので
ある。ここで、図2に示されるように、リセット信号Resは、動作開始時に、クロック信
号Clkと同時にHレベルとなるが、そのパルス幅はクロック信号Clkよりも短い。また、
クロック信号Clkの周期は、本実施形態では、一定であるが、後述するように変化する場
合もある。
なお、単投スイッチSや、双投スイッチS1−u、S1−dおよびSは、ここでは
機械的なスイッチとして説明しているが、実際には、トランジスタ単体や、トランジスタ
を組み合わせたトランスミッションゲートで構成される電子的なスイッチで構成される。
The switch control circuit 50 outputs a clock signal Clk and a reset signal Res. Here, as shown in FIG. 2, the reset signal Res becomes H level simultaneously with the clock signal Clk at the start of operation, but its pulse width is shorter than that of the clock signal Clk. Also,
The period of the clock signal Clk is constant in the present embodiment, but may change as described later.
Note that the single throw switch S 0 and the double throw switches S 1-u , S 1-d, and S 2 are described here as mechanical switches, but actually, a single transistor or a combination of transistors is used. It consists of an electronic switch composed of transmission gates.

次に、ランプ信号生成回路10の動作について説明する。図3は、ランプ信号生成回路
10の構成を、各期間に分けて簡易的に示す図であり、図4は、各期間におけるスイッチ
の状態と端子nの電圧と出力電圧Voutとの関係を示す図である。
まず、動作開始時において、リセット信号Resとクロック信号Clkとが同時にHレベル
となる期間(1)では、単投スイッチSが閉成するとともに、双投スイッチS1−u
1−dおよびSが共通端子と端子aとの間で閉成する。このため、ランプ信号生成回
路10は、簡易的に図3(1)に示されるように、コンデンサ21が、基準電圧Vrefに
充電される一方、コンデンサ22、23の両端が短絡されるので、電圧保持状態がクリア
される。
なお、バッファ回路40の入力端も接地されるので、出力電圧Voutは、理想的にはゼ
ロとなる。
Next, the operation of the ramp signal generation circuit 10 will be described. FIG. 3 is a diagram simply showing the configuration of the ramp signal generation circuit 10 divided into each period, and FIG. 4 shows the relationship between the switch state, the voltage at the terminal n, and the output voltage Vout in each period. FIG.
First, in the period (1) when the reset signal Res and the clock signal Clk are simultaneously at the H level at the start of operation, the single throw switch S 0 is closed and the double throw switch S 1-u ,
S 1-d and S 2 is closed between the common terminal and the terminal a. For this reason, the ramp signal generation circuit 10 is configured so that the capacitor 21 is charged to the reference voltage Vref while both ends of the capacitors 22 and 23 are short-circuited as shown in FIG. The hold state is cleared.
Since the input terminal of the buffer circuit 40 is also grounded, the output voltage Vout is ideally zero.

続いて、リセット信号ResがLレベルとなり、クロック信号ClkがHレベルを維持する
期間(2)では、単投スイッチSが開放するので、簡易的に図3(2)に示されるよう
な回路となる。バッファ回路40の入力端は、単投スイッチSの開放に伴って接地状態
ではなくなるが、期間(1)の直後の期間(2)において、コンデンサ22、23の保持
電圧がゼロであるので、出力電圧Voutも依然ゼロである。
Subsequently, the reset signal Res is the L level, in the period (2) of the clock signal Clk is maintained at H level, since the single-throw switch S 0 is opened, simplified manner the circuit shown in FIG. 3 (2) It becomes. Although the input terminal of the buffer circuit 40 is not in the grounded state with the opening of the single throw switch S 0 , the holding voltage of the capacitors 22 and 23 is zero in the period (2) immediately after the period (1). The output voltage Vout is still zero.

次に、クロック信号ClkがLレベルになる期間(3)では、双投スイッチS1−u、S
1−dおよびSが共通端子と端子bとの間で閉成する。このため、ランプ信号生成回路
10は、簡易的に図3(3)に示されるような回路となる。このとき、コンデンサ23の
保持電圧がゼロであるので、出力電圧Vou tも依然ゼロである。
一方、電圧Vrefを充電したコンデンサ21の端子mが、コンデンサ22の端子nに接
続されるが、コンデンサ21の他方の端子が電圧ゼロのバッファ回路40の出力端に接続
され、コンデンサ22の他方の端子は電圧ゼロの接地状態にあるので、コンデンサ21に
蓄積された電荷の一部がコンデンサ22に移動する。
ここで、コンデンサ21、22の容量値をそれぞれC、Cとした場合に、コンデン
サ22の保持電圧、すなわち、端子nの電圧は、Vref・C/(C+C)となる。
Next, in the period (3) when the clock signal Clk is at the L level, the double throw switches S 1-u , S
1-d and S 2 is closed between the common terminal and the terminal b. For this reason, the ramp signal generation circuit 10 is simply a circuit as shown in FIG. At this time, since the holding voltage of the capacitor 23 is zero, the output voltage Vout is still zero.
On the other hand, the terminal m of the capacitor 21 charged with the voltage Vref is connected to the terminal n of the capacitor 22, but the other terminal of the capacitor 21 is connected to the output terminal of the buffer circuit 40 having a voltage of zero, and the other terminal of the capacitor 22 is connected. Since the terminal is in a ground state of zero voltage, a part of the electric charge accumulated in the capacitor 21 moves to the capacitor 22.
Here, when the capacitance values of the capacitors 21 and 22 are respectively C 1 and C 2 , the holding voltage of the capacitor 22, that is, the voltage at the terminal n is Vref · C 1 / (C 1 + C 2 ).

引き続き、クロック信号ClkがHレベルになる期間(4)では、双投スイッチS1−u
、S1−dおよびSが共通端子と端子aとの間で閉成するので、期間(2)と同様な回
路構成となる。
ただし、直前におけるコンデンサ22の保持電圧は、上述したように、Vref・C
(C+C)であるので、バッファ回路40の入力端における電圧は、これをコンデン
サ23の容量値Cで再分配したVref・C/(C+C+C)となり、この電圧
がVoutとして出力される。なお、便宜上、このVref・C/(C+C+C)をΔ
Vとする。
一方、コンデンサ21は、端子mを高位側として基準電圧Vrefを再び充電することに
なる。
Subsequently, in the period (4) when the clock signal Clk is at the H level, the double throw switch S1 -u.
Since S 1-d and S 2 is closed between the common terminal and the terminal a, the same circuit configuration as the period (2).
However, the holding voltage of the capacitor 22 immediately before is Vref · C 1 /
Since (C 1 + C 2 ), the voltage at the input terminal of the buffer circuit 40 becomes Vref · C 1 / (C 1 + C 2 + C 3 ), which is redistributed by the capacitance value C 3 of the capacitor 23, and this voltage Is output as Vout. For convenience, Vref · C 1 / (C 1 + C 2 + C 3 ) is expressed as Δ
V.
On the other hand, the capacitor 21 charges the reference voltage Vref again with the terminal m as the high-order side.

クロック信号ClkがLレベルになる期間(5)では、双投スイッチS1−u、S1−d
およびSが共通端子と端子bとの間で閉成するので、期間(3)と同様な回路構成とな
る。
ただし、コンデンサ23の保持電圧をバッファ回路40で増幅率「1」で増幅した出力
電圧Voutは、ΔVであり、この電圧が、電圧Vrefを充電したコンデンサ21の他方の端
子に印加されるとともに、端子mと端子nとが接続され、さらに、コンデンサ22の他方
の端子が電圧ゼロに接地状態にあるので、コンデンサ21に蓄積された電荷の一部がコン
デンサ22に移動する。このとき、端子nの電圧は、Vref・C/(C+C)+Δ
Vとなる。
クロック信号Clkが期間(6)においてHレベルになると、双投スイッチS1−u、S
1−dおよびSが共通端子と端子aとの間で閉成するので、バッファ回路40の入力端
における電圧は、ΔV+ΔV、すなわち2ΔVとなり、これが出力電圧Voutとなる。
In the period (5) when the clock signal Clk is at the L level, the double throw switches S 1-u , S 1-d
And since S 2 is closed between the common terminal and the terminal b, the same circuit configuration as the period (3).
However, the output voltage Vout obtained by amplifying the holding voltage of the capacitor 23 with the amplification factor “1” by the buffer circuit 40 is ΔV, and this voltage is applied to the other terminal of the capacitor 21 charged with the voltage Vref, and Since the terminal m and the terminal n are connected and the other terminal of the capacitor 22 is grounded at a voltage of zero, a part of the electric charge accumulated in the capacitor 21 moves to the capacitor 22. At this time, the voltage at the terminal n is Vref · C 1 / (C 1 + C 2 ) + Δ
V.
When the clock signal Clk becomes H level in the period (6), the double throw switches S 1-u , S
Since 1-d and S 2 is closed between the common terminal and the terminal a, the voltage at the input terminal of the buffer circuit 40, [Delta] V + [Delta] V, i.e. 2ΔV next, which is the output voltage Vout.

以降、クロック信号ClkがHレベルとなる期間においてコンデンサ21を基準電圧Vre
fに充電し、クロック信号ClkがLレベルとなる期間において、コンデンサ21の充電電
圧Vrefを出力電圧Voutだけ持ち上げた状態でコンデンサ22に分配し、クロック信号C
lkが再びHレベルとなる期間において、コンデンサ22の充電電圧をコンデンサ23に再
分配してバッファ回路40を介して出力する一方、コンデンサ21を基準電圧Vrefに充
電する、という動作を繰り返す。
これにより、本実施形態では、図2に示されるように、クロック信号Clkの1周期毎に
、出力電圧VoutがΔVずつ上昇する。
Thereafter, the capacitor 21 is set to the reference voltage Vre during the period when the clock signal Clk is at the H level.
In the period when the clock signal Clk is at the L level, the charge voltage Vref of the capacitor 21 is increased by the output voltage Vout and distributed to the capacitor 22 during the period when the clock signal Clk is at the L level.
During the period in which lk becomes H level again, the operation of redistributing the charging voltage of the capacitor 22 to the capacitor 23 and outputting it through the buffer circuit 40, while charging the capacitor 21 to the reference voltage Vref is repeated.
As a result, in this embodiment, as shown in FIG. 2, the output voltage Vout increases by ΔV for each cycle of the clock signal Clk.

本実施形態は、このようにコンデンサ21に充電した基準電圧Vrefを出力電圧Voutで
持ち上げた状態でコンデンサ22に分配し、さらに、コンデンサ23に再分配し、これを
バッファ回路40が出力する構成である。このため、抵抗分割や定電流源を用いてD/A
変換する構成と比較して、消費電力を極めて低く抑えることが可能となる。
また、本実施形態では、出力電圧Voutがクロック信号Clkの1周期でΔVだけ変化す
る構成であるので、クロック信号Clkの周波数が一定であれば、出力電圧Voutの変化率
も一定となる。このことは逆にいえば、クロック信号Clkの周波数を制御することによっ
て、出力電圧Voutの変化率を任意に設定することが可能であることを意味する。
例えば、図5(a)に示されるように、リセット信号Resの出力後、クロック信号Clk
の周波数を徐々に低下させると、出力電圧Voutの変化率を徐々に小さくすることができ
るし、図5(b)に示されるように、リセット信号Resの出力後、クロック信号Clkの周
波数を徐々に上昇させると、出力電圧Voutの変化率を徐々に大きくすることもできる。
In the present embodiment, the reference voltage Vref charged in the capacitor 21 is distributed to the capacitor 22 in a state where the reference voltage Vref is raised by the output voltage Vout, and is further redistributed to the capacitor 23, which is output by the buffer circuit 40. is there. For this reason, D / A using resistance division or a constant current source
Compared with the configuration for conversion, it is possible to keep power consumption extremely low.
In this embodiment, since the output voltage Vout changes by ΔV in one cycle of the clock signal Clk, if the frequency of the clock signal Clk is constant, the rate of change of the output voltage Vout is also constant. In other words, this means that the rate of change of the output voltage Vout can be arbitrarily set by controlling the frequency of the clock signal Clk.
For example, as shown in FIG. 5A, after the output of the reset signal Res, the clock signal Clk
When the frequency of the output signal Vout is gradually reduced, the rate of change of the output voltage Vout can be gradually reduced. As shown in FIG. 5B, after the reset signal Res is output, the frequency of the clock signal Clk is gradually increased. When the output voltage Vout is increased, the rate of change of the output voltage Vout can be gradually increased.

また、第1実施形態では、出力電圧Voutを電圧ゼロから上昇させて生成したが、構成
について若干の変更を加えることにより、下降させて生成することも可能である。この変
更点については、(A)基準電圧源30の接続を変更する、または、(B)双投スイッチ
1−u、S1−d、Sにおける端子bおよびバッファ回路40の出力端の接続先を変
更する、というものである。
このうち(A)について説明すると 出力電圧Voutを電圧ゼロから下降させるだけで
あれば、図6に示されるように、基準電圧源30の極性を反転するだけで済む。ただし、
出力電圧Voutを下降方向および上昇方向に切替可能に生成する場合に、極性の異なる2
つの基準電圧源30のいずれかを選択する構成は、2つの基準電圧源30が必要となるの
で得策ではない。
このため、出力電圧Voutの下降または上昇方向に応じて、1つの基準電圧源30の極
性を入れ替えて接続する構成が好ましいことになる。なお、この構成については、後述す
る第4実施形態で説明することにする。
In the first embodiment, the output voltage Vout is generated by increasing from zero. However, the output voltage Vout can be generated by lowering the structure by slightly changing the configuration. Regarding this change, (A) the connection of the reference voltage source 30 is changed, or (B) the terminal b and the output terminal of the buffer circuit 40 at the double throw switches S 1-u , S 1-d , S 2 . The connection destination is changed.
Of these, (A) will be described. If the output voltage Vout is merely lowered from zero, it is only necessary to invert the polarity of the reference voltage source 30 as shown in FIG. However,
When the output voltage Vout is generated so as to be switchable in the descending direction and the ascending direction, the polarities 2 are different.
The configuration for selecting one of the two reference voltage sources 30 is not a good idea because two reference voltage sources 30 are required.
For this reason, a configuration in which the polarity of one reference voltage source 30 is switched and connected in accordance with the decreasing or increasing direction of the output voltage Vout is preferable. This configuration will be described in a fourth embodiment to be described later.

そこで次に、(B)の構成について図7を参照して説明する。この図に示されるように
、双投スイッチS5−p、S5−qが図1に示した構成に追加されるとともに、双投スイ
ッチS1−uにおける端子bが双投スイッチS5−pの端子aおよび双投スイッチS5−
の端子bに接続され、双投スイッチS1−dにおける端子bが双投スイッチS5−p
端子bおよび双投スイッチS5−qの端子aに接続され、双投スイッチSにおける端子
bが双投スイッチS5−pの共通端子に接続されるとともに、バッファ回路40の出力端
が双投スイッチS5−qの共通端子に接続される。
ここで、双投スイッチS5−p、S5−qの各々は、それぞれ極性指示信号PolがHレ
ベルのときに、実線で示されるように共通端子と端子aとの間で閉成する一方、極性指示
信号PolがLレベルのときに、破線で示されるように共通端子と端子bとの間で閉成する
ものである。このため、双投スイッチS5−p、S5−qが切替回路に相当することにな
る。
また、極性指示信号Polは、ここでは出力電圧Voutの変化方向を指定する信号であり
、詳細には、Hレベルである場合に下降方向を指定し、Lレベルである場合に上昇方向を
指定する。
Next, the configuration (B) will be described with reference to FIG. As shown in this figure, double throw switches S 5-p and S 5-q are added to the configuration shown in FIG. 1, and a terminal b in double throw switch S 1-u is double throw switch S 5- p terminal a and double throw switch S 5-
is connected to the q terminal b of the terminal b in the double throw switch S 1-d is connected to the terminal a of the terminal b and sweeping switches S 5-q of the double throw switch S 5-p, in double-throw switch S 2 The terminal b is connected to the common terminal of the double throw switch S5 -p , and the output terminal of the buffer circuit 40 is connected to the common terminal of the double throw switch S5 -q .
Here, each of the double throw switches S 5-p and S 5-q is closed between the common terminal and the terminal a as indicated by a solid line when the polarity instruction signal Pol is at the H level. When the polarity instruction signal Pol is at the L level, the signal is closed between the common terminal and the terminal b as indicated by a broken line. For this reason, the double throw switches S 5-p and S 5-q correspond to the switching circuit.
Further, the polarity instruction signal Pol is a signal for designating the changing direction of the output voltage Vout here. Specifically, when the signal is at the H level, the descending direction is designated, and when the signal is at the L level, the raising direction is designated. .

図7に示される構成において、極性指示信号PolがLレベルである場合、双投スイッチ
1−uにおける端子bが双投スイッチSの端子bに接続され、双投スイッチS1−d
における端子bがバッファ回路40の出力端に接続されるので、その等価回路は、図1に
示した構成と同一となる。
一方、極性指示信号PolがHレベルである場合、双投スイッチS1−uにおける端子b
がバッファ回路40の出力端に接続され、双投スイッチS1−dにおける端子bが双投ス
イッチSの端子bに接続される。
このため、図8に示されるように、期間(1)において、コンデンサ22、23の充電
電圧をゼロにリセットした後、期間(2)においてコンデンサ21を基準電圧Vrefに充
電し、期間(3)において、コンデンサ21の充電電圧Vrefを出力電圧Voutだけ低くし
た状態でコンデンサ22に分配し、期間(3)において、コンデンサ22の充電電圧をコ
ンデンサ23に再分配してバッファ回路40を介して出力する一方、コンデンサ21を基
準電圧Vrefに充電する、という動作の繰り返しとなるので、図7に示される構成では、
クロック信号Clkの1周期毎に、出力電圧VoutがΔVずつ下降することになる。
In the configuration shown in FIG. 7, when the polarity indication signal Pol is at the L level, the terminal b in the double throw switch S 1-u is connected to the terminal b of the double-throw switch S 2, double throw switch S 1-d
1 is connected to the output terminal of the buffer circuit 40, the equivalent circuit thereof is the same as that shown in FIG.
On the other hand, when the polarity instruction signal Pol is at the H level, the terminal b in the double throw switch S1 -u .
There is connected to the output terminal of the buffer circuit 40, the terminal b in the double throw switch S 1-d is connected to the terminal b of the double-throw switch S 2.
For this reason, as shown in FIG. 8, after the charging voltage of the capacitors 22 and 23 is reset to zero in the period (1), the capacitor 21 is charged to the reference voltage Vref in the period (2), and the period (3) , The charging voltage Vref of the capacitor 21 is distributed to the capacitor 22 while being lowered by the output voltage Vout, and the charging voltage of the capacitor 22 is redistributed to the capacitor 23 and output through the buffer circuit 40 in the period (3). On the other hand, since the operation of charging the capacitor 21 to the reference voltage Vref is repeated, the configuration shown in FIG.
The output voltage Vout decreases by ΔV every cycle of the clock signal Clk.

<第2実施形態>
上述した第1実施形態において、バッファ回路40は、理想的な増幅率「1」の電圧増
幅回路として説明したが、実際には、入力端における電圧がゼロであっても、出力端の電
圧Voutがゼロにはならず、多少なりともオフセット電圧が出力されてしまう。
そこで、このようなオフセット電圧をできるだけなくし、理想的な出力特性に近づけた
第2実施形態について説明することにする。
Second Embodiment
In the first embodiment described above, the buffer circuit 40 has been described as a voltage amplification circuit having an ideal amplification factor “1”, but actually, even if the voltage at the input end is zero, the voltage Vout at the output end is zero. Does not become zero, and an offset voltage is output to some extent.
Therefore, a description will be given of a second embodiment in which such an offset voltage is eliminated as much as possible to approximate ideal output characteristics.

図9は、本発明の第2実施形態に係るランプ信号生成回路の構成を示す回路図である。
図9に示される構成が、図1に示した第1実施形態と相違する部分は、バッファ回路40
の出力側に、双投スイッチS3−u、S3−d、コンデンサ24およびスイッチ制御回路
51を有する点にある。そこで以下、この相違点を中心に説明することにする。スイッチ
制御回路51は、第1の実施形態のクロック信号Clkおよびリセット信号Resを出力する
とともに、更に双投スイッチS3−u、S3−dを制御する信号群Offsetを出力するも
のである。
双投スイッチS3−uおよびS3−dの各々は、リセット信号ResがHレベルのときだ
け、共通端子と端子aとの間で閉成し、Lレベルに変化した後の所定期間だけ共通端子と
端子bとの間で閉成するものである。この所定期間は信号ClkがLレベルになる前に終了
し、この所定期間の後は双投スイッチS3−u、S3−dは、次のいずれかの「非能動」
状態をとる。すなわち、(a)双投スイッチS3−uが端子aと閉成し、かつ、双投スイ
ッチS3−dが端子a、bのいずれとも開放状態、(b)双投スイッチS3−uが端子b
と閉成し、かつ、双投スイッチS3−dが端子aと閉成あるいは端子a、bのいずれとも
開放状態、(c)双投スイッチS3−uが端子aとbのいずれとも開放、かつ、双投スイ
ッチS3−dが端子aまたはbと閉成あるいは端子a、bのいずれとも開放状態とする。
この制御は、スイッチ制御回路51から出力される信号Offsetによって行われる。なお
、双投スイッチS3−uおよびS3−dが、第4および第5双投スイッチに相当する。
双投スイッチS3−uの端子aは、バッファ回路40の出力端に接続されている。また
、双投スイッチS3−u、S3−dの各共通端の間に、コンデンサ24(第4容量素子)
が介挿されている。ここで、コンデンサ24の端子のうち、双投スイッチS3−uの側を
一方の端子pとする。
双投スイッチS3−dの端子bは、バッファ回路40の入力端に接続されている。一方
、双投スイッチS3−uの端子b、および、双投スイッチS3−dの端子aは、基準電圧
源30の負極性端子に共通接続されている。
FIG. 9 is a circuit diagram showing a configuration of a ramp signal generation circuit according to the second embodiment of the present invention.
The configuration shown in FIG. 9 differs from the first embodiment shown in FIG.
Are provided with double throw switches S 3-u and S 3-d , a capacitor 24 and a switch control circuit 51. Therefore, this difference will be mainly described below. The switch control circuit 51 outputs the clock signal Clk and the reset signal Res of the first embodiment, and further outputs a signal group Offset for controlling the double throw switches S 3-u and S 3-d .
Each of the double throw switches S3 -u and S3 -d is closed between the common terminal and the terminal a only when the reset signal Res is at the H level, and is common only for a predetermined period after changing to the L level. It is closed between the terminal and the terminal b. This predetermined period ends before the signal Clk becomes L level, and after this predetermined period, the double throw switches S 3-u and S 3-d are either “inactive” as follows:
Take a state. That is, (a) the double-throw switch S 3-u is closed with the terminal a, and the double-throw switch S 3-d is in an open state for both the terminals a and b. (B) the double-throw switch S 3-u Is terminal b
And the double throw switch S 3-d is closed with the terminal a or both terminals a and b are open, and (c) the double throw switch S 3-u is open with both terminals a and b. In addition, the double throw switch S3 -d is closed with the terminal a or b, or both the terminals a and b are opened.
This control is performed by a signal Offset output from the switch control circuit 51. The double throw switches S3 -u and S3 -d correspond to the fourth and fifth double throw switches.
The terminal a of the double throw switch S3 -u is connected to the output terminal of the buffer circuit 40. In addition, a capacitor 24 (fourth capacitive element) is provided between the common ends of the double throw switches S 3-u and S 3-d.
Is inserted. Here, of the terminals of the capacitor 24, the double throw switch S3 -u side is defined as one terminal p.
The terminal b of the double throw switch S 3 -d is connected to the input terminal of the buffer circuit 40. On the other hand, the terminal b of the double throw switch S 3-u and the terminal a of the double throw switch S 3-d are commonly connected to the negative terminal of the reference voltage source 30.

この構成では、リセット信号Resとクロック信号Clkとが同時にHレベルとなる期間(
1)において、双投スイッチS3−uおよびS3−dが共通端子と端子aとの間で閉成す
るので、入力端が電圧ゼロである場合におけるバッファ回路40のオフセット電圧Voff
が、端子pを高位側としてコンデンサ24に保持される。なお、コンデンサ24の容量値
をCとする。
リセット信号ResがLレベルとなる期間(2)では、双投スイッチS3−uおよびS
−dが共通端子と端子bとの間で閉成するので、コンデンサ24の一方の端子pが接地す
るとともに、他方の端子がバッファ回路40の入力端に接続される。このため、バッファ
回路40の入力端には、コンデンサ24に保持されたオフセット電圧Voffが端子pを低
位側として印加されて、コンデンサ22、23に分配される。このため、バッファ回路4
0の入力端には、第1実施形態よりも、Voff・C/(C+C+C)だけ減じた
電圧が印加されることになる。
ここで、容量値Cを、容量和(C+C)に比べて十分に大きくすると、バッファ
回路40の入力端における電圧は、第1実施形態よりも、Voffだけ低くなり、結局、バ
ッファ回路40のオフセット電圧が相殺されて、出力電圧Voutがゼロとなる。
この状態は信号ClkがLレベルになる前に解除され、以降の動作は、第1実施形態と同
様である。
In this configuration, the reset signal Res and the clock signal Clk are simultaneously at the H level (
In 1), since the double throw switches S 3-u and S 3-d are closed between the common terminal and the terminal a, the offset voltage Voff of the buffer circuit 40 when the input terminal has a voltage of zero.
Is held in the capacitor 24 with the terminal p as the high-order side. Incidentally, the capacitance value of the capacitor 24 and C 0.
In the period (2) in which the reset signal Res is at the L level, the double throw switches S 3-u and S 3
Since −d is closed between the common terminal and the terminal b, one terminal p of the capacitor 24 is grounded, and the other terminal is connected to the input terminal of the buffer circuit 40. For this reason, the offset voltage Voff held in the capacitor 24 is applied to the input terminal of the buffer circuit 40 with the terminal p as the lower side, and is distributed to the capacitors 22 and 23. For this reason, the buffer circuit 4
A voltage reduced by Voff · C 0 / (C 0 + C 2 + C 3 ) is applied to the input terminal of 0 as compared to the first embodiment.
Here, if the capacitance value C 0 is made sufficiently larger than the capacitance sum (C 2 + C 3 ), the voltage at the input terminal of the buffer circuit 40 becomes lower than the first embodiment by Voff, and eventually the buffer The offset voltage of the circuit 40 is canceled and the output voltage Vout becomes zero.
This state is canceled before the signal Clk becomes L level, and the subsequent operations are the same as in the first embodiment.

なお、期間(3)以降において、出力電圧Voutをコンデンサ24に充電させる動作は
、電力を無駄に消費させるだけである。このため、期間(3)以降において、上述の「非
能動」状態にするが、特に双投スイッチS3−uに対し共通端子と端子bとの間で閉成さ
せる一方、双投スイッチS3−dに対し共通端子と端子aとの間で閉成させて、バッファ
回路40の入出力端から、コンデンサ24を切り離す構成が望ましい。これは「非能動」
状態時に第4容量素子の両端の電位が接地電位となり、第4容量素子の両端間の電圧が0
に確定するので、誤動作等が防止出来る。
In the period (3) and after, the operation of charging the output voltage Vout to the capacitor 24 only consumes power wastefully. Therefore, in the period (3) and later, although the "inactive" state described above, while for closing especially for double-throw switch S 3-u between the common terminal and the terminal b, double throw switch S 3 It is desirable that the capacitor 24 be disconnected from the input / output end of the buffer circuit 40 by closing the common terminal and the terminal a with respect to −d . This is “inactive”
In this state, the potential across the fourth capacitive element becomes the ground potential, and the voltage across the fourth capacitive element is 0.
Therefore, malfunctions can be prevented.

また、本実施形態において、コンデンサ24の容量値Cは、容量和(C+C)に
比べて大きくなるが、コンデンサ24に対する充電電圧は、期間(1)におけるバッファ
回路40のオフセット電圧程度(数10mV程度)なので、大容量のコンデンサ24での
消費電力はほとんど問題とならない。
例えば、容量値Cが0.01μFであり、バッファ回路40のオフセット電圧が50
mVであり、リセット信号Resの発生周波数が14.4kHzである場合、コンデンサ2
4により消費される電力は、0.36μW(=14400×(0.05)×(0.01
×10−6))程度に過ぎない。
さらに、第4容量素子(コンデンサ24)で第3容量素子(コンデンサ23)を兼用す
ることが可能である。すなわち、第4容量素子の容量値を第3容量素子の容量値に設定し
、第3容量素子を取り外した構成にすればよい。
この構成では、リセット信号Resとクロック信号Clkとが同時にHレベルとなる期間(
1)において、双投スイッチS3−uおよびS3−dが共通端子と端子aとの間で閉成す
るので、入力端が電圧ゼロである場合におけるバッファ回路40のオフセット電圧Voff
が、端子pを高位側としてコンデンサ24に保持される。なお、コンデンサ24の容量値
をCとする。
リセット信号ResがLレベルとなる期間(2)では、双投スイッチS3−uおよびS
−dが共通端子と端子bとの間で閉成するので、コンデンサ24の一方の端子pが接地す
るとともに、他方の端子がバッファ回路40の入力端に接続される。このため、バッファ
回路40の入力端には、コンデンサ24に保持されたオフセット電圧Voffが端子pを低
位側として印加されて、バッファ回路40の入力端には、第1実施形態よりも、Voffだ
け減じた電圧が印加されることになる。
結局、バッファ回路40のオフセット電圧が相殺されて、出力電圧Voutがゼロとなる

以降の動作は、第1実施形態と同様である。これにより、容量素子の個数を減らすこと
が出来、第1実施形態のスイッチ制御回路50と同様に信号ClkとResのみで制御可能と
なって、回路構成をより簡素化出来る。
In this embodiment, the capacitance value C 0 of the capacitor 24 is larger than the capacitance sum (C 2 + C 3 ), but the charging voltage for the capacitor 24 is about the offset voltage of the buffer circuit 40 in the period (1). (Several tens of mV), the power consumption of the large-capacitance capacitor 24 is hardly a problem.
For example, the capacitance value C 0 is 0.01 μF, and the offset voltage of the buffer circuit 40 is 50
When mV and the frequency of generation of the reset signal Res is 14.4 kHz, the capacitor 2
The power consumed by 4 is 0.36 μW (= 14400 × (0.05) 2 × (0.01
× 10 −6 )) only.
Further, the fourth capacitor element (capacitor 24) can also serve as the third capacitor element (capacitor 23). In other words, the capacitance value of the fourth capacitor element may be set to the capacitance value of the third capacitor element, and the third capacitor element may be removed.
In this configuration, the reset signal Res and the clock signal Clk are simultaneously at the H level (
In 1), since the double throw switches S 3-u and S 3-d are closed between the common terminal and the terminal a, the offset voltage Voff of the buffer circuit 40 when the input terminal has a voltage of zero.
Is held in the capacitor 24 with the terminal p as the high-order side. Incidentally, the capacitance value of the capacitor 24 and C 3.
In the period (2) in which the reset signal Res is at the L level, the double throw switches S 3-u and S 3
Since −d is closed between the common terminal and the terminal b, one terminal p of the capacitor 24 is grounded, and the other terminal is connected to the input terminal of the buffer circuit 40. For this reason, the offset voltage Voff held in the capacitor 24 is applied to the input terminal of the buffer circuit 40 with the terminal p at the lower side, and only Voff is applied to the input terminal of the buffer circuit 40 than in the first embodiment. A reduced voltage will be applied.
Eventually, the offset voltage of the buffer circuit 40 is canceled and the output voltage Vout becomes zero.
Subsequent operations are the same as those in the first embodiment. As a result, the number of capacitive elements can be reduced, and control can be performed only with the signals Clk and Res as in the switch control circuit 50 of the first embodiment, so that the circuit configuration can be further simplified.

なお、この第2実施形態においても、図6や図7に示したように構成することで、出力
電圧Voutを下降方向に生成することが可能である。
In the second embodiment as well, the output voltage Vout can be generated in the descending direction by configuring as shown in FIGS.

<第3実施形態>
上述した第2実施形態では、バッファ回路40におけるオフセット電圧Voffを相殺す
ることができるが、クロック信号Clkのレベル反転による出力信号Voutの電圧変化分Δ
V’は、第1実施形態における電圧ΔVではなく、次式に示されるような値となる。
ΔV’=ΔV+Voff・C/(C+C+C
=(Vref+Voff)・C/(C+C+C
このため、容量値C、C、Cおよびオフセット電圧Voffによって、出力信号Vo
utの変化率が当初目標値に一致しない場合がある。そこで、出力信号Voutの変化率を当
初目標値にできるだけ一致するように自動調整する第3実施形態について説明することに
する。
なお、このランプ信号生成回路10において出力信号Voutの変化率の目標値として、
図12(a)または図12(b)に示されるように、リセット信号Resの出力による電圧
ゼロから、クロック信号Clkが「256」周期経過した時点で、基準電圧Vrefに達する
ような変化率を想定する。
<Third Embodiment>
In the second embodiment described above, the offset voltage Voff in the buffer circuit 40 can be canceled, but the voltage change Δ of the output signal Vout due to the level inversion of the clock signal Clk.
V ′ is not the voltage ΔV in the first embodiment but a value as shown in the following equation.
ΔV ′ = ΔV + Voff · C 1 / (C 1 + C 2 + C 3 )
= (Vref + Voff) · C 1 / (C 1 + C 2 + C 3 )
Therefore, the output signal Vo is generated by the capacitance values C 1 , C 2 , C 3 and the offset voltage Voff.
The change rate of ut may not match the initial target value. Therefore, a third embodiment in which the rate of change of the output signal Vout is automatically adjusted so as to match the initial target value as much as possible will be described.
In the ramp signal generation circuit 10, as a target value for the rate of change of the output signal Vout,
As shown in FIG. 12A or FIG. 12B, the rate of change is such that the reference voltage Vref is reached when the clock signal Clk has passed “256” cycles from the voltage zero due to the output of the reset signal Res. Suppose.

図10は、本発明の第3実施形態に係るランプ信号生成回路の構成を示す回路図である
。図10に示される構成が、図9に示した第2実施形態と相違する部分は、コンデンサ2
3の容量値を可変とするとともに、出力電圧Voutと基準電圧Vrefとの差電圧を出力する
演算回路64と、当該差電圧に応じてコンデンサ23の容量値を変更する容量変更回路6
0とを有する点にある。そこで以下、この相違点を中心に説明することにする。
まず、コンデンサ23については、詳細には、図11に示されるように、容量値C3a
の1個のコンデンサと、容量値ΔC、2ΔC、4ΔC、8ΔC、16ΔC、3
2ΔCの6個のコンデンサと、後者6個に係るコンデンサをそれぞれオンオフする6個
のスイッチとを有し、6個のスイッチがオンであるときに、7個のコンデンサが互いに並
列に接続される構成となっている。そして、6個のスイッチは、容量変更回路60による
信号d−dによってそれぞれ個別にオンオフ制御される。
このため、コンデンサ23の容量値Cは、すべてのスイッチがオフの場合の最低値C
3aから、すべてのスイッチがオンの場合の最高値(C3a+63ΔC)まで、ΔC
の間隔にて64段階で可変設定される。
FIG. 10 is a circuit diagram showing a configuration of a ramp signal generation circuit according to the third embodiment of the present invention. The configuration shown in FIG. 10 is different from the second embodiment shown in FIG.
3 is variable, the arithmetic circuit 64 outputs the difference voltage between the output voltage Vout and the reference voltage Vref, and the capacitance change circuit 6 changes the capacitance value of the capacitor 23 according to the difference voltage.
In the point having 0. Therefore, this difference will be mainly described below.
First, with respect to the capacitor 23, in detail, as shown in FIG. 11, the capacitance value C 3a
And one capacitor, the capacitance value ΔC 3, 2ΔC 3, 4ΔC 3 , 8ΔC 3, 16ΔC 3, 3
6 capacitors of 2ΔC 3 and 6 switches for turning on and off the capacitors related to the latter 6 respectively, and when the 6 switches are on, 7 capacitors are connected in parallel to each other It has a configuration. The six switches are individually turned on / off by signals d 5 -d 0 from the capacitance changing circuit 60.
Therefore, the capacitance value C 3 of the capacitor 23, the lowest value when all switches are off C
From 3a to the highest value (C 3a + 63ΔC 3 ) when all switches are on, ΔC 3
Are variably set in 64 steps.

容量変更回路60は、内部にカウンタを有するとともに、当該カウンタをリセット信号
ResがHレベルになったときにゼロにリセットし、クロック信号Clkの立ち上がりでアッ
プカウントし、当該カウント結果が「256」に達した場合、または、出力電圧Voutが
基準電圧Vrefに達した場合に、コンデンサ23の容量値を変更するものである。
詳細には、図12(a)に示されるように、クロック信号Clkのカウント結果が「25
6」に達した場合、それは、現時点における変化率が目標値に対して小さいことを意味す
る。このため、出力電圧Voutが基準電圧Vrefに対して満たない量に相当する電圧Vdが
大きくなるにつれて、容量変更回路60は、次回リセット信号Resが出力される際に、変
化率が大きくなるようにコンデンサ23の容量値を小さくするように変更する。
一方、図12(b)に示されるように、クロック信号Clkのカウント結果が「256」
に達する前に、出力電圧Voutが基準電圧Vrefに対した場合、それは、現時点における変
化率が目標値に対して大きいことを意味する。このため、「256」から出力電圧Vout
が基準電圧Vrefに対した時点におけるカウント値を減じた値に相当する期間Tdが大きく
なるにつれて、容量変更回路60は、次回リセット信号Resが出力される際に、変化率が
小さくなるようにコンデンサ23の容量値を大きくするように変更する。
The capacity changing circuit 60 has a counter inside, resets the counter to zero when the reset signal Res becomes H level, up-counts at the rising edge of the clock signal Clk, and the count result becomes “256”. When the output voltage Vout reaches the reference voltage Vref, the capacitance value of the capacitor 23 is changed.
Specifically, as shown in FIG. 12A, the count result of the clock signal Clk is “25”.
When 6 is reached, it means that the current rate of change is smaller than the target value. Therefore, as the voltage Vd corresponding to the amount that the output voltage Vout is less than the reference voltage Vref increases, the capacitance changing circuit 60 increases the rate of change when the reset signal Res is output next time. The capacitance value of the capacitor 23 is changed to be small.
On the other hand, as shown in FIG. 12B, the count result of the clock signal Clk is “256”.
If the output voltage Vout is relative to the reference voltage Vref before reaching, this means that the current rate of change is greater than the target value. Therefore, the output voltage Vout from “256”
As the period Td corresponding to the value obtained by subtracting the count value at the time when the voltage is at the reference voltage Vref increases, the capacitance changing circuit 60 sets the capacitor so that the rate of change decreases when the reset signal Res is output next time. 23 is changed so as to increase the capacitance value.

ここで、容量変更回路60は、例えば電圧Vdや期間Tdに対してコンデンサ23の容量
変更分に対応するテーブルを予め記憶しておくとともに、電圧Vdまたは期間Tdに対する
容量変更分を当該テーブルから読み出して、現状の容量値に変更を加える構成などが考え
られる。
なお、この例では、コンデンサ23の容量値を変更する構成としたが、コンデンサ21
、22、23のうち、少なくとも1つの容量値を変更する構成であれば良い。また、出力
電圧Voutの変化率は、上述したように、コンデンサの容量値C、C、Cや、バッ
ファ回路40のオフセット電圧Voffに依存するので、コンデンサの容量可変範囲や刻み
等については、具体的な目標変化率や実際に発生するオフセット電圧等によって決定する
ことになる。
Here, the capacity changing circuit 60 stores in advance a table corresponding to the capacity change of the capacitor 23 with respect to, for example, the voltage Vd and the period Td, and reads the capacity change with respect to the voltage Vd or the period Td from the table. Thus, a configuration in which the current capacity value is changed can be considered.
In this example, the capacitance value of the capacitor 23 is changed.
, 22 and 23, any configuration may be used as long as at least one capacitance value is changed. Further, as described above, the rate of change of the output voltage Vout depends on the capacitance values C 1 , C 2 , C 3 of the capacitor and the offset voltage Voff of the buffer circuit 40. Is determined by a specific target change rate, an actually generated offset voltage, and the like.

このような第3実施形態によれば、コンデンサにおける容量値のばらつきや、バッファ
回路40のオフセット電圧Voffが存在しても、出力電圧Voutの変化率を目標値に一致さ
せることが可能となる。
According to the third embodiment as described above, it is possible to make the change rate of the output voltage Vout coincide with the target value even if the capacitance value varies in the capacitor or the offset voltage Voff of the buffer circuit 40 exists.

<第4実施形態>
次に、このようなランプ信号生成回路10を適用した電気光学装置について説明する。
図13は、電気光学装置の全体の構成を示すブロック図である。
この図に示されるように、電気光学装置1は、表示領域100、データ側制御回路25
0、走査線駆動回路350、制御回路400およびランプ信号生成回路10を含む。この
うち、表示領域100では、320行の走査線311が行(X)方向に延在する一方、2
40列のデータ線211が列(Y)方向に延在するように、それぞれ設けられている。そ
して、画素120が320行の走査線311と240列のデータ線211との交差に対応
して、それぞれ配列している。したがって、本実施形態では、画素120が縦320行×
横240列でマトリクス状に配列することになるが、本発明をこの配列に限定する趣旨で
はない。
<Fourth embodiment>
Next, an electro-optical device to which such a lamp signal generation circuit 10 is applied will be described.
FIG. 13 is a block diagram illustrating the overall configuration of the electro-optical device.
As shown in this figure, the electro-optical device 1 includes a display area 100, a data side control circuit 25.
0, a scanning line driving circuit 350, a control circuit 400, and a ramp signal generation circuit 10. Among these, in the display region 100, 320 scanning lines 311 extend in the row (X) direction, while 2
Forty data lines 211 are provided so as to extend in the column (Y) direction. The pixels 120 are arranged corresponding to the intersections of the scanning lines 311 of 320 rows and the data lines 211 of 240 columns, respectively. Therefore, in this embodiment, the pixels 120 are 320 rows long ×
Although it is arranged in a matrix form with 240 horizontal rows, the present invention is not intended to be limited to this arrangement.

ここで、画素120の詳細な構成について説明する。図14は、画素120の構成を示
す図であり、i行及びこれに隣接する(i+1)行と、j列及びこれに隣接する(j+1
)列との交差に対応する2×2の計4画素分の構成が示されている。
なお、i、(i+1)は、画素120が配列する行を一般的に示す場合の記号であって
、1以上320以下の整数であり、j、(j+1)は、画素120が配列する列を一般的
に示す場合の記号であって、1以上240以下の整数である。
Here, a detailed configuration of the pixel 120 will be described. FIG. 14 is a diagram illustrating the configuration of the pixel 120, i rows and (i + 1) rows adjacent thereto, j columns and adjacent thereto (j + 1).
) A configuration of a total of 4 pixels of 2 × 2 corresponding to the intersection with the column is shown.
Note that i and (i + 1) are symbols for generally indicating a row in which the pixels 120 are arranged, and are integers of 1 to 320, and j and (j + 1) are columns in which the pixels 120 are arranged. It is a symbol in the general case, and is an integer from 1 to 240.

図14に示されるように、各画素120は、液晶容量130と、スイッチング素子とし
て機能するnチャネル型の薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor:以下単に「TFT
」と略称する)241とを有する。各画素120については互いに同一構成なので、i行
j列に位置するもので代表させて説明すると、当該i行j列の画素120において、TF
T241のゲートはi行目の走査線311に接続される一方、そのソースはj列目のデー
タ線211に接続され、そのドレインは液晶容量130の一端たる画素電極231に接続
されている。
また、液晶容量130の他端はコモン電極110に接続されている。このコモン電極1
10は、本実施形態では、図13に示されるように全ての画素120にわたって共通であ
って、ランプ信号生成回路10による出力電圧Voutが印加される。
As shown in FIG. 14, each pixel 120 includes a liquid crystal capacitor 130 and an n-channel thin film transistor (Thin Film Transistor) that functions as a switching element.
241). Since each pixel 120 has the same configuration, a description will be given by using a pixel located in i row and j column as a representative.
The gate of T241 is connected to the scanning line 311 in the i-th row, the source is connected to the data line 211 in the j-th column, and the drain is connected to the pixel electrode 231 that is one end of the liquid crystal capacitor 130.
The other end of the liquid crystal capacitor 130 is connected to the common electrode 110. This common electrode 1
In this embodiment, 10 is common to all the pixels 120 as shown in FIG. 13, and the output voltage Vout from the ramp signal generation circuit 10 is applied.

液晶容量130では、画素電極231とコモン電極110との差電圧が保持されるとと
もに、液晶容量130の透過(または反射)光量が、当該保持電圧の実効値に応じて変化
する構成となっている。
このような構成としては、特に詳述する必要もないと考えられるが、画素電極とコモン
電極とで液晶を挟持して、液晶にかかる電界方向を基板面垂直方向とした方式や、画素電
極、絶縁層およびコモン電極とを積層して、液晶にかかる電界方向を基板面水平方向とし
た方式などが挙げられる。
なお、本実施形態では説明の便宜上、液晶容量130において保持される電圧実効値が
ゼロに近ければ、光の透過率が最大となって白色表示になる一方、電圧実効値が大きくな
るにつれて透過する光量が減少して、ついには透過率が最小の黒色表示になるノーマリー
ホワイトモードとする。
In the liquid crystal capacitor 130, the voltage difference between the pixel electrode 231 and the common electrode 110 is held, and the amount of light transmitted (or reflected) through the liquid crystal capacitor 130 changes according to the effective value of the hold voltage. .
Although it is considered that such a configuration does not need to be described in detail, a method in which the liquid crystal is sandwiched between the pixel electrode and the common electrode and the electric field direction applied to the liquid crystal is the substrate surface vertical direction, the pixel electrode, Examples include a method in which an insulating layer and a common electrode are stacked so that the direction of the electric field applied to the liquid crystal is the horizontal direction of the substrate surface.
In the present embodiment, for convenience of explanation, if the effective voltage value held in the liquid crystal capacitor 130 is close to zero, the light transmittance is maximized to display white, while the effective voltage value increases. The normally white mode in which the amount of light decreases and finally the black display with the minimum transmittance is achieved.

説明を再び図13に戻すと、制御回路400は、制御信号CntXの供給によってデータ
側制御回路250を制御するとともに、制御信号CntYの供給によって走査線駆動回路3
50による表示領域100の垂直走査を制御する。また、制御回路400は、上述した極
性指示信号Pol、リセット信号Rseおよびクロック信号Clkを、ランプ信号生成回路10
に供給する。すなわち、第4実施形態では、制御回路400が、スイッチ制御回路50(
51)の機能を併せ持つ構成となっている。
ここで、液晶容量130に対する書込極性については、コモン電極を基準として画素電
極231の電位が高位である場合を正極性とし、低位である場合を負極性とする。この第
4実施形態において出力電圧Voutがコモン電極110に印加されるので、液晶容量13
0に対する書込極性は、出力電圧Voutが下降方向に変化するときには正極性となり、出
力電圧Voutが上昇方向に変化するときには負極性となるので、極性指示信号Polを、液
晶容量130への書込極性を指定する信号といっても差し支えない。
この極性指示信号Polは、図16に示されるように、1垂直走査期間(1F)内では、
1水平走査期間(1H)毎に極性反転するとともに、隣接する1垂直走査期間(1F)同
士において同一の水平走査期間に着目しても極性反転の関係にある。このため、本実施形
態では、走査線毎に書込極性が反転する走査線反転(行反転)となるが、本発明をこれに
限定する趣旨ではない。なお、このように極性反転する理由は、液晶に直流成分が印加さ
れることによる劣化を防止するためである。
Returning to FIG. 13 again, the control circuit 400 controls the data side control circuit 250 by supplying the control signal CntX and also supplies the scanning line drive circuit 3 by supplying the control signal CntY.
50 controls the vertical scanning of the display area 100. Further, the control circuit 400 outputs the above-described polarity instruction signal Pol, reset signal Rse, and clock signal Clk to the ramp signal generation circuit 10.
To supply. That is, in the fourth embodiment, the control circuit 400 includes the switch control circuit 50 (
51).
Here, regarding the writing polarity with respect to the liquid crystal capacitor 130, when the potential of the pixel electrode 231 is high with respect to the common electrode, it is positive, and when it is low, it is negative. In the fourth embodiment, since the output voltage Vout is applied to the common electrode 110, the liquid crystal capacitance 13
The write polarity for 0 is positive when the output voltage Vout changes in the downward direction and negative when the output voltage Vout changes in the upward direction. Therefore, the polarity indication signal Pol is written to the liquid crystal capacitor 130. It can be said that the signal specifies the polarity.
As shown in FIG. 16, the polarity instruction signal Pol is used in one vertical scanning period (1F).
The polarity is inverted every horizontal scanning period (1H), and even if attention is paid to the same horizontal scanning period between adjacent vertical scanning periods (1F), the polarity is inverted. For this reason, in this embodiment, scanning line inversion (row inversion) is performed in which the writing polarity is inverted for each scanning line, but the present invention is not limited to this. The reason why the polarity is inverted in this way is to prevent deterioration due to application of a direct current component to the liquid crystal.

走査線駆動回路350は、制御信号CntYにしたがって、1、2、3、…、320行目
の走査線311を、それぞれ1水平走査期間(1H)毎に順番に選択するとともに、選択
した走査線311に対応する走査信号を、当該水平走査期間(1H)にわたってHレベル
に相当する選択電圧Vddとし、それ以外の走査線311に対応する走査信号を、Lレベル
に相当する非選択電圧Vssとするものである。ここで、1、2、3、…、320行目の走
査線311に供給される走査信号を、それぞれY1、Y2、Y3、…、Y320と表記し
、走査信号について特に行を特定しないで一般的に説明するときにはYiと表記する。
The scanning line driving circuit 350 sequentially selects the scanning lines 311 in the first, second, third,..., 320th rows in each horizontal scanning period (1H) according to the control signal CntY. The scanning signal corresponding to 311 is set to the selection voltage Vdd corresponding to the H level over the horizontal scanning period (1H), and the scanning signals corresponding to the other scanning lines 311 are set to the non-selection voltage Vss corresponding to the L level. Is. Here, the scanning signals supplied to the scanning lines 311 in the first, second, third,..., 320th rows are denoted as Y1, Y2, Y3,..., Y320, respectively. In the description, Yi is used for explanation.

次に、データ側制御回路250は、縦320行×横240列のマトリクス配列に対応し
た記憶領域(図示省略)を有し、各記憶領域は、それぞれ対応する画素120の階調デー
タDaを記憶する。なお、階調データDaは、画素120の階調値(明るさ)を指定するデ
ータであり、図示しない上位装置から供給され、表示内容に変更が生じた場合には、対応
する記憶領域に記憶された階調データDaが書き換えられる構成となっている。
さらに、データ側制御回路250は、走査線駆動回路350によって、ある1行の走査
線311が選択されるとき、制御信号CntXにしたがって、当該走査線に位置する画素の
階調データDaの1行分を事前に読み出し、この階調データDaの1行分にしたがって、ス
イッチ制御信号X1、X2、X3、…、X240を当該走査線に選択電圧Vddが印加され
る期間にわたって、1、2、3、…、240列のデータ線211にそれぞれ対応して一斉
に出力する。
ここで、スイッチ制御信号X1、X2、X3、…、X240について、特に列を特定し
ないで一般的に説明するときにはXjと表記すると、データ側制御回路250は、スイッ
チ制御信号Xjを、1水平走査期間(1H)の開始端から時間軸の後方側に、当該水平走
査期間にて選択される走査線311とj列目のデータ線211との交差に対応する画素の
階調データDaで指定された階調値に応じた期間だけHレベルとし、残余の期間でLレベ
ルとする。
Next, the data-side control circuit 250 has storage areas (not shown) corresponding to a matrix arrangement of 320 rows × 240 columns, and each storage area stores the gradation data Da of the corresponding pixel 120. To do. The gradation data Da is data that designates the gradation value (brightness) of the pixel 120. The gradation data Da is supplied from a host device (not shown) and is stored in a corresponding storage area when the display content is changed. The gradation data Da thus set is rewritten.
Further, when one scanning line 311 is selected by the scanning line driving circuit 350, the data-side control circuit 250, in accordance with the control signal CntX, outputs one row of the gradation data Da of the pixel located on the scanning line. Are read out in advance, and the switch control signals X1, X2, X3,..., X240 are applied to the scanning line for 1, 2, 3, 3 over the period during which the selection voltage Vdd is applied according to one row of the gradation data Da. ,..., And 240 lines of data lines 211 are output simultaneously.
Here, when the switch control signals X1, X2, X3,..., X240 are generally described as Xj when they are generally described without specifying a column, the data-side control circuit 250 scans the switch control signal Xj by one horizontal scan. Designated by the gradation data Da of the pixel corresponding to the intersection of the scanning line 311 selected in the horizontal scanning period and the data line 211 of the j-th column from the start end of the period (1H) to the rear side of the time axis. The H level is set only during the period corresponding to the gradation value, and the L level is set during the remaining period.

一方、各列に対応して、単投型のスイッチ260(データ側スイッチ)が設けられる。
ここで、各列のスイッチ260における一方の端子は、それぞれデータ線211に接続さ
れ、他方の端子は、電圧Vcに保たれた電位線281に共通接続される。これらのスイッ
チ260は、例えばj列目のデータ線211に対応するスイッチ260は、スイッチ制御
信号XjがHレベルのときにオンする。
On the other hand, a single throw type switch 260 (data side switch) is provided corresponding to each column.
Here, one terminal of the switches 260 in each column is connected to the data line 211, and the other terminal is commonly connected to the potential line 281 maintained at the voltage Vc. For example, the switches 260 corresponding to the data line 211 in the j-th column are turned on when the switch control signal Xj is at the H level.

ここで、スイッチ260がオフであるデータ線211はハイ・インピーダンス状態とな
り、電圧不確定となる。このため、便宜的に、1、2、3、…、240列目のデータ線2
11の電圧をS1、S2、S3、…、S240と表記し、特に列を特定しないで一般的に
説明するときにはSjと表記することにする。
Here, the data line 211 in which the switch 260 is off is in a high impedance state, and the voltage is uncertain. Therefore, for convenience, the data line 2 in the 1, 2, 3,.
The voltage of 11 is expressed as S1, S2, S3,..., S240, and it is expressed as Sj when generally explaining without specifying a column.

なお、電圧Vcは、図16に示されるように、Hレベルに相当する電圧VddとLレベル
に相当する電圧Vssとの中間値に相当し、この電圧Vcを基準にして出力電圧Voutが上昇
または下降方向に生成される。
すなわち、図6(図7)に示した構成では、接地電位Gndを基準として、出力電圧Vou
tを上昇または下降方向に変化させたが、第4実施形態では、電圧Vcを基準として上昇ま
たは下降方向に変化させる構成となる。
As shown in FIG. 16, the voltage Vc corresponds to an intermediate value between the voltage Vdd corresponding to the H level and the voltage Vss corresponding to the L level, and the output voltage Vout is increased or decreased with reference to the voltage Vc. Generated in the descending direction.
That is, in the configuration shown in FIG. 6 (FIG. 7), the output voltage Vou is based on the ground potential Gnd.
Although t is changed in the upward or downward direction, the fourth embodiment is configured to change in the upward or downward direction based on the voltage Vc.

第4実施形態におけるランプ信号生成回路10は、図15に示される構成であり、第3
実施形態(図10参照)に、双投スイッチS4−uおよびS4−dを加えた構成となって
いる。これらの双投スイッチS4−uおよびS4−dの各々は、極性指示信号PolがHレ
ベルであるときに、それぞれ共通端子と端子aとの間で閉成する一方、極性指示信号Pol
がLレベルであるときに、それぞれ共通端子と端子bとの間で閉成するものである。
ここで、双投スイッチS1−uの端子a(接続点g)は、双投スイッチS4−uの端子
bおよび双投スイッチS4−dの端子aにそれぞれ接続されるとともに、演算回路64の
一方の入力端子に接続される。
また、図15において、双投スイッチS1−dの端子a、コンデンサ22の他方の端子
、単投スイッチSの他方の端子、コンデンサ23の他方の端子、双投スイッチS3−d
の端子a、双投スイッチS3−uの端子bの接続点h(図10において基準電圧源30の
負極性端子への接続点に相当する部分)は、双投スイッチS4−uの端子aおよび双投ス
イッチS4−dの端子bににそれぞれ接続されるとともに、電圧Vcに保たれている。
基準電圧源30の正極端子は、双投スイッチS4−uの共通端子に接続され、基準電圧
源30の負極端子は、双投スイッチS4−dの共通端子に接続されている。
なお、制御回路400は、1水平走査期間(1H)の最初にリセット信号Resを出力す
るとともに、1水平走査期間(1H)で256周期となるクロック信号Clkを出力する。
The ramp signal generation circuit 10 in the fourth embodiment has the configuration shown in FIG.
This is a configuration in which double throw switches S 4-u and S 4-d are added to the embodiment (see FIG. 10). Each of these double throw switches S4 -u and S4 -d is closed between the common terminal and the terminal a when the polarity indicating signal Pol is at the H level, while the polarity indicating signal Pol
Are closed between the common terminal and the terminal b, respectively.
Here, the terminal a (connection point g) of the double throw switch S1 -u is connected to the terminal b of the double throw switch S4 -u and the terminal a of the double throw switch S4 -d , respectively, and an arithmetic circuit. 64 is connected to one input terminal.
Further, in FIG. 15, the terminal a of the double throw switch S 1-d, the other terminal of the capacitor 22, the other terminal of the single-throw switches S 0, the other terminal of the capacitor 23, double throw switch S 3-d
The connection point h between the terminal a and the terminal b of the double throw switch S 3-u (the part corresponding to the connection point to the negative terminal of the reference voltage source 30 in FIG. 10) is the terminal of the double throw switch S 4-u . a and the double-throw switch S4 -d are respectively connected to the terminal b and kept at the voltage Vc.
The positive terminal of the reference voltage source 30 is connected to the common terminal of the double throw switch S4 -u , and the negative terminal of the reference voltage source 30 is connected to the common terminal of the double throw switch S4 -d .
The control circuit 400 outputs a reset signal Res at the beginning of one horizontal scanning period (1H) and outputs a clock signal Clk having 256 cycles in one horizontal scanning period (1H).

この構成において、極性指示信号PolがLレベルである場合、双投スイッチS4−u
4−dは、図15において破線で示される位置をとるので、等価回路は図10と同一と
なる。ただし、この場合、演算回路64の一方の入力端子である接続点gは電圧(Vc+
Vref)であり、変化開始に相当する接続点hの電圧はVcで固定であるので、出力電圧V
outは、1水平走査期間(1H)の開始時から終了時にかけて、電圧Vcから電圧(Vc+
Vref)まで変化するように調整される。
一方、極性指示信号PolがHレベルである場合、双投スイッチS4−u、S4−dは、
図15において実線で示される位置をとる。この場合、接続点gは電圧(Vc−Vref)で
あるので、出力電圧Voutは、1水平走査期間(1H)の開始時から終了時にかけて、電
圧Vcから電圧(Vc−Vref)まで変化するように調整される。
したがって、極性指示信号Polに対して、出力信号Voutは、図16に示されるような
ものとなる。すなわち、極性指示信号PolがLレベルである水平走査期間(1H)におい
て、出力電圧Voutは、電圧Vcから電圧(Vc+Vref)まで上昇し、反対に、極性指示信
号PolがHレベルである水平走査期間(1H)において、出力電圧Voutは、電圧Vcから
電圧(Vc−Vref)まで低下する。
なお、図16においては、走査信号Y1〜Y320等と、出力電圧Voutとの縦方向の
電圧スケールについては、便宜的に異ならせてある(次に説明する図17においても同様
)。
In this configuration, when the polarity instruction signal Pol is at the L level, the double throw switch S 4-u ,
Since S4 -d takes the position indicated by the broken line in FIG. 15, the equivalent circuit is the same as FIG. In this case, however, the connection point g, which is one input terminal of the arithmetic circuit 64, is connected to the voltage (Vc +
Vref), and the voltage at the connection point h corresponding to the start of change is fixed at Vc.
out is from the voltage Vc to the voltage (Vc +) from the start to the end of one horizontal scanning period (1H).
Vref) is adjusted to change.
On the other hand, when the polarity instruction signal Pol is at the H level, the double throw switches S 4-u and S 4-d are
The position indicated by the solid line in FIG. 15 is taken. In this case, since the connection point g is the voltage (Vc−Vref), the output voltage Vout changes from the voltage Vc to the voltage (Vc−Vref) from the start to the end of one horizontal scanning period (1H). Adjusted to
Therefore, the output signal Vout is as shown in FIG. 16 with respect to the polarity instruction signal Pol. That is, in the horizontal scanning period (1H) in which the polarity instruction signal Pol is at the L level, the output voltage Vout rises from the voltage Vc to the voltage (Vc + Vref), and on the contrary, the horizontal scanning period in which the polarity instruction signal Pol is at the H level. At (1H), the output voltage Vout drops from the voltage Vc to the voltage (Vc−Vref).
In FIG. 16, the vertical voltage scales of the scanning signals Y1 to Y320 and the output voltage Vout are different for convenience (the same applies to FIG. 17 to be described next).

次に、このような構成にかかる電気光学装置1における書き込みについて説明する。
図17は、i行j列の画素の書き込みと、これより1行下に隣接する(i+1)行j列
の画素の書き込みとについて、走査信号Yi、Y(i+1)との関係において示す図であ
る。
i行j列の画素を、白色と黒色との間の灰色とさせる場合に、極性指示信号PolがLレ
ベルであるとき、走査信号YiがHレベルとなる1水平走査期間(1H)において、スイ
ッチ制御信号Xjは、当該1水平走査期間(1H)の開始時から、当該灰色に応じた期間
だけHレベルとなる。スイッチ制御信号XjがHレベルになると、j列目のスイッチ
260がオン(導通)状態となるので、j列目のデータ線211の電圧Sjは電圧Vcに
保たれる。
また、走査信号YiがHレベルになると、i行目の走査線311に位置する1行分の画
素120において、TFT241がオン状態となる。したがって、i行j列の画素120
においては、画素電極231がj列目のデータ線211と等しく電圧Vcとなる。
一方、当該1水平走査期間(1H)において、極性指示信号PolがLレベルであるとき
、コモン電極110の電圧は、すなわち、ランプ信号生成回路10による出力電圧Vout
は、電圧Vcから電圧(Vc+Vref)にむかって上昇する。このため、j列目のスイッチ
260がオンすることによって、i行j列の画素における液晶容量130には、画素電極
231を高位側とした書き込みが開始されることになる。
Next, writing in the electro-optical device 1 having such a configuration will be described.
FIG. 17 is a diagram showing the writing of pixels in i rows and j columns and the writing of pixels in (i + 1) rows and j columns adjacent one row below this in relation to the scanning signals Yi and Y (i + 1). is there.
When the pixel in i row and j column is gray between white and black, the switch is switched in one horizontal scanning period (1H) in which the scanning signal Yi is H level when the polarity instruction signal Pol is L level. control signal Xj from the start of the 1 horizontal scanning period (1H), becomes only the H level period T 1 corresponding to the gray. When the switch control signal Xj becomes H level, the switch 260 in the j-th column is turned on (conductive), so that the voltage Sj of the data line 211 in the j-th column is kept at the voltage Vc.
Further, when the scanning signal Yi becomes H level, the TFT 241 is turned on in the pixel 120 for one row located on the scanning line 311 of the i-th row. Therefore, pixel 120 in i row and j column
, The pixel electrode 231 becomes equal to the voltage Vc in the same way as the data line 211 in the j-th column.
On the other hand, when the polarity instruction signal Pol is at the L level in the one horizontal scanning period (1H), the voltage of the common electrode 110 is the output voltage Vout from the ramp signal generation circuit 10.
Rises from voltage Vc to voltage (Vc + Vref). For this reason, when the switch 260 in the j-th column is turned on, writing with the pixel electrode 231 at the high-order side is started in the liquid crystal capacitor 130 in the pixel in the i-th row and j-th column.

次に、当該1水平走査期間の開始時からi行j列の画素の階調に応じた期間Tだけ経
過すると、データ信号XjはHレベルからLレベルに変化する。このため、スイッチ26
0がオフ(非導通)状態となるので、j列目のデータ線211はハイ・インピーダンス状
態となる。
ここで、スイッチ260がオフしても、i行目の走査線311がHレベルとなる1水平
走査期間では、コモン電極110に印加された電圧Voutが上昇し続けるとともに、TF
T241のオン状態が継続しているので、ハイ・インピーダンス状態となったj列目のデ
ータ線211の電圧Sjは、スイッチ260がオフになった瞬間から、出力電圧Voutと
同じ変化率で低下する。
このため、i行j列の液晶容量130に対する書き込み電圧は、走査信号YiがHレベ
ルとなっている期間において、j列目のスイッチ260がオフした瞬間に確定し、極性指
示信号PolがLレベルであれば、j列目のスイッチ260がオフした瞬間における電圧V
outと電圧Vcとの差電圧(図17において↓で示される電圧)が、画素電極231を低位
側として、スイッチ260のオフ後においても保持されることなる。
なお、当該1水平走査期間(1H)が終了して、走査信号YiがLレベルに変化すると
、i行目の走査線311に位置する1行分の画素のTFT241がオフするので、各画素
電極231は、対応するデータ線211と電気的に切り離されてフローティング状態とな
る。このため、i行j列の画素電極231の電位も、コモン電極110の電圧変化に伴っ
て変化することになるが、液晶容量130の電圧、すなわち、j列目のスイッチ260が
オフ瞬間における電圧Voutと電圧Vcとの差電圧は、スイッチ260がオフとなっても、
さらには走査信号YiがLレベルに変化しても、保持され続けることになる。
また、ここでは、i行目の画素のうち、j列目に位置するもので代表して動作説明した
が、走査信号YiがHレベルとなる期間においては、i行目に位置する1〜240列の画
素1行分のすべてについてj列目のような書き込みが同時並行的に実行される。
Next, when the elapse of time T 1 corresponding to the gray scale of the pixel on the column i and the row j from the start of the one horizontal scanning period, the data signal Xj is changed from H level to L level. For this reason, the switch 26
Since 0 is in an off (non-conducting) state, the data line 211 in the j-th column is in a high impedance state.
Here, even if the switch 260 is turned off, the voltage Vout applied to the common electrode 110 continues to rise and TF during one horizontal scanning period in which the i-th scanning line 311 is at the H level.
Since the ON state of T241 continues, the voltage Sj of the data line 211 in the j-th column in the high impedance state decreases at the same rate of change as the output voltage Vout from the moment when the switch 260 is turned off. .
Therefore, the write voltage for the liquid crystal capacitor 130 in the i row and the j column is determined at the moment when the switch 260 in the j column is turned off during the period in which the scanning signal Yi is at the H level, and the polarity instruction signal Pol is at the L level. If so, the voltage V at the moment when the switch 260 in the j-th column is turned off.
The difference voltage between out and the voltage Vc (the voltage indicated by ↓ in FIG. 17) is held even after the switch 260 is turned off with the pixel electrode 231 at the lower side.
When the one horizontal scanning period (1H) ends and the scanning signal Yi changes to the L level, the TFTs 241 of the pixels for one row located in the i-th scanning line 311 are turned off. 231 is electrically disconnected from the corresponding data line 211 and enters a floating state. For this reason, the potential of the pixel electrode 231 in the i-th row and the j-th column also changes as the voltage of the common electrode 110 changes. The difference voltage between Vout and voltage Vc is the same even when the switch 260 is turned off.
Further, even if the scanning signal Yi changes to the L level, it is held.
In addition, although the operation is described as a representative of the pixels in the i-th row among the pixels in the i-th row, in the period in which the scanning signal Yi is at the H level, 1 to 240 positioned in the i-th row. Writing for the j-th column is executed simultaneously in parallel for all the pixels in one column.

次の1水平走査期間(1H)においては、走査信号Y(i+1)がHレベルとなるので
、(i+1)行目に位置する1行分の画素について書き込みが同様に実行される。ただし
、本実施形態では、走査線毎に書込極性が反転するので、極性指示信号PolがHレベルに
反転する結果、出力電圧Voutは、当該1水平走査期間において電圧Vcから電圧(Vc−
Vref)にむかって下降する。
このため、(i+1)行j列の液晶容量130に対する書き込み電圧は、走査信号Y(
i+1)がHレベルとなっている期間において、j列目のスイッチ260がオフした瞬間
に確定し、j列目のスイッチ260がオフした瞬間における電圧Voutと電圧Vcとの差電
圧(図17において↑で示される電圧)が、画素電極231を高位側として、スイッチ2
60のオフ後においても保持されることなる。
In the next one horizontal scanning period (1H), since the scanning signal Y (i + 1) is at the H level, writing is similarly performed on the pixels for one row located in the (i + 1) th row. However, in this embodiment, since the writing polarity is inverted for each scanning line, as a result of the polarity instruction signal Pol being inverted to H level, the output voltage Vout is changed from the voltage Vc to the voltage (Vc−
Descends towards Vref).
Therefore, the write voltage for the liquid crystal capacitor 130 in (i + 1) rows and j columns is equal to the scanning signal Y (
i + 1) is determined at the moment when the switch 260 in the j-th column is turned off during the period when the switch 260 in the j-th column is turned off, and the difference voltage between the voltage Vout and the voltage Vc (in FIG. 17) The voltage indicated by ↑ is the switch 2 with the pixel electrode 231 at the higher side.
Even after 60 is turned off, it is held.

ここでは、互いに隣接するiおよび(i+1)行目の書き込みついて説明しているが、
このような書き込みは、1垂直走査期間(1F)において、1、2、3、…、320行目
の順番で1水平走査期間毎に実行されて、1フレームの画像が表示されることになる。ま
た、次の1垂直走査期間(1F)では、各行において書込極性が反転して同様な書き込み
が実行されることになる。
Here, the writing of the i and (i + 1) th rows adjacent to each other is described.
Such writing is executed for each horizontal scanning period in the order of the first, second, third,..., 320th row in one vertical scanning period (1F), and an image of one frame is displayed. . In the next one vertical scanning period (1F), the writing polarity is reversed in each row, and the same writing is executed.

なお、第4実施形態では、出力電圧Voutを電圧Vcから電圧(Vc+Vref)まで上昇さ
せた後、電圧Vcから電圧(Vc−Vref)まで下降させたが、電圧(Vc+Vref)まで上
昇させた後、この電圧(Vc+Vref)から電圧Vcまで下降させる構成としても良い。こ
の構成において、電圧(Vc+Vref)から電圧Vcまで下降させる場合に、電位線281
を、電圧(Vc+Vref)に保つ必要があるが、電圧変化範囲が、電圧(Vc−Vref)から
電圧(Vc+Vref)までの範囲と比べて、電圧Vcから電圧(Vc+Vref)までの範囲と
なり、半分となる。このため、走査信号やスイッチ制御信号の論理信号に要する電圧振幅
が抑えられるので、走査線駆動回路350やデータ側制御回路250の耐圧が少なくて済
むので、その分、構成の簡易化を図ることができる。なお、電圧(Vc−Vref)から電圧
Vcまでの範囲で変化させても同様な効果が得られる。
またさらに、図15において単投スイッチS0を双投スイッチに置き換え、電圧Vcだけ
ではなく、電圧(Vc+Vref)でもリセットできる構成としても良い。
In the fourth embodiment, the output voltage Vout is increased from the voltage Vc to the voltage (Vc + Vref) and then decreased from the voltage Vc to the voltage (Vc−Vref), but after being increased to the voltage (Vc + Vref), The voltage (Vc + Vref) may be lowered to the voltage Vc. In this configuration, when the voltage (Vc + Vref) is lowered from the voltage Vc, the potential line 281 is used.
Needs to be maintained at the voltage (Vc + Vref), but the voltage change range is the range from the voltage Vc to the voltage (Vc + Vref) compared to the range from the voltage (Vc−Vref) to the voltage (Vc + Vref). Become. For this reason, the voltage amplitude required for the logic signal of the scanning signal and the switch control signal can be suppressed, so that the withstand voltage of the scanning line driving circuit 350 and the data side control circuit 250 can be reduced, and the configuration can be simplified correspondingly. Can do. Note that the same effect can be obtained even when the voltage is changed in the range from the voltage (Vc−Vref) to the voltage Vc.
Furthermore, replacing a single-throw switch S 0 to sweeping switch 15, not only the voltage Vc, may be configured to reset any voltage (Vc + Vref).

図13に示した構成では、コモン電極110にランプ信号である出力電圧Voutを供給
し、電位線281を電圧Vcに一定とする構成としたが、図18に示されるように、コモ
ン電極110を電圧Vcで一定とし、電位線281に出力電圧Voutを供給する構成でも良
い。
また、双投スイッチS4−u、S4−dによって基準電圧源30の極性を切り替えるの
ではなく、図7に示したように、(B)双投スイッチS1−u、S1−d、Sにおける
端子bおよびバッファ回路40の出力端の接続先を変更する構成としても良い。
In the configuration shown in FIG. 13, the output voltage Vout, which is a ramp signal, is supplied to the common electrode 110 and the potential line 281 is kept constant at the voltage Vc. However, as shown in FIG. A configuration in which the voltage Vc is constant and the output voltage Vout is supplied to the potential line 281 may be employed.
Also, instead of switching the polarity of the reference voltage source 30 by the double throw switches S 4-u and S 4-d , as shown in FIG. 7, (B) double throw switches S 1-u and S 1-d , The connection destination of the terminal b and the output terminal of the buffer circuit 40 in S 2 may be changed.

本発明の第1実施形態に係るランプ信号生成回路の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the ramp signal generation circuit which concerns on 1st Embodiment of this invention. 同ランプ信号生成回路におけるリセット信号等を示す図である。It is a figure which shows the reset signal etc. in the same ramp signal generation circuit. 同ランプ信号生成回路の動作を説明するための図である。It is a figure for demonstrating operation | movement of the ramp signal generation circuit. 同ランプ信号生成回路の動作を説明するための図である。It is a figure for demonstrating operation | movement of the ramp signal generation circuit. クロック信号Clkと出力電圧Voutとの関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the clock signal Clk and the output voltage Vout. 第1実施形態に係るランプ信号生成回路の別構成(その1)を示す図である。It is a figure which shows another structure (the 1) of the ramp signal generation circuit which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係るランプ信号生成回路の別構成(その2)を示す図である。It is a figure which shows another structure (the 2) of the ramp signal generation circuit which concerns on 1st Embodiment. 別構成(その2)の動作を説明するための図である。It is a figure for demonstrating operation | movement of another structure (the 2). 本発明の第2実施形態に係るランプ信号生成回路の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the ramp signal generation circuit which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第3実施形態に係るランプ信号生成回路の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the ramp signal generation circuit which concerns on 3rd Embodiment of this invention. 同ランプ信号生成回路におけるバリスタの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the varistor in the ramp signal generation circuit. 同ランプ信号生成回路の動作を説明するための図である。It is a figure for demonstrating operation | movement of the ramp signal generation circuit. 本発明の第4実施形態に係るランプ信号生成回路を適用した電気光学装置の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the electro-optical apparatus to which the lamp signal generation circuit which concerns on 4th Embodiment of this invention is applied. 同電気光学装置における画素の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the pixel in the same electro-optical apparatus. 同ランプ信号生成回路の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the ramp signal generation circuit. 同電気光学装置における動作を説明するための図である。FIG. 6 is a diagram for explaining an operation in the electro-optical device. 同電気光学装置における動作を説明するための図である。FIG. 6 is a diagram for explaining an operation in the electro-optical device. 同電気光学装置の別構成を示す図である。It is a figure which shows another structure of the same electro-optical apparatus.

符号の説明Explanation of symbols

1…電気光学装置、10…ランプ信号生成回路、21、22、23…コンデンサ、30…
基準電圧源、40…バッファ回路、50…スイッチ制御回路、60…コンデンサ、70…
容量変更回路、110…コモン電極、120…画素、211…データ線、231…画素電
極、241…TFT、250…データ側制御回路、311…走査線、350…走査線駆動
回路、400…制御回路
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Electro-optical device, 10 ... Lamp signal generation circuit, 21, 22, 23 ... Capacitor, 30 ...
Reference voltage source, 40 ... buffer circuit, 50 ... switch control circuit, 60 ... capacitor, 70 ...
Capacitance changing circuit, 110 ... common electrode, 120 ... pixel, 211 ... data line, 231 ... pixel electrode, 241 ... TFT, 250 ... data side control circuit, 311 ... scan line, 350 ... scan line drive circuit, 400 ... control circuit

Claims (11)

単投スイッチと、第1、第2および第3双投スイッチと、第1、第2および第3容量素
子と、基準電圧源と、バッファ回路と、スイッチ制御回路と、
を具備し、
前記第1および第2双投スイッチの共通端に前記第1容量素子が介挿され、
前記第1双投スイッチの第1端子に前記基準電圧源の一方の極が接続され、
前記第3双投スイッチの共通端に前記第2容量素子の一方の端子が接続され、
前記第3双投スイッチの第1端子に、前記単投スイッチの一方の端子、前記第3容量素
子の一方の端子、および、前記バッファ回路の入力端が接続され、
前記第1または第2双投スイッチのいずれか一方の第2端子に、前記第3双投スイッチ
の第2端子が接続され、
前記基準電圧源の他方の極に、前記第2双投スイッチの第1端子、前記第2容量素子の
他方の端子、前記単投スイッチの他方の端子、および、前記第3容量素子の他方の端子が
共通接続され、
前記バッファ回路の出力端が前記第1または第2双投スイッチのいずれか他方の第2端
子に接続され、
前記バッファ回路の電圧を出力とし、
前記スイッチ制御回路は、
第1行程として、前記単投スイッチを閉成させ、
第2行程として、前記単投スイッチを開放させるとともに、前記第1、第2および第3
双投スイッチに対し、それぞれ前記第1端子と前記共通端とを閉成させ、
第3行程として、前記第1、第2および第3双投スイッチに対し、それぞれ前記第2端
子と前記共通端とを閉成させ、
以降、前記第2および第3行程とを繰り返す
ことを特徴とするランプ信号生成回路。
A single throw switch, first, second and third double throw switches, first, second and third capacitive elements, a reference voltage source, a buffer circuit, a switch control circuit,
Comprising
The first capacitive element is inserted at a common end of the first and second double throw switches,
One pole of the reference voltage source is connected to the first terminal of the first double throw switch;
One terminal of the second capacitive element is connected to the common end of the third double throw switch,
The first terminal of the third double-throw switch is connected to one terminal of the single-throw switch, one terminal of the third capacitive element, and the input terminal of the buffer circuit,
A second terminal of the third double-throw switch is connected to a second terminal of either the first or second double-throw switch;
The other pole of the reference voltage source has a first terminal of the second double-throw switch, the other terminal of the second capacitive element, the other terminal of the single-throw switch, and the other terminal of the third capacitive element. The terminals are connected in common,
The output terminal of the buffer circuit is connected to the other second terminal of the first or second double throw switch,
The voltage of the buffer circuit is output,
The switch control circuit includes:
As the first stroke, the single throw switch is closed,
As the second stroke, the single throw switch is opened and the first, second and third
For the double throw switch, the first terminal and the common end are closed,
As the third stroke, the second terminal and the common end are closed for the first, second and third double throw switches, respectively.
Thereafter, the second and third steps are repeated. A ramp signal generation circuit characterized by:
前記第1または第2双投スイッチのいずれか一方の第2端子を選択して、前記第3双投
スイッチの第2端子に接続するとともに、
前記第1または第2双投スイッチのいずれか他方の第2端子を選択して、前記バッファ
回路の出力端に接続する切替回路を、さらに有する
ことを特徴とする請求項1に記載のランプ信号生成回路。
Selecting the second terminal of either the first or second double throw switch and connecting to the second terminal of the third double throw switch;
2. The ramp signal according to claim 1, further comprising a switching circuit that selects one of the second terminals of the first and second double-throw switches and connects the second terminal to the output terminal of the buffer circuit. Generation circuit.
第4および第5双投スイッチと、第4容量素子と、をさらに有し、
前記第4および第5双投スイッチの共通端に第4容量素子が介挿され、
前記バッファ回路の出力端に前記第4双投スイッチの第1端子が接続され、
前記基準電圧源の他方の極に、さらに前記第4双投スイッチの第2端子、および、前記
第5双投スイッチの第1端子が接続され、
前記第5双投スイッチの第2端子が前記バッファ回路の入力端に接続され、
前記スイッチ制御回路は、
前記第1行程において、前記第4および第5双投スイッチに対し、それぞれ前記第1端
子と前記共通端とを閉成させ、
前記第2行程以降において、前記第4および第5双投スイッチに対し、それぞれ前記第
2端子と前記共通端とを一旦閉成させた後に開放する
ことを特徴とする請求項1に記載のランプ信号生成回路。
A fourth and fifth double-throw switch, and a fourth capacitive element;
A fourth capacitive element is inserted at the common end of the fourth and fifth double-throw switches;
A first terminal of the fourth double throw switch is connected to an output terminal of the buffer circuit;
A second terminal of the fourth double-throw switch and a first terminal of the fifth double-throw switch are connected to the other pole of the reference voltage source;
A second terminal of the fifth double-throw switch is connected to an input terminal of the buffer circuit;
The switch control circuit includes:
In the first stroke, the first terminal and the common end are closed for the fourth and fifth double throw switches, respectively.
2. The lamp according to claim 1, wherein after the second stroke, the second terminal and the common end are once closed with respect to the fourth and fifth double throw switches, respectively, and then opened. Signal generation circuit.
前記第3容量素子を外した場合に、
前記スイッチ制御回路は、
前記第1行程において、前記第4および第5双投スイッチに対し、それぞれ前記第1端
子と前記共通端とを閉成させ、
前記第2行程以降において、前記第4および第5双投スイッチに対し、それぞれ前記第
2端子と前記共通端とを閉成させる
ことを特徴とする請求項3に記載のランプ信号生成回路。
When the third capacitive element is removed,
The switch control circuit includes:
In the first stroke, the first terminal and the common end are closed for the fourth and fifth double throw switches, respectively.
4. The ramp signal generation circuit according to claim 3, wherein the second terminal and the common end are closed for the fourth and fifth double throw switches after the second stroke, respectively. 5.
前記スイッチ制御回路によって前記第2および第3行程が所定回数繰り返されたときに
、前記バッファ回路による出力電圧が所定の電圧に達してなければ、前記第3容量素子の
容量値に対して前記第1または第2容量素子の容量値の相対値が小さくなるように、前記
第1、第2、第3容量素子の少なくとも1つの容量値を変更する容量変更回路と、をさら
に有する
ことを特徴とする請求項3に記載のランプ信号生成回路。
When the second and third steps are repeated a predetermined number of times by the switch control circuit, if the output voltage from the buffer circuit does not reach a predetermined voltage, the capacitance value of the third capacitive element is A capacitance changing circuit that changes at least one capacitance value of the first, second, and third capacitance elements so that the relative value of the capacitance values of the first and second capacitance elements is reduced. The ramp signal generation circuit according to claim 3.
前記スイッチ制御回路によって前記第2および第3行程が所定回数繰り返される以前に
、前記バッファ回路による出力電圧が所定の電圧に達したとき、前記第3容量素子の容量
値に対して前記第1、第2または第3容量素子の容量値の相対値が大きくなるように、前
記第1、第2、第3容量素子の少なくとも1つの容量値を変更する容量変更回路と、をさ
らに有する
ことを特徴とする請求項3に記載のランプ信号生成回路。
When the output voltage of the buffer circuit reaches a predetermined voltage before the second and third steps are repeated a predetermined number of times by the switch control circuit, the first, A capacitance changing circuit that changes at least one capacitance value of the first, second, and third capacitance elements so that the relative value of the capacitance values of the second or third capacitance elements is increased. The ramp signal generation circuit according to claim 3.
前記スイッチ制御回路によって前記第2および第3行程が所定回数繰り返されたときに
、前記バッファ回路による出力電圧が所定の電圧に達してない場合、前記第4容量素子の
容量値に対して前記第1または第2容量素子の容量値の相対値が小さくなるように、前記
第1、第2および第3容量素子の少なくとも1つの容量値を変更する容量変更回路をさら
に有することを特徴とする請求項4に記載のランプ信号生成回路。
If the output voltage from the buffer circuit does not reach a predetermined voltage when the second and third strokes are repeated a predetermined number of times by the switch control circuit, the capacitance value of the fourth capacitor element is compared with the capacitance value of the fourth capacitor element. And a capacitance changing circuit that changes at least one capacitance value of the first, second, and third capacitance elements so that a relative value of the capacitance values of the first and second capacitance elements is reduced. Item 5. The ramp signal generation circuit according to Item 4.
前記スイッチ制御回路によって前記第2および第3行程が所定回数繰り返される以前に
、前記バッファ回路による出力電圧が所定の電圧に達した場合、前記第4容量素子の容量
値に対して前記第1または第2容量素子の容量値の相対値が大きくなるように、前記第1
、第2および第3容量素子の少なくとも1つの容量値を変更する容量変更回路をさらに有
することを特徴とする請求項4に記載のランプ信号生成回路。
If the output voltage from the buffer circuit reaches a predetermined voltage before the switch control circuit repeats the second and third steps a predetermined number of times, the first or The first capacitance is set so that the relative value of the capacitance value of the second capacitance element is increased.
The ramp signal generation circuit according to claim 4, further comprising a capacitance changing circuit that changes at least one capacitance value of the second and third capacitive elements.
複数の走査線と複数のデータ線との交差に対応して設けられた画素電極と、
前記データ線と前記画素電極との間にて、前記走査線に選択電圧が印加されたときに導
通状態となるスイッチング素子と、
を含む画素を有する電気光学装置であって、
前記複数の走査線を所定の順番で選択して前記選択電圧を印加する走査線駆動回路と、
前記複数のデータ線の各々に対応して設けられるとともに、一端が前記データ線に接続
される一方、他端が所定の電位に保たれた電位線に共通接続された複数のデータ側スイッ
チと、
選択した走査線に前記選択電圧が印加される期間の開始時に前記第1行程を実行し、
選択した走査線に前記選択電圧が印加される期間にわたって前記第2および第3行程を繰
り返し、出力電圧を、前記画素電極に対向するコモン電極に印加する請求項1乃至8のい
ずれかに記載のランプ信号生成回路と、
前記走査線に選択電圧が印加された期間において、前記データ側スイッチを、当該選択
電圧が印加された走査線と当該データ側スイッチのデータ線との交差に対応する画素の階
調に応じた期間だけオン状態とし、この後、当該データ側スイッチをオフ状態に制御する
データ側制御回路と、
を備えることを特徴とする電気光学装置。
A pixel electrode provided corresponding to the intersection of the plurality of scanning lines and the plurality of data lines;
A switching element that becomes conductive when a selection voltage is applied to the scan line between the data line and the pixel electrode;
An electro-optical device having a pixel including:
A scanning line driving circuit for selecting the plurality of scanning lines in a predetermined order and applying the selection voltage;
A plurality of data-side switches provided corresponding to each of the plurality of data lines, one end of which is connected to the data line and the other end of which is commonly connected to a potential line maintained at a predetermined potential;
Performing the first step at the start of a period in which the selection voltage is applied to the selected scanning line;
9. The device according to claim 1, wherein the second and third steps are repeated over a period in which the selection voltage is applied to the selected scanning line, and an output voltage is applied to the common electrode facing the pixel electrode. A ramp signal generation circuit;
In the period when the selection voltage is applied to the scanning line, the data-side switch is set to a period corresponding to the gradation of the pixel corresponding to the intersection of the scanning line to which the selection voltage is applied and the data line of the data-side switch. A data-side control circuit that controls the data-side switch to an off state,
An electro-optical device comprising:
複数の走査線と複数のデータ線との交差に対応して設けられた画素電極と、
前記データ線と前記画素電極との間にて、前記走査線に選択電圧が印加されたときに導
通状態となるスイッチング素子と、
を含む画素を有する電気光学装置であって、
前記複数の走査線を所定の順番で選択して前記選択電圧を印加する走査線駆動回路と、
前記複数のデータ線の各々に対応して設けられるとともに、一端が前記データ線に接続
される一方、他端が共通接続された複数のデータ側スイッチと、
選択した走査線に前記選択電圧が印加される期間の開始時に前記第1行程を実行し、
選択した走査線に前記選択電圧が印加される期間にわたって前記第2および第3行程を繰
り返し、出力電圧を、前記複数のデータ側スイッチ同士で共通接続された他端に印加する
請求項1乃至8のいずれかに記載のランプ信号生成回路と、
前記走査線に選択電圧が印加された期間において、前記データ側スイッチを、当該選択
電圧が印加された走査線と当該データ側スイッチのデータ線との交差に対応する画素の階
調に応じた期間だけオン状態とし、この後、当該データ側スイッチをオフ状態に制御する
データ側制御回路と、
を備えることを特徴とする電気光学装置。
A pixel electrode provided corresponding to the intersection of the plurality of scanning lines and the plurality of data lines;
A switching element that becomes conductive when a selection voltage is applied to the scan line between the data line and the pixel electrode;
An electro-optical device having a pixel including:
A scanning line driving circuit for selecting the plurality of scanning lines in a predetermined order and applying the selection voltage;
A plurality of data-side switches provided corresponding to each of the plurality of data lines and having one end connected to the data line and the other end commonly connected;
Performing the first step at the start of a period in which the selection voltage is applied to the selected scanning line;
9. The second and third steps are repeated over a period in which the selection voltage is applied to a selected scanning line, and an output voltage is applied to the other end commonly connected between the plurality of data side switches. A ramp signal generation circuit according to any one of
In the period when the selection voltage is applied to the scanning line, the data-side switch is set to a period corresponding to the gradation of the pixel corresponding to the intersection of the scanning line to which the selection voltage is applied and the data line of the data-side switch. A data-side control circuit that controls the data-side switch to an off state,
An electro-optical device comprising:
請求項1乃至8のいずれかに記載のランプ信号生成回路を有する
ことを特徴とする電気光学装置。
An electro-optical device comprising the ramp signal generation circuit according to claim 1.
JP2006107267A 2005-10-21 2006-04-10 Ramp signal generation circuit and electro-optical device Withdrawn JP2007143099A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006107267A JP2007143099A (en) 2005-10-21 2006-04-10 Ramp signal generation circuit and electro-optical device

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005306675 2005-10-21
JP2006107267A JP2007143099A (en) 2005-10-21 2006-04-10 Ramp signal generation circuit and electro-optical device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2007143099A true JP2007143099A (en) 2007-06-07

Family

ID=38205359

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006107267A Withdrawn JP2007143099A (en) 2005-10-21 2006-04-10 Ramp signal generation circuit and electro-optical device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2007143099A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012005126A (en) * 2010-06-18 2012-01-05 Foveon Inc Analog digital conversion ramp wave generator unit element

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012005126A (en) * 2010-06-18 2012-01-05 Foveon Inc Analog digital conversion ramp wave generator unit element
US8823427B1 (en) 2010-06-18 2014-09-02 Foveon, Inc. Unit element ramp generator for analog-to-digital converter

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7868869B2 (en) Electrophoresis display and driving method thereof
CN102047312B (en) Image display apparatus and driving method therefor
US8264454B2 (en) Electrophoretic display and driving method thereof
KR101577220B1 (en) Electrophoresis display and driving method thereof
KR102298849B1 (en) Display Device
JP5565098B2 (en) Electro-optical device and electronic apparatus
JP2003084733A (en) Display device and portable equipment
JP5655371B2 (en) Electronic device and driving method thereof
US6975313B2 (en) Power supply circuit for display unit, method for controlling same, display unit, and electronic apparatus
JP4420080B2 (en) Scanning line driving circuit, electro-optical device, and electronic apparatus
GB2465869A (en) Electrophoresis display
WO2007069715A1 (en) Display device and drive method thereof
KR20090105486A (en) Electrophoresis display
KR101340989B1 (en) Electrophoresis display and driving method thereof
JP7253332B2 (en) Display device and display controller
KR101485583B1 (en) Display apparatus and driving method thereof
CN102915691A (en) Display panel and operating method thereof
KR20100022786A (en) Liquid crystal display apparatus and method of driving the same
CN102087838B (en) Video rate ChLCD driving with active matrix backplanes
JP5565097B2 (en) Electro-optical device and electronic apparatus
JP3318666B2 (en) Liquid crystal display
JP2007143099A (en) Ramp signal generation circuit and electro-optical device
JP2007279198A (en) Electrooptical device and electronic equipment
JP4215109B2 (en) Electro-optical device, drive circuit, and electronic device
JPH10282471A (en) Active matrix type liquid crystal panel and driving method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20070404

A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20090707