JP2006304206A - 弾性表面波素子及び複合圧電チップ並びにその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】生産性が高く、周波数温度特性改善効果が高い弾性表面波素子及び複合圧電チップ並びにその製造方法を提供する。
【解決手段】圧電基板上に弾性表面波を励振・検出する電極が形成された弾性表面波素子であって、少なくとも、圧電基板と支持基板とを貼り合わせた複合圧電基板をチップ形状に加工した複合圧電チップと、該複合圧電チップをバンプを介してフリップチップボンディングによって実装する実装基板とを具備し、前記圧電基板表面の特定方向の膨張係数αｃ（ｐｐｍ／℃）と、前記実装基板の膨張係数αｓ（ｐｐｍ／℃）とが、αｓ＜αｃ＜αｓ＋６なる関係を満たすように実装されたものであることを特徴とする弾性表面波素子。
【選択図】図１

Description

本発明は、弾性表面波素子及び弾性表面波素子等に用いられる複合圧電チップ並びにその製造方法に関するものである。

携帯電話等の高周波通信において周波数選択用の部品として、例えば圧電基板上に弾性表面波を励起するための櫛形電極が形成された弾性表面波（Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ、ＳＡＷ）素子が用いられる。これに用いられる圧電基板材料は、電気信号から機械的振動への変換効率（以下電気機械結合係数と記す）が大きいこと、また櫛形電極の電極間隔と弾性波の音速により決まるフィルタ等の中心周波数が温度により変動しないことが求められる（以下、周波数温度特性と記す）。
すなわち、大きな電気機械結合係数と小さな周波数温度係数を兼ね備えた圧電基板が有れば好ましい。
こうした特性を実現する圧電基板の一例として、圧電基板と他の基板を接合した複合圧電基板がある。

このような複合圧電基板の一例として、圧電材料の表面に弾性波を励振・検出するための電極が設けられており、前記圧電材料裏面に複合積層体を接合したことを特徴とする温度安定化表面波装置が開示されている。この表面波装置は、制御された応力変化を前記圧電材料に誘起させることにより、前記圧電材料において温度補正がなされるというものである（特許文献１参照）。
この例では、「複合積層体にＬｉＮｂＯ_３（ニオブ酸リチウム）基板を強固に結合することにより、前述したように基板上に圧縮力が生じ、この圧縮力は温度が増大するに従って増大する。かくして、遅延時間およびフィルタ中心周波数に対する温度の影響を補正する手段を得ることができる。」とされている。これは、支持基板となる複合積層体の膨張係数は圧電材料であるＬｉＮｂＯ_３基板の弾性表面波伝播方向のそれよりも小さいことを意味し、これにより温度変化に応じて圧電基板に応力が発生してＳＡＷデバイスの遅延時間およびフィルタ中心周波数に対する温度の影響を補正できるということを意味する。

また、接着剤を使用して剛板と圧電板とを貼り合せて一体の基板とし、前記圧電板表面に電極を設けた機能素子を、パッケージに収納した電気部品が開示されている（特許文献２参照）。
すなわち、圧電材料とこれより小さな膨張係数を有する基板とを貼り合せた複合圧電基板を用いた弾性表面波素子は周波数温度特性が改善されること、接着剤を用いて剛板と圧電板を貼り合せて一体の基板とすることは公知の技術である。

また、圧電性基板と、該圧電性基板上にそれぞれ形成された、複数の電極指およびこれら電極指を共通に接続するバスバーを有するインタディジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）ならびにバンプとを備える、弾性表面波素子が、前記バンプを介したフリップチップボンディングによって実装基板上に実装された、弾性表面波素子の実装構造であって、前記実装基板は、前記圧電性基板より小さい線膨張係数を有し、かつ、前記バンプは、温度変化による前記圧電性基板の熱膨張および熱収縮が前記実装基板によって抑えられるように配置されていることを特徴とする、弾性表面波素子の実装構造が開示されている（特許文献３参照）。
この例の実施例においては、圧電体としてＬｉＴａＯ_３（膨張係数１６ｐｐｍ／℃）、実装基材としてアルミナ（膨張係数７ｐｐｍ／℃）を使用しバンプを介してフリップチップボンディングによって実装基板上に実装された弾性表面波フィルタが、動作周波数１．９ＧＨｚにおいて温度による周波数変動が−１１ｋＨｚ／℃だけ改善されたことが開示されている。
この改善効果は、温度係数にして約６ｐｐｍ／℃だけ改善されるものであり好ましいとされる。

一方、非特許文献１では、圧電体として４８°回転ＹカットＬｉＴａＯ_３を用い、この圧電体にその支持基板であるＳｉ基板がＳｉＯ_２層を介して直接接合された複合圧電基板を用いた弾性表面波デバイスが開示されている。この弾性表面波デバイスの動作周波数の温度特性は、複合圧電チップをボンディングワイヤー法で接続すると動作周波数の温度特性が−１２ｐｐｍ／℃であるのに対し、フリップチップボンディング法では−２２ｐｐｍ／℃（乃至−３５ｐｐｍ／℃）と温度特性が劣化してしまうことが記載されている。

特開昭５１−２５９５１号公報 特開平０２−６２１０８号公報 特開２００３−３２４３３４号公報 B.P.Abbot, J.Caron, J.Chocola, K.Lin , S.Malocha , N.Naumenko and P.Welsh, "Advances in Rf SAW Substrates",2nd International Symposium on Acoustic Wave Devices for Future Mobile Communication Systems,pp.233-243,2003

本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、生産性が高く、周波数温度特性改善効果が高い弾性表面波素子及び複合圧電チップ並びにその製造方法を提供することにある。

上記課題を解決するために、本発明は、圧電基板上に弾性表面波を励振・検出する電極が形成された弾性表面波素子であって、少なくとも、圧電基板と支持基板とを貼り合わせた複合圧電基板をチップ形状に加工した複合圧電チップと、該複合圧電チップをバンプを介してフリップチップボンディングによって実装する実装基板とを具備し、前記圧電基板表面の特定方向の膨張係数αｃ（ｐｐｍ／℃）と、前記実装基板の膨張係数αｓ（ｐｐｍ／℃）とが、
αｓ＜αｃ＜αｓ＋６
なる関係を満たすように実装されたものであることを特徴とする弾性表面波素子を提供する（請求項１）。

このように、圧電基板と支持基板とを貼り合わせた複合圧電基板をチップ形状に加工した複合圧電チップと、該複合圧電チップをバンプを介してフリップチップボンディングによって実装する実装基板とを具備し、圧電基板表面の特定方向の膨張係数αｃと実装基板の膨張係数αｓとが上記関係を満たすように実装されたものであれば、生産性が高く、周波数温度特性改善効果が高い弾性表面波素子とできる。

この場合、前記特定方向は、前記電極により励振される弾性表面波の伝播方向から±０．５度以内のものであることが好ましい（請求項２）。
このように、前記特定方向が弾性表面波の伝播方向から±０．５度以内のものであれば、周波数温度特性改善効果を確実に得ることができ、また弾性表面波の伝播ロスが少なくなり、挿入損失の少ない弾性表面波素子とできる。

また、前記実装基板は、アルミナ又は低膨張セラミックからなるものであることが好ましい（請求項３）。
このように、実装基板がアルミナ又は低膨張セラミックからなるものであれば、圧電基板の厚み等を調整することにより、複合圧電チップが膨張係数αｃとαｓとが上記関係を満たすように実装された弾性表面波素子とできる。

また、前記圧電基板は、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、ホウ酸リチウムのいずれか１つからなるものであることが好ましい（請求項４）。
このように、圧電基板が上記の電気機械結合係数が大きい結晶材料からなるものであれば、周波数選択フィルタとしての帯域幅が広く、挿入損失が小さい弾性表面波素子となる。

また、本発明は、圧電基板と支持基板とを貼り合わせた複合圧電基板をチップ形状に加工した複合圧電チップであって、該複合圧電チップは前記圧電基板上に弾性表面波を励振・検出する電極が形成され、かつバンプを介してフリップチップボンディングによって実装基板に実装されるものであり、前記圧電基板表面の特定方向の膨張係数αｃ（ｐｐｍ／℃）が、前記実装基板の膨張係数αｓ（ｐｐｍ／℃）と、
αｓ＜αｃ＜αｓ＋６
なる関係を満たすように実装されるものであることを特徴とする複合圧電チップを提供する（請求項５）。

このように、圧電基板と支持基板とを貼り合わせた複合圧電基板をチップ形状に加工した複合圧電チップであって、圧電基板上に弾性表面波を励振・検出する電極が形成され、かつバンプを介してフリップチップボンディングによって実装基板に実装されるものであり、さらに圧電基板表面の特定方向の膨張係数αｃが実装基板の膨張係数αｓと上記関係を満たすように実装されるものであれば、生産性が高く、周波数温度特性改善効果が高い弾性表面波素子を作製できる複合圧電チップとできる。

この場合、前記特定方向は、前記電極により励振される弾性表面波の伝播方向から±０．５度以内のものであることが好ましい（請求項６）。
このように、特定方向が弾性表面波の伝播方向から±０．５度以内のものであれば、周波数温度特性改善効果を確実に得ることができ、また弾性表面波の伝播ロスが少なくなり、挿入損失の少ない弾性表面波素子を作製できる複合圧電チップとできる。

また、前記実装基板は、アルミナ又は低膨張セラミックからなるものであることが好ましい（請求項７）。
このように、複合圧電基板が実装される実装基板がアルミナ又は低膨張セラミックからなるものであれば、圧電基板の厚み等を調整することにより、膨張係数αｃとαｓとが上記関係を満たすように実装することが可能な複合圧電チップとできる。

また、前記圧電基板は、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、ホウ酸リチウムのいずれか１つからなるものであることが好ましい（請求項８）。
このように、圧電基板が上記の電気機械結合係数が大きい結晶材料からなるものであれば、周波数選択フィルタとしての帯域幅が広く、挿入損失が小さい弾性表面波素子を作製できる複合圧電チップとできる。

また、本発明は、弾性表面波素子の製造方法であって、少なくとも、圧電基板と支持基板とを貼り合わせた複合圧電基板をチップ形状に加工した複合圧電チップの該圧電基板上に弾性表面波を励振・検出する電極を形成し、該複合圧電チップをバンプを介してフリップチップボンディングによって実装基板に実装する際に、前記圧電基板表面の特定方向の膨張係数αｃ（ｐｐｍ／℃）と、前記実装基板の膨張係数αｓ（ｐｐｍ／℃）とが、
αｓ＜αｃ＜αｓ＋６
なる関係を満たすように実装することを特徴とする弾性表面波素子の製造方法を提供する（請求項９）。

このように、圧電基板と支持基板とを貼り合わせた複合圧電基板をチップ形状に加工した複合圧電チップの圧電基板上に弾性表面波を励振・検出する電極を形成し、該複合圧電チップをバンプを介してフリップチップボンディングによって実装基板に実装する際に、圧電基板表面の特定方向の膨張係数αｃ（ｐｐｍ／℃）と、前記実装基板の膨張係数αｓ（ｐｐｍ／℃）とが上記関係を満たすように実装すれば、周波数温度特性改善効果が高い弾性表面波素子を高生産性で製造できる。

本発明に従う弾性表面波素子であって、圧電基板と支持基板とを貼り合わせた複合圧電基板をチップ形状に加工した複合圧電チップと、複合圧電チップをバンプを介してフリップチップボンディングによって実装する実装基板とを具備し、圧電基板表面の特定方向の膨張係数αｃと実装基板の膨張係数αｓとがαｓ＜αｃ＜αｓ＋６なる関係を満たすように実装された弾性表面波素子であれば、生産性が高く、周波数温度特性改善効果が高い弾性表面波素子とできる。

また本発明に従う複合圧電チップであって、圧電基板上に弾性表面波を励振・検出する電極が形成され、かつバンプを介してフリップチップボンディングによって実装基板に実装されるものであり、圧電基板表面の特定方向の膨張係数αｃが実装基板の膨張係数αｓと上記関係を満たすように実装されるものであれば、生産性が高く、周波数温度特性改善効果が高い弾性表面波素子を作製できる複合圧電チップとできる。

さらに本発明に従い、圧電基板と支持基板とを貼り合わせた複合圧電基板をチップ形状に加工した複合圧電チップの圧電基板上に弾性表面波を励振・検出する電極を形成し、該複合圧電チップをバンプを介してフリップチップボンディングによって実装基板に実装する際に、圧電基板表面の特定方向の膨張係数αｃ（ｐｐｍ／℃）と、前記実装基板の膨張係数αｓ（ｐｐｍ／℃）とが上記関係を満たすように実装すれば、周波数温度特性改善効果が高い弾性表面波素子を高生産性で製造できる。

以下では、本発明の実施形態について具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
図１は本発明に係る弾性表面波素子の実施形態の一例を示す断面概略図である。
この弾性表面波素子１０は、少なくとも、圧電基板２と支持基板３とを貼り合わせた複合圧電基板をチップ形状に加工した複合圧電チップ１と、複合圧電チップ１をバンプ７を介してフリップチップボンディングによって実装する実装基板８とを具備する。また、圧電基板１上に弾性表面波を励振・検出する電極９が形成されたものである。
そして、圧電基板１の表面の特定方向の膨張係数αｃ（ｐｐｍ／℃）と、実装基板の膨張係数αｓ（ｐｐｍ／℃）とが、αｓ＜αｃ＜αｓ＋６なる関係を満たすように実装されたものであることを特徴とする。

弾性表面波素子１０は、このような構成を有することにより、生産性が高く、周波数温度特性改善効果が高いものとできる。
すなわち、本発明のようにフリップチップボンディングにより複合圧電基板を実装した弾性表面波素子は、例えばチップアンドワイヤー法により実装した場合に比べて、周波数温度係数が数ｐｐｍ／℃〜１０数ｐｐｍ／℃程度改善するだけでなく、フリップチップボンディングにより実装するので、生産性を高くできる。

また、αｃがαｓよりも小さい場合は、非特許文献１と同様に、フリップチップボンディングにより実装した場合の周波数温度特性がチップアンドワイヤー法により実装した場合に比べ劣化してしまうという結果をもたらし、周波数温度特性改善効果と高生産性の両方を達成することができない。また、αｃがαｓ＋６（ｐｐｍ／℃）より大きな場合は、周波数温度係数の改善効果は小さい。すなわち、αｓ＜αｃ＜αｓ＋６なる関係を満たすように実装することにより、高い周波数改善効果と高生産性の両方を達成できる。膨張係数が上記関係を満たすようにするには、例えば圧電基板の厚み、圧電基板と支持基板とを接着する接着層の厚み、チップサイズ等を調整して実装すればよい。

また、前記特定方向が弾性表面波の伝播方向から±０．５度以内のものであれば、膨張係数の影響は弾性表面波の伝播方向において最も顕著に現れるから、周波数温度特性改善効果を確実に得ることができる。また弾性表面波の伝播ロスが少なくなり、挿入損失の少ない弾性表面波素子とできる。

以下、弾性表面波素子１０について具体的に説明する。
複合圧電チップ１は、圧電基板２と支持基板３とを貼り合わせた複合圧電基板をチップ形状に加工したものであって、圧電基板２上に弾性表面波を励振・検出する電極９が形成され、かつバンプを介してフリップチップボンディングによって実装基板に実装されるものであり、圧電基板表面の特定方向の膨張係数αｃ（ｐｐｍ／℃）が、実装基板の膨張係数αｓ（ｐｐｍ／℃）とαｓ＜αｃ＜αｓ＋６なる関係を満たすように実装されるものであることを特徴とする。
複合圧電チップ１は、このような構成を有することにより、生産性が高く、周波数温度特性改善効果が高い弾性表面波素子を作製できる複合圧電チップとできる。

また、複合圧電チップ１は、圧電基板２とこれよりも小さい膨張係数を有する支持基板３とを直接又は接着層４を介して貼り合せた複合圧電基板をチップ形状に加工して形成したものであってもよい。
このような構成であれば、温度変化に応じて圧電基板２に応力が発生し、膨張係数αｃとαｓとが上記関係を満たすことによる効果に加えて、より周波数温度特性を改善することができる。また、接着層４を介して貼り合わせたものであれば、比較的安価なものとできる。このような複合圧電チップ１は、例えば圧電基板２及び支持基板３の一方又は両方に接着剤を塗布し、真空下で貼り合わせ強固に接合することにより作製することができる。このとき、接着面に異物が混入しないように貼り合わせ前に各基板の表面を洗浄することが好ましく、また、表面をアンモニア−過酸化水素水溶液等で親水化処理をしたり、またはプラズマ処理をしたり基板を１００℃に加熱し波長２００ｎｍ以下の短波ＵＶ光及び高濃度オゾンにより前処理することにより接着力を高めてもよい。
複合圧電チップの元材である複合圧電基板の大きさは特に限られず、例えば直径１００ｍｍのものとできるがそれ以上でもそれ以下でもよい。

また、圧電基板２は、厚さが５〜１００μｍであって、圧電基板２の接着面５が粗面に加工されたものであることが好ましい。接着面５が粗面に加工されたものであれば、バルク波の裏面反射が抑制され、圧電基板の接着力をより高めることができる。また圧電基板２の厚さが５〜１００μｍ、特に好ましくは１５〜３０μｍであれば、加熱による反りが少なく割れのないものとなるので好ましい。圧電基板２の厚さが５μｍより薄いと、例えば研削、ラップ工程等により生じる加工歪みが圧電基板内部に残存した場合に、圧電基板２を所望の厚さに加工する際にクラックが生じることがある。また、１００μｍより厚いと、複合圧電チップ１を２５０℃程度に加熱した場合に、圧電基板２が割れてしまうことがある。圧電基板２の厚さを上記範囲内の所望の値とするには、例えば複合圧電基板を形成後、圧電基板を研削、ラップ、ポリッシュ（研磨）加工すればよい。

また、圧電基板２は、水晶等圧電性結晶材料からなるものであればいずれのものでもよいが、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、ホウ酸リチウムのいずれか１つからなるものであれば、これらは電気機械結合係数が大きい結晶材料なので、周波数選択フィルタとしての帯域幅が広く、挿入損失が小さい弾性表面波素子とでき、またこのような弾性表面波素子を作製できる複合圧電チップとできる。これらの圧電結晶材料からなる圧電基板は、例えばチョクラルスキー法でこれらの単結晶棒を育成し、これを所望の厚さにスライスすることによって高品質なものが得られる。
また、基板方位についても、３６°回転Ｙカット、４１°回転Ｙカット、４５°回転Ｙカット等、圧電性結晶材料の種類や弾性表面波素子の用途、所望特性等に応じて適宜選択することができる。

また、支持基板３は、例えば合成石英からなるものでもよいが、Ｓｉからなるものであって、好ましくは支持基板３の両表面層が０．１〜２０μｍの厚さで酸化され、Ｓｉ酸化膜６が形成されたものでもよい。
このように、支持基板３が半導体デバイス作製用として最も実用化されているＳｉからなるものであれば、弾性表面波素子と半導体デバイスを複合化しやすくなる。通常、Ｓｉ基板と圧電基板を貼り合わせて形成した複合圧電基板は、両基板の膨張係数が異なるため加熱すると反りが生じる場合がある。そこで、支持基板３の両表面層を０．１〜２０μｍの厚さだけ酸化し、Ｓｉ酸化膜６を形成すれば、複合圧電チップ１の反りを低減できる。さらに接着層４がある場合は、その表面抵抗値が１×１０^１５Ω以上であり、且つＳｉの支持基板３の抵抗値が２０００Ω・ｃｍ以上であり、かつＳｉ酸化膜６が形成されたものであれば、絶縁性を十分確保可能とし、電気的特性も向上できる。このように接着層４及びＳｉの支持基板３の抵抗が極めて大きければ、支持基板３の両表面のＳｉ酸化膜がある程度薄くても電気的絶縁性を飛躍的に向上させることができる。

もし支持基板３の一方の表面のみにＳｉ酸化膜６がある場合には、複合圧電基板１に室温でも反りが生じ、圧電基板２を前記の厚さに加工する際に外周から剥がれたり、外周からクラックが生じるので好ましくない。またＳｉ酸化膜６の厚さが０．１μｍより薄いと、複合圧電基板１の反りの低減効果が少なく、２０μｍより厚いと、例えば複合圧電基板１をＮ_２雰囲気下、３００℃程度に加熱した時に圧電基板２にクラックが生じることがあるので好ましくない。

なお、Ｓｉ酸化膜６の厚さは、上記範囲内であれば必ずしも両表面が同じである必要はないが、同程度であることが好ましい。また、このようなＳｉからなる支持基板３は、例えばフローティングゾーン法でＳｉの単結晶棒を育成し、これを所望の厚さにスライスすることによって２０００Ω・ｃｍ以上の極めて高抵抗の高品質なものが得られる。また、支持基板３の両表面層を酸化するには、例えば高圧酸化法を用いることができ、生産性よくＳｉ酸化膜６を容易に前記の所望の厚さとできる。

接着層４を構成する接着剤としては、例えばエポキシメタクリレートを主成分とする光硬化接着剤であれば、２５０℃以上の耐熱性が得られ、かつ光硬化前の粘度が１００ｃｐｓ以下と低いので、スピンコーティングやその他の塗布方法で容易に均一な接着層とできる。このように接着層が均一とできれば、複合圧電チップ１は均一に接着された高品質なものとなり、より剥離しにくいものとなる。そして、光硬化性であるから、室温で光照射により圧電基板２と支持基板３を強固に貼り合わせ接合することができ、高温にしなくてもよいので貼り合わせ時に圧電基板２が高温で変形せず室温でフラットな形状を保つことができるので好ましい。また、この接着剤は表面抵抗値が１×１０^１５Ωと大きく、なおかつ１ＧＨｚにおけるｔａｎδが０．１以下と小さいので高周波領域での損失が小さく好ましい。ここでｔａｎδとは誘電正接を表す量である。

このような複合圧電チップ１は、圧電基板２上に弾性表面波を励振・検出する電極９が形成されたものである。電極９は、従来のフォトリソグラフィ法等を用いて形成でき、例えば複数の電極指と該電極指を共通に接続するバスバーとからなる１対の櫛型電極が電極指が交差するように対向配置されたＩＤＴであり、弾性表面波素子の所望の機能・用途に応じて１又は複数の電極が形成される。また、電極９の両側には反射器が形成されてもよい。

そして、このような複合圧電チップ１は、例えばＡｕやＳｎからなるバンプ７を介して従来のフリップチップボンディングによって実装基板８に実装される。実装基板８は、アルミナ（膨張係数８ｐｐｍ／℃）や低膨張セラミック（膨張係数５．５ｐｐｍ／℃）からなるものであれば、膨張係数が適当な値であり、膨張係数αｃとαｓとが前述の関係を満たすように調整して実装することが容易であるが、他の材料からなる実装基板でもよい。

このような弾性表面波素子１０は、本発明に従い、圧電基板２と支持基板３とを貼り合わせた複合圧電基板をチップ形状に加工した複合圧電チップ１の圧電基板上に弾性表面波を励振・検出する電極９を形成し、複合圧電チップ１をバンプ７を介してフリップチップボンディングによって実装基板８に実装する際に、圧電基板２の表面の特定方向の膨張係数αｃ（ｐｐｍ／℃）と実装基板８の膨張係数αｓ（ｐｐｍ／℃）とが、αｓ＜αｃ＜αｓ＋６なる関係を満たすように、例えば圧電基板の厚み、圧電基板と支持基板とを接着する接着層の厚み、チップサイズ等を調整して実装することにより、製造することができる。

以下に本発明の実施例および比較例をあげてさらに具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
（実施例１）
直径４インチ（１００ｍｍ）で厚さが２００μｍであり、抵抗値が５０００Ω・ｃｍのＳｉ基板の両面の表面層を高圧酸化法により６μｍの厚さで酸化した。次に直径４インチ（１００ｍｍ）の３６°回転Ｙカットタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ_３）基板を厚さが０．２ｍｍ（２００μｍ）で両面ラップにより表面のＲａ（平均表面粗さ）が０．１２μmとなる様加工した。

次いで、この酸化膜付きＳｉ基板の表面を洗浄し、さらにこの基板を１００℃に加熱しながら波長２００ｎｍ以下の短波ＵＶ光及び高濃度オゾンにより前処理し、次にエポキシメタクリレートを主成分とする紫外線硬化接着剤をスピンコートしこの基板の片側表面上に均一に塗布した。次いで、前記ＬｉＴａＯ_３基板の裏面を洗浄し、前記接着剤を同様に塗布し、前記酸化膜付きＳｉ基板の接着剤塗布面と前記ＬｉＴａＯ_３基板の接着剤塗布面を圧力１×１０^−３ｍｂａｒの真空下で貼り合せた。

次に、この貼り合わせた複合圧電基板に、照度５０ｍＷ／ｃｍ^２の紫外線を１０分間照射し、接着剤を硬化させた。このとき基板面内で接着層は一様に５μｍの厚さだった。そして、この複合圧電基板を面取り加工した後、ＬｉＴａＯ_３基板の表面側をラップ及び研削により１６０μｍ削り落とし、さらにポリッシュによりＬｉＴａＯ_３基板の厚さが１５μｍになるようにした。

このようにして作製した複合圧電基板を１５０℃に加熱したところその反り量は最大で２ｍｍと小さかった。次に、この複合圧電基板を１×１．２ｍｍの複合圧電基板チップに切断し、このチップをＮ_２雰囲気下、３００℃まで加熱したところチップは割れなかった。また、前記チップを−４０℃〜１２５℃のヒートサイクルに１０００サイクルかけても、ヒートサイクル前と変化が無かった。

次に、上記の複合圧電チップに、動作周波数が約１．９ＧＨｚとなるように、弾性表面波を励振・検出するための電極幅が約０．５ミクロンである電極を設け、その両側に反射器を形成して１ポートの弾性表面波共振子を作製した。

このとき、ＬｉＴａＯ_３基板の電極が形成された面の漏洩弾性表面波伝播方向であるＸ方向±０．５°の膨張係数αｃを、前記複合圧電チップを加熱及び冷却し電極幅の温度変化をその場観察により求めたところ、αｃ＝１０ｐｐｍ／℃であった。

次に電極が形成された前記複合圧電チップを、低膨張セラミック（膨張係数αｓ＝５．５ｐｐｍ／℃）からなる実装基板にＳｎからなるハンダバンプを介してフリップチップ接続して、パッケージングをおこなった。

前記複合圧電チップをフリップチップ接続した１ポート弾性表面波共振子の共振周波数、及び反共振周波数の温度依存性を周囲温度を−４０℃から８５℃まで変化させて調べ、各々の温度係数を調べた結果、共振周波数の温度係数は−１０ｐｐｍ／℃、反共振周波数の温度係数は−２０ｐｐｍ／℃であった。

（実施例２）
直径４インチ（１００ｍｍ）で厚さが２００μｍであり、抵抗値が５０００Ω・ｃｍのＳｉ基板を用意した。次に直径４インチ（１００ｍｍ）の３６°回転Ｙカットタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ_３）基板を厚さが０．２ｍｍ（２００μｍ）で両面ラップにより表面のＲａが０．１２μmとなる様加工した。

次いで、Ｓｉ基板の表面を洗浄し、さらにこの基板を１００℃に加熱しながら波長２００ｎｍ以下の短波ＵＶ光及び高濃度オゾンにより前処理し、エポキシメタクリレートを主成分とする紫外線硬化接着剤をスピンコートしこの基板の片側表面上に均一に塗布した。次いで、前記ＬｉＴａＯ_３基板の裏面を洗浄し、前記接着剤を同様に塗布し、前記Ｓｉ基板の接着剤塗布面と前記ＬｉＴａＯ_３基板の接着剤塗布面を圧力１×１０^−３ｍｂａｒの真空下で貼り合せた。

次に、この貼り合わせた複合圧電基板に、照度５０ｍＷ／ｃｍ^２の紫外線を１０分間照射し、接着剤を硬化させた。このとき基板面内で接着層は一様に５μｍの厚さだった。そして、この複合圧電基板を面取り加工した後、ＬｉＴａＯ_３基板の表面側を研削及びラップにより１５５μｍ削り落とし、さらにポリッシュによりＬｉＴａＯ_３基板の厚さが２０μｍになるようにした。

このようにして作製した複合圧電基板を１５０℃に加熱したところその反り量は最大で４ｍｍと小さかった。また、この複合圧電基板を１×１．２ｍｍの複合圧電基板チップに切断し、このチップをＮ_２雰囲気下、３００℃まで加熱したところチップは割れなかった。また、前記チップを−４０℃〜１２５℃のヒートサイクルに１０００サイクルかけても、ヒートサイクル前と変化が無かった。

次に、上記の複合圧電チップに、動作周波数が約１．９ＧＨｚとなるように、弾性表面波を励振・検出するための電極幅が約０．５ミクロンである電極を設け、その両側に反射器を形成して１ポートの弾性表面波共振子を作製した。

このとき、ＬｉＴａＯ３基板の電極が形成された面の漏洩弾性表面波伝播方向であるＸ方向±０．５°の膨張係数αｃを、前記複合圧電チップを加熱及び冷却し電極幅の温度変化をその場観察により求めたところ、αｃ＝１１ｐｐｍ／℃であった。

次に電極が形成された前記複合圧電チップを、低膨張セラミック（膨張係数αｓ＝５．５ｐｐｍ／℃）からなる実装基板にＳｎからなるハンダバンプを介してフリップチップ接続して、パッケージングをおこなった。

前記複合圧電チップをフリップチップ接続した１ポート弾性表面波共振子の共振周波数、及び反共振周波数の温度依存性を周囲温度を−４０℃から８５℃まで変化させて調べ、各々の温度係数を調べた結果、共振周波数の温度係数は−１４ｐｐｍ／℃、反共振周波数の温度係数は−２４ｐｐｍ／℃であった。

（実施例３）
直径４インチ（１００ｍｍ）で厚さが１５０μｍである合成石英基板を用意した。次に直径４インチ（１００ｍｍ）の３６°回転Ｙカットタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ_３）基板を厚さが０．２ｍｍ（２００μｍ）で両面ラップにより表面のＲａが０．１２μmとなる様加工した。

次いで、合成石英基板の表面を洗浄し、さらにこの基板を１００℃に加熱しながら波長２００ｎｍ以下の短波ＵＶ光及び高濃度オゾンにより前処理し、エポキシメタクリレートを主成分とする紫外線硬化接着剤をスピンコートしこの基板の片側表面上に均一に塗布した。次いで、前記ＬｉＴａＯ_３基板の裏面を洗浄し、前記接着剤を同様に塗布し、前記合成石英基板の接着剤塗布面と前記ＬｉＴａＯ_３基板の接着剤塗布面を圧力１×１０^−３ｍｂａｒの真空下で貼り合せた。

次に、この貼り合わせた複合圧電基板に、照度５０ｍＷ／ｃｍ^２の紫外線を１０分間照射し、接着剤を硬化させた。このとき基板面内で接着層は一様に５μｍの厚さだった。そして、この複合圧電基板を面取り加工した後、ＬｉＴａＯ_３基板の表面側を研削及びラップにより１５５μｍ削り落とし、さらにポリッシュによりＬｉＴａＯ_３基板の厚さが２０μｍになるようにした。

このようにして作製した複合圧電基板を１５０℃に加熱したところその反り量は最大で４ｍｍと小さかった。また、この複合圧電基板を１×１．２ｍｍの複合圧電基板チップに切断し、このチップをＮ_２雰囲気下、３００℃まで加熱したところチップは割れなかった。また、前記チップを−４０℃〜１２５℃のヒートサイクルに１０００サイクルかけても、ヒートサイクル前と変化が無かった。

次に、上記の複合圧電チップに、動作周波数が約１．９ＧＨｚとなるように、弾性表面波を励振・検出するための電極幅が約０．５ミクロンである電極を設け、その両側に反射器を形成して１ポートの弾性表面波共振子を作製した。

このとき、ＬｉＴａＯ_３基板の電極が形成された面の漏洩弾性表面波伝播方向であるＸ方向±０．５°の膨張係数αｃを、前記複合圧電チップを加熱及び冷却し電極幅の温度変化をその場観察により求めたところ、αｃ＝８ｐｐｍ／℃であった。

次に電極が形成された前記複合圧電チップを、低膨張セラミック（膨張係数αｓ＝５．５ｐｐｍ／℃）からなる実装基板にＳｎからなるハンダバンプを介してフリップチップ接続して、パッケージングをおこなった。

前記複合圧電チップをフリップチップ接続した１ポート弾性表面波共振子の共振周波数、及び反共振周波数の温度依存性を周囲温度を−４０℃から８５℃まで変化させて調べ、各々の温度係数を調べた結果、共振周波数の温度係数は−１３ｐｐｍ／℃、反共振周波数の温度係数は−２３ｐｐｍ／℃であった。

（実施例４）
直径４インチ（１００ｍｍ）で厚さが２００μｍであり、抵抗値が５０００Ω・ｃｍの片側が鏡面加工されたＳｉ基板を用意した。次に直径４インチ（１００ｍｍ）の３６°回転Ｙカットタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ_３）基板を厚さが０．１５ｍｍ（１５０μｍ）となるよう両面研磨により仕上げた。前記基板を各々１００℃に加熱しながら波長２００ｎｍ以下の短波ＵＶ光及び高濃度オゾンにより前処理した。
そして、前記ＬｉＴａＯ_３基板とＳｉ基板を圧力１×１０^−４ｍｂａｒの真空下で室温で貼り合せた。

次に、同様な方法で作製したＬｉＴａＯ_３基板とＳｉ基板の貼り合わせ基板２枚を、ＬｉＴａＯ_３基板側で対向させエポキシ接着剤を介して接着し、２５０℃まで加熱した。
その後、室温まで冷却し、硫酸にて接着層を剥がし、複合圧電基板を作製した。
そして、この複合圧電基板を面取り加工した後、ＬｉＴａＯ_３基板の表面側を研削及びラップにより９５μｍ削り落とし、さらにポリッシュによりＬｉＴａＯ_３基板の厚さが３０μｍになるようにした。

また、この複合圧電基板を１×１．２ｍｍの複合圧電基板チップに切断し、このチップをＮ_２雰囲気下、３００℃まで加熱したところチップは割れなかった。また、前記チップを−４０℃〜１２５℃のヒートサイクルに１０００サイクルかけても、ヒートサイクル前と変化が無かった。

次に、上記の複合圧電チップに、動作周波数が約１．９ＧＨｚとなるように、弾性表面波を励振・検出するための電極幅が約０．５ミクロンである電極を設け、その両側に反射器を形成して１ポートの弾性表面波共振子を作製した。

このとき、ＬｉＴａＯ_３基板の電極が形成された面の漏洩弾性表面波伝播方向であるＸ方向±０．５°の膨張係数αｃを、前記複合圧電チップを加熱及び冷却し電極幅の温度変化をその場観察により求めたところ、αｃ＝７ｐｐｍ／℃であった。

次に電極が形成された前記複合圧電チップを、低膨張セラミック（膨張係数αｓ＝５．５ｐｐｍ／℃）からなる実装基板にＳｎからなるハンダバンプを介してフリップチップ接続して、パッケージングをおこなった。

前記複合圧電チップをフリップチップ接続した１ポート弾性表面波共振子の共振周波数、及び反共振周波数の温度依存性を周囲温度を−４０℃から８５℃まで変化させて調べ、各々の温度係数を調べた結果、共振周波数の温度係数は−１３ｐｐｍ／℃、反共振周波数の温度係数は−２３ｐｐｍ／℃であった。
上記いずれの実施例においても共振周波数、反共振周波数とも温度係数が小さく、周波数温度特性改善効果が高いことが確認された。

（比較例１〜４）
比較例１〜４として、それぞれ実施例１〜４と全く同様な方法にて作製した複合圧電チップをチップアンドワイヤー法にて実装して作製した１ポート弾性表面波共振子の共振周波数、及び反共振周波数の温度依存性を、周囲温度を−４０℃から８５℃まで変化させ手調べ、各々の温度係数を調べた。その結果、比較例１においては、共振周波数の温度係数は−２０ｐｐｍ／℃、反共振周波数の温度係数は−３０ｐｐｍ／℃であった。また比較例２においては、共振周波数の温度係数は−２４ｐｐｍ／℃、反共振周波数の温度係数は−３４ｐｐｍ／℃であった。また比較例３においては、共振周波数の温度係数は−２３ｐｐｍ／℃、反共振周波数の温度係数は−３３ｐｐｍ／℃であった。また比較例４においては、共振周波数の温度係数は−１９ｐｐｍ／℃、反共振周波数の温度係数は−２９ｐｐｍ／℃であった。すなわち、比較例１〜４においては、実施例１〜４と比較して各温度係数が６〜１０ｐｐｍ／℃だけ大きかった。

（比較例５、６）
直径４インチ（１００ｍｍ）の３６°回転Ｙカットタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ_３）基板を厚さが０．２ｍｍ（２００μｍ）で表面は鏡面仕上げ、裏面はラップによりＲａが０．１２μｍとなる様加工した。次いで、この圧電基板を１×１．２ｍｍの圧電チップに加工した。

次に、上記の圧電チップに、動作周波数が約１．９ＧＨｚとなるように、弾性表面波を励振・検出するための電極幅が約０．５ミクロンである電極を設け、その両側に反射器を形成して１ポートの弾性表面波共振子を作製した。

このとき、ＬｉＴａＯ３基板の電極が形成された面の漏洩弾性表面波伝播方向であるＸ方向±０．５°の膨張係数αｃを、前記圧電チップを加熱及び冷却し電極幅の温度変化をその場観察により求めたところ、αｃ＝１６ｐｐｍ／℃であった。

次に電極が形成された前記圧電チップを、低膨張セラミック（膨張係数αｓ＝５．５ｐｐｍ／℃）からなる実装基板にＳｎからなるハンダバンプを介してフリップチップ接続して、パッケージングをおこなった。

前記圧電チップをフリップチップ接続した１ポート弾性表面波共振子の共振周波数、及び反共振周波数の温度依存性を周囲温度を−４０℃から８５℃まで変化させて調べ、各々の温度係数を調べた結果、共振周波数の温度係数は−２６ｐｐｍ／℃、反共振周波数の温度係数は−３６ｐｐｍ／℃と大きい値であった。

また、前記と同様の圧電チップをチップアンドワイヤー法にて実装して作製した１ポート弾性表面波共振子の共振周波数、及び反共振周波数の温度依存性を周囲温度を−４０℃から８５℃まで変化させて調べ、各々の温度係数を調べた結果、共振周波数の温度係数は−３０ｐｐｍ／℃、反共振周波数の温度係数は−４０ｐｐｍ／℃と大きい値であった。

（比較例７）
直径４インチ（１００ｍｍ）で厚さが２００μｍであり、抵抗値が５０００Ω・ｃｍの片側が鏡面加工されたＳｉ基板を用意した。そして、鏡面加工されたＳｉ表面にプラズマＣＶＤ法によりＳｉＯ_２を６μｍ堆積した。
次に直径４インチ（１００ｍｍ）の３６°回転Ｙカットタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ_３）基板を厚さが０．１５ｍｍ（１５０μｍ）となるよう両面研磨により仕上げた。

このＳｉＯ_２付きＳｉ基板のＳｉＯ_２を堆積した側の面とタンタル酸リチウム基板の接合する側の面に窒素プラズマを照射した。
次に前記ＬｉＴａＯ_３基板とＳｉ基板を圧力１×１０⁻⁴ｍｂａｒの真空下で室温で貼り合せた。

次に、同様な方法で作製したＬｉＴａＯ_３基板とＳｉ基板の貼り合わせ基板２枚を、ＬｉＴａＯ_３基板側で対向させエポキシ接着剤を介して接着し、２５０℃まで加熱した。
その後、室温まで冷却し、硫酸にて接着層を剥がし、複合圧電基板を作製した。
そして、この複合圧電基板を面取り加工した後、ＬｉＴａＯ_３基板の表面側を研削及びラップにより１１０μｍ削り落とし、さらにポリッシュによりＬｉＴａＯ_３基板の厚さが２５μｍになるようにした。

次に、この複合圧電基板を１×１．２ｍｍの複合圧電基板チップに切断し、この複合圧電チップに、動作周波数が約１．９ＧＨｚとなるように、弾性表面波を励振・検出するための電極幅が約０．５ミクロンである電極を設け、その両側に反射器を形成して１ポートの弾性表面波共振子を作製した。

このとき、ＬｉＴａＯ_３基板の電極が形成された面の漏洩弾性表面波伝播方向であるＸ方向±０．５°の膨張係数αｃを、前記複合圧電チップを加熱及び冷却し電極幅の温度変化をその場観察により求めたところ、αｃ＝４ｐｐｍ／℃であった。

次に電極が形成された前記複合圧電チップを、アルミナセラミック（膨張係数αｓ＝８ｐｐｍ／℃）からなる実装基板にＳｎからなるハンダバンプを介してフリップチップ接続してパッケージングをおこなった。

前記複合圧電チップをフリップチップ接続した１ポート弾性表面波共振子の共振周波数、及び反共振周波数の温度依存性を周囲温度を−４０℃から８５℃まで変化させて調べ、各々の温度係数を調べた結果共振周波数の温度係数は−２３ｐｐｍ／℃、反共振周波数の温度係数は−３５ｐｐｍ／℃と温度特性改善効果が小さかった。

また、前記複合圧電チップをチップアンドワイヤー接続して実装した１ポート弾性表面波共振子の共振周波数、及び反共振周波数の温度依存性を周囲温度を−４０℃から８５℃まで変化させて調べ、各々の温度係数を調べた結果共振周波数の温度係数は−１２ｐｐｍ／℃、反共振周波数の温度係数は−２２ｐｐｍ／℃と良好な温度特性であったが、実装作業が煩雑であり、生産性が高いものではない。

（比較例８）
直径４インチ（１００ｍｍ）で厚さが２００μｍであるガドリニウム・ガリウム・ガーネット(ＧＧＧ)基板を用意した。次に直径４インチ（１００ｍｍ）の３６°回転Ｙカットタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ_３）基板を厚さが０．２ｍｍ（２００μｍ）で両面ラップにより表面のＲａが０．１２μmとなる様加工した。

次いで、ＧＧＧ基板の表面を洗浄し、さらにこの基板を１００℃に加熱しながら波長２００ｎｍ以下の短波ＵＶ光及び高濃度オゾンにより前処理し、エポキシメタクリレートを主成分とする紫外線硬化接着剤をスピンコートし片側表面上に均一に塗布した。次いで、前記ＬｉＴａＯ_３基板の裏面を洗浄し、前記接着剤を同様に塗布し、前記ＧＧＧ基板の接着剤塗布面と前記ＬｉＴａＯ_３基板の接着剤塗布面を圧力１×１０^−３ｍｂａｒの真空下で貼り合せた。

次に、この貼り合わせた複合圧電基板に、照度５０ｍＷ／ｃｍ^２の紫外線を１０分間照射し、接着剤を硬化させた。このとき基板面内で接着層は一様に５μｍの厚さだった。そして、この複合圧電基板を面取り加工した後、ＬｉＴａＯ_３基板の表面側を研削及びラップにより１５５μｍ削り落とし、さらにポリッシュによりＬｉＴａＯ_３基板の厚さが２０μｍになるようにした。

次に、この複合圧電基板を１×１．２ｍｍの複合圧電基板チップに切断し、この複合圧電チップに、動作周波数が約１．９ＧＨｚとなるように、弾性表面波を励振・検出するための電極幅が０．５ミクロンである電極を設け、その両側に反射器を形成して１ポートの弾性表面波共振子を作製した。

このとき、ＬｉＴａＯ_３基板の電極が形成された面の漏洩弾性表面波伝播方向であるＸ方向±０．５°の膨張係数αｃを、前記複合圧電チップを加熱及び冷却し電極幅の温度変化をその場観察により求めたところ、αｃ＝１５ｐｐｍ／℃であった。

次に電極が形成された前記複合圧電チップを、アルミナセラミック基板（膨張係数αｓ＝８ｐｐｍ／℃）からなる実装基板にＳｎからなるハンダバンプを介してフリップチップ接続して、パッケージングをおこなった。

前記複合圧電チップをフリップチップ接続した１ポート弾性表面波共振子の共振周波数、及び反共振周波数の温度依存性を周囲温度を−４０℃から８５℃まで変化させて調べ、各々の温度係数を調べた結果、共振周波数の温度係数は−２９ｐｐｍ／℃、反共振周波数の温度係数は−３９ｐｐｍ／℃と温度特性改善はほとんど無かった。

また、前記複合圧電チップをチップアンドワイヤー接続して実装した１ポート弾性表面波共振子の共振周波数、及び反共振周波数の温度依存性を周囲温度を−４０℃から８５℃まで変化させて調べ、各々の温度係数を調べた結果、共振周波数の温度係数は−３０ｐｐｍ／℃、反共振周波数の温度係数は−４０ｐｐｍ／℃と温度特性改善効果は無かった。

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は単なる例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。

例えば、実施例では圧電基板として３６°回転ＹカットＬｉＴａＯ_３基板を用いたが、ＬｉＮｂＯ_３基板や他の圧電基板を用いてもよい。また、これらの圧電基板は、焦電性による表面電荷の蓄積をなくしたものであってもよい。

本発明に係る弾性表面波素子の実施形態の一例を示す断面概略図である。

符号の説明

１…複合圧電チップ、 ２…圧電基板、 ３…支持基板、 ４…接着層、
５…圧電基板の接着面、 ６…Ｓｉ酸化膜、 ７…バンプ、 ８…実装基板、
９…電極、 １０…弾性表面波素子。

Claims (9)

1. 圧電基板上に弾性表面波を励振・検出する電極が形成された弾性表面波素子であって、少なくとも、圧電基板と支持基板とを貼り合わせた複合圧電基板をチップ形状に加工した複合圧電チップと、該複合圧電チップをバンプを介してフリップチップボンディングによって実装する実装基板とを具備し、前記圧電基板表面の特定方向の膨張係数αｃ（ｐｐｍ／℃）と、前記実装基板の膨張係数αｓ（ｐｐｍ／℃）とが、
   αｓ＜αｃ＜αｓ＋６
   なる関係を満たすように実装されたものであることを特徴とする弾性表面波素子。
2. 請求項１に記載の弾性表面波素子において、前記特定方向は、前記電極により励振される弾性表面波の伝播方向から±０．５度以内のものであることを特徴とする弾性表面波素子。
3. 請求項１又は請求項２に記載の弾性表面波素子において、前記実装基板は、アルミナ又は低膨張セラミックからなるものであることを特徴とする弾性表面波素子。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の弾性表面波素子において、前記圧電基板は、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、ホウ酸リチウムのいずれか１つからなるものであることを特徴とする弾性表面波素子。
5. 圧電基板と支持基板とを貼り合わせた複合圧電基板をチップ形状に加工した複合圧電チップであって、該複合圧電チップは前記圧電基板上に弾性表面波を励振・検出する電極が形成され、かつバンプを介してフリップチップボンディングによって実装基板に実装されるものであり、前記圧電基板表面の特定方向の膨張係数αｃ（ｐｐｍ／℃）が、前記実装基板の膨張係数αｓ（ｐｐｍ／℃）と、
   αｓ＜αｃ＜αｓ＋６
   なる関係を満たすように実装されるものであることを特徴とする複合圧電チップ。
6. 請求項５に記載の複合圧電チップにおいて、前記特定方向は、前記電極により励振される弾性表面波の伝播方向から±０．５度以内のものであることを特徴とする複合圧電チップ。
7. 請求項５又は請求項６に記載の複合圧電チップにおいて、前記実装基板は、アルミナ又は低膨張セラミックからなるものであることを特徴とする複合圧電チップ。
8. 請求項５乃至請求項７のいずれか一項に記載の複合圧電チップにおいて、前記圧電基板は、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、ホウ酸リチウムのいずれか１つからなるものであることを特徴とする複合圧電チップ。
9. 弾性表面波素子の製造方法であって、少なくとも、圧電基板と支持基板とを貼り合わせた複合圧電基板をチップ形状に加工した複合圧電チップの該圧電基板上に弾性表面波を励振・検出する電極を形成し、該複合圧電チップをバンプを介してフリップチップボンディングによって実装基板に実装する際に、前記圧電基板表面の特定方向の膨張係数αｃ（ｐｐｍ／℃）と、前記実装基板の膨張係数αｓ（ｐｐｍ／℃）とが、
   αｓ＜αｃ＜αｓ＋６
   なる関係を満たすように実装することを特徴とする弾性表面波素子の製造方法。

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