JP2007049452A - 撮像センサおよびそれを用いた撮像装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 熱平衡に達するまでの時間を短くすることができる撮像センサおよびそれを用いた撮像装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 読み出し回路として、増幅回路４１、４２と、サンプリングホールドＳＨおよびＡ／Ｄ変換器８とに区分して構成する。ＦＰＤ制御部５は、増幅回路４１、４２への電力（Ｐｏｗｅｒ１を参照）の連続的な供給の制御を行うとともに、サンプリングホールドＳＨおよびＡ／Ｄ変換器８への電力（Ｐｏｗｅｒ２を参照）の供給の一時的な停止の制御を行う。したがって、サンプリングホールドＳＨおよびＡ／Ｄ変換器８への電力の供給を開始したとしても、増幅回路４１、４２への電力の連続的な供給の分だけ、熱平衡に達するまでの時間を短くすることができる。
【選択図】 図４

Description

この発明は、医療分野、工業分野、さらには原子力分野などに用いられる撮像センサおよびそれを用いた撮像装置に関する。

検出された光または放射線に基づいて撮像を行う撮像装置は、光または放射線を検出する光または放射線検出器を備えている。Ｘ線検出器を例に採って説明する。Ｘ線検出器はＸ線感応型のＸ線変換層（半導体層）を備えており、Ｘ線の入射によりＸ線変換層はキャリア（電荷情報）に変換し、その変換されたキャリアを読み出すことでＸ線を検出する。Ｘ線変換層としては非晶質のアモルファスセレン（ａ−Ｓｅ）膜が用いられる（例えば、非特許文献１参照）。

被検体にＸ線を照射して放射線撮像を行う場合には、被検体を透過した放射線像がアモルファスセレン膜上に投影されて、像の濃淡に比例したキャリアが膜内に発生する。その後、膜内で生成されたキャリアが、２次元状に配列されたキャリア収集電極に収集されて、所定時間（『蓄積時間』とも呼ばれる）分だけ積分された後、薄膜トランジスタを経由して外部に読み出される。

このようなＸ線検出器の周辺には、薄膜トランジスタのスイッチングのＯＮ／ＯＦＦの切り換えを行うゲートドライバ回路や、キャリアを読み出すためのアンプアレイ回路といった周辺回路が配設されている。駆動回路はＸ線検出器に駆動信号を与えてＸ線検出器を駆動させ、キャリアの読み出しに関連する読み出し信号に基づいて、読み出されたキャリアをアンプアレイ回路が受け取る。これらの回路とＸ線検出器とを含めて撮像センサを構成している。

かかるアンプアレイ回路の概略ブロック図を図１３に示す。アンプアレイ回路は、図１３に示すように、初段の電荷感応型アンプ（CSA: Charge Sensitive Amplifier）ＣＳＡと、後段の電荷感応型メインアンプ（MA: Main Amplifier）ＭＡと、最終段のサンプリングホールドＳＨとを備えている（例えば、特許文献１参照）。

かかるアンプアレイ回路では回路から発生する発熱量が多い。かかる発熱を抑えるためには、例えば水冷装置などの周辺の冷却機構が大型化してしまう。そこで、アンプアレイ回路のような読み出し回路への電力の供給開始を撮像開始タイミング（例えば曝射要求後あるいは曝射完了後の読み出し時）に合わせて行うように制御する（例えば、特許文献２参照）。このように制御することで、撮像開始タイミング前に回路への電力の供給を停止して、その停止分だけ消費電力を抑えて発熱を抑えることができる。
特開２００４−２３７５０号公報（第７−９頁、図１） 特開２００２−１６５１４２号公報（第４，７−９頁、図４−７） W. Zhao, et al. , "A flat panel detector for digital radiology using active matrix readout of amorphous selenium," Proc. SPIE Vol. 2708, pp. 523 - 531, 1996.

しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、電力の供給が突然に開始されるので、供給開始から撮像センサ全体が熱平衡に達するまでに時間がかかり、アンプの出力オフセットのドリフトが大きくなってしまうという問題がある。アンプの出力オフセットが変動すると、放射線像に短冊状あるいはすじ状のアーティファクトが現れ、画像の品質を劣化させてしまう。

上述した特許文献２では、アンプアレイ回路（特許文献２では読み出し回路）は、電力供給（特許文献２では電源投入）直後であっても比較的安定に動作するとあるが、実際にはアンプアレイ回路においても熱平衡に達して安定するまでに多少の時間がかかることがわかった。

この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、熱平衡に達するまでの時間を短くすることができる撮像センサおよびそれを用いた撮像装置を提供することを目的とする。

この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１に記載の発明は、光または放射線の入射により前記光または放射線の情報を電荷情報に変換し、その変換された電荷情報を読み出すことで光または放射線を検出する光または放射線検出器と、前記電荷情報を読み出す読み出し手段と、前記読み出し手段に電力を供給する電源とを備えた撮像センサであって、前記電源から読み出し手段への電力の供給の制御を行う制御手段を備え、読み出し手段を第１読み出し部と第２読み出し部とに区分して構成し、前記制御手段は、前記第１読み出し部への電力の連続的な供給の制御を行うとともに、（Ａ）前記第２読み出し部への電力の供給の一時的な停止の制御、あるいは（Ｂ）第２読み出し部の読み出し時に供給される電力に対する第２読み出し部への電力の供給の一時的な低減の制御を行うことを特徴とするものである。

［作用・効果］請求項１に記載の発明によれば、電源から読み出し手段への電力の供給の制御を行う制御手段を備えている。読み出し手段を第１読み出し部と第２読み出し部とに区分して構成し、上述した制御手段は、第１読み出し部への電力の連続的な供給の制御を行うとともに、（Ａ）第２読み出し部への電力の供給の一時的な停止の制御、あるいは（Ｂ）第２読み出し部の読み出し時に供給される電力に対する第２読み出し部への電力の供給の一時的な低減の制御を行う。第２読み出し部への電力の供給を減らした分だけ消費電力を抑えることができ、一方、第１読み出し部には電力が連続的に供給され続ける。したがって、第２読み出し部への電力の供給を開始したとしても、第１読み出し部への電力の連続的な供給の分だけ、熱平衡に達するまでの時間を短くすることができる。

また、請求項２に記載の発明は、光または放射線の入射により前記光または放射線の情報を電荷情報に変換し、その変換された電荷情報を読み出すことで光または放射線を検出する光または放射線検出器と、前記電荷情報を読み出す読み出し手段と、前記読み出し手段に電力を供給する電源とを備えた撮像センサであって、前記電源から読み出し手段への電力の供給の制御を行う制御手段を備え、その制御手段は、読み出し時以外の期間において、（ａ）読み出し手段の全部もしくは一部への電力の供給と供給の停止とを所定周期ごとに切り換える制御、（ｂ）読み出し手段の全部もしくは一部への電力の供給を停止する制御、あるいは（ｃ）読み出し時の電力よりも低く設定した読み出し手段の全部もしくは一部への電力の供給の制御を、読み出し時および読み出し時以外からなる周期ごとに繰り返して行うことを特徴とするものである。

［作用・効果］請求項２に記載の発明によれば、電源から読み出し手段への電力の供給の制御を行う制御手段を備えている。その制御手段は、読み出し時以外の期間において、（ａ）読み出し手段の全部もしくは一部への電力の供給と供給の停止とを所定周期ごとに切り換える制御、（ｂ）読み出し手段の全部もしくは一部への電力の供給を停止する制御、あるいは（ｃ）読み出し時の電力よりも低く設定した読み出し手段の全部もしくは一部への電力の供給の制御を行う。読み出し時以外の期間の分だけ消費電力を抑えることができ、一方、読み出し時および読み出し時以外からなる周期ごとに上述した（ａ）〜（ｃ）のいずれかの制御を繰り返して行うので、複数回の周期から見れば、読み出し手段への電力の供給の停止が完全には行われずに電力が大局的には供給される。したがって、読み出し時において読み出し手段への電力の供給を開始したとしても、周期ごとの（ａ）〜（ｃ）のいずれかの制御を繰り返して行う分だけ熱平衡が大局的に維持されて、熱平衡に達するまでの時間を短くすることができる。

また、請求項３に記載の発明は、撮像センサを用いた撮像装置であって、前記装置は、前記撮像センサと、画像処理を行う画像処理手段とを備え、前記撮像センサは、光または放射線の入射により前記光または放射線の情報を電荷情報に変換し、その変換された電荷情報を読み出すことで光または放射線を検出する光または放射線検出器と、前記電荷情報を読み出す読み出し手段と、前記読み出し手段に電力を供給する電源とを備えるとともに、前記装置は、前記電源から読み出し手段への電力の供給の制御を行う制御手段を備え、読み出し手段を第１読み出し部と第２読み出し部とに区分して構成し、前記制御手段は、前記第１読み出し部への電力の連続的な供給の制御を行うとともに、（Ａ）前記第２読み出し部への電力の供給の一時的な停止の制御、あるいは（Ｂ）第２読み出し部の読み出し時に供給される電力に対する第２読み出し部への電力の供給の一時的な低減の制御を行うことを特徴とするものである。

［作用・効果］請求項３に記載の発明によれば、制御手段は、第１読み出し部への電力の連続的な供給の制御を行うとともに、（Ａ）第２読み出し部への電力の供給の一時的な停止の制御、あるいは（Ｂ）第２読み出し部の読み出し時に供給される電力に対する第２読み出し部への電力の供給の一時的な低減の制御を行うので、熱平衡に達するまでの時間を短くすることができる。そして、画像処理手段による画像処理の一連の処理で得られた画像の品質の劣化を防止することができる。

また、請求項４に記載の発明は、前記装置は、前記撮像センサと、画像処理を行う画像処理手段とを備え、前記撮像センサは、光または放射線の入射により前記光または放射線の情報を電荷情報に変換し、その変換された電荷情報を読み出すことで光または放射線を検出する光または放射線検出器と、前記電荷情報を読み出す読み出し手段と、前記読み出し手段に電力を供給する電源とを備えるとともに、前記装置は、前記電源から読み出し手段への電力の供給の制御を行う制御手段を備え、その制御手段は、読み出し時以外の期間において、（ａ）読み出し手段の全部もしくは一部への電力の供給と供給の停止とを所定周期ごとに切り換える制御、（ｂ）読み出し手段の全部もしくは一部への電力の供給を停止する制御、あるいは（ｃ）読み出し時の電力よりも低く設定した読み出し手段の全部もしくは一部への電力の供給の制御を、読み出し時および読み出し時以外からなる周期ごとに繰り返して行うことを特徴とするものである。

［作用・効果］請求項４に記載の発明によれば、制御手段は、読み出し時以外の期間において、（ａ）読み出し手段の全部もしくは一部への電力の供給と供給の停止とを所定周期ごとに切り換える制御、（ｂ）読み出し手段の全部もしくは一部への電力の供給を停止する制御、あるいは（ｃ）読み出し時の電力よりも低く設定した読み出し手段の全部もしくは一部への電力の供給の制御を行うので、熱平衡に達するまでの時間を短くすることができる。そして、画像処理手段による画像処理の一連の処理で得られた画像の品質の劣化を防止することができる。

撮像装置に係る各発明（請求項３または請求項４に記載の発明）において、制御手段を撮像センサの外部に備えてもよいし（請求項５に記載の発明）、制御手段を撮像センサの内部に備えてもよい（請求項６に記載の発明）。

この発明に係る撮像センサおよびそれを用いた撮像装置によれば、制御手段は、第１読み出し部への電力の連続的な供給の制御を行うとともに、（Ａ）第２読み出し部への電力の供給の一時的な停止の制御、あるいは（Ｂ）第２読み出し部の読み出し時に供給される電力に対する第２読み出し部への電力の供給の一時的な低減の制御を行う（請求項１，３に記載の発明）、もしくは制御手段は、（ａ）読み出し手段の全部もしくは一部への電力の供給と供給の停止とを所定周期ごとに切り換える制御、（ｂ）読み出し手段の全部もしくは一部への電力の供給を停止する制御、あるいは（ｃ）読み出し時の電力よりも低く設定した読み出し手段の全部もしくは一部への電力の供給の制御を行う（請求項２，４に記載の発明）ので、熱平衡に達するまでの時間を短くすることができる。

以下、図面を参照してこの発明の実施例を説明する。
図１は、実施例に係るＸ線透視撮影装置のブロック図であり、図２は、Ｘ線透視撮影装置に用いられている側面視したフラットパネル型Ｘ線検出器の等価回路であり、図３は、平面視したフラットパネル型Ｘ線検出器の等価回路であり、図４は、フラットパネル型Ｘ線検出器中のアンプアレイ回路のブロック図である。本実施例では、光または放射線検出器としてフラットパネル型Ｘ線検出器（以下、適宜「ＦＰＤ」という）を例に採るとともに、撮像装置としてＸ線透視撮影装置を例に採って説明する。

本実施例に係るＸ線透視撮影装置は、図１に示すように、被検体Ｍを載置する天板１と、その被検体Ｍに向けてＸ線を照射するＸ線管２と、被検体Ｍを透過したＸ線を検出するＦＰＤ３とを備えている。ＦＰＤ３は、この発明における放射線検出器に相当する。

Ｘ線透視撮影装置は、他に、天板１の昇降および水平移動を制御する天板制御部４や、ＦＰＤ３の走査を制御するＦＰＤ制御部５や、Ｘ線管２の管電圧や管電流を発生させる高電圧発生部６を有するＸ線管制御部７や、ＦＰＤ３から電荷信号であるＸ線検出信号をディジタル化して取り出すＡ／Ｄ変換器８や、Ａ／Ｄ変換器８から出力されたＸ線検出信号に基づいて種々の処理を行う画像処理部９や、これらの各構成部を統括するコントローラ１０や、処理された画像などを記憶するメモリ部１１や、オペレータが入力設定を行う入力部１２や、処理された画像などを表示するモニタ１３などを備えている。

天板制御部４は、天板１を水平移動させて被検体Ｍを撮像位置にまで収容したり、昇降、回転および水平移動させて被検体Ｍを所望の位置に設定したり、水平移動させながら撮像を行ったり、撮像終了後に水平移動させて撮像位置から退避させる制御などを行う。ＦＰＤ制御部５は、ＦＰＤ３を水平移動させたり、被検体Ｍの体軸の軸心周りに回転移動させることによる走査に関する制御などを行う。高電圧発生部６は、Ｘ線を照射させるための管電圧や管電流を発生してＸ線管２に与え、Ｘ線管制御部７は、Ｘ線管２を水平移動させたり、被検体Ｍの体軸の軸心周りに回転移動させるによる走査に関する制御や、Ｘ線管３側のコリメータ（図示省略）の照視野の設定の制御などを行う。なお、Ｘ線管２やＦＰＤ３の走査の際には、Ｘ線管２から照射されたＸ線をＦＰＤ３が検出できるようにＸ線管２およびＦＰＤ３が互いに対向しながらそれぞれの移動を行う。

コントローラ１０は、中央演算処理装置（ＣＰＵ）などで構成されており、メモリ部１１は、ＲＯＭ（Read-only Memory）やＲＡＭ（Random-Access Memory）などに代表される記憶媒体などで構成されている。また、入力部１２は、マウスやキーボードやジョイスティックやトラックボールやタッチパネルなどに代表されるポインティングデバイスで構成されている。Ｘ線透視撮影装置では、被検体Ｍを透過したＸ線をＦＰＤ３が検出して、検出されたＸ線に基づいて画像処理部９で画像処理を行うことで被検体Ｍの撮像を行う。画像処理部９は、この発明における画像処理手段に相当する。

本実施例では、ＦＰＤ制御部５は、後述する初段の電荷感応型アンプＣＳＡ用の増幅回路４１および後段の電荷感応型メインアンプＭＡ用の増幅回路４２への電力の連続的な供給の制御を行うとともに、後述するサンプリングホールドＳＨおよび上述したＡ／Ｄ変換器８への電力の供給の一時的な停止の制御を行う機能を備えている。また、サンプリングホールドＳＨおよびＡ／Ｄ変換器８への電力の供給の一時的な停止の制御では、読み出し時以外のブランキング期間において、サンプリングホールドＳＨおよびＡ／Ｄ変換器８への電力の供給と供給の停止とを所定周期ごとに切り換える制御（図６を参照）としている。なお、後述する変形例（６）のように、ブランキング期間において電力の供給を停止する制御でもよいし（図７を参照）。具体的なＦＰＤ制御部５の機能については後述する。また、ＦＰＤ３およびＦＰＤ制御部５で、この発明における撮像センサ（図３の撮像センサＳを参照）を構成する。ＦＰＤ制御部５は、この発明における制御手段に相当する。

ＦＰＤ３は、図２に示すように、Ｘ線などの放射線が入射することによりキャリアが生成される放射線感応型の半導体厚膜３１と、半導体厚膜３１の表面に設けられた電圧印加電極３２と、半導体厚膜３１の放射線入射側とは反対側にある裏面に設けられたキャリア収集電極３３と、キャリア収集電極３３への収集キャリアを溜める電荷蓄積用のコンデンサＣａと、コンデンサＣａに蓄積された電荷を取り出すための通常時ＯＦＦ（遮断）の電荷取り出し用のスイッチ素子である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）Ｔｒとを備えている。本実施例では、半導体厚膜３１は放射線の入射によりキャリアが生成される放射線感応型の物質、例えばアモルファスセレンで形成されているが、光の入射によりキャリアが生成される光感応型の物質であってもよい。

この他に、本実施例では、薄膜トランジスタＴｒのソースに接続されているデータ線３４と、薄膜トランジスタＴｒのゲートに接続されているゲート線３５とを備えており、電圧印加電極３２，半導体厚膜３１，キャリア収集電極３３，コンデンサＣａ，薄膜トランジスタＴｒ，データ線３４およびゲート線３５が絶縁基板３６の上に積層されて構成されている。

図２、図３に示すように、縦・横式２次元マトリックス状配列で多数個（例えば、1024個×1024個や4096×4096個）形成されたキャリア収集電極３３ごとに、上述した各々のコンデンサＣａおよび薄膜トランジスタＴｒがそれぞれ接続されており、それらキャリア収集電極３３，コンデンサＣａ，および薄膜トランジスタＴｒが各検出素子ＤＵとしてそれぞれ分離形成されている。また、電圧印加電極３２は、全検出素子ＤＵの共通電極として全面にわたって形成されている。また、上述したデータ線３４は、図３に示すように、横（Ｘ）方向に複数本に並列されているとともに、上述したゲート線３５は、図３に示すように、縦（Ｙ）方向に複数本に並列されており、各々のデータ線３４およびゲート線３５は各検出素子ＤＵに接続されている。また、データ線３４はアンプアレイ回路３７に接続されており、ゲート線３５はゲートドライバ回路３８に接続されている。なお、検出素子ＤＵの配列個数は上述の1024個×1024個や4096×4096個だけでなく、実施形態に応じて配列個数を変更して使用することができる。したがって、検出素子ＤＵが１個のみの形態であってもよい。

検出素子ＤＵは２次元マトリックス状配列で絶縁基板３６にパターン形成されており、検出素子ＤＵがパターン形成された絶縁基板３６は『アクティブ・マトリクス基板』とも呼ばれている。

また、ＦＰＤ３の検出素子ＤＵ周辺を作成する場合には、絶縁基板３６の表面に、各種真空蒸着法による薄膜形成技術やフォトリソグラフィ法によるパターン技術を利用して、データ線３４およびゲート線３５を配線し、薄膜トランジスタＴｒ，コンデンサＣａ，キャリア収集電極３３，半導体厚膜３１，電圧印加電極３２などを順に積層形成する。なお、半導体厚膜３１を形成する半導体については、アモルファス型の半導体や多結晶型の半導体などに例示されるように、用途や耐電圧などに応じて適宜選択することができる。

アンプアレイ回路３７は、ＦＰＤ３外のＡ／Ｄ変換器８を含めて、キャリアの読み出しに関連する読み出し信号に基づいて、キャリアを受け取る機能を備えている。Ａ／Ｄ変換器８およびアンプアレイ回路３７は、この発明における読み出し手段に相当する。なお、Ａ／Ｄ変換器８については、ＦＰＤ３の構成内に備えてもよい。これらのゲートドライバ回路３８やアンプアレイ回路３７やＡ／Ｄ変換器８は、ＦＰＤ３の周辺回路である。

この他に、ＦＰＤ３は電源３９を備えている。本実施例では、電源３９は、アンプアレイ回路３７やＡ／Ｄ変換器８などの読み出し回路に電力を供給する。この電源３９は、この発明における電源に相当する。なお、本実施例では、ゲートドライバ回路３８に電力を供給する電源（図示省略）は電源３９とは別に設けられている。

ＦＰＤ制御部５は、図３に示すように、ゲートドライバ回路３８やアンプアレイ回路３７やＡ／Ｄ変換器８に対して電気的に接続されているとともに、本実施例では電源３９にも電気的に接続されている。また、電源３９は、アンプアレイ回路３７やＡ／Ｄ変換器８に電力を供給するために、これらに対して電気的に接続されている。

従来では、ＦＰＤ制御部５は、電源３９に電気的に接続されていなかったが、本実施例では、ＦＰＤ制御部５を、電源３９にも電気的に接続することで、後述する図６の動作シーケンスのような電源３９から電力の供給の制御をＦＰＤ制御部５が行う。

上述したアンプアレイ回路３７は、図４に示すように、２段の増幅回路４１，４２およびサンプリングホールドＳＨからなり、キャリアの読み出し方向から見て上流側、すなわち初段の増幅回路４１は、初段の電荷感応型アンプ（CSA: Charge Sensitive Amplifier）ＣＳＡ用の回路であって、下流側すなわち後段の増幅回路４２は、後段の電荷感応型メインアンプ（MA: Main Amplifier）ＭＡ用の回路である。そして、キャリアの読み出し方向から見て上流側から順に、増幅回路４１，４２および最終段のサンプリングホールドＳＨを電気的に接続している。

初段の電荷感応型アンプＣＳＡおよび後段の電荷感応型メインアンプＭＡは、キャリアを電圧に変換して出力する。また、両アンプＣＳＡ，ＭＡの間には、初段の電荷感応型アンプＣＳＡの出力電圧Ｖ_OUTをキャリアに変換するコンデンサＣ_iを介在させ、コンデンサＣ_iによって変換された電荷を後段の電荷感応型メインアンプＭＡが再度に電圧に変換する。なお、両アンプＣＳＡ，ＭＡの入出力間で各アンプＣＳＡ，ＭＡに対して並列に電気的に接続されたコンデンサＣ_f，Ｃ_Fをそれぞれ備えている。コンデンサＣ_Fと後段の電荷感応型メインアンプＭＡとによって後段の増幅回路４２を構成する。

両アンプＣＳＡ，ＭＡは演算増幅器で構成されている。そして、正電源Ｖ_DDと負電源Ｖ_SSとによって給電され、演算増幅器の正転入力には基準電圧Ｖ_REFが入力されている。通常では、基準電圧Ｖ_REFは、正電源Ｖ_DDと負電源Ｖ_SSとの中間レベルに設定される。例えば、正電源Ｖ_DD＝５．０Ｖ、負電源Ｖ_SS＝−５．０Ｖならば、基準電圧Ｖ_REF＝０Ｖとなり、正電源Ｖ_DD＝５．０Ｖ、負電源Ｖ_SS＝０Ｖならば、基準電圧Ｖ_REF＝２．５Ｖとなる。

初段の電荷感応型アンプＣＳＡの場合には、アンプＣＳＡに入力されるキャリアをＱ_INとしたときには、アンプＣＳＡのアンプ出力は以下のような挙動を示す。すなわち、キャリアＱ_INがゼロの場合には、アンプ出力である出力電圧Ｖ_OUTは基準電圧Ｖ_REFと等しくなる。そして、キャリアＱ_INが正（Ｑ_IN＞０）の場合には、基準電圧Ｖ_REFを基準にして負電源Ｖ_SSに向かう方向（負の方向）に、キャリアＱ_INが負（Ｑ_IN＜０）の場合には、基準電圧Ｖ_REFを基準にして正電源Ｖ_DDに向かう方向（正の方向）にその出力がそれぞれ振れる。

また、両アンプＣＳＡ，ＭＡには、各アンプＣＳＡ，ＭＡに対して並列に電気的に接続されたコンデンサＣ_f，Ｃ_Fと同様に並列に電気的に接続された切り換えスイッチＳ_CSA，Ｓ_MAをそれぞれ有している。各切り換えスイッチＳ_CSA，Ｓ_MAをＯＮにすることで、コンデンサＣ_f，Ｃ_Fにそれぞれ蓄積されたキャリアを放電して、各切り換えスイッチＳ_CSA，Ｓ_MAをＯＦＦにすることでＯＦＦ移行後においてコンデンサＣ_f，Ｃ_Fにキャリアをそれぞれ蓄積する。

ＦＰＤ制御部５は、後述する図５のアンプアレイ回路３７の動作シーケンスにおける各信号のタイミングを制御するとともに、上述したように、後述する図６の動作シーケンスのような電源３９から電力の供給の制御を行う。例えば、上述した切り換えスイッチＳ_CSA，Ｓ_MAのＯＮ／ＯＦＦ（図５では『ＣＳＡ』や『ＭＡ』のＯＮ／ＯＦＦに相当）や、電源３９から各増幅回路４１，４２への電力の供給（図４、図６では『Ｐｏｗｅｒ１』に相当）のタイミングや電源３９からサンプリングホールドＳＨおよびＡ／Ｄ変換器８への電力の供給（図４、図６では『Ｐｏｗｅｒ２』に相当）のタイミングをＦＰＤ制御部５は制御する。

続いて、本実施例に係るＸ線透視撮影装置およびフラットパネル型Ｘ線検出器（ＦＰＤ）の作用について説明する。電圧印加電極３２に高電圧（例えば数１００Ｖ〜数１０ｋＶ程度）のバイアス電圧Ｖ_Aを印加した状態で、検出対象である放射線を入射させる。このバイアス電圧Ｖ_Aの印加の制御についてもＦＰＤ制御部５から行う。

放射線の入射によってキャリアが生成されて、そのキャリアが電荷情報として電荷蓄積用のコンデンサＣａに蓄積される。ゲートドライバ回路３８の信号取り出し用の走査信号（すなわちゲート駆動信号）によって、ゲート線３５が選択されて、さらに選択されたゲート線３５に接続されている検出素子ＤＵが選択指定される。その指定された検出素子ＤＵのコンデンサＣａに蓄積された電荷が、選択されたゲート線３５の信号によってＯＮ状態に移行した薄膜トランジスタＴｒを経由して、データ線３４に読み出される。

また、各検出素子ＤＵのアドレス（番地）指定は、データ線３４およびゲート線３５の信号取り出し用の走査信号（ゲート線３５の場合にはゲート駆動信号、データ線３４の場合にはアンプ駆動信号）に基づいて行われる。アンプアレイ回路３７やゲートドライバ回路３８に信号取り出し用の走査信号が送り込まれると、ゲートドライバ回路３８から縦（Ｙ）方向の走査信号（ゲート駆動信号）に従って各検出素子ＤＵが選択される。そして、横（Ｘ）方向の走査信号（アンプ駆動信号）に従ってアンプアレイ回路３７が切り換えられることによって、選択された検出素子ＤＵのコンデンサＣａに蓄積された電荷が、データ線３４を介してアンプアレイ回路３７に送り出される。そして、アンプアレイ回路３７で増幅されて、Ｘ線検出信号としてアンプアレイ回路３７から出力されてＡ／Ｄ変換器８に送り込まれる。なお、アンプアレイ回路３７の各アンプＣＳＡ，ＭＡによって、キャリアの形態から電圧の形態として変換されてＸ線検出信号は出力される。

上述の動作によって、例えばＸ線透視撮影装置の透視Ｘ線像の検出に本実施例に係るＦＰＤ３を備えた撮像センサＳを用いた場合、データ線３４を介して外部に読み出された電荷情報（Ｘ線検出信号）がアンプアレイ回路３７で電圧として増幅された状態で画像情報に変換されて、Ｘ線透視画像として出力される。

次に、アンプアレイ回路３７の動作シーケンスの一例について、図５を参照して説明する。図５は、実施例に係るアンプアレイ回路３７の動作シーケンスを示すタイミングチャートである。図５中の『ＣＳＡ』は初段の電荷感応型アンプＣＳＡに対して電気的に接続されたスイッチＳ_CSAのＯＮ（キャリア放電）またはＯＦＦ（キャリア蓄積）を示す。図５中の『ＭＡ』は後段の電荷感応型メインアンプＭＡに対して電気的に接続されたスイッチＳ_MAのＯＮ（キャリア放電）またはＯＦＦ（キャリア蓄積）を示す。図５中の『ＴＦＴ Ｇａｔｅ』は薄膜トランジスタＴｒのゲートのＯＮまたはＯＦＦを示す。図５中の『ＳＨ』はサンプリングホールドＳＨのＯＮまたはＯＦＦを示す。なお、『ＣＳＡ』や『ＭＡ』のＯＮから次回の『ＣＳＡ』や『ＭＡ』のＯＮまでの期間が、１本のデータ線３４の１ライン分の読み出し周期となり（図５中の読み出し周期Ｔ_Lを参照）、『ＴＦＴ Ｇａｔｅ』のＯＮ／ＯＦＦの切り換えの１回分で、実際の１本のデータ線３４の１ライン分の読み出し期間となる。

ＦＰＤ制御部５が各切り換えスイッチＳ_CSA，Ｓ_MAをＯＮ（図５中の『ＣＳＡ』、『ＭＡ』のＯＮを参照）にすると、コンデンサＣ_f，Ｃ_Fにそれぞれ蓄積されたキャリアを放電して、前回に蓄積されたキャリアについてリセットする。切り換えスイッチＳ_CSAを先にＯＦＦ（図５中の『ＣＳＡ』のＯＦＦを参照）にして、続いて切り換えスイッチＳ_MAをＯＦＦ（図５中の『ＭＡ』のＯＦＦを参照）にする。このＯＦＦへの移行で、ＯＦＦ移行後におけるコンデンサＣ_f，Ｃ_Fへのキャリアの蓄積のための準備段階となる。

ＦＰＤ制御部５が薄膜トランジスタＴｒのゲートをＯＮ（図５中の『ＴＦＴ Ｇａｔｅ』のＯＮを参照）にしている間に、１本のデータ線３４の１ライン分のキャリアを読み出して、アンプアレイ回路３７に送り込む。

ＦＰＤ制御部５が薄膜トランジスタＴｒのゲートをＯＦＦ（図５中の『ＴＦＴ Ｇａｔｅ』のＯＦＦを参照）にすると、基準電圧Ｖ_REFを基準にして初段の電荷感応型アンプＣＳＡの出力電圧Ｖ_OUTが振れる。

そして、得られたアンプＣＳＡの出力電圧Ｖ_OUTをコンデンサＣ_iはキャリアに変換し、その変換されたキャリアを後段の電荷感応型メインアンプＭＡは再度に電圧に変換する。このアンプＭＡはＸ線検出信号のデータとして出力電圧を出力する。ＦＰＤ制御部５がサンプリングホールドＳＨをＯＮ（図５中の『ＳＨ』のＯＮを参照）にすると、後段の電荷感応型メインアンプＭＡから出力されたデータをサンプリングして保持する。

次に、電源３９の動作シーケンスの一例について、図６を参照して説明する。図６は、実施例に係る電源３９の動作シーケンスを示すタイミングチャートである。図６中の『ＴＦＴ Ｇａｔｅ』は図５と同じく薄膜トランジスタＴｒのゲートのＯＮまたはＯＦＦを示す。図６中の『Ｐｏｗｅｒ１』は電源３９から各増幅回路４１，４２への電力の供給のタイミングを示す。図６中の『Ｐｏｗｅｒ２』は電源３９からサンプリングホールドＳＨおよびＡ／Ｄ変換器８への電力の供給のタイミングを示す。

なお、図６のシーケンスは、１フレームごとに関するもので、図５で述べた読み出し周期Ｔ_Lは、１フレームから見ると図６においては図示した関係になる。また、各ラインの読み出し以外を『ブランキング期間』としたときに、１フレーム内では、実際に読み出される読み出し期間とブランキング期間とに区分けされる。つまり、１フレーム分の周期は、読み出し期間およびブランキング期間からなる。読み出し期間は、この発明における読み出し時に相当し、ブランキング期間は、この発明における読み出し時以外の期間に相当する。

図６では、各フレーム分の時間長さ（フレーム周期）を同じ間隔で図示したが、各フレーム分の時間長さが可変になるようにしてもよい。例えば、１．０秒／フレームの周期を１００回繰り返して、その後に２．０秒／フレームの周期を１０回途中で挟み、１．０秒／フレームの周期にまた戻るようにしてもよい。なお、後述する熱平衡の観点からは図６に示すフレーム周期は常に一定であるのがより好ましい。

ここで、読み出し手段に相当するＡ／Ｄ変換器８およびアンプアレイ回路３７の中では、出力オフセットの変動に最も敏感な部分は両アンプＣＳＡ，ＭＡである。特に、後段の電荷感応型メインアンプＭＡは、通常２倍〜３０倍程度の増幅ステージでもあるので、それよりも後段のサンプリングホールドＳＨおよびＡ／Ｄ変換器８のオフセット変動は無視できるものとなる。

したがって、初段の電荷感応型アンプＣＳＡ用の回路である初段の増幅回路４１および後段の電荷感応型メインアンプＭＡ用の回路である後段の増幅回路４２のグループと、サンプリングホールドＳＨおよびＡ／Ｄ変換器８のグループとに区分して構成する。そして、ＦＰＤ制御部５は、前者のグループ（増幅回路４１，４２）への電力の連続的な供給の制御を行うとともに、後者のグループ（サンプリングホールドＳＨおよびＡ／Ｄ変換器８）への電力の供給の一時的な停止の制御を行う。前者のグループである増幅回路４１，４２は、この発明における第１読み出し部に相当し、後者のグループであるサンプリングホールドＳＨおよびＡ／Ｄ変換器８は、この発明における第２読み出し部に相当する。

また、サンプリングホールドＳＨおよびＡ／Ｄ変換器８への電力の供給の一時的な停止の制御では、ブランキング期間において、サンプリングホールドＳＨおよびＡ／Ｄ変換器８への電力の供給と供給の停止とを所定周期ごとに切り換える制御としている。かかる制御を、１フレーム分の周期ごとに繰り返して行う。

かかる制御を実現するために、前者のグループに供給する電力を上述した『Ｐｏｗｅｒ１』とするとともに、後者のグループに供給する電力を上述した『Ｐｏｗｅｒ２』として、図６のタイミングで制御する。『Ｐｏｗｅｒ１』では電力の連続的な供給の制御を行うために、常にＯＮとなっている。一方、『Ｐｏｗｅｒ２』では電力の供給の一時的な停止の制御を行うために、読み出し期間のみ常にＯＮになっている。さらに、『Ｐｏｗｅｒ２』ではブランキング期間において電力の供給と供給の停止とを所定周期ごとに切り換えるために、ＯＮ／ＯＦＦの切り換えを一定周期で行っている。

電力の供給の停止については、電源３９そのものを停止させるものであってもよいし、電源３９と各回路との給電経路をスイッチ等で遮断するものであってもよい。本実施例の場合には、増幅回路４１，４２への電力（Ｐｏｗｅｒ１）は常に供給されるので、電源３９そのものを停止させるよりも、電源３９・増幅回路４１，４２の給電経路と電源３９・サンプリングホールドＳＨおよびＡ／Ｄ変換器８の給電経路とを分けて、電源３９・サンプリングホールドＳＨおよびＡ／Ｄ変換器８の給電経路のみをスイッチ等で遮断する方が好ましい。また、『Ｐｏｗｅｒ２』ブランキング期間において電力の供給と供給の停止とを所定周期ごとに切り換えるために、電源３９・サンプリングホールドＳＨおよびＡ／Ｄ変換器８の給電経路をスイッチング電源・サンプリングホールドＳＨおよびＡ／Ｄ変換器８の給電経路に切り換えてもよい。スイッチング電源は、直流電圧を生成するものであって、ＤＣ−ＤＣコンバータなどが代表として挙げられる。スイッチング電源は基準クロックにしたがってＯＮ／ＯＦＦの切り換えを行うので、ＯＮ／ＯＦＦの切り換えを一定周期で行う『Ｐｏｗｅｒ２』に適している。

上述した本実施例に係る撮像センサＳによれば、増幅回路４１、４２と、サンプリングホールドＳＨおよびＡ／Ｄ変換器８とに区分して構成する。そして、ＦＰＤ制御部５は、増幅回路４１、４２への電力の連続的な供給の制御を行うとともに（図６の『Ｐｏｗｅｒ１』を参照）、サンプリングホールドＳＨおよびＡ／Ｄ変換器８への電力の供給の一時的な停止の制御を行う（図６の『Ｐｏｗｅｒ２』を参照）。サンプリングホールドＳＨおよびＡ／Ｄ変換器８への電力の供給を減らした分だけ消費電力を抑えることができ、一方、増幅回路４１、４２には電力が連続的に供給され続ける。したがって、サンプリングホールドＳＨおよびＡ／Ｄ変換器８への電力の供給を開始したとしても、増幅回路４１、４２への電力の連続的な供給の分だけ、熱平衡に達するまでの時間を短くすることができる。なお、この制御は、この発明における（Ａ）の制御にも相当する。

また、本実施例に係る撮像センサＳによれば、ＦＰＤ制御部５は、読み出し時以外の期間であるブランキング期間において、この発明における読み出し手段に相当するＡ／Ｄ変換器８およびアンプアレイ回路３７の一部であるサンプリングホールドＳＨおよびＡ／Ｄ変換器８への電力の供給と供給の停止とを所定周期ごとに切り換える制御を１フレーム分の周期ごとに行う（図６の『Ｐｏｗｅｒ２』を参照）。ブランキング期間の分だけ消費電力を抑えることができ、一方、１フレーム分の周期ごとに上述した制御を繰り返して行うので、複数フレーム分の周期から見れば、サンプリングホールドＳＨおよびＡ／Ｄ変換器８への電力の供給の停止が完全には行われずに電力が大局的には供給される。したがって、読み出し期間においてサンプリングホールドＳＨおよびＡ／Ｄ変換器８への電力の供給を開始したとしても、１フレーム分の周期ごとの上述した制御を繰り返して行う分だけ熱平衡が大局的に維持されて、熱平衡に達するまでの時間を短くすることができる。なお、この制御は、この発明における（ａ）の制御にも相当する。

また、撮像センサＳを備えたＸ線透視撮影装置によれば、ＦＰＤ制御部５は、増幅回路４１、４２への電力の連続的な供給の制御を行うとともに、サンプリングホールドＳＨおよびＡ／Ｄ変換器８への電力の供給の一時的な停止の制御を行い、さらにＦＰＤ制御部５は、ブランキング期間において、サンプリングホールドＳＨおよびＡ／Ｄ変換器８への電力の供給と供給の停止とを所定周期ごとに切り換える制御を行うので、熱平衡に達するまでの時間を短くすることができる。そして、画像処理部９による画像処理の一連の処理で得られた画像の品質の劣化を防止することができる。

なお、本実施例では、ＦＰＤ制御部５を撮像センサＳの内部に備えている。

この発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。

（１）上述した実施例では、図１に示すようなＸ線透視撮影装置を例に採って説明したが、この発明は、例えばＣ型アームに配設されたＸ線透視撮影装置にも適用してもよい。また、この発明は、Ｘ線ＣＴ装置にも適用してもよい。

（２）上述した実施例では、入射した放射線を半導体厚膜３１（半導体層）によって電荷情報に直接に変換した、「直接変換型」の放射線検出器をこの発明は適用したが、入射した放射線をシンチレータなどの変換層によって光に変換し、光感応型の物質で形成された半導体層によってその光を電荷情報に変換する「間接変換型」の放射線検出器をこの発明は適用してもよい。光感応型の半導体層については、フォトダイオードで形成してもよい。

（３）上述した実施例では、Ｘ線を検出するＸ線検出器を例に採って説明したが、この発明は、ＥＣＴ（Emission Computed Tomography）装置のように放射性同位元素（ＲＩ）を投与された被検体から放射されるγ線を検出するγ線検出器に例示されるように、放射線を検出する放射線検出器であれば特に限定されない。同様に、この発明は、上述したＥＣＴ装置に例示されるように、放射線を検出して撮像を行う装置であれば特に限定されない。

（４）上述した実施例では、Ｘ線などに代表される放射線検出器を例に採って説明したが、この発明は、光を検出する光検出器にも適用できる。したがって、光を検出して撮像を行う装置であれば特に限定されない。

（５）上述した実施例では、第２読み出し部に相当するサンプリングホールドＳＨおよびＡ／Ｄ変換器８への電力の供給の一時的な停止の制御を行うのに、読み出し時以外のブランキング期間において、その電力の供給と供給の停止とを所定周期ごとに切り換える制御としたが、図７に示すように、ブランキング期間において、電力の供給を停止し続けて（図７の『Ｐｏｗｅｒ２』の『ＯＦＦ』を参照）制御することで、サンプリングホールドＳＨおよびＡ／Ｄ変換器８への電力の供給の一時的な停止の制御を行ってもよい。この制御は、この発明における（ｂ）の制御にも相当する。

（６）上述した実施例では、第２読み出し部に相当するサンプリングホールドＳＨおよびＡ／Ｄ変換器８への電力の供給の一時的な停止の制御を行ったが、図８に示すように、サンプリングホールドＳＨおよびＡ／Ｄ変換器８の読み出し期間に供給される電力に対するサンプリングホールドＳＨおよびＡ／Ｄ変換器８への電力の供給の一時的な低減の制御を行うことで、熱平衡に達するまでの時間を短くしてもよい。この制御は、この発明における（Ｂ）の制御にも相当する。また、この制御については、読み出し期間よりも低く設定したサンプリングホールドＳＨおよびＡ／Ｄ変換器８への電力の供給の制御を１フレーム分の周期ごとに繰り返して行っていると見ることができる。したがって、この制御は、この発明における（ｃ）の制御にも相当する。

（７）上述した実施例では、第２読み出し部に相当するサンプリングホールドＳＨおよびＡ／Ｄ変換器８への電力の供給の一時的な停止の制御を行うのに、読み出し時（実施例では読み出し期間）において電力の連続的な供給を制御して、読み出し時以外の期間（実施例ではブランキング期間）において、その電力の供給と供給の停止とを所定周期ごとに切り換える制御を行ったが、第２読み出し部への電力の供給の一時的な停止のタイミングについては、実施例のようなブランキング期間に限定されない。例えば、図９に示すように、サンプリングホールドＳＨへの電力の供給については、サンプリングホールドＳＨが動作するタイミング（図９中の『ＳＨ』の『ＯＮ』を参照）のときのみにその電力の供給の制御を行い、それ以外の時間では読み出し期間をも含めて電力の供給の一時的な供給を制御してもよい。

（８）上述した変形例（６）（図８を参照）と変形例（７）（図９を参照）とを互いに組み合わせてもよい。例えば、図１０に示すように、第１読み出し部に相当する増幅回路４１、４２への電力（図１０中の『Ｐｏｗｅｒ１』を参照）よりも低く設定したサンプリングホールドＳＨおよびＡ／Ｄ変換器８への電力の供給については、変形例（６）のようなブランキング期間のみならず、読み出し期間においても、サンプリングホールドＳＨが動作するタイミング（図１０中の『ＳＨ』の『ＯＮ』を参照）以外の期間（図１０中の『ＳＨ』の『ＯＦＦ』を参照）で行ってもよい。そして、サンプリングホールドＳＨが動作するタイミングのときのみに第１読み出し部と同じ量の電力でサンプリングホールドＳＨおよびＡ／Ｄ変換器８への供給を行ってもよい。

（９）上述した実施例では、読み出し時以外の期間（実施例ではブランキング期間）において、読み出し手段の一部（実施例ではサンプリングホールドＳＨおよびＡ／Ｄ変換器８）への電力の供給と供給の停止とを所定周期ごとに切り換える制御を行ったが、図１１に示すように、読み出し手段の全部（実施例ではＡ／Ｄ変換器８およびアンプアレイ回路３７）への電力の供給と供給の停止とを所定周期ごとに切り換える制御を行ってもよい。この場合には、上述した実施例のように『Ｐｏｗｅｒ１』と『Ｐｏｗｅｒ２』とに分けずに電源３９全体から読み出し手段の全部に電力を供給するようにすればよい。したがって、電力の供給の停止については、実施例でも述べたように電源３９そのものを停止させるものであってもよい。もちろん、電源３９と各回路との給電経路をスイッチ等で遮断するものであってもよい。

（１０）上述した実施例では、読み出し時以外の期間（実施例ではブランキング期間）において、読み出し手段の一部（実施例ではサンプリングホールドＳＨおよびＡ／Ｄ変換器８）への電力の供給と供給の停止とを所定周期ごとに切り換える制御を１フレーム分の周期ごとに繰り返して行ったが、図１２に示すように、読み出し時（実施例では読み出し期間）の電力よりも低く設定した読み出し手段の全部（実施例ではＡ／Ｄ変換器８およびアンプアレイ回路３７）への電力の供給の制御を１フレーム分の周期ごとに繰り返して行ってもよい。このような制御を行うことで、熱平衡に達するまでの時間を短くすることができる。この他にも、ブランキング期間において読み出し手段の全部への電力の供給を停止する制御を１フレーム分の周期ごとに繰り返して行ってもよい。

（１１）上述した実施例では、第１読み出し部（実施例では増幅回路４１、４２）と第２読み出し部（実施例ではサンプリングホールドＳＨおよびＡ／Ｄ変換器８）とを区分するのに、増幅回路４１、４２とサンプリングホールドＳＨおよびＡ／Ｄ変換器８とで区分したが、これに限定されない。上述したように増幅回路４２の電荷感応型メインアンプＭＡは、通常２倍〜３０倍程度の増幅ステージであって、主体となるアンプである。これに対して増幅回路４１の電荷感応型アンプＣＳＡでは増幅率が電荷感応型メインアンプＭＡよりも低いので、後段の電荷感応型メインアンプＭＡと比較すると初段の電荷感応型アンプＣＳＡの方がオフセット変動は無視できるものとなる。そこで、第１読み出し部を増幅回路４２のみとするとともに、第２読み出し部をサンプリングホールドＳＨ、Ａ／Ｄ変換器８、さらに増幅回路４１として、増幅回路４２とサンプリングホールドＳＨ・Ａ／Ｄ変換器８・増幅回路４１とで区分してもよい。

（１２）上述した変形例（６）、（８）、（１０）のように低電力、すなわち消費電力モードでは、低電力の対象である回路自身が低消費電力モードに移行する機能を備えてもよい。

（１３）上述した実施例において図６のシーケンスでＸ線が入射していない期間（例えば図６では読み出し期間）で、オフセット出力を随時取得して、そのオフセット出力に基づいて、ＦＰＤ３で検出されたディジタル化された電荷信号のデータに対してオフセット補正を行ってもよい。

（１４）上述した実施例では、ＦＰＤ制御部５を撮像センサＳの内部に備えたが、ＦＰＤ制御部５を撮像センサＳの外部に備えてもよい。

実施例に係るＸ線透視撮影装置のブロック図である。 Ｘ線透視撮影装置に用いられている側面視したフラットパネル型Ｘ線検出器の等価回路である。 平面視したフラットパネル型Ｘ線検出器の等価回路である。 実施例に係るフラットパネル型Ｘ線検出器中のアンプアレイ回路のブロック図である。 実施例に係るアンプアレイ回路の動作シーケンスを示すタイミングチャートである。 実施例に係る電源の動作シーケンスを示すタイミングチャートである。 変形例に係る電源の動作シーケンスを示すタイミングチャートである。 さらなる変形例に係る電源の動作シーケンスを示すタイミングチャートである。 さらなる変形例に係る電源の動作シーケンスを示すタイミングチャートである。 さらなる変形例に係る電源の動作シーケンスを示すタイミングチャートである。 さらなる変形例に係る電源の動作シーケンスを示すタイミングチャートである。 さらなる変形例に係る電源の動作シーケンスを示すタイミングチャートである。 従来のフラットパネル型Ｘ線検出器中のアンプアレイ回路のブロック図である。

符号の説明

３ … フラットパネル型Ｘ線検出器（ＦＰＤ）
５ … ＦＰＤ制御部
８ … Ａ／Ｄ変換器
９ … 画像処理部
３７ … アンプアレイ回路
３９ … 電源
４１，４２ … 増幅回路
ＣＳＡ … （初段の）電荷感応型アンプ
ＭＡ … （後段の）電荷感応型メインアンプ
ＳＨ … サンプリングホールド
Ｓ … 撮像センサ

Claims (6)

1. 光または放射線の入射により前記光または放射線の情報を電荷情報に変換し、その変換された電荷情報を読み出すことで光または放射線を検出する光または放射線検出器と、前記電荷情報を読み出す読み出し手段と、前記読み出し手段に電力を供給する電源とを備えた撮像センサであって、前記電源から読み出し手段への電力の供給の制御を行う制御手段を備え、読み出し手段を第１読み出し部と第２読み出し部とに区分して構成し、前記制御手段は、前記第１読み出し部への電力の連続的な供給の制御を行うとともに、（Ａ）前記第２読み出し部への電力の供給の一時的な停止の制御、あるいは（Ｂ）第２読み出し部の読み出し時に供給される電力に対する第２読み出し部への電力の供給の一時的な低減の制御を行うことを特徴とする撮像センサ。
2. 光または放射線の入射により前記光または放射線の情報を電荷情報に変換し、その変換された電荷情報を読み出すことで光または放射線を検出する光または放射線検出器と、前記電荷情報を読み出す読み出し手段と、前記読み出し手段に電力を供給する電源とを備えた撮像センサであって、前記電源から読み出し手段への電力の供給の制御を行う制御手段を備え、その制御手段は、読み出し時以外の期間において、（ａ）読み出し手段の全部もしくは一部への電力の供給と供給の停止とを所定周期ごとに切り換える制御、（ｂ）読み出し手段の全部もしくは一部への電力の供給を停止する制御、あるいは（ｃ）読み出し時の電力よりも低く設定した読み出し手段の全部もしくは一部への電力の供給の制御を、読み出し時および読み出し時以外からなる周期ごとに繰り返して行うことを特徴とする撮像センサ。
3. 撮像センサを用いた撮像装置であって、前記装置は、前記撮像センサと、画像処理を行う画像処理手段とを備え、前記撮像センサは、光または放射線の入射により前記光または放射線の情報を電荷情報に変換し、その変換された電荷情報を読み出すことで光または放射線を検出する光または放射線検出器と、前記電荷情報を読み出す読み出し手段と、前記読み出し手段に電力を供給する電源とを備えるとともに、前記装置は、前記電源から読み出し手段への電力の供給の制御を行う制御手段を備え、読み出し手段を第１読み出し部と第２読み出し部とに区分して構成し、前記制御手段は、前記第１読み出し部への電力の連続的な供給の制御を行うとともに、（Ａ）前記第２読み出し部への電力の供給の一時的な停止の制御、あるいは（Ｂ）第２読み出し部の読み出し時に供給される電力に対する第２読み出し部への電力の供給の一時的な低減の制御を行うことを特徴とする撮像装置。
4. 撮像センサを用いた撮像装置であって、前記装置は、前記撮像センサと、画像処理を行う画像処理手段とを備え、前記撮像センサは、光または放射線の入射により前記光または放射線の情報を電荷情報に変換し、その変換された電荷情報を読み出すことで光または放射線を検出する光または放射線検出器と、前記電荷情報を読み出す読み出し手段と、前記読み出し手段に電力を供給する電源とを備えるとともに、前記装置は、前記電源から読み出し手段への電力の供給の制御を行う制御手段を備え、その制御手段は、読み出し時以外の期間において、（ａ）読み出し手段の全部もしくは一部への電力の供給と供給の停止とを所定周期ごとに切り換える制御、（ｂ）読み出し手段の全部もしくは一部への電力の供給を停止する制御、あるいは（ｃ）読み出し時の電力よりも低く設定した読み出し手段の全部もしくは一部への電力の供給の制御を、読み出し時および読み出し時以外からなる周期ごとに繰り返して行うことを特徴とする撮像装置。
5. 請求項３または請求項４に記載の撮像装置において、前記制御手段を前記撮像センサの外部に備えることを特徴とする撮像装置。
6. 請求項３または請求項４に記載の撮像装置において、前記制御手段を前記撮像センサの内部に備えることを特徴とする撮像装置。
   

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