JP2007027346A - 半導体装置の製造方法および製造装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体チップ1,5,6がフリップチップ実装されてなる半導体装置の製造方法において、前記フリップチップ実装による接続端子1a,2a,5a,6a間の少なくとも一方に形成された半田バンプ3に対してプラズマを用いた洗浄を行う洗浄工程と、前記洗浄工程による洗浄後の半田バンプ3を加熱溶融して前記接続端子1a,2a,5a,6a間の接合を行う接合工程とを含む。そして、前記洗浄工程では、前記プラズマを用いた洗浄を、不活性ガスと還元性ガスとの混合ガス雰囲気中で行うようにする。
【選択図】図1
Description
ただし、近年では環境保護の観点から無鉛半田が広く用いられつつあるが、例えば錫(Sn)−銀(Ag)等の無鉛半田では、半田バンプの表面に強固な酸化膜が形成され、これにより接合不良や導通不良等が発生してしまい、結果としてフリップチップ実装の信頼性が低下してしまうおそれがある。
このことから、フリップチップ実装の半導体装置を製造するにあたっては、例えば、半田バンプにフラックスを付着させておき、その半田バンプの加熱溶融時にフラックスの還元作用を利用して酸化膜を除去することや(例えば、特許文献1参照)、不活性ガス雰囲気中で発生させたプラズマを用いて金属接合部表面を洗浄して酸化を防ぎ、その処理雰囲気中で加熱により接合を行うことが提案されている(例えば、特許文献2参照)。また、その他にも、半田バンプではなく、金(Au)バンプを用い、その金バンプをプラズマ溶融して、フリップチップ実装することも提案されている。
例えば、上記特許文献1に開示された手法によるフリップチップ実装では、フラックスを用いているため、接合部分のアンダーフィルによる封止時に、そのフラックスの洗浄残渣等によりボイドが発生する可能性がある。このようなボイドは、ショート発生等を招き、半導体装置の信頼性低下に繋がるおそれがある。
また、上記特許文献2に開示された手法によるフリップチップ実装では、不活性ガス雰囲気中でのプラズマ処理後にその処理雰囲気中で半導体チップを基板上に接合する必要があり、そのために用いる製造装置の構成が複雑化してしまう。この点については、プラズマを用いた洗浄後に、半導体チップと基板との接合を大気中で行うことも考えられる。ところが、不活性ガス雰囲気中でプラズマ処理を行うと、そのプラズマ照射によって半田バンプの表面粗さが荒れる傾向にある。したがって、表面粗さが荒れたまま大気中に曝したのでは、その表面粗さに起因して酸化膜が形成され易くなる可能性があり、結果として接合不良や導通不良等によるフリップチップ実装の信頼性低下を招くおそれがある。
また、上記特許文献3に開示された手法によるフリップチップ実装では、金バンプを用いるため、半田バンプの場合に比べて接続の柔軟性に劣り、例えばDRAM(Dynamic Random Access Memory)のセル上への適用が困難である。
したがって、洗浄工程による洗浄後の半田バンプについて、接合工程にて加熱溶融を行えば、その半田バンプ表面の酸化膜に起因する接合不良や導通不良等の発生を抑制し得るようになる。また、大気中でも半田バンプ表面に酸化膜が形成され難いことから、接合工程を大気中にて行うことも可能となる。
先ず、はじめに、本発明を用いて製造される半導体装置の構成について簡単に説明する。図1は、半導体装置の概略構成例を示す説明図である。
次に、以上のような半導体装置を製造する製造装置の構成について簡単に説明する。図2は、本発明に係る半導体装置の製造装置の概略構成例を示す説明図である。
また、この洗浄装置10では、チャンバ室11内に、不活性ガス(希ガス)に加えて、還元性ガスを供給し得るようになっている。すなわち、プラズマを用いた洗浄処理を、不活性ガスと還元性ガスとの混合ガス雰囲気中で行い得るようになっている。
不活性ガスは、プラズマ発生を励起させるためのもので、代表的なものとして例えばアルゴン(Ar)ガスが挙げられる。また、還元性ガスは、酸素と反応する特性を有したものであり、代表的なものとして例えば水素(H2)ガスが挙げられる。ただし、H2ガス以外にも、メタン(CH4)ガス、アンモニア(NH3)ガス、アセチレン(C2H2)ガス等を用いることも考えられる。
なお、プラズマを発生させるための機構の詳細については、公知技術を利用して実現すればよいため、ここではその説明を省略する。
次に、以上のような製造装置を用いて半導体装置を製造する場合の手順、すなわち半導体装置の製造方法について説明する。図3は、本発明に係る半導体装置の製造方法の一具体例を示す説明図である。図中では、図1(b)に示した構成の半導体装置を製造する場合を例に挙げている。
最も好適なH2ガスの濃度は、20%程度である。すなわち、Arガス80%、H2ガス20%の混合ガス雰囲気中にて、プラズマを用いた洗浄処理を行うと、半田バンプ3の表面における酸化膜を適切に除去しつつ、その除去後においても平滑な表面粗さが得られることが、実験等を通じて得られた経験則から分かっている。
具体的には、Sn−Agを例に挙げると、通常、半田として使う組成域では、標準的な溶融温度が220℃〜232℃程度であるが、Ag3Snが析出した後の組成では、最低溶融温度が480℃程度となってしまう。このような融点高温化は、洗浄処理の後の行う接合工程に悪影響を及ぼすため、回避すべきである。
これらのことからも、洗浄処理の処理時間が余りに長くなってしまうのを抑制して6分程度に抑えることは有効であると言える。
このとき、半田バンプ3は、上述した洗浄処理を経た後のものであり、H2ガスの還元作用により表面粗さが平滑化されたものである。すなわち、その半田バンプ3を大気中に曝した場合であっても、従来のようなプラズマのみの場合に比べると、酸化膜が形成され難い。
したがって、接合工程については、半田バンプ3の加熱溶融、すなわち上側半導体チップ5と下側半導体チップ6との接合を、洗浄装置10のチャンバ室11内から取り出して、大気中にて行うことが可能である。つまり、大気中で行っても、洗浄後の半田バンプ3の表面に酸化膜が形成されてしまうのを抑制できることから、接合不良や導通不良等の発生を未然に回避し得るのである。
これらのことから、接合工程における半田バンプ3に対する加熱温度は、例えば半田バンプ3がSn−Ag等の無鉛半田である場合には、220℃〜360℃程度とすることが考えられる。220℃未満であると標準的な半田溶融温度に達しないからであり、360℃を超えると表面の顕著な酸化が起こり接合性が極端に悪化するからである。
律動工程では、接合工程での半導体チップ5,6の各入出力端子5a,6a間の接合にあたり、その入出力端子5a,6aの律動を行う。律動は、例えば接合装置20に付設された超音波ヘッドを用いて、規則正しい繰り返し動作(振動や揺動等)を半導体チップ5,6に与えることで実現すればよい。なお、必ずしも半導体チップ5,6の両方が律動する必要はなく、いずれか一方のみであってもよい。
Claims (4)
- 半導体チップがフリップチップ実装されてなる半導体装置の製造方法であって、
前記フリップチップ実装による接続端子間の少なくとも一方に形成された半田バンプに対してプラズマを用いた洗浄を行う洗浄工程と、
前記洗浄工程による洗浄後の半田バンプを加熱溶融して前記接続端子間の接合を行う接合工程とを含み、
前記洗浄工程では、前記プラズマを用いた洗浄を、不活性ガスと還元性ガスとの混合ガス雰囲気中で行う
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記洗浄工程に先立ち、当該洗浄工程での洗浄対象となる半田バンプを加熱して、当該半田バンプの表面における酸化膜を一定量成長させる加熱工程
を含むことを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 前記接合工程での前記接続端子間の接合にあたり、当該接続端子を律動させる律動工程
を含むことを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 半導体チップがフリップチップ実装されてなる半導体装置を製造するための製造装置であって、
前記フリップチップ実装による接続端子間の少なくとも一方に形成された半田バンプに対してプラズマを用いた洗浄を行う洗浄手段と、
前記洗浄工程による洗浄後の半田バンプを加熱溶融して前記接続端子間の接合を行う接合手段とを備え、
前記洗浄手段は、前記プラズマを用いた洗浄を、不活性ガスと還元性ガスとの混合ガス雰囲気中で行うものである
ことを特徴とする半導体装置の製造装置。
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