JP2007088366A - チップ抵抗器 - Google Patents

Abstract

【課題】プリント基板（特に、金属基板）に実装した場合に冷却効率を高くすることができるとともに、絶縁距離を長くして耐電圧を高くして、高電力用のチップ抵抗器として好適なチップ抵抗器を提供する。
【解決手段】 チップ抵抗器Ａ１においては、一対の電極部２０間に設けられた抵抗体７０は、高発熱部Ｈ１、Ｈ２と低発熱部Ｌとが直列に接続して設けられ、高発熱部Ｈ１、Ｈ２に対応する下面側の領域にははんだ付け面が形成されている。
【選択図】 図１

Description

本発明は、チップ抵抗器に関するものであり、特に、高電力用に好適な角型チップ抵抗器に関するものである。

近年、エアコン、インバータ、自動車、通信機器等の種々の機器において、小型化、高集積化、ハイパワー化が進められているが、このような各機器に用いるハイパワー用のプリント基板として、いわゆる金属基板ベースプリント基板（以下「金属基板」とする）が存在する。この金属基板は、アルミ板と、アルミ板上に設けられた熱伝導性の高い絶縁層と、前記絶縁層上に設けられた導体箔（具体的には、銅箔）とから構成され、アルミナセラミック基板と同等以下の熱抵抗を実現した表面実装対応の高熱伝導性金属基板である。この金属基板は、熱伝導性がよいため、アルミベース側を放熱フィンに取り付けることにより導体箔面に表面実装した電子部品の発熱を効果的に冷却することができる。

前記のような金属基板に実装されるチップ抵抗器においては、チップ抵抗器にかかる電圧や電流による発熱によって消費電力が制限されることから、チップ抵抗器をなるべく冷却する必要があるが、そのため、チップ抵抗器における基板を熱伝導性の高いアルミナセラミックにより構成し、チップ抵抗器の電極を介して金属基板にハンダ付けしてチップ抵抗器の発熱を冷却していた。

しかし、チップ抵抗器全体の発熱を小さな電極部分から熱伝導により放熱することから、消費電力が高くなるとチップ抵抗器の中心部分の温度が上昇し、限界に達してしまう。特に、金属基板にチップ抵抗器をハンダ付けした場合に、電極部分は十分冷却されるが、チップ抵抗器の中心部分は電極から離れているので冷却されにくく、金属基板を使用する効果をあまり発揮できないという問題があった。

このような問題に対応するための従来のチップ抵抗器として、図１３に示すように、チップ抵抗器の基板に熱伝導性の高い窒化アルミを使用し、裏面のハンダ付け面をなるべく広くとって冷却効果を向上させようとするものがある。

また、出願人は、先行技術文献として、特許文献１や特許文献２を知得している。特に、特許文献２においては、従来例として、図３に、絶縁基板の下面に良熱伝導膜を設けて、放熱対策が施されたチップ抵抗器が開示されている。
特開平９−第１６２００２号公報 特開平７−第１７６４１１号公報

しかし、図１３の第１例や第３例、第４例においては、チップ抵抗器の電極を基板の下面にも広く設けて、ハンダ付け面を広く設け、金属基板との接触面積を大きくして、冷却を促進しようとするものであるが、絶縁距離αが短くなってしまい、耐電圧が低い欠点がある。耐電圧が低いと、高電力用のチップ抵抗器には適さない。また、図１３の第２例においては、基板の下面の両側のみに電極が設けられているので、抵抗体の中央付近で発生した熱を放熱できないという問題がある。

また、特許文献１のチップ電子部品においては、チップ基体の下面に電極（第３の電極４）が広く設けられているので、冷却効率はよいが、第１の電極２と第３の電極４との間の距離が短いため、絶縁距離が短く、耐電圧が低い欠点がある。

また、特許文献２の従来例については、良熱伝導膜を設けたことにより冷却効率はよいが、同じように、良熱伝導膜の両端と電極との距離が短いため、絶縁距離が短く、耐電圧が低い欠点がある。

そこで、本発明が解決しようとする問題点は、プリント基板（特に、金属基板）に実装した場合に冷却効率を高くすることができるとともに、絶縁距離を長くして耐電圧を高くして、高電力用のチップ抵抗器として好適なチップ抵抗器を提供することである。

本発明は前記問題点を解決するために創作されたものであって、第１には、チップ抵抗器であって、絶縁基板と、前記絶縁基板に設けられた一対の電極部と、前記一対の電極部を接続するように設けられた抵抗体で、高発熱部と低発熱部とが直列接続して設けられ、前記高発熱部が前記低発熱部よりも前記電極部に近い側に設けられた抵抗体と、を有し、前記絶縁基板における、前記高発熱部の領域に対応する下面側の領域の少なくとも一部にまで前記電極部が形成されていることを特徴とする。

この第１の構成のチップ抵抗器においては、高発熱部と低発熱部とが直列接続して設けられ、前記高発熱部が前記低発熱部よりも前記電極部に近い側に設けられ、絶縁基板における、高発熱部の領域に対応する下面側の領域の少なくとも一部にまで電極部が形成されているので、高発熱部から発生した熱は電極部から放熱されやすく、低発熱部からの発熱は少ないので、チップ抵抗器全体の放熱効率を高くすることができる。また、２つの電極部間の距離は十分確保することができるため、絶縁距離を長くして耐電圧を高くできる。また、前記高発熱部が前記低発熱部よりも前記電極部に近い側に設けられていて、絶縁基板における、高発熱部の領域に対応する下面側の領域の少なくとも一部にまで電極部が形成されているので、高発熱部から発生した熱は電極部から放熱されやすく、絶縁基板を薄くした方が金属基板への放熱効率がよく、よって、絶縁基板を薄くすることができる。以上のようにして、高電力用のチップ抵抗器として好適なチップ抵抗器を提供することができる。

また、第２には、チップ抵抗器であって、絶縁基板と、前記絶縁基板に設けられた一対の電極部と、前記一対の電極部を接続するように設けられた抵抗体で、高発熱部と低発熱部とが直列接続して設けられた抵抗体と、を有し、前記絶縁基板における、前記高発熱部の領域に対応する下面側の領域の少なくとも一部には、はんだ付け面が形成されていることを特徴とする。

この第２の構成のチップ抵抗器においては、高発熱部と低発熱部とが直列接続して設けられ、前記絶縁基板における、前記高発熱部の領域に対応する下面側の領域の少なくとも一部には、はんだ付け面が形成されているので、高発熱部から発生した熱は、高発熱部の直下領域の少なくとも一部にあるはんだ付け面から放熱されやすく、チップ抵抗器全体の放熱効率を高くできる。また、低発熱部からの発熱は小さいので、低発熱部の直下の領域ははんだ付け面を設ける必要がなく、絶縁距離を十分確保することが可能となり、耐電圧を高くできる。また、前記絶縁基板における、前記高発熱部の領域に対応する下面側の領域の少なくとも一部には、はんだ付け面が形成されているので、高発熱部から発生した熱ははんだ付け面から放熱されやすく、絶縁基板を薄くした方が金属基板への放熱効率がよく、よって、絶縁基板を薄くすることができる。以上のようにして、高電力用のチップ抵抗器として好適なチップ抵抗器を提供することができる。

また、第３には、前記第２の構成において、前記高発熱部が前記低発熱部よりも前記上面電極側に設けられていることを特徴とする。

また、第４には、前記第２又は第３の構成において、前記はんだ付け面は、電極部の一部として形成されていることを特徴とする。

また、第５には、前記第１から第４までのいずれかの構成において、前記抵抗体における高発熱部は、抵抗体の一部を格子状に形成することにより形成されていることを特徴とする。このように抵抗体の一部を格子状とすることにより、格子状を形成する帯状部分を切断するようにトリミング溝を形成することにより、抵抗体にクラックが発生しにくくなり、低ノイズのチップ抵抗器を提供できる。また、複数のトリミング溝を分散して形成することにより、格子状の高発熱部における発熱を均一化することが可能となる。

また、第６には、前記第１から第５までのいずれかの構成において、前記抵抗体における高発熱部は、抵抗体をスリット状に形成することにより形成されていることを特徴とする。

また、第７には、前記第１から第６までのいずれかの構成において、前記抵抗体における高発熱部は、低発熱部よりも抵抗路の幅を狭くすることにより形成されていることを特徴とする。

また、第８には、前記第７の構成において、前記高発熱部は、蛇行状に形成されていることを特徴とする。

また、第９には、チップ抵抗器であって、絶縁基板と、絶縁基板の下面に形成された一対の下面電極と、絶縁基板の上面に形成され、前記下面電極よりも長く形成された一対の上面電極と、上面電極間に形成された抵抗体と、前記上面電極の一部を被覆する保護膜と、を有し、前記保護膜の幅は前記上面電極の幅よりも大きく形成され、前記上面電極が低発熱部であり、前記抵抗体における上面電極間の領域が高発熱部であって、前記絶縁基板における、高発熱部の領域に対応する下面側の領域の少なくとも一部にははんだ付け面が形成されていることを特徴とする。

この第９の構成のチップ抵抗器においては、高発熱部の領域に対応する下面側の領域の少なくとも一部にははんだ付け面が形成されているので、高発熱部から発生した熱は、高発熱部の直下にあるはんだ付け面から放熱されやすく、チップ抵抗器全体の放熱効率を高くできる。また、低発熱部からの発熱は小さいので、低発熱部の領域に対応する下面側の領域の少なくとも一部にははんだ付け面を設ける必要がなく、また、上面電極は下面電極よりも長く形成されているので、はんだ付け面が設けられていない領域を十分確保することができ、絶縁距離を十分確保することが可能となり、耐電圧を高くできる。また、前記はんだ付け面が形成されているので、高発熱部から発生した熱ははんだ付け面から放熱されやすく、絶縁基板を薄くした方が金属基板への放熱効率がよく、よって、絶縁基板を薄くすることができる。以上のようにして、高電力用のチップ抵抗器として好適なチップ抵抗器を提供することができる。

なお、前記各構成において、前記「高発熱部」を「高抵抗部」とし、前記「低発熱部」を「低抵抗部」としてもよい。

本発明に基づくチップ抵抗器によれば、プリント基板（特に、金属基板やアルミナセラミック基板）に実装した場合に冷却効率を高くすることができるとともに、絶縁距離を長くして耐電圧を高くして、高電力用のチップ抵抗器として好適なチップ抵抗器を提供することができる。

本発明においては、プリント基板（特に、金属基板やアルミナセラミック基板）に実装した場合に冷却効率を高くすることができるとともに、絶縁距離を長くして耐電圧を高くして、高電力用のチップ抵抗器として好適なチップ抵抗器を提供するという目的を以下のようにして実現した。

なお、前記図１、図３、図４、図７〜図１２において、（ａ）はチップ抵抗器の断面図を示し、（ｂ）は平面図を示し、（ｃ）は底面図を示すものである。ここで、（ａ）の断面図は、（ｂ）に示されたＸ−Ｘ線における断面図である。また、（ｂ）は、平面図であるが、抵抗体と上面電極のみを示し、他の部材は省略して示すものである。また、（ｃ）は下面電極のみを示すものであり、他の部材は省略して示すものである。また、図５、図６も平面図であるが、抵抗体と上面電極のみを示し、他の部材は省略して示すものである。

また、前記各図において、Ｙ１−Ｙ２方向は、Ｘ１−Ｘ２方向に直角な方向を示し、Ｚ１−Ｚ２方向は、Ｘ１−Ｘ２方向及びＹ１−Ｙ２方向に直角な方向を示すものである。

本発明に基づくチップ抵抗器Ａ１は、高電力用（具体的には、数ワット〜十数ワット）のチップ抵抗器であり、図１に示すように構成され、絶縁基板１０と、電極部２０と、抵抗体７０と、保護膜８０を有している。

ここで、絶縁基板１０は、含有率９６％程度のアルミナにて形成された絶縁体である。この絶縁基板１０は、全体には、略直方体形状を呈している。なお、図１に示す例では、絶縁基板１０は平面視では長方形状を呈するが、他の形状、例えば、正方形状でもよい。なお、この絶縁基板１０は、窒化アルミニウムにより形成してもよい。

また、電極部２０は、図１に示すように、絶縁基板１０の相対する辺部に沿って計一対設けられている。具体的には、絶縁基板１０の一方の短手辺（Ｙ１−Ｙ２方向の辺）に沿って電極部２０が設けられているとともに、他方の短手辺に沿って電極部２０が設けられている。なお、電極部２０は、短手辺に沿って形成されているとしたが、長手辺に沿って形成されたものとしてもよい。

ここで、電極部２０は、図１に示すように、上面電極３０と、下面電極４０と、側面電極５０と、メッキ６０とを有している。

上面電極３０は、絶縁基板１０の上面の長手方向（Ｘ１−Ｘ２方向（図１参照））の両端部領域に一対形成されている。つまり、一方の上面電極３０は、絶縁基板１０の上面のＸ１側の端部から所定の長さに形成されているとともに、他方の上面電極３０は、絶縁基板１０の上面のＸ２側の端部から所定長さに形成されている。この上面電極３０は、具体的には、銀系厚膜（銀系メタルグレーズ厚膜）により形成されている。また、上面電極３０のＹ１−Ｙ２方向（幅方向）の幅は、抵抗体７０のＹ１−Ｙ２方向の幅よりも若干大きく形成されていて、絶縁基板１０のＹ１−Ｙ２方向の幅よりも小さく形成されている。また、Ｙ１−Ｙ２方向には、上面電極３０と絶縁基板１０の端部には隙間が形成されている。なお、この上面電極３０のＹ１−Ｙ２方向の幅を抵抗体７０のＹ１−Ｙ２方向の幅と同一としてもよい。

また、下面電極４０は、図１に示すように、前記絶縁基板１０の下面の長手方向（Ｘ１−Ｘ２方向（図１参照））の両端部領域に一対形成されている。つまり、一方の下面電極４０は、絶縁基板１０の下面のＸ１側の端部から所定の長さに形成されているとともに、他方の下面電極４０は、絶縁基板１０の下面のＸ２側の端部から所定の長さに形成されている。この下面電極４０の長さ（Ｘ１−Ｘ２方向の長さ）は、上面電極３０よりも長く形成され、側面視において、横方向（Ｘ１−Ｘ２方向）に第２抵抗体７４の端部の位置にまで形成されている。つまり、Ｘ１側の下面電極４０のＸ２側の端部の位置と、第２抵抗体７４のＸ１側の端部の位置とは、横方向においては一致しており、また、Ｘ２側の下面電極４０のＸ１側の端部の位置と、第２抵抗体７４のＸ２側の端部の位置とは、横方向においては一致している。別の言い方をすると、下面電極４０の長さ（Ｘ１−Ｘ２方向の長さ）は、第２抵抗体７４の端部（Ｘ１−Ｘ２方向の端部）から絶縁基板の上面の端部（Ｘ１−Ｘ２方向の端部）までの長さと同一であるといえる。

なお、下面電極４０のＹ１−Ｙ２方向の幅は、絶縁基板１０のＹ１−Ｙ２方向の幅と略同一（同一としてもよい）に形成されている。この下面電極４０は、銀系厚膜（銀系メタルグレーズ厚膜）により形成されている。

なお、下面電極４０は、側面視において、横方向（Ｘ１−Ｘ２方向）に第２抵抗体７４の端部の位置にまで形成されていて、下面電極４０の長さ（Ｘ１−Ｘ２方向の長さ）は、第２抵抗体７４の端部（Ｘ１−Ｘ２方向の端部）から絶縁基板の上面の端部（Ｘ１−Ｘ２方向の端部）までの長さと同一であるとしたが、下面電極４０の端部の位置と第２抵抗体７４の端部の位置が横方向において略一致していて、下面電極４０の長さ（Ｘ１−Ｘ２方向の長さ）は、第２抵抗体７４の端部（Ｘ１−Ｘ２方向の端部）から絶縁基板の上面の端部（Ｘ１−Ｘ２方向の端部）までの長さと略同一であるものとしてもよい。

なお、下面電極４０の端部の位置が第２抵抗体７４の端部の位置とは一致せず若干ずれる場合には、下面電極４０の端部の位置は、他方の下面電極４０の側にずれるのが好ましい。つまり、Ｘ１側の下面電極４０については、Ｘ２側の端部の位置は、Ｘ１側ではなくＸ２側にずれるのが好ましく、また、Ｘ２側の下面電極４０については、Ｘ１側の端部の位置は、Ｘ２側ではなくＸ１側にずれるのが好ましい。このようにすることにより、より冷却効果を向上させることができる。以上のように、低発熱部Ｌ（後述）の領域に対応する下面側の領域の少なくとも一部にははんだ付け面（又は電極部）が形成されていない構成であればよいといえる。

また、側面電極５０は、上面電極３０の一部と、下面電極４０の一部と、絶縁基板１０の側面（つまり、Ｘ１側の側面と、Ｘ２側の側面と、Ｙ１側の側面の一部と、Ｙ２側の側面の一部）を被覆するように断面略コ字状に層状に形成されている。この側面電極５０は、Ｘ１側の端部とＸ２側の端部にそれぞれ設けられている。

また、メッキ６０は、ニッケルメッキ（Ｎｉメッキ）と、錫メッキとから構成されていて、Ｘ１側の端部領域とＸ２側の端部領域にそれぞれ設けられている。つまり、チップ抵抗器の接続用の電極部の表面にメッキ６０が設けられていて、内側層がニッケルメッキで、外側層が錫メッキとなっている。

ここで、ニッケルメッキは、上面電極３０の一部と、側面電極５０と、下面電極４０の一部とを被覆するように形成されている。つまり、上面電極３０と側面電極５０と下面電極４０の露出部分を被覆するように形成されている。このニッケルメッキは、電気メッキにより略均一の膜厚で形成されている。このニッケルメッキは、ニッケルにて形成されており、上面電極３０等の内部電極のはんだ食われを防止するために形成されている。このニッケルメッキは、ニッケル以外にも銅メッキが用いられる場合もある。

また、錫メッキは、ニッケルメッキの表面を被覆するように略均一の膜厚で配設されている。なお、錫メッキ以外にはんだメッキが用いられる場合もある。

なお、電極部２０において絶縁基板１０の下方に形成された部分は、下面電極部２２を構成し、この下面電極部２２がはんだ付け面を形成する。つまり、はんだ付け面が電極部２０の一部により形成されている。この下面電極部２２は、下面電極４０と、メッキ６０の一部と、側面電極５０の一部を含むことになる。

また、抵抗体７０は、図１に示すように、基本的に前記絶縁基板１０の上面に設けられていて、Ｘ１−Ｘ２方向の両端部は上面電極３０に積層して形成されている。つまり、抵抗体７０は、長手方向（電極間方向、通電方向としてもよい））（Ｘ１−Ｘ２方向（図１参照））に帯状に形成されていて、平面視において略長方形状に形成されている。この抵抗体７０は、一対の上面電極３０間を接続するように形成されている。

この抵抗体７０は、第１抵抗体７２と、第２抵抗体７４とを有していて、第２抵抗体７４は、絶縁基板１０の上面に層状に形成され、平面視においては方形状を呈している。この第２抵抗体７４の端部（Ｘ１−Ｘ２方向の端部）の位置は、上述したように、下面電極４０の端部の位置と横方向に一致していている。この第２抵抗体７４は、酸化ルテニウム系厚膜（例えば、酸化ルテニウム系メタルグレーズ厚膜）により形成されている。なお、この第２抵抗体７４を上面電極３０と同じ素材により形成してもよい。つまり、上面電極を構成する銀系厚膜（銀系メタルグレーズ厚膜）の抵抗値は、一般に、抵抗体を構成する酸化ルテニウム系厚膜（例えば、酸化ルテニウム系メタルグレーズ厚膜）の抵抗値よりも低いことから、第２抵抗体７４を銀系厚膜（銀系メタルグレーズ厚膜）により形成してもよい。この場合には、第２抵抗体７４は、電極材料からなる低抵抗導電体により形成されているといえる。

この第２抵抗体７４は、低抵抗体であり、第１抵抗体７２における第２抵抗体７４の上面に積層した領域の抵抗値よりも低い抵抗値に形成されている。例えば、第２抵抗体７４の素材は、第１抵抗体７２の素材よりも抵抗値が小さい素材により形成されている。つまり、同一形状、同一の大きさの２つの抵抗体とした場合に、第２抵抗体７４の抵抗値が第１抵抗体７２の抵抗値よりも小さくする。第２抵抗体７４の素材を第１抵抗体７２の素材よりも低い抵抗値とするには、例えば、酸化ルテニウムの含有割合（重量比）を第１抵抗体７２に比べて多くし、ガラス成分の含有割合（重量比）を第１抵抗体７２に比べて少なくすることが考えられる。

また、第１抵抗体７２は、絶縁基板１０と第２抵抗体７４の上面に設けられていて、Ｘ１−Ｘ２方向の両端部は上面電極３０上に積層して形成されている。つまり、第１抵抗体７２は、長手方向（電極間方向、通電方向としてもよい））（Ｘ１−Ｘ２方向（図１参照））に帯状に形成されていて、平面視において略長方形状に形成されている。また、第１抵抗体７２の中央の領域は、第２抵抗体７４の上面に接触して積層していて、その領域の厚みは第１抵抗体７２の他の領域の厚みよりも薄く形成されている。この第１抵抗体７２も、酸化ルテニウム系厚膜（例えば、酸化ルテニウム系メタルグレーズ厚膜）により形成されている。

なお、この抵抗体７０の両端部間に通電した場合には、第２抵抗体７４が形成されている領域においては、電流はほとんど第２抵抗体７４を流れるので、抵抗体７０の平面視において、第２抵抗体７４が形成されている領域の発熱は、抵抗体７０の他の領域の発熱に比べると小さい。すなわち、図１に示すように、抵抗体７０において、第２抵抗体７４が設けられている領域が低発熱部Ｌとなり、第２抵抗体７４が設けられていない領域が高発熱部Ｈ１、Ｈ２となる。そして、高発熱部Ｈ１と低発熱部Ｌと高発熱部Ｈ２とは、直列接続して設けられている。なお、抵抗体７０における上面電極３０と接している領域は、上面電極３０と接しているため発熱が小さく、高発熱部とはならない。

よって、絶縁基板１０における、前記高発熱部Ｈ１、Ｈ２の形成領域に対応する下面側の領域（「絶縁基板１０の下面領域における、高発熱部Ｈ１、Ｈ２の領域の直下の領域」としてもよい）には、下面電極４０が形成され、はんだ付け面が形成されているといえる。また、低発熱部Ｌの領域に対応する下面側の領域にははんだ付け面が形成されていないといえる。

なお、第２抵抗体７４の端部と下面電極４０の端部とが横方向に一致している場合には、電極部２０において絶縁基板１０の下方に形成された下面電極部２２は、メッキ６０の分だけ内側に突出しているといえるが、メッキ６０を含めた下面電極部２２の端部の位置が、第２抵抗体７４の端部の位置と一致（略一致としてもよい）しているようにしてもよい。また、前記の例では、第２抵抗体７４は第１抵抗体７２の下面に積層しているが、第２抵抗体７４が第１抵抗体７２の上面に積層するものとしてもよい。

なお、抵抗体７０において、第２抵抗体７４を形成した領域を低抵抗部ととらえ、抵抗体７０における前記低抵抗部以外の領域を高抵抗部ととらえることもできる。

また、保護膜８０は、図１に示すように、主に、抵抗体７０を被覆するように配設されている。すなわち、この保護膜８０の配設位置をさらに詳しく説明すると、Ｙ１−Ｙ２方向には、前記絶縁基板１０の幅と略同一（同一としてもよい）に形成され（絶縁基板１０の幅よりも短く形成されていてもよい）、さらに、Ｘ１−Ｘ２方向には、抵抗体７０と上面電極３０の一部を被覆するように設けられている。この保護膜８０は、樹脂（エポキシ、フェノール、シリコン等）により形成されている。なお、ほう珪酸鉛ガラスにより形成してもよい。

前記構成のチップ抵抗器Ａ１の製造方法について、簡単に説明すると、まず、表面と裏面の両面に一次スリットと二次スリットが形成されている無垢のアルミナ基板（このアルミナ基板は、複数のチップ抵抗器の絶縁基板の大きさを少なくとも有する大判のものである）を用意し、このアルミナ基板の裏面（すなわち、底面）に下面電極を形成する。つまり、下面電極用のペースト（例えば、銀系メタルグレーズ等の銀系ペースト）を印刷し、乾燥・焼成する。なお、この下面電極の形成に際しては、隣接するチップ抵抗器について同時に下面電極を形成する。つまり、電極間方向に隣接する２つのチップ抵抗器に対応するアルミナ基板の領域について、一次スリットを跨ぐように１つの印刷領域で下面電極を形成する。さらには、電極間方向に直角な方向には、帯状に連続して下面電極を形成する。つまり、Ｙ方向には複数のチップ抵抗器分まとめて一連の帯状に下面電極を形成し、さらに、Ｘ方向に隣接する２つの下面電極については、その２つの下面電極をまとめて形成する。

次に、アルミナ基板の表側の面（すなわち、上面）に上面電極を形成する。すなわち、上面電極ペーストを印刷し、乾燥・焼成する。この場合の上面電極ペーストは、銀系ペースト（例えば、銀系メタルグレーズ）又は銀パラジウムペーストである。なお、チップ抵抗器となった場合に隣接するチップ抵抗器の上面電極で互いに隣接し合う上面電極については１つの印刷領域で形成する。

次に、前記アルミナ基板の表側の面（すなわち、上面）に抵抗体７０を形成する。つまり、第２抵抗体７４を形成し、その後、第１抵抗体７２を形成する。具体的には、第２抵抗体７４の抵抗体ペーストを印刷した後に乾燥・焼成して抵抗体を形成し、その後、第１抵抗体７２の抵抗体ペーストを印刷した後に乾燥・焼成して抵抗体を形成する。なお、第１抵抗体７２、第２抵抗体７４ともに、この抵抗体ペーストは、酸化ルテニウム系ペースト（例えば、酸化ルテニウム系メタルグレーズ）である。この第１抵抗体７２を形成する際の抵抗体ペーストの印刷においては、一対の上面電極の内側の端部に積層するように形成する。

なお、第２抵抗体７４を上面電極３０と同じ素材で形成する場合には、上面電極を形成する際に同時に第２抵抗体７４を形成すればよい。つまり、上面電極ペーストの印刷時に第２抵抗体７４の領域にも前記上面電極ペーストを印刷して、乾燥、焼成する。

次に、抵抗体７０にトリミング溝を形成して抵抗値を調整する。つまり、レーザートリミングにより抵抗体７０にトリミング溝を形成する。トリミング溝を形成する領域は、低発熱部Ｌと高発熱部Ｈ１、Ｈ２のいずれでもよい。

次に、少なくとも抵抗体７０を覆うように保護膜を形成する。つまり、樹脂ペーストを帯状に印刷し、乾燥・硬化させる。なお、Ｙ１−Ｙ２方向には、絶縁基板の端から離間させて保護膜を形成する。

その後は、一次スリットに沿って一次分割する。次に、前記短冊状基板に対して、側面電極を形成する。つまり、側面電極用ペーストを印刷し、乾燥・硬化する。なお、側面電極用ペーストを印刷し、乾燥・焼成する方法としてもよい。また、スパッタ法により側面電極を金属薄膜で形成してもよい。その後、二次スリットに沿って二次分割する。次に、ニッケルメッキを形成し、その後、錫メッキを形成する。

チップ抵抗器Ａ１の使用状態について説明すると、配線基板（プリント基板としてもよい）に実装して使用する。図２は、金属基板ベースプリント基板９０にチップ抵抗器Ａ１を実装した例であり、金属基板ベースプリント基板９０は、アルミ板９２と、アルミ板９２上に設けられた絶縁層９４と、絶縁層９４上に設けられた導体箔（具体的には、銅箔）９６とから構成され、チップ抵抗器Ａ１は、電極部２０と導体箔９６間にはんだ９８を設けることにより、金属基板ベースプリント基板９０に実装されている。

チップ抵抗器Ａ１の使用に際して、一対の電極部２０間に電流が流れると、抵抗体７０に電流が流れるが、抵抗体７０の低発熱部Ｌには第２抵抗体７４が設けられているので、低発熱部Ｌにおいては、電流はほとんど第２抵抗体７４を流れ、低発熱部Ｌからの発熱は少ない。一方、高発熱部Ｈ１、Ｈ２からは低発熱部Ｌに比べて発熱量が多いが、高発熱部Ｈ１、Ｈ２の形成領域に対応する絶縁基板１０の下面領域には、下面電極部２２が設けられているので、高発熱部Ｈ１、Ｈ２からの発熱は、絶縁基板１０を通して下面電極部２２から放熱される。つまり、本実施例のチップ抵抗器Ａ１においては、放熱が困難な抵抗体７０の中央の領域に第２抵抗体７４を設けることにより、発熱量を小さくするとともに、高発熱部Ｈ１、Ｈ２に対応する位置には下面電極部２２を設けて、高発熱部Ｈ１、Ｈ２からの発熱を下面電極部２２から放熱するので、チップ抵抗器Ａ１全体の冷却を効率的に行うことができるように構成されている。なお、高発熱部Ｈ１、Ｈ２からの熱は、主として下面電極部２２から放熱されるが、厳密には、下面電極部２２以外の電極部２０からも放熱される。

また、一対の下面電極部２２間の距離を長く確保しても、下面電極部２２間の領域に対応する領域に第２抵抗体７４を設けることにより発熱を抑えることができるので、チップ抵抗器の発熱を抑えながら、絶縁距離、すなわち、一対の下面電極部２２間の距離を十分確保することができ、耐電圧を高くすることができる。つまり、低発熱部Ｌが設けられていることにより、低発熱部Ｌの直下に下面電極部２２を設ける必要がなく（つまり、下面電極部２２自体の長さを図１３の第３例のように長く確保する必要がなく）、絶縁距離を十分確保することができる。

以上のように、本実施例のチップ抵抗器Ａ１によれば、チップ抵抗器Ａ１を金属基板にはんだ付けして実装した場合に、チップ抵抗器全体の冷却を効率的に行うことができ、また、絶縁距離を確保して耐電圧を高くすることができるので、高電力で使用できるチップ抵抗器が得られる。また、本実施例のチップ抵抗器Ａ１においては、下面電極部２２の長さをある程度長く確保することから、金属基板に実装した場合に、金属基板における銅箔は熱伝導率がよいことと相俟って、高発熱部Ｈ１、Ｈ２の発熱を均一化することができ、従来のチップ抵抗器に比べて高電力で使用できる。

なお、チップ抵抗器全体の冷却を効率的に行うことができ、絶縁距離を確保して耐電圧を高くできるという効果は、金属基板のみならずアルミナセラミック基板やガラスエポキシ基板の場合でも得ることができる。なお、アルミナセラミック基板は、板状のアルミナセラミックの上面に銅箔が形成されたものであり、また、ガラスエポキシ基板は、板状のガラスエポキシの上面に銅箔が形成されたものであり、これらの場合も銅箔が熱伝導率がよいことから、高発熱部Ｈ１、Ｈ２の発熱を均一化することができ、従来のチップ抵抗器に比べて高電力で使用できる。

また、本実施例のチップ抵抗器Ａ１においては、絶縁基板１０の下面の高発熱部Ｈ１、Ｈ２に対応する領域には下面電極部２２が設けられている（つまり、第２抵抗体７４に対応する領域以外の領域には下面電極部２２が設けられている）ので、基板を薄くした方が配線基板への放熱効率がよく、絶縁基板を薄くすることができる。つまり、従来のチップ抵抗器においては、配線基板への放熱効率がよくないことから、絶縁基板を厚くして周りの空気への熱伝導や周囲への輻射により放熱するようにしていたが、本実施例の場合には、配線基板への放熱を十分に行うことができるので、絶縁基板を薄くすることにより周りの空気への熱伝導や周囲への輻射による放熱効果が小さくなっても、十分に放熱することができ、よって、安価な薄い絶縁基板を使用して高電力用のチップ抵抗器を提供することができる。また、薄い絶縁基板を用いるので、チップ抵抗器の小型化にも資する。

また、絶縁基板１０に窒化アルミ等の高熱伝導材料を使用することによってさらに高電力で使用できるチップ抵抗器を得ることができる。

以上のように、本実施例のチップ抵抗器によれば、インバータや通信機器等の金属基板を使用した機器のハイパワー化や小型化、高集積化に適した高電力用チップ抵抗器を得ることができる。

次に、前記実施例１の変形例について説明する。実施例１の変形例におけるチップ抵抗器Ａ１’は、図３に示すように、チップ抵抗器Ａ１と略同様の構成であるが、下面電極４０の長さが異なる。すなわち、実施例１のチップ抵抗器Ａ１においては、下面電極４０の端部は、横方向に第２抵抗体７４の端部位置まで形成されているが、チップ抵抗器Ａ１’においては、下面電極４０は、横方向に第２抵抗体７４の端部位置までは形成されておらず、絶縁基板１０の上面の端部から第２抵抗体７４の端部までの長さの略半分の位置にまで形成されている。つまり、一対の下面電極４０における各下面電極４０においては、下面電極４０の長さ（Ｘ１−Ｘ２方向の長さ）α１は、絶縁基板１０の上面の端部から第２抵抗体７４の端部までの長さα２の略半分となっていて、例えば、長さα１は、長さα２の４０〜６０％となっている。

このように、下面電極４０の長さが、絶縁基板１０の上面の端部から第２抵抗体７４の端部までの長さよりも短い場合でも、高発熱部Ｈ１、Ｈ２からの発熱は、電極部２０（特に、下面電極部２２）から放熱されるので、十分チップ抵抗器Ａ１’全体の放熱効率を高くすることができる。つまり、高発熱部Ｈ１、Ｈ２からの発熱は、電極部２０（特に、下面電極部２２）から放熱され、また、低発熱部Ｌからの発熱は少ないので、チップ抵抗器Ａ１’全体の放熱効率を高くすることができる。すなわち、抵抗体７０が高発熱部Ｈ１、Ｈ２と低発熱部Ｌとを有し、高発熱部Ｈ１、Ｈ２が低発熱部Ｌよりも電極部２０に近い側にあるので、高発熱部Ｈ１、Ｈ２からの発熱を効率的に放熱することができる。

なお、高発熱部Ｈ１、Ｈ２からの熱を効率よく放熱するには、絶縁基板１０の下面領域において、少なくとも高発熱部Ｈ１、Ｈ２の平面領域に対応する領域における少なくとも一部には下面電極４０（下面電極部２２としてもよい）が形成されているものとするのが好ましい。すなわち、下面電極４０（下面電極部２２としてもよい）の一部が、高発熱部Ｈ１、Ｈ２の領域の少なくとも一部に上下方向に重なる状態とするのが好ましい。例えば、図３の例では、下面電極４０におけるＲで示された領域が高発熱部Ｈ１と上下方向に重なっているといえる。なお、Ｘ２側の下面電極４０においても同様となっている。つまり、実施例１のように、高発熱部Ｈ１、Ｈ２に対応する領域には下面電極４０が設けられているものとするのが好ましく、下面電極４０の端部位置もなるべく第２抵抗体７４の端部位置にまで形成されているものとするのが好ましいが、下面電極４０（下面電極部２２としてもよい）の一部が、高発熱部Ｈ１、Ｈ２の領域の少なくとも一部に上下方向に重なる状態とするものでもよい。

次に、実施例２について説明する。この実施例２のチップ抵抗器Ａ２は、図４〜図６に示すように構成され、前記実施例１のチップ抵抗器Ａ１と略同様の構成であるが、抵抗体７０の構成が異なる。

すなわち、チップ抵抗器Ａ２における抵抗体７０は、方形状の第１抵抗体１７２と、格子状の第２抵抗体１７４と、帯状に配列した形状の第３抵抗体１７６とを有している。

つまり、第１抵抗体１７２は、方形状の層状を呈し、第２抵抗体１７４と第３抵抗体１７６の間の位置に設けられている。

また、第２抵抗体１７４は、第１抵抗体１７２の一方の上面電極３０側の端部から連設されていて、格子状を呈している。また、格子状を形成する開口部の電極間方向（Ｘ１−Ｘ２方向）の幅は、上面電極３０側に行くに従い、徐々に大きくなるように形成されている。

すなわち、第２抵抗体１７４は、電極間方向に伸びる複数（図４〜図６の例では、６つ）の帯状部１７４ａと、複数の帯状部１７４ａ間に設けられた連結部１７４ｂと連結部１７４ｃと連結部１７４ｄとを有している。

ここで、帯状部１７４ａは、第１抵抗体１７２のＸ１側の端部から連設され、帯状、すなわち、細長の長方形状を呈している。各帯状部１７４ａの上面電極３０側の端部は、上面電極３０上に積層して接している。

また、連結部１７４ｂは、第１抵抗体１７２のＸ１側の端部から長さａの隙間を介した位置に電極間方向とは直角の方向（Ｙ１−Ｙ２方向）に設けられ、隣接する帯状部１７４ａ間をつなぐように設けられている。この連結部１７４ｂは、計５つ設けられているが、５つの連結部１７４ｂは、Ｙ１−Ｙ２方向に一列に設けられている。また、連結部１７４ｃは、連結部１７４ｂのＸ１側の端部から長さｃの隙間を介した位置に電極間方向とは直角の方向（Ｙ１−Ｙ２方向）に設けられ、隣接する帯状部１７４ａ間をつなぐように設けられている。この連結部１７４ｃは、計５つ設けられているが、５つの連結部１７４ｃは、Ｙ１−Ｙ２方向に一列に設けられている。また、連結部１７４ｄは、連結部１７４ｃのＸ１側の端部から長さｅの隙間を介した位置に電極間方向とは直角の方向（Ｙ１−Ｙ２方向）に設けられ、隣接する帯状部１７４ａ間をつなぐように設けられている。この連結部１７４ｄは、計５つ設けられているが、５つの連結部１７４ｄは、Ｙ１−Ｙ２方向に一列に設けられている。以上のように、帯状部１７４ａと、連結部１７４ｂ〜１７４ｄが設けられていることにより第２抵抗体１７４は全体に格子状に形成されている。

ここで、連結部１７４ｂの幅ｂと、連結部１７４ｃの幅ｄと、連結部１７４ｄの幅ｆとは同じ幅に形成されているが、開口部１７５ａの長さａと、開口部１７５ｂの長さｃと、開口部１７５ｃの長さｅとは、ａ＜ｃ＜ｅに形成されていて、上面電極３０側に行くに従い開口部の長さが大きくなるように形成されている。前記のように、上面電極３０側に行くに従い開口部の長さが大きくなるように形成されているので、この第２抵抗体７４においては、Ｘ１−Ｘ２方向に上面電極３０側に行くに従い抵抗値が大きくなっている。

なお、各帯状部１７４ａにおける連結部１７４ｄより先端側の部分の長さｈは、開口部１７５ｃの幅ｅよりも長く形成され、また、前記先端側の部分における上面電極３０に接触していない部分の長さｇは、開口部１７５ｃの幅ｅよりも大きくすることが好ましい。

以上のように、第２抵抗体１７４は、方形状の形状に方形状の開口部と端部においては方形状の切欠部を設けることにより、第２抵抗体１７４の形状を形成しているといえる。

次に、第３抵抗体１７６は、複数（図４〜図６の例では、６つ）の帯状部１７６ａから形成され、各帯状部１７６ａは、帯状、すなわち、細長の長方形状を呈している。各帯状部１７６ａは、第１抵抗体１７２の端部（Ｘ２側の端部）から連設されている。各帯状部１７６ａの長さと幅は、同一に形成されていて、各帯状部１７６ａ間の隙間も同一に形成されている。各帯状部１７６ａの上面電極３０側の端部は、上面電極３０上に積層して接している。この第３抵抗体１７６は、抵抗体の一部をスリット状に形成して設けられたものといえる。

また、抵抗体７０は、全体に一体に形成され、全体に同一の材質により形成され、その厚みも同一に形成されている。

本実施例の抵抗体７０が前記のように構成されていることによって、第２抵抗体１７４は、第１抵抗体１７２よりも抵抗値が高く構成され、また、第３抵抗体１７６は、第１抵抗体１７２よりも抵抗値が高く構成されている。これにより、抵抗体７０は、図４に示すように、高発熱部Ｈ１、Ｈ２と低発熱部Ｌとが形成される。すなわち、低発熱部Ｌは、第１抵抗体１７２により構成され、高発熱部Ｈ１は、第２抵抗体１７４の上面電極３０に接していない領域により構成され、高発熱部Ｈ２は、第３抵抗体１７６の上面電極３０に接していない領域により構成される。ここで、第２抵抗体１７４と第３抵抗体１７６の上面電極３０と接している領域は、上面電極３０と接しているため発熱が小さく、高発熱部とはならない。

よって、絶縁基板１０における、前記高発熱部Ｈ１、Ｈ２の形成領域に対応する下面側の領域（「絶縁基板１０の下面領域における、高発熱部Ｈ１、Ｈ２の領域の直下の領域」としてもよい）には、下面電極４０が形成され、はんだ付け面が形成されているといえる。

なお、抵抗体７０において、第１抵抗体１７２の領域を低抵抗部ととらえ、第２抵抗体１７４や第３抵抗体１７６の領域を高抵抗部ととらえることもできる。

チップ抵抗器Ａ２における前記の点以外の構成は実施例１のチップ抵抗器Ａ１と同様の構成であるので、詳しい説明を省略する。

本実施例のチップ抵抗器Ａ２の製造方法は、前記実施例１のチップ抵抗器Ａ１と同様であるが、抵抗体７０の形成に当たっては、抵抗体７０の形状に抵抗体ペーストを印刷した後に乾燥・焼成して抵抗体を形成する。つまり、抵抗体７０は、全体に同時に形成される。

また、抵抗体７０の抵抗値の調整に際しては、第２抵抗体１７４又は第３抵抗体１７６にトリミングを行う。具体的には、第２抵抗体１７４又は第３抵抗体１７６に電極間方向に直角な方向（Ｙ１−Ｙ２方向）にトリミング溝を形成することにより抵抗値を上昇させて抵抗値を調整する。

なお、第２抵抗体１７４にトリミング溝を形成する場合には、開口部１７５ａと開口部１７５ｂと開口部１７５ｃの少なくともいずれかの位置にＹ１−Ｙ２方向にトリミング溝を形成して抵抗値を調整する。連結部１７４ｄよりも先端側（Ｘ１側）の領域（つまり、長さｈの領域（図５参照））にトリミング溝を形成してもよい。

この第２抵抗体１７４においては、開口部１７５ａ〜１７５ｃの長さが上面電極３０側に行くほど大きく形成されているので、抵抗値の粗調整と微調整とを行うことができる。つまり、長さが長い方の開口部の方が同じ長さのトリミング溝を形成しても抵抗値の上昇が大きいので、図６に示すように、開口部１７５ｃの位置にトリミング溝Ｔ１を形成して抵抗値を粗調整した後に、開口部１７５ｂの位置にトリミング溝Ｔ２を形成して抵抗値を微調整することが可能となる。なお、トリミング溝の先端は、図６に示すように、開口部の位置とし、帯状部１７４ａの途中の位置とはしない。これは、トリミング溝の先端を帯状部１７４ａの途中の位置とすると、第２抵抗体１７４にクラックの発生の問題があるからである。実施例２のチップ抵抗器Ａ２においては、第２抵抗体１７４において、長さの異なる開口部が３種類設けられているので、抵抗値の調整段階を３段階設けることができ、例えば、開口部１７５ｃの位置で最も荒い調整をしておき、開口部１７５ｂの位置で次に荒い調整を行い、開口部１７５ａの位置で最後の微調整を行うようにすることができる。なお、第２抵抗体１７４における連結部１７４ｄよりも先端側の領域（つまり、長さｈの領域（図５参照））もトリミング溝形成位置に利用すれば、ａ＜ｃ＜ｅ＜ｇとすることにより、４段階の調整が可能となる。

なお、前記の説明においては、トリミング溝Ｔ１、Ｔ２を形成するものとして説明したが、図６に示すように、トリミング溝Ｔ３、Ｔ４のように第２抵抗体１７４において分散してトリミング溝を形成することによって（この場合には、トリミング溝Ｔ１、Ｔ２は形成しない）、発熱が均一化しより高電力のチップ抵抗器を実現することができる。

また、第３抵抗体１７６においては、Ｙ１−Ｙ２方向にトリミング溝を形成して、帯状部１７６ａを切断することによりトリミングを行う。この場合も、トリミング溝の先端を帯状部１７６ａの途中の位置とはせずに、トリミング溝が帯状部１７６ａ間の隙間の位置にあるようにする。

以上のように、トリミング溝の先端を、第２抵抗体１７４における開口部の位置や、第３抵抗体１７６における帯状部１７６ａ間の隙間の位置として、抵抗体の途中の位置としないようにすることにより、切断した部分には確実に電流が流れないようにすることができるので、低ノイズのチップ抵抗器を提供できる。

また、本実施例のチップ抵抗器Ａ２の使用状態は、前記実施例１のチップ抵抗器Ａ１と同様であり、金属基板ベースプリント基板やアルミナセラミック基板等の配線基板に実装して使用する。チップ抵抗器Ａ２の使用に際して、一対の電極部２０間に電流が流れると、抵抗体７０に電流が流れるが、第１抵抗体１７２の抵抗値は第２抵抗体１７４や第３抵抗体１７６よりも小さいので、第１抵抗体１７２（低発熱部Ｌ）からの発熱は少なく、また、高発熱部Ｈ１、Ｈ２からは低発熱部Ｌに比べて発熱量が多いが、高発熱部Ｈ１、Ｈ２の形成領域に対応する絶縁基板１０の下面には、下面電極部２２が設けられているので、高発熱部Ｈ１、Ｈ２からの発熱は、絶縁基板１０を通して下面電極部２２から放熱される。つまり、本実施例のチップ抵抗器Ａ２においては、放熱が困難な抵抗体７０の中央の領域を低発熱の領域とすることにより発熱量を小さくするとともに、高発熱部Ｈ１、Ｈ２に対応する位置には下面電極部２２を設けて、高発熱部Ｈ１、Ｈ２からの発熱を下面電極部２２から放熱するので、チップ抵抗器Ａ２全体の冷却を効率的に行うことができるように構成されている。特に、第２抵抗体７４においては、Ｘ１−Ｘ２方向に上面電極３０側に行くに従い抵抗値が大きくなっているので、高発熱部としての第２抵抗体１７４において上面電極３０に近い方がより発熱するが、電極部２０に近い側となるため放熱効率は高くなるといえる。なお、高発熱部Ｈ１、Ｈ２からの熱は、主として下面電極部２２から放熱されるが、厳密には、下面電極部２２以外の電極部２０からも放熱される。

また、一対の下面電極部２２間の距離を長く確保しても、下面電極部２２間の領域に対応する領域に低発熱部Ｌとしての第１抵抗体１７２を設けることにより発熱を抑えることができるので、チップ抵抗器の発熱を抑えながら、絶縁距離、すなわち、一対の下面電極部２２間の距離を十分確保することができ、耐電圧を高くすることができる。

よって、本実施例のチップ抵抗器Ａ２によれば、チップ抵抗器Ａ２を金属基板にはんだ付けして実装した場合に、チップ抵抗器全体の冷却を効率的に行うことができ、また、絶縁距離を確保して耐電圧を高くすることができるので、高電力で使用できるチップ抵抗器が得られる。また、本実施例のチップ抵抗器Ａ２においては、下面電極部２２の長さをある程度長く確保することから、金属基板に実装した場合に、金属基板における銅箔は熱伝導率がよいことと相俟って、高発熱部Ｈ１、Ｈ２の発熱を均一化することができ、従来のチップ抵抗器に比べて高電力で使用できる。

なお、チップ抵抗器全体の冷却を効率的に行うことができ、絶縁距離を確保して耐電圧を高くできるという効果は、金属基板のみならずアルミナセラミック基板やガラスエポキシ基板の場合でも得ることができる。

また、本実施例のチップ抵抗器Ａ２においては、前記チップ抵抗器Ａ１と同様に、絶縁基板１０の下面の高発熱部Ｈ１、Ｈ２に対応する領域には下面電極部２２が設けられている（つまり、第１抵抗体１７２に対応する領域以外の領域には下面電極部２２が設けられている）ので、基板を薄くした方が配線基板への放熱効率がよく、絶縁基板を薄くすることができる。よって、安価な薄い絶縁基板を使用して高電力用のチップ抵抗器を提供することができる。また、薄い絶縁基板を用いるので、チップ抵抗器の小型化にも資する。

また、絶縁基板１０に窒化アルミ等の高熱伝導材料を使用することによってさらに高電力で使用できるチップ抵抗器を得ることができる。

以上のように、本実施例のチップ抵抗器によれば、インバータや通信機器等の金属基板を使用した機器のハイパワー化や小型化、高集積化に適した高電力用チップ抵抗器を得ることができる。

また、実施例２においても、実施例１の変形例のように、下面電極４０の長さを短くしてもよい。すなわち、下面電極４０を横方向に第１抵抗体１７２の端部位置まで形成せず、絶縁基板１０の上面の端部から第１抵抗体１７２の端部までの長さの略半分の位置にまで形成する。つまり、下面電極４０の長さ（Ｘ１−Ｘ２方向の長さ）を絶縁基板１０の上面の端部から第１抵抗体１７２の端部までの略半分（具体的には、４０〜６０％）とする。

このように、下面電極４０の長さが、絶縁基板１０の上面の端部から第１抵抗体１７２の端部までの長さよりも短い場合でも、高発熱部Ｈ１、Ｈ２からの発熱は、下面電極部２２から放熱されるので、十分チップ抵抗器全体の放熱効率を高くすることができる。

なお、高発熱部Ｈ１、Ｈ２からの熱を効率よく放熱するには、絶縁基板１０の下面領域において、少なくとも高発熱部Ｈ１、Ｈ２の平面領域に対応する領域における少なくとも一部には下面電極４０（下面電極部２２としてもよい）が形成されているものとするのが好ましい。すなわち、下面電極４０（下面電極部２２としてもよい）の一部が、高発熱部Ｈ１、Ｈ２の領域の少なくとも一部に上下方向に重なる状態とするのが好ましい。つまり、前記実施例２のように、高発熱部Ｈ１、Ｈ２に対応する領域には下面電極４０が設けられているものとするのが好ましく、下面電極４０の端部位置もなるべく第１抵抗体１７２の端部位置にまで形成されているものとするのが好ましいが、下面電極４０（下面電極部２２としてもよい）の一部が、高発熱部Ｈ１、Ｈ２の領域の少なくとも一部に上下方向に重なる状態とするものでもよい。

なお、前記の実施例２において、第２抵抗体１７４を格子状とし、第３抵抗体１７６を帯状としたが、これに限らず、両方を格子状としてもよいし、両方を帯状としてもよい。また、第２抵抗体１７４において、格子状を形成する開口部の大きさ（特に、Ｘ１−Ｘ２方向の幅）が上面電極３０側にいくに従い大きくなっているものとして説明したが、抵抗値の粗調整と微調整を行うという意味では、上面電極３０側にいくに従い開口部の大きさが小さくなっている構成としてもよい。また、抵抗値の粗調整と微調整の作用を得なくてよいのであれば、開口部の大きさ（特に、Ｘ１−Ｘ２方向の幅）を同じとして、通常の格子状としてもよい。

次に、実施例３について説明する。この実施例３のチップ抵抗器Ａ３は、図７に示すように構成され、前記チップ抵抗器Ａ１やチップ抵抗器Ａ２と略同様の構成であるが、抵抗体７０の構成が異なる。

すなわち、チップ抵抗器Ａ３における抵抗体７０は、方形状の第１抵抗体２７２と、蛇行状の第２抵抗体２７４と、蛇行状の第３抵抗体２７６とを有している。

つまり、第１抵抗体２７２は、方形状の層状を呈し、第２抵抗体２７４と第３抵抗体２７６の間の位置に設けられている。

また、第２抵抗体２７４は、第１抵抗体２７２のＸ１側の端部から連設され、蛇行状を呈し、その端部は上面電極３０に積層している。つまり、第２抵抗体２７４は、縦方向部２７４ａと、横方向部２７４ｂと、縦方向部２７４ｃと、横方向部２７４ｄと、縦方向部２７４ｅと、横方向部２７４ｆと、縦方向部２７４ｇとを有していて、蛇行状に形成されている。

また、第３抵抗体２７６は、第１抵抗体２７２のＸ２側の端部から連設され、蛇行状を呈し、その端部は上面電極３０に積層している。つまり、第３抵抗体２７６は、縦方向部２７６ａと、横方向部２７６ｂと、縦方向部２７６ｃと、横方向部２７６ｄと、縦方向部２７６ｅと、横方向部２７６ｆと、縦方向部２７６ｇとを有していて、蛇行状に形成されている。

なお、第２抵抗体２７４と第３抵抗体２７６とは、互いに点対称に形成されていて、抵抗体７０全体を１８０度回転しても同一の形状になるようになっている。また、第２抵抗体２７４と第３抵抗体２７６とは、各抵抗体の形状に抵抗体ペーストを印刷した後に乾燥・焼成して形成されている。なお、抵抗体７０は、全体に一体に形成されている。

本実施例の抵抗体７０が前記のように構成されていて、第２抵抗体２７４や第３抵抗体２７６の電流路の幅が第１抵抗体２７２の電流路の幅よりも狭いので、第２抵抗体２７４や第３抵抗体２７６は、第１抵抗体２７２よりも抵抗値が高く構成されている。これにより、抵抗体７０は、図７に示すように、高発熱部Ｈ１、Ｈ２と低発熱部Ｌとが形成される。すなわち、低発熱部Ｌは、第１抵抗体２７２により構成され、高発熱部Ｈ１は、第２抵抗体２７４の上面電極３０に接していない領域により構成され、高発熱部Ｈ２は、第３抵抗体２７６の上面電極３０に接していない領域により構成される。ここで、第２抵抗体２７４と第３抵抗体２７６の上面電極３０と接している領域は、上面電極３０と接しているため発熱が小さく、高発熱部とはならない。

よって、絶縁基板１０における、前記高発熱部Ｈ１、Ｈ２の形成領域に対応する下面側の領域（「絶縁基板１０の下面領域における、高発熱部Ｈ１、Ｈ２の領域の直下の領域」としてもよい）には、下面電極４０が形成され、はんだ付け面が形成されているといえる。

なお、抵抗体７０において、第１抵抗体２７２の領域を低抵抗部ととらえ、第２抵抗体２７４や第３抵抗体２７６の領域を高抵抗部ととらえることもできる。

チップ抵抗器Ａ３における前記の点以外の構成は実施例１のチップ抵抗器Ａ１と同様の構成であるので、詳しい説明を省略する。

本実施例のチップ抵抗器Ａ３の製造方法は、前記実施例１のチップ抵抗器Ａ１と同様であるが、抵抗体７０の形成に当たっては、抵抗体７０の形状に抵抗体ペーストを印刷した後に乾燥・焼成して抵抗体を形成する。つまり、抵抗体７０は、全体に同時に形成される。また、抵抗体７０の抵抗値の調整に際しては、抵抗体７０にトリミングを行うが、トリミング溝を形成する位置としては、例えば、第１抵抗体２７２とする。また、第２抵抗体２７４や第３抵抗体２７６の蛇行状を形成する２本の溝部において、一方を抵抗パターンにより形成し、他方をトリミング溝により形成して抵抗値調整を行ってもよい。その場合、第２抵抗体２７４と第３抵抗体２７６の両方にトリミング溝を形成してもよいし、いずれか一方に形成してもよい。

本実施例のチップ抵抗器Ａ３の使用状態、作用、効果は、前記チップ抵抗器Ａ１やチップ抵抗器Ａ２と同様であるので、詳しい説明を省略する。

以上のように、本実施例のチップ抵抗器によれば、インバータや通信機器等の金属基板を使用した機器のハイパワー化や小型化、高集積化に適した高電力用チップ抵抗器を得ることができる。

また、実施例３においても、実施例１の変形例のように、下面電極の長さを短くしてもよい。その場合の構成や効果は、実施例１の変形例と同様であるので詳しい説明を省略する。

次に、実施例４について説明する。この実施例４のチップ抵抗器Ａ４は、図８に示すように構成され、前記各チップ抵抗器、特に、前記チップ抵抗器Ａ３と略同様の構成であるが、抵抗体７０の構成が異なる。すなわち、抵抗体７０における第２抵抗体や第３抵抗体が蛇行状に形成されているが、第２抵抗体の形成の仕方が異なり、トリミング溝により蛇行状に形成されている。

すなわち、チップ抵抗器Ａ４における抵抗体７０は、方形状の第１抵抗体３７２と、蛇行状の第２抵抗体３７４と、蛇行状の第３抵抗体３７６とを有している。

つまり、第１抵抗体３７２は、方形状の層状を呈し、第２抵抗体３７４と第３抵抗体３７６の間の位置に設けられている。

また、第２抵抗体３７４は、第１抵抗体３７２のＸ１側の端部から連設され、蛇行状を呈し、その端部は上面電極３０に積層している。この第２抵抗体３７４は、方形状の抵抗体本体３７４ａと、前記抵抗体本体３７４ａと上面電極３０間とを接続する接続部３７４ｂと、前記抵抗体本体３７４ａと第１抵抗体３７２間とを接続する接続部３７４ｃとを有していて、抵抗体本体３７４ａにトリミング溝Ｔ１１やＴ１２を形成することにより蛇行状に形成されている。

また、第３抵抗体３７６は、第１抵抗体３７２のＸ２側の端部から連設され、蛇行状を呈し、その端部は上面電極３０上に積層している。つまり、第３抵抗体３７６は、縦方向部３７６ａと、横方向部３７６ｂと、縦方向部３７６ｃと、横方向部３７６ｄと、縦方向部３７６ｅと、横方向部３７６ｆと、縦方向部３７６ｇとを有していて、蛇行状に形成されている。また、この第３抵抗体３７６は、前記抵抗体の形状に抵抗体ペーストを印刷した後に乾燥・焼成して形成されている。なお、抵抗体７０は、全体に一体に形成されている。

本実施例の抵抗体７０が前記のように構成されていて、第２抵抗体３７４や第３抵抗体３７６の電流路の幅が第１抵抗体３７２の電流路の幅よりも狭いので、第２抵抗体３７４や第３抵抗体３７６は、第１抵抗体３７２よりも抵抗値が高く構成されている。これにより、抵抗体７０は、図８に示すように、高発熱部Ｈ１、Ｈ２と低発熱部Ｌとが形成される。すなわち、低発熱部Ｌは、第１抵抗体３７２により構成され、高発熱部Ｈ１は、第２抵抗体３７４の上面電極３０に接していない領域により構成され、高発熱部Ｈ２は、第３抵抗体３７６の上面電極３０に接していない領域により構成される。ここで、第２抵抗体３７４と第３抵抗体３７６の上面電極３０と接している領域は、上面電極３０と接しているため発熱が小さく、高発熱部とはならない。

よって、絶縁基板１０における、前記高発熱部Ｈ１、Ｈ２の形成領域に対応する下面側の領域（「絶縁基板１０の下面領域における、高発熱部Ｈ１、Ｈ２の領域の直下の領域」としてもよい）には、下面電極４０が形成され、はんだ付け面が形成されているといえる。

なお、抵抗体７０において、第１抵抗体３７２の領域を低抵抗部ととらえ、第２抵抗体３７４や第３抵抗体３７６の領域を高抵抗部ととらえることもできる。

チップ抵抗器Ａ４における前記の点以外の構成は実施例３のチップ抵抗器Ａ３と同様の構成であるので、詳しい説明を省略する。

本実施例のチップ抵抗器Ａ４の製造方法は、前記実施例３のチップ抵抗器Ａ３と同様であるが、抵抗体７０の形成に当たっては、抵抗体７０の形状においてトリミング溝Ｔ１１、Ｔ１２が形成されていない形状に抵抗体ペーストを印刷した後に乾燥・焼成し、その後、トリミング溝Ｔ１１とトリミング溝Ｔ１２を形成して抵抗体を形成する。なお、図８の例では、トリミング溝Ｔ１１によりまず抵抗値の粗調整を行い、その後、トリミング溝Ｔ１２により抵抗値の微調整を行っている。なお、トリミング溝Ｔ１２を形成して粗調整を行い、その後、トリミング溝Ｔ１１を形成して微調整を行ってもよい。

本実施例のチップ抵抗器Ａ４の使用状態、作用、効果は、前記チップ抵抗器Ａ１〜Ａ３と同様であるので、詳しい説明を省略する。

また、実施例４においても、実施例１の変形例のように、下面電極の長さを短くしてもよい。その場合の構成や効果は、実施例１の変形例と同様であるので詳しい説明を省略する。

次に、実施例５について説明する。この実施例５のチップ抵抗器Ａ５は、図９に示すように構成され、前記チップ抵抗器Ａ３と略同様の構成であるが、抵抗体７０の構成が異なる。すなわち、チップ抵抗器Ａ３においては、抵抗体７０を一体に構成したのに対して、本実施例の抵抗体７０においては、第１抵抗体と第２抵抗体と第３抵抗体とが別体に形成されている。また、第１抵抗体の素材は、第２抵抗体や第３抵抗体の素材に比べて抵抗値が小さい素材により形成されている。

すなわち、チップ抵抗器Ａ５における抵抗体７０は、方形状の第１抵抗体４７２と、蛇行状の第２抵抗体４７４と、蛇行状の第３抵抗体４７６とを有している。

つまり、第１抵抗体４７２は、方形状の層状を呈し、第２抵抗体４７４と第３抵抗体４７６の間の位置に設けられている。この第１抵抗体４７２の素材は、第２抵抗体４７４や第３抵抗体４７６の素材に比べて抵抗値が小さい素材により形成されている。このように第１抵抗体４７２の素材を第２抵抗体４７４や第３抵抗体４７６の素材よりも低い抵抗値とするには、例えば、酸化ルテニウムの含有割合（重量比）を第２抵抗体４７４や第３抵抗体４７６に比べて多くする。なお、第１抵抗体４７２を上面電極３０と同一の素材により形成してもよい。つまり、第１抵抗体４７２を電極材料からなる低抵抗導電体により形成してもよい。

また、第２抵抗体４７４は、第１抵抗体４７２のＸ１側の端部から連設され、蛇行状を呈し、その上面電極３０側の端部は上面電極３０上に積層し、第１抵抗体４７２側の端部は第１抵抗体４７２上に積層している。この第２抵抗体４７４の構成は、チップ抵抗器Ａ３における第２抵抗体２７４と同様であるので詳しい説明を省略する。

また、第３抵抗体４７６は、第１抵抗体４７２のＸ２側の端部から連設され、蛇行状を呈し、その上面電極３０側の端部は上面電極３０上に積層し、第１抵抗体４７２側の端部は第１抵抗体４７２上に積層している。この第３抵抗体４７６の構成は、チップ抵抗器Ａ３における第３抵抗体２７６と同様であるので詳しい説明を省略する。

なお、第２抵抗体４７４と第３抵抗体４７６とは、互いに点対称に形成されていて、抵抗体７０全体を１８０度回転しても同一の形状になるようになっている。また、第２抵抗体４７４と第３抵抗体４７６とは、各抵抗体の形状に抵抗体ペーストを印刷した後に乾燥・焼成して形成されている。

本実施例の抵抗体７０が前記のように構成されていて、第２抵抗体４７４や第３抵抗体４７６の電流路の幅が第１抵抗体４７２の電流路の幅よりも狭く形成され、また、第１抵抗体４７２の素材が第２抵抗体４７４や第３抵抗体４７６の素材に比べて抵抗値が低い素材により形成されているので、第２抵抗体４７４や第３抵抗体４７６は、第１抵抗体４７２よりも抵抗値が高く構成されている。これにより、抵抗体７０は、図９に示すように、高発熱部Ｈ１、Ｈ２と低発熱部Ｌとが形成される。すなわち、低発熱部Ｌは、第１抵抗体４７２により構成され、高発熱部Ｈ１は、第２抵抗体４７４の上面電極３０や第１抵抗体４７２に接していない領域により構成され、高発熱部Ｈ２は、第３抵抗体４７６の上面電極３０や第１抵抗体４７２に接していない領域により構成される。ここで、第２抵抗体４７４と第３抵抗体４７６の上面電極３０や第１抵抗体４７２と接している領域は、発熱が小さく、高発熱部とはならない。

よって、絶縁基板１０における、前記高発熱部Ｈ１、Ｈ２の形成領域に対応する下面側の領域（「絶縁基板１０の下面領域における、高発熱部Ｈ１、Ｈ２の領域の直下の領域」としてもよい）には、下面電極４０が形成され、はんだ付け面が形成されているといえる。

なお、抵抗体７０において、第１抵抗体４７２の領域を低抵抗部ととらえ、第２抵抗体４７４や第３抵抗体４７６の領域を高抵抗部ととらえることもできる。

チップ抵抗器Ａ５における前記の点以外の構成は、前記チップ抵抗器Ａ３と同様の構成であるので、詳しい説明を省略する。

本実施例のチップ抵抗器Ａ５の製造方法は、前記実施例１のチップ抵抗器Ａ１と同様であるが、抵抗体７０の形成に当たっては、第１抵抗体４７２を形成した後に、第２抵抗体４７４と第３抵抗体４７６を形成する。つまり、第１抵抗体４７２の形状に抵抗体ペーストを印刷した後に乾燥・焼成して抵抗体を形成して第１抵抗体４７２を形成し、その後、第２抵抗体４７４と第３抵抗体４７６の形状に抵抗体ペーストを印刷した後に乾燥・焼成して抵抗体を形成して第２抵抗体４７４と第３抵抗体４７６を形成する。つまり、第２抵抗体４７４と第３抵抗体４７６は同時に形成される。なお、第１抵抗体４７２を上面電極３０と同一の素材により形成する場合には、上面電極３０の形成と同時に第１抵抗体４７２を形成すればよい。また、抵抗体７０の抵抗値の調整に際しては、抵抗体７０にトリミングを行うが、トリミング溝を形成する位置としては、第１抵抗体４７２とするのが好ましい。

本実施例のチップ抵抗器Ａ５の使用状態、作用、効果は、前記チップ抵抗器Ａ１〜Ａ４と同様であるので、詳しい説明を省略する。

また、実施例５においても、実施例１の変形例のように、下面電極の長さを短くしてもよい。その場合の構成や効果は、実施例１の変形例と同様であるので詳しい説明を省略する。

次に、実施例６について説明する。実施例６のチップ抵抗器Ａ６は、図１０に示すように構成され、前記各チップ抵抗器とは異なり、上面電極３０を比較的長く確保するとともに、絶縁基板１０の下面の抵抗体７０の高発熱部に対応した領域に熱伝導膜４２を設けた点が特徴である。

すなわち、チップ抵抗器Ａ６は、高電力用のチップ抵抗器であり、図１０に示すように構成され、絶縁基板１０と、電極部２０と、抵抗体７０と、保護膜８０と、熱伝導部２４とを有している。

ここで、絶縁基板１０の構成は、前記各チップ抵抗器Ａ１〜Ａ５における絶縁基板１０の構成と同様である。

また、電極部２０の構成も前記各チップ抵抗器の電極部２０の構成と略同様であるが、上面電極３０が下面電極４０よりも電極間方向（Ｘ１−Ｘ２方向）に長く設けられている点が異なる。なお、上面電極３０は、横方向に熱伝導膜４２の端部の位置にまで形成され、下面電極部２２と熱伝導部２４間の距離、すなわち、絶縁距離を確保するとともに、抵抗体７０の長さもある程度確保するため、上面電極３０の長さ（電極間方向の長さ）は下面電極４０の長さ（電極間方向の長さ）の２倍以上とするのが好ましく、また、上面電極３０の長さ（電極間方向の長さ）は、絶縁基板１０の長さ（電極間方向の長さ）の２５〜３５％とするのが好ましい。電極部２０における前記の点以外の構成は、チップ抵抗器Ａ１にける電極部２０と同様であるので詳しい説明を省略する。

また、抵抗体７０は、基本的に前記絶縁基板１０の上面に設けられていて、Ｘ１−Ｘ２方向の両端部は上面電極３０上に積層して形成されている。つまり、抵抗体７０は、長手方向（電極間方向）（Ｘ１−Ｘ２方向（図１０参照））に帯状に形成されていて、平面視において略長方形状に形成されている。この抵抗体７０は、一対の上面電極３０間を接続するように形成されている。この抵抗体７０は、酸化ルテニウム系厚膜（例えば、酸化ルテニウム系メタルグレーズ厚膜）により形成され、全体に一体に形成されている。なお、この抵抗体７０には、前記各実施例のように高発熱部と低発熱部は設けられていない。

また、保護膜８０の構成は、前記チップ抵抗器Ａ１における保護膜８０と同様であるが、少なくとも抵抗体７０の全体と上面電極３０の一部を覆うように構成する。その際、上面電極３０は、Ｙ１−Ｙ２方向においては完全に保護膜８０に覆われる。すなわち、本実施例のチップ抵抗器Ａ６の場合には、上面電極３０のＸ１−Ｘ２方向の長さが比較的長くなるので、上面電極３０の露出を防止するために、保護膜８０の幅（Ｙ１−Ｙ２方向の幅）を上面電極３０の幅よりも大きくして、上面電極３０をＹ１−Ｙ２方向においては完全に覆うとともに、Ｘ１−Ｘ２方向にもなるべく長く覆うようにする。つまり、例えば、上面電極３０が露出して上面電極３０に水分等が付着すると電流が過度に流れて耐電圧が低下するので、保護膜８０とメッキ６０によって確実に上面電極３０を覆うようにする。なお、この点は、後述する実施例７の上面電極３０及び上面電極３２や、実施例８の上面電極３０−１、３０−２においても同様である。

また、熱伝導部２４は、熱伝導膜４２と、メッキ６０とから構成され、熱伝導膜４２は、下面電極４０と同じ素材により形成され、方形状に形成されている。

熱伝導膜４２（熱伝導部２４としてもよい）の幅（Ｙ１−Ｙ２方向の幅）は絶縁基板の幅と同様に形成され、その長さ（Ｘ１−Ｘ２方向の長さ）は一対の上面電極３０間の距離と同一に形成され、熱伝導膜４２の一方の端部（Ｘ１側の端部）は、横方向に、一方の上面電極３０（Ｘ１側の上面電極３０）の内側の端部（Ｘ２側の端部）と一致しており、また、熱伝導膜４２の他方の端部（Ｘ２側の端部）は、横方向に、他方の上面電極３０（Ｘ２側の上面電極３０）の内側の端部（Ｘ１側の端部）と一致している。つまり、抵抗体７０の上面電極３０に積層していない領域に対応した領域に熱伝導膜４２が形成されている。また、熱伝導部２４におけるメッキ６０は、熱伝導膜４２の表面を被覆するように形成されている。

チップ抵抗器Ａ６は、前記のように構成されているので、抵抗体７０における上面電極３０に接していない領域は高発熱部Ｈとなり、上面電極３０の領域は低発熱部Ｌ１、Ｌ２となる。上面電極３０は、低発熱部として機能するので、上面電極３０における保護膜８０により被覆されている領域は、少なくとも低発熱部として機能する。以上のように、絶縁基板１０の下面において高発熱部Ｈに対応した領域に熱伝導膜４２が設けられているといえる。よって、前記絶縁基板１０における、前記抵抗体７０における上面電極３０と接していない領域に対応する下面側の領域には、はんだ付け面が形成されているといえる。

なお、前記の説明では、抵抗体７０の上面電極３０に積層していない領域に対応した領域に熱伝導膜４２が形成されているとしたが、抵抗体７０の上面電極３０に積層していない領域に対応した領域に熱伝導部２４が形成されているとしてもよい。すなわち、熱伝導部２４の一方の端部（Ｘ１側の端部）が、横方向に、一方の上面電極３０（Ｘ１側の上面電極３０）の内側の端部（Ｘ２側の端部）と一致しており、また、熱伝導部２４の他方の端部（Ｘ２側の端部）は、横方向に、他方の上面電極３０（Ｘ２側の上面電極３０）の内側の端部（Ｘ１側の端部）と一致しているものとしてもよい。

なお、低発熱部Ｌ１、Ｌ２からの発熱は少ないので、絶縁基板１０における、低発熱部Ｌ１、Ｌ２の領域に対応する下面側の領域には、はんだ付け面は特に必要なく、その意味では、絶縁基板１０における、低発熱部Ｌ１、Ｌ２の領域に対応する下面側の領域の少なくとも一部にははんだ付け面が形成されていない構成であればよく、また、高発熱部からの熱を放熱するには、高発熱部Ｈの領域に対応する下面側の領域の少なくとも一部にははんだ付け面が形成されている構成とする必要があるといえる。

チップ抵抗器Ａ６の製造方法は、チップ抵抗器Ａ１と略同様であるが、下面電極４０の形成に当たっては、熱伝導膜４２も同時に形成し、上面電極３０の形成に当たっては、前記のように下面電極４０よりも長く形成するとともに、抵抗体７０の形成に当たっては、通常の抵抗体と同様に、抵抗体ペーストを印刷した後に乾燥、焼成して形成する。また、メッキに際しては、熱伝導膜４２にもメッキを形成する。

本実施例のチップ抵抗器Ａ６の使用状態、作用、効果は、前記チップ抵抗器Ａ１〜Ａ５と同様であるので、詳しい説明を省略するが、本実施例においては、下面電極部２２のみならず、熱伝導部２４もはんだ付け面となり、チップ抵抗器Ａ６の使用に際して、一対の電極部２０間に電流が流れると、抵抗体７０に電流が流れるが、抵抗体７０における高発熱部Ｈから発生した熱は、熱伝導部２４から放熱され、また、低発熱部Ｌ１、Ｌ２からの発熱は小さいので、効率的にチップ抵抗器を冷却することができる。また、上面電極３０が下面電極４０よりも長く形成されているので、上面電極３０の長さをある程度長く確保することにより、下面電極部２２と熱伝導部２４との間の距離α１１、α１２の長さを確保できるので、絶縁距離を十分確保でき、耐電圧を高くすることができる。

次に、実施例７について説明する。実施例７のチップ抵抗器Ａ７は、図１１に示すように構成され、実施例６のチップ抵抗器Ａ６と略同様の構成であるが、チップ抵抗器Ａ６においては、上面電極３０が長く形成されていたのに対して、チップ抵抗器Ａ７においては、上面電極３０の内側に第２上面電極３２を設けることにより、上面電極の長さを長く確保している点が異なる。

すなわち、上面電極３０の長さ（Ｘ１−Ｘ２方向の長さ）は、下面電極４０の長さと同じであるが、第２上面電極３２がさらに、上面電極３０の内側に接続して設けられている。上面電極３０と第２上面電極３２の接続部分においては、第２上面電極３２が上面電極３０の上に積層している。このように上面電極３０と第２上面電極３２とによって、上面電極３０と第２上面電極３２からなる上面電極の全体の長さ（電極間方向の長さ）α２１は、下面電極４０の長さ（電極間方向の長さ）の２倍以上とするのが好ましく、また、前記長さα２１は、絶縁基板１０の長さ（電極間方向の長さ）の２５〜３５％とするのが好ましい。電極部２０における前記の点以外の構成は、チップ抵抗器Ａ６と同様であるので詳しい説明を省略する。

なお、保護膜８０の構成は、前記チップ抵抗器Ａ７における保護膜８０と同様であり、少なくとも抵抗体７０の全体と上面電極３２の大部分を覆うように構成する。その際、上面電極３２は、Ｙ１−Ｙ２方向においては完全に保護膜８０に覆われる。すなわち、本実施例のチップ抵抗器Ａ７の場合には、上面電極３０と上面電極３２とからなる上面電極のＸ１−Ｘ２方向の長さが比較的長くなるので、上面電極の露出を防止するために、上面電極をＹ１−Ｙ２方向においては完全に覆うとともに、Ｘ１−Ｘ２方向にもなるべく長く覆うようにする。

チップ抵抗器Ａ７は、前記のように構成されているので、抵抗体７０における第２上面電極３２に接していない領域は高発熱部Ｈとなり、上面電極３０や第２上面電極３２の領域は低発熱部Ｌ１、Ｌ２となる。つまり、絶縁基板１０の下面において高発熱部Ｈに対応した領域に熱伝導膜４２が設けられているといえる。よって、前記絶縁基板１０における、前記抵抗体７０における第２上面電極３２と接していない領域に対応する下面側の領域には、はんだ付け面が形成されているといえる。

なお、前記の説明では、抵抗体７０の第２上面電極３２に積層していない領域に対応した領域に熱伝導膜４２が形成されているとしたが、抵抗体７０の第２上面電極３２に積層していない領域に対応した領域に熱伝導部２４が形成されているとしてもよい。すなわち、熱伝導部２４の一方の端部（Ｘ１側の端部）が、横方向に、一方の第２上面電極３２（Ｘ１側の第２上面電極３２）の内側の端部（Ｘ２側の端部）と一致しており、また、熱伝導部２４の他方の端部（Ｘ２側の端部）は、横方向に、他方の第２上面電極３２（Ｘ２側の第２上面電極３２）の内側の端部（Ｘ１側の端部）と一致しているものとしてもよい。

チップ抵抗器Ａ７の製造方法は、チップ抵抗器Ａ６と略同様であるが、上面電極３０を形成した後に第２上面電極３２を形成する。なお、下面電極４０の形成に当たっては、熱伝導膜４２も同時に形成する。

チップ抵抗器Ａ７の使用状態や得られる効果は、チップ抵抗器Ａ６と同様であるので、詳しい説明を省略する。

次に、実施例８について説明する。実施例８のチップ抵抗器Ａ８は、図１２に示すように構成され、一対の下面電極のうちの一方を長く形成して、抵抗体の高発熱部の下側に配置させる構成となっている。

すなわち、チップ抵抗器Ａ８は、絶縁基板１０と、電極部２０と、抵抗体７０と、保護膜８０を有している。

ここで、絶縁基板１０の構成は、前記各チップ抵抗器Ａ１〜Ａ７における絶縁基板１０の構成と同様である。

また、電極部２０の構成も前記各チップ抵抗器の電極部２０の構成と略同様であるが、一対の上面電極においては、Ｘ１側の上面電極３０−１がＸ２側の上面電極３０−２よりも電極間方向（Ｘ１−Ｘ２方向）に短く形成されている。

また、一対の下面電極においては、Ｘ１側の下面電極４０−１がＸ２側の下面電極４０−２よりも電極間方向（Ｘ１−Ｘ２方向）に長く形成されている。さらに、一対の下面電極のうち長く形成されている下面電極４０−１は、電極間方向に上面電極３０−１よりも長く形成されていて、抵抗体７０の上面電極に積層していない領域の下側に位置するように設けられている。すなわち、下面電極４０−１のＸ２側の端部は、抵抗体７０の上面電極３０−１、３０−２に接していない領域のＸ２側の端部と一致している。これにより、抵抗体７０において上面電極３０−１、３０−２に接していない領域が高発熱部Ｈとなるが、絶縁基板１０の下面の高発熱部Ｈに対応する領域（つまり、高発熱部Ｈの下側の領域）には、下面電極４０−１が設けられていることになる。また、下面電極４０−２は、電極間方向に上面電極３０−２よりも短く形成されている。

なお、保護膜８０の構成は、前記チップ抵抗器Ａ７、Ａ８における保護膜８０と同様であり、少なくとも抵抗体７０の全体と上面電極３０−１、３０−２の一部を覆うように構成する。その際、上面電極３０−１、３０−２は、Ｙ１−Ｙ２方向においては完全に保護膜８０に覆われる。すなわち、本実施例のチップ抵抗器Ａ８の場合には、特に、上面電極３０−２のＸ１−Ｘ２方向の長さが比較的長くなるので、上面電極の露出を防止するために、上面電極３０−２をＹ１−Ｙ２方向においては完全に覆うとともに、Ｘ１−Ｘ２方向にもなるべく長く覆うようにする。

チップ抵抗器Ａ８は、前記のように構成されているので、抵抗体７０における上面電極３０−１、３０−２に接していない領域は高発熱部Ｈとなり、上面電極３０−１、３０−２の領域は低発熱部Ｌ１、Ｌ２となる。つまり、絶縁基板１０の下面において高発熱部Ｈに対応した領域（つまり、高発熱部Ｈの下側の領域）には下面電極４０−１が設けられているといえる。よって、前記絶縁基板１０における、前記抵抗体７０における上面電極３０−１、３０−２と接していない領域に対応する下面側の領域には、はんだ付け面（つまり、下面電極４０−１）が形成されているといえる。

なお、前記の説明では、抵抗体７０の上面電極３０−１、３０−２に積層していない領域に対応した領域に下面電極４０−１が形成されているとしたが、抵抗体７０の上面電極３０−１、３０−２に積層していない領域に対応した領域に下面電極部２２−１が形成されているとしてもよい。すなわち、下面電極部２２−１の端部（Ｘ２側の端部）が、横方向に、高発熱部ＨのＸ２側の端部と一致しているものとしてもよい。

チップ抵抗器Ａ８の製造方法は、チップ抵抗器Ａ１と略同様であるが、下面電極の形成に当たっては、下面電極４０−１を下面電極４０−２よりも長く形成し、上面電極の形成に当たっては、上面電極３０−２を上面電極３０−１よりも長く形成する。また、抵抗体７０の形成に当たっては、通常の抵抗体と同様に、抵抗体ペーストを印刷した後に乾燥、焼成して形成する。

本実施例のチップ抵抗器Ａ８の使用状態、作用、効果は、前記チップ抵抗器Ａ１〜Ａ７と同様であるので、詳しい説明を省略するが、チップ抵抗器Ａ８の使用に際して、一対の電極部２０間に電流が流れると、抵抗体７０に電流が流れるが、抵抗体７０における高発熱部Ｈから発生した熱は、下側に位置する下面電極部２２−１から放熱され、また、低発熱部Ｌ１、Ｌ２からの発熱は小さいので、効率的にチップ抵抗器を冷却することができる。また、上面電極３０−２が下面電極４０−２よりも長く形成されているので、上面電極３０−２の長さをある程度長く確保することにより、下面電極部２２−１と下面電極部２２−２との距離の長さを確保できるので、絶縁距離を十分確保でき、耐電圧を高くすることができる。

なお、前記各実施例においては、抵抗体７０は、上面電極３０、３０−１、３０−２（又は第２上面電極３２）との接続領域においては、抵抗体７０が上面電極３０、３０−１、３０−２（又は第２上面電極３２）の上面に積層しているものとして説明したが、上面電極３０、３０−１、３０−２（又は第２上面電極３２）との接続領域において、上面電極３０、３０−１、３０−２（又は第２上面電極３２）が抵抗体７０の上面に積層する構成としてもよい。

本発明のチップ抵抗器は、特に、高電力用のチップ抵抗器に利用可能である。

実施例１のチップ抵抗器を示す図であり、断面図と平面図と底面図を示す図である。 実施例１のチップ抵抗器の使用状態を示す断面図である。 実施例１の変形例としてのチップ抵抗器を示す図であり、断面図と平面図と底面図を示す図である。 実施例２のチップ抵抗器を示す図であり、断面図と平面図と底面図を示す図である。 実施例２のチップ抵抗器の平面図である。 実施例２のチップ抵抗器におけるトリミングの例を示す説明図である。 実施例３のチップ抵抗器を示す図であり、断面図と平面図と底面図を示す図である。 実施例４のチップ抵抗器を示す図であり、断面図と平面図と底面図を示す図である。 実施例５のチップ抵抗器を示す図であり、断面図と平面図と底面図を示す図である。 実施例６のチップ抵抗器を示す図であり、断面図と平面図と底面図を示す図である。 実施例７のチップ抵抗器を示す図であり、断面図と平面図と底面図を示す図である。 実施例８のチップ抵抗器を示す図であり、断面図と平面図と底面図を示す図である。 従来における高電圧用チップ抵抗器の構成を示す説明図である。

符号の説明

Ａ１、Ａ１’、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５、Ａ６、Ａ７、Ａ８ チップ抵抗器
１０ 絶縁基板
２０ 電極部
２２、２２−１、２２−２ 下面電極部
２４ 熱伝導部
３０、３０−１、３０−２ 上面電極
３２ 第２上面電極
４０、４０−１、４０−２ 下面電極
４２ 熱伝導膜
５０ 側面電極
６０ メッキ
７０ 抵抗体
７２、１７２、２７２、３７２、４７２ 第１抵抗体
７４、１７４、２７４、３７４、４７４ 第２抵抗体
８０ 保護膜
９０ 金属基板ベースプリント基板
１７６、２７６、３７６、４７６ 第３抵抗体
Ｈ１、Ｈ２、Ｈ 高発熱部
Ｌ、Ｌ１、Ｌ２ 低発熱部

Claims (9)

1. チップ抵抗器であって、
   絶縁基板と、
   前記絶縁基板に設けられた一対の電極部と、
   前記一対の電極部を接続するように設けられた抵抗体で、高発熱部と低発熱部とが直列接続して設けられ、前記高発熱部が前記低発熱部よりも前記電極部に近い側に設けられた抵抗体と、
   を有し、
   前記絶縁基板における、前記高発熱部の領域に対応する下面側の領域の少なくとも一部にまで前記電極部が形成されていることを特徴とするチップ抵抗器。
2. チップ抵抗器であって、
   絶縁基板と、
   前記絶縁基板に設けられた一対の電極部と、
   前記一対の電極部を接続するように設けられた抵抗体で、高発熱部と低発熱部とが直列接続して設けられた抵抗体と、
   を有し、
   前記絶縁基板における、前記高発熱部の領域に対応する下面側の領域の少なくとも一部には、はんだ付け面が形成されていることを特徴とするチップ抵抗器。
3. 前記高発熱部が前記低発熱部よりも前記上面電極側に設けられていることを特徴とする請求項２に記載のチップ抵抗器。
4. 前記はんだ付け面は、電極部の一部として形成されていることを特徴とする請求項２又は３に記載のチップ抵抗器。
5. 前記抵抗体における高発熱部は、抵抗体の一部を格子状に形成することにより形成されていることを特徴とする請求項１又は２又は３又は４に記載のチップ抵抗器。
6. 前記抵抗体における高発熱部は、抵抗体をスリット状に形成することにより形成されていることを特徴とする請求項１又は２又は３又は４又は５に記載のチップ抵抗器。
7. 前記抵抗体における高発熱部は、低発熱部よりも抵抗路の幅を狭くすることにより形成されていることを特徴とする請求項１又は２又は３又は４又は５又は６に記載のチップ抵抗器。
8. 前記高発熱部は、蛇行状に形成されていることを特徴とする請求項７に記載のチップ抵抗器。
9. チップ抵抗器であって、
   絶縁基板と、
   絶縁基板の下面に形成された一対の下面電極と、
   絶縁基板の上面に形成され、前記下面電極よりも長く形成された一対の上面電極と、
   上面電極間に形成された抵抗体と、
   前記上面電極の一部を被覆する保護膜と、
   を有し、
   前記保護膜の幅は前記上面電極の幅よりも大きく形成され、
   前記上面電極が低発熱部であり、前記抵抗体における上面電極間の領域が高発熱部であって、
   前記絶縁基板における、高発熱部の領域に対応する下面側の領域の少なくとも一部にははんだ付け面が形成されていることを特徴とするチップ抵抗器。
   

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