JP2007094416A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】高開口率及び高透過率の液晶表示装置を提供する。
【解決手段】本発明による液晶表示装置は、画素電極と、前記画素電極と対向する共通電極と、前記画素電極と前記共通電極との間に位置する液晶層と、前記共通電極上に形成され、稜線及び斜面を含む傾斜部材と、傾斜部材としては、画素電極と対応する画素部傾斜部材と、隣接する画素部傾斜部材を接続させる接続傾斜部材とを備える。本発明により、開口率及び透過率を向上させることである。
【選択図】図１

Description

本発明は、液晶表示装置に関する。

液晶表示装置は、現在最も広く使用されている平板表示装置のうちの一つであって、画素電極と共通電極など、電場生成電極が形成されている二枚の表示板と、その間に挟持された液晶層、及び表示板の外側面に付着されている偏光子を備える。液晶表示装置は、電場生成電極に電圧を印加して液晶層に電場を生成し、これにより液晶層の液晶分子の方向を決定し、入射光の偏光を制御することによって画像を表示する。

このような液晶表示装置の中でも、電場が印加されない状態で液晶分子の長軸を表示板に対して垂直をなすように配列した垂直配向方式の液晶表示装置がコントラスト比が大きく、基準視野角が広いことから脚光を浴びている。
垂直配向方式の液晶表示装置において、広い基準視野角を実現するための具体的な方法としては、電場生成電極に切開部を設ける方法と、電場生成電極上に突起を設ける方法などがある。切開部及び突起は、液晶分子が傾く方向（ｔｉｌｔ ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）を決定するので、これらを適宜配置して、液晶分子の傾斜方向を複数の方向に分散させることによって、基準視野角を広くすることができる。

一方、液晶分子の傾斜方向は、偏光子の偏光方向と４５゜をなすときに最も光効率が良好であると知られており、通常、偏光子は偏光方向がゲート線またはデータ線と平行または垂直になるように付着する。従って、切開部や突起は、ゲート線及びデータ線と４５゜をなして延在するように形成する。

しかしながら、画素電極がゲート線及びデータ線と平行な長方形状である液晶表示装置では、隣接する画素電極の間に生じる電場のため、液晶分子の配列が乱れる。切開部や突起が形成された画素領域内部では、切開部や突起がゲート線及びデータ線と４５゜をなしており、その切開部や突起に垂直に交差する方向に電場が発生する。一方、画素電極間では、画素の辺はゲート線又はデータ線に平行であるため、ゲート線又はデータ線にほぼ垂直な方向の電場が発生する。そうすると、画素領域内の切開部や突起部が形成された部分と、隣接する画素電極間の辺の部分とでは、電場の方向が異なり、液晶分子の傾斜方向が異なる。このように液晶分子の配列が乱れることにより、テクスチャー（ｔｅｘｔｕｒｅ：画像とは異なる模様）が発生し、そのため、透過率が減少することがある。また、このようなテクスチャーを減らすために、共通電極の切開部に画素電極の辺と重なる部分を設けたりもするが、その場合には、画素電極の一部が共通電極に覆われることにより開口率が減少することがある。従って、本発明が目的とする技術的課題は、開口率及び透過率を向上させることである。

上記目的を達成するためになされた本発明１による液晶表示装置は、画素電極と、画素電極と対向する共通電極と、画素電極と共通電極との間に位置する液晶層と、共通電極上に形成され、稜線及び斜面を含む傾斜部材と、傾斜部材としは、画素電極と対応する画素部傾斜部材と、隣接する画素部傾斜部材を接続させる接続傾斜部材とを備えることを特徴とする。

このように、接続傾斜部材によって隣接する画素領域間の傾斜部材を接続することで、共通電極と画素電極との間に形成される電場の方向が変化し、液晶の均一な配向を強化する方向の副電場が形成されて液晶衝突が発生しないから、テクスチャーが減少し透過率が向上する。この本発明によれば、テクスチャーを減少させるために、共通電極の切開部に画素電極の辺を重畳させる部分を設ける必要が無く、開口率を向上させることができる。

本発明２は、発明１において、画素電極は、互いに対向する一対の第１主辺と、第１主辺に接続されて互いに対向する一対の第２主辺とを有し、第２主辺は、鋸歯状の突出部を含む。
鋸歯を設けることで、画素電極一辺である第２主辺付近における主電場の水平成分の方向及び副電場の方向を、領域の中央における主電場の水平成分の方向に沿うようにする。以上より、画素電極の鋸歯付近に位置する液晶分子の傾斜方向が、各領域の中央における液晶分子の傾斜方向とほぼ一致するため、鋸歯が設けられた付近も有効表示領域として活用することができる。

本発明３は、発明２において、接続傾斜部材は、隣接する画素電極の間隙と対応している。
本発明４は、発明１において、基板は基板上に形成されるゲート線、ゲート線と直交する複数のデータ線、ゲート線及びデータ線に接続される複数の薄膜トランジスタ、並びに薄膜トランジスタは、画素電極に接続される。

本発明５は、発明４において、画素部傾斜部材は、ゲート線と斜角をなしている。
本発明６は、発明２において、画素電極は、第１主辺と斜角をなす複数の切開部を含む。切開部により、画素領域が複数の領域に分割され、液晶分子が傾く方向が複数になる。よって、液晶表示装置の基準視野角が大きくなる。
本発明７は、発明６において、突出部は、切開部と１３５゜より大きい角度、あるいは４５゜より小さい角度をなす第１辺を有する。

本発明８は、発明６において、突出部は、切開部と平行な第２辺をさらに有する。
本発明９は、発明８において、突出部の第２辺は、切開部の一辺の延長線上に位置する。
本発明１０は、発明６において、突出部の境界線と第１主辺は長方形をなしている。
本発明１１は、発明１０において、長方形の角部のうちの少なくとも一つは面取りされ、斜辺をなしている。

本発明１２は、発明１０において、長方形の面取りされた斜辺は、第１主辺と４５゜をなしている。
本発明１３は、発明６において、突出部はデータ線と重なっている。
本発明１４は、発明１において、隣接する画素電極の隣接する第２主辺の突出部は、互いに噛み合うように配置されている。隣接する画素電極において、突出部が噛み合うように配置されているため、その部分の電場を強力にし、液晶分子の傾きを精度良く制御することができる。

本発明１５は、発明１において、互いに噛み合うように配置されている突出部の対向する辺は互いに並んでいる。
本発明１６は、発明６において、画素電極は、切開部によって物理的に互いに分離された少なくとも二つの副画素電極を含む。
本発明１７は、発明６において、少なくとも二つの副画素電極の電圧は互いに異なり得る。

本発明１８は、発明１７において、少なくとも二つの副画素電極は容量性結合される。
本発明１９は、発明１６において、副画素電極は、薄膜トランジスタにそれぞれ接続される。
本発明２０は、発明１６において、一つの画素電極におけるそれぞれの副画素電極は、互いに異なるデータ線に接続されており、一つの画素電極におけるそれぞれの副画素電極は、同一のゲート線に接続される。

本発明２１は、発明１６において、一つの画素電極におけるそれぞれの副画素電極は、互いに異なるゲート線に接続されており、一つの画素電極におけるそれぞれの副画素電極は、同一のデータ線に接続される。
本発明２２は、発明１において、斜面の傾斜角は１〜１０゜の範囲である。
本発明２３は、発明１において、斜面は曲がっている。

本発明２４は、発明１において、傾斜部材の厚さは０．５〜２．０μmの範囲である。
本発明２５は、発明１において、共通電極の下に形成される複数のカラーフィルタをさらに含む。
本発明２６は、発明２５において、共通電極とカラーフィルタとの間に形成されるオーバーコート膜をさらに含む。

本発明２７は、発明２５において、傾斜部材はオーバーコート膜と共通電極との間に位置している。
本発明２８は、発明２５において、傾斜部材はオーバーコート膜と一体に形成されている。

本発明による液晶表示装置は、共通電極の縦切開部を除去し、除去された領域を透過領域として活用することができる。そして、共通電極に画素電極の間隙と対応する接続傾斜部材を形成することで、間隙で形成される副電場が副領域における液晶の配向を強化してテクスチャーが減少し、且つ高開口率及び高透過率の液晶表示装置を実現することができる。

次に、本発明に係る表示装置を実施するための最良の形態の具体例を図面を参照しながら説明する。しかし、本発明は、多様な形態で実現することができ、ここで説明する実施形態に限定されない。
図面は、各種層及び領域を明確に表現するために、厚さを拡大して示している。明細書全体を通じて類似した部分については同一の参照符号を付けている。層、膜、領域、板などの部分が、他の部分の“上に”あるとする時、これは他の部分の“すぐ上に”ある場合に限らず、その中間に更に他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の“すぐ上に”あるとする時、これは中間に他の部分がない場合を意味する。

次に、図１乃至図５を参照して本発明の一実施形態に係る液晶表示装置について詳細に説明する。
図１は本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の配置図であり、図２は図１の液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板の配置図であり、図３は図１の液晶表示装置用共通電極表示板の配置図であり、図４は図１の液晶表示装置のＩＶ-ＩＶ線断面図であり、図５は図１の液晶表示装置のＶ-Ｖ線断面図である。図６Ａ及び図６Ｂは本発明の他の実施形態に係る傾斜部材の断面図である。

図１乃至図５に示すように、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置は、互いに対向する薄膜トランジスタ表示板１００と共通電極表示板２００及びこれら二つの表示板１００、２００の間に挟持された液晶層３を備えている。
まず、図１、図２、図４及び図５を参照して薄膜トランジスタ表示板１００について説明する。透明なガラスまたはプラスチックなどからなる絶縁基板１１０上に複数のゲート線１２１及び複数の維持電極線１３１が形成されている。

ゲート線１２１はゲート信号を伝達し、図１中、主に横方向に延びている。各ゲート線１２１は下上に突出した複数のゲート電極１２４と、他の層または外部駆動回路との接続のための広い端部１２９を含む。ゲート信号を生成するゲート駆動回路（図示せず）は、基板１１０上に付着される可撓性印刷回路膜（図示せず）上に装着されたり、基板１１０上に直接装着されたり、基板１１０に集積される。ゲート駆動回路が基板１１０上に集積されている場合には、ゲート線１２１が延長されてそれと直接接続される。

維持電極線１３１は、所定電圧を印加を受け、ゲート線１２１とほぼ並んで延びている幹線と、これから分岐された複数の第１、第２、第３及び第４維持電極１３３ａ、１３３ｂ、１３３ｃ、１３３ｄの集合、及び複数の接続部１３３ｅを含む。維持電極線１３１のそれぞれは隣接する二つのゲート線１２１の間に位置し、図１に示すように幹線は二つのゲート線１２１のうちの上側に近い。

第１及び第２維持電極１３３ａ、１３３ｂは、図１中の縦方向に延びて互いに対向する。第１維持電極１３３ａは幹線に接続された固定端と、その反対側の自由端とを有し、自由端は他の部分よりも幅が大きい突出部を含む。第３及び第４維持電極１３３ｃ、１３３ｄは、ほぼ第１維持電極１３３ａの中央から第２維持電極１３３ｂの下端及び上端まで斜めに延びている。接続部１３３ｅは、隣接する維持電極１３３ａ〜１３３ｄの集合と維持電極１３３ａ〜１３３ｄの集合との間に接続される。しかし、維持電極線１３１の形状及び配置は多様に変更できる。

ゲート線１２１及び維持電極線１３１は、アルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金などのアルミニウム系金属、銀（Ａｇ）や銀合金などの銀系金属、銅（Ｃｕ）や銅合金などの銅系金属、モリブデン（Ｍｏ）やモリブデン合金などのモリブデン系金属、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）及びチタニウム（Ｔｉ）などからなることができる。しかし、これらは物理的な性質が異なる二つの導電膜（図示せず）を含む多重膜構造を有してもよい。このうちの一つの導電膜は、信号遅延や電圧降下を減らし得るように比抵抗が低い金属、例えば、アルミニウム系金属、銀系金属、銅系金属などからなる。これに対し、もう一つの導電膜は、他の物質、特にＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）及びＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）との物理的、化学的、電気的接触特性に優れた物質、例えばモリブデン系金属、クロム、タンタル、チタニウムなどからなる。このような組み合わせの好適な例としては、クロム下部膜とアルミニウム（合金）上部膜、並びにアルミニウム（合金）下部膜とモリブデン（合金）上部膜がある。しかし、ゲート線１２１及び維持電極線１３１は、その他にも種々の金属または導電体からなることができる。

ゲート線１２１及び維持電極線１３１の側面は基板１１０面に対して傾斜しており、その傾斜角は約３０゜乃至８０゜であることが好ましい。このように側面が傾斜しているとその上部の膜を平坦化し易く、また上部の配線の断線を防止することができる。
ゲート線１２１及び維持電極線１３１上には、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯｘ）などからなるゲート絶縁膜１４０が形成されている。

ゲート絶縁膜１４０上には、水素化非晶質シリコン（非晶質シリコンは略してａ-Ｓｉと記す。）または多結晶シリコンなどからなる複数の線状半導体１５１が形成されている。線状半導体１５１は主に図１中の縦方向に延びており、ゲート電極１２４に向かって延出した複数の突出部１５４を含む。線状半導体１５１は維持電極線１３１の接続部１３１ｅ付近で幅が広くなってこれらを幅広く覆っている。

半導体１５１上には、複数の線状及び島状オーミック接触部材（ｏｈｍｉｃ ｃｏｎｔａｃｔ）１６１、１６５が形成されている。オーミック接触部材１６１、１６５はリンなどのｎ型不純物が高濃度にドープされているｎ＋水素化非晶質シリコンなどの物質からなるか、シリサイド（ｓｉｌｉｃｉｄｅ）からなることができる。線状オーミック接触部材１６１は複数の突出部１６３を有しており、この突出部１６３と島状オーミック接触部材１６５は対をなして半導体１５１の突出部１５４上に配設されている。

半導体１５１とオーミック接触部材１６１、１６５の側面もまた、基板１１０表面に対して傾斜しており、その傾斜角は３０゜乃至８０゜であることが好ましい。
オーミック接触部材１６１、１６５及びゲート絶縁膜１４０上には、複数のデータ線１７１と複数のドレイン電極１７５、及び複数の孤立金属片１７８が形成されている。
データ線１７１はデータ電圧を伝達し、主に縦方向に延びてゲート線１２１、維持電極線１３１の幹線及び接続部１３３ｅと交差する。各データ線１７１はゲート電極１２４に向かって延びてＣ字状に曲がった複数のソース電極１７３と、他の層または外部駆動回路との接続のための広い端部１７９を含む。データ電圧を生成するデータ駆動回路（図示せず）は、基板１１０上に付着される可撓性印刷回路膜（図示せず）上に装着されたり、基板１１０上に直接装着されたり、基板１１０に集積される。データ駆動回路が基板１１０上に集積されている場合には、データ線１７１が延長されてそれと直接接続される。

ドレイン電極１７５はデータ線１７１と分離されており、ゲート電極１２４を中心としてソース電極１７３と対向する。各ドレイン電極１７５は広い一方の端部と棒状の他方の端部を有し、棒状の端部はソース電極１７３に一部が取り囲まれるように形成されている。
一つのゲート電極１２４、一つのソース電極１７３、及び一つのドレイン電極１７５は、半導体１５１の突出部１５４と共に一つの薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を構成し、薄膜トランジスタのチャンネルは、ソース電極１７３とドレイン電極１７５との間の突出部１５４に形成されている。

孤立金属片１７８は第１維持電極１３３ａに隣接する部分のゲート線１２１上に位置している。
データ線１７１、ドレイン電極１７５及び金属片１７８は、モリブデン、クロム、タンタル及びチタニウムなどの耐火性金属、あるいはこれらの合金からなることが好ましく、耐火性金属膜（図示せず）と低抵抗導電膜（図示せず）を含む多重膜構造を有してもよい。多重膜構造の例としては、クロムまたはモリブデン（合金）下部膜とアルミニウム（合金）上部膜の二重膜、モリブデン（合金）下部膜とアルミニウム（合金）中間膜とモリブデン（合金）上部膜の三重膜がある。しかし、データ線１７１とドレイン電極１７５及び金属片１７８は、その他にも種々の金属または導電体からなることができる。

データ線１７１とドレイン電極１７５及び金属片１７８もまた、その側面が基板１１０面に対して約３０゜乃至８０゜の傾斜角で傾斜していることが好ましい。
オーミック接触部材１６１、１６５はその下の半導体１５１とその上のデータ線１７１及びドレイン電極１７５の間にのみ存在し、接触抵抗を低くする。殆どの部分で線状半導体１５１がデータ線１７１より狭いが、上述したとおり、維持電極線１３１と出会う部分で幅が広くなって表面のプロファイルを滑らかにすることによって、データ線１７１が断線することを防止する。半導体１５１にはソース電極１７３とドレイン電極１７５との間をはじめとしてデータ線１７１及びドレイン電極１７５で覆われず露出した部分がある。

データ線１７１、ドレイン電極１７５及び金属片１７８と露出した半導体１５１部分上には保護膜１８０が形成されている。保護膜１８０は無機絶縁物または有機絶縁物などからなり、表面が平坦化し得る。無機絶縁物の例としては、窒化シリコンと酸化シリコンがある。有機絶縁物は感光性を有することができ、その誘電定数は約４．０以下であることが好ましい。しかし、保護膜１８０は有機膜の優れた絶縁特性を生かしつつ露出した半導体１５１部分に害を及ぼさないように、下部無機膜と上部有機膜の二重膜構造を有してもよい。

保護膜１８０にはデータ線１７１の端部１７９とドレイン電極１７５をそれぞれ露出させる複数のコンタクトホール（ｃｏｎｔａｃｔ ｈｏｌｅ）１８２、１８５が形成されており、保護膜１８０とゲート絶縁膜１４０には、ゲート線１２１の端部１２９を露出させる複数のコンタクトホール１８１、第１維持電極１３３ａの自由端の突出部を露出させる複数のコンタクトホール１８３ａ、第１維持電極１３３ａの固定端付近の維持電極線１３１の一部を露出させる複数のコンタクトホール１８３ｂが形成されている。

保護膜１８０上には複数の画素電極１９１、複数の接続ブリッジ（ｏｖｅｒｐａｓｓ）８３及び複数の接触補助部材８１、８２が形成されている。これらはＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質やアルミニウム、銀、クロム、またはその合金などの反射性金属からなることができる。
画素電極１９１はコンタクトホール１８５を介してドレイン電極１７５と物理的・電気的に接続されており、ドレイン電極１７５からデータ電圧が印加される。データ電圧が印加された画素電極１９１は、共通電圧の印加を受ける共通電極表示板２００の共通電極２７０と共に電場を生成することによって、二つの電極１９１、２７０の間の液晶層３の液晶分子３１の方向を決定する。このように決定された液晶分子３１の方向によって、液晶層３を通過する光の偏光が変わる。画素電極１９１と共通電極２７０は、キャパシタ（以下、液晶キャパシタという。）を構成し、薄膜トランジスタが非導通状態になった後にも印加された電圧を維持する。

画素電極１９１は維持電極線１３１と重畳しており、画素電極１９１の左側及び右側辺は維持電極１３３ａ、１３３ｂよりデータ線１７１に隣接している。画素電極１９１及びこれと電気的に接続されたドレイン電極１７５が維持電極線１３１と重畳して構成するキャパシタをストレージキャパシタといい、ストレージキャパシタは液晶キャパシタの電圧維持能力を強化する。

各画素電極１９１はゲート線１２１またはデータ線１７１とほぼ平行な４つの主辺を有し、４つの角が面取りされている（ｃｈａｍｆｅｒｅｄ）ほぼ四角形状である。画素電極１９１の面取りされた斜辺は、ゲート線１２１に対して約４５゜の角度をなしている。
画素電極１９１には、中央切開部９１、下部切開部９２ａ及び上部切開部９２ｂが形成されており、画素電極１９１はこれらの切開部９１〜９２ｂ（９１、９２ａ、９２ｂ）によって複数の領域に分割される。切開部９１〜９２ｂは画素電極１９１を二等分する仮想の横中心線ａ−ａ’に対してほぼ反転対称をなしている。

下部及び上部切開部９２ａ、９２ｂはほぼ画素電極１９１の右側辺から左側辺に斜めに延びており、第３及び第４維持電極１３３ｃ、１３３ｄとそれぞれ重畳している。下部及び上部切開部９２ａ、９２ｂは画素電極１９１の横中心線ａ−ａ’に対して下半部と上半部にそれぞれ位置している。下部及び上部切開部９２ａ、９２ｂはゲート線１２１に対して約４５゜の角度をなして延在しており、互いに垂直を成している。

中央切開部９１は画素電極１９１の横中心線ａ−ａ’に沿って延び、右辺側に入口を有している。中央切開部９１の入口は下部切開部９２ａと上部切開部９２ｂにそれぞれほぼ平行な一対の斜辺９１ａ、９１ｂを有している。従って、画素電極１９１の下半部は、下部切開部９２ａによって二つの領域に分かれ、上半部もまた、上部切開部９２ｂによって二つの領域に分割される。この際、領域の数または切開部の数は、画素電極１９１の大きさ、画素電極１９１の横辺と縦辺の比、液晶層３の種類や特性など設計要素によって変わる。

接続ブリッジ８３はゲート線１２１を横切って、ゲート線１２１を間に置いて反対側に位置しているコンタクトホール１８３ａ、１８３ｂを介して維持電極線１３１の露出した部分と、第１維持電極１３３ａの自由端の露出した端部に接続される。維持電極１３３ａ、１３３ｂをはじめとする維持電極線１３１は、接続ブリッジ８３と共にゲート線１２１やデータ線１７１、あるいは薄膜トランジスタの欠陥を修理するのに使用することができる。例えば、接続ブリッジ８３を切断し、上下に隣接する第１維持電極１３３ａ間の接続を切断する。切断後の第１維持電極１３３ａをゲート線１２１やデータ線１７１として使用する。

接触補助部材８１、８２はそれぞれコンタクトホール１８１、１８２を介してゲート線１２１の端部１２９及びデータ線１７１の端部１７９に接続される。接触補助部材８１、８２はゲート線１２１の端部１２９及びデータ線１７１の端部１７９と外部装置との接着性を補完し、これらを保護する。
次に、図１、図３、図４及び図５を参照して、共通電極表示板２００について説明する。透明なガラスまたはプラスチックなどからなる絶縁基板２１０上に、遮光部材２２０が形成されている。遮光部材２２０は、ブラックマトリクスともいい、画素電極１９１間の光漏れを防止する。遮光部材２２０は、画素電極１９１と対向し、画素電極１９１とほぼ同一形状を有する複数の開口部２２５を有する。しかし、遮光部材２２０は、データ線１７１に対応する部分と、薄膜トランジスタに対応する部分とからなることができる。遮光部材２２０は、クロム単一膜、あるいはクロムと酸化クロムの二重膜からなるか、黒色顔料（ｐｉｇｍｅｎｔ）を含む有機膜からなることができる。

なお、基板２１０上には、複数のカラーフィルタ２３０が形成されている。カラーフィルタ２３０は遮光部材２２０の開口部２２５内にほとんど入り、画素電極１９１列に沿って縦方向に長く延びることができる。各カラーフィルタ２３０は赤色、緑色及び青色の三原色など基本色のうちの一つを表示することができ、隣接するカラーフィルタ２３０の縁は重なることができる。

カラーフィルタ２３０及び遮光部材２２０上には、ＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電体などからなる共通電極２７０が形成されている。
共通電極２７０とカラーフィルタ２３０との間には、カラーフィルタが露出することを防止し、平坦面を提供するためのオーバーコート膜２５０が形成されるが、必要に応じて省略可能である。

共通電極２７０上には、複数の傾斜部材３３０ａ、３３０ｂ、３３０ｃ、３３０ｄ、３３０ｅの集合が形成されている。傾斜部材３３０ａ〜３３０ｅは誘電体からなり、その誘電定数は液晶層３の誘電定数以下であることが好ましい。
それぞれの傾斜部材３３０ａ〜３３０ｅの集合は、画素電極１９１と対向する第１乃至第４斜線傾斜部材３３０ａ〜３３０ｄと接続傾斜部材３３０ｅとを含む。第１乃至第４斜線傾斜部材３３０ａ〜３３０ｄは、主辺（ｐｒｉｍａｒｙ ｅｄｇｅ）と副辺（ｓｅｃｏｎｄａｒｙ ｅｄｇｅ）を含むシェブロン状（ｃｈｅｖｒｏｎ）、つまりＶ字状である。主辺は、傾斜部材の縁の境界線の辺のうち、長い辺を指し、副辺は短い辺を指す。主辺は切開部９１〜９２ｂの斜辺、及び画素電極１９１の斜辺と実質的に平行であり、図１に示すように、主辺は切開部９１〜９２ｂまたは画素電極１９１の斜辺と対向する。副辺はゲート線１２１またはデータ線１７１と平行である。接続傾斜部材３３０ｅは隣接する第１乃至第４斜線傾斜部材３３０ａ〜３３０ｄを接続させる。

各傾斜部材３３０ａ〜３３０ｅは稜線と斜面を含み、図では点線で稜線を示した。画素領域内の太い点線は第１乃至第４斜線傾斜部材３３０ａ〜３３０ｄの稜線を示しており、画素領域間の細い点線は接続傾斜部材３３０ｅを示す。
図１では、参照符号が稜線を指しているが、実際には稜線を含めて第１乃至第４斜線傾斜部材３３０ａ〜３３０ｄを指す。なお、稜線は傾斜部材の最も高い部分であり、主辺は傾斜部材の最も低い部分である。

傾斜部材３３０ａ〜３３０ｄを稜線を中心として説明すれば、第１乃至第４斜線傾斜部材３３０ａ〜３３０ｄの稜線は、切開部９１〜９２ｂの間、または切開部９２ａ、９２ｂと画素電極１９１の斜辺との間に位置し、切開部９１〜９２ｂと平行に延在している。第３及び第４斜線傾斜部材３３０ｃ、３３０ｄは、ゲート線１２１と並んでいる縦断部をさらに含むことができる。接続傾斜部材３３０ｅは、第１斜線傾斜部材３３０ａと第３斜線傾斜部材３３０ｃとを接続させたり、第２斜線傾斜部材３３０ｂと第４斜線傾斜部材３３０ｄとを接続させる。斜面は稜線から主辺に達するまでの面として次第に高さが低くなる。稜線の高さは約０．５〜２．０μｍであり、斜面の傾斜角（θ）は約１〜１０゜であることが好ましい。

第１乃至第４斜線傾斜部材３３０ａ〜３３０ｄが占める面積は、画素電極１９１の面積の半分（１/２）以上であることが好ましい。一つの画素電極１９１と対応する傾斜部材３３０ａ〜３３０ｅは、分離されず底辺が連続するように接続され得る。
傾斜部材３３０ａ〜３３０ｅの斜面は種々の形状を有することができるが、図６Ａ及び図６Ｂのように、その中間で曲がることがある。図６Ａに示す例で、斜面の傾斜度が底付近でα=１０゜以下であることが好ましく、その上ではβ=５゜以下であることが好ましい。そして図６Ｂに示す例では、斜面の傾斜度がα=１０゜以下であり、β=１０゜以下であるが、γ=１０゜以上であることが好ましい。

表示板１００、２００の内側面に配向膜１１、２１が塗布されており、これらは垂直配向膜であることができる。二つの表示板１００、２００の外側面には偏光子１２、２２がそれぞれ備えられているが、二つの偏光子の透過軸は直交し、斜線切開部９２ａ、９２ｂ及び傾斜部材３３０ａ〜３３０ｅの稜線とほぼ４５゜の角度をなすことが好ましい。反射型液晶表示装置の場合には、二つの偏光子１２、２２のうちの一つは省略してもよい。

本実施形態に係る液晶表示装置は、表示板１００、２００の間の間隔を維持するための間隔材（図示せず）と、液晶層３の遅延値を補償するための少なくとも一つの位相遅延膜（図示せず）をさらに含むことができる。
また、液晶表示装置は、偏光子１２、２２、位相遅延膜、表示板１００、２００、及び液晶層３に光を供給する照明部を含むことができる。

液晶層３は負の誘電率異方性を有し、液晶層３の液晶分子３１は電場がない状態でその長軸が二つの表示板の表面に対してほぼ垂直をなすように配向されている。従って、入射光は直交偏光子１２、２２を通過できず遮断される。
共通電極２７０に共通電圧を印加し、画素電極１９１にデータ電圧を印加すると、表示板１００、２００の表面にほぼ垂直な電場が生成される（以下、画素電極１９１と共通電極２７１をいずれも電場生成電極という）。液晶分子３１は電場に応答して、その長軸が電場の方向に垂直をなすように方向を変えようとする。この時、共通電極２７０の傾斜部材３３０ａ〜３３０ｅ、画素電極１９１の切開部９１〜９２ｂと、画素電極１９１の辺（画素電極のへり）は、液晶分子３１が横になる方向または傾斜方向を決定する。これについて詳細に説明する。

液晶分子３１は電場が加わらない状態で傾斜部材３３０ａ〜３３０ｅにより予め傾斜し（ｐｒｅ-ｔｉｌｔｅｄ）、プレチルト角を有している。このように液晶分子がプレチルト角を有していると、電場を印加したときにバラツキ無く速やかにプレチルト方向に傾くようになる。ここで、液晶分子の傾斜方向は、切開部９１〜９２ｂの辺及び画素電極１９１の辺に垂直である。

一方、画素電極１９１の切開部９１〜９２ｂ及び画素電極１９１の辺は、電場を歪曲して液晶分子３１の傾斜方向を決定する水平成分を作る。電場の水平成分も切開部９１〜９２ｂの辺と画素電極１９１の辺に垂直である。
また、図４に示すように、傾斜部材３３０ａ〜３３０ｅの厚さが位置によって差があるため、電場の等電位線が変化し、これも液晶分子３１が傾くよう力を加える。このように傾くようにする力も、切開部９１〜９２ｂ及び傾斜部材３３０ａ〜３３０ｅによって決定される傾斜方向と一致しており、これは傾斜部材３３０ａ〜３３０ｅの誘電定数が液晶層３より小さいときにそうである。ここで、電場Ｅ、誘電率ε、電荷密度ρの関係は、ΔＥ＝ρ／εで表される。傾斜部材３３０ａから３３０ｅの誘電定数が液晶層３より小さいときに液晶分子３１が傾くよう力を加えるようになるのは、前記式によると、誘電定数が小さいほど電場が大きくなるからである。従って、切開部９１〜９２ｂ及び画素電極１９１の斜辺から遠い液晶分子３１も、横になる方向が決定されて、液晶分子３１の応答速度が速くなる。また、傾斜部材により、画素領域内の液晶分子の傾斜方向を効果的に制御することができるので、透過率が向上する。

一方、図１に示すように、一つの切開部集合９１〜９２ｂと傾斜部材集合３３０ａ〜３３０ｄは、画素電極１９１をそれぞれ二つの主辺を有する複数の副領域（ｓｕｂ-ａｒｅａ）に分けるが、各副領域の液晶分子３１は上述したような傾斜方向に傾き、傾く方向はほぼ４つの方向である。つまり、図２に示すように、画素領域は、液晶分子の傾きが異なる４つの副領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄに分かれる。上部の画素領域には副領域Ａ、Ｂが形成され、下部の画素領域には副領域Ｃ、Ｄが形成される。ここで、切開部の集合９１〜９２ｂ、切開部９１〜９２ｂ及び画素電極１９１の斜辺が、副領域の主辺となり得る。例えば、副領域Ｂの主辺は辺ｂ１及びｂ２である。

このように、液晶分子３１が傾く方向を複数の方向にすると、液晶表示装置の基準視野角が大きくなる。そして、隣接する斜線傾斜部材３３０ａ〜３３０ｄを接続傾斜部材３３０ｅに接続させて、液晶分子３１の配向を強化させることによって、画素電極１９１の縁で発生するテクスチャーを減少させ、透過率が向上させる。このため、テクスチャーを減少させるために、共通電極の切開部に画素電極の辺を重畳させる部分を設ける必要が無く、開口率を向上させることができる。

このように、画素電極１９１の切開部９１〜９２ｂと傾斜部材３３０ａ〜３３０ｅだけでも液晶分子３１の傾斜方向を決定することができるため、共通電極２７０に切開部を設けなくてもよい。その結果、製造工程で共通電極２７０をパターニングする工程を省略することができる。また、切開部を省略することで、電荷が特定の位置に蓄積されないため、これらが偏光子に移って偏光子を損傷することを防止することができる。その結果、偏光子の損傷を防止するための静電気放電防止処理を省略することができる。従って、切開部の省略は、液晶表示装置の製造費用を顕著に低減することができる。

次に、図７及び図８を参照して本発明の他の実施形態に係る液晶表示装置について詳細に説明する。
図７は本発明の他の実施形態に係る液晶表示装置の配置図であり、図８は図７の液晶表示装置のＶＩＩＩ-ＶＩＩＩ線断面図であり、図９は図７の液晶表示装置における共通電極及び画素電極のみを示した配置図である。

図７及び図８を参照すれば、本実施形態に係る液晶表示装置は、互いに対向する薄膜トランジスタ表示板１００と共通電極表示板２００、及びこれら二つの表示板１００、２００の間に挟持された液晶層３を含む。
まず、薄膜トランジスタ表示板１００について詳細に説明する。透明なガラスまたはプラスチックなどからなる絶縁基板１１０上に、複数のゲート線１２１及び複数の維持電極線１３１が形成されている。ゲート線１２１はゲート信号を伝達し、図７中の主に横方向に延びている。各ゲート線１２１は下上に突出した複数のゲート電極１２４と異なる層または外部駆動回路との接続のための広い端部１２９を含む。ゲート信号を生成するゲート駆動回路（図示せず）は、基板１１０上に付着される可撓性印刷回路膜（図示せず）上に装着されたり、基板１１０上に直接装着されたり、基板１１０に集積される。ゲート駆動回路が基板１１０上に集積されている場合には、ゲート線１２１が延びてそれと直接接続される。

維持電極線１３１は、所定電圧の印加を受け、ゲート線１２１とほぼ並んで延びた幹線と、これから分岐された複数の第１、第２、第３及び第４維持電極１３３ａ、１３３ｂ、１３３ｃ、１３３ｄ集合及び複数の接続部１３３ｅを含む。維持電極線１３１のそれぞれは隣接する二つのゲート線１２１の間に位置し、図７に示すように幹線は二つのゲート線１２１のうちの上側に近い。

第１及び第２維持電極１３３ａ、１３３ｂは図７中の縦方向に延びて互いに対向している。第１維持電極１３３ａは幹線に接続された固定端と、その反対側の自由端とを有し、自由端は他の部分よりも幅が大きい突出部を含む。第３及び第４維持電極１３３ｃ、１３３ｄは、ほぼ第１維持電極１３３ａの中央から第２維持電極１３３ｂの下端及び上端まで斜めに延びている。接続部１３３ｅは、隣接する維持電極１３３ａ〜１３３ｄの集合と維持電極１３３ａ〜１３３ｄの集合との間に接続される。しかし、維持電極線１３１の形状及び配置は多様に変更できる。

ゲート線１２１及び維持電極線１３１は、アルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金などのアルミニウム系金属、銀（Ａｇ）や銀合金などの銀系金属、銅（Ｃｕ）や銅合金などの銅系金属、モリブデン（Ｍｏ）やモリブデン合金などのモリブデン系金属、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）及びチタニウム（Ｔｉ）などからなることができる。しかし、これらは物理的な性質が異なる二つの導電膜（図示せず）を含む多重膜構造を有してもよい。このうちの一つの導電膜は、信号遅延や電圧降下を減らし得るように比抵抗が低い金属、例えば、アルミニウム系金属、銀系金属、銅系金属などからなる。これに対し、もう一つの導電膜は、他の物質、特にＩＴＯ及びＩＺＯとの物理的、化学的、電気的接触特性に優れた物質、例えばモリブデン系金属、クロム、タンタル、チタニウムなどからなる。このような組み合わせの好適例としては、クロム下部膜とアルミニウム（合金）上部膜、及びアルミニウム（合金）下部膜とモリブデン（合金）上部膜がある。しかし、ゲート線１２１及び維持電極線１３１は、その他にも種々の金属または導電体からなることができる。

ゲート線１２１及び維持電極線１３１の側面は基板１１０面に対して傾斜しており、その傾斜角は約３０゜乃至８０゜であることが好ましい。このように側面が傾斜しているとその上部の膜を平坦化し易く、また上部の配線の断線を防止することができる。
ゲート線１２１及び維持電極線１３１上には、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯｘ）などからなるゲート絶縁膜１４０が形成されている。

ゲート絶縁膜１４０上には、水素化非晶質シリコンまたは多結晶シリコンなどからなる複数の線状半導体１５１が形成されている。線状半導体１５１は図７中の主に縦方向に延びており、ゲート電極１２４に向かって延出した複数の突出部１５４を含む。線状半導体１５１は、維持電極線１３１の接続部１３３ｅ付近で幅が広くなってこれらを幅広く覆っている。

半導体１５１上には、複数の線状及び島状オーミック接触部材１６１、１６５が形成されている。オーミック接触部材１６１、１６５は、リンなどのｎ型不純物が高濃度にドープされているｎ＋水素化非晶質シリコンなどの物質からなるか、シリサイドからなることができる。線状オーミック接触部材１６１は複数の突出部１６３を有し、この突出部１６３と島状オーミック接触部材１６５は対をなして、半導体１５１の突出部１５４上に配置されている。

半導体１５１とオーミック接触部材１６１、１６５の側面も基板１１０の表面に対して傾斜しており、その傾斜角は３０゜乃至８０゜であることが好ましい。
オーミック接触部材１６１、１６５及びゲート絶縁膜１４０上には、複数のデータ線１７１と複数のドレイン電極１７５、及び複数の孤立金属片１７８が形成されている。
データ線１７１はデータ電圧を伝達し、主に縦方向に延びてゲート線１２１、維持電極線１３１の幹線、及び接続部１３３ｅと交差する。各データ線１７１は、ゲート電極１２４に向かって延び、Ｃ字状に曲がった複数のソース電極１７３と、他の層または外部駆動回路との接続のための広い端部１７９を含む。データ電圧を生成するデータ駆動回路（図示せず）は、基板１１０上に付着される可撓性印刷回路膜（図示せず）上に装着されたり、基板１１０上に直接装着されたり、基板１１０に集積される。データ駆動回路が基板１１０上に集積される場合には、データ線１７１が延びてそれと直接接続される。

ドレイン電極１７５は、データ線１７１と分離されており、ゲート電極１２４を中心としてソース電極１７３と対向している。各ドレイン電極１７５は、広い一方の端部と棒状の他方の端部を有しており、棒状の端部はソース電極１７３に一部が取り囲まれるように形成されている。
一つのゲート電極１２４、一つのソース電極１７３、及び一つのドレイン電極１７５は、半導体１５１の突出部１５４と共に一つの薄膜トランジスタを構成し、薄膜トランジスタのチャンネルはソース電極１７３とドレイン電極１７５の間の突出部１５４に形成される。孤立金属片１７８は、第１維持電極１３３ａに隣接する部分のゲート線１２１上に位置している。

データ線１７１、ドレイン電極１７５及び金属片１７８は、モリブデン、クロム、タンタル及びチタニウムなどの耐火性金属またはこれらの合金からなることが好ましく、耐火性金属膜（図示せず）と低抵抗導電膜（図示せず）を含む多重膜構造を有することができる。多重膜構造の例としては、クロムまたはモリブデン（合金）下部膜とアルミニウム（合金）上部膜の二重膜、モリブデン（合金）下部膜とアルミニウム（合金）中間膜とモリブデン（合金）上部膜の三重膜がある。しかし、データ線１７１とドレイン電極１７５及び金属片１７８は、その他にも種々の金属または導電体からなることができる。

また、データ線１７１とドレイン電極１７５及び金属片１７８も、その側面が基板１１０面に対して約３０゜乃至８０゜の傾斜角で傾斜していることが好ましい。
オーミック接触部材１６１、１６５は、その下の半導体１５１と、その上のデータ線１７１及びドレイン電極１７５の間にのみ存在し、接触抵抗を低くする。殆どの部分で線状半導体１５１がデータ線１７１より狭いが、上述したとおり、維持電極線１３１と出会う部分で幅が広くなって表面のプロファイルを滑らかにすることによって、データ線１７１が断線することを防止する。半導体１５１にはソース電極１７３とドレイン電極１７５の間をはじめとしてデータ線１７１及びドレイン電極１７５で覆われず露出した部分がある。

データ線１７１、ドレイン電極１７５及び金属片１７８と、露出した半導体１５１部分上には、保護膜１８０が形成されている。保護膜１８０は無機絶縁物または有機絶縁物などからなり、表面が平坦化し得る。無機絶縁物の例としては、窒化シリコンと酸化シリコンがある。有機絶縁物は感光性を有することができ、その誘電定数は約４．０以下であることが好ましい。しかし、保護膜１８０は有機膜の優れた絶縁特性を生かしつつ露出した半導体１５１部分に害を及ぼさないように、下部無機膜と上部有機膜の二重膜構造を有することができる。

保護膜１８０には、データ線１７１の端部１７９とドレイン電極１７５をそれぞれ露出させる複数のコンタクトホール１８２、１８５が形成されており、保護膜１８０とゲート絶縁膜１４０には、ゲート線１２１の端部１２９を露出させる複数のコンタクトホール１８１、第１維持電極１３３ａの自由端の突出部を露出させる複数のコンタクトホール１８３ａ、第１維持電極１３３ａの固定端付近の維持電極線１３１の一部を露出させる複数のコンタクトホール１８３ｂが形成されている。

保護膜１８０上には、複数の画素電極１９１、複数の接続ブリッジ８３及び複数の接触補助部材８１、８２が形成されている。これらはＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質やアルミニウム、銀、クロム、またはその合金などの反射性金属からなることができる。
画素電極１９１は、コンタクトホール１８５を介してドレイン電極１７５と物理的・電気的に接続されており、ドレイン電極１７５からデータ電圧が印加される。データ電圧が印加された画素電極１９１は、共通電圧の印加を受ける共通電極表示板２００の共通電極２７０と共に電場を生成することによって、二つの電極１９１、２７０の間の液晶層３の液晶分子３１の方向を決定する。このように決定された液晶分子３１の方向によって液晶層３を通過する光の偏光が変わる。画素電極１９１と共通電極２７０は、液晶キャパシタを構成し、薄膜トランジスタが非導通状態になった後にも、印加された電圧を維持する。

画素電極１９１は維持電極線１３１と重なっている。画素電極１９１には、中央切開部９１、下部切開部９２ａ、９３ａ及び上部切開部９２ｂ、９３ｂが形成されており、画素電極１９１は、これら切開部９１〜９３ｂ（９１、９２ａ、９２ｂ、９３ａ、９３ｂ）によって複数の領域に分割される。切開部９１〜９３ｂは、画素電極１９１を二等分する仮想の横中心線ｂ−ｂ’に対してほぼ反転対称をなしている。

下部及び上部切開部９２ａ、９３ａ、９２ｂ、９３ｂは、ほぼ画素電極１９１の右側辺から画素電極１９１の仮想の横中心線ｂ−ｂ’に斜めに延びていたり、画素電極１９１の上側辺または下側辺から左側辺に斜めに延びている。下部及び上部切開部９２ａ、９３ａ、９２ｂ、９３ｂは、画素電極１９１の横中心線ｂ−ｂ’に対して下半部と上半部にそれぞれ位置している。下部及び上部切開部９２ａ、９３ａ、９２ｂ、９３ｂは、ゲート線１２１に対して約４５゜の角度をなし、下部切開部９２ａ、９３ａと上部切開部９２ｂ、９３ｂとは互いに垂直に交差するように配置されている。

中央切開部９１は、画素電極１９１の右側辺に入口を有し、左側に向かって凹んでいるパターンである。中央切開部９１の入口は、切開部９２ａ、９３ａと上部切開部９２ｂ、９３ｂにそれぞれほぼ平行な一対の斜辺９１ａ、９１ｂを有している。以上の構成により、画素電極１９１の下半部が下部切開部９２ａ、９３ａによって、４つの領域に分割され、また、上半部も上部切開部９２ｂ、９３ｂによって同様に４つの領域に分割される。

この時、領域の数または切開部の数は、画素電極１９１の大きさ、画素電極１９１の横辺と縦辺の長さの比、液晶層３の種類や特性などの設計要素によって変わる。また、図９のように、隣接する画素電極１９１の切開部の数が異なり得る。つまり、画素電極１９１と画素電極１９１との間隙を中心として、間隙の左、右の画素電極１９１の切開部の位置及び数が異なる。即ち、これは下部表示板１００の切開部と、上部表示板２００の切開部とが交互に配置されると、ドメインが安定して形成されるからである。互いに隣接する画素領域間で切開部の位置及び数が同一するためには、隣接する画素領域間の切開部は同一線上にあることができない。従って、液晶分子の配列が画素領域間で壊れるようになる。一方、画素領域間に切開部を同一線上に位置させるためには位置及び数が異なるようになる。この場合、画素領域間の切開部が同一線上に位置し、液晶分子は連続的に配列が安定的に維持される。

図９に示すように、各画素電極１９１は、互いに対向する一対の第１主辺１９３、１９４と、一対の第２主辺１９５、１９６とを有する。第１主辺１９３、１９４はゲート線１２１とほぼ平行であり、第２主辺１９５、１９６はデータ線１７１とほぼ平行な第１及び第２境界線９５１、９５２、９６１、９６２を有する。内側境界線９５１、９６１は同一画素領域内に位置し、外側境界線９５２、９６２それぞれは、内側境界線９５１、９６１が位置する画素の左右に隣接する画素領域内に位置する。第１主辺１９３、１９４と、第２主辺１９５、１９６の内側または外側境界線９５１、９６１、９５２、９６２と、はほぼ長方形をなす。画素電極１９１の左側角は面取りされて斜辺１９３ｃ、１９４ｃをなし、面取りされた斜辺１９３ｃ、１９４ｃはゲート線１２１に対して約４５゜の角度をなしている。同様に、画素電極１９１の右側角も同様に、面取りされて斜辺１９３ｄ、１９４ｄをなし、面取りされた斜辺１９３ｃ、１９４ｃは、ゲート線１２１に対して約−４５゜の角度をなしている。第１主辺１９３は、斜辺１９３ｃを介して第２主辺１９５に接続され、斜辺１９３ｄを介して第２主辺１９６に接続される。また、第１主辺１９４は、斜辺１９４ｃを介して第２主辺１９５に接続され、斜辺１９４ｄを介して第２主辺１９６に接続される。

画素電極１９１の第２主辺１９５、１９６は、内側境界線９５１、９６１上に位置する複数の縦線分９１５、９２５と、内側境界線９５１、９６１から外側に突出した複数の鋸歯９１０、９２０を有し、画素電極１９１の横中心線ｂ−ｂ’に対してほぼ対称である。
それぞれの鋸歯９１０、９２０は、互いに対向する第１斜辺９１１、９２１及び第２斜辺９１２、９２２、そして、これらを接続させて外側境界線９５２、９６２付近に位置する上辺９１３、９２３を有する。第１斜辺９１１、９２１は、縦線分９１５、９２５と約１３５゜より大きい鈍角をなし、第２斜辺９１２、９２２は縦線分９１５、９２５と約４５゜の角度をなし、第１斜辺９１１、９２１及び第２斜辺９１２、９２２の延長線は約４５゜より小さい鋭角をなして互いに交差するようになる。また、第２斜辺９１２、９２２は、下部及び上部切開部９２ａ、９３ａ、９２ｂ、９３ｂと実質的に平行であり、切開部９２ａ、９３ａ、９２ｂ、９３ｂの延長線上にある。一方、第１斜辺９１１、９２１は、第１斜辺９１１、９２１の延長線と、下部及び上部切開部９２ａ、９３ａ、９２ｂ、９３ｂの延長線と、約４５゜より小さい角度または１３５゜より大きい角度をなしている。

鋸歯９１０、９２０の上部、つまり、上辺９１３、９２３の近傍はデータ線１７１と重なる。また、隣接する画素電極の鋸歯９２０と鋸歯９１０とは互いに噛み合うように配置されている。具体的に、データ線１７１を中心として左側に位置する画素電極１９１の鋸歯９２０と、右側に位置する画素電極１９１の鋸歯９１０と、は噛み合うように配置されている。つまり、内側境界線９６１から突出している鋸歯９２０と、外側境界線９６２から突出している鋸歯９１０と、は噛み合うように配置されている。

また、互いに噛み合う鋸歯９１０、９２０の対向する辺は互いに平行である。つまり、鋸歯９１０の第１斜辺９１１と鋸歯９２０の第１斜辺９２１とは互いに平行であり、鋸歯９１０の第２斜辺９１２と鋸歯９２０の第２斜辺９２２とは互いに平行である。
画素電極１９１における鋸歯９１０、９２０の数は、切開部９１〜９３ｂによって分けられる画素電極１９１領域の数、または切開部の数と密接な関係があり、画素電極１９１領域の数及び鋸歯９１０、９２０の数は、画素電極１９１の大きさ、画素電極１９１の横辺と縦辺の長さ比、液晶層３の種類や特性などの設計要素によって変わる。

接続ブリッジ８３は、ゲート線１２１を横切り、ゲート線１２１を介在して反対側に位置するコンタクトホール１８３ａ、１８３ｂを介して維持電極線１３１の露出した部分と、第１維持電極１３３ａの自由端の露出した端部に接続される。維持電極１３３ａ、１３３ｂをはじめとする維持電極線１３１は、接続ブリッジ８３と共にゲート線１２１やデータ線１７１または薄膜トランジスタの欠陥を修理するのに使用することができる。

接触補助部材８１、８２はそれぞれコンタクトホール１８１、１８２を介してゲート線１２１の端部１２９及びデータ線１７１の端部１７９に接続される。接触補助部材８１、８２は、ゲート線１２１の端部１２９及びデータ線１７１の端部１７９と外部装置との接着性を補完し、これらを保護する。
次に、共通電極表示板２００について説明する。透明なガラスまたはプラスチックなどからなる絶縁基板２１０上に遮光部材２２０が形成されている。遮光部材２２０は、ブラックマトリクスともいい、画素電極１９１の間の光漏れを防止する。遮光部材２２０は、画素電極１９１と対向し、ほぼ長方形状の複数の開口部を有している。遮光部材２２０において、データ線１７１と対応する部分の幅は、データ線１７１の幅とほぼ同一である（ただし、表示板１００、２００の整列誤差を考慮することができる）。さらに、遮光部材２２０は、データ線１７１から隣接する画素領域に向かって外側に突出した、互いに噛みあった鋸歯９１０と９２０との間の空間を覆う拡張部を含む。つまり、鋸歯９１０の第１斜辺９１１と鋸歯９２０の第１斜辺９２１との間には隙間があるため、その空間を覆うように遮光部材２２０の拡張部が設けられる。同様に、鋸歯９１０の第２斜辺９１２と鋸歯９２０の第２斜辺９２２の間にも設けられる。これにより、画素領域の外において、画素電極に覆われない部分を遮光部材２２０により覆い、光漏れを防止することができる。また、遮光部材２２０は、薄膜トランジスタに対応する部分をさらに含むことができる。

また、基板２１０上には、複数のカラーフィルタ２３０が形成されている。カラーフィルタ２３０は遮光部材２３０に囲まれた領域内にほとんど存在しており、画素電極１９１の列に沿って縦方向に長く延びることができる。各カラーフィルタ２３０は、赤色、緑色及び青色の三原色など基本色のうちの一つを表示することができる。
カラーフィルタ２３０及び遮光部材２２０上には、オーバーコート膜２５０が形成されている。オーバーコート膜２５０は（有機）絶縁物からなることができ、カラーフィルタ２３０が露出することを防止し、平坦面を提供する。オーバーコート膜２５０は省略することができる。

オーバーコート膜２５０上には共通電極２７０が形成されている。共通電極２７０はＩＴＯ、ＩＺＯなどの透明な導電体などからなる。
共通電極２７０上には、複数の傾斜部材の集合７１、７２ａ、７２ｂ、７３ａ、７３ｂ、７５が形成されている。傾斜部材７１〜７５（７１、７２ａ、７２ｂ、７３ａ、７３ｂ、７５）は誘電体からなり、傾斜部材７１〜７５の誘電定数は液晶層３の誘電定数以下であることが好ましい。

それぞれの傾斜部材７１〜７５は、中央傾斜部材７１、斜線傾斜部材７２ａ、７２ｂ、７３ａ、７３ｂと接続傾斜部材７５を含む。傾斜部材７１〜７４ｂは、図１乃至図５の実施形態と同様に、主辺と副辺を含む平行四辺形またはシェブロン状である。主辺は切開部９１〜９３ｂ（９１、９２ａ、９２ｂ、９３ａ、９３ｂ）の斜辺及び画素電極１９１の斜辺と実質的に平行であり、切開部９１〜９３ｂまたは画素電極１９１の斜辺と対向している。副辺はゲート線１２１またはデータ線１７１と平行である。接続傾斜部材７５は、画素電極１９１の間隙と対応して間隙と並んでいる。そして、隣接する斜線傾斜部材７１〜７３ｂを接続させる。

また、各傾斜部材７１、７２ａ、７２ｂ、７３ａ、７３ｂ、７５は、第１乃至図５の実施形態と同様に、稜線と斜面を含み、図では点線で稜線を示した。
傾斜部材７１〜７５を稜線を中心として説明すれば、中央傾斜部材７１の稜線は、画素電極１９１の横中心線に沿って延びている横部７１ｃと、横部７１ｃの一端から画素電極１９１の右側辺に向かって延びた斜線部７１ａ、７１ｂとを含む。斜線部７１ａは、画素電極１９１の中央切開部９１の斜辺９１ａと重畳し、斜線部７１ｂは斜辺９１ｂと重畳する。

下部及び上部傾斜部材７２ａ、７３ａ、７２ｂ、７３ｂの稜線は、画素電極１９１の切開部９１〜９３ｂの間、または切開部９３ａ、９３ｂと画素電極１９１の斜辺との間に位置したり、画素電極の面取りされた斜辺と重なり、切開部９１〜９３ｂと平行に延びている。斜面は、稜線から主辺に達するまでの面として次第に高さが低くなる。稜線の高さは約０．５〜２．０μｍであり、斜面の傾斜角（θ）は約１〜１０゜であることが好ましい。なお、傾斜部材７１、７２ａ、７２ｂ、７３ａ、７３ｂ、７５の数も設計要素によって変わる。

共通電極２７０上には絶縁物質からなり、二つの表示板１００、２００の間の間隔を一定に維持するための間隔材３２０が形成されている。
表示板１００、２００の内側面には配向膜１１、２１が塗布されており、これらは垂直配向膜であり得る。表示板１００、２００の外側面には、偏光子１２、２２が備えられているが、二つの偏光子１２、２２の偏光軸は直交し、斜線切開部９２ａ、９３ａ、９２ｂ、９３ｂ及び傾斜部材７１〜７３ｂとほぼ４５゜の角度をなすことが好ましい。反射型液晶表示装置の場合は、二つの偏光子１２、２２のうちの一つは省略してもよい。

本実施形態に係る液晶表示装置は、液晶層３の遅延を補償するための位相遅延膜（図示せず）をさらに含むことができる。また、液晶表示装置は、偏光子１２、２２、位相遅延膜、表示板１００、２００及び液晶層３に光を供給する照明部（ｂａｃｋｌｉｇｈｔ ｕｎｉｔ）（図示せず）を含むことができる。
液晶層３は負の誘電率異方性を有し、液晶層３の液晶分子３１は、電場がない状態でその長軸が二つの表示板１００、２００の表面に対してほぼ垂直をなすように配向されている。従って、入射光は直交偏光子１２、２２を通過できず遮断される。

共通電極２７０に共通電圧を印加し、画素電極１９１にデータ電圧を印加すると、表示板１００、２００の表面にほぼ垂直である主電場が生成される。液晶分子３１は電場に応答して、その長軸が電場の方向に垂直をなすように、つまり、長軸が表示板１００、２００に平行となるように方向を変えようとする。
図９に示すように、一つの切開部集合９１、９２ａ、９２ｂ、９３ａ、９３ｂ及び傾斜部材集合７１、７２ａ、７２ｂ、７３ａ、７３ｂ、７５は、画素電極１９１を複数の副領域に区画する。つまり、画素領域は、副領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇ、Ｈの８つの領域に分割される。上部の画素領域には副領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄが形成され、下部の画素領域には副領域Ｅ、Ｆ、Ｇ、Ｈが形成される。各副領域は、二つの主辺と副辺とを含む。ここで、主辺は、画素電極１９１の第１主辺１９３、１９４と斜角をなし、副辺は画素電極１９１の辺１９３〜１９６の一部である。

各副領域の主辺のうちの一つは、画素電極１９１の切開部９１〜９３ｂの一辺と、鋸歯９１０、９２０の第２斜辺９１２、９２２とが合わせられてなるか、面取りされた斜辺１９３ｃ、１９４ｃからなる。また、主辺のうちのもう一つは共通電極２７０の傾斜部材７１〜７３ｂの斜線部の一辺単独でなるか、傾斜部材７１〜７３ｂの斜線部と鋸歯９１０、９２０の第２斜辺９１２、９２２が合わせられてなる。各副領域の副辺のうちの一つは画素電極１９１の鋸歯９１０、９２０の第１斜辺９１１、９２１であり、主辺とは１３５゜より大きい角度をなす。図９を参照して、副領域Ａでは、切開部９３ｂの一辺９３ｂ−１及び第２斜辺９１２の合成と、斜辺１９４ｃと、が主辺をなし、鋸歯９１０の斜辺９１１が副辺の１つをなす。また、副領域Ｂでは、切開部９３ｂの一辺９３ｂ−２と、傾斜部材７２ｂの斜線部とが主辺の一辺をなし、鋸歯９１０の第１斜辺９１１が副辺をなす。なお、副領域Ｂでは、主辺の一辺は、同一線上に位置する、傾斜部材７２ｂの斜線部、鋸歯９１０の第２斜辺９１２及び鋸歯９２０の第２斜辺９２２の合成により構成されても良い。さらに、副領域Ｃでは、切開部９２ｂの一辺９２ｂ−１と、傾斜部材７２ｂの斜線部と、が主辺の一辺をなし、鋸歯９２０の第１斜辺９２１が副辺をなす。なお、副領域Ｃでは、主辺の一辺は、同一線上に位置する、傾斜部材７２ｂの斜線部、鋸歯９１０の第２斜辺９１２及び鋸歯９２０の第２斜辺９２２の合成により構成されても良い。副領域Ｄでは、切開部９２ｂの一辺９２ｂ−２及び第２斜辺９２２の合成と、斜辺９１ｂと、が主辺をなし、鋸歯９２０の斜辺９２１が副辺の１つをなす。副領域Ｅ〜Ｈについては、同様であるので説明を省略する。

主辺は偏光子１２、２２の偏光軸と約４５゜をなしているが、これは光効率を最大にするためである。以上より、各副領域の主辺の長さは互いに異なり、隣接する副領域の隣接する主辺は互いにずれている。
ところが、主辺が副辺より非常に長く、副辺のうちの少なくとも一つと主辺とのなす角は１３５゜より大きい。例えば、副領域Ｄを例に挙げれば、主辺の１つである斜辺９１ｂと鋸歯９２０の斜辺９２１とのなす角は１３５°よりも大きく、ほぼ主辺が延長されているとみなすことも可能である。よって、これらの副領域上の主電場において、主辺に垂直な水平成分が、主辺と平行な水平成分に比して極めて大きい。その結果、各副領域上の液晶分子３１はほぼ主辺に垂直な方向に傾く。

各副領域上の液晶分子３１はほぼ主辺に垂直な方向に傾き、液晶分子の傾く方向はほぼ４つの方向である。なお、副領域Ａ、Ｃでの液晶分子の傾く方向は同じで、副領域Ｂ、Ｄでの液晶分子の傾く方向は同じで、副領域Ｅ、Ｇでの液晶分子の傾く方向は同じで、副領域Ｆ、Ｈでの液晶分子の傾く方向は同じである。このように、液晶分子３１が傾く方向を複数の方向にすることによって、液晶表示装置の基準視野角が大きくなる。

一方、隣接する画素電極１９１と画素電極との間の電圧差によって副次的に生成される副電場（ｓｅｃｏｎｄａｒｙ ｅｌｅｃｔｒｉｃ ｆｉｅｌｄ、ｌａｔｅｒａｌ ｆｉｅｌｄ）Ｅ１、Ｅ２の方向は、主に副領域の一つの副辺、つまり、鋸歯９１０、９２０の第１斜辺９１１、９２１と垂直である。ここで、各副領域の副辺のうちの一つは画素電極１９１の鋸歯９１０、９２０の第１斜辺９１１、９２１であり、主辺とは１３５゜より大きい角度をなす。従って、副電場（Ｅ１、Ｅ２）の方向は、主電場の水平成分の方向と約４５°より小さい角度をなしている。なお、第１斜辺９１１、９２１と主辺とのなす角が大きく、約１６５゜より大きくなる場合には、副電場（Ｅ１、Ｅ２）の方向は、主電場の水平成分の方向と約１５°より小さい角度をなすようになる。このように、副電場の方向は主電場の水平成分に沿う方向となるため、結果的に、画素電極１９１の間の副電場は、液晶分子３１の傾斜方向の決定を強化する方向に作用する。

このように、本発明では、データ線１７１と平行な画素電極１９１の横辺に、切開部９１〜９３ｂ、７１〜７３ｂと１３５゜より大きい角度をなしている斜辺９１１、９２１を有する鋸歯９１０、９２０を設ける。これにより、画素電極１９１の縦辺である第２主辺１９５、１９６付近における主電場の水平成分の方向及び副電場の方向を、副領域の中央における主電場の水平成分の方向に沿うようにする。さらに、鋸歯９１０、９２０を互いに噛み合わせるように配置することで、隣接する画素電極１９１の距離を近くすることで副電場の強さを強くする。以上より、画素電極１９１の鋸歯９１０、９２０付近に位置する液晶分子の傾斜方向が、副領域の中央における液晶分子の傾斜方向とほぼ一致するため、鋸歯９１０、９２０付近も有効表示領域として活用することができる。

従って、鋸歯９１０、９２０を設けないときに比べて、有効表示領域が広くなって透過率が向上し、共通電極２７０の切開部７１〜７３ｂに画素電極１９１の縦辺と重なる部分を設けなくてもよいため、開口率が向上する。
画素電極１９１の切開部９１〜９３ｂ及び画素電極１９１の辺は、電場を歪曲して液晶分子３１の傾斜方向を決定する水平成分を作る。また、電場の水平成分も切開部９１〜９３ｂの辺と、画素電極１９１の辺に垂直である。ここで、液晶分子３１は電場が加わらない状態で傾斜部材７１〜７３ｂ、７５により予め傾斜して、プレチルト角を有している。このように液晶分子がプレチルト角を有していると、電場を印加したときにバラツキ無く速やかにプレチルト方向に傾くようになる。よって、液晶分子の傾斜方向は、切開部９１〜９３ｂの辺と、画素電極１９１の辺に垂直となる。

また、図８に示すように、傾斜部材７１〜７３ｂ、７５の厚さが位置によって差があるため、電場の等電位線が変化し、これも液晶分子３１に傾くようにする力を加える。このように、傾くようにする力も切開部９１〜９３ｂ及び傾斜部材７１〜７３ｂ、７５によって決定される傾斜方向と一致しており、これは傾斜部材７１〜７３ｂ、７５の誘電定数が液晶層３より小さい場合にそうである。従って、切開部９１〜９３ｂ及び画素電極１９１の斜辺から遠い液晶分子３１も横になる方向が決定され、液晶分子３１の応答速度が速くなる。

また、画素電極１９１と共通電極２７０との間に形成される電場は、隣接する画素電極１９１の境界部に副領域における液晶の均一な配向を妨げる方向の副電場を有する。このため、副領域内部で液晶の衝突が発生し、液晶配向が乱れることがある。しかし、本発明の実施形態では、二つの互いに隣接する画素電極１９１間において、第１斜辺９１１と第１斜辺９２１とが互いに対向する領域と対応する位置に接続傾斜部材７５を形成する。このように、接続傾斜部材７５によって隣接する画素領域間の傾斜部材７１〜７３ｂを接続することで、共通電極２７０と画素電極１９１との間に形成される電場の方向が変化し、副領域における液晶の均一な配向を強化する方向の副電場が形成されて液晶衝突が発生しないから、テクスチャーが減少し、透過率が向上する。このため、テクスチャーを減少させるために、共通電極の切開部に画素電極の辺を重畳させる部分を設ける必要が無く、開口率を向上させることができる。

このように、画素電極１９１の切開部９１〜９３ｂと傾斜部材７１、７２ａ、７２ｂ、７３ａ、７３ｂ、７５だけでも液晶分子３１の傾斜方向を決定することができるので、共通電極２７０に切開部を設けなくてもよく、その結果、製造工程において共通電極２７０をパターニングする工程を省略できる。また、切開部を省略すると、電荷が特定の位置に蓄積されないので、この電荷が偏光子１２、２２に移って偏光子１２、２２を損傷することを防止できる。その結果、偏光子１２、２２の損傷を防止するための静電気放電防止処理を省略できる。従って、切開部の省略によって液晶表示装置の製造費用を顕著に低減することができる。

図１０は本発明の他の実施形態に係る液晶表示装置の配置図であり、図１１は図１０の液晶表示装置のＸＩ-ＸＩ線断面図であり、図１２は図１０の一部分を拡大示した配置図である。
図１０乃至図１２に示すように、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置は、互いに対向する薄膜トランジスタ表示板１００と共通電極表示板２００及びこれら二つの表示板１００、２００の間に挟持された液晶層３を含む。

まず、薄膜トランジスタ表示板１００について説明する。透明なガラスまたはプラスチックなどからなる絶縁基板１１０上に、複数のゲート線１２１及び複数の維持電極線１３１が形成されている。ゲート線１２１はゲート信号を伝達し、図１０中、主に横方向に延びている。各ゲート線１２１は上方に突出した複数のゲート電極１２４と、他の層または外部駆動回路との接続のための広い端部１２９を含む。ゲート信号を生成するゲート駆動回路（図示せず）は、基板１１０上に付着される可撓性印刷回路膜（図示せず）上に装着されたり、基板１１０上に直接装着されたり、基板１１０に集積される。ゲート駆動回路が基板１１０上に集積されている場合には、ゲート線１２１が延びてそれと直接接続される。

維持電極線１３１は所定電圧の印加を受け、ゲート線１２１とほぼ並んで延びている。各維持電極線１３１は、隣接する二つのゲート線１２１の間に位置し、二つのゲート線１２１からほぼ同じ距離を置いている。維持電極線１３１は、下上に拡張された維持電極１３７を含む。しかし、維持電極線１３１の形状及び配置は多様に変更できる。
ゲート線１２１及び維持電極線１３１は、アルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金などのアルミニウム系金属、銀（Ａｇ）や銀合金などの銀系金属、銅（Ｃｕ）や銅合金などの銅系金属、モリブデン（Ｍｏ）やモリブデン合金などモリブデン系金属、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）及びチタニウム（Ｔｉ）などからなることができる。しかし、これらは物理的性質が異なる二つの導電膜（図示せず）を含む多重膜構造を有することもできる。このうちの一つの導電膜は、信号遅延や電圧降下を減らし得るように、比抵抗が低い金属、例えば、アルミニウム系金属、銀系金属、銅系金属などからなる。これに対し、もう一つの導電膜は他の物質、特にＩＴＯ及びＩＺＯとの物理的、化学的、電気的接触特性に優れた物質、例えばモリブデン系金属、クロム、タンタル、チタニウムなどからなる。このような組み合わせの好適例としては、クロム下部膜とアルミニウム（合金）上部膜、及びアルミニウム（合金）下部膜とモリブデン（合金）上部膜がある。しかし、ゲート線１２１及び維持電極線１３１は、その他にも種々の金属または導電体からなることができる。

ゲート線１２１及び維持電極線１３１の側面は基板１１０面に対して傾斜しており、その傾斜角は約３０乃至８０゜であることが好ましい。このように側面が傾斜しているとその上部の膜を平坦化し易く、また上部の配線の断線を防止することができる。
ゲート線１２１及び維持電極線１３１上には、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯｘ）などからなるゲート絶縁膜１４０が形成されている。

ゲート絶縁膜１４０上には、水素化非晶質シリコンまたは多結晶シリコンなどからなる複数の島状半導体１５４が形成されている。半導体１５４は、ゲート電極１２４上に位置し、ゲート線１２１の境界を覆う延長部１５４ａを含む。半導体１５４上には、複数の島状オーミック接触部材１６３、１６５が形成されている。オーミック接触部材１６３、１６５は、リンなどのｎ型不純物が高濃度にドープされているｎ＋水素化非晶質シリコンなどの物質からなるか、シリサイドからなることができる。オーミック接触部材１６３、１６５は、対をなして半導体１５４上に配置されている。

また、半導体１５４とオーミック接触部材１６３、１６５の側面も基板１１０面に対して傾斜しており、その傾斜角は３０乃至８０゜程度である。
オーミック接触部材１６３、１６５及びゲート絶縁膜１４０上には、複数のデータ線１７１及び複数のドレイン電極１７５が形成されている。
データ線１７１はデータ電圧を伝達し、主に縦方向に延びてゲート線１２１及び維持電極線１３１と交差する。各データ線１７１は、ゲート電極１２４に向かって延びた複数のソース電極１７３と、他の層または外部駆動回路との接続のための広い端部１７９を含む。データ電圧を生成するデータ駆動回路（図示せず）は、基板１１０上に付着される可撓性印刷回路膜（図示せず）上に装着されたり、基板１１０上に直接装着されたり、基板１１０に集積される。データ駆動回路が基板１１０上に集積されている場合には、データ線１７１が延びてそれと直接接続される。

ドレイン電極１７５は、データ線１７１と分離されており、ゲート電極１２４を中心としてソース電極１７３と対向している。各ドレイン電極１７５は、面積が広い一端部１７７と棒状の他端部を有している。棒状の端部はＵ字状に形成されるソース電極１７３に一部が取り囲まれるように形成されている。面積が広一端部１７７は、維持電極１３７に重畳されるように配置される。

一つのゲート電極１２４、一つのソース電極１７３及び一つのドレイン電極１７５は、半導体１５４と共に一つの薄膜トランジスタを構成し、薄膜トランジスタのチャンネルは、ソース電極１７３とドレイン電極１７５との間の半導体１５４に形成されている。
データ線１７１及びドレイン電極１７５は、モリブデン、クロム、タンタル及びチタニウムなど耐火性金属、またはこれらの合金からなることが好ましく、耐火性金属膜（図示せず）と低抵抗導電膜（図示せず）を含む多重膜構造を有することができる。多重膜構造の例としては、クロムまたはモリブデン（合金）下部膜とアルミニウム（合金）上部膜の二重膜、モリブデン（合金）下部膜とアルミニウム（合金）中間膜とモリブデン（合金）上部膜の三重膜がある。しかし、データ線１７１及びドレイン電極１７５の他にも、種々の金属または導電体からなることができる。

また、データ線１７１及びドレイン電極１７５もその側面が基板１１０面に対して３０乃至８０゜程度の傾斜角で傾斜していることが好ましい。
オーミック接触部材１６３、１６５は、その下部の半導体１５４とその上のデータ線１７１及びドレイン電極１７５の間にのみ存在し、接触抵抗を低くする。
データ線１７１、ドレイン電極１７５及び露出した半導体１５４部分上には保護膜１８０が形成されている。保護膜１８０は無機絶縁物または有機絶縁物などからなり、表面が平坦化し得る。無機絶縁物の例としては、窒化シリコンと酸化シリコンがある。有機絶縁物は感光性を有することができ、その誘電定数は約４．０以下であることが好ましい。しかし、保護膜１８０は、有機膜の優れた絶縁特性を生かしつつ露出した半導体１５４部分に害を及ぼさないように、下部無機膜と上部有機膜の二重膜構造を有することができる。

保護膜１８０にはデータ線１７１の端部１７９とドレイン電極１７５を各々露出する複数のコンタクトホール１８２、１８５が形成されており、保護膜１８０とゲート絶縁膜１４０にはゲート線１２１の端部１２９を露出する複数のコンタクトホール１８１が形成されている。
保護膜１８０上には、複数の画素電極１９１及び複数の接触補助部材８１、８２が形成されている。これらはＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質やアルミニウムまたは銀合金などの反射性金属からなることができる。

画素電極１９１は、コンタクトホール１８５を介してドレイン電極１７５と物理的・電気的に接続されており、ドレイン電極１７５からデータ電圧が印加される。画素電極１９１は、維持電極１３７をはじめとする維持電極線１３１と重なっている。
各画素電極１９１は、互いに対向する一対の第１主辺１９３、１９４と、これら第１主辺１９３、１９４と接続する第２主辺とを有する。第２主辺は、複数の鋸歯９０と、これらの鋸歯９０の間を接続させる底辺９０ｃとを含む。また、第２主辺には、鋸歯９０と底辺９０ｃとが繰り返し形成されている。ここで、鋸歯９０は、第１主辺１９３、１９４に対して傾いた第１斜辺９０ａと、第２斜辺９０ｄと、第１斜辺９０ａ及び第２斜辺９０ｄ間を接続する上辺９０ｂと、を有する。底辺９０ｃは、第１斜辺９０ａ及び第２斜辺９０ｄ間を接続する。第１主辺１９３、１９４はゲート線１２１に平行である。第１主辺１９３、１９４と第２主辺とはほぼ長方形をなし、画素電極１９１の４つの角は、面取りされてゲート線１２１に対して約４５゜の角度をなしている。

第１斜辺９０ａは、データ線１７１と一部分が重なっている。また、隣接する二つの画素電極１９１の第１斜辺９０ａは、図１２に示すように互いに対向し平行である。
画素電極１９１には、第１及び第２中央切開部９１、９２、下部斜線切開部９３ａ、９４ａ、９５ａ、並びに上部斜線切開部９３ｂ、９４ｂ、９５ｂが形成されており、画素電極１９１はこれら切開部９１〜９５ｂ（９１、９２、９３ａ、９４ａ、９５ａ、９３ｂ、９４ｂ、９５ｂ）によって複数の副領域に分割される。切開部９１〜９５ｂは維持電極線１３１に対してほぼ反転対称をなす。下部及び上部斜線切開部９３ａ〜９５ａ、９３ｂ〜９５ｂは、ほぼ画素電極１９１の右側辺から左側辺、上側辺または下側辺に斜めに延びている。下部及び上部斜線切開部９３ａ〜９５ａ、９３ｂ〜９５ｂは、維持電極線１３１に対して下半部と上半部にそれぞれ位置している。下部及び上部斜線切開部９３ａ〜９５ａ、９３ｂ〜９５ｂは、ゲート線１２１に対して約４５゜の角度をなして互いに垂直をなすように延びている。下部及び上部斜線切開部９３ａ〜９５ａ、９３ｂ〜９５ｂは、画素電極１９１の左側辺または右側辺に入口を有しており、入口は第２主辺と接続される。

第２主辺の鋸歯９０を構成する第１斜辺９０ａは、画素電極１９１の斜線切開部９３ａ〜９５ａ、９３ｂ〜９５ｂと鈍角をなし、第２斜辺９０ｄは斜線切開部９３ａ〜９５ａ、９３ｂ〜９５ｂとほぼ平行である。
第１中央切開部９１は、維持電極線１３１に沿って延びて左側辺の方に入口を有している。そして、第２中央切開部９２は多角形であって、第２中央切開部９２のうち、画素電極１９１の左側辺の方向に位置する上下の角が突出するように形成されている。

従って、画素電極１９１の下半部は下部切開部９３ａ〜９５ａによって４つの領域に分けられ、上半部も上部切開部９２ｂ〜９５ｂによって４つの領域に分割される。この時、領域の数または切開部の数は、画素の大きさ、画素電極の横辺と縦辺の長さ比、液晶層３の種類や特性などの設計要素によって変わる。
接触補助部材８１、８２は、コンタクトホール１８１、１８２を介してそれぞれゲート線１２１の端部１２９及びデータ線１７１の端部１７９と接続される。接触補助部材８１、８２は、データ線１７１及びゲート線１２１の端部１７９、１２９と、外部装置との接着性を補完し、これらを保護する。

次に、共通電極表示板２００について説明する。透明なガラスまたはプラスチックなどからなる絶縁基板２１０上に、遮光部材２２０が形成されている。遮光部材２２０は、データ線１７１に対応する線形部分２２０ａ、一部分が拡張された拡張部２２２０ｂと薄膜トランジスタに対応する面形部分２２０ｃを含む。線形部分２２０ａ及び拡張部２２２０ｂは、隣接する画素電極間の光漏れを防止し、面形部分２２０ｃは画素電極に覆われてない薄膜トランジスタからの光漏れを防止する。以上より、遮光部材２２０は、画素電極１９１の間の光漏れを防止し、画素電極１９１と対向する開口領域を定義する。しかし、遮光部材２２０は、画素電極１９１と対向し、画素電極１９１とほぼ同一形状を有する複数の開口部（図示せず）を有するように形成することもできる。

また、基板２１０上には、複数のカラーフィルタ２３０が形成されている。カラーフィルタ２３０は、遮光部材２３０に囲まれた領域内にほとんど存在し、画素電極１９１列に沿って縦方向に長く延びることができる。各カラーフィルタ２３０は赤色、緑色及び青色の三原色など基本色のうちの一つを表示することができる。
カラーフィルタ２３０及び遮光部材２２０上には、オーバーコート膜２５０が形成されている。オーバーコート膜２５０は（有機）絶縁物からなることができ、カラーフィルタ２３０が露出することを防止し、平坦面を提供する。オーバーコート膜２５０は省略してもよい。

オーバーコート膜２５０上には、共通電極２７０が形成されている。共通電極２７０はＩＴＯ、ＩＺＯなどの透明な導電体などからなる。
共通電極２７０上には、複数の傾斜部材の集合７１、７２ａ、７２ｂ、７３ａ、７３ｂ、７４ａ、７４ｂ、７５が形成されている。傾斜部材集合７１〜７５は誘電体からなり、その誘電定数は液晶層３以下であることが好ましい。一つの傾斜部材集合７１〜７５は、一つの画素電極１９１と対向し、中央傾斜部材７１、第１乃至第３下部傾斜部材７２ａ、７３ａ、７４ａ、第１乃至第３上部傾斜部材７２ｂ、７３ｂ、７４ｂ及び接続傾斜部材７５を含む。

それぞれの傾斜部材７１〜７５（７１、７２ａ、７３ａ、７４ａ、７２ｂ、７３ｂ、７４ｂ）は、図１乃至図５の実施形態のように、主辺と副辺を含む平行四辺形またはシェブロン状である。主辺は、傾斜部材の縁の境界線の辺のうち、長い辺を称し、副辺は短い辺を指す。主辺は、切開部９１〜９５ｂの斜辺及び画素電極１９１の斜辺と実質的に平行であり、切開部９１〜９５ｂまたは画素電極１９１の斜辺と対向している。副辺はゲート線１２１またはデータ線１７１と平行である。接続傾斜部材７５は、画素電極１９１の間隙と対応して間隙と平行である。そして、隣接する斜線傾斜部材７１〜７４ｂを接続させる。

また、各傾斜部材７１〜７５は第１乃至図５の実施形態のように、稜線と斜面を含み、図１０には点線で稜線を示した。画素領域内の点線は、中央傾斜部材７１及び下部及び上部傾斜部材７２ａ〜７４ｂの稜線を示し、画素領域間の点線は、接続傾斜部材７５を示す。なお、稜線は傾斜部材の最も高い部分であり、主辺は傾斜部材の最も低い部分である。
傾斜部材について稜線を中心として説明すれば、各傾斜部材７１〜７４ｂの稜線は、画素電極１９１の下部切開部９３ａ、９４ａ、９５ａまたは上部切開部９３ｂ、９４ｂ、９５ｂと平行に延びた少なくとも一つの斜線部を含む。

第１下部及び第１上部斜線傾斜部材７２ａ、７２ｂは、画素電極１９１の右側辺と隣接する横中心線ｃ−ｃ’から画素電極１９１の左側辺に斜めに延びており、第２下部及び第２上部斜線傾斜部材７３ａ、７３ｂは、画素電極１９１の右側辺から画素電極１９１の左側上または左側下の角に延びている。そして、第３下部及び第３上部斜線傾斜部材７４ａ、７４ｂは、画素電極１９１の右側辺から画素電極１９１の上側辺または下側辺に延びており、第３下部及び第３上部斜線傾斜部材７４ａ、７４ｂの各端から画素電極１９１の辺に沿って重畳し、延在する縦断横部を含む。縦断横部は、斜線傾斜部材７４ａ、７４ｂと鈍角をなしている。

中央傾斜部材７１は中央横部７１ｃ、一対の斜線部７１ａ、７１ｂを含む。中央横部７１ｃは、ほぼ画素電極１９１の横中心線ｃ−ｃ’と重なって横に長く形成されており、一対の斜線部７１ａ、７１ｂは、中央横部７１ｃの端から画素電極１９１の左側辺に向かってそれぞれ下部及び上部斜線傾斜部材７２ａ〜７４ｂとほぼ平行に延びている。
接続傾斜部材７５は、中央傾斜部材７１のうちの斜線部７１ａの一端と隣接画素電極の第２下部傾斜部材７３ａの一端とを接続し、中央傾斜部材７１の斜線部の他端７１ｂと隣接画素電極の第２上部傾斜部材７３ｂの一端とを接続し、第１下部斜線傾斜部材７２ａの一端と隣接画素電極の第３下部斜線傾斜部材７４ａの一端とを接続し、第１上部斜線傾斜部材７２ｂの一端と隣接画素電極の第３上部斜線傾斜部材７４ｂの一端とを接続する。図１２に示すように、接続傾斜部材７５は、画素電極１９１の第１斜辺９０ａと平行であり、データ線１７１と対応する部分に位置している。

傾斜部材７１〜７５の斜面は稜線から主辺に達するまでの面として次第に高さが低くなる。稜線の高さは約０．５〜２．０μｍであり、斜面の傾斜角（θ）は約１〜１０゜であることが好ましい。
傾斜部材７１〜７４ｂが占める面積は、画素電極１９１の面積の半分（１/２）以上であることが好ましい。一つの画素電極１９１と対応する傾斜部材７１〜７４ｂは分離されず、底辺が連続するように接続される。

図１０に示すように、画素領域は、傾斜部材７１〜７４ｂ及び画素電極の切開部９１〜９５ｂにより、副領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇ、Ｈ、Ｉ、Ｊ、Ｋ、Ｌの１２個の領域に分割される。画素領域の上半分及び下半分でそれぞれ６つの副領域に分割されている。このように、液晶分子３１が傾く方向を複数の方向にすることによって、液晶表示装置の基準視野角が大きくなる。

本発明では、上記のように、画素電極１９１の辺のうちのデータ線１７１と隣接する辺を鋸歯状に形成する。ここで、副領域Ｄに着目すると、第１上部斜線傾斜部材７２ｂと上部切開部９４ｂとは互いに平行であり、第１上部斜線傾斜部材７２ｂ及び上部切開部９４ｂに垂直な主電場が形成される。副領域Ｄの第１斜辺９０ａは、第１上部斜線傾斜部材７２ｂとは１３５゜より大きい角度をなす。なお、第１斜辺９０ａは、第１上部斜線傾斜部材７２ｂとのなす角が大きく、約１６５゜より大きくなる場合には、副電場（Ｅ１）の方向は、主電場の水平成分の方向と約１５°より小さい角度をなすようになる。このように、副電場の方向は主電場の水平成分に沿う方向となるため、結果的に、隣接する画素電極１９１の間に形成される副電場は、副領域における液晶の配向を強化する方向となる。 また、隣接する二つの画素電極１９１の第１斜辺９０ａが対向する領域と対応する位置に接続傾斜部材７５を設けることによって、副領域における液晶の配向をさらに強化することができる。つまり、接続傾斜部材７５を設けることにより、共通電極２７０と画素電極１９１との間に形成される電場の方向を変化させ、副領域における液晶の均一な配向を強化する方向の副電場を形成する。これにより、液晶分子どうしが衝突せず、テクスチャーが減少し、透過率が向上する。このため、テクスチャーを減少させるために、共通電極の切開部に画素電極の辺を重畳させる部分を設ける必要が無く、開口率を向上させることができる。

また、前述の実施形態と同様に、画素電極１９１の辺のうちのデータ線１７１と隣接する辺に鋸歯を形成することで、液晶分子の傾きを制御し、有効表示領域を拡大し開口率を高めることができる。さらに、傾斜部材を設けることで、液晶分子がプレチルト角を有するため、電場の印加に対して応答速度を早くすることができる。また、共通電極に切開部を設けないため、製造工程を簡略化できるとともに、偏光子１２、２２の損傷を防止するための処理を省略できる。

また、傾斜部材７１〜７５の数及び方向は、設計要素によって変わる。
表示板１００、２００の内側面には、配向膜１１、２１が塗布されており、これらは垂直配向膜であり得る。表示板１００、２００の外側面には偏光子１２、２２が備えられているが、二つの偏光子１２、２２の透過軸は直交し、このうちの一つの透過軸はゲート線１２１に対して並んでいることが好ましい。反射型液晶表示装置の場合には、二つの偏光子１２、２２のうちの一つは省略してもよい。

液晶表示装置は、偏光子１２、２２、表示板１００、２００及び液晶層３に光を供給する照明部（図示せず）を含むことができる。
液晶層３は負の誘電率異方性を有し、液晶層３の液晶分子は電場がない状態でその長軸が二つの表示板１００、２００の表面に対して垂直をなすように配向されている。従って、入射光は直交偏光子１２、２２を通過できず遮断される。

上述の実施形態は、次に説明する実施形態にも同様に適用できる。
次に、本発明の他の実施形態に係る液晶表示装置について図１３及び図１４を参照して詳細に説明する。図１３は本発明の他の実施形態に係る液晶表示装置の配置図であり、図１４は図１３の液晶表示装置のＸＩＶ-ＸＩＶ線断面図である。
図１３及び図１４に示すように、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置も、互いに対向する薄膜トランジスタ表示板１００と共通電極表示板２００、これら表示板１００、２００の間に挟持された液晶層３、並びに表示板１００、２００の外側面に付着されている一対の偏光子１２、２２を含む。

本実施形態に係る表示板１００、２００の層状構造は、ほぼ図７及び図８に示すものと同様である。
薄膜トランジスタ表示板１００は、基板１１０上に複数のゲート線１２１及び複数の維持電極線１３１が形成されている。ゲート線１２１は複数のゲート電極１２４と端部１２９を含み、維持電極線１３１は複数の維持電極１３３ａ〜１３３ｄ及び複数の接続部１３３ｅを含む。ゲート線１２１及び維持電極線１３１上には、ゲート絶縁膜１４０、突出部１５４を含む複数の線状半導体１５１、突出部１６３を含む複数の線状オーミック接触部材１６１、及び複数の島状オーミック接触部材１６５が順次に形成されている。

オーミック接触部材１６１、１６５上には、ソース電極１７３及び端部１７９を含む複数のデータ線１７１、複数のドレイン電極１７５及び複数の孤立金属片１７８が形成されており、その上には保護膜１８０が形成されている。保護膜１８０及びゲート絶縁膜１４０には、複数のコンタクトホール１８１、１８２、１８３ａ、１８３ｂ、１８５が形成されている。保護膜１８０上には、切開部９１〜９２ｂを有する複数の画素電極１９１、複数の接続ブリッジ８３及び複数の接触補助部材８１、８２が形成されており、その上には、配向膜１１が形成されている。

共通電極表示板２００は、遮光部材２２０、複数のカラーフィルタ２３０、オーバーコート膜２５０、傾斜部材７１〜７２ｂを有する共通電極２７０及び配向膜２１が絶縁基板２１０上に形成されている。
しかし、図７及び図８に示す液晶表示装置とは異なって、線状半導体１５１は、データ線１７１、ドレイン電極１７５及びその下のオーミック接触部材１６１、１６５と実質的に同一平面形状を有している。しかし、線状半導体１５１には、ソース電極１７３とドレイン電極１７５との間をはじめとしてデータ線１７１及びドレイン電極１７５で覆われず露出した部分がある。

また、孤立金属片１７８の下にも、孤立金属片１７８と実質的に同一平面形状のオーミック接触部材（図示せず）及び島状半導体（図示せず）が形成されている。このような薄膜トランジスタ表示板１００は、データ線１７１、ドレイン電極１７５及び金属片１７８と、半導体１５１及びオーミック接触部材１６１、１６５を１回のフォトエッチング工程で形成することによって製造する。

即ち、ゲート絶縁膜１４０上に半導体層、オーミック接触層、データ金属層を連続蒸着し、その上に、位置によって厚さが異なる感光膜を形成した後、それをエッチングマスクとして半導体層、オーミック接触層、データ金属層をエッチングすることで、図１３及び図１４に示された薄膜トランジスタ表示板を製造する。この時、位置によって厚さが異なる感光膜は、厚さが薄くなる順に第１部分と第２部分を含み、第１部分はデータ線１７１、ドレイン電極１７１及び金属片１７８が占める配線領域に位置しており、第２部分は薄膜トランジスタのチャンネル領域に位置している。

位置によって感光膜の厚さを異ならせるには種々の方法があるが、例えば、光マスクに透光領域及び遮光領域の他に半透明領域を設ける方法がある。半透明領域には、スリット（ｓｌｉｔ）パターン、格子パターン（ｌａｔｔｉｃｅ ｐａｔｔｅｒｎ）、または透過率が中間であるか、厚さが中間である薄膜が備えられる。スリットパターンを使用する際には、スリットの幅やスリットの間の間隔がフォト工程に使用する露光器の分解能より小さいのが好ましい。別の例としては、リフローが可能な感光膜を使用する方法がある。即ち、透光領域と遮光領域のみを有する通常の露光マスクにリフロー可能な感光膜を形成した後、リフローさせて感光膜が残留しない領域に流れるようにすることによって、薄い部分を形成する。

このような感光膜をエッチングマスクとしてデータ金属層、オーミック接触層及び半導体層を連続エッチングして、データ配線の大略の形状を形成する。次に、感光膜をアッシングして第２部分を除去し、残った第１部分をエッチングマスクとして露出したデータ金属層とオーミック接触層をエッチングすることによって、薄膜トランジスタのチャンネル部を形成する。

このようにすると、一回のフォト工程を減らすことができ、製造方法が簡単になる。
図１乃至図１２に示す液晶表示装置の多くの特徴は、図１３及び図１４に示す液晶表示装置にも適用できる。
次に、図１５を参照して本発明の他の実施形態に係る液晶表示装置について詳細に説明する。

図１５は本発明の他の実施形態に係る液晶表示装置の図７のＶＩＩＩ-ＶＩＩＩ線断面図である。
図１５に示すように、また、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置も、互いに対向する薄膜トランジスタ表示板１００と共通電極表示板２００、これら表示板１００、２００の間に挟持された液晶層３、及び表示板１００、２００外側面に付着されている一対の偏光子１２、２２を含む。

本実施形態に係る表示板１００、２００の層状構造は、ほぼ図７及び図８に示すものと同様である。
薄膜トランジスタ表示板１００は、基板１１０上に複数のゲート線１２１及び複数の維持電極線１３１が形成されている。ゲート線１２１は、複数のゲート電極１２４と端部１２９を含み、維持電極線１３１は、複数の維持電極１３３ａ〜１３３ｄ及び複数の接続部１３３ｅを含む。ゲート線１２１及び維持電極線１３１上には、ゲート絶縁膜１４０、突出部１５４を含む複数の線状半導体１５１、突出部１６３を含む複数の線状オーミック接触部材１６１、及び複数の島状オーミック接触部材１６５が順次に形成されている。オーミック接触部材１６１、１６５及びゲート絶縁膜１４０上には、ソース電極１７３及び端部１７９を含む複数のデータ線１７１、複数のドレイン電極１７５及び複数の孤立金属片１７８が形成されており、その上に保護膜１８０が形成されている。保護膜１８０及びゲート絶縁膜１４０には、複数のコンタクトホール１８１、１８２、１８３ａ、１８３ｂ、１８５が形成されている。保護膜１８０上には、切開部９１〜９２ｂを有する複数の画素電極１９１、複数の接続ブリッジ８３及び複数の接触補助部材８１、８２が形成されており、その上に配向膜１１が形成されている。

共通電極表示板２００は、遮光部材２２０、オーバーコート膜２５０、傾斜部材７１〜７２ｂを有する共通電極２７０及び配向膜２１が絶縁基板２１０上に形成されている。
しかし、図７及び図８に示す液晶表示装置とは異なって、共通電極表示板２００にカラーフィルタがなく、その代わりに薄膜トランジスタ表示板１００の保護膜１８０下部に複数のカラーフィルタ２３０が形成されている。

カラーフィルタ２３０は、画素電極１９１の列に沿って帯状に縦に長く延びており、隣接する二つのカラーフィルタ２３０の境界はデータ線１７１上で一致する。しかし、カラーフィルタ２３０は、互いに離隔したり、互いに重なって、画素電極１９１の間の光漏れを防止する遮光部材の役割を果たすことができる。カラーフィルタ２３０が互いに重なる場合は、共通電極表示板２００上に遮光部材２２０を省略してもよい。

カラーフィルタ２３０には、コンタクトホール１８５が貫通する貫通孔２３５が形成されており、貫通孔２３５はコンタクトホール１８５より大きい。ゲート線１２１の端部１２９及びデータ線１７１の端部１７９が位置する周辺領域にはカラーフィルタ２３０が存在しない。
また、図１５示した液晶表示装置も図１乃至図１４に示す液晶表示装置と多くの特徴を共有できる。一方、画素電極を二つに分離して互いに異なる電圧を印加する構造の液晶表示装置にも本発明による実施形態の特徴を適用できる。

図１６は、本発明の他の実施形態に係る液晶表示装置の配置図であり、図１７は図１６の一部分を拡大示した図であり、図１８は図１６の液晶表示装置のＸＶＩＩＩ-ＸＶＩＩＩ線断面図であり、図１９は図１６のＸＩＸ-ＸＩＸ線断面図である。
図１６乃至図１９に示すように、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置は、薄膜トランジスタ表示板１００、共通電極表示板２００、そしてこれら二つの表示板１００、２００の間に挟持された液晶層３を含む。

薄膜トランジスタ表示板１００について詳細に説明する。透明なガラスまたはプラスチックなどからなる絶縁基板１１０上に、複数のゲート線１２１、複数の維持電極線１３１及び複数の容量電極１３６を含む複数のゲート導電体が形成されている。
ゲート線１２１は、ゲート信号を伝達し、主に横方向に延びている。各ゲート線１２１は、上方に突出した複数のゲート電極１２４と他の層または外部駆動回路との接続のために面積が広い端部１２９を含む。ゲート信号を生成するゲート駆動回路（図示せず）は、基板１１０上に付着される可撓性印刷回路膜（図示せず）上に装着されたり、基板１１０上に直接装着されたり、基板１１０に集積される。ゲート駆動回路が基板１１０上に集積されている場合は、ゲート線１２１が延びてそれと直接接続される。

維持電極線１３１は、所定電圧の印加を受け、ゲート線１２１とほぼ並行に延在する下部及び上部幹線（ｓｔｅｍ）１３１ａ１、１３１ａ２を含む。各維持電極線１３１は、隣接する二つのゲート線１２１の間に位置し、下部幹線１３１ａ１は、二つのゲート線１２１のうちの下側に近く、上部幹線１３１ａ２は上側に近い。下部及び上部幹線１３１ａ１、１３１ａ２は、それぞれ下上に拡張された下部及び上部維持電極１３７ａ１、１３７ａ２を含む。

容量電極１３６は横方向に長い長方形状であり、ゲート線１２１及び維持電極線１３１と分離されている。容量電極１３６は、一対の下部及び上部維持電極１３７ａ１、１３７ａ２の間に位置し、二つの維持電極１３７ａ１、１３７ａ２からほぼ同じ距離を置いており、隣接する二つのゲート線１２１からもほぼ同じ距離を置いている。しかし、維持電極線１３１の形状及び配置は多様に変更できる。

ゲート導電体１２１、１３１、１３６は、アルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金などのアルミニウム系金属、銀（Ａｇ）や銀合金などの銀系金属、銅（Ｃｕ）や銅合金などの銅系金属、モリブデン（Ｍｏ）やモリブデン合金などモリブデン系金属、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）及びチタニウム（Ｔｉ）などからなることができる。しかし、これらは物理的性質が異なる二つの導電膜（図示せず）を含む多重膜構造を有してもよい。このうちの一つの導電膜は、信号遅延や電圧降下を減らし得るように比抵抗が低い金属、例えば、アルミニウム系金属、銀系金属、銅系金属などからなる。これに対し、もう一つの導電膜は、他の物質、特にＩＴＯ及びＩＺＯとの物理的、化学的、電気的接触特性に優れた物質、例えばモリブデン系金属、クロム、タンタル、チタニウムなどからなる。このような組み合わせの好適例としては、クロム下部膜とアルミニウム（合金）上部膜、及びアルミニウム（合金）下部膜とモリブデン（合金）上部膜がある。しかし、ゲート導電体１２１、１３１、１３６は、その他にも種々の金属または導電体からなることができる。

ゲート導電体１２１、１３１、１３６の側面は基板１１０面に対して傾斜しており、その傾斜角は約３０゜乃至約８０゜であることが好ましい。
ゲート導電体１２１、１３１、１３６上には、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯｘ）などからなるゲート絶縁膜１４０が形成されている。
ゲート絶縁膜１４０上には、水素化非晶質シリコン（非晶質シリコンはａ-Ｓｉと略称する）または多結晶シリコンなどからなる複数の島状半導体１５４が形成されている。半導体１５４はゲート電極１２４上に位置し、ゲート線１２１の境界を覆う延長部を含む。また、維持電極線１３１の境界を覆う別の島状半導体が形成されてもよい。

半導体１５４上には、複数の島状オーミック接触部材１６３、１６５が形成されている。オーミック接触部材１６３、１６５は、リンなどのｎ型不純物が高濃度にドープされているｎ＋水素化非晶質シリコンなどの物質からなるか、シリサイドからなることができる。オーミック接触部材１６３、１６５は、対をなして半導体１５４上に配置されている。
また、半導体１５４とオーミック接触部材１６３、１６５の側面も基板１１０面に対して傾斜しており、その傾斜角は３０゜乃至８０゜程度である。

オーミック接触部材１６３、１６５及びゲート絶縁膜１４０上には、複数のデータ線１７１と複数のドレイン電極１７５を含むデータ導電体が形成されている。
データ線１７１は、データ信号を伝達し、主に縦方向に延びてゲート線１２１及び維持電極線１３１と交差する。各データ線１７１は、ゲート電極１２４に向かって延びた複数のソース電極１７３と他の層または外部駆動回路との接続のために面積が広い端部１７９を含む。データ信号を生成するデータ駆動回路（図示せず）は、基板１１０上に付着される可撓性印刷回路膜（図示せず）上に装着されたり、基板１１０上に直接装着されたり、基板１１０に集積される。データ駆動回路が基板１１０上に集積される場合は、データ線１７１が延びてそれと直接接続される。

ドレイン電極１７５はデータ線１７１と分離されており、ゲート電極１２４を中心としてソース電極１７３と対向する棒状の端部を含む。棒状の端部は、Ｕ字状に曲がったソース電極１７３により一部が取り囲まれている。
また、各ドレイン電極１７５は、下部、上部及び中央拡張部１７７ａ１、１７７ａ２、１７６、並びにこれらを接続させる一対の接続部１７８ａ１、１７８ａ２を含む。拡張部１７７ａ１、１７７ａ２、１７６は、横方向に長い長方形であり、接続部１７８ａ１、１７８ａ２は、拡張部１７７ａ１、１７７ａ２、１７６の両側でそれらを互いに接続させ、データ線１７１とほぼ平行である。

下部及び上部拡張部１７７ａ１、１７７ａ２はそれぞれ下部及び上部維持電極１３７ａ１、１３７ａ２と重なっている。
中央拡張部１７６は容量電極１３６と重なり、以下、中央拡張部１７６を結合電極という。結合電極１７６の右側端付近にはコンタクトホール１７６Ｈが形成されている。結合電極１７６は容量電極１３６の形状とほぼ同様に形成される。

一つのゲート電極１２４、一つのソース電極１７３及び一つのドレイン電極１７５は、半導体１５４と共に一つの薄膜トランジスタを構成し、薄膜トランジスタのチャンネルは、ソース電極１７３とドレイン電極１７５との間の半導体１５４に形成される。
データ導電体１７１、１７５、１７６は、モリブデン、クロム、タンタル及びチタニウムなど耐火性金属、またはこれらの合金からなることが好ましく、耐火性金属膜（図示せず）と低抵抗導電膜（図示せず）を含む多重膜構造を有することができる。多重膜構造の例としては、クロムまたはモリブデン（合金）下部膜とアルミニウム（合金）上部膜の二重膜、モリブデン（合金）下部膜とアルミニウム（合金）中間膜とモリブデン（合金）上部膜の三重膜がある。しかし、データ導電体１７１、１７５は、その他にも種々の金属または導電体からなることができる。

また、データ導電体１７１、１７５、１７６もその側面が基板１１０面に対して３０゜乃至８０゜程度の角度で傾斜していることが好ましい。
オーミック接触部材１６３、１６５は、その下の半導体１５４とその上のデータ導電体１７１、１７５との間にのみ存在し、これらの間の接触抵抗を低くする。ゲート線１２１上に位置する半導体１５４の延長部１５４ａは、表面のプロファイルを滑らかにすることによって、データ線１７１が断線することを防止する。半導体１５４にはソース電極１７３とドレイン電極１７５との間をはじめとしてデータ導電体１７１、１７５で覆われず露出した部分がある。

データ導電体１７１、１７５及び露出した半導体１５４部分上には、保護膜１８０が形成されている。保護膜１８０は無機絶縁物または有機絶縁物などからなり、表面が平坦化し得る。
保護膜１８０には、データ線１７１の端部１７９を露出させる複数のコンタクトホール１８２、並びにドレイン電極１７５の下部及び上部拡張部１７７ａ１、１７７ａ２をそれぞれ露出させる複数のコンタクトホール１８５ａ１、１８５ａ２が形成されている。保護膜１８０とゲート絶縁膜１４０には、ゲート線１２１の端部１２９を露出させる複数のコンタクトホール１８１及び結合電極１７６のコンタクトホール１７６Ｈを貫通して容量電極１３６を露出させる複数のコンタクトホール１８６が形成されている。

保護膜１８０上には、複数の画素電極１９１及び複数の接触補助部材８１、８２が形成されている。これらはＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質やアルミニウム、銀、クロムまたはその合金などの反射性金属からなることができる。
各画素電極１９１は、互いに対向する一対の第１主辺１９３、１９４と、これら第１主辺１９３、１９４に接続される第２主辺を有する。第２主辺は、複数の鋸歯９０と、これらの鋸歯９０との間を接続させる底辺９０ｃとを含む。また、第２主辺には、鋸歯９０と底辺９０ｃとが繰り返し形成されている。ここで、鋸歯９０は、第１主辺１９３、１９４に対して傾いた第１斜辺９０ａと、第２斜辺９０ｄと、及び第１斜辺９０ａ及び第２斜辺９０ｄ間を接続する上辺９０ｂと、を有する。底辺９０ｃは、第１斜辺９０ａ及び第２斜辺９０ｄ間を接続する。第１主辺１９３、１９４はゲート線１２１と平行である。第１主辺１９３、１９４と第２主辺とはほぼ長方形をなし、画素電極１９１の４つの角は面取りされてゲート線１２１に対して約４５゜の角度をなしている。第１斜辺９０ａはデータ線１７１と一部分が重なり、隣接する二つの画素電極１９１の第１斜辺９０ａは、図１７に示すように互いに対向し平行である。

各画素電極１９１は、下部及び上部間隙９３ａ、９３ｂを介在して分割された下部、上部及び中央副画素電極１９１ａ１、１９１ａ２、１９１ｂを含む。下部及び上部間隙９３ａ、９３ｂは、ほぼ画素電極１９１の左側辺から右側辺に斜めに延びており、このため、ほぼ二等辺台形の形状を有する中央副画素電極１９１ｂは、底辺及び上辺がデータ線に沿うように配置されている。また、ほぼ直角台形の形状を有する下部及び上部副画素電極１９１ａ１、１９１ａ２は、底辺及び上辺が下部及び上部間隙９３ａ、９３ｂに沿い、斜辺がデータ線又はゲート線に沿うように配置されている。下部及び上部間隙９３ａ、９３ｂは、ゲート線１２１に対して約４５゜の角度をなし、互いに垂直である。

下部及び上部副画素電極１９１ａ１、１９１ａ２はそれぞれコンタクトホール１８５ａ１、１８５ａ２を介してドレイン電極１７５の下部及び上部拡張部１７７ａ１、１７７ａ２に接続される。
中央副画素電極１９１ｂは、コンタクトホール１８６を介して容量電極１３６に接続され、結合電極１７６と重なっている。中央副画素電極１９１ｂと容量電極１３６は、結合電極１７６と共に結合キャパシタを構成する。

中央副画素電極１９１ｂには、中央切開部９１及び第１上部及び下部斜線切開部９２ａ、９２ｂが形成されており、下部副画素電極１９１ａ１には、第２下部斜線切開部９４ａが形成されており、上部副画素電極１９１ａ２には、第２上部斜線切開部９４ｂが形成されている。これらの切開部９１、９２ａ、９２ｂ、９４ａ、９４ｂは、副画素電極１９１ｂ、１９１ａ１、１９１ａ２を複数の副領域に区画する。切開部９１、９２ａ、９２ｂ、９４ａ、９４ｂ及び間隙９３ａ、９３ｂ（以下、間隙も切開部という）を含む画素電極１９１は、容量電極１３６に対してほぼ反転対称をなす。

下部及び上部斜線切開部９２ａ〜９４ｂは、ほぼ画素電極１９１の左側角、下側辺または上側辺から右側辺に斜めに延びている。下部及び上部斜線切開部９２ａ〜９４ｂは、ゲート線１２１に対して約４５゜の角度をなし、互いに垂直に延びている。下部及び上部斜線切開部９２ａ、９２ｂ、９４ａ、９４ｂは、画素電極１９１の左側辺または右側辺に入口を有しており、入口は鋸歯９０の第２主辺と接続される。

図１７に示すように、第２主辺の鋸歯９０をなす第１斜辺９０ａは、画素電極１９１の斜線切開部９２ａ〜９４ａと鈍角をなし、第２斜辺９０ｄは斜線切開部９２ａ〜９４ｂとほぼ並んでいる。
中央切開部９１は維持電極線１３１に沿って延び、左側辺の方に入口を有している。中央切開部９１の入口は、下部切開部９２ａ〜９４ａと上部切開部９２ｂ〜９４ｂにそれぞれほぼ平行な一対の斜辺９１ａ、９１ｂを有している。この時、切開部の数または領域の数は、画素電極１９１ａ１、１９１ａ２、１９１ｂの大きさ、画素電極１９１ａ１、１９１ａ２、１９１ｂの横辺と縦辺の長さ比、液晶層３の種類や特性などの設計要素によって変わる。

接触補助部材８１、８２はそれぞれコンタクトホール１８１、１８２を介してゲート線１２１の端部１２９及びデータ線１７１の端部１７９に接続される。
共通電極表示板２００について説明する。透明なガラスまたはプラスチックなどからなる絶縁基板２１０上に遮光部材２２０が形成されている。遮光部材２２０は、データ線１７１に対応する線形部分２２１と、一部分が拡張された拡張部２２２と、薄膜トランジスタに対応する面形部分２２３とを含み、画素電極１９１の間の光漏れを防止し、画素電極１９１と対向する開口領域を定義する。しかし、遮光部材２２０は、画素電極１９１と対向して画素電極１９１とほぼ同一形状を有する複数の開口部（図示せず）を有してもよい。

また、基板２１０上には、複数のカラーフィルタ２３０が形成されている。カラーフィルタ２３０は遮光部材２３０に囲まれた領域内にほとんど存在し、画素電極１９１の列に沿って縦方向に長く延びることができる。各カラーフィルタ２３０は赤色、緑色及び青色の三原色など基本色のうちの一つを表示することができる。
カラーフィルタ２３０及び遮光部材２２０上には、オーバーコート膜２５０が形成されている。オーバーコート膜２５０は、（有機）絶縁物からなることができ、カラーフィルタ２３０が露出することを防止し、平坦面を提供する。オーバーコート膜２５０は省略してもよい。

オーバーコート膜２５０上には、共通電極２７０が形成されている。共通電極２７０上には、複数の傾斜部材７１、７２ａ、７２ｂ、７３ａ、７３ｂ、７４ａ、７４ｂ、７５が形成されている。
一つの傾斜部材の集合７１〜７５は、一つの画素電極１９１と対向し、中央傾斜部材７１、第１乃至第３下部斜線傾斜部材７２ａ、７３ａ、７４ａ、第１乃至第３上部斜線傾斜部材７２ｂ、７３ｂ、７４ｂ、及び接続傾斜部材７５を含む。傾斜部材７１〜７４ｂ（７１、７２ａ、７２ｂ、７３ａ、７３ｂ、７４ａ、７４ｂ）のそれぞれは画素電極１９１の隣接切開部９１、９２、９３ａ、９３ｂ、９４ａ、９４ｂ、９５ａ、９５ｂの間、または切開部９１、９２、９３ａ、９３ｂ、９４ａ、９４ｂ、９５ａ、９５ｂと画素電極１９１の面取りされた斜辺との間に配置されている。なお、各傾斜部材７１〜７４ｂは、画素電極１９１の下部切開部９３ａ、９４ａ、９５ａまたは上部切開部９３ｂ、９４ｂ、９５ｂと平行に延びた少なくとも一つの斜線部を含む。

第１下部及び第１上部斜線傾斜部材７２ａ、７２ｂは、ほぼ画素電極１９１の右側辺から画素電極１９１の左側辺に延び、第２下部及び第２上部斜線傾斜部材７３ａ、７３ｂは画素電極１９１の右側辺から画素電極１９１の左側上または左側下の角に延びている。そして、第３下部及び第３上部斜線傾斜部材７４ａ、７４ｂは、画素電極１９１の右側辺から画素電極１９１の上側辺または下側辺に延び、第３下部及び第３上部斜線傾斜部材７４ａ、７４ｂの各端から画素電極１９１の辺に沿って重なって延びるそれぞれ２つの縦断横部を含む。縦断横部は斜線傾斜部材７４ａ、７４ｂと鈍角をなす。

中央傾斜部材７１は中央横部７１ｃ、一対の斜線部７１ａ、７１ｂを含む。中央横部７１ｃは、ほぼ画素電極１９１の右側辺から維持電極線１３１に沿って左に延び、一対の斜線部７１ａ、７１ｂは中央横部７１ｃの端から画素電極１９１の左側辺に向かって、それぞれ下部及び上部斜線傾斜部材７２ａ〜７４ｂとほぼ平行に延びる。
接続傾斜部材７５は、中央傾斜部材７１のうちの斜線部７１ａの一端と隣接画素電極の第２下部傾斜部材７３ａの一端とを接続し、中央傾斜部材７１の斜線部７１ｂの他端と隣接画素電極の第２上部傾斜部材７３ｂの一端とを接続し、第１下部斜線傾斜部材７２ａの一端と隣接画素電極の第３下部斜線傾斜部材７４ａの一端とを接続し、第１上部斜線傾斜部材７２ｂの一端と隣接画素電極の第３上部斜線傾斜部材７４ｂの一端とを接続する。図１７に示すように接続傾斜部材７５は、画素電極１９１の第１斜辺９０ａと平行であり、データ線１７１と対応する部分に位置する。

表示板１００、２００の内側面には配向膜１１、２１が塗布されており、これらは垂直配向膜であり得る。表示板１００、２００の外側面には偏光子（図示せず）が備えられているが、二つの偏光子の偏光軸は直交し、このうちの一つの偏光軸は、ゲート線１２１に対して並んでいることが好ましい。反射型液晶表示装置の場合は、二つの偏光子のうちの一つは省略してもよい。

本実施形態に係る液晶表示装置は、液晶層３の遅延値を補償するための位相遅延膜（図示せず）をさらに含むことができる。位相遅延膜は、複屈折性を有し、液晶層３の位相遅延を逆に補償する。
液晶表示装置は、偏光子、位相遅延膜、表示板１００、２００、及び液晶層３に光を供給する照明部（図示せず）を含むことができる。

液晶層３は負の誘電率異方性を有し、液晶層３の液晶分子は電場がない状態でその長軸が二つの表示板の表面に対して垂直をなすように配向されている。従って、入射光は直交偏光子を通過できず遮断される。
図１６乃至図１９に示す液晶表示装置において、維持電極線１３１、容量電極１３６、ドレイン電極１７５の拡張部１７７ａ１、１７７ａ２、１７６及び接続部１７８ａ１、１７８ａ２などの不透明部材と切開部９１〜９４ｂを有する画素電極１９１の透明部材が隣接する二つのゲート線１２１から等距離にある容量電極１３６を中心として対称に配置されている。

このような液晶表示装置について図２０を参照してより詳細に説明する。
図２０に示すように、液晶表示装置の一つの画素は、薄膜トランジスタ（Ｑ）、第１液晶キャパシタ（Ｃ_LC１）及びストレージキャパシタ（Ｃ_ST１）を含む第１副画素、第２液晶キャパシタ（Ｃ_LC２）を含む第２副画素、そして結合キャパシタ（Ｃｃｐ）を含む。
第１液晶キャパシタ（Ｃ_LC１）は一つの端子として下部及び上部副画素電極１９１ａ１、１９１ａ２を含み、もう一つの端子として共通電極２７０の当該部分を含み、二つの端子の間の液晶層３部分を誘電体として含む。これと同様に、第２液晶キャパシタ（Ｃ_LC２）は、一つの端子として中央副画素電極１９１ｂを含み、もう一つの端子として共通電極２７０の当該部分を含み、二つの端子の間の液晶層３部分を誘電体として含む。

ストレージキャパシタ（Ｃ_ST１）は、一つの端子としてドレイン電極１７５の下部及び上部拡張部１７７ａ１、１７７ａ２を含み、もう一つの端子として下部及び上部維持電極１３７ａ１、１３７ａ２を含み、二つの端子の間のゲート絶縁膜１４０部分を誘電体として含む。結合キャパシタ（Ｃｃｐ）は、一つの端子として中央副画素電極１９１ｂと容量電極１３６とを含み、もう一つの端子として結合電極１７６を含み、二つの端子の間の保護膜１８０及びゲート絶縁膜１４０部分を誘電体として含む。

第１液晶キャパシタ（Ｃ_LC１）及びストレージキャパシタ（Ｃ_ST１）は、薄膜トランジスタ（Ｑ）のドレインに接続されており、結合キャパシタ（Ｃｃｐ）は、薄膜トランジスタ（Ｑ）と第２液晶キャパシタ（Ｃ_LC２）との間に接続される。共通電極２７０には共通電圧（Ｖｃｏｍ）が印加され、維持電極線１３１にも共通電圧（Ｖｃｏｍ）が印加される。

薄膜トランジスタ（Ｑ）は、ゲート線１２１からのゲート信号によってデータ線１７１からのデータ電圧を第１液晶キャパシタ（Ｃ_LC１）及び結合キャパシタ（Ｃｃｐ）に印加し、結合キャパシタ（Ｃｃｐ）は、この電圧をその大きさを変えて第２液晶キャパシタ（Ｃ_LC１）に伝達する。
維持電極線１３１に共通電圧（Ｖｃｏｍ）が印加され、キャパシタ（Ｃ_LC１、Ｃ_ST１、Ｃ_LC２、Ｃｃｐ）とその静電容量を同一の図面符号で示す場合、第１液晶キャパシタ（Ｃ_LC１）に充電された電圧（Ｖａ）と、第２液晶キャパシタ（Ｃ_LC２）に充電された電圧（Ｖｂ）とが次のような関係を有する。

Ｖｂ=Ｖａ[Ｃｃｐ/（Ｃｃｐ+Ｃ_LC２）]
Ｃｃｐ/（Ｃｃｐ+Ｃ_LC２）の値が１より小さいので、第２液晶キャパシタ（Ｃ_LC２）に充電された電圧（Ｖｂ）は、第１液晶キャパシタ（Ｃ_LC１）に充電された電圧（Ｖａ）に比して常に小さい。この関係は維持電極線１３１の電圧が共通電圧（Ｖｃｏｍ）ではない場合にも同様に成立する。

このように、第１または第２液晶キャパシタ（Ｃ_LC１、Ｃ_LC２）の両端に電位差が発生すると、表示板１００、２００の面にほぼ垂直な電場が液晶層３に生成される。すると、液晶層３の液晶分子は電場に応答して、その長軸が電場の方向に垂直をなすように傾き、液晶分子が傾いた程度によって液晶層３に入射される光の偏光の変化程度が変わる。このような偏光の変化は、偏光子１２、２２によって透過率の変化として現れ、これによって液晶表示装置は画像を表示する。

液晶分子が傾く角度は電場の強さによって変わるが、第１液晶キャパシタ（Ｃ_LC１）の電圧（Ｖａ）と、第２液晶キャパシタ（Ｃ_LC２）の電圧（Ｖｂ）とが互いに異なるので、第１副画素と第２副画素とで液晶分子が傾く角度が異なり、これによって二つの副画素の輝度が異なる。従って、第１液晶キャパシタ（Ｃ_LC１）の電圧（Ｖａ）と、第２液晶キャパシタ（Ｃ_LC２）の電圧（Ｖｂ）を適宜合わせると、側面から見る画像が正面から見る画像に最大限近づくことができ、そのようにすることで、側面視認性を向上させることができる。

第１液晶キャパシタ（Ｃ_LC１）の電圧（Ｖａ）と第２液晶キャパシタ（Ｃ_LC２）電圧（Ｖｂ）の比率は、結合キャパシタ（Ｃｃｐ）の静電容量を変化させることによって調整可能であり、結合キャパシタ（Ｃｃｐ）の静電容量は、第２副画素電極１９１ｂ及び容量電極１３６と結合電極１７６との重畳面積及び距離を調整することによって変えることができる。例えば、容量電極１３６を除去し、結合電極１７６をその位置に配設すると、結合電極１７６と第２画素電極１９１ｂとの間の距離を遠くすることができる。ここで、第２液晶キャパシタ（Ｃ_LC２）電圧（Ｖｂ）は、第１液晶キャパシタ（Ｃ_LC１）電圧（Ｖａ）の０．６乃至０．８倍であることが好ましい。

これに対し、第２液晶キャパシタ（Ｃ_LC２）の電圧（Ｖｂ）を第１液晶キャパシタ（Ｃ_LC１）の電圧（Ｖａ）より高くすることもできるが、これは第２液晶キャパシタ（Ｃ_LC２）を共通電圧などのような所定の電圧に事前に充電（ｐｒｅ ｃｈａｒｇｉｎｇ）することによって実現される。
第１副画素の下部及び上部画素電極１９１ａ１、１９１ａ２と、第２副画素の中央画素電極１９１ｂの面積比は１:０．８５〜１:１．１５範囲であることが好ましく、各副画素の副画素電極数は変更できる。

また、他の実施形態においても説明を行った通り、画素電極１９１辺のうちのデータ線１７１と隣接する辺を鋸歯状に形成することによって隣接する画素電極１９１の間に形成される副電場は、副領域における液晶の配向を強化する方向に形成される。また、鋸歯状に形成することで、有効表示面積を大きくし、開口率を高めることができる。さらに、隣接する二つの画素電極１９１の第１斜辺９０ａが互いに対向する領域と対応する位置に、接続傾斜部材７５を設けることで、副領域における液晶の配向を一層強化し、テクスチャーを減少させ、透過率を向上させることができる。このため、テクスチャーを減少させるために、共通電極の切開部に画素電極の辺を重畳させる部分を設ける必要が無く、開口率を向上させることができる。また、画素領域が複数の副領域に分割されることで、液晶分子をさまざまな方向に傾け、視野角が大きくなる。また、傾斜部材を設けることで、液晶分子がプレチルト角を有するため、電場の印加に対して応答速度を早くすることができる。また、共通電極に切開部を設けないため、製造工程を簡略化できるとともに、偏光子１２、２２の損傷を防止するための処理を省略できる。

図１乃至図１５に示す液晶表示装置の多くの特徴は、図１６及び図２０に示す液晶表示装置にも適用できる。
図２１は本発明の他の実施形態に係る液晶表示装置の配置図であり、図２２は図２１の一部分を拡大示した図であり、図２３は図２１の液晶表示装置のＸＸＩＩＩ-ＸＸＩＩＩ線断面図であり、図２４は図２１の液晶表示装置のＸＸＩＶ-ＸＸＩＶ線断面図である。

図２１乃至図２４に示すように、本発明の一実施形態に係る液晶表示板組立体は、薄膜トランジスタ表示板１００、共通電極表示板２００、これら二つの表示板１００、２００の間に挟持された液晶層３を含む。
薄膜トランジスタ表示板１００について詳細に説明する。透明なガラスまたはプラスチックなどからなる絶縁基板１１０上に、複数対の第１及び第２ゲート線１２１ａ、１２１ｂと、複数の維持電極線１３１を含む複数のゲート導電体が形成されている。

第１及び第２ゲート線１２１ａ、１２１ｂはゲート信号を伝達し、主に横方向に延びており、それぞれ維持電極線１３１の上側及び下側に位置する。第１ゲート線１２１ａ、１２１ｂは、下方に突出した複数の第１ゲート電極１２４ａと、他の層または外部駆動回路との接続のために面積が広く且つそれぞれ左側に配置されている端部１２９ａを含む。
第２ゲート線１２１ｂは、上方に突出した複数の第２ゲート電極１２４ｂと、他の層または外部駆動回路との接続のために面積が広く且つ左側に配置されている端部１２９ｂを含む。しかし、これらの端部１２９ａ、１２９ｂは両方とも右側に配置されていてもよく、互いに異なる側に配置されていてもよい。

維持電極線１３１は所定電圧の印加を受け、主に横方向に延びている。各維持電極線１３１は、第１及び第２ゲート線１２１ａ、１２１ｂの間に位置し、第２ゲート線１２１ｂより第１ゲート線１２１ａに多少近く、隣接する二つの第２ゲート線１２１ｂからほぼ同じ距離を置いている。つまり、第１ゲート線１２１ａから維持電極線１３１までの距離は、第２ゲート線１２１ｂから維持電極線１３１までの距離よりも短い。そして、１の第２ゲート線１２１ｂから維持電極線１３１までの距離と、その１の第２ゲート線１２１ｂに隣接する第２ゲート線１２１ｂから維持電極線１３１までの距離と、が同程度である。各維持電極線１３１は、下上に拡張された維持電極１３７及び延長部１３９を含み、維持電極１３７はほぼ長方形であり、維持電極線１３１に対称である。維持電極１３７をはじめとして維持電極線１３１の形状及び配置は多様に変更できる。

ゲート導電体１２１ａ、１２１ｂ、１３１の側面は基板１１０面に対して傾斜しており、その傾斜角は約３０゜乃至８０゜であることが好ましい。ゲート導電体１２１ａ、１２１ｂ、１３１上には、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯｘ）などからなるゲート絶縁膜１４０が形成されている。
ゲート絶縁膜１４０上には、水素化非晶質シリコン（非晶質シリコンはａ-Ｓｉと略称する）または多結晶シリコンなどからなる複数の島状半導体１５４ａ、１５４ｂ、１５６、１５７ａ、１５７ｂが形成されている。半導体１５４ａ、１５４ｂはそれぞれゲート電極１２４ａ、１２４ｂ上に位置する。半導体１５６は維持電極線１３１の境界を覆う。半導体１５７ａ、１５７ｂは維持電極１３７の境界線と一部重なっている。

半導体１５４ａ、１５４ｂ、１５７ｂ上には、複数の島状オーミック接触部材１６３ａ、１６３ｂ、１６５ａ、１６５ｂ、１６７ｂが形成されており、半導体１５６、１５７ａ上にも島状オーミック接触部材（図示せず）が形成されている。オーミック接触部材１６３ａ、１６３ｂ、１６５ａ、１６５ｂ、１６７ｂは、リンなどのｎ型不純物が高濃度にドープされているｎ＋水素化非晶質シリコンなどの物質からなるか、シリサイドからなることができる。オーミック接触部材１６３ａ、１６５ａとオーミック接触部材１６３ｂ、１６５ｂはそれぞれ対をなして半導体１５４ａ、１５４ｂ上に配置されている。

また、半導体１５４ａ、１５４ｂ、１５６、１５７ａ、１５７ｂとオーミック接触部材１６３ａ、１６３ｂ、１６５ａ、１６５ｂ、１６７ｂの側面も基板１１０面に対して傾斜しており、その傾斜角は３０゜乃至８０゜程度である。
オーミック接触部材１６３ａ、１６３ｂ、１６５ａ、１６５ｂ、１６７ｂ及びゲート絶縁膜１４０上には、複数のデータ線１７１と複数対の第１及び第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂを含むデータ導電体が形成されている。

データ線１７１はデータ信号を伝達し、主に縦方向に延びてゲート線１２１ａ、１２１ｂ及び維持電極線１３１と交差する。各データ線１７１は、第１及び第２ゲート電極１２４ａ、１２４ｂに向かって延びる複数の第１及び第２ソース電極１７３ａ、１７３ｂと、他の層または外部駆動回路との接続のために面積が広い端部１７９を含む。
第１及び第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂは互いに分離されて、データ線１７１とも分離されている。

第１ドレイン電極１７５ａは、第１ゲート電極１２４ａを中心として第１ソース電極１７３ａと対向する棒状の端部１７６ａと、棒状の端部１７６ａの反対側の端にある広い長方形状の拡張部１７７ａと、並びに拡張部１７７ａ及び端部１７６ａ間を接続させる線状接続部１７６ａａと、を含む。拡張部１７７ａは維持電極１３７と重なり、棒状の端部１７６ａは第１ゲート電極１２４ａと重なって、Ｕ字状に曲がった第１ソース電極１７３ａにより一部が取り囲まれている。第１ドレイン電極１７５ａの接続部１７６ａａは、ほとんど延長部１３９上に位置し、延長部１３９と並行に延びて、延長部１３９の縦境界線内に位置する。

これと同様に、第２ドレイン電極１７５ｂは、第２ゲート電極１２４ｂを中心として第２ソース電極１７３ｂと対向する棒状の端部１７６ｂと、棒状の端部１７６ｂの反対側の端にある広い長方形状の拡張部１７７ｂと、拡張部１７７ｂ及び端部１７６ｂを接続させる線状接続部１７６ｂｂとを含む。拡張部１７７ｂは維持電極１３７と重なり、棒状の端部１７６ｂは第２ゲート電極１２４ｂと重なって、Ｕ字状に曲がった第２ソース電極１７３ｂにより一部が取り囲まれている。第２ドレイン電極１７５ｂの拡張部１７７ｂの面積は、第１ドレイン電極の拡張部１７７ａの面積より小さい。

このように、第１ドレイン電極１７５ａの接続部１７６ａａ下に延長部１３９を設けることで保持容量を増加させることができるので、維持電極１３７の面積を小さくして開口率を向上させることができる。
第１、第２ゲート電極１２４ａ、１２４ｂ、第１、第２ソース電極１７３ａ、１７３ｂ、及び第１、第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂは、第１、第２半導体１５４ａ、１５４ｂと共に第１、第２薄膜トランジスタ（Ｑａ/Ｑｂ）を構成し、第１、第２薄膜トランジスタ（Ｑａ/Ｑｂ）のチャンネルは、第１、第２ソース電極１７３ａ、１７３ｂと第１、第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂとの間の第１、第２半導体１５４ａ、１５４ｂに形成される。

また、データ導電体１７１、１７５ａ、１７５ｂもその側面が基板１１０面に対して３０゜乃至８０゜程度の傾斜角で傾斜していることが好ましい。
オーミック接触部材１６３ａ、１６３ｂ、１６５ａ、１６５ｂ、１６７ｂは、その下の半導体１５４ａ、１５４ｂ、１５７ｂと、その上のデータ導電体１７１、１７５ａ、１７５ｂとの間にのみ存在し、これらの間の接触抵抗を低くする。ゲート線１２１ａ、１２１ｂ及び維持電極線１３１上に位置する半導体１５６、１５７ａ、１５７ｂは、表面のプロファイルを円滑にして、データ線１７１及びドレイン電極１７５ａ、１７５ｂの断線を防止する。島状半導体１５４ａ、１５４ｂには、ソース電極１７３ａ、１７３ｂとドレイン電極１７５ａ、１７５ｂとの間をはじめとしてデータ導電体１７１、１７５ａ、１７５ｂで覆われず露出した部分がある。

データ導電体１７１、１７５ａ、１７５ｂ及び露出した半導体１５４ａ、１５４ｂ上には保護膜１８０が形成されている。
保護膜１８０には、データ線１７１の端部１７９及び第１及び第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂの拡張部１７７ａ、１７７ｂをそれぞれ露出させる複数のコンタクトホール１８２、１８５ａ、１８５ｂが形成されており、保護膜１８０とゲート絶縁膜１４０には、ゲート線１２１ａ、１２１ｂの端部１２９ａ、１２９ｂを露出させる複数のコンタクトホール１８１ａ、１８１ｂが形成されている。

保護膜１８０上には、第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂを含む複数の画素電極１９１、及び複数の接触補助部材８１ａ、８１ｂ、８２が形成されている。これらはＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質やアルミニウム、銀、クロム、またはその合金などの反射性金属からなることができる。
各画素電極１９１は、４つの角が面取りされているほぼ四角形状であり、面取りされた斜辺はゲート線１２１ａ、１２１ｂに対して約４５゜の角度をなしている。

各画素電極１９１をなす一対の第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂは、間隙（ｇａｐ）９２、９３を介在して互いに噛み合っている。第２副画素電極１９１ｂはほぼ回転した等辺台形であって、底辺が台形に凹んでおり、第１副画素電極１９１ａによってほぼとり囲まれるように配置されている。第１副画素電極１９１ａは、上部台形部１９１ａ−３、下部台形部１９１ａ−２及び中央台形部１９１ａ−１からなる。左側辺の近傍に中央台形部１９１が配置され、左側辺から上部台形部１９１ａ−３、下部台形部１９１ａ−２及び中央台形部１９１が互いに接続される。各画素電極１９１は、互いに対向する一対の第１主辺１９３、１９４と、これらの第１主辺１９３、１９４に接続する第２主辺とを有する。第２主辺は、複数の鋸歯９０とこれらの鋸歯９０の間を接続させる底辺９０ｃとを含む。また、第２主辺には、鋸歯９０と底辺９０ｃとが繰り返し形成されている。ここで、鋸歯９０は、第１主辺１９３、１９４に対して傾いた第１斜辺９０ａと、第２斜辺９０ｄと、第１斜辺９０ａ及び第２斜辺９０ｄ間を接続させる上辺９０ｂと、を有する。底辺９０ｃは、第１斜辺９０ａ及び第２斜辺９０ｄ間を接続する。第１主辺１９３、１９４はゲート線１２１に平行である。第１主辺１９３、１９４と第２主辺はほぼ長方形であり、画素電極１９１の４つの角は面取りされてゲート線１２１に対して約４５゜の角度をなしている。第１斜辺９０ａは、データ線１７１と一部分が重なっている。また、隣接する二つの画素電極１９１の第１斜辺９０ａは、図２２に示すように互いに対向し平行である。

第１副画素電極１９１ａは、上部台形部１９１ａ−３の上辺及び下部台形部１９１ａ−２の下辺から右側辺に向かって延びた切開部９４ａ、９４ｂを有している。第１副画素電極１９１ａの中央台形部１９１ａ−１は、第２副画素電極１９１ｂの凹んだ底辺に挟まるように配置されている。また、第１副画素電極１９１ａは、横部及びこれと接続された一対の斜線部９１ａ、９１ｂを含む中央切開部９１を有する。横部は、第１副画素電極１９１ａの横中心線ｄ−ｄ’に沿って短く延び、一対の斜線部９１ａ、９１ｂは、横部から第１副画素電極１９１ａの左側辺に向かって延びており、維持電極線１３１に対して約４５゜の角度をなしている。第１副画素電極１９１ａと第２副画素電極１９１ｂとの間の間隙９２は、ゲート線１２１ａ、１２１ｂと約４５゜をなす二対の上部斜線部９２ｂ及び下部斜線部９２ａと、縦部９２ｃとを含む。第１副画素電極１９１ａと第２副画素電極１９１ｂとの間の間隙９３は、ゲート線１２１ａ、１２１ｂと約４５゜をなす二対の上部斜線部９３ｂ及び下部斜線部９３ａと、縦部９３ｃとを含む。以下では、説明の便宜上、間隙９２、９３も切開部として示す。切開部９１〜９４ｂは、維持電極線１３１に対してほぼ反転対称をなし、これらはゲート線１２１ａ、１２１ｂに対して約４５゜の角度をなして、互いに垂直に延びている。画素電極１９１は、これらの切開部９１〜９４ｂによって複数の領域に分割される。従って、画素電極１９１を横方向に二等分する維持電極線１３１を中心として一つの上半部と下半部は、切開部９１〜９４ｂによってそれぞれ４つの領域に分けられる。この時、領域の数または切開部の数は、画素電極１９１の大きさ、画素電極１９１の横辺と縦辺の長さ比、液晶層３の種類や特性などの設計要素によって変わる。

第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂはそれぞれコンタクトホール１８５ａ、１８５ｂを介して第１及び第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂに接続されており、第１及び第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂからデータ電圧が印加される。一対の副画素電極１９１ａ、１９１ｂには、一つの入力画像信号に対して予め設定された互いに異なるデータ電圧が印加されるが、その大きさは副画素電極１９１ａ、１９１ｂの大きさ及び形状によって設定される。また、副画素電極１９１ａ、１９１ｂの面積は互いに異なることができる。一例として、第２副画素電極１９１ｂは第１副画素電極１９１ａに比して高い電圧が印加され、第１副画素電極１９１ａより面積が小さい。データ電圧が印加された副画素電極１９１ａ、１９１ｂと共通電圧が印加される共通電極２７０とは、第１及び第２液晶キャパシタを構成して、薄膜トランジスタが非導通状態になった後にも、印加された電圧を維持する。各液晶キャパシタは、液晶層３部分を誘電体として含む。

第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂ及びこれと電気的に接続された電極１７７ａ、１７７ｂは、維持電極１３７及び延長部１３９をはじめとして維持電極線１３１と重なっており、液晶キャパシタの電圧維持能力を強化するストレージキャパシタを構成する。
接触補助部材８１ａ、８１ｂ、８２はそれぞれコンタクトホール１８１ａ、１８１ｂ、１８２を介してゲート線１２１ａ、１２１ｂの端部１２９ａ、１２９ｂ及びデータ線１７１の端部１７９と接続される。

次に、共通電極表示板２００について説明する。透明なガラスまたはプラスチックなどからなる絶縁基板２１０上に、遮光部材２２０が形成されている。遮光部材２２０は、データ線１７１に対応する線形部分２２０ａと、一部分が拡張された拡張部２２０ｂと、薄膜トランジスタに対応する面形部分２２０ｃとを含む。以上より、遮光部材２２０画素電極１９１の間の光漏れを防止し、画素電極１９１と対向する開口領域を定義する。しかし、遮光部材２２０は、画素電極１９１と対向し、画素電極１９１とほぼ同一形状を有する複数の開口部（図示せず）を有することもできる。

また、基板２１０上には、複数のカラーフィルタ２３０が形成されている。カラーフィルタ２３０は、遮光部材２３０に囲まれた領域内にほとんど存在し、画素電極１９１の列に沿って縦方向に長く延びることができる。各カラーフィルタ２３０は赤色、緑色及び青色の三原色など基本色のうちの一つを表示することができる。
カラーフィルタ２３０及び遮光部材２２０上には、オーバーコート膜２５０が形成されている。オーバーコート膜２５０は、（有機）絶縁物からなることができ、カラーフィルタ２３０が露出されることを防止し、平坦面を提供する。オーバーコート膜２５０は省略してもよい。オーバーコート膜２５０上には共通電極２７０が形成されている。共通電極２７０は、ＩＴＯ、ＩＺＯなどの透明な導電体などからなる。共通電極２７０上には、複数の傾斜部材７１、７２ａ、７２ｂ、７３ａ、７３ｂ、７４ａ、７４ｂ、７５が形成されている。

一つの傾斜部材集合７１〜７５（７１、７２ａ、７２ｂ、７３ａ、７３ｂ、７４ａ、７４ｂ、７５）は、一つの画素電極１９１と対向し、中央傾斜部材７１、第１乃至第３下部斜線傾斜部材７２ａ、７３ａ、７４ａ、第１乃至第３上部斜線傾斜部材７２ｂ、７３ｂ、７４ｂ、及び接続傾斜部材７５を含む。傾斜部材７１〜７４ｂ（７１、７２ａ、７２ｂ、７３ａ、７３ｂ、７４ａ、７４ｂ）のそれぞれは、隣接する画素電極１９１の切開部９１、９２、９３ａ、９３ｂ、９４ａ、９４ｂ、９５ａ、９５ｂの間、または切開部９１、９２、９３ａ、９３ｂ、９４ａ、９４ｂ、９５ａ、９５ｂと画素電極１９１の面取りされた斜辺との間に配置されている。また、各傾斜部材７１〜７４ｂは、画素電極１９１の下部切開部９３ａ、９４ａ、９５ａまたは上部切開部９３ｂ、９４ｂ、９５ｂと平行に延びた少なくとも一つの斜線部を含む。

第１下部及び第１上部斜線傾斜部材７２ａ、７２ｂはほぼ画素電極１９１の右側辺から画素電極１９１の左側辺に延び、第２下部及び第２上部斜線傾斜部材７３ａ、７３ｂは画素電極１９１の右側辺から画素電極１９１の左側上または左側下の角に延びている。そして、第３下部及び第３上部斜線傾斜部材７４ａ、７４ｂは、画素電極１９１の右側辺から画素電極１９１の上側辺または下側辺に延び、第３下部及び第３上部斜線傾斜部材７４ａ、７４ｂの各端から画素電極１９１の辺に沿って重なって延びた縦断横部を含む。縦断横部は斜線傾斜部材７４ａ、７４ｂと鈍角をなす。

中央傾斜部材７１は中央横部７１ｃ、一対の斜線部７１ａ、７１ｂを含む。中央横部７１ｃは、ほぼ画素電極１９１の右側辺から維持電極線１３１に沿って左に延び、一対の斜線部７１ａ、７１ｂは中央横部７１ｃの端から画素電極１９１の左側辺に向かってそれぞれ下部及び上部斜線傾斜部材７２ａ〜７４ｂとほぼ平行に延びる。
接続傾斜部材７５は、中央傾斜部材７１のうちの斜線部７１ａの一端と隣接画素電極の第２下部傾斜部材７３ａの一端とを接続し、中央傾斜部材７１の斜線部７１ｂの他端と隣接画素電極の第２上部傾斜部材７３ｂの一端とを接続し、第１下部斜線傾斜部材７２ａの一端と隣接画素電極の第３下部斜線傾斜部材７４ａの一端とを接続し、第１上部斜線傾斜部材７２ｂの一端と隣接画素電極の第３上部斜線傾斜部材７４ｂの一端とを接続する。図２２に示すように、接続傾斜部材７５は、画素電極１９１の第１斜辺９０ａと平行であり、データ線１７１と対応する部分に位置する。

表示板１００、２００の内側面には配向膜１１、２１が塗布されており、これらは垂直配向膜であり得る。表示板１００、２００の外側面には偏光子（図示せず）が備えられているが、二つの偏光子の偏光軸は直交し、このうちの一つの偏光軸はゲート線１２１に対して並んでいることが好ましい。反射型液晶表示装置の場合は、二つの偏光子のうちの一つは省略してもよい。

本実施形態に係る液晶表示装置は、液晶層３の遅延値を補償するための位相遅延膜（図示せず）をさらに含むことができる。位相遅延膜は、複屈折性を有し、液晶層３の位相遅延を逆に補償する。
液晶表示装置は、偏光子、位相遅延膜、表示板１００、２００、及び液晶層３に光を供給する照明部（図示せず）を含むことができる。

液晶層３は負の誘電率異方性を有し、液晶層３の液晶分子は電場がない状態でその長軸が二つの表示板の表面に対して垂直をなすように配向されている。従って、入射光は直交偏光子を通過できず遮断される。
共通電極２７０に共通電圧を印加し、画素電極１９１にデータ電圧を印加して、第１または第２液晶キャパシタの両端に電位差が発生すると、表示板１００、２００の面にほぼ垂直な電場が液晶層３に生成される。すると、液晶層３の液晶分子は電場に応答して、その長軸が電場の方向に垂直をなすように傾き、液晶分子が傾いた程度によって液晶層３に入射された光の偏光の変化程度が変わる。このような偏光の変化は、偏光子によって透過率の変化として現れ、これによって液晶表示装置は画像を表示する。

液晶分子が傾く角度は電場の強さによって変わるが、第１副画素電極には低い電圧が印加され、第２副画素電極には高い電圧が印加されると、第１液晶キャパシタの電圧（Ｖａ）が第２液晶キャパシタの電圧（Ｖｂ）より大きいので、第１副画素と第２副画素で液晶分子が傾く角度が異なり、その結果、二つの副画素の輝度が異なる。従って、第１液晶キャパシタの電圧（Ｖａ）と第２液晶キャパシタの電圧（Ｖｂ）を適宜合わせると、側面から見る画像が正面から見る画像に最大限近づくことができ、そのようにすることで、側面視認性を向上させることができる。

液晶分子が傾く方向は電場生成電極１９１、２７０の切開部９１〜９４ｂ及び傾斜部材７１〜７５と画素電極１９１の斜辺が電場を歪曲して作る水平成分によって決定され、このような電場の水平成分は切開部９１〜９４ｂ及び傾斜部材７１〜７５の辺と画素電極１９１の辺に垂直である。
図２１に示すように、一つの切開部９１〜９４ｂ及び傾斜部材７１〜７５集合は、画素電極１９１をそれぞれ二つの傾いた主辺を有する複数の副領域（ｓｕｂ-ａｒｅａ）に分け、各副領域の液晶分子の傾斜方向は、電場の水平成分によって決定される方向となるが、ほぼ４つの方向である。このように、液晶分子が傾く方向を複数の方向にすると、液晶表示装置の基準視野角が大きくなる。

また、画素電極１９１の辺のうちのデータ線１７１と隣接する辺を鋸歯状に形成することで、隣接する画素電極１９１の間に形成される副電場は、副領域における液晶の配向を強化する方向となる。また、鋸歯状に形成することで、有効表示面積を大きくし、開口率を高めることができる。また、隣接する二つの画素電極１９１の第１斜辺９０ａが互いに対向する領域と対応する位置に接続傾斜部材７５を設けることで、副領域における液晶の配向を一層強化し、テクスチャーを減少させ、透過率を向上させることができる。このため、テクスチャーを減少させるために、共通電極の切開部に画素電極の辺を重畳させる部分を設ける必要が無く、開口率を向上させることができる。また、画素領域が複数の副領域に分割されることで、液晶分子をさまざまな方向に傾け、視野角が大きくなる。また、傾斜部材を設けることで、液晶分子がプレチルト角を有するため、電場の印加に対して応答速度を早くすることができる。また、共通電極に切開部を設けないため、製造工程を簡略化できるとともに、偏光子１２、２２の損傷を防止するための処理を省略できる。

液晶分子の傾斜方向を決定するための切開部９１〜９４ｂ及び傾斜部材７１〜７５の形状及び配置は変更できる。
また、高い電圧が印加される第２副画素電極１９１ｂの面積を第１副画素電極１９１ａの面積より小さくすることで、側面ガンマ曲線の歪曲を小さくすることができる。特に第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂの面積比がほぼ２:１である場合は、側面ガンマ曲線が正面ガンマ曲線により近づいて側面視認性がさらに良くなる。

本発明の他の実施形態に係る液晶表示装置について図２５乃至図２８を参照して詳細に説明する。
図２５は本発明の他の実施形態に係る液晶表示装置の配置図であり、図２６は図２５の一部分を拡大示した図であり、図２７は図２５の液晶表示装置のＸＸＶＩＩ-ＸＸＶＩＩ線断面図であり、図２８は図２５の液晶表示装置のＸＸＶＩＩＩ-ＸＸＶＩＩＩ線断面図である。

図２５乃至図２８に示すように、本実施形態に係る液晶表示装置は、薄膜トランジスタ表示板１００、共通電極表示板２０１及びその間の液晶層３を含む。
まず、薄膜トランジスタ表示板１００について詳細に説明する。透明なガラスまたはプラスチックなどからなる絶縁基板１１０上に、複数のゲート線１２１と複数の維持電極線１３１を含む複数のゲート導電体が形成されている。

ゲート線１２１はゲート信号を伝達し、主に横方向に延びている。各ゲート線１２１は、上方に突出した第１及び第２ゲート電極１２４ａ、１２４ｂと、他の層または外部駆動回路との接続のために面積が広い端部１２９を含む。
維持電極線１３１は所定電圧の印加を受け、主に横方向に延びている。各維持電極線１３１は、隣接する二つのゲート線１２１の間に位置し、二つのゲート線１２１からほぼ同一距離を置いている。各維持電極線１３１は、下上に拡張された維持電極１３７と、維持電極１３７から下方に長く延びた棒状の延長部１３９を含む。維持電極１３７はほぼ長方形で、維持電極線１３１に対称であり、延長部１３９は第１ゲート電極１２４ａ付近まで延びている。しかし、維持電極１３７をはじめとする維持電極線１３１の形状及び配置は、多様な形態に変更できる。

ゲート導電体１２１、１３１上には、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯｘ）などからなるゲート絶縁膜１４０が形成されている。
ゲート絶縁膜１４０上には、水素化非晶質シリコンまたは多結晶シリコンなどからなる複数の島状半導体１５４ａ、１５４ｂ、１５７ａ、１５７ｂが形成されている。半導体１５４ａ、１５４ｂはそれぞれゲート電極１２４ａ、１２４ｂ上に位置している。

半導体１５４ａ、１５４ｂ、１５７ａ、１５７ｂ上には、複数の島状オーミック接触部材１６３ａ、１６３ｂ、１６５ａ、１６５ｂ、１６７ａ、１６７ｂが形成されている。オーミック接触部材１６３ａ〜１６７ｂはリンなどのｎ型不純物が高濃度にドープされているｎ＋水素化非晶質シリコンなどの物質からなるか、シリサイドからなることができる。オーミック接触部材１６３ａ、１６５ａとオーミック接触部材１６３ｂ、１６５ｂはそれぞれ対をなして半導体１５４ａ、１５４ｂ上に位置し、オーミック接触部材１６７ａ、１６７ｂはそれぞれ半導体１５７ａ、１５７ｂ上に位置している。

ゲート絶縁膜１４０及びオーミック接触部材１６３ａ、１６３ｂ、１６５ａ、１６５ｂ、１６７ａ、１６７ｂ上には、複数のデータ線１７１ａ、１７１ｂと複数対の第１及び第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂを含むデータ導電体が形成されている。
データ線１７１ａ、１７１ｂはデータ信号を伝達し、主に縦方向に延びてゲート線１２１及び維持電極線１３１と交差する。各データ線１７１ａ、１７１ｂは、第１及び第２ゲート電極１２４ａ、１２４ｂに向かって延びた複数の第１及び第２ソース電極１７３ａ、１７３ｂと、他の層または外部駆動回路との接続のために面積が広い端部１７９ａ、１７９ｂを含む。

第１及び第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂは互いに分離されており、データ線１７１ａ、１７１ｂとも分離されている。各ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂは、ゲート電極１２４ａ、１２４ｂを中心として第１及び第２ソース電極１７３ａ、１７３ｂと対向する。各ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂは、一端に面積が広い長方形状の拡張部１７７ａ、１７７ｂと、棒状の他端部１７６ａ、１７６ｂと、拡張部１７７ａ、１７７ｂ及び端部１７６ａ、１７６ｂを接続させる接続部１７６ａａ、１７６ｂｂと、を含む。各拡張部１７７ａ、１７７ｂは維持電極１３７と重なり、棒状の端部１７６ａ、１７６ｂはゲート電極１２４ａ、１２４ｂと重なって、Ｕ字状に曲がったソース電極１７３ａ、１７３ｂで一部囲まれている。

第１ドレイン電極１７５ａの接続部１７６ａａは、ほぼ延長部１３９上に位置し、延長部１３９と平行に延びて、延長部１３９の縦境界線内に位置している。第２ドレイン電極１７５ｂの拡張部１７７ｂの面積は、第１ドレイン電極１７５ａの拡張部１７７ａの面積より小さい。
第１、第２ゲート電極１２４ａ、１２４ｂ、第１、第２ソース電極１７３ａ、１７３ｂ、及び第１、第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂは、半導体１５４ａ、１５４ｂと共に第１、第２薄膜トランジスタ（Ｑａ、Ｑｂ）を構成し、薄膜トランジスタ（Ｑａ、Ｑｂ）のチャンネルは、第１、第２ソース電極１７３ａ、１７３ｂと第１、第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂとの間の半導体１５４ａ、１５４ｂに形成される。

オーミック接触部材１６３ａ〜１６７ｂはその下の半導体１５４ａ、１５４ｂ、１５７ａ、１５７ｂとその上のデータ線１７１ａ、１７１ｂ、及びドレイン電極１７５ａ、１７５ｂの間にのみ存在し、これらの間の接触抵抗を低くする。島状半導体１５４ａ、１５４ｂには、ソース電極１７３ａ、１７３ｂとドレイン電極１７５ａ、１７５ｂとの間をはじめとして、これらで覆われず露出した部分がある。

データ線１７１ａ、１７１ｂ、ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂ及び露出した半導体１５４ａ、１５４ｂ部分上には保護膜１８０が形成されている。
保護膜１８０には、ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂの拡張部１７７ａ、１７７ｂとデータ線１７１ａ、１７１ｂの端部１７９ａ、１７９ｂをそれぞれ露出させる複数のコンタクトホール１８５ａ、１８５ｂ、１８２ａ、１８２ｂが形成されており、保護膜１８０とゲート絶縁膜１４０には、ゲート線１２１の端部１２９を露出させる複数のコンタクトホール１８１が形成されている。

保護膜１８０上には、第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂを含む複数の画素電極１９１及び複数の接触補助部材８１、８２ａ、８２ｂが形成されている。これらはＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質やアルミニウム、銀、クロム、またはその合金などの反射性金属からなることができる。
各画素電極１９１は４つの角が面取りされているほぼ四角形状であり、面取りされた斜辺はゲート線１２１に対して約４５゜の角度をなしている。

各画素電極１９１を構成する一対の第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂは、間隙（ｇａｐ）９２、９３を介在して互いに噛み合っている。第２副画素電極１９１ｂはほぼ回転した等辺台形として、底辺が台形に凹んでおり、ほとんどが第１副画素電極１９１ａによって取り囲まれるように配置されている。第１副画素電極１９１ａは、上部台形部１９１ａ−３、下部台形部１９１ａ−２及び中央台形部１９１ａ−１からなる。左側辺の近傍に中央台形部１９１が配置され、左側辺から上部台形部１９１ａ−３、下部台形部１９１ａ−２及び中央台形部１９１が互いに接続される上。

各画素電極１９１は互いに対向する一対の第１主辺１９３、１９４と、これら第１主辺１９３、１９４に接続される第２主辺を有する。第２主辺は、複数の鋸歯９０とこれらの鋸歯９０との間を接続させる底辺９０ｃとを含む。また、第２主辺には、鋸歯９０と底辺９０ｃとが繰り返し形成されている。ここで鋸歯９０は、図２２に示すように、第１主辺１９３、１９４に対して傾いた第１斜辺９０ａと、第２斜辺９０ｄと、第１斜辺９０ａ及び第２斜辺９０ｄ間を接続させる上辺９０ｂと、を有する。底辺９０ｃは、第１斜辺９０ａ及び第２斜辺９０ｄ間を接続する。第１主辺１９３、１９４はゲート線１２１に平行である。第１主辺１９３、１９４と第２主辺はほぼ長方形をなし、画素電極１９１の４つの角は面取りされてゲート線１２１に対して約４５゜の角度をなしている。第１斜辺９０ａはデータ線１７１と一部分が重なり、隣接する二つの画素電極１９１の第１斜辺９０ａは、図２６に示すように互いに対向して平行である。

第１副画素電極１９１ａは、上部台形部１９１ａ−３の上辺及び下部台形部１９１ａ−２の下辺から右側辺に向かって延びた切開部９４ａ、９４ｂを有している。第１副画素電極１９１ａの中央台形部１９１ａ−１は、第２副画素電極１９１ｂの凹んでいる底辺に挟まれている。なお、第１副画素電極１９１ａは横部及びこれに接続された一対の斜線部９１ａ、９１ｂを含む中央切開部９１を有する。横部は第１副画素電極１９１ａの横中心線ｅ−ｅ’に沿って短く延び、一対の斜線部９１ａ、９１ｂは、横部から第１副画素電極１９１ａの左側辺に向かって延びており、維持電極線１３１に対して約４５゜の角度をなしている。第１副画素電極１９１ａと第２副画素電極１９１ｂとの間の間隙９２は、ゲート線１２１ａ、１２１ｂと約４５゜をなす二対の上部斜線部９２ｂ及び下部斜線部９２ａと、縦部９２ｃとを含む。第１副画素電極１９１ａと第２副画素電極１９１ｂとの間の間隙９３は、ゲート線１２１と約４５゜をなす二対の上部斜線部９３ｂ及び下部斜線部９３ａと、縦部９３ｃとを含む。

切開部９１〜９４ｂは維持電極線１３１に対してほぼ反転対称をなし、これらはゲート線１２１に対して約４５゜の角度をなして互いに垂直に延びている。画素電極１９１はこれらの切開部９１〜９４ｂによって複数の領域に分割される。従って、画素電極１９１を横方向に二等分する維持電極線１３１を中心とする上半部と下半部は、切開部９１〜９４ｂによってそれぞれ４つの領域に分割される。この時、領域の数または切開部の数は、画素電極１９１の大きさ、画素電極１９１の横辺と縦辺の長さ比、液晶層３の種類や特性などの設計要素によって変更できる。

第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂはそれぞれコンタクトホール１８５ａ、１８５ｂを介して第１及び第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂと物理的、電気的に接続されており、第１及び第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂからデータ電圧が印加される。一対の副画素電極１９１ａ、１９１ｂには、一つの入力画像信号に対して予め設定されている互いに異なるデータ電圧が印加されるが、その大きさは副画素電極１９１ａ、１９１ｂの大きさ及び形状によって設定できる。また、副画素電極１９１ａ、１９１ｂの面積は互いに異なることができる。一例として、第２副画素電極１９１ｂは、第１副画素電極１９１ａに比して高い電圧の印加を受け、第１副画素電極１９１ａより面積が小さい。

データ電圧が印加された副画素電極１９１ａ、１９１ｂと共通電圧が印加される共通電極２７０は、第１及び第２液晶キャパシタを構成して、薄膜トランジスタが非導通状態になった後にも、印加された電圧を維持する。各液晶キャパシタは液晶層３部分を誘電体として含む。
第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂ及びこれと電気的に接続されたドレイン電極１７５ａ、１７５ｂの拡張部１７７ａ、１７７ｂは、ゲート絶縁膜１４０を介在して維持電極１３７及び延長部１３９をはじめとして維持電極線１３１と重なっており、液晶キャパシタの電圧維持能力を強化するストレージキャパシタを構成する。

接触補助部材８１、８２ａ、８２ｂはそれぞれコンタクトホール１８１、１８２ａ、１８２ｂを介してゲート線１２１の端部１２９及びデータ線１７１ａ、１７１ｂの端部１７９ａ、１７９ｂに接続される。
次に、共通電極表示板２００について詳細に説明する。透明なガラスまたはプラスチックなどからなる絶縁基板２１０上に遮光部材２２０が形成されている。遮光部材２２０は、データ線１７１に対応する線形部分２２０ａと、一部分が拡張された拡張部２２０ｂと、薄膜トランジスタに対応する面形部分２２０ｃとを含み、画素電極１９１の間の光漏れを防止し、画素電極１９１と対向する開口領域を定義する。しかし、遮光部材２２０は画素電極１９１と対向し、画素電極１９１とほぼ同一形状を有する複数の開口部（図示せず）を有することもできる。

また、基板２１０上には、複数のカラーフィルタ２３０が形成されている。カラーフィルタ２３０は、遮光部材２３０に囲まれた領域内にほとんど存在し、画素電極１９１の列に沿って縦方向に長く延びることができる。各カラーフィルタ２３０は赤色、緑色及び青色の三原色など基本色のうちの一つを表示することができる。
カラーフィルタ２３０及び遮光部材２２０上には、オーバーコート膜２５０が形成されている。オーバーコート膜２５０は、（有機）絶縁物からなることができ、カラーフィルタ２３０が露出することを防止し、平坦面を提供する。オーバーコート膜２５０は省略してもよい。

オーバーコート膜２５０上には共通電極２７０が形成されている。共通電極２７０はＩＴＯ、ＩＺＯなどの透明な導電体などからなる。
共通電極２７０上には、複数の傾斜部材７１、７２ａ、７２ｂ、７３ａ、７３ｂ、７４ａ、７４ｂ、７５が形成されている。
一つの傾斜部材集合７１〜７５（７１、７２ａ、７２ｂ、７３ａ、７３ｂ、７４ａ、７４ｂ、７５）は一つの画素電極１９１と対向し、中央傾斜部材７１、第１乃至第３下部斜線傾斜部材７２ａ、７３ａ、７４ａ、第１乃至第３上部斜線傾斜部材７２ｂ、７３ｂ、７４ｂ及び接続傾斜部材７５を含む。傾斜部材７１〜７４ｂ（７１、７２ａ、７２ｂ、７３ａ、７３ｂ、７４ａ、７４ｂ）のそれぞれは、隣接する画素電極１９１の切開部９１、９２、９３ａ、９３ｂ、９４ａ、９４ｂ、９５ａ、９５ｂの間、または切開部９１、９２、９３ａ、９３ｂ、９４ａ、９４ｂ、９５ａ、９５ｂと画素電極１９１の面取りされた斜辺との間に配置されている。また、各傾斜部材７１〜７４ｂは、画素電極１９１の下部切開部９３ａ、９４ａ、９５ａまたは上部切開部９３ｂ、９４ｂ、９５ｂと平行に延びる少なくとも一つの斜線部を含む。

第１下部及び第１上部斜線傾斜部材７２ａ、７２ｂはほぼ画素電極１９１の右側辺から画素電極１９１の左側辺に延び、第２下部及び第２上部斜線傾斜部材７３ａ、７３ｂは、画素電極１９１の右側辺から画素電極１９１の左側の上または下の角に延びている。そして、第３下部及び第３上部斜線傾斜部材７４ａ、７４ｂは、画素電極１９１の右側辺から画素電極１９１の上側辺または下側辺に延び、第３下部及び第３上部斜線傾斜部材７４ａ、７４ｂの各端から画素電極１９１の辺に沿って重なって延びる縦断横部を含む。縦断横部は斜線傾斜部材７４ａ、７４ｂと鈍角をなす。

中央傾斜部材７１は中央横部７１ｃと一対の斜線部７１ａ、７１ｂを含む。中央横部７１ｃはほぼ画素電極１９１の右側辺から維持電極線１３１に沿って左に延び、一対の斜線部７１ａ、７１ｂは中央横部７１ｃの端から画素電極１９１の左側辺に向かってそれぞれ下部及び上部斜線傾斜部材７２ａ〜７４ｂとほぼ平行に延びる。
接続傾斜部材７５は、中央傾斜部材７１のうちの斜線部７１ａの一端と隣接画素電極の第２下部傾斜部材７３ａの一端とを接続し、中央傾斜部材７１の斜線部７１ｂの他端と隣接画素電極の第２上部傾斜部材７３ｂの一端とを接続し、第１下部斜線傾斜部材７２ａの一端と隣接画素電極の第３下部斜線傾斜部材７４ａの一端とを接続し、及び第１上部斜線傾斜部材７２ｂの一端と隣接画素電極の第３上部斜線傾斜部材７４ｂの一端とを接続する。図２６に示すように、接続傾斜部材７５は画素電極１９１の第１斜辺９０ａと平行であり、データ線１７１と対応する部分に位置する。

表示板１００、２００の内側面には配向膜１１、２１が塗布されており、これらは垂直配向膜であり得る。表示板１００、２００の外側面には偏光子（図示せず）が備えられているが、二つの偏光子の偏光軸は直交し、このうちの一つの偏光軸はゲート線１２１に対して並んでいることが好ましい。反射型液晶表示装置の場合は、二つの偏光子のうちの一つは省略してもよい。

本実施形態に係る液晶表示装置は、液晶層３の遅延値を補償するための位相遅延膜（図示せず）をさらに含むことができる。位相遅延膜は複屈折性を有し、液晶層３の位相遅延を逆に補償する。
液晶表示装置は偏光子、位相遅延膜、表示板１００、２００及び液晶層３に光を供給する照明部（図示せず）を含むことができる。

液晶層３は負の誘電率異方性を有し、液晶層３の液晶分子は電場がない状態でその長軸が二つの表示板の表面に対して垂直をなすように配向されている。従って、入射光は直交偏光子を通過できず遮断される。
本実施形態によれば、前述の実施形態と同様に、側面視認性を向上させることができる。

また、画素電極１９１の辺のうちのデータ線１７１と隣接する辺を鋸歯状に形成することによって、隣接する画素電極１９１の間に形成される副電場は副領域における液晶の配向を強化する方向となる。また、鋸歯状に形成することで、有効表示面積を大きくし、開口率を高めることができる。さらに、隣接する二つの画素電極１９１の第１斜辺９０ａが互いに対向する領域と対応する位置に接続部７５を設けることで、副領域における液晶の配向を一層強化し、テクスチャーを減少させ、透過率を向上させることができる。このため、テクスチャーを減少させるために、共通電極の切開部に画素電極の辺を重畳させる部分を設ける必要が無く、開口率を向上させることができる。また、画素領域が複数の副領域に分割されることで、液晶分子をさまざまな方向に傾け、視野角が大きくなる。また、傾斜部材を設けることで、液晶分子がプレチルト角を有するため、電場の印加に対して応答速度を早くすることができる。また、共通電極に切開部を設けないため、製造工程を簡略化できるとともに、偏光子１２、２２の損傷を防止するための処理を省略できる。

本発明は、上述の実施形態に限られるものではない。本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。

本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の配置図である。 図１の液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板の配置図である。 図１の液晶表示装置用共通電極表示板の配置図である。 図１の液晶表示装置のＩＶ-ＩＶ線断面図である。 図１の液晶表示装置のＶ-Ｖ線断面図である。 本発明の他の実施形態に係る傾斜部材の断面図である。 本発明の他の実施形態に係る傾斜部材の断面図である。 本発明の他の実施形態に係る液晶表示装置の配置図である。 図７の液晶表示装置のＶＩＩＩ-ＶＩＩＩ線断面図である。 図７の液晶表示装置における共通電極及び画素電極のみを示した配置図である。 本発明の他の実施形態に係る液晶表示装置の配置図である。 図１０の液晶表示装置のＸＩ-ＸＩ線断面図である。 図１０の一部分を拡大示した配置図である。 本発明の他の実施形態に係る液晶表示装置の配置図である。 図１３の液晶表示装置のＸＩＶ-ＸＩＶ線断面図である。 本発明の他の実施形態に係る液晶表示装置における図７のＶＩＩＩ-ＶＩＩＩ線断面図である。 本発明の他の実施形態に係る液晶表示装置の配置図である。 図１６の一部分を拡大示した図である。 図１６の液晶表示装置のＸＶＩＩＩ-ＸＶＩＩＩ線断面図である。 図１６のＸＩＸ-ＸＩＸ線断面図である。 図１６に示す液晶表示装置の概略的な回路図である。 本発明の他の実施形態に係る液晶表示装置の配置図である。 図２１の一部分を拡大示した図面である。 図２１の液晶表示装置のＸＸＩＩＩ-ＸＸＩＩＩ線断面図である。 図２１の液晶表示装置のＸＸＩＶ-ＸＸＩＶ線断面図である。 本発明の他の実施形態に係る液晶表示装置の配置図である。 図２５の一部分を拡大示した図である。 図２５の液晶表示装置のＸＸＶＩＩ-ＸＸＶＩＩ線断面図である。 図２５の液晶表示装置のＸＸＶＩＩＩ-ＸＸＶＩＩＩ線断面図である。

符号の説明

１１、２１ 配向膜
１２、２２ 偏光子
７１、７２ａ、７２ｂ、７３ａ、７３ｂ、７４ａ、７４ｂ、７５ 共通電極の切開部
８１、８１ａ、８１ｂ、８２、８２ａ、８２ｂ 接触補助部材
９１、９２、９２ａ、９２ｂ、９３、９４ａ、９４ｂ 画素電極の切開部
１１０、２１０ 基板
１２１、１２１ａ、１２１ｂ、１２９ａ、１２９ｂ、１２９ ゲート線
１２４、１２４ａ、１２４ｂ ゲート電極
１４０ ゲート絶縁膜
１５１、１５４、１５４ａ、１５４ｂ 半導体
１６１、１６３、１６３ａ、１６３ｂ、１６５、１６５ａ、１６５ｂ、１６６ オーミック接触部材
１７１、１７１ａ、１７１ｂ、１７９、１７９ａ、１７９ｂ データ線
１７３、１７３ａ、１７３ｂ ソース電極
１７５、１７５ａ、１７５ｂ ドレイン電極
１８０ 保護膜
１８１、１８１ａ、１８１ｂ、１８２、１８２ａ、１８２ｂ、１８３ａ、１８３ｂ、１８５、１８５ａ、１８５ｂ コンタクトホール
１９１ 画素電極
２３０ カラーフィルタ
２５０ オーバーコート膜
２７０ 共通電極

Claims (28)

1. 画素電極と、
   前記画素電極と対向する共通電極と、
   前記画素電極と前記共通電極との間に位置する液晶層と、
   前記共通電極上に形成され、稜線及び斜面を含む傾斜部材と、
   前記傾斜部材としては、画素電極と対応する画素部傾斜部材と、隣接する画素部傾斜部材を接続させる接続傾斜部材とを備えることを特徴とする液晶表示装置。
2. 前記画素電極は、互いに対向する一対の第１主辺と、前記第１主辺に接続されて互いに対向する一対の第２主辺を有し、
   前記第２主辺は鋸歯状の突出部を含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 前記接続傾斜部材は、隣接する画素電極の間隙と対応することを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
4. ゲート線と、
   前記ゲート線と直交する複数のデータ線と、
   前記ゲート線及び前記データ線に接続される複数の薄膜トランジスタと、
   前記薄膜トランジスタは、前記画素電極に接続されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
5. 前記画素部傾斜部材は、前記ゲート線と斜角をなすことを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。
6. 前記画素電極は、前記第１主辺と斜角をなす複数の切開部を含むことを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
7. 前記突出部は、前記切開部と１３５゜より大きい角度または４５゜より小さい角度をなす第１辺を有することを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置。
8. 前記突出部は、前記切開部と平行な第２辺をさらに有することを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置。
9. 前記突出部の第２辺は、前記切開部の一辺の延長線上に位置することを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置。
10. 前記突出部の境界線と前記第１主辺は長方形をなすことを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置。
11. 前記長方形の角のうちの少なくとも一つは、面取りされて斜辺をなすことを特徴とする請求項１０に記載の液晶表示装置。
12. 前記長方形の面取りされた斜辺は、前記第１主辺と４５゜をなすことを特徴とする請求項１０に記載の液晶表示装置。
13. 前記突出部は、前記データ線と重なることを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置。
14. 隣接する画素電極の隣接する第２主辺の突出部は互いに噛み合うように配置されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
15. 前記互いに噛み合うように配置されている前記突出部の対向する辺は互いに並んでいることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
16. 前記画素電極は、前記切開部によって物理的に互いに分離された少なくとも二つの副画素電極を含むことを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置。
17. 前記少なくとも二つの副画素電極の電圧は互いに異なることを特徴とする請求項１６に記載の液晶表示装置。
18. 前記少なくとも二つの副画素電極は容量性結合されることを特徴とする請求項１７に記載の液晶表示装置。
19. 前記副画素電極は、薄膜トランジスタとそれぞれ接続されることを特徴とする請求項１６に記載の液晶表示装置。
20. 前記一つの画素電極でそれぞれの副画素電極は互いに異なるデータ線に接続され、
    前記一つの画素電極でそれぞれの副画素電極は同一のゲート線に接続されることを特徴とする請求項１６に記載の液晶表示装置。
21. 前記一つの画素電極でそれぞれの副画素電極は互いに異なるゲート線に接続され、
    前記一つの画素電極でそれぞれの副画素電極は同一のデータ線に接続されることを特徴とする請求項１６に記載の液晶表示装置。
22. 前記斜面の傾斜角は１〜１０゜であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
23. 前記斜面は曲がっていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
24. 前記傾斜部材の厚さは０．５〜２．０μｍであることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
25. 前記共通電極下に形成される複数のカラーフィルタをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
26. 前記共通電極と前記カラーフィルタとの間に形成されるオーバーコート膜をさらに含むことを特徴とする請求項２５に記載の液晶表示装置。
27. 前記傾斜部材は、前記オーバーコート膜と前記共通電極との間に位置することを特徴とする請求項２５に記載の液晶表示装置。
28. 前記傾斜部材は、前記オーバーコート膜と一体となっていることを特徴とする請求項２６に記載の液晶表示装置。

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